KR101859479B1 - Organic light emitting display device and method for fabricating the same - Google Patents
Organic light emitting display device and method for fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101859479B1 KR101859479B1 KR1020110129670A KR20110129670A KR101859479B1 KR 101859479 B1 KR101859479 B1 KR 101859479B1 KR 1020110129670 A KR1020110129670 A KR 1020110129670A KR 20110129670 A KR20110129670 A KR 20110129670A KR 101859479 B1 KR101859479 B1 KR 101859479B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light emitting
- organic light
- optical compensation
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 213
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Sn].[In] Chemical compound [Zn].[Sn].[In] WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 평탄화층 상에 형성되는 광 보상층이 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 형성되어, 평탄화층 내에 잔류하는 가스를 열 처리 공정을 실시하여 외부로 방출시킴으로써, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.The present invention is characterized in that the optical compensation layer formed on the planarization layer is formed so as to expose the upper surface of the planarization layer so that the gas remaining in the planarization layer is subjected to a heat treatment process and discharged to the outside, And a method of manufacturing the same. The method of manufacturing an organic light emitting diode display of the present invention includes: forming a thin film transistor on a substrate; Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor; Forming a color filter on the protective film; Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter; Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap, and the optical compensation layer is formed on the upper surface of the planarization layer Lt; / RTI >
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 광 보상층을 형성하여, 컬러 시프트(Color Shift)를 방지함과 동시에 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an OLED display device capable of preventing color shift and improving reliability of an OLED display device by forming an optical compensation layer to expose an upper surface of a planarization layer And a method of manufacturing the same.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.The image display device that implements various information on the screen is a key technology in the era of information and communication, and it is progressing in the direction of being thinner, lighter, more portable, but higher performance. An organic light emitting display device which controls the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display device has recently been spotlighted as a flexible display capable of bending due to space and convenience.
유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이부와, 박막 트랜지스터 어레이부 상에 위치하는 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널을 외부로부터 격리시키기 위한 캐핑층을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층 양단에 형성된 음극 및 양극에 전계를 가하여 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계 발광 현상을 이용하며, 유기 발광층에서 쌍을 이룬 전자와 정공은 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 발광한다.The organic light emitting display includes a thin film transistor array portion formed on a substrate, an organic light emitting display panel disposed on the thin film transistor array portion, and a capping layer for isolating the organic light emitting display panel from the outside. The organic light emitting display utilizes an electroluminescent phenomenon in which an electric field is applied to the cathode and the anode formed at both ends of the organic light emitting layer to emit light by the binding energy when electrons and holes are injected into and transported from the organic light emitting layer, Electrons and holes emitted from the excited state fall from the excited state to the ground state.
구체적으로, 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선과 데이터 배선의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 복수 개의 서브 픽셀을 구비한다. 서브 픽셀 각각은 게이트 배선에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 배선으로부터의 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생시킨다.Specifically, the organic light emitting display device has a plurality of subpixels, each of which is arranged in an area defined by the intersection of the gate wiring and the data wiring. Each of the subpixels receives a data signal from the data line when a gate pulse is supplied to the gate line, and generates light corresponding to the data signal.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 그리고, 도 2는 불량이 발생한 픽셀 사진이다.1 is a cross-sectional view of a general organic light emitting diode display. 2 is a photograph of a pixel where a defect occurs.
도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 형성된 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 표시 패널을 포함한다. 구체적으로, 박막 트랜지스터는 게이트 전극(110a), 액티브층(120a)과 오믹 콘택층(120b)이 차례로 적층된 반도체층(120) 및 소스, 드레인 전극(130a, 130b)을 포함하여 이루어진다. 그리고, 박막 트랜지스터를 덮도록 보호막(140a)이 형성되고, 보호막(140a) 상에 컬러 필터(150)가 형성된다.1, a general organic light emitting display includes a thin film transistor formed on a
특히, 백색 유기 발광 표시 장치(White Organic Light Emitting Display Device; WOLED)는 후술할 유기 발광층(190)이 백색 유기 발광 물질로 형성되고, 유기 발광층(190)에서 방출되는 백색 광이 보호막(140a) 상에 형성된 컬러 필터(150)를 통과하며, 컬러 필터(150)에 상응하는 컬러의 광이 방출된다.In particular, a white organic light emitting display (WOLED) is formed by a white organic
그리고, 컬러 필터(150)를 덮도록 평탄화층(140b)이 형성되고, 평탄화층(140b) 전면에 광 보상층(160)이 형성된다. 광 보상층(160)은 컬러 필터(150)를 통과하여 외부로 방출되는 광의 공진 주기를 만족시켜 시야각에 따른 컬러 시프트(Color Shift)가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 품질이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다.A
그리고, 광 보상층(160) 상에 제 1 전극(170a), 유기 발광층(190) 및 제 2 전극(170b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널이 형성된다. 구체적으로 제 1 전극(170a)이 형성되어 보호막(140a), 평탄화층(140b) 및 광 보상층(160)을 선택적으로 제거하여 형성된 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 드레인 전극(130b)과 전기적으로 연결된다. 평탄화층(140b) 상에 발광 영역을 정의하기 위해 제 1 전극(170a)의 일부를 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크(180)가 형성되고, 뱅크(180)를 포함한 제 1 전극(170a) 전면에 유기 발광층(190)이 형성된다.An organic light emitting display panel including a
그리고, 유기 발광층(190) 전면에 제 2 전극(170b)이 형성된다. 유기 발광층(190)은 제 1 전극(170a)으로부터 정공이, 제 2 전극(170b)으로부터 전자가 주입되어, 유기 발광층(190)으로 주입된 정공과 전자가 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(170b) 상에 유기 발광 표시 패널을 캐핑하기 위한 캐핑층이 더 형성될 수 있다.A
그런데, 상술한 바와 같이, 광 보상층(160)이 평탄화층(150b) 전면에 형성되면, 평탄화층(140b) 내에 잔류하는 가스가 외부로 방출되지 못하고 유기 발광층(190)으로 유입되어, 유기 발광 표시 패널의 수명 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생한다.As described above, when the
구체적으로, 평탄화층(140b)은 유기 물질로 형성되므로, 평탄화층(140b) 내에 가스가 잔류하고, 가스는 광 보상층(160)과 제 1 전극(170a) 사이의 표면을 따라 이동하고, 뱅크(180)를 통해 결국 유기 발광층(190)으로 유입된다. 특히, 뱅크(180) 역시 유기 물질로 형성되므로, 뱅크(180) 내에 잔류하는 가스, 수분 등이 유기 발광층(190)으로 유입된다.Specifically, since the
즉, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 아웃 개싱(Out Gassing) 현상으로 인해 수명 및 신뢰성이 저하되며, 암점과 같은 불량이 발생하거나 도 2와 같이, 휘도가 감소하는 Fade Out이 발생한다.That is, the lifetime and the reliability of the organic light emitting display device are degraded due to the outgassing phenomenon, and defects such as a dark spot are generated, or a fade out occurs in which brightness decreases as shown in FIG.
본 발명은 상기와 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 광 보상층의 면적을 최소화하여 평탄화층이 노출되는 면적을 최대화함으로써 평탄화층의 가스를 효율적으로 외부로 방출시켜, 컬러 시프트(Color Shift)를 방지함과 동시에 유기 발광 표시 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which minimizes an area of an optical compensation layer to maximize an exposed area of a planarization layer, And improve the reliability of the organic light emitting display panel, and a method of manufacturing the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 보호막; 상기 보호막 상에 형성된 컬러 필터; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 형성된 보호층; 상기 보호층 상에 형성된 광 보상층; 상기 보호막, 보호층 및 광 보상층을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 접속되도록 상기 광 보상층 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display including: a substrate; A thin film transistor formed on the substrate; A protection layer formed on the entire surface of the substrate to cover the thin film transistor; A color filter formed on the protective film; A protective layer formed on the entire surface of the protective film to cover the color filter; An optical compensation layer formed on the protective layer; A first electrode formed on the optical compensation layer so as to be electrically connected to the exposed thin film transistor by selectively removing the protective film, the protective layer, and the optical compensation layer; An organic light emitting layer formed on the first electrode; And a second electrode formed on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap.
상기 광 보상층은 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.The optical compensation layer exposes the upper surface of the planarization layer.
상기 광 보상층은 SiNx로 형성된다.The optical compensation layer is formed of SiNx.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시킨다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting device including: forming a thin film transistor on a substrate; Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor; Forming a color filter on the protective film; Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter; Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap, and the optical compensation layer is formed on the upper surface of the planarization layer Lt; / RTI >
상기 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계는 상기 평탄화층을 선택적으로 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 드레인 콘택홀을 포함하는 상기 평탄화층 전면에 SiNx층을 증착하고, 상기 드레인 콘택홀에 대응되는 상기 SiNx층을 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 SiNx 패턴을 형성하고, 상기 SiNx 패턴을 통해 노출된 상기 보호막을 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 SiNx 패턴 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 투명 도전성 물질과 상기 SiNx 패턴을 동시에 패터닝하여 제 1 전극과 광 보상층을 형성하는 단계를 포함한다.Forming the optical compensation layer and the first electrode includes: forming a drain contact hole exposing the passivation layer by selectively removing the planarization layer; Depositing a SiNx layer on the entire surface of the planarization layer including the drain contact hole and removing the SiNx layer corresponding to the drain contact hole to form an SiNx pattern exposing the protective layer; Removing the protective film to expose the thin film transistor; And depositing a transparent conductive material on the entire surface of the SiNx pattern so as to cover the exposed thin film transistor and simultaneously patterning the transparent conductive material and the SiNx pattern to form the first electrode and the optical compensation layer.
상기 제 1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에 열 처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함한다.And a step of performing a heat treatment process between the step of forming the first electrode and the step of forming the organic light emitting layer.
상기 열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 중 선택된 것을 이용하여 실시한다.The heat treatment process is performed using a vacuum oven, a nitrogen oven, or a hot plate.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법은 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 광 보상층이 평탄화층의 상부면을 노출시키도록 형성하고, 유기 발광층을 형성하기 전에 열 처리 공정을 실시함으로써, 평탄화층과 뱅크 내에 잔류하는 가스, 수분 등을 외부로 방출시켜, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In the organic light emitting diode display of the present invention and the method of manufacturing the same, an optical compensating layer for preventing color shift is formed to expose the upper surface of the planarization layer, and before the organic light emitting layer is formed, It is possible to release the gas, moisture, and the like remaining in the planarization layer and the bank to the outside, thereby improving the reliability of the organic light emitting display device.
특히, 광 보상층을 제 1 전극과 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 광 보상층의 면적을 최소화하고 평탄화층의 상부면을 최대한 노출시켜, 가스, 수분 등을 효율적으로 외부로 방출시킬 수 있다.Particularly, the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode are overlapped to minimize the area of the optical compensation layer and maximally expose the upper surface of the planarization layer to efficiently discharge gas, moisture, .
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 2는 불량이 발생한 픽셀 사진.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도.
도 3b은 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도.
도 4a와 도 4b는 광 보상층의 기능을 설명하기 위한 단면도.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도.1 is a sectional view of a general organic light emitting display device.
Fig. 2 is a photograph of a pixel where a defect occurs. Fig.
FIG. 3A is a plan view of the organic light emitting diode display of the present invention. FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A. FIG.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating the function of the optical compensation layer.
5A to 5H are process sectional views of an organic light emitting diode display device of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도이며, 도 3b은 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도이다.3A is a plan view of the organic light emitting diode display of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A.
도 3a와 같이, 기판(200) 상에는 복수 개의 서브 픽셀이 매트릭스 형태로 배열된다. 특히, 유기 발광층이 백색 광을 방출하는 백색 유기 발광 표시 장치인 경우, 유기 발광층에서 방출되는 백색 광이 적색, 녹색, 청색, 백색 서브 픽셀에 각각 형성된 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 통과하여 다양한 컬러의 광으로 방출되며, 백색 서브 픽셀은 컬러 필터가 형성되지 않아 유기 발광층에서 방출되는 백색 광이 그대로 외부로 방출된다. 특히, 도면에서는 적색, 녹색, 청색, 백색 서브 픽셀이 스트라이프(Stripe) 구조로 배열된 것을 도시하였으나, 서브 픽셀은 다양한 구조로 배열될 수 있다.As shown in FIG. 3A, on the
도 3b와 같이, 각 서브 픽셀은 기판(200) 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극(270a), 유기 발광층(290) 및 제 2 전극(270b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널을 포함하여 이루어진다. 특히, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광의 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하고 동시에 신뢰성을 향상시키기 위해 제 1 전극(270a) 하부에 패터닝된 광 보상층(260)을 포함하여 이루어진다.3B, each sub-pixel includes a
구체적으로, 기판(200) 상에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 수직 교차하여 복수 개의 서브 픽셀 영역이 정의되고, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하는 교차 영역에 박막 트랜지스터가 형성된다.Specifically, on the
박막 트랜지스터는 게이트 전극(210a), 소스 전극(230a), 드레인 전극(230b) 및 차례로 적층된 액티브층(220a)과 오믹 콘택층(220b)을 포함하는 반도체층(220)을 포함한다. 이 때, 게이트 전극(210a)은 게이트 배선(미도시)으로부터의 스캔 신호가 공급되도록 게이트 배선(미도시)에서 돌출 형성될 수도 있고, 게이트 배선(미도시)의 일부 영역으로 정의될 수도 있다.The thin film transistor includes a
액티브층(220a)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 형성된 게이트 절연막(210)을 사이에 두고 게이트 전극(210a)과 중첩된다. 그리고, 액티브층(220a) 상에 형성된 오믹 콘택층(220b)은 소스, 드레인 전극(230a, 230b)과 액티브층(220a) 사이의 전기 접촉 저항을 감소시키는 역할을 한다. 반도체층(220) 상에 형성된 소스, 드레인 전극(230a, 230b)의 이격된 구간에 대응되는 오믹 콘택층(220b)이 제거되어 채널이 형성된다.The
구체적으로, 소스 전극(230a)은 데이터 배선(미도시)과 접속되어 데이터 배선(미도시)의 화소 신호를 인가받으며, 드레인 전극(230b)은 채널을 사이에 두고 소스 전극(230a)과 마주하도록 형성된다. 그리고, 박막 트랜지스터와 데이터 배선(미도시)을 덮도록 게이트 절연막(210) 전면에 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 보호막(240a)이 형성된다.Specifically, the
그리고, 보호막(240a) 상에 컬러 필터(250)가 형성되어, 유기 발광층(290)에서 발생된 광이 컬러 필터(250)를 통과하며 다양한 색을 방출할 수 있다. 그리고, 컬러 필터(250)를 덮도록 아크릴 수지(Acryl Resin), 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(polyamide;PA) 등과 같은 유기 물질로 평탄화층(240b)이 형성되고, 평탄화층(240b) 상에 광 보상층(260)이 형성된다.A
특히, 광 보상층(260)은 본 발명의 유기 발광층(290)이 다양한 파장을 갖는 백색 광을 방출하므로, 파장 별로 공진 주기를 만족시켜 시야각이 변경될 때 발생하는 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 것이다.Particularly, since the organic
도 4a와 도 4b는 광 보상층의 기능을 설명하기 위한 단면도로, 도 4a는 광 보상층이 형성되지 않은 유기 발광 표시 장치의 단면도이며, 도 4b는 광 보상층이 형성된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating the function of the optical compensation layer. FIG. 4A is a cross-sectional view of an OLED display in which no optical compensation layer is formed, FIG. to be.
도 4a와 같이, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광은 제 1 전극(270a) 방향으로 바로 진행하거나, 제 2 전극(270b)에서 반사된 후 제 1 전극(270a) 방향으로 진행한다. 그런데, 이 경우, 제 1 전극(270a) 방향으로 바로 진행하는 광과 제 2 전극(270b)에서 반사된 후 제 1 전극(270a) 방향으로 진행하는 광이 서로 간섭을 일으켜 공진 주기를 만족시킬 수 없다.4A, light emitted from the organic
특히, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광이 다양한 파장을 갖는 백색 광인 경우에는 도 4a와 같이, 청색 광은 공진 주기를 만족시키나, 연두(Yellow Green) 광은 공진 주기를 만족시키지 않아 시야각이 변하면 컬러 시프트가 발생되는 문제가 발생한다. 따라서, 도 4b와 같이, 제 1 전극(270a) 하부에 광 보상층(260)을 형성함으로써, 유기 발광층(290)에서 방출되는 다양한 파장대의 광의 공진 주기를 만족시킬 수 있다.In particular, when the light emitted from the organic
그런데, 일반적으로 광 보상층(260)은 평탄화층(240b) 전면에 형성되는데, 이 경우, 광 보상층(260) 하부의 평탄화층(240b)이 상술한 바와 같이 유기 물질로 형성되므로, 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스가 유기 발광층(290)으로 유입되는 아웃 개싱(Out Gassing) 현상이 발생하여, 유기 발광 표시 패널의 수명 및 신뢰성이 저하된다.In this case, since the
따라서, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 광 보상층(260)을 평탄화층(240b) 전면에 형성하지 않고, 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시키도록 광 보상층(260)을 형성하여 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스가 노출된 평탄화층(240b) 상부면을 통해 외부로 방출될 수 있다. 또한, 노출된 평탄화층(240b)의 상부면적이 넓을수록 가스가 효율적으로 방출되므로, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하여 평탄화층(240b)이 노출되는 면적을 최대화하기 위해, 광 보상층(260)은 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, in the organic light emitting diode display of the present invention, the
그리고, 광 보상층(260) 상에 제 1 전극(270a), 유기 발광층(290) 및 제 2 전극(270b)을 포함하는 유기 발광 표시 패널이 형성된다. 이 때, 제 1 전극(270a)은 양극(Anode)으로, 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질로 형성되어, 유기 발광층(290)에서 방출되는 광이 기판(200)을 통해 외부로 방출된다.An organic light emitting display panel including a
제 1 전극(270a) 상에는 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크홀을 갖는 뱅크(280)가 형성되고, 뱅크(280)를 포함한 제 1 전극(270a) 전면에 유기 발광층(290)이 형성된다. 그리고, 유기 발광층(290) 상에 형성된 제 2 전극(270b)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag) 등과 같은 반사성 금속 재질로 형성되어, 유기 발광층(290)에서 생성된 광을 제 1 전극(270a) 방향으로 반사시킨다.A
또한, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(270a)과 유기 발광층(290) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 형성될 수 있으며, 정공 주입층과 정공 수송층은 유기 발광층(290)으로 정공이 잘 주입되도록 하기 위한 것이다. 그리고, 유기 발광층(290)과 제 2 전극(270b) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 형성될 수 있으며, 전자 주입층과 전자 수송층은 유기 발광층(290)으로 전자가 잘 주입되도록 하기 위한 것이다.Although not shown, a hole injecting layer and a hole transporting layer may be further formed between the
유기 발광 표시 패널은 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(270a)으로부터 정공(Hole)이 제 2 전극(270b)으로부터 전자(Electron)가 주입되어 유기 발광층(290)에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 생성된다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 컬러 필터(250)에 대응되는 빛을 방출한다.When a voltage is applied between the
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 컬러 시프트(Color Shift)를 방지하기 위한 광 보상층(260)을 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시키도록 형성하여, 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스, 수분 등을 외부로 방출시켜, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 광 보상층(260)을 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성하여, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하고 평탄화층(240b)의 상부면을 최대한 노출시켜, 가스, 수분 등을 효율적으로 외부로 방출시킬 수 있다.The organic light emitting diode display of the present invention as described above is formed with an optical compensating
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도이다.5A to 5H are process cross-sectional views of the organic light emitting diode display of the present invention.
도 5a와 같이, 기판(200) 상에 박막 트랜지스터를 형성한다. 구체적으로, 기판(200) 상에 게이트 금속층을 증착한 후, 이를 패터닝하여 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(210a)을 형성한다. 그리고, 게이트 전극(210a)을 포함한 기판(200) 전면에 게이트 절연막(210)을 형성한 후, 게이트 절연막(210) 상에 액티브층(220a)과 오믹 콘택층(220b)이 차례로 적층된 반도체층(220)과, 소스, 드레인 전극(230a, 230b) 및 데이터 배선(미도시)을 형성한다. 이 때, 데이터 배선(미도시)는 게이트 배선(미도시)와 수직 교차하여 서브 픽셀 영역이 정의된다.As shown in FIG. 5A, a thin film transistor is formed on a
그리고, 소스, 드레인 전극(230a, 230b)을 포함한 게이트 절연막(210) 전면에 SiOx, SiNx 등과 같은 무기 절연 물질로 보호막(240a)을 형성하고, 보호막(240a) 상에 각 서브 픽셀에 대응되는 컬러 필터(250)를 형성한다. 컬러 필터(250)는 각 서브 픽셀에 적색, 녹색, 청색 안료를 증착하고 이를 패터닝하여 형성된다. 특히, 백색 서브 픽셀에는 별도의 컬러 필터를 형성하지 않는다.A
이어, 도 5b와 같이, 컬러 필터(250)를 포함하는 보호막(240a) 전면에 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 아크릴계 수지, 폴리 이미드 수지 등과 같은 유기 물질을 형성한 후, 이를 패터닝하여 드레인 전극(230b)에 대응되는 보호막(240a)을 노출시키는 드레인 콘택홀(300a)을 갖는 평탄화층(240b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5B, on the entire surface of the
그리고, 도 5c와 같이, 드레인 콘택홀(300a)을 포함하는 평탄화층(240b) 전면에 SiNx층(260a)을 증착한다. 이 때, SiNx층(260a)은 광 보상층(260)을 형성하기 위한 것으로, 광 보상층(260)은 시야각에 따라 후술할 유기 발광층에서 방출되는 다양한 파장을 갖는 백색 광의 공진 주기를 만족시켜 컬러 시프트를 방지하기 위한 것이다.5C, a
도 5d와 같이, 드레인 콘택홀(300a)에 대응되는 영역의 SiNx층(260a)을 제거하여 SiNx 패턴(260b)을 형성한다. 동시에 SiNx 패턴(260b)에 의해 노출된 보호막(240a) 역시 제거하여 드레인 전극(230b)을 노출시킨다. As shown in FIG. 5D, the
이어, 도 5e와 같이, SiNx 패턴(260b)를 포함한 평탄화층(240b) 전면에 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질을 증착하고, 포토리소그래프 공정으로 SiNx 패턴(260b)과 투명 전도성 물질을 패터닝하여 각각 광 보상층(260)과 제 1 전극(270a)을 형성한다.5E, a tin oxide (IT) layer, an indium tin oxide (ITO) layer, an indium zinc oxide (IZO) oxide layer, and the like are formed on the entire surface of the
따라서, 특히, 제 1 전극(270a)은 드레인 전극(230b)과 접속되는 영역을 제외하고, 광 보상층(260) 상에만 형성된다. 이는, 광 보상층(260)의 면적을 최소화하여 평탄화층(240b)의 상부면을 노출시킴으로써, 후술할 열 처리 공정 시, 평탄화층(240b)과 뱅크에서 발생되는 가스를 노출된 평탄화층(240b)의 상부면을 통해 효율적으로 외부로 방출시키기 위함이다.Therefore, in particular, the
그리고, 도 5f와 같이, 제 1 전극(260) 상에 제 1 전극(260)을 노출시켜 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크홀을 포함하는 뱅크(280)를 형성한다. 뱅크(280)는 그리고, 열 처리 공정을 실시한다. 열 처리 공정은 유기 물질로 형성된 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시키기 위함이다.As shown in FIG. 5F, a
열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 등을 이용하여 실시하며, 열 처리 공정을 통해 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스와 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 형성시 외부에서 유입된 수분 등을 외부로 방출된다. 특히, 열 처리 공정은 후술할 유기 발광층을 형성하기 전에 실시하는 것이 바람직하며, 이는 유기 발광층을 형성한 후 열 처리 공정을 실시하면 유기 발광층의 열화가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 저하되는 것을 방지하기 위함이다.The heat treatment process is performed by using a vacuum oven, a nitrogen oven, a hot plate, etc., and the gas remaining in the
이어, 도 5g와 같이, 뱅크홀을 포함하는 뱅크(280) 전면에 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 유기 발광층(290)을 형성한다. 이 때, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(270a)으로부터 정공이 잘 주입되도록, 유기 발광층(290)과 제 1 전극(270a) 사이에 정공 수송층과 정공 주입층을 더 형성할 수 있다.5G, a solution process such as an ink jet, a nozzle coating, a spray coating, a roll printing, or the like is performed on the entire surface of the
그리고, 도 5h와 같이, 유기 발광층(290) 상에 제 2 전극(270b)을 형성하고, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(270b)으로부터 전자가 잘 주입되도록, 유기 발광층(290)과 제 2 전극(270b) 사이에 전자 수송층과 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.5H, a
상기와 같은 유기 발광 표시 패널은 유기 발광층(290)으로 주입된 정공과 전자가 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 형성되고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 유기 발광 표시 패널 하부의 컬러 필터(250)을 통과하면서 각 서브 픽셀에 형성된 컬러 필터(250)에 대응되는 빛을 방출한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 전극(270b) 상에 유기 발광 표시 패널을 캐핑하는 캐핑층을 형성하는 공정을 실시할 수 있다.In the organic light emitting display panel as described above, excitons are formed by recombination of holes and electrons injected into the
즉, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극(270a)과 제 2 전극(270b)이 중첩되는 영역에만 형성되어 평탄화층(240b)의 상부면을 최대한 노출시켜, 평탄화층(240b) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시키며, 특히 유기 발광층(290)을 형성하기 전 열 처리 공정을 실시하여, 평탄화층(240b)과 뱅크(280) 내에 잔류하는 가스를 외부로 방출시켜 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, the organic light emitting display of the present invention is formed only in a region where the
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.
200: 기판 210: 게이트 절연막
210a: 게이트 전극 220: 반도체층
220a: 액티브층 220b: 오믹 콘택층
230a: 소스 전극 230b: 드레인 전극
240a: 보호막 240b: 평탄화층
250: 컬러 필터 260: 광 보상층
260a: SiNx층 260b: SiNx 패턴
270a: 제 1 전극 270b: 제 2 전극
280: 뱅크 290: 유기 발광층
300a: 드레인 콘택홀200: substrate 210: gate insulating film
210a: gate electrode 220: semiconductor layer
220a:
230a:
240a:
250: Color filter 260: Optical compensation layer
260a:
270a:
280: bank 290: organic light emitting layer
300a: drain contact hole
Claims (7)
상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 보호막;
상기 보호막 상에 형성된 컬러 필터;
상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 형성된 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 형성된 광 보상층;
상기 보호막, 평탄화층 및 광 보상층을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 접속되도록 상기 광 보상층 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.Board;
A thin film transistor formed on the substrate;
A protection layer formed on the entire surface of the substrate to cover the thin film transistor;
A color filter formed on the protective film;
A planarization layer formed on the entire surface of the protective film to cover the color filter;
An optical compensation layer formed on the planarization layer;
A first electrode formed on the optical compensation layer so as to be electrically connected to the exposed thin film transistor by selectively removing the protective film, the planarization layer, and the optical compensation layer;
An organic light emitting layer formed on the first electrode; And
And a second electrode formed on the organic light emitting layer,
Wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap each other.
상기 광 보상층은 상기 평탄화층의 상부면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the optical compensation layer exposes an upper surface of the planarization layer.
상기 광 보상층은 SiNx로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the optical compensation layer is formed of SiNx.
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막 상에 컬러 필터를 형성하는 단계;
상기 컬러 필터를 덮도록 상기 보호막 전면에 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 평탄화층 상에 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 광 보상층을 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 중첩되는 영역에만 형성하여, 상기 광 보상층이 상기 평탄화층의 상부면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
Forming a protective film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor;
Forming a color filter on the protective film;
Forming a planarization layer on the entire surface of the protective film to cover the color filter;
Forming an optical compensation layer and a first electrode on the planarization layer;
Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And
And forming a second electrode on the organic light emitting layer,
Wherein the optical compensation layer is formed only in a region where the first electrode and the second electrode overlap each other, and the optical compensation layer exposes an upper surface of the planarization layer.
상기 광 보상층과 제 1 전극을 형성하는 단계는
상기 평탄화층을 선택적으로 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 드레인 콘택홀을 포함하는 상기 평탄화층 전면에 SiNx층을 증착하고, 상기 드레인 콘택홀에 대응되는 상기 SiNx층을 제거하여 상기 보호막을 노출시키는 SiNx 패턴을 형성하고, 상기 SiNx 패턴을 통해 노출된 상기 보호막을 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 단계; 및
노출된 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 SiNx 패턴 전면에 투명 도전성 물질을 증착하고, 상기 투명 도전성 물질과 상기 SiNx 패턴을 동시에 패터닝하여 제 1 전극과 광 보상층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
The step of forming the optical compensation layer and the first electrode includes
Forming a drain contact hole exposing the passivation layer by selectively removing the planarization layer;
Depositing a SiNx layer on the entire surface of the planarization layer including the drain contact hole and removing the SiNx layer corresponding to the drain contact hole to form an SiNx pattern exposing the protective layer; Removing the protective film to expose the thin film transistor; And
Depositing a transparent conductive material on the entire surface of the SiNx pattern so as to cover the exposed thin film transistor and simultaneously patterning the transparent conductive material and the SiNx pattern to form the first electrode and the optical compensation layer A method of manufacturing an organic light emitting display device.
상기 제 1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에 열 처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Further comprising the step of performing a heat treatment process between the step of forming the first electrode and the step of forming the organic light emitting layer.
상기 열 처리 공정은 진공 오븐, 질소 오븐, 핫 플레이트 중 선택된 것을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method according to claim 6,
Wherein the heat treatment is performed using a vacuum oven, a nitrogen oven, or a hot plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110129670A KR101859479B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Organic light emitting display device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110129670A KR101859479B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Organic light emitting display device and method for fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130063250A KR20130063250A (en) | 2013-06-14 |
KR101859479B1 true KR101859479B1 (en) | 2018-05-18 |
Family
ID=48860656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110129670A KR101859479B1 (en) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | Organic light emitting display device and method for fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101859479B1 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102168045B1 (en) * | 2013-12-30 | 2020-10-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device |
KR20160087047A (en) * | 2015-01-12 | 2016-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
KR102467769B1 (en) * | 2015-12-15 | 2022-11-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR102503816B1 (en) | 2017-11-20 | 2023-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
CN108365129B (en) * | 2018-01-19 | 2020-09-01 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel, manufacturing method thereof and display device |
CN112825345B (en) * | 2019-11-21 | 2024-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel, manufacturing method thereof and display device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080259255A1 (en) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | Gee Sung Chae | Color filter array substrate, a liquid crystal display panel and fabricating methods thereof |
-
2011
- 2011-12-06 KR KR1020110129670A patent/KR101859479B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080259255A1 (en) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | Gee Sung Chae | Color filter array substrate, a liquid crystal display panel and fabricating methods thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130063250A (en) | 2013-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102648132B1 (en) | Electroluminescent display device | |
KR101920766B1 (en) | Method of fabricating the organic light emitting device | |
US10854839B2 (en) | Organic el display panel and method of manufacturing organic el display panel | |
US9240571B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
KR101976829B1 (en) | Large Area Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same | |
KR101004874B1 (en) | Display panel and manufacturing method of display panel | |
KR101908514B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
KR20080011829A (en) | Organcic electro-luminescence dispaly and manufacturing method thereof | |
KR101859479B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
KR102331597B1 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
KR101904012B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
KR20050068794A (en) | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same | |
JP6868676B2 (en) | Electroluminescent display device and its manufacturing method | |
KR20180118857A (en) | Organic light emitting diode display | |
KR20120040853A (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP5478954B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
KR20160001500A (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
KR20150104263A (en) | Ogarnic light-emitting display apparutus | |
JP2020030933A (en) | Organic el display panel and manufacturing method of organic el display panel | |
JP2020035713A (en) | Organic EL display panel | |
KR20150002119A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
KR20140057839A (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
KR101908505B1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
CN111640880A (en) | Organic EL display panel and method for manufacturing organic EL display panel | |
KR101950830B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |