KR101877133B1 - High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same - Google Patents

High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same Download PDF

Info

Publication number
KR101877133B1
KR101877133B1 KR1020160157134A KR20160157134A KR101877133B1 KR 101877133 B1 KR101877133 B1 KR 101877133B1 KR 1020160157134 A KR1020160157134 A KR 1020160157134A KR 20160157134 A KR20160157134 A KR 20160157134A KR 101877133 B1 KR101877133 B1 KR 101877133B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
output
input
slot
width
Prior art date
Application number
KR1020160157134A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180059585A (en
Inventor
김진섭
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020160157134A priority Critical patent/KR101877133B1/en
Publication of KR20180059585A publication Critical patent/KR20180059585A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101877133B1 publication Critical patent/KR101877133B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • H01L43/065—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

고감도 홀 플레이트 및 이를 적용한 홀 센서가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 홀 플레이트는, 전류가 입력되는 입력 플레이트, 전류가 출력되는 출력 플레이트 및 입력 플레이트의 일부와 출력 플레이트의 일부를 연결하는 연결 플레이트를 포함한다. 이에 의해, 기존의 기존 십자형 홀 플레이트의 감도의 한계를 넘어서 더 향상된 감도를 갖는 홀 플레이트를 얻을 수 있게 된다.A high sensitivity hole plate and a Hall sensor using the same are provided. The hole plate according to an embodiment of the present invention includes an input plate to which a current is input, an output plate to output a current, and a connection plate to connect a part of the input plate and a part of the output plate. As a result, it is possible to obtain a hole plate having a higher sensitivity beyond the limit of sensitivity of existing conventional cruciform hole plates.

Description

고감도 홀 플레이트 및 이를 적용한 홀 센서{High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same}[0001] The present invention relates to a high sensitivity hole plate and a Hall sensor using the same,

본 발명은 센서 구현 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 홀 효과를 이용한 자계 센서인 홀 센서와 그에 사용되는 고감도 홀 플레이트의 구조에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a hall sensor, which is a magnetic field sensor using a Hall effect, and a structure of a high sensitivity hole plate used therein.

도 1은 기존의 홀 플레이트의 2D-모델을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기존의 홀 플레이트는 십자형 구조(cross-shaped)를 이용하여 구현되고 있다.1 is a view showing a 2D-model of a conventional hole plate. As shown in FIG. 1, the conventional hole plate is implemented using a cross-shaped structure.

도 2는, 도 1에 도시된 홀 플레이트의 등가회로이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 기존의 홀 플레이트는 대각선 저항 (RD) 외에 사이드 저항(RS)으로 구성되어 있는데, RS는 홀 효과에 의한 홀 전류에 영향을 주어 감도의 성능을 저해하는 요인으로 작용한다.2 is an equivalent circuit of the hole plate shown in Fig. As shown in FIG. 2, the conventional hole plate is composed of the side resistance R S in addition to the diagonal resistance R D. R S affects the Hall current by the Hall effect, Lt; / RTI >

홀 플레이트의 감도를 향상시키기 위해 RS를 줄이기 위한 방안으로, 홀 플레이트의 폭(W)과 길이(L)을 줄이는 방안을 사용하고 있으나, 일정 크기 이상으로 줄이게 되면 더 이상 감도가 개선되지 못하는 한계를 갖고 있다.In order to improve the sensitivity of the hole plate, a method of reducing the width (W) and the length (L) of the hole plate is used as a method for reducing R S. However, .

아래 식은 홀 플레이트의 감도를 계산하는 식으로 IHall은 홀 효과에 의한 전류이고, Ibias는 홀 플레이트에 인가해 주는 바이어스 전류이며, Bz는 수직방향으로 인가되는 자계를 나타낸다.The following formula calculates the sensitivity of the hole plate, where I Hall is the current due to the Hall effect, I bias is the bias current applied to the hole plate, and B z is the magnetic field applied in the vertical direction.

Figure 112016114993356-pat00001
Figure 112016114993356-pat00001

도 3은 폭(W) 변화에 따른 홀 플레이트[길이(L): 1.25um]의 감도를 나타낸 그래프로, 기존의 홀 플레이트의 폭(W) 조절에 따른 감도 곡선을 보여주고 있다. 도 3을 통해 홀 플레이트의 폭(W)이 5.5um인 경우 최대 감도가 6.658[%/T]를 나타내며, 그 보다 더 줄이는 경우 감도는 오히려 떨어짐을 확인할 수 있다.FIG. 3 is a graph showing the sensitivity of the hole plate (length L: 1.25 um) according to the variation of the width W, and shows a sensitivity curve according to the adjustment of the width W of the conventional hole plate. FIG. 3 shows that the maximum sensitivity is 6.658 [% / T] when the width W of the hole plate is 5.5 μm, and the sensitivity decreases rather than the maximum sensitivity.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 기존의 기존 십자형 홀 플레이트의 감도의 한계를 넘어서 더 향상된 감도를 갖는 홀 플레이트 및 이를 적용한 홀 센서를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a hole plate having a sensitivity that is higher than that of a known cross hole plate and a Hall sensor using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른, 홀 플레이트는, 전류가 입력되는 입력 플레이트; 전류가 출력되는 출력 플레이트; 및 입력 플레이트의 일부와 출력 플레이트의 일부를 연결하는 연결 플레이트;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: an input plate through which a current is inputted; An output plate through which a current is output; And a connecting plate connecting a part of the input plate and a part of the output plate.

그리고, 연결 플레이트에 의해, 입력 플레이트의 제1 입력단과 출력 플레이트의 제1 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있을 수 있다.The connection plate may have a slot formed between the first input end of the input plate and the first output end of the output plate.

또한, 연결 플레이트에 의해, 입력 플레이트의 제2 입력단과 출력 플레이트의 제2 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.Further, a slot is formed between the second input end of the input plate and the second output end of the output plate by the connecting plate.

그리고, 슬롯의 길이는, 목표 감도에 의해 결정될 수 있다.The length of the slot can be determined by the target sensitivity.

또한, 연결 플레이트의 내부 폭은, 연결 플레이트가 입력 플레이트와 연결된 부분의 폭 보다 짧을 수 있다.Further, the inner width of the connecting plate may be shorter than the width of the connecting plate connected to the input plate.

그리고, 연결 플레이트의 내부 폭은, 연결 플레이트가 출력 플레이트와 연결된 부분의 폭 보다 짧을 수 있다.The inner width of the connecting plate may be shorter than the width of the connecting plate connected to the output plate.

또한, 홀 플레이트는, 반도체 공정에 따른 오프셋 제거를 위한 트윈 구조일 수 있다.Further, the hole plate may be a twin structure for offset elimination in accordance with the semiconductor process.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 홀 센서는, 자기장에 노출된 상태로 전류가 흐르는 홀 플레이트; 및 홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고, 홀 플레이트는, 전류가 입력되는 입력 플레이트; 전류가 출력되는 출력 플레이트; 및 입력 플레이트의 일부와 출력 플레이트의 일부를 연결하는 연결 플레이트;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a Hall sensor including: a Hall plate through which a current flows in a state exposed to a magnetic field; And a measurement unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate, wherein the hole plate comprises: an input plate to which a current is inputted; An output plate through which a current is output; And a connecting plate connecting a part of the input plate and a part of the output plate.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 기존의 기존 십자형 홀 플레이트의 감도의 한계를 넘어서 더 향상된 감도를 갖는 홀 플레이트를 얻을 수 있게 된다.As described above, according to the embodiments of the present invention, it is possible to obtain a hole plate having a higher sensitivity beyond the limit of the sensitivity of existing conventional cruciform hole plates.

특히, 본 발명의 실시예들에 따르면, 홀 플레이트의 감도에 영향을 주는 RS을, 물리적인 슬롯을 형성하여 최소화할 수 있게 된다.In particular, according to embodiments of the present invention, R S , which affects the sensitivity of the hole plate, can be minimized by forming physical slots.

도 1은 기존의 십자형 홀 플레이트의 2-D 모델,
도 2는, 도 1에 도시된 홀 플레이트의 등가회로,
도 3은 폭 변화에 따른 홀 플레이트의 감도를 나타낸 그래프,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고감도 홀 플레이트의 2-D 모델을 나타낸 도면,
도 5는 슬롯 길이 변화에 따른 홀 플레이트의 감도를 나타낸 그래프, 그리고,
도 6은 연결 플레이트의 부연 설명에 제공되는 도면이다.1 shows a 2-D model of a conventional cruciform hole plate,
Fig. 2 shows an equivalent circuit of the hole plate shown in Fig. 1,
FIG. 3 is a graph showing the sensitivity of the hole plate according to the width change,
4 is a view showing a 2-D model of a high sensitivity hole plate according to an embodiment of the present invention,
5 is a graph showing the sensitivity of the hole plate according to the variation of the slot length,
Fig. 6 is a view provided in a side view of the connecting plate. Fig.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고감도 홀 플레이트의 2-D 모델을 나타낸 도면이다. 본 발명의 실시예에 따른 홀 플레이트는, 기존의 십자형 구조에서 대각선 방향으로 슬롯을 형성시킨 구조이다.4 is a view showing a 2-D model of a high-sensitivity hole plate according to an embodiment of the present invention. The hole plate according to an embodiment of the present invention has a structure in which slots are formed in a diagonal direction in a conventional cruciform structure.

구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 홀 플레이트는, 기존의 홀 플레이트가 갖는 십자형 구조에서의 발생되는 RS를 최소화 할 수 있는 만큼의 크기로 슬롯을 형성시킨 구조이다.Specifically, the hole plate according to the embodiment of the present invention has a structure in which slots are formed so as to minimize the R S generated in the cross-shaped structure of the conventional hole plate.

이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 홀 플레이트는, 입력 플레이트(110), 출력 플레이트(120) 및 연결 플레이트(130)를 포함한다.The hole plate according to an embodiment of the present invention having such a structure includes an input plate 110, an output plate 120, and a connection plate 130.

입력 플레이트(110)는 전류가 입력되는 입력단들(111,112)이 형성되어 있는 플레이트이다. 출력 플레이트(120)는 전류가 출력되는 출력단들(121,122)이 형성되어 있는 플레이트이다.The input plate 110 is a plate on which input terminals 111 and 112 for inputting current are formed. The output plate 120 is a plate on which output terminals 121 and 122 for outputting current are formed.

연결 플레이트(130)는 입력 플레이트(110)에서 입력 전류가 유출되는 대각선 중앙부(115)와 출력 전류가 유입되는 출력 플레이트(120)의 대각선 중앙부(125)를 연결하는 플레이트이다.The connecting plate 130 is a plate connecting the diagonal center portion 115 through which the input current flows from the input plate 110 and the diagonal center portion 125 of the output plate 120 through which the output current flows.

연결 플레이트(130)는 입력 플레이트(110)의 일부(1115)와 출력 플레이트(120)의 일부(125)를 중앙에서 연결하는 구조이다.The connecting plate 130 has a structure in which a portion 1115 of the input plate 110 and a portion 125 of the output plate 120 are centrally connected.

연결 플레이트(130)에 의해, 입력 플레이트(110)의 제1 입력단(111)과 출력 플레이트(120)의 제1 출력단(121) 사이에 슬롯이 형성되어 있고, 입력 플레이트(110)의 제2 입력단(112)과 출력 플레이트(120)의 제2 출력단(122) 사이에 슬롯이 형성된다.A connection plate 130 forms a slot between the first input end 111 of the input plate 110 and the first output end 121 of the output plate 120. The second input end 111 of the input plate 110, A slot is formed between the first output end 112 of the output plate 120 and the second output end 122 of the output plate 120.

연결 플레이트(130)에 의해 형성되는 슬롯들에 의해, 기존의 홀 플레이트가 갖는 십자형 구조에서의 발생되는 RS를 최소화 할 수 있게 된다.The slots formed by the connecting plate 130 can minimize the R S generated in the cruciform structure of the existing hole plate.

도 5는 슬롯 길이 변화에 따른 홀 플레이트의 감도를 나타낸 그래프이다. 도 5에 도시된 바에 따르면, 기존 홀 플레이트의 감도 대비 약 1.8 [%/T]의 개선 효과가 나타남을 확인할 수 있다.5 is a graph showing the sensitivity of the hole plate according to the change of the slot length. As shown in FIG. 5, the improvement of 1.8 [% / T] compared to the sensitivity of the conventional hole plate can be confirmed.

슬롯의 길이는 목표 감도에 의해 결정할 수 있다. 나아가, 슬롯의 폭 역시 감도에 영향을 미칠 수 있어, 슬롯의 길이 외에 폭도 목표 감도에 의해 결정할 수 있다.The length of the slot can be determined by the target sensitivity. Furthermore, the width of the slot can also influence the sensitivity, so the width can be determined by the target sensitivity in addition to the length of the slot.

한편, 도 6에 나타난 바와 같이, 연결 플레이트(130)의 내부 폭(빨간색 양방향 화살표로 표기)은 연결 플레이트(130)의 외곽 보다 짧다. 여기서, 연결 플레이트(130)의 외곽이란, 연결 플레이트(130)가 입력 플레이트(110)나 출력 플레이트(120)와 연결되는 부분의 폭(파란색 양방향 화살표로 표기)이다.6, the inner width of the connection plate 130 (indicated by a red double arrow) is shorter than the outer periphery of the connection plate 130. [ The outer periphery of the connection plate 130 is a width of a portion where the connection plate 130 is connected to the input plate 110 or the output plate 120 (indicated by a blue double arrow).

이를 슬롯의 관점에서 보면, 슬롯은 내부 중앙이 길고, 외곽이 짧게 형성되는 것으로 볼 수 있다.From the viewpoint of the slot, it can be seen that the slot has a long inner center and a short outer periphery.

한편, 입력단들(111,112) 간의 간격(초록색 양방향 화살표로 표기)은 기존 홀 플레이트에서 입력단들의 간격 보다 짧게 구현한다. 입력단들(111,112) 간의 간격은 슬롯의 폭을 기초로 결정할 수 있다.On the other hand, the interval between the input stages 111 and 112 (represented by a green double arrow) is shorter than the interval between the input stages in the conventional hole plate. The spacing between the input stages 111 and 112 can be determined based on the width of the slot.

마찬가지로, 출력단들(121,122) 간의 간격(초록색 양방향 화살표로 표기)도 기존 홀 플레이트에서 출력단들의 간격 보다 짧게 구현한다. 출력단들(121,122) 간의 간격도 슬롯의 폭을 기초로 결정할 수 있다.Similarly, the spacing between output stages 121 and 122 (denoted by green double arrows) is shorter than the spacing of output stages in conventional hole plates. The spacing between the output stages 121 and 122 may also be determined based on the width of the slot.

지금까지, 고감도 홀 플레이트에 대해 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였다.Up to now, a highly sensitive hole plate has been described in detail with a preferred embodiment.

본 발명의 실시예에 따른 홀 플레이트는, 단일 홀 플레이트 구조 뿐만 아니라, 반도체 공정에 따른 오프셋(offset) 제거를 위한 트윈(twin) 구조의 홀 플레이트에도 적용할 수 있다.The hole plate according to the embodiment of the present invention can be applied not only to a single hole plate structure but also to a twin structure hole plate for offset removal according to a semiconductor process.

나아가, 제시한 홀 플레이트를 적용하여 구현한 홀 센서에 대해서도 본 발명의 기술적 사상이 적용될 수 있다,Furthermore, the technical idea of the present invention can be applied to a hall sensor implemented by applying the proposed hole plate.

즉, 홀 플레이트가 자기장에 노출된 상태로 전류가 흐르도록 하고, 이 홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정 장치를 연결하여 홀 센서를 구현하는 경우, 홀 플레이트를 전술한 본 발명의 실시예에 따라 구현하는 것이 가능한 것이다.That is, in the case where a hall sensor is implemented by connecting a measuring device for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate so that a current flows in a state in which the hole plate is exposed to a magnetic field, It is possible to implement according to the example.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

110 : 입력 플레이트 111,112 : 입력단
120 : 출력 플레이트 121,122 : 출력단
130 : 연결 플레이트110: input plate 111, 112:
120: output plate 121, 122: output terminal
130: connecting plate

Claims (8)

전류가 입력되는 입력 플레이트;
전류가 출력되는 출력 플레이트; 및
입력 플레이트의 일부와 출력 플레이트의 일부를 연결하는 연결 플레이트;를 포함하고,
연결 플레이트에 의해, 입력 플레이트의 제1 입력단과 출력 플레이트의 제1 출력단 사이와 입력 플레이트의 제2 입력단과 출력 플레이트의 제2 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있으며,
입력 플레이트의 제1 입력단과 제2 입력단 사이와 출력 플레이트의 제1 출력단과 제2 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있지 않고,
제1 입력단과 제2 입력단 사이의 간격은,
슬롯의 폭을 기초로 결정되며,
제1 출력단과 제2 출력단 사이의 간격은,
슬롯의 폭을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
An input plate into which a current is inputted;
An output plate through which a current is output; And
And a connecting plate connecting a part of the input plate and a part of the output plate,
By the connection plate, a slot is formed between the first input end of the input plate and the first output end of the output plate, between the second input end of the input plate and the second output end of the output plate,
A slot is not formed between the first input end and the second input end of the input plate and between the first output end and the second output end of the output plate,
The distance between the first input end and the second input end,
Is determined based on the width of the slot,
The interval between the first output terminal and the second output terminal,
And the width of the slot is determined based on the width of the slot.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
슬롯의 길이는,
목표 감도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The length of the slot,
And the target sensitivity is determined by the target sensitivity.
청구항 1에 있어서,
연결 플레이트의 내부 폭은,
연결 플레이트가 입력 플레이트와 연결된 부분의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
The inner width of the connecting plate is,
And the connecting plate is shorter than the width of the portion connected to the input plate.
청구항 5에 있어서,
연결 플레이트의 내부 폭은,
연결 플레이트가 출력 플레이트와 연결된 부분의 폭 보다 짧은 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method of claim 5,
The inner width of the connecting plate is,
And the connection plate is shorter than the width of the portion connected to the output plate.
청구항 1에 있어서,
홀 플레이트는,
반도체 공정에 따른 오프셋 제거를 위한 트윈 구조인 것을 특징으로 하는 홀 플레이트.
The method according to claim 1,
In the hole plate,
Wherein the hole is a twin structure for removing an offset in accordance with a semiconductor process.
자기장에 노출된 상태로 전류가 흐르는 홀 플레이트; 및
홀 플레이트의 전압을 측정하여 자기장을 측정하는 측정부;를 포함하고,
홀 플레이트는,
전류가 입력되는 입력 플레이트;
전류가 출력되는 출력 플레이트; 및
입력 플레이트의 일부와 출력 플레이트의 일부를 연결하는 연결 플레이트;를 포함하고,
연결 플레이트에 의해, 입력 플레이트의 제1 입력단과 출력 플레이트의 제1 출력단 사이와 입력 플레이트의 제2 입력단과 출력 플레이트의 제2 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있으며,
입력 플레이트의 제1 입력단과 제2 입력단 사이와 출력 플레이트의 제1 출력단과 제2 출력단 사이에는 슬롯이 형성되어 있지 않고,
제1 입력단과 제2 입력단 사이의 간격은,
슬롯의 폭을 기초로 결정되며,
제1 출력단과 제2 출력단 사이의 간격은,
슬롯의 폭을 기초로 결정되는 것을 특징으로 하는 홀 센서.
A hole plate through which current flows in a state exposed to a magnetic field; And
And a measuring unit for measuring a magnetic field by measuring a voltage of the hole plate,
In the hole plate,
An input plate into which a current is inputted;
An output plate through which a current is output; And
And a connecting plate connecting a part of the input plate and a part of the output plate,
By the connection plate, a slot is formed between the first input end of the input plate and the first output end of the output plate, between the second input end of the input plate and the second output end of the output plate,
A slot is not formed between the first input end and the second input end of the input plate and between the first output end and the second output end of the output plate,
The distance between the first input end and the second input end,
Is determined based on the width of the slot,
The interval between the first output terminal and the second output terminal,
And the width of the slot is determined based on the width of the slot.
KR1020160157134A 2016-11-24 2016-11-24 High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same KR101877133B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160157134A KR101877133B1 (en) 2016-11-24 2016-11-24 High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160157134A KR101877133B1 (en) 2016-11-24 2016-11-24 High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180059585A KR20180059585A (en) 2018-06-05
KR101877133B1 true KR101877133B1 (en) 2018-07-10

Family

ID=62635602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160157134A KR101877133B1 (en) 2016-11-24 2016-11-24 High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101877133B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2969704B2 (en) * 1989-12-12 1999-11-02 株式会社日本自動車部品総合研究所 Hall element array
KR20030092021A (en) * 2001-07-26 2003-12-03 아사히 가세이 덴시 가부시끼가이샤 Semiconductor hall sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2969704B2 (en) * 1989-12-12 1999-11-02 株式会社日本自動車部品総合研究所 Hall element array
KR20030092021A (en) * 2001-07-26 2003-12-03 아사히 가세이 덴시 가부시끼가이샤 Semiconductor hall sensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 특허공보 특허 제 2969704호(1999.11.02.) 1부. *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180059585A (en) 2018-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7915885B2 (en) Sensor system and method
JP3825417B2 (en) RF power sensor that measures power for RF signal by capacitance
CN106164691B (en) Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor
WO2015096744A1 (en) Single chip reference bridge type magnetic sensor for high-intensity magnetic field
JP6564528B2 (en) Magnetic image sensor
US20160111631A1 (en) Vertical hall sensors with reduced offset error
CN103645448A (en) Improved Wheatstone half-bridge circuit and sensor
TWI744713B (en) Magnetic field pulse current sensing for timing-sensitive circuits
KR101877133B1 (en) High Sensitivity Hall plate and Hall Sensor applying the same
CN105277112B (en) Eliminate half-bridge Wheatstone bridge strain measurement system and the method that conductor resistance influences
JP6726448B2 (en) Vertical Hall element
CN105241372B (en) Eliminate full-bridge Wheatstone bridge strain measurement system and the method that conductor resistance influences
EP2781894A1 (en) Signal amplifying circuit for electromagnetic flow meter
TWI620413B (en) Motor driving circuit
CN110794347A (en) Internal interconnection seven-electrode low-offset vertical Hall magnetic sensor
CN110244128A (en) Thermal resistance four-wire system real-time measurement circuit and its implementation
JP2020009801A (en) Semiconductor device
KR20150071517A (en) Difference amplifier
JP2013079862A (en) Current sensor
JP6388815B2 (en) Particle detector
EP3123183A1 (en) Apparatus and methods for measuring electrical current
CN109669148A (en) A kind of measurement method and device of Hall effect
CN107084770B (en) Signal pickup circuit, transmitter, flowmeter and method for picking up signals
US20170154949A1 (en) Diffused resistor
CN104485415B (en) Anisotropic magnetoresistive structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant