KR101909822B1 - A radiation image sensing apparatus, method of operating the same, and method of preparing the same - Google Patents

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KR101909822B1
KR101909822B1 KR1020170067126A KR20170067126A KR101909822B1 KR 101909822 B1 KR101909822 B1 KR 101909822B1 KR 1020170067126 A KR1020170067126 A KR 1020170067126A KR 20170067126 A KR20170067126 A KR 20170067126A KR 101909822 B1 KR101909822 B1 KR 101909822B1
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KR
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scintillator
pixel
radiation
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pixel array
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조규성
김명수
김기윤
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한국과학기술원
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    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
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    • H04N5/32Transforming X-rays

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Abstract

A radiation image sensing device, a method of operating the same, and a method of manufacturing the same are disclosed. The radiation image sensing apparatus according to one embodiment includes a scintillator for converting emitted radiation into light; a pixel array which is disposed on a side where the scintillator outputs light and includes a plurality of pixels; and a barrier membrane for blocking a part of the light outputted by the scintillator from being transmitted to the pixel array. It is possible to obtain high resolution, light intensity, and material resolution.

Description

방사선 이미지 센싱 장치, 이의 동작 방법, 및 이의 제조 방법{A RADIATION IMAGE SENSING APPARATUS, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND METHOD OF PREPARING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a radiation image sensing apparatus, a radiation image sensing apparatus, a radiation image sensing apparatus, a radiation image sensing apparatus, a radiation image sensing apparatus,

아래 실시예들은 단일 촬영으로 에너지 분해능을 갖는 방사선 이미지 센싱 장치, 이의 동작 방법, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The following embodiments are directed to a radiation image sensing device having energy resolution by a single shot, a method of operating the same, and a method of manufacturing the same.

기존의 엑스선 영상 센서는 세가지 측면에서의 한계를 갖는다.Conventional x-ray image sensors have limitations in three aspects.

첫째, 공간 분해능의 감쇄 문제로서 영상의 해상도와 관련이 있는 문제이다. 이는 포토 다이오드의 픽셀 피치(pixel pitch)와 섬광체의 두께 등에 의해 영향을 받는다.First, the problem of attenuation of spatial resolution is related to image resolution. This is influenced by the pixel pitch of the photodiode and the thickness of the scintillator.

둘째, 광량의 문제로서 섬광체에서 발생하는 빛의 대부분은 엑스선 입사 방향 쪽에서 발생하므로 많은 빛이 센서부분에 도달하지 못한다. 이는 SNR이 감소하게 됨으로써 영상에서 피사체 정보를 정확하게 얻을 수 없는 문제를 야기한다.Second, since most of the light emitted from the scintillator occurs in the direction of the X-ray incident direction, a large amount of light can not reach the sensor portion. This causes a problem that the object information can not be obtained accurately from the image because the SNR is reduced.

셋째, 물질 정보를 갖지 못하는 점이다. Z-number가 낮지만 두꺼운 물질과 Z-number가 높지만 얇은 물질이 동시에 존재하는 경우 이 두 가지 물질을 구분하기 어렵기 때문에 엑스선 영상의 판독에 있어서 한계가 존재한다.Third, it does not have material information. There is a limit to the reading of x-ray images because it is difficult to distinguish between the two substances when the Z-number is low but the thick substance and the high Z-number but the thin substance are present at the same time.

실시예들은 높은 해상도와 광량, 그리고 물질 분해능을 갖는 방사선 이미지 센싱 장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a radiation image sensing device having high resolution, light quantity, and material resolution.

또한, 실시예들은 한번의 영상 촬영으로 영상 성능의 감소 없이 에너지 분해능을 갖게 되어 물질의 종류도 판단할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.In addition, the embodiments can provide a technique for determining the type of a material because the energy resolution is obtained without reducing the image performance by single image capturing.

일 실시예에 따른 방사선 이미지 센싱 장치는 조사된 방사선을 광으로 변환하는 섬광체와, 상기 섬광체가 광을 출력하는 측면에 배치되고, 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이와, 상기 섬광체가 출력하는 광의 일부가 상기 픽셀 어레이로 전달되지 않도록 차단하기 위한 차단막(barrier membrane)을 포함한다.According to one embodiment, a radiation image sensing apparatus includes a scintillator for converting irradiated radiation into light, a pixel array disposed on a side where the scintillator outputs light, a pixel array including a plurality of pixels, and a part of light output from the scintillator And a barrier membrane for blocking the pixel array from being transmitted to the pixel array.

상기 차단막은 상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치할 수 있다.The blocking layer may be located at a position corresponding to a pixel on a pixel-by-pixel basis so that the light output from the scintillator is not transmitted.

상기 차단막은 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치할 수 있다.The blocking layer may be positioned between the scintillator and the pixel array.

상기 장치는 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치하는 FOP(Fiber Optic Plate)를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a fiber optic plate (FOP) positioned between the scintillator and the pixel array.

상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 차단막을 통해 상기 섬광체가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀은 상기 조사된 방사선에 기초하여 제1 픽셀 신호를 생성하고, 상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 픽셀을 제외한 나머지 픽셀은 상기 섬광체가 출력하는 광 및 상기 조사된 방사선에 기초하여 제2 픽셀 신호를 생성할 수 있다.Wherein a pixel of the plurality of pixels that does not receive light output from the scintillator through the blocking film generates a first pixel signal based on the irradiated radiation and the remaining pixels of the plurality of pixels, And generate a second pixel signal based on the light output by the scintillator and the irradiated radiation.

상기 장치는 상기 제1 픽셀 신호 및 제2 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성하는 이미지 프로세서를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further comprise an image processor for combining the first pixel signal and the second pixel signal to produce an image.

상기 차단막은 상기 복수의 픽셀들 중에서 해당 픽셀 내에 구현될 수 있다.The blocking layer may be implemented in the corresponding pixel among the plurality of pixels.

일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치 제조 방법은 조사된 방사선을 광으로 변환하는 섬광체를 형성하는 단계와, 상기 섬광체가 출력하는 광의 일부가 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이로 전달되지 않도록 차단하기 위한 차단막(barrier membrane)을 형성하는 단계와, 상기 픽셀 어레이를 상기 섬광체가 광을 출력하는 측면에 배치하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an image sensing device according to an exemplary embodiment includes forming a scintillator for converting irradiated radiation into light, a blocking film for blocking a portion of the light output by the scintillator from being transmitted to a pixel array including a plurality of pixels, forming a barrier membrane, and disposing the pixel array on a side from which the scintillator outputs light.

상기 차단막은 상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치할 수 있다.The blocking layer may be located at a position corresponding to a pixel on a pixel-by-pixel basis so that the light output from the scintillator is not transmitted.

상기 차단막은 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치할 수 있다.The blocking layer may be positioned between the scintillator and the pixel array.

상기 방법은 FOP(Fiber Optic Plate)를 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further comprise forming an FOP (Fiber Optic Plate) between the scintillator and the pixel array.

일 실시예에 따른 섬광체 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센싱 장치의 동작 방법은 상기 픽셀 어레이에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 차단막을 통해 상기 섬광체가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀이 조사된 방사선에 기초하여 제1 픽셀 신호를 생성하는 단계와, 상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 픽셀을 제외한 나머지 픽셀은 상기 섬광체가 출력하는 광 및 상기 조사된 방사선에 기초하여 제2 픽셀 신호를 생성하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of operating an image sensing apparatus including a scintillator and a pixel array, the method comprising: a step of detecting, based on radiation irradiated with a pixel, And generating a second pixel signal based on the emitted light and the irradiated radiation, wherein the remaining pixels of the plurality of pixels except for the pixel are generated by the scintillator.

상기 방법은 상기 제1 픽셀 신호 및 제2 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include generating an image by combining the first pixel signal and the second pixel signal.

상기 차단막은 상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치할 수 있다.The blocking layer may be located at a position corresponding to a pixel on a pixel-by-pixel basis so that the light output from the scintillator is not transmitted.

상기 차단막은 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치할 수 있다.The blocking layer may be positioned between the scintillator and the pixel array.

도 1은 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치의 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 이미지 센서의 일 예를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 방사선 이미지 센서의 다른 예를 나타낸다.
도 4는 도 2 또는 도 3에 도시된 방사선 이미지 센서를 통해 획득되는 신호에 대한 처리 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 6은 일 실시예에 따른 방사선 이미지 센싱 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
1 is a schematic block diagram of an image sensing apparatus according to an embodiment.
Fig. 2 shows an example of the radiation image sensor shown in Fig.
Fig. 3 shows another example of the radiation image sensor shown in Fig.
FIG. 4 is a view for explaining a processing operation for a signal obtained through the radiation image sensor shown in FIG. 2 or FIG. 3. FIG.
5 is a flowchart illustrating an operation method of a radiation image sensing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a radiation image sensing apparatus according to an embodiment.

본 명세서에서 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에서 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional descriptions of embodiments of the present invention disclosed herein are presented for the purpose of describing embodiments only in accordance with the concepts of the present invention, May be embodied in various forms and are not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments in accordance with the concepts of the present invention are capable of various modifications and may take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. However, it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the specific disclosure forms, but includes changes, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the present invention.

제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들어 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, or the like may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may be named for the purpose of distinguishing one element from another, for example without departing from the scope of the right according to the concept of the present invention, the first element being referred to as the second element, Similarly, the second component may also be referred to as the first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “연결되어” 있다거나 “접속되어” 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “직접 연결되어” 있다거나 “직접 접속되어” 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들어 “~사이에”와 “바로~사이에” 또는 “~에 이웃하는”과 “~에 직접 이웃하는” 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어를 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. It will be understood that, in this specification, the terms " comprises ", or " having ", and the like are to be construed as including the presence of stated features, integers, But do not preclude the presence or addition of steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 일 실시예에 따른 이미지 센싱 장치의 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram of an image sensing apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 방사선 이미지 센싱 장치(radiation image sensing apparatus; 10)은 방사선 이미지 센서(radiation image sensor; 100)를 포함한다. 또한, 방사선 이미지 센싱 장치(10)는 이미지 프로세서(image processor; 200)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 방사선은 엑스선을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 1, a radiation image sensing apparatus 10 includes a radiation image sensor 100. In addition, the radiation image sensing apparatus 10 may further include an image processor 200. For example, radiation may mean x-rays.

방사선 이미지 센싱 장치(10)는 이미지 프로세서(200)의 제어에 따라, 렌즈(400)를 통해 물체(object; 300) 또는 물체(300)를 투과한 방사선에 의해 표시되는 방사선 이미지를 감지할 수 있다. 물체(300)는 피검체(subject 또는 sample)를 의미할 수 있다.The radiation image sensing device 10 can sense the radiation image displayed by the radiation transmitted through the object 300 or the object 300 through the lens 400 under the control of the image processor 200 . The object 300 may refer to a subject or sample.

방사선 이미지 센싱 장치(10)은 엑스선 장치, 엑스선 장치가 부착된 진단 장치, 또는 엑스선 장치가 부착된 휴대용 장치(portable device)에 사용될 수 있다. 예를 들어, 방사선 이미지 센서는 CMOS 기반의 Crystal silicon X-ray image sensor로 구현될 수 있다.The radiation image sensing device 10 may be used in an x-ray device, a diagnostic device with an x-ray device attached, or a portable device with an x-ray device attached thereto. For example, a radiation image sensor can be implemented with a CMOS based crystal silicon X-ray image sensor.

방사선은 방사선 이미지 센서(100)로 조사되고, 방사선 이미지 센서(100)는 조사된 방사선(예를 들어, 엑스레이)을 광으로 변환하는 섬광체로부터 출력되는 광의 일부가 픽셀 어레이로 전달되지 않도록 차단할 수 있다.The radiation is irradiated to the radiation image sensor 100 and the radiation image sensor 100 can block a portion of the light output from the scintillator that converts the irradiated radiation (e.g., x-rays) into light to be transmitted to the pixel array .

예를 들어, 방사선 이미지 센서(100)는 섬광체가 출력하는 광의 일부를 픽셀 어레이에 포함된 하나 이상의 어느 픽셀로 전달하고, 하나 이상의 다른 어느 픽셀로 전달하지 않을 수 있다. 이에, 하나 이상의 어느 픽셀은 조사된 방사선 및 섬광체가 출력하는 광에 기초하여 픽셀 신호를 생성할 수 있다. 또한, 하나 이상의 다른 어느 픽셀은 조사된 방사선에 기초하여 픽셀 신호를 생성할 수 있다.For example, the radiation image sensor 100 may transmit a portion of the light output by the scintillator to one or more of the pixels contained in the pixel array and not to one or more other pixels. Thus, one or more of the pixels may generate a pixel signal based on the irradiated radiation and the light emitted by the scintillator. Further, one or more other pixels may generate a pixel signal based on the irradiated radiation.

방사선 이미지 센서(100)는 조사된 방사선 및 섬광체가 출력하는 광에 기초한 픽셀 신호와 조사된 방사선에 기초한 픽셀 신호를 신호 프로세서(200)로 출력할 수 있다.The radiation image sensor 100 may output a pixel signal based on the irradiated radiation and the light output by the scintillator and a pixel signal based on the irradiated radiation to the signal processor 200. [

신호 프로세서(200)는 조사된 방사선 및 섬광체가 출력하는 광에 기초한 픽셀 신호와 조사된 방사선에 기초한 픽셀 신호를 조합(또는 가공 및 처리)하여 이미지를 생성할 수 있다.The signal processor 200 may combine (or process and process) the pixel signal based on the irradiated radiation and the pixel signal based on the emitted light and the irradiated radiation to produce an image.

일 예로, 신호 프로세서(200)는 방사선 이미지 센서(100)와 별개의 칩으로 구현될 수 있다.In one example, the signal processor 200 may be implemented as a separate chip from the radiation image sensor 100.

다른 예로, 신호 프로세서(200)와 방사선 이미지 센서(100)는 하나의 칩으로 구현될 수 있다. 즉, 신호 프로세서(200)는 이미지 센서(100) 내에 구현될 수 있다.As another example, the signal processor 200 and the radiation image sensor 100 may be implemented as a single chip. That is, the signal processor 200 may be implemented within the image sensor 100.

도 2는 도 1에 도시된 방사선 이미지 센서의 일 예를 나타낸다.Fig. 2 shows an example of the radiation image sensor shown in Fig.

도 2를 참조하면, 방사선 이미지 센서(100)는 픽셀 어레이(pixel array; 110), 차단층(barrier layer; 130), 및 섬광체(scintillator; 150)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the radiation image sensor 100 includes a pixel array 110, a barrier layer 130, and a scintillator 150.

픽셀 어레이(110)는 복수의 픽셀들(113-1~113-12)을 포함할 수 있다. 도 2에서는 픽셀 어레이(110)가 12개의 복수의 픽셀들(113-1~113-12)로 구현된 것으로 도시하고 있지만, 반드시 이에 한정되지 않으며, 픽셀 어레이(110)는 하나 이상의 픽셀로 구현될 수 있다. 도 2 이하에서는 설명의 편의를 위해서 픽셀 어레이(110)가 12개의 복수의 픽셀들(113-1~113-12)로 구현된 것으로 가정하고 설명한다.The pixel array 110 may include a plurality of pixels 113-1 through 113-12. Although FIG. 2 illustrates the pixel array 110 as being implemented with twelve pixels 113-1 through 113-12, the pixel array 110 is not necessarily limited thereto, and the pixel array 110 may be implemented with one or more pixels . Hereinafter, for the convenience of explanation, it is assumed that the pixel array 110 is implemented by a plurality of 12 pixels 113-1 to 113-12.

픽셀 어레이(110)는 조사된 방사선이 먼저 도달될(또는 통과될) 수 있도록 배치될 수 있다. 조사된 방사선은 1차적으로 픽셀 어레이(110)를 지나친 후 2차적으로 섬광체(150)에 도달할 수 있다. 즉, 픽셀 어레이(110)는 섬광체(150)가 광을 출력하는 측면에 배치될 수 있다.The pixel array 110 may be arranged such that the irradiated radiation may be first reached (or passed). The irradiated radiation may reach the scintillator 150 primarily after passing the pixel array 110 primarily. That is, the pixel array 110 may be disposed on a side where the scintillator 150 outputs light.

섬광체(150)는 조사된 방사선을 광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 섬광체(150)는 픽셀 어레이(110)를 지나 도달한 방사선을 광으로 변환할 수 있다. 이후에, 섬광체(150)는 변환된 광을 픽셀 어레이(110)로 출력할 수 있다.The scintillator 150 can convert the irradiated radiation into light. For example, scintillator 150 may convert radiation that has passed through pixel array 110 to light. Thereafter, the scintillator 150 can output the converted light to the pixel array 110.

섬광체(150)가 광을 출력하는 측면에 픽셀 어레이(110)를 배치함으로써, 섬광체(150)에서 픽셀 어레이(110)를 지나 도달한 방사선에 응답하여 발광하는 지점은 픽셀 어레이(110)에 근접하게 할 수 있다.By arranging the pixel array 110 on the side from which the scintillator 150 outputs light, the point of emission in response to the radiation reaching the pixel array 110 in the scintillator 150 is close to the pixel array 110 can do.

섬광체(150)에서 발생하는 빛의 대부분은 방사선 입사 방향 쪽인 픽셀 어레이(110) 방향 쪽에서 발생하므로, 많은 빛(예를 들어, 직접 조사된 방사선 및 섬광체(150)에서 발생하는 빛)이 픽셀 어레이(110)로 도달할 수 있다. 이에, SNR이 증가하게 됨으로써, 픽셀 어레이(110)로부터 획득되는 이미지에서 물체(300) 정보를 정확하게 얻을 수 있다. 또한, 섬광체(150)의 두께를 두껍게 사용하지 않을 수 있기 때문에, 방사선 이미지 센서(100)에서 발생하는 공간 분해능의 감쇄 문제를 해결할 수 있다.Most of the light generated in the scintillator 150 is generated in the direction toward the pixel array 110 in the direction of radiation incidence so that a large amount of light (for example, the radiation directly irradiated and the light generated in the scintillator 150) 110 < / RTI > Thus, by increasing the SNR, the object 300 information can be obtained accurately from the image obtained from the pixel array 110. [ In addition, since the thickness of the scintillator 150 can be reduced, the problem of the spatial resolution degradation caused by the radiation image sensor 100 can be solved.

차단층(130)은 섬광체(150)가 출력하는 광의 일부가 픽셀 어레이(110)로 전달되지 않도록 하기 위한 하나 이상의 차단막(barrier membrane; 133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)을 포함할 수 있다. 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)은 금속(metal)로 구현될 수 있다.The blocking layer 130 may include one or more barrier membranes 133-1, 133-3, 133-5, or 133-7 to prevent a portion of the light output by the scintillators 150 from being transmitted to the pixel array 110. [ . ≪ / RTI > The blocking films 133-1, 133-3, 133-5, and 133-7 may be formed of a metal.

차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)은 섬광체(150)와 픽셀 어레이(110) 사이에 위치할 수 있다. 도 2에서는 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)이 픽셀 어레이(110)의 외부에 구현된 것으로 도시하고 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 실시예에 따라 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)은 해당 픽셀(113-2, 113-5, 113-8 또는 113-11)의 내부에 구현될 수 있다.The blocking films 133-1, 133-3, 133-5, or 133-7 may be located between the scintillator 150 and the pixel array 110. [ In FIG. 2, the blocking films 133-1, 133-3, 133-5, and 133-7 are illustrated as being formed outside the pixel array 110, but the present invention is not limited thereto. For example, 133-1, 133-3, 133-5, or 133-7 may be implemented within the corresponding pixel 113-2, 113-5, 113-8, or 113-11.

차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)은 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는(또는 상응하는) 위치에 위치할 수 있다. 차단막(133-1)은 픽셀(113-2)에 대응하는 위치에 위치하여 섬광체(150)가 출력하는 광이 픽셀(113-2)로 전달되지 않도록 차단할 수 있다. 차단막(133-3)은 픽셀(113-5)에 대응하는 위치에 위치하여 섬광체(150)가 출력하는 광이 픽셀(113-5)로 전달되지 않도록 차단할 수 있다. 차단막(133-5)는 픽셀(113-8)에 대응하는 위치에 위치하여 섬광체(150)가 출력하는 광이 픽셀(113-8)로 전달되지 않도록 차단할 수 있다. 차단막(133-7)은 픽셀(113-11)에 대응하는 위치에 위치하여 섬광체(150)가 출력하는 광이 픽셀(113-11)로 전달되지 않도록 차단할 수 있다.The blocking films 133-1, 133-3, 133-5, and 133-7 may be located at positions corresponding to (or corresponding to) the pixels for each pixel so that the output light is not transmitted. The blocking film 133-1 may be located at a position corresponding to the pixel 113-2 and may block the light outputted from the scintillator 150 from being transmitted to the pixel 113-2. The blocking film 133-3 may be located at a position corresponding to the pixel 113-5 and may block the light outputted from the scintillator 150 from being transmitted to the pixel 113-5. The blocking film 133-5 may be located at a position corresponding to the pixel 113-8 and may block the light outputted from the scintillator 150 from being transmitted to the pixel 113-8. The blocking film 133-7 may be located at a position corresponding to the pixel 113-11 so as to block the light outputted from the scintillator 150 from being transmitted to the pixel 113-11.

픽셀 어레이(110)에 포함된 복수의 픽셀들(113-1~113-12)은 직접 조사되는 방사선을 전달받지만, 픽셀(113-2, 113-5, 113-8 또는 113-11)은 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)에 의해서 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받을 수 없다.A plurality of pixels 113-1 to 113-12 included in the pixel array 110 are directly irradiated while the pixels 113-2, 113-5, 113-8, The light outputted from the scintillator 150 can not be received by the light-receiving elements 133-1, 133-3, 133-5, or 133-7.

도 2에 도시된 바와 같이, 방사선이 픽셀 어레이(110)의 픽셀들(113-4~113-9) 영역에 조사된다고 가정하는 경우, 픽셀들(113-4, 113-6, 113-7, 113-9)은 조사된 방사선을 직접 전달받고, 섬광체(150)가 출력하는 광도 전달받을 수 있다. 픽셀들(113-4, 113-6, 113-7, 113-9)은 조사된 방사선 및 섬광체(150)가 출력하는 광에 기초하여 픽셀 신호를 생성할 수 있다. 픽셀들(113-5, 113-8)은 조사된 방사선을 직접 전달받고, 차단막(133-3, 133-5)를 통해 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받을 수 없다. 이에, 픽셀들(113-5, 113-8)은 조사된 방사선에 기초하여 픽셀 신호를 생성할 수 있다.As shown in FIG. 2, when it is assumed that radiation is irradiated to the pixels 113-4 to 113-9 of the pixel array 110, the pixels 113-4, 113-6, 113-7, 113-9 can receive the irradiated radiation directly and receive the light output from the scintillator 150. The pixels 113-4, 113-6, 113-7, and 113-9 may generate a pixel signal based on the irradiated radiation and the light output by the scintillator 150. [ The pixels 113-5 and 113-8 receive the irradiated radiation directly and can not receive the light output by the scintillator 150 through the blocking films 133-3 and 133-5. Thus, the pixels 113-5 and 113-8 can generate a pixel signal based on the irradiated radiation.

이때, 픽셀들(113-4~113-9)에 직접 반응하는 방사선은 낮은 에너지의 방사선에 해당하고, 섬광체(150)에서 반응하는 방사선은 대부분 높은 에너지의 방사선을 흡수하게 된다.At this time, the radiation reacting directly to the pixels 113-4 to 113-9 corresponds to low energy radiation, and the radiation reacting in the scintillator 150 mostly absorbs high energy radiation.

픽셀들(113-5, 113-8)은 조사된 방사선만을 직접 흡수하여 픽셀 신호를 생성하지만, 픽셀들(113-4, 113-6, 113-7, 113-9)은 많은 빛(예를 들어, 직접 조사된 방사선 및 섬광체(150)에서 발생하는 빛)을 동시에 측정하여 픽셀 신호를 생성하므로, 높은 해상도와 낮은 노이즈의 방사선 이미지를 취득할 수 있다.Although pixels 113-5 and 113-8 directly absorb only the irradiated radiation to produce a pixel signal, pixels 113-4, 113-6, 113-7, and 113-9 generate many light For example, the radiation directly irradiated and the light generated in the scintillator 150) to generate a pixel signal, thereby obtaining a radiation image of high resolution and low noise.

또한, 방사선 이미지 센서(100)는 한 번의 촬영으로 픽셀들(113-5, 113-8)의 픽셀 신호와 픽셀들(113-4, 113-6, 113-7, 113-9)의 픽셀 신호를 취득함으로써, 높은 에너지(또는 에너지 물질)에 대한 정보와 낮은 에너지에 해당하는 정보를 모두 취득할 수 있다. 이에, 이미지 프로세서(200)는 픽셀들(113-5, 113-8)의 픽셀 신호와 픽셀들(113-4, 113-6, 113-7, 113-9)의 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성하고, 이미지로부터 물체(300), 예를 들어 물질의 종류에 대한 정보를 획득할 수 있다.The radiation image sensor 100 also detects the pixel signals of the pixels 113-5 and 113-8 and the pixel signals of the pixels 113-4, 113-6, 113-7, and 113-9 in one shot, Information on high energy (or energy material) and information on low energy can all be acquired. The image processor 200 combines the pixel signals of the pixels 113-5 and 113-8 and the pixel signals of the pixels 113-4, 113-6, 113-7, and 113-9, And obtain information about the object 300, e.g., the type of material, from the image.

도 3은 도 1에 도시된 방사선 이미지 센서의 다른 예를 나타낸다.Fig. 3 shows another example of the radiation image sensor shown in Fig.

도 3을 참조하면, 방사선 이미지 센서(100)는 FOB(Fiber Optic Plate; 170)을 더 포함할 수 있다. FOB(170)는 섬광체(150)와 픽셀 어레이(110) 사이에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 3, the radiation image sensor 100 may further include an FOB (Fiber Optic Plate) 170. The FOB 170 may be positioned between the scintillator 150 and the pixel array 110.

FOB(170)를 섬광체(150)와 픽셀 어레이(110) 사이에 위치하게 함으로써, 픽셀 어레이(110)에 포함된 픽셀에 직접 측정되는 방사선 정보와 섬광체(150)를 통해 측정되는 방사선 정보의 에너지 차기가 클 수 있다. 이에, 에너지 분해능은 효과적으로 높아질 수 있으며, 방사선 이미지 센서(100)는 더 높은 에너지 분해능을 가질 수 있다.By placing the FOB 170 between the scintillator 150 and the pixel array 110, the energy of the radiation information measured directly through the pixels included in the pixel array 110 and the radiation information measured through the scintillator 150 . Thus, the energy resolution can be effectively increased, and the radiation image sensor 100 can have a higher energy resolution.

도 4는 도 2 또는 도 3에 도시된 방사선 이미지 센서를 통해 획득되는 신호에 대한 처리 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a view for explaining a processing operation for a signal obtained through the radiation image sensor shown in FIG. 2 or FIG. 3. FIG.

도 4를 참조하면, 픽셀 어레이(110)에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 차단막을 통해 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀은 조사된 방사선을 직접 흡수하여 물질(물질 1 및 물질 2)에 대한 제1 픽셀 신호를 생성할 수 있다. 제1 픽셀 신호는 물질에 대한 직접 이미지의 생성에 이용될 수 있다.Referring to FIG. 4, among the plurality of pixels included in the pixel array 110, a pixel that does not receive the light output by the scintillator 150 through the blocking film directly absorbs the irradiated radiation, ≪ / RTI > The first pixel signal may be used to generate a direct image for the material.

픽셀 어레이(110)에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받는 픽셀은 조사된 방사선 및 섬광체(150)가 출력하는 광을 동시에 흡수하여 물질(물질 1 및 물질 2)에 대한 제2 픽셀 신호를 생성할 수 있다. 제2 픽셀 신호는 물질에 대한 간접 이미지의 생성에 이용될 수 있다.The pixels receiving the light output by the scintillator 150 among the plurality of pixels included in the pixel array 110 simultaneously absorb the irradiated radiation and the light output by the scintillator 150 to generate the substances (substance 1 and substance 2) Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > The second pixel signal may be used to generate an indirect image for the material.

이미지 프로세서(200)는 제1 픽셀 신호와 제2 픽셀 신호를 조합하여 고해상도의 좋은 SNR 이미지를 생성할 수 있다. 또한, 이미지 프로세서(200)는 생성된 이미지를 이용하여 물질 1 및 물질 2를 구분할 수 있다.The image processor 200 may combine the first pixel signal and the second pixel signal to generate a high-resolution good SNR image. Further, the image processor 200 can distinguish the substance 1 and the substance 2 using the generated image.

도 5는 일 실시예에 따른 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.5 is a flowchart illustrating an operation method of a radiation image sensing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 픽셀 어레이(110)에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)을 통해 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀은 조사된 방사선에 기초하여 제1 픽셀 신호를 생성할 수 있다(S510).Referring to FIG. 5, among the plurality of pixels included in the pixel array 110, the light outputted from the scintillator 150 is transmitted and received through the blocking films 133-1, 133-3, 133-5, and 133-7, The failing pixel may generate the first pixel signal based on the irradiated radiation (S510).

픽셀 어레이(110)에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 섬광체(150)가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀을 제외한 나머지 픽셀은 섬광체(150)가 출력하는 광 및 조사된 방사선에 기초하여 제2 픽셀 신호를 생성할 수 있다(S530).The pixels other than the pixels that do not receive the light output from the scintillator 150 among the plurality of pixels included in the pixel array 110 are selected based on the light output from the scintillator 150 and the second pixel signal (S530).

이미지 프로세서(200)는 제1 픽셀 신호와 제2 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성할 수 있다(S550).The image processor 200 may generate an image by combining the first pixel signal and the second pixel signal (S550).

도 6은 일 실시예에 따른 방사선 이미지 센싱 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a radiation image sensing apparatus according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 조사된 방사선이 광으로 변환하는 섬광체(150)는 형성될 수 있다(S610).Referring to FIG. 6, a scintillator 150 may be formed in which irradiated radiation is converted into light (S610).

섬광체(150)가 출력하는 광의 일부가 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이(110)로 전달되지 않도록 차단하기 위한 차단막(133-1, 133-3, 133-5 또는 133-7)은 형성될 수 있다(S630).A blocking film 133-1, 133-3, 133-5, or 133-7 for blocking a portion of the light output by the scintillator 150 from being transmitted to the pixel array 110 including a plurality of pixels may be formed (S630).

픽셀 어레이(110)는 섬광체(150)가 광을 출력하는 측면에 배치될 수 있다(S650).The pixel array 110 may be disposed on a side where the scintillator 150 outputs light (S650).

상술한 방사선 이미지 센싱 장치(10)의 에너지 분해를 통해 의료 분야에서는 질병의 진단이 더욱 용이해 지고 기존의 엑스선으로 판별이 불가능한 종양에 대한 진단이 더 정확해 질 수 있다. 특히, 유방암 진단과 같이 영상으로 진단이 어려운 분야에서 큰 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 산업 분야에서 결함 검사에서도 여러 물질을 나누어 물질별로 검수가 가능하므로, PCB나 전장 부품과 같은 전자/전기 부품의 전수 검수에 효과적으로 대응할 수 있다.The energy dissociation of the above-described radiation image sensing device 10 makes it easier to diagnose diseases in the medical field, and the diagnosis of tumors that can not be distinguished from conventional x-rays can be more accurate. Especially, it can show a great effect in the field which is difficult to diagnose by imaging like breast cancer diagnosis. In addition, in the field of industry, defect inspection can be divided into various materials and inspection can be performed for each material, so that it can effectively cope with inspection of electronic and electric parts such as PCB and electric parts.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The apparatus described above may be implemented as a hardware component, a software component, and / or a combination of hardware components and software components. For example, the apparatus and components described in the embodiments may be implemented within a computer system, such as, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, a microcomputer, a field programmable gate array (FPGA) , A programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. The processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications running on the operating system. The processing device may also access, store, manipulate, process, and generate data in response to execution of the software. For ease of understanding, the processing apparatus may be described as being used singly, but those skilled in the art will recognize that the processing apparatus may have a plurality of processing elements and / As shown in FIG. For example, the processing unit may comprise a plurality of processors or one processor and one controller. Other processing configurations are also possible, such as a parallel processor.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.The software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of the foregoing, and may be configured to configure the processing device to operate as desired or to process it collectively or collectively Device can be commanded. The software and / or data may be in the form of any type of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage media, or device , Or may be permanently or temporarily embodied in a transmitted signal wave. The software may be distributed over a networked computer system and stored or executed in a distributed manner. The software and data may be stored on one or more computer readable recording media.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to an embodiment may be implemented in the form of a program command that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like, alone or in combination. The program instructions to be recorded on the medium may be those specially designed and configured for the embodiments or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape; optical media such as CD-ROMs and DVDs; magnetic media such as floppy disks; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include machine language code such as those produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware devices described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the embodiments, and vice versa.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (15)

조사된 방사선을 광으로 변환하는 섬광체;
상기 섬광체가 광을 출력하는 측면에 배치되고, 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이;
상기 섬광체가 출력하는 광의 일부가 상기 픽셀 어레이로 전달되지 않도록 차단하기 위한 차단막(barrier membrane)
을 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치.
A scintillator for converting the irradiated radiation into light;
A pixel array disposed on a side where the scintillator outputs light, the pixel array including a plurality of pixels;
A barrier membrane for blocking a portion of the light output by the scintillator from being transmitted to the pixel array,
And a radiation image sensor.
제1항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치.
The method according to claim 1,
The blocking layer
Wherein the pixel is located at a position corresponding to a pixel for each pixel so as not to transmit light outputted from the scintillator.
제2항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치.
3. The method of claim 2,
The blocking layer
And wherein the radiation image sensing device is located between the scintillator and the pixel array.
제1항에 있어서,
상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치하는 FOP(Fiber Optic Plate)
를 더 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치.
The method according to claim 1,
A FOP (Fiber Optic Plate) positioned between the scintillator and the pixel array,
The radiation image sensing device further comprising:
제1항에 있어서,
상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 차단막을 통해 상기 섬광체가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀은 상기 조사된 방사선에 기초하여 제1 픽셀 신호를 생성하고,
상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 픽셀을 제외한 나머지 픽셀은 상기 섬광체가 출력하는 광 및 상기 조사된 방사선에 기초하여 제2 픽셀 신호를 생성하는 방사선 이미지 센싱 장치.

The method according to claim 1,
A pixel which does not receive the light output from the scintillator through the blocking film among the plurality of pixels generates a first pixel signal based on the irradiated radiation,
Wherein the pixels other than the pixel among the plurality of pixels generate a second pixel signal based on the light output by the scintillator and the irradiated radiation.

제5항에 있어서,
상기 제1 픽셀 신호 및 제2 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성하는 이미지 프로세서
를 더 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치.
6. The method of claim 5,
An image processor for generating an image by combining the first pixel signal and the second pixel signal,
The radiation image sensing device further comprising:
제1항에 있어서,
상기 차단막은 상기 복수의 픽셀들 중에서 해당 픽셀 내에 구현되는 방사선 이미지 센싱 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the blocking layer is implemented within a corresponding pixel of the plurality of pixels.
조사된 방사선을 광으로 변환하는 섬광체를 형성하는 단계;
상기 섬광체가 출력하는 광의 일부가 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이로 전달되지 않도록 차단하기 위한 차단막(barrier membrane)을 형성하는 단계; 및
상기 픽셀 어레이를 상기 섬광체가 광을 출력하는 측면에 배치하는 단계
를 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치 제조 방법.
Forming a scintillator for converting the irradiated radiation into light;
Forming a barrier membrane for blocking a portion of the light output by the scintillator from being transmitted to a pixel array including a plurality of pixels; And
Placing the pixel array on a side of the scintillator on which light is output
Wherein the radiation image sensing device comprises:
제8항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치 제조 방법.

9. The method of claim 8,
The blocking layer
Wherein the scintillator is positioned at a position corresponding to a pixel for each pixel so as not to transmit light output from the scintillator.

제9항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The blocking layer
Wherein the scintillator is positioned between the scintillator and the pixel array.
제8항에 있어서,
FOP(Fiber Optic Plate)를 상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 형성하는 단계
를 더 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Forming a FOP (Fiber Optic Plate) between the scintillator and the pixel array
Further comprising the steps of:
섬광체 및 픽셀 어레이를 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 픽셀 어레이에 포함된 복수의 픽셀들 중에서 차단막을 통해 상기 섬광체가 출력하는 광을 전달받지 못하는 픽셀이 조사된 방사선에 기초하여 제1 픽셀 신호를 생성하는 단계; 및
상기 복수의 픽셀들 중에서 상기 픽셀을 제외한 나머지 픽셀은 상기 섬광체가 출력하는 광 및 상기 조사된 방사선에 기초하여 제2 픽셀 신호를 생성하는 단계
를 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법.
A method of operating a radiation image sensing device, comprising a scintillator and a pixel array,
Generating a first pixel signal based on radiation irradiated by a pixel that does not receive light output from the scintillator through a blocking film among a plurality of pixels included in the pixel array; And
Wherein the pixels other than the pixel among the plurality of pixels generate a second pixel signal based on the light output by the scintillator and the irradiated radiation
Wherein the radiation image sensing device comprises:
제12항에 있어서,
상기 제1 픽셀 신호 및 제2 픽셀 신호를 조합하여 이미지를 생성하는 단계
를 더 포함하는 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법.
13. The method of claim 12,
Combining the first pixel signal and the second pixel signal to generate an image
Further comprising the steps of:
제12항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체가 출력하는 광이 전달되지 않도록 하기 위한 픽셀마다 픽셀에 대응하는 위치에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법.
13. The method of claim 12,
The blocking layer
Wherein the scintillator is located at a position corresponding to a pixel on a pixel-by-pixel basis to prevent transmission of light output by the scintillator.
제14항에 있어서,
상기 차단막은,
상기 섬광체와 상기 픽셀 어레이 사이에 위치하는 방사선 이미지 센싱 장치의 동작 방법.
15. The method of claim 14,
The blocking layer
Wherein the scintillator is positioned between the scintillator and the pixel array.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH1184013A (en) * 1997-09-02 1999-03-26 Shimadzu Corp Radiation detector
JP2001311779A (en) * 2000-03-07 2001-11-09 Marconi Medical Systems Inc X-ray detector
JP5213923B2 (en) * 2010-01-29 2013-06-19 キヤノン株式会社 X-ray imaging apparatus and X-ray imaging method

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