KR101866662B1 - Apparatus for drying wafer surface using laser - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 표면 건조 장치가 개시된다. 이 웨이퍼 표면 건조 장치는, 웨이퍼의 일 표면을 노출시킨 상태로 상기 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 고정유닛; 상기 웨이퍼 고정유닛을 회전 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전유닛; 적어도 상기 웨이퍼의 일 표면에 액체를 분사하는 액체 분사 수단; 및 상기 웨이퍼가 회전하는 동안, 상기 웨이퍼의 일 표면 상에 레이저빔을 조사하여, 상기 레이저빔의 에너지가 상기 액체에 흡수되게 하는 레이저빔 조사 유닛을 포함한다.A wafer surface drying apparatus is disclosed. This wafer surface drying apparatus includes a wafer holding unit for holding the wafer with one surface of the wafer exposed; A wafer rotating unit for rotating the wafer holding unit to rotate the wafer; Liquid ejecting means for ejecting liquid onto at least one surface of the wafer; And a laser beam irradiating unit for irradiating a laser beam onto one surface of the wafer while the wafer is rotating so that energy of the laser beam is absorbed by the liquid.

Description

레이저를 이용한 웨이퍼 표면 건조 장치{APPARATUS FOR DRYING WAFER SURFACE USING LASER}[0001] APPARATUS FOR DRYING WAFER SURFACE USING LASER [0002]

본 발명은, 웨이퍼를 이용하여 미세 집적 소자를 제조하는 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 세정 후 웨이퍼를 건조시킬 때 발생하는 패턴 손상을 효과적으로 방지하기 위한 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a technique for effectively preventing pattern damage caused when a wafer is dried after a wafer is cleaned in a semiconductor manufacturing process for manufacturing a micro-integrated device using the wafer.

최근 웨이퍼 상에 구현되는 패턴은 대략 10nm 정도 크기의 초미세 구조로 이루어진다. 또한 이러한 미세 패턴은 DRAM의 커패시터(capacitor) 구조와 같이 매우 큰 가로세로비(aspect ratio)를 가지고 있다. 도 1은 이와 같은 미세 패턴의 측면을 보여준다. 도 1을 참조하면, 미세 패턴이 식각(etching) 공정을 통해 얻어진 다음, 미세 패턴의 주변에 남아 있는 잔사 및 이물의 제거를 위해 화학적 습식 세정 공정이 수행된다. 습식 세정 공정 후에는 반드시 초순수를 이용한 린스(rinse) 공정이 수행된다. 이후 웨이퍼 건조 공정이 수행된다.Recently, a pattern embodied on a wafer has an ultrafine structure with a size of about 10 nm. In addition, such a fine pattern has a very large aspect ratio as a capacitor structure of a DRAM. Fig. 1 shows a side view of such a fine pattern. Referring to FIG. 1, a fine pattern is obtained through an etching process, and then a chemical wet cleaning process is performed to remove residues and foreign matter remaining around the fine pattern. After the wet cleaning process, a rinse process using ultrapure water is performed. Thereafter, a wafer drying process is performed.

린스 공정 중 미세 패턴들 사이에는 초순수가 채워지게 되는데, 건조 공정 중에는 미세 패턴들 사이에 채워진 초순수의 모세관힘(capillary force, Fc)에 의해 미세 패턴이 휘어지게 된다. 이를 패턴 리닝(leaning) 현상이라 부르며, 최근 더욱 미세한 패턴을 구현하면서 심각한 패턴 손상 문제로 부각되고 있다. 미세 패턴의 휘어짐을 유발하는 모세관힘을 최대한 줄이기 위해, 초순수 공정 후에 이소프로필 알콜을 웨이퍼에 분사하여 표면장력이 낮은 이소프로필 알콜(IPA)로 물을 치환하는 기술이 있다. 이 기술을 이용하면, 패턴 사이의 액체가 표면장력이 낮은 이소프로필 알콜로 바뀌므로, 모세관힘이 줄어들어 패턴 리닝 현상을 줄일 수 있다. 하지만 이러한 알콜 치환 방법으로도 충분한 패턴 리닝을 막을 수 없으므로, 최근에는 분사되는 이소프로필 알콜의 온도를 대략 약 70℃ 이상으로 높여, 이소프로필 알콜의 표면장력을 낮추어 모세관힘을 줄이고 있다. 참고로 이소프로필 알콜의 증발온도는 82.6℃이다. 그런데 이소프로필 알콜이 웨이퍼 표면에 분사됨과 동시에 낮은 웨이퍼의 온도로 인해 실제 패턴 사이의 알콜 온도는 50℃이하로 떨어지게 된다.During the rinsing process, ultrapure water is filled between the fine patterns. During the drying process, the fine pattern is bent by capillary force (Fc) of ultrapure water filled between the fine patterns. This phenomenon is referred to as patterning leaning phenomenon. Recently, it has become a serious pattern damage problem by implementing a finer pattern. In order to minimize the capillary force causing the warping of the fine pattern, there is a technique of spraying isopropyl alcohol onto the wafer after the ultrapure water process to replace the water with isopropyl alcohol (IPA) having a low surface tension. Using this technique, the liquid between the patterns is converted to isopropyl alcohol with low surface tension, so capillary forces can be reduced and pattern lining can be reduced. However, since the pattern substitution can not prevent sufficient pattern lining, recently, the temperature of the injected isopropyl alcohol is increased to about 70 ° C or more, and the surface tension of isopropyl alcohol is lowered to reduce the capillary force. For reference, the evaporation temperature of isopropyl alcohol is 82.6 ° C. However, as the isopropyl alcohol is sprayed onto the wafer surface, the temperature of the wafer between the actual patterns drops below 50 ° C due to the low wafer temperature.

대한민국 특허공개 제10-2011-0131707호Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-0131707

이소프로필 알콜의 온도 강하를 막기 위해 웨이퍼 배면을 가열하는 방법의 이용이 고려될 수 있을 것이다. 웨이퍼 배면을 가열하는 것은 알콜의 온도 강하를 억제할 수 있지만, 웨이퍼도 함께 가열되므로, 초정밀 반도체 소자의 특성에 영향을 미칠 수 있고, 알콜이 포함된 다량의 초순수 폐기 문제가 발생할 수 있다.The use of a method of heating the backside of the wafer to prevent the temperature drop of isopropyl alcohol may be considered. Heating the back surface of the wafer can suppress the temperature drop of the alcohol, but since the wafer is also heated, the characteristics of the ultra-precision semiconductor device may be affected and a large amount of ultra pure water containing alcohol may be discarded.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼를 이용하여 미세 집적 소자를 제조하는 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 린스 후 웨이퍼를 건조시킬 때 발생하는 패턴 손상을 효과적으로 방지하기 위한 기술을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION A problem to be solved by the present invention is to provide a technique for effectively preventing pattern damage caused when a wafer is rinsed after rinsing a wafer in a semiconductor manufacturing process for manufacturing a fine integrated device using a wafer.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 미세 패턴 사이의 물을 이소프로필 알콜로 치환하여 건조를 수행하는 공정에 있어서, 이소프로필 알콜의 표면 장력을 낮추기 위해, 건조 전 이소프로필 알콜의 온도를 증발 온도와 근접한 상태로 가열시켜주되, 웨이퍼에 대한 직접 가열에 의한 손상을 막도록, 레이저빔을 이소프로필 알콜에 조사해 가열, 증발시키는 기술을 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to lower the surface tension of isopropyl alcohol in the step of replacing water between fine patterns with isopropyl alcohol by drying so that the temperature of the isopropyl alcohol before drying is lowered to the evaporation temperature And irradiating a laser beam onto isopropyl alcohol to heat and evaporate the laser beam so as to prevent damage due to direct heating to the wafer.

본 발명의 일 측면에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치는, 웨이퍼의 일 표면을 노출시킨 상태로 상기 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 고정유닛; 상기 웨이퍼 고정유닛을 회전 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전유닛; 적어도 상기 웨이퍼의 일 표면에 액체를 분사하는 액체 분사 수단; 및 상기 웨이퍼가 회전하는 동안, 상기 웨이퍼의 일 표면 상에 레이저빔을 조사하여, 상기 레이저빔의 에너지가 상기 액체에 흡수되게 하는 레이저빔 조사 유닛을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer surface drying apparatus comprising: a wafer holding unit for holding a wafer while exposing a surface of the wafer; A wafer rotating unit for rotating the wafer holding unit to rotate the wafer; Liquid ejecting means for ejecting liquid onto at least one surface of the wafer; And a laser beam irradiating unit for irradiating a laser beam onto one surface of the wafer while the wafer is rotating so that energy of the laser beam is absorbed by the liquid.

일 실시예에 따라, 상기 액체는 물 또는 알콜일 수 있다.According to one embodiment, the liquid may be water or alcohol.

일 실시예에 따라, 상기 액체 분사 수단은 상기 웨이퍼의 일 표면에 물을 분사하는 물 분사 노즐과, 상기 물의 분사에 의해 상기 웨이퍼의 미세 패턴 사이에 채워진 물을 알콜로 치환하도록, 회전중인 상기 웨이퍼의 일 표면에 알콜을 분사하는 알콜 분사 노즐을 포함한다.According to one embodiment, the liquid injection means includes a water injection nozzle for injecting water onto one surface of the wafer, and a water injection nozzle for injecting water into the wafer, which is rotating, so as to replace the water filled between the fine patterns of the wafer with alcohol, And an alcohol spray nozzle for spraying alcohol onto one surface of the nozzle.

일 실시예에 따라, 상기 레이저빔 조사 유닛은 상기 알콜의 표면 장력을 줄이도록 레이저빔을 조사하며, 질소 가스 분사 노즐은 상기 웨이퍼의 상측에서 회전중인 상기 웨이퍼의 일 표면에 질소 가스를 분사하여 상기 웨이퍼의 일 표면으로부터 상기 알콜을 제거한다.According to one embodiment, the laser beam irradiation unit irradiates a laser beam so as to reduce the surface tension of the alcohol, and the nitrogen gas injection nozzle injects nitrogen gas onto one surface of the wafer being rotated on the wafer, The alcohol is removed from one surface of the wafer.

일 실시예에 따라, 상기 물 분사 노즐, 상기 알콜 분사 노즐 및 상기 질소 가스 분사 노즐은 분사 노즐 거치대에 거치되며, 상기 웨이퍼가 회전할 때 상기 분사 노즐 거치대는 상기 웨이퍼 지름 방향을 따라 이동 가능하게 설치된다.According to one embodiment, the water spray nozzle, the alcohol spray nozzle, and the nitrogen gas spray nozzle are mounted on a spray nozzle holder, and when the wafer rotates, the spray nozzle holder is movably installed along the wafer diameter direction do.

일 실시예에 따라, 상기 레이저빔 조사유닛은 레이저빔 발생부와, 상기 레이저빔이 발생시킨 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송부와, 상기 레이저빔 전송부를 통해 받은 레이저빔을 상기 웨이퍼의 일 표면에 조사하는 레이저빔 조사부를 포함하며, 상기 레이저빔 조사부는 상기 분사 노즐 거치대에 연결된다.According to one embodiment, the laser beam irradiating unit includes a laser beam generator, a laser beam transmitter for transmitting the laser beam generated by the laser beam, And the laser beam irradiating unit is connected to the jet nozzle holder.

일 실시예에 따라, 상기 레이저빔 조사유닛은 레이저빔 발생부와, 상기 레이저빔이 발생시킨 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송부와, 상기 레이저빔 전송부를 통해 받은 레이저빔을 상기 웨이퍼의 일 표면에 조사하는 레이저빔 조사부를 포함하며, 상기 레이저빔 조사부는 레이저빔의 진행 방향을 따라 차례로 조준렌즈, 집속렌즈 및 보호창을 차례로 중공형 내통 내에 구비하며, 상기 내통의 외측에는 상기 웨이퍼의 일 표면으로부터 튀어 오르는 액체로부터 상기 내통 내부와 상기 보호창을 보호하기 위한 에어커튼형 오염 방지 수단이 마련된다.According to one embodiment, the laser beam irradiating unit includes a laser beam generator, a laser beam transmitter for transmitting the laser beam generated by the laser beam, Wherein the laser beam irradiating unit includes a collimating lens, a converging lens, and a protective window sequentially in turn in the hollow inner cylinder along the proceeding direction of the laser beam, and the outer surface of the inner cylinder is provided with one surface An air curtain-type contamination preventing means for protecting the inside of the inner cylinder and the protection window from the liquid splashing from the air.

일 실시예에 따라, 상기 오염 방지 수단은, 상기 내통 주변을 둘러싸도록 형성되되 상기 내통 아래까지 연장되어 상기 내통과의 사이에 기체 배출 통로를 형성하고 하부에는 내경이 점진적으로 작아지는 기체 배출구 제공된 외통과, 상기 외통에 형성되어 질소 또는 클린 에어가 유입되는 기체 인렛을 포함하며, 외부의 펌프(pump) 또는 블로워(blower)에 의해 송풍된 기체가 상기 기체 인렛을 통해 상기 외통 내로 유입된 후 상기 기체 배출 통로와 상기 기체 배출구를 통해 상기 내통 하단의 보호창 아래로 배출된다.According to an embodiment of the present invention, the contamination prevention means may include a gas discharge port which is formed to surround the inner cylinder, extends to the inner cylinder bottom and forms a gas discharge passage between the inner passages, And a gas inlet formed in the outer tube and through which nitrogen or clean air is introduced, wherein a gas blown by an external pump or a blower flows into the outer tube through the gas inlet, And then discharged through the discharge passage and the gas discharge port to a lower portion of the protection window at the lower end of the inner pipe.

일 실시예에 따라, 상기 보호창은 상기 내통 내부의 렌즈를 보호하기 위해 형성된 무반사 코팅층을 포함한다.According to one embodiment, the protective window comprises an anti-reflective coating layer formed to protect the lens inside the inner tube.

일 실시예에 따라, 상기 레이저빔 조사유닛은 파장이 900nm 이상인 연속파 적외선 레이저빔을 이용한다.According to one embodiment, the laser beam irradiation unit uses a continuous wave infrared laser beam having a wavelength of 900 nm or more.

일 실시예에 따라, 상기 알콜 분사 노즐은 상기 웨이퍼의 일 표면에 분사하는 알콜로 이소프로필 알콜을 이용하며, 상기 레이저빔은 상기 이소프로필 알콜의 온도가 70~80℃ 온도로 유지되도록 가해진다.According to one embodiment, the alcohol spray nozzle uses isopropyl alcohol with alcohol spraying on one surface of the wafer, and the laser beam is applied such that the temperature of the isopropyl alcohol is maintained at 70-80 < 0 > C.

일 실시예에 따라, 상기 웨이퍼 회전유닛은 상기 웨이퍼를 300rpm 이상으로 회전시킨다.According to one embodiment, the wafer rotating unit rotates the wafer at 300 rpm or more.

본 발명에 따르면, 웨이퍼를 이용하여 미세 집적 소자를 제조하는 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 린스 후 웨이퍼를 건조시킬 때 웨이퍼 상의 액체를 가열하는 수단으로 레이저빔을 이용함으로써, 상기 웨이퍼 건조시 액체의 표면 장력 또는 열을 가하는 것으로부터 야기되는 패턴 손상을 효과적으로 방지할 수 있다.According to the present invention, in a semiconductor manufacturing process for producing a fine integrated device using a wafer, by using a laser beam as a means for heating a liquid on a wafer after drying the wafer after rinsing the wafer, Pattern damage caused by applying tension or heat can be effectively prevented.

본 발명에 따르면, 레이저빔으로 이소프로필 알콜을 효과적으로 직접 가열시킴으로써 모세관힘에 의한 패턴 손상을 막아, 반도체 소자 생산 수율 향상에 기여할 수 있다. 또한 기존 고온 초순수와 광가열부를 사용한 웨이퍼 가열 방식과 비교해 웨이퍼에 전혀 손상을 주지 않고, 추가적인 오폐수도 발생시키지 않는다는 효과도 제공한다. 더불어 레이저빔의 출력을 높여 알콜과 물을 직접 증발시킬 수 있음으로써 건조 시간을 획기적으로 단축시켜 생산성을 증가시키는 효과도 제공한다. 이는, 고온 초순수 또는 광가열부를 사용하여 웨이퍼 배면의 온도를 높여 주는 것과 비교해, 웨이퍼 자체의 온도 상승을 막아 줄 수 있고, 추가적으로 오폐수가 발생이 없는 환경 친화적인 건조 방식이라는 이점이 있다.According to the present invention, by directly heating isopropyl alcohol with a laser beam, pattern damage due to the capillary force is prevented, thereby contributing to improvement in the yield of semiconductor device production. In addition, compared with the existing wafer heating method using the existing high-temperature ultra-pure water and the light heating unit, the wafer is not damaged at all and no additional wastewater is generated. In addition, since the power of the laser beam can be increased to evaporate alcohol and water directly, the drying time can be remarkably shortened and the productivity can be increased. This is advantageous in that an increase in temperature of the wafer itself can be prevented as compared with a case in which the temperature of the back surface of the wafer is raised by using the high-temperature ultrapure water or the optical heating unit, and an environmentally friendly drying method without additional wastewater.

도 1는 웨이퍼 건조 공정에서 발생하는 웨이퍼 패턴 손상을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 대안적인 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 레이저빔 조사 유닛의 레이저빔 조사부를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view showing wafer pattern damage caused in a wafer drying process.
2 is a view for explaining a wafer surface drying apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a wafer surface drying apparatus according to an alternative embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view for explaining a laser beam irradiating unit of the laser beam irradiating unit shown in Figs. 2 and 3. Fig.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치를 도시한 구성도이다.2 is a configuration diagram showing a wafer surface drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치는 웨이퍼(W)의 상부 표면을 노출시킨 상태로 상기 웨이퍼(W)를 고정하는 웨이퍼 고정유닛(10)과, 상기 웨이퍼 고정유닛(10)을 회전 구동하여 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 웨이퍼 회전유닛(20)과, 상기 웨이퍼 고정유닛(10)의 상부에 배치되어, 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면 린스를 위해, 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐(30)을 포함한다. 상기 초순수 분사 노즐(30)을 통해 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면에 분사된 초순수는 상기 웨이퍼(W) 상부 표면의 미세 패턴 사이를 채우게 된다.2, a wafer surface drying apparatus according to an embodiment of the present invention includes a wafer fixing unit 10 for fixing the wafer W with the upper surface of the wafer W exposed, A wafer rotating unit 20 which rotates the unit 10 to rotate the wafer W and a rotating unit 20 which is disposed above the wafer fixing unit 10 and rotates the upper surface of the wafer W And an ultrapure water injection nozzle 30 for injecting ultrapure water onto the upper surface of the wafer W. The ultrapure water sprayed on the upper surface of the wafer W through the ultra pure water injection nozzle 30 fills the space between the fine patterns on the upper surface of the wafer W.

또한, 본 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치는, 상기 웨이퍼 회전유닛(20)에 의해 상기 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시켜 원심력을 만들어 준 후, 상기 미세 패턴 사이에 채워진 물을 이소프로필 알콜로 치환하고, 다음, 질소 가스를 이용하여 상기 치환된 이소프로필 알콜을 건조시키도록 구성된다. 이를 위해, 상기 웨이퍼 표면 건조 장치는, 회전중인 웨이퍼(W)의 상부 표면에 이소프로필 알콜을 분사하는 알콜 분사 노즐(40)과, 상기 회전중인 웨이퍼(W)의 상부 표면에 질소 가스를 분사하는 질소 가스 분사 노즐(50)을 포함한다.Further, in the wafer surface drying apparatus according to the present embodiment, after the wafer W is rotated at high speed by the wafer rotating unit 20 to make centrifugal force, the water filled between the fine patterns is washed with isopropyl alcohol And then drying the substituted isopropyl alcohol using nitrogen gas. For this, the wafer surface drying apparatus includes an alcohol injection nozzle 40 for spraying isopropyl alcohol on the upper surface of the rotating wafer W, and a spray nozzle 40 for spraying nitrogen gas onto the upper surface of the rotating wafer W And a nitrogen gas injection nozzle 50.

상기 초순수 분사 노즐(30), 상기 알콜 분사 노즐(40) 및 상기 질소 가스 분사 노즐(50)은, 하나의 분사 노즐 거치대(80)에 거치된 채, 상기 분사 노즐 거치대(80)가 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 스캔 이동하는 것에 의해, 상기 웨이퍼(W)의 지름 방향을 따라 이동될 수 있다. 상기 초순수 분사 노즐(30), 상기 알콜 분사 노즐(40) 또는 상기 질소 가스 분사 노즐(50)은, 상기 웨이퍼 회전유닛(20)이 상기 웨이퍼(W)를 회전시키므로, 상기 분사 노즐 거치대(81)의 직경 방향 이동만으로도, 상기 초순수, 이소프로필 알콜 또는 질소 가스를 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면 전체 면적에 걸쳐 분사할 수 있다.The injection nozzles 80 are positioned on the wafer W while the ultra pure water injection nozzle 30, the alcohol injection nozzle 40 and the nitrogen gas injection nozzle 50 are mounted on one injection nozzle holder 80, The wafer W can be moved along the radial direction of the wafer W by scanning. The ultra pure water injection nozzle 30, the alcohol injection nozzle 40 or the nitrogen gas injection nozzle 50 rotate the wafer W by the wafer rotation unit 20, The ultra pure water, the isopropyl alcohol, or the nitrogen gas can be sprayed over the entire surface area of the upper surface of the wafer W only by the radial movement of the wafer W.

또한, 본 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조 장치는, 질소 가스 분사 노즐(50)을 통한 질소 분사 전에, 이소프로필 알콜의 표면 장력을 줄이기 위해, 레이저빔을 웨이퍼(W) 상부 표면의 이소프로필 알콜에 조사하는 레이저빔 조사유닛(70)을 더 포함한다. In order to reduce the surface tension of isopropyl alcohol, a laser beam is applied to isopropyl alcohol on the upper surface of the wafer W, before the nitrogen gas is injected through the nitrogen gas injection nozzle 50, And a laser beam irradiating unit (70) for irradiating the laser beam.

레이저빔은 선행 도포된 이소프로필 알콜에 흡수되어 이소프로필 알콜의 온도를 높인다. 이때, 레이저빔 흡수 결과에 따른 이소프로필 알콜의 온도는 이소프로필 알콜의 증발 온도보다 낮은 온도, 즉, 70~80℃인 것이 바람직하다.The laser beam is absorbed in the previously applied isopropyl alcohol to raise the temperature of the isopropyl alcohol. At this time, it is preferable that the temperature of the isopropyl alcohol according to the laser beam absorption result is lower than the evaporation temperature of isopropyl alcohol, that is, 70 to 80 ° C.

이제 전술한 웨이퍼 표면 건조 장치를 이용하여 웨이퍼의 표면을 린스 후 웨이퍼 손상 없이 웨이퍼 표면을 건조하는 기술에 대해 좀 더 자세히 설명한다.Now, the technique of drying the wafer surface without rupturing the wafer after rinsing the surface of the wafer using the above-described wafer surface drying apparatus will be described in more detail.

먼저, 웨이퍼 고정유닛(10)을 이용하여 웨이퍼(W)의 상부 표면이 상부를 향해 노출되도록 상기 웨이퍼(W)를 고정한다. 상기 웨이퍼 고정유닛(10)은 상기 웨이퍼(W)의 직경에 따라 벌어지거나 좁혀진 상태로 상기 웨이퍼(W)의 가장자리를 잡아 고정하는 클램프(11)와, 상기 클램프(11)를 지지하는 클램프 지지대(12)를 포함한다. 또한, 상기 웨이퍼 회전유닛(20)은 상기 클램프 지지대(12)의 하부에 결합되며, 상기 클램프 지지대(12)를 회전 구동하여 그와 결합됨 클램프(11) 그리고 상기 클램프(11)에 의해 수평 상태로 고정된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 상기 웨이퍼(W)의 건조 공정을 위해, 상기 웨이퍼(W)는 회전유닛(20)에 의해 고속, 가장 바람직하게는, 300rpm 이상의 속도로 회전된다.First, the wafer W is fixed using the wafer holding unit 10 so that the upper surface of the wafer W is exposed upward. The wafer fixing unit 10 includes a clamp 11 for holding and fixing the edge of the wafer W in a state that the wafer W is opened or closed according to the diameter of the wafer W, 12). The wafer rotating unit 20 is coupled to a lower portion of the clamp support 12 and rotatably drives the clamp support 12 so as to be coupled to the clamp 11. The clamp 11 supports the wafer 11 in a horizontal state Thereby rotating the wafer W fixed to the wafer W. For the drying process of the wafer W, the wafer W is rotated by the rotation unit 20 at a high speed, most preferably at a speed of 300 rpm or more.

린스 공정에서는 상기 초순수 분사 노즐(30)을 통해 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면에 초순수가 분사되어 웨이퍼(W) 상부 표면의 미세 패턴 사이에 초순수가 채워진다. 앞에서 언급한 바와 같이, 상기 레이저빔 조사유닛(70)은 웨이퍼(W)의 상부 표면에 레이저빔을 조사하며, 조사된 레이저빔은 웨이퍼(W)의 상부 표면에 미리 도포된 이소프로필 알콜에 흡수되어, 이소프로필 알콜의 온도를 증발 온도 미만인 70~80℃까지 높인다. 온도가 증가된 이소프로필 알콜은 표면 장력이 감소되므로, 그 표면 장력에 의해 웨이퍼(W) 상부 표면의 미세 패턴이 휘는 현상(도 1 참조)을 억제한다. In the rinsing process, ultrapure water is sprayed onto the upper surface of the wafer W through the ultra pure water injection nozzle 30, so that ultrapure water is filled between the fine patterns on the upper surface of the wafer W. As described above, the laser beam irradiating unit 70 irradiates the upper surface of the wafer W with a laser beam, and the irradiated laser beam is absorbed by isopropyl alcohol previously coated on the upper surface of the wafer W Thereby raising the temperature of the isopropyl alcohol to 70-80 ° C., which is lower than the evaporation temperature. Isopropyl alcohol having an increased temperature has a reduced surface tension, so that the phenomenon that the fine pattern on the upper surface of the wafer W bends due to its surface tension is suppressed (see Fig. 1).

상기 레이저빔 조사유닛(70)은 레이저빔을 발생시키는 레이저빔 발생부(71)와, 상기 레이저빔 발생부(71)에서 발생된 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송부(72)와, 상기 레이저빔 전송부(72)를 통해 전송된 레이저빔을 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면에 조사하는 레이저빔 조사부(73)를 포함한다. The laser beam irradiating unit 70 includes a laser beam generating unit 71 for generating a laser beam, a laser beam transmitting unit 72 for transmitting the laser beam generated by the laser beam generating unit 71, And a laser beam irradiating part 73 for irradiating the upper surface of the wafer W with the laser beam transmitted through the beam transmitting part 72.

이때, 레이저빔 전송부(72)로는 반사미러 또는 광섬유를 이용할 수 있는데, 이송의 편의성과 효율성 관점에서 광섬유를 이용하는 것이 더 선호된다. 상기 레이저빔 조사부(73)는, 전술한 분사노즐 거치대(8)에 거치 또는 결합되는 것이 바람직하다. 상기 분사노즐 거치대(80)가 웨이퍼(W)의 직경방향으로 이동하고 상기 웨이퍼(W)가 회전하면, 상기 레이저빔 조사부(73)이 조사한 레이저빔이 상기 웨이퍼(W)의 상부 표면 전면적에 걸쳐 존재하는 초순수와 작용할 수 있다. 상기 조사된 레이저빔은 선행 도포된 이소프로필 알콜에 흡수되어 이소프로필 알콜의 온도를 높인다. 온도가 상승한 이소프로필 알콜은 표면장력이 매우 낮아지므로, 후속으로 분사되는 질소 가스에 위한 최종 건조 공정시 모세관힘을 극소화시킴으로써 패턴 리닝과 같은 손상을 억제하는데 기여한다.At this time, a reflection mirror or an optical fiber can be used as the laser beam transmission part 72, and it is more preferable to use an optical fiber from the viewpoint of convenience of transportation and efficiency. It is preferable that the laser beam irradiating part 73 is mounted or coupled to the jetting nozzle holder 8 described above. When the jet nozzle holder 80 is moved in the radial direction of the wafer W and the wafer W is rotated, the laser beam irradiated by the laser beam irradiating portion 73 is irradiated onto the entire surface of the upper surface of the wafer W It can work with existing ultra pure water. The irradiated laser beam is absorbed by the previously applied isopropyl alcohol to raise the temperature of the isopropyl alcohol. Isopropyl alcohol with elevated temperature has a very low surface tension and thus contributes to suppressing damage such as patterning by minimizing the capillary force during the final drying process for the subsequently injected nitrogen gas.

상기 레이저빔 조사유닛(W)에 의해 조사된 레이저빔은, 이소프로필 알콜을 가열할 목적으로 이용되므로, 펄스파의 형태가 아닌 연속파(continuous wave)의 형태인 것이 바람직하다. 또한 상기 조사된 레이저빔은 웨이퍼(W)에 흡수되는 것이 아니라 이소프로필 알콜과 같은 투명 액체에 흡수되어 액체의 온도만을 높이는 것이 좋다. 따라서, 웨이퍼(W), 더 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼(W)와는 반응이 잘 안되고, 알콜 및 초순수와는 반응이 잘 일어나는 레이저빔을 선택하여 이용하는 것이 매우 중요하다.Since the laser beam irradiated by the laser beam irradiating unit W is used for heating isopropyl alcohol, it is preferable that the laser beam is in the form of a continuous wave instead of a pulse wave. It is also preferable that the irradiated laser beam is not absorbed by the wafer W but absorbed by a transparent liquid such as isopropyl alcohol so as to increase only the temperature of the liquid. Therefore, it is very important to select and use a laser beam which is not well reacted with the wafer W, more specifically, with the silicon wafer W, and is well reacted with alcohol and ultrapure water.

레이저빔과 투명 액체 사이의 반응성은 파장과 아주 밀접한 관계를 갖는다. 즉 파장이 900nm 이상에서 빛은 투명액체에 흡수되기 시작하여 파장이 증가함에 따라 급격히 증가한다. 반면 실리콘 웨이퍼는 900nm 이상 적외선 파장의 빛인 경우 흡수가 거의 일어나지 않는다. 따라서 웨이퍼 건조를 위해 사용되는 레이저는 파장이 900nm 이상의 적외선 레이저를 사용하는 것이 매우 바람직하다. 파장이 900nm 이상 연속파 형태의 레이저로, 다이오드레이저, 파이버레이저, CO 혹은 CO2 가스 레이저가 이용될 수 있다.The reactivity between the laser beam and the transparent liquid is closely related to the wavelength. That is, when the wavelength is 900 nm or more, light begins to be absorbed by the transparent liquid, and increases sharply as the wavelength increases. On the other hand, silicon wafers hardly absorb in the case of light with an infrared wavelength of 900 nm or more. Therefore, it is highly desirable to use an infrared laser having a wavelength of 900 nm or more as the laser used for wafer drying. A laser with a wave length of 900 nm or longer, a diode laser, a fiber laser, a CO or a CO 2 gas laser may be used.

상기 레이저빔 조사유닛(70)에 의해 조사된 레이저빔은 대부분 알콜에 흡수되나 일부는 웨이퍼(W)를 투과하여 웨이퍼(W) 하부의 웨이퍼 고정유닛(10) 또는 웨이퍼 회전유닛(20)에 전달될 수도 있다. 이때, 투과된 레이저빔에 의해, 웨이퍼 고정유닛(10) 또는 웨이퍼 회전유닛(20)의 부품들, 특히, 클램프 지지대(12)가 손상될 수 있으므로, 웨이퍼 고정유닛(10) 또는 웨이퍼 회전유닛(20)의 적어도 일부를 레이저빔과의 반응성이 낮은 세라믹 재질을 사용하거나 레이저빔 흡수 코팅 처리 하는 것도 바람직하다.The laser beam irradiated by the laser beam irradiating unit 70 is mostly absorbed by alcohol but a part of the laser beam is transmitted through the wafer W to the wafer holding unit 10 or the wafer rotating unit 20 under the wafer W . At this time, the components of the wafer holding unit 10 or the wafer rotating unit 20, particularly, the clamp support 12 may be damaged by the transmitted laser beam, so that the wafer holding unit 10 or the wafer rotating unit 20 20 is preferably made of a ceramic material having a low reactivity with the laser beam or subjected to laser beam absorption coating treatment.

본 실시예에서, 상기 레이저빔 조사유닛(70)은 알콜을 증발 직전 온도까지 가열할 목적으로 사용되지만, 패턴 리닝과 같은 손상에 민감하지 않은 웨이퍼 건조의 경우에는, 증가된 출력의 레이저빔을 이용하여 알콜을 바로 증발시킬 수도 있음에 유의한다. 이 경우 건조 시간을 획기적으로 줄일 수 있고 후속 건조용 질소 가스를 절감할 수 있다는 장점이 있다.In the present embodiment, the laser beam irradiating unit 70 is used for heating the alcohol to a temperature immediately before evaporation, but in the case of wafer drying which is not susceptible to damage such as pattern lining, So that the alcohol can be directly evaporated. In this case, the drying time can be drastically reduced and the nitrogen gas for subsequent drying can be saved.

또한 패턴 손상 가능성이 없는 평탄한 웨이퍼 건조 공정에 있어서는, 이소프로필 알콜을 사용하지 않고, 초순수만 사용하여 바로 고속 회전 건조를 시키는 경우가 있다. 이 경우 고속 회전 건조시 레이저빔을 함께 조사하면, 웨이퍼 표면 건조시간을 획기적으로 줄이고, 물반점(water mark)과 같은 표면 불량을 줄일 수도 있다.Further, in a flat wafer drying process in which there is no possibility of pattern damage, there is a case where high-speed spin drying is carried out using only ultra-pure water without using isopropyl alcohol. In this case, when the laser beam is irradiated simultaneously during the high-speed rotation drying, the drying time of the wafer surface can be drastically reduced and the surface defects such as water marks can be reduced.

도 3은 본 발명의 대안적인 실시예에 따른 웨이퍼 표면 건조장치를 도시한 구성도로서, 도 3을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 표면 건조장치는, 레이저빔 조사유닛(70)을 도와 이소프로필 알콜을 가열하는 수단으로서, 웨이퍼(W)의 배면을 가열하는 고온 초순수 분사부(62)와 광가열부(64)를 추가로 포함한다. 고온 초순수 분사부(662)와 광가열부(64) 중 적어도 하나가 레이저빔 조사유닛(70)을 도와 이소프로필 알콜 가열에 참여하면, 레이저빔 출력을 줄일 수 있다. 고온 초순수 분사부(62)와 광가열부(64)가 이용됨에도 불구하고, 낮은 온도의 가열을 이용하므로, 가열에 의한 웨이퍼 손상은 방지될 수 있다.3 is a schematic view showing a wafer surface drying apparatus according to an alternative embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the wafer surface drying apparatus of the present embodiment includes a laser beam irradiation unit 70, Temperature ultrapure water injecting section 62 and a light heating section 64 for heating the back surface of the wafer W. The high- When at least one of the high-temperature ultrapure water jetting section 662 and the light heating section 64 helps the laser beam irradiation unit 70 to heat isopropyl alcohol, the laser beam output can be reduced. Despite the use of the high-temperature ultrapure water jetting section 62 and the light heating section 64, since the heating at a low temperature is used, wafer damage due to heating can be prevented.

도 4는 전술한 레이저빔 조사유닛(70)의 레이저빔 조사부(73)의 구성을 보다 더 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.4 is a configuration diagram for more specifically describing the configuration of the laser beam irradiating unit 73 of the laser beam irradiating unit 70 described above.

도 4를 참조하면, 상기 레이저빔 조사부(73)는 중공형 내통(731)을 포함한다. 상기 내통(731) 후미에 전술한 광섬유와의 연결을 위한 광섬유 연결부(collimation lens; 732)가 설치되며, 상기 내통(731)의 내부에는 상기 내통(731)의 후방 측(상부)에서 전방 측(하부)을 향해 조준렌즈(733), 집속렌즈(734) 및 보호창(735)이 차례로 설치된다. 광섬유를 통해 전달된 레이저빔은 상기 광섬유 연결부(732)를 통해 상기 내통(731) 내로 들어와 상기 내통(731) 내부에서 특정 각도로 분산된다. 상기 조준렌즈(733)는 상기 분산된 레이저빔을 정렬시켜 평행광의 형태로 만들며, 상기 집속렌즈(734)는 상기 조준렌즈(733)를 통과한 레이저빔을 집속시킨다. 이때 상기 웨이퍼(W)는 초점 위치보다 아래에 위치시키는 것이 바람직하다. 작업높이(h)에 따라 웨이퍼(W)의 상부 표면에 조사되는 레이저빔이 직경(d)을 다르게 할 수 있는데, 이를 통해 가열 영역의 크기를 조절할 수 있다.Referring to FIG. 4, the laser beam irradiating part 73 includes a hollow inner tube 731. A collimation lens 732 for connecting the optical fiber to the optical fiber is installed at the tail end of the inner tube 731. The inner tube 731 is provided at the rear side A focusing lens 733, a focusing lens 734, and a protection window 735 are sequentially installed. The laser beam transmitted through the optical fiber enters the inner tube 731 through the optical fiber connecting portion 732 and is dispersed at a specific angle within the inner tube 731. The collimating lens 733 aligns the dispersed laser beam to form a collimated light beam. The collimating lens 734 focuses the laser beam that has passed through the collimating lens 733. At this time, the wafer W is preferably positioned below the focus position. The diameter d of the laser beam irradiated on the upper surface of the wafer W may be varied according to the working height h so that the size of the heating region can be controlled.

세정 및/또는 건조 공정 중 화학약품, 물, 알콜 등이 튀어 올라 올 수 있으므로, 작업 높이(h)는 50mm 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 상기 보호창(735)은 상기 집속 렌즈(734) 아래에 배치되어, 혹시라도 레이저빔 조사부(73)를 향해 튀어 올라오는 액체 방울로부터 렌즈(733 또는 734)를 보호하는 역할을 한다. 이때 상기 보호창(735)은 사용 레이저빔을 완전 투과시킬 수 있도록 무반사 코팅층을 포함하는 것이 바람직하다. Since the chemical, water, alcohol or the like may protrude during the cleaning and / or drying process, the working height h is preferably set to 50 mm or more. The protection window 735 is disposed under the focusing lens 734 and protects the lens 733 or 734 from the liquid droplet that protrudes toward the laser beam irradiating part 73. [ The protection window 735 may include an anti-reflective coating layer to completely transmit the laser beam.

또한, 상기 레이저빔 조사부(73)는, 튀어 오르는 액체로부터 렌즈와 보호창 등을 보호하기 위한 에어커튼형 오염 방지 수단을 추가로 더 포함한다. 상기 오염 방지 수단은 상기 외통 주변을 둘러싸도록 형성되어 상기 내통 아래까지 연장되어 상기 내통(731)과의 사이에 기체 배출 통로(736a)를 형성하는 외통(736)을 포함한다. 상기 외통(736)의 하부에는 내경이 점진적으로 작아지는 기체 배출구(736b)가 제공된다. 또한, 상기 외통(736)에는 질소 또는 클린 에어가 유입되는 기체 인렛(737)이 형성된다. 외부의 펌프(pump) 또는 블로워(blower)에 의해 송풍된 질소 또는 클린 에어와 같은 기체가 상기 기체 인렛(737)을 통해 상기 외통(736) 안쪽으로 유입된 후 상기 기체 배출 통로(736a)와 상기 기체 배출구(736b)를 통해 상기 내통(731) 하단의 보호창(735) 아래로 배출된다. 이 배출 기체는 화학 약품이나 액체가 웨이퍼(W)의 상부 표면으로부터 튀어 오르는 것을 막는 에어 커튼의 역할을 하며, 따라서, 상기 보호창(735) 또는 렌즈(733 또는 734)의 오염이 방지될 수 있다. Further, the laser beam irradiating portion 73 further includes air curtain-type contamination preventing means for protecting the lens and the protection window from the splashing liquid. The contamination preventing means includes an outer cylinder 736 formed to surround the outer cylinder periphery and extending to the inner cylinder bottom portion to form a gas discharge passage 736a between the inner cylinder 731 and the outer cylinder 736. [ At the lower portion of the outer cylinder 736, there is provided a gas outlet 736b whose inner diameter gradually decreases. A gas inlet 737 through which nitrogen or clean air flows is formed in the outer cylinder 736. A gas such as nitrogen or clean air blown by an external pump or a blower flows into the outer tube 736 through the gas inlet 737 and then flows into the gas discharge passage 736a And is discharged to the lower side of the protection window 735 at the lower end of the inner cylinder 731 through the gas outlet port 736b. This discharge gas acts as an air curtain to prevent chemicals or liquid from splashing from the upper surface of the wafer W and therefore contamination of the protective window 735 or lens 733 or 734 can be prevented .

작업 환경이 매우 유독한 화학약품을 사용하는 세정 공정이기 때문에 레이저빔 조사부(73)의 내구성을 위해 외곽 재질의 선택도 중요하다. 따라서 금속을 사용하기보다는 세라믹 혹은 아크릴, 아세탈, 테프론과 같은 내식성 플라스틱 재질을 사용하는 것이 바람직하다. The selection of the outer material is also important for the durability of the laser beam irradiating part 73 since the working environment is a cleaning process using highly toxic chemicals. Therefore, it is preferable to use a corrosion-resistant plastic material such as ceramic or acrylic, acetal, or Teflon, rather than metal.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.It will be appreciated by those skilled in the art that changes may be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

W...............................................웨이퍼
10..............................................웨이퍼 고정유닛
20..............................................웨이퍼 회전유닛
30..............................................초순수 분사노즐
40..............................................알콜 분사 노즐
50..............................................질소 가스 분사 노즐
70..............................................레이저빔 조사 유닛
73..............................................레이저빔 조사부
731.............................................내통
733.............................................조준렌즈
734.............................................집속렌즈
735.............................................보호창
736.............................................외통W ............................................... Wafer
10 .............................................. Wafer fixing unit
20 .......................................... Wafer rotation unit
30 .............................................. Ultrapure water injection nozzle
40 .............................................. Alcohol spray nozzle
50 .............................................. Nitrogen gas injection Nozzle
70 .............................................. Laser beam irradiation unit
73 ...................................... Laser beam irradiating part
731 .............................................
733 .............................................. Aiming lens
734 ...................................... Focusing lens
735 ............................................. Protection window
736 .............................................

Claims (12)

웨이퍼 표면 건조 장치로서,
웨이퍼의 상부 표면을 노출시킨 상태로 상기 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 고정유닛;
상기 웨이퍼 고정유닛을 회전 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전유닛;
상기 웨이퍼 고정유닛의 상부에 배치되어, 상기 웨이퍼의 상부 표면의 린스를 위해, 상기 웨이퍼의 상부 표면에 초순수를 분사하는 초순수 분사 노즐;
상기 웨이퍼 상부 표면의 미세 패턴 사이에 채워진 초순수를 이소프로필 알콜로 치환하도록, 상기 웨이퍼의 상부 표면에 이소프로필 알콜을 분사하는 알콜 분사 노즐;
상기 웨이퍼가 회전하는 동안, 상기 초순수를 치환하면서 상기 미세 패턴 사이에 채워진 상기 이소프로필 알콜을 상기 이소프로필 알콜의 증발 온도보다 낮은 70~80℃ 온도가 되도록 가열하여 상기 이소프로필 알콜의 표면 장력을 낮추도록, 상기 웨이퍼의 상부 표면 상의 상기 이소프로필 알콜에 레이저빔을 조사하는 레이저빔 조사 유닛; 및
상기 레이저빔 조사에 의해 표면 장력이 낮아진 상기 이소프로필 알콜을 상기 웨이퍼의 상부 표면으로부터 제거하도록, 상기 웨이퍼의 상부 표면에 질소 가스를 분사하는 질소 가스 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.As a wafer surface drying apparatus,
A wafer holding unit for holding the wafer with the upper surface of the wafer exposed;
A wafer rotating unit for rotating the wafer holding unit to rotate the wafer;
An ultra pure water injection nozzle disposed at an upper portion of the wafer holding unit for spraying ultra pure water onto the upper surface of the wafer for rinsing the upper surface of the wafer;
An alcohol injection nozzle for injecting isopropyl alcohol onto the upper surface of the wafer so as to replace the ultra pure water filled between the fine patterns on the upper surface of the wafer with isopropyl alcohol;
While the wafer is rotating, the isopropyl alcohol filled between the fine patterns while replacing the ultrapure water is heated to a temperature of 70 to 80 ° C. lower than the evaporation temperature of the isopropyl alcohol to lower the surface tension of the isopropyl alcohol A laser beam irradiating unit for irradiating a laser beam onto the isopropyl alcohol on the upper surface of the wafer; And
And a nitrogen gas injection nozzle for injecting nitrogen gas onto the upper surface of the wafer so as to remove the isopropyl alcohol lowered in surface tension by the laser beam irradiation from the upper surface of the wafer, . 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 초순수 분사 노즐, 상기 알콜 분사 노즐 및 상기 질소 가스 분사 노즐은 분사 노즐 거치대에 거치되며, 상기 웨이퍼가 회전할 때 상기 분사 노즐 거치대는 상기 웨이퍼 지름 방향을 따라 이동 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.The ultra-pure water injection nozzle, the alcohol injection nozzle, and the nitrogen gas injection nozzle are mounted on an injection nozzle holder, and the injection nozzle holder is movable along the wafer diameter direction when the wafer rotates. The wafer surface drying apparatus. 청구항 5에 있어서, 상기 레이저빔 조사유닛은 레이저빔 발생부와, 상기 레이저빔이 발생시킨 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송부와, 상기 레이저빔 전송부를 통해 받은 레이저빔을 상기 웨이퍼의 상부 표면에 조사하는 레이저빔 조사부를 포함하며, 상기 레이저빔 조사부는 상기 분사 노즐 거치대에 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.[6] The apparatus of claim 5, wherein the laser beam irradiating unit comprises a laser beam generator, a laser beam transmitter for transmitting the laser beam generated by the laser beam, Wherein the laser beam irradiating unit is connected to the jet nozzle holder. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔 조사유닛은 레이저빔 발생부와, 상기 레이저빔이 발생시킨 레이저빔을 전송하는 레이저빔 전송부와, 상기 레이저빔 전송부를 통해 받은 레이저빔을 상기 웨이퍼의 상부 표면에 조사하는 레이저빔 조사부를 포함하며, 상기 레이저빔 조사부는 레이저빔의 진행 방향을 따라 차례로 조준렌즈, 집속렌즈 및 보호창을 중공형 내통 내에 구비하며, 상기 내통의 외측에는 상기 웨이퍼의 상부 표면으로부터 튀어 오르는 액체로부터 상기 내통 내부와 상기 보호창을 보호하기 위한 에어커튼형 오염 방지 수단이 마련된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.[2] The apparatus of claim 1, wherein the laser beam irradiating unit comprises a laser beam generator, a laser beam transmitter for transmitting the laser beam generated by the laser beam, Wherein the laser beam irradiating unit includes a collimating lens, a converging lens, and a protective window in the hollow inner tube in order along the traveling direction of the laser beam, and the outer surface of the inner tube is protruded from the upper surface of the wafer, And an air curtain type contamination preventing means for protecting the inside of the inner cylinder and the protection window from rising liquid. 청구항 7에 있어서, 상기 오염 방지 수단은, 상기 내통 주변을 둘러싸도록 형성되되 상기 내통 아래까지 연장되어 상기 내통과의 사이에 기체 배출 통로를 형성하고 하부에는 내경이 점진적으로 작아지는 기체 배출구가 제공된 외통과, 상기 외통에 형성되어 질소 또는 클린 에어가 유입되는 기체 인렛을 포함하며, 외부의 펌프(pump) 또는 블로워(blower)에 의해 송풍된 기체가 상기 기체 인렛을 통해 상기 외통 내로 유입된 후 상기 기체 배출 통로와 상기 기체 배출구를 통해 상기 내통 하단의 보호창 아래로 배출되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치. [7] The apparatus according to claim 7, wherein the contamination preventing means includes: a gas discharge passage formed to surround the inner cylinder and extending to a lower portion of the inner cylinder to form a gas discharge passage between the inner passages, And a gas inlet formed in the outer tube and through which nitrogen or clean air is introduced, wherein a gas blown by an external pump or a blower flows into the outer tube through the gas inlet, And is discharged to the lower side of the protection window at the lower end of the inner tube through the discharge passage and the gas discharge port. 청구항 7에 있어서, 상기 보호창은 상기 내통 내부의 렌즈를 보호하기 위해 형성된 무반사 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.8. The apparatus of claim 7, wherein the protective window comprises an anti-reflective coating layer formed to protect the lens in the inner tube. 청구항 1에 있어서, 상기 레이저빔 조사유닛은 파장이 900nm 이상인 연속파 적외선 레이저빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.2. The wafer surface drying apparatus according to claim 1, wherein the laser beam irradiation unit uses a continuous wave infrared laser beam having a wavelength of 900 nm or more. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 웨이퍼 회전유닛은 상기 웨이퍼를 300rpm 이상으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면 건조 장치.The wafer surface drying apparatus according to claim 1, wherein the wafer rotating unit rotates the wafer at 300 rpm or more.
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