KR101874508B1 - 발광 장치 - Google Patents
발광 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101874508B1 KR101874508B1 KR1020180020396A KR20180020396A KR101874508B1 KR 101874508 B1 KR101874508 B1 KR 101874508B1 KR 1020180020396 A KR1020180020396 A KR 1020180020396A KR 20180020396 A KR20180020396 A KR 20180020396A KR 101874508 B1 KR101874508 B1 KR 101874508B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor layer
- layer
- conductive
- light emitting
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
발광 장치는 발광적층, 개구, 오목부, 전극을 포함하고, 발광적층은 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고, 제1 반도체층은 제1 표면, 제2 표면과 연결된 제1 부분 및 제1 부분과 연결된 제2 부분을 가지며, 개구는 상표면으로부터 제1 반도체층의 제1 부분을 관통하고, 오목부는 개구와 연결되고 제2 반도체층, 발광층 및 제1 반도체층의 제2 부분을 관통하고, 그중 상기 오목부는 상기 개구의 폭보다 넓은 폭을 가짐으로써 상기 오목부의 바닥부가 제1 반도체층의 제2 표면을 노출시켜 제1 표면과 대향하도록 하며, 전극은 오목부에 위치하고 개구와 대응된다.
Description
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히 발광적층을 성장기판으로부터 도전기판으로 이전시킨 발광 장치에 관한 것이다.
LED의 발광 원리는 전자가 n형 반도체와 p형 반도체 사이에서 이동하면서 에너지를 방출하는 것이다. LED의 발광 원리가 필라멘트를 가열하는 백열등과 다르므로, LED를 냉광원이라고도 부른다. 그리고 LED의 비교적 좋은 환경내성, 더욱 긴 사용 수명, 더욱 가벼운 특성, 휴대성 및 비교적 낮은 에너지 소모는 조명 시장에서 광원의 다른 선택으로 간주된다. LED는 교통 표지, 백라이트 모듈, 가로등 및 의료 장치 등 다양한 분야에서 응용되며, 또한 이미 종래의 광원을 점차적으로 대체하고 있다.
LED가 구비한 발광적층은 도전기판 상 또는 절연기판 상에 에피택셜 성장하여 형성된다. 도전기판을 구비한 LED가 발광적층 상부에 전극을 형성하는 것을 일반적으로 수직형 LED라 부른다. 절연기판을 구비한 LED는 에칭 제조 공정을 통해 2개의 서로 다른 극성의 반도체층을 노출시키고, 2개의 반도체층 상에 전극을 각각 형성하는 것을 일반적으로 수평형 LED라 부른다. 수직형 LED의 장점은 전극 차광면적이 작고, 방열 효과가 좋으며 또한 추가적인 에칭 에피택셜 제조 공정이 필요 없으나, 현재 에피택셜 성장용 도전기판은 광선을 쉽게 흡수하는 문제가 있으므로, LED의 발광 효율에 영향을 준다. 수평형 LED의 장점은 절연기판이 일반적으로 투명기판이며, 빛은 LED의 각 방향으로 방출되나, 방열이 좋지 않고, 전극 차광 면적이 크며, 에피택셜 에칭 제조 공정이 발광 면적을 손상시키는 등 단점이 있다.
상기 LED를 추가적으로 기타 소자에 연결시킴으로써 발광 장치를 형성한다. LED는 기판을 구비한 측을 통해 1차 캐리어 상에 연결되어 발광 장치를 형성하거나, 또는 솔더 또는 접착 재료를 2차 캐리어와 LED 사이에 형성함으로써 발광 장치를 형성한다. 그밖에, 2차 캐리어는 회로를 더 포함할 수 있으며 이 회로는 예를 들면 금속선과 같은 도전 구조체를 통해 LED의 전극에 전기적으로 연결된다.
본 발명은 전술한 종래의 LED의 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 발광 장치는 발광적층, 개구, 오목부, 전극을 포함한다. 상기 발광적층은 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고, 그중 제1 반도체층은 제1 표면, 제1 표면에 연결된 제1 부분, 및 제1 부분에 연결된 제2 부분을 구비한다. 상기 개구는 상표면으로부터 제1 반도체층의 제1부분을 관통한다. 상기 오목부는 개구에 연결되고 제2 반도체층과 발광층 및 제1 반도체층의 제2 부분을 관통하고, 그중 상기 오목부는 상기 개구의 폭보다 넓은 폭을 가져 상기 오목부의 바닥부를 상기 제1 반도체층의 제2 표면에 노출시켜 상기 제1 표면과 대향하도록 한다. 상기 전극은 오목부에 위치하고 개구와 대응된다.
도 1a~도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조방법을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 10은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 10은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타낸다.
도 1a~도 1h를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치 제조 방법을 나타낸다. 도 1a에 도시한 바와 같이, 발광적층(108)은 에피택셜 성장 방법을 통해 성장기판(101) 상에 형성되고, 발광적층(108)은 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(106), 및 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(106) 사이에 위치하는 발광층(104)을 포함할 수 있다. 발광적층(108)은 질화물 발광적층일 수 있고, 재료는 알루미늄(Al), 인듐(In), 갈륨(Ga), 질소(N)로부터 이루어진 그룹으로부터 선택된 조합일 수 있으며, 성장기판(101)은 사파이어 기판과 같은 투명 절연기판 또는 규소(Si) 또는 SiC 기판과 같은 도전기판일 수 있으며, 성장기판(101)과 발광적층(108) 사이의 결정 격자 차이를 감소시키기 위하여, 발광적층(108)을 형성하기 전에 성장기판(101)상에 완충층(103)을 형성할 수 있다. 발광적층(108)의 재료는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As)로부터 이루어진 그룹으로부터 선택된 조합일 수 있으며, 성장기판은 GaAs일 수 있다. 제1 반도체층(102), 발광층(104), 제2 반도체층(106)은 성장기판(101)상에 에피택셜 성장하고, 제1 반도체층(102)은 n형 반도체일 수 있고, 제2 반도체층(106)은 p형 반도체일 수 있다. 발광적층(108)의 구조는 싱글 헤테로 구조(single heterostructure;SH), 더블 헤테로 구조(double heterostructure;DH), 더블-사이드 더블 헤테로 구조(double-side double heterostructure;DDH), 또는 다중 양자우물 구조(multi-quantum well;MQW)를 포함할 수 있다.
도 1b를 참고하면, 제2 반도체층(106), 발광층(104)을 관통하고 제1 반도체층(102)을 노출시키는 오목부(105)를 형성한다. 오목부(105)는 패턴을 가지며, 오목부(105)에 오목부(105)의 패턴에 대응하는 전극(110)을 형성하고, 다시 제2 반도체층(106) 상에 도전층(112)을 형성한다. 전극(110)은 제1 반도체층(102)에만 전기적으로 연결되며, 단면도를 통해 전극(110)의 양측과 오목부(105)의 측벽 간은 간격을 가지므로, 전극(110)은 발광층(104) 및 제2 반도체층(106)과 절연됨을 알 수 있다. 도전층(112)은 제2 반도체층(106)에 옴 접촉되며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 알루미늄을 도핑한 산화아연(AZO) 등 투명 도전층, 또는 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 크롬(Cr) 등의 금속 재료일 수 있다. 전극(110)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 백금(Pt), 금(Au) 등의 금속 또는 그 조합을 포함할 수 있다.
도 1c를 참고하면, 도전층(112)을 커버하는 차단층(116) 및 전극(110)을 커버하는 절연 구조체(114)를 형성한다.
차단층(116)은 제2 반도체층(106)에 접촉하는 표면을 제외한 도전층(112)의 모든 표면을 커버한다. 절연 구조체(114)는 전극(110)의 패턴에 대체로 대응되며, 전극(110) 양측과 오목부(105)의 측벽 사이의 공간을 충진한다. 절연 구조체(114)의 상표면(114a)과 차단층(116)의 상표면(116a)은 대체로 공통한 평면이며, 절연 구조체(114)는 오목부(105)에 충진된 부분을 제외하고는 차단층(116)에 의해 수평으로 감싸진다. 절연 구조체(114)는 증착 또는 스퍼터링, 또는 스핀온글래스(SOG) 방식을 통해 단층이산화규소(SiO2), 단층이산화티타늄(TiO2) 또는 단층질화규소(Si3N4)를 코팅한 후 다시 경화시켜 형성된 투명 절연재료를 포함한다. 차단층(116)은 단층 또는 다층 구조체일 수 있으며, 예를 들면 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 백금(Pt), 티타늄텅스텐합금(TiW) 또는 그 조합을 포함한다.
도 1d를 참고하면, 절연 구조체(114)의 상표면(114a)과 차단층(116)의 상표면(116a)에 공통으로 형성된 평면 상에 반사층(118)을 형성한다. 반사층(118)은 알루미늄(Al) 등의 금속을 포함할 수 있다.
도 1e를 참고하면, 도전기판(122)을 제공하고, 접합 구조체(120)를 통해 도전기판(122)을 반사층(118) 상에 접합한다. 접합 구조체(120)는 금(Au), 인듐(In), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등 금속 또는 그 조합을 포함할 수 있다. 이어서 성장기판(101)을 제거하는 공정을 진행한다. 도전기판(122)은 규소(Si)와 같은 반도체 재료, 또는 구리(Cu), 텅스텐(W) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 재료를 포함하거나 또는 도전기판(122)의 표면은 그라핀(Graphene)을 구비할 수 있다.
도 1f를 참고하면, 성장기판(101)의 뒷면으로부터 레이저(미도시)를 제공할 수 있다. 레이저 에너지는 완충층(103)을 분해할 수 있고, 예를 들면 완충층(103)이 도핑되지 않았거나 또는 비의도적으로 도핑된 질화갈륨(GaN)일 경우, 질화갈륨중의 질소(N)는 레이저 에너지에 의해 기화되어 완충층(103)을 분해하고, 이 때 성장기판(101)이 쉽게 제거되어 제1 반도체층(102)을 노출시킬 수 있다.
도 1g를 참고하면, 제1 반도체층(102) 상에 남겨진 완충층(103)을 세정(클렌징)한다. 완충층(103)이 도핑되지 않았거나 또는 비의도적으로 도핑된 질화갈륨일 경우, 상기 레이저가 성장기판(101)을 제거하는 공정에서 질화갈륨의 질소가 이미 기화되었으므로, 이 단계의 세정은 남겨진 갈륨을 제거하는 것을 위주로 하며, 먼저 유도 결합 플라즈마 활성 이온(ICP)에 의한 식각 방식을 이용하여 진행하고, 그후 염화수소(HCL) 또는 과산화수소(H2O2)를 이용하여 제1 반도체층(102)의 표면에 대해 추가적인 세정을 진행할 수 있다.
도 1h를 참고하면, 식각 공정을 통해 제1 반도체층(102)의 제1 표면(102a) 상에 조대화(coarsing) 구조체(126)를 형성하되, 조대화 구조체(126)는 규칙적 또는 불규칙적인 거친 면일 수 있으며, 0.5~1㎛의 거칠기를 가질 수 있다. 전극(110) 상측 일부의 제1 반도체층(102)을 제거함으로써 개구(124)를 형성한다. 상기 오목부(105)는 개구(124)의 폭(W2)보다 큰 폭(W1)을 가지므로, 오목부(105) 및 개구(124)를 차례로 형성한 후, 제1 반도체층(102)은 오목부(105)에 연결된 바닥부에 제1 표면(102a)과 서로 대향하는 제2 표면(102d)을 형성하고, 전극(110)은 제2 표면(102d)에 연결되고 오목부(105)에 형성되어 개구(124)와 대응되며, 전극(110)은 W2보다 큰 폭(W3)을 구비한다. 전극(110)의 상표면(110a)은 제1 반도체층(102)의 제2 표면(102d)에 연결된 접촉 영역(110b)을 구비하고, 전극(110)의 상표면(110a)은 개구(124)에 의해 노출된 노출 영역(110c)을 구비한다. 제1 반도체층(102)의 두께는 3~4㎛ 사이에 있으며, 제1 부분(102b)과 제2 부분(102c)으로 구분될 수 있다. 제1 부분(102b)의 두께는 개구 두께에 상당하며, 약 1.5~3㎛이고, 제2 부분(102c)의 두께는 오목부(105)에 대응되며, 약 1~1.5㎛이다. 전극(110)은 제1 반도체층(102)에 전기적으로 연결되나 제1 표면(102a)상에 형성되지 않으므로, 발광 장치(100)의 광선에 대한 차광 효과를 발생시키지 않는다.
상기 제조 공정 흐름을 통해, 본 실시예의 발광 장치(100)는 도전기판(122); 도전기판(122)상에 형성된 접합 구조체(120); 접합 구조체 상에 형성된 반사층(118); 반사층(118) 상의 일부 영역에 형성된 차단층(116) 및 차단층(116)에 의해 커버된 도전층(112)을 포함하는 도전 구조체(117); 제1 반도체층(102), 발광층(104) 및 도전층(112)에 전기적으로 연결된 제2 반도체층(106)을 포함하는 발광적층(108); 반사층(118)상의 일부 영역에 형성되고 제2 반도체층(106), 발광층(104) 및 제1 반도체층(102)의 제2 부분(102c)을 관통하는 절연 구조체(114); 절연 구조체(124)에 의해 커버되고 상표면(110a)에 의해 제1 반도체층(102)에 연결되는 전극(110); 및 제1 반도체층(102)의 제1 부분(102b)을 관통하는 개구(124)를 포함할 수 있다. 절연 구조체(114)는 전극(110)을 제2 반도체층(106) 및 발광층(104)과 절연시키고, 전극(110)과 발광층(104)은 발광 장치(10)의 수평 방향의 서로 다른 영역에 위치하며, 발광층(104) 전체는 또한 도전 구조체(117)의 상측에 위치하므로, 발광층(104)이 방출하는 광선은 발광 장치(100)의 전극(110) 및 도전 구조체(117)에 의해 차단되지 않는다. 전극(110)의 상표면(110a)은 와이어 본딩을 통해 외부 전원에 연결된다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 개략도이다. 본 실시예와 제1 실시예는 대체로 동일하며, 상이점은 단지 본 실시예의 전극(210) 상에 와이어 본딩용 전극(211)을 더 형성할 수 있으며, 상기 와이어 본딩용 전극(211)은 개구(204) 내에 위치하여 와이어 본딩 작업용 솔더 볼(미도시)이 배치된다는 점에 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 장치의 개략도이다. 본 실시예와 전술한 실시예는 대체로 동일하며, 상이점은 제2 반도체층(306)에 전기적으로 연결된 도전층(312)이 반사성을 구비하지 않은 투명 도전층으로서 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 알루미늄을 도핑한 산화아연(AZO)을 포함하고, 제1 실시예의 차단층이 없으며, 절연 구조체(314)는 전극(310)과 반사층(318) 사이에 형성된 절연층(314a) 및 와이어 본딩 전극(311)을 커버하는 절연부(314b)를 포함할 수 있으며, 복수의 도전 채널(316)은 절연층(314a)을 관통하여 양단이 도전층(312) 및 반사층(318)에 각각 연결되고, 반사층(318) 하측은 제1 실시예와 동일한 접합 구조체(320) 및 도전기판(322)을 가질 수 있다는 점에 있다. 도전 채널(316)은 홀 충진 능력이 양호한 금속일 수 있으며, 예를 들면 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 구리(Cu)다. 절연 구조체(314)는 투명 절연 재료일 수 있으며, 증착 또는 스퍼터링 또는 스핀온글래스(SOG) 방식을 통해 단층이산화규소(SiO2) 또는 단층이산화티타늄(TiO2) 또는 단층질화규소(Si3N4)를 코팅한 후 다시 경화시켜 형성될 수 있으며, 2종 또는 2종 이상의 서로 다른 굴절율의 필름이 반복적으로 교대로 적층되어 분포 브래그 반사기(DBR)를 형성할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제2 실시예 및 제3 실시예에 응용될 수 있으며, 전극의 패턴을 뚜렷하게 표시하기 위하여, 본 실시예는 단지 전극(110) 및 도전 구조체(117)의 패턴만을 나타낸다. 발광 장치(100)는 평면도를 통해 바라볼 때 그 도전기판(122)의 윤곽은 직사각형을 나타내고, 크기는 1mil ~ 70mil 사이에 있을 수 있다. 본 실시예에서 전극(110)은 와이어 본딩용 전극(115) 및 상기 와이어 본딩용 전극(115)으로부터 연신된 연신 전극(111)을 포함하며, 와이어 본딩용 전극(115)은 발광 장치(100)에 있어서 직사각형에 근접한 모서리에 위치한다. 연신 전극(111)은 발광 장치(100)의 주변을 따라 형성된 제1 연신 전극(111b) 및 제1 연신 전극(111b)에 의해 감싸지고 제1 연신 전극(111b)에 연결된 제2 연신 전극(111a)을 포함하고, 제1 연신 전극(111b)과 제2 연신 전극(111a)은 함께 다른 직사각형을 구성한다. 와이어 본딩용 전극(115) 및/또는 연신 전극(111)과 도전 구조체(117)는 도전기판(122)상의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩되지 않으므로, 도전 구조체(117)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이, 와이어 본딩용 전극(115) 및 연신 전극(111)으로 구성된 패턴과 대체로 서로 보완된다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있으며, 전극의 패턴을 뚜렷하게 표시하기 위하여, 본 실시예는 단지 전술한 실시예의 전극 및 도전 구조체와 관련된 도형만을 표시한다. 발광 장치(500)는 평면도를 통해 바라볼 때 그 도전기판(522)의 윤곽은 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극은 와이어 본딩용 전극(510) 및 와이어 본딩용 전극(510)으로부터 연신된 연신 전극(511)을 포함하며, 와이어 본딩용 전극(510)은 대체로 발광 장치(500)의 직사각형의 기하학적 중심에 위치하고, 연신 전극(511)은 와이어 본딩용 전극(510)으로부터 연신된 복수의 방사 브랜치를 구비한다. 와이어 본딩용 전극(510) 및/또는 연신 전극(511)과 도전 구조체(517)는 도전기판(522) 상의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩하지 않으므로, 도전 구조체(517)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(510) 및 연신 전극(511)으로 구성된 패턴과 대체로 서로 보완된다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있다. 발광 장치(600)는 상표면도를 통해 바라볼 때 그 도전기판(622)의 윤곽은 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극은 와이어 본딩용 전극(610) 및 와이어 본딩용 전극(610)으로부터 연신된 연신 전극(611)을 포함하며, 와이어 본딩용 전극(610)은 대체로 발광 장치(600)의 직사각형의 기하학적 중심에 위치하며, 연신 전극(611)은 와이어 본딩용 전극(610)으로부터 연신된 복수의 방사 브랜치를 구비한다. 본 실시예는 제5 실시예에 비해 더욱 많은 양의 방사 브랜치를 추가하였고, 방사 브랜치의 길이는 연신 방향을 따라 서로 다를 수 있다. 예를 들면 본 실시예에서 연신 전극(611)은 발광 장치(600)의 직사각형 대각선 방향으로 연신된 방사 브랜치가 측변 방향으로 연신된 방사 브랜치에 비해 상대적으로 긴 길이를 가진다. 와이어 본딩용 전극(610) 및/또는 연신 전극(611)과 도전 구조체(617)는 도전기판(622) 상의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩하지 않으므로, 도전 구조체(617)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(610) 및 연신 전극(611)으로 구성된 패턴과 대체로 서로 보완된다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있다. 발광 장치(700)의 도전기판(722)의 윤곽은 평면도를 통해 볼 때 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극은 와이어 본딩용 전극(710) 및 와이어 본딩용 전극(710)으로부터 연신된 연신 전극(711)을 포함하고, 와이어 본딩용 전극(710)은 발광 장치(700)의 직사각형의 모서리에 위치하고, 연신 전극(711)은 와이어 본딩용 전극(710)으로부터 연신되고 연신 각도에 따라 연신 길이가 달라지는 복수의 방사 브랜치를 구비한다. 와이어 본딩용 전극(710) 및/또는 연신 전극(711)과 도전 구조체(717)는 도전기판(722)의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩되지 않으므로, 도전 구조체(717)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(710) 및 연신 전극(711)으로 구성된 패턴과 대체로 서로 보완된다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있다. 발광 장치(800)의 도전기판(822)의 윤곽은 평면도를 통해볼 때 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극 구조는 발광 장치(800)의 직사각형 측에 근접한 와이어 본딩용 전극(810a, 810b); 및 와이어 본딩용 전극(810a, 810b)으로부터 직사각형의 타측으로 각각 연신된 방사 브랜치(811a, 811b), 양단이 와이어 본딩용 전극(810a, 810b)에 각각 연결되고 직사각형 측변에 평행하는 방사 브랜치(811c), 및 연결 전극(811)으로부터 연신되고 방사 브랜치(811a, 811b)에 평행인 방사 브랜치(811d)를 포함하는 연신 전극(811)을 포함한다. 와이어 본딩용 전극(810) 및/또는 연신 전극(811)과 도전 구조체(817)는 도전기판(822)의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩되지 않으므로, 도전 구조체(817)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(810) 및 연신 전극(811)으로 구성된 패턴과 서로 보완된다.
도 9는 본 발명의 제8 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있다. 발광 장치(900)의 도전기판(922)의 윤곽은 평면도를 통해 볼 때 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극은 발광 장치(900)의 직사각형의 한 변에 근접하는 와이어 본딩용 전극(910a, 910b); 및 와이어 본딩용 전극(910a, 910b)으로부터 직사각형의 다른 한 변으로 각각 연신된 방사 브랜치(911a, 911b)를 포함한다. 본 실시예와 제8 실시예는 대체로 동일하며, 상이점은 방사 브랜치(911a, 911b)가 절곡된 형태를 띠며 와이어 본딩용 전극(910a, 910b)으로부터 각각 연신되며, 와이어 본딩용 전극(910a, 910b)으로부터 각각 복수의 방사 브랜치(911a) 및 방사 브랜치(911b)가 연신된다는 점에 있다. 와이어 본딩용 전극(910) 및/또는 연신 전극(911)과 도전 구조체(917)는 도전기판(922)의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩되지 않으므로, 도전 구조체(917)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(910) 및 연신 전극(911)으로 구성된 패턴과 서로 보완된다.
도 10은 본 발명의 제9 실시예에 따른 발광 장치의 전극 배치를 나타내며, 본 실시예의 전극 설계는 제1 실시예 ~ 제3 실시예에 응용될 수 있다. 발광 장치(1000)의 도전기판(1022)의 윤곽은 평면도를 통해 볼 때 직사각형을 나타낼 수 있으며, 본 실시예의 전극은 도전기판(1022)의 직사각형 일측의 2개의 모서리에 근접하는 와이어 본딩용 전극(1010a, 1010b); 및 도전기판(1022)의 직사각형을 따라 설치되어 와이어 본딩용 전극(1010a, 1010b)과 연결되는 제1 방사 브랜치(1011a)와, 제1 방사 브랜치(1011a)의 직사각형의 서로 대향하는 양측 사이에 연결되는 제2 방사 브랜치(1011b)를 포함하는 연신 전극을 포함한다. 제1 방사 브랜치(1011a)와 제2 방사 브랜치(1011b)는 격자형 패턴을 형성한다. 와이어 본딩용 전극(1010) 및/또는 연신 전극(1011)과 도전 구조체(1017)는 도전기판(1022)의 서로 다른 영역에 형성되고 서로 중첩되지 않으므로, 도전 구조체(1017)는 도면 중 사선 영역으로 표시된 바와 같이 와이어 본딩용 전극(1010) 및 연신 전극(1011)으로 구성된 패턴과 대체로 서로 보완된다.
본 발명은 이미 설명한 바와 같으나, 본 발명의 범위, 실시 순서 또는 사용하는 재료와 제조 공정 방법을 제한하지 않는다. 본 발명에 대한 각종 수정과 변경은 모두 본 발명의 취지와 범위를 벗어나지 않는다.
100: 발광 장치
101: 성장기판
102: 제1 반도체층
102a: 제1 표면
102b: 제1 부분
102c: 제2 부분
102d: 제2 표면
103: 완충층
104: 발광층
105: 오목부
106: 제2 반도체층
108: 발광적층
110: 전극
110a: 상표면
110b: 접촉 영역
110c: 노출 영역
111a: 제2 연신 전극
111b: 제1 연신 전극
112: 도전층
114: 절연 구조체
114a: 상표면
115: 와이어 본딩용 전극
116: 차단층
116a: 상표면
117: 도전 구조체
118: 반사층
120: 접합 구조체
122: 도전기판
124: 개구
126: 조대화 구조체
200: 발광 장치
204: 개구
210: 전극
211: 와이어 본딩용 전극
300: 발광 장치
311: 전극
314: 절연 구조체
314a: 절연층
314b: 절연부
316: 도전 채널
318: 반사층
320: 접합 구조체
322: 도전기판
500: 발광 장치
510: 와이어 본딩용 전극
511: 연신 전극
517: 도전 구조체
522: 도전기판
600: 발광 장치
610: 와이어 본딩용 전극
611: 연신 전극
617: 도전 구조체
622: 도전기판
700: 발광 장치
710: 와이어 본딩용 전극
711: 연신 전극
717: 도전 구조체
722: 도전기판
800: 발광 장치
810a: 와이어 본딩용 전극
810b: 와이어 본딩용 전극
811: 연신 전극
811a: 방사 브랜치
811b: 방사 브랜치
811c: 방사 브랜치
811d: 방사 브랜치
822: 도전기판
817: 도전 구조체
900: 발광 장치
922: 도전기판
910a: 와이어 본딩용 전극
910b: 와이어 본딩용 전극
911: 연신 전극
911a: 방사 브랜치
911b: 방사 브랜치
917: 도전 구조체
1000: 발광 장치
1010a: 와이어 본딩용 전극
1010b: 와이어 본딩용 전극
1011: 연신 전극
1011a: 제1 방사 브랜치
1011b: 제2 방사 브랜치
1022: 도전기판
W1, W2, W3: 폭
101: 성장기판
102: 제1 반도체층
102a: 제1 표면
102b: 제1 부분
102c: 제2 부분
102d: 제2 표면
103: 완충층
104: 발광층
105: 오목부
106: 제2 반도체층
108: 발광적층
110: 전극
110a: 상표면
110b: 접촉 영역
110c: 노출 영역
111a: 제2 연신 전극
111b: 제1 연신 전극
112: 도전층
114: 절연 구조체
114a: 상표면
115: 와이어 본딩용 전극
116: 차단층
116a: 상표면
117: 도전 구조체
118: 반사층
120: 접합 구조체
122: 도전기판
124: 개구
126: 조대화 구조체
200: 발광 장치
204: 개구
210: 전극
211: 와이어 본딩용 전극
300: 발광 장치
311: 전극
314: 절연 구조체
314a: 절연층
314b: 절연부
316: 도전 채널
318: 반사층
320: 접합 구조체
322: 도전기판
500: 발광 장치
510: 와이어 본딩용 전극
511: 연신 전극
517: 도전 구조체
522: 도전기판
600: 발광 장치
610: 와이어 본딩용 전극
611: 연신 전극
617: 도전 구조체
622: 도전기판
700: 발광 장치
710: 와이어 본딩용 전극
711: 연신 전극
717: 도전 구조체
722: 도전기판
800: 발광 장치
810a: 와이어 본딩용 전극
810b: 와이어 본딩용 전극
811: 연신 전극
811a: 방사 브랜치
811b: 방사 브랜치
811c: 방사 브랜치
811d: 방사 브랜치
822: 도전기판
817: 도전 구조체
900: 발광 장치
922: 도전기판
910a: 와이어 본딩용 전극
910b: 와이어 본딩용 전극
911: 연신 전극
911a: 방사 브랜치
911b: 방사 브랜치
917: 도전 구조체
1000: 발광 장치
1010a: 와이어 본딩용 전극
1010b: 와이어 본딩용 전극
1011: 연신 전극
1011a: 제1 방사 브랜치
1011b: 제2 방사 브랜치
1022: 도전기판
W1, W2, W3: 폭
Claims (10)
- 기판, 발광적층, 개구, 오목부, 전극, 와이어 본딩용 전극 및 도전 구조체를 포함하고,
상기 발광적층은 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고, 상기 제1 반도체층은 제1 표면, 상기 제1 표면에 마주하는 제2 표면, 상기 제1 표면에 연결된 제1 부분, 및 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분을 가지며;
상기 개구는 상기 제1 표면으로부터 상기 제1 반도체층의 상기 제1 부분을 관통하고, 상기 개구는 제1 폭을 구비하고;
상기 오목부는 상기 제2 반도체층, 상기 발광층 및 상기 제1 반도체층의 상기 제2 부분을 관통하고, 상기 개구에 연결되며, 상기 오목부는 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 구비하고, 상기 오목부의 바닥부는 상기 제1 반도체층의 제2 표면을 노출하고;
상기 전극은 상기 오목부에 위치하여 상기 개구와 대응되고;
상기 와이어 본딩용 전극은 상기 개구 내에 위치하고, 상기 전극과 연결되고;
상기 도전 구조체는 상기 제2 반도체층에 연결되고, 상기 기판과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하며;
평면도에서 상기 와이어 본딩용 전극과 상기 도전 구조체는 서로 중첩되지 않는,
발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 도전 구조체는 도전층 및 차단층을 포함하고, 상기 도전층의 표면과 상기 제2 반도체층은 접촉되고, 상기 차단층은 상기 도전층의 기타 표면을 피복하는, 발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 오목부에 충진되고 상기 전극을 피복하는 절연 구조체를 포함하는, 발광 장치. - 제3항에 있어서,
상기 절연 구조체는 상기 제2 반도체층의 하측에 형성되고, 상기 도전 구조체는, 상기 제2 반도체층의 하측에 형성되는 상기 절연 구조체를 관통하는 복수의 도전 채널을 포함하는, 발광 장치. - 제2항에 있어서,
상기 도전층은 투명 도전층을 포함하고, 상기 투명 도전층은 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 또는 알루미늄을 도핑한 산화아연(AZO)을 포함하는, 발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 도전 구조체의 하측에 형성되고 또한 상기 도전 구조체와 상기 기판 사이에 위치하는 금속 반사층을 포함하는 발광 장치. - 제6항에 있어서,
상기 금속 반사층과 상기 기판 사이에 형성되는 도전 접합 구조체를 더 포함하는 발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전극은 연신 전극을 포함하고, 상기 평면도에서, 상기 도전 구조체는 제1 패턴을 구성하고, 상기 연신 전극은 제2 패턴을 구성하고, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴은 서로 보완되는, 발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 상기 제1 표면은 조대화(coarsing) 구조체를 포함하는, 발광 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전극은 상기 제2 표면에 연결되는 제3 폭을 구비하고, 또한 상기 제3 폭은 상기 개구의 상기 제1 폭보다 큰, 발광 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180020396A KR101874508B1 (ko) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 발광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180020396A KR101874508B1 (ko) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 발광 장치 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130081428A Division KR101833395B1 (ko) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | 발광 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180022741A KR20180022741A (ko) | 2018-03-06 |
| KR101874508B1 true KR101874508B1 (ko) | 2018-07-04 |
Family
ID=61727412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180020396A KR101874508B1 (ko) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 발광 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101874508B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041839A (ja) | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
-
2018
- 2018-02-21 KR KR1020180020396A patent/KR101874508B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041839A (ja) | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180022741A (ko) | 2018-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2339654B1 (en) | Light emitting diode | |
| JP5048960B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100887139B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
| KR101259969B1 (ko) | 발광 장치 | |
| WO2012091042A1 (ja) | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ | |
| US9231169B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
| TWI661578B (zh) | 發光裝置及發光陣列 | |
| CN110676367A (zh) | 发光二极管 | |
| JP6149878B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP2014216470A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR101478761B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JP2016032009A (ja) | 光電部品 | |
| KR101874508B1 (ko) | 발광 장치 | |
| CN109638130B (zh) | 发光装置 | |
| KR101833395B1 (ko) | 발광 장치 | |
| TWI672826B (zh) | 發光元件 | |
| JP2011071340A (ja) | 発光素子 | |
| KR102059974B1 (ko) | 광전소자 | |
| KR102331621B1 (ko) | 광전소자 | |
| KR102394347B1 (ko) | 광전소자 | |
| JP2015015326A (ja) | 発光装置 | |
| KR101930006B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP6942780B2 (ja) | 光電部品 | |
| KR101784891B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP6501845B2 (ja) | 発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |