KR101904323B1 - A light emitting device and a light emitting device package - Google Patents

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Abstract

발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 아래에 배치되는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층, 상기 반사층 아래에 배치되는 제1 지지 부재, 및 상기 제1 지지 부재 아래에 배치되고, 상기 제1 지지 부재와 다른 열 전도도를 갖는 반도체 지지 부재를 포함한다.The light emitting device includes a first electrode, a light emitting structure disposed under the first electrode, a reflective layer disposed under the light emitting structure, a first support member disposed under the reflective layer, and a second support member disposed under the first support member, And a semiconductor support member having a thermal conductivity different from that of the first support member.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{A light emitting device and a light emitting device package}[0001] The present invention relates to a light emitting device and a light emitting device package,

실시 예는 발광 소자와 그 제조 방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a manufacturing method thereof, and a light emitting device package.

발광 소자가 조명용으로 응용되기 위해서는 LED를 이용하여 백색광을 얻을 수 있어야 한다. 백색 반도체 발광 장치를 구현하는 방법에는 크게 3가지가 알려져 있다.In order for a light emitting device to be used as an illumination, it is necessary to obtain white light using an LED. There are three known methods for implementing a white semiconductor light emitting device.

첫 번째 방법은 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다. 두 번째 방법은 자외선 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방법으로서, R,G,B 형광체를 발광 물질로서 이용한다. 세 번째 방법은 청색 LED를 광원으로 이용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법이며, 일반적으로 YAG:Ce 형광체를 발광 물질로서 이용한다.The first method is to implement white by combining three LEDs emitting red, green, and blue, which are the three primary colors of light. The second method uses a UV LED as a light source to emit white light by exciting a primary color phosphor, and uses R, G, and B phosphors as a light emitting material. A third method is to emit white light by exciting a yellow phosphor using a blue LED as a light source, and generally uses a YAG: Ce phosphor as a light emitting material.

실시 예는 동작 전압을 낮추고, 광 출력 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package capable of lowering the operating voltage and improving the light output efficiency.

실시 예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 아래에 배치되는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층, 상기 반사층 아래에 배치되는 제1 지지 부재, 및 상기 제1 지지 부재 아래에 배치되고, 상기 제1 지지 부재와 다른 열 전도도를 갖는 반도체 지지 부재를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a first electrode, a light emitting structure disposed under the first electrode, a reflective layer disposed under the light emitting structure, a first support member disposed under the reflective layer, And a semiconductor support member having a thermal conductivity different from that of the first support member.

상기 제1 지지 부재는 텅스텐(W), 구리(Cu), 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반도체 지지 부재는 실리콘, GaP, Ge, GaAs, ZnO, 및 SiC 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first support member may include at least one of tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum (Mo). The semiconductor support member may include at least one of silicon, GaP, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

상기 반도체 지지 부재의 열 전도도는 상기 제1 지지 부재의 열전도도의 1/3 이하일 수 있다. 상기 반도체 지지 부재의 두께는 1 um ~ 500um일 수 있다. 상기 발광 구조물은 제2 도전형 반도체층, 활성층, 및 제1 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The thermal conductivity of the semiconductor support member may be 1/3 or less of the thermal conductivity of the first support member. The thickness of the semiconductor support member may be 1 um to 500 um. The light emitting structure may include a second conductive semiconductor layer, an active layer, and a first conductive semiconductor layer.

상기 발광 소자는 상기 반도체 지지 부재와 상기 제1 지지 부재 사이에 배치되고, 상기 반도체 지지 부재와 상기 제1 지지 부재를 접합하는 제1 접합층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a first bonding layer disposed between the semiconductor support member and the first support member and bonding the semiconductor support member and the first support member.

상기 발광 소자는 상기 제1 지지 부재와 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 접합층, 상기 제2 접합층과 상기 반사층 사이에 배치되는 배리어층, 및 상기 배리어층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 오믹층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device includes a second bonding layer disposed between the first supporting member and the reflective layer, a barrier layer disposed between the second bonding layer and the reflective layer, and an ohmic layer disposed between the barrier layer and the light emitting structure. As shown in FIG.

상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 제1 방향으로 오버랩되는 전류 차단층, 및 상기 발광 구조물의 측면에 배치되는 패시베이션층을 더 포함하며, 상기 제1 방향은 상기 제2 전극층으로부터 상기 발광 구조물로 향하는 방향일 수 있다.Wherein the light emitting element further comprises a current blocking layer overlapping the first electrode in a first direction and a passivation layer disposed on a side surface of the light emitting structure, wherein the first direction is a direction from the second electrode layer toward the light emitting structure Direction.

다른 실시 예에 따른 조명 장치는 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 금속층 및 제2 금속층, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 전기적으로 연결되도록 상기 패키지 몸체에 장착되는 발광 소자, 및 상기 발광 소자를 포위하는 수지층(resin layer)을 포함하며, 상기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 아래에 배치되는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 반사층, 상기 반사층 아래에 배치되는 제1 지지 부재, 및 상기 제1 지지 부재 아래에 배치되고, 상기 제1 지지 부재와 다른 열 전도도를 갖는 반도체 지지 부재를 포함할 수 있다.According to another embodiment, a lighting apparatus includes a package body, a first metal layer and a second metal layer disposed on the package body, a light emitting element mounted on the package body to be electrically connected to the first metal layer and the second metal layer, A light emitting device comprising a first electrode, a light emitting structure disposed under the first electrode, a reflective layer disposed under the light emitting structure, a first layer disposed under the reflective layer, And a semiconductor support member disposed below the first support member and having a thermal conductivity different from that of the first support member.

상기 반도체 지지 부재는 상기 제1 지지 부재와 상기 제2 금속층 사이에 배치되고, 상기 제1 지지 부재의 열은 상기 반도체 지지 부재를 통하여 상기 제2 금속층으로 전도될 수 있다.The semiconductor support member may be disposed between the first support member and the second metal layer, and the heat of the first support member may be conducted to the second metal layer through the semiconductor support member.

실시 예는 동작 전압을 낮추고, 광 출력 효율을 향상시킬 수 있다.Embodiments can lower the operating voltage and improve the light output efficiency.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향으로 절단한 단면도를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 4는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 6a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 6b는 도 6a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along line AB of the light emitting device shown in Fig.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
4 illustrates a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
5 shows a lighting device including a light emitting element according to an embodiment.
6A shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment.
6B is a sectional view of the light source portion of the display device shown in Fig. 6A.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자, 그 제조 방법, 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. Hereinafter, a light emitting device, a manufacturing method thereof, and a light emitting device package according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)를 AB 방향으로 절단한 단면도를 낸다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is a sectional view of the light emitting device 100 shown in FIG. 1, taken along the line AB.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100)는 제1 지지 부재(support assembly, 110), 제2 지지 부재(120), 배리어층(barrier layer, 130), 반사층(reflector layer, 135), 오믹층(ohmic layer, 140), 보호층(145), 전류 차단층(Current Blocking Layer, 150), 발광 구조물(160), 패시베이션층(passivation layer, 170), 및 제1 전극(180)을 포함한다.1 and 2, the light emitting device 100 includes a first support member 110, a second support member 120, a barrier layer 130, a reflector layer 135, An ohmic layer 140, a passivation layer 145, a current blocking layer 150, a light emitting structure 160, a passivation layer 170, and a first electrode 180, .

제1 지지 부재(110), 제2 지지 부재(120), 배리어층(130), 반사층(135), 및 오믹층(140)은 발광 구조물(160)에 전원을 공급하는 제2 전극층을 구성할 수 있다.The first supporting member 110, the second supporting member 120, the barrier layer 130, the reflective layer 135 and the ohmic layer 140 constitute a second electrode layer for supplying power to the light emitting structure 160 .

제2 지지 부재(120)는 제1 지지 부재(110) 상에 배치된다. 제1 지지 부재(110) 및 제2 지지 부재(120)는 발광 구조물(160)을 지지한다. 발광 구조물(160)로부터 발생하는 열은 제2 지지 부재(110) 및 제1 지지 부재(120)로 전도되어 후술하는 발광 소자 패키지의 금속층으로 열을 방출한다. 회로 기판에 발광 소자가 직접 실장되는 COB(Chip On Board)의 경우에는 제2 지지 부재(120) 및 제1 지지 부재(110)를 통하여 회로 기판으로 열이 방출된다. The second support member 120 is disposed on the first support member 110. The first supporting member 110 and the second supporting member 120 support the light emitting structure 160. The heat generated from the light emitting structure 160 is conducted to the second support member 110 and the first support member 120 to discharge heat to the metal layer of the light emitting device package described later. In the case of a COB (Chip On Board) in which a light emitting element is directly mounted on a circuit board, heat is emitted to the circuit board through the second support member 120 and the first support member 110.

제1 지지 부재(110) 및 제2 지지 부재(120)는 서로 다른 열전도도(thermal conductivity)를 갖는다. 제1 지지 부재(110)는 제1 열 전도도를 갖는 물질이고, 제2 지지 부재(120)는 제2 열 전도도를 갖는 물질일 수 있다. 예컨대, 제2 지지 부재(120)는 구리(Cu) 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 지지 부재일 수 있다. The first support member 110 and the second support member 120 have different thermal conductivity. The first support member 110 may be a material having a first thermal conductivity and the second support member 120 may be a material having a second thermal conductivity. For example, the second supporting member 120 may be a metal supporting member including at least one of copper (Cu) tungsten (W), and molybdenum (Mo).

제1 지지 부재(110)는 제2 지지 부재(120)와 다른 열 전도도를 갖는 반도체 물질로 이루어지는 반도체 지지 부재일 수 있다. 예컨대, 제1 지지 부재(110)는 실리콘, GaP, Ge, GaAs, ZnO, 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 지지 부재일 수 있다.The first support member 110 may be a semiconductor support member made of a semiconductor material having a thermal conductivity different from that of the second support member 120. For example, the first support member 110 may be a semiconductor support member comprising at least one of silicon, GaP, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

제1 지지 부재(110)의 열 전도도는 제2 지지 부재(120)의 열 전도도보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 지지 부재(110)의 열 전도도는 제2 지지 부재(120)의 열전도도의 1/3 이하일 수 있다. The thermal conductivity of the first support member 110 may be less than the thermal conductivity of the second support member 120. For example, the thermal conductivity of the first support member 110 may be 1/3 or less of the thermal conductivity of the second support member 120.

제1 지지 부재(110)의 열 전도도는 제2 지지 부재(120)의 열 전도도보다 작기 때문에, 제1 지지 부재(110)는 제2 지지 부재(120)로부터 전도되는 열의 전도를 완화시킨다. Since the thermal conductivity of the first support member 110 is smaller than the thermal conductivity of the second support member 120, the first support member 110 relaxes the conduction of heat conducted from the second support member 120.

또한 제1 지지 부재(110)의 두께에 따라 발광 소자(100)의 열 방출이 조절될 수 있다. 예컨대, 제1 지지 부재(110)의 두께가 두꺼울수록 제1 지지 부재(110)를 통하여 방출되는 열이 완화될 수 있다. 예컨대, 제1 지지 부재(110)의 두께는 1 um ~ 500um일 수 있다. 따라서 제1 지지 부재(110)의 열 전도도와 두께에 따라서 발광 소자(100)의 열 방출이 조절될 수 있다.Also, the heat emission of the light emitting device 100 can be controlled according to the thickness of the first supporting member 110. For example, as the thickness of the first support member 110 increases, the heat released through the first support member 110 can be mitigated. For example, the thickness of the first support member 110 may be 1 um to 500 um. Accordingly, the heat emission of the light emitting device 100 can be controlled according to the thermal conductivity and the thickness of the first support member 110.

발광 구조물(160)로부터 발생하는 열은 제2 지지 부재(120)로 전도되고, 제2 지지 부재(120)로 전도된 열은 제1 지지 부재(110)로 전도된다. 그리고 제2 지지 부재(120)로 전도된 열은 이와 접촉하는 발광 소자 패키지의 금속층 또는 회로 기판을 통하여 방출된다.The heat generated from the light emitting structure 160 is conducted to the second support member 120 and the heat conducted to the second support member 120 is conducted to the first support member 110. The heat conducted to the second support member 120 is emitted through the metal layer or the circuit board of the light emitting device package which is in contact with the second support member 120.

또한 일반적으로 금속층인 지지 부재만을 갖는 발광 소자는 단위 칩 분리 공정의 어려움 때문에 지지 부재의 두께에 제약이 있을 수 있다. 이는 금속층인 지지 부재의 두께가 너무 두꺼우면, 일반적인 레이저에 의한 리프트 오프(lift-off) 공정을 통하여 칩 분리가 불가능할 수 있기 때문이다. 그러나 실시 예의 제1 지지 부재(110)는 레이저에 의한 리프트 오프(lift-off)에 의하여 용이하게 분리 가능한 반도체층이기 때문에 지지 부재의 두께의 제약이 완화될 수 있다.In addition, the thickness of the support member may be restricted due to the difficulty of the unit chip separation process in the light emitting device having only the support member which is generally a metal layer. This is because if the thickness of the support member, which is a metal layer, is too thick, chip separation may not be possible through a lift-off process using a general laser. However, since the first supporting member 110 of the embodiment is a semiconductor layer which is easily detachable by lift-off by a laser, the restriction of the thickness of the supporting member can be alleviated.

또한 제1 지지 부재(110)는 반도체층이므로, 제1 지지 부재(110)의 두께는 칩 분리 공정에 따른 제약이 완화된다. 따라서 실시 예는 동작 전압을 낮추기 위하여 제1 지지 부재(110)의 두께를 조절하는데 있어서, 칩 분리 공정의 제약을 덜 받을 수 있다. Also, since the first support member 110 is a semiconductor layer, the thickness of the first support member 110 is relaxed by the chip separation process. Thus, the embodiment may be less constrained by the chip separation process in adjusting the thickness of the first support member 110 to lower the operating voltage.

배리어층(130)은 제2 지지 부재(120)의 금속 이온이 반사층(135)과 오믹층(140)으로 확산하는 것을 방지한다. 예컨대, 배리어층(130)은 Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함하며, 단일층(single layer) 또는 멀티층(multilayer)일 수 있다. The barrier layer 130 prevents the metal ions of the second support member 120 from diffusing into the reflective layer 135 and the ohmic layer 140. For example, the barrier layer 130 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo and may be a single layer or a multilayer.

반사층(135)은 배리어층(130) 상에 배치된다. 반사층(135)은 발광 구조물(160)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킨다. 예컨대, 반사층(135)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 135 is disposed on the barrier layer 130. The reflective layer 135 reflects light incident from the light emitting structure 160 to improve the light extraction efficiency of the light emitting device 100. For example, the reflective layer 135 may be formed of a metal containing at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy thereof.

또한 반사층(135)은 금속 또는 합금과 IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 반사층(135)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다. 반사층(135)은 광 추출 효율을 증가시키기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The reflective layer 135 may be formed of a metal or an alloy of indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), or the like. For example, the reflective layer 135 may be formed of IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / The reflective layer 135 is not necessarily formed to increase light extraction efficiency.

오믹층(140)은 반사층(135)과 발광 구조물(160) 사이에 배치된다. 오믹층(140)은 발광 구조물(140, 예컨대, 제2 도전형 반도체층(162))에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 제2 전극층(110)으로부터 발광 구조물(160)로 전원이 원활히 공급되도록 한다. The ohmic layer 140 is disposed between the reflective layer 135 and the light emitting structure 160. The ohmic layer 140 is ohmically contacted with the light emitting structure 140 (for example, the second conductive semiconductor layer 162) so that power is smoothly supplied from the second electrode layer 110 to the light emitting structure 160 .

예컨대, 오믹층(140)은 In, Zn, Sn, Ni, Pt, 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 오믹층(140)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, 예컨대, 오믹층(140)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 포함하며, 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.For example, the ohmic layer 140 may include at least one of In, Zn, Sn, Ni, Pt, and Ag. For example, the ohmic layer 140 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or IZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x, RuO x, RuO x / ITO, Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO.

오믹층(140)은 발광 구조물(160, 예컨대, 제2 도전형 반도체층(162))에 캐리어(carrier)의 주입을 원활히 하기 위한 것으로 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 오믹층(140)을 생략하고, 반사층(135)으로 사용되는 물질을 제2 도전형의 반도체층(162)과 오믹 접촉을 하는 물질로 선택할 수 있다.The ohmic layer 140 is not necessarily formed to facilitate the injection of carriers into the light emitting structure 160 (for example, the second conductivity type semiconductor layer 162). For example, the ohmic layer 140 may be omitted and the material used as the reflective layer 135 may be selected as a material that makes an ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 162.

전류 차단층(150)은 오믹층(140)과 발광 구조물(160) 사이에 배치된다. 전류 차단층(150)의 상면은 제2 도전형 반도체층(162)과 접촉하고, 전류 차단층(150)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(140)과 접촉할 수 있다.The current blocking layer 150 is disposed between the ohmic layer 140 and the light emitting structure 160. The upper surface of the current blocking layer 150 is in contact with the second conductivity type semiconductor layer 162 and the lower surface or the lower surface and the side surface of the current blocking layer 150 can be in contact with the ohmic layer 140.

전류 차단층(150)은 제1 방향으로 제1 전극(180)과 적어도 일부가 오버랩되도록 배치된다. 여기서 제1 방향은 제1 지지 부재(110)로부터 발광 구조물(160)로 향하는 방향일 수 있다. 전류 차단층(150)은 발광 구조물(160)의 특정 부분으로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The current blocking layer 150 is disposed so that at least a part of the current blocking layer 150 overlaps with the first electrode 180 in the first direction. Here, the first direction may be the direction from the first support member 110 to the light emitting structure 160. The current blocking layer 150 may improve the luminous efficiency of the light emitting device 100 by mitigating the concentration of current in a specific portion of the light emitting structure 160.

전류 차단층(150)은 반사층(135) 또는 오믹층(140)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 또는 제2 도전형 반도체층(162)과 쇼트키 접촉(Schottky contact)을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질일 수 있다. 예를 들어, 전류 차단층(150)은 ZnO, SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3 , TiO2, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current blocking layer 150 may be formed of a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 135 or the ohmic layer 140 or a material forming a Schottky contact with the second conductive type semiconductor layer 162, Lt; / RTI > For example, the current blocking layer 150 is ZnO, SiO 2, SiON, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , Ti, Al, and Cr.

전류 차단층(150)은 오믹층(140)과 제2 도전형 반도체층(162) 사이에 형성되거나, 반사층(135)과 오믹층(140) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 전류 차단층(150)은 발광 구조물(160) 내에서 전류가 넓게 퍼져 흐르게 하기 위한 것으로, 반드시 형성하여야 하는 것은 아니다.The current blocking layer 150 may be formed between the ohmic layer 140 and the second conductive semiconductor layer 162 or may be formed between the reflective layer 135 and the ohmic layer 140. However, The current blocking layer 150 is formed to spread the current widely in the light emitting structure 160 and is not necessarily formed.

보호층(145)은 제2 지지 부재(120)의 가장 자리 영역 상에 배치된다. 예컨대, 보호층(145)은 오믹층(140)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(135)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(130)의 가장 자리 영역, 또는 제2 지지 부재(112)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 145 is disposed on the edge region of the second support member 120. For example, the protective layer 145 may be disposed in the edge region of the ohmic layer 140, the edge region of the reflective layer 135, or the edge region of the barrier layer 130, or the edge of the second support member 112 Lt; / RTI > region.

보호층(145)은 발광 구조물(160)과 제2 전극층(110) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(100)의 신뢰성이 저하되는 현상을 감소시킬 수 있다. 보호층(145)은 오믹층(140) 또는 반사층(135)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 또는 제2 도전형의 반도체층(142)과 쇼트키 접촉(schottcky contact)을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(145)은 ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다. 보호층(145)은 적어도 일부가 제1 방향으로 제1 전극(180)과 오버랩될 수 있다.The protective layer 145 can reduce the phenomenon that the interface between the light emitting structure 160 and the second electrode layer 110 is peeled off and the reliability of the light emitting device 100 is deteriorated. The protective layer 145 may be formed of a material having a lower electrical conductivity than the ohmic layer 140 or the reflective layer 135 or a material that forms a schottcky contact with the second conductive semiconductor layer 142, / RTI > material. For example, the protective layer 145 is ZnO, SiO 2, Si 3 N 4, TiOx (x is a positive real number), or Al 2 O 3 Or the like. The protective layer 145 may at least partially overlap the first electrode 180 in the first direction.

발광 구조물(160)는 오믹층(140) 및 보호층(145) 상에 배치된다. 발광 구조물(160)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다. 즉 발광 구조물(160)의 측면의 기울기는 제1 지지 부재(110)를 기준으로 0°보다 크고 90°보다 작거나 같을 수 있다.The light emitting structure 160 is disposed on the ohmic layer 140 and the protective layer 145. The side surface of the light emitting structure 160 may be an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips. That is, the slope of the side surface of the light emitting structure 160 may be greater than 0 ° and less than or equal to 90 ° with respect to the first support member 110.

발광 구조물(160)은 적어도 일부분이 보호층(145)과 제1 방향으로 오버랩될 수 있다. 또한 보호층(145)의 상면의 일부는 아이솔레이션 에칭에 의해 노출될 수 있다. 따라서, 보호층(145)은 일부 영역이 발광 구조물(160)와 제1 방향으로 오버랩되고, 나머지 영역은 발광 구조물(160)과 비오버랩될 수 있다.At least a portion of the light emitting structure 160 may overlap the protective layer 145 in the first direction. Also, a part of the upper surface of the protection layer 145 may be exposed by isolation etching. Therefore, the protective layer 145 may partially overlap the light emitting structure 160 in the first direction, and the remaining region may not overlap the light emitting structure 160.

발광 구조물(160)는 복수의 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체층들을 포함할 수 있다. 발광 구조물(160)는 제1 도전형 반도체층(166), 제1 도전형 반도체층(166) 아래에 위치하는 활성층(164), 활성층(164) 아래에 위치하는 제2 도전형의 반도체층(142)을 포함할 수 있다. 즉 발광 구조물(160)는 오믹층(140) 및 보호층(145) 상에 순차적으로 적층되는 제2 도전형 반도체층(162), 활성층(164), 및 제1 도전형 반도체층(166)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 160 may include a plurality of compound semiconductor layers of Group 3 to Group 5 elements. The light emitting structure 160 includes a first conductive semiconductor layer 166, an active layer 164 located under the first conductive semiconductor layer 166, a second conductive semiconductor layer 142). The light emitting structure 160 includes a second conductive semiconductor layer 162, an active layer 164, and a first conductive semiconductor layer 166 sequentially stacked on the ohmic layer 140 and the passivation layer 145 .

제2 도전형 반도체층(162)은 오믹층(140) 및 보호층(145) 상에 배치되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(162)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 162 may be a compound semiconductor of a group III-V element doped with the second conductive dopant, which is disposed on the ohmic layer 140 and the protective layer 145. The second conductivity type semiconductor layer 162 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? And may be doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba, or may be doped with a dopant such as Mg, Zn, Al, .

활성층(164)은 제2 도전형 반도체층(162) 상에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(162) 및 제1 도전형 반도체층(166)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다. 활성층(164)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 164 is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 162 and includes electrons and holes provided from the second conductivity type semiconductor layer 162 and the first conductivity type semiconductor layer 166, It is possible to generate light by the energy generated in the recombination process. The active layer 164 may include any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(164)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 164 has a quantum well structure, for example, a well having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) have. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than an energy band gap of the barrier layer.

제1 도전형 반도체층(166)은 활성층(164) 상에 배치되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(166)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 166 may be disposed on the active layer 164 and may be a compound semiconductor of a group III-V element doped with the first conductive dopant. The first conductivity type semiconductor layer 166 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se and Te can be doped.

활성층(164)과 제1 도전형 반도체층(166) 사이, 또는 활성층(164)과 제2 도전형 반도체층(162) 사이에는 도전형 클래드층(clad layer)이 형성될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer may be formed between the active layer 164 and the first conductive type semiconductor layer 166 or between the active layer 164 and the second conductive type semiconductor layer 162, Layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

제1 전극(180)은 발광 구조물(160)의 상면에 배치된다. 제1 전극(180)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(166)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(175)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(180)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode 180 is disposed on the upper surface of the light emitting structure 160. The first electrode 180 may have a predetermined pattern shape. The roughness pattern 175 may be formed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 166 to increase light extraction efficiency. A roughness pattern (not shown) may also be formed on the top surface of the first electrode 180 to increase the light extraction efficiency.

도 1 및 도 2에 도시된 제1 전극(180)은 제1 도전형 반도체층(166)의 상면 가장 자리를 따라 배치되는 외부 전극(92a 내지 92d), 외부 전극(92a 내지 92d) 내부에 배치되는 내부 전극(94a 내지 94c), 및 패드부(102a, 102b)를 포함한다.The first electrode 180 shown in FIGS. 1 and 2 is disposed inside the outer electrodes 92a to 92d and the outer electrodes 92a to 92d disposed along the upper edge of the top surface of the first conductive type semiconductor layer 166, Internal electrodes 94a to 94c, and pad portions 102a and 102b.

제1 전극(180)은 적어도 일부분이 보호층(145) 및 전류 차단층(150)과 오버랩된다. 예를 들어, 외부 전극(92a 내지 92d)은 보호층(145)과 제1 방향으로 오버랩되고, 내부 전극(94a 내지 94c)은 전류 차단층(150)과 제1 방향으로 오버랩될 수 있다. 외부 전극(92a 내지 92d)의 폭은 내부 전극(94a 내지 94c)의 폭과 동일하거나 클 수 있다.At least a portion of the first electrode 180 overlaps the protective layer 145 and the current blocking layer 150. For example, the external electrodes 92a to 92d overlap the protective layer 145 in the first direction, and the internal electrodes 94a to 94c may overlap the current blocking layer 150 in the first direction. The width of the external electrodes 92a to 92d may be equal to or greater than the width of the internal electrodes 94a to 94c.

보호층(145)의 폭은 외부 전극(92a 내지 92d)의 폭보다 크며, 전류 차단층(150)의 폭은 내부 전극(94a 내지 94c)의 폭보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 외부 전극(92a 내지 92d)의 일 측은 패시베이션층(170)과 접촉한다. The width of the protection layer 145 is greater than the width of the external electrodes 92a to 92d and the width of the current blocking layer 150 may be larger than the width of the internal electrodes 94a to 94c. One side of the external electrodes 92a to 92d is in contact with the passivation layer 170. [

패시베이션층(170)은 발광 구조물(160)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(160)의 측면 상에 배치되어 발광 구조물(160)의 측면을 감싼다. 또한 패시베이션층(170)은 제1 도전형 반도체층(166)의 상면의 가장 자리 상에 배치되어, 외부 전극(92a 내지 92d)의 일 측과 접촉할 수 있다. 또한 패시베이션층(170)은 보호층(145)의 상면과 접촉할 수 있다. 예컨대, 패시베이션층(170)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 로 형성될 수 있다.The passivation layer 170 is disposed on the side of the light emitting structure 160 to electrically protect the light emitting structure 160 and surrounds the side surface of the light emitting structure 160. Further, the passivation layer 170 may be disposed on the edge of the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 166, and may contact one side of the external electrodes 92a to 92d. The passivation layer 170 may also contact the top surface of the passivation layer 145. For example, the passivation layer 170 is SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 .

외부 전극(92a 내지 92d) 및 내부 전극(94a 내지 94c)의 일 실시 예에 대하여 설명하나, 제1 전극(180)은 도 1에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니다.One embodiment of the external electrodes 92a to 92d and the internal electrodes 94a to 94c will be described. However, the first electrode 180 is not limited to the structure shown in FIG.

외부 전극(92a 내지 92d)은 제1 외부 전극(92a), 제2 외부 전극(92b), 제3 외부 전극(92c), 및 제4 외부 전극(92d)을 포함할 수 있다. 내부 전극(94a 내지 94c)은 제1 내부 전극(94a), 제2 내부 전극(94b), 및 제3 내부 전극(94c)을 포함할 수 있다.The external electrodes 92a to 92d may include a first external electrode 92a, a second external electrode 92b, a third external electrode 92c, and a fourth external electrode 92d. The internal electrodes 94a to 94c may include a first internal electrode 94a, a second internal electrode 94b, and a third internal electrode 94c.

외부 전극(92a 내지 92d)은 제1 도전형 반도체층(166)의 최외곽부로부터 50㎛ 이내에 적어도 일부분이 형성될 수 있으며, 외부 전극(92a 내지 92d)의 일 측은 패시베이션층(170)과 접촉할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.At least a portion of the external electrodes 92a to 92d may be formed within 50 占 퐉 from the outermost portion of the first conductivity type semiconductor layer 166 and one side of the external electrodes 92a to 92d may be in contact with the passivation layer 170 But is not limited thereto.

외부 전극(92a 내지 92d)은 4개의 변과 4개의 꼭지점을 갖는 사각형 형태로 배치될 수 있다. 제1 외부 전극(92a) 및 제2 외부 전극(92b)은 제2 방향(예컨대, y축 방향)으로 연장될 수 있다. 제3 외부 전극(92c) 및 제4 외부 전극(92d)은 제2 방향에 수직한 제3 방향(예컨대, x축 방향)으로 연장되어 제1 외부 전극(92a)과 제2 외부 전극(92b)과 연결될 수 있다.The external electrodes 92a to 92d may be arranged in a rectangular shape having four sides and four vertexes. The first external electrode 92a and the second external electrode 92b may extend in a second direction (e.g., a y-axis direction). The third external electrode 92c and the fourth external electrode 92d extend in a third direction (e.g., x-axis direction) perpendicular to the second direction and are connected to the first external electrode 92a and the second external electrode 92b, Lt; / RTI >

패드부(102a, 102b)는 제1 패드부(102a)와 제2 패드부(102b)를 포함할 수 있다. 제1 패드부(102a)는 제1 외부 전극(92a)과 제3 외부 전극(92c)이 접하는 부분에 배치되고, 제2 패드부(102b)는 제2 외부 전극(92b)과 제3 외부 전극(92c)이 접하는 부분에 배치될 수 있다.The pad portions 102a and 102b may include a first pad portion 102a and a second pad portion 102b. The first pad portion 102a is disposed at a portion where the first external electrode 92a contacts the third external electrode 92c and the second pad portion 102b is disposed at a portion contacting the second external electrode 92b and the third external electrode 92c. Can be disposed at a portion where the contact portion 92c abuts.

제1 내부 전극(94a) 및 제2 내부 전극(94b) 각각은 제2 방향으로 연장되어 제3 외부 전극(92c) 및 제4 외부 전극(92d)을 연결한다. 제3 내부 전극(94c)은 제3 방향으로 연장되어 제1 외부 전극(92a) 및 제2 외부 전극(92b)을 연결한다.Each of the first internal electrode 94a and the second internal electrode 94b extends in the second direction to connect the third external electrode 92c and the fourth external electrode 92d. The third internal electrode 94c extends in the third direction to connect the first external electrode 92a and the second external electrode 92b.

제3 외부 전극(92c)과 제3 내부 전극(94c) 사이의 거리(L1)는 제4 외부 전극(92d)과 제3 내부 전극(94c) 사이의 거리(L2) 보다 클 수 있다. 또한 제1 외부 전극(92a)과 제1 내부 전극(94a) 사이의 거리(m1), 제1 내부 전극(94a)과 제2 내부 전극(94b) 사이의 거리(m2), 제2 내부 전극(94b)과 제2 외부 전극(92b) 사이의 거리(m3)는 동일할 수 있다.The distance L1 between the third external electrode 92c and the third internal electrode 94c may be greater than the distance L2 between the fourth external electrode 92d and the third internal electrode 94c. The distance m1 between the first external electrode 92a and the first internal electrode 94a, the distance m2 between the first internal electrode 94a and the second internal electrode 94b, 94b and the second outer electrode 92b may be the same.

내부 전극(94a 내지 94c)은 외부 전극(92a 내지 92d)에 의해 둘러싸인 내부 영역을 복수의 영역들(112,114,116,122,124,126)로 구분한다. 복수의 영역들 중 제3 외부 전극(92c)과 접하는 영역들(112 내지 116)은 제4 외부 전극(92d)과 접하는 영역들(122 내지 126)에 비해 면적이 넓다.The internal electrodes 94a to 94c divide an internal region surrounded by the external electrodes 92a to 92d into a plurality of regions 112, 114, 116, 122, The regions 112 to 116 in contact with the third external electrode 92c among the plurality of regions have a larger area than the regions 122 to 126 in contact with the fourth external electrode 92d.

발광 구조물을 지지하는 지지 부재는 일반적으로 열 전도도가 높은 금속층으로 이루어진다. 발광 소자의 온도가 상대적으로 높을수록, 발광 소자의 동작 전압은 낮아질 수 있다. The supporting member for supporting the light emitting structure is generally made of a metal layer having a high thermal conductivity. The higher the temperature of the light emitting element, the lower the operating voltage of the light emitting element.

실시 예에 따른 발광 소자(100)는 열 전도도가 서로 다른 제1 지지 부재(110) 및 제2 지지 부재(120)를 포함하며, 제1 지지 부재(120)에 의하여 발광 소자(100)의 열 방출이 완화되어 발광 소자(100)의 동작 전압을 낮출 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes a first supporting member 110 and a second supporting member 120 having different thermal conductivities and the first supporting member 120 may heat Emission can be relaxed and the operating voltage of the light emitting device 100 can be lowered.

도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200)의 단면도를 나타낸다. 도 3에 도시된 발광 소자(200)의 평면도는 도 1과 동일할 수 있다. 도 2에 개시된 실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략한다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device 200 according to another embodiment. A plan view of the light emitting device 200 shown in FIG. 3 may be the same as FIG. The same components as those in the embodiment shown in Fig. 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

도 3을 참조하면, 발광 소자(200)는 제1 지지 부재(110), 제1 접합층(210), 제2 지지 부재(120), 제2 접합층(220), 배리어층(barrier layer, 130), 반사층(reflector layer, 135), 오믹층(ohmic layer, 140), 보호층(145), 전류 차단층(Current Blocking Layer, 150), 발광 구조물(160), 패시베이션층(passivation layer, 170), 및 제1 전극(180)을 포함한다. 3, the light emitting device 200 includes a first supporting member 110, a first bonding layer 210, a second supporting member 120, a second bonding layer 220, a barrier layer, A reflective layer 135, an ohmic layer 140, a passivation layer 145, a current blocking layer 150, a light emitting structure 160, a passivation layer 170, ), And a first electrode (180).

제1 접합층(210)은 제1 지지 부재(110)와 제2 지지 부재(120) 사이에 배치되며, 제1 지지 부재(110)와 제2 지지 부재(120)를 접합한다. 예컨대, 제1 접합층(210)은 반도체층(110)인 제1 지지 부재(110)가 금속층인 제2 지지 부재(120)에 접합되도록 한다. 예컨대, 제1 접합층(210)은 Au, Sn, Ni, Nb, In, Cu, Ag 및 Pd 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first bonding layer 210 is disposed between the first supporting member 110 and the second supporting member 120 and joins the first supporting member 110 and the second supporting member 120 together. For example, the first bonding layer 210 bonds the first supporting member 110, which is the semiconductor layer 110, to the second supporting member 120, which is a metal layer. For example, the first bonding layer 210 may include at least one of Au, Sn, Ni, Nb, In, Cu, Ag, and Pd.

제2 접합층(220)은 제2 지지 부재(120)와 배리어층(130) 사이에 배치되고, 제2 지지 부재(120)를 배리어층(130)에 접합시킨다. 예컨대, 제2 접합층(220)은 Au, Sn, Ni, Nb, In, Cu, Ag 및 Pd 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 접합층(220)은 제2 지지 부재(120)를 본딩 방식으로 배리어층(130)에 접합하기 위해 형성하는 것이므로, 제2 지지 부재(120)를 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 제2 접합층(220)은 생략될 수 있다.The second bonding layer 220 is disposed between the second support member 120 and the barrier layer 130 and bonds the second support member 120 to the barrier layer 130. For example, the second bonding layer 220 may include at least one of Au, Sn, Ni, Nb, In, Cu, Ag, and Pd. The second bonding layer 220 is formed to bond the second supporting member 120 to the barrier layer 130 in a bonding manner. Therefore, when the second supporting member 120 is formed by plating or vapor deposition, 2 bonding layer 220 may be omitted.

일반적으로 발광 소자의 동작 전압("순방향 동작 전압"이라고도 함, Vf)은 발광 소자의 온도가 증가할수록 감소한다. 실시 예에 제1 지지 부재(110)는 제2 지지 부재(120)보다 열전도도가 낮기 때문에, 발광 구조물(160)로부터 발생하는 열이 제1 지지 부재(110)를 통하여 외부로 방출되는 것을 완화하는 역할을 한다. 따라서 제1 지지 부재(110)에 의하여 발광 소자(100,200)의 열 방출이 완화됨에 따라 발광 소자(100,200)의 동작 전압을 감소시켜, 발광 소자(100,200)의 광 출력 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 제1 지지 부재(110)의 두께를 조절함으로써 제1 지지 부재(110)의 열 전도도를 조절할 수 있으며, 이로 인하여 발광 소자(100,200,300)의 동작 전압도 조절될 수 있다.In general, the operating voltage of the light emitting device (also referred to as "forward operating voltage ", Vf) decreases as the temperature of the light emitting device increases. Since the first supporting member 110 has lower thermal conductivity than the second supporting member 120 in the embodiment, the heat generated from the light emitting structure 160 is relieved from being emitted to the outside through the first supporting member 110 . Accordingly, as the heat emission of the light emitting devices 100 and 200 is relieved by the first supporting member 110, the operating voltage of the light emitting devices 100 and 200 can be reduced to improve the light output efficiency of the light emitting devices 100 and 200. In addition, the thermal conductivity of the first support member 110 can be adjusted by adjusting the thickness of the first support member 110, thereby controlling the operation voltage of the light emitting devices 100, 200, and 300.

도 4는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 나타낸다. 도 4을 참조하면, 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(610), 제1 금속층(612), 제2 금속층(614), 발광 소자(620), 반사판(625), 와이어(630), 및 수지층(resin layer, 640)을 포함한다.4 illustrates a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment. 4, the light emitting device package includes a package body 610, a first metal layer 612, a second metal layer 614, a light emitting device 620, a reflector 625, a wire 630, and a resin layer resin layer 640).

패키지 몸체(610)는 일측 영역에 캐버티(cavity)가 형성된 구조이다. 이때 캐버티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다. 패키지 몸체(610)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.The package body 610 has a cavity formed in one side region thereof. At this time, the side wall of the cavity may be formed to be inclined. The package body 610 may be formed of a substrate having good insulating or thermal conductivity, such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN) Or may be a structure in which a plurality of substrates are stacked. The embodiments are not limited to the material, structure, and shape of the body described above.

제1 금속층(612) 및 제2 금속층(614)은 열 배출이나 발광 소자(620)의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(610)의 표면에 배치된다. 발광 소자(620)는 제1 금속층(612) 및 제2 금속층(614)과 전기적으로 연결되며, 발광 소자(620)로부터 발생하는 열은 제1 지지 부재(110)로부터 제1 금속층(612) 및 제2 금속층(614)으로 전달되어 방출될 수 있다. 여기서 발광 소자(720)는 도 1 내지 도 3에 도시된 발광 소자(100,200)일 수 있다.The first metal layer 612 and the second metal layer 614 are disposed on the surface of the package body 610 so as to be electrically separated from each other in consideration of heat dissipation or mounting of the light emitting device 620. The light emitting device 620 is electrically connected to the first metal layer 612 and the second metal layer 614 and the heat generated from the light emitting device 620 is transferred from the first supporting member 110 to the first metal layer 612 and the second metal layer 614, And may be transferred to and discharged from the second metal layer 614. Here, the light emitting device 720 may be the light emitting device 100, 200 shown in FIGS.

발광 소자(100,200)의 제1 지지 부재(110)는 제2 금속층(614)에 전기적으로 연결된다. 즉 제1 지지 부재(110)는 제2 지지 부재(120)와 제2 금속층(614) 사이에 배치되고, 제1 지지 부재(110)는 제2 금속층(614)과 전기적으로 접촉할 수 있다. 제2 지지 부재(120)의 열은 제1 지지 부재(110)를 통하여 제2 금속층(614)으로 전도되어 외부로 방출된다. The first support member 110 of the light emitting devices 100 and 200 is electrically connected to the second metal layer 614. The first support member 110 may be disposed between the second support member 120 and the second metal layer 614 and the first support member 110 may be in electrical contact with the second metal layer 614. [ The heat of the second support member 120 is conducted to the second metal layer 614 through the first support member 110 and is discharged to the outside.

발광 소자(100,200)의 열은 제1 지지 부재(110)를 통하여 제2 전극층(614)으로 전달되어 방출되기 때문에, 제1 지지 부재(110)는 발광 소자(100,200)의 제2 지지 부재(120)로부터 제2 전극층(614)으로의 열 전도를 조절하거나 완화할 수 있다. The heat of the light emitting devices 100 and 200 is transferred to and discharged from the second electrode layer 614 through the first supporting member 110 so that the first supporting member 110 is separated from the second supporting member 120 ) To the second electrode layer (614).

일반적으로 발광 소자 패키지가 열 방출 효율이 좋기 때문에, 온도에 따른 발광 소자의 동작 전압의 변동은 발광 소자 자체보다 발광 소자 패키지에서 크게 나타난다. 그러나 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제2 지지 부재(120)와 제2 전극층(614) 사이에 배치되어 열 전도 완충 역할을 하는 제1 지지 부재(110)를 포함하기 때문에, 온도에 다른 발광 소자 패키지의 동작 전압의 변동을 감소시킬 수 있다.In general, since the light emitting device package has a good heat dissipation efficiency, the variation of the operating voltage of the light emitting device depending on the temperature is larger in the light emitting device package than in the light emitting device itself. However, since the light emitting device package according to the embodiment includes the first support member 110 disposed between the second support member 120 and the second electrode layer 614 and serving as a thermal conduction buffer, The variation of the operating voltage of the package can be reduced.

제1 전극(180)은 와이어(630)의 일측과 접합되고, 와이어(630)의 타측은 제1 금속층(612)에 접합될 수 있다. 예컨대, 와이어(630)의 일측의 제1 전극(180)의 제1 패드부(102a) 및 제2 패드부(102b)에 접합될 수 있다.The first electrode 180 may be bonded to one side of the wire 630 and the other side of the wire 630 may be bonded to the first metal layer 612. For example, the first pad portion 102a and the second pad portion 102b of the first electrode 180 on one side of the wire 630 may be bonded.

반사판(625)은 발광 소자(620)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 패키지 몸체(610)의 캐버티 측벽에 형성된다. 반사판(625)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다.The reflection plate 625 is formed on the cavity side wall of the package body 610 so as to direct the light emitted from the light emitting element 620 in a predetermined direction. The reflector 625 is made of a light reflecting material, for example, a metal coating or a metal flake.

수지층(640)은 패키지 몸체(610)의 캐버티 내에 위치하는 발광 소자(620)를 포위하여 발광 소자(620)를 외부 환경으로부터 보호한다. 수지층(640)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어진다. 수지층(640)은 발광 소자(620)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체가 포함될 수 있다.The resin layer 640 surrounds the light emitting element 620 located in the cavity of the package body 610 to protect the light emitting element 620 from the external environment. The resin layer 640 is made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicone. The resin layer 640 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 620.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, and a lighting system including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp and a streetlight.

도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 광원(750)이 내장되는 하우징(700)과 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.5 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment. 5, a lighting apparatus according to an embodiment includes a housing 700 having a light source 750 for emitting light, a light source 750, a heat dissipating unit 740 for emitting heat of the light source 750, And a holder 760 coupling the heat sink 750 and the heat dissipating unit 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 includes a socket coupling portion 710 coupled to an electric socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 are provided on the body portion 730 of the housing 700 and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms on the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 구비되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함한다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)는 도 4에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100,200)일 수 있다. The light source 750 includes a plurality of light emitting device packages 752 provided on the substrate 754. [ The substrate 754 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 700 and may be made of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 740 as described later. The light emitting device package 752 of the light source 750 may be the light emitting device package 100 or 200 according to the embodiment shown in FIG.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다. 실시 예에 따른 조명 장치는 동작 전압이 낮은 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 사용하여, 조명 장치의 광 출력 효율을 향상시킬 수 있다.A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow holes. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750. The lighting apparatus according to the embodiment can improve the light output efficiency of the lighting apparatus by using the light emitting device package including the light emitting element having a low operating voltage.

도 6a는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타내고, 도 6b는 도 6a에 도시된 표시 장치의 광원 부분의 단면도이다.FIG. 6A shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 6B is a sectional view of the light source part of the display device shown in FIG. 6A.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 표시 장치는 백라이트 유닛 및 액정 표시 패널(860), 탑 커버(Top cover, 870), 고정부재(850)를 포함한다.6A and 6B, the display device includes a backlight unit and a liquid crystal display panel 860, a top cover 870, and a fixing member 850.

백라이트 유닛은 바텀 커버(Bottom cover, 810)와, 바텀 커버(810)의 내부의 일측에 마련되는 발광 모듈(880)과, 바텀 커버(810)의 전면에 배치되는 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(880)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(830)과, 도광판(30)의 전방에 배치되는 광학 부재(840)를 포함한다. 액정 표시 장치(860)는 광학 부재(840)의 전방에 배치되며, 탑 커버(870)는 액정 표시 패널(860)의 전방에 마련되며, 고정 부재(850)는 바텀 커버(810)와 탑 커버(870) 사이에 배치되어 바텀 커버(810)와 탑 커버(870)를 함께 고정시킨다.The backlight unit includes a bottom cover 810, a light emitting module 880 provided on one side of the bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the front surface of the bottom cover 810, A light guide plate 830 disposed in front of the light guide plate 820 and guiding light emitted from the light emitting module 880 toward the front of the display device and an optical member 840 disposed in front of the light guide plate 30. The liquid crystal display device 860 is disposed in front of the optical member 840. The top cover 870 is provided in front of the liquid crystal display panel 860 and the fixing member 850 is disposed in the bottom cover 810, (870) to fix the bottom cover 810 and the top cover 870 together.

도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 광이 면광원 형태로 출사되도록 안내하는 역할을 하고, 도광판(830)의 후방에 배치되는 반사판(820)은 발광 모듈(880)에서 방출된 광이 도광판(830)방향으로 반사되도록 하여 광 효율을 높이는 역할을 한다. 다만, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(830)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다. 여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The light guide plate 830 guides the light emitted from the light emitting module 880 to be emitted in the form of a surface light source and the reflection plate 820 disposed behind the light guide plate 830 reflects light emitted from the light emitting module 880 Is reflected in the direction of the light guide plate 830, thereby enhancing light efficiency. However, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 830 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material . Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(830)은 발광 모듈(880)에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 scatters the light emitted from the light emitting module 880 and uniformly distributes the light over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

광학 부재(840)가 도광판(830)의 상부에 구비되어 도광판(830)에서 출사되는 빛을 소정 각도로 확산시킨다. 광학 부재(840)는 도광판(830)에 의해 인도된 빛을 액정 표시 패널(860) 방향으로 균일하게 조사되도록 하다. 광학 부재(840)로는 확산 시트, 프리즘 시트 또는 보호 시트 등의 광학 시트가 선택적으로 적층되거나, 마이크로 렌즈 어레이를 사용할 수도 있다. 이때, 복수 개의 광학 시트를 사용할 수도 있으며, 광학 시트는 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지 또는 실리콘 수지 등과 같은 투명 수지로 이루어질 수 있다. 그리고, 상술한 프리즘 시트 내에 형광 시트가 포함될 수도 있음은 상술한 바와 동일하다.An optical member 840 is provided at an upper portion of the light guide plate 830 to diffuse the light emitted from the light guide plate 830 at a predetermined angle. The optical member 840 allows the light guided by the light guide plate 830 to be uniformly irradiated toward the liquid crystal display panel 860. As the optical member 840, an optical sheet such as a diffusion sheet, a prism sheet, or a protective sheet may be selectively laminated, or a microlens array may be used. At this time, a plurality of optical sheets may be used, and the optical sheet may be made of a transparent resin such as an acrylic resin, a polyurethane resin, or a silicone resin. It is to be noted that the fluorescent sheet may be included in the prism sheet described above.

광학 부재(840)의 전면에는 액정 표시 패널(860)이 구비될 수 있다. 여기서, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있음은 당연하다. 바텀 커버(810) 상에는 반사판(820)이 놓이게 되고, 반사판(820)의 위에는 도광판(830)이 놓이게 된다. 그리하여 반사판(820)은 방열부재(미도시)와 직접 접촉될 수도 있다. 발광 모듈(880)은 발광 소자 패키지(882) 및 인쇄회로기판(881)을 포함한다. 발광 소자 패키지(882)는 인쇄회로기판(881) 상에 실장된다. 여기서 발광 소자 패키지(881)은 도 4에 도시된 실시 예일 수 있다.A liquid crystal display panel 860 may be provided on the front surface of the optical member 840. Here, it goes without saying that other types of display devices requiring a light source besides the liquid crystal display panel 860 may be provided. A reflection plate 820 is placed on the bottom cover 810 and a light guide plate 830 is placed on the reflection plate 820. Thus, the reflection plate 820 may be in direct contact with the heat radiation member (not shown). The light emitting module 880 includes a light emitting device package 882 and a printed circuit board 881. The light emitting device package 882 is mounted on the printed circuit board 881. Here, the light emitting device package 881 may be the embodiment shown in FIG.

인쇄회로기판(881)은 브라켓(812) 상에 접합될 수 있다. 여기서, 브라켓(812)은 발광 소자 패키지(882)의 고정 외에 열방출을 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 있고, 도시되지는 않았으나, 브라켓(812)과 발광 소자 패키지(882) 사이에는 열 패드가 구비되어 열 전달을 용이하게 할 수 있다. 그리고, 브라켓(812)는 도시된 바와 같이 'ㄴ'자 타입으로 구비되어, 가로부(812a)는 바텀 커버(810)에 의하여 지지되고, 세로부(812b)는 인쇄회로기판(881)을 고정할 수 있다.The printed circuit board 881 may be bonded onto the bracket 812. Here, the bracket 812 is made of a material having a high thermal conductivity for dissipating heat in addition to fixing the light emitting device package 882. Although not shown, a heat pad is provided between the bracket 812 and the light emitting device package 882 Thereby facilitating heat transfer. The horizontal portion 812a is supported by the bottom cover 810 and the vertical portion 812b is fixed to the printed circuit board 881 can do.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

110: 제1 지지 부재, 120: 제2 지지 부재,
130: 배리어층, 135: 반사층,
140: 오믹층, 145: 보호층,
150: 전류 차단층, 160: 발광 구조물,
162: 제2 도전형 반도체층, 164: 활성층,
166: 제1 도전형 반도체층, 170: 패시베이션층,
175: 러프니스 패턴, 180: 제1 전극,
210: 제1 접합층, 220: 제2 접합층.110: first support member, 120: second support member,
130: barrier layer, 135: reflective layer,
140: ohmic layer, 145: protective layer,
150: current blocking layer, 160: light emitting structure,
162: second conductive type semiconductor layer, 164: active layer,
166: a first conductivity type semiconductor layer, 170: a passivation layer,
175: roughness pattern, 180: first electrode,
210: first bonding layer, 220: second bonding layer.

Claims (12)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되는 반사층;
상기 반사층 아래에 배치되고, 제1 열 전도도를 갖는 제1 지지 부재; 및
상기 반사층과 상기 제1 지지 부재 사이에 배치되고, 제2 열 전도도를 갖는 제2 지지 부재를 포함하고,
상기 제1 지지 부재는 반도체 물질로 이루어지고, 상기 제2 지지 부재는 금속 물질로 이루어지고,
상기 제1 지지 부재의 상기 제1 열 전도도는 상기 제2 지지 부재의 상기 제2 열 전도도보다 작으며,
상기 제2 열 전도도는 상기 제1 열 전도도의 3배 이상이고,
상기 제1 지지 부재의 두께는 1um ~ 500um인 발광 소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer disposed under the second conductive type semiconductor layer;
A first support member disposed below the reflective layer and having a first thermal conductivity; And
And a second support member disposed between the reflective layer and the first support member and having a second thermal conductivity,
Wherein the first support member is made of a semiconductor material, the second support member is made of a metal material,
Wherein the first thermal conductivity of the first support member is less than the second thermal conductivity of the second support member,
Wherein the second thermal conductivity is at least three times the first thermal conductivity,
And the thickness of the first supporting member is 1 um to 500 um. 제1항에 있어서,
상기 제2 지지 부재는 텅스텐(W), 구리(Cu), 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제1 지지 부재는 실리콘, GaP, Ge, GaAs, ZnO, 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the second support member comprises at least one of tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum (Mo)
Wherein the first supporting member comprises at least one of silicon, GaP, Ge, GaAs, ZnO, and SiC. 제1항에 있어서,
상기 제1 지지 부재와 상기 제2 지지 부재 사이에 배치되고, 상기 제1 지지 부재와 상기 제2 지지 부재를 접합하는 제1 접합층;
상기 제1 지지 부재와 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 접합층;
상기 제2 접합층과 상기 반사층 사이에 배치되는 배리어층; 및
상기 배리어층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 오믹층을 더 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
A first bonding layer disposed between the first supporting member and the second supporting member and joining the first supporting member and the second supporting member;
A second bonding layer disposed between the first supporting member and the reflective layer;
A barrier layer disposed between the second bonding layer and the reflective layer; And
And an ohmic layer disposed between the barrier layer and the light emitting structure. 제3항에 있어서,
상기 제1 전극과 제1 방향으로 오버랩되는 전류 차단층; 및
상기 발광 구조물의 측면에 배치되는 패시베이션층을 더 포함하며,
상기 제1 방향은 상기 제1 지지 부재로부터 상기 발광 구조물로 향하는 방향인 발광 소자.The method of claim 3,
A current blocking layer overlapping the first electrode in a first direction; And
Further comprising a passivation layer disposed on a side surface of the light emitting structure,
Wherein the first direction is a direction from the first support member to the light emitting structure. 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상에 배치되고, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 상면에서 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 각각 적어도 하나 이상이 배치되는 내부 전극; 및
상기 내부 전극을 감싸며 상기 발광 구조물 상면의 가장 자리에 배치되는 외부 전극을 포함하고,
상기 발광 구조물의 상면은 상기 내부 전극 및 상기 외부 전극에 의해 상기 제1 방향으로 길이가 상이한 제1 영역과 제2 영역을 갖고,
상기 제2 영역의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 제1 영역의 상기 제1 방향으로의 폭보다 작은 발광 소자.Board;
A light emitting structure disposed on the substrate, the light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; And
And a first electrode disposed on the light emitting structure and electrically connected to the first conductive type semiconductor layer,
Wherein at least one of the first electrode and the second electrode is disposed in a first direction on a top surface of the light emitting structure and in a second direction perpendicular to the first direction; And
And an external electrode which surrounds the internal electrode and is arranged on the edge of the upper surface of the light emitting structure,
The upper surface of the light emitting structure has a first region and a second region which are different in length in the first direction by the internal electrode and the external electrode,
And the width of the second region in the first direction is smaller than the width of the first region in the first direction. 제5항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 발광 구조물 상면의 최외곽부에서 50um 이내에 배치되는 발광 소자.6. The method of claim 5,
Wherein the external electrode is disposed within a distance of 50 mu m from an outermost part of the upper surface of the light emitting structure. 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 제1 영역의 상기 제2 방향으로의 폭과 상기 제2 영역의 상기 제2 방향으로의 폭은 서로 동일한 발광 소자.6. The method of claim 5,
The width of the first region in the second direction and the width of the second region in the second direction are equal to each other. 제5항에 있어서,
상기 제1 영역의 면적은 상기 제2 영역의 면적보다 넓고,
상기 제1 영역에 인접하여 배치된 상기 외부 전극의 일부분과 접촉하는 패드부를 더 포함하는 발광 소자.6. The method of claim 5,
Wherein the area of the first region is wider than the area of the second region,
And a pad portion that is in contact with a portion of the external electrode disposed adjacent to the first region. 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 금속층 및 제2 금속층;
상기 제1 금속층 및 제2 금속층과 전기적으로 연결되도록 상기 패키지 몸체에 장착되는 청구항 제1항 내지 제6항, 및 제8항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 포위하는 수지층(resin layer)을 포함하는 조명 장치.A package body;
A first metal layer and a second metal layer disposed in the package body;
The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, and 8 to 9, which is mounted on the package body so as to be electrically connected to the first metal layer and the second metal layer. And
And a resin layer surrounding the light emitting element. 삭제delete 삭제delete
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