KR101868232B1 - Light emitting diode comprising hybrid transparent electrode - Google Patents
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Abstract
혼성 투명전극으로, 상호 이격된 복수개의 단위 ITO전극으로 이루어진 ITO 아일랜드; 상기 ITO 아일랜드를 도포하는 ZAZ층을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼성 투명전극이 제공된다. An ITO island composed of a plurality of unit ITO electrodes spaced apart from each other by a hybrid transparent electrode; And a ZAZ layer for applying the ITO islands.
Description
본 발명은 혼성 투명전극 및 이를 포함하는 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 우수한 오믹 접촉을 통하여 종래의 ITO에 비하여 우수한 성능을 가지는 혼성 투명전극 및 이를 포함하는 발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a hybrid transparent electrode and a light emitting diode including the hybrid transparent electrode. More particularly, the present invention relates to a hybrid transparent electrode having excellent performance compared to conventional ITO through excellent ohmic contact and a light emitting diode including the same.
최근 새로운 영상매체의 비약적인 발전에 있어서, 발광다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 소형, 저소비전력, 고신뢰성 등의 특징을 겸비하여 표시용 광원으로서 널리 이용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, light emitting diodes (LEDs) have been widely used as light sources for displays, with features such as small size, low power consumption and high reliability.
이러한 발광다이오드는 ITO와 같은 투명전극을 사용하는데, 이는 대한민국 특허출원 10-2005-0106700호 등에 개시되어 있다. Such a light emitting diode uses a transparent electrode such as ITO, which is disclosed in Korean Patent Application No. 10-2005-0106700.
하지만, 우수한 투과율을 가지면서 기존의 질화갈륨계와 같은 발광다이오드와 투명전극간 오믹 컨택을 향상시키는 기술을 개시되지 못한 상황이다.However, a technique for improving ohmic contact between a light emitting diode such as a gallium nitride system and a transparent electrode while having an excellent transmittance has not been disclosed.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 완벽한 오믹컨택을 이루면서도 우수한 광투과율을 갖는 투명전극과 이를 포함하는 발광다이오드를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a transparent electrode having excellent light transmittance while maintaining perfect ohmic contact, and a light emitting diode including the transparent electrode.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 혼성 투명전극으로, 상호 이격된 복수개의 단위 ITO전극으로 이루어진 ITO 아일랜드; 상기 ITO 아일랜드를 도포하는 ZAZ층을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼성 투명전극을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a hybrid transparent electrode comprising: an ITO island made up of a plurality of unit ITO electrodes spaced apart from each other; And a ZAZ layer for applying the ITO islands.
본 발명의 일 실시에에서, 상기 ZAZ층은 Sn-도핑ZnO/Ag/Sn-도핑ZnO의 다중층이며, 상기 ITO 아일랜드의 두께는 70 내지 150 nm이고, 전체 투명전극 면적에서 2 내지 3 %에 해당하는 면적을 갖는다. In one embodiment of the present invention, the ZAZ layer is a multilayer of Sn-doped ZnO / Ag / Sn-doped ZnO, wherein the thickness of the ITO island is 70 to 150 nm and is 2 to 3% And has an area corresponding thereto.
본 발명은 또한 상술한 혼성 투명전극을 포함하는 LED 소자를 제공하며, 상기 LED 소자는, 기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 n-GaN층; 양자우물층; 및 pGaN층을 포함하며, 상기 혼성 투명전극은 상기 pGaN층 상에 적층된다.The present invention also provides an LED device including the above-described hybrid transparent electrode, wherein the LED device comprises: a substrate; an n-GaN layer sequentially stacked on the substrate; A quantum well layer; And a p-type GaN layer, and the hybrid transparent electrode is stacked on the p-type GaN layer.
본 발명에 따른 투명전극 박막은 약 400 nm 이상 파장 영역에서 90 % 이상의 높은 특성을 보이며 동시에 기존 ITO 투명전극의 가장 큰 문제점이었던 질화갈륨계 기반의 오믹 접촉에 있어 약 5 um 사이즈의 e-beam으로 증착한 ITO가 전하 흐름을 원활이 해줌으로써 결과적으로 완벽한 오믹 컨택을 이룰 수 있다. The transparent electrode thin film according to the present invention exhibits a high 90% or more characteristic in a wavelength range of about 400 nm or more, and at the same time, an e-beam having a size of about 5 μm for ohmic contact based on gallium nitride The deposited ITO facilitates the charge flow, resulting in a perfect ohmic contact.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼성 투명 전극의 모식도이다.
도 2는 도 1의 혼성 투명전극을 포함하는 발광다이오드의 단면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극이 적층된 발광소자의 평면사진(좌측)과 비교예로서 ITO 필름이 적층된 발광소자의 평면사진(우측)이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 ITO 아일랜드가 형성된 발광소자 상부면의 SEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼성 투명전극(ZAZ/ITO island)와 비교예인 ITO와 ZAZ의 투과율을 비교한 결과이다.
도 6은 본 발명에 따른 투명전극의 I-V 특성을 분석한 결과이다.
도 7은 본 발명에 따른 혼성 투명전극이 적층된 발광다이오드(ZAZ-LED)와 비교예로서 ITO가 적층된 발광다이오드(ITO-LED)의 전기적 및 광학적 특성 분석 결과이다.
도 8은 본 발명에 따른 발광다이오드의 electroluminescence 이미지 촬영 사진이다.
도 9는 이러한 빛 방출에 대한 정량적 분석 실험 결과이다.
도 10은 외부양자효율 측정 결과이다. 1 is a schematic view of a hybrid transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode including the hybrid transparent electrode of FIG.
FIG. 3 is a plan view (left side) of a light emitting device in which a transparent electrode is stacked according to an embodiment of the present invention and a plan view (right side) of a light emitting device in which an ITO film is stacked as a comparative example.
4 is a SEM photograph of a top surface of a light emitting device having an ITO island according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph showing a result of comparing the transmissivity of a mixed transparent electrode (ZAZ / ITO island) according to an embodiment of the present invention and ITO and ZAZ in a comparative example.
6 is a graph illustrating the IV characteristics of the transparent electrode according to the present invention.
FIG. 7 is an electrical and optical characteristic analysis result of a light emitting diode (ZAZ-LED) in which a hybrid transparent electrode according to the present invention is laminated and a light emitting diode (ITO-LED) in which ITO is stacked as a comparative example.
8 is a photograph of an electroluminescence image of a light emitting diode according to the present invention.
Fig. 9 is a result of a quantitative analysis experiment on such light emission.
10 shows the results of the external quantum efficiency measurement.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여, 발광다이오드 기판 상에 상호 이격되어 적층된 ITO 전극을, ZAZ층으로 도포하여 투과율 및 오믹컨택저항을 개선시킨 기술을 제공한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a technique for improving transmittance and ohmic contact resistance by applying ITO electrodes, which are laminated and laminated on a light emitting diode substrate, with a ZAZ layer.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼성 투명 전극의 모식도이다.1 is a schematic view of a hybrid transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 발광다이오드의 단위층(pGaN, 100) 상에 서로 이격되어 형성된 복수 개의 단위 ITO 전극(200)이 도시된다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 단위 ITO 전극(200)은 향후 ZAZ층(300)에 의하여 덮이며, 따라 상기 상호 이격된 단위 ITO 전극 형태를 ITO 아일랜드로 표현한다. Referring to FIG. 1, a plurality of
본 발명에서 상기 ITO 아일랜드는 전체 투명전극 면적에서 2 내지 3 %에 해당하는 면적을 가지며 두께는 70 내지 150nm이다. 만약 ITO 아일랜드가 차지하는 면적이 2 % 미만일 시에 p-GaN층에서의 오믹 접촉 형성이 이루어지지 않으며, 3 % 초과할 시에는 활성층에서 생성되는 빛의 흡수가 커지기 때문에 투명전극으로써의 효율이 낮아진다. 또한, 두께가 70 nm 미만일 시에 접촉 저항이 증가하여 오믹 형성이 어려우며, 150 nm 초과할 시 역시 생성되는 빛의 흡수가 커지기 때문에 발광다이오드 효율이 낮아지는 원인이 된다.In the present invention, the ITO island has an area corresponding to 2 to 3% of the total transparent electrode area and a thickness of 70 to 150 nm. If the area occupied by the ITO island is less than 2%, the ohmic contact is not formed in the p-GaN layer. If the ITO island occupies more than 3%, absorption of light generated in the active layer is increased. In addition, when the thickness is less than 70 nm, the contact resistance is increased and the formation of ohmic is difficult. When the thickness exceeds 150 nm, the absorption of generated light also becomes large, which causes the efficiency of the light emitting diode to be lowered.
본 발명의 일 실시예에서 상기 ZAZ층(300)은 Sn-도핑ZnO/Ag/Sn-도핑ZnO의 다중층인데, 본 발명의 일 실시예에 따른 혼성 투명전극은 상기 ZAZ층(300)과 내부에 덮인 ITO 전극(200)으로 이루어진다.In one embodiment of the present invention, the ZAZ
도 2는 도 1의 혼성 투명전극을 포함하는 발광다이오드의 단면 모식도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode including the hybrid transparent electrode of FIG.
도 2를 참조하면, 상기 발광다이오드는, 사파이어 기판(101); 상기 사파이어 기판 상에 적층된 비도핑 GaN층(201); 상기 비도핑 GaN층(201) 상에 적층된 n-GaN층(301); 상기 n-GaN층(301) 상에 적층된 활성 다중양자우물층(active MQW, 401); 상기 활성 다중양자우물층(401) 상에 적층된 p-GaN층(501)을 포함한다. 2, the light emitting diode includes a
도 1에 따른 혼성 투명전극은 상기 p-GaN층(501) 상에 적층되는데, 상기 혼성 투명전극(601)은, 단위 ITO 전극으로 이루어진 ITO 아일랜드(701)과 상기 ITO 아일랜드(701)를 모두 도포하는 ZAZ층(801)로 이루어진다. 이후 상기 혼성 투명전극(601) 상에 n-전극인 Ti/Au 전극층(901)이 적층된다. The hybrid transparent electrode according to FIG. 1 is laminated on the p-
실시예 Example
GAN 기반 LED 상에 도포된 투명 접촉층(transparent contact layers (TCLs))으로서, 사각형의 메사를 0.8 um 두께로 건식 에칭 방법으로 정의하여 유도 커플 플라즈마 반응성 이온 에칭 시스템(inductively-coupled plasma reactive ion etching system)을 사용하여 n층을 노출시켰으며, Ti/Al/Ni/Au((30/70/30/70 nm) 층이 n-전극으로 적층되었다. As a transparent contact layer (TCLs) applied on a GAN-based LED, a square mesa was defined as a dry etching method with a thickness of 0.8 [mu] m and an inductively coupled plasma reactive ion etching system ) Was used to expose the n-layer, and a layer of Ti / Al / Ni / Au (30/70/30/70 nm) was deposited on the n-electrode.
Rapid thermal annealing을 섭시 550도에서 1분간 N2 조건에서 수행하여, n-타입 오믹 컨택을 유도하였다. p-GaN층상에 e-빔 증발기를 사용하여 공기 조건에서 1분간 섭씨 550도로 어닐링 과정을 거쳐 형성된 ITO(두께=100nm)를 5 um 크기로 포토리쏘그래피 공정으로 ITO 전극을 균일하게 분포시켜, 복수개의 ITO 전극이 서로 이격된 ITO 아일랜드를 형성하였다. Rapid thermal annealing was performed at 550 ° C for 1 min under N2 conditions to induce n-type ohmic contact. ITO electrodes (thickness: 100 nm) formed by annealing at 550 ° C. for 1 minute in an air condition using an e-beam evaporator on a p-GaN layer were uniformly distributed by a photolithography process at a size of 5 μm, ITO electrodes were formed with ITO electrodes spaced apart from each other.
본 실시예에서 ITO 아일랜드 면적은 5 um 사이즈의 지름을 가지며, 5 x 5 um2의 면적을 갖는 낮은 원통형 모양이었다. 또한, 이러한 ITO 아일랜드 사이 간격 거리는 20 um이었다.In this example, the ITO island area had a diameter of 5 um in size and a low cylindrical shape with an area of 5 x 5 um2. Also, the gap distance between these ITO islands was 20 um.
이후, Sn-도핑ZnO/Ag/Sn-도핑ZnO의 다중층인 ZAZ 다중층을 형성하기 위하여 Sn-도핑 ZnO 타겟(99.9% 순도)와 순수 Ag 타겟(99.99% 순도)를 상온과 5mTorr 압력으로 스퍼터링 공정으로 증착시켰다. Sn-도핑 ZnO 층과 Ag를 각각 42nm와 10nm의 두께로 증착하였으며, 이때 RF 파워 200W DC 파워 10W를 각각 사용하였다. Then, a Sn-doped ZnO target (99.9% purity) and a pure Ag target (99.99% purity) were sputtered at room temperature and 5 mTorr pressure to form a multilayer ZAZ multilayer of Sn-doped ZnO / Ag / Sn- Process. A Sn-doped ZnO layer and Ag were deposited to a thickness of 42 nm and 10 nm, respectively, using RF power of 200 W DC power of 10 W, respectively.
ZAZ 다중층을 pGaN 상의 TCL로 화학적 에칭 공정으로 패터닝하였는데, 이때 상온에서 산화물 에쳔트(HCl:HNO3=7:3)를 사용하였다. The ZAZ multilayers were patterned by a chemical etching process with TCL on pGaN, using oxide etch (HCl: HNO3 = 7: 3) at room temperature.
비교예로서, 300 nm의 ITO 필름을 TCL로 갖는 GaN-기반 LED를 제조하였으며, 이때 TCL인 ITO 필름은 e-빔 증발기로 증착된 후, 섭씨 550도에서 1분간 공기 하에서 열적으로 어닐링하였다(Reference ITO LED). As a comparative example, a GaN-based LED with a 300 nm ITO film in TCL was prepared, wherein the ITO film, TCL, was deposited with an e-beam evaporator and then thermally annealed at 550 degrees Celsius for 1 minute under air ITO LED).
n- 및 p-전극 상에서의 프로빙 패드를 형성하기 위하여, Ti/Au(20/10 nm)를 e-빔 증발기를 사용하여 적층하였다. 본 발명에 따라 제조된 전극을 구동하기 위하여, 상업적으로 사용되는 LED 웨이퍼를 사용하였는데, 이것은 c-플레인(c-plane) 사파이어 기판 상에 금속 유기 화학기상증착에 의하여 성장한 것이다. To form a probing pad on the n- and p-electrodes, Ti / Au (20/10 nm) was laminated using an e-beam evaporator. In order to drive the electrodes manufactured according to the present invention, a commercially available LED wafer was used, which was grown by metal organic chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate.
2.0 um의 도핑되지 않은 GaN, 3.5 um의 n-GaN, 5 피리어드(5 period) GaN/InGaN 다중 양자우물로 이루어진 LED 구조체는 450nm-방출에 대한 활성영역을 가지며, 0.024 um p-AlGaN 전자 블로킹층과 0.14 um p-GaN층을 갖는다. A LED structure consisting of 2.0 um undoped GaN, 3.5 um n-GaN, 5 period GaN / InGaN multiple quantum well has an active region for 450 nm emission and has a 0.024 um p-AlGaN electron blocking layer And a 0.14 um p-GaN layer.
상부-GaN 상에 함몰된 ITO와 컨택을 갖는 ZAZ 다중층의 전기적 특성 분석을 위하여, transsmission line model (TLM) 방법을, 내측 반지름 100 um인 원형 기하학 형태로 수행하였으며, 5 um의 갭 간극을 사용하여 컨택 저항과 오미 거동을 분석하였다. For the electrical characterization of the ZAZ multilayers with contacted ITO and contacts on the top-GaN, the transmission line model (TLM) method was performed using a circular geometry with an inner radius of 100 um and using a gap gap of 5 um Contact resistance and ohmic behavior were analyzed.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극이 적층된 발광소자의 평면사진(좌측)과 비교예로서 ITO 필름이 적층된 발광소자의 평면사진(우측)이다. FIG. 3 is a plan view (left side) of a light emitting device in which a transparent electrode is stacked according to an embodiment of the present invention and a plan view (right side) of a light emitting device in which an ITO film is stacked as a comparative example.
또한 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 ITO 아일랜드가 형성된 발광소자 상부면의 SEM 사진이다.4 is a SEM photograph of a top surface of a light emitting device having an ITO island according to an embodiment of the present invention.
도 3 및 4를 참조하면, 도 1 및 2에서 도시된 바와 같이 ITO 아일랜드가 p-GaN층에 정렬된 형태로 형성되며, 이를 ZAZ층이 도포하는 것을 알 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 4, it can be seen that the ITO islands are formed in alignment with the p-GaN layer as shown in FIGS. 1 and 2, and the ZAZ layer is applied thereto.
실험예 Experimental Example
광투과율 Light transmittance
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼성 투명전극(ZAZ/ITO island)와 비교예인 ITO와 ZAZ의 투과율을 비교한 결과이다. FIG. 5 is a graph showing a result of comparing the transmissivity of a mixed transparent electrode (ZAZ / ITO island) according to an embodiment of the present invention and ITO and ZAZ in a comparative example.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 혼성 투명전극은 약 400 nm 이상 파장 영역에서 90 % 이상의 높은 특성을 보였다. Referring to FIG. 5, the hybrid transparent electrode according to the present invention exhibited a high 90% or more characteristic in a wavelength range of about 400 nm or more.
전기적 특성 분석 Electrical characterization
도 6은 본 발명에 따른 투명전극의 I-V 특성을 분석한 결과이다. FIG. 6 is a result of analyzing I-V characteristics of the transparent electrode according to the present invention.
도 6을 참조하면, 기존 ITO 투명전극의 가장 큰 문제점이었던 질화갈륨계 기반의 오믹 접촉에 있어 약 5 um 사이즈의 e-beam으로 증착한 ITO가 전하 흐름을 원활이 해줌으로써 결과적으로 도 6에서와 같이 완벽한 오믹 접촉을 이뤄낸 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, ITO deposited by e-beam having a size of about 5 .mu.m on the gallium nitride based ohmic contact, which was the greatest problem of the conventional ITO transparent electrode, smoothes the charge flow. As a result, We can also see that the perfect ohmic contact is achieved.
발광다이오드 특성 분석Analysis of light emitting diode characteristics
도 7은 본 발명에 따른 혼성 투명전극이 적층된 발광다이오드(ZAZ-LED)와 비교예로서 ITO가 적층된 발광다이오드(ITO-LED)의 전기적 및 광학적 특성 분석 결과이다.FIG. 7 is an electrical and optical characteristic analysis result of a light emitting diode (ZAZ-LED) in which a hybrid transparent electrode according to the present invention is laminated and a light emitting diode (ITO-LED) in which ITO is stacked as a comparative example.
도 7을 참조하면, 전기적 특성은 실제 전류가 흐를 수 있는 e-beam으로 증착한 ITO 면적 차이로 다소 낮은 반면(a), 광학적 특성은 약 30 % 이상 높은 광추출효율을 보임을 확인할 수 있다(b).Referring to FIG. 7, it can be seen that (a) the electrical characteristic is somewhat low due to the difference in ITO area deposited by the e-beam through which the actual current can flow, and (b) the optical characteristic shows a light extraction efficiency higher than about 30% b).
도 8은 본 발명에 따른 발광다이오드의 electroluminescence 이미지 촬영 사진이다.8 is a photograph of an electroluminescence image of a light emitting diode according to the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 혼성 투명전극을 포함하는 ZAZ-LED는 훨씬 넓은 면적에서 밝게 빛을 방출하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that the ZAZ-LED including the hybrid transparent electrode according to the present invention emits bright light in much larger area.
도 9는 이러한 빛 방출에 대한 정량적 분석 실험 결과이다.Fig. 9 is a result of a quantitative analysis experiment on such light emission.
도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 발광다이오드의 전류퍼짐길이를 측정해본 결과, 3.4V이하에서는 양산허용수준인 120 um 이상을 웃도는 결과를 보였다. Referring to FIG. 9, the current spreading length of the light emitting diode according to the present invention was measured. As a result, the current spreading length was over 120 .mu.
도 10은 외부양자효율 측정 결과이다. 10 shows the results of the external quantum efficiency measurement.
도 10을 참조하면, 외부양자효율을 측정해본 결과 47%의 효율 저하를 보임으로써 reference 대비 약 13% 개선함을 최종적으로 알 수 있었다. Referring to FIG. 10, external quantum efficiency measurement showed 47% reduction in efficiency, which resulted in about 13% improvement compared to the reference.
이상 살핀 바와 같이 본 발명에 따른 혼성 투명전극은 ITO 아일랜드와, 이를 모두 도포하여 매몰시키는 ZAZ층으로 이루어진다. 그 결과, 우수한 오믹 접촉을 이루며 또한 광학적 효율과 외부 양자 효율 등이 모두 우수하다.As described above, the hybrid transparent electrode according to the present invention is composed of an ITO island and a ZAZ layer which is coated with the ITO island and buried therein. As a result, excellent ohmic contact is achieved, and both optical efficiency and external quantum efficiency are excellent.
Claims (5)
기판;
상기 기판 상에 순차적으로 적층된 n-GaN층; 양자우물층; 및 pGaN층을 포함하며, 상기 혼성 투명전극은 상기 pGaN층 상에 적층되며,
상기 혼성 투명전극 상에 n-전극인 Ti/Au 전극층이 적층되며,
상기 혼성 투명전극은,
상호 이격된 복수개의 단위 ITO전극으로 이루어진 ITO 아일랜드; 및
상기 ITO 아일랜드를 도포하여 상기 ITO 아일랜드를 매몰시키는 ZAZ층을 포함하며,
상기 ZAZ층은 Sn-도핑ZnO/Ag/Sn-도핑ZnO의 다중층이고,
상기 ITO 아일랜드의 두께는 70 내지 150 nm이고, 5 ㎛ 크기의 지름 및 5 x 5 ㎛2의 면적을 갖는 낮은 원통형 모양을 가지며, ITO 아일랜드 사이 간격 거리는 20 ㎛ 이고, 전체 투명전극 면적에서 2 내지 3%에 해당하는 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 혼성 투명전극을 포함하는 LED 소자.An LED element comprising a hybrid transparent electrode,
Board;
An n-GaN layer sequentially stacked on the substrate; A quantum well layer; And a pGaN layer, wherein the hybrid transparent electrode is stacked on the pGaN layer,
A Ti / Au electrode layer, which is an n-electrode, is laminated on the hybrid transparent electrode,
The hybrid transparent electrode may be formed,
An ITO island made up of a plurality of unit ITO electrodes spaced apart from each other; And
And a ZAZ layer for applying the ITO island to bury the ITO island,
The ZAZ layer is a multilayer of Sn-doped ZnO / Ag / Sn-doped ZnO,
The ITO island has a thickness of 70 to 150 nm, a diameter of 5 탆 and a low cylindrical shape with an area of 5 x 5 탆 2, the distance between the ITO islands is 20 탆, the total transparent electrode area is 2 to 3 % Of the total area of the transparent electrode.
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Non-Patent Citations (2)
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| Japanese Journal of Applied Physics * |
| Materials Letters v180(2016) 72-76 * |
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|---|---|---|---|---|
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