KR101876309B1 - Deposition Chamber and In-line Processing System Having the Same - Google Patents

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    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks

Abstract

기판의 박막형성 시 기판의 온도 상승을 방지할 수 있는 증발장치 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판의 박막형성이 이루어지는 공정 챔버에 내에서 이송되는 기판의 온도를 낮추기 위하여 공정 챔버의 내부에서 이송되는 기판과 증발장치 사이에 설치되는 적어도 하나의 냉각 플레이트를 포함함에 따라, 증발장치에서 제공되는 증발가스를 영향을 주지 않는 범위 내에서 냉각시켜 기판의 온도 상승을 방지할 수 있다.Disclosed is an evaporation apparatus and an inline processing system having the evaporation apparatus capable of preventing a temperature rise of a substrate when a thin film of a substrate is formed. The disclosed invention includes at least one cooling plate installed between a vaporizer and a substrate transported within the process chamber to lower the temperature of the substrate transferred into the process chamber where thin film formation of the substrate occurs, The temperature of the substrate can be prevented from rising by cooling the substrate in a range that does not affect the evaporation gas provided by the substrate.

Figure R1020120082355
Figure R1020120082355

Description

증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템{Deposition Chamber and In-line Processing System Having the Same}[0001] The present invention relates to a deposition chamber and an in-line processing system including the deposition chamber.

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a deposition chamber and an inline processing system including the same.

현재, 유기 발광 소자와 같은 평판 디스플레이 소자를 구성하는 박막들은 고온의 증발장치가 설치된 증착 챔버에서 증착된다. Currently, thin films constituting flat panel display devices such as organic light emitting devices are deposited in a deposition chamber equipped with a high temperature evaporator.

상기의 증발장치는 증발물질이 내부에 수용되는 도가니(Crucible)형 증발용기 및 이 증발용기의 외부에 설치되어 증발용기를 가열시키는 증발히터로 구성될 수 있다. The evaporation apparatus may include a crucible-type evaporation vessel in which evaporation material is accommodated, and an evaporation heater installed outside the evaporation vessel to heat the evaporation vessel.

여기서 증발히터는 외부 전압 및 전류 등에 의해 발열이 이루어지고, 증발히터의 발열에 의해 증발용기가 가열된다. 그리고 증발용기 내에 수용되는 증발물질은 그것의 용융점 이상으로 가열될 때, 증발이 이루어지면서 기판 표면에 증착된다. Here, the evaporation heater generates heat by external voltage and current, and the evaporation vessel is heated by the heat of the evaporation heater. When the evaporation material contained in the evaporation vessel is heated above its melting point, it evaporates and is deposited on the substrate surface.

한편, 유기 발광 소자의 캐소드 전극으로 주로 사용되고 있는 알루미늄막(Al)은 알려진 바와 같이, 증발용기를 1500 내지 1800℃까지 상승시켜야 증착이 가능하다. 이렇게 증발용기를 1000℃ 이상 상승시켜야 하는 경우, 증발용기로부터 발생되는 복사열이 그대로 기판에 전달되는 문제점이 있다. On the other hand, as is known, the aluminum film (Al), which is mainly used as a cathode electrode of an organic light emitting device, can be deposited by raising the evaporation vessel to 1500 to 1800 ° C. When the evaporation vessel is to be elevated by 1000 ° C or more, there is a problem that radiant heat generated from the evaporation vessel is directly transferred to the substrate.

즉, 상기의 기판에 복사열이 전달되는 경우, 기판 온도가 80℃ 이상 상승할 수 있다. 이렇게 기판의 온도가 80℃ 이상 상승되면, 기판 상에 기 증착된 유기 물질막이 열화되어 막질특성이 변할 수 있다.That is, when radiant heat is transferred to the substrate, the substrate temperature may rise by 80 ° C or more. If the temperature of the substrate is raised by 80 ° C or more, the organic material layer deposited on the substrate may be deteriorated to change the film quality.

나아가, 기판을 이송시키는 트레이를 예로 들면, 마스크 조립체 및 마그넷 유닛의 온도를 상승시키고, 이와 같이 온도가 상승된 트레이는 새로운 기판의 이송 시 그 열을 새로운 기판에 전달하여 추가적인 공정 불량을 야기한다. 그러므로, 고온 증착 공정 중 기판 온도 관리가 시급한 실정이다.Further, for example, in the case of a tray for transferring a substrate, the temperature of the mask assembly and the magnet unit is raised, and thus the tray with the raised temperature transfers the heat to the new substrate upon transfer of the new substrate, thereby causing additional process defects. Therefore, it is urgent to control the temperature of the substrate during the high-temperature deposition process.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 고온 증착 공정 시 기판의 온도 상승을 방지할 수 있는 증착 챔버 및 이를 포함하는 인라인 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a deposition chamber capable of preventing a temperature rise of a substrate during a high-temperature deposition process, and an inline processing system including the deposition chamber.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예의 증착 챔버에는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되고,According to an aspect of the present invention, there is provided an evaporation apparatus for evaporating an evaporation material and providing the evaporation material to a substrate,

상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위하여, 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.A first cooling plate disposed above the evaporation device for lowering the temperature of the radiant heat radiated from the evaporation device, and at least one second cooling plate disposed between the first cooling plate and the substrate, And a plate is installed.

상기 제1냉각 플레이트는 상기 증발장치의 크기에 대응되는 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.The first cooling plate has an evaporation gas passage hole corresponding to the size of the evaporation device.

상기 제2냉각 플레이트는 상기 증발가스 통과공에 모두 대응되는 또 다른 장공형상의 증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.And the second cooling plate is formed with another elongated ventilation gas passage hole corresponding to the evaporation gas passage hole.

상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스의 증발을 차폐하기 위한 제1셔터와, 상기 제1셔터의 상측에 설치되어 상기 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열을 차단하도록 개폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.A first shutter for shielding the evaporation of the evaporation gas provided in the evaporation apparatus, and a second shutter provided above the first shutter for opening and closing the evaporation material and the radiant heat generated by the evaporation apparatus, And a second shutter is provided.

상기의 목적을 달성하기 위한 인라인 처리 시스템은, 기판에 박막을 형성하기 위한 증착 챔버를 포함하고,An inline processing system for achieving the above object includes a deposition chamber for forming a thin film on a substrate,

상기 증착 챔버는 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 증발장치가 설치되는 증발 영역과, 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스에 의해 기판 상에 박막이 증착되는 증착 영역으로 구분되고,Wherein the deposition chamber is divided into an evaporation area where an evaporation device for evaporating the evaporation material and providing the evaporation material to the substrate and a deposition area where a thin film is deposited on the substrate by the evaporation gas provided by the evaporation device,

상기 증발 영역에는 상기 증발장치의 상측에 배치되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.The evaporation zone is provided with a first cooling plate disposed above the evaporator and at least one second cooling plate disposed between the first cooling plate and the substrate.

상기 증발장치는 상기 증착 챔버의 내부에서 기판의 이송방향을 따라 복수의 조가 연속적으로 배치되고,Wherein the evaporation apparatus is configured such that a plurality of tanks are successively disposed along the transport direction of the substrate in the deposition chamber,

상기 각 조의 증발장치는 다수 개가 마련된 것을 특징으로 한다.And a plurality of evaporation apparatuses of the respective groups are provided.

상기 제1냉각 플레이트에는 상기 각 조의 증발장치에 대응되는 다수의 제1증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.And the first cooling plate has a plurality of first evaporation gas holes corresponding to the evaporators of the respective tanks.

상기 제1냉각 플레이트에는 회전 또는 선형 구동에 의해 상기 제1냉각 플레이트의 제1증발가스 통과공을 차페하는 제1셔터가 마련된 것을 특징으로 한다.And the first cooling plate is provided with a first shutter for crushing the first evaporation gas passage hole of the first cooling plate by rotation or linear driving.

상기 제2냉각 플레이트에는 상기 다수의 제1증발가스 통과공에 모두 대응하는 제2증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.And a second evaporation gas passage hole corresponding to the plurality of first evaporation gas passage holes is formed in the second cooling plate.

상기 제2냉각 플레이트의 상측에는 상기 제2증발가스 통과공을 차폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 한다.And a second shutter for shielding the second evaporative gas passage hole is provided on the second cooling plate.

상기 증착 영역에는 상기 기판 및 상기 제2냉각 플레이트의 사이에 설치되는 적어도 하나의 제3냉각 플레이트와, 상기 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 한다.At least one third cooling plate provided between the substrate and the second cooling plate, and a fourth cooling plate provided above the substrate.

상기 제3냉각 플레이트에는 상기 한 조의 다수의 증발장치로부터 기판에 증발가스가 제공될 수 있도록 장공형상의 제3증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 한다.The third cooling plate is formed with a third evaporation gas passage hole in the form of a long hole so that evaporation gas can be supplied to the substrate from the plurality of evaporation devices in the set.

상기 증착 영역은 상기 한 조의 증발장치의 위치에 따라 성막 영역과 비성막 영역으로 한정되며,Wherein the deposition region is defined as a deposition region and a non-deposition region according to the position of the evaporation apparatus,

상기 제3냉각 플레이트는 비성막 영역에 배치되고,The third cooling plate is disposed in the non-film area,

상기 제4냉각 플레이트는 성막 영역과 비성막 영역 중 적어도 하나의 영역에 배치된 것을 특징으로 한다.And the fourth cooling plate is disposed in at least one of the film forming region and the non-film forming region.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 증착 챔버 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템은, 제1,2,3,4냉각 플레이트를 구비함에 따라 성막 영역에서 기판의 온도가 상승되더라도, 비성막 영역에서 기판의 온도를 낮출 수 있고, 이로 인해 기판의 온도 상승에 따른 추가적인 공정 불량을 방지할 수 있다. As described above, according to the deposition chamber of the present invention and the inline processing system having the same, the first, second, third, and fourth cooling plates are provided to increase the temperature of the substrate in the non- So that it is possible to prevent an additional process failure due to the temperature rise of the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 인라인 처리 시스템 중 선택되는 하나의 공정 챔버의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 챔버의 증발영역을 발췌하여 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 증착 챔버 중 증발영역의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a schematic view of an inline processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of one selected process chamber of the inline processing system of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating an evaporation region of a deposition chamber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view schematically showing a configuration of an evaporation region of the deposition chamber shown in FIG. 3; FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성요소들의 크기가 과장 또는 축소될 수 있고, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to fully inform the owner of the scope of the invention. Also, for convenience of description, the size of components may be exaggerated or reduced in the drawings, and like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a schematic view of an inline processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 인라인 처리 시스템(1)은 기판 상에 박막을 증착하기 위한 것으로서, 얼라인 챔버(10), 트랜스퍼 챔버(20), 공정 챔버(30), 디테치 챔버(40)를 포함하며, 얼라인 챔버(10)로부터 디테치 챔버(40)로 이동하는 기판은 각 챔버(10,20,30,40) 내에 마련된 기판 이송유닛(미도시)에 의해 지정된 방향으로 이송된다. 기판 이송유닛은 선형 레일, 이동식 컨베이어 벨트, 다수의 이송롤러 등으로 구성될 수 있다.Referring to Figure 1, an inline processing system 1 of the present invention is for depositing a thin film on a substrate and includes an alignment chamber 10, a transfer chamber 20, a process chamber 30, a detent chamber 40 , And a substrate moving from the alignment chamber 10 to the detachment chamber 40 is transported in a direction specified by a substrate transfer unit (not shown) provided in each chamber 10, 20, 30, 40 . The substrate transfer unit may be composed of a linear rail, a movable conveyor belt, a plurality of conveying rollers, and the like.

먼저, 얼라인 챔버(10)에서는 처리부재 즉, 기판과 트레이가 정렬된다. 여기서 트레이는 마스크 조립체와, 이 마스크 조립체를 기판에 밀착시키기 위한 마그넷 유닛을 포함한다. First, in the aligning chamber 10, the processing member, that is, the substrate and the tray are aligned. Wherein the tray includes a mask assembly and a magnet unit for bringing the mask assembly into close contact with the substrate.

트랜스퍼 챔버(20)에서는 얼라인 챔버(10)에서 정렬이 완료된 처리부재가 공정 챔버(30)로 안내된다.In the transfer chamber 20, the aligned processing member is guided to the process chamber 30 in the alignment chamber 10.

공정 챔버(30,증착 챔버)는 복수의 챔버들이 일렬로 배열되도록 구성되는데, 각각의 챔버들은 목적하는 바에 따른 종류 및 양의 소스가 배출되어 공정 챔버(30)를 이동하는 기판에 목적하는 물질이 각각 증착된다.A process chamber 30 (deposition chamber) is configured such that a plurality of chambers are arranged in a row, with each chamber having a source of the desired type and quantity discharged thereon, Respectively.

디테치 챔버(40)에서는 공정이 완료된 처리부재 즉, 기판과 트레이를 분리한다. 이와 같이 디테치 챔버(40)에서 분리된 기판은 후속 공정을 위해 또 다른 챔버로 제공되고, 분리된 트레이는 다시 공정 챔버(30)를 통해 트랜스퍼 챔버(20)로 회송된다.
In the detent chamber 40, the processing member, i.e., the substrate and the tray are separated from each other. The substrate thus separated from the detent chamber 40 is provided to another chamber for subsequent processing and the separated tray is again returned to the transfer chamber 20 through the processing chamber 30. [

도 2는 도 1의 인라인 처리 시스템의 선택되는 하나의 공정 챔버의 일예를 보여주는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 챔버 중 증발영역을 발췌하여 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 증발 영역에 구비된 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of one selected process chamber of the inline processing system of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an evaporation region of a deposition chamber according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a perspective view schematically showing a structure of the evaporation area shown in FIG. 3; FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기의 공정 챔버(30) 즉, 증착 챔버는 증발 영역과(C1)과, 증착 영역(C2)로 구분될 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, the process chamber 30, that is, the deposition chamber may be divided into an evaporation region C1 and a deposition region C2.

먼저. 증발 영역(C1)은 증착 영역(C2)의 하측에 위치되는데, 이러한 증발 영역(C1)에는 기판에 박막을 형성하기 위한 고온의 증발가스를 제공하는 증발장치(31)가 설치된다. first. The evaporation area C1 is located below the evaporation area C2. The evaporation area C1 is provided with an evaporation device 31 for providing a high-temperature evaporation gas for forming a thin film on the substrate.

이때의 증발장치(31)는 최근 대형화되고 있는 기판에 원활히 증발가스를 제공하기 위하여 다수 개가 한 조를 이루어 마련되는데, 본 발명의 일 실시예에서는 도시된 바와 같이 예를 들어, 2개의 조가 배치되고, 각 조는 다수 개 예를 들어, 3개의 증발장치(31)가 모여 한 조를 이루었다. At this time, in order to smoothly supply the evaporation gas to the substrate that has recently been enlarged, the evaporator 31 is provided with a plurality of sets. In an embodiment of the present invention, for example, two sets are arranged , And each group is composed of a plurality of, for example, three evaporators 31.

상기의 증발장치(31)는 증발용기(311)와, 증발히터(313) 및 하우징부재(315)를 포함한다.The evaporator 31 includes an evaporation vessel 311, an evaporation heater 313, and a housing member 315.

증발용기(311)는 도시된 바와 같이 도가니형으로 마련되어 처리부재 중 기판에 박막의 증착을 위한 증발물질이 수용된다. 이러한 증발용기(311)는 고온에 내구성이 보장될 수 있는 재질이 다양하게 사용될 수 있다.The evaporation vessel 311 is furnished as a crucible as shown in the figure, and evaporation material for deposition of a thin film is accommodated in the substrate of the processing member. The evaporation vessel 311 may be made of various materials capable of ensuring high temperature and durability.

증발히터(313)는 증발용기(311)의 외측에 배치되어 증발용기(311)를 가열한다. 이러한 증발히터(313)는 증발용기(311)의 상하 길이방향을 따라 배치되는 가열부재들이 일정 간격을 두고 원주방향으로 배열된다. 이때의 각 가열부재는 전원을 공급하면 내부 저항에 의해 열을 방출하는 열선으로 이루어지는 것이 바람직하다.The evaporation heater 313 is disposed outside the evaporation vessel 311 to heat the evaporation vessel 311. The evaporation heaters 313 are arranged in the circumferential direction at regular intervals with the heating members disposed along the vertical direction of the evaporation vessel 311. It is preferable that each of the heating members at this time is made of a heat line which radiates heat by an internal resistance when power is supplied.

하우징부재(315)는 증발용기(311) 및 증발히터(313)를 감싸도록 마련되는데, 이러한 하우징부재(315)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 그 상부 일부가 돌출되도록 내삽된다.
The housing member 315 is arranged to surround the evaporation vessel 311 and the evaporation heater 313 such that the housing member 315 is inserted into the bottom surface 30a of the process chamber 30 so that a part of the upper portion thereof protrudes .

한편, 본 발명의 증착 챔버에서 증발 영역(C1)에는 증발용기로부터 발생되는 복사열이 그대로 기판에 전달되어 기판의 온도가 상승되고, 이에 따른 페일(기 증착된 유기 박막의 막질 특성의 열화 및 기판을 이송하는 트레이의 온도 상승에 따른 추가적인 공정 불량)을 방지하기 위한 구조를 포함한다.In the evaporation chamber C1 of the present invention, radiant heat generated from the evaporation vessel is directly transferred to the substrate to raise the temperature of the substrate. As a result, the failure (deterioration of the film quality of the deposited organic thin film, And an additional process failure due to the temperature rise of the transfer tray).

구체적으로, 증발 영역(C1)에는 증발장치(31)에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위한 냉각 플레이트와, 비공정 구간 즉, 비성막 영역(A)에서 증발물질의 증발을 차폐하기 위한 셔터가 설치된다. Specifically, the evaporation area C1 is provided with a cooling plate for lowering the temperature of the radiant heat radiated from the evaporator 31, and a shutter for shielding the evaporation of the evaporation material in the non-film area A do.

즉, 본 실시예의 공정 챔버(30)의 증발 영역(C1)에는 예를 들어, 한 조를 이루는 증발장치에 대응되는 제1,2냉각 플레이트(40,50)와, 제1,2셔터(60,70)가 설치된다.That is, in the evaporation area C1 of the process chamber 30 of the present embodiment, for example, the first and second cooling plates 40 and 50 corresponding to a pair of evaporation devices and the first and second shutters 60 and 60 , 70 are installed.

제1냉각 플레이트(40)는 한 조를 이루는 증발장치(31)의 외측에 설치된다. 이때 각 증발장치(31)는 상술한 바와 같이 그 상단이 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)으로부터 일정 부분 돌출된 형상으로 마련되는데, 제1냉각 플레이트(40)는 상기의 증발장치(31)의 돌출된 부분을 감싸도록 마련된다. The first cooling plate (40) is installed outside the vaporizing device (31) forming a set. The upper end of each evaporator 31 is formed to protrude from the bottom surface 30a of the process chamber 30. The first cooling plate 40 is connected to the evaporator 31 As shown in Fig.

이를 위해 제1냉각 플레이트(40)에는 그것에 의해 증발가스의 차폐가 이루어지지 않도록, 각 증발장치(31)에 대응되는 다수의 증발가스 통과공(41)이 형성된다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예와 같이 3개의 증발장치(31)가 한 조를 이루는 경우 제1냉각 플레이트(40)에는 3개의 증발장치(31)에 대응되도록 3개의 증발가스 통과공(41)이 형성된다.To this end, the first cooling plate 40 is formed with a plurality of evaporation gas holes 41 corresponding to the respective evaporation apparatuses 31 so that the evaporation gas is not shielded. For example, in a case where three evaporators 31 form a set as in the embodiment of the present invention, three evaporation gas pass holes (not shown) are formed in the first cooling plate 40 so as to correspond to the three evaporators 31 41 are formed.

더불어 제1냉각 플레이트(40)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 수직하게 설치되는 지지축에 지지 및 고정되고, 각 증발장치(31)를 개폐할 수 있도록 후술할 제1셔터(60)가 힌지 결합되는 고정축(45)이 삽입되는 삽입공(43)을 포함한다.The first cooling plate 40 is supported and fixed to a support shaft vertically installed on the bottom surface 30a of the process chamber 30 and includes a first shutter And an insertion hole 43 into which a fixing shaft 45 to be hinged is inserted.

제2냉각 플레이트(50)는 도시된 바와 같이 제1냉각 플레이트(40)의 상측에 배치된다. 이러한 제2냉각 플레이트(50)는 본 발명의 일 실시예와 같이 일정 크기를 갖는 기판 상에 증발가스를 원활히 제공할 수 있도록, 즉, 한 조를 이루는 3개의 증발장치(31) 모두에서 증발가스를 제공할 수 있도록, 장공형상의 또 다른 증발가스 통과공(51)이 형성된다. 이러한 증발가스 통과공(51)은 증발장치(31)로부터 기판에 제공되는 증발가스를 간섭하지 않는 크기로 다수개가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기의 증발가스 통과공(51)은 제1냉각 플레이트(40)에 형성된 증발가스 통과공들(41)을 모두 대응할 수 있도록 마련된다.The second cooling plate 50 is disposed above the first cooling plate 40 as shown. This second cooling plate 50 is used to smoothly supply the evaporation gas on the substrate having a predetermined size as in the embodiment of the present invention, that is, in the three evaporation apparatuses 31 constituting one set, So that another evaporation gas passage hole 51 of a long hole shape is formed. The evaporation gas passage holes 51 may be formed in such a size as not to interfere with the evaporation gas supplied to the substrate from the evaporation device 31. In other words, the evaporation gas passage hole 51 is provided so as to correspond to all the evaporation gas passage holes 41 formed in the first cooling plate 40.

또, 상기의 제2냉각 플레이트(50)는 증착 챔버 내에 수용될 수 있으면 다수 개가 마련될 수도 있다.In addition, a plurality of the second cooling plates 50 may be provided as long as they can be accommodated in the deposition chamber.

다시 말하면, 본 발명에서는 한 조를 이루는 증발장치(311)와 근접하게 설치되는 제1냉각 플레이트(40)와, 이 제1냉각 플레이트(40)의 상측에 배치되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트(50)를 포함할 수 있다. In other words, in the present invention, a first cooling plate 40 installed close to the evaporator 311 constituting a set, and at least one second cooling plate 40 disposed above the first cooling plate 40 50).

그리고 상기의 냉각 플레이트들(40,50)은 냉각가스, 탈이온수 및 칠러(Chiller) 등을 냉각매체로 포함할 수 있으며, 상술한 물질에 한정되지 않고 냉각하는 기능할 갖는 매체 또는 구조이면 모두 사용될 수 있다. 또, 상기의 냉각 플레이트들(40,50)은 증발용기(311)에 수용된 증발물질에 영향을 주지 않는 범위 내에서 증발가스를 냉각시킨다.
The cooling plates 40 and 50 may include a cooling gas, a deionized water, a chiller, or the like as a cooling medium. The cooling plates 40 and 50 are not limited to the above-described materials. . In addition, the cooling plates 40 and 50 cool the evaporation gas within a range that does not affect the evaporation material accommodated in the evaporation vessel 311.

제1셔터(60)는 증발장치(31)로부터 증발되는 증발물질이 불필요하게 증착 챔버 내부에 증착되는 것을 방지하기 위해 마련된다. 즉, 제1셔터(60)를 폐쇄하면 증발장치(31)에서 증발가스를 계속 제공되지만 이 제1셔터(60)의 저면에 증착되므로 증착 챔버 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.The first shutter 60 is provided to prevent evaporation material evaporated from the evaporation device 31 from being unnecessarily deposited inside the deposition chamber. That is, when the first shutter 60 is closed, evaporation gas is continuously supplied from the evaporator 31, but it is deposited on the bottom surface of the first shutter 60, so that contamination of the inside of the deposition chamber can be prevented.

이러한 제1셔터(60)는 도시된 바와 같이 증발장치(31) 및 제1냉각 플레이트(40)의 상측에서 근접하게 이격 설치된다. 예를 들면, 제1셔터(60)는 증발장치(31)의 상단으로부터 대략 10 ~ 50mm의 높이에 설치될 수 있다. The first shutter 60 is spaced apart from the upper side of the evaporator 31 and the first cooling plate 40 as shown in FIG. For example, the first shutter 60 may be installed at a height of approximately 10 to 50 mm from the top of the evaporator 31.

상기의 제1셔터(60)는 상술한 고정축(45)에 힌지 결합되는데, 고정축(45)의 회전에 연동되어 증발장치(31)를 개폐한다. 이를 위해 고정축(45)에는 이 고정축(45)을 회전시키는 구동모터(미도시)가 설치될 수 있다. 이때, 제1셔터(60)는 증발장치(31)의 개폐를 위해 상술한 수단 이외에 다양한 수단(예를 들면, 실린더에 의한 개폐 등)이 사용될 수도 있다.The first shutter 60 is hinged to the fixed shaft 45 and opens and closes the evaporator 31 in conjunction with rotation of the fixed shaft 45. To this end, a driving motor (not shown) for rotating the fixed shaft 45 may be installed on the fixed shaft 45. At this time, various means (for example, opening and closing by a cylinder, etc.) other than the above-described means for opening and closing the evaporator 31 may be used for the first shutter 60.

제2셔터(70)는 증발장치(31)가 증발에 필요한 온도에 도달하기 이전, 증발에 필요한 증발량에 도달하기 이전, 증발량이 안정화되기 이전, 또는 증발물질을 전부 소진한 후 냉각되는 과정에서 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열이 기판과 트레이 및 이들을 이송하는 기판 이송 유닛에 전달되는 것을 최대한 차단하기 위해 마련된다. The second shutter 70 evaporates before the evaporator 31 reaches the temperature required for evaporation, before it reaches the evaporation amount necessary for evaporation, before the evaporation amount stabilizes, or after the evaporation material is completely exhausted, The evaporation material and the radiant heat generated in the apparatus are prevented from being transmitted to the substrate and the tray and the substrate transfer unit for transferring them.

이러한 제2셔터(70)는 도시된 바와 같이 제2냉각 플레이트(50)의 상측에 설치된다. This second shutter 70 is installed above the second cooling plate 50 as shown.

예를 들면, 제2셔터(70)는 증발장치(31)의 상단으로부터 대략 300 ~ 500mm의 높이에 설치될 수 있다. 이를 위해 제2셔터(70)는 공정 챔버(30)의 바닥면(30a)에 수직하게 세워지는 별도의 지지축(미도시)에 의해 지지 가능하게 설치된다.For example, the second shutter 70 may be installed at a height of approximately 300 to 500 mm from the top of the evaporator 31. To this end, the second shutter 70 is installed to be supported by a separate support shaft (not shown) which is erected perpendicular to the bottom surface 30a of the process chamber 30. [

상기의 제2셔터(70)는 긴 장공형상의 증발가스 통과공(51)을 갖는 제2냉각 플레이트(50)의 상측에서 수평방향(제2냉각 플레이트의 짧은 측면 사이의 폭방향)으로 슬라이딩 가능하게 마련되는데, 이를 위해 제2냉각 플레이트(50)의 전후방향에는 제2셔터(70)의 슬라이딩을 위한 레일(71)이 배치된다. 다시 말하면 제2셔터(70)는 상술한 레일(71)을 따라 수평방향으로 안내될 수 있다. 또, 본 발명에서는 제2셔터(70)가 슬라이딩 가능할 수 있으면 레일 이외에 다른 다양한 수단이 설치되는 것도 무방하다.
The second shutter 70 is slidable in the horizontal direction (the width direction between the short side surfaces of the second cooling plate) on the upper side of the second cooling plate 50 having the elongated ventilation gas passage hole 51 For this purpose, a rail 71 for sliding the second shutter 70 is disposed in the front-rear direction of the second cooling plate 50. In other words, the second shutter 70 can be guided in the horizontal direction along the rail 71 described above. In the present invention, various means other than the rail may be provided if the second shutter 70 can be slidable.

증착 영역(C2)에는 마주하는 측벽에 게이트(G1,G2)가 설치되고, 이러한 게이트(G1,G2)를 통해 박막이 증착될 기판을 포함하는 처리부재가 반입 및 반출된다. Gates G1 and G2 are provided on the side wall opposite to the deposition region C2 and a processing member including the substrate on which the thin film is to be deposited is loaded and unloaded through the gates G1 and G2.

여기서 처리부재는 얼라인 챔버(10)에서 정렬이 완료된 기판과 트레이(마스크 조립체과 마그넷 유닛)으로서, 기판의 박막 증착면이 증발장치(31)를 향하도록 반입되고, 일측 게이트(G1)를 통해 반입된 처리부재는 기판 이송유닛을 통해 타측 게이트(G2)로 반출된다. Here, the processing member is a substrate and a tray (mask assembly and magnet unit) that have been aligned in the aligning chamber 10 and are brought in such that the thin film deposition surface of the substrate is directed toward the evaporation device 31, The processing member is transported to the other-side gate G2 through the substrate transfer unit.

그리고 증착 영역(C2)에는 증발 영역(C1)과 마찬가지로 이 증착 영역(C2)에서 이송되는 처리부재에 포함된 기판의 온도를 낮추기 위한 다수의 냉각 플레이트(80,90)가 설치된다. The evaporation area C2 is provided with a plurality of cooling plates 80 and 90 for lowering the temperature of the substrate included in the processing member conveyed in the evaporation area C2 as in the evaporation area C1.

본 발명의 일 실시예에서는 도시된 바와 같이 기판의 하측에 설치되는 제3냉각 플레이트(80)와, 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트(90)를 포함한다. In an embodiment of the present invention, as shown in the figure, a third cooling plate 80 installed on the lower side of the substrate and a fourth cooling plate 90 installed on the upper side of the substrate are included.

제3냉각 플레이트(80)는 기판 이송경로의 하부, 즉, 기판의 박막 증착면과 마주하는 위치에 설치된다. 부연 설명하면 제3냉각 플레이트(80)는 비성막 영역(A)에 위치될 수 있는데, 증착 영역(C2)의 공간 여유가 있으면 더 많은 개수로 설치될 수도 있다.The third cooling plate 80 is installed below the substrate transfer path, that is, at a position facing the thin film deposition surface of the substrate. In other words, the third cooling plate 80 may be located in the non-deposition area A, but may be provided in a larger number if there is a space margin in the deposition area C2.

이때, 성막 영역(B)은 증발용기(311) 내의 증발물질의 표면으로부터 ±COSnθ(여기서, n은 상수) 구간에 해당함에 따라, 제3냉각 플레이트(80)는 상술한 제2냉각 플레이트(50) 보다 긴 폭을 갖는 장공형상의 증발가스 통과공(81)이 형성될 수 있다. 즉, 제3냉각 플레이트(80)는 제2냉각 플레이트(50)와 마찬가지로 그것에 의해 증발가스의 차폐가 이루어지지 않도록 위치시키는 것이 중요하다.At this time, as the film forming region B corresponds to the interval ± COSnθ (where n is a constant) from the surface of the evaporation material in the evaporation vessel 311, the third cooling plate 80 is in contact with the second cooling plate 50 The long-hole-shaped evaporation gas passage hole 81 can be formed. In other words, it is important that the third cooling plate 80 is positioned so that the evaporation gas is not shielded by the second cooling plate 50.

제4냉각 플레이트(90)는 기판 이송경로의 상측 즉, 기판의 뒷면에 위치될 수 있다. 이러한 제4냉각 플레이트(90)는 비성막 영역(A) 및 성막 영역(B) 중에서 적어도 하나의 영역에 위치될 수 있다. The fourth cooling plate 90 may be located on the upper side of the substrate transfer path, that is, on the back side of the substrate. The fourth cooling plate 90 may be located in at least one of the non-film area A and the film formation area B.

이때, 기판의 뒷면에는 어떠한 소자층도 형성되지 않으므로, 제4냉각 플레이트(90)는 비성막 영역(A) 및 성막 영역(B)의 구분 없이 배치될 수도 있다.At this time, since no element layer is formed on the back side of the substrate, the fourth cooling plate 90 may be arranged without distinguishing between the non-film region A and the film region B.

상기의 제3,4냉각 플레이트(80,90)는 제1,2냉각 플레이트(40,50)와 마찬가지로 냉각 가스, 탈이온수 및 칠러 등을 냉각 매체로 포함할 수 있으며, 상기의 물질에 한정되지 않고 냉각하는 기능을 갖는 매체 또는 구조이면 모두 사용될 수 있다.
As with the first and second cooling plates 40 and 50, the third and fourth cooling plates 80 and 90 may include cooling gas, deionized water, chiller, or the like as a cooling medium. It can be used as long as it has a function of cooling.

이하에서는 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 증착 챔버 및 이를 갖는 인라인 처리 시스템의 작동 및 이에 따른 효과를 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, operations of the deposition chamber and the inline processing system having the above-described structure of the present invention and the effects thereof will be described.

본 발명에서 공정 챔버(30) 즉, 증착 챔버의 내부로 반입되는 기판은 비성막 영역(A)을 지나면서 다수의 냉각 플레이트(40,50,80,90)에 의해 상하로부터 냉기를 제공받아 온도가 감소된다. 특히, 제1,2냉각 플레이트(40,50)는 증발장치(31)에서 발생되는 복사열을 냉각시키고, 제3,4냉각 플레이트(80,90)는 이송되는 기판을 냉각시킨다.In the present invention, the process chamber 30, that is, the substrate to be transferred into the deposition chamber, is supplied with cool air from above and below by a plurality of cooling plates 40, 50, 80, . In particular, the first and second cooling plates 40 and 50 cool the radiant heat generated in the evaporator 31, and the third and fourth cooling plates 80 and 90 cool the transferred substrate.

이 후 기판이 성막 영역(B)에 진입되면 증발 영역(C1) 내부에 설치된 제1,2셔터(60,70)가 개방되고, 이로 인해 증발장치(31)로부터 기화되는 증발가스들이 기판의 표면에 흡착되어 소정의 박막(미도시)이 증착된다. Subsequently, when the substrate enters the film formation region B, the first and second shutters 60 and 70 provided in the evaporation region C1 are opened, so that the evaporation gases, which are vaporized from the evaporation device 31, And a predetermined thin film (not shown) is deposited.

이때, 본 발명에서는 기판의 성막 영역의 진입과정에서 제1,2셔터(60,70)가 개방됨에 따라 증발장치(31)의 증발가스가 불필요하게 챔버 내부를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 동시에 증발가스의 증발량 안정화를 꾀할 수 있다. 물론 제1,2셔터(60,70)는 기판이 성막 영역에 진입되기 전에 개방될 수도 있다. At this time, in the present invention, since the first and second shutters 60 and 70 are opened in the process of entering the film forming region of the substrate, it is possible to prevent the evaporation gas of the evaporator 31 from unnecessarily contaminating the inside of the chamber, The evaporation amount of the gas can be stabilized. Of course, the first and second shutters 60 and 70 may be opened before the substrate enters the film formation region.

상기의 과정에서 기판은 증발되는 가스들에 의해 온도 상승이 이루어질 수 있는데, 본 발명에서는 성막을 마친 기판이 다시 비성막 영역에 진입함에 따라 비성막 영역에 설치된 제1,2,3냉각 플레이트(40,50,80) 및 전 영역에 설치된 제4냉각 플레이트(90)의 냉기를 전달 받아 온도 하강이 이루어진다.
In the above process, the temperature of the substrate may be raised by the gases to be evaporated. In the present invention, the first, second, and third cooling plates 40 , 50, and 80, and the fourth cooling plate 90 installed in the entire area.

알려진 바와 같이, 증발가스가 직접적으로 충돌되는 기판의 박막 증착면은 그것의 뒷면에 비해 온도 상승이 큰 편이다. 그러나 본 발명에서는 공정 챔버(30)의 내부에 다수의 냉각 플레이트(40,50,80,90)가 설치된다. 이에 따라 성막 영역에서 기판의 온도가 상승되더라도, 비성막 영역에서 기판의 온도를 낮출 수 있어 기판의 온도 상승에 따른 기판 상에 기 증착된 물질막들의 막질 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.As is known, a thin film deposition surface of a substrate on which evaporation gas is directly impinged has a larger temperature rise than its back surface. However, in the present invention, a plurality of cooling plates (40, 50, 80, 90) are installed inside the process chamber (30). Accordingly, even if the temperature of the substrate is raised in the film forming region, the temperature of the substrate in the non-film region can be lowered, and the film quality characteristics of the material films deposited on the substrate due to the temperature rise of the substrate can be prevented from deteriorating.

더불어 본 발명에서 공정 챔버(30)의 증발 영역(C1)에는 제1,2셔터가 설치된다. 이에 따라 증발장치(31)로부터 발생되는 높은 온도의 복사열이 기판에 전달되는 최대한 억제하고, 챔버 내부가 증발가스로 인해 불필요하게 오염되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, the first and second shutters are installed in the evaporation region C1 of the process chamber 30. Accordingly, it is possible to suppress radiant heat of high temperature generated from the evaporator 31 from being transmitted to the substrate as much as possible, and prevent the inside of the chamber from being unnecessarily contaminated by the evaporation gas.

또, 본 발명에서 기판은 비성막 영역(A)을 거치면서, 원래의 온도 상태로 안정화가 이루어짐에 따라 기판 내에 내재된 잠열을 제거할 수 있고, 나아가 기판을 이송시키는 트레이의 온도가 상승되어 새 기판의 이송 시 추가적인 공정 불량이 야기되는 것을 방지할 수 있다.
Further, in the present invention, as the substrate is stabilized in the original temperature state while passing through the non-film region A, the latent heat contained in the substrate can be removed, and furthermore, the temperature of the tray for transporting the substrate is raised, It is possible to prevent additional process defects from being caused in transferring the substrate.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. will be.

따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

1 : 인라인 처리 시스템 10 : 얼라인 챔버
20 : 트랜스퍼 챔버 30 : 공정 챔버
30a : 공정챔버의 바닥면 31 : 증발장치
40 : 제1냉각 플레이트 41 : 증발가스 통과공
43 : 삽입공 45 : 고정축
50 : 제2냉각 플레이트 51 : 증발가스 통과공
60 : 제1셔터 70 : 제2셔터
80 : 제3냉각 플레이트 81 : 증발가스 통과공
90 : 제4냉각 플레이트 C1 : 증발 영역
C2 : 증착 영역1: inline processing system 10: alignment chamber
20: Transfer chamber 30: Process chamber
30a: bottom surface of the process chamber 31: evaporator
40: first cooling plate 41: evaporation gas passage hole
43: insertion hole 45: fixed shaft
50: second cooling plate 51: evaporation gas passage hole
60: first shutter 70: second shutter
80: third cooling plate 81: evaporation gas passage hole
90: fourth cooling plate C1: evaporation zone
C2: deposition area

Claims (13)

기판의 박막 형성을 위한 증착 챔버에 있어서,
상기 증착 챔버의 내부에서 상기 기판의 이송 방향을 따라 배치되는 복수의 증발장치 조를 포함하고, 각 증발장치 조는 상기 기판의 이송 방향과 수직하는 방향으로 배열되어 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 복수의 증발장치를 구비하며,
상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 방사되는 복사열의 온도를 낮추기 위하여, 상기 각 증발장치 조의 상측에 각각 배치되고 한 조에 포함된 복수의 증발장치로부터 제공되는 증발물질을 각각 통과시키는 복수의 제1증발가스 통과공이 형성되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되고 상기 제1냉각 플레이트에 포함되는 상기 복수의 제1증발가스 통과공을 통과하여 각각 제공되는 증발물질을 통과시키는 장공형의 제2증발가스 통과공이 형성되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.In a deposition chamber for forming a thin film of a substrate,
And a plurality of evaporator tanks arranged in the deposition chamber along the transfer direction of the substrate, each of the evaporator tanks being arranged in a direction perpendicular to the transfer direction of the substrate to vaporize the evaporation material to provide the plurality And an evaporator of the evaporator,
And a plurality of first evaporation units disposed in the upper portion of each of the evaporator units for passing the evaporation materials provided from the plurality of evaporation units included in the plurality of evaporator units, respectively, for lowering the temperature of radiant heat radiated from the evaporation unit, A first cooling plate formed between the first cooling plate and the substrate and having a plurality of first evaporation gas passage holes provided in the first cooling plate, Wherein at least one second cooling plate is provided in which a second evaporation gas passage hole having a long, narrowed shape is formed. 제1항에 있어서,
상기 제1증발가스 통과공의 크기는 상기 증발장치의 크기에 대응하는 것을 특징으로 하는 증착 챔버.The method according to claim 1,
And the size of the first evaporation gas passage hole corresponds to the size of the evaporation apparatus. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 증착 챔버의 내부에는 상기 증발장치에서 제공되는 증발가스의 증발을 차폐하기 위한 제1셔터와, 상기 제1셔터의 상측에 설치되어 상기 증발장치에서 발생되는 증발물질 및 복사열을 차단하도록 개폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 증착 챔버.The method according to claim 1,
A first shutter for shielding the evaporation of the evaporation gas provided in the evaporation apparatus, and a second shutter provided above the first shutter for opening and closing the evaporation material and the radiant heat generated by the evaporation apparatus, And a second shutter is provided. 기판에 박막을 형성하기 위한 증착 챔버를 포함하는 인라인 처리 시스템에 있어서,
상기 증착 챔버는, 상기 증착 챔버의 내부에서 상기 기판의 이송 방향을 따라 배치되는 복수의 증발장치 조를 포함하는 증발 영역과, 상기 증발장치 조에서 제공되는 증발가스에 의해 기판 상에 박막이 증착되는 증착 영역으로 구분되고,
상기 복수의 증발장치 조 각각은 상기 기판의 이송 방향과 수직하는 방향으로 배열되어 증발물질을 기화시켜 기판에 제공하는 복수의 증발장치를 구비하며,
상기 증발 영역에는 상기 각 증발장치 조의 상측에 배치되고 한 조에 포함된 복수의 증발장치로부터 제공되는 증발물질을 각각 통과시키는 복수의 제1증발가스 통과공이 형성되는 제1냉각 플레이트와, 상기 제1냉각 플레이트와 기판 사이에 배치되고 상기 제1냉각 플레이트에 포함되는 상기 복수의 제1증발가스 통과공을 통과하여 각각 제공되는 증발물질을 통과시키는 장공형의 제2증발가스 통과공이 형성되는 적어도 하나의 제2냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.1. An inline processing system comprising a deposition chamber for forming a thin film on a substrate,
The deposition chamber includes an evaporation area including a plurality of evaporator tanks arranged in a direction of transport of the substrate inside the evaporation chamber, and a thin film is deposited on the substrate by the evaporation gas provided in the evaporator vessel Deposition region,
Wherein each of the plurality of evaporator assemblies includes a plurality of evaporators arranged in a direction perpendicular to a conveyance direction of the substrate to vaporize the evaporation material and provide the evaporation material to the substrate,
A first cooling plate having a plurality of first evaporation gas passage holes formed in an upper portion of each of the evaporator tanks and through which evaporation materials provided from a plurality of evaporators included in a set are formed, And at least one second evaporation gas passage hole formed between the plate and the substrate and passing through the plurality of first evaporation gas pass holes included in the first cooling plate, Lt; RTI ID = 0.0 > 2 < / RTI > 삭제delete 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 제1냉각 플레이트에는 회전 또는 선형 구동에 의해 상기 제1냉각 플레이트의 제1증발가스 통과공을 차폐하는 제1셔터가 마련된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.6. The method of claim 5,
Wherein the first cooling plate is provided with a first shutter that shields the first evaporation gas passage hole of the first cooling plate by rotating or linear driving. 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 제2냉각 플레이트의 상측에는 상기 제2증발가스 통과공을 차폐하는 제2셔터가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.6. The method of claim 5,
And a second shutter for shielding the second evaporative gas passage hole is provided on the second cooling plate. 제5항에 있어서,
상기 증착 영역에는 상기 기판 및 상기 제2냉각 플레이트의 사이에 설치되는 적어도 하나의 제3냉각 플레이트와, 상기 기판의 상측에 설치되는 제4냉각 플레이트가 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.6. The method of claim 5,
Wherein at least one third cooling plate provided between the substrate and the second cooling plate and a fourth cooling plate provided above the substrate are provided in the deposition area. 제11항에 있어서,
상기 제3냉각 플레이트에는 상기 한 조의 다수의 증발장치로부터 기판에 증발가스가 제공될 수 있도록 장공형상의 제3증발가스 통과공이 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.12. The method of claim 11,
Wherein a third evaporation gas passage hole is formed in the third cooling plate so as to provide an evaporation gas to the substrate from the plurality of evaporation apparatuses. 제11항에 있어서,
상기 증착 영역은 상기 한 조의 증발장치의 위치에 따라 성막 영역과 비성막 영역으로 한정되며,
상기 제3냉각 플레이트는 비성막 영역에 배치되고,
상기 제4냉각 플레이트는 성막 영역과 비성막 영역 중 적어도 하나의 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 인라인 처리 시스템.12. The method of claim 11,
Wherein the deposition region is defined as a deposition region and a non-deposition region according to the position of the evaporation apparatus,
The third cooling plate is disposed in the non-film area,
Wherein the fourth cooling plate is disposed in at least one of a film forming region and a non-film region.
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