KR101862760B1 - Method for manufacturing composite substrate and composite substrate manufactured using thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이형층을 준비하는 제1 단계; 상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계; 상기 제1 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 이형층과 상기 제1 투명전도층을 분리하는 제4 단계;를 포함하는 투광성 기판 제조방법 에 관한 것으로,
이형층 상에 제1 투명전도층, 기저 폴리머층 등을 역순으로 형성한 후 분리함으로써, 보다 단순화되고 비용이 절감된 투광성 기판을 제조하는 공정을 제공할 수 있고, 이때 플렉서블한 플라스틱 기판 또는 버퍼층을 사용하는 경우 유연기판에 사용 가능한 플렉서블 투광성 기판을 제조할 수 있으며, 각 단계 공정은 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 연속적으로 이루어져 생산성, 신뢰성, 경제성을 높인 투광성 기판 제조방법을 제공할 수 있다.
The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first step of preparing a release layer; A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer; A third step of forming a base polymer layer on the first transparent conductive layer; And a fourth step of separating the release layer and the first transparent conductive layer from each other,
By forming the first transparent conductive layer, the base polymer layer, and the like in the reverse order on the release layer and separating them in the reverse order, it is possible to provide a process for manufacturing a simpler and less costly translucent substrate, wherein the flexible plastic substrate or buffer layer A flexible translucent substrate which can be used in a flexible substrate can be manufactured, and each of the step processes can be continuously performed in a roll-to-roll process, thereby providing a method of manufacturing a translucent substrate with enhanced productivity, reliability and economy.

Description

투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판{Method for manufacturing composite substrate and composite substrate manufactured using thereof}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a transparent substrate,

본 발명은 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판에 관한 것이다. 또한 투광성 기판이 적용되는 디스플레이 장치, 조명 장치 등에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a transparent substrate and a transparent substrate produced thereby. A display device to which a light-transmitting substrate is applied, a lighting device, and the like.

투광성 기판은 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명 전도층을 포함하는 기판으로서, 발광소자에 구비되는 투광성 기판은 발생된 광의 손실을 최소화하도록 구성된다. 예를 들면, 유기발광소자(Organic light-emitting diode, OLED)는 발광성 유기물로 구성된 소자로서 유기 발광층에서 발광된 광은 전극 및 투광성 기판을 거쳐 외부로 나오게 된다. 이러한 투광성 기판은 액정 표시 소자(liquid crystal display), 일렉트로크로믹 디스플레이(ECD), 유기 전계발광소자(electroluminescence), 태양 전지, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel), 플렉서블(flexible) 디스플레이, 전자페이퍼, 터치패널 등의 디스플레이 장치, 조명장치, 또는 태양전지 등에 응용될 수 있다. The translucent substrate is a substrate including a transparent conductive layer having both electrical conductivity and light transmittance. The translucent substrate provided in the light emitting element is configured to minimize loss of generated light. For example, an organic light-emitting diode (OLED) is a device composed of a luminescent organic material. Light emitted from the organic luminescent layer is emitted to the outside through the electrode and the light-transmitting substrate. Such a transparent substrate may be a liquid crystal display, an electrochromic display (ECD), an organic electroluminescence, a solar cell, a plasma display panel, a flexible display, an electronic paper, A display device such as a touch panel, a lighting device, a solar cell, or the like.

투광성 기판은 기저 기판과 기판에 부착되는 발광소자의 전극기능을 수행하는 투광성 전극을 포함하여 구성된다. 투광성 전극은 플라스틱 소재의 기저 기판 상에 ITO(tin-doped indium oxide) 등 전도성 물질을 이용하여 박막 형태로 형성 되는 것이 주 이지만, 최근 수급이 불안정한 재료인 인듐을 포함하는 ITO를 대체할 수 있는 탄소나노튜브(CNT), 금속 나노 구조체 등에 대한 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다. The translucent substrate comprises a base substrate and a translucent electrode that performs an electrode function of a light emitting element attached to the substrate. Transparent electrodes are mainly formed on a plastic base substrate by using a conductive material such as ITO (tin-doped indium oxide) to form a thin film. However, in recent years, carbon that can replace ITO, which is indium- Research and development on nanotubes (CNTs), metal nanostructures, etc. have been actively conducted.

한국공개특허 제10-2014-0089670호에 개시된 것과 같이 다른 굴절률을 갖는 투광성 기판을 적층하는 방법으로 투광성 기판에서의 광 손실을 최소화하거나, 한국공개특허 제10-2014-0076268호 에 개시된 것과 같이 형상기억고분자를 이용하여 플렉서블 디스플레이에 응용하는 방법으로 투광성 기판의 유연성을 향상시키기 위한 개발 등이 이루어지고 있다. As disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2014-0089670, a method of laminating a light-transmissive substrate having another refractive index may be used to minimize light loss in a light-transmitting substrate, Development is being conducted to improve the flexibility of the light-transmitting substrate by applying the memory polymer to a flexible display.

본 발명은 제1 투명전도층, 제2 투명전도층 및 광추출층을 포함하는 투광성 기판의 제조방법 및 이를 통해 제조된 투광성 기판과 이를 포함한 유기발광소자에 관한 것으로서, 이형층 상에 제1 투명전도층, 기저 폴리머층 등을 형성한 후 분리함으로써, 보다 단순화되고 비용이 절감된 투광성 기판을 제조하는 공정을 제공하는 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a transparent substrate including a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, and a light extracting layer, and a transparent substrate prepared thereby and an organic light emitting device including the transparent substrate. A conductive layer, a base polymer layer, and the like are formed and then separated, thereby providing a process for manufacturing a more simplified and cost-reduced translucent substrate.

그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서, 이형층을 준비하는 제1 단계; 상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계; 상기 제1 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다. The present invention provides a method of manufacturing a transparent substrate comprising a first transparent conductive layer and a base polymer layer, the method comprising: a first step of preparing a release layer; A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer; A third step of forming a base polymer layer on the first transparent conductive layer; And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a translucent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer.

또한 상기 이형층은 기판, 버퍼 기판 또는 일면에 버퍼층을 포함하는 기판을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.Further, the release layer comprises a substrate, a buffer substrate, or a substrate including a buffer layer on one surface thereof.

또한 상기 제4 단계는 상기 이형층에 광 에너지를 조사하여 상기 이형층을 이루는 물질의 성상을 변화시켜 상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하는 단계인 투광성 기판 제조방법을 제공한다.In addition, the fourth step may include irradiating the release layer with light energy to change properties of the material forming the release layer to separate the release layer from the first transparent conductive layer.

또한 상기 기판은 테플론(polytetrafluoroetylene) 기판 또는 벌크중합(Bulk polymerization)된 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 기판을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.The substrate may also include a polytetrafluoroetylene substrate or a bulk polymerized polymethyl methacrylate (PMMA) substrate.

또한 상기 버퍼 기판은 불소(F)를 포함하는 탄소화합물을 포함하여 형성된 기판인 투광성 기판 제조방법을 제공한다.Also, the buffer substrate is a substrate formed by including a carbon compound containing fluorine (F).

또한 상기 불소(F) 포함하는 탄소화합물은 메틸트리플루오로프로필 실록세인(Methyltrifluoropropyl siloxane), 메틸플루오로(Methylfluoro), C8F17C2H4Si(NH)3/2, C4F9C2H4Si(NH)3/2및 폴리 실록사잔(poly siloxazane)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나의 탄소화합물인 투광성 기판 제조방법을 제공한다.In addition, the fluorine (F) carbon compounds, including the profile siloxane with methyl trifluoroacetate (Methyltrifluoropropyl siloxane), (Methylfluoro) methyl fluoro, C 8 F 17 C 2 H 4 Si (NH) 3/2, C 4 F 9 C 2 H 4 Si (NH 3 ) 2/2, and poly siloxazane. The present invention also provides a method of manufacturing a transparent substrate.

또한 상기 버퍼층은 제1 탄소화합물, 제2 탄소화합물 및 금속산화물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하여 형성되는 층이고, 상기 제1 탄소화합물은 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 탄소화합물을 포함하며, 상기 제2 탄소화합물은 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.Also, the buffer layer is a layer formed using at least one selected from the group consisting of a first carbon compound, a second carbon compound, and a metal oxide, and the first carbon compound has a glass transition temperature (Tg) Wherein the second carbon compound comprises a carbon compound which is decomposed by ultraviolet rays.

또한 상기 제1 탄소화합물은 PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.The first carbon compound may include at least one selected from the group consisting of polycarbonate, polymethyl methacrylate (PTFE), polyvinylchloride (PVC), polystyrene (PS), and polyethyl methacrylate (PEMA) A method for manufacturing a transparent substrate is provided.

또한 상기 제2 탄소화합물은 금속이온계 폴리머, 비닐-케톤(Vinyl-ketone)계 공중합물 및 에틸렌-CO(Ethylene-CO) 공중합체로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.The second carbon compound may be at least one selected from the group consisting of a metal ion-based polymer, a vinyl-ketone copolymer and an ethylene-CO (ethylene-CO) ≪ / RTI >

또한 상기 금속 산화물은 산화 이트륨(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화티타늄(TiN) 및 실리콘산화물(SiO2)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.In addition, the metal oxide group consisting of yttrium oxide (Y 2 O 3), zirconia (ZrO 2), alumina (Al 2 O 3), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN) and silicon oxide (SiO 2) The method comprising the steps of:

또한 상기 제1 단계는 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴이 형성된 이형층을 준비하는 단계인 투광성 기판 제조방법을 제공한다.The first step is a step of preparing a release layer on which a concave or convex surface pattern is formed.

또한 상기 제1 단계는 상기 이형층의 표면에 산소 플라즈마를 이용한 마스크 에칭 또는 에칭용액을 이용한 습식 에칭을 통하여 표면패턴을 형성하는 단계를 포함하는 단계인 투광성 기판 제조방법을 제공한다.In addition, the first step includes a step of forming a surface pattern on the surface of the release layer by mask etching using oxygen plasma or wet etching using an etching solution.

또한 본 발명은 제1 투명전도층, 제2 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서, 이형층을 준비하는 제1 단계; 상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계; 상기 제1 투명전도층 상에 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 폴리머피복층을 포함하는 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계; 상기 제2 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a transparent substrate comprising a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer and a base polymer layer, the method comprising: a first step of preparing a release layer; A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer; A second transparent conductive layer formed on the first transparent conductive layer and including a conductor and a polymer coating layer covering the conductor; A third step of forming a base polymer layer on the second transparent conductive layer; And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a translucent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer.

또한 본 발명은 제1 투명전도층, 제2 투명전도층, 광추출층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서, 이형층을 준비하는 제1 단계; 상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계; 상기 제1 투명전도층 상에 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 폴리머피복층을 포함하는 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계; 상기 제2 투명전도층 상에 광추출층을 형성하는 제2-3 단계; 상기 광추출층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및 상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a method of manufacturing a transparent substrate comprising a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, a light extracting layer and a base polymer layer, the method comprising: a first step of preparing a release layer; A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer; A second transparent conductive layer formed on the first transparent conductive layer and including a conductor and a polymer coating layer covering the conductor; A second step of forming a light extracting layer on the second transparent conductive layer; A third step of forming a base polymer layer on the light extracting layer; And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a translucent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer.

또한 상기 제4 단계 이후에, 상기 분리된 제1 투명전도층에 플라즈마 처리하여 잔존하는 이형층 성분을 제거하는 제5 단계를 더 포함하는 투광성 기판 제조방법을 제공한다. And further comprising a fifth step of plasma-treating the separated first transparent conductive layer after the fourth step to remove the remaining release layer component.

본 발명은 이형층 상에 제1 투명전도층, 기저 폴리머층 등을 역순으로 형성한 후 분리함으로써, 보다 단순화되고 비용이 절감된 투광성 기판을 제조하는 공정을 제공할 수 있다. 이때 플렉서블한 플라스틱 기판 또는 버퍼층을 사용하는 경우 유연기판에 사용 가능한 플렉서블 투광성 기판을 제조할 수 있으며, 각 단계 공정은 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 연속적으로 이루어져 생산성, 신뢰성, 경제성을 높일 수 있다. The present invention can provide a process for producing a simpler and less costly translucent substrate by forming and separating the first transparent conductive layer, the base polymer layer and the like in the reverse order on the release layer. In this case, when a flexible plastic substrate or buffer layer is used, a flexible transparent substrate that can be used for a flexible substrate can be manufactured, and each step process can be continuously performed by a roll-to-roll method, thereby improving productivity, reliability and economy .

또한 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성함으로써 평탄도가 우수한 제1 투명전도층을 형성하고, 버퍼층을 이루는 물질의 특성상 복잡한 공정을 거치거나 많은 에너지를 들이지 않고도 기판으로부터 분리(detach)가 가능하여, 보다 단순화되고 제조 비용이 절감되는 투광성 기판을 제조하는 공정을 제공할 수 있다. Further, by forming the first transparent conductive layer on the release layer, the first transparent conductive layer having excellent flatness can be formed. Due to the nature of the material forming the buffer layer, it is possible to detach from the substrate without complicated processes or much energy. Thereby providing a process for manufacturing a light-transmissive substrate that is simplified and has a reduced manufacturing cost.

또한 이형층 형성 시 표면 형상을 제어하여 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법을 통해 최종적으로 전사된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면 형상을 제어할 수 있다. 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴이 구비되는 제1 투명전도층을 포함하는 투광성 기판상에 발광층 및 반사 전극을 적층하여 유기발광소자를 제조하는 경우, 표면 조도가 높아져 발광면적을 높여 주고, 또한 광추출 역할을 하여 발광효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있고, 이 투광성 기판 상에 광활성층 및 금속 전극을 적층하여 유기태양전지를 제조하는 경우, 태양광의 수광면적을 높여주고, 또한 광포집 역할을 하여 발전효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있다. In addition, the surface shape of the release layer can be controlled to control the surface shape of the first transparent conductive layer of the translucent substrate finally transferred through the method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention. When an organic light emitting device is manufactured by laminating a light emitting layer and a reflective electrode on a transparent substrate including a first transparent conductive layer having a concave or convex surface pattern, the surface roughness is increased to increase the light emitting area, When the organic solar cell is manufactured by laminating the photoactive layer and the metal electrode on the transparent substrate, the light receiving area of the solar light is increased, It is possible to provide an effect of increasing power generation efficiency.

또한 제1 투명전도층 상에 순차적으로 제2 투명전도층을 형성시킴으로써, 제2 투명전도층의 금속 나노와이어가 제1 투명전도층에 더욱 인접하여 위치하기 때문에 전기 전도성 향상된 투광성 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제조하는 공정을 제공할 수 있다.Further, by sequentially forming the second transparent conductive layer on the first transparent conductive layer, since the metal nanowires of the second transparent conductive layer are located closer to the first transparent conductive layer, the transparent conductive substrate having improved electrical conductivity and the A process for manufacturing an organic light emitting device can be provided.

또한 제2 투명전도층 상에 광추출층을 형성하는 단계를 포함하여 광흡수 및 반사를 통한 광추출이 가능하여 주로 전도체의 기능을 갖는 제2 투명전도층을 기능적 측면에서 보완 가능하며, 제2 투명전도층에 포함되는 금속 나노와이어가 광추출층에 의해 함침 또는 코팅되는 효과가 있어 금속 나노와이어 간의 황화 및 산화로 일어나는 신뢰성 저하의 문제점을 해결할 수 있다. And forming a light extracting layer on the second transparent conductive layer, light extraction through light absorption and reflection is possible, so that the second transparent conductive layer, which mainly functions as a conductor, can be complemented in terms of function, The metal nanowires included in the transparent conductive layer are impregnated or coated with the light extracting layer, thereby solving the problem of lowering the reliability caused by sulfurization and oxidation of the metal nanowires.

도 1, 도 2, 도 4, 도 6 내지 도 8, 도 14, 도 15 에 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법을 나타내었다.
도 3, 도 5, 도 9, 도 10, 도 16 에 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법에 의해 제조된 투광성 기판을 나타내었다.
도 11 내지 13, 도 20에 본 발명의 일실시예에 따른 제2 투명전도층을 나타내었다.
도 17에 본 발명의 일실시예에 따른 제2 투명전도층 상에 광추출층으로서 산란 입자가 삽입된 SEM 이미지 사진을 나타내었다.
도 18에 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판의 롤투롤 방식 제조방법을 나타내었다.
도 19에 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 유기발광소자를 나타내었다.
도 21에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 유연성을 시각적으로 나타내는 사진을 도시하였다.
도 22에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층 방향에서 촬영한 표면 광학 이미지 사진을 나타내었다.
도 23에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 제2 투명전도층의 금속 나노와이어를 확인 가능한 SEM 이미지 사진을 나타내었다.
도 24에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면 형상이 물결 무늬로 제어된 SEM 이미지 사진을 나타내었다.
도 25, 도 26에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 XRD 측정 데이터를 나타내었다.
도 27에 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 EDX 를 통한 성분분석 데이터를 나타내었다.
도 28에 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면 AFM profile을 나타내었다.
도 29에 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 물결무늬로 형상제어된 투광성 전극의 AFM 이미지를 나타내었다.
도 30에 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 투광성 전극의 광추출층의 평균 두께에 따른 광학적 성능 및 전기전도성 데이터를 나타내었다.
1, 2, 4, 6 to 8, 14, and 15 show a method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3, 5, 9, 10, and 16 show a light-transmitting substrate manufactured by the method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 11 to 13 and FIG. 20 show a second transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 17 shows a SEM image of a scattering particle inserted as a light extracting layer on a second transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.
18 shows a method of manufacturing a roll-to-roll method of a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 19 shows an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 21 shows a photograph visually showing the flexibility of the transparent substrate produced according to the embodiment of the present invention.
22 shows a photograph of a surface optical image taken in the direction of the first transparent conductive layer of the transparent substrate produced according to the embodiment of the present invention.
FIG. 23 is a SEM image showing a metal nanowire of a second transparent conductive layer manufactured according to an embodiment of the present invention.
FIG. 24 shows a SEM image of a transparent substrate prepared according to an embodiment of the present invention in which the surface shape of the first transparent conductive layer is controlled by a wave pattern.
FIGS. 25 and 26 show XRD measurement data of a transparent substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.
FIG. 27 shows component analysis data of the transparent substrate manufactured according to an embodiment of the present invention through EDX.
28 shows the surface AFM profile of the first transparent conductive layer of the transparent substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.
FIG. 29 shows an AFM image of a waveguide shape-controlled translucent electrode manufactured according to an embodiment of the present invention.
FIG. 30 shows optical performance and electrical conductivity data according to an average thickness of a light extracting layer of a light transmitting electrode manufactured according to an embodiment of the present invention.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art unless otherwise stated.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, the word "comprise", "comprises", "comprising" means including a stated article, step or group of articles, and steps, , Step, or group of objects, or a group of steps.

또한 본 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Also throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only a member in contact with another member, but also another member between the two members.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다. On the contrary, the various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments as long as there is no clear counterpoint. Any feature that is specifically or advantageously indicated as being advantageous may be combined with any other feature or feature that is indicated as being preferred or advantageous. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법은 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같이 이형층(10)을 준비하는 제1 단계, 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하는 제2-1 단계, 제2 투명전도층(30) 상에 기저 폴리머층(50)을 형성하는 제3 단계 및 이형층(10)과 제1 투명전도층(20)을 분리하는 제4 단계를 포함하여, 도 3에 나타낸 것과 같은 기저 폴리머층(50) 및 기저 폴리머층(50) 상에 구비되는 제1 투명전도층(20)을 포함하는 투광성 기판(100)을 제조할 수 있다. A method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes a first step of preparing a release layer 10 as shown in FIGS. 1 and 2, a first step of forming a first transparent conductive layer 20 on a release layer 10 A third step of forming a base polymer layer 50 on the second transparent conductive layer 30 and a third step of forming a second transparent conductive layer 30 on the first transparent conductive layer 20, The transparent substrate 100 including the base polymer layer 50 as shown in Fig. 3 and the first transparent conductive layer 20 provided on the base polymer layer 50 can be manufactured.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법은 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20), 기저 폴리머층(50) 등을 역순으로 형성한 후 분리함으로써, 보다 단순화되고 비용이 절감된 투광성 기판(100)을 제조하는 공정을 제공할 수 있다. A method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention is a method of forming a transparent conductive layer 20, a base polymer layer 50 and the like in reverse order on a release layer 10, It is possible to provide a process for manufacturing the light-transmissive substrate 100 that has been reduced.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)을 제조하는 제1 단계는 제1 투명전도층(20)과의 분리가 용이한 이형층(10)을 준비하는 것으로서, 이형층(10)은 기판(11), 버퍼 기판(12), 또는 일면에 버퍼층을 포함하는 기판(13)을 포함한다. The first step of fabricating the transparent substrate 100 according to an embodiment of the present invention is to prepare a release layer 10 that is easily separated from the first transparent conductive layer 20, A substrate 11, a buffer substrate 12, or a substrate 13 including a buffer layer on one surface thereof.

기판(11)은 테플론(polytetrafluoroetylene) 기판, 벌크중합(Bulk polymerization)된 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 기판을 이용할 수 있으며, 플렉서블한 기판을 사용하는 경우, 플렉서블한 투광성 기판을 제조할 수 있으며, 각 단계 공정은 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 연속적으로 이루어져 생산성, 신뢰성, 경제성을 높일 수 있다. 또한 테플론(polytetrafluoroetylene) 기판을 이용하는 경우 별도의 버퍼층을 구비하지 않고 기판 자체로써 이형층(10)으로 사용될 수 있다. The substrate 11 may be a polytetrafluoroetylene substrate or a bulk polymerized polymethyl methacrylate (PMMA) substrate. When a flexible substrate is used, a flexible transparent substrate may be manufactured. And each step process can be continuously performed in a roll-to-roll manner, thereby improving productivity, reliability, and economy. Also, when a polytetrafluoroethylene substrate is used, the substrate may be used as a release layer 10 without a separate buffer layer.

버퍼 기판(12)은 불소(F)가 포함된 탄소화합물을 포함하는 기판을 이용할 수 있으며, 불소(F) 포함하는 탄소화합물은 메틸트리플루오로프로필 실록세인(Methyltrifluoropropyl siloxane), 메틸플루오로(Methylfluoro), C8F17C2H4Si(NH)3/2, C4F9C2H4Si(NH)3/2 또는 폴리 실록사잔(poly siloxazane) 등을 포함한다. 그 중에서도 테트라플루오르에틸렌(Tetrafluoroetylene)을 포함하는 기판인 것이 바람직하다. The buffer substrate 12 may be a substrate containing a carbon compound containing fluorine (F), and the carbon compound containing fluorine (F) may be selected from the group consisting of methyltrifluoropropyl siloxane, methylfluoro ), C 8 F 17 C 2 H 4 Si (NH) 3/2 , C 4 F 9 C 2 H 4 Si (NH) 3/2, or polysiloxazane. Among them, a substrate containing tetrafluoroethylene is preferable.

일면에 버퍼층을 포함하는 기판(13)을 이형층(10)으로 사용하는 경우, 버퍼층은 다양한 종류의 탄소화합물 또는 금속산화물을 이용하여 형성된 층으로서, 제1 탄소화합물, 제2 탄소화합물 및 금속산화물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 사용하여 기판 상에 형성될 수 있다. 제1 탄소화합물은 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 탄소화합물을 포함하며, 제2 탄소화합물은 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물을 포함하고, 금속산화물은 점착성이 낮은 금속산화물을 포함한다. When the substrate 13 including the buffer layer on one side is used as the release layer 10, the buffer layer is a layer formed using various kinds of carbon compounds or metal oxides, and the first carbon compound, the second carbon compound, and the metal oxide May be formed on the substrate using any one or more materials selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 > The first carbon compound includes a carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 DEG C or lower, the second carbon compound includes a carbon compound decomposable by ultraviolet rays, and the metal oxide includes a metal oxide having low adhesiveness.

제1 탄소화합물은 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 탄소화합물 중에서도 PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA) 로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 유리전이온도(Tg)가 100 내지 150 ℃인 탄소화합물, PMMA(Polymethylmethacrylate), PTFE(Polytetrafluoroethylene)를 사용하는 것이 버퍼층 계면에서의 표면 점착성이 낮아 좋다. Among the carbon compounds having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C or less, the first carbon compound is composed of polycarbonate, PMMA (polymethyl methacrylate), PTFE (polytetrafluoroethylene), polyvinylchloride (PVC), polystyrene (PS) and polyethyl methacrylate , And the like. More preferably, the surface adhesion at the interface of the buffer layer may be lowered by using a carbon compound, a polymethylmethacrylate (PMMA) or a polytetrafluoroethylene (PTFE) having a glass transition temperature (Tg) of 100 to 150 ° C.

버퍼층이 유리전이온도(Glass transition temperature, Tg)가 200℃ 이하인 제1 탄소화합물을 포함함으로써 후술할 제4 단계에서 이형층(10)과 제1 투명전도층(20)의 분리 공정에 있어서 버퍼층의 성질 및 형상을 변화시키기에 좋다. 유리전이온도가 200℃를 초과하는 경우 상대적으로 경화 시 높은 온도와 시간이 요구되는 문제점이 있다. 또한 롤투롤 및 연속공정 진행 시, 공정가격 및 수율을 위해 낮은 유리전이온도를 가지는 재료가 적합하다. The buffer layer contains the first carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 DEG C or lower, so that in the step of separating the release layer 10 and the first transparent conductive layer 20 in the fourth step It is good for changing properties and shape. When the glass transition temperature is higher than 200 DEG C, a relatively high temperature and time are required for curing. Materials with low glass transition temperatures are also suitable for process cost and yield in roll-to-roll and continuous processes.

제2 탄소화합물은 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물 중에서도 금속이온계 폴리머, 비닐-케톤(Vinyl-ketone)계 공중합물 및 에틸렌-CO(Ethylene-CO) 공중합체로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. Among the carbon compounds decomposed by ultraviolet rays, the second carbon compound is preferably at least one selected from the group consisting of a metal ion polymer, a vinyl-ketone copolymer and an ethylene-CO (ethylene-CO) .

버퍼층이 자외선에 의해 분해되는 제2 탄소화합물을 포함함으로써 후술할 제4 단계에서 이형층(10)과 제1 투명전도층(20)의 분리 공정에 있어서, 간단한 처리에 의해서도 용이하게 제1 투명전도층(20)을 분리할 수 있는 장점이 있다. The buffer layer includes the second carbon compound which is decomposed by ultraviolet rays so that in the step of separating the release layer 10 and the first transparent conductive layer 20 in the fourth step to be described later, There is an advantage that the layer 20 can be separated.

금속산화물은 계면에 치환된 원자에 의해 표면장력 및 표면에너지의 컨트롤이 용이하며, 자외선/오존(UV/ozone), 플라즈마 처리(Plasma treatment) 방법에 의해 쉽게 컨트롤 할 수 있는 장점이 있다. 그에 따라, 계면의 점착성 및 접착성을 조절할 수 있고 이종재료를 쉽게 전사할 수 있는 특성을 나타낸다.The metal oxide has an advantage that the surface tension and the surface energy can be easily controlled by the atoms substituted at the interface and can be easily controlled by the UV / ozone and plasma treatment methods. As a result, it is possible to control the adhesiveness and adhesiveness of the interface and to exhibit the property of easily transferring the heterogeneous material.

금속산화물은 점착성이 낮은 거의 모든 분위기에서 2000℃에 이르기까지 열역학적으로 매우 높은 안정성을 가지는 물질로 산화 이트륨(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), 질화붕소(BN), 질화티타늄(TiN) 및 실리콘산화물(SiO2)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The metal oxide is yttrium oxide from a material in virtually any environment with low tack having a thermodynamically highly stable down to 2000 ℃ (Y 2 O 3) , zirconia (ZrO 2), alumina (Al 2 O 3), boron nitride ( BN), it is preferred to include any one or more selected from a group consisting of titanium nitride (TiN) and silicon oxide (SiO 2).

또한 본 발명은 도 4에 나타낸 것과 같이 표면에 패턴이 형성된 기판(11, 12, 13)을 포함하는 이형층(10) 통해 제1 투명전도층(20)의 표면에 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 기판(13) 상에 버퍼층 형성 시 표면 형상을 제어하여 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법의 제4 단계를 통해 최종적으로 전사된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면 형상을 제어할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층에 물결무늬를 형성하여 제1 투명전도층 등을 적층하고 분리시키면, 제1 투명전도층에 물결무늬가 전사된다. 4, the surface of the first transparent conductive layer 20 is exposed to the surface of the first transparent conductive layer 20 through the release layer 10 including the substrates 11, 12, and 13 on which the patterns are formed, Can be formed. For example, by controlling the surface shape upon formation of the buffer layer on the substrate 13, the surface of the first transparent conductive layer of the translucent substrate finally transferred through the fourth step of the method for manufacturing a transparent substrate according to one embodiment of the present invention Shape can be controlled. For example, if a wave pattern is formed on the buffer layer to laminate and separate the first transparent conductive layer, the wave pattern is transferred to the first transparent conductive layer.

도 5에 나타낸 것과 같이 표면에 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴을 구비하는 제1 투명전도층(20)을 포함하는 투광성 기판상에 발광층 및 반사 전극을 적층하여 유기발광소자를 제조하는 경우, 표면 조도가 높아져 발광면적을 높여 주고, 또한 광추출 역할을 하여 발광효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있다. 또한 이 투광성 기판 상에 광활성층 및 금속 전극을 적층하여 유기태양전지를 제조하는 경우, 태양광의 수광면적을 높여주고, 또한 광포집 역할을 하여 발전효율을 높여 주는 효과를 제공할 수 있다. When an organic light emitting device is manufactured by laminating a light emitting layer and a reflective electrode on a transparent substrate including a first transparent conductive layer 20 having a concavo-convex surface pattern on its surface as shown in Fig. 5, The light emission area can be increased and the light extraction efficiency can be improved by performing the light extraction function. In addition, when an organic solar cell is manufactured by laminating the photoactive layer and the metal electrode on the transparent substrate, the light receiving area of the solar light can be increased and the effect of increasing the power generation efficiency can be provided.

기판 또는 버퍼층에 요철을 형성하는 방법으로는, 표면에 대기압 및 산소 플라즈마를 이용하여 마스크를 사용하여 에칭하는 방법과 화학용액을 이용하여 습식 에칭하는 방법을 사용한다.As a method of forming the concave and convex on the substrate or the buffer layer, a method of etching using a mask using atmospheric pressure and oxygen plasma on the surface, and a method of wet etching using a chemical solution are used.

버퍼 기판 및 버퍼층의 두께는 100nm 내지 10μm로 형성하는 것이 좋다. 100nm 미만으로 버퍼층을 형성하는 경우 화학적 내식성 및 표면 균일도가 불안정한 문제점이 있으며, 10μm 초과하여 버퍼층을 형성하는 경우 표면 요철 및 경화시간이 연장되어 공정상 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 400nm 내지 600nm인 것이 좋다. The thickness of the buffer substrate and the buffer layer is preferably 100 nm to 10 mu m. When the buffer layer is formed at less than 100 nm, the chemical corrosion resistance and the surface uniformity are unstable. When the buffer layer is formed in excess of 10 탆, the surface irregularities and the curing time are prolonged. And more preferably 400 nm to 600 nm.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제1 단계는 버퍼 용액을 이용하여 기판(13)상에 바 코팅(bar coating), 슬롯다이 코팅(slot die coating), 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating) 등의 코팅 방식을 이용하여 버퍼층 시트를 별도로 형성하여 기판 상에 접착시키거나, 기판(13)으로 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 버퍼 용액을 이용한 코팅 및 열처리 방식으로 버퍼층을 형성할 수 있고, 표면 형상을 조절할 수 있다.The first step of fabricating a transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes a step of applying a coating solution such as bar coating, slot die coating, spray coating, , Spin coating, or the like, and then a buffer layer sheet is separately formed and adhered to the substrate. Alternatively, when a flexible substrate is used as the substrate 13, a coating process using a buffer solution and a heat treatment process The buffer layer can be formed and the surface shape can be adjusted.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제2-1 단계는 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하는 단계로서, 본 발명의 일실시예에 따른 제1 투명전도층(20)은 투명하고 전도성을 부여할 수 있는 물질이라면 제한이 없으나, 투명성, 전도성 및 내열성 등이 우수한 투명 전도성 산화물층, 투명 전도성 질화물층, 투명 전도성 황화물층 및 이들의 혼합층을 사용하는 것이 좋다. 바람직하게는 ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Oxide), TiO2, Al2O3 및 이들의 고용체에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하여 형성될 수 있으며, 여기에 F, Al, Ga, In, Si 등이 도핑 또는 고용된 것을 사용하여 제1 투명전도층(20)을 형성하는 것이 좋다.Step 2-1 of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention is a step of forming a first transparent conductive layer 20 on a release layer 10, The transparent conductive layer 20 is not limited as long as it is a transparent and conductive material, but a transparent conductive oxide layer, a transparent conductive nitride layer, a transparent conductive sulfide layer, and a mixed layer thereof having excellent transparency, conductivity and heat resistance are used It is good. Preferably, ZnO (Zinc Oxide), SnO 2 (Tin Oxide), TiO 2, Al 2 O 3 , and can be formed using any one or more selected from those of the solid solution, and, where the F, Al, Ga, In , Si, or the like may be doped or solidified to form the first transparent conductive layer 20.

제1 투명전도층(20)의 두께는 5nm 내지 100nm로 형성하는 것이 좋다. 5nm 미만으로 형성하는 경우 박막의 결정성이 떨어지는 문제점이 있으며, 100nm를 초과하여 형성하는 경우 유연성(Flexibility)의 저하로 접거나 휠 때 표면 크랙이 발생하는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 5nm 내지 20nm인 것이 좋다.The thickness of the first transparent conductive layer 20 is preferably 5 nm to 100 nm. When the thickness is less than 5 nm, the crystallinity of the thin film is deteriorated. When the thickness is more than 100 nm, there is a problem that the flexibility is reduced and surface cracking occurs during the folding or rolling. More preferably 5 nm to 20 nm.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제2-1 단계는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 증착(Deposition)을 통해 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.In step 2-1 of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention, a first transparent conductive layer 20 may be formed on the release layer 10 using spin coating, May be formed through deposition in a roll-to-roll process, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법은 도 6 내지 도 8에 나타낸 것과 같이 제1 투명전도층(20) 상에 제2 투명전도층(30)을 형성하는 제2-2 단계를 더 포함하여 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 같이 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판을 제조할 수 있으며, 유기발광소자 등의 투광성 전극으로 사용될 경우 전기전도성 향상 및 광 산란 효과를 갖는다. 6 to 8, the method for fabricating a transparent substrate according to an embodiment of the present invention further includes a second step 2-2 of forming a second transparent conductive layer 30 on the first transparent conductive layer 20 A transparent substrate including the first transparent conductive layer 20, the second transparent conductive layer 30, and the base polymer layer 50 as shown in FIGS. 9 and 10 can be manufactured. It has improved electrical conductivity and light scattering effect.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법은 이형층(10) 상에 제1 투명전도층(20)을 형성한 후 도전체(31) 및 도전체(31)를 피복하는 폴리머피복층(32)을 포함하는 제2 투명전도층(30)을 형성함으로써 제1 투명전도층(20)에 도전체(31)가 연접하기 때문에 우수한 전기전도성 및 광 산란 효과까지 갖는 투광성 기판(100)을 제조하는 공정을 제공할 수 있다.A method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a first transparent conductive layer 20 on a release layer 10 and then forming a polymer coating layer 32 covering the conductor 31 and the conductor 31 The transparent conductive substrate 30 is joined to the first transparent conductive layer 20 to form the transparent substrate 100 having excellent electrical conductivity and light scattering effect Process can be provided.

제2 투명전도층(30)은 도전체(31)로서 금속 나노와이어(311) 또는 메탈 메쉬 패턴(312)을 포함한다. 금속 나노와이어(311)는 전기적으로 도전성을 갖는 나노 사이즈의 구조체를 의미한다. 금속 나노와이어(311) 평균직경은 30nm 내지 80nm 이며, 길이는 10μm 내지 80μm 인 것을 사용하는 것이 좋다. 상기 크기 범위에 미만 하는 경우 전기전도도가 저하되는 문제점이 있고, 초과하는 경우 투광성이 저하되는 문제점이 있다. 메탈 메쉬 패턴(312)은 금속으로 된 그물망 형태의 패턴을 의미한다.The second transparent conductive layer 30 includes a metal nanowire 311 or a metal mesh pattern 312 as a conductor 31. The metal nanowire 311 refers to a nano-sized structure having electrical conductivity. The average diameter of the metal nanowires 311 is 30 nm to 80 nm, and the length is preferably 10 μm to 80 μm. If it is less than the above-mentioned range, there is a problem that the electrical conductivity is lowered. The metal mesh pattern 312 is a metal mesh pattern.

제2 투명전도층(30)은 제1 투명전도층(20) 상에 금속 나노와이어(311)나 메탈 메쉬 패턴(312)를 형성한 후 폴리머로 피복함으로써 형성된다. 더욱 구체적으로 금속 나노와이어(311)를 포함하는 경우, 금속 나노와이어가 포함된 잉크 조성물을 제1 투명전도층(20) 상에 도포하고 건조 및 경화시킨 후, 폴리머로 피복하여 형성하고, 메탈 메쉬 패턴(312)을 포함하는 경우, 제1 투명전도층(20) 상에 금속 페이스트 또는 잉크를 이용하여 메쉬 형태로 인쇄한 후 소성하여 메탈 메쉬 패턴(312)을 형성한 후 폴리머로 피복하여 형성할 수 있다. The second transparent conductive layer 30 is formed by forming a metal nanowire 311 or a metal mesh pattern 312 on the first transparent conductive layer 20 and then covering the metal nanowire 311 with a polymer. More specifically, when the metal nanowire 311 is included, the ink composition containing the metal nanowire is coated on the first transparent conductive layer 20, dried and cured, and then coated with a polymer to form a metal mesh When the pattern 312 is included, the first transparent conductive layer 20 is printed on the first transparent conductive layer 20 in the form of a mesh using a metal paste or ink, and then fired to form a metal mesh pattern 312, .

본 발명에 따른 투광성 기판은 제1 투명전도층(20)과 기저 폴리머층(50) 사이에 제2 투명전도층(30)을 포함하여 제1 투명전도층(20)의 전도성을 보완할 수 있고, 광 추출 기능을 가짐으로써 디스플레이용뿐만 아니라 조명용으로도 우수하게 사용될 수 있는 투광성 기판을 제공할 수 있다.The transparent substrate according to the present invention can complement the conductivity of the first transparent conductive layer 20 by including the second transparent conductive layer 30 between the first transparent conductive layer 20 and the underlying polymer layer 50 By providing a light extraction function, it is possible to provide a light-transmissible substrate which can be used not only for display but also for illumination.

또한 제2 투명전도층(30)은 금속 입자(313)를 더 포함하여 광추출 효율을 높일 수 있다. 금속 입자(313)의 크기는 100 내지 600nm이다. 100nm 미만인 경우 산란특성이 저하되는 문제점이 있고, 600nm 초과하는 경우 투과율 손실의 문제점이 있다. 금속 입자(313)는 구형, 타원형, 무정형 등 그 형태에 제한이 없으며, 외면에 돌기를 구비할 수 있다. 외면에 돌기를 구비하는 경우 돌기의 크기는 10 내지 300nm이다. 10nm 미만인 경우 광 산란 저하 문제점이 있고, 300nm 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. In addition, the second transparent conductive layer 30 may further include metal particles 313 to increase light extraction efficiency. The size of the metal particles 313 is 100 to 600 nm. When the thickness is less than 100 nm, there is a problem that the scattering property is lowered, and when the thickness exceeds 600 nm, there is a problem of loss of transmittance. The shape of the metal particles 313 is not limited to a spherical shape, an elliptical shape, an amorphous shape, and may have projections on its outer surface. When a projection is provided on the outer surface, the size of the projection is 10 to 300 nm. If it is less than 10 nm, there is a problem of light scattering degradation, and if it exceeds 300 nm, there is a problem of loss of transmittance.

제2 투명전도층(30)이 금속 나노와이어(311) 및 금속 입자(313)를 포함하는 경우, 금속 나노와이어 및 금속 입자가 포함된 잉크 조성물을 제1 투명전도층(20) 상에 도포하고 건조 및 경화시킨 후, 폴리머로 피복하여 도 11에 나타낸 것과 같은 제2 투명전도층(30)을 형성할 수 있다. When the second transparent conductive layer 30 includes the metal nanowires 311 and the metal particles 313, the ink composition containing the metal nanowires and the metal particles is applied on the first transparent conductive layer 20 After drying and curing, the second transparent conductive layer 30 as shown in FIG. 11 can be formed by coating with a polymer.

제2 투명전도층(30)이 메탈 메쉬 패턴(312) 및 금속 입자(313)를 포함하는 경우, 제1 투명전도층(20) 상에 메탈 메쉬 패턴(312)을 형성하고, 메탈 메쉬 패턴(312)이 형성된 제1 투명전도층(20) 상에 금속 입자(313)가 포함된 잉크 조성물을 도포하고 건조 및 경화시킨 후, 폴리머로 피복하여 도 12에 나타낸 것과 같은 제2 투명전도층(30)을 형성할 수 있다. When the second transparent conductive layer 30 includes the metal mesh pattern 312 and the metal particles 313, the metal mesh pattern 312 is formed on the first transparent conductive layer 20, and the metal mesh pattern 312 The ink composition containing the metal particles 313 is applied on the first transparent conductive layer 20 having the transparent conductive layer 30 formed thereon, dried and cured, and then coated with a polymer to form a second transparent conductive layer 30 ) Can be formed.

또는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자가 분산된 페이스트를 이용하여 메탈 메쉬 패턴(312) 부분을 1차 피복한 후, 1차 피복된 메탈 메쉬 패턴을 포함하는 층 전체를 폴리머로 다시 2차 피복하여 도 13에 나타낸 것과 같은 제2 투명전도층(30)을 형성할 수 있다. 또한 메탈 메쉬 패턴(312)에 피복 시, 임의적으로 페이스트에 기공을 형성하여 기공에 의한 산란각 변화로 광추출 효율을 부여할 수 있다. 또, 페이스트에 임의의 광추출 나노파티클을 삽입하여 메탈 메쉬 패턴(312) 주위에 광산란 입자들을 배치 함으로써, 내부 산란에 의한 광추출 효율을 증가시키는 방법이 가능하다. 광추출 나노파티클, 광산란 입자는 금속 입자 또는 금속 산화물 입자를 의미한다. Or the metal mesh pattern 312 is first coated with a paste in which metal particles or metal oxide particles are dispersed, and then the entire layer including the metal mesh pattern coated with the primary is again coated with the polymer to form a secondary coating, The second transparent conductive layer 30 as shown in Fig. Also, when covering the metal mesh pattern 312, pores are optionally formed in the paste, so that the light extraction efficiency can be given by the scattering angle change caused by the pores. Also, a method of increasing light extraction efficiency by internal scattering is possible by arranging light scattering particles around the metal mesh pattern 312 by inserting arbitrary light extracting nanoparticles into the paste. Light extracting nanoparticles, light scattering particles mean metal particles or metal oxide particles.

제2 투명전도층(30)이 메탈 메쉬 패턴(312)를 포함하는 경우, 금속 입자(313)를 포함하지 않고도 페이스트를 이용하여 메탈 메쉬 패턴(312)을 피복하되, 광추출 기능이 가능한 형상, 즉 표면에 요철을 갖는 형상으로 피복함으로써 광추출 효과를 제공할 수 있다. In the case where the second transparent conductive layer 30 includes the metal mesh pattern 312, the metal mesh pattern 312 may be coated using the paste without the metal particles 313, That is, a shape having irregularities on the surface, thereby providing a light extracting effect.

또한, 제논광을 이용하여 메탈 메쉬 패턴(312) 표면에 금속산화물을 이용하여 선택적으로 코팅하여, ZnO, TiO2, SiO2, SnO2, Al2O3 등 다양한 산화물을 피복함으로써 광추출 효과를 제공할 수 있다. In addition, the surface of the metal mesh pattern 312 is selectively coated with a metal oxide by using xenon light to cover various oxides such as ZnO, TiO 2 , SiO 2 , SnO 2 , and Al 2 O 3 , .

제2 투명전도층(30)에 포함되는 금속 나노와이어(311)와 메탈 메쉬 패턴(312), 금속 입자(313)의 금속은 임의의 도전성 물질일 수 있다. 보다 통상적으로, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이나 이에 제한되지 않는다. 바람직하게는 은(Ag)을 사용한다. 은(Ag)의 경우 금속으로서 빛을 반사시키고, 투과율이 낮지만 본 발명에 따른 투광성 기판이 유기발광소자의 투광성 전극으로 사용되는 경우 반사 전극(예를 들면, 알루미늄(Al) 금속 전극)과 상응하여 서로 빛을 반사하므로 실제로 소자 내부에서의 광손실을 적게 하기 때문이다.The metal nanowires 311 included in the second transparent conductive layer 30 and the metal of the metal mesh pattern 312 and the metal particles 313 may be any conductive material. More typically, a metal such as Ag, Au, Cu, Pt, Fe, Ni, Cb, Zn, Ti, But are not limited to, those selected from the group consisting of chromium (Cr), aluminum (Al), palladium (Pd), and combinations thereof. Silver (Ag) is preferably used. Silver (Ag) reflects light as a metal and has a low transmittance. However, when the translucent substrate according to the present invention is used as a translucent electrode of an organic light emitting device, a reflective electrode (for example, an aluminum And reflects light to each other, so that light loss inside the device is actually reduced.

제2 투명전도층(30)의 두께는 100nm 내지 10μm 이다. 100nm 미만인 경우 전기전도도 저하 문제점이 있고, 10μm 초과하는 경우 투과율 손실 문제점이 있다. 금속 나노와이어 및 금속 입자의 표면에 빛이 도달하면 금속 나노와이어 및 금속입자를 통해 빛을 산란시킬 수 있으므로 유기발광소자의 투광성 전극으로 사용되는 경우, 광 추출 효율을 높일 수 있다. 특히 금속 입자는 외면에 돌기를 구비하여 더 넓은 영역대를 가지는 파장의 빛을 산란시킬 수 있다. 또한 제2 투명전도층(30)이 형성되는 제1 투명전도층(20)과의 접합성을 높일 수 있다. The thickness of the second transparent conductive layer 30 is 100 nm to 10 占 퐉. If it is less than 100 nm, there is a problem of lowering the electrical conductivity, and if it is more than 10 μm, there is a problem of loss of transmittance. When light reaches the surface of the metal nanowires and the metal particles, light can be scattered through the metal nanowires and the metal particles. Therefore, when used as a light-transmitting electrode of an organic light emitting device, the light extraction efficiency can be increased. Particularly, the metal particles are provided with protrusions on the outer surface to scatter light of a wavelength having a larger area band. The bonding property with the first transparent conductive layer 20 in which the second transparent conductive layer 30 is formed can be enhanced.

또한 제2 투명전도층(30)은 다양한 패턴 및 선폭을 갖는 메탈 메쉬(metal mesh) 패턴을 포함하는 층 일 수 있다. 메탈 메쉬 패턴을 포함하는 경우 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 합금 등을 이용하여 직교형식으로 배열 형성한 층이며, 이용되는 장치에 따른 적절한 헤이즈값 및 시인성 등의 요구에 따라 다양한 패턴 및 선폭으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 조명용의 유기발광소자에 사용되는 경우 100nm 내지 10μm의 선폭으로 형성하는 것이, 2% 내지 15% 정도의 헤이즈값 및 70 내지 90% 정도의 투과율을 나타내기 때문에 바람직하다. The second transparent conductive layer 30 may be a layer including a metal mesh pattern having various patterns and line widths. In the case where a metal mesh pattern is included, the layer is arranged in an orthogonal form using silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), an alloy or the like. And thus can be formed with various patterns and line widths. For example, when it is used in an organic light emitting device for illumination, it is preferable to form it with a line width of 100 nm to 10 μm because it exhibits a haze value of about 2% to 15% and a transmittance of about 70% to 90%.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제2-2 단계는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 제1 투명전도층(20) 상에 제2 투명전도층(30)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 금속 나노와이어 또는 금속 입자를 포함하는 잉크 조성물을 도포하고 건조하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 포토리소그래피(photolithography) 등을 이용하여 제2 투명전도층으로서 메탈 메쉬 패턴을 형성할 수 있다. In step 2-2 of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention, a second transparent conductive layer 30 is formed on the first transparent conductive layer 20 using spin coating When a flexible substrate is used, it may be formed by applying an ink composition containing a metal nanowire or metal particles in a roll-to-roll process and drying, but the present invention is not limited thereto. Further, a metal mesh pattern can be formed as a second transparent conductive layer by photolithography or the like.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법에 의하면, 버퍼층 상에 제1 투명전도층(20)이 형성되고, 제1 투명전도층(20) 상에 순차적으로 제2 투명전도층(30)을 형성시킴으로써, 제2 투명전도층(30)의 금속 나노와이어(311) 및 금속 입자(313)가 중력에 의해 제1 투명전도층(20)에 더욱 인접하여 위치하기 때문에 전기 전도성 향상 및 광 추출 효율이 우수한 투광성 전극을 제공할 수 있다. The first transparent conductive layer 20 is formed on the buffer layer and the second transparent conductive layer 30 is sequentially formed on the first transparent conductive layer 20. In the method of manufacturing the transparent conductive substrate according to the embodiment of the present invention, The metal nanowires 311 and the metal particles 313 of the second transparent conductive layer 30 are positioned closer to the first transparent conductive layer 20 by gravity so that the electrical conductivity is improved and the light extraction It is possible to provide a light-transmitting electrode excellent in efficiency.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 전극 제조방법은 도 14 및 도 15에 나타낸 것과 같이 제2 투명전도층(30) 상에 광추출층(40)을 제조하는 제2-3 단계를 더 포함하여 도 16에 나타낸 것과 같이 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30), 광추출층(40) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판(100)을 제조할 수 있으며, 유기발광소자의 투광성 기판 등에 사용될 경우 광추출 기능이 가능하여 주로 전도체의 기능을 갖는 제2 투명전도층(30)을 기능적 측면에서 보완 가능하며, 제2 투명전도층(30)에 포함되는 금속 나노와이어(311), 메탈 메쉬 패턴(312) 또는 금속 입자(313)가 광추출층(40)에 의해 함침 또는 코팅되는 효과가 있어 금속 나노와이어(311), 메탈 메쉬 패턴(312) 또는 금속 입자(313) 간의 황화 및 산화로 일어나는 신뢰성 저하의 문제점을 해결할 수 있다.The method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment of the present invention may further include a step 2-3 of manufacturing a light extracting layer 40 on the second transparent conductive layer 30 as shown in FIGS. 14 and 15 The transparent substrate 100 including the first transparent conductive layer 20, the second transparent conductive layer 30, the light extracting layer 40 and the base polymer layer 50 as shown in Fig. 16 can be manufactured The second transparent conductive layer 30 having a function of a conductor can be complemented in terms of its function, and the metal contained in the second transparent conductive layer 30 can be used as a light- The metal nanowire 311, the metal mesh pattern 312 or the metal particles 313 are impregnated or coated with the light extracting layer 40, so that the metal nanowires 311, the metal mesh pattern 312, It is possible to solve the problem of reduction in reliability caused by sulfidation and oxidation between the electrodes 313.

광추출층(40)은 제2 투명전도층(30) 상에 형성된 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물 등으로 코팅된 층(41)일 수 있고, 평균직경 50nm 내지 500nm의 산란 입자가 삽입된 층(42)일 수 있다. 또한 이들이 복합된 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물 등으로 코팅되고 산란 입자 역시 삽입된 층일 수 있다. 도 17에 제2 투명전도층 상에 광추출층으로서 산란 입자가 삽입된 SEM 이미지 사진을 나타내었다. The light extracting layer 40 may be a layer 41 coated with an oxide, a nitride or a sulfide of a metal formed on the second transparent conductive layer 30 and may be a layer 41 having scattered particles of an average diameter of 50 nm to 500 nm 42). They may also be coated with oxides, nitrides or sulfides of complex metals, and scattering particles may also be intercalated layers. FIG. 17 shows a SEM image photograph in which scattering particles are inserted as a light extracting layer on the second transparent conductive layer.

또한 광추출층(40)은 제2 투명전도층(30)으로서 형성된 메탈 메쉬 패턴(312) 상에 형성될 수 있으며, 이 경우, 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물 등으로 코팅되거나 평균직경 50 내지 500nm의 금속의 산화물, 질화물 또는 황화물의 산란 입자가 삽입된 층일 수 있다. 또한 이들이 복합된 층으로 형성될 수 있다. The light extracting layer 40 may be formed on the metal mesh pattern 312 formed as the second transparent conductive layer 30. In this case, the light extracting layer 40 may be coated with an oxide, a nitride, a sulfide, Or a layer in which scattering particles of a metal oxide, nitride, or sulfide are inserted. They may also be formed as a composite layer.

광추출층(40)은 돌기 형태를 갖거나 패턴 형상을 가질 수 있으며 그 두께는 100nm 내지 600nm이다. 100nm 미만인 경우 광산란 효과가 낮은 문제점이 있고, 600nm 초과인 경우 광투과도 감소의 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 100 내지 300nm인 것이 좋다. The light extracting layer 40 may have a protrusion shape or a pattern shape, and its thickness is 100 nm to 600 nm. When the thickness is less than 100 nm, the light scattering effect is low. When the thickness exceeds 600 nm, there is a problem in that the light transmittance is decreased. More preferably 100 to 300 nm.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제2-3 단계는 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 상기 제2 투명전도층(30) 상에 광추출층(40)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 금속의 산화물, 질화물, 황화물 또는 이의 혼합물을 포함하는 잉크 조성물을 도포하고 열처리하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. Step 2-3 of fabricating the transparent substrate according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a light extracting layer 40 on the second transparent conductive layer 30 using spin coating, When a substrate is used, it may be formed by applying an ink composition containing a metal oxide, a nitride, a sulfide, or a mixture thereof, and heat-treating it in a roll-to-roll process, but is not limited thereto.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제3 단계는 상기 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 또는 광추출층(40) 상에 기저 폴리머층(50)을 형성하는 단계로서 보다 단순화되고 비용이 절감되는 롤투롤(roll to roll) 공정을 통해 플렉서블한 투광성 기판(100)을 제조할 수 있다.The third step of fabricating the transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes forming a base polymer layer 50 on the first transparent conductive layer 20, the second transparent conductive layer 30, or the light extracting layer 40, A flexible translucent substrate 100 can be manufactured through a roll-to-roll process which is simplified and cost-reduced.

기저 폴리머층(50)은 PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), PES(polyether sulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PA(poly acrylate), PUA(polyurethane acrylate), PDMS(polydimethyl siloxane) 및 금속 박막으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함하여 형성될 수 있다. 내화학성, 내열성 등이 우수한 PI를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The base polymer layer 50 may be formed of a material selected from the group consisting of polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylate polydimethyl siloxane), and a metal thin film. It is preferable to use PI having excellent chemical resistance, heat resistance and the like.

기저 폴리머층(50)의 두께는 0.1mm 내지 3mm로 형성하는 것이 좋다. 0.1mm 미만으로 형성하는 경우 모기판으로써 지지력이 낮은 문제점이 있으며, 3mm 초과하여 형성하는 경우 유연성(Flexibility)이 감소하는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 0.2mm 내지 0.5mm인 것이 좋다. The thickness of the base polymer layer 50 is preferably 0.1 mm to 3 mm. When it is formed to be less than 0.1 mm, there is a problem that the supporting force is low as a mother board, and when it is formed more than 3 mm, flexibility is reduced. More preferably 0.2 mm to 0.5 mm.

본 발명의 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제3 단계는 단계는 폴리머 용액을 이용하여 라미네이팅(laminating)하거나 폴리머 조성물을 도포한 후 건조 및 경화시키거나 스크린 프린팅(screen printing)하여 기저 폴리머층(50)을 형성하거나, 플렉서블 기판을 사용하는 경우 롤투롤 공정 상에서 폴리머 조성물을 도포하고 열처리하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The third step of fabricating the transparent substrate according to an embodiment of the present invention may include laminating using a polymer solution or applying a polymer composition, followed by drying and curing or screen printing When the base polymer layer 50 is formed or a flexible substrate is used, the polymer composition may be applied and heat-treated in a roll-to-roll process, but is not limited thereto.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제4 단계는 이형층(10)을 디태칭(detaching)하는 단계로서, 이형층(10)과 제1 투명전도층(20) 사이를 분리(전사)하여 제1 투명전도층(20) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판(100), 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판(100), 제1 투명전도층(20), 제2 투명전도층(30), 광추출층(40) 및 기저 폴리머층(50)을 포함하는 투광성 기판(100)을 제공하는 단계이다. The fourth step of fabricating the transparent substrate according to an embodiment of the present invention is a step of detaching the release layer 10 and separating the release layer 10 and the first transparent conductive layer 20 The first transparent conductive layer 20, the second transparent conductive layer 30, and the base polymer layer 50 (including the first transparent conductive layer 20 and the base polymer layer 50) The transparent substrate 100 including the transparent substrate 100, the first transparent conductive layer 20, the second transparent conductive layer 30, the light extracting layer 40, and the base polymer layer 50, .

또한 이형층(10)으로서 기판 상에 버퍼층 형성 시 표면에 형상을 갖도록 제조하고 제1 투명전도층(20)을 전사한 경우, 버퍼층 표면 형상과 같이 제1 투명전도층(20) 표면에 버퍼층의 형상이 전사되므로 제조된 투광성 기판(100)의 표면 형상을 제어할 수 있다.When the first transparent conductive layer 20 is formed so as to have a shape on the surface of the buffer layer on the substrate as the release layer 10 and the first transparent conductive layer 20 is transferred, the surface of the first transparent conductive layer 20, The surface shape of the manufactured transparent substrate 100 can be controlled.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 제조하는 제4 단계는 버퍼층에 광원을 통한 광조사 처리하여 성상을 선택적으로 변화시켜 제1 투명전도층(20)과의 접착력을 낮추어 안정적으로 분리할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 일실시예에 따른 버퍼층은 상기 언급한 제1 탄소화합물, 제2 탄소화합물, 금속산화물 등의 물질 즉, 유리전이온도가 200℃ 이하인 탄소화합물, 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물, 점착성이 낮은 금속산화물 때문에 복잡한 공정을 거치거나 많은 에너지를 들이지 않고도 용이하게 분리(전사)가 가능한 장점이 있다. In the fourth step of fabricating the transparent substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, the buffer layer may be irradiated with light through a light source to selectively change the properties of the buffer layer to lower the adhesive force with the first transparent conductive layer 20, But are not limited thereto. The buffer layer according to an embodiment of the present invention may be formed of a material such as the first carbon compound, the second carbon compound, and the metal oxide, that is, a carbon compound having a glass transition temperature of 200 ° C or less, a carbon compound decomposable by ultraviolet rays, It is advantageous in that it can be easily separated (transferred) without a complicated process or low energy consumption due to low metal oxide.

광조사 처리에 이용될 수 있는 광원으로는 제논 램프, 할로겐 램프, HID 램프, 형광 램프, 수은 램프를 포함하는 가스 방전 램프 등을 사용할 수 있으며, 버퍼층의 유리전이온도 이상의 열을 가하여 성상을 변화시킬 수 있는 열원이라면 제한없이 사용 가능하다. 바람직하게는 제논 렘프를 사용하는 것이 투명 전도성 산화층과 타 재료에 손상을 주지 않으면서 광추출층 형성을 위한 국부적인 에너지 전달에 좋다. A gas discharge lamp including a xenon lamp, a halogen lamp, a HID lamp, a fluorescent lamp, and a mercury lamp may be used as the light source that can be used for the light irradiation treatment. Any heat source can be used without limitation. Preferably, the use of Xenon lamps is good for local energy transfer for formation of a light extraction layer without damaging the transparent conductive oxide layer and other materials.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판의 롤투롤 방식 제조방법을 도 18에 나타내었다. A method of manufacturing a roll-to-roll method of a transparent substrate according to an embodiment of the present invention is shown in Fig.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법은, 제4 단계 이후에, 상기 분리된 제1 투명전도층에 잔존하는 이형층 성분을 제거하는 제5 단계를 더 포함할 수 있다. 분리된 제1 투명전도층(20)을 포함하는 투광성 기판 표면에 잔존하는 버퍼층은 아세톤, 에탄올과 같은 화학약품을 이용하여 세척하여 제거하거나 플라즈마 처리하여 제거할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention may further include a fifth step of removing the release layer component remaining in the separated first transparent conductive layer after the fourth step. The buffer layer remaining on the surface of the transparent substrate including the separated first transparent conductive layer 20 may be removed by washing with a chemical such as acetone or ethanol or by plasma treatment.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 유기발광소자(1000)는 도 19에 나타낸 것과 같이 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법에 따라 투광성 기판(100)을 투광성 전극으로서 형성 후, 제1 투명전도층(20) 상에 유기발광층(200) 적층, 반사 전극(300)을 차례로 적층하여 제조할 수 있다. 19, the organic light emitting device 1000 according to another embodiment of the present invention may be formed as a light transmitting electrode 100 according to a method of manufacturing a light transmitting substrate according to an embodiment of the present invention, 1 stacking the organic light emitting layer 200 on the transparent conductive layer 20, and the reflective electrode 300 in this order.

유기발광층(200)은 구체적인 물질, 형성방법이 특별히 제한되지 않고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있으며, 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법, 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다. The material and method for forming the organic light-emitting layer 200 are not particularly limited, and materials and forming methods well-known in the art can be used. Various organic materials can be used for the organic light-emitting layer 200 in a vapor deposition process, a solvent process, , Dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer.

반사 전극(300)은 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성될 수 있다.The reflective electrode 300 may be formed by a sputtering method, an E-beam evaporation method, a thermal evaporation method, a laser molecular beam epitaxy (L-MBE) method, Pulsed Laser Deposition (PLD); physical vapor deposition (PVD); A thermal chemical vapor deposition method, a plasma chemical vapor deposition (PECVD) method, a light chemical vapor deposition method, a laser chemical vapor deposition method, a metal- A chemical vapor deposition method selected from the group consisting of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE); Or atomic layer deposition (ALD).

반사 전극(300)은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.The reflective electrode 300 may be formed of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, platinum, gold, tungsten, tantalum, have.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은 기저 폴리머층(50), 기저 폴리머층 상에 구비되는 제2 투명전도층(30) 및 제2 투명전도층 상에 구비되는 제1 투명전도층(20) 을 포함한다. The transparent substrate 100 according to an embodiment of the present invention includes a base polymer layer 50, a second transparent conductive layer 30 provided on the base polymer layer, and a second transparent conductive layer 30 provided on the second transparent conductive layer. Layer (20).

도 20에 나타나는 것과 같이 제2 투명전도층(30)은 도전체(31) 및 도전체를 피복하는 폴리머피복층(32)을 포함하고, 제2 투명전도층(30)이 제1 투명전도층(20)에 인접하는 절반을 A영역이라 하고, 기저 폴리머층(50)에 인접하는 절반을 B영역이라고 할 때, 도전체(31)의 60% 이상이 A영역에 분포한다. 특히 도전체(31)는 제2투명전도층(30)의 제조 특성에 따라 70% 또는 80% 이상으로 분포하는 것이 보다 바람직하다. 20, the second transparent conductive layer 30 includes a conductor 31 and a polymer coating layer 32 covering the conductor, and the second transparent conductive layer 30 includes a first transparent conductive layer 20 are referred to as A regions, and a half adjacent to the base polymer layer 50 is referred to as a B region, at least 60% of the conductors 31 are distributed in the A region. More preferably, the conductor 31 is distributed at 70% or 80% or more, depending on the manufacturing characteristics of the second transparent conductive layer 30.

도전체(31)는 금속 나노와이어(311) 또는 메탈 메쉬 패턴(312)을 포함한다. 또한 제2 투명전도층(30)은 제1 투명전도층(20)에 인접하여 분포하는 금속 입자(313)를 더 포함할 수 있다. 금속 입자(313)는 제2 투명전도층의 A 영역에 50% 이상 분포한다. 보다 바람직하게는 제2 투명전도층의 제조 특성에 따라 60% 또는 70% 이상으로 분포하도록 형성하는 것이 좋다. The conductor 31 includes a metal nanowire 311 or a metal mesh pattern 312. The second transparent conductive layer 30 may further include metal particles 313 distributed adjacent to the first transparent conductive layer 20. The metal particles 313 are distributed in the area A of the second transparent conductive layer by 50% or more. More preferably 60% or 70% or more, depending on the production characteristics of the second transparent conductive layer.

도전체(31)를 피복하는 폴리머피복층(32)은 PI(Polyimide), PET(Polyethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), UV 경화용 Resin 수지, 열 경화용 Resin 수지, 에폭시 등을 이용하여 형성될 수 있다. 바람직하게는 자외선(UV) 경화용 수지(Resin)를 이용하여 도전체(31)가 피복된 것이 좋다. The polymer coating layer 32 covering the conductor 31 may be formed using polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polydimethylsiloxane (PDMS), Resin resin for UV curing, Resin resin for thermal curing, have. Preferably, the conductive material 31 is coated with a resin for ultraviolet (UV) curing.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)은 제2 투명전도층(30)을 구비하여 제1 투명전도층(20)의 도전성을 보완할 수 있으며, 특히, 도전체(31)가 제1 투명전도층(20)과 인접하여 분포하기 때문에 더욱 우수한 보조 전극의 특성을 나타낼 수 있다. 이는 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판 제조방법에 의해 제1 투명전도층(20) 상에 제2 투명전도층(30)을 형성하기 때문에 가능한 구조이다. The transparent substrate 100 according to an embodiment of the present invention may include the second transparent conductive layer 30 to compensate the conductivity of the first transparent conductive layer 20. In particular, 1 transparent conductive layer 20, it is possible to exhibit more excellent characteristics of the auxiliary electrode. This is a possible structure because the second transparent conductive layer 30 is formed on the first transparent conductive layer 20 by the method of manufacturing a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.

또한 제2 투명전도층(30)은 메탈 메쉬 패턴(312)이 광추출 형상을 갖는 폴리머에 의해 이중 피복된 층일 수 있다. 제1 투명전도층(20) 상에 연접한 메탈 메쉬 패턴(312)이 광추출 형상, 예를 들면 표면에 요철을 갖는 형상을 갖는 폴리머로 피복되고, 다시 폴리머피복층(32)으로 이중 피복되어 제2 투명전도층을 형성한다.Also, the second transparent conductive layer 30 may be a layer in which the metal mesh pattern 312 is doubly coated with a polymer having a light extracting shape. A metal mesh pattern 312 joined on the first transparent conductive layer 20 is coated with a polymer having a light extracting shape, for example, a shape having irregularities on its surface, and then covered with a polymer coating layer 32, 2 transparent conductive layer is formed.

또한 제2 투명전도층(30)은 상기 메탈 메쉬 패턴이 광추출 입자를 포함하는 폴리머에 의해 이중 피복된 층일 수 있다. 따라서 제1 투명전도층(20) 상에 연접한 메탈 메쉬 패턴(312)이 금속 입자(313)를 포함하는 폴리머로 피복되고, 다시 폴리머피복층(32)으로 이중 피복되어 제2 투명전도층을 형성한다.  The second transparent conductive layer 30 may be a layer in which the metal mesh pattern is doubly coated with a polymer containing light extracting particles. The metal mesh pattern 312 connected to the first transparent conductive layer 20 is coated with the polymer including the metal particles 313 and then covered with the polymer coating layer 32 to form the second transparent conductive layer do.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판(100)에 포함되는 제1 투명전도층(20)은 그 표면에 오목 또는 볼록한 표면 패턴을 구비할 수 있다. The first transparent conductive layer 20 included in the transmissive substrate 100 according to an embodiment of the present invention may have a concave or convex surface pattern on the surface thereof.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판을 포함한 액정 표시 소자(liquid crystal display), 일렉트로크로믹 디스플레이(ECD), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel), 플렉서블(flexible) 디스플레이, 전자페이퍼, 터치패널 등의 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. A liquid crystal display, an electrochromic display (ECD), a plasma display panel (PDP), a flexible display, an electronic paper, a touch panel, etc., including a transparent substrate according to an embodiment of the present invention Can be provided.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판은 유기발광소자나 유기태양전지에 이용될 수 있다. 즉, 본 발명의 투광성 기판(100)의 제1 투명전도층(20) 상에 발광물질층(200) 및 반사 금속층(300)을 적층하여 유기발광소자를 제공할 수 있고, 또한 광활성층 및 금속전극층을 적층하여 유기태양전지를 제공할 수 있다. Further, the transparent substrate according to an embodiment of the present invention can be used for an organic light emitting device or an organic solar battery. That is, the light emitting material layer 200 and the reflective metal layer 300 may be laminated on the first transparent conductive layer 20 of the translucent substrate 100 of the present invention to provide an organic light emitting device, An electrode layer may be laminated to provide an organic solar cell.

본 발명의 일실시예에 따른 투광성 기판의 제2 투명전도층(30)이 광 추출 기능을 하는 구조를 포함하는 경우, 예를 들면, 금속 입자를 포함하여 광 산란을 일으키거나 광추출이 가능한 형상을 포함하는 폴리머를 포함하는 경우, 조명용 유기발광소자로 적합하게 이용될 수 있다. In the case where the second transparent conductive layer 30 of the transparent substrate according to the embodiment of the present invention includes a structure having a light extracting function, for example, a structure including metal particles to cause light scattering or a shape capable of light extraction , It can be suitably used as an organic light emitting element for illumination.

실시예Example

실시예 1Example 1

0.6mm 글래스 기판 위에 버퍼 용액을 스핀 코팅하여 400nm의 버퍼층을 형성하고, 버퍼층 상에 물리기상증착 방식으로 10nm의 투명산화물층을 형성하고, 투명산화물 상에 은 나노와이어(Ag NW)를 포함하는 고분자 잉크 조성물을 도포하고 80~150℃에서 5분~10분 건조 및 경화시켜 200nm이하의 AgNW층을 형성한다. 폴리이미드(PI) 용액 또는 UV resin을 도포 및 건조시켜 폴리머층을 형성한 후, 광에 의한 잠열을 이용하여 버퍼층의 성상을 변화시킴(녹임)으로써 투명 산화물층과 분리하여 투광성 기판을 제조하였다. A buffer solution was spin-coated on a 0.6 mm glass substrate to form a 400 nm buffer layer. A 10 nm transparent oxide layer was formed on the buffer layer by a physical vapor deposition method, and a polymer including silver nanowires (Ag NW) The ink composition is applied and dried and cured at 80 to 150 DEG C for 5 to 10 minutes to form an AgNW layer of 200 nm or less. A transparent substrate was prepared by dissolving the polyimide (PI) solution or UV resin on the polymer layer to form a polymer layer, and then changing the properties of the buffer layer using latent heat by light (melting) to separate the transparent oxide layer.

실시예 2Example 2

0.2mm의 3mm 기판 필름을 롤러에 감아 연속적으로 제공하며 롤투롤 공정을 실시하였다. 먼저 유연 기판 필름에 버퍼층 용액을 코팅하고 열처리하여 희생층을 형성하였으며, 제1 투명전도층을 증착시키고 은 나노와이어를 증착시켜 코팅한 후 고온 건조시켜 제2 투명전도층을 형성하고, 폴리머 용액을 코팅하고 열처리하여 기저 폴리머층을 형성하였다. 여기에 광을 조사하여 버퍼층을 녹임으로써 유연 기판을 분리하여 투광성 기판을 연속적으로 제조하였다. 도 18에 본 실시예의 롤투롤 제조공정을 나타내었다. A 3 mm substrate film of 0.2 mm was wound on the rollers continuously to provide a roll-to-roll process. First, a buffer layer solution is coated on a flexible substrate film and heat treatment is performed to form a sacrifice layer. A first transparent conductive layer is deposited, a silver nanowire is deposited to form a second transparent conductive layer by coating at high temperature, Coating and heat treatment to form a base polymer layer. The transparent substrate was separated by irradiating light thereto to melt the buffer layer to continuously produce a transparent substrate. 18 shows the roll-to-roll manufacturing process of this embodiment.

실시예 3Example 3

0.5mm의 3mm기판 필름을 롤러에 감아 연속적으로 제공하며 롤투롤 공정을 실시하였다. 먼저 유연 기판 필름에 버퍼 용액을 코팅하고 열처리 할 때, 용액코팅에 의한 원심력으로 물결무늬를 가지는 버퍼층을 형성하였으며, 제1 투명전도층을 증착시키고 은 나노와이어를 성장시켜 코팅한 후 고온 건조시켜 제2 투명전도층을 형성하고, 폴리머 또는 UV resin 용액을 코팅하고 UV처리에 의해 기저 폴리머층을 형성하였다. 여기에 제논 램프를 이용하여 버퍼층을 녹임으로써 유연 기판을 분리하여 투광성 기판을 연속적으로 제조하였다. 제조된 투광성 기판은 버퍼층의 표면형상과 동일한 물결무늬를 나타내며, 도 18에 본 실시예의 롤투롤 제조공정을 나타내었다. A 3 mm substrate film of 0.5 mm was wound on the rollers to continuously provide a roll-to-roll process. First, when a buffer solution is coated on a flexible substrate film and a heat treatment is performed, a buffer layer having a wavy pattern is formed by centrifugal force by solution coating. A first transparent conductive layer is deposited, silver nanowires are grown, 2 transparent conductive layer was formed, a polymer or UV resin solution was coated, and a base polymer layer was formed by UV treatment. The buffer layer was melted by using a xenon lamp to separate the flexible substrate, and the transparent substrate was continuously manufactured. The fabricated translucent substrate has the same wave pattern as that of the buffer layer, and FIG. 18 shows the roll-to-roll manufacturing process of this embodiment.

비교예Comparative Example

캐리어 글래스에 폴리이미드(PI) 용액을 도포 건조시켜 PI 필름을 제조한 후, 그 위에 배리어 코팅막을 형성하고 ITO 투명전극 제조 공정을 진행시켜 디바이스를 만든 다음 캐리어 글래스에서 분리시켜 투광성 전극을 제조하였다. A PI film was prepared by applying a polyimide (PI) solution to a carrier glass. A barrier coating film was formed on the PI film. A transparent electrode was manufactured by separating the barrier film from the carrier glass.

실험예Experimental Example

(1) 이미지 측정(1) Image measurement

도 21에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 유연성을 시각적으로 나타내는 사진을 도시하였다. FIG. 21 shows a photograph visually showing the flexibility of the transparent substrate produced according to the embodiment of the present invention.

도 22에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층 방향에서 촬영한 표면 광학 이미지 사진을 나타내었으며, 도 23에 제2 투명전도층의 금속 나노와이어를 확인 가능한 SEM 이미지 사진을 나타내었다. 22 shows a surface optical image taken in the direction of the first transparent conductive layer of the transparent substrate manufactured according to the embodiment of the present invention, and FIG. 23 shows an SEM image photograph of the metal nanowire of the second transparent conductive layer Respectively.

도 24에 버퍼층의 표면 형상을 제어함으로써 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면 형상이 물결 무늬로 제어된 SEM 이미지 사진을 나타내었다.FIG. 24 shows a SEM image photograph in which the surface shape of the first transparent conductive layer of the transparent substrate produced by controlling the surface shape of the buffer layer is controlled to a wavy pattern.

(2) X-선 회절 패턴(XRD) 및 EDX 측정 (2) X-ray diffraction pattern (XRD) and EDX measurement

도 25에 제1 투명전도층, 제2 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판의 XRD 측정 데이터를 나타내었으며, ITO의 피크, Ag의 피크를 갖는다. Fig. 25 shows XRD measurement data of a transparent substrate including a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, and a base polymer layer, and has a peak of ITO and a peak of Ag.

도 26에 제1 투명전도층, 제2 투명전도층, 광추출층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판의 XRD 측정 데이터를 나타내었으며, ITO의 피크, ZnO의 피크, Ag의 피크 및 C-H의 피크를 갖는다. FIG. 26 shows XRD measurement data of a transparent substrate including a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, a light extracting layer, and a base polymer layer, wherein the peak of ITO, the peak of ZnO, the peak of Ag, .

도 27에 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 투광성 기판의 EDX 를 통한 성분분석 데이터를 나타내었으며, Si, C, O, Zn, Ag, In, Sn 등의 성분이 존재하는 것을 알 수 있다. FIG. 27 shows component analysis data through EDX of a transparent substrate manufactured according to an embodiment of the present invention. It can be seen that components such as Si, C, O, Zn, Ag, In and Sn exist.

(3) 평탄도(표면 거칠기) 측정(3) Measurement of flatness (surface roughness)

실시예에서 제조된 투광성 기판의 제1 투명전도층의 표면거칠기를 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10μm×10μm의 스캔 범위로 관측할 때, RPV 및 RMS를 측정하였다. 측정결과는 하기 표 1에 나타내었으며, 도 28에 표면 AFM profile을 나타내었다. 또한 도 29에 물결무늬로 형상제어된 투광성 전극의 AFM 이미지를 나타내었다. R PV and R MS were measured when the surface roughness of the first transparent conductive layer of the transparent substrate prepared in the examples was observed using a AFM (Atomic Force Microscope) in a scan range of 10 μm × 10 μm. The measurement results are shown in Table 1 below, and the surface AFM profile is shown in FIG. FIG. 29 shows an AFM image of a translucent electrode whose shape is controlled in a wave pattern.

(4) 투과율 및 전기전도성 측정 (4) Transmittance and electrical conductivity measurement

실시예에서 제조된 다양한 광추출층 두께를 갖는 플렉서블 투광성 기판의 표면 저항을 측정하여 전기전도성을 측정하였으며, 표면 저항 측정 시에 통상적으로 사용되는 4 포인트 프로브(기기명: MCP-T610, 제조사: MITSUBISHI CHEMICAL)를 사용하고, 핀간 간격이 5 mm인 ESP 타입의 프로브를 이용하여 측정하였다. 측정결과는 하기 표 1에 나타내었으며, 표 2 및 도 30에 광추출층의 평균 두께에 따른 광학적 성능 및 전기전도성 데이터를 나타내었다. The electrical conductivity was measured by measuring the surface resistance of a flexible translucent substrate having various light extracting layer thicknesses prepared in the examples. A 4-point probe (MCP-T610, manufactured by MITSUBISHI CHEMICAL ) Was used, and measurement was performed using an ESP type probe having a pin interval of 5 mm. The measurement results are shown in Table 1 below, and Table 2 and FIG. 30 show optical performance and electrical conductivity data according to the average thickness of the light extracting layer.

RPV(nm)R PV (nm) RMS(nm)R MS (nm) 면저항(Ω/□)Sheet resistance (Ω / □) 실시예 1Example 1 5.7695.769 0.62170.6217 3.093.09 실시예 2Example 2 31.931.9 2.0082.008 8.778.77

PropertyProperty 광추출층 두께Light extraction layer thickness Average
Thickness(nm)
Average
Thickness (nm)
124124 186186 214214 256256
Transmittance(%)Transmittance (%) 77.977.9 70.870.8 70.370.3 69.869.8 Haze(%)Haze (%) 10.310.3 4747 49.849.8 54.654.6 Sheet
Resistance(Ω/□)
Sheet
Resistance (Ω / □)
5.885.88 55.3555.35 30.430.4 13.913.9

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like illustrated in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (15)

제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서,
이형층을 준비하는 제1 단계;
상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계;
상기 제1 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및
상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하고,
상기 제1 단계는 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 제1 탄소화합물로서, PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 탄소화합물을 포함하여 100nm 내지 10μm의 두께로 형성되는 버퍼층을 포함하는 이형층을 준비하는 단계이고,
상기 제2-1 단계는 상기 이형층 상에 투명 전도성 산화물, 투명 전도성 질화물, 투명 전도성 황화물 및 이들의 혼합물에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하여 5nm 내지 100nm의 두께로 제1 투명전도층을 형성하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
A transparent substrate manufacturing method comprising a first transparent conductive layer and a base polymer layer,
A first step of preparing a release layer;
A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer;
A third step of forming a base polymer layer on the first transparent conductive layer; And
And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a transparent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer,
The first step may be a first carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C or less as a first carbon compound such as PC (Polycarbonate), PMMA (Polymethyl methacrylate), PTFE (Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride (PVC), Polystyrene , And a buffer layer formed to a thickness of 100 nm to 10 mu m,
In the step 2-1, the first transparent conductive layer may be formed on the release layer at a thickness of 5 nm to 100 nm by including at least one selected from the group consisting of a transparent conductive oxide, a transparent conductive nitride, a transparent conductive sulfide, Wherein the step of forming the transparent substrate comprises the steps of:
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제4 단계는 상기 이형층에 광 에너지를 조사하여 상기 이형층을 이루는 물질의 성상을 변화시켜 상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fourth step is a step of separating the release layer from the first transparent conductive layer by irradiating the release layer with light energy to change the property of the material forming the release layer.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 단계는 불소(F)를 포함하는 탄소화합물로서, 메틸트리플루오로프로필 실록세인(Methyltrifluoropropyl siloxane), 메틸플루오로(Methylfluoro), C8F17C2H4Si(NH)3/2, C4F9C2H4Si(NH)3/2 및 폴리 실록사잔(poly siloxazane)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 탄소화합물을 포함하여 100nm 내지 10μm의 두께로 형성되는 버퍼 기판을 포함하는 이형층을 준비하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
The first step may be a carbon compound containing fluorine (F), such as methyltrifluoropropyl siloxane, Methylfluoro, C 8 F 17 C 2 H 4 Si (NH) 3/2 , C 4 F 9 C 2 H 4 Si (NH 3 ) 2/2, and poly siloxazane, and having a thickness of 100 nm to 10 μm, Wherein the step of preparing the transparent substrate comprises the steps of:
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 단계는 자외선에 의해 분해되는 탄소화합물로서, 비닐-케톤(Vinyl-ketone)계 공중합물 및 에틸렌-CO(Ethylene-CO) 공중합체로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 탄소화합물을 포함하여 100nm 내지 10μm의 두께로 형성되는 버퍼층을 포함하는 이형층을 준비하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
The first step is a carbon compound which is decomposed by ultraviolet rays and contains at least one carbon compound selected from the group consisting of a vinyl-ketone copolymer and an ethylene-CO (ethylene-CO) copolymer To form a release layer comprising a buffer layer formed to a thickness of 100 nm to 10 mu m.
제1항에 있어서,
상기 제1 단계는 금속 산화물로서, 산화 이트륨(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3) 및 실리콘산화물(SiO2)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 산화물을 포함하여 100nm 내지 10μm의 두께로 형성되는 버퍼층을 포함하는 이형층을 준비하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
The first stage is a metal oxide, yttrium oxide (Y 2 O 3), zirconia (ZrO 2), alumina (Al 2 O 3) and silicon oxide (SiO 2) one or more metal oxides selected from a group consisting of And a buffer layer formed to a thickness of 100 nm to 10 占 퐉, wherein the buffer layer is formed.
제1항에 있어서,
상기 제1 단계는 오목 또는 볼록한 형상의 표면패턴이 형성된 이형층을 준비하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first step is a step of preparing a release layer on which a concave or convex surface pattern is formed.
제1항에 있어서,
상기 제1 단계는 상기 이형층의 표면에 산소 플라즈마를 이용한 마스크 에칭 또는 에칭용액을 이용한 습식 에칭을 통하여 표면패턴을 형성하는 단계를 포함하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first step comprises a step of forming a surface pattern on the surface of the release layer by mask etching using oxygen plasma or wet etching using an etching solution.
제1 투명전도층, 제2 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서,
이형층을 준비하는 제1 단계;
상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계;
상기 제1 투명전도층 상에 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 폴리머피복층을 포함하는 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계;
상기 제2 투명전도층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및
상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하고,
상기 제1 단계는 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 제1 탄소화합물로서, PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 탄소화합물을 포함하여 100nm 내지 10μm의 두께로 형성되는 버퍼층을 포함하는 이형층을 준비하는 단계이고,
상기 제2-1 단계는 상기 이형층 상에 투명 전도성 산화물, 투명 전도성 질화물, 투명 전도성 황화물 및 이들의 혼합물에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하여 5nm 내지 100nm의 두께로 제1 투명전도층을 형성하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
A transparent substrate manufacturing method comprising a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, and a base polymer layer,
A first step of preparing a release layer;
A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer;
A second transparent conductive layer formed on the first transparent conductive layer and including a conductor and a polymer coating layer covering the conductor;
A third step of forming a base polymer layer on the second transparent conductive layer; And
And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a transparent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer,
The first step may be a first carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C or less as a first carbon compound such as PC (Polycarbonate), PMMA (Polymethyl methacrylate), PTFE (Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride (PVC), Polystyrene ), And a buffer layer formed to a thickness of 100 nm to 10 mu m, the method comprising the steps of: preparing a release layer comprising at least one carbon compound selected from the group consisting of
In the step 2-1, the first transparent conductive layer may be formed on the release layer at a thickness of 5 nm to 100 nm by including at least one selected from the group consisting of a transparent conductive oxide, a transparent conductive nitride, a transparent conductive sulfide, Wherein the step of forming the transparent substrate comprises the steps of:
제1 투명전도층, 제2 투명전도층, 광추출층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판 제조방법으로서,
이형층을 준비하는 제1 단계;
상기 이형층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 제2-1 단계;
상기 제1 투명전도층 상에 도전체 및 상기 도전체를 피복하는 폴리머피복층을 포함하는 제2 투명전도층을 형성하는 제2-2 단계;
상기 제2 투명전도층 상에 광추출층을 형성하는 제2-3 단계;
상기 광추출층 상에 기저 폴리머층을 형성하는 제3 단계; 및
상기 이형층을 상기 제1 투명전도층으로부터 분리하여 제1 투명전도층 및 기저 폴리머층을 포함하는 투광성 기판을 얻는 제4 단계;를 포함하고,
상기 제1 단계는 유리전이온도(Tg)가 200℃ 이하인 제1 탄소화합물로서, PC(Polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate) PTFE(Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride(PVC), Polystyrene(PS) 및 Polyethyl methacrylate(PEMA)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 탄소화합물을 포함하여 형성되는 버퍼층을 포함하는 이형층을 준비하는 단계이고,
상기 제2-1 단계는 상기 이형층 상에 투명 전도성 산화물, 투명 전도성 질화물, 투명 전도성 황화물 및 이들의 혼합물에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하여 5nm 내지 100nm의 두께로 제1 투명전도층을 형성하는 단계인 투광성 기판 제조방법.
A method of manufacturing a transparent substrate comprising a first transparent conductive layer, a second transparent conductive layer, a light extracting layer, and a base polymer layer,
A first step of preparing a release layer;
A second step of forming a first transparent conductive layer on the release layer;
A second transparent conductive layer formed on the first transparent conductive layer and including a conductor and a polymer coating layer covering the conductor;
A second step of forming a light extracting layer on the second transparent conductive layer;
A third step of forming a base polymer layer on the light extracting layer; And
And a fourth step of separating the release layer from the first transparent conductive layer to obtain a transparent substrate including a first transparent conductive layer and a base polymer layer,
The first step may be a first carbon compound having a glass transition temperature (Tg) of 200 ° C or less as a first carbon compound such as PC (Polycarbonate), PMMA (Polymethyl methacrylate), PTFE (Polytetrafluoroethylene), Polyvinylchloride (PVC), Polystyrene And a buffer layer formed on the buffer layer, wherein the buffer layer comprises at least one carbon compound selected from the group consisting of (i)
In the step 2-1, the first transparent conductive layer may be formed on the release layer at a thickness of 5 nm to 100 nm by including at least one selected from the group consisting of a transparent conductive oxide, a transparent conductive nitride, a transparent conductive sulfide, Wherein the step of forming the transparent substrate comprises the steps of:
제1항, 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제4 단계 이후에, 상기 분리된 제1 투명전도층에 플라즈마 처리하여 잔존하는 이형층 성분을 제거하는 제5 단계를 더 포함하는 투광성 기판 제조방법.


15. The method of claim 1, 13 or 14,
And a fifth step of removing the remaining release layer components by plasma-treating the separated first transparent conductive layer after the fourth step.


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