KR101855627B1 - High Sensitivity Cross-shaped Hall plate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 센서 구현 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 홀 효과를 이용한 자계 센서인 홀 센서와 그에 사용되는 고감도 홀 플레이트의 구조에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a hall sensor, which is a magnetic field sensor using a Hall effect, and a structure of a high sensitivity hole plate used therein.
도 1은 십자형(Cross-shaped) 구조의 홀 플레이트에 대한 2D-모델을 도시한 도면이다. 도 1에서 "Terminal 1"과 "Terminal 2"로 표기된 돌출 부분들이 입력 플레이트들이고, "Terminal 3"과 "Terminal 4"로 표기된 돌출 부분들이 출력 플레이트들이다.1 is a view showing a 2D-model for a hole plate of a cross-shaped structure. The protruding portions denoted by "
홀 플레이트의 감도는 다음의 수식 1을 이용하여 계산할 수 있다.The sensitivity of the hole plate can be calculated using
[수식 1][Equation 1]
여기서, IHall은 홀 효과에 의한 전류이고, Ibias는 홀 플레이트에 인가해 주는 바이어스 전류이며, Bz는 수직방향으로 인가되는 자계이다.Here, I Hall is the current due to the Hall effect, I bias is the bias current applied to the Hall plate, and B z is the magnetic field applied in the vertical direction.
홀 플레이트의 감도를 향상시키기 위해 대각선 방향의 등가 저항을 줄이는 것이 필요하며, 이는 입력/출력 플레이트의 폭(W)과 길이(L)를 최적화 하는 것에 의해 가능하다.It is necessary to reduce the diagonal equivalent resistance to improve the sensitivity of the hole plate, which is possible by optimizing the width (W) and length (L) of the input / output plate.
하지만, 입력/출력 플레이트의 폭(W)과 길이(L)는 정해진 원칙이나 기준 없이 시뮬레이션과 실험에 의한 시행착오를 통해 최적의 값을 찾아내는 방식에 의존하고 있어, 많은 시간과 노력이 소요되는 문제가 있다.However, the width (W) and length (L) of the input / output plate depend on the method of finding the optimum value through trial and error by simulation and experiment without a predetermined principle or reference, .
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 입력/출력 플레이트의 폭과 길이가 입력 플레이트의 전류 밀도로부터 도출한 수식을 기초로 결정되는 고감도 십자형 홀 플레이트 및 이를 적용한 홀 센서를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high sensitivity cruciform hole plate in which a width and a length of an input / output plate are determined based on an expression derived from a current density of an input plate, And an applied Hall sensor.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른, 홀 플레이트는, 주 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고, 입력 플레이트의 폭은, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a hole plate including: a main plate; An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted; And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current, and the width of the input plate is determined from a formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
그리고, 입력 플레이트의 길이는, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정될 수 있다.The length of the input plate may be determined from an equation derived based on the current density depending on the position of the input plate.
또한, 출력 플레이트의 폭은, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정될 수 있다.Further, the width of the output plate can be determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
그리고, 출력 플레이트의 길이는, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정될 수 있다.And, the length of the output plate can be determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
또한, 입력 플레이트의 폭은, "'입력 플레이트에서 출력 플레이트에 가장 인접한 기준 지점'과 '입력 플레이트의 특정 지점'에 의해 특정되는 영역"에 흐르는 전류가 "입력 플레이트의 전체 영역"에 흐르는 전류의 특정 비율이 되는 조건에서, 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리를 최대로 하는 폭으로 결정될 수 있다.Further, the width of the input plate is such that the current flowing in the "area specified by the reference point closest to the output plate in the input plate " and the " Can be determined as a width that maximizes the distance from the reference point to a specific point under the condition that the specific ratio is satisfied.
그리고, 특정 비율은, 1/2일 수 있다.And, the specific rate can be 1/2.
또한, 입력 플레이트의 폭은,The width of the input plate,
W = Wc - 2LW = Wc - 2L
위 조건을 만족하며, W는 입력 플레이트의 폭이고, Wc는 홀 플레이트의 폭이며, L은 입력 플레이트의 길이일 수 있다.W is the width of the input plate, Wc is the width of the hole plate, and L is the length of the input plate.
그리고, 입력 플레이트의 폭과 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리는,The width of the input plate and the distance from the reference point to a specific point are,
위 수식을 만족하며, d는 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리일 수 있다.The above equation is satisfied, and d may be the distance from the reference point to a specific point.
또한, 입력 플레이트는, 주 플레이트의 측부들 중 인접한 두 측부들에 마련되고, 출력 플레이트는, 주 플레이트의 측부들 중 인접한 다른 두 측부들에 마련될 수 있다.Further, the input plate may be provided on two adjacent side portions of the main plate, and the output plate may be provided on the other two adjacent side portions of the main plate.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 홀 센서는, 자기장에 노출된 상태로 바이어스 전류가 흐르는 홀 플레이트; 및 홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고, 홀 플레이트는, 주 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고, 입력 플레이트의 폭은, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a Hall sensor including: a Hall plate through which a bias current flows in a state exposed to a magnetic field; And a measurement unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate, the hole plate comprising: a main plate; An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted; And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current, and the width of the input plate is determined from a formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 홀 플레이트는, 주 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고, 입력 플레이트의 길이는, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정된다.Meanwhile, in accordance with another embodiment of the present invention, a hole plate includes: a main plate; An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted; And an output plate provided on the side of the main plate and outputting a bias current, and the length of the input plate is determined from a formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 홀 센서는, 자기장에 노출된 상태로 바이어스 전류가 흐르는 홀 플레이트; 및 홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고, 홀 플레이트는, 주 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트; 주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고, 입력 플레이트의 길이는, 입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a Hall sensor including: a Hall plate through which a bias current flows in a state exposed to a magnetic field; And a measurement unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate, the hole plate comprising: a main plate; An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted; And an output plate provided on the side of the main plate and outputting a bias current, and the length of the input plate is determined from a formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 십자형 홀 플레이트의 입력/출력 플레이트에 대한 최적화된 폭과 길이를, 시뮬레이션과 실험에 의한 시행착오 없이 빠르고 간편하게 결정할 수 있게 된다.As described above, according to the embodiments of the present invention, it is possible to quickly and easily determine the optimized width and length of the input / output plate of the cruciform hole plate without trial and error by simulation and experiment.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 십자형 홀 플레이트들의 사양과 구동 조건 등에 특화되지 않은 범용적인 입력/출력 플레이트의 최적화된 폭과 길이 결정이 가능하다.Further, according to the embodiments of the present invention, it is possible to determine an optimal width and length of a general-purpose input / output plate that is not specialized in specifications of cruciform hole plates and driving conditions.
도 1은 십자형 홀 플레이트의 2D-모델을 도시한 도면,
도 2는 십자형 홀 플레이트에 자계가 인가된 상태에서의 전류 밀도 분포를 나타낸 도면,
도 3은 입력 플레이트-1의 위치에 따른 전류 밀도를 측정한 결과, 그리고,
도 4는 "Wc=8μm"인 조건에서 W의 변화에 따른 d의 변화를 나타낸 그래프이다.Figure 1 shows a 2D-model of a cruciform hole plate,
2 is a view showing a current density distribution in a state where a magnetic field is applied to a cruciform hole plate,
3 is a result of measuring the current density according to the position of the input plate-1,
Fig. 4 is a graph showing the change of d according to the change of W under the condition of "Wc = 8 mu m ".
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
본 발명의 실시예에서는 홀 효과(Hall Effect)를 이용한 자계 센서인 홀 센서에 사용되는 십자형 홀 플레이트의 감도 향상을 위한 구조 최적화 방안을 제시한다.In the embodiment of the present invention, a structure optimization method for improving the sensitivity of a cruciform hole plate used in a Hall sensor, which is a magnetic field sensor using a Hall effect, is proposed.
구체적으로, 본 발명의 실시예에서는 십자형 홀 플레이트에 대해, 시뮬레이션과 실험에 의한 시행착오 없이 빠르고 간편하게 입력/출력 플레이트의 최적화된 폭과 길이를 수식을 기초로 결정하는 방안을 제시한다.Specifically, in the embodiment of the present invention, a method of quickly and easily determining the optimized width and length of the input / output plate on the basis of a formula without trial and error by simulation and experiment is presented for the cruciform hole plate.
입력/출력 플레이트의 최적화된 폭과 길이를 결정하기 위해 제시하는 수식은 홀 플레이트의 크기, 구동 조건, 사용 환경 등에 의한 제한 없이 범용적으로 적용될 수 있다.The formulas presented for determining the optimized width and length of the input / output plate can be applied universally, without being limited by the size of the hole plate, the driving conditions, the operating environment, and the like.
즉, 다양한 크기, 구동 조건, 사용 환경을 갖는 십자형 홀 플레이트에 대해 입력/출력 플레이트의 최적화된 폭과 길이를 결정할 수 있다.That is, the optimized width and length of the input / output plate can be determined for a cruciform hole plate having various sizes, driving conditions, and operating environments.
도 2는 십자형 홀 플레이트에 자계가 인가된 상태에서의 전류 밀도 분포를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a current density distribution in a state where a magnetic field is applied to the cruciform hole plate.
도 2에 도시된 바와 같이, 십자형 홀 플레이트는, 주 플레이트(110), 입력 플레이트들(121,122) 및 출력 플레이트들(131,132)로 구분할 수 있다. 이와 같은 구분은 물리적/구조적인 구분이 아닌, 설명의 편의를 위한 개념적인 구분에 해당한다.As shown in FIG. 2, the cross-shaped hole plate can be divided into a
즉, 십자형 홀 플레이트에서, 주 플레이트(110), 입력 플레이트들(121,122) 및 출력 플레이트들(131,132)은 일체로 형성된다는 점에 유념하여야 한다.That is, in the cruciform hole plate, it should be noted that the
주 플레이트(110)는 십자형 홀 플레이트의 중앙 사각형 영역을 지칭한다. 입력 플레이트들(121,122)과 출력 플레이트들(131,132)의 폭들은 모두 동일하므로, 주 플레이트(110)는 정사각형이다.The
입력 플레이트들(121,122)은 주 플레이트(110)의 측부들 중 인접한 두 측부들, 도 2에서는 주 플레이트(110)의 상부(Termainal 1)와 좌측부(Termainal 2)에 형성된 돌출 부분들이다.The
출력 플레이트들(131,132)은 주 플레이트(110)의 측부들 중 입력 플레이트들(121,122)이 형성되지 않은 인접한 다른 두 측부들, 도 2에서는 주 플레이트(110)의 우측부(Ground 1)와 하부(Ground 2)에 형성된 돌출 부분들이다.The
입력 플레이트들(121,122)은 바이어스 전류가 입력되는 입력 단자들로 기능하고, 출력 플레이트들(131,132)은 입력 플레이트들(121,122)을 통해 입력된 바이어스 전류가 출력되는 출력 단자들로 기능한다.The
입력 플레이트-1(121)을 통해 입력된 바이어스 전류는 출력 플레이트-1(131)을 통해 주로 출력되고, 입력 플레이트-2(122)을 통해 입력된 바이어스 전류는 출력 플레이트-2(132)을 통해 주로 출력된다.The bias current input through the input plate-1 121 is mainly output via the output plate-1 131 and the bias current input through the input plate-2 122 is output through the output plate- It is mainly output.
입력 플레이트들(121,122)의 폭과 출력 플레이트들(131,132)의 폭은 "W"로 모두 동일하고, 입력 플레이트들(121,122)의 길이와 출력 플레이트들(131,132)의 길이는 "L"로 모두 동일하다.The widths of the
도 2에서 입력 플레이트-1(121)의 P1 지점으로부터 P2 지점까지, 각 지점들에 대한 전류 밀도, 즉, 입력 플레이트-1(121)의 위치에 따른 전류 밀도를 측정한 결과를 도 3에 나타내었다.2, the result of measuring the current density with respect to each point from the P1 point to the P2 point of the input plate-1 121, that is, the current density according to the position of the input plate-1 121 is shown in FIG. .
도 3에 나타난 바와 같이, 입력 플레이트-1(121)에서의 전류 밀도는 출력 플레이트-1(131)에 가장 가까운 지점인 P1 지점에서 가장 크고, 출력 플레이트-1(131)에 가장 먼 지점인 P2 지점에 이르기까지 계속하여 감소하며, P2 지점에서 가장 작다.3, the current density at the input plate-1 121 is largest at P1, which is the closest point to the output plate-1, 131, and P2, which is the farthest point from the output plate- , And it is the smallest at the point P2.
입력 플레이트-1(121)에서의 전류 밀도(J)는 다음의 수식 2에 나타낸 바와 같이, 전기장(E)에 비례한다.The current density J in the input plate-1 121 is proportional to the electric field E as shown in the following equation (2).
[수식 2][Equation 2]
그리고, "전기장(E) = 전압(V)/길이(l)"이므로, 수식 2로부터 다음의 수식 3이 도출된다.Since the electric field (E) = voltage (V) / length (l), the following equation (3) is derived from equation (2).
[수식 3][Equation 3]
전류 밀도(J)가 거리(l)에 반비례함을 기반으로, 십자형 홀 플레이트의 입력 플레이트-1(121)로부터 출력 플레이트-1(131)까지의 거리(l)를 입력 플레이트-1(121)의 폭(W)과 길이(L)의 식으로 나타내면 다음의 수식 4와 같다.The distance l from the input plate-1 121 to the output plate -1 131 of the cruciform hole plate is defined as the input plate-1 121 based on the fact that the current density J is inversely proportional to the distance l. (W) and the length (L) of the light emitting diode.
[수식 4][Equation 4]
여기서, 
다음의 수식 5는 전류(I)와 전류 밀도(J)의 관계를 나타낸 수식이다.The following equation (5) is a formula showing the relationship between the current (I) and the current density (J).
[수식 5][Equation 5]
"'입력 플레이트-1(121)에서 출력 플레이트-1(131)에 가장 인접한 지점(P1)'으로부터 '입력 플레이트-1(121)의 특정 지점'까지로 정해지는 영역에 흐르는 전류"가 "입력 플레이트-1(121)의 전체 영역"에 흐르는 전류의 1/2이 되는 조건을 만족할때, 'P1'로부터 '입력 플레이트-1(121)의 특정 지점' 까지의 거리를 "d"로 정의하면, 다음의 수식 6이 성립한다.A current flowing in an area defined from the point P1 closest to the output plate-1 131 to the specific point of the input plate-1 121 in the input plate- Quot; d "is defined as a distance from 'P1' to 'a specific point of the input plate-1 121' when the condition that the current flowing in the entire area of the plate- , The
[수식 6][Equation 6]
여기서, W는 입력 플레이트-1(121)의 폭이고, L은 입력 플레이트-1(121)의 길이이다. 한편, 홀 플레이트의 폭을 "Wc"라고 하면, "Wc = W + 2L" 이므로, "L = (Wc - W)/2"가 성립한다.Here, W is the width of the input plate-1 (121) and L is the length of the input plate-1 (121). On the other hand, if the width of the hole plate is "Wc "," Wc = W + 2L ", "L = (Wc-W) / 2"
수식 6을 풀면, 다음의 수식 7을 얻게 된다.Solving equation (6) yields equation (7).
[수식 7][Equation 7]
위 수식 7에서, d를 최대로 하는 W를 입력 플레이트-1(121)의 폭으로 결정하면, 십자형 홀 플레이트의 감도를 최대로 할 수 있다. Wc는 사전에 결정되어 있는 값을 적용한다.In Equation (7), if the width W for maximizing d is determined by the width of the input plate-1 121, the sensitivity of the cruciform hole plate can be maximized. Wc applies a predetermined value.
도 4에는 "Wc=8μm"인 조건에서 W의 변화에 따른 d의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 4에 도시된 바에 따르면, d를 최대로 하는 W는 "5.14μm"임을 확인할 수 있다.4 is a graph showing a change in d according to the change of W under the condition of "Wc = 8 mu m ". As shown in FIG. 4, it can be confirmed that W for maximizing d is "5.14 μm".
전술한 바와 같이, "L = (Wc - W)/2"이므로, W(5.15μm)가 결정되면 L[1.43μm=(8-5.14)/2μm]도 자동으로 결정된다.As described above, since L = (Wc-W) / 2, L [1.43 m = (8-5.14) / 2 m] is automatically determined when W (5.15 m) is determined.
또한, 입력 플레이트들(121,122)과 출력 플레이트들(131,132)은 W와 L이 모두 동일하므로, 입력 플레이트-1(121-1)의 W와 L이 결정되면, 입력 플레이트-2(122)와 출력 플레이트들(131,132)의 W와 L도 모두 동일하게 값으로 결정된다.When W and L of the input plate-1 (121-1) are determined, the input plate-2 (122) and the output plate (121) W and L of the
지금까지, 홀 센서에 사용되는 십자형 홀 플레이트의 감도 향상을 위한 구조 최적화 방안에 대해 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였다.Up to now, a structure optimization method for improving the sensitivity of a cruciform hole plate used in a Hall sensor has been described in detail with a preferred embodiment.
위 실시예에서는, 십자형 홀 플레이트에 대한 최적의 폭과 길이를 수식을 통하여 도출함으로써 다양한 DC 및 자계 바이어스 조건과 관계없이 쉽게 형상을 도출하였으며, 물리적인 현상을 기반으로 하여 실제 제작 결과와 유사한 특성을 얻을 수 있다.In the above embodiment, by deriving the optimal width and length for the cruciform hole plate through the equation, the shape was easily derived regardless of various DC and magnetic bias conditions. Based on the physical phenomenon, Can be obtained.
나아가, 제시한 홀 플레이트를 적용하여 구현한 홀 센서에 대해서도 본 발명의 기술적 사상이 적용될 수 있다,Furthermore, the technical idea of the present invention can be applied to a hall sensor implemented by applying the proposed hole plate.
즉, 홀 플레이트가 자기장에 노출된 상태로 바이어스 전류가 흐르도록 하고, 이 홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정 장치를 연결하여 홀 센서를 구현하는 경우, 홀 플레이트를 전술한 본 발명의 실시예에 따라 구현하는 것이 가능한 것이다.That is, when the Hall sensor is implemented by connecting a measuring device for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the Hall plate so that a bias current flows in a state where the Hall plate is exposed to a magnetic field, But can be implemented according to the embodiment.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.
110 : 주 플레이트
121,122 : 입력 플레이트
131,132 : 출력 플레이트110: main plate
121, 122: input plate
131, 132: output plate
Claims (12)
주 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고,
입력 플레이트의 폭은,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되되,
"'입력 플레이트에서 출력 플레이트에 가장 인접한 기준 지점'으로부터 '입력 플레이트의 특정 지점' 까지를 폭(W)으로 하고, [Wc(홀 플레이트의 폭)-W]/2를 길이로 하는 영역"에 흐르는 전류가 "입력 플레이트의 전체 영역"에 흐르는 전류의 특정 비율이 되는 조건에서, 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리를 최대로 하는 폭으로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
In the hole plate,
A main plate;
An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted;
And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current,
The width of the input plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate,
(W) from the reference point closest to the output plate to the specific point of the input plate in the input plate, and a region having a length of Wc (width of the hole plate) -W / 2 Is determined to be a width that maximizes a distance from a reference point to a specific point under a condition that the flowing current becomes a specific ratio of the current flowing in the "entire region of the input plate ".
입력 플레이트의 길이는,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The length of the input plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
출력 플레이트의 폭은,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The width of the output plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
출력 플레이트의 길이는,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The length of the output plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate.
특정 비율은, 1/2인 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
In claim 1,
A specific ratio is 1/2.
입력 플레이트의 폭은,
W = Wc - 2L
위 조건을 만족하며,
W는 입력 플레이트의 폭이고, Wc는 홀 플레이트의 폭이며, L은 입력 플레이트의 길이인 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method of claim 6,
The width of the input plate,
W = Wc - 2L
If the above condition is satisfied,
W is the width of the input plate, Wc is the width of the hole plate, and L is the length of the input plate.
입력 플레이트의 폭과 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리는,
위 수식을 만족하며,
d는 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리인 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method of claim 7,
The width of the input plate and the distance from the reference point to a specific point,
The above formula is satisfied,
and d is a distance from a reference point to a specific point.
입력 플레이트는,
주 플레이트의 측부들 중 인접한 두 측부들에 마련되고,
출력 플레이트는,
주 플레이트의 측부들 중 인접한 다른 두 측부들에 마련되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The input plate,
A pair of side plates provided on adjacent two of the side plates of the main plate,
The output plate,
Wherein the hole is provided in two adjacent side portions of the side portions of the main plate.
홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고,
홀 플레이트는,
주 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고,
입력 플레이트의 폭은,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되되,
"'입력 플레이트에서 출력 플레이트에 가장 인접한 기준 지점'으로부터 '입력 플레이트의 특정 지점' 까지를 폭(W)으로 하고, [Wc(홀 플레이트의 폭)-W]/2를 길이로 하는 영역"에 흐르는 전류가 "입력 플레이트의 전체 영역"에 흐르는 전류의 특정 비율이 되는 조건에서, 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리를 최대로 하는 폭으로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 센서.
A hole plate through which a bias current flows in a state exposed to a magnetic field; And
And a measuring unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate,
In the hole plate,
A main plate;
An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted;
And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current,
The width of the input plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate,
(W) from the reference point closest to the output plate to the specific point of the input plate in the input plate, and a region having a length of Wc (width of the hole plate) -W / 2 Is determined to be a width that maximizes a distance from a reference point to a specific point under a condition that the flowing current becomes a specific ratio of the current flowing in the "entire region of the input plate ".
주 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고,
입력 플레이트의 길이는,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되되,
"'입력 플레이트에서 출력 플레이트에 가장 인접한 기준 지점'으로부터 '입력 플레이트의 특정 지점' 까지를 폭(W)으로 하고, [Wc(홀 플레이트의 폭)-W]/2를 길이로 하는 영역"에 흐르는 전류가 "입력 플레이트의 전체 영역"에 흐르는 전류의 특정 비율이 되는 조건에서, 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리를 최대로 하는 길이로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
In the hole plate,
A main plate;
An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted;
And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current,
The length of the input plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate,
(W) from the reference point closest to the output plate to the specific point of the input plate in the input plate, and a region having a length of Wc (width of the hole plate) -W / 2 Wherein the length is determined so as to maximize the distance from the reference point to a specific point under the condition that the flowing current becomes a specific ratio of the current flowing in the "entire region of the input plate ".
홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고,
홀 플레이트는,
주 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 입력되는 입력 플레이트;
주 플레이트의 측부에 마련되며, 바이어스 전류가 출력되는 출력 플레이트;를 포함하고,
입력 플레이트의 길이는,
입력 플레이트의 위치에 따른 전류 밀도를 기초로 도출된 수식으로부터 결정되되,
"'입력 플레이트에서 출력 플레이트에 가장 인접한 기준 지점'으로부터 '입력 플레이트의 특정 지점' 까지를 폭(W)으로 하고, [Wc(홀 플레이트의 폭)-W]/2를 길이로 하는 영역"에 흐르는 전류가 "입력 플레이트의 전체 영역"에 흐르는 전류의 특정 비율이 되는 조건에서, 기준 지점으로부터 특정 지점까지의 거리를 최대로 하는 길이로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 센서.
A hole plate through which a bias current flows in a state exposed to a magnetic field; And
And a measuring unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate,
In the hole plate,
A main plate;
An input plate provided on a side of the main plate and to which a bias current is inputted;
And an output plate provided on a side of the main plate and outputting a bias current,
The length of the input plate,
Is determined from the formula derived based on the current density according to the position of the input plate,
(W) from the reference point closest to the output plate to the specific point of the input plate in the input plate, and a region having a length of Wc (width of the hole plate) -W / 2 Is determined as a length that maximizes a distance from a reference point to a specific point under the condition that the flowing current becomes a specific ratio of the current flowing in the "entire region of the input plate ".
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170125925A KR101855627B1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | High Sensitivity Cross-shaped Hall plate |
| PCT/KR2018/009562 WO2019066253A1 (en) | 2017-09-28 | 2018-08-21 | Highly sensitive cross-shape hall plate |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170125925A KR101855627B1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | High Sensitivity Cross-shaped Hall plate |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101855627B1 true KR101855627B1 (en) | 2018-05-04 |
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ID=62199833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170125925A KR101855627B1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | High Sensitivity Cross-shaped Hall plate |
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| WO (1) | WO2019066253A1 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007027515A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Denso Corp | Vertical hall element, and method of adjusting magnetism-sensing-sensibility thereof |
| JP2008008883A (en) | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Denso Corp | Magnetometric sensor and sensor |
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| JP2012215498A (en) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Asahi Kasei Corp | Magnetic sensor |
| GB201319627D0 (en) * | 2013-11-06 | 2013-12-18 | Melexis Technologies Nv | Hall sensor readout system with offset determination using the hall element itself |
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2017
- 2017-09-28 KR KR1020170125925A patent/KR101855627B1/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-08-21 WO PCT/KR2018/009562 patent/WO2019066253A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
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| WO2019066253A1 (en) | 2019-04-04 |
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