KR101876945B1 - 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 패널 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101876945B1
KR101876945B1 KR1020110095999A KR20110095999A KR101876945B1 KR 101876945 B1 KR101876945 B1 KR 101876945B1 KR 1020110095999 A KR1020110095999 A KR 1020110095999A KR 20110095999 A KR20110095999 A KR 20110095999A KR 101876945 B1 KR101876945 B1 KR 101876945B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
electrode
electric field
crystal molecules
nanorods
Prior art date
Application number
KR1020110095999A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130032423A (ko
Inventor
노순준
이혁진
배지홍
박준하
장혜림
윤태훈
송동한
김기한
김정욱
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
부산대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사, 부산대학교 산학협력단 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110095999A priority Critical patent/KR101876945B1/ko
Priority to US13/524,507 priority patent/US8994910B2/en
Publication of KR20130032423A publication Critical patent/KR20130032423A/ko
Priority to US14/673,448 priority patent/US9291864B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101876945B1 publication Critical patent/KR101876945B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K2019/0444—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group
    • C09K2019/0448—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group the end chain group being a polymerizable end group, e.g. -Sp-P or acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • C09K2019/528—Surfactants
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134381—Hybrid switching mode, i.e. for applying an electric field with components parallel and orthogonal to the substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

표시 품질을 향상시킨 표시 패널 및 이의 제조 방법에서, 표시 패널은 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 기판, 상기 제2 전극과 마주하는 제3 전극을 포함하는 대향 기판, 및 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되고, 액정 분자들, 반응성 메조겐 중합체 및 나노 막대들을 포함하는 액정층을 포함한다. 이에 따라, 투과율 및 응답 속도를 향상시킬 수 있다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정 표시 장치용 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 패널은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자들이 형성된 표시 기판, 상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 액정층에 전계를 형성하여 상기 액정층의 액정 분자의 배열을 변경함으로써 광의 투과율을 제어하여 화상을 표시한다.
통상적으로, 액정 표시 패널은 홀드 타입(Hold type)의 구동 방식에 기인하여, 기존 CRT 대비 동영상 특성이 낮고, 응답 속도가 느려 입체 영상(3D)의 표시 품질을 향상시키기 어렵다. 특히, 액정의 응답 속도가 느린 경우, 액티브 셔터(Active Shutter) 방식의 입체 영상의 휘도가 저하되고, 크로스 토크(crosstalk)가 증가하는 등의 문제가 있다.
한편, 액정 표시 패널은 수평 전계를 이용하는 IPS 모드 (in-plane switching mode), FFS 모드 (fringe field switching mode) 등이 있으며, 수직 전계를 이용하는 PVA 모드(Patterned Vertically Alignment mode), PSVA (polymer stabilized VA) 등이 있다.
상기 수직 전계와 상기 수평 전계를 모두 이용하는 액정 모드의 경우, 액정의 라이징 타임(rising time, Ton)과 관련된 온-응답 속도의 경우 전계 효과와 액정 물성에 의해서 제어 할 수 있고, 액정의 폴링 타임(falling time, Toff)과 관련된 오프-응답 속도의 경우 액정 물성만으로 제어할 수 있다. 따라서 오프-응답 속도를 개선하기 위해서는 액정 물성 중에서 회전 점도(γ1) 감소, 벤드(bend) 탄성 계수 (K33) 증가, 굴절률 이방성 (Δn) 증가에 의해서 개선할 수 있다.
그러나, 상기 액정 물성은 회전 점도, 벤드 탄성 계수, 굴절률 이방성 등이 서로 교환(trade off) 관계가 있어 각각 독립적으로 조절할 수 없으므로, 액정 물성을 조절하는데 한계가 있다. 따라서, 입체 영상을 표시하는데 적합한 응답 속도를 확보하기 어렵다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 응답 속도를 향상시킨 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널은 표시 기판, 대향 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판은 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함한다. 상기 대향 기판은 상기 제2 전극과 마주하는 제3 전극을 포함한다. 상기 액정층은 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되고, 액정 분자들, 반응성 메조겐 중합체 및 나노 막대들을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 액정 분자들은 양(positive)의 유전율 이방성(Δε)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반응성 메조겐 중합체의 함량은 상기 액정 분자들, 상기 반응성 메조겐 중합체 및 상기 나노 막대들의 전체 중량에 대해서 0 중량% 초과, 1 중량% 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 나노 막대들의 전체 함량은 상기 액정 분자들, 상기 반응성 메조겐 중합체 및 상기 나노 막대들의 전체 중량에 대해서 0 중량% 초과, 1 중량% 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 액정층의 내부에 배치된 반응성 메조겐 중합체의 함량이 상기 제2 및 제3 전극들 각각과 인접하게 배치된 반응성 메조겐 중합체의 함량보다 많을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 액정층은 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 각각과 접촉할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법이 제공된다. 상기 제조 방법에서, 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 기판과, 제3 전극을 포함하는 대향 기판을 상기 제2 전극과 상기 제3 전극이 마주하도록 결합시킨다. 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들, 반응성 메조겐들 및 나노 막대들을 포함하는 액정 조성물에 전계를 가한다. 상기 전계에 의해 상기 액정 분자들이 배열된 상태에서, 상기 액정 조성물에 자외선을 조사하여 반응성 메조겐 중합체를 형성한다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 전극들 각각에 전압이 인가되어 형성된 수평 전계가 상기 액정 조성물에 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 전극들 각각에 서로 다른 전압이 인가되어 상기 액정 분자들의 장축이 수평 전계의 방향과 평행하게 배치된 상태에서 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 한쪽에서 상기 자외선을 조사될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 액정 분자들은 양(positive)의 유전율 이방성(Δε)을 가질 수 있다.
이와 같은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 따르면, 반응성 메조겐 중합체, 나노 막대 및 포지티브 액정 조성물을 포함하는 액정층을 이용함으로써, 상기 반응성 메조겐 중합체 및 상기 나노 막대가 액정 분자들의 배향을 보조할 수 있다. 이에 따라, 배향막 없이도 상기 액정 분자들을 수직 전계 및 수평 전계를 이용하여 용이하게 제어할 수 있다. 상기 액정층은 높은 앵커링(anchoring) 에너지를 갖는 배향막이 아닌 전극들 사이에 개재됨으로써, 상기 액정 분자들의 응답 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 액정층에 상기 수직 전계와 상기 수평 전계가 동시에 형성되지 않더라도 상기 배향막이 없는 상태에서 상기 반응성 메조겐 중합체 및/또는 나노 막대들이 상기 액정 분자들의 배향을 보조하므로 투과율의 저하는 최소화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 무전계 상태에서 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 액정층에 수평 전계가 형성된 때의 단면도이다.
도 4는 액정층에서 나노 막대의 함량이 약 0.1 중량% 및 2.0 중량%일 때 전압에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 패널 샘플 1 및 3과 비교 샘플 4, 5 및 6에 대한 전압에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 2에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 6에서 전계를 형성한 상태에서 자외선을 조사하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 도 6에서 자외선이 조사된 후, 무전계 상태의 액정층을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 2는 무전계 상태에서 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(500)은 표시 기판(100), 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다. 상기 표시 패널(500)은 상기 표시 기판(100)에 부착된 제1 편광판(P1) 및 상기 대향 기판(200)에 부착된 제2 편광판(P2)을 더 포함할 수 있다. 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 각각은 상기 액정층(300)의 액정 분자들(310)의 제어를 위한 별도의 배향막은 포함하지 않는다.
상기 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(110) 상에 형성된 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 박막 트랜지스터(SW), 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)을 포함한다. 상기 표시 기판(100)은 상기 게이트 라인(GL)과 상기 데이터 라인(DL)을 절연시키는 제1 절연층(120), 상기 박막 트랜지스터(SW)를 보호하는 제2 절연층(140) 및 상기 표시 기판(100)의 표면을 평탄화시키는 평탄화층(150)을 더 포함한다.
상기 게이트 라인(GL)과 상기 데이터 라인(DL)이 교차하고, 상기 박막 트랜지스터(SW)가 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)과 연결된다. 상기 박막 트랜지스터(SW)는 상기 게이트 라인(GL)과 연결된 게이트 전극(GE), 상기 데이터 라인(DL)과 연결된 소스 전극(SE). 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE) 및 액티브 패턴(AP)을 포함한다. 상기 액티브 패턴(AP)은 반도체층(130a) 및 오믹 콘택층(130b)을 포함한다. 상기 반도체층(130a)은 실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택층(130b)은 생략될 수 있다.
상기 제1 전극(E1)은 상기 박막 트랜지스터(SW)를 커버하는 상기 제2 절연층(140) 상에 형성된다. 상기 제1 전극(E1)은 상기 제2 전극(E2) 및 상기 박막 트랜지스터(SW)와 전기적 및 물리적으로 분리된다. 상기 제1 전극(E1)은 상기 화소에 대해서 공통 전극이 될 수 있다. 상기 제1 전극(E1)은 패턴 없이 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)에 의해서 구획되는 상기 베이스 기판(110)의 일 영역에 형성될 수 있다. 일 화소(pixel)의 상기 제1 전극(E1)은 상기 제1 전극(E1)이 형성된 화소와 인접한 화소에 형성되어 상기 제1 전극(E1)과 실질적으로 동일한 역할을 하는 전극과 이격될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 전극(E1)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 슬릿 패턴을 포함할 수도 있다.
상기 제2 전극(E2)은 상기 평탄화층(150) 상에 형성되어 상기 제1 전극(E1)과 절연된다. 상기 제2 전극(E1)은 상기 제2 절연층(140) 및 상기 평탄화층(150)을 관통하는 콘택홀(CNT)을 통해서 상기 드레인 전극(DE)과 접촉한다. 상기 제2 전극(E2)이 상기 박막 트랜지스터(SW)와 연결된다. 상기 제2 전극(E2)은 상기 화소에 대해 화소 전극이 될 수 있다. 상기 제2 전극(E2)은 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하는 전극과 연결된 다수의 서브 전극들(162, 164)을 포함한다. 상기 서브 전극들(162, 164)은 상기 데이터 라인(DL)의 연장 방향으로 연장되고, 상기 게이트 라인(GL)의 연장 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 서브 전극들(162, 164)은 상기 게이트 라인(GL)의 연장 방향으로는 서로 이격되지만, 상기 데이터 라인(DL)의 연장 방향으로 배치된 양단부들은 서로 연결될 수 있다. 평면에서 볼 때, 상기 제1 전극(E1)이 상기 서브 전극들(162, 164)이 형성된 영역과 상기 서브 전극들(162, 164)이 이격된 영역에 형성되고, 상기 제1 전극(E1)과 상기 제2 전극(E2)이 중첩된다.
서로 다른 레벨의 전압이 상기 제1 전극(E1)과 상기 제2 전극(E2)에 제공된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(E1)과 상기 제2 전극(E2) 사이에 전위차가 생기고, 상기 전위차에 의해서 상기 제1 전극(E1)과 상기 제2 전극(E2) 사이에 상기 베이스 기판(110)의 표면과 평행하게 수평 전계가 형성된다. 상기 수평 전계는 상기 액정층(300)에 영향을 주므로, 상기 액정층(300)에 상기 수평 전계가 형성되는 것으로도 볼 수 있다.
도 2에서 설명한 것과 달리, 상기 제1 전극(E1)이 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하여 상기 박막 트랜지스터(SW)와 연결되고 상기 평탄화층(150)이 상기 박막 트랜지스터(SW) 및 상기 제1 전극(E1)을 모두 커버할 수 있다. 이때, 상기 제2 전극(E2)이 상기 평탄화층(150) 상에 형성되어 상기 박막 트랜지스터(SW) 및 상기 제1 전극(E1)과 절연될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(E1)이 화소 전극이 되고 상기 제2 전극(E2)이 공통 전극이 될 수 있다.
상기 제1 편광판(P1)의 편광축은 상기 제2 전극(E2)의 상기 서브 전극들(162, 164)과 약 45°의 경사를 이룰 수 있다. 즉, 상기 제1 편광판(P1)의 편광축은 상기 게이트 라인(GL)의 연장 방향과 상기 데이터 라인(DL)의 연장 방향의 사이의 방향으로 배치될 수 있다. 도면으로 도시하지 않았으나, 상기 제1 편광판(P1)과 상기 표시 기판(100) 사이에 제1 위상차 보상 필름, 예를 들어, 네가티브 C-플레이트가 배치될 수 있다.
상기 대향 기판(200)은 상기 표시 기판(100)과 마주하고, 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된 제3 전극(E3)을 포함한다. 상기 대향 기판(200)은 차광 패턴(220), 컬러필터(230) 및 오버 코팅층(240)을 더 포함한다.
상기 차광 패턴(220)은 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(SW)와 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210)에 형성된다. 상기 컬러필터(230)는 상기 제2 전극(E2)과 대응하는 상기 제2 베이스 기판(210)에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 대향 기판(200)의 표면을 평탄화시킬 수 있다.
상기 제3 전극(E3)은 상기 제2 전극(E2)과 마주하고, 상기 오버 코팅층(240) 상에 형성된다. 상기 제3 전극(E3)은 상기 제2 베이스 기판(210)의 전면에 형성된다. 상기 제3 전극(E3)은, 상기 제1 전극(E1) 및/또는 상기 제2 전극(E2)과 다른 레벨의 전압을 인가받아 상기 제1 전극(E1) 및/또는 상기 제2 전극(E2)과 함께 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이의 방향, 즉 상기 제1 베이스 기판(110)의 표면을 기준으로 상기 표면과 수직한 방향으로 수직 전계를 형성할 수 있다. 상기 수직 전계는 상기 제1 전극(E1)과 상기 제3 전극(E3) 사이에 형성되거나, 상기 제2 전극(E2)과 상기 제3 전극(E3) 사이에 형성될 수 있다.
상기 제2 편광판(P2)의 편광축은 상기 제2 전극(E2)의 상기 서브 전극들(162, 164)과 약 45°의 경사를 갖고 배치될 수 있다. 상기 제2 편광판(P2)의 편광축은 상기 제1 편광판(P1)의 편광축과 수직하게 배치될 수 있다. 도면으로 도시하지 않았으나, 상기 제2 편광판(P2)과 상기 대향 기판(200) 사이에 제2 위상차 보상 필름, 예를 들어, 네가티브 C-플레이트가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 위상차 보상 필름들에 의해서 상기 액정층(300)에 수직 전계가 형성된 경우의 시야각을 향상시킬 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이에 배치되고, 액정 분자들(310), 반응성 메조겐 중합체(reactive mesogen polymer, 320) 및 나노 막대들(330)을 포함한다. 상기 액정층(300)은 상기 제2 전극(E2) 및 상기 제3 전극(E3)과 각각 접촉한다. 즉, 상기 액정 분자들(310), 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)이 상기 제2 전극(E2) 및 상기 제3 전극(E3)과 접촉할 수 있다.
상기 액정 분자들(310)은 각각이 코어로서 적어도 1개의 고리 단위를 갖는 화합물을 포함한다. 상기 고리 단위로서는, 벤젠이나 사이클로 헥산 등을 들 수 있고, 상기 코어는 벤젠 및 사이클로 헥산을 모두 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 코어는 바이페닐 고리 구조(biphenyl ring structure), 터페닐 고리 구조(terphenyl ring structure), 페닐-사이클로헥실 고리 구조(phenyl-cyclohexyl ring structure) 등을 가질 수 있다. 상기 액정 분자들(310)은 적어도 1 종류 이상의 화합물로 구분될 수 있다.
상기 액정 분자들(310)은 양(positive)의 유전율 이방성(Δε)을 갖는다. 즉, 상기 액정 분자들(310)은 장축 방향의 유전율(εII)이 단축 방향의 유전율(ε┴)에 비해서 상대적으로 큰 값을 가짐으로써 상기 장축 방향의 유전율과 상기 단축 방향의 유전율 차이인 상기 유전율 이방성(Δε)이 양의 값을 갖는다. 양의 유전율 이방성(Δε)을 갖는 상기 액정 분자들(310)은 장축 방향이 전계 방향과 평행하게 배열된다. 상기 액정 분자들(310)이 양의 유전율 이방성을 가짐으로써, 상기 액정층(300)에 형성되는 전계의 종류에 따라서 상기 표시 패널(500)을 화이트 모드 및 블랙 모드로 구동할 수 있다. 도 2에 도시된 무전계 상태, 즉, 상기 액정층(300)에 상기 수평 전계나 상기 수직 전계가 형성되지 않은 상태에서는, 상기 액정 분자들(310)이 상기 액정층(300) 내에서 무질서하게 배열된다.
한편, 상기 액정층(300)에서, 상기 액정 분자들(310)의 함량이 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)의 함량에 비해 현저하게 많기 때문에 상기 액정층(300)을 구성하는 모든 성분들의 유전율 이방성, 즉 상기 액정 분자들(310), 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330) 전체의 유전율 이방성(Δε)은 양의 값을 가질 수 있다.
상기 액정 분자들(310)은 상기 제2 전극(E2) 및 상기 제3 전극(E3) 각각과 접촉하기 때문에 상기 배향막이 형성된 경우보다 상기 제2 전극(E2) 및/또는 상기 제3 전극(E3)의 전계 효과를 더 많이 받을 수 있다. 이에 따라, 상기 액정 분자들(310)을 구동 및 제어하기 위한 소비 전력을 최소화시킬 수 있다. 또한, 배향막이 없어도, 상기 액정 분자들(310)의 배열을 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)이 보조함으로써 상기 화이트 모드 및 상기 블랙 모드의 구동이 안정적으로 행해질 수 있다.
상기 액정 분자들(310), 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)의 전체 중량을 100%라고 할 때, 상기 액정 분자들(310)의 전체 중량이 약 98 중량% 초과 약 100 중량% 미만의 범위에서, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)와 상기 나노 막대들(330)이 상기 액정층(300)의 불순물로서 전계에 의한 상기 액정 분자들(310)의 제어를 방해하지 않으면서 상기 액정 분자들(310)의 배열을 최대로 보조할 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 액정 분자들(310)의 전체 중량은 약 99.4 중량% 이상 약 100 중량% 미만일 수 있다.
상기 반응성 메조겐 중합체(320)는 반응성 메조겐(reactive mesogen, 322, 도 7 참조)의 중합 반응에 의해서 형성된 폴리머로서 상기 액정층(300)에서 네트워크를 형성한다. 상기 반응성 메조겐 중합체(320)는 단일 네트워크를 형성할 수 있고, 상기 액정층(300)에 산발적으로 배치된 다수의 네트워크들을 형성할 수 있다. 상기 반응성 메조겐 중합체(320)에 의한 상기 네트워크에 의해서 상기 액정 분자들(310)이 전계, 특히 수평 전계에 의해서 배열될 때, 배향막 없이도, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 상기 액정 분자들(310)의 배열을 보조할 수 있다. 상기 반응성 메조겐(322)은 상기 액정 분자들(310)의 골격과 유사한 구조를 가지면서, 말단 작용기로서 광반응기를 포함할 수 있다. 상기 광반응기의 예로서는, 아크릴레이트(acrylate), 메타크릴레이트(methacrylate) 등을 들 수 있다. 상기 반응성 메조겐(322)의 상기 광반응기가 광에 의해 활성화될 때, 상기 반응성 메조겐들(322)의 중합 반응이 일어나 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 형성될 수 있다.
상기 반응성 메조겐 중합체(320)는 상기 액정층(300)의 어디에라도 배치될 수 있으나, 상기 표시 기판(100)이나 상기 대향 기판(200)과 인접한 영역, 즉 상기 제2 전극(E2)이나 상기 제3 전극(E3)의 표면보다는 상기 표면과의 거리가 먼 상기 액정층(300)의 내부에 주로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2 및 제3 전극들(E2, E3) 각각과 인접하게 배치된 반응성 메조겐 중합체(320)의 함량이 상기 액정층(300)의 내부에 비해 상대적으로 적을 수 있다. 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 상기 제2 전극(E2)과 인접하게 배치되는 경우, 상기 제2 전극(E2)에 인가되는 전압은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)에 의해서 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 없는 경우에 비해서 상대적으로 높게 인가되지만, 상기 액정층(300)에서는 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 상기 액정층(300)의 내부에 배치됨으로써 상기 제2 전극(E2)에 인가되는 전압은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 없는 경우와 비교하여 크게 차이가 없다.
상기 반응성 메조겐 중합체(320)는, 상기 액정 분자들(310), 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)의 전체 중량에 대해서, 약 0 중량% 초과 약 1 중량% 이하의 범위에서 상기 액정층(300)에서 불순물로서 상기 액정 분자들(310)의 배열을 방해하지 않고 조력할 수 있다. 상기 반응성 메조겐 중합체(320)에 의해서 상기 액정 분자들(310)이 안정적으로 배열될 수 있는 반면, 상기 블랙 모드에서 휘도가 증가하는 문제는 상기 제1 및 제2 위상차 보상 필름들에 의해서 해결될 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)의 함량은 약 0 중량% 초과 약 0.5 중량% 이하일 수 있다.
상기 나노 막대들(330)은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)에 의한 상기 네트워크와 함께 상기 액정 분자들(310)이 전계에 의해서 배열될 때, 별도의 배향막 없이도, 상기 나노 막대들(330)이 상기 액정 분자들(310)의 배열을 보조할 수 있다. 상기 나노 막대들(330)은 일 방향으로 연장된 막대형을 가지는 도전체로서, 전계의 세기가 약하거나 방향을 제어하기 어려운 부분에서 메인 전계 방향과 유사한 전계를 유도함으로써 상기 액정 분자들(310)의 배열을 보조할 수 있다. 상기 나노 막대들(330)은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 형성하는 네트워크의 방향성과 동일한 방향성을 가지고 상기 액정층(300) 내에 배치될 수 있다.
상기 나노 막대들(330)의 예로서는, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube), 헥사데실 트리메틸 암모늄 브로마이드(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, HTAB) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2이상이 혼합되어 이용될 수 있다. 상기 나노 막대들(330)의 종류는 상기의 예들에 제한되지 않는다.
상기 나노 막대들(330)의 전체 중량은, 상기 액정 분자들(310), 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)의 전체 중량에 대해서, 약 0 중량% 초과 약 1 중량% 이하의 범위에서 상기 액정층(300)에서 불순물로서 상기 액정 분자들(310)의 배열을 방해하지 않고 조력할 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 나노 막대들(330)의 함량은 약 0 중량% 초과 약 0.1 중량% 이하일 수 있다.
이하에서는, 도 2에 도시된 무전계 상태에서 상기 액정층(300)에 수평 전계 및 수직 전계가 형성된 때의 상기 액정 분자들(310)의 배열을 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 패널의 액정층에 수평 전계가 형성된 때의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 전극(E1)과 상기 제2 전극(E2) 사이에 서로 다른 전압이 인가되어 상기 액정층(300)에 수평 전계가 형성된 경우, 상기 유전율 이방성이 양의 값을 갖는 상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 수평 전계와 평행한 방향으로 놓여진다. 이때, 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)이 상기 액정 분자들(310)의 배열을 보조한다. 예를 들어, 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330) 또한 상기 수평 전계에 의해 영향을 받아 방향성을 가지고 배열되고, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)와 상기 나노 막대들(330)의 방향성이 상기 액정 분자들(310)의 배열을 도울 수 있다.
상기 액정 분자들(310)의 장축이 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 각각의 표면과 평행한 상태가 됨으로써 상기 표시 기판(100)의 하부에서 제공되는 광을 상기 액정층(300)을 통해서 상기 대향 기판(200)으로 제공할 수 있다. 상기 액정층(300)에 수평 전계가 형성된 경우, 상기 표시 패널(500)이 화이트 영상을 표시하는 상기 화이트 모드가 될 수 있다.
상기 액정 분자들(310)은 상기 배향막 없이 상기 수평 전계의 영향을 그대로 받으므로, 응답 속도가 상기 배향막이 있는 경우에 비해서 상대적으로 매우 빠르다. 즉, 상기 액정 분자들(310)은 도 2에 도시된 무질서 상태에서 약 1 ms 내지 약 2 ms의 속도로 도 3a에 도시된 배열 상태로 변화할 수 있다.
상기 화이트 모드에서, 상기 액정층(300)에 상기 수직 전계와 상기 수평 전계가 동시에 형성되지 않더라도 배향막이 없는 상태에서 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및/또는 상기 나노 막대들(330)이 상기 액정 분자들(310)의 배향을 보조하므로 투과율의 저하는 최소화될 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 표시패널(500)의 액정층(300)에 수직 전계가 형성될 때, 상기 제1 및 제2 전극들(E1, E2)에 인가되는 전위차는 실질적으로 약 0 V이고, 상기 제1 및 제2 전극들(E1, E2) 중 어느 하나와 상기 제3 전극(E3) 사이에 서로 다른 전압이 인가됨으로써 상기 액정층(300)에 수직 전계가 형성된다. 이때, 상기 액정 분자들(310)의 장축은 상기 표시 기판(100)에서 상기 대향 기판(200)을 향하는 방향으로 배열된다. 즉, 상기 액정 분자들(310)의 장축이 전계의 방향과 평행한 방향으로 배열됨으로써 상기 액정 분자들(310)이 상기 표시 기판(100)의 표면에 대해서 수직하게 서있는 형태가 된다. 이때, 상기 표시 패널(500)이 블랙 영상을 표시하는 상기 블랙 모드가 될 수 있다.
상기 수직 전계에 의한 상기 액정 분자들(310)의 배열은 상기 수평 전계가 형성된 경우에 비해서 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)에 의한 보조 효과가 상대적으로 낮을 수 있다. 이때, 상기 블랙 모드의 시야각은 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)에 비해 상기 제1 및 제2 위상차 보상 필름들에 의해서 보상될 수 있다.
상기 액정 분자들(310)은 상기 배향막 없이 상기 수직 전계의 영향을 그대로 받으므로, 응답 속도가 상기 배향막이 있는 경우에 비해서 상대적으로 매우 빠르다. 즉, 상기 액정 분자들(310)은 도 3에 도시된 배열 상태에서 약 0.1 ms 내지 약 0.5 ms의 속도로 블랙 모드 상태로 배열될 수 있다.
도면으로 도시하지 않았으나, 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널(500)의 상기 대향 기판(200) 상에 영상 변환부를 배치시켜 상기 표시 패널(500)을 입체 영상 표시 장치에 이용할 수도 있다. 상기 표시 패널(500)이 표시하는 2차원 영상을 상기 영상 변환부가 3차원 영상으로 변환시킬 수 있다. 상기 영상 변환부는 예를 들어, 광을 굴절시키는 렌티큘러 렌즈부를 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(500)을 포함하는 입체 영상 표시 장치는 응답 속도가 빠르기 때문에, 관찰자는 잔상의 시인 없이 품질이 좋은 영상을 볼 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 패널 샘플들과 비교 샘플들을 통해서 본 발명의 효과에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.
패널 샘플 1 및 2, 비교 샘플 1 및 2의 준비
도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판 및 대향 기판 각각과 실질적으로 동일한 제1 기판 및 제2 기판을 준비하고, 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 유전율 이방성이 양의 값을 갖는 머크사(Merck Cooperation, 독일)의 238 액정(상품명) 약 99.4 중량%, 머크사의 RM-491(상품명)을 이용하여 형성한 반응성 메조겐 중합체 약 0.5 중량% 및 헥사데실 트리메틸 암모늄 브로마이드(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, HTAB) 약 0.1 중량%를 포함하는 액정층을 형성하여 패널 샘플 1을 준비하였다.
238 액정을 약 98.9 중량% 포함하고 RM-491을 약 1.0 중량% 포함하며, HTAB 약 0.1 중량%를 포함하는 액정층을 갖는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 패널 샘플 2를 준비하였다.
또한, 238 액정을 약 97.9 중량% 포함하고 RM-491을 약 2.0 중량% 포함하며, HTAB 약 0.1 중량%를 포함하는 액정층을 갖는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 비교 샘플 1을 준비하였다.
238 액정을 약 95.9 중량% 포함하고 RM-491을 약 4.0 중량% 포함하며, HTAB 약 0.1 중량%를 포함하는 액정층을 갖는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 비교 샘플 2를 준비하였다.
평가 1 - 블랙 모드의 휘도 평가
도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판과 실질적으로 동일하되 배향막이 형성된 제1 기판과, 도 2에 도시된 대향 기판과 실질적으로 동일하되 제3 전극이 생략된 제2 기판, 238 액정을 포함하는 비교 샘플 3을 준비하여 무전계 상태에서의 휘도를 측정하고, 패널 샘플 1 및 2와 비교 샘플 1 및 2 각각에 대해서 수직 전계를 형성한 상태인 블랙 모드에서의 휘도를 측정하고 비교 샘플 3의 휘도와 비교하였다. 그 결과, 비교 샘플 3의 휘도를 100 %로 할 때, 패널 샘플 1 및 2와 비교 샘플 1 및 2 각각의 상대 휘도는 약 112 %, 약 152 %, 약 480 % 및 약 1960 %이었다.
상기 결과를 참조하면, 배향막이 없는 패널 샘플 1 및 2의 경우 블랙 모드에서 배향막을 포함하는 비교 샘플 3과 거의 유사한 휘도를 나타내지만, 비교 샘플 1 및 2의 블랙 모드에서의 휘도가 너무 높다. 따라서 반응성 메조겐 중합체의 함량은 블랙 모드의 휘도를 고려할 때, 약 1 중량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 약 0.5 중량% 이하일 수 있다.
패널 샘플 3 내지 5의 준비
도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판 및 대향 기판 각각과 실질적으로 동일한 제1 기판 및 제2 기판을 준비하고, 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 유전율 이방성이 양의 값을 갖는 머크사(Merck Cooperation, 독일)의 238 액정(상품명) 약 99.4 중량%, 머크사의 RM-491(상품명)을 이용하여 형성한 반응성 메조겐 중합체 약 0.5 중량% 및 탄소 나노 튜브 약 0.1 중량%를 포함하는 액정층을 형성하여 패널 샘플 3을 준비하였다.
238 액정을 약 97.5 중량% 포함하고 RM-491을 약 0.5 중량% 포함하며, 헥사데실 트리메틸 암모늄 브로마이드(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, HTAB)약 2.0 중량%를 포함하는 액정층을 갖는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 패널 샘플 4를 준비하였다.
또한, 238 액정을 약 97.5 중량% 포함하고 RM-491을 약 0.5 중량% 포함하며, 탄소 나노 튜브 약 2.0 중량%를 포함하는 액정층을 갖는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 패널 샘플 5를 준비하였다.
평가 2 - 투과율 평가
패널 샘플 1, 3, 4 및 5 각각에 대해서 수평 전계를 형성하기 위해서 제1 전극 및 제2 전극 사이의 전압이 약 0 V에서 약 14 V로 변함에 따른 투과율을 측정하였다. 그 결과를, 도 4에 나타낸다.
도 4는 액정층에서 나노 막대의 함량이 약 0.1 중량% 및 2.0 중량%일 때 전압에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 4에서, 그래프 A가 패널 샘플 1에 대한 것이고, 그래프 B가 패널 샘플 3에 대한 것이고, 그래프 C 및 D 각각이 패널 샘플 4 및 5에 대한 것이다. 그래프 B, C 및 D 각각은 그래프 A에 대해서 정규화(normalized)한 것이다. 도 4에서, x축은 제1 전극과 제2 전극 사이의 전압(전위차, 단위 Volt)을 나타내고, y축은 정규화된 투과율(단위 없음)을 나타낸다.
도 4를 참조하면, 나노 막대의 종류에 관계없이 상기 나노 막대의 함량이 약 0.1 중량%인 경우에는 전압에 따라서 투과율 특성이 향상되는 반면, 상기 나노 막대의 함량이 약 2.0 중량%인 경우에는 오히려 전압이 약 10 V 정도 되는 경우에 투과율 특성이 저하되는 것을 알 수 있다. 따라서 나노 막대의 함량은 약 2.0 중량% 미만으로서 약 1.0 중량% 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 상기 나노 막대의 함량은 약 0.1 중량% 이하일 수 있다.
비교 샘플 4, 5 및 6의 준비
화소 전극 및 제1 배향막이 형성된 제1 기판과 공통 전극 및 제2 배향막이 형성된 제2 기판 사이에 머크사(Merck Cooperation, 독일)의 238 액정(상품명)을 개재시켜 비교 샘플 4를 준비하였다.
배향막이 없고 238 액정을 100 중량% 이용하는 것을 제외하고는 패널 샘플 1과 실질적으로 동일한 비교 샘플 5를 준비하였다.
238 액정 약 99.5 중량%에 약 0.5 중량%의 머크사의 RM-491(상품명)을 더 포함하는 것을 제외하고는 비교 샘플 3과 실질적으로 동일한 비교 샘플 6을 준비하였다.
평가 3 - 투과율 평가
패널 샘플 1 및 3과 비교 샘플 4, 5 및 6 각각에 대해서 제1 전극 및 제2 전극 사이의 전압이 약 0 V에서 약 14 V로 변함에 따른 투과율을 측정하였다. 또한, 비교 샘플 4의 화소 전극과 공통 전극 사이의 전압이 약 0 V에서 약 14 V로 변함에 따른 투과율을 측정하였다. 그 결과를 도 5에 나타낸다.
또한, 각각에 대해서 응답 속도도 측정하였다.
도 5는 패널 샘플 1 및 3과 비교 샘플 4, 5 및 6에 대한 전압에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 5에서, 그래프 E는 패널 샘플 1, 그래프 F는 패널 샘플 3에 관한 것이고, 그래프 G는 비교 샘플 6, 그래프 H는 비교 샘플 7, 그래프 I는 비교 샘플 5에 대한 결과를 나타낸다. 도 5에서 전압을 나타내고, y축은 투과율(단위 %)을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 패널 샘플 1 및 3의 경우의 투과율 특성이 비교 샘플 4와 유사한 수준이고, 비교 샘플 5 및 6의 투과율 특성에 비해서는 현저하게 좋은 것을 알 수 있다. 응답 속도에 있어서, 패널 샘플 1 및 3의 경우가 비교 샘플 4에 비해 약 1/10 이상 빨라진 것을 알 수 있다. 즉, 패널 샘플 1 및 3의 결과를 참조하면, 액정 분자들이 높은 앵커링(anchoring) 에너지를 갖는 배향막이 아닌 전극들 사이에 개재됨으로써, 상기 액정 분자들의 응답 속도를 향상시킴을 알 수 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 8을 참조하여 도 1 및 도 2에 도시된 표시 패널(500)의 제조 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 6은 도 2에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 및 제2 전극들(E1, E2)을 포함하는 상기 표시 기판(100)과 상기 제3 전극(E3)을 포함하는 상기 대향 기판(200)을 결합시킨다(단계 S410). 이때, 상기 제2 전극(E2)과 상기 제3 전극(E3)이 서로 마주하여 배치된다.
이어서, 상기 제2 전극(E2)과 상기 제3 전극(E3) 사이에 액정 조성물을 개재시킨다(단계 S420). 실질적으로는 상기 액정 조성물이 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이에 개재되는데, 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 각각이 배향막을 포함하지 않으므로 상기 액정 조성물은 상기 제2 및 제3 전극들(E2, E3) 각각과 접촉한다.
도 6에서는, 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200)을 결합한 후 그들 사이에 상기 액정 조성물을 개재시키는 것으로 설명하였으나, 상기 표시 기판(100)이나 상기 대향 기판(200) 중 어느 하나의 기판에 상기 액정 조성물을 적하한 후 다른 기판을 결합하는 방식으로 상기 액정 조성물을 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이에 개재시킬 수 있다.
상기 액정 조성물은 상기 액정 분자들(310), 상기 나노 막대들(330) 및 상기 반응성 메조겐들(322)을 포함한다. 상기 반응성 메조겐들(322)은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)를 형성하는 단량체(monomer)이다. 상기 액정 분자들(310) 및 상기 나노 막대들(330) 각각은 상기에서 설명한 액정층(300)의 상기 액정 분자들(310) 및 상기 나노 막대들(330)과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다. 상기 반응성 메조겐들(322)은 상기 반응성 메조겐 중합체(320)와 함께 설명한 바 있으므로 이하에서는 생략한다.
상기 액정 조성물은, 상기 액정 조성물 전체 중량에 대해서, 약 98 중량% 이상 약 100 중량% 미만의 상기 액정 분자들(310), 약 0 중량% 초과 약 1 중량% 미만의 상기 반응성 메조겐들(322) 및 약 0 중량% 초과 약 1 중량% 미만의 상기 나노 막대들(330)을 포함할 수 있다. 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 사이의 상기 액정 조성물은 방향성이 없는 무질서한 상태로 개재된다.
상기 제2 전극(E2)과 상기 제3 전극(E3)에 전압을 인가하여 수평 전계를 형성한다(단계 S430). 상기 수평 전계에 의해서, 상기 액정 분자들(310)은 상기 수평 전계의 전계 방향과 평행하게 배열된다.
상기 수평 전계가 형성된 상태에서, 상기 표시 기판(100) 및 상기 대향 기판(200) 중 어느 하나의 기판에서 상기 액정 조성물에 자외선을 조사한다(단계 S440).
도 7은 도 6에서 전계를 형성한 상태에서 자외선을 조사하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7을 도 6과 함께 참조하면, 상기 수평 전계가 형성된 상태에서 상기 액정 분자들(310)은 상기 수평 전계의 전계 방향과 평행하게 배열되고, 상기 액정 분자들(310) 사이에 상기 반응성 메조겐들(322) 및 상기 나노 막대들(330)이 배치된다. 상기 자외선이 제공되기 전에는 상기 반응성 메조겐들(322)은 각각이 독립적인 단량체로 상기 액정 분자들(310) 사이에 배치된다. 상기 반응성 메조겐들(322)의 거의 대부분이 서로 중합되어, 상기 액정층(300)에 개재된 조성물 전체 함량에 대해서 상기 반응성 메조겐들(322)의 함량과, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)의 함량은 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 수평 전계가 형성된 상태에서 상기 자외선이 조사되면 상기 반응성 메조겐들(322) 사이에 중합 반응이 일어난다. 상기 반응성 메조겐들(322)의 중합 반응으로 인해 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 형성된다.
도 8은 도 6에서 자외선이 조사된 후, 무전계 상태의 액정층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 도 6과 함께 참조하면, 상기 반응성 메조겐 중합체(320)가 형성된 후 상기 수평 전계를 제거하여 무전계 상태가 되면 상기 액정 분자들(310)은 다시 무질서한 상태로 상기 표시 기판(100)과 상기 대향 기판(200) 사이에 개재된다. 즉, 상기 자외선이 조사된 후의 무전계 상태의 액정층은 도 2에 도시된 액정층(300)과 실질적으로 동일한 상태가 된다.
무전계 상태에서 상기 수평 전계 상태로 변경되면 상기 표시 패널(500)은 화이트 영상을 표시한다. 이와 달리, 상기 무전계 상태에서 수직 전계 상태로 변경되면, 상기 표시 패널(500)은 블랙 영상을 표시한다.
상기에서 설명한 바에 따르면, 상기 액정층(300)이 상기 반응성 메조겐 중합체(320) 및 상기 나노 막대들(330)을 포함함으로써, 상기 배향막 없이도 용이하게 상기 액정 분자들(310)의 배열을 제어할 수 있다. 특히, 상기 표시 패널(500)의 블랙 모드와 화이트 모드를 수직 전계와 수평 전계만으로 구현할 수 있다. 이에 따라, 상기 배향막을 포함하지 않음으로써 상기 배향막에 의해서 상기 액정 분자들(310)의 움직임에 지연이 생기는 것을 방지할 수 있어, 상기 표시 패널(500)의 투과율 및 응답 속도를 향상시킬 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 반응성 메조겐, 나노 막대 및 포지티브 액정 조성물을 포함하는 액정층을 이용함으로써, 상기 반응성 메조겐 및 상기 나노 막대가 액정 분자들의 배향을 보조하여 배향막 없이도 상기 액정 분자들을 수직 전계 및 수평 전계를 이용하여 용이하게 제어할 수 있다. 상기 액정층은 높은 앵커링(anchoring) 에너지를 갖는 배향막이 아닌 전극들 사이에 개재됨으로써, 상기 액정 분자들의 응답 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 액정층에 상기 수직 전계와 상기 수평 전계가 동시에 형성되지 않더라도 상기 배향막이 없는 상태에서 상기 반응성 메조겐 및/또는 나노 막대들이 상기 액정 분자들의 배향을 보조하므로 투과율의 저하는 최소화될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
500: 표시 패널 100: 표시 기판
200: 대향 기판 300: 액정층
110, 210: 제1, 제2 베이스 기판 SW: 스위칭 소자
E1, E2, E3: 제1, 제2, 제3 전극 310: 액정 분자
320: 반응성 메조겐 330: 나노 막대
322: 반응성 액정 화합물 P1, P2: 제1, 제2 편광판

Claims (15)

  1. 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 기판;
    상기 제2 전극과 마주하는 제3 전극을 포함하는 대향 기판; 및
    상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되고, 액정 분자들, 반응성 메조겐 중합체 및 나노 막대들을 포함하는 액정층을 포함하고,
    상기 액정층의 내부에 배치된 반응성 메조겐 중합체의 함량이 상기 제2 및 제3 전극들 각각과 인접하게 배치된 반응성 메조겐 중합체의 함량보다 많은 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액정 분자들은
    양(positive)의 유전율 이방성(Δε)을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반응성 메조겐 중합체의 함량은
    상기 액정 분자들, 상기 반응성 메조겐 중합체 및 상기 나노 막대들의 전체 중량에 대해서 0 중량% 초과, 1 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 나노 막대들은
    헥사데실 트리메틸 암모늄 브로마이드(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, HTAB) 및 탄소 나노 튜브(carbon nano tube)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 나노 막대들의 전체 함량은
    상기 액정 분자들, 상기 반응성 메조겐 중합체 및 상기 나노 막대들의 전체 중량에 대해서 0 중량% 초과, 1 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서, 상기 액정층은
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극 각각과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 다수의 서브 전극들을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 서브 전극들이 형성된 영역 및 상기 서브 전극들 사이의 영역에 형성되며,
    상기 표시 기판은 상기 제1 및 제2 전극들 중에서 어느 하나와 연결된 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극들 각각에 서로 다른 전압이 인가되어 수평 전계가 형성된 경우에 상기 액정 분자들의 장축이 상기 수평 전계의 방향과 평행하게 배치되어 화이트를 나타내고,
    상기 제1 및 제2 전극들 중 어느 하나와 상기 제3 전극에 서로 다른 전압이 인가되어 수직 전계가 형성된 경우에 상기 액정 분자들의 장축이 상기 수직 전계의 방향과 평행하게 배치되어 블랙을 나타내는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  10. 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 기판과, 제3 전극을 포함하는 대향 기판을 상기 제2 전극과 상기 제3 전극이 마주하도록 결합시키는 단계;
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들, 반응성 메조겐들 및 나노 막대들을 포함하는 액정 조성물에 전계를 가하는 단계; 및
    상기 전계가 형성된 상태에서, 상기 액정 조성물에 자외선을 조사하여 반응성 메조겐 중합체를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 액정 조성물에 전계를 가하는 단계에서,
    상기 제1 및 제2 전극들 각각에 전압이 인가되어 형성된 수평 전계를 제공하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서, 상기 자외선을 조사하는 단계는
    상기 제1 및 제2 전극들 각각에 서로 다른 전압이 인가되어 상기 액정 분자들의 장축이 수평 전계의 방향과 평행하게 배치된 상태에서 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 한쪽에서 상기 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 액정 분자들은
    양(positive)의 유전율 이방성(Δε)을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 액정 분자들, 상기 반응성 메조겐들 및 상기 나노 막대들의 전체 중량에 대해서 상기 반응성 메조겐들의 전체 함량은 0 중량% 초과, 1 중량% 이하이고, 상기 나노 막대들의 전체 함량은 0 중량% 초과, 1 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 액정 조성물은
    상기 액정 조성물은 상기 제2 및 제3 전극들과 접촉하여 상기 제2 및 제3 전극들 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
KR1020110095999A 2011-09-23 2011-09-23 표시 패널 및 이의 제조 방법 KR101876945B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110095999A KR101876945B1 (ko) 2011-09-23 2011-09-23 표시 패널 및 이의 제조 방법
US13/524,507 US8994910B2 (en) 2011-09-23 2012-06-15 Display panel and method of manufacturing the display panel
US14/673,448 US9291864B2 (en) 2011-09-23 2015-03-30 Display panel and method of manufacturing the display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110095999A KR101876945B1 (ko) 2011-09-23 2011-09-23 표시 패널 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130032423A KR20130032423A (ko) 2013-04-02
KR101876945B1 true KR101876945B1 (ko) 2018-07-11

Family

ID=47910949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110095999A KR101876945B1 (ko) 2011-09-23 2011-09-23 표시 패널 및 이의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8994910B2 (ko)
KR (1) KR101876945B1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416504B2 (en) * 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102116106B1 (ko) * 2013-07-02 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20150043767A (ko) * 2013-10-15 2015-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널의 구동 방법 및 이를 수행하는 표시 장치
KR102159390B1 (ko) * 2013-11-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102199775B1 (ko) 2014-03-18 2021-01-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN106796369A (zh) * 2014-09-22 2017-05-31 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展公司 基于lc的光学显示系统
KR101651613B1 (ko) * 2014-11-25 2016-08-26 부산대학교 산학협력단 저주파 수평 스위칭 모드 액정표시장치
KR102363825B1 (ko) * 2015-03-05 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US10964857B2 (en) * 2015-05-30 2021-03-30 Universites Gent Planar aligned nanorods and liquid crystal assemblies
CN105629585A (zh) * 2016-01-13 2016-06-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板构造及其制作方法
KR102409705B1 (ko) * 2016-02-12 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102370488B1 (ko) 2016-03-15 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
KR102654168B1 (ko) * 2016-06-09 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
CN106842714A (zh) * 2017-01-03 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN107170763A (zh) * 2017-06-20 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006267514A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Sharp Corp 液晶表示装置
US20060267905A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus capable of controlling range of viewing angle
WO2007100136A1 (ja) * 2006-03-03 2007-09-07 The University Of Tokyo 液晶性組成物
KR20100057515A (ko) * 2008-11-21 2010-05-31 소니 주식회사 디스플레이 장치, 디스플레이 장치의 구동 방법 및 전자 장치
US20110096259A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and method of manufacturing display panel
US20110109858A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Chimei Innolux Corporation Vertical alignment liquid crystal display with directional electrodes
KR20110101387A (ko) * 2010-03-08 2011-09-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20110110475A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 동우 화인켐 주식회사 입체 화상 구현용 편광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7316789B2 (en) * 2004-11-02 2008-01-08 International Business Machines Corporation Conducting liquid crystal polymer nature comprising carbon nanotubes, use thereof and method of fabrication
CN101133348B (zh) * 2005-03-01 2010-09-08 荷兰聚合物研究所 介晶膜中的偏振光栅
KR101421627B1 (ko) * 2007-10-09 2014-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2010006420A1 (en) * 2008-07-14 2010-01-21 Lensvector Inc. Liquid crystal lens using surface programming
US8542336B2 (en) * 2009-11-27 2013-09-24 Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101223721B1 (ko) * 2010-03-11 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101742529B1 (ko) * 2010-12-23 2017-06-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006267514A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Sharp Corp 液晶表示装置
US20060267905A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus capable of controlling range of viewing angle
WO2007100136A1 (ja) * 2006-03-03 2007-09-07 The University Of Tokyo 液晶性組成物
KR20100057515A (ko) * 2008-11-21 2010-05-31 소니 주식회사 디스플레이 장치, 디스플레이 장치의 구동 방법 및 전자 장치
US20110096259A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the same and method of manufacturing display panel
US20110109858A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Chimei Innolux Corporation Vertical alignment liquid crystal display with directional electrodes
KR20110101387A (ko) * 2010-03-08 2011-09-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20110110475A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 동우 화인켐 주식회사 입체 화상 구현용 편광판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20130077038A1 (en) 2013-03-28
US9291864B2 (en) 2016-03-22
US8994910B2 (en) 2015-03-31
KR20130032423A (ko) 2013-04-02
US20150205173A1 (en) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101876945B1 (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
US9019453B2 (en) Liquid crystal display
KR101201848B1 (ko) 입체영상 변환패널 및 이를 갖는 입체영상 표시장치
KR101876558B1 (ko) 무안경 방식의 2차원/3차원 영상 표시장치
CN101387798B (zh) 液晶显示面板和使用其的lcd装置
CN107797342B (zh) 可切换液晶显示装置
JP2018510383A (ja) 液晶素子
WO2009109124A1 (zh) 视角可控的液晶显示装置及其驱动方法
CN1916702B (zh) 液晶显示器
CN103254910A (zh) 一种大光学各向异性的液晶组合物
US20150249818A1 (en) Stereoscopic display device
US9366909B2 (en) Image display device and liquid crystal lens
JP2015179100A (ja) 液晶表示装置
JP2014215347A (ja) 液晶パネル
JP6196385B2 (ja) 液晶表示装置
JP5760497B2 (ja) 液晶レンズ及び液晶レンズ製造用基材
KR20130104146A (ko) 편광의 위상지연 특성을 조절할 수 있는 고분자 분산형 액정 필름
KR101556817B1 (ko) 입체 영상 표시 장치
US20130271680A1 (en) Liquid crystal panel, and liquid crystal display
CN106597589A (zh) 狭缝光栅及立体显示装置
KR102041152B1 (ko) 영상표시장치
US9170460B2 (en) In-plane-switching mode liquid crystal panel, manufacturing process and display device thereof
US11181770B2 (en) Liquid crystal display panel and method for manufacturing same
JP2024070576A (ja) 視野角制御用液晶パネル、及び、表示装置
KR20050084733A (ko) 광학 필터 구조

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant