KR101859479B1 - Organic light emitting display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평탄화층 상에 형성되는 광 보상층이 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 형성되어, 평탄화층 내에 잔류하는 가스를 열 처리 공정을 실시하여 외부로 방출시킴으로써, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.The present invention is characterized in that the optical compensation layer formed on the planarization layer is formed so as to expose the upper surface of the planarization layer so that the gas remaining in the planarization layer is subjected to a heat treatment process and discharged to the outside, And a method of manufacturing the same. The method of manufacturing an organic light emitting diode display of the present invention includes: forming a thin film transistor on a substrate; Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor; Forming a color filter on the protective film; Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter; Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap, and the optical compensation layer is formed on the upper surface of the planarization layer Lt; / RTI >

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 광 보상층을 형성하여, 컬러 시프트(Color Shift)를 방지함과 동시에 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an OLED display device capable of preventing color shift and improving reliability of an OLED display device by forming an optical compensation layer to expose an upper surface of a planarization layer And a method of manufacturing the same.

다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.The image display device that implements various information on the screen is a key technology in the era of information and communication, and it is progressing in the direction of being thinner, lighter, more portable, but higher performance. An organic light emitting display device which controls the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display device has recently been spotlighted as a flexible display capable of bending due to space and convenience.

유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이부와, 박막 트랜지스터 어레이부 상에 위치하는 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널을 외부로부터 격리시키기 위한 캐핑층을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층 양단에 형성된 음극 및 양극에 전계를 가하여 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계 발광 현상을 이용하며, 유기 발광층에서 쌍을 이룬 전자와 정공은 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 발광한다.The organic light emitting display includes a thin film transistor array portion formed on a substrate, an organic light emitting display panel disposed on the thin film transistor array portion, and a capping layer for isolating the organic light emitting display panel from the outside. The organic light emitting display utilizes an electroluminescent phenomenon in which an electric field is applied to the cathode and the anode formed at both ends of the organic light emitting layer to emit light by the binding energy when electrons and holes are injected into and transported from the organic light emitting layer, Electrons and holes emitted from the excited state fall from the excited state to the ground state.

구체적으로, 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 복수 개의 서브 픽셀을 구비한다. 서브 픽셀 각각은 게이트 배선에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 배선으로부터의 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생시킨다.Specifically, the organic light emitting display device has a plurality of subpixels, each of which is arranged in an area defined by the intersection of the gate wiring and the data wiring. Each of the subpixels receives a data signal from the data line when a gate pulse is supplied to the gate line, and generates light corresponding to the data signal.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 그리고, 도 2는 불량이 발생한 픽셀 사진이다.1 is a cross-sectional view of a general organic light emitting diode display. 2 is a photograph of a pixel where a defect occurs.

도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 형성된 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 표시 패널을 포함한다. 구체적으로, 박막 트랜지스터는 게이트 전극(110a), 액티브층(120a)과 오믹 콘택층(120b)이 차례로 적층된 반도체층(120) 및 소스, 드레인 전극(130a, 130b)을 포함하여 이루어진다. 그리고, 박막 트랜지스터를 덮도록 보호막(140a)이 형성되고, 보호막(140a) 상에 컬러 필터(150)가 형성된다.1, a general organic light emitting display includes a thin film transistor formed on a substrate 100 and an organic light emitting display panel connected to the thin film transistor. Specifically, the thin film transistor includes a gate electrode 110a, a semiconductor layer 120 in which an active layer 120a and an ohmic contact layer 120b are sequentially stacked, and source and drain electrodes 130a and 130b. A protective film 140a is formed to cover the thin film transistor, and a color filter 150 is formed on the protective film 140a.

특히, 백색 유기 발광 표시 장치(White Organic Light Emitting Display Device; WOLED)는 후술할 유기 발광층(190)이 백색 유기 발광 물질로 형성되고, 유기 발광층(190)에서 방출되는 백색 광이 보호막(140a) 상에 형성된 컬러 필터(150)를 통과하며, 컬러 필터(150)에 상응하는 컬러의 광이 방출된다.In particular, a white organic light emitting display (WOLED) is formed by a white organic light emitting material 190, which will be described later, and a white light emitted from the organic light emitting layer 190, Passes through the color filter 150 formed in the color filter 150, and the color light corresponding to the color filter 150 is emitted.

그리고, 컬러 필터(150)를 덮도록 평탄화층(140b)이 형성되고, 평탄화층(140b) 전면에 광 보상층(160)이 형성된다. 광 보상층(160)은 컬러 필터(150)를 통과하여 외부로 방출되는 광의 공진 주기를 만족시켜 시야각에 따른 컬러 시프트(Color Shift)가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 품질이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다.A planarization layer 140b is formed to cover the color filter 150 and an optical compensation layer 160 is formed on the entire surface of the planarization layer 140b. The optical compensation layer 160 may be formed to prevent the deterioration of quality of the organic light emitting display device due to color shift caused by the viewing angle by satisfying the resonance period of light emitted to the outside through the color filter 150 will be.

그리고, 광 보상층(160) 상에 제 1 전극(170a), 유기 발광층(190) 및 제 2 전극(170b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널이 형성된다. 구체적으로 제 1 전극(170a)이 형성되어 보호막(140a), 평탄화층(140b) 및 광 보상층(160)을 선택적으로 제거하여 형성된 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 드레인 전극(130b)과 전기적으로 연결된다. 평탄화층(140b) 상에 발광 영역을 정의하기 위해 제 1 전극(170a)의 일부를 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크(180)가 형성되고, 뱅크(180)를 포함한 제 1 전극(170a) 전면에 유기 발광층(190)이 형성된다.An organic light emitting display panel including a first electrode 170a, an organic light emitting layer 190, and a second electrode 170b is formed on the optical compensation layer 160. Specifically, the first electrode 170a is formed and electrically connected to the drain electrode 130b through a drain contact hole (not shown) formed by selectively removing the protective layer 140a, the planarization layer 140b, and the optical compensation layer 160 Lt; / RTI > A bank 180 having a bank hole for exposing a part of the first electrode 170a is formed on the planarization layer 140b to define a light emitting region and the bank 180 is formed on the entire surface of the first electrode 170a including the bank 180 An organic light emitting layer 190 is formed.

그리고, 유기 발광층(190) 전면에 제 2 전극(170b)이 형성된다. 유기 발광층(190)은 제 1 전극(170a)으로부터 정공이, 제 2 전극(170b)으로부터 전자가 주입되어, 유기 발광층(190)으로 주입된 정공과 전자가 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(170b) 상에 유기 발광 표시 패널을 캐핑하기 위한 캐핑층이 더 형성될 수 있다.A second electrode 170b is formed on the entire surface of the organic light emitting layer 190. Holes are injected from the first electrode 170a and electrons are injected from the second electrode 170b and electrons injected into the organic light emitting layer 190 are injected into the organic light emitting layer 190 do. Further, although not shown, a capping layer may be further formed on the second electrode 170b for capping the organic light emitting display panel.

그런데, 상술한 바와 같이, 광 보상층(160)이 평탄화층(150b) 전면에 형성되면, 평탄화층(140b) 내에 잔류하는 가스가 외부로 방출되지 못하고 유기 발광층(190)으로 유입되어, 유기 발광 표시 패널의 수명 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생한다.As described above, when the optical compensation layer 160 is formed on the entire surface of the planarization layer 150b, the gas remaining in the planarization layer 140b can not be emitted to the outside and flows into the organic emission layer 190, The lifetime and reliability of the display panel deteriorate.

구체적으로, 평탄화층(140b)은 유기 물질로 형성되므로, 평탄화층(140b) 내에 가스가 잔류하고, 가스는 광 보상층(160)과 제 1 전극(170a) 사이의 표면을 따라 이동하고, 뱅크(180)를 통해 결국 유기 발광층(190)으로 유입된다. 특히, 뱅크(180) 역시 유기 물질로 형성되므로, 뱅크(180) 내에 잔류하는 가스, 수분 등이 유기 발광층(190)으로 유입된다.Specifically, since the planarization layer 140b is formed of an organic material, the gas remains in the planarization layer 140b, and the gas moves along the surface between the optical compensation layer 160 and the first electrode 170a, The organic light emitting layer 190 and the organic light emitting layer 190. Particularly, since the bank 180 is also formed of an organic material, the gas, moisture, etc. remaining in the bank 180 flows into the organic light emitting layer 190.

즉, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 아웃 개싱(Out Gassing) 현상으로 인해 수명 및 신뢰성이 저하되며, 암점과 같은 불량이 발생하거나 도 2와 같이, 휘도가 감소하는 Fade Out이 발생한다.That is, the lifetime and the reliability of the organic light emitting display device are degraded due to the outgassing phenomenon, and defects such as a dark spot are generated, or a fade out occurs in which brightness decreases as shown in FIG.

본 발명은 상기와 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 광 보상층의 면적을 최소화하여 평탄화층이 노출되는 면적을 최대화함으로써 평탄화층의 가스를 효율적으로 외부로 방출시켜, 컬러 시프트(Color Shift)를 방지함과 동시에 유기 발광 표시 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which minimizes an area of an optical compensation layer to maximize an exposed area of a planarization layer, And improve the reliability of the organic light emitting display panel, and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 보호막; 상기 보호막 상에 형성된 컬러 필터; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 형성된 보호층; 상기 보호층 상에 형성된 광 보상층; 상기 보호막, 보호층 및 광 보상층을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 접속되도록 상기 광 보상층 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display including: a substrate; A thin film transistor formed on the substrate; A protection layer formed on the entire surface of the substrate to cover the thin film transistor; A color filter formed on the protective film; A protective layer formed on the entire surface of the protective film to cover the color filter; An optical compensation layer formed on the protective layer; A first electrode formed on the optical compensation layer so as to be electrically connected to the exposed thin film transistor by selectively removing the protective film, the protective layer, and the optical compensation layer; An organic light emitting layer formed on the first electrode; And a second electrode formed on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap.

상기 광 보상층은 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.The optical compensation layer exposes the upper surface of the planarization layer.

상기 광 보상층은 SiNx로 형성된다.The optical compensation layer is formed of SiNx.

또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting device including: forming a thin film transistor on a substrate; Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor; Forming a color filter on the protective film; Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter; Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap, and the optical compensation layer is formed on the upper surface of the planarization layer Lt; / RTI >

상기 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계는 상기 평탄화층을 선택적으로 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 드레인 콘택홀을 포함하는 상기 평탄화층 전면에 SiNx층을 증착하고, 상기 드레인 콘택홀에 대응되는 상기 SiNx층을 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 SiNx 패턴을 형성하고, 상기 SiNx 패턴을 통해 노출된 상기 보호막을 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 SiNx 패턴 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 투명 도전성 물질과 상기 SiNx 패턴을 동시에 패터닝하여 제 1 전극과 광 보상층을 형성하는 단계를 포함한다.Forming the optical compensation layer and the first electrode includes: forming a drain contact hole exposing the passivation layer by selectively removing the planarization layer; Depositing a SiNx layer on the entire surface of the planarization layer including the drain contact hole and removing the SiNx layer corresponding to the drain contact hole to form an SiNx pattern exposing the protective layer; Removing the protective film to expose the thin film transistor; And depositing a transparent conductive material on the entire surface of the SiNx pattern so as to cover the exposed thin film transistor and simultaneously patterning the transparent conductive material and the SiNx pattern to form the first electrode and the optical compensation layer.

상기 제 1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에 열 처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함한다.And a step of performing a heat treatment process between the step of forming the first electrode and the step of forming the organic light emitting layer.

상기 열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 중 선택된 것을 이용하여 실시한다.The heat treatment process is performed using a vacuum oven, a nitrogen oven, or a hot plate.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법은 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 광 보상층이 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 형성하고, 유기 발광층을 형성하기 전에 열 처리 공정을 실시함으로써, 평탄화층과 뱅크 내에 잔류하는 가스, 수분 등을 외부로 방출시켜, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In the organic light emitting diode display of the present invention and the method of manufacturing the same, an optical compensating layer for preventing color shift is formed to expose the upper surface of the planarization layer, and before the organic light emitting layer is formed, It is possible to release the gas, moisture, and the like remaining in the planarization layer and the bank to the outside, thereby improving the reliability of the organic light emitting display device.

특히, 광 보상층을 제 1 전극과 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 광 보상층의 면적을 최소화하고 평탄화층의 상부면을 최대한 노출시켜, 가스, 수분 등을 효율적으로 외부로 방출시킬 수 있다.Particularly, the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode are overlapped to minimize the area of the optical compensation layer and maximally expose the upper surface of the planarization layer to efficiently discharge gas, moisture, .

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 2는 불량이 발생한 픽셀 사진.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도.
도 3b은 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도.
도 4a와 도 4b는 광 보상층의 기능을 설명하기 위한 단면도.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도.1 is a sectional view of a general organic light emitting display device.
Fig. 2 is a photograph of a pixel where a defect occurs. Fig.
FIG. 3A is a plan view of the organic light emitting diode display of the present invention. FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A. FIG.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating the function of the optical compensation layer.
5A to 5H are process sectional views of an organic light emitting diode display device of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도이며, 도 3b은 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도이다.3A is a plan view of the organic light emitting diode display of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A.

도 3a와 같이, 기판(200) 상에는 복수 개의 서브 픽셀이 매트릭스 형태로 배열된다. 특히, 유기 발광층이 백색 광을 방출하는 백색 유기 발광 표시 장치인 경우, 유기 발광층에서 방출되는 백색 광이 적색, 녹색, 청색, 백색 서브 픽셀에 각각 형성된 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 통과하여 다양한 컬러의 광으로 방출되며, 백색 서브 픽셀은 컬러 필터가 형성되지 않아 유기 발광층에서 방출되는 백색 광이 그대로 외부로 방출된다. 특히, 도면에서는 적색, 녹색, 청색, 백색 서브 픽셀이 스트라이프(Stripe) 구조로 배열된 것을 도시하였으나, 서브 픽셀은 다양한 구조로 배열될 수 있다.As shown in FIG. 3A, on the substrate 200, a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix form. Particularly, when the organic light emitting layer is a white organic light emitting display device emitting white light, white light emitted from the organic light emitting layer passes through red, green, and blue color filters respectively formed in red, green, And the white sub-pixel is not formed with a color filter, so that the white light emitted from the organic light emitting layer is directly emitted to the outside. In particular, although the red, green, blue, and white subpixels are arranged in a stripe structure in the drawing, the subpixels may be arranged in various structures.

도 3b와 같이, 각 서브 픽셀은 기판(200) 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극(270a), 유기 발광층(290) 및 제 2 전극(270b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널을 포함하여 이루어진다. 특히, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광의 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하고 동시에 신뢰성을 향상시키기 위해 제 1 전극(270a) 하부에 패터닝된 광 보상층(260)을 포함하여 이루어진다.3B, each sub-pixel includes a first electrode 270a connected to a thin film transistor formed on a substrate 200, an organic light emitting layer 290, and an organic light emitting display panel 270b including a second electrode 270b. . In particular, the organic light emitting device includes a light compensation layer 260 patterned under the first electrode 270a to prevent color shift of light emitted from the organic light emitting layer 290 and improve reliability.

구체적으로, 기판(200) 상에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 수직 교차하여 복수 개의 서브 픽셀 영역이 정의되고, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하는 교차 영역에 박막 트랜지스터가 형성된다.Specifically, on the substrate 200, a plurality of sub-pixel regions are defined by a gate interconnection (not shown) and a data interconnection (not shown) perpendicularly intersecting each other, and a gate interconnection (not shown) and a data interconnection A thin film transistor is formed in the crossing region.

박막 트랜지스터는 게이트 전극(210a), 소스 전극(230a), 드레인 전극(230b) 및 차례로 적층된 액티브층(220a)과 오믹 콘택층(220b)을 포함하는 반도체층(220)을 포함한다. 이 때, 게이트 전극(210a)은 게이트 배선(미도시)으로부터의 스캔 신호가 공급되도록 게이트 배선(미도시)에서 돌출 형성될 수도 있고, 게이트 배선(미도시)의 일부 영역으로 정의될 수도 있다.The thin film transistor includes a gate electrode 210a, a source electrode 230a, a drain electrode 230b and a semiconductor layer 220 including an active layer 220a and an ohmic contact layer 220b sequentially stacked. At this time, the gate electrode 210a may protrude from a gate wiring (not shown) so as to supply a scan signal from a gate wiring (not shown), or may be defined as a part of a gate wiring (not shown).

액티브층(220a)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 형성된 게이트 절연막(210)을 사이에 두고 게이트 전극(210a)과 중첩된다. 그리고, 액티브층(220a) 상에 형성된 오믹 콘택층(220b)은 소스, 드레인 전극(230a, 230b)과 액티브층(220a) 사이의 전기 접촉 저항을 감소시키는 역할을 한다. 반도체층(220) 상에 형성된 소스, 드레인 전극(230a, 230b)의 이격된 구간에 대응되는 오믹 콘택층(220b)이 제거되어 채널이 형성된다.The active layer 220a overlaps the gate electrode 210a with the gate insulating film 210 formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx) or the like interposed therebetween. The ohmic contact layer 220b formed on the active layer 220a serves to reduce electrical contact resistance between the source and drain electrodes 230a and 230b and the active layer 220a. The ohmic contact layer 220b corresponding to the interval between the source and drain electrodes 230a and 230b formed on the semiconductor layer 220 is removed to form a channel.

구체적으로, 소스 전극(230a)은 데이터 배선(미도시)과 접속되어 데이터 배선(미도시)의 화소 신호를 인가받으며, 드레인 전극(230b)은 채널을 사이에 두고 소스 전극(230a)과 마주하도록 형성된다. 그리고, 박막 트랜지스터와 데이터 배선(미도시)을 덮도록 게이트 절연막(210) 전면에 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 보호막(240a)이 형성된다.Specifically, the source electrode 230a is connected to a data line (not shown) to receive a pixel signal of a data line (not shown), and the drain electrode 230b faces the source electrode 230a with a channel therebetween . A protective film 240a is formed on the entire surface of the gate insulating film 210 with an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx) or the like, so as to cover the thin film transistor and the data line (not shown).

그리고, 보호막(240a) 상에 컬러 필터(250)가 형성되어, 유기 발광층(290)에서 발생된 광이 컬러 필터(250)를 통과하며 다양한 색을 방출할 수 있다. 그리고, 컬러 필터(250)를 덮도록 아크릴 수지(Acryl Resin), 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(polyamide;PA) 등과 같은 유기 물질로 평탄화층(240b)이 형성되고, 평탄화층(240b) 상에 광 보상층(260)이 형성된다.A color filter 250 is formed on the protective film 240a so that light generated in the organic light emitting layer 290 can pass through the color filter 250 and emit various colors. The color filter 250 is formed of an organic material such as acrylic resin, benzocyclobutene (BCB), polyimide (PI), polyamide (PA) And an optical compensation layer 260 is formed on the planarization layer 240b.

특히, 광 보상층(260)은 본 발명의 유기 발광층(290)이 다양한 파장을 갖는 백색 광을 방출하므로, 파장 별로 공진 주기를 만족시켜 시야각이 변경될 때 발생하는 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 것이다.Particularly, since the organic light emitting layer 290 of the present invention emits white light having various wavelengths, the optical compensation layer 260 satisfies the resonance period for each wavelength, thereby preventing the color shift that occurs when the viewing angle is changed .

도 4a와 도 4b는 광 보상층의 기능을 설명하기 위한 단면도로, 도 4a는 광 보상층이 형성되지 않은 유기 발광 표시 장치의 단면도이며, 도 4b는 광 보상층이 형성된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating the function of the optical compensation layer. FIG. 4A is a cross-sectional view of an OLED display in which no optical compensation layer is formed, FIG. to be.

도 4a와 같이, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광은 제 1 전극(270a) 방향으로 바로 진행하거나, 제 2 전극(270b)에서 반사된 후 제 1 전극(270a) 방향으로 진행한다. 그런데, 이 경우, 제 1 전극(270a) 방향으로 바로 진행하는 광과 제 2 전극(270b)에서 반사된 후 제 1 전극(270a) 방향으로 진행하는 광이 서로 간섭을 일으켜 공진 주기를 만족시킬 수 없다.4A, light emitted from the organic light emitting layer 290 travels directly toward the first electrode 270a, or is reflected by the second electrode 270b and then travels toward the first electrode 270a. However, in this case, light traveling directly toward the first electrode 270a and light traveling toward the first electrode 270a after being reflected by the second electrode 270b may interfere with each other to satisfy the resonance period none.

특히, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광이 다양한 파장을 갖는 백색 광인 경우에는 도 4a와 같이, 청색 광은 공진 주기를 만족시키나, 연두(Yellow Green) 광은 공진 주기를 만족시키지 않아 시야각이 변하면 컬러 시프트가 발생되는 문제가 발생한다. 따라서, 도 4b와 같이, 제 1 전극(270a) 하부에 광 보상층(260)을 형성함으로써, 유기 발광층(290)에서 방출되는 다양한 파장대의 광의 공진 주기를 만족시킬 수 있다.In particular, when the light emitted from the organic light emitting layer 290 is white light having various wavelengths, as shown in FIG. 4A, the blue light satisfies the resonance period, while the yellow green light does not satisfy the resonance period, There arises a problem that a color shift occurs. Accordingly, as shown in FIG. 4B, by forming the optical compensation layer 260 under the first electrode 270a, the resonance period of light of various wavelength ranges emitted from the organic light emitting layer 290 can be satisfied.

그런데, 일반적으로 광 보상층(260)은 평탄화층(240b) 전면에 형성되는데, 이 경우, 광 보상층(260) 하부의 평탄화층(240b)이 상술한 바와 같이 유기 물질로 형성되므로, 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스가 유기 발광층(290)으로 유입되는 아웃 개싱(Out Gassing) 현상이 발생하여, 유기 발광 표시 패널의 수명 및 신뢰성이 저하된다.In this case, since the planarization layer 240b under the optical compensation layer 260 is formed of an organic material as described above, the planarization layer 240b is formed on the planarization layer 240b, An outgassing phenomenon occurs in which the gas remaining in the organic light emitting layer 240b flows into the organic light emitting layer 290, and the lifetime and reliability of the organic light emitting display panel deteriorate.

따라서, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 광 보상층(260)을 평탄화층(240b) 전면에 형성하지 않고, 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시키도록 광 보상층(260)을 형성하여 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스가 노출된 평탄화층(240b) 상부면을 통해 외부로 방출될 수 있다. 또한, 노출된 평탄화층(240b)의 상부면적이 넓을수록 가스가 효율적으로 방출되므로, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하여 평탄화층(240b)이 노출되는 면적을 최대화하기 위해, 광 보상층(260)은 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, in the organic light emitting diode display of the present invention, the optical compensation layer 260 is formed so as to expose the upper surface of the planarization layer 240b without forming the optical compensation layer 260 on the entire surface of the planarization layer 240b, The gas remaining in the layer 240b may be discharged to the outside through the upper surface of the exposed planarization layer 240b. In order to minimize the area of the optical compensation layer 260 and maximize the exposed area of the planarization layer 240b as the upper area of the exposed planarization layer 240b is wider, The first electrode 270 and the second electrode 270b may be formed only in a region where the first electrode 270a and the second electrode 270b overlap each other.

그리고, 광 보상층(260) 상에 제 1 전극(270a), 유기 발광층(290) 및 제 2 전극(270b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널이 형성된다. 이 때, 제 1 전극(270a)은 양극(Anode)으로, 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질로 형성되어, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광이 기판(200)을 통해 외부로 방출된다.An organic light emitting display panel including a first electrode 270a, an organic light emitting layer 290, and a second electrode 270b is formed on the optical compensation layer 260. In this case, the first electrode 270a may be formed by using an anode, such as tin oxide (TO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc (Indium Tin Zinc Oxide: ITZO), and the light emitted from the organic light emitting layer 290 is emitted to the outside through the substrate 200.

제 1 전극(270a) 상에는 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크홀을 갖는 뱅크(280)가 형성되고, 뱅크(280)를 포함한 제 1 전극(270a) 전면에 유기 발광층(290)이 형성된다. 그리고, 유기 발광층(290) 상에 형성된 제 2 전극(270b)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag) 등과 같은 반사성 금속 재질로 형성되어, 유기 발광층(290)에서 생성된 광을 제 1 전극(270a) 방향으로 반사시킨다.A bank 280 having a bank hole for defining a light emitting region is formed on the first electrode 270a and an organic light emitting layer 290 is formed on the entire surface of the first electrode 270a including the bank 280. [ The second electrode 270b formed on the organic light emitting layer 290 is formed of a reflective metallic material such as aluminum (Al), magnesium (Mg), or silver (Ag) And reflects the generated light in the direction of the first electrode 270a.

또한, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(270a)과 유기 발광층(290) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 형성될 수 있으며, 정공 주입층과 정공 수송층은 유기 발광층(290)으로 정공이 잘 주입되도록 하기 위한 것이다. 그리고, 유기 발광층(290)과 제 2 전극(270b) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 형성될 수 있으며, 전자 주입층과 전자 수송층은 유기 발광층(290)으로 전자가 잘 주입되도록 하기 위한 것이다.Although not shown, a hole injecting layer and a hole transporting layer may be further formed between the first electrode 270a and the organic light emitting layer 290. The hole injecting layer and the hole transporting layer may be formed by injecting holes . An electron injection layer and an electron transport layer may be further formed between the organic emission layer 290 and the second electrode 270b and electrons may be injected into the organic emission layer 290 through the electron injection layer and the electron transport layer .

유기 발광 표시 패널은 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(270a)으로부터 정공(Hole)이 제 2 전극(270b)으로부터 전자(Electron)가 주입되어 유기 발광층(290)에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 생성된다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 컬러 필터(250)에 대응되는 빛을 방출한다.When a voltage is applied between the first electrode 270a and the second electrode 270b, electrons are injected from the first electrode 270a to the organic light emitting display panel through the second electrode 270b, And recombined in the organic light emitting layer 290 to form excitons. Then, the excitons emit light while falling to the ground state, and emit light corresponding to the color filter 250.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 광 보상층(260)을 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시키도록 형성하여, 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스, 수분 등을 외부로 방출시켜, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 광 보상층(260)을 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성하여, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하고 평탄화층(240b)의 상부면을 최대한 노출시켜, 가스, 수분 등을 효율적으로 외부로 방출시킬 수 있다.The organic light emitting diode display of the present invention as described above is formed with an optical compensating layer 260 for preventing a color shift so as to expose an upper surface of the planarization layer 240b and a planarization layer 240b, Moisture and the like remaining in the organic EL display device 280 to the outside, thereby improving the reliability of the organic light emitting display device. In particular, the optical compensation layer 260 may be formed only in a region where the first electrode 270a and the second electrode 270b are overlapped to minimize the area of the optical compensation layer 260 and to prevent the upper surface of the planarization layer 240b from being It is possible to expose gas, moisture and the like efficiently to the outside by maximally exposing it.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도이다.5A to 5H are process cross-sectional views of the organic light emitting diode display of the present invention.

도 5a와 같이, 기판(200) 상에 박막 트랜지스터를 형성한다. 구체적으로, 기판(200) 상에 게이트 금속층을 증착한 후, 이를 패터닝하여 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(210a)을 형성한다. 그리고, 게이트 전극(210a)을 포함한 기판(200) 전면에 게이트 절연막(210)을 형성한 후, 게이트 절연막(210) 상에 액티브층(220a)과 오믹 콘택층(220b)이 차례로 적층된 반도체층(220)과, 소스, 드레인 전극(230a, 230b) 및 데이터 배선(미도시)을 형성한다. 이 때, 데이터 배선(미도시)는 게이트 배선(미도시)와 수직 교차하여 서브 픽셀 영역이 정의된다.As shown in FIG. 5A, a thin film transistor is formed on a substrate 200. Specifically, a gate metal layer is deposited on the substrate 200 and then patterned to form a gate wiring (not shown) and a gate electrode 210a. A gate insulating layer 210 is formed on the entire surface of the substrate 200 including the gate electrode 210a and then an active layer 220a and an ohmic contact layer 220b are sequentially stacked on the gate insulating layer 210. [ A source electrode 220, a source electrode 230a and a drain electrode 230b, and a data line (not shown). At this time, the data wiring (not shown) is perpendicular to the gate wiring (not shown) to define a sub-pixel region.

그리고, 소스, 드레인 전극(230a, 230b)을 포함한 게이트 절연막(210) 전면에 SiOx, SiNx 등과 같은 무기 절연 물질로 보호막(240a)을 형성하고, 보호막(240a) 상에 각 서브 픽셀에 대응되는 컬러 필터(250)를 형성한다. 컬러 필터(250)는 각 서브 픽셀에 적색, 녹색, 청색 안료를 증착하고 이를 패터닝하여 형성된다. 특히, 백색 서브 픽셀에는 별도의 컬러 필터를 형성하지 않는다.A protective film 240a is formed on the entire surface of the gate insulating film 210 including the source and drain electrodes 230a and 230b with an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx and a protective film 240a is formed on the protective film 240a. The filter 250 is formed. A color filter 250 is formed by depositing and patterning red, green, and blue pigments in each sub-pixel. Particularly, a separate color filter is not formed in the white subpixel.

이어, 도 5b와 같이, 컬러 필터(250)를 포함하는 보호막(240a) 전면에 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 아크릴계 수지, 폴리 이미드 수지 등과 같은 유기 물질을 형성한 후, 이를 패터닝하여 드레인 전극(230b)에 대응되는 보호막(240a)을 노출시키는 드레인 콘택홀(300a)을 갖는 평탄화층(240b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5B, on the entire surface of the protective film 240a including the color filter 250, an ink jet ink, a nozzle coating, a spray coating, a roll printing, A drain contact hole 300a for exposing the protective film 240a corresponding to the drain electrode 230b is formed by forming an organic material such as an acrylic resin, a polyimide resin or the like by a solution process (Soluble Process) Thereby forming a planarization layer 240b.

그리고, 도 5c와 같이, 드레인 콘택홀(300a)을 포함하는 평탄화층(240b) 전면에 SiNx층(260a)을 증착한다. 이 때, SiNx층(260a)은 광 보상층(260)을 형성하기 위한 것으로, 광 보상층(260)은 시야각에 따라 후술할 유기 발광층에서 방출되는 다양한 파장을 갖는 백색 광의 공진 주기를 만족시켜 컬러 시프트를 방지하기 위한 것이다.5C, a SiNx layer 260a is deposited on the entire surface of the planarization layer 240b including the drain contact hole 300a. At this time, the SiNx layer 260a is for forming the optical compensation layer 260. The optical compensation layer 260 satisfies the resonance period of white light having various wavelengths emitted from the organic light emitting layer to be described later according to the viewing angle, To prevent a shift.

도 5d와 같이, 드레인 콘택홀(300a)에 대응되는 영역의 SiNx층(260a)을 제거하여 SiNx 패턴(260b)을 형성한다. 동시에 SiNx 패턴(260b)에 의해 노출된 보호막(240a) 역시 제거하여 드레인 전극(230b)을 노출시킨다. As shown in FIG. 5D, the SiNx layer 260a in the region corresponding to the drain contact hole 300a is removed to form the SiNx pattern 260b. At the same time, the protective film 240a exposed by the SiNx pattern 260b is also removed to expose the drain electrode 230b.

이어, 도 5e와 같이, SiNx 패턴(260b)를 포함한 평탄화층(240b) 전면에 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질을 증착하고, 포토리소그래프 공정으로 SiNx 패턴(260b)과 투명 전도성 물질을 패터닝하여 각각 광 보상층(260)과 제 1 전극(270a)을 형성한다.5E, a tin oxide (IT) layer, an indium tin oxide (ITO) layer, an indium zinc oxide (IZO) oxide layer, and the like are formed on the entire surface of the planarization layer 240b including the SiNx pattern 260b. ), Indium Tin Zinc Oxide (ITZO), and the like. The SiNx pattern 260b and the transparent conductive material are patterned by a photolithography process to form the optical compensation layer 260 and the first Thereby forming the electrode 270a.

따라서, 특히, 제 1 전극(270a)은 드레인 전극(230b)과 접속되는 영역을 제외하고, 광 보상층(260) 상에만 형성된다. 이는, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하여 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시킴으로써, 후술할 열 처리 공정 시, 평탄화층(240b)과 뱅크에서 발생되는 가스를 노출된 평탄화층(240b)의 상부면을 통해 효율적으로 외부로 방출시키기 위함이다.Therefore, in particular, the first electrode 270a is formed only on the optical compensation layer 260 except for a region connected to the drain electrode 230b. This minimizes the area of the optical compensation layer 260 to expose the top surface of the planarization layer 240b so that the planarization layer 240b and the gas generated in the bank are removed from the exposed planarization layer 240b In order to efficiently discharge it to the outside through the upper surface.

그리고, 도 5f와 같이, 제 1 전극(260) 상에 제 1 전극(260)을 노출시켜 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크홀을 포함하는 뱅크(280)를 형성한다. 뱅크(280)는 그리고, 열 처리 공정을 실시한다. 열 처리 공정은 유기 물질로 형성된 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시키기 위함이다.As shown in FIG. 5F, a bank 280 including a bank hole for defining a light emitting region is formed by exposing the first electrode 260 on the first electrode 260. The bank 280 then performs a heat treatment process. The heat treatment process is for discharging the gas remaining in the planarization layer 240b and the bank 280 formed out of the organic material to the outside.

열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 등을 이용하여 실시하며, 열 처리 공정을 통해 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스와 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 형성시 외부에서 유입된 수분 등을 외부로 방출된다. 특히, 열 처리 공정은 후술할 유기 발광층을 형성하기 전에 실시하는 것이 바람직하며, 이는 유기 발광층을 형성한 후 열 처리 공정을 실시하면 유기 발광층의 열화가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지하기 위함이다.The heat treatment process is performed by using a vacuum oven, a nitrogen oven, a hot plate, etc., and the gas remaining in the planarization layer 240b and the bank 280 and the planarization layer 240b and the bank 280 And the moisture introduced from outside the city is discharged to the outside. Particularly, it is preferable that the heat treatment is performed before forming the organic light emitting layer, which will be described later. When the heat treatment process is performed after the organic light emitting layer is formed, deterioration of the organic light emitting layer occurs, .

이어, 도 5g와 같이, 뱅크홀을 포함하는 뱅크(280) 전면에 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 유기 발광층(290)을 형성한다. 이 때, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(270a)으로부터 정공이 잘 주입되도록, 유기 발광층(290)과 제 1 전극(270a) 사이에 정공 수송층과 정공 주입층을 더 형성할 수 있다.5G, a solution process such as an ink jet, a nozzle coating, a spray coating, a roll printing, or the like is performed on the entire surface of the bank 280 including the bank holes The organic light emitting layer 290 is formed. At this time, although not shown, a hole transporting layer and a hole injecting layer may be further formed between the organic light emitting layer 290 and the first electrode 270a so that holes are well injected from the first electrode 270a.

그리고, 도 5h와 같이, 유기 발광층(290) 상에 제 2 전극(270b)을 형성하고, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(270b)으로부터 전자가 잘 주입되도록, 유기 발광층(290)과 제 2 전극(270b) 사이에 전자 수송층과 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.5H, a second electrode 270b is formed on the organic light emitting layer 290. Although not shown, the organic light emitting layer 290 and the second electrode 270 are formed so that electrons are well injected from the second electrode 270b, The electron transport layer and the electron injection layer may be further formed between the first electrode 270a and the second electrode 270b.

상기와 같은 유기 발광 표시 패널은 유기 발광층(290)으로 주입된 정공과 전자가 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 형성되고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 유기 발광 표시 패널 하부의 컬러 필터(250)을 통과하면서 각 서브 픽셀에 형성된 컬러 필터(250)에 대응되는 빛을 방출한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(270b) 상에 유기 발광 표시 패널을 캐핑하는 캐핑층을 형성하는 공정을 실시할 수 있다.In the organic light emitting display panel as described above, excitons are formed by recombination of holes and electrons injected into the organic emission layer 290. The excitons emit when the excitons fall to the ground state, and the color filters 250 And emits light corresponding to the color filter 250 formed in each sub-pixel. Also, although not shown, a process of forming a capping layer capping the organic light emitting display panel may be performed on the second electrode 270b.

즉, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성되어 평탄화층(240b)의 상부면을 최대한 노출시켜, 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시키며, 특히 유기 발광층(290)을 형성하기 전 열 처리 공정을 실시하여, 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시켜 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, the organic light emitting display of the present invention is formed only in a region where the first electrode 270a and the second electrode 270b are overlapped to maximally expose the upper surface of the planarization layer 240b, In particular, a heat treatment process is performed before the organic light emitting layer 290 is formed to discharge the gas remaining in the planarization layer 240b and the bank 280 to the outside, thereby improving the reliability of the organic light emitting layer 290 .

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

200: 기판 210: 게이트 절연막
210a: 게이트 전극 220: 반도체층
220a: 액티브층 220b: 오믹 콘택층
230a: 소스 전극 230b: 드레인 전극
240a: 보호막 240b: 평탄화층
250: 컬러 필터 260: 광 보상층
260a: SiNx층 260b: SiNx 패턴
270a: 제 1 전극 270b: 제 2 전극
280: 뱅크 290: 유기 발광층
300a: 드레인 콘택홀200: substrate 210: gate insulating film
210a: gate electrode 220: semiconductor layer
220a: active layer 220b: ohmic contact layer
230a: source electrode 230b: drain electrode
240a: protective film 240b: planarization layer
250: Color filter 260: Optical compensation layer
260a: SiNx layer 260b: SiNx pattern
270a: first electrode 270b: second electrode
280: bank 290: organic light emitting layer
300a: drain contact hole

Claims (7)

기판;
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 보호막;
상기 보호막 상에 형성된 컬러 필터;
상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 형성된 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 형성된 광 보상층;
상기 보호막, 평탄화층 및 광 보상층을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 접속되도록 상기 광 보상층 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.Board;
A thin film transistor formed on the substrate;
A protection layer formed on the entire surface of the substrate to cover the thin film transistor;
A color filter formed on the protective film;
A planarization layer formed on the entire surface of the protective film to cover the color filter;
An optical compensation layer formed on the planarization layer;
A first electrode formed on the optical compensation layer so as to be electrically connected to the exposed thin film transistor by selectively removing the protective film, the planarization layer, and the optical compensation layer;
An organic light emitting layer formed on the first electrode; And
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
Wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap each other. 제 1 항에 있어서,
상기 광 보상층은 상기 평탄화층의 상부면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the optical compensation layer exposes an upper surface of the planarization layer. 제 1 항에 있어서,
상기 광 보상층은 SiNx로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the optical compensation layer is formed of SiNx. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계;
상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor;
Forming a color filter on the protective film;
Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter;
Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer;
Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And
And forming a second electrode on the organic light emitting layer,
Wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap each other, and the optical compensation layer exposes an upper surface of the planarization layer. 제 4 항에 있어서,
상기 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계는
상기 평탄화층을 선택적으로 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 드레인 콘택홀을 포함하는 상기 평탄화층 전면에 SiNx층을 증착하고, 상기 드레인 콘택홀에 대응되는 상기 SiNx층을 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 SiNx 패턴을 형성하고, 상기 SiNx 패턴을 통해 노출된 상기 보호막을 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 단계; 및
노출된 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 SiNx 패턴 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 투명 도전성 물질과 상기 SiNx 패턴을 동시에 패터닝하여 제 1 전극과 광 보상층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
The step of forming the optical compensation layer and the first electrode includes
Forming a drain contact hole exposing the passivation layer by selectively removing the planarization layer;
Depositing a SiNx layer on the entire surface of the planarization layer including the drain contact hole and removing the SiNx layer corresponding to the drain contact hole to form an SiNx pattern exposing the protective layer; Removing the protective film to expose the thin film transistor; And
Depositing a transparent conductive material on the entire surface of the SiNx pattern so as to cover the exposed thin film transistor and simultaneously patterning the transparent conductive material and the SiNx pattern to form the first electrode and the optical compensation layer A method of manufacturing an organic light emitting display device. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에 열 처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Further comprising the step of performing a heat treatment process between the step of forming the first electrode and the step of forming the organic light emitting layer. 제 6 항에 있어서,
상기 열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 중 선택된 것을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method according to claim 6,
Wherein the heat treatment is performed using a vacuum oven, a nitrogen oven, or a hot plate.
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