KR101888433B1 - 박막 증착장비용 밸브장치 - Google Patents

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    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge

Abstract

본 발명은 공급된 유리 기판을 전달받아 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로부터 상기 유리 기판을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버; 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 연통하도록 형성되는 밸브하우징; 및 상기 밸브하우징 내부에서 왕복운동하여 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 각각 개폐하도록 구동하는 게이트 밸브 모듈을 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치를 제공한다.
본 발명에 따른 박막 증착장비용 밸브장치에 따르면, 첫째, 고주파 복귀전류(RF Return Current)의 불균형이 해소되면서 스탠딩 웨이브 효과가 저감되어 공정이 안정화되고, 둘째, 공정 안정화에 따른 박막 증착의 품질이 향상되며, 셋째, 밸브하우징 내부로 유입되던 전기장을 차단하여 하드웨어가 안정화되고, 넷째, 하드웨어 안정화에 따른 구성부품의 수명이 증대되어 운용비용이 저감되는 효과를 기대할 수 있다.

Description

박막 증착장비용 밸브장치{Valve apparatus for vapor deposition of organic thin film}
본 발명은 박막 증착장비용 밸브장치에 관한 것으로서, 대형 피이씨브이디(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에서 발생되는 플라즈마의 불균일도를 개선하여 균일한 플라즈마를 확보할 수 있는 박막 증착장비용 밸브장치에 관한 것이다.
최근 개인용 컴퓨터, 휴대용 단말기 및 각종 휴대용 정보기기 등에 사용되는 영상 표시장치로 경량 박형의 평판 표시장치(Flat panel display)가 주로 사용되고 있다.
이러한 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid crystal display), 발광 표시장치(Light emitting display), 프라즈마 표시패널((Plasma display), 전계방출 표시장치(Field emitting display) 등이 있다.
여기서 상기 평판 표시장치들은 기판 상에 다수의 박막을 형성하는 박막 형성공정이 수행된다. 박막 형성공정은 다수의 박막들을 열 증착공정 또는 스퍼터링 공정 등을 수행하여 형성할 수 있는데, 특히 열 증착공정은 재료 이용효율이 낮고 두께가 균일하지 못하는 등의 문제가 있어 최근에는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성공정이 수행되고 있다.
상기한 스퍼터링 장치는 트랜스퍼 챔버와, 진공 가능한 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이를 개폐하는 밸브부와, 프로세스 챔버 내부에서 기판을 고정하는 기판 플레이트와, 챔버 내부의 일측에 마련되는 타겟과, 타겟의 배면에서 타겟을 고정시키는 타겟 플레이트 등을 구비한다. 여기서, 상기 타겟은 기판에 증착될 물질 예를 들어, 인듐주석산화물(ITO), 구리, 알루미늄, 몰리브덴 등이 될 수 있다.
상기와 같이 구성된 스퍼터링 장치는 외부전원에 의해 발생된 플라즈마 상에서 아르곤 등의 이온이 음전하의 타겟들에 고속으로 충돌하여 타겟들의 원자가 외부로 튀어나가서 기판에 증착되도록 한다.
또한 CVD는 기체 상의 성분들이 기판 표면에서 화학적으로 반응하여 안정한 고체 박막을 형성하는 박막증착법으로, CVD는 주로 스퍼터 등의 장비를 사용하는 PVD 방법과 비교되는데, CVD은 박막 증착 과정에 기체 성분들 간에 화학결합이 수반된다는 점에 차이가 있다. 그 중 LP(low pressure)-CVD는 진공상태에서 박막을 증착하는 방법으로 증착이 일어나는 공간(chamber)내를 진공상태로 만들어 대기 중에 있는 공기로 인해 생길 수 있는 부산물의 밀도를 낮추고 증착속도 등을 원활히 하는 방식이다. 또한 PE(plasma enhanced)-CVD는 chamber 내에 플라즈마를 형성시켜 반응을 원활히 하고, 증착을 돕는 박막 합성 방법이 있다.
상기한 PECVD는 고전압이 인가된 증착할 금속으로 만든 타겟과 애노드(Anode) 전극 사이에 Gas를 주입하고, 플라즈마 방전을 이용하여 Ar+을 여기시키면, 고전압에 의해 가속된 Ar+은 높은 운동 에너지가 금속 운자간의 결합 에너지 보다 클 경우, 금속 표면에 있는 원자를 떼어낼 수 있게 된다. 이때 스퍼터링 된 원자들은 상호 충돌과 간섭을 통하여 가진 에너지를 소모하고 유리 기판 표면에서 상호 결합하여 박막 형태로 성장하게 된다.
하지만, 상술한 종래의 스퍼터링 장치는 PECVD 설비가 대형화됨에 따라서 프로세스 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이로 유리 기판이 이송하는 공간이 증가함에 따라 이 증가된 공간으로 인하여 플라즈마가 불균일하게 형성되는 한계가 있다.
또한 이러한 플라즈마의 불균일도에 의하여 밸브부에 이물질 증착이 증가될 뿐만 아니라, 스탠딩 웨이브 효과(SWE; Standing wave effect)가 발생하고, 증착공정에서 도포율이 증가하게 되는 문제점이 지적되고 있다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 박막 증착장비용 밸브장치에 관한 것으로서, 대형 피이씨브이디(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에서 발생되는 플라즈마의 불균일도를 개선하여 균일한 플라즈마를 확보할 수 있는 박막 증착장비용 밸브장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 수행하기 위한 본 발명은 공급된 유리 기판을 전달받아 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로부터 상기 유리 기판을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버; 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 연통하도록 형성되는 밸브하우징; 및 상기 밸브하우징 내부에서 왕복운동하여 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 각각 개폐하도록 구동하는 게이트 밸브 모듈을 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치를 제공한다.
상기 밸브하우징의 일 측에는 상기 프로세스 챔버와 연통하는 제1개구부가 형성되고, 타 측에는 상기 트랜스퍼 챔버와 연통하는 제2개구부가 형성되며, 상기 밸브하우징의 내부에는 상기 제1개구부와 제2개구부를 연결하여 상기 유리 기판이 이동할 수 있도록 길이방향으로 이송챔버가 형성될 수 있다.
상기 게이트 밸브 모듈은 상기 이송챔버 내부에서 상기 제1개구부를 개폐시키는 제1블레이드와, 상기 이송챔버 내부에서 상기 제2개구부를 개폐시키는 제2블레이드와, 상기 제1블레이드 및 제2블레이드를 수직방향으로 이송시키는 구동부재를 포함할 수 있다.
상기 제1블레이드는 상기 제1개구부를 개폐할 수 있도록 상기 이송챔버 내부에서 수평방향으로 왕복운동하며, 상기 제1개구부를 폐쇄 시, 상기 프로세스 챔버의 내벽에 인접하도록 배치될 수 있다.
상기 박막 증착장비용 밸브장치는 상기 프로세스 챔버의 내벽으로부터 상기 이송챔버 내주면으로 돌출되어 상기 제1블레이드가 폐쇄 작동 시 이송영역을 제한하는 스토퍼를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 증착장비용 밸브장치는 상기 제1블레이드와 상기 스토퍼가 접촉하는 부분에 마련되어 상기 이송챔버로부터 상기 제1블레이드를 밀폐시키는 실링부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1블레이드는 상기 이송챔버 내부에서 상기 제1개구부를 단계적으로 차폐할 수 있도록 다단방식으로 작동할 수 있다.
또한 본 발명은 공급된 유리 기판을 전달받아 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로부터 상기 유리 기판을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버; 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 연통하도록 형성되는 밸브하우징; 상기 밸브하우징을 차폐하여 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 개폐하도록 마련되는 게이트 밸브 모듈; 및 상기 프로세스 챔버 또는 상기 밸브하우징 내부에 마련되어 상기 프로세스 챔버와 상기 밸브하우징이 연결되는 부분을 개폐하는 제3블레이드를 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치를 제공한다.
상기 제3블레이드는 상기 제1개구부를 차폐하여 상기 프로세스 챔버 내부의 플라즈마 불균형을 방지하도록 수직방향으로 개폐할 수 있다.
본 발명에 따른 박막 증착장비용 밸브장치에 따르면,
첫째, 고주파 복귀전류(RF Return Current)의 불균형이 해소되면서 스탠딩 웨이브 효과가 저감되어 공정이 안정화되고,
둘째, 공정 안정화에 따른 박막 증착의 품질이 향상되며,
셋째, 밸브하우징 내부로 유입되던 전기장(E-Field)을 차단하여 하드웨어가 안정화되고,
넷째, 하드웨어 안정화에 따른 구성부품의 수명이 증대되어 운용비용이 저감되는 효과를 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 밸브하우징 상에서 게이트 밸브 모듈의 작동 상태를 나타내는 부분확대도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a 및 4b는 도 1에 나타낸 박막 증착장비용 밸브장치의 밸브 모듈 개폐에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 밸브하우징 상에서 게이트 밸브 모듈의 작동 상태를 나타내는 부분확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 박막 증착장비용 밸브장치(100)는 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버(110)와, 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 유리 기판(10)을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버(120)와, 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 연통하도록 형성되는 밸브하우징(130) 및 상기 밸브하우징(130) 내부에서 왕복운동하여 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 각각 개폐하도록 구동하는 게이트 밸브 모듈(140)을 포함한다.
상기 프로세스 챔버(110)는 챔버몸체(111)와 상기 챔버몸체(111)의 내부를 밀폐하도록 결합되는 챔버리드(112)를 포함한다.
상기 챔버몸체(111)는 통상적으로 알루미늄으로 제조되며, 단일 알루미늄 블록을 절삭 가공하여 제조하거나, 바닥판과 복수의 측판을 용접하여 제조한다. 그리고 상기 바닥판과 복수 측판의 경계면에 오링(O-ring, 미도시) 등을 개재한 후에 볼트로 결합하여 제조할 수 있다.
상기 챔버리드(112)도 알루미늄 재질로 제조되며, 후술하는 바와 같이 RF전원이 연결되어 RF전극의 역할도 수행한다.
상기 챔버몸체(111)의 내부에는 상기 유리 기판(10)을 지지하는 서셉터(Susceptor, 11))가 승하강 작동이 가능하도록 마련되고, 상기 유기 기판(10)의 상부에는 샤워헤드(Shower Head, 20)가 배치된다. 도 1에 나타낸 참조부호 30은 백킹플레이트(Backing Plate)를 나타낸다.
또한 상기 서셉터(11)의 하측에는 호(弧) 형상으로 구부러진 그라운드(12)가 복수개 배치된다. 상기 그라운드(12)는 상기 서셉터(11)를 탄력적으로 지지함과 동시에, 상기 챔버몸체(111) 측으로 전류를 이동하는 기능을 갖는다.
상기 프로세스 챔버(110)는 상기 트랜스퍼 챔버(120) 사이로 상기 유리 기판(10)이 이송될 수 있도록 상기 밸브하우징(130)이 배치된다.
상기 밸브하우징(130)의 일 측에는 상기 프로세스 챔버(110)와 연통하도록 제1개구부(131)가 형성되고, 상기 밸브하우징(130)의 타 측에는 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 연통하도록 제2개구부(132)가 형성된다.
또한 상기 밸브하우징(130)의 내부에는 상기 제1개구부(131)와 제2개구부(132)를 연결하여 상기 유리 기판(10)이 이동하는 통로가 되는 이송챔버(133)가 형성된다. 상기 이송챔버(133)는 상기 제1개구부(131) 및 제2개구부(132)와 함께 상기 프로세스 챔버(110) 및 트랜스퍼 챔버(120)의 측면을 따라서 길이방향으로 길게 형성된다.
이때 상기 게이트 밸브 모듈(140)은 상기 이송챔버(133) 내부에서 상기 길이방향을 따라서 배치된다.
상기 게이트 밸브 모듈(140)은 상기 이송챔버(133) 내부에서 상기 제1개구부(131)를 개폐시키는 제1블레이드(141)와, 상기 제2개구부(132)를 개폐시키는 제2블레이드(142)와, 상기 제1블레이드(141) 및 제2블레이드(142)를 수직방향으로 이송시키는 구동부재(145)를 포함한다.
상기 제1블레이드(141)와 상기 제2블레이드(142)는 각각 상기 프로세스 챔버(110)와 트랜스퍼 챔버(120)를 향하도록 대향하여 배치되며, 상기 구동부재(145)를 중심으로 수평방향으로 왕복 운동한다.
상기 제1개구부(131)는 상기 프로세스 챔버(110)와 인접하는 곳에 형성되고, 상기 제2개구부(132)는 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 인접하게 형성되어 상기 제1블레이드(141)와 제2블레이드(142)가 각각 상기 제1개구부(131)와 제2개구부(132)를 차폐하게되면 상기 이송챔버(133)만이 독립적인 공간으로 형성된다.
이때 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 이송챔버(133)가 연결되는 부분에는 상기 제1블레이드(141)의 이송영역을 제한하는 스토퍼(135)가 마련된다.
상기 스토퍼(135)는 상기 프로세스 챔버(110)의 내벽으로부터 상기 이송챔버(133) 내주면으로 단턱 형상으로 돌출되며, 상기 제1블레이드(141)가 폐쇄 작동 시 상기 프로세스 챔버(110)에 인접하게 이송되다가 상기 스토퍼(135)와 접촉하면서 상기 제1개구부(131)의 차폐운동이 정지하게 된다.
상기 제2블레이드(142)는 도시된 바와 같이 상기 제2개구부(132)에 형성된 상기 트랜스퍼 챔버(120)의 측벽을 상기 스토퍼(135)와 유사한 기능으로 사용할 수 있으며, 필요에 따라서 별도의 스토퍼(135)를 구비할 수도 있다.
또한 상기 제1블레이드(141) 및 제2블레이드(142)는 텔레스코프(Telescope) 방식으로 구현하여 단계별로 각각 상기 제1개구부(131) 및 제2개구부(132)에 접근할 수 있도록 마련되는 것이 바람직하다.
여기서 상기 제1블레이드와 상기 스토퍼(135)가 접촉하는 부분에는 실링부재(136)가 마련된다. 상기 실링부재(136)는 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 이송챔버(133)로 플라즈마가 배출되는 것을 방지하도록 밀폐시키는 기능을 갖는다.
따라서 상기 제1블레이드(141)가 상기 제1개구부(131)를 차폐 시 상기 프로세스 챔버(110)는 상기 이송챔버(133)의 공간만큼 부피가 감소하게 된다.
이는 대형 PECVD의 상기 프로세스 챔버(110)에서 발생하는 스탠딩 웨이브 효과(Standing Wave Effect; SWE)로 인한 플라즈마의 안정화를 유발함과 동시에 플라즈마가 쏠림현상이 발생함으로 인한 상기 그라운드의 단선을 방지하는 효과를 갖는다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치(200)를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이하에서 전기한 참조부호와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 발명에 의한 상기 박막 증착장비용 밸브장치(200)는 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버(110)와, 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 유리 기판(10)을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버(120)와, 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 연통하도록 형성되는 밸브하우징(230)과, 상기 밸브하우징(230)을 차폐하여 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 개폐하도록 마련되는 게이트 밸브 모듈(240) 및 상기 프로세스 챔버(110) 또는 상기 밸브하우징(230) 내부에 마련되어 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 밸브하우징(230)이 연결되는 부분을 개폐하는 제3블레이드를 포함한다.
상기 프로세스 챔버(110), 트랜스퍼 챔버(120)는 전기한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 블브장치(100)와 동일한 구성을 가지므로 이하에서는 상기 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 블브장치(100)와의 차이점을 상세하게 설명한다.
상기 밸브하우징(230)의 일 측에는 상기 프로세스 챔버(110)와 연통하도록 제1개구부(231)가 형성되고, 상기 밸브하우징(230)의 타 측에는 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 연통하도록 제2개구부(232)가 형성된다.
또한 상기 밸브하우징(230)의 내부에는 상기 제1개구부(231)와 제2개구부(232)를 연결하여 상기 유리 기판(10)이 이동하는 통로가 되는 이송챔버(233)가 형성된다.
상기 이송챔버(233)는 상기 제1개구부(231) 및 제2개구부(232)와 함께 상기 프로세스 챔버(110) 및 트랜스퍼 챔버(120)의 측면을 따라서 길이방향으로 길게 형성된다.
이때 상기 게이트 밸브 모듈(240)은 상기 이송챔버(233) 내부에서 상기 길이방향을 따라서 배치된다.
상기 게이트 밸브 모듈(240)은 상기 이송챔버(233) 내부에서 상기 이송챔버(233)의 내부영역을 개폐시키는 제1블레이드(241)와, 상기 제2개구부(232)를 개폐시키는 제2블레이드(242)와, 상기 제1블레이드(241) 및 제2블레이드(242)를 수직방향으로 이송시키는 구동부재(245)를 포함한다.
여기서 상기 제1블레이드(241)는 상기 제1개구부(231)와 이격되도록 배치되며, 상기 제2블레이드(242)와 함께 수직방향으로 승강운동하게 된다.
또한 상기 제2블레이드(242)는 상기 제2개구부(232)를 선택적으로 개폐시키며, 상기 제1블레이드(241)와 제2블레이드(242)가 하강하게 되면 상기 이송챔버(233)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)가 연통하게 된다.
상기 제3블레이드는 상기 프로세스 챔버(110) 내부에서 수직방향으로 작동하여 개폐기능을 수행하며, 상기 이송챔버(233) 상에 설치될 수도 있다. 그러나 보다 바람직하게는 상기 프로세스 챔버(110)의 내부 공간을 감소시킬 수 있도록 상기 프로세스 챔버(110) 내부 측벽에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 제3블레이드가 폐쇄되어 상기 챔버몸체(도 1 참조, 111)와 접촉하는 부분에는 실링부재(236)가 마련된다. 상기 실링부재(236)는 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 이송챔버(233)로 플라즈마가 배출되는 것을 방지하도록 밀폐시키는 기능을 갖는다.
따라서 상기 제3블레이드가 상기 제1개구부(231)를 차폐 시 상기 프로세스 챔버(110)는 상기 이송챔버(233)의 공간만큼 부피가 감소하게 된다.
이 또한 본 발명의 일 실시예와 마찬가지로 대형 PECVD의 상기 프로세스 챔버(110)에서 발생하는 스탠딩 웨이브 효과(SWE)로 인한 플라즈마의 안정화를 유발함과 동시에 플라즈마가 쏠림현상이 발생함으로 인한 상기 그라운드의 단선을 방지하는 효과를 갖는다. 뿐만아니라 상기 제3블레이드를 설치함으로 인하여 상기 제3블레이드 상에 증착되는 이물질이 상기 이송챔버(233) 내부에 잔존하게 되는 것을 방지할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치(100)의 작용효과에 대하여 설명한다.
도 4a 및 4b는 도 1에 나타낸 박막 증착장비용 밸브장치(100)의 밸브 모듈(140) 개폐에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 1 내지 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장비용 밸브장치(100)는 상기 프로세스 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120) 사이에 마련되어, 대형 PECD의 상기 프로세스 챔버(110) 내부에서 발생하는 플라즈마가 상기 이송챔버(133) 내부로 진입하면서 발생하는 스탠딩 웨이브 효과를 감소시켜 플라즈마의 균일한 흐름을 유도하는데 있다.
스탠딩 웨이브 효과의 원인은 상기 밸브하우징(130)의 부피가 증가함에 따라서 플라즈마의 불균형으로 야기된다.
따라서 상기 박막 증착장비용 밸브장치(100)에 의하여 RF 리턴 쿼런트 불균형이 해소되고, 이에 따라서 스탠딩 웨이브 효과가 점감으로 인하여 공정이 안정화되며, 또한 필름의 품질이 향상되는 효과가 있다.
게다가 상기 밸브하우징(130) 내부로 유입되던 전기장(E-Field)이 저감되면서 하드웨어가 안정화되고, 이에 따라서 구성부품의 수명이 증가됨에 따라서 운용비용이 저감되는 효과가 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 200 : 박막 증착장비용 밸브장치
110 : 프로세스 챔버 111 : 챔버 몸체
112 : 챔버리드 120 : 트랜스퍼 챔버
130, 230 : 밸브하우징 140, 240 : 밸브 모듈
131, 231 : 제1개구부 132, 232 : 제2개구부
133, 233 : 이송챔버 141, 241 : 제1블레이드
142, 242 : 제2블레이드 250 : 제3블레이드

Claims (10)

  1. 공급된 유리 기판을 전달받아 증착공정이 이루어지는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버로부터 상기 유리 기판을 공급 또는 반송하는 트랜스퍼 챔버;
    상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 연통하도록 형성되는 밸브하우징; 및
    상기 밸브하우징 내부에서 왕복운동하여 상기 프로세스 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 각각 개폐하도록 구동하는 게이트 밸브 모듈;을 포함하고,
    상기 밸브하우징의 일 측에는 상기 프로세스 챔버와 연통하는 제1개구부가 형성되고, 타 측에는 상기 트랜스퍼 챔버와 연통하는 제2개구부가 형성되며, 상기 밸브하우징의 내부에는 상기 제1개구부와 제2개구부를 연결하여 상기 유리 기판이 이동할 수 있도록 길이방향으로 이송챔버가 형성되며,
    상기 게이트 밸브 모듈은 상기 이송챔버 내부에서 상기 제1개구부를 개폐시키는 제1블레이드와, 상기 이송챔버 내부에서 상기 제2개구부를 개폐시키는 제2블레이드와, 상기 제1블레이드 및 제2블레이드를 수직방향으로 이송시키는 구동부재를 포함하여 상기 제1블레이드와 제2블레이드가 각각 상기 제1개구부와 제2개구부를 동시에 개폐하는 박막 증착장비용 밸브장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 내벽으로부터 상기 이송챔버 내주면으로 돌출되어 상기 제1블레이드가 폐쇄 작동 시 이송영역을 제한하는 스토퍼를 더 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1블레이드와 상기 스토퍼가 접촉하는 부분에 마련되어 상기 이송챔버로부터 상기 제1블레이드를 밀폐시키는 실링부재를 더 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1블레이드는,
    상기 이송챔버 내부에서 상기 제1개구부를 단계적으로 차폐할 수 있도록 다단방식으로 작동하는 박막 증착장비용 밸브장치.
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 또는 상기 밸브하우징 내부에 마련되어 상기 프로세스 챔버와 상기 밸브하우징이 연결되는 부분을 개폐하는 제3블레이드를 더 포함하는 박막 증착장비용 밸브장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제3블레이드는,
    상기 제1개구부를 차폐하여 상기 프로세스 챔버 내부의 플라즈마 불균형을 방지하도록 수직방향으로 개폐하는 박막 증착장비용 밸브장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100740036B1 (ko) 2006-06-08 2007-07-19 (주)지에스티산업 진공 게이트 밸브
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050025708A (ko) * 2003-09-08 2005-03-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치에서의 아이솔레이션 밸브
KR20100110488A (ko) * 2009-04-03 2010-10-13 주식회사 에스알티 슬롯밸브

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820617B1 (ko) 2000-03-30 2008-04-08 램 리써치 코포레이션 이중슬롯밸브, 이중슬롯밸브의 제조방법 및 이중슬롯밸브의 작동방법
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