KR101875231B1 - 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 질화물계 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 다수개의 돌기 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 MOCVD 방법에 따라 시드층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 형성하고, 시드 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 기판 상의 시드 패턴들을 성장시켜 나노 와이어 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 나노 와이어 패턴들이 형성된 기판 상에 버퍼층, 언도프트 반도체층, N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 P형 반도체층 상에 투명도전층을 형성하는 단계와; 상기 투명도전층 상에 P형 전극을 형성하고 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 MOCVD 방법을 적용하여 시드층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 일정온도로 가열하는 단계와, 상기 가열된 기판 상에 산소와 아연이 혼합된 원료기체를 이용하여 시드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성하여, 광 추출 효율을 개선한 효과가 있다.

Description

질화물계 발광소자 및 그 제조방법{Nitride light emitting device and method for fabricating the same}
본 발명은 질화물계 발광소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 소자에 나노 와이어 패턴들을 형성하여 광 추출 효율을 개선한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
질화물계 발광소자는 보통 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)로 불리며, 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 발광 다이오드에 의해 방출되는 빛의 파장은 상기 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따라 결정된다. 이는 방출된 빛의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따라 결정되기 때문이다.
최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색광을 발광하는 발광 다이오드로 구현이 가능하다.
도 1은 종래 질화물 반도체 발광소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 질화물 반도체 발광소자는, 절연 기판(10) 상에 버퍼층(11)이 형성되고, 상기 버퍼층(11) 상에 언도프트 반도체층(12), N형 반도체층(13), 활성층(14), P형 반도체층(15) 및 투명금속층(16) 들이 적층되어 있다. 또한, 외부로 노출된 N형 반도체층(13) 및 P형 반도체층(15) 상에는 각각 N형 전극(20)과 P형 전극(21)이 형성되어 있다.
발광 다이오드의 휘도는 활성층(14)의 구조, 빛을 외부로 효과적으로 추출할 수 있는 광 추출 구조, 칩의 크기, 발광 다이오드를 포위하는 몰딩부재의 종류 등 다양한 조건들에 의해 좌우된다.
특히, 발광 다이오드는 활성층(14)에서 발생하는 극히 일부만이 외부로 추출되는데, 일반적으로 발광 다이오드의 외부 양자효율은 높은 내부 양자효율에도 불구하고 20%를 넘지 않는다.
이것은 발광 다이오드를 형성하는 반도체 물질의 굴절률과 주변의 에폭시 또는 공기와의 굴절률 차이로 인하여, 발광다이오드 내부에서 발생한 빛 중에서 칩과 에폭시 또는 칩과 공기 계면의 전반사각도 보다 작은 각으로 입사되는 빛만 방출될 수 있기 때문이다. 그리고 전반사 각도보다 큰 각도로 계면에 입사된 빛은 발광다이오드 내부에서 전반사를 계속 할 수밖에 없고, 결국 내부에 다시 흡수되어 열로 바뀌게 된다.
상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 최근에는 발광다이오드 칩 표면을 거칠게 하는 형성방법을 사용하거나, 발광다이오드 내부에 이물을 광산란점으로 집어넣고 성장하는 방법과, 사파이어 기판에 돌기 패턴들을 형성하는 방법이 개발되고 있다.
상기 사파이어 기판 상에 돌기 패턴들을 형성하는 방법(patterned sapphire substrate: PSS)은 사파이어 기판 표면에 벌집 형태의 돌기 패턴들을 형성하고, 돌기들 사이의 공간을 최소로 할 수 있는 이점이 있다.
하지만, 사파이어 기판에 돌기 패턴들을 형성함으로써, 이후 반도체층 성장시 표면이 거친 부분을 중심으로 에피텍셜 성장이 일어나 질화물층의 결함을 유발하고, 광추출 효율을 저하시키는 단점이 있다.
본 발명은 나노 와이어 패턴들을 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 형성함으로써 광 추출 효율을 개선한 질화물계 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성함으로써, 반도체 결정층 성장시 균일한 결함 밀도 및 스트레스 분포를 제어할 수 있어 안정된 소자 특성을 구현할 수 있는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 MOCVD 공정을 적용하여 사파이어 기판 상에 나노 와이어의 시드(Seed)층을 형성함으로써, 대면적 박막 성장이 가능하고, 결정성 및 표면 평활도가 좋은 양질의 시드층을 형성할 수 있는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 질화물계 발광 소자는 다수개의 돌기 패턴들이 형성된 다수개의 돌기 패턴들이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성된 언도프트 반도체층; 상기 언도프트 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층; 상기 N형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 P형 반도체층을 포함하며, 상기 돌기 패턴들이 형성된 기판과 버퍼층 사이에는 다수개의 나노 와이어 패턴들이 형성되고, 상기 다수개의 나노 와이어 패턴들 사이의 공간은 상기 버퍼층이 충진되고, 상기 돌기 패턴의 표면에 형성되는 상기 다수개의 나노 와이어 패턴들은 상기 돌기 패턴의 표면에 수직되게 형성된 것을 특징으로 합니다.
또한, 본 발명의 질화물계 발광 소자 제조 방법은, 기판 상에 다수개의 돌기 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 MOCVD 방법에 따라 시드층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 형성하고, 시드 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 기판 상의 시드 패턴들을 성장시켜 나노 와이어 패턴들을 형성하는 단계와; 상기 나노 와이어 패턴들이 형성된 기판 상에 버퍼층, 언도프트 반도체층, N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 P형 반도체층 상에 투명도전층을 형성하는 단계와; 상기 투명도전층 상에 P형 전극을 형성하고, 상기 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 MOCVD 방법을 적용하여 시드층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 일정온도로 가열하는 단계와, 상기 가열된 기판 상에 원료기체를 이용하여 시드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 합니다.
본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성하여, 광 추출 효율을 개선한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성함으로써, 반도체 결정층 성장시 균일한 결함 밀도 및 스트레스 분포를 제어할 수 있어 안정된 소자 특성을 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, MOCVD 공정을 적용하여 사파이어 기판 상에 나노 와이어의 시드(Seed)층을 형성함으로써, 대면적 박막 성장이 가능하고, 결정성 및 표면 평활도가 좋은 양질의 시드층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 질화물계 발광소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따라 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 나노 와이어 패턴들이 형성된 질화물계 발광소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 질화물계 발광소자에 나노 와이어 패턴들을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명에 따라 기판 상에 ZnO 나노 와이어 패턴들이 형성된 모습을 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 나노 와이어 패턴들이 형성된 발광소자의 광추출 효율을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따라 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 나노 와이어 패턴들이 형성된 질화물계 발광소자의 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명은 돌기 패턴들이 형성된 절연 기판(100) 상에 버퍼층(111)이 형성되고, 상기 버퍼층(111) 상에 언도프트 반도체층(112), N형 반도체층(113), 활성층(114), P형 반도체층(115) 및 투명금속층(116)들이 적층되어 있다. 또한, 외부로 노출된 N형 반도체층(114) 및 P형 반도체층(115) 상에는 각각 N형 전극(120)과 P형 전극(121)을 포함하며, 상기 돌기 패턴들이 형성된 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 다수개의 나노 와이어 패턴들(130)이 형성될 수 있다.
상기 기판(100)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 상기 투명전극층(116)은 ITO, IZO 및 ITZO와 같은 투명성 도전물질로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(111), 언도프트 반도체층(112), N형 반도체층(113), 활성층(114) 및 P형 반도체층(115)은 화학증착방법(CVD), 분자선 에피택시법(MBE), 스퍼터링법(Sputtering), 수산화물 증기상 에피택시법(HVPE) 등의 방법에 의해 상기 기판(100) 상에 형성될 수 있으며 이에 대해 한정되지는 않는다.
상기 버퍼층(111)은 상기 기판(100)과 상기 언도프트 반도체층(112) 사이의 격자 상수 차이를 줄이기 위해 형성될 수 있으며 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN,InGaN, AlInGaN 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 언도프트 반도체층(112)은 예를 들어, 언도프트(Undoped) GaN 층일 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 버퍼층(111)과 상기 언도프트 반도체층(112)은 적어도 한 층이 형성되거나, 두 층 모두 존재하지 않을 수 있다.
상기 언도프트 반도체층(112) 상에는 상기 N형 반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 N형 반도체층(113)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 N형 도펀트가 도핑된다.
상기 N형 반도체층(113)은 챔버에 트리메틸 갈륨(TMGa), 트리에틸 갈륨(TEGa), 암모니아(NH3), 질소(N2) 및 상기 N형 도펀트가 주입되어 형성될 수 있다.
상기 N형 반도체층(113) 상에는 상기 활성층(114)이 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 제1, 제 2 활성층들과 같이 복수개의 활성층들을 적층하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(114)은 N형 반도체층(113)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 이후 형성되는 P형 반도체층(115)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(114)은 복수개의 활성층들로 형성될 경우, 380nm 내지 500nm의 파장대 빛을 방출할 수 있다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 질화물계 발광소자는 투명전극층(116), N형 전극(120) 및 P형 전극(121)이 형성된 상태에서 적층된 각각의 층들을 보호하기 위해 보호층이 형성될 수 있으며, 보호층은 SiO2 계열의 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 질화물계 발광소자의 측면을 따라 이물질에 의해 각각의 층들이 손상되는 것을 방지하기 위해 형성된다.
구체적으로 도 2에 도시된 바와 같이, 투명전극층(116)은 P형 반도체층(115)상에 형성되고, P형 전극(121)은 투명전극층(116) 상에 형성되고, N형 전극(120)은 N형 반도체층(113)상에 형성된다.
특히, 본 발명의 질화물계 발광소자는 광추출 효율을 개선하기 위해 기판(100) 표면에 다수개의 돌기 패턴들을 형성한 후, 돌기 패턴들을 포함하는 기판(100) 표면에 다수개의 나노 와이어 패턴들(130)을 형성하여, 활성층(114)에서 발생하는 광의 광추출 효율을 개선하였다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 질화물계 발광소자에 나노 와이어 패턴들을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 본 발명의 질화물계 발광소자는, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 구성된 기판(100) 상에 PSS 공정에 따라 표면에 다수개의 돌기 패턴들을 형성하고, 나노 와이어 패턴들을 형성하기 위한 시드(seed) 패턴들을 형성하기 위하여 기판(100)의 전면에 MOCVD(유기금속 화학기상 증착법; metal-organic chemical vapor deposition) 방법으로 시드층(140)을 형성한다.
예를 들어, ZnO 나노와이어를 형성하는 경우, MOCVD 방법은 유기금속 화학기상 증착장치의 반응기 내에 기판의 온도를 500도 내지 900도로 유지하면서 아연소스와 산소소스를 포함한 원료기체를 상기 반응기 내로 5초 내지 30초 동안 주입하여 상기 기판 위에 산화아연을 주성분으로 한 시드층(140)을 형성할 수 있다.
MOCVD 방법은 다른 증착방법에 비해 대면적으로 박막을 성장시킬 수 있으며, 향후 양산용으로 적용하기에 매우 적합하고, 결정성 및 표면평활도가 좋은 양질의 시드층을 형성할 수 있다.
상기 시드층(140)은 30~100nm의 두께로 형성될 수 있고, 패터닝 공정에 따라 시트패턴들(150)을 돌기 패턴들이 형성된 기판(100) 상에 형성한다.
상기 패터닝 공정은 E-beam 리소그래피가 이용될 수 있으며, 시드패턴들은 도트패턴(Dot pattterns)으로 형성될 수 있다. 이 때, 도트패턴의 지름은 100nm~1um으로 형성될 수 있다.
상기와 같이, 1차적으로 시드패턴들(150)이 돌기 패턴들이 형성된 기판(100) 상에 형성되면, 도 3c에 도시한 바와 같이, Ni, Pt, Au, Si, InP, GaN, ZnO, SiO2, TiO2 등과 같은 물질이 포함된 용액(200)을 이용하여 나노 와이어 패턴들(130)을 성장시킨다. 이때, 고온의 육성조에서 온도구배를 준다음 용해도 차에 의해 재결정을 하는 수열법(Hydro-Thermal)을 이용하여 나노 와이어를 성장시킬 수 있다.
상기 수열법(Hydro-Thermal)은 ZnO 패턴을 성장시키는 경우, Zinc Nitrate 25mM, HMT 25mM을 일대일의 비율로 하여 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 80도 온도에서 5시간 성장시킬 수 있다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 나노 와이어 패턴들(130)이 돌기 패턴들이 형성된 기판(100) 상에 성장된 것을 볼 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 질화물계 발광소자의 기판 상에 다수개의 나노 와이어 패턴들을 형성함으로써, 광 추출 효율을 개선하였다. 아울러, 나노 와이어 패턴들은 밀도 조절되거나 나노 와이어 패턴들에 의해 층간 계면에서의 스트레스 조절할 수 있다. 이로 인하여 기판 상에 적층되는 반도체층이 결함 없는 균일한 층을 유지할 수 있어, 이후 성장되는 반도체층의 결함을 최소화하여 소자 안정화를 구현할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따라 사파이어 기판 상에 ZnO 나노 와이어 패턴들이 형성된 모습을 도시한 도면이고, 도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 나노 와이어 패턴들이 형성된 발광소자의 광 추출 효율을 설명하기 위한 도면이다.
도면에 도시된 바와 같이, 기판의 표면에는 다수개의 돌기 패턴들이 형성되어 있고, 돌기 패턴들의 구조는 원뿔형 구조를 하고 있다.
상기 돌기 패턴들은 기판 표면에 벌집 구조 형태로 촘촘히 형성되는데, 본 발명의 나노 와이어 패턴 형성 공정에 따라 돌기 패턴들 사이 영역과 돌기 패턴들 표면에 다수개의 나노 와이어 패턴들이 형성된 것을 볼 수 있다.
상기 나노 와이어 패턴들의 밀도는 도 3a 내지 도 3d에서 설명한 바와 같이, 나노 와이어 패턴 형성을 위한 시트 패턴들의 밀도 또는 나노 와이어 패턴을 성장시키기 위해 나노 와이어 물질이 포함된 용액의 농도에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 종래 질화물계 발광소자와 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성한 본 발명의 질화물계 발광소자의 광 추출 효율을 비교하면 나노 와이어 패턴들이 형성된 소자의 광 추출 효율이 높은 것을 볼 수 있다.
즉, 종래 돌기 구조의 질화물계 발광소자의 광추출 에너지는 56.6mW이나, 본 발명의 나노 와이어 패턴들이 형성된 질화물계 발광소자에서는 61.9mW의 광추출 에너지를 가지며, 나노 와이어 패턴들이 형성된 기판을 포함하는 구조가 종래 기술에 비하여 전체적으로 광 추출 효율이 약 10% 증가함을 볼 수 있다.
또한, 도 6에서와 같이, 종래 기술 대비 본 발명의 질화물계 발광소자의 바텀(bottom) 영역, 탑(Top) 영역 및 4 면(4 sides) 영역의 광추출 효율을 보면 10% 내외에서 모두 향상되고 있는 것을 볼 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, 돌기 패턴들이 형성된 사파이어 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성하여, 광 추출 효율을 개선한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 및 그 제조방법은, 돌기 패턴들이 형성된 사파이에 기판 상에 나노 와이어 패턴들을 형성함으로써, 반도체 결정층 성장시 균일한 결함 밀도 및 스트레스 분포를 제어할 수 있어 안정된 소자 특성을 구현할 수 있는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 기판 111: 버퍼층
112: 언도프트 반도체층 113: N형 반도체층
114: 활성층 115: P형 반도체층
116: 투명전극층 120: N형 전극
121: P형 전극 130: 나노 와이어 패턴

Claims (15)

  1. 다수개의 돌기 패턴들이 형성된 기판;
    상기 기판 상에 형성된 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 형성된 언도프트 반도체층;
    상기 언도프트 반도체층 상에 형성된 N형 반도체층;
    상기 N형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 P형 반도체층을 포함하며,
    상기 돌기 패턴들이 형성된 기판과 상기 버퍼층 사이에는 다수개의 나노 와이어 패턴들이 형성되고,
    상기 다수개의 나노 와이어 패턴들 사이의 공간은 상기 버퍼층이 충진되고,
    상기 돌기 패턴의 표면에 형성되는 상기 다수개의 나노 와이어 패턴들은 상기 돌기 패턴의 표면에 수직되게 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 복수개의 활성층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 나노 와이어 패턴들은 상기 돌기 패턴들 사이의 기판과 상기 돌기 패턴들 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 나노 와이어 패턴들은 Ni, Pt, Au, Si, InP, GaN, ZnO, SiO2 및 TiO2 들 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
  5. 기판 상에 다수개의 돌기 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 MOCVD 방법에 따라 시드층을 형성하는 단계와;
    상기 시드층을 형성하고, 시드 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 기판 상의 시드 패턴들을 성장시켜 나노 와이어 패턴들을 형성하는 단계와;
    상기 나노 와이어 패턴들이 형성된 기판 상에 버퍼층, 언도프트 반도체층, N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 P형 반도체층 상에 투명도전층을 형성하는 단계와;
    상기 투명도전층 상에 P형 전극을 형성하고, 상기 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 MOCVD 방법을 적용하여 시드층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 일정온도로 가열하는 단계와, 상기 가열된 기판 상에 원료기체를 이용하여 시드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 나노 와이어 패턴들을 형성하는 방법은, 상기 시드 패턴들이 형성된 기판에 나노 와이어 형성 물질이 포함된 용액에 담가, 상기 나노 와이어 패턴들을 성장하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 나노 와이어 패턴들은 Ni, Pt, Au, Si, InP, GaN, ZnO, SiO2 및 TiO2 들 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 활성층은 복수개의 활성층을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자 제조방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 나노 와이어 패턴들은 상기 돌기 패턴들 사이의 기판과 상기 돌기 패턴들 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 MOCVD 방법에서 기판을 가열하는 단계에 있어서, 상기 기판의 온도는 500도 내지 900도로 유지하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자 제조방법.
  11. 제5항에 있어서, 상기 MOCVD 방법에서 원료기체를 반응기 내로 주입하는 단계에 있어서 주입하는 시간은 5초 내지 30초 인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조방법.
  12. 제5항에 있어서, 상기 나노와이어 패턴들은 ZnO인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조방법.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 시드 패턴들을 형성하는 단계에서,
    100nm 내지 1um의 지름을 갖는 도트패턴으로 상기 시드 패턴들을 형성하는, 질화물계 발광 소자 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 다수개의 나노 와이어 패턴들은 상기 돌기 패턴들이 형성된 기판 상에 형성된 시드 패턴들을 성장시켜 형성되는, 질화물계 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 시드 패턴들은 100nm 내지 1um의 지름을 갖는 도트패턴인, 질화물계 발광 소자.
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