KR101885570B1 - Window member, method for manufacturing the same, and substrate treatment apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 윈도우 부재의 통공 내벽과 같은 코팅 취약 부위도 효과적인 코팅막 증착이 가능한 코팅 방법 및 그를 이용하여 제조된 윈도우 부재를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법은, 절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계; 상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 제3 재질로 제2 코팅막을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식에 의해 형성될 수 있다.The present invention is to provide a coating method capable of effectively depositing a coating film even in a coating weak area such as a through-hole inner wall of a window member, and a window member manufactured using the same. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a window member, the method including: providing a base material provided with a through hole into which a nozzle for supplying gas to the processing space is inserted; Forming a first coating layer on a top surface of the base material with a second material different from the first material; And providing a second coating layer of a third material on the upper surface of the first coating layer and the inner wall of the through hole, wherein the second coating layer is formed by a chemical vapor deposition method, an atomic layer deposition method, And Physical Vapor Deposition (hereinafter, referred to as " physical vapor deposition ").

Description

윈도우 부재, 그 제조 방법, 및 그를 포함하는 기판 처리 장치{WINDOW MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a window member, a manufacturing method thereof, and a substrate processing apparatus including the window member.

본 발명은 기판 처리 장치에 포함되는 윈도우 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a window member included in a substrate processing apparatus and a manufacturing method thereof.

반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중 에칭 공정은 플라즈마를 이용하여 기판상의 박막을 선택적으로 제거할 수 있다.The semiconductor manufacturing process may include processing the substrate using plasma. For example, an etching process during a semiconductor manufacturing process can selectively remove thin films on a substrate using plasma.

플라즈마 공정을 위해 사용되는 장치는 챔버의 상부에 위치되어 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우 부재를 포함한다. 공정 중 윈도우 부재로 인하여 발생하는 파티클은 공정 효율에 직결된다. 따라서 파티클 발생을 줄이기 위해 윈도우 부재를 코팅하는 기술이 중요시되고 있다.The apparatus used for the plasma process includes a window member located at the top of the chamber and separating the processing space from the outside. Particles generated due to the absence of the window during the process are directly related to the process efficiency. Therefore, the technique of coating the window member to reduce the generation of particles is emphasized.

윈도우 부재의 코팅을 위해 스프레이 코팅이 주로 사용되고 있다. 이러한 스프레이 코팅은 스프레이 분사 방향과 모재의 표면이 수직을 이룰 때 코팅 물질이 가장 이상적으로 접착된다. 그러나 윈도우 부재는 가스 공급 노즐이 삽입되는 통공이 형성된다. 통공의 내벽은 스프레이 분사 방향과 수직을 이루기 어려워, 스프레이 방식의 코팅은 이러한 점에서 코팅 취약 부위가 발생한다.Spray coatings are mainly used for the coating of window members. Such a spray coating is most ideally bonded to the coating material when the direction of spraying is perpendicular to the surface of the base material. However, the window member is formed with a through hole into which the gas supply nozzle is inserted. The inner wall of the through hole is difficult to be perpendicular to the direction of spraying, and the coating method of the spraying method causes a coating vulnerable part in this point.

본 발명의 실시 예는 윈도우 부재의 통공 내벽과 같은 코팅 취약 부위도 효과적인 코팅막 증착이 가능한 코팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a coating method capable of effectively depositing a coating film even in a coating weak region such as a through-hole inner wall of a window member.

또한, 본 발명의 실시 예는 효과적인 코팅막 증착을 통해 플라즈마 공정시 파티클 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다.In addition, the embodiment of the present invention aims at suppressing particle generation during plasma processing through effective coating film deposition.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

상기 과제를 해결하기 위한 윈도우 제조 방법은, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우를 제조하며, 절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계; 상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 제3 재질로 제2 코팅막을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.A window manufacturing method for solving the above problem is provided with a window provided between a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space to which high frequency power is applied and dividing the processing space from the outside Providing a preform provided with a through hole into which a nozzle for supplying gas to the process space is formed, the preform being provided from a first material that is an insulating material; Forming a first coating layer on a top surface of the base material with a second material different from the first material; And providing a second coating layer on a top surface of the first coating layer and a third material on the inner wall of the through-hole.

상기 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식에 의해 형성될 수 있다.The second coating layer may be formed by one or more methods selected from chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and physical vapor deposition.

상기 제1 코팅막은 스프레이 방식에 의해 형성될 수 있다.The first coating layer may be formed by a spray method.

상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)일 수 있다.The first material may be alumina (Al 2 O 3 ).

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질일 수 있다.The second material and the third material may be the same material.

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)일 수 있다.The second material and the third material may be yttria (Y 2 O 3 ).

상기 윈도우 제조 방법은, 상기 제1 코팅막의 상면에 증착된 상기 제2 코팅막을 폴리싱(polishing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.The window manufacturing method may further include polishing the second coating layer deposited on the upper surface of the first coating layer.

상기 폴리싱하는 단계는, 상기 제1 코팅막의 상면에 상기 제2 코팅막이 일정 두께 잔류하도록 연마하는 단계를 포함할 수 있다.The polishing may include polishing the second coating layer on the upper surface of the first coating layer to a predetermined thickness.

본 발명의 일 실시 예는 윈도우 부재를 제공할 수 있다.One embodiment of the present invention can provide a window member.

상기 윈도우 부재는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획할 수 있다.The window member is provided between a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space to which RF power is applied, and can partition the processing space from the outside.

상기 윈도우 부재는, 절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재; 상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 형성된 제1 코팅막; 및 상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 제3 재질로 형성된 제2 코팅막을 포함할 수 있다.Wherein the window member is made of a first material that is an insulating material and has a through hole into which a nozzle for supplying gas to the processing space is inserted; A first coating layer formed on a top surface of the base material, the first coating layer being formed of a second material different from the first material; And a second coating layer formed on a top surface of the first coating layer and a third material on the inner wall of the through hole.

상기 제1 코팅막은 상기 제2 코팅막보다 두껍게 형성될 수 있다.The first coating layer may be thicker than the second coating layer.

상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)일 수 있다.The first material may be alumina (Al 2 O 3 ).

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질일 수 있다.The second material and the third material may be the same material.

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)일 수 있다.The second material and the third material may be yttria (Y 2 O 3 ).

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 노즐을 포함하는 가스 공급 유닛; 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나; 상기 챔버와 상기 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우 부재를 포함할 수 있으며, 상기 윈도우 부재는: 절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재; 상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 형성된 제1 코팅막; 및 상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 제3 재질로 형성된 제2 코팅막을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a substrate processing space therein; A substrate support assembly located within the chamber and including a support plate for supporting the substrate; A gas supply unit including a nozzle for supplying gas into the chamber; An antenna disposed at an upper portion of the processing space to receive high-frequency power; And a window member provided between the chamber and the antenna and partitioning the processing space from the outside, wherein the window member is provided as a first material of an insulating material, ; A first coating layer formed on a top surface of the base material, the first coating layer being formed of a second material different from the first material; And a second coating layer formed on a top surface of the first coating layer and a third material on the inner wall of the through hole.

상기 제1 코팅막은 상기 제2 코팅막보다 두껍게 형성될 수 있다.The first coating layer may be thicker than the second coating layer.

상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)일 수 있다.The first material may be alumina (Al 2 O 3 ).

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질일 수 있다.The second material and the third material may be the same material.

상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)일 수 있다.The second material and the third material may be yttria (Y 2 O 3 ).

본 발명의 또 다른 실시 예에 의한 윈도우 제조 방법은, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우를 제조하는 방법으로, 절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계; 상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 상기 제2 재질로 제2 코팅막을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 제1 코팅막은 스프레이 방식으로 제공되고, 상기 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)에 의해 형성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a window, the method comprising the steps of: providing a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space to receive high frequency power, Providing a preformed base material which is provided with a first material which is an insulating material and has a through hole into which a nozzle for supplying gas to the process space is inserted; Forming a first coating layer on a top surface of the base material with a second material different from the first material; And providing a second coating layer on the upper surface of the first coating layer and the inner wall of the through hole with the second material, wherein the first coating layer is provided by a spray method, and the second coating layer is formed by a chemical vapor deposition Deposition, Atomic Layer Deposition, or Physical Vapor Deposition.

상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)이고, 상기 제2 재질은 이트리아(Y2O3)일 수 있다.The first material may be alumina (Al 2 O 3 ), and the second material may be yttria (Y 2 O 3 ).

상기 윈도우 제조 방법은, 상기 제1 코팅막의 상면에 증착된 상기 제2 코팅막을 폴리싱(polishing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.The window manufacturing method may further include polishing the second coating layer deposited on the upper surface of the first coating layer.

상기 폴리싱하는 단계는, 상기 제1 코팅막의 상면에 상기 제2 코팅막이 일정 두께 잔류하도록 연마하는 단계를 포함할 수 있다.The polishing may include polishing the second coating layer on the upper surface of the first coating layer to a predetermined thickness.

본 발명의 실시 예에 따르면, 윈도우 부재의 통공 내벽과 같은 코팅 취약 부위도 효과적인 코팅막 증착이 가능한 코팅 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a coating method capable of effectively depositing a coating film even in a coating weak region such as a through-hole inner wall of a window member.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면 효과적인 코팅막 증착을 통해 플라즈마 공정시 파티클 발생을 억제할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to suppress the generation of particles during the plasma process by effectively depositing the coating film.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 다른 기판 처리 장치를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 윈도우 부재를 보여주는 도면이다.
도 3은 종래 기술에 따라 코팅된 윈도우 부재의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 코팅된 윈도우 부재의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법의 예시적인 흐름도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing an exemplary substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
Fig. 2 is a view showing the window member of Fig. 1. Fig.
3 is a cross-sectional view of a coated window member according to the prior art.
4 is a view for explaining a method of manufacturing a window member according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view of a coated window member in accordance with one embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a method of manufacturing a window member according to another embodiment of the present invention.
7 is an exemplary flow diagram of a method of manufacturing a window member according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

본 발명은 스프레이 코팅 방식에 있어서 코팅 취약 부위가 발생하는 단점을 보완한 코팅 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 제조 방법은, 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 추가적으로 사용하여 스프레이 코팅 방식에 있어서 코팅 취약 부위인 코팅 통공의 내벽에도 코팅막이 형성될 수 있도록 한다.The present invention provides a coating method that overcomes the disadvantage of the occurrence of coating fragile areas in a spray coating system. The method of manufacturing a window according to an embodiment of the present invention may further include a step of forming a coating in a spray coating method by additionally using a chemical vapor deposition method, an atomic layer deposition method, or a physical vapor deposition method, So that a coating film can be formed on the inner wall of the coating hole, which is a vulnerable region.

이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 예시적으로 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view exemplarily showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400) 및 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma generation unit 400, and a baffle unit 500.

공정 챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 하우징(110), 윈도우 부재(120), 그리고 라이너(180)를 포함한다.The process chamber 100 provides a space in which the substrate processing process is performed. The process chamber 100 includes a housing 110, a window member 120, and a liner 180.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 갖는다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정의 압력으로 감압된다.The housing 110 has a space whose top surface is open inside. The inner space of the housing 110 is provided to the processing space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. The housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is reduced in pressure to a predetermined pressure by the exhaust process.

윈도우 부재(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 윈도우 유닛(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 윈도우 부재(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다. 윈도우 부재(120)에는 가스 공급 노즐(310)이 삽입되는 통공이 형성될 수 있다.The window member 120 covers the open top surface of the housing 110. The window unit 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 110. The window member 120 may include a dielectric substance window. The window member 120 may be formed with a through hole into which the gas supply nozzle 310 is inserted.

라이너(180)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(180)는 상면 및 하면이 개방된 공간의 내부에 형성된다. 라이너(180)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(180)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(180)의 둘레를 따라 라이너(180)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(180)를 지지한다. 라이너(180)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 즉, 라이너(180)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(180)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(180)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(180)로 교체할 수 있다.The liner 180 is provided inside the housing 110. The liner 180 is formed inside the open space of the upper and lower surfaces. The liner 180 may be provided in a cylindrical shape. The liner 180 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 180 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 180, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided as a ring shaped plate and protrudes outwardly of the liner 180 along the periphery of the liner 180. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 180. The liner 180 may be provided in the same material as the housing 110. That is, the liner 180 may be made of an aluminum material. The liner 180 protects the inside surface of the housing 110. An arc discharge may be generated in the chamber 100 during the process gas excitation. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 180 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 180 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 180 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 180.

하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The substrate supporting unit 200 is located inside the housing 110. The substrate supporting unit 200 supports the substrate W. The substrate supporting unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the substrate support unit 200 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치될 수 있다.The supporting unit 200 includes an electrostatic chuck 210, an insulating plate 250 and a lower cover 270. The support unit 200 may be positioned within the chamber 100 and spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110.

정전 척(210)은 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230) 및 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 210 includes a dielectric plate 220, electrodes 223, a heater 225, a support plate 230, and a focus ring 240.

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. 유전판(220)에는 제 1 공급 유로(221)가 형성된다. 제 1 공급 유로(221)는 유전판(220)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격되어 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 220 is located at the upper end of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 220. A first supply passage 221 is formed in the dielectric plate 220. The first supply passage 221 is provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 220. A plurality of first supply passages 221 are spaced apart from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

유전판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제 1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제 1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제 1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프에 의해 제 1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.A lower electrode 223 and a heater 225 are buried in the dielectric plate 220. The lower electrode 223 is located above the heater 225. The lower electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. The first lower power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the lower electrode 223 and the first lower power source 223a. The lower electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the lower electrode 223. An electrostatic force is applied between the lower electrode 223 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 223 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제 2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제 2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second lower power supply 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil.

유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 제 1 순환 유로(231), 제 2 순환 유로(232) 및 제 2 공급 유로(233)가 형성된다.A support plate 230 is positioned below the dielectric plate 220. The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive 236. [ The support plate 230 may be made of aluminum. The upper surface of the support plate 230 may be stepped so that the central region is positioned higher than the edge region. The upper surface central region of the support plate 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 220. A first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the support plate 230.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제 1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 1 순환 유로(231)는 서로 연통될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)는 동일한 높이에 형성된다.The first circulation channel 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow path 231 is formed at the same height.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제 2 순환 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 2 순환 유로(232)는 서로 연통될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation channel 232 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Further, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow path 232 is formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제 2 공급 유로(233)는 제 1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제 2 공급 유로(243)는 제 1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제 1 순환 유로(231)와 제 1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the support plate 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the first circulation passage 231 to the first supply passage 221.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(221b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제 1 순환 유로(231)에 공급되며, 제 2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 221b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제 2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제 2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 to cool the support plate 230. The support plate 230 cools the dielectric plate 220 and the substrate W together while keeping the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the dielectric plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220. [ The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 allows the plasma to be concentrated within the chamber 100 in a region facing the substrate W. [

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is disposed under the support plate 230. The insulating plate 250 is provided in a cross-sectional area corresponding to the support plate 230. [ The insulating plate 250 is positioned between the support plate 230 and the lower cover 270. The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the supporting plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 기판 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서, 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the substrate supporting unit 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. Thus, the outer radius of the cross section of the lower cover 270 can be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원 라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b), 및 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connecting member 273 supports the substrate supporting unit 200 inside the chamber 100. The connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second lower power supply 225a, a heat transfer medium supply line 233b connected to the heat transfer medium storage 231a And the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid reservoir 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273. [

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320) 및 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 윈도우 유닛(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 윈도우 부재(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부의 처리공간으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the window unit 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the window member 120 and supplies the process gas to the processing space inside the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(400)은 ICP 타입으로 구성될 수 있다.The plasma generating unit 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. According to one embodiment of the present invention, the plasma generating unit 400 may be configured as an ICP type.

플라즈마 발생 유닛(400)은 고주파 전원(420), 제1 안테나(411), 제2 안테나(413), 그리고 전력 분배기(430)를 포함할 수 있다. 고주파 전원(420)은 고주파 신호를 공급한다. 일 예로, 고주파 전원(420)은 RF 전원(420)일 수 있다. RF 전원(420)은 RF 전력을 공급한다. 이하, 고주파 전원(420)이 RF 전원(420)으로 제공되는 경우를 설명한다. 제1 안테나(411)는 고주파 전원(420)과 제1 라인(L1)을 통해 연결된다. 제2 안테나(413)는 고주파 전원(420)과 제2 라인(L2)을 통해 연결된다. 제2 라인(L2)은 제1 라인(L1)의 분기점(P)에서 분기된다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 각각 복수 회로 감긴 코일로 제공될 수 있다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 RF 전원(420)에 전기적으로 연결되어 RF 전력을 인가받는다. 전력 분배기(430)는 RF 전원(420)으로부터 공급되는 전력을 각각의 안테나로 분배한다.The plasma generating unit 400 may include a high frequency power source 420, a first antenna 411, a second antenna 413, and a power divider 430. The high frequency power source 420 supplies a high frequency signal. As an example, the high frequency power source 420 may be an RF power source 420. The RF power source 420 supplies RF power. Hereinafter, a case where the high frequency power source 420 is provided as the RF power source 420 will be described. The first antenna 411 is connected to the high frequency power source 420 through the first line L1. The second antenna 413 is connected to the high frequency power source 420 through the second line L2. The second line (L2) branches at the branch point (P) of the first line (L1). The first antenna 411 and the second antenna 413 may be provided as a plurality of circuit winding coils, respectively. The first antenna 411 and the second antenna 413 are electrically connected to the RF power source 420 and receive RF power. The power distributor 430 distributes the power supplied from the RF power source 420 to each antenna.

제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 공정 챔버(100)의 상부에 설치될 수 있다. 제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 이 때, 제1 안테나(411)의 반경은 제2 안테나(413)의 반경보다 작게 제공될 수 있다. 이 때, 제1 안테나(411)는 공정 챔버(100)의 상부 안쪽에 위치하고, 제 2 안테나(413)은 공정 챔버(100)의 상부 바깥쪽에 위치할 수 있다.The first antenna 411 and the second antenna 413 may be disposed at positions opposite to the substrate W. [ For example, the first antenna 411 and the second antenna 413 may be installed on top of the process chamber 100. The first antenna 411 and the second antenna 413 may be provided in a ring shape. At this time, the radius of the first antenna 411 may be smaller than the radius of the second antenna 413. In this case, the first antenna 411 may be located in the upper portion of the process chamber 100, and the second antenna 413 may be located outside the upper portion of the process chamber 100.

실시 예에 따라, 상기 제1 및 제2 안테나(411, 413)은 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 실시 예에 따라, 상기 제1 및 제2 안테나(411, 413) 중 어느 하나는 공정 챔버(100)의 상부에 배치되고, 다른 하나는 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 복수의 안테나가 공정 챔버(100) 내에서 플라즈마를 생성하는 한, 코일의 위치는 제한되지 않는다.According to an embodiment, the first and second antennas 411 and 413 may be disposed on the side of the process chamber 100. Either one of the first and second antennas 411 and 413 may be disposed on top of the process chamber 100 and the other may be disposed on the side of the process chamber 100. [ The position of the coils is not limited as long as a plurality of antennas generate plasma in the process chamber 100.

제1 안테나(411) 및 제2 안테나(413)는 RF 전원(420)으로부터 RF 전력을 인가받아 챔버에 시변 전자장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 공정 챔버(100)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.The first antenna 411 and the second antenna 413 may receive RF power from the RF power source 420 to induce a time varying electromagnetic field in the chamber so that the process gas supplied to the process chamber 100 is converted into plasma It can be here.

배플 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200) 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 관통홀이 형성된 배플을 포함한다. 배플은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the substrate support unit 200. The baffle unit 500 includes a baffle in which a through hole is formed. The baffle is provided in an annular ring shape. The process gas provided in the housing 110 is exhausted to the exhaust hole 102 through the through holes of the baffle. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the baffle and the shape of the through holes.

도 2는 도 1의 윈도우 부재를 보여주는 도면이다.Fig. 2 is a view showing the window member of Fig. 1. Fig.

도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따라 윈도우 부재(120)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 윈도우 부재(120)에는 가스 공급 노즐이 삽입되기 위한 통공이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the window member 120 may be provided in a disc shape according to an embodiment. As shown in FIG. 2, the window member 120 may be formed with a through hole for inserting the gas supply nozzle.

일 실시 예에 따라, 윈도우 부재(120)는 절연 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 재질은 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the window member 120 may be provided with an insulating material. For example, the insulating material may include alumina (Al 2 O 3 ).

플라즈마 공정 수행시 파티클 발생을 억제하기 위해, 윈도우 부재(120) 상에 코팅막이 형성될 수 있다.A coating film may be formed on the window member 120 to suppress the generation of particles during the plasma process.

도 3은 종래 기술에 따라 코팅된 윈도우 부재의 단면도(도 2의 A 부분)이다. 윈도우 부재(120)는 스프레이 방식에 의해 코팅될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 스프레이 방식으로는 통공 내벽 부분이 제대로 코팅되지 않는다. 스프레이 코팅 방식은 스프레이 분사 방향과 모재의 표면의 각도에 따라 코팅 물질의 입자충격속도(particle impact velocity, v=v'cosθ)가 달라지기 때문에, 스프레이 분사 방향과 모재의 표면이 수직일 경우 코팅 접착력이 가장 높아진다. 따라서, 좁은 통공의 내벽의 경우 스프레이 코팅 방식을 사용하여 코팅을 하면 코팅 접착력이 떨어질 수밖에 없다.3 is a cross-sectional view (part A of Fig. 2) of a coated window member according to the prior art. The window member 120 may be coated by a spray method. As shown in FIG. 3, in the spraying method, the inner wall portion of the through hole is not coated properly. In the spray coating method, the particle impact velocity (v = v 'cos θ) of the coating material varies depending on the direction of the spraying direction and the angle of the surface of the base material. Therefore, when the spraying direction is perpendicular to the surface of the base material, Is the highest. Therefore, in the case of the inner wall of the narrow through-hole, the coating adhesion by using the spray coating method is inevitably deteriorated.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a method of manufacturing a window member according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 윈도우 부재 제조를 위해 먼저 통공이 형성된 모재가 제공될 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 모재는 절연 재질인 제1 재질로 제공될 수 있으며, 예를 들면 알루미나(Al2O3)일 수 있다.Referring to FIG. 4, a preform may be provided for forming the window member. As described above, the base material may be provided as a first material, which is an insulating material, and may be, for example, alumina (Al 2 O 3 ).

도 4를 계속 참조하면, 모재의 상면은 스프레이 코팅될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 모재의 상면은 제1 재질과 상이한 제2 재질로 코팅될 수 있다. 이어서, 본 발명의 일 실시 예에 따라 스프레이 코팅의 코팅 취약 부위인 통공 내벽에 제3 재질로 제2 코팅막을 형성할 수 있다. 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식에 의해 형성될 수 있다.With continued reference to Figure 4, the top surface of the base material can be spray coated. According to one embodiment, the upper surface of the base material may be coated with a second material different from the first material. According to an embodiment of the present invention, a second coating layer may be formed of a third material on the inner wall of the through hole, which is a coating weak portion of the spray coating. The second coating layer may be formed by one or more methods selected from Chemical Vapor Deposition, Atomic Layer Deposition, and Physical Vapor Deposition.

일 실시 예에 따라, 제2 재질과 제3 재질은 동일할 수 있다. 예를 들어, 제2 재질 및 제3 재질은 이트리아(Y2O3)일 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않으며, 제2 재질과 제3 재질은 서로 상이할 수 있다.According to one embodiment, the second material and the third material may be the same. For example, the second material and the third material may be yttria (Y 2 O 3 ). However, the present invention is not limited thereto, and the second material and the third material may be different from each other.

스프레이 코팅 방식의 경우 상대적으로 두꺼운 코팅막의 형성이 용이하므로, 스프레이 방식에 의해 모재의 상면을 코팅한 뒤, 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식으로 통공 내벽을 코팅하여 개선된 코팅막을 갖는 윈도우 부재를 제조할 수 있다.In the case of the spray coating method, since it is easy to form a relatively thick coating film, the top surface of the base material is coated by a spray method, and then the surface of the base material is coated by a chemical vapor deposition method, an atomic layer deposition method, Physical Vapor Deposition) to form a window member having an improved coating film.

예를 들어, 스프레이 코팅 방식은 에어로졸 스프레이 방식을 포함할 수 있다. 에어로졸 스프레이 방식은 고속 유체를 이용하여 고체, 액체 원료를 스프레이 하는 방식을 나타낸다. 또 다른 예로, 스프레이 코팅 방식은 Arc, APS, SPS 등 열 플라즈마(Thermal plasma)를 이용하는 플라즈마 스프레이 방식을 포함할 수 있다.For example, the spray coating method may include an aerosol spray method. The aerosol spray method represents a method of spraying a solid or liquid material using a high-speed fluid. As another example, the spray coating method may include a plasma spray method using thermal plasma such as Arc, APS, SPS, and the like.

상기 화학적 기상 증착법은 예를 들면 PE-CVD(Plasma Enhanced-CVD), 및 Thermal-CVD 중 선택되는 하나 이상의 방식을 포함할 수 있다. 또한, 상기 물리적 기상 증착법은 스퍼터링 방식, 증발기를 이용한 방식, 전자/이온 빔을 이용한 방식 등을 포함할 수 있다.The chemical vapor deposition method may include one or more of, for example, PE-CVD (Plasma Enhanced-CVD) and Thermal-CVD. The physical vapor deposition method may include a sputtering method, an evaporator method, and an electron / ion beam method.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따라 제1 코팅막을 형성한 뒤 제2 코팅막을 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 제2 코팅막을 먼저 형성한 뒤 제1 코팅막을 형성할 수도 있다.As shown in FIG. 4, the second coating layer may be formed after the first coating layer is formed according to an embodiment of the present invention. However, the second coating layer may be formed first and then the first coating layer may be formed It is possible.

도 5는 도 4에 도시된 실시 예에 따라 코팅된 윈도우 부재의 단면도(도 4의 B부분)이다.Fig. 5 is a cross-sectional view (part B of Fig. 4) of a coated window member according to the embodiment shown in Fig.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재(120)는, 절연 재질인 제1 재질로 제공되는 모재(121), 상기 모재(121)의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 형성된 제1 코팅막(122), 및 상기 모재의 통공 내벽에 제3 재질로 형성된 제2 코팅막(123)을 포함할 수 있다.5, a window member 120 according to an embodiment of the present invention includes a base material 121 provided as a first material, which is an insulating material, a base material 121, which is different from the first material, A first coating layer 122 formed of a first material, a second coating layer 122 formed of a second material, and a second coating layer 123 formed of a third material on an inner wall of the through hole of the base material.

일 실시 예에 따라, 제1 코팅막(122)은 제2 코팅막(123)보다 두껍게 형성될 수 있다. 제1 코팅막은 스프레이 방식에 의해 형성되어 두껍게 형성될 수 있으나, 통공 내벽에는 두꺼운 코팅막을 형성하는 것이 어려우므로 제1 코팅막보다 얇은 제2 코팅막을 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이, 통공 내벽에 형성되는 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식에 의해 형성될 수 있다.According to one embodiment, the first coating layer 122 may be formed thicker than the second coating layer 123. The first coating layer may be formed by spraying and formed thick, but it is difficult to form a thick coating layer on the inner wall of the through-hole, so that a second coating layer thinner than the first coating layer can be formed. As described above, the second coating layer formed on the inner wall of the through hole may be formed by at least one of chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition, and physical vapor deposition .

도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a method of manufacturing a window member according to another embodiment of the present invention.

일 실시 예에 따라, 본 발명의 윈도우 부재 제조 방법은 제1 코팅막의 상면에 증착된 제2 코팅막을 폴리싱(polishing)하는 단계를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 폴리싱하는 단계는 제1 코팅막의 상면에 제2 코팅막이 일정 두께 잔류하도록 연마하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method of manufacturing a window member of the present invention may further comprise polishing a second coating film deposited on an upper surface of the first coating film. For example, the polishing step may include polishing the second coating layer on the upper surface of the first coating layer to a predetermined thickness.

폴리싱 단계를 통해, 모재 상면의 표면 조도를 개선시킬 수 있다. 표면 조도가 높을 경우, 표면의 요철로 인해 전기장이 쏠리는 현상이 발생하여 파티클 발생 확률이 높아진다. 이를 방지하기 위해, 제2 코팅막을 폴리싱할 수 있다.Through the polishing step, the surface roughness of the top surface of the base material can be improved. When the surface roughness is high, the phenomenon that the electric field is tilted due to the irregularities of the surface occurs, and the probability of occurrence of particles increases. To prevent this, the second coating film can be polished.

스프레이 방식으로 코팅된 제1 코팅막의 경우 코팅 입자가 커서 제2 코팅막보다 상대적으로 폴리싱 공정이 어려울 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따라 제2 코팅막을 형성함으로써 폴리싱을 용이하게 할 수 있다.In the case of the first coating film coated with the spray method, the coating particles are large and the polishing process may be more difficult than the second coating film. Therefore, the polishing can be facilitated by forming the second coating film according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법(600)의 예시적인 흐름도이다.7 is an exemplary flow diagram of a method 600 of manufacturing a window member according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 윈도우 부재 제조 방법(600)은 가스 공급 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계(S610), 모재 상면에 스프레이 방식으로 제1 코팅막을 형성하는 단계(S620), 상기 제1 코팅막의 상면 및 통공 내벽에 CVD, ALD, 또는 PVD로 제2 코팅막을 형성하는 단계(S630), 및 상기 제2 코팅막(S640)을 폴리싱하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a method 600 of manufacturing a window member according to an embodiment of the present invention includes the steps of providing a preformed base material through which a gas supply nozzle is inserted (S610), applying a first coating film (S620) forming a second coating layer by CVD, ALD, or PVD on the upper surface of the first coating layer and the inner wall of the through hole (S630), and polishing the second coating layer (S640) .

상기 모재를 제공하는 단계(S610)에 있어서 상기 모재는 절연 재질인 알루미나(Al2O3)로 제공될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 상기 제1 코팅막 및 제2 코팅막은 동일한 재질로 제공될 수도 있으며, 서로 다른 재질로 제공될 수 도 있다. 일 예로, 제1 코팅막 및 제2 코팅막은 이트리아(Y2O3)로 제공될 수 있다.In the step (S610) of providing the base material wherein the base material, but can be provided in the insulating material is alumina (Al 2 O 3), but is not limited thereto. The first coating layer and the second coating layer may be formed of the same material or different materials. In one example, the first coating film and the second coating film may be provided with yttria (Y 2 O 3 ).

이상에서 본 실시예에서는, ICP 타입의 플라즈마 발생 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 상술한 윈도우 유닛이 제공된 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 용량성 결합 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 발생 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 상술한 윈도우 유닛이 적용될 수 있다.As described above, in the present embodiment, the above-described window unit is provided in the substrate processing apparatus including the ICP-type plasma generating unit. Alternatively, however, the window unit described above can be applied to a substrate processing apparatus including a plasma generating unit of a capacitively coupled plasma (CCP) type.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

10 : 기판 처리 장치.
120 : 윈도우 부재
121 : 모재
122 : 제1 코팅막
123 : 제2 코팅막
600 : 윈도우 부재 제조 방법10: substrate processing apparatus.
120: absence of window
121: base metal
122: first coating film
123: Second coating film
600: Method of manufacturing window member

Claims (21)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우를 제조하는 방법에 있어서,
절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계;
상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 제3 재질로 제2 코팅막을 제공하는 단계를 포함하며,
상기 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 및 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition) 중 선택된 하나 이상의 방식에 의해 형성되는 윈도우 제조 방법.
A method of manufacturing a window provided between a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space and to which RF power is applied, the processing space being divided from the outside,
Providing a base material provided with a through hole into which a nozzle for supplying a gas to the process space is formed, the base material being provided as a first material which is an insulating material;
Forming a first coating layer on a top surface of the base material with a second material different from the first material; And
Providing a second coating layer of a third material on an upper surface of the first coating layer and an inner wall of the through hole,
Wherein the second coating layer is formed by at least one method selected from chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and physical vapor deposition.
제1 항에 있어서,
상기 제1 코팅막은 스프레이 방식에 의해 형성되는 윈도우 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first coating layer is formed by a spray method.
제1 항에 있어서,
상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)인 윈도우 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first material is alumina (Al 2 O 3 ).
제1 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질인 윈도우 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the second material and the third material are the same material.
제4 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)인 윈도우 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the second material and the third material are yttria (Y 2 O 3 ).
제1 항에 있어서,
상기 제1 코팅막의 상면에 증착된 상기 제2 코팅막을 폴리싱(polishing)하는 단계를 더 포함하는 윈도우 제조 방법.
The method according to claim 1,
And polishing the second coating layer deposited on the upper surface of the first coating layer.
제6 항에 있어서,
상기 폴리싱하는 단계는,
상기 제1 코팅막의 상면에 상기 제2 코팅막이 일정 두께 잔류하도록 연마하는 단계를 포함하는 윈도우 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the polishing comprises:
And polishing the second coating layer so that the second coating layer remains on the upper surface of the first coating layer to a predetermined thickness.
내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우 부재로,
절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재;
상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 형성된 제1 코팅막; 및
상기 통공 내벽에 제3 재질로 형성된 제2 코팅막을 포함하는 윈도우 부재.
A window member provided between a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space to which high frequency power is applied and partitioning the processing space from the outside,
A base material provided with a first material which is an insulating material and has a through hole into which a nozzle for supplying gas to the processing space is inserted;
A first coating layer formed on a top surface of the base material, the first coating layer being formed of a second material different from the first material; And
And a second coating layer formed of a third material on the inner wall of the through hole.
제8 항에 있어서,
상기 제1 코팅막은 상기 제2 코팅막보다 두껍게 형성되는 윈도우 부재.
9. The method of claim 8,
Wherein the first coating layer is thicker than the second coating layer.
제8 항에 있어서,
상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)인 윈도우 부재.
9. The method of claim 8,
Wherein the first material is alumina (Al 2 O 3 ).
제8 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질인 윈도우 부재.
9. The method of claim 8,
Wherein the second material and the third material are the same material.
제11 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)인 윈도우 부재.
12. The method of claim 11,
The second material and the third material is yttria (Y 2 O 3) of the window member.
내부에 기판 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지판을 포함하는 기판 지지 어셈블리;
상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 노즐을 포함하는 가스 공급 유닛;
상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나;
상기 챔버와 상기 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우 부재를 포함하며,
상기 윈도우 부재는:
절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재;
상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 형성된 제1 코팅막; 및
상기 통공 내벽에 제3 재질로 형성된 제2 코팅막을 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber having a substrate processing space therein;
A substrate support assembly located within the chamber and including a support plate for supporting the substrate;
A gas supply unit including a nozzle for supplying gas into the chamber;
An antenna disposed at an upper portion of the processing space to receive high-frequency power;
And a window member provided between the chamber and the antenna and partitioning the processing space from the outside,
Said window member comprising:
A base material provided with a first material which is an insulating material and has a through hole into which the nozzle is inserted;
A first coating layer formed on a top surface of the base material, the first coating layer being formed of a second material different from the first material; And
And a second coating film formed of a third material on the inner wall of the through hole.
제13 항에 있어서,
상기 제1 코팅막은 상기 제2 코팅막보다 두껍게 형성되는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the first coating layer is thicker than the second coating layer.
제13 항에 있어서,
상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)인 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the first material is alumina (Al 2 O 3 ).
제13 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 동일한 재질인 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the second material and the third material are the same material.
제16 항에 있어서,
상기 제2 재질 및 상기 제3 재질은 이트리아(Y2O3)인 기판 처리 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the second material and the third material are yttria (Y 2 O 3 ).
내부에 처리 공간을 가지는 챔버와 상기 처리 공간의 상부에 위치되어 고주파 전력이 인가되는 안테나의 사이에 제공되며 상기 처리 공간을 외부로부터 구획하는 윈도우를 제조하는 방법에 있어서,
절연 재질인 제1 재질로 제공되며, 상기 처리 공간으로 가스를 공급하는 노즐이 삽입되는 통공이 형성된 모재를 제공하는 단계;
상기 모재의 상면에 상기 제1 재질과 상이한 제2 재질로 제1 코팅막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 코팅막의 상면 및 상기 통공 내벽에 상기 제2 재질로 제2 코팅막을 제공하는 단계를 포함하며,
상기 제1 코팅막은 스프레이 방식으로 제공되고, 상기 제2 코팅막은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)에 의해 형성되는 윈도우 제조 방법.
A method of manufacturing a window provided between a chamber having a processing space therein and an antenna disposed at an upper portion of the processing space and to which RF power is applied, the processing space being divided from the outside,
Providing a base material provided with a through hole into which a nozzle for supplying a gas to the process space is formed, the base material being provided as a first material which is an insulating material;
Forming a first coating layer on a top surface of the base material with a second material different from the first material; And
Providing a second coating layer on the upper surface of the first coating layer and the inner wall of the through hole with the second material,
The first coating layer may be provided by a spray method, and the second coating layer may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, an atomic layer deposition method, or a physical vapor deposition .
제18 항에 있어서,
상기 제1 재질은 알루미나(Al2O3)이고, 상기 제2 재질은 이트리아(Y2O3)인 윈도우 제조 방법.
19. The method of claim 18,
Wherein the first material is alumina (Al 2 O 3 ) and the second material is ytria (Y 2 O 3 ).
제18 항에 있어서,
상기 제1 코팅막의 상면에 증착된 상기 제2 코팅막을 폴리싱(polishing)하는 단계를 더 포함하는 윈도우 제조 방법.
19. The method of claim 18,
And polishing the second coating layer deposited on the upper surface of the first coating layer.
제20 항에 있어서,
상기 폴리싱하는 단계는,
상기 제1 코팅막의 상면에 상기 제2 코팅막이 일정 두께 잔류하도록 연마하는 단계를 포함하는 윈도우 제조 방법.
21. The method of claim 20,
Wherein the polishing comprises:
And polishing the second coating layer so that the second coating layer remains on the upper surface of the first coating layer to a predetermined thickness.
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