KR101907955B1 - 플럭스 조절용 증발원 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시예에서는 본 발명의 일 실시예에서는 증착물질을 수용하는 도가니와, 상기 증착물질을 분출하는 노즐과, 상기 도가니와 노즐 사이에 위치해서 상기 증착물질의 분출 방향을 조절하는 인서트부를 포함하는 증발원을 제공한다.

Description

플럭스 조절용 증발원{EVAPORATION SOURCE FOR ADJUSTING A FLUX}

본 발명은 유기/무기의 박막을 기판에 증착할 때 챔버 내부의 플럭스(flux)를 조절할 수 있도록 한 박막 증발원에 관한 것이다.

영상을 표시하는 디스플레이로 액정디스플레이와 더불어 유기전계 발광소자가 각광을 받고 있다. 이 유기전계 발광소자는 유기 박막에 주입되는 전자와 정공이 재결합할 때 나오는 에너지가 빛으로 발생되는 것으로, 유기 물질의 도펀트(dopant) 양에 따라 나오는 빛의 파장을 조절할 수 있고, 천연색의 구현이 가능하다.

일반적으로, 유기전계 발광소자를 제조하는 과정 중 기판 상에 유기 박막을 증착하는 방법은 회전형과 선형으로 대별할 수 있다. 먼저, 회전형의 경우는 증착원을 고정시킨 상태로 기판을 회전시켜서 유기 박막을 기판 위에 증착하는 방식이다. 그리고, 선형 방식은 선형 공급원을 고정한 상태로, 기판을 선형 공급원과 마주보게 위치시킨 상태에서 선형으로 움직여 기판상에 유기 박막을 증착시키는 방식이다.

회전형 방식의 경우는, 증착 물질을 공급하는 증발원의 위치에 따라 센터형과 에지형으로 대별할 수 있다.

먼저, 센터형 방식은 증발원이 회전하는 기판과 동일 중심선 상에 위치하는 방식인데, 증발원이 센터에 위치하다 보니 중앙에는 증착 물질(이하, '소스'라함)이 적게 날라가는 반면, 가장자리 부분으로는 소스가 상대적으로 많이 날라가 증착된다. 따라서, 기판에 형성된 박막은 센터의 두께는 얇고 가장자리 부분은 두껍기 때문에, 박막의 균일도가 떨어지는 문제가 있다.

이 같은 문제점을 해소하고자 노즐을 원추형으로 형성해서 증발원에서 분출되는 소스의 공급 경로를 다중화해 플럭스의 분포를 대칭형으로 만드는 기술이 제안되었다.

그리고, 에지형 방식은 증발원에 회전하는 기판의 가장자리에 위치하는 방식으로, 증발원이 가장자리에 위치하다 보니 기판의 중앙으로는 소스가 많이 날라가나, 가장자리 부분으로는 소스가 적게 공급돼서 이 역시 박막의 균일도가 떨어지는 문제가 있다.

이 때문에, 소스의 분출 방향을 조절할 수 있도록 노즐을 만들어 위의 문제점을 해소하고 있으나, 이 역시 증발원과 기판 사이의 각도 차이로 인해서, 소스가 패턴 마스크의 틈으로 침투하는 쉐도우(shadow) 현상이 발생한다.

이상의 문제점들은 특히, 기판이 대면적화되면서 두드러지게 나타나고 있다.

이에, 본 발명에서는 대면적의 기판에서 균일한 박막을 얻을 수 있도록 하는 증발원을 제공하고자 한다.

특히, 본 발명에서는 상술한 종래 기술들과는 달리, 공정환경에 맞게 플럭스를 조절해서 균일한 박막 두께를 얻을 수 있도록 하는데 있다.

본 발명의 일 실시예에서는 증착물질을 수용하는 도가니와, 상기 증착물질을 분출하는 노즐과, 상기 도가니와 노즐 사이에 위치해서 상기 증착물질의 분출 방향을 조절하는 인서트부를 포함하는 증발원을 제공한다.

상기 인서트부는, 상기 도가니의 입구에 결합되며, 다수의 분사공이 형성되어 있는 조절부재와, 상기 분사공을 선택적으로 여닫는 가림부재를 포함해서 구성될 수 있다.

상기 분사공은 중심에서 바깥을 향해 동심원상(同心圓狀)으로 배열될 수 있고, 상기 분사공과 분사공 사이는 등각도를 이루고 있을 수 있다.

상기 분사공은 중심에서 제1 거리로 떨어진 숏갭 분사공과, 상기 제1 거리보다 먼 제2 거리로 떨어진 롱갭 분사공을 포함할 수 있고, 상기 숏갭 분사공은 상기 롱갭 분사공의 사이 사이에 배치될 수 있다.

상기 숏갭 분사공과 상기 롱갭 분사공이 이루는 제1 각도는 상기 숏갭 분사공끼리 이루는 제2 각도와 동일하도록 형성해, 분사공이 형성된 위치가 다르더라도 방위에 상관없이 일정한 유량의 소스를 분출할 수 있도록 구성된다.

상기 분사공은 크기가 서로 다른 제1 분사공과 제2 분사공을 포함할 수 있고, 상기 제1 분사공의 개수와 상기 제2 분사공의 개수는 동일하게 형성해 방위에 상관없이 일정한 유량의 소스를 분출할 수 있도록 구성된다.

종래 기술들에서는 플럭스를 대칭형으로 형성해서 문제점을 해결하고자 하기 때문에 특정 모양의 노즐에서만 구현할 수 있었으나, 본 발명에서는 플럭스를 공정 상황에 맞춰 조절해 박막의 두게를 균일하게 형성한다는 점에서 어떤 모양의 노즐에도 적용해 구현할 수가 있다.

특히, 종래 기술들은 노즐의 형상을 변경하기 때문에, 실제 공정에 적용하는 경우 공정 상황에 맞도록 하기 위해서는 여러 번의 시행착오를 겪으면서 노즐을 수정해 주어야 한다. 따라서, 노즐을 여러 번 제작해야 하기 때문에, 불필요한 비용 및 시간의 투자가 요구된다.

하지만, 본 발명의 일 실시예의 증발원은 노즐 및 도가니는 그대로 둔 채 그 사이에 인서트부를 삽입해 도가니부 내에서 노즐로 이동하는 소스의 분출 방향을 조절하는 것으로, 실제 공정 상황에 맞는 플럭스를 형성한다. 따라서, 이 실시예에 따르면, 공정 상황에 맞춰 노즐을 새롭게 제작할 필요가 없어 노즐 수정에 따른 비용 및 시간을 절약할 수가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원을 포함하는 유기/무기 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원의 모습을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 인서트부를 분해해서 도시한 것이다.
도 5는 조절부재의 평면 모습을 도시한 것이다.
도 6은 조절부재의 다른 형태를 도시한 것이다.
도 7은 조절부재의 또 다른 형태를 도시한 것이다.
도 8은 도 4의 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 절단한 결합 단면도이다.
도 9는 일 실시예의 인서트부에 따른 플럭스의 분포를 설명하는 도면이다.
도 10은 일 실시예의 인서트부를 이용해서 플럭스를 조절하는 방법에 대해 설명하는 도면이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원을 포함하는 유기/무기 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 것이다.

도 1에서, 유기/무기 박막 장치는 회전형 방식으로 유기 박막을 기판에 증착하는 설비로, 공정 챔버(10), 기판(20), 증발원(30), 셔터(51)을 포함해서 구성된다.

공정 챔버(10)는 고진공 상태에서 기판(20)에 유기/무기 박막을 증착하는 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 이 공정 챔버(10)에는 도어(미도시)가 설치되어 있어서, 기판(20)과 증발원(30)을 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 공정 챔버(10)의 한쪽에는 챔버(10) 내부를 고진공 상태로 유지하는 펌프 및 밸브(미도시)가 더 설치되어 있다. 이에 따라, 기판(20)에 유기/무기 박막을 증착하는 동안, 챔버(10) 내부는 고진공 상태를 유지할 수 있다.

기판(20)은 로봇 암과 같은 로딩 수단에 의해서 홀더(21)에 로딩(loading)되며, 공정이 진행되는 동안 이 홀더(21)에 의해서 지지된다. 홀더(21)는 회전부재(25)에 마운팅 수단(23)을 매개로 고정된다. 여기서, 기판(20)은 증발원(30)과 동일 축(O) 상에 위치하고 있으며, 증발원(30)과 마주한 채 회전부재(25)에 의해서 축(O)을 중심으로 회전한다. 일반적으로, 기판(20)은 유리가 사용된다. 한편, 이 실시예의 설명에서는 회전형 방식 중 센터형으로 박막이 증착되는 것을 설명하지만, 에지형에도 동일하게 적용될 수 있다.

증발원(30)은 진공 챔버(10)의 바닥에 설치되며, 기판(20)에 박막을 증착하는 동안 고정되어 있다. 이 증발원(30)은 기판(20)과 동일 중심 축(O) 상에 위치해서, 기판에 박막이 증착될 수 있도록 증착 물질(이하, '소스'라 함)을 기판을 향해 제공한다.

셔터(51)는 증발원(30)과 기판(20)의 사이에 위치해서 증발원(30)에서 기판(20)으로 공급되는 소스를 선택적으로 차단한다. 예로, 증착 공정이 시작되는 시점에서, 셔터(51)는 증발원(30)과 기판(20) 사이에 위치해서 소스가 기판으로 공급되는 것을 차단한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원의 모습을 개략적으로 보여주고 있으며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 2 및 도 3에서, 증발원(30)은 소스를 수용하고, 소스를 가열해 기화시켜 기판(20)에 공급한다. 이 증발원(30)은 도가니(31)와 입구 쪽에 설치된 노즐(35) 그리고, 도가니(31)와 노즐(35) 사이에 설치된 인서트부(33)를 포함해서 구성된다.

먼저, 도가니(31)는 원통형 모양으로, 소스를 수용할 수 있도록 그 내부가 비워있다. 그리고, 도가니(31)의 외벽에는 가열부재(311)가 설치되어 있으며, 이 가열부재(311)는 코일 형상의 열선이 사용될 수 있다.

도가니(31)의 입구에는 노즐(35)이 결합되어 있다. 노즐(35)은 다수의 분출구(351)를 포함하고 있으며, 이 분출구(351)로 인해서 도가니(31)에서 높은 열로 기화된 소스는 벤투리 효과에 의해 가압된 상태로 분사된다.

그리고, 도가니(31)와 노즐(35) 사이에는 인서트부(33)가 더 설치된다. 이 인서트부(35)는 도가니(31)의 입구에 결합되며, 도가니(31)에서 기화된 소스를 가압해 노즐(35) 쪽으로 전달함과 동시에, 소스의 분포 상태를 나타내는 플럭스의 분포를 조절한다.

이에 대해서, 도 4를 가지고 자세히 설명한다. 도 4는 일 실시예에 따른 인서트부(33)를 분해해서 보여주는 도면이다.

도 4에서, 일 실시예의 인서트부(33)는 조절부재(331), 가림부재(333), 결합부재(335)를 포함해서 구성된다.

먼저 조절부재(331)는 도가니(31)의 단면 형상과 동일하게 원형의 얇은 판재 모양을 가지고 있다. 조절부재(331)의 중심(O)에는 결합부재(335)가 결합되는 결합공(331a)이 형성되어 있다. 그리고, 중심(O)을 기준으로 방사상으로 분사공(331b)이 더 형성되어 있다.

도 5는 조절부재(331)의 평면 모습을 보여준다. 도 5에서 예시된 바처럼, 분사공들(331b)은 중심(O)에서 동일한 거리를 이루도록 형성되어 있다.

예를 들어서, 제1 분사공(331b1)이 중심(O)에 이르는 거리(d1)는 제2 분사공(331b2)이 중심(O)에 이르는 거리(d2)와 동일하다. 또한, 제3 분사공(331b3)이 중심(O)에 이르는 거리(d3)는 'd1','d2'와 동일하다.

이처럼, 조절부재(331)에 형성된 분사공(331b)은 모두 중심(O)에서 동일한 거리로 형성되어 있다. 즉, 분사공((331b)은 반지름 'r'을 갖는 동심원상(同心圓狀)에 배열되어 있다.

그리고, 분사공과 분사공 사이는 등각도로 형성된다. 예를 들어서, 제1 분사공(331b1)이 제2 분사공(331b2)과 이루는 제1 각도(θ1)는 제3 분사공(331b3)과 제4 분사공(331b4)과 이루는 제2 각도(θ2)와 동일하다. 또한, 제5 분사공(331b5)과 제6 분사공(331b6)이 이루는 제3 각도 (θ3)는 제2 각도(θ2) 및 제1 각도(θ1)와 동일하다.

이처럼, 분사공들(331b)은 중심(O)에서 동일한 거리로 떨어져 있고, 이웃한 분사공들 사이는 동일한 각도를 이루고 있기 때문에, 조절부재(331)를 통해 도가니(31)에서 노즐(35)쪽으로 공급되는 소스의 유량은 방위에 상관없이 일정할 수가 있다.

도 6은 조절부재(331)의 다른 형태를 예시한다. 도 6에서 예시하는 조절부재(331)는 도 5에서 예시한 조절부재(331)와 비교해서 분사공의 배열에 차이가 있다.

도 6에서, 분사공(331c)은 중심(O)에서 떨어진 거리가 다른 숏갭 분사공(331c1)과 롱갭 분사공(331c2)을 포함하고 있다.

먼저, 숏갭 분사공(331c1)은 중심(O)에서 제1 거리(d1)만큼 떨어진 위치로 배치된다. 예로, 제1 숏갭 분사공(331c11)이 중심(O)에 이르는 거리(d1)와 제2 숏갭 분사공(331c12)이 중심(O)에 이르는 거리(d2)는 모두 'r1'으로 동일하다.

즉, 숏갭 분사공(331c1)은 반지름 'r1'을 갖는 동심원상(同心圓狀)에 배치되어 있다.

또한, 숏갭 분사공과 숏갭 분사공 사이는 등각도를 형성하고 있다. 예로, 제1 숏갭 분사공(331c11)과 제2 숏갭 분사공(331c12)가 이루는 각도(θ1)는 제2 숏갭 분사공(331c12)과 제3 숏갭 분사공(331c13)가 이루는 각도(θ2)와 동일하다.

이처럼, 반지름 'r1'을 갖는 동심원상의 배열을 갖는 제1 숏갭 분사공(331c1)이 등각도로 배열되어 있기 때문에, 제1 숏갭 분사공(331c1)은 또한 방사상(放射狀)으로 배열된다.

마찬가지로, 롱갭 분사공(331c2) 역시 숏갭 분사공과 동일하게 동심원상과 방사상 배열을 이룬다. 다만, 롱갭 분사공(331c2)은 숏갭 분사공(331c1)과 비교해서 동심원의 반지름이 'r1'보다 큰 'r2'라는 점에서 차이가 있다.

한편, 숏갭 분사공(331c1)은 롱갭 분사공(331c2) 사이 사이에 위치한다. 즉, 제1 숏갭 분사공(331c1)과 제2 숏갭 분사공(331c2) 사이에는 제1 롱갭 분사공(331c21)이 배치되며, 제2 숏갭 분사공(331c12)과 제3 숏갭 분사공(331c13) 사이에는 제2 롱갭 분사공(331c22)가 배치되어 있다.

그리고, 제1 숏갭 분사공(331c11)과 제2 숏갭 분사공(331c12), 그리고 이 둘 사이에 배치된 제1 롱갭 분사공(331c21) 사이 역시 등각도를 이룬다. 즉, 제1 숏갭 분사공(331c11)과 제1 롱갭 분사공(331c21)이 이루는 각도(Φ1)는 제2 숏갭 분사공(331c12)과 제1 롱갭 분사공(331c21)이 이루는 각도(Φ2)와 동일하다.

이처럼, 숏갭 분사공(331c1)과 롱갭 분사공(331c2)은 서로 엇갈려서 배열되어 있으며, 또한 등각도를 이루도록 배열되어 있다.

이에 따라, 다른 동심원 상에 분사공들이 배열되더라도, 조절부재(331)를 통해 도가니(31)에서 노즐(35)쪽으로 공급되는 소스의 유량은 방위에 상관없이 모든 방향에서 동일할 수 있다.

도 7은 조절부재(331)의 또 다른 형태를 예시한다. 도 7에서 예시하는 조절부재(331)는 도 5에서 예시한 조절부재(331)와 비교해서 분사공의 모양에서만 차이가 있을 뿐이고, 배열은 동일하다. 즉, 분사공들(331d)은 동심원상 배열을 이루고 있으며, 또한 분사공과 분사공 사이는 등각도를 이루고 있다.

다만, 도 5에서 예시하는 분사공(331b)은 원형이었지만, 도 7에서 예시하는 분사공(331d)은 슬롯(slot) 형상을 이룬다는 점에서 다소 차이가 있다. 즉, 도 7에서 예시하는 분사공(331d)은 중심에서 바깥을 향해 길이(l)가 긴 형상을 갖는다.

이 분사공(331d) 역시 동심원상 배열과 분사공과 분사공 사이는 등각도를 이루고 있기 때문에, 다른 예들과 마찬가지로 방위에서 상관없이 조절부재(331)를 통해 도가니(31)에서 노즐(35)쪽으로 공급되는 소스의 유량을 방위에 상관없이 모든 방향에서 일정하게 할 수가 있다.

도 4로 돌아가서, 상술한 바와 같은 분사공들이 형성된 조절부재(331)는 중심에 원형의 결합공(331a)이 더 형성되어 있다.

그리고, 가림부재(333)는 상술한 분사공들을 막아서, 소스가 노즐(35)쪽으로 공급되는 것을 차단한다. 이 실시예에서, 가림부재(333)는 얇은 판재로, 부채 모양을 이루고 있다.

그리고, 이 가람부재(333)는 결합부재(335)에 의해서 조절부재(331)에 결합된다.

도 8에서 예시한 바처럼, 가림부재(333)는 조절부재(331)위로 분사공(331b)을 가리면서 그 위에 위치한다. 이 상태에서, 결합부재(335)가 가림부재(333)의 한쪽 끝을 결속시키면서 결합공(331a)에 체결된다. 이에 따라, 가림부재(333)는 분사공(331b)의 일부를 막으면서 조절부재(331)에 결합이 된다. 이 같은 가림부재(333)는 여러 개의 조각으로 이뤄질 수 있다.

도 9는 도가니(31)와 노즐(35) 사이에 위치한 인서트부(33)에 의해 조절된 플럭스 분포를 예시한다.

도 9에서, 인서트부(33)를 이루고 있는 조절부재(331) 중 제1 분사공(331b1)은 가림부재(333)에 의해서 막혀진 상태이고, 제2 분사공(331b2)은 열려진 상태이다.

상술한 바처럼, 인서트부(33)는 도가니(31)와 노즐(35) 사이에 위치하고 있다. 도가니(31)에서 기화된 소스는 인서트부(33)의 분사공(331b)을 통과한 다음에, 노즐(35)로 제공된다. 이때, 분사공(331b)을 통과하는 소스는 벤투리 효과로 인해서 그 분사압이 증가된다.

이처럼, 인서트부(33)에 의해 분사압이 높아진 상태로 노즐(335)을 통해 기판(20)으로 공급된 소스는 제1 영역(P1)보다는 제2 영역(P2)쪽으로 더 많이 공급된다. 즉, 제1 영역(P1)은 인서트부(33)에 의해서 소스의 공급이 제한된 상태이나, 제2 영역(P2)은 그렇지 않다. 따라서, 챔버내 소스의 분포를 나타내는 플럭스는 제1 영역(P1)보다는 제2 영역(P2)쪽에 많이 분포해, 중심축(O)을 중심으로 비대칭 형상을 이룬다.

한편, 상술한 증발원 (30)을 포함하는 도 1에서 예시한 증착 설비의 동작을 도 10에 결부해서 설명하면 다음과 같다.

증발원(30) 및 기판(20)을 진공 챔버(10)에 로딩된 후, 셔터(51)가 도면을 기준으로 왼쪽에서 오른쪽 방향으로 움직여 증발원(30)과 기판(20) 사이에 위치한다. 이 셔터(51)는 공정 챔버(10) 내부의 상태가 정상적인 동작 상태(기판에 박막을 형성할 수 있는 조건이 완성된 상태)에 이르기 전까지 기판(20)과 증발원(30) 사이를 차단해서, 소스가 기판(20)에 공급되는 것을 차단한다.

이처럼 셔터(51)가 닫혀진 상태에서, 증발원(30)이 동작해 소스를 가열하기 시작함과 함께 기판(20)이 중심축(O)을 중심으로 회전하기 시작한다. 일정 조건에 다다르게 되면, 셔터(51)는 도면을 기준으로 오른쪽에서 왼쪽으로 움직여 증발원(30)과 기판(20) 사이를 오픈한다.

이에 따라, 기판(20)에 기화된 소스가 공급되면서 박막이 형성되기 시작하는데, 셔터(51)가 막 오픈되는 시점에서 셔터(51)는 오른쪽에서 왼쪽으로 움직여, 즉 제2 영역(P2)에서 제1 영역(P1)으로 움직이면서 증발원(30)과 기판(20) 사이를 오픈한다.

따라서, 제2 영역(P2)이 제1 영역(P1)보다 시간적으로 빨리 오픈됨에 따라, 플럭스는 비대칭적인 형상을 이룬다. 즉, 셔터(51)의 오픈 시점에서, 소스는 점선과 같이 제1 영역(P1)보다는 제2 영역(P2)에 많이 분포하는 형태를 이룬다. 따라서, 이 상태에서, 박막 증착이 진행되면, 제2 영역(P2)쪽에 위치한 기판의 박막이 제1 영역(P1)쪽에 위치한 기판의 박막보다 더 두꺼워지는 문제가 발생한다.

그렇지만, 상술한 바처럼 인서트부(33)를 이용해서 플럭스의 분포를 조정하게 되면, 이 같은 문제점을 해결할 수가 있다.

좀더 상세히, 시간적으로 빨리 오픈되는 제2 영역(P2)보다, 시간적으로 늦게 오픈되는 제1 영역(P1)쪽 분사공(331b)을 더 많이 오픈되도록 인서트부(33)를 조정한다.

이 상태에서, 셔터(35)를 오픈하게 되면, 소스는 실선처럼 위와는 반대로 오히려 제2 영역(P2)보다는 제1 영역(P1)에 더 많이 분포하는 형태를 이룬다.

결국, 제2 영역(P2)의 경우에는 시간적으로 먼저 오픈이 되긴 하지만, 인서트부(35)에 의해 소스의 공급이 일부 차단되고, 제1 영역(P1)은 시간적으로 늦게 오픈이 되지만, 소스의 공급은 상대적으로 더 많이 이뤄지기 때문에, 1점 쇄선과 같이 중심축(O)을 중심으로 대칭인 모양의 플럭스를 형성할 수가 있다. 이에 따라, 기판(20)으로는 영역에 상관없이 동일한 양의 소스가 공급되므로, 일정한 두께의 박막을 형성할 수가 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (10)

1. 증착물질을 수용하는 도가니와,
   상기 증착물질을 분출하는 노즐과,
   상기 도가니와 노즐 사이에 위치해서 상기 증착물질의 분출 방향 및 분포를 조절하는 인서트부를 포함하고,
   상기 인서트부는,
   다수의 분사공이 형성되어 있는 조절부재와,
   상기 증착물질을 직접 차폐하거나 상기 분사공을 통해 투과시시키기 위해, 상기 분사공을 선택적으로 여닫는 가림부재를 포함하고,
   상기 가림부재의 위치는,
   상기 증착물질의 분포에 대응하여 조정되는, 증발원.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 분사공은 중심에서 바깥을 향해 동심원상(同心圓狀)으로 배열되어 있는 증발원.
4. 제3항에 있어서,
   상기 분사공과 분사공 사이는 등각도를 이루고 있는 증발원.
5. 제3항에 있어서,
   상기 분사공은 중심에서 제1 거리로 떨어진 숏갭 분사공과, 상기 제1 거리보다 먼 제2 거리로 떨어진 롱갭 분사공을 포함하는 증발원.
6. 제5항에 있어서,
   상기 숏갭 분사공은 상기 롱갭 분사공의 사이 사이에 배치되는 증발원.
7. 제6항에 있어서,
   상기 숏갭 분사공과 상기 롱갭 분사공이 이루는 제1 각도는 상기 숏갭 분사공끼리 이루는 제2 각도와 동일한 증발원.
8. 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 분사공은 크기가 서로 다른 제1 분사공과 제2 분사공을 포함하는 증발원.
9. 제8항에 있어서,
   상기 제1 분사공의 개수와 상기 제2 분사공의 개수는 동일한 증발원.
10. 증착물질을 수용하는 도가니와,
    상기 증착물질을 분출하는 노즐과,
    상기 도가니와 노즐 사이에 위치해서 상기 증착물질의 분출 방향 및 분포를 조절하는 인서트부를 포함하고,
    상기 인서트부는,
    다수의 분사공이 형성되어 있는 조절부재와,
    상기 증착물질을 직접 차폐하거나 상기 분사공을 통해 투과시시키기 위해, 상기 분사공을 선택적으로 여닫는 가림부재를 포함하고,
    상기 가림부재의 위치는,
    상기 증착물질의 분포에 대응하여 조정되며,
    서로 구분된 제1 영역 및 제2 영역에서의 상기 증착 물질의 분포에 대응하여, 상기 가림부재에 의한 상기 제1 영역의 상기 분사공들과 상기 제2 영역의 상기 분사공들의 차폐 정도는, 상이한, 증발원.
    

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