KR101872395B1 - 다중 채널 독출 회로의 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법 - Google Patents

다중 채널 독출 회로의 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 다중 채널 독출 회로의 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법을 개시한다. 본 명세서에 따르면, N개의 센서에 동시다발적으로 입력되는 광자는 검출 센서에 의해서 전기적 신호인 전하(전자 또는 양자)로 바뀐다. 이러한 전하는 채널 내부에서 입력 크기에 상응하는 아날로그 전압 값으로 바뀌고, N개의 널에서 출력된 아날로그 전압들은 Nx1 멀티플렉서를 통해서 순차적으로 선택되어 한 개의 라인으로 출력된다. 이러한 동작 중 멀티플렉서의 N개의 제어 신호들 간의 중첩되는 간격을 없애어 입력 신호들이 빠른 회복력을 가지고 출력될 수 있다.

Description

다중 채널 독출 회로의 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법{MULTI-CHANNEL READOUT SIGNAL OVERLAP-PROTECTING SWITCHING CIRCUIT AND METHOD THEREOF}
본 발명은 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 다중 채널을 통해 입력되는 신호를 독출하는 회로에서 발생할 수 있는 신호의 중첩을 방지할 수 있는 스위칭 회로 및 방법에 관한 것이다.
방사선은 입자와 파동으로 구성되어 있다. 입자형태의 방사선 입자(Photon) 세기(Amplitude)를 측정하기 위해서는 이때 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시켜주는 검출센서가 필요하다. 이 검출 센서에서 광자에 의해 발생되는 전하(전자 또는 양자)를 검출하고, 검출된 전기신호를 채널 내에서 아날로그 전압 신호로 바꾸어주고, 이러한 동시다발적인 출력들을 멀티플렉서에서 순차적으로 선택하여 출력시킨다.
이러한 회로를 사용하여 광 신호의 크기와 비례하게 만들어진 아날로그 신호들을 왜곡없이 빠르게 스위칭하여 출력시킬 필요가 있다. 그러나 멀티플렉서의 스위치 제어 신호가 중첩적으로 발생하면 다중 스위치의 부하 캐패시터에 의해서 출력 신호의 상승/하강(Rising/Falling) 시간이 증가하여 유효한 데이터 구간이 줄어드는 문제가 발생한다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0022791호
본 명세서는 다중 채널에서 독출된 신호가 중첩되지 않는 스위칭 회로 및 방법을 제시하고자 한다.
본 명세서에 기재된 해결과제는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로는 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시키는 N개의 광센서; 상기 N개의 광센서에서 출력된 전기적 신호를 아날로그 전압 파형으로 변환시키는 N개의 채널; 상기 N개의 채널에서 출력된 신호들을 입력으로 받아서 차례대로 출력시키는 멀티플렉서; 및 상기 멀티플렉서가 신호를 순차적으로 출력시키도록 동작을 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 입력된 클럭 신호의 펄스 폭을 증가시킨 신호로 변환시켜 출력하는 중첩방지블럭; 상기 N개의 채널에서 출력된 신호를 수신하여 미리 설정된 시간만큼 지연된 신호로 출력하는 N개의 지연부; 및 상기 중첩방지블럭에서 출력된 신호와 상기 N개의 지연부 각각에서 출력된 신호를 수신하여 상기 멀티플렉서에 N개의 제어 신호를 출력하는 N개의 앤드게이트;를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 N개의 지연부는, K번째 지연부가 지연시키는 시간보다 K+1번째 지연부가 지연시키는 시간이 더 큰 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 방법은 N개의 광센서, N개의 채널, 멀티플렉서 및 제어부를 포함하는 스위칭 회로를 통해 신호 중첩을 방지하는 방법으로서, (a) 상기 N개의 광센서가 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시키는 단계; (b) 상기 N개의 채널이 상기 N개의 광센서에서 출력된 전기적 신호를 아날로그 전압 파형으로 변환시키는 단계; (c) 상기 멀티플렉서가 상기 N개의 채널에서 출력된 신호들을 입력으로 받아서 차례대로 출력시키는 단계; 및 (d) 상기 제어부가 상기 멀티플렉서로 하여금 신호를 순차적으로 출력시키도록 동작을 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 중첩방지블럭, N개의 지연부 및 N개의 앤드게이트를 포함하며, 상기 (d) 단계는, 상기 중첩방지블럭이 입력된 클럭 신호의 펄스 폭을 증가시킨 신호로 변환시켜 출력하는 단계; 상기 N개의 지연부가 상기 N개의 채널에서 출력된 신호를 수신하여 미리 설정된 시간만큼 지연된 신호로 출력하는 단계; 및 상기 N개의 앤드게이트가 상기 중첩방지블럭에서 출력된 신호와 상기 N개의 지연부 각각에서 출력된 신호를 수신하여 상기 멀티플렉서에 N개의 제어 신호를 출력하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 명세서에 따르면, 다중 채널에서 독출된 신호가 중첩되지 않는다.
본 명세서에 기재된 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로의 블록도이다.
도 2는 본 명세서에 따른 제어부의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 명세서에 따른 중첩방지블럭의 회로도이다.
도 4는 멀티플렉서의 동작 예시도이다.
도 5는 제어부 회로의 입/출력 파형을 컴퓨터로 시뮬레이션한 파형도이다.
도 6은 동일한 입사 에너지에 대해서 중첩방지회로의 동작 여부에 따라 변화되는 출력 파형을 컴퓨터로 시뮬레이션한 파형도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.
본 명세서에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지는 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는 도면을 중심으로 본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법을 설명하고자 한다.
본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로 및 방법에 대해서 간략하게 설명하자면, 제어부를 이용해 스위치 간 일어날 수 있는 중첩 신호를 방지하여 빠른 상승/하강(Rising/Falling) 시간을 가지도록 하는 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로(100)는 N개의 광센서(110), N개의 채널(120), 멀티플렉서(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.
상기 N개의 광센서(110)는 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시킬 수 있다.
상기 N개의 채널(120)은 상기 N개의 광센서(110)에서 출력된 전기적 신호를 아날로그 전압 파형으로 변환시킬 수 있다.
상기 멀티플렉서(130)는 상기 N개의 채널(120)에서 출력된 신호들을 입력으로 받아서 차례대로 출력시킬 수 있다.
상기 제어부(140)는 상기 멀티플렉서(130)가 신호를 출력시키는 동작을 제어할 수 있다.
도 2는 본 명세서에 따른 제어부의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2를 함께 참조하면, 본 명세서에 따른 제어부(140)는 중첩방지블럭(141), N개의 지연부(142), N개의 앤드게이트(AND gate, 143)를 포함할 수 있다.
상기 중첩방지블럭(141)은 입력된 클럭 신호의 펄스 폭을 증가시킨 신호로 변환시켜 출력할 수 있다.
상기 N개의 지연부(142)는 상기 N개의 채널(120)에서 출력된 신호를 수신하여 미리 설정된 시간만큼 지연된 신호로 출력할 수 있다. 이때 상기 N개의 지연부(142) 각각이 지연시키는 시간은 서로 다를 수 있다. 구체적으로 K번째 지연부가 지연시키는 시간보다 K+1번째 지연부가 지연시키는 시간이 더 클 수 있다.
상기 N개의 앤드게이트(143)는 상기 중첩방지블럭(141)에서 출력된 신호와 상기 N개의 지연부(142) 각각에서 출력된 신호를 수신하여 상기 멀티플렉서(130)에 N개의 제어 신호를 출력할 수 있다.
상기 N개의 제어 신호는 상기 멀티플렉서(130) 내부의 N개의 스위치를 각각 ON/OFF 동작하도록 하여 신호들이 중첩되지 않도록 한다.
도 3은 본 명세서에 따른 중첩방지블럭의 회로도이다.
도 3을 참조하면, 상기 중첩방지블럭(141)은 노어게이트(NOR gate), 캐패시터, 저항, 피모스트랜지스터(PMOS), 엔모스트랜지스터(NMOS) 및 2개의 인버터를 포함할 수 있다. 상기 구성들의 연결 구조는 도 3에 도시된 바와 같다. 상기 중첩방지블럭(141)은 입력된 클럭신호의 펄스 폭을 증가시켜 출력할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 중첩방지블럭(141)은 입력 신호를 받기 전 노어게이트(NOR gate)의 출력은 하이(High)가 되고 피드백(Feedback)되는 신호는 로우(Low)이다. 입력으로 트리거 펄스(Trigger Pulse)가 인가되면 노어게이트(NOR gate)의 출력은 로우(Low)로 변하게 된다. 출력 신호의 펄스 폭은 캐패시터와 저항의 시상수(Time Constant)와 인버터의 문턱 전압에 의해 결정되고, 피모스트랜지터(PMOS) 엔모스트랜지스터(NMOS)는 전압이 0~VDD 범위에서 벗어나는 것을 방지하는 클램핑 다이오드로 동작한다. 이렇게 출력된 신호를 앤드게이트(AND gate)의 하나의 입력 단자에 인가시키고, 또한 엔드게이트(AND gate)의 다른 한 단자는 지연(Delay)된 출력 단자에 연결하여 중첩방지블럭(141)의 출력 신호와 지연(Delay)된 출력 신호가 하이(High)인 경우 논리값 '1'을 출력하도록 한다.
도 4는 멀티플렉서의 동작 예시도이다.
도 4를 참조하면, 상기 멀티플렉서(130)는 N개의 입력 단자와 1개의 출력 단자를 갖는 Nx1 멀티플렉서이다. 상기 N개의 입력 단자와 1개의 출력 단자 사이에는 각각의 입력 단자와 출력 단자를 전기적으로 연결시키는 N개의 스위치가 있다. 상기 N개의 스위치는 상기 N개의 제어 신호에 의해 각각 ON/OFF 동작할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시된 예시와 같이, 3개의 입력 신호 IN<1>, IN<2>, IN<3>이 순차적으로 출력되어 출력 신호를 만들 수 있다.
본 명세서에 따른 신호 중첩 방지 스위칭 회로(100)는, 설명한 바와 같이, 광센서(110)에서 광신호에 의해 발생하여 들어오는 전하를 채널 내에서 크기에 비례하는 전압으로 변환하고, 변환된 N개의 출력 전압들은 제어부(140)와 멀티플렉서(130)를 통해서 중첩되지 않은 스위칭 동작으로 인하여 짧은 상승/하강(Rising/Falling) 시간을 가지는 출력 데이터를 획득할 수 있다. 이는 상승/하강(Rising/Falling) 시간이 짧을수록 유효한 데이터 구간이 길어져서 출력의 정확한 크기를 측정하는데 도움을 준다.
도 5는 제어부 회로의 입/출력 파형을 컴퓨터로 시뮬레이션한 파형도이다.
도 6은 동일한 입사 에너지에 대해서 중첩방지회로의 동작 여부에 따라 변화되는 출력 파형을 컴퓨터로 시뮬레이션한 파형도이다.
도 6의 좌측 파형은 종래 스위칭 회로의 출력 파형이며, 도 6의 우측 파형은 본 명세서에 따른 스위칭 회로의 출력 파형이다. 양 경우 모두 동일한 입력 신호를 인가하였을 경우, 종래 스위칭 회로와 중첩방지회로를 통해 동작했을 때에 따른 출력을 나타내고 있다. 도 6의 좌측 파형은 2개의 입력이 출력되기 위해 스위칭 될 때 파형이 왜곡되고 상승/하강(Rising/Falling) 시간이 길어진 것을 확인할 수 있다. 도 6의 우측 파형은 빠른 상승/하강(Rising/Falling) 시간에 의해 유효 데이터 구간이 더 긴 것을 확인할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 실시예와 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 예시적으로 설명하는 것에 불과하다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아님은 자명하다. 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 신호 중첩 방지 스위칭 회로
110 : N개의 광센서
120 : N개의 채널
130 : 멀티플렉서
140 : 제어부
141 : 중첩방지블럭
142 : N개의 지연부
143 : N개의 앤드게이트

Claims (6)

  1. 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시키는 N개의 광센서;
    상기 N개의 광센서에서 출력된 전기적 신호를 아날로그 전압 파형으로 변환시키는 N개의 채널;
    상기 N개의 채널에서 출력된 신호들을 입력으로 받아서 차례대로 출력시키는 멀티플렉서; 및
    상기 멀티플렉서가 신호를 순차적으로 출력시키도록 동작을 제어하는 제어부;를 포함하되,
    상기 제어부는,
    입력된 클럭 신호의 펄스 폭을 증가시킨 신호로 변환시켜 출력하는 중첩방지블럭;
    상기 N개의 채널에서 출력된 신호를 수신하여 미리 설정된 시간만큼 지연된 신호로 출력하는 N개의 지연부; 및
    상기 중첩방지블럭에서 출력된 신호와 상기 N개의 지연부 각각에서 출력된 신호를 수신하여 상기 멀티플렉서에 N개의 제어 신호를 출력하는 N개의 앤드게이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 중첩 방지 스위칭 회로.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 N개의 지연부는,
    K번째 지연부가 지연시키는 시간보다 K+1번째 지연부가 지연시키는 시간이 더 큰 것을 특징으로 하는 신호 중첩 방지 스위칭 회로.
  4. N개의 광센서, N개의 채널, 멀티플렉서 및 제어부를 포함하는 스위칭 회로를 통해 신호 중첩을 방지하는 방법으로서,
    (a) 상기 N개의 광센서가 방사선을 전기적 신호인 전자(Electron)나 양자(Hole) 짝으로 변환시키는 단계;
    (b) 상기 N개의 채널이 상기 N개의 광센서에서 출력된 전기적 신호를 아날로그 전압 파형으로 변환시키는 단계;
    (c) 상기 멀티플렉서가 상기 N개의 채널에서 출력된 신호들을 입력으로 받아서 차례대로 출력시키는 단계; 및
    (d) 상기 제어부가 상기 멀티플렉서로 하여금 신호를 순차적으로 출력시키도록 동작을 제어하는 단계;를 포함하되,
    상기 제어부는, 중첩방지블럭, N개의 지연부 및 N개의 앤드게이트를 포함하며,
    상기 (d) 단계는,
    상기 중첩방지블럭이 입력된 클럭 신호의 펄스 폭을 증가시킨 신호로 변환시켜 출력하는 단계;
    상기 N개의 지연부가 상기 N개의 채널에서 출력된 신호를 수신하여 미리 설정된 시간만큼 지연된 신호로 출력하는 단계; 및
    상기 N개의 앤드게이트가 상기 중첩방지블럭에서 출력된 신호와 상기 N개의 지연부 각각에서 출력된 신호를 수신하여 상기 멀티플렉서에 N개의 제어 신호를 출력하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 중첩 방지 방법.
  5. 삭제
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 N개의 지연부는,
    K번째 지연부가 지연시키는 시간보다 K+1번째 지연부가 지연시키는 시간이 더 큰 것을 특징으로 하는 신호 중첩 방지 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239056B2 (en) 2019-07-29 2022-02-01 Advanced Energy Industries, Inc. Multiplexed power generator output with channel offsets for pulsed driving of multiple loads

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900000694B1 (ko) * 1987-04-18 1990-02-03 금성전선 주식회사 광센서를 이용한 레이저 가공장치
KR20050009843A (ko) * 2003-07-18 2005-01-26 삼성전자주식회사 복수의 아날로그 입력 신호를 고속으로 처리하는아날로그/디지털 변환 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
JP2007114105A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Shimadzu Corp ２次元放射線検出器、及び、該２次元放射線検出器を備えた放射線撮像装置
JP2007143595A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Shimadzu Corp フラットパネル型放射線検出器
KR20080083505A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 삼성전자주식회사 통신 장치와 연동되는 비가압적이고 비침습적인 손목형혈압 측정 방법 및 장치
KR20100022791A (ko) 2008-08-20 2010-03-03 삼성전자주식회사 광 감지회로, 이를 구비한 액정표시장치 및 이의 구동방법
JP2013078068A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、放射線画像検出方法およびプログラム
KR101670335B1 (ko) * 2015-10-07 2016-10-28 금오공과대학교 산학협력단 고해상도 영상 획득이 가능한 초음파 및 핵의학 융합 영상 프로브시스템

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900000694B1 (ko) * 1987-04-18 1990-02-03 금성전선 주식회사 광센서를 이용한 레이저 가공장치
KR20050009843A (ko) * 2003-07-18 2005-01-26 삼성전자주식회사 복수의 아날로그 입력 신호를 고속으로 처리하는아날로그/디지털 변환 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
JP2007114105A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Shimadzu Corp ２次元放射線検出器、及び、該２次元放射線検出器を備えた放射線撮像装置
JP2007143595A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Shimadzu Corp フラットパネル型放射線検出器
KR20080083505A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 삼성전자주식회사 통신 장치와 연동되는 비가압적이고 비침습적인 손목형혈압 측정 방법 및 장치
KR20100022791A (ko) 2008-08-20 2010-03-03 삼성전자주식회사 광 감지회로, 이를 구비한 액정표시장치 및 이의 구동방법
JP2013078068A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置、放射線画像検出方法およびプログラム
KR101670335B1 (ko) * 2015-10-07 2016-10-28 금오공과대학교 산학협력단 고해상도 영상 획득이 가능한 초음파 및 핵의학 융합 영상 프로브시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239056B2 (en) 2019-07-29 2022-02-01 Advanced Energy Industries, Inc. Multiplexed power generator output with channel offsets for pulsed driving of multiple loads

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