KR101885854B1 - 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법 - Google Patents

박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101885854B1
KR101885854B1 KR1020170068194A KR20170068194A KR101885854B1 KR 101885854 B1 KR101885854 B1 KR 101885854B1 KR 1020170068194 A KR1020170068194 A KR 1020170068194A KR 20170068194 A KR20170068194 A KR 20170068194A KR 101885854 B1 KR101885854 B1 KR 101885854B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
wafer
support member
temperature
flow rate
Prior art date
Application number
KR1020170068194A
Other languages
English (en)
Inventor
김인철
강민재
김수곤
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR1020170068194A priority Critical patent/KR101885854B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101885854B1 publication Critical patent/KR101885854B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/696—Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 열식유량센서는 박막, 상기 박막의 일측에 구비되고 상기 박막에 열을 가하는 가열부재 및 상기 박막의 온도를 측정하는 온도측정부재가 구비되는 필름부; 상면이 상기 필름부의 하면에 결합되고, 일부가 하부방향으로 함몰된 제1함몰공간이 구비되는 제1웨이퍼; 및 상면이 상기 제1웨이퍼의 하면에 결합되고, 상기 박막의 변형을 제한하는 제1지지부재가 구비되는 제2웨이퍼; 를 포함한다.

Description

박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법{Thermal flow rate sensor with the membrane breakage prevention structure and the method of manufacturing of thereof}
본 발명은 열식유량센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열식유량센서에 지지부가 구비되어 갑작스런 유체의 압력변화에 따른 충격에도 열식유량센서의 박막이 강성을 유지하는 열식유량센서에 관한 것이다.
유체에 관한 가장 기본적인 정보 중 하나인 유량과 관련하여 유량을 정밀하게 측정하는 센서에 관하여 다양한 방식이 존재한다. 다만 열식유량계(Thermal flow rate sensor)가 가장 정밀하면서도 초소형으로 제작이 가능하여 최근 산업적으로 활발하게 상용화 및 사용되고 있다.
일반적으로 이러한 열식유량센서는 도 1에 나타난 바와 같이 배관 내부에 부착되어 사용된다. 이 때, 열식유량센서는 배관의 내부에 열식유량센서의 표면과 배관의 내부의 표면이 동일평면상에 존재하도록 부착된다.
도 2에서와 같이 유체와 접촉하는 열식유량센서의 표면에는 저항장치와 온도측정장치가 구비된다. 저항장치는 공급된 전기에너지를 열에너지로 변환시켜 박막을 가열시킨다.
가열부에 의해 박막이 가열된 상태에서 유체의 유동에 의해 열식유량센서의 박막은 냉각된다. 이러한 냉각은 유체의 유량에 상응하여 이루어진다. 즉 유량이 큰 경우 열식유량센서의 표면에서 방출되는 열량도 크고, 유량이 작은 경우 열식유량센서의 표면에서 방출되는 열량도 작다.
따라서, 위와 같은 열량의 차이는 온도 및 유량과의 관계식(Temperature-Flow rate calibration relation)으로부터 유량을 결정할 수 있는 근거가 된다.
구체적으로는, 저항장치에 의해 열을 전달받은 박막은 유동하는 유체에 열을 방출하며 냉각되게 되고 이러한 방출 열량으로부터 유량을 계산할 수 있다.
이 경우, 유량 변동을 신속하고 정밀하게 측정하기 위한 고성능의 유량계 제작을 위해서는 열식유량센서가 유량의 변화에 따라 민감하게 반응해야 한다.
위와 같은 고성능 열식유량센서의 제작은 박막의 두께를 얇게 함으로써 가능하다. 즉, 박막의 두께를 얇게할수록 박막의 열관성이 적어 유체 냉각에 의한 반응 속도가 빨라진다. 그리고 이는 유량 변동에 대한 측정 속도 및 정밀도를 높일 수 있다.
다만 유체의 흐름이 급격하게 증가하는 등의 이유로 배관 내부의 압력이 높아지는 경우 위와 같은 얇은 박막은 파손될 가능성이 높아진다.
따라서, 위와 같은 박막이 파손되는 문제점을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
일본공개공보 제2008175780호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 발명으로서, 열식유량센서에 구비된 박막이 파손되지 않도록 하는 지지부재가 구비된 열식유량센서를 제공하기 위함이다.
또한, 지지부재가 구비되는 열식유량센서를 제조하는 방법을 제공하기 위함이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 열식유량센서는 박막, 상기 박막의 일측에 구비되고 상기 박막에 열을 가하는 가열부재 및 상기 박막의 온도를 측정하는 온도측정부재가 구비되는 필름부; 상면이 상기 필름부의 하면에 결합되고, 일부가 하부방향으로 함몰된 제1함몰공간이 구비되는 제1웨이퍼; 및 상면이 상기 제1웨이퍼의 하면에 결합되고, 상기 박막의 변형을 제한하는 제1지지부재가 구비되는 제2웨이퍼; 를 포함한다.
그리고, 상기 제1지지부재는 상기 제1지지부재의 상면이 상기 박막의 하면과 이격 되도록 설치된다
본 발명의 열식유량센서의 제조방법은 박막의 일부에 열을 가하는 가열부재 및 온도를 측정하는 온도측정부재의 패턴을 생성하는 박막패턴 단계;
제1웨이퍼의 일부를 식각하여 공간을 형성하는 식각단계; 상기 공간의 내부에 지지부재가 배치되게 제2웨이퍼를 형성하는 지지부 형성단계; 및 상기 박막의 하면과 상기 제1웨이퍼의 상면 및 상기 제1웨이퍼의 하면과 상기 제2웨이퍼의 상면을 상호 결합하는 결합단계; 를 포함한다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 유체의 급속한 압력 변화에도 열식유량센서에 구비된 박막이 강성을 유지할 수 있다.
둘째, 지지부재의 구비로 얇은 박막을 이용한 열식유량센서의 제작이 가능하므로 유량 변동을 더욱 신속하고 정밀하게 측정할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2는 기본적인 열식유량센서의 구조 및 사용법을 나타낸 도면이다.
도 3은 박막 두께와 최대 응력간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 도 6은 지지부재가 구비된 열식유량센서의 분해 사시도 및 결합된 구조를 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8은 지지부재의 구비 여부에 따른 열식유량센서의 응력 차이를 나타낸 도면이다. 그리고,
도 9 및 도 10은 지지부재가 구비된 열식유량센서를 제조하는 방법을 나타낸 도면이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 열식유량센서는 필름부(100), 제1웨이퍼(220) 및 제2웨이퍼(240)를 포함한다.
필름부(100)는 파이프의 내부(12)에 구비되어 필름부(100)의 표면이 유동하는 유체(50)와 접촉하도록 구비된다. 그리고 필름부(100)는 가열 및 유체(50)의 유동에 따른 냉각과정 동안에 필름부(100)의 온도변화로부터 유량 값을 계산하는 대상이 된다.
이러한 필름부(100)는 박막(120), 가열부재(160) 및 온도측정부재(180)를 구비할 수 있다.
가열부재(160)는 박막(120)의 일측에 구비되어 박막(120)을 가열함으로써 박막(120)의 온도를 높인다. 일반적으로 전기저항이 설치되어 전기에너지를 열에너지로 바꾸는 과정을 통하여 박막(120)을 가열할 수 있다.
온도측정부재(180)는 박막(120)의 변화하는 온도를 측정하도록 구비될 수 있다. 온도측정부재(180)는 가열부재(160)와 함께 박막(120)에 구비될 수 있다.
다만, 가열부재(160)와 온도측정부재(180)는 반드시 박막(120)에 구비되어야 하는 것은 아니다. 각각 박막(120)의 온도를 높이고 변화하는 온도를 측정할 수 있는 역할을 할 수 있는 것이라면 그 위치는 문제되지 않는다.
그리고, 온도측정부재(180)는 길이방향으로 길게 구비되어 박막(120)의 주변의 온도를 측정할 수 있다. 이는 박막(120)의 온도변화에 영향을 미치는 요소가 있을 경우 박막(120)의 주변의 온도를 측정함으로써 상대적으로 객관적인 온도 변화의 측정이 가능하다.
박막(120)은 막으로 구성될 수 있고, 변화하는 온도를 측정하는 대상이 된다.
구체적으로는, 가열부재(160)에 의해 박막(120)의 온도는 높아지고 표면에 접촉하여 흐르는 유체(50)에 의하여 냉각되어 온도는 낮아진다.
이 때, 유체(50)의 유량이 많으면 박막(120)은 상대적으로 빠르게 냉각되고 유체(50)의 유량이 적으면 박막(120)은 상대적으로 천천히 냉각된다.
위와 같이, 박막(120)의 온도 변화에 따라 온도 및 유량 과의 관계식(Temperature-Flow rate calibration relation)으로부터 유량을 산출할 수 있게 된다.
그리고, 가열부재(160)와 유체(50)의 냉각에 따른 온도 변화에 민감하게 반응하기 위하여 박막(120)은 얇게 형성될 수 있다. 이러한 얇은 박막(120)은 유량 변동에 대한 측정 속도 및 정밀도를 높여 고성능 유량계를 위해서 필수적이다.
다만 박막(120)의 형상은 원형 또는 다각형 등 어떠한 형태도 무관하다.
제1웨이퍼(220)는 제1웨이퍼(220)의 상면이 필름부(100)의 하면에 결합되고, 제1웨이퍼(220)의 내부가 하부방향으로 함몰되는 공간을 포함한다. 함몰되는 공간을 제1함몰공간(260)이라 한다.
제1함몰공간(260)은 단열공동으로 형성될 수 있다. 단열공동은 박막(120)의 두께를 줄이기 위해 요구된다. 즉, 상술한 바와 같이 박막(120)은 온도 측정의 대상이 되므로, 가열부재(160)에 따른 가열 및 유체(50)의 유동에 따른 냉각 외에 박막(120)의 온도 변화를 유도하는 요소는 최소가 되어야 할 것이다. 이는 제1함몰공간(260)이 단열공동으로 형성될 때 가능하다.
제2웨이퍼(240)는 제2웨이퍼(240)의 상면이 제1웨이퍼(220)의 하면에 결합된다. 그리고 제2웨이퍼(240)의 일부에 구비되어 박막(120)의 변형을 제한하는 제1지지부재(320)가 구비된다.
제1지지부재(320)는 제1함몰공간(260)의 내부에 배치되도록 구비된다. 제1지지부재(320)의 필요성에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 박막(120)의 두께와 최대 응력간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 박막(120)의 두께가 얇아질수록 박막(120)에 미치는 응력은 증가한다. 즉 박막(120)의 두께와 최대 응력은 상호 반비례 관계에 있다.
상술한 바와 같이 온도 및 유량 변동에 민감한 고성능의 열식유량센서를 제조하기 위해 박막(120)은 얇게 구비되어야 한다. 그러나 얇은 박막(120)은 유량의 급작스런 변동에 따른 압력 변화에 의해 박막(120) 자체의 강성을 잃고 찢어지거나 파괴될 위험이 있다.
제1함몰공간(260)에 배치되는 제1지지부재(320)를 포함하는 제2웨이퍼(240)는 박막(120)이 강성을 유지하는데 도움을 준다.
제1지지부재(320)는 박막(120)의 변형을 제한할 수 있는 것이라면 그 형태나 구비되는 위치는 문제되지 않을 것이다.
도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제1지지부재(320)의 실시 예를 살핀다. 도 4 내지 도 6은 지지부재가 구비된 열식유량센서의 분해사시도 및 결합관계를 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5에서 볼 수 있듯이, 제1지지부재(320)는 제2웨이퍼(240)의 일부가 상부방향으로 돌출되어 형성되도록 구비될 수 있다.
제1지지부재(320)는 박막(120)의 변형을 제한하기 위해 구비되는 것이므로 박막(120)에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 박막의 모양에 대응되어 구비될 수 있다.
다만, 제1지지부재(320)는 박막(120)의 온도 변화에 영향을 미치지 않도록 배치되어야 한다. 박막(120)의 온도 변화는 유량을 측정하는 근거가 되기 때문이다.
그리고, 지지부(300)는 도 6에서와 같이 제1지지부재(320) 외에 제1함몰공간(260)에 구비되는 제1지지부재(320)의 일부에 하부방향으로 함몰된 제2함몰공간(280)이 형성되고 제2함몰공간(280)에 구비되는 제2지지부재(340)를 포함할 수 있다.
이 때 제1지지부재(320)와 제2지지부재(340)의 상면이 동일평면상에 놓이도록 구비될 수 있다. 그리고, 제1지지부재(320)와 제2지지부재(340)는 동심원을 형성하며 배치될 수 있다.
이러한 경우 하나의 지지부재로 구비되는 경우와 비교하여 상대적으로 단열공동의 공간이 더 커지고 응력을 분산시킬 수 있다.
즉, 단열공동의 공간을 최대로 확보함으로써, 박막(120)의 온도 변화에 영향을 미치는 요소를 최소화할 수 있다.
단열공동으로 형성되는 공간이 작을수록 박막(120)의 온도변화가 제1웨이퍼(220)에 의해 영향을 받을 수 있기 때문이다.
즉, 얇게 형성된 박막(120)은 가열부재(160)와 유체(50)의 유동에 따른 온도변화에 민감하게 반응해야 하나, 제1웨이퍼(220)는 박막(120)의 온도를 전달받아 저장하고 있다가 박막(120)의 온도변화에 영향을 미칠 수 있다.
따라서 상술한 열식유량센서는 박막(120)이 얇게 구비되도록 할 수 있고 박막(120)의 온도 변화의 영향을 미치는 요소를 최소화 할 수 있다.
이러한 제1지지부재(320)는 제1지지부재(320)의 상면이 박막(120)의 하면과 이격 되어 설치될 수 있다.
제1지지부재(320)의 상면이 박막(120)의 하면과 접하도록 구비될 경우 박막(120)의 온도 변화에 영향을 미칠 수 있으므로 제1지지부재(320)와 박막(120)은 이격 되도록 배치되는 것이 유리하다.
이 때, 이격 되는 거리는 배관의 환경마다 다르게 설정될 수 있다.
일반적으로는 열식유량센서에 가해지는 최대 응력과 제1지지부재(320) 또는 제2지지부재(340)를 포함하는 지지부(300)에 분산되는 응력의 크기를 고려하여 지지부(300)와 박막(120)은 최대한 이격되도록 구비될 것이다. 이는 상술한 바와 같이 박막(120)의 온도변화에 영향을 최소한으로 미치기 위함이다.
제1지지부재(320)의 구비여부에 따른 열식유량센서에 미치는 응력의 차이는 도 7과 도 8을 통해 확인할 수 있다.
도 7의 (a)는 제1지지부재(320)가 없는 박막(120)의 응력에 따른 표면 값을 나타낸 그림이고 도 7의 (b)는 제1지지부재(320)가 구비된 박막(120)의 응력에 따른 표면 값을 나타낸 그림이다.
도 7 (a) 와 도 7 (b) 의 차이에서 확인할 수 있듯이 제1지지부재(320)가 구비된 경우 박막(120)에 가해지는 응력이 제1지지부재(320)에 의해 분산될 수 있음을 확인할 수 있다.
도 8은 제1지지부재(320)의 구비 여부에 따른 박막(120)의 직경과 최대응력의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8에서 알 수 있듯이, 제1지지부재(320)가 구비된 경우는 제1지지부재(320)가 없는 경우에 비해 유체(50)에 의해 박막(120)에 가해지는 응력이 작음을 알 수 있다.
또한 박막(120)의 직경이 커질수록 박막(120)에 가해지는 최대응력의 값의 차이가 더욱 커짐을 확인할 수 있다.
즉 제1지지부재(320)에 의해 박막(120)의 강성이 유지될 수 있으므로 박막(120)은 급격한 유체(50)의 압력변화 등에 파괴되지 않게 된다.
도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 열식유량센서의 제조방법에 대하여 설명한다.
본 방법은 박막패턴 단계(S12), 식각단계(S14), 지지부 형성단계(S16) 및 결합단계(S18)를 포함한다.
박막패턴 단계(S12)는 가열부재(160)와 온도측정부재(180)를 박막(120)에 요구되는 형상의 패턴들로 생성 하는 단계이다.
그리고, 가열부재(160)와 온도측정부재(180)의 목적 및 효과는 상술한 바와 같다.
가열부재(160)와 온도측정부재(180)를 생성하는 위치는 상술한 목적 및 효과를 구현하기 위한 것이라면 문제되지 않는다.
그러나 일반적으로 박막(120)의 중앙에 가열부재(160)가 구비될 것이다. 이는 박막(120)의 평균적인 온도측정을 위함이다. 따라서, 가열부재(160)와 온도측정부재(180)의 위치는 고정되어야 할 것이다.
다만 상술한 이유로 온도측정부재(180)는 길이방향으로 길게 구비되어 박막(120)의 주변의 온도를 측정하도록 구비될 수도 있다.
식각단계(S14)는 제1웨이퍼(220)의 일부를 식각하여 함몰공간(260)을 형성하는 단계이다.
함몰공간(260)은 상술한 바와 같이 단열공동으로 형성되어야 한다. 그리고 식각하는 공간은 최소한 지지부가 배치될 수 있는 정도여야 한다.
지지부는 상술한 실시 예와 같이 제1지지부재(320)로 구비될 수 있고 제1지지부재(320)와 제2지지부재(340)가 함께 구비될 수 있다.
지지부 형성단계(S16)는 식각단계에서 형성된 제1웨이퍼(220)의 공간의 내부에 지지부재가 배치되도록 제2웨이퍼(240)를 식각 등으로 형성하는 단계이다.
지지부재의 배치 및 형상은 상술한 바와 같다.
결합단계(S18)는 상기 박막의 하면과 상기 제1웨이퍼(220)의 상면 및 상기 제1웨이퍼(220)의 하면과 상기 제2웨이퍼(240)의 상면을 상호 결합하는 단계이다. 결합의 순서는 중요치 않다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
10: 유량 이송용 파이프 12: 파이프의 내부
50: 유체 100: 필름부
120: 박막 160: 가열부재
180: 온도측정부재 220: 제1웨이퍼
240: 제2웨이퍼 260: 제1함몰공간
280: 제2함몰공간 300: 지지부
320: 제1지지부재 340: 제2지지부재

Claims (3)

  1. 박막, 상기 박막의 일측에 구비되고 상기 박막에 열을 가하는 가열부재 및 상기 박막의 온도를 측정하는 온도측정부재가 구비되는 필름부;
    상면 및 하면이 개방된 제1함몰공간이 구비되고, 상기 제1함몰공간의 상면이 차폐되도록 상기 필름부의 하면에 결합되는 제1웨이퍼; 및
    상기 제1함몰공간의 개방된 하면을 차폐하도록 상기 제1웨이퍼의 하면에 결합되고, 상기 박막의 변형을 제한하도록 상기 제1함몰공간으로 돌출 형성되는 제1지지부재가 구비되는 제2웨이퍼;
    를 포함하는 열식유량센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1지지부재는 상기 제1지지부재의 상면이 상기 박막의 하면과 이격 되도록 설치되는 열식유량센서.
  3. 박막의 일부에 열을 가하는 가열부재 및 온도를 측정하는 온도측정부재의 패턴을 생성하는 박막패턴 단계;
    제1웨이퍼의 일부를 식각하여 상면 및 하면이 개방된 함몰공간을 형성하는 식각단계;
    상기 공간의 내부에 배치되는 지지부재를 제2웨이퍼에 형성하는 형성하는 지지부 형성단계; 및
    상기 제1웨이퍼 함몰공간의 상면을 차폐하도록 박막의 하면과 상기 제1웨이퍼의 상면을 상호 결합하고, 상기 제1웨이퍼 함몰공간의 하면을 차폐하면서, 상기 지지부재가 상기 함몰공간에 위치하도록 상기 제1웨이퍼의 하면과 상기 제2웨이퍼의 상면을 상호 결합하는 결합단계;
    를 포함하는 열식유량센서의 제조방법.
KR1020170068194A 2017-06-01 2017-06-01 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법 KR101885854B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170068194A KR101885854B1 (ko) 2017-06-01 2017-06-01 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170068194A KR101885854B1 (ko) 2017-06-01 2017-06-01 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101885854B1 true KR101885854B1 (ko) 2018-09-11

Family

ID=63596376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170068194A KR101885854B1 (ko) 2017-06-01 2017-06-01 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101885854B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0829225A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体式流量検出装置およびその製造方法
JP2008175780A (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Denso Corp 熱式流量センサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0829225A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体式流量検出装置およびその製造方法
JP2008175780A (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Denso Corp 熱式流量センサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI666797B (zh) 壓電元件驅動式閥及流量控制裝置
TWI778034B (zh) 壓力感測器
TWI388814B (zh) 皮喇尼真空計
JP6144540B2 (ja) 圧力センサ
TW201333439A (zh) 具有改良的電極結構之電容式壓力感測器
JP2018146530A (ja) 圧力センサ
US9810586B2 (en) Temperature sensor and thermal, flow measuring device
JP6093722B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
KR101885854B1 (ko) 박막 파손방지 기구를 갖는 열식유량센서 및 제조방법
WO2010137392A1 (ja) 流量測定装置及び流体圧力測定装置
WO2018225853A1 (ja) 静電容量型圧力センサ
EP2990773B1 (en) Capacitive pressure sensor
TWI664396B (zh) 熱型氣壓高度計
KR102414116B1 (ko) 단열구조를 갖는 가스센서와 가스센서 어레이 및 그 제조방법
TW201432228A (zh) 具有用於熱短路的柱狀結構吸收器的輻射熱測定器
JP7002821B2 (ja) 圧力センサ
JP6923405B2 (ja) 圧力変化測定装置
KR101956766B1 (ko) 유량센서
WO2022085497A1 (ja) 圧力温度センサ
JP6728329B2 (ja) 圧力センサ
EP2866012A1 (en) A sensor element comprising a constraining layer
JP6012413B2 (ja) 接触式温度計
JP2010223858A (ja) 流量計測装置
JP6255162B2 (ja) ガスセンサの製造方法
JP2019046286A (ja) 異常検知方法および異常検知装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant