KR101877747B1 - Semiconductor light emitting device and structure using the same - Google Patents

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KR101877747B1 KR1020170022954A KR20170022954A KR101877747B1 KR 101877747 B1 KR101877747 B1 KR 101877747B1 KR 1020170022954 A KR1020170022954 A KR 1020170022954A KR 20170022954 A KR20170022954 A KR 20170022954A KR 101877747 B1 KR101877747 B1 KR 101877747B1
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Abstract

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device capable of improving the reflectance by enhancing light extraction efficiency. The semiconductor light emitting device includes: a plurality of semiconductor layers including a first semiconductor layer with first conductivity, a second semiconductor layer with second conductivity different from the first conductivity, and an active layer which is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generates light through recoupling of an electron and a hole; a non-conductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening; a first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening; a second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening; and a block interposed between the first and second electrodes. A path is formed between the first electrode and the second electrode, a plurality of blocks are provided at both ends of the path, and a gap is formed between the blocks.

Description

반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND STRUCTURE USING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device structure using the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물에 관한 것으로, 특히 반사율을 향상하기 위한 구조를 가지는 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device structure using the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a structure for improving reflectance and a semiconductor light emitting device structure using the same.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자는 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, an electron and a hole (not shown) on the growth substrate 10 (e.g., sapphire substrate) An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of the first semiconductor layer 50 and the second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) A light transmissive conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and an electrode 70 serving as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 30, (For example, a Cr / Ni / Au laminated metal pad 80). The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자는 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층 일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. The semiconductor light emitting device includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, A second semiconductor layer 50 having another second conductivity is sequentially deposited and an electrode film 90, 91, or 92 having three layers for reflecting light toward the growth substrate 10 is formed on the second semiconductor layer 50 . The first electrode layer 90 may be an Ag reflective layer, the second electrode layer 91 may be an Ni diffusion prevention layer, and the third electrode layer 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device structure.

반도체 발광소자 구조물(100)은 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light Emitting Chip)가 구비되어 있고, 몰드(130)로 둘러싸인 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자(150)는 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자(150)를 사용한 반도체 발광소자 구조물을 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자를 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자 구조물을 제조할 수도 있다. The semiconductor light emitting device structure 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140, The cavity 140 is filled with the encapsulant 170 containing the wavelength conversion material 160. The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device 150 may excite the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color so that two different lights are mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device 150 may generate blue light, excite the wavelength converting material 160 to emit yellow light, and mix blue light and yellow light to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device structure using the vertical semiconductor light emitting device 150, but it is also possible to use the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 1 and 2 to fabricate a semiconductor light emitting device structure as shown in FIG. have.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층 위에 형성되고, 개구를 포함하는 비도전성 반사막; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 그리고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되는 블록;을 포함하며, 제1 전극과 제2 전극 사이에는 통로가 형성되며, 통로의 양단에 복수의 블록이 구비되며, 블록과 블록 사이에 간격이 형성되는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and including an active layer that generates light through recombination of electrons and holes; A nonconductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening; A first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening; A second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening; And a block provided between the first electrode and the second electrode, wherein a path is formed between the first electrode and the second electrode, a plurality of blocks are provided at both ends of the path, Emitting layer is formed.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 보여주는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7 내지 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 만드는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 비도전성 반사막의 일 예를 설명한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 비도전성 반사막 및 캐비티에서 빛의 반사를 설명하는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device structure,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure,
FIGS. 7 to 10 are views showing an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
11 is a view for explaining an example of a non-conductive reflective film according to the present disclosure,
12 is a view illustrating reflection of light in a non-conductive reflective film and a cavity according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(200)에 있어서, 반도체 발광소자(200)는 복수의 반도체층(210), 비도전성 반사막(220), 제1 전극(230), 제2 전극(240) 및 블록(250)을 포함한다. 복수의 반도체층(210)은 제1 반도체층(211), 제2 반도체층(212) 및 활성층(213)을 포함하며, 제1 반도체층(211)은 제1 도전성을 가지며, 제2 반도체층(212)은 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지며, 활성층(213)은 제1 반도체층(211)과 제2 반도체층(212) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성한다. 비도전성 반사막(220)은 복수의 반도체층(210) 위에 형성되고, 개구를 포함한다. 제1 전극(230)은 비도전성 반사막(220) 위에 형성되고, 비도전성 반사막(220)의 개구를 통해 제1 반도체층(211)과 전기적으로 연결된다. 제2 전극(240)은 비도전성 반사막(220) 위에 형성되고, 비도전성 반사막(220)의 개구를 통해 제2 반도체층(212)과 전기적으로 연결된다. 블록(250)은 제1 전극(230)과 제2 전극(240) 사이에 구비되며, 제1 전극(230)과 제2 전극(240) 사이에는 통로(270)가 형성되고, 통로(270)의 양단에 복수의 블록(250)이 구비되며, 블록(250)과 블록(250) 사이에 간격이 형성된다.In the semiconductor light emitting device 200, the semiconductor light emitting device 200 includes a plurality of semiconductor layers 210, a non-conductive reflective film 220, a first electrode 230, a second electrode 240, and a block 250 . The plurality of semiconductor layers 210 includes a first semiconductor layer 211, a second semiconductor layer 212 and an active layer 213. The first semiconductor layer 211 has a first conductivity, The active layer 213 is interposed between the first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 212 and generates light through recombination of electrons and holes . A non-conductive reflective film 220 is formed on the plurality of semiconductor layers 210 and includes openings. The first electrode 230 is formed on the non-conductive reflective film 220 and is electrically connected to the first semiconductor layer 211 through the opening of the non-conductive reflective film 220. The second electrode 240 is formed on the non-conductive reflective film 220 and is electrically connected to the second semiconductor layer 212 through the opening of the non-conductive reflective film 220. A block 270 is provided between the first electrode 230 and the second electrode 240 and between the first electrode 230 and the second electrode 240. The passage 270 is formed between the first electrode 230 and the second electrode 240, A plurality of blocks 250 are provided at both ends of the block 250 and a gap is formed between the blocks 250 and 250.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면이다.5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure.

반도체 발광소자 구조물(300)에 있어서, 반도체 발광소자 구조물(300)은 도 3의 반도체 발광소자(200)에 기판(310) 및 봉지재(320)를 더 포함하고, 몰드(330)를 더 포함할 수 있다. 기판(310)은 제1 전극(230)과 제2 전극(240)과 전기적으로 연결하고, 봉지재(320)는 반도체 발광소자(200)를 코팅하여 외부로부터 보호할 수 있고, 복수의 반도체층(210), 비도전성 반사막(220), 제1 전극(230), 제2 전극(240) 및 블록(250)을 둘러쌀 수 있다. 제1 전극(230)과 제2 전극(240) 사이에는 통로(270)가 형성되며, 통로(270)의 양단(271)에 복수의 블록(250)이 구비되며, 복수의 블록(250)이 통로(270)의 양단에서 봉지재(320)가 통로(270) 안쪽으로 들어가지 못하게 막음으로써, 블록(250)과 블록(250) 사이에 빈 공간인 캐비티(260)가 형성된다. 캐비티(260)가 형성된 비도전성 반사막(220) 부분은 반사율이 높아지게 된다. 이는 도 10과 도 11에서 설명하도록 한다.In the semiconductor light emitting device structure 300, the semiconductor light emitting device structure 300 further includes a substrate 310 and an encapsulating material 320 in the semiconductor light emitting device 200 of FIG. 3, and further includes a mold 330 can do. The substrate 310 is electrically connected to the first electrode 230 and the second electrode 240 and the encapsulant 320 can protect the semiconductor light emitting device 200 from the outside, The non-conductive reflective film 220, the first electrode 230, the second electrode 240, and the block 250, as shown in FIG. A path 270 is formed between the first electrode 230 and the second electrode 240. A plurality of blocks 250 are provided at both ends 271 of the path 270, A cavity 260 is formed between the block 250 and the block 250 by blocking the sealing material 320 from entering the passageway 270 at both ends of the passageway 270. The portion of the non-conductive reflective film 220 where the cavity 260 is formed has a high reflectivity. This is described in FIGS. 10 and 11. FIG.

블록(250)은 높이(h)를 가지고, 제1 전극(230)은 제1 높이(h1)과 제2 전극(240)은 제2 높이(h2)를 가지며, 블록(250)의 높이(h)는 제1 전극(230)의 제1 높이(h1)과 제2 전극(240)의 제2 높이(h2)와 같거나 낮다. The block 250 has a height h such that the first electrode 230 has a first height h1 and the second electrode 240 has a second height h2 and the height h Is equal to or lower than the first height h1 of the first electrode 230 and the second height h2 of the second electrode 240. [

도 6는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예와 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure and another example of the semiconductor light emitting device structure using the same.

도 6(a)는 반도체 발광소자를 나타내고 도 6(b)는 도 6(a)의 반도체 발광소자의 A-A' 단면을 나타낸다. 도 6(c)와 도 6(d)는 도 6(a)와 도 6(b)의 반도체 발광소자를 이용한 반도체 발광소자 구조물을 나타낸다.6 (a) shows a semiconductor light emitting element, and Fig. 6 (b) shows a cross section taken along line A-A 'of Fig. 6 (a). 6 (c) and 6 (d) show a semiconductor light emitting device structure using the semiconductor light emitting device of FIGS. 6 (a) and 6 (b).

블록(250)과 제1 전극(230)과 제2 전극(240)은 접촉될 수 있다. 블록(250)은 절연재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 절연재료는 SIO2 , TIO2 , Nb2O5 , Ta2O5 , HfO2 등 옥사이드(OXIDE) 계열 일 수 있다. 제1 전극(230)과 제2 전극(240)에 솔더물질이 형성될 때, 블록(250)에는 솔더물질이 잘 부착되지 않기 때문에 제1 전극(230)과 제2 전극(240)과 블록(250)이 접촉되어도 상관 없다. 또한, 제1 전극(230)과 제2 전극(240) 사이의 통로(270)를 완벽하게 막기 위해서는 블록(250)이 제1 전극(230)과 제2 전극(240)과 접촉되도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 캐비티(260)가 형성되기 때문에, 캐비티(260)에 의해 복수의 반도체층 측으로 빛이 많이 반사된다.The block 250 and the first and second electrodes 230 and 240 may be in contact with each other. The block 250 may be formed of an insulating material. For example, the insulating material may be an oxide (OXIDE) series such as SIO2, TIO2, Nb2O5, Ta2O5, and HfO2. When solder material is formed on the first electrode 230 and the second electrode 240, since the solder material is not adhered to the block 250, the first electrode 230, the second electrode 240, 250 may be in contact with each other. In order to completely block the passage 270 between the first electrode 230 and the second electrode 240, the block 250 may be formed to be in contact with the first electrode 230 and the second electrode 240 have. Because of this, since the cavity 260 is formed, a large amount of light is reflected toward the plurality of semiconductor layers by the cavity 260.

도 7 내지 도 10는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 만드는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.7 to 10 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 7과 같이 제1 전극(230)과 제2 전극(240)이 구비된 반도체 발광소자(200)를 준비한다. 도 8과 같이 반도체 발광소자(200)의 제1 전극(230)의 제1 높이(h1)와 제2 전극(240)의 제2 높이(h2)와 같도록 절연재료(410)의 높이(h)를 형성한다. 도 9와 같이 블록(250)이 형성되어야 하는 절연재료(410) 위에 마스크(420)를 올린다. 도 10과 같이 마스크(420)와 마스크(420) 주위의 절연재료(410)는 제거된다. 그 결과, 마스크(420) 아래의 절연재료(410)만 남아 블록(250)이 형성된다.The semiconductor light emitting device 200 having the first electrode 230 and the second electrode 240 is prepared as shown in FIG. The height h of the first electrode 230 of the semiconductor light emitting device 200 and the second height h2 of the second electrode 240 may be equal to the height h of the insulating material 410 ). 9, the mask 420 is placed on the insulating material 410 on which the block 250 is to be formed. The mask 420 and the insulating material 410 around the mask 420 are removed as shown in FIG. As a result, only the insulating material 410 under the mask 420 is formed, and the remaining block 250 is formed.

도 11은 본 개시에 따른 비도전성 반사막의 일 예를 설명한 도면이다.11 is a view for explaining an example of a non-conductive reflective film according to the present disclosure.

비도전성 반사막(220)은 단일의 유전체층으로 이루어질 수도 있고, 다층구조를 가질 수도 있다. 본 예에서 비도전성 반사막(220)은 금속 반사막에 의한 빛흡수 감소를 위해 비도전성 물질로 형성되며, 다층 구조의 일 예로, 비도전성 반사막(220)은 유전체막(220b), 분포 브래그 리플렉터(220a; Distributed Bragg Reflector) 및 클래드막(220c)을 포함한다. The non-conductive reflective film 220 may be composed of a single dielectric layer or may have a multilayer structure. In this example, the non-conductive reflective film 220 is formed of a non-conductive material in order to reduce light absorption by the metal reflective film, and the non-conductive reflective film 220 includes a dielectric film 220b, a distributed Bragg reflector 220a (Distributed Bragg Reflector) and a clad film 220c.

유전체막(220b)의 재질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 바람직하다. 유전체막(220b)의 두께는 그 뒤에 후속하는 분포 브래그 리플렉터(220a)의 두께보다 두꺼울 수도 있다. 또한, 유전체막(220b)은 소자 신뢰성 확보에 보다 적합한 방법으로 형성할 필요가 있다. 예를 들어, SiO2로 된 유전체막(220b)은 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 그 중에서도 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD; Plasma Enhanced CVD)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 높이차를 완화하는데(step coverage), 화학 기상 증착법이 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 등과 같은 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition)에 비해 유리하기 때문이다. 구체적으로, 전자선 증착법(E-Beam Evaporation)으로 유전체막(220b)를 형성하면, 상기 높이차가 있는 영역에서 유전체막(220b)이 설계된 두께로 형성되기 어렵고, 이로 인해 빛의 반사율이 저하될 수 있고, 전기적 절연에도 문제가 생길 수 있다. 따라서, 유전체막(220b)은 높이차 감소와 확실한 절연을 위해 화학 기상 증착법으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 반도체 발광소자(200)의 신뢰성을 확보하면서도 반사막으로서의 기능을 확보할 수 있게 된다. The material of the dielectric film 220b is suitably SiO2, and its thickness is preferably 0.2 mu m to 1.0 mu m. The thickness of the dielectric film 220b may then be thicker than the thickness of the subsequent distributed Bragg reflector 220a. Further, the dielectric film 220b needs to be formed by a method that is more suitable for securing the reliability of the device. For example, the dielectric film 220b made of SiO 2 is preferably formed by chemical vapor deposition (CVD), in particular, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). This is because chemical vapor deposition is more advantageous than physical vapor deposition (PVD) such as electron beam evaporation (E-Beam Evaporation) in step coverage. Specifically, when the dielectric film 220b is formed by E-Beam Evaporation, the dielectric film 220b is difficult to be formed in the designed thickness in the height difference region, and the reflectance of light may be lowered , There may be a problem in electrical insulation. Therefore, it is preferable that the dielectric film 220b is formed by a chemical vapor deposition method for reducing the height difference and ensuring insulation. Therefore, it is possible to ensure the reliability of the semiconductor light emitting device 200 while securing the function as a reflective film.

분포 브래그 리플렉터(220a)는 유전체막(220b) 위에 형성된다. 분포 브래그 리플렉터(220a)는, 예를 들어, SiO2와 TiO2의 쌍이 복수 회 적층되어 이루어진다. 이 외에도 분포 브래그 리플렉터(220a)는 Ta2O5, HfO, ZrO, SiN 등 고 굴절률 물질과 이보다 굴절률이 낮은 유전체 박막(대표적으로 SiO2)등의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 분포 브래그 리플렉터(220a)는 SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO의 반복 적층으로 이루어질 수 있으며, Blue 빛에 대해서는 SiO2/TiO2가 반사효율이 좋고, UV 빛에 대해서는 SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO가 반사효율이 좋을 것이다. 분포 브래그 리플렉터(220a)가 SiO2/TiO2로 구성되는 경우 활성층(213;도 4 참고)으로부터 나오는 빛의 파장의 1/4의 광학 두께를 기본으로 입사 각도와 파장에 따른 반사율등을 고려해서 최적화 공정을 거치는 것이 바람직하며, 반드시 각 층의 두께가 파장의 1/4 광학 두께를 지켜야 하는 것은 아니다. 그 조합의 수는 4 ~ 40 페어(pairs)가 적합하다. 분포 브래그 리플렉터(220a)가 SiO2/TiO2의 반복적층구조로 이루어지는 경우, 분포 브래그 리플렉터(220a)는 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는, 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. The distributed Bragg reflector 220a is formed on the dielectric film 220b. The distribution Bragg reflector 220a is formed, for example, by laminating pairs of SiO2 and TiO2 a plurality of times. In addition, the distributed Bragg reflector 220a may be formed of a combination of a high refractive index material such as Ta2O5, HfO, ZrO, SiN, etc. and a dielectric thin film (typically SiO2) having a lower refractive index. For example, the distribution Bragg reflector 220a may be made of a repetitive lamination of SiO2 / TiO2, SiO2 / Ta2O2, or SiO2 / HfO, where SiO2 / TiO2 has good reflection efficiency for blue light and SiO2 / Ta2O2, or SiO2 / HfO will have a good reflection efficiency. When the distribution Bragg reflector 220a is made of SiO2 / TiO2, the optimization process is performed based on the optical thickness of 1/4 of the wavelength of light emitted from the active layer 213 (see FIG. 4) , And it is not necessary that the thickness of each layer necessarily keep the optical thickness of 1/4 of the wavelength. The number of combinations is 4 to 40 pairs. When the distributed Bragg reflector 220a has a repetitive layer structure of SiO2 / TiO2, the distributed Bragg reflector 220a may be formed by physical vapor deposition (PVD), in particular, E-Beam Evaporation or sputtering Sputtering) or thermal evaporation (thermal evaporation).

클래드막(220c)은 Al2O3와 같은 금속 산화물, SiO2, SiON와 같은 유전체막(220b), MgF, CaF, 등의 물질로 이루어질 수 있다. 클래드막(220c)은 λ/4n 내지 3.0um의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 여기서 λ는 활성층(213)에서 생성된 빛의 파장이고, n은 클래드막(220c)을 이루는 물질의 굴절률이다. λ가 450nm(4500A)인 경우에, 4500/4*1.46 = 771A 이상의 두께로 형성될 수 있다.The clad film 220c may be formed of a metal oxide such as Al2O3, a dielectric film 220b such as SiO2, SiON, MgF, CaF, or the like. The clad film 220c preferably has a thickness of lambda / 4n to 3.0 um. Where lambda is the wavelength of light generated in the active layer 213 and n is the refractive index of the material forming the clad layer 220c. and 4500/4 * 1.46 = 771A or more when? is 450 nm (4500 A).

다수 쌍의 SiO2/TiO2로 이루어지는 분포 브래그 리플렉터(220a)의 최상층이 TiO2가 될 수도 있지만, 만약 λ/4n 정도 두께를 가지는 SiO2층으로 이루어질 수 있다는 것을 고려한다면, 클래드막(220c)은 아래에 위치하게 되는 분포 브래그 리플렉터(220a)의 최상층과 차별되도록 λ/4n보다 두꺼운 것이 바람직하다. 그러나 후속하는 개구 형성공정에 부담이 될 뿐만 아니라 두께 증가가 효율 향상에 기여하지 못하고 재료비만 증가시킬 수 있기 때문에 클래드막(220c)은 3.0um 이상으로 너무 두꺼운 것은 바람직하지 않다. 따라서 후속 공정에 부담을 주지 않기 위해, 클래드막(220c) 두께의 최대치는 1um ~ 3um 이내로 형성되는 것이 적당할 것이다. 그러나 경우에 따라 3.0um 이상으로 형성되는 것이 불가능한 것은 아니다.Considering that the uppermost layer of the distributed bragg reflector 220a made of a large number of pairs of SiO2 / TiO2 may be TiO2, if considering that the SiO2 layer may have a thickness of about lambda / 4n, 4n so as to be differentiated from the uppermost layer of the distributed Bragg reflector 220a. However, it is not only burdensome to the subsequent opening forming process, but also increases the material cost because the thickness increase does not contribute to the improvement of the efficiency. Therefore, it is not preferable that the clad film 220c is thicker than 3.0 .mu.m. Therefore, in order not to burden the subsequent process, it is appropriate that the maximum thickness of the clad film 220c is formed within 1 to 3 μm. However, in some cases it is not impossible to form more than 3.0 μm.

빛의 반사 및 가이드를 위해 제1 분포 브래그 리플렉터(220a)의 유효 굴절률이 유전체막(220b)의 굴절률보다 큰 것이 바람직하다. 분포 브래그 리플렉터(220a)와 제1 전극(230)과 제2전극(240)이 직접 접촉하는 경우에는 분포 브래그 리플렉터(220a)를 통해서 진행하는 빛의 일부가 제1 전극(230)과 제2전극(240)에 의해 흡수될 수 있다. 따라서, 분포 브래그 리플렉터(220a)보다 낮은 굴절률을 가지는 클래드막(220c)을 도입하면 제1 전극(230)과 제2전극(240)에 의한 빛흡수가 많이 감소될 수 있다. 이렇게 굴절률을 선택하면 유전체막(220b)-분포 브래그 리플렉터(220a)-클래드막(220c)이 광 웨이브가이드(optical waveguide)의 관점에서 설명될 수 있다. 광 웨이브가이드는 빛의 전파부를 그 보다 굴절률이 낮은 물질로 둘러싸서, 전반사를 이용하여, 빛을 안내하는 구조물이다. 이러한 관점에서, 분포 브래그 리플렉터(220a)를 전파부로 보면, 유전체막(220b)과 클래드막(220c)은 전파부를 둘러싸는 구성으로서 광 웨이브가이드의 일부로 볼 수 있다. It is preferable that the effective refractive index of the first distributed Bragg reflector 220a is larger than the refractive index of the dielectric film 220b for light reflection and guidance. When the distribution Bragg reflector 220a directly contacts the first electrode 230 and the second electrode 240, a part of the light traveling through the distribution Bragg reflector 220a contacts the first electrode 230 and the second electrode 240, (Not shown). Therefore, when the clad layer 220c having a refractive index lower than that of the distributed Bragg reflector 220a is introduced, light absorption by the first electrode 230 and the second electrode 240 can be greatly reduced. If the refractive index is selected in this way, the dielectric film 220b-distributed Bragg reflector 220a-clad film 220c can be described in terms of an optical waveguide. The optical waveguide is a structure for guiding light by surrounding the propagating portion of the light with a material having a lower refractive index than that of the light guiding portion. From this point of view, when the distributed Bragg reflector 220a is regarded as a propagation part, the dielectric film 220b and the clad film 220c can be seen as a part of the optical waveguide as a configuration surrounding the propagation part.

예를 들어, 분포 브래그 리플렉터(220a)는 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질(예; SiO2/TiO2)로 형성되는 경우, 유전체막(220b)은 굴절률이 분포 브래그 리플렉터(220a)의 유효 굴절률보다 작은 유전체(예: SiO2)로 이루어질 수 있다. 여기서, 유효 굴절률은 서로 다른 굴절률을 가진 물질들로 이루어진 도파로에서 진행할 수 있는 빛이 가지는 등가 굴절률을 의미한다. 클래드막(220c) 또한 분포 브래그 리플렉터(220a)의 유효 굴절률보다 낮은 물질(예: Al2O3, SiO2, SiON, MgF, CaF)로 이루어질 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(220a)가 SiO2/TiO2로 구성되는 경우에, SiO2의 굴절률이 1.46이고, TiO2의 굴절률이 2.4이므로, 분포 브래그 리플렉터의 유효굴절률은 1.46과 2.4 사이의 값을 가진다. 따라서, 유전체막(220b)이 SiO2로 이루어질 수 있으며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 적당하다. 클래드막(220c)도 분포 브래그 리플렉터(220a)의 유효굴절률보다 작은 1.46의 굴절률을 가지는 SiO2로 형성될 수 있다.For example, when the distributed Bragg reflector 220a is formed of a translucent material (e.g., SiO2 / TiO2) to prevent absorption of light, the dielectric film 220b may have a refractive index smaller than the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 220a Dielectric (e.g., SiO2). Here, the effective refractive index means an equivalent refractive index of light that can travel in a waveguide made of materials having different refractive indices. The clad film 220c may also be made of a material (e.g., Al2O3, SiO2, SiON, MgF, CaF) that is lower than the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 220a. When the distribution Bragg reflector 220a is made of SiO2 / TiO2, the refractive index of SiO2 is 1.46 and the refractive index of TiO2 is 2.4, so that the effective refractive index of the distributed Bragg reflector is between 1.46 and 2.4. Accordingly, the dielectric film 220b may be made of SiO2, and the thickness of the dielectric film 220b is suitably from 0.2 to 1.0 um. The clad film 220c may also be formed of SiO2 having a refractive index of 1.46 which is smaller than the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 220a.

광 웨이브가이드의 관점에서는 바람직하지 않지만, 본 개시의 전체 기술사상의 관점에서, 유전체막(220b)이 생략되는 경우를 생각해 볼 수 있으며, 분포 브래그 리플렉터(220a)와 클래드막(220c)으로 된 구성을 배제할 이유는 없다. 분포 브래그 리플렉터(220a) 대신에 유전체인 TiO2 재질의 유전체막(220b)을 포함하는 경우를 생각해 볼 수도 있을 것이다. 분포 브래그 리플렉터(220a)가 가장 위층에 SiO2 층을 구비하는 경우, 클래드막(220c)을 생략하는 경우 또한 생각해 볼 수 있을 것이다. 또한, 실질적으로 횡방향으로 진행하는 빛의 반사율을 고려해서 유전체막(220b)과 분포 브래그 리플렉터(220a)가 설계된다면, 분포 브래그 리플렉터(220a)가 가장 위층에 TiO2 층을 구비하는 경우에도 클래드막(220c)을 생략하는 경우 또한 생각해 볼 수 있을 것이다. The dielectric film 220b may be omitted from the viewpoint of the entire technical idea of the present disclosure and it may be considered that the configuration including the distributed Bragg reflector 220a and the clad film 220c There is no reason to exclude. It may be considered to include a dielectric film 220b made of TiO2, which is a dielectric, instead of the distributed Bragg reflector 220a. In the case where the distributed Bragg reflector 220a has the SiO2 layer as the uppermost layer, it is also conceivable to omit the clad film 220c. Also, if the dielectric film 220b and the distributed Bragg reflector 220a are designed in consideration of the reflectance of light traveling substantially in the transverse direction, even if the distributed Bragg reflector 220a has the TiO2 layer as the uppermost layer, (220c) is omitted.

이와 같이, 유전체막(220b), 분포 브래그 리플렉터(220a) 및 클래드막(220c)은 비도전성 반사막(220)으로서 광 웨이브가이드의 역할을 수행하며, 전체 두께가 1 ~ 8um인 것이 바람직하다.Thus, the dielectric film 220b, the distributed Bragg reflector 220a, and the clad film 220c serve as a waveguide guide as the non-conductive reflective film 220, and preferably have a total thickness of 1 to 8 um.

도 11에 예시된 바와 같이, 분포 브래그 리플렉터(220a)는 수직 방향에 가까운 빛(L3)일 수록 반사율이 높아서, 대략 99% 이상 반사한다. 그러나 비스듬히 입사하는 빛(L1,L2)은 분포 브래그 리플렉터(220a)를 통과하며, 클래드막(220c) 또는 비도전성 반사막(220)의 상면에 입사하며, 제1 전극(230)과 제2전극(240)에 의해 덮이지 않은 부분에서는 빛이 거의 반사되지만(L1), 제1 전극(230)과 제2전극(240)에 입사하는 빛(L2)은 일부가 흡수된다.As illustrated in Fig. 11, the distribution Bragg reflector 220a has a higher reflectance at the light L3 closer to the vertical direction, and thus reflects at least 99% more. However, the obliquely incident lights L1 and L2 pass through the distributed Bragg reflector 220a and are incident on the upper surface of the clad film 220c or the non-conductive reflective film 220, and the first electrode 230 and the second electrode (L1), the light L2 incident on the first electrode 230 and the second electrode 240 is partially absorbed.

도 12는 본 개시에 따른 비도전성 반사막 및 캐비티에서 빛의 반사를 설명하는 도면이다.12 is a view for explaining the reflection of light in the nonconductive reflective film and the cavity according to the present disclosure.

활성층(213;도 4 참고)에서 발광된 빛 중 일부는 비도전성 반사막(220) 쪽으로 발광된다. 발광된 빛은 비도전성 반사막(220)에서 반사되는데, 일부는 반사되지 않고 통과한다(L1). 왜냐하면, 봉지재(320) 측으로 발광된 빛은 봉지재(320)과 비도전성 반사막(220)의 굴절율이 비슷하여 비도전성 반사막(220)에서 봉지재(320)를 통해 빛이 빠져나가기 쉽기 때문이다. 봉지재(320) 측으로 빠져나가는 빛을 막기 위해 전극이 형성되지 않는 비도전성 반사막(220)의 상면의 적어도 일부에 캐비티(260;도 5참조)를 형성하여 봉지재(320)가 형성되지 않도록 하고, 빛을 복수의 반도체층(210) 측으로 반사시킨다.Some of the light emitted from the active layer 213 (see FIG. 4) is emitted toward the non-conductive reflective film 220. The emitted light is reflected by the non-conductive reflective film 220, and partly passes through without reflection (L1). This is because the light emitted toward the encapsulant 320 is likely to escape through the encapsulant 320 in the non-conductive reflective film 220 because the encapsulant 320 and the non-conductive reflective film 220 have a similar refractive index . A cavity 260 (see FIG. 5) is formed on at least a part of the upper surface of the non-conductive reflective film 220 where no electrode is formed in order to prevent light escaping toward the encapsulant 320, so that the encapsulant 320 is not formed , And reflects the light toward the plurality of semiconductor layers 210 side.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층 위에 형성되고, 개구를 포함하는 비도전성 반사막; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 그리고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되는 블록;을 포함하며, 제1 전극과 제2 전극 사이에는 통로가 형성되며, 통로의 양단에 복수의 블록이 구비되며, 블록과 블록 사이에 간격이 형성되는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light through recombination of the semiconductor layers; A nonconductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening; A first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening; A second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening; And a block provided between the first electrode and the second electrode, wherein a path is formed between the first electrode and the second electrode, a plurality of blocks are provided at both ends of the path, Is formed.

(2) 블록은 제1 높이를 포함하고, 제1 전극과 제2 전극은 제2 높이를 포함하며, 블록의 제1 높이는 제1 전극과 제2 전극의 제2 높이와 같거나 낮은 반도체 발광소자.(2) the block includes a first height, the first electrode and the second electrode comprise a second height, and the first height of the block is equal to or less than a second height of the first and second electrodes, .

(3) 블록은 절연재료로 형성되는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to (3), wherein the block is formed of an insulating material.

(4) 블록과 제1 전극과 제2 전극이 접촉되는 반도체 발광소자.(4) A semiconductor light emitting device in which a first electrode and a second electrode are in contact with a block.

(5) 반도체 발광소자 구조물에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층 위에 형성되고, 개구를 포함하는 비도전성 반사막; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되는 블록; 제1 전극과 제2 전극과 전기적으로 연결되는 기판; 그리고, 복수의 반도체층, 비도전성 반사막, 제1 전극, 제2 전극 및 블록을 둘러싸는 봉지재;를 포함하며, 제1 전극과 제2 전극 사이에는 통로가 형성되며, 통로의 양단에 복수의 블록이 구비되며, 블록과 블록 사이에 캐비티가 형성되는 반도체 발광소자 구조물.(5) A semiconductor light emitting device structure, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light through recombination of holes; A nonconductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening; A first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening; A second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening; A block provided between the first electrode and the second electrode; A substrate electrically connected to the first electrode and the second electrode; And an encapsulant surrounding the plurality of semiconductor layers, the non-conductive reflective film, the first electrode, the second electrode, and the block, wherein a passageway is formed between the first electrode and the second electrode, And a cavity is formed between the block and the block.

(6) 블록은 제1 높이를 포함하고, 제1 전극과 제2 전극은 제2 높이를 포함하며, 블록의 제1 높이는 제1 전극과 제2 전극의 제2 높이와 같거나 낮은 반도체 발광소자 구조물.(6) the block includes a first height, the first and second electrodes comprise a second height, and the first height of the block is equal to or less than a second height of the first and second electrodes, structure.

(7) 블록은 절연재료로 형성되는 반도체 발광소자 구조물.(7) The semiconductor light emitting device structure according to any one of (1) to (7), wherein the block is formed of an insulating material.

(8) 블록과 제1 전극과 제2 전극 사이는 접촉되는 반도체 발광소자 구조물. (8) The semiconductor light emitting device structure is in contact with the block, the first electrode, and the second electrode.

본 개시에 의하면, 빛의 출광효과를 높히는 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물을 제공한다.According to the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device for enhancing the light outgoing effect of light and a semiconductor light emitting device structure using the same.

또한 본 개시에 의하면, 전극 사이에 봉지재가 형성되지 않아 빛이 효과적으로 출광되는 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물을 제공한다.According to the present invention, there is also provided a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device structure using the semiconductor light emitting device, in which an encapsulant is not formed between electrodes to effectively emit light.

200: 반도체 발광소자 210: 복수의 반도체층 211: 제1 반도체층
212: 제2 반도체층 213: 활성층 220: 비도전성 반사막 230: 제1 전극 240: 제2 전극 250: 블록 260: 캐비티 270: 통로 300: 반도체 발광소자 구조물 310: 기판 320: 봉지재 330: 벽 410: 절연재료 420: 마스크200: Semiconductor light emitting device 210: Multiple semiconductor layers 211: First semiconductor layer
A semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. The first semiconductor layer includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a second semiconductor layer. : Insulation material 420: Mask

Claims (8)

반도체 발광소자에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는
제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;
복수의 반도체층 위에 형성되고, 개구를 포함하는 비도전성 반사막;
비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극;
비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 그리고,
제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되는 블록;을 포함하며,
제1 전극과 제2 전극 사이에는 통로가 형성되며,
통로의 양단에 각각 블록이 구비되며,
제1 전극, 제2 전극 및 블록에 의해 둘러싸인 캐비티가 형성되는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a first semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity,
A second semiconductor layer, a plurality of semiconductor layers interposed between the first and second semiconductor layers and including an active layer that generates light through recombination of electrons and holes;
A nonconductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening;
A first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening;
A second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening; And,
And a block provided between the first electrode and the second electrode,
A passageway is formed between the first electrode and the second electrode,
Blocks are provided at both ends of the passage,
Wherein a cavity surrounded by the first electrode, the second electrode, and the block is formed. 청구항 1에 있어서,
블록은 제1 높이를 포함하고,
제1 전극과 제2 전극은 제2 높이를 포함하며,
블록의 제1 높이는 제1 전극과 제2 전극의 제2 높이와 같거나 낮은 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The block includes a first height,
Wherein the first electrode and the second electrode comprise a second height,
Wherein the first height of the block is equal to or less than the second height of the first electrode and the second electrode. 청구항 1에 있어서,
블록은 절연재료로 형성되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the block is formed of an insulating material. 청구항 1에 있어서,
블록과 제1 전극과 제2 전극이 접촉되는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the first electrode and the second electrode are in contact with each other. 반도체 발광소자 구조물에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는
제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;
복수의 반도체층 위에 형성되고, 개구를 포함하는 비도전성 반사막;
비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극;
비도전성 반사막 위에 형성되어 개구를 통해 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극;
제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되는 블록;
제1 전극과 제2 전극과 전기적으로 연결되는 기판; 그리고,
복수의 반도체층, 비도전성 반사막, 제1 전극, 제2 전극 및 블록을 둘러싸는 봉지재;를 포함하며,
제1 전극과 제2 전극 사이에는 통로가 형성되며,
통로의 양단에 각각 블록이 구비되며,
제1 전극, 제2 전극 및 블록에 의해 둘러싸인 캐비티의 적어도 일부분에 봉지재가 형성되지 않는 반도체 발광소자 구조물.In a semiconductor light emitting device structure,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a first semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity,
A second semiconductor layer, a plurality of semiconductor layers interposed between the first and second semiconductor layers and including an active layer that generates light through recombination of electrons and holes;
A nonconductive reflective film formed on the plurality of semiconductor layers and including an opening;
A first electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the first semiconductor layer through the opening;
A second electrode formed on the non-conductive reflective film and electrically connected to the second semiconductor layer through the opening;
A block provided between the first electrode and the second electrode;
A substrate electrically connected to the first electrode and the second electrode; And,
And an encapsulant surrounding the plurality of semiconductor layers, the non-conductive reflective film, the first electrode, the second electrode, and the block,
A passageway is formed between the first electrode and the second electrode,
Blocks are provided at both ends of the passage,
Wherein an encapsulant is not formed on at least a part of the cavity surrounded by the first electrode, the second electrode and the block. 청구항 5에 있어서,
블록은 제1 높이를 포함하고,
제1 전극과 제2 전극은 제2 높이를 포함하며,
블록의 제1 높이는 제1 전극과 제2 전극의 제2 높이와 같거나 낮은 반도체 발광소자 구조물.The method of claim 5,
The block includes a first height,
Wherein the first electrode and the second electrode comprise a second height,
Wherein the first height of the block is equal to or less than a second height of the first electrode and the second electrode. 청구항 5에 있어서
블록은 절연재료로 형성되는 반도체 발광소자 구조물.Claim 5
Wherein the block is formed of an insulating material. 청구항 5에 있어서,
블록과 제1 전극과 제2 전극 사이는 접촉되는 반도체 발광소자 구조물. The method of claim 5,
And the first electrode and the second electrode are in contact with each other.
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KR20160031633A (en) * 2014-09-12 2016-03-23 주식회사 세미콘라이트 Method of manufacturing semiconductor light emitting device

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