KR101855073B1 - Polishing pad and method of making the same - Google Patents
Polishing pad and method of making the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101855073B1 KR101855073B1 KR1020127019080A KR20127019080A KR101855073B1 KR 101855073 B1 KR101855073 B1 KR 101855073B1 KR 1020127019080 A KR1020127019080 A KR 1020127019080A KR 20127019080 A KR20127019080 A KR 20127019080A KR 101855073 B1 KR101855073 B1 KR 101855073B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- layer
- composition
- polishing pad
- delete delete
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 244
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 126
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 96
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 91
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 59
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 168
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 63
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 114
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 114
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 53
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 46
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 46
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 37
- 150000002924 oxiranes Chemical group 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 21
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 20
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 19
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 18
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 18
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 229920001730 Moisture cure polyurethane Polymers 0.000 description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 13
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 13
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 13
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 12
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 8
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 8
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 229940070721 polyacrylate Drugs 0.000 description 7
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 6
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical group CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 5
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 5
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 4
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole Chemical compound C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCOC(=O)C=C QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 3
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 3
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAUHLEIGHAUFAK-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-1-[(1-isocyanatocyclohexyl)methyl]cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1(N=C=O)CC1(N=C=O)CCCCC1 PAUHLEIGHAUFAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYZJYDSSXRSBDB-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-(2-isocyanatophenoxy)benzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1N=C=O KYZJYDSSXRSBDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC(C)=C(N)C(C)=C1N ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 2
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical group SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N n,n-ditert-butyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N(C(C)(C)C)C(C)(C)C CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 2
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- QXRRAZIZHCWBQY-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(isocyanatomethyl)cyclohexane Chemical compound O=C=NCC1(CN=C=O)CCCCC1 QXRRAZIZHCWBQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNMOIBZLSJDQEO-UHFFFAOYSA-N 1,10-diisocyanatodecane Chemical compound O=C=NCCCCCCCCCCN=C=O VNMOIBZLSJDQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USGYMDAUQBQWFU-UHFFFAOYSA-N 1,2,5,6-diepoxycyclooctane Chemical compound C1CC2OC2CCC2OC12 USGYMDAUQBQWFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAZUWMOGQKEUHE-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-isocyanatoethyl)benzene Chemical compound O=C=NCCC1=CC=CC=C1CCN=C=O FAZUWMOGQKEUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQDNPBWCSVXRTQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)-3-(3-isocyanatopropyl)bicyclo[2.2.1]heptane Chemical compound N(=C=O)CC1C2(CCC(C1CCCN=C=O)C2)CN=C=O FQDNPBWCSVXRTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZROIUBWZBSCSE-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(CN=C=O)C(CN=C=O)=CC=C21 WZROIUBWZBSCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIDUEESSWOVGNT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethyl-3,4-diisocyanatobenzene Chemical compound CCC1=CC=C(N=C=O)C(N=C=O)=C1CC PIDUEESSWOVGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOKSGFNBBSSNAL-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanato-3,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C(N=C=O)=C1C QOKSGFNBBSSNAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUYHWJKHJNFYGV-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanato-3-phenylbenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1N=C=O LUYHWJKHJNFYGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDXXHVBUMKDQL-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanato-3-propan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(N=C=O)=C1N=C=O HMDXXHVBUMKDQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTZUIIAIAKMWLI-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1N=C=O MTZUIIAIAKMWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTNJGMFHJYGMDR-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatoethane Chemical compound O=C=NCCN=C=O ZTNJGMFHJYGMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXHZWRZAWJVPIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatonaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(N=C=O)C(N=C=O)=CC=C21 ZXHZWRZAWJVPIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDSDWSIFQBAJS-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatopropane Chemical compound O=C=NC(C)CN=C=O ZGDSDWSIFQBAJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFKLPJRVSHJZPL-UHFFFAOYSA-N 1,2:7,8-diepoxyoctane Chemical compound C1OC1CCCCC1CO1 LFKLPJRVSHJZPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHXZXKMYCGVFA-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazetidine-2,4-dione Chemical compound O=C1NC(=O)N1 PCHXZXKMYCGVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRWMSVQODDCQGL-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound OCCC(O)OC(=O)C=C LRWMSVQODDCQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisocyanatopropane Chemical compound O=C=NCCCN=C=O IKYNWXNXXHWHLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobutane Chemical compound O=C=NCCCCN=C=O OVBFMUAFNIIQAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLRLXLDMZCFBP-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,4,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCC(C)CC(C)(C)CCN=C=O QGLRLXLDMZCFBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUPKOUOXSNGVLB-UHFFFAOYSA-N 1,8-diisocyanatooctane Chemical compound O=C=NCCCCCCCCN=C=O QUPKOUOXSNGVLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHSZVIPKVOEXNX-UHFFFAOYSA-N 1,9-diisocyanatononane Chemical compound O=C=NCCCCCCCCCN=C=O GHSZVIPKVOEXNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCENFBLAEKHLPA-UHFFFAOYSA-N 1-(3-hydroxypropyl)cyclohexan-1-ol Chemical compound OCCCC1(O)CCCCC1 KCENFBLAEKHLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXIWPQKLPMINAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2,3-diisocyanatobenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(N=C=O)=C1N=C=O AXIWPQKLPMINAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFDSAGFDSDFYDQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpiperazin-2-amine Chemical compound CCN1CCNCC1N PFDSAGFDSDFYDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLOQTKGUQKAAAB-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-(2-isocyanatoethoxy)ethane Chemical compound O=C=NCCOCCN=C=O QLOQTKGUQKAAAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFRGHBHYRGAZPW-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[2-(2-isocyanatophenyl)ethenyl]benzene Chemical group O=C=NC1=CC=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1N=C=O RFRGHBHYRGAZPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXODMIMTGATJKD-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(isocyanatomethyl)furan Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)O1 YXODMIMTGATJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHMIIWPUCORLOP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC(C)Cc1c(N)cccc1N GHMIIWPUCORLOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCNC(C)(C)C BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQOOPHYFSQIYTP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one;2-(2-methylpropoxy)-1,2-diphenylethanone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(OCC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 YQOOPHYFSQIYTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFMZSMGAMPBRBE-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(O)C(=O)C2=C1 CFMZSMGAMPBRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJOFMRLNOMBWIM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C(=O)C1=CC=C(C(C)C)C=C1 KJOFMRLNOMBWIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHAZUISNXJLXHR-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-ylbenzamide Chemical class NC(=O)C1=CC=CC=C1N1CCOCC1 HHAZUISNXJLXHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HACRKYQRZABURO-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethyl isocyanate Chemical compound O=C=NCCC1=CC=CC=C1 HACRKYQRZABURO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZWKEPYTBWZJJA-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1=C(N=C=O)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N=C=O)=CC=2)=C1 QZWKEPYTBWZJJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXMHPINOHFKLMI-UHFFFAOYSA-N 3,5-bis(isocyanatomethyl)-3-(3-isocyanatopropyl)bicyclo[2.2.1]heptane Chemical compound C1C(CN=C=O)C2C(CCCN=C=O)(CN=C=O)CC1C2 BXMHPINOHFKLMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPACMOORZSDQDQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminobenzoyl)oxypropyl 4-aminobenzoate Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)OCCCOC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 YPACMOORZSDQDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGSWEKYNAOWQDF-UHFFFAOYSA-N 3-methylcatechol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1O PGSWEKYNAOWQDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 3-morpholinopropylamine Chemical compound NCCCN1CCOCC1 UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJTHLNYBRBMCBW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-propane-2,2-diylbis(tetrachlorophenol) Chemical compound ClC=1C(Cl)=C(O)C(Cl)=C(Cl)C=1C(C)(C)C1=C(Cl)C(Cl)=C(O)C(Cl)=C1Cl OJTHLNYBRBMCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-2-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(CC)=C(N)C(C)=C1N RQEOBXYYEPMCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXZYTPQDVJCZMK-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxycyclohexyl)oxycyclohexan-1-ol Chemical compound C1CC(O)CCC1OC1CCC(O)CC1 VXZYTPQDVJCZMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSHSENQVVJFLSM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxycyclohexyl)sulfanylcyclohexan-1-ol Chemical compound C1CC(O)CCC1SC1CCC(O)CC1 SSHSENQVVJFLSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3,5-diethylphenyl)methyl]-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)=C1 NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMHOXRVODFQGCA-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylaniline Chemical compound CC1=C(N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N)=C(C)C=2)=C1 OMHOXRVODFQGCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-ethyl-5-methylphenyl)methyl]-2-ethyl-6-methylaniline Chemical compound CC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(C)C=2)=C1 QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLNVGZMDLLIECD-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-methyl-5-propan-2-ylphenyl)methyl]-2-methyl-6-propan-2-ylaniline Chemical compound CC1=C(N)C(C(C)C)=CC(CC=2C=C(C(N)=C(C)C=2)C(C)C)=C1 FLNVGZMDLLIECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBAMNGURPMUTG-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxycyclohexyl)propan-2-yl]cyclohexan-1-ol Chemical compound C1CC(O)CCC1C(C)(C)C1CCC(O)CC1 CDBAMNGURPMUTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRWNRAJCPNLYAK-UHFFFAOYSA-N 4-bromobenzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 ZRWNRAJCPNLYAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDMNKLQCJMLRAJ-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butanoic acid Chemical compound OCCC(C(O)=O)COC(=O)C=C YDMNKLQCJMLRAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-butyl Chemical group [CH2]CCCO SXIFAEWFOJETOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKZOLEPNYXGNEH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2,6-di(propan-2-yl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC(C)C1=CC(C)=C(N)C(C(C)C)=C1N AKZOLEPNYXGNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASTHCGZJPAFZIY-UHFFFAOYSA-N 4-pentan-3-ylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC(CC)C1=CC=C(N)C=C1N ASTHCGZJPAFZIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 4h-chromene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(=O)CC2=C1 CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCCCOC(=O)C=C OCIFJWVZZUDMRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPMOAQISONSSNL-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxyoctyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCO YPMOAQISONSSNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N Alpha-Lactose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRANNTKZJNTXAU-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C)C(C)=CC=C1.N=C=O.N=C=O.N=C=O Chemical compound CC1=C(C)C(C)=CC=C1.N=C=O.N=C=O.N=C=O JRANNTKZJNTXAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026735 Coagulation factor VIII Human genes 0.000 description 1
- 244000301850 Cupressus sempervirens Species 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- ZFIVKAOQEXOYFY-UHFFFAOYSA-N Diepoxybutane Chemical compound C1OC1C1OC1 ZFIVKAOQEXOYFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZORQUEIQEFRT-UHFFFAOYSA-N Diethyl adipate Chemical compound CCOC(=O)CCCCC(=O)OCC VIZORQUEIQEFRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYECOJGRJDOGPP-UHFFFAOYSA-N Ethylurea Chemical compound CCNC(N)=O RYECOJGRJDOGPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 101000911390 Homo sapiens Coagulation factor VIII Proteins 0.000 description 1
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N Lactose Natural products OC[C@H]1O[C@@H](O[C@H]2[C@H](O)[C@@H](O)C(O)O[C@@H]2CO)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- 229920003091 Methocel™ Polymers 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMRNTPSLQDZXBU-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2CC Chemical compound N=C=O.N=C=O.C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2CC ZMRNTPSLQDZXBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZLXXVREXAEJX-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 TWZLXXVREXAEJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYKRKNWETSJWGI-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=C(Cl)C(Cl)=C3NC2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=C(Cl)C(Cl)=C3NC2=C1 BYKRKNWETSJWGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 OGTYCYGFMVPCCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNNXXFFLRWCPBC-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1=CC=CC=C1 DNNXXFFLRWCPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTCFKBWDKVMLMM-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZTCFKBWDKVMLMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMTLVUCMBWBYSO-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 WMTLVUCMBWBYSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDONYZHVZVCMLR-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1CCCCC1 HDONYZHVZVCMLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGBDRKZSMKKNHE-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.N=C=O.C Chemical compound N=C=O.N=C=O.N=C=O.C SGBDRKZSMKKNHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEQBFCJBVVFPGT-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 JEQBFCJBVVFPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRNAHSCPGKWOIY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=CC=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.N=C=O.C1=CC=CC=C1 LRNAHSCPGKWOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMUFWSRTIRRISK-UHFFFAOYSA-N N=C=O.OC(=O)C=C.CCOC(N)=O Chemical compound N=C=O.OC(=O)C=C.CCOC(N)=O RMUFWSRTIRRISK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVHMSMOUDQXMRS-UHFFFAOYSA-N PPG n4 Chemical class CC(O)COC(C)COC(C)COC(C)CO QVHMSMOUDQXMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical class C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N Tetrachlorobisphenol A Chemical compound C=1C(Cl)=C(O)C(Cl)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N [(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]-(2,6-dimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)C(=O)C1=C(OC)C=CC=C1OC LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 description 1
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N bisphenol F diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHJMTUPIZMNBFR-UHFFFAOYSA-N biuret Chemical compound NC(=O)NC(N)=O OHJMTUPIZMNBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N carbonothioic O,S-acid Chemical compound OC(S)=O HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010382 chemical cross-linking Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- MBZFMVVPAZRBEN-UHFFFAOYSA-N cyclohexane ethanol Chemical compound CCO.CCO.C1CCCCC1 MBZFMVVPAZRBEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNTHQRXVZDCWSP-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1,2-triol Chemical compound OC1CCCCC1(O)O FNTHQRXVZDCWSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDXRQENMIVHKPI-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diol Chemical compound OC1(O)CCCCC1 PDXRQENMIVHKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diol Chemical compound OC1CCC(O)CC1 VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYDJAHJCGZTTHB-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,1-diol Chemical compound OC1(O)CCCC1 UYDJAHJCGZTTHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 239000012973 diazabicyclooctane Substances 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- SDTDHTCWRNVNAJ-UHFFFAOYSA-L dimethyltin(2+);diacetate Chemical compound CC(=O)O[Sn](C)(C)OC(C)=O SDTDHTCWRNVNAJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- BGAYFWMWLVAVCM-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,4-trimethylcyclohexa-1,5-dien-1-yl)methanone Chemical compound C1=CC(C)(C)CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BGAYFWMWLVAVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- MKVYSRNJLWTVIK-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O MKVYSRNJLWTVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCOC(N)=O JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 150000002314 glycerols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- DIBAUXPXVAKILQ-UHFFFAOYSA-N isocyanato hexanoate Chemical compound CCCCCC(=O)ON=C=O DIBAUXPXVAKILQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 239000008101 lactose Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N methyl (2s)-2,6-diisocyanatohexanoate Chemical compound COC(=O)[C@@H](N=C=O)CCCCN=C=O AYLRODJJLADBOB-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylidenehydroxylamine Chemical compound CCC(C)=NO WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N o-hydroxybenzyl alcohol Natural products OCC1=CC=CC=C1O CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N oxepan-2-one;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.O=C1CCCCCO1 RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVJSUAQZOZWCKN-UHFFFAOYSA-N p-hydroxybenzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=C(O)C=C1 BVJSUAQZOZWCKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N phenyl benzoate Chemical class C=1C=CC=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGIEBRSWMQVCO-UHFFFAOYSA-N phosphono prop-2-enoate Chemical compound OP(O)(=O)OC(=O)C=C PWGIEBRSWMQVCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018102 proteins Nutrition 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical class OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L tin(ii) 2-ethylhexanoate Chemical compound [Sn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940098465 tincture Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 description 1
- 238000005829 trimerization reaction Methods 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVWRKZWQTYIKIY-UHFFFAOYSA-N urea-1-carboxylic acid Chemical compound NC(=O)NC(O)=O AVWRKZWQTYIKIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042596 viscoat Drugs 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
- B24D3/342—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent
- B24D3/344—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent the bonding agent being organic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
본 발명은 다공성 연마 층을 가진 연마 패드, 그러한 연마 패드의 제조 방법, 및 그러한 패드를 연마 방법에 이용하는 방법에 관한 것이다. 연마 패드는 제1 및 제2 대향면을 가진 컴플라이언트 층 및 컴플라이언트 층의 제1 면 상에 배치된 다공성 연마 층을 포함한다. 다공성 연마 층은 열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크를 포함하며, 여기서 방사선 경화된 성분과 열 경화된 성분은 가교결합된 네트워크에서 공유결합된다. 다공성 연마 층은 또한 가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자를 포함하며, 여기서 중합체 입자는 열가소성 중합체 또는 열경화성 중합체 중 적어도 하나를 포함한다. 다공성 연마 층은 전형적으로 또한 가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공을 포함한다.The present invention relates to a polishing pad having a porous polishing layer, a method of manufacturing such a polishing pad, and a method of using such a pad in a polishing method. The polishing pad includes a compliant layer having first and second opposing faces and a porous polishing layer disposed on a first side of the compliant layer. The porous abrasive layer comprises a crosslinked network comprising a thermosetting component and a radiation cured component wherein the radiation cured component and the thermosetting component are covalently bonded in a crosslinked network. The porous abrasive layer also comprises polymer particles dispersed within the crosslinked network, wherein the polymer particles comprise at least one of a thermoplastic polymer or a thermosetting polymer. The porous abrasive layer typically also includes closed cell pores dispersed within the crosslinked network.
Description
관련 출원과의 상호 참조Cross reference to related application
본 출원은 2009년 12월 22일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/288,982호 및 2010년 12월 13일에 출원된 미국 가특허 출원 제61/422,442호의 이득을 주장하며, 이들의 개시 내용은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.This application claims the benefit of U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 288,982, filed December 22, 2009, and U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 422,442, filed December 13, 2010, Which is incorporated herein by reference in its entirety.
반도체 소자와 집적 회로의 제조 동안, 규소 웨이퍼는 일련의 침착 및 에칭 단계를 통해 반복적으로 가공되어 중첩하는 재료층과 소자 구조물을 형성한다. 웨이퍼 표면을 가로질러 높은 균일도를 가지고서, 긁힘이나 (디싱(dishing)으로 알려진) 함몰이 없는 평탄한 웨이퍼 표면을 얻을 목적으로, 화학적 기계적 평탄화(CMP)로 알려진 연마 기술을 이용하여 침착과 에칭 단계 후 남아 있는 표면 요철부(예를 들어, 범프, 불균일한 상승 영역, 골, 및 트렌치)를 제거할 수 있다.During the fabrication of semiconductor devices and integrated circuits, the silicon wafers are repeatedly processed through a series of deposition and etching steps to form overlapping material layers and device structures. (Polishing) technique known as chemical mechanical planarization (CMP) for the purpose of obtaining a flat wafer surface with high uniformity across the wafer surface and no scratches or recesses (known as dishing) (For example, bumps, uneven rising regions, valleys, and trenches) can be removed.
전형적인 CMP 연마 공정에서는, 웨이퍼와 같은 기재가, 전형적으로 에칭 화학물질 및 또는 물 중의 연마 입자의 슬러리인 작업 액체의 존재 하에서 연마 패드에 대해 압착되고 연마 패드에 대하여 상대 이동된다. 연마 슬러리와 사용하기 위한 다양한 CMP 연마 패드가, 예를 들어 미국 특허 제5,257,478호(하이드(Hyde) 등); 제5,921,855호(오스테르헬드(Osterheld) 등); 제6,126,532호(세빌라(Sevilla) 등); 제6,899,598호(프라사드(Prasad)); 및 제7,267,610호(엘무프디(Elmufdi) 등)에 개시되었다. 고정된 연마성 연마 패드가 또한 알려져 있으며, 예를 들어 미국 특허 제6,908,366호(가그리아르디(Gagliardi))에 의해 예시된 바와 같은데, 여기서는 연마 입자가 일반적으로 종종 패드 표면으로부터 연장되는 정밀하게 형상화된 연마 복합체 형태로 패드 표면에 고정된다. 최근에는, 압축성 하부층으로부터 연장하는 다수의 연마 요소를 가진 연마 패드가 국제 특허 공개 WO/2006057714(바자즈(Bajaj))에 설명되었다. 매우 다양한 연마 패드가 알려지고 사용되고 있지만, 본 기술은 CMP를 위한, 특히 큰 다이 직경이 이용되고 있는 또는 높은 수준의 웨이퍼 표면 평탄성 및 연마 균일도가 요구되는 CMP 공정에서 새롭고 개선된 연마 패드를 계속 찾고 있다.In a typical CMP polishing process, a substrate, such as a wafer, is pressed against the polishing pad and moved relative to the polishing pad, typically in the presence of an etching chemical and / or a working liquid which is a slurry of abrasive particles in water. Various CMP polishing pads for use with polishing slurries are described, for example, in U.S. Patent No. 5,257,478 (Hyde et al.); 5,921,855 (Osterheld et al.); 6,126,532 (Sevilla et al.); 6,899, 598 (Prasad); And 7,267, 610 (Elmufdi et al.). Fixed abrasive polishing pads are also known and are exemplified by, for example, U.S. Patent No. 6,908,366 (Gagliardi), wherein abrasive particles are typically formed from precisely shaped And is fixed to the pad surface in the form of a polishing compound. In recent years, polishing pads having a plurality of polishing elements extending from the compressible lower layer have been described in International Patent Publication No. WO / 2006057714 (Bajaj). Although a wide variety of polishing pads are known and used, the technology continues to seek new and improved polishing pads for CMP, particularly in CMP processes where large die diameters are used or where high levels of wafer surface planarity and polishing uniformity are required .
본 발명은 연마 층이 열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 가진 다공성 연마 패드 및 그러한 연마 패드의 제조 방법을 제공한다. 중합체 입자의 이용을 통해 연마 층 내로 세공(pore)이 포함된다. 본 명세서에 개시된 다공성 연마 패드 내의 세공은, 일반적으로 종래의 열 경화된 연마 패드의 세공보다 세공 크기 불균일도가 낮으며 세공 크기가 작은 폐쇄 셀 세공이다. 세공 크기 및 분포에 대한 제어는, 예를 들어 연마 패드의 연마 성능에 유리할 수 있다.The present invention provides a porous polishing pad having a thermally cured component and a radiation cured component of an abrasive layer and a method of making such a polishing pad. Pores are included in the polishing layer through the use of polymer particles. The pores in the porous polishing pad disclosed herein are generally closed cell pores having a lower pore size non-uniformity and a smaller pore size than the pores of a conventional thermosetting polishing pad. Control over pore size and distribution can be beneficial, for example, in polishing performance of a polishing pad.
일 태양에서, 본 발명은In one aspect,
제1 및 제2 대향 면을 가진 컴플라이언트(compliant) 층; 및A compliant layer having first and second opposing surfaces; And
컴플라이언트 층의 제1 면 상에 배치된 다공성 연마 층을 포함하는 연마 패드를 제공하며, 다공성 연마 층은A polishing pad comprising a porous polishing layer disposed on a first side of a compliant layer, the porous polishing layer comprising
열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크 - 여기서 방사선 경화된 성분과 열 경화된 성분은 가교결합된 네트워크에서 공유결합됨 - ;A crosslinked network comprising a thermally cured component and a radiation cured component wherein the radiation cured component and the thermally cured component are covalently bonded in a crosslinked network;
가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자; 및Polymer particles dispersed within a crosslinked network; And
가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 연마 패드는 컴플라이언트 층과 다공성 연마 층 사이에 개재된 지지 층을 추가로 포함한다.And closed cell pores dispersed within the crosslinked network. In some embodiments, the polishing pad further comprises a support layer interposed between the compliant layer and the porous polishing layer.
다른 태양에서, 본 발명은 연마 패드의 제조 방법을 제공하는데, 본 방법은 In another aspect, the present invention provides a method of making a polishing pad,
열 경화성 수지 조성물, 방사선 경화성 수지 조성물, 및 중합체 입자를 포함하는 조성물을 제공하는 단계;Providing a composition comprising a thermosetting resin composition, a radiation curable resin composition, and polymer particles;
조성물에 세공을 형성하는 단계;Forming pores in the composition;
지지 층 상에 조성물을 위치시키는 단계; 및Placing the composition on a support layer; And
방사선 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 방사선에 노출시키고 열 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 가열하여 지지 층 상에 다공성 연마 층을 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 본 방법은 다공성 연마 층에 대향하는 지지 층의 표면에 컴플라이언트 층을 접착 접합시키는 단계를 추가로 포함한다.Exposing the composition to radiation and at least partially curing the thermosetting resin composition to at least partially cure the radiation curable resin composition, and heating the composition to form a porous abrasive layer on the support layer. In some embodiments, the method further comprises adhesively bonding the compliant layer to the surface of the support layer opposite the porous abrasive layer.
추가 태양에서, 본 발명은 연마 방법을 제공하는데, 본 방법은In a further aspect, the present invention provides a polishing method,
본 발명에 따른 연마 패드의 다공성 연마 층과 기재 표면을 접촉시키는 단계; 및Contacting the substrate surface with the porous polishing layer of the polishing pad according to the present invention; And
연마 패드를 기재에 대하여 상대 이동시켜서 기재 표면을 연마하는 단계를 포함한다.And polishing the substrate surface by relatively moving the polishing pad relative to the substrate.
본 발명에 따른 연마 패드의 예시적 실시 형태는 다양한 연마 응용에서 그들의 사용을 가능하게 하는 다양한 특징과 특성을 갖는다. 일부 실시 형태에서, 본 발명의 연마 패드는 집적 회로와 반도체 소자의 제조에 사용되는 웨이퍼의 화학적 기계적 평탄화(CMP)에 특히 매우 적합할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 본 명세서에서 설명된 연마 패드는 다음 이점 중 일부 또는 전부를 제공할 수 있다.Exemplary embodiments of a polishing pad in accordance with the present invention have various features and characteristics that enable their use in a variety of polishing applications. In some embodiments, the polishing pad of the present invention may be particularly well suited for chemical mechanical planarization (CMP) of wafers used in the manufacture of integrated circuits and semiconductor devices. In some embodiments, the polishing pad described herein may provide some or all of the following advantages.
예를 들어, 일부 실시 형태에서, 본 발명에 따른 연마 패드는 패드의 연마 표면과 연마되는 기재 표면 사이의 계면에서 CMP 공정에 사용되는 작업 액체를 더 잘 보유하도록 작용하여, 연마를 증대시키는 데 있어서 작업 액체의 유효성을 향상시킬 수 있다. 다른 예시적 실시 형태에서, 본 발명에 따른 연마 패드는 연마 동안 웨이퍼 표면의 디싱 및/또는 에지 부식을 감소시키거나 제거할 수 있다. 일부 예시적 실시 형태에서, 본 발명에 따른 연마 패드를 CMP 공정에서 사용하여 개선된 웨이퍼 내 연마 균일성, 더 평탄한 연마된 웨이퍼 표면, 웨이퍼로부터 에지 다이 수율의 증가, 및 개선된 CMP 공정 작업 조건 및 일관성을 가져올 수 있다. 추가 실시 형태에서, 본 발명에 따른 연마 패드를 사용함으로써, 높은 칩 수율을 얻기 위해 요구되는 표면 균일도를 유지하거나, 웨이퍼 표면의 연마 균일성을 유지하기 위해 패드 표면의 컨디셔닝이 요구되기 전에 더 많은 웨이퍼를 가공하거나, 또는 공정 시간 및 패드 컨디셔너(conditioner)의 마모를 감소시키면서 더 큰 직경의 웨이퍼의 가공을 허용할 수 있다.For example, in some embodiments, the polishing pad in accordance with the present invention serves to better retain the working liquid used in the CMP process at the interface between the polishing surface of the pad and the substrate surface being polished, The effectiveness of the working liquid can be improved. In another exemplary embodiment, a polishing pad according to the present invention can reduce or eliminate dishing and / or edge erosion of the wafer surface during polishing. In some exemplary embodiments, the polishing pad according to the present invention may be used in a CMP process to improve polishing in-wafer uniformity, a more planar polished wafer surface, increased edge die yield from the wafer, and improved CMP process operating conditions and / Consistency can be achieved. In a further embodiment, the use of a polishing pad in accordance with the present invention may be used to maintain the surface uniformity required to achieve high chip yields, or to allow polishing of more wafers before conditioning of the pad surface is required to maintain polishing uniformity of the wafer surface Or to allow machining of larger diameter wafers while reducing process time and wear of the pad conditioner.
본 발명에서:In the present invention:
"세공 크기 불균일도"는 세공 크기 평균의 표준 편차를 평균 세공 크기로 나누고 100을 곱한 것을 말한다."Pore size non-uniformity" refers to the standard deviation of the pore size average divided by the average pore size and multiplied by 100.
용어 "폴리우레탄"은 임의의 조합의 하나 초과의 우레탄 결합(-NH-C(O)-O-), 우레아 결합(-NH-C(O)-NH- 또는 -NH-C(O)-N(R)-, 여기서 R은 수소, 지방족, 지환족 또는 방향족 기일 수 있음), 뷰렛, 알로파네이트, 우렛다이온, 또는 아이소시아누레이트 결합을 가진 중합체를 말한다.The term "polyurethane" refers to any combination of more than one urethane bond (-NH-C (O) -O-), a urea bond (-NH-C (O) -NH- or -NH- N (R) -, where R may be a hydrogen, aliphatic, alicyclic or aromatic group), biuret, allophanate, uretdione, or isocyanurate linkages.
용어 "(메트)아크릴레이트"는, 우레탄 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 및 아크릴레이트와 메타크릴레이트의 조합을 포함할 수 있는 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 말한다.The term "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, which may include urethane acrylate, methacrylate, and combinations of acrylate and methacrylate.
용어 "중합체성"은 낮은 상대 분자 질량의 분자로부터 유도된 단위가 여러번 반복되는 구조를 가진 분자를 말한다. 용어 "중합체성"은 "올리고머성"을 포함한다.The term "polymeric" refers to a molecule having a structure in which units derived from molecules of low relative molecular mass are repeated many times. The term "polymeric" includes "oligomeric ".
부정관사("a", "an") 및 정관사("the")와 같은 용어는 단수만을 말하고자 하는 것이 아니며, 예시를 위해 사용될 수 있는 구체적 예의 일반 부류를 포함한다. 용어 부정관사 및 정관사는 용어 "적어도 하나"와 상호교환적으로 사용된다.Terms such as " a ", "an ", and" the "are intended to be non-exhaustive and include a generic class of specific examples that may be used for illustration. The terms indefinite article and definite article are used interchangeably with the term "at least one ".
목록이 뒤따르는 어구 "~ 중 적어도 하나" 및 "~ 중 적어도 하나를 포함한다"는 목록 내의 항목 중 어느 하나 및 목록 내의 둘 이상의 항목의 임의의 조합을 말한다.The phrase " includes at least one of " and "includes at least one of" refers to any combination of items within the list and from two or more items in the list.
모든 수치 범위는 달리 표시되지 않으면 그들의 종점 및 종점 사이의 정수가 아닌 값을 포함한다.All numerical ranges include non-integer values between their endpoints and endpoints unless otherwise indicated.
본 개시 내용의 예시적인 실시 형태의 다양한 태양 및 장점에 대해 요약하였다. 상기의 발명의 내용은 본 발명의 각각의 예시된 실시 형태 또는 모든 구현예를 개시하고자 하는 것은 아니다. 이하의 도면 및 상세한 설명은 본 발명의 일부 실시 형태를 보다 구체적으로 예시한다.Various aspects and advantages of exemplary embodiments of the present disclosure have been summarized. It is not intended to disclose each of the illustrated embodiments or all implementations of the invention. The following drawings and detailed description more particularly illustrate some embodiments of the invention.
본 발명의 예시적인 실시 형태가 첨부 도면을 참조하여 추가로 설명된다.
<도 1a 및 도 1b>
도 1a 및 도 1b는 각각 종래 기술의 다공성 연마 패드의 단면 및 평면 현미경사진.
<도 2>
도 2는 본 발명에 따른 연마 패드의 일 실시 형태의 개략 측면도.
<도 3>
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 돌출 연마 요소를 가진 연마 패드의 측면도.
<도 4>
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 돌출 연마 요소를 가진 연마 패드의 측면도.
<도 5a 및 도 5b>
도 5a 및 도 5b는 각각 본 발명에 따른 연마 층을 형성하는 데 유용한 실시예 2의 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진.
<도 6a 및 도 6b>
도 6a 및 도 6b는 각각 비교예 3의 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진.
<도 7a 및 도 7b>
도 7a 및 도 7b는 각각 본 발명에 따른 연마 층을 형성하는 데 유용한 실시예 15의 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진.
<도 8>
도 8은 본 발명에 따른 연마 층을 형성하는 데 유용한 실시예 11의 경화된 조성물의 단면 현미경사진.
도면에서 유사한 참조 번호는 유사한 요소를 나타낸다. 본 명세서의 도면은 축척대로 도시되어 있지 않고, 도면에서 연마 패드의 구성요소는 선택된 특징부를 강조하도록 크기가 설정되어 있다.Exemplary embodiments of the present invention are further described with reference to the accompanying drawings.
1A and 1B,
Figures 1a and 1b are cross-sectional and plan view micrographs of a porous polishing pad of the prior art, respectively.
2,
2 is a schematic side view of one embodiment of a polishing pad according to the present invention.
3,
3 is a side view of a polishing pad with a protruding abrasive element according to another embodiment of the present invention.
<Fig. 4>
4 is a side view of a polishing pad with a protruding abrasive element according to another embodiment of the present invention.
5A and 5B,
Figures 5A and 5B are cross-sectional and plan view micrographs of the cured composition of Example 2 useful for forming the abrasive layer according to the present invention.
6A and 6B,
6A and 6B are cross-sectional and plan-view micrographs of the cured composition of Comparative Example 3, respectively.
7A and 7B,
Figures 7a and 7b are cross-sectional and plan view micrographs of the cured composition of Example 15 useful for forming the abrasive layer according to the present invention.
8,
8 is a cross-sectional micrograph of the cured composition of Example 11 useful for forming an abrasive layer in accordance with the present invention.
Like numbers refer to like elements in the drawings. The drawings herein are not drawn to scale, and the components of the polishing pad in the figures are sized to emphasize the selected features.
전형적인 CMP 패드는 세공을 가진 열경화성(예를 들어, 폴리우레탄) 재료로부터 제작된다. 세공은 마이크로벌룬(microballoon), 가용성 섬유, (예를 들어, 현장에서 또는 현장 밖에서 생성된) 기체 포획, 및 물리적 공기 포획과 같은 다양한 방법을 이용하여 생성될 수 있다. 세공 크기, 세공 부피, 및 패드에 걸친 세공 분포의 제어는, 이들 방법을 이용할 경우 중합 동안 생성되는 온도 구배, 성형 작업으로부터 야기되는 스킨/코어 효과, 섬유의 분포, 가용성 섬유의 용해 속도, 및 연마 화학물질로 인하여 어려울 수 있다.Typical CMP pads are made from thermosetting (e.g., polyurethane) materials with pores. The pores may be created using a variety of methods, such as microballoon, soluble fibers, gas capture (e.g., generated in situ or off-site), and physical air capture. Control of the pore size, pore volume, and pore distribution across the pad can be controlled by the temperature gradient created during the polymerization, the skin / core effect resulting from the molding operation, the distribution of the fibers, the rate of dissolution of the soluble fibers, It can be difficult due to chemicals.
일부 구매가능한 CMP 패드는 아이소시아네이트 수지의 열 경화 동안 생성된 개방 셀 패드 구성을 갖는다. 도 1은 미국 펜실베니아주 피츠버그 소재의 피피지 인더스트리즈(PPG Industries)로부터 상표명 "S7"로 입수가능한 상업적으로 제조된 개방 셀 CMP 패드의 단면도와 평면도를 보여준다. 도 1에 나타난 바와 같이, 이 패드 내의 세공의 크기, 형상, 및 분포는 제어되어 있지 않다.Some commercially available CMP pads have an open cell pad configuration created during thermal curing of the isocyanate resin. Figure 1 shows a cross-sectional view and a top view of a commercially prepared open-cell CMP pad available from PPG Industries of Pittsburgh, Pa. Under the trade designation "S7 ". As shown in Fig. 1, the size, shape, and distribution of the pores in this pad are not controlled.
본 발명은, 전형적으로 폐쇄 셀 세공이 제어된 크기와 균일도를 가지고서 형성된 개선된 다공성 연마 패드에 관한 것이다. 본 발명의 다양한 예시적인 실시 형태가 이제 설명될 것이다. 본 발명의 예시적인 실시 형태는 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고 다양한 수정 및 변경을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 형태는 하기에 설명된 예시적인 실시 형태로 제한되어서는 안되며, 특허청구범위에 기재된 한정 및 그의 임의의 등가물에 의해 제한되어야 함을 이해하여야 한다.The present invention is directed to an improved porous polishing pad typically formed with closed cell pores having a controlled size and uniformity. Various illustrative embodiments of the present invention will now be described. The exemplary embodiments of the present invention may have various modifications and changes without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, it is to be understood that the embodiments of the present invention should not be limited to the exemplary embodiments described below, but should be limited by the limitations set forth in the claims and any equivalents thereof.
이제 도 2를 참조하면, 다공성 연마 패드(2a)는 컴플라이언트 층(10a) 및 컴플라이언트 층의 일면(즉, 하나의 주요 표면) 상에 배치된 다공성 연마 층(12a)을 포함한다. 다공성 연마 층(12a)과 컴플라이언트 층(10a) 사이에는 본 발명의 다공성 연마 패드 및 방법의 일부 실시 형태에 유용한, 선택적인 지지 층(8a)이 개재된다. 다공성 연마 층은 가교결합된 네트워크, 가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자, 및 가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공을 포함한다. 연마 패드의 성분이 연마 동안 제거되어 (예를 들어, 부식 또는 용해에 의해) 공극을 형성하는 연마 패드 및 방법과는 대조적으로, 본 발명에 따른 연마 패드는 연마 공정이 시작되기 전에 다공성이다.Referring now to Fig. 2,
연마 층 내의 예시적인 중합체 입자는 열가소성 중합체 입자, 열경화성 중합체 입자, 및 그의 혼합물을 포함할 수 있다. 용어 "열가소성 중합체"는, 본질적으로 가교결합되지 않으며 본질적으로 3차원 네트워크를 형성하지 않는 중합체성 재료를 말한다. 용어 "열경화성"은, 적어도 실질적으로 가교결합되는 중합체를 말하는데, 여기서 상기 중합체는 본질적으로 3차원 네트워크를 갖는다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 가열시에 입자의 소결이 최소이도록 선택될 수 있다(즉, 중합체 입자의 경계에서 소성 유동이 최소이며, 본 발명의 연마 패드 내의 중합체 입자의 입자들 사이에서 응집이 거의 내지는 전혀 없다). 일부 실시 형태에서, 패드의 중합체 입자가 미립자 열가소성 중합체를 포함할 경우, 연마 패드는 미립자 열가소성 중합체의 용융 또는 소결 점 미만에서 제조될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 중합체 입자는 열경화성 중합체를 포함한다.Exemplary polymer particles within the abrasive layer may comprise thermoplastic polymer particles, thermoset polymer particles, and mixtures thereof. The term "thermoplastic polymer " refers to a polymeric material that is not inherently cross-linked and does not essentially form a three-dimensional network. The term "thermosetting" refers to a polymer that is at least substantially crosslinked, wherein the polymer has essentially a three-dimensional network. In some embodiments, the polymer particles can be selected to minimize sintering of the particles upon heating (i.e., plastic flow is minimal at the interface of the polymer particles, and aggregation between particles of the polymer particles in the polishing pad of the present invention Almost nothing at all). In some embodiments, when the polymer particles of the pad comprise a particulate thermoplastic polymer, the polishing pad may be produced below the melting or sintering point of the particulate thermoplastic polymer. In another embodiment, the polymeric particles comprise a thermosetting polymer.
본 발명의 실시에 유용한 중합체 입자는 다양한 방법(예를 들어, 축합 반응, 자유 라디칼 개시 반응, 또는 그의 조합)에 의해 제조될 수 있다. 또 다른 실시 형태에서, 중합체는 단계적 또는 동시 축합 및 자유 라디칼 중합 반응에 의해 형성된 상호침투 중합체 네트워크를 포함할 수 있다. 본 발명에서, 용어 "상호침투 중합체 네트워크(IPN)"는 둘 모두가 네트워크 형태인 2가지 중합체의 조합으로서, 적어도 하나의 중합체는 다른 하나가 존재하는 즉시 합성 또는 가교결합되는 것을 지칭한다. 전형적으로 IPN에서, 두 중합체들 사이에는 유도된 공유 결합이 없다. 따라서, 기계적 블렌딩과 공중합에 더하여, IPN은 상이한 중합체가 물리적으로 조합될 수 있게 하는 다른 메커니즘을 나타낸다.Polymer particles useful in the practice of the present invention may be prepared by a variety of methods (e. G., Condensation, free radical initiation, or a combination thereof). In yet another embodiment, the polymer may comprise interpenetrating polymer networks formed by stepwise or simultaneous condensation and free radical polymerization reactions. In the present invention, the term " interpenetrating polymer network (IPN) "refers to a combination of two polymers, both of which are in network form, wherein at least one polymer is instantly synthesized or cross-linked with the other being present. Typically in IPN, there is no induced covalent bond between the two polymers. Thus, in addition to mechanical blending and copolymerization, IPN represents another mechanism by which different polymers can be physically combined.
중합체 입자는 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 벌크 중합체는 극저온에 의해 분쇄되고 원하는 입자 크기 범위로 분류될 수 있다. 중합체 입자의 형상은 규칙적이거나 불규칙적일 수 있으며, 구, 섬유, 디스크, 플레이크, 및 그의 조합 또는 혼합인 형상을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 실질적으로 구형이다. 용어 "실질적으로 구형"은 구형도가 0.75 이상(일부 실시 형태에서, 0.8, 0.85, 0.9, 0.95, 0.96, 0.97, 또는 0.98 이상)인 입자를 말한다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 섬유이다. 본 발명을 실시하는 데 유용한 섬유는 전형적으로 종횡비(즉, 최단 치수에 대한 최장 치수)가 1.5:1 이상, 예를 들어 2:1, 3:1, 4:1, 5:1, 10:1, 25:1, 50:1, 75:1, 100:1 이상, 또는 그 이상이다. 본 발명의 실시에 유용한 섬유는 종횡비가 2:1 내지 100:1, 5:1 내지 75:1, 또는 10:1 내지 50:1 범위일 수 있다.The polymer particles can be prepared by various methods. In some embodiments, the bulk polymer may be crushed by cryogenic temperatures and classified into the desired particle size range. The shape of the polymer particles may be regular or irregular and may include shapes such as spheres, fibers, discs, flakes, and combinations or blends thereof. In some embodiments, the polymer particles are substantially spherical. The term "substantially spherical" refers to particles having a sphericity of 0.75 or greater (in some embodiments, 0.8, 0.85, 0.9, 0.95, 0.96, 0.97, or 0.98 or greater). In some embodiments, the polymer particles are fibers. Fibers useful in practicing the present invention typically have an aspect ratio (i.e., the longest dimension to the shortest dimension) of at least 1.5: 1, such as 2: 1, 3: 1, 4: 1, 5: , 25: 1, 50: 1, 75: 1, 100: 1 or more, or more. The fibers useful in the practice of the present invention may have an aspect ratio ranging from 2: 1 to 100: 1, from 5: 1 to 75: 1, or from 10: 1 to 50: 1.
일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 평균 입자 크기가 5 마이크로미터 이상(일부 실시 형태에서, 7, 10, 15, 20, 25, 30, 40, 또는 50 이상)일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 평균 입자 크기가 최대 500 (일부 실시 형태에서, 최대 400, 300, 200, 또는 100) 마이크로미터일 수 있다. 입자 크기는 일반적으로 입자의 직경을 말하지만, 입자가 구형이 아닌 실시 형태(예를 들어, 섬유)에서는, 입자 크기는 입자의 최장 치수를 말할 수 있다. 중합체 입자의 평균 입자 크기는 종래 방법에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 중합체 입자의 평균 입자 크기는 벡크만 코울터 인코포레이티드(Beckman Coulter Incorporated)에서 제조되고 그로부터 구매가능한 코울터 LS 입자 크기 분석기와 같은, 광 산란 기술을 이용하여 측정할 수 있다. 본 명세서와 특허청구범위에서 사용되는 바와 같이, "입자 크기"는 코울터 카운터 LS 입자 크기 분석기를 이용한 광 산란에 의해 측정할 때 부피%를 기준으로 한 입자의 직경 또는 최장 치수를 말한다. 이러한 광 산란 기술에서, 크기는 입자의 실제 형상에 관계없이 유체역학적 회전반경으로부터 측정된다. "평균" 입자 크기는 부피%를 기준으로 한 입자의 평균 직경이다. 일부 실시 형태에서, 특히 입자가 섬유인 실시 형태에서, 종래의 스크리닝 기술에 의해 측정할 때, 섬유는 최대 입자 크기가 최대 약 600, 500, 또는 450 마이크로미터(30, 35, 또는 40 U. S. 메쉬)이다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 섬유의 97, 98, 또는 99% 이상이 600, 500, 또는 400 마이크로미터(30, 35, 또는 40 U.S. 메쉬)의 개구를 가진 스크린을 통과한다.In some embodiments, the polymer particles may have an average particle size of at least 5 micrometers (in some embodiments, 7, 10, 15, 20, 25, 30, 40, or 50 or more). In some embodiments, the polymer particles may have a mean particle size of up to 500 micrometers (in some embodiments, up to 400, 300, 200, or 100). Particle size generally refers to the particle diameter, but in an embodiment where the particle is not spherical (e.g., fibers), the particle size can refer to the longest dimension of the particle. The average particle size of the polymer particles can be measured by a conventional method. For example, the average particle size of the polymer particles can be measured using a light scattering technique, such as the Coulter LS particle size analyzer, available from Beckman Coulter Incorporated and available from. As used herein and in the claims, "particle size" refers to the diameter or the longest dimension of a particle based on volume%, as measured by light scattering using a Coulter counter LS particle size analyzer. In this light scattering technique, the size is measured from the hydrodynamic radius of rotation regardless of the actual shape of the particles. The "average" particle size is the average diameter of the particles based on volume%. In some embodiments, particularly those in which the particles are fibers, the fibers have a maximum particle size of at most about 600, 500, or 450 micrometers (30, 35, or 40 US mesh) when measured by conventional screening techniques, to be. For example, in some embodiments, at least 97, 98, or 99% of the fibers pass through a screen having openings of 600, 500, or 400 micrometers (30, 35, or 40 U.S. mesh).
일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 높은 균일도를 갖는다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자 크기의 불균일도는 최대 75(일부 실시 형태에서, 최대 70, 65, 60, 65, 또는 50)%이다. 입자 크기 불균일도는 입자 크기 표준 편차를 평균 입자 크기로 나누고 100을 곱한 것을 말한다.In some embodiments, the polymer particles have high uniformity. In some embodiments, the non-uniformity of the polymer particle size is at most 75 (in some embodiments, at most 70, 65, 60, 65, or 50%). Particle size non-uniformity refers to dividing the particle size standard deviation by the average particle size and multiplying by 100.
일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 실질적으로 중실이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "실질적으로 중실"은 미립자 중합체가 중공이 아니며, 예를 들어 중합체 입자가 중공 미세캡슐 형태가 아님을 의미한다. 그러나, 일부 실시 형태에서, 실질적으로 중공인 중합체 입자는 포획된 기포를 함유할 수 있다.In some embodiments, the polymer particles are substantially solid. As used herein, the term "substantially solid" means that the particulate polymer is not hollow, e.g., the polymer particles are not in the form of a hollow microcapsule. However, in some embodiments, the substantially hollow polymer particles may contain entrapped bubbles.
적합한 중합체 입자에는 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리에테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리에폭사이드, 폴리스티렌, 폴리이미드(예를 들어, 폴리에테르이미드), 폴리설폰 및 그의 혼합물이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리에폭사이드 및 그의 혼합물로부터 선택될 수 있다.Suitable polymer particles include but are not limited to polyvinyl chloride, polyvinyl fluoride, polyethylene, polypropylene, nylon, polycarbonate, polyester, poly (meth) acrylate, polyether, polyamide, polyurethane, polyepoxide, polystyrene , Polyimides (e.g., polyetherimides), polysulfone, and mixtures thereof. In some embodiments, the polymer particles can be selected from poly (meth) acrylates, polyurethanes, polyepoxides, and mixtures thereof.
일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 수용성 입자를 포함한다. 예시적인 유용한 수용성 입자에는 당류(예를 들어, 덱스트린, 사이클로덱스트린, 전분, 만니톨, 및 락토스와 같은 다당류), 셀룰로오스(예를 들어, 하이드록시프로필셀룰로오스 및 메틸셀룰로오스), 단백질, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리에틸렌 옥사이드, 수용성 감광 수지, 설폰화 폴리아이소프렌, 설폰화 폴리아이소프렌 공중합체, 및 이들의 임의의 조합으로 제조된 입자가 포함된다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 셀룰로오스를 포함한다. 이들 실시 형태 중 일부에서, 중합체 입자는 메틸셀룰로오스를 포함한다. 이들 실시 형태에서 중합체 입자는 수용성 입자를 포함하더라도, 중합체 입자는 연마 층이 형성될 때 연마 층에 세공을 형성할 수 있다. 연마 동안 입자를 용해시킬 수 있는 작업 액체는 세공 형성에 필요하지 않다.In some embodiments, the polymer particles comprise water-soluble particles. Exemplary useful water-soluble particles include sugars (e.g., polysaccharides such as dextrin, cyclodextrin, starch, mannitol, and lactose), cellulose (e.g., hydroxypropylcellulose and methylcellulose), proteins, polyvinylalcohol, poly Vinyl pyrrolidone, polyacrylic acid, polyethylene oxide, water-soluble photosensitive resin, sulfonated polyisoprene, sulfonated polyisoprene copolymer, and particles made of any combination thereof. In some embodiments, the polymer particles comprise cellulose. In some of these embodiments, the polymeric particles comprise methylcellulose. In these embodiments, even though the polymer particles include water-soluble particles, the polymer particles can form pores in the abrasive layer when the abrasive layer is formed. Working liquids capable of dissolving particles during polishing are not required for pore formation.
일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 폴리우레탄을 포함하며, 폴리우레탄은, 예를 들어 적어도 2개의 아이소시아네이트 기, 및/또는 적어도 2개의 캡핑된 아이소시아네이트 기를 가진 캡핑된 아이소시아네이트 반응물을 포함하는 수지; 및 아이소시아네이트 기와 반응성인 적어도 2개의 기를 가진 제2 수지로부터 제조될 수 있다.In some embodiments, the polymer particles comprise a polyurethane, wherein the polyurethane includes, for example, a resin comprising a capped isocyanate reactant having at least two isocyanate groups and / or at least two capped isocyanate groups; And a second resin having at least two groups reactive with the isocyanate group.
일부 실시 형태에서, 제1 및 제2 수지는 함께 혼합되고 중합되거나 경화되어 벌크 폴리우레탄을 형성할 수 있으며, 이는 그 후 분쇄되고(예를 들어, 극저온으로 분쇄됨), 선택적으로 분류될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 제1 및 제2 수지를 함께 혼합하고, 혼합물을 교반 하에서 (선택적으로 유기 공용매 및/또는 계면활성제의 존재 하에서) 가열된 탈이온수 내로 천천히 붓고, 형성된 미립자 재료를 (예를 들어, 여과에 의해) 단리하고, 단리된 미립자 재료를 건조시키고, 선택적으로 건조된 미립자 폴리우레탄을 분류함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 아이소시아네이트와 수소 재료는 유기 용매(예를 들어, 알코올, 수불용성 에테르, 분지형 및 직쇄 탄화수소, 케톤, 톨루엔, 자일렌 및 그의 혼합물)의 존재 하에서 함께 혼합될 수 있다.In some embodiments, the first and second resins may be mixed together and polymerized or cured to form a bulk polyurethane, which is then pulverized (e.g., pulverized at a cryogenic temperature) and optionally classified . In some embodiments, the polymer particles are prepared by polymerizing the first and second resins together, slowly pouring the mixture into heated deionized water (optionally in the presence of an organic co-solvent and / or a surfactant) with stirring, (E. G., By filtration), drying the isolated particulate material, and optionally separating the dried particulate polyurethane. In another embodiment, the isocyanate and hydrogen material may be mixed together in the presence of an organic solvent (e.g., an alcohol, a water-insoluble ether, a branched and straight chain hydrocarbon, a ketone, toluene, xylene, and mixtures thereof).
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 포함하는 제1 수지는 아이소시아네이트 작용성 단량체, 아이소시아네이트 작용성 예비중합체 및 그의 조합으로부터 선택될 수 있다. 예시적인 적합한 아이소시아네이트 단량체에는 지방족 폴리아이소시아네이트; 에틸렌계 불포화 폴리아이소시아네이트; 지환족 폴리아이소시아네이트; 아이소시아네이트 기가 방향족 고리에 직접 결합되지 않은 방향족 폴리아이소시아네이트, 예를 들어 알파,알파'-자일렌 다이아이소시아네이트; 아이소시아네이트 기가 방향족 고리에 직접 결합된 방향족 폴리아이소시아네이트, 예를 들어 벤젠 다이아이소시아네이트; 이들 폴리아이소시아네이트의 할로겐화, 알킬화, 알콕실화, 질산화, 카르보다이이미드 개질된, 우레아 개질된, 및 뷰렛 개질된 유도체; 및 이들 폴리아이소시아네이트의 이량체화 및 삼량체화 생성물이 포함된다.In some embodiments, the first resin comprising at least two isocyanate groups may be selected from an isocyanate functional monomer, an isocyanate functional prepolymer, and combinations thereof. Exemplary suitable isocyanate monomers include aliphatic polyisocyanates; Ethylenically unsaturated polyisocyanate; Alicyclic polyisocyanate; Aromatic polyisocyanates in which the isocyanate group is not directly bonded to the aromatic ring, such as alpha, alpha '-xylene diisocyanate; Aromatic polyisocyanates in which an isocyanate group is directly bonded to an aromatic ring, such as benzene diisocyanate; Halogenation, alkylation, alkoxylation, nitrification, carbodiimide-modified, urea-modified, and burette-modified derivatives of these polyisocyanates; And dimerization and trimerization products of these polyisocyanates.
예시적인 지방족 폴리아이소시아네이트에는 에틸렌 다이아이소시아네이트, 트라이메틸렌 다이아이소시아네이트, 테트라메틸렌 다이아이소시아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소시아네이트, 옥타메틸렌 다이아이소시아네이트, 노나메틸렌 다이아이소시아네이트, 2,2'-다이메틸펜탄 다이아이소시아네이트, 2,2,4-트라이메틸헥산 다이아이소시아네이트, 데카메틸렌 다이아이소시아네이트, 2,4,4,-트라이메틸헥사메틸렌 다이아이소시아네이트, 1,6,1-운데칸트라이아이소시아네이트, 1,3,6-헥사메틸렌 트라이아이소시아네이트, 1,8-다이아이소시아나토-4-(아이소시아나토메틸)옥탄, 2,5,7-트라이메틸-1,8-다이아이소시아나토-5-(아이소시아나토메틸)옥탄, 비스(아이소시아나토에틸)-카르보네이트, 비스(아이소시아나토에틸)에테르, 2-아이소시아나토프로필-2,6-다이아이소시아나토헥사노에이트, 라이신다이아이소시아네이트 메틸 에스테르, 라이신트라이아이소시아네이트 메틸 에스테르 및 그의 혼합물이 포함된다.Exemplary aliphatic polyisocyanates include ethylene diisocyanate, trimethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, octamethylene diisocyanate, nonamethylene diisocyanate, 2,2'-dimethylpentane diisocyanate, 2,2'- Tetramethylhexane diisocyanate, decamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,6,1-undecane diisocyanate, 1,3,6-hexamethylene triisocyanate, Diisocyanatomethyl) octane, bis (isocyanoatomethyl) octane, 2,5,7-trimethyl-1,8-diisocyanato-5- Ethyl) -carbonate, bis (isocyanatoethyl) ether, 2-isocyanatopropyl-2,6-di Isocyanato hexanoate, lysine diisocyanate include methyl ester, lysine tri-isocyanate methyl ester, and mixtures thereof.
예시적인 적합한 에틸렌계 불포화 폴리아이소시아네이트에는 부텐 다이아이소시아네이트 및 1,3-부타다이엔-1,4-다이아이소시아네이트가 포함될 수 있다. 예시적인 적합한 지환족 폴리아이소시아네이트에는 아이소포론 다이아이소시아네이트, 사이클로헥산 다이아이소시아네이트, 메틸사이클로헥산 다이아이소시아네이트, 비스(아이소시아나토메틸)사이클로헥산, 비스(아이소시아나토사이클로헥실)메탄, 비스(아이소시아나토사이클로헥실)-2,2-프로판, 비스(아이소시아나토사이클로헥실)-1,2-에탄, 2-아이소시아나토메틸-3-(3-아이소시아나토프로필)-5-아이소시아나토메틸-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-3-(3-아이소시아나토프로필)-6-아이소시아나토메틸-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-2-(3-아이소시아나토프로필)-5-아이소시아나토메틸-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-2-(3-아이소시아나토프로필)-6-아이소시아나토메틸-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-3-(3-아이소시아나토프로필)-6-(2-아이소시아나토에틸)-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-2-(3-아이소시아나토프로필)-5-(2-아이소시아나토에틸)-바이사이클로[2.2.1]-헵탄, 2-아이소시아나토메틸-2-(3-아이소시아나토프로필)-6-(2-아이소시아나토에틸)-바이사이클로[2.2.1]-헵탄 및 그의 혼합물이 포함된다.Exemplary suitable ethylenically unsaturated polyisocyanates include butene diisocyanate and 1,3-butadien-1,4-diisocyanate. Exemplary suitable alicyclic polyisocyanates include isophorone diisocyanate, cyclohexane diisocyanate, methyl cyclohexane diisocyanate, bis (isocyanatomethyl) cyclohexane, bis (isocyanatocyclohexyl) methane, bis (Isocyanatocyclohexyl) -1,2-ethane, 2-isocyanatomethyl-3- (3-isocyanatopropyl) -5-isocyanatomethyl-bis Isocyanatomethyl-bicyclo [2.2.1] -heptane, 2-isocyanatomethyl-3- (3-isocyanatopropyl) Isocyanatomethyl-bicyclo [2.2.1] -heptane, 2-isocyanatomethyl-2- (3-isocyanatopropyl) -6- Isocyanatomethyl-bicyclo [2.2.1] -heptane, 2-isocyante Isocyanatomethyl-2- (3-isocyanatopropyl) -6- (2-isocyanatoethyl) -bicyclo [2.2.1] Isocyanatomethyl-2- (3-isocyanatopropyl) -6- (2-isocyanatoethyl) -bicyclo [2.2.1] Ethyl) -bicyclo [2.2.1] -heptane and mixtures thereof.
아이소시아네이트 기가 방향족 고리에 직접 결합되지 않는 예시적인 방향족 폴리아이소시아네이트에는 비스(아이소시아나토에틸)벤젠, 알파, 알파, 알파', 알파'-테트라메틸자일렌 다이아이소시아네이트, 1,3-비스(1-아이소시아나토-1-메틸에틸)벤젠, 비스(아이소시아나토부틸)벤젠, 비스(아이소시아나토메틸)나프탈렌, 비스(아이소시아나토메틸)다이페닐 에테르, 비스(아이소시아나토에틸)프탈레이트, 메시틸렌 트라이아이소시아네이트, 2,5-다이(아이소시아나토메틸)푸란 및 그의 혼합물이 포함된다.Exemplary aromatic polyisocyanates in which the isocyanate group is not directly bonded to the aromatic ring include bis (isocyanatoethyl) benzene, alpha, alpha, alpha ', alpha' -tetramethyl xylene diisocyanate, (Isocyanatoethyl) benzene, bis (isocyanatomethyl) naphthalene, bis (isocyanatomethyl) diphenyl ether, bis (isocyanatoethyl) Tylene triisocyanate, 2,5-di (isocyanatomethyl) furan, and mixtures thereof.
방향족 고리에 직접 결합된 아이소시아네이트 기를 가진 예시적인 적합한 방향족 폴리아이소시아네이트에는 페닐렌 다이아이소시아네이트, 에틸페닐렌 다이아이소시아네이트, 아이소프로필페닐렌 다이아이소시아네이트, 다이메틸페닐렌 다이아이소시아네이트, 다이에틸페닐렌 다이아이소시아네이트, 다이아이소프로필페닐렌 다이아이소시아네이트, 트라이메틸벤젠 트라이아이소시아네이트, 벤젠 트라이아이소시아네이트, 나프탈렌 다이아이소시아네이트, 메틸나프탈렌 다이아이소시아네이트, 바이페닐 다이아이소시아네이트, 오르토-톨리딘 다이아이소시아네이트, 4,4'-다이페닐메탄 다이아이소시아네이트, 비스(3-메틸-4-아이소시아나토페닐)메탄, 비스(아이소시아나토페닐)에틸렌, 3,3'-다이메톡시-바이페닐-4,4'-다이아이소시아네이트, 트라이페닐메탄 트라이아이소시아네이트, 중합체성 4,4'-다이페닐메탄 다이아이소시아네이트, 나프탈렌 트라이아이소시아네이트, 다이페닐메탄-2,4,4'-트라이아이소시아네이트, 4-메틸다이페닐메탄-3,5,2',4',6'-펜타아이소시아네이트, 다이페닐에테르 다이아이소시아네이트, 비스(아이소시아나토페닐에테르)에틸렌글리콜, 비스(아이소시아나토페닐에테르)-1,3-프로필렌글리콜, 벤조페논 다이아이소시아네이트, 카르바졸 다이아이소시아네이트, 에틸카르바졸 다이아이소시아네이트, 다이클로로카르바졸 다이아이소시아네이트 및 그의 혼합물이 포함된다.Exemplary suitable aromatic polyisocyanates having an isocyanate group directly bonded to the aromatic ring include, but are not limited to, phenylene diisocyanate, ethylphenylene diisocyanate, isopropylphenylene diisocyanate, dimethylphenylene diisocyanate, diethylphenylene diisocyanate, diisophenylene diisocyanate, Propylene diisocyanate, trimethyl benzene triisocyanate, benzene triisocyanate, naphthalene diisocyanate, methyl naphthalene diisocyanate, biphenyl diisocyanate, ortho-tolidine diisocyanate, 4,4'-diphenyl methane diisocyanate, Bis (isocyanatophenyl) ethylene, 3,3'-dimethoxy-biphenyl-4,4'-diisocyanate, tri Nyl methane triisocyanate, polymeric 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, naphthalene triisocyanate, diphenylmethane-2,4,4'-triisocyanate, 4-methyldiphenylmethane- 2 ', 4', 6'-pentaisocyanate, diphenyl ether diisocyanate, bis (isocyanatophenyl ether) ethylene glycol, bis (isocyanatophenyl ether) -1,3-propylene glycol, benzophenone diisocyanate , Carbazole diisocyanate, ethyl carbazole diisocyanate, dichlorocarbazole diisocyanate, and mixtures thereof.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 포함하는 제1 수지는 알파, 알파'-자일렌 다이아이소시아네이트, 알파, 알파, 알파', 알파'-테트라메틸자일렌 다이아이소시아네이트, 아이소포론 다이아이소시아네이트, 비스(아이소시아나토사이클로헥실)메탄, 톨루엔 다이아이소시아네이트, 4,4'-다이페닐메탄 다이아이소시아네이트, 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the first resin comprising at least two isocyanate groups is selected from the group consisting of alpha, alpha '-xylene diisocyanate, alpha, alpha, alpha', alpha '-tetramethyl xylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, bis (Isocyanatocyclohexyl) methane, toluene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, and mixtures thereof.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가진 제1 수지는 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체를 포함할 수 있다. 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체는 다양한 종래 기술에 의해 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 다이올과 같은 적어도 하나의 폴리올, 및 다이아이소시아네이트 단량체와 같은 적어도 하나의 아이소시아네이트 작용성 단량체는 함께 반응되어 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가진 폴리우레탄 예비중합체를 형성할 수 있다. 예시적인 적합한 아이소시아네이트 작용성 단량체에는 전술한 아이소시아네이트 작용성 단량체가 포함된다.In some embodiments, the first resin having at least two isocyanate groups may comprise an isocyanate functional polyurethane prepolymer. The isocyanate functional polyurethane prepolymer can be prepared by various conventional techniques. In some embodiments, at least one polyol, such as a diol, and at least one isocyanate functional monomer, such as a diisocyanate monomer, may be reacted together to form a polyurethane prepolymer having at least two isocyanate groups. Exemplary suitable isocyanate functional monomers include the abovementioned isocyanate functional monomers.
본 발명의 실시에 유용한 적합한 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체는 분자량이 넓은 범위 내에서 변할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체는 수평균 분자량(Mn)이, 예를 들어 폴리스티렌 표준물을 이용한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정될 때, 500 내지 15,000, 또는 500 내지 5000일 수 있다.Suitable isocyanate functional polyurethane prepolymers useful in the practice of the present invention may vary within wide ranges of molecular weight. In some embodiments, the isocyanate functional polyurethane prepolymer has a number average molecular weight (Mn) of from 500 to 15,000, or from 500 to 15,000, as measured by gel permeation chromatography (GPC) using, for example, polystyrene standards. 5000.
아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체의 제조에 유용한 예시적인 폴리올에는 직쇄 또는 분지쇄 알칸 폴리올, 예를 들어 1,2-에탄다이올, 1,3-프로판다이올, 1,2-프로판다이올, 1,4-부탄다이올, 1,3-부탄다이올, 글리세롤, 네오펜틸 글리콜, 트라이메틸올에탄, 트라이메틸올프로판, 다이-트라이메틸올프로판, 에리트리톨, 펜타에리트리톨 및 다이-펜타에리트리톨; 폴리알킬렌 글리콜, 예를 들어 다이-, 트라이-, 및 테트라에틸렌 글리콜, 및 다이-, 트라이- 및 테트라프로필렌 글리콜; 환형 알칸 폴리올, 예를 들어 사이클로펜탄다이올, 사이클로헥산다이올, 사이클로헥산트라이올, 사이클로헥산다이메탄올, 하이드록시프로필사이클로헥산올 및 사이클로헥산다이에탄올; 방향족 폴리올, 예를 들어 다이하이드록시벤젠, 벤젠트라이올, 하이드록시벤질 알코올 및 다이하이드록시톨루엔; 비스페놀, 예를 들어 4,4'-아이소프로필리덴다이페놀 (비스페놀 A); 4,4'-옥시비스페놀, 4,4'-다이하이드록시벤조페논, 4,4'-티오비스페놀, 페놀프탈레인, 비스(4-하이드록시페닐)메탄 (비스페놀 F), 4,4'-(1,2-에텐다이일)비스페놀 및 4,4'-설포닐비스페놀; 할로겐화 비스페놀, 예를 들어 4,4'-아이소프로필리덴비스(2,6-다이브로모페놀), 4,4'-아이소프로필리덴비스(2,6-다이클로로페놀) 및 4,4'-아이소프로필리덴비스(2,3,5,6-테트라클로로페놀); 알콕실화 비스페놀, 예를 들어 에톡시, 프로폭시, 알파-부톡시 및 베타-부톡시 기와 같은 하나 이상의 알콕시 기를 가진 알콕실화 4,4'-아이소프로필리덴다이페놀; 및 4,4'-아이소프로필리덴-비스사이클로헥산올, 4,4'-옥시비스사이클로헥산올, 4,4'-티오비스사이클로헥산올 및 비스(4-하이드록시사이클로헥산올)메탄과 같은 상응하는 비스페놀을 수소화시켜 제조될 수 있는 비스사이클로헥산올이 포함된다.Exemplary polyols useful in preparing isocyanate functional polyurethane prepolymers include straight chain or branched chain alkane polyols such as 1,2-ethanediol, 1,3-propanediol, 1,2-propanediol, But are not limited to, 1,4-butanediol, 1,3-butanediol, glycerol, neopentyl glycol, trimethylolethane, trimethylolpropane, di-trimethylolpropane, erythritol, pentaerythritol, Lithol; Polyalkylene glycols such as di-, tri-, and tetraethylene glycols, and di-, tri- and tetrapropylene glycols; Cyclic alkane polyols such as cyclopentane diol, cyclohexane diol, cyclohexane triol, cyclohexane dimethanol, hydroxypropyl cyclohexanol and cyclohexane diethanol; Aromatic polyols such as dihydroxybenzene, benzene triol, hydroxybenzyl alcohol and dihydroxytoluene; Bisphenols such as 4,4'-isopropylidene diphenol (bisphenol A); 4,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-thiobisphenol, phenolphthalein, bis (4-hydroxyphenyl) methane (bisphenol F) , 2-ethenediyl) bisphenol and 4,4'-sulfonylbisphenol; Halogenated bisphenols such as 4,4'-isopropylidenebis (2,6-dibromophenol), 4,4'-isopropylidenebis (2,6-dichlorophenol) and 4,4'-iso Propylidene bis (2,3,5,6-tetrachlorophenol); Alkoxylated bisphenols such as alkoxylated 4,4'-isopropylidene diphenols having at least one alkoxy group such as ethoxy, propoxy, alpha-butoxy and beta-butoxy groups; And the like, such as 4,4'-isopropylidene-biscyclohexanol, 4,4'-oxybiscyclohexanol, 4,4'-thiobiscyclohexanol and bis (4-hydroxycyclohexanol) And biscyclohexanol which can be prepared by hydrogenating the corresponding bisphenol.
아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체의 제조에 유용한 적합한 폴리올의 추가 예에는 고급 폴리알킬렌 글리콜, 예를 들어 수평균 분자량(Mn)이 200 내지 2000 그램/몰인 폴리에틸렌 글리콜; 하이드록실-보유 아크릴, 예를 들어 (메트)아크릴레이트와 하이드록시 작용성 (메트)아크릴레이트의 공중합으로부터 형성된 것들, 예를 들어 메틸 메타크릴레이트 및 하이드록시에틸 메타크릴레이트 공중합체; 및 하이드록시 작용성 폴리에스테르, 예를 들어 부탄 다이올과 같은 다이올과 아디프산 또는 다이에틸 아디페이트와 같은 이산 또는 다이에스테르의 반응으로부터 형성된 것들이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 본 발명의 실시에 유용한 폴리올은 수평균 분자량(Mn)이 200 내지 2000 그램/몰일 수 있다.Further examples of suitable polyols useful in the preparation of the isocyanate functional polyurethane prepolymers include higher polyalkylene glycols such as polyethylene glycols having a number average molecular weight (Mn) of 200 to 2000 grams / mole; Hydroxyl-bearing acrylics such as those formed from the copolymerization of (meth) acrylates with hydroxy functional (meth) acrylates, such as methyl methacrylate and hydroxyethyl methacrylate copolymers; And hydroxy functional polyesters, for example diacids such as butanediol and diacids such as adipic acid or diethyl adipate. In some embodiments, the polyols useful in the practice of the present invention may have a number average molecular weight (Mn) of 200 to 2000 grams / mole.
일부 실시 형태에서, 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체는 다이아이소시아네이트, 예를 들어 톨루엔 다이아이소시아네이트를 폴리알킬렌 글리콜, 예를 들어 폴리(테트라하이드로푸란)과 반응시킴으로써 제조될 수 있다.In some embodiments, the isocyanate functional polyurethane prepolymer may be prepared by reacting a diisocyanate, such as toluene diisocyanate, with a polyalkylene glycol, such as poly (tetrahydrofuran).
일부 실시 형태에서, 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체는 촉매의 존재 하에서 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 사용된 촉매의 양은 폴리올과 아이소시아네이트 작용성 단량체의 총중량을 기준으로, 5 중량% 미만, 또는 3 중량% 미만, 또는 1 중량% 미만일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 예시적인 적합한 촉매에는 유기산의 주석함유 부가물, 예를 들어 2가주석 옥토에이트, 다이부틸 주석 다이라우레이트, 다이부틸 주석 다이아세테이트, 다이부틸 주석 메르캅타이드, 다이부틸 주석 다이말레에이트, 다이메틸 주석 다이아세테이트, 다이메틸 주석 다이라우레이트, 1,4-다이아자바이사이클로[2.2.2]옥탄, 및 그의 혼합물이 포함된다. 다른 실시 형태에서, 촉매는 아연 옥토에이트, 비스무스, 또는 아세틸아세토산 제2철일 수 있다. 추가의 예시적인 적합한 촉매에는 3차 아민, 예를 들어 트라이에틸아민, 트라이아이소프로필아민 및 N,N-다이메틸벤질아민이 포함된다.In some embodiments, the isocyanate functional polyurethane prepolymer can be prepared in the presence of a catalyst. In some embodiments, the amount of catalyst used may be less than 5 wt%, or less than 3 wt%, or less than 1 wt%, based on the total weight of the polyol and the isocyanate functional monomer. In some embodiments, exemplary suitable catalysts include tin-containing adducts of organic acids such as divalent tin octoate, dibutyltin dilaurate, dibutyltin diacetate, dibutyltin mercaptoide, dibutyltin di Maleate, dimethyltin diacetate, dimethyltin dilaurate, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and mixtures thereof. In another embodiment, the catalyst can be zinc octoate, bismuth, or ferric acetylacetate. Additional exemplary suitable catalysts include tertiary amines such as triethylamine, triisopropylamine and N, N-dimethylbenzylamine.
일부 실시 형태에서, 중합체 입자의 제조에 유용한 폴리우레탄의 경우, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가진 제1 수지는 적어도 2개의 캡핑된 아이소시아네이트 기를 가진 캡핑된 아이소시아네이트 화합물을 포함한다. 용어 "캡핑된 아이소시아네이트 화합물"은 캡핑이 제거된 (즉, 유리) 아이소시아네이트 기 및 별도의 또는 유리 캡핑 기로 전환될 수 있는 말단 및/또는 펜던트 캡핑된 아이소시아네이트 기를 가진 단량체 또는 예비중합체를 말한다. 적합한 아이소시아네이트 화합물의 전술한 예 중 임의의 것이 캡핑될 수 있다. 캡핑된 아이소시아네이트의 예시적인 비일시적 캡핑 기에는 1H-아졸, 예를 들어 1H-이미다졸,1H-피라졸, 3,5-다이메틸-1H-피라졸, 1H-1,2,3-트라이아졸, 1H-1,2,3-벤조트라이아졸, 1H-1,2,4-트라이아졸, 1H-5-메틸-1,2,4-트라이아졸 및 1H-3-아미노-1,2,4-트라이아졸; 락탐, 예를 들어 e-카프로락탐 및 2-피롤리디논; 모르폴린, 예를 들어 3-아미노프로필 모르폴린; 및 N-하이드록시 프탈이미드가 포함된다. 캡핑된 아이소시아네이트 화합물의 예시적인 일시적 캡핑 기에는 알코올, 예를 들어 프로판올, 아이소프로판올, 부탄올, 아이소부탄올, tert-부탄올 및 헥산올; 알킬렌 글리콜 모노알킬 에테르, 예를 들어 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르(예를 들어, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르), 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르(예를 들어, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르); 및 케톡심, 예를 들어 메틸 에틸 케톡심이 포함된다.In some embodiments, for polyurethanes useful in the preparation of polymer particles, the first resin having at least two isocyanate groups comprises a capped isocyanate compound having at least two capped isocyanate groups. The term "capped isocyanate compound" refers to a monomer or prepolymer having terminal and / or pendant capped isocyanate groups that can be converted into an isocyanate group (i.e., free) that has been capped off and a separate or free capping group. Any of the foregoing examples of suitable isocyanate compounds may be capped. Exemplary non-transient capping groups of the capped isocyanate include 1H-azoles such as 1H-imidazole, 1H-pyrazole, 3,5-dimethyl-1H- pyrazole, 1H- 1H-1,2,3-benzotriazole, 1H-1,2,4-triazole, 1H-5-methyl-1,2,4-triazole and 1H- 4-triazole; Lactam such as e-caprolactam and 2-pyrrolidinone; Morpholine, for example 3-aminopropylmorpholine; And N-hydroxyphthalimide. Exemplary temporary capping groups of the capped isocyanate compound include alcohols such as propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, tert-butanol and hexanol; Alkylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monoalkyl ethers (e.g., ethylene glycol monobutyl ether and ethylene glycol monohexyl ether), and propylene glycol monoalkyl ethers (e.g., propylene glycol monomethyl ether) ; And ketoximes such as methyl ethyl ketoxime.
어떤 이론에도 구애되고자 함이 없이, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가진 제1 수지에 캡핑된 아이소시아네이트 재료를 포함시키는 것은 (a) 미립자 폴리우레탄 입자의 적어도 일부 사이에서; 그리고/또는 (b) 미립자 폴리우레탄의 적어도 일부와 가교결합된 네트워크의 적어도 일부 사이에서 공유 결합의 형성을 야기할 수 있는 것으로 여겨진다. 일부 실시 형태에서, 캡핑된 아이소시아네이트 화합물은, 유리 아이소시아네이트 및 캡핑된 아이소시아네이트 기의 총 몰당량을 기준으로, 제1 수지가 5 몰% 이상, 또는 10 몰% 이상, 또는 40 몰% 미만, 또는 50 몰% 미만의 양의 캡핑된 아이소시아네이트 기를 지니도록 하는 양으로 존재할 수 있다.Without wishing to be bound by any theory, the inclusion of an isocyanate material capped in a first resin having at least two isocyanate groups can be achieved by (a) between at least a portion of the particulate polyurethane particles; And / or (b) at least a portion of the crosslinked network with at least a portion of the particulate polyurethane. In some embodiments, the capped isocyanate compound is present in an amount of greater than or equal to 5 mole percent, or greater than or equal to 10 mole percent, or less than 40 mole percent, based on the total molar equivalent of the free isocyanate and capped isocyanate groups, Or less than 50 mole% of the capped isocyanate group.
아이소시아네이트 기와 반응성인 적어도 2개의 기를 가진 제2 수지는 매우 다양한 재료로부터 선택될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 제2 수지는 하이드록실, 메르캅토, 1차 아민, 2차 아민 및 그의 조합으로부터 선택된 작용 기를 갖는다. 예시적인 적합한 제2 수지는 전술한 폴리올을 포함한다.The second resin having at least two groups reactive with isocyanate groups can be selected from a wide variety of materials. In some embodiments, the second resin has a functional group selected from hydroxyl, mercapto, primary amine, secondary amine, and combinations thereof. Exemplary suitable second resins include the polyols described above.
일부 실시 형태에서, 아이소시아네이트 기와 반응성인 적어도 2개의 기를 가질 수 있는 제2 수지는 폴리아민을 포함한다. 예시적인 폴리아민에는 에틸렌아민, 예를 들어 에틸렌다이아민(EDA), 다이에틸렌트라이아민(DETA), 트라이에틸렌테트라민(TETA), 테트라에틸렌펜타민(TEPA), 펜타에틸렌헥사민(PEHA), 피페라진, 다이에틸렌다이아민(DEDA), 및 2-아미노-1-에틸피페라진이 포함된다. 추가의 예시적인 적합한 폴리아민에는 다이알킬 톨루엔다이아민의 하나 이상의 이성체, 예를 들어 3,5-다이메틸-2,4-톨루엔다이아민, 3,5-다이메틸-2,6-톨루엔다이아민, 3,5-다이에틸-2,4-톨루엔다이아민, 3,5-다이에틸-2,6-톨루엔다이아민, 3,5-다이아이소프로필-2,4-톨루엔다이아민, 3,5-다이아이소프로필-2,6-톨루엔다이아민 및 그의 혼합물이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 폴리아민은 메틸렌 다이아닐린, 트라이메틸렌글리콜 다이(파라-아미노벤조에이트), 및 아민-종결된 올리고머 및 예비중합체로부터 선택될 수 있다.In some embodiments, the second resin that may have at least two groups that are reactive with the isocyanate group comprises a polyamine. Exemplary polyamines include but are not limited to ethylene amines such as ethylene diamine (EDA), diethylene triamine (DETA), triethylene tetramine (TETA), tetraethylene pentamine (TEPA), pentaethylene hexamine Diamine, diethylenediamine (DEDA), and 2-amino-1-ethylpiperazine. Further exemplary suitable polyamines include at least one isomer of dialkyl toluenediamine, such as 3,5-dimethyl-2,4-toluenediamine, 3,5-dimethyl-2,6-toluenediamine, 3 Diethyl-2,4-toluenediamine, 3,5-diethyl-2,6-toluenediamine, 3,5-diisopropyl-2,4-toluenediamine, Isopropyl-2,6-toluenediamine and mixtures thereof. In some embodiments, the polyamine can be selected from methylene dianiline, trimethylene glycol di (para-aminobenzoate), and amine-terminated oligomers and prepolymers.
일부 실시 형태에서, 적합한 폴리아민은 4,4'-메틸렌-비스(다이알킬아닐린)(예를 들어, 4,4'-메틸렌-비스(2,6-다이메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-다이에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-다이아이소프로필아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-아이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-다이에틸-3-클로로아닐린) 및 그의 혼합물을 기재로 하는 것들로부터 선택될 수 있다.In some embodiments, suitable polyamines include 4,4'-methylene-bis (dialkyl anilines) such as 4,4'-methylene-bis (2,6-dimethylaniline), 4,4'-methylene Bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-ethyl-6-methylaniline), 4,4'- From those based on 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6- Can be selected.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 포함하는 제1 수지와 아이소시아네이트와 반응성인 적어도 2개의 기를 포함하는 제2 수지로부터 미립자 폴리우레탄을 제조하는 것은 촉매의 존재 하에서 실시될 수 있다. 적합한 촉매에는 아이소시아네이트 작용성 폴리우레탄 예비중합체의 제조를 위해 상기에 열거한 것들이 포함된다.In some embodiments, the preparation of the particulate polyurethane from a first resin comprising at least two isocyanate groups and a second resin comprising at least two groups reactive with an isocyanate may be carried out in the presence of a catalyst. Suitable catalysts include those listed above for the preparation of isocyanate functional polyurethane prepolymers.
일부 실시 형태에서, 미립자 폴리우레탄 제조에 유용한, 아이소시아네이트 기와 선택적인 캡핑된 아이소시아네이트 기 대 아이소시아네이트-반응성 기의 몰 당량비는 0.5:1.0 내지 1.5:1.0, 예를 들어 0.7:1.0 내지 1.3:1.0 또는 0.8:1.0 내지 1.2:1.0이다. 일부 실시 형태에서, 가교결합된 폴리우레탄은 우레탄 또는 우레아 결합이 나머지 아이소시아네이트와 반응하려고 하도록 제2 수지의 화학양론적 필요량 미만을 이용하여 제조될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 3작용성 화합물에 의한 2작용성의 부분 치환은 보다 열적으로 안정한 화학적 가교결합을 가져올 것이다.In some embodiments, the molar equivalent ratio of isocyanate groups and optional capped isocyanate groups to isocyanate-reactive groups useful in preparing particulate polyurethanes is from 0.5: 1.0 to 1.5: 1.0, such as from 0.7: 1.0 to 1.3: 1.0 Or 0.8: 1.0 to 1.2: 1.0. In some embodiments, the crosslinked polyurethane can be made using less than the stoichiometric amount of the second resin so that the urethane or urea bond will react with the remaining isocyanate. In another embodiment, bifunctional partial substitution by a trifunctional compound will result in a more thermally stable chemical cross-linking.
일부 유용한 미립자 폴리우레탄은, 예를 들어 일본 도쿄 소재의 어드밴스트 폴리머스 그룹의 다이니치세이카 컬러 앤드 케미칼스 매뉴팩처링 컴퍼니, 리미티드(Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. Advanced Polymers Group)로부터, 상표명 "다이믹-베아즈(DAIMIC-BEAZ)"로 등급 "UCN-5350D", "UCN-5150D", 및 "UCN-5070D"로 구매가능하며; 폴리우레탄 입자는 일본 노미시 소재의 네가미 케미칼 인더스트리얼 컴퍼니, 리미티드(Negami Chemical Industrial Co., Ltd.)로부터 상표명 "아트 펄(ART PEARL)"로 입수가능하며; 지방족 폴리에테르계 열가소성 폴리우레탄은, 예를 들어 바이엘 코포레이션(Bayer Corporation)으로부터 상표명 "텍신(TEXIN)"으로 입수가능하다.Some useful particulate polyurethanes are commercially available, for example, from Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. Advanced Polymers Group, Advanced Polymers Group, Tokyo, Quot; UCN-5150D ", and "UCN-5070D" in DAIMIC-BEAZ; The polyurethane particles are available from Negami Chemical Industrial Co., Ltd., Nomi, Japan under the trade designation "ART PEARL "; The aliphatic polyether thermoplastic polyurethanes are available, for example, from Bayer Corporation under the trade designation "TEXIN ".
일부 실시 형태에서, 본 발명의 실시에 유용한 적합한 중합체 입자는 미립자 폴리에폭사이드를 포함한다. 미립자 폴리에폭사이드는, 예를 들어 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 제1 수지와 에폭사이드의 에폭사이드 기와 반응성인 적어도 2개의 기를 가진 제2 수지의 반응 생성물로부터 제조될 수 있다.In some embodiments, suitable polymeric particles useful in the practice of the present invention include particulate polyepoxide. The particulate polyepoxide may be prepared from the reaction product of, for example, a first resin having at least two epoxide groups and a second resin having at least two groups reactive with the epoxide group of the epoxide.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 에폭사이드 기를 포함하는 제1 수지와 제2 수지는 함께 혼합되어 중합되거나 경화되어 벌크 폴리에폭사이드를 형성할 수 있으며, 이것은 그 후 분쇄되고(예를 들어 극저온으로 분쇄됨), 선택적으로 분류될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 미립자 폴리에폭사이드는 에폭사이드 작용성 및 수소 작용성 재료를 함께 혼합하고, 혼합물을 교반 하에서 가열된 탈이온수에 천천히 붓고, 형성된 미립자 재료를 (예를 들어, 여과에 의해) 단리하고, 단리된 미립자 재료를 건조시키고, 선택적으로 건조된 미립자 폴리에폭사이드를 분류함으로써 형성될 수 있다.In some embodiments, the first resin and the second resin comprising at least two epoxide groups may be mixed together and polymerized or cured to form a bulk polyepoxide, which is then milled (e.g., at a cryogenic temperature Crushed), and can be selectively sorted. In some embodiments, the particulate polyepoxide is prepared by mixing the epoxide functional and the hydrogen functional material together, slowly pouring the mixture into the heated deionized water under agitation, and cooling the formed particulate material (e.g., by filtration) Isolated, and drying the isolated particulate material, and optionally classifying the dried particulate polyepoxide.
일부 실시 형태에서, 본 발명의 실시에 유용한 적합한 에폭사이드 작용성 재료에는 에폭사이드 작용성 단량체, 에폭사이드 작용성 예비중합체 및 그의 조합이 포함된다. 예시적인 적합한 에폭사이드 작용성 단량체에는 지방족 폴리에폭사이드, 예를 들어 1,2,3,4-다이에폭시부탄, 1,2,7,8-다이에폭시옥탄; 지환족 폴리에폭사이드, 예를 들어 1,2,4,5-다이에폭시사이클로헥산, 1,2,5,6-다이에폭시사이클로옥탄, 7-옥사-바이사이클로[4.1.0]헵탄-3-카르복실산 7-옥사-바이사이클로[4.1.0]헵트-3-일메틸 에스테르, 1,2-에폭시-4-옥시라닐-사이클로헥산 및 2,3-(에폭시프로필)사이클로헥산; 방향족 폴리에폭사이드, 예를 들어 비스(4-하이드록시페닐)메탄 다이글리시딜 에테르; 수소화 비스페놀 A 다이에폭사이드 및 그의 혼합물이 포함될 수 있다. 본 발명에 유용할 수 있는 에폭사이드 작용성 단량체는 전형적으로 폴리올과 에피할로하이드린, 예를 들어 에피클로로하이드린의 반응으로부터 제조된다. 에폭사이드 작용성 단량체를 제조하기 위해 이용될 수 있는 폴리올은 아이소시아네이트 작용성 예비중합체의 제조와 관련하여 본 명세서에서 앞서 언급된 것들을 포함한다. 유용한 부류의 에폭사이드 작용성 단량체에는 비스페놀과 에피클로로하이드린의 반응(예를 들어, 4,4'-아이소프로필리덴다이페놀 다이글리시딜 에테르를 제조하기 위한 4,4'-아이소프로필리덴다이페놀과 에피클로로하이드린의 반응)으로부터 제조된 것들이 포함된다.In some embodiments, suitable epoxide functional materials useful in the practice of the present invention include epoxide functional monomers, epoxide functional prepolymers, and combinations thereof. Exemplary suitable epoxide functional monomers include aliphatic polyepoxides such as 1,2,3,4-diepoxybutane, 1,2,7,8-diepoxyoctane; Alicyclic polyepoxide such as 1,2,4,5-diepoxy cyclohexane, 1,2,5,6-diepoxy cyclooctane, 7-oxa-bicyclo [4.1.0] -Carboxylic acid 7-oxa-bicyclo [4.1.0] hept-3-ylmethyl ester, 1,2-epoxy-4-oxiranyl-cyclohexane and 2,3- (epoxypropyl) cyclohexane; Aromatic polyepoxides such as bis (4-hydroxyphenyl) methane diglycidyl ether; Hydrogenated bisphenol A diepoxide and mixtures thereof. Epoxide functional monomers that may be useful in the present invention are typically prepared from the reaction of a polyol with an epihalohydrin, such as epichlorohydrin. Polyols that can be used to prepare epoxide functional monomers include those mentioned herein above in connection with the preparation of an isocyanate functional prepolymer. Useful classes of epoxide functional monomers include, but are not limited to, the reaction of bisphenol with epichlorohydrin (e.g., 4,4'-isopropylidene dies for making 4,4'-isopropylidene diphenol diglycidyl ether Reaction of phenol with epichlorohydrin).
일부 실시 형태에서, 미립자 에폭사이드의 제조에 유용한 에폭사이드 작용성 예비중합체는 중합체성 폴리올과 에피클로로하이드린을 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 예시적인 적합한 중합체성 폴리올에는 폴리알킬렌 글리콜, 예를 들어 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리테트라하이드로푸란; 폴리에스테르 폴리올; 폴리우레탄 폴리올; 폴리((메트)아크릴레이트) 폴리올; 및 그의 혼합물이 포함될 수 있다.In some embodiments, an epoxide functional prepolymer useful in the preparation of particulate epoxides can be prepared by reacting a polymeric polyol with epichlorohydrin. Exemplary suitable polymeric polyols include polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polytetrahydrofuran; Polyester polyols; Polyurethane polyols; Poly ((meth) acrylate) polyols; And mixtures thereof.
본 발명의 일부 실시 형태에서, 에폭사이드 작용성 예비중합체는 (메트)아크릴레이트 단량체와 에폭사이드 작용성 라디칼 중합성 단량체(예를 들어, 글리시딜 (메트)아크릴레이트)로부터 제조될 수 있는 에폭시 작용성 폴리((메트)아크릴레이트) 중합체를 포함할 수 있다. 적합한 에폭사이드 작용성 예비중합체는 넓은 범위의 분자량을 가질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 에폭사이드 작용성 예비중합체의 분자량은 폴리스티렌 표준물을 이용하여 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정될 때, 500 내지 15,000 그램/몰, 또는 500 내지 5000 그램/몰일 수 있다.In some embodiments of the present invention, the epoxide functional prepolymer is an epoxy (meth) acrylate monomer that can be prepared from a (meth) acrylate monomer and an epoxide functional radical polymerizable monomer (e.g., glycidyl Functional poly ((meth) acrylate) polymers. Suitable epoxide functional prepolymers can have a wide range of molecular weights. In some embodiments, the molecular weight of the epoxide functional prepolymer may be from 500 to 15,000 grams / mole, or from 500 to 5000 grams / mole, as measured by gel permeation chromatography (GPC) using polystyrene standards.
에폭사이드와 반응성인 적어도 2개의 기를 가진 제2 수지는 하이드록실, 메르캅토, 카르복실산, 1차 아민 또는 2차 아민 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 제2 수지는 본 명세서에서 앞서 언급된 폴리올을 포함할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 제2 수지는 본 명세서에서 앞서 언급된 폴리아민을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 적합한 폴리아민은 1차 아민, 2차 아민, 및 그의 조합으로부터 선택된 적어도 2개의 아민기를 가진 폴리아미드 예비중합체를 포함할 수 있다. 적합한 예시적인 폴리아미드 예비중합체에는, 예를 들어 독일 몬하임 소재의 코그니스 코포레이션, 코팅 앤드 잉크스 디비젼(Cognis Corporation, Coating & Inks Division)으로부터 상표명 "베르사미드(VERSAMID)"로 입수가능한 것들이 포함될 수 있다.The second resin having at least two groups reactive with the epoxide may comprise at least one of hydroxyl, mercapto, carboxylic acid, primary amine or secondary amine. In some embodiments, the second resin may comprise the polyols mentioned herein before. In another embodiment, the second resin may comprise the polyamines mentioned hereinabove. In some embodiments, suitable polyamines may comprise a polyamide prepolymer having at least two amine groups selected from a primary amine, a secondary amine, and combinations thereof. Suitable exemplary polyamide prepolymers include, for example, those available under the trade designation "VERSAMID" from Cognis Corporation, Coating & Inks Division of Monheim, Germany have.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 에폭사이드 기를 포함하는 제1 수지와 에폭사이드와 반응성인 적어도 2개의 기를 포함하는 제2 수지로부터 미립자 에폭사이드를 제조하는 것은 촉매의 존재 하에서 실시될 수 있다. 예시적인 적합한 촉매에는 3차 아민, 예를 들어 트라이에틸아민, 트라이아이소프로필아민, 트라이-3차부틸 아민, 테트라플루오로붕산 및 N,N-다이메틸벤질아민이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 촉매는 제2 수지가 에폭사이드 작용성 재료와 배합되기 전에 제2 수지 내로 혼입될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 사용된 촉매의 양은 배합된 제1 및 제2 수지의 총중량을 기준으로, 5 중량% 미만, 또는 3 중량% 미만, 또는 1 중량% 미만일 수 있다.In some embodiments, the preparation of the particulate epoxide from a second resin comprising a first resin comprising at least two epoxide groups and at least two groups reactive with the epoxide may be carried out in the presence of a catalyst. Exemplary suitable catalysts include tertiary amines such as triethylamine, triisopropylamine, tri-tert-butylamine, tetrafluoroboric acid and N, N-dimethylbenzylamine. In some embodiments, the catalyst may be incorporated into the second resin before the second resin is combined with the epoxide functional material. In some embodiments, the amount of catalyst used can be less than 5 wt%, or less than 3 wt%, or less than 1 wt%, based on the total weight of the combined first and second resins.
미립자 가교결합 폴리에폭사이드를 제조하기 위해 사용되는 반응물의 에폭사이드 기 대 에폭사이드-반응성 기의 몰당량 비는 전형적으로 0.5:1.0 내지 2.0:1.0, 예를 들어 0.7:1.0 내지 1.3:1.0 또는 0.8:1.0 내지 1.2:1.0이다.The mole ratio of epoxide to epoxide-reactive groups in the reactants used to make the particulate cross-linked polyepoxide is typically from 0.5: 1.0 to 2.0: 1.0, such as from 0.7: 1.0 to 1.3: 1.0 or 0.8: 1.0 to 1.2: 1.0.
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기 또는 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 제1 수지, 및/또는 제2 수지는 선택적으로 공지의 종래 첨가제를 포함할 수 있다. 그러한 첨가제의 예에는 열 안정제, 산화방지제, 몰드 이형제, 정적 염료, 안료, 유연화 첨가제, 예를 들어 알콕실화 페놀 벤조에이트 및 폴리(알킬렌 글리콜) 다이벤조에이트, 및 계면활성제, 예를 들어 에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드 블록 공중합체 계면활성제가 포함된다. 일부 실시 형태에서, 그러한 첨가제는 배합된 제1 및 제2 수지의 총중량을 기준으로, 최대 10 중량%, 또는 최대 5 중량%, 또는 최대 3 중량%의 총량으로 존재할 수 있다.In some embodiments, the first resin having at least two isocyanate groups or at least two epoxide groups, and / or the second resin may optionally comprise known conventional additives. Examples of such additives include heat stabilizers, antioxidants, mold release agents, static dyes, pigments, softening additives such as alkoxylated phenol benzoates and poly (alkylene glycol) dibenzoates, and surfactants such as ethylene oxide / Propylene oxide block copolymer surfactant. In some embodiments, such additives may be present in a total amount of up to 10 wt%, or up to 5 wt%, or up to 3 wt%, based on the total weight of the blended first and second resins.
본 발명의 실시에 유용한 다른 중합체 입자에는, 예를 들어 미국 조지아주 로렌스빌 소재의 롬 아메리카, 인코포레이티드(ROHM America, Incorporated)로부터 상표명 "로하돈(ROHADON)"으로, 그리고 네가미 케미칼 인더스트리얼 컴퍼니, 리미티드로부터 상표명 "아트 펄"로 구매가능한 열가소성 폴리(메트)아크릴레이트가 포함된다. 본 발명의 실시에 유용한 또 다른 중합체 입자에는, 예를 들어 미국 미시간주 미들랜드 소재의 다우 케미칼 컴퍼니(Dow Chemical Company)로부터 상표명 "메토셀(METHOCEL)"로 구매가능한 셀룰로오스 입자가 포함된다.Other polymer particles useful in the practice of the present invention include, for example, those available from ROHM America, Incorporated of Lawrenceville, Ga., Under the trade designation " ROHADON " Include thermoplastic poly (meth) acrylates commercially available under the trade designation "Art Pearl " from The Company, Limited. Other polymer particles useful in the practice of the present invention include, for example, cellulose particles commercially available from the Dow Chemical Company, Midland, Mich., Under the trade designation "METHOCEL ".
본 발명에 따른 연마 패드에 존재하는 중합체 입자의 양은 변할 수 있다. 흥미롭게도, 일부 실시 형태에서 소정의 기술을 이용하여 혼합된 중합체 입자의 양이 생성된 연마 층의 다공도에 예상치 못한 방식으로 영향을 준다는 것이 밝혀졌다. 예를 들어, 공전과 자전이 조합된 혼합기를 이용할 경우, 최대 20 중량%의 입자 수준이 최대 15 중량%의 입자 수준보다 적은 세공을 제공하는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 다른 혼합 기술은 상이한 결과를 제공할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 미립자 중합체와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 1 중량% 이상, 또는 2.5 중량% 이상, 또는 5 중량% 이상의 양으로 존재한다. 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 중합체 입자와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 최대 25 중량%, 또는 최대 20 중량%, 또는 20 중량% 미만의 양으로 존재할 수 있다.The amount of polymer particles present in the polishing pad according to the present invention may vary. Interestingly, it has been found that, in some embodiments, the amount of polymer particles mixed using a given technique affects the porosity of the resulting abrasive layer in an unexpected manner. For example, when using a mixer with a combination of revolution and rotation, it has been found that particle levels of up to 20 wt% provide less pores than particle levels of up to 15 wt%. However, other mixing techniques can provide different results. In some embodiments, the polymer particles are present in an amount of 1 wt% or more, or 2.5 wt% or more, or 5 wt% or more, based on the total weight of the crosslinked network with the particulate polymer. In some embodiments, the polymer particles may be present in an amount of up to 25 wt%, or up to 20 wt%, or less than 20 wt%, based on the total weight of the crosslinked network with the polymer particles.
중합체 입자가 섬유인 실시 형태를 비롯한 일부 실시 형태에서, 중합체 입자는 중합체 입자와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 최대 10 중량%, 또는 최대 5 중량%, 또는 5 중량% 미만의 양으로 존재할 수 있다. 유리하게도, 섬유 형태의 중합체 입자는 중합체 입자와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 최대 2 중량%의 수준에서도 유용한 수준의 다공도를 제공할 수 있다. 이들 실시 형태 중 일부에서, 중합체 입자는 수용성 섬유(예를 들어, 메틸셀룰로오스 섬유)이다. 실시예의 표 1과 표 2에 나타난 바와 같이, 구형 폴리우레탄 입자의 중량을 기준으로 한 등가량에서보다 메틸셀룰로오스 섬유에서 더 높은 수준의 다공도가 얻어진다. 실시예 12의 경화된 조성물의 단면 현미경사진인 도 8과, 각각 실시예 15의 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진인 도 7a와 7b 사이의 시각적 비교는, 2 중량%의 섬유(도 8)에서 10 중량% 입자(도 7a 및 도 7b)에서와 동일한 수준의 다공도가 얻어질 수 있음을 보여준다.In some embodiments, including embodiments wherein the polymer particles are fibers, the polymer particles are present in an amount of up to 10 weight percent, or up to 5 weight percent, or less than 5 weight percent, based on the total weight of the crosslinked network with the polymer particles . Advantageously, the polymer particles in the form of fibers can provide a useful level of porosity at a level of up to 2% by weight, based on the total weight of the crosslinked network with the polymer particles. In some of these embodiments, the polymer particles are water soluble fibers (e. G., Methylcellulose fibers). As shown in Tables 1 and 2 of the Examples, higher levels of porosity are obtained in methylcellulose fibers than in equivalents based on the weight of spherical polyurethane particles. 8, which is a cross-sectional micrograph of the cured composition of Example 12, and Figs. 7a and 7b, which are cross-sectional and planar micrographs, respectively, of the cured composition of Example 15 show that 2 wt% To the same level of porosity as in 10 wt% particles (Figs. 7A and 7B) can be obtained.
동일한 다공도를 얻기 위하여 낮은 수준의 입자를 포함하는 것은, 예를 들어 가교결합된 네트워크에 걸친 입자 분포에서의 균일성 개선을 위하여, 그리고 연마 동안 패드 표면에서의 경도 유지를 위하여 유리할 수 있다.Including low levels of particles to achieve the same porosity can be advantageous, for example, to improve uniformity in particle distribution across the crosslinked network and to maintain hardness at the pad surface during polishing.
본 발명에 따른 연마 패드는 중합체 입자를 포함하는 연마 층 및 열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크를 포함한다. 매우 다양한 적합한 중합체가 가교결합된 네트워크의 형성에 유용할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 열 경화된 성분은 폴리우레탄, 폴리에폭사이드, 또는 우레탄-개질된 폴리에폭사이드 중 적어도 하나를 포함한다.A polishing pad according to the present invention comprises a polishing layer comprising polymer particles and a crosslinked network comprising a thermosetting component and a radiation cured component. A wide variety of suitable polymers may be useful for the formation of crosslinked networks. In some embodiments, the thermally cured component comprises at least one of a polyurethane, a polyepoxide, or a urethane-modified polyepoxide.
전형적으로, 본 발명의 가교결합된 네트워크는 중합체 입자의 존재 하에서 형성된다. 일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지 조성물 및 방사선 경화성 수지 조성물은 경화성 조성물이 중합체 입자의 존재 하에 있는 동안 반응하여 가교결합된 네트워크를 형성할 수 있다.Typically, the crosslinked network of the present invention is formed in the presence of polymer particles. In some embodiments, the thermosetting resin composition and the radiation curable resin composition may react while the curable composition is in the presence of the polymer particles to form a crosslinked network.
일부 실시 형태에서, 본 명세서에 개시된 연마 층은 중합체 입자와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 75 중량% 이상, 또는 80 중량% 이상, 또는 85 중량% 이상의 가교결합된 네트워크를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가교결합된 네트워크는 중합체 입자와 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 최대 99 중량%, 또는 최대 95 중량%, 또는 최대 90 중량%의 양으로 연마 층에 존재할 수 있다.In some embodiments, the abrasive layer disclosed herein may comprise at least 75 wt%, or at least 80 wt%, or at least 85 wt% cross-linked network, based on the total weight of the crosslinked network with the polymeric particles . In some embodiments, the crosslinked network may be present in the polishing layer in an amount of up to 99 wt%, or up to 95 wt%, or up to 90 wt%, based on the total weight of the crosslinked network with the polymer particles.
가교결합된 네트워크는 종래의 중합 기술 방법에 의해 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가교결합된 네트워크는 축합 반응, 자유 라디칼 개시 반응, 또는 그의 조합에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 열 경화된 성분은 폴리우레탄 예비중합체를 포함하는 열 경화성 수지 조성물을 폴리아민과 축합시켜 형성된 폴리우레탄을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 방사선 경화된 성분은 우레탄-다이아크릴레이트 또는 우레탄-다이메타크릴레이트를 광개시제의 존재 하에서 중합시켜 형성된 우레탄-폴리아크릴레이트 또는 우레탄-폴리메타크릴레이트를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가교결합된 네트워크는 단계적 또는 동시 열 경화 및 방사선 경화 중합에 의해 형성된 상호침투 중합체 네트워크이다. 일부 실시 형태에서, 방사선 경화된 성분(일부 실시 형태에서 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트)은, 예를 들어 우레탄 또는 우레아 결합 기를 통해, 열 경화된 성분에 공유 결합된다.The crosslinked network can be prepared by conventional polymerization technique methods. In some embodiments, the crosslinked network may be formed by a condensation reaction, a free radical initiation reaction, or a combination thereof. In some embodiments, the thermally cured component may comprise a polyurethane formed by condensing a thermosetting resin composition comprising a polyurethane prepolymer with a polyamine. In some embodiments, the radiation cured component may comprise urethane-polyacrylate or urethane-polymethacrylate formed by polymerizing urethane-diacrylate or urethane-dimethacrylate in the presence of a photoinitiator. In some embodiments, the crosslinked network is an interpenetrating polymer network formed by stepwise or simultaneous thermal curing and radiation curing polymerization. In some embodiments, the radiation cured component (polyacrylate or polymethacrylate in some embodiments) is covalently bonded to the thermally cured component, e.g., via a urethane or urea linker.
본 발명의 실시에 유용한 적합한 열 경화성 수지 조성물은 단량체, 예비중합체, 및 그의 혼합물을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지 조성물은 촉매, 가교결합제, 경화제, 용매, 및 본 기술 분야에서 공지된 기타 종래의 첨가제를 함유할 수 있다.Suitable thermosetting resin compositions useful in the practice of the present invention may include monomers, prepolymers, and mixtures thereof. In some embodiments, the thermosetting resin composition may contain a catalyst, a crosslinking agent, a curing agent, a solvent, and other conventional additives known in the art.
일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지 조성물은 캡핑된 아이소시아네이트 기일 수 있는 적어도 2개의 아이소시아네이트 기, 또는 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 제1 수지; 및 에폭사이드 및/또는 아이소시아네이트와 반응성인 적어도 2개의 기(예를 들어, 하이드록실, 아미노, 카르복시, 또는 메르캅탄 기)를 가진 제2 수지를 포함한다.In some embodiments, the thermosetting resin composition comprises a first resin having at least two isocyanate groups, or at least two epoxide groups, which may be a capped isocyanate group; And a second resin having at least two groups (e.g., hydroxyl, amino, carboxy, or mercaptan groups) reactive with the epoxide and / or the isocyanate.
열 경화된 성분을 제조하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 적합한 제1 및 제2 수지는 각각, 미립자 폴리우레탄에 대하여, 본 명세서에서 앞서 개시된 아이소시아네이트(예비중합체 포함), 캡핑된 아이소시아네이트, 폴리올 및 폴리아민으로부터 선택될 수 있다. 캡핑된 아이소시아네이트의 사용은, 예를 들어 제1 및 제2 수지가 배합될 때 겔화의 개시를 지연시킬 수 있으며, 이는 제1 및 제2 수지와 중합체 입자의 혼합을 위해 더 많은 시간을 허용할 수 있다.Exemplary suitable first and second resins that can be used to prepare the thermoset components are, respectively, based on the particulate polyurethane, the isocyanates (including prepolymers) previously described herein, the capped isocyanates, the polyols and the polyamines Lt; / RTI > The use of a capped isocyanate can delay the onset of gelation, for example, when the first and second resins are blended, which allows more time for mixing of the first and second resin and polymer particles .
제1 수지로서 유용한 일부 아이소시아네이트 예비중합체는 구매가능하며, 예를 들어 아이소시아네이트 예비중합체는 미국 펜실베니아주 알렌타운 소재의 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인크.(Air Products and Chemicals, Inc.)로부터 상표명 "에어탄(AIRTHANE) PHP-75D"로 구매가능하다. 제2 수지로서 유용한 일부 다이아민은 구매가능하며, 예를 들어 올리고머 다이아민이 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인크.로부터 상표명 "베르사링크(VERSALINK) P250" 및 "베르사링크 P650"으로 입수가능하다.Some isocyanate prepolymers useful as the first resin are commercially available, for example, the isocyanate prepolymer is available from Air Products and Chemicals, Inc., Allentown, Pa. AIRTHANE PHP-75D ". Some diamines useful as the second resin are commercially available, for example, oligomer diamines available from Air Products and Chemicals, Inc. under the trade designations "VERSALINK P250" and "VersaceLink P650".
일부 실시 형태에서, 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가진 제1 수지 및 아이소시아네이트 기와 반응성인 적어도 2개의 기를 가진 제2 수지를 포함하는 방사선 경화성 수지 및 열 경화성 수지를 포함하는 조성물은 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 예시적인 적합한 촉매에는 미립자 폴리우레탄의 제조에 대하여 본 명세서에서 앞서 인용된 것들이 포함될 수 있다(예를 들어, 트라이에틸아민과 같은 3차 아민 및 다이부틸틴 다이라우레이트와 같은 유기금속 화합물). 일부 실시 형태에서, 촉매는 제1 및 제2 수지를 배합하기 전에 제2 수지 내로 혼입될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 촉매는 배합된 제1 및 제2 수지의 총중량을 기준으로, 5 중량% 미만, 또는 3 중량% 미만, 또는 1 중량% 미만의 양으로 존재할 수 있다. 각각 제1 및 제2 수지 내의 아이소시아네이트 기와 선택적인 캡핑된 아이소시아네이트 기 대 아이소시아네이트-반응성 기의 몰당량 비는 0.5:1.0 내지 2.0:1.0, 또는 0.7:1.0 내지 1.3:1.0, 또는 0.8:1.0 내지 1.2:1.0일 수 있다.In some embodiments, a composition comprising a radiation curable resin and a thermosetting resin comprising a first resin having at least two isocyanate groups and a second resin having at least two groups reactive with an isocyanate group further comprises a catalyst . Exemplary suitable catalysts include those cited hereinbefore for the preparation of particulate polyurethanes (e. G. Tertiary amines such as triethylamine and organometallic compounds such as dibutyltin dilaurate). In some embodiments, the catalyst may be incorporated into the second resin prior to compounding the first and second resins. In some embodiments, the catalyst may be present in an amount of less than 5 wt%, or less than 3 wt%, or less than 1 wt%, based on the total weight of the blended first and second resins. The molar equivalence ratio of the isocyanate groups in the first and second resins and the optional capped isocyanate groups to the isocyanate-reactive groups is from 0.5: 1.0 to 2.0: 1.0, or 0.7: 1.0 to 1.3: 1.0, or 0.8: 1.0 To 1.2: 1.0.
일부 실시 형태에서, 열 경화된 성분은 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 제1 수지, 및 에폭사이드 기와 반응성인 적어도 2개의 기(예를 들어, 하이드록실, 아미노, 카르복시, 또는 메르캅토 기)를 가진 제2 수지를 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 예시적인 적합한 제1 수지와, 제2 수지는 본 명세서에서 앞서 논의된 바와 같이 미립자 폴리에폭사이드를 제조하기 위해 이용되는 그들 에폭사이드, 폴리아민, 및 폴리올 중 임의의 것을 포함한다.In some embodiments, the thermoset component comprises a first resin having at least two epoxide groups, and a second resin having at least two groups reactive with the epoxide group (e.g., hydroxyl, amino, carboxy, or mercapto groups) Can be prepared by reacting a second resin. An exemplary suitable first resin having at least two epoxide groups and a second resin may be any of their epoxides, polyamines, and polyols used to make the particulate polyepoxide as discussed hereinabove .
일부 실시 형태에서, 폴리에폭사이드 열 경화된 성분을 제조하기 위해 사용되는 제1 및 제2 수지를 포함하는 방사선 경화성 수지 및 열 경화성 수지를 포함하는 조성물은 에폭사이드 개환 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 에폭사이드의 개환을 위한 예시적인 적합한 촉매는 상기된 것들 중 임의의 것(예를 들어, 트라이-tert-부틸 아민과 같은 3차 아민 및 테트라플루오로붕산)을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 촉매는 제1 및 제2 수지를 혼합하기 전에 제2 수지 내로 첨가될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 에폭사이드 개환 촉매는 제1 및 제2 수지의 총중량을 기준으로, 5 중량% 미만, 또는 3 중량% 미만, 또는 1 중량% 미만의 양으로 존재할 수 있다. 각각 제1 및 제2 수지 내의 에폭사이드 기 대 에폭사이드-반응성 기의 몰당량 비는 0.5:1.0 내지 2.0:1.0, 또는 0.7:1.0 내지 1.3:1.0, 또는 0.8:1.0 내지 1.2:1.0일 수 있다.In some embodiments, a composition comprising a radiation curable resin and a thermosetting resin comprising first and second resins used to produce a polyepoxide side cured component may further comprise an epoxide ring opening catalyst have. Exemplary suitable catalysts for ring opening of epoxides include any of those mentioned above (e.g., tertiary amines such as tri-tert-butylamine and tetrafluoroboric acid). In some embodiments, the catalyst may be added into the second resin before mixing the first and second resins. In some embodiments, the epoxide ring opening catalyst may be present in an amount of less than 5 wt%, or less than 3 wt%, or less than 1 wt%, based on the total weight of the first and second resins. The molar equivalence ratio of the epoxide-reactive groups in the first and second resins may be from 0.5: 1.0 to 2.0: 1.0, or 0.7: 1.0 to 1.3: 1.0, or 0.8: 1.0 to 1.2: 1.0, .
일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지는 종래의 첨가제를 포함할 수 있다. 예시적인 적합한 종래의 첨가제는 미립자 폴리우레탄 및 미립자 폴리에폭사이드의 제조에 대하여 본 명세서에서 앞서 설명한 그들 첨가제 중 임의의 것, 예를 들어 몰드 이형제, 염료, 및 유연화제를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 첨가제는 가교결합된 네트워크의 총중량을 기준으로, 10 중량% 미만, 또는 5 중량% 미만, 또는 3 중량% 미만의 총량으로 존재할 수 있다. 종래의 첨가제는, 예를 들어 제1 또는 제2 수지 중 어느 하나에 첨가될 수 있다.In some embodiments, the thermosetting resin may comprise conventional additives. Exemplary suitable conventional additives include particulate polyurethanes and any of their additives previously described herein for the preparation of particulate polyepoxides, such as mold release agents, dyes, and plasticizers. In some embodiments, the additive may be present in a total amount of less than 10 wt%, or less than 5 wt%, or less than 3 wt%, based on the total weight of the crosslinked network. Conventional additives may be added, for example, to either the first or second resin.
본 발명에 따른 다공성 연마 패드는 방사선 경화된 성분을 가진 연마 층을 포함한다. 방사선 경화된 성분은 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리(비닐 에테르), 폴리비닐, 또는 폴리에폭사이드 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 방사선 경화된 성분은 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트 중 적어도 하나를 포함한다. 방사선 경화된 성분은 적어도 2개의 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐(예를 들어, 비닐, 알릴, 또는 스티릴 기), 또는 에폭사이드 기를 포함하는 방사선 경화성 수지로부터 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 방사선 경화성 수지는 적어도 2개의 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 기를 포함한다.A porous polishing pad according to the present invention comprises an abrasive layer having a radiation cured component. The radiation cured component comprises at least one of polyacrylate, polymethacrylate, poly (vinyl ether), polyvinyl, or polyepoxide. In some embodiments, the radiation cured component comprises at least one of polyacrylate or polymethacrylate. The radiation cured component may be prepared from a radiation curable resin comprising at least two acrylates, methacrylates, vinyl (e.g., vinyl, allyl, or styryl groups), or epoxide groups. In some embodiments, the radiation curable resin comprises at least two acrylate or methacrylate groups.
일부 실시 형태에서, 방사선 경화성 수지는 적어도 2개의 (메트)아크릴레이트-개질된 아이소시아네이트 기를 가진 (메트)아크릴레이트-개질된 다작용성 아이소시아네이트 재료를 포함할 수 있으며, 이는 말단 및/또는 펜던트 아이소시아네이트 기를 가진 폴리우레탄 예비중합체(예를 들어, 미립자 폴리우레탄의 제조와 관련하여 상기된 폴리우레탄 예비중합체)와 아이소시아네이트 반응성 작용 기(예를 들어, 하이드록실, 아미노 기, 또는 메르캅토 기)를 가진 (메트)아크릴레이트의 반응 생성물일 수 있다.In some embodiments, the radiation curable resin may comprise a (meth) acrylate-modified multifunctional isocyanate material having at least two (meth) acrylate-modified isocyanate groups, which may be a terminal and / (For example, a hydroxyl, amino group, or mercapto group) with an isocyanate group-containing polyurethane prepolymer (e.g., the polyurethane prepolymer described above in connection with the preparation of the particulate polyurethane) (Meth) acrylate. ≪ / RTI >
예시적인 적합한 하이드록시 또는 아미노 작용성 (메트)아크릴레이트에는 하이드록시알킬 아크릴레이트 및 메타크릴레이트(예를 들어, 2-하이드록시에틸아크릴레이트(HEA), 2-하이드록시에틸메틸아크릴레이트(HEMA), 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 3-하이드록시프로필아크릴레이트(HPA), 2-하이드록시프로필 메타크릴레이트, 3-하이드록시프로필 메타크릴레이트, 1,3-다이하이드록시프로필아크릴레이트, 2,3-다이하이드록시프로필아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴아미드 및 메타크릴아미드, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄다이올 모노(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시 알킬(메트)아크릴로일 포스페이트, 4-하이드록시사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올 모노(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에탄 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트; N-알킬-N-하이드록시에틸아크릴아미드 및 메타크릴아미드, 하이드록시에틸-베타카르복시에틸아크릴레이트, 하이드록시헥실 아크릴레이트, 하이드록시옥틸 메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 모노메타크릴레이트, 카프로락톤 아크릴레이트, t-부틸 아미노에틸 메타크릴레이트, 및 그의 혼합물)가 포함된다. 이들 중 다수는 상업적 공급처로부터 입수가능하며, 예를 들어 유용한 하이드록시에틸아크릴레이트 및 하이드록시프로필아크릴레이트는 다우 케미칼(미국 미시간주 미들랜드 소재) 및 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드(Osaka Organic Chemical Industry Ltd.)(일본 오사카 소재)로부터 구매가능하다. 유용한 하이드록시부틸 아크릴레이트는 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드로부터 구매가능하다. 유용한 하이드록시 폴리에스테르 아크릴레이트는 다우 케미칼 컴퍼니로부터 상표명 "톤 모노머(TONE MONOMER) M-100" 로 그리고 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 리미티드로부터 "비스코트(VISCOAT) 2308"로 구매가능하다. 유용한 하이드록시 폴리에테르 아크릴레이트는 바이엘 케미칼스(미국 펜실베니아주 피츠버그 소재)로부터 상표명 "아르콜(ARCOL) R-2731"로 구매가능하다.Exemplary suitable hydroxy or amino functional (meth) acrylates include hydroxyalkyl acrylates and methacrylates (e.g., 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), 2-hydroxyethylmethyl acrylate (HEMA ), 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate (HPA), 2-hydroxypropyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 1,3-dihydroxypropyl acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate and methacrylate, 2-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 2-hydroxyalkyl (meth) acryloylphosphate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol mono (meth) acrylate, neopentyl glycol mono (meth) acrylate, trimethylolpropane di (Meth) acrylate, N-alkyl-N-hydroxyethyl acrylamide and methacrylamide, hydroxyethyl-beta-carboxyethyl acrylate , Hydroxyhexyl acrylate, hydroxyoctyl methacrylate, polypropylene glycol monomethacrylate, propylene glycol monomethacrylate, caprolactone acrylate, t-butylaminoethyl methacrylate, and mixtures thereof) . Many of these are available from commercial sources, for example, useful hydroxyethyl acrylate and hydroxypropyl acrylate are available from Dow Chemical (Midland, Mich., USA) and Osaka Organic Chemical Industry Ltd. < RTI ID = 0.0 > (Osaka, Japan). Useful hydroxybutyl acrylate is available from Osaka Organic Chemicals Industries Limited. Useful hydroxypolyester acrylates are available from Dow Chemical Company under the trade designation "TONE MONOMER M-100" and from Osaka Organic Chemical Industries Limited under the trademark "VISCOAT 2308 ". Useful hydroxy polyether acrylates are available from Bayer Chemicals (Pittsburgh, Pa.) Under the trade designation "ARCOL R-2731 ".
(메트)아크릴레이트 기는 예비중합체 상에 펜던트로, 말단에, 또는 그의 조합으로 위치될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 예비중합체는 (메트)아크릴레이트 기로 말단 캡핑될 수 있다. 방사선 경화성 수지는, 예를 들어 아이소시아네이트 반응성 작용 기를 가진 (메트)아크릴레이트를 전형적으로 과량의 아이소시아네이트의 존재 하에서 폴리아이소시아네이트 예비중합체와 반응시킴으로써 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 아이소시아네이트 반응성 작용 기를 가진 (메트)아크릴레이트는, 아이소시아네이트 작용성 예비중합체 상의 아이소시아네이트 기의 약 10% 내지 약 80%, 약 20% 내지 약 70%, 또는 약 30% 내지 약 60%가 아이소시아네이트 반응성 작용 기를 가진 (메트)아크릴레이트와 반응하도록 하는 양으로 아이소시아네이트 작용성 예비중합체와 반응된다.The (meth) acrylate group may be located on the prepolymer as a pendant, at the end, or a combination thereof. In some embodiments, the prepolymer can be end-capped with a (meth) acrylate group. Radiation-curable resins can be prepared, for example, by reacting (meth) acrylates having isocyanate-reactive functional groups with polyisocyanate prepolymers, typically in the presence of an excess of an isocyanate. In some embodiments, the (meth) acrylate having an isocyanate reactive functional group is present in an amount of from about 10% to about 80%, from about 20% to about 70%, or from about 30% to about 80%, of the isocyanate groups on the isocyanate- Reacted with an isocyanate functional prepolymer in an amount such that about 60% is reacted with a (meth) acrylate having an isocyanate reactive functional group.
적어도 2개의 (메트)아크릴레이트-개질된 아이소시아네이트 기를 가진 일부 (메트)아크릴레이트-개질된 다작용성 아이소시아네이트 재료는 구매가능하며, 예를 들어 아이소시아네이트 우레탄 아크릴레이트가 미국 펜실베니아주 피츠버그 소재의 바이엘 머티리얼스 사이언스(Bayer Materials Science)로부터 상표명 "데스모룩스(DESMOLUX) D100", "데스모룩스 VPLS 2396", 및 "데스모룩스 XP2510"로 구매가능하다.Partial (meth) acrylate-modified multifunctional isocyanate materials having at least two (meth) acrylate-modified isocyanate groups are commercially available, such as isocyanate urethane acrylate, available from Bayer, Inc. of Pittsburgh, Pa. Available from Bayer Materials Science under the trade designations "DESMOLUX D100", "Desmorux VPLS 2396" and "Desmorux XP2510".
방사선 경화성 조성물과 열 경화성 조성물을 포함하는 조성물은 전형적으로 또한 광개시제 또는 광개시제들의 조합을 포함한다. 유용한 광개시제에는, 예를 들어, 벤조인, 벤조인 아세탈(예를 들어, 벤질 다이메틸 케탈), 벤조인 에테르(예를 들어, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 아이소프로필 에테르, 및 벤조인 아이소부틸 에테르), 하이드록시 알킬 페닐 케톤(예를 들어, 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 및 1-(4-아이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온), 벤조일 사이클로헥산올, 다이알콕시 아세토페논 유도체(예를 들어, 2,2-다이에톡시아세토페논), 아실포스핀 옥사이드(예를 들어, 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)-페닐포스핀 옥사이드,비스(2,6-다이메톡시벤조일)-(2,4,4-트라이메틸펜틸)포스핀 옥사이드, 및 2,4,4-트라이메틸벤조일 다이페닐포스핀 옥사이드), 메틸 티오 페닐 모르폴리노 케톤(예를 들어, 2-메틸-1-4(메틸티오) 및 페닐-2-모르폴리노-1-프로판온), 및 모르폴리노 페닐 아미노 케톤을 비롯한, "알파 벽개형" 광개시제; 벤조페논, 티오잔톤, 벤질, 캄포르퀴논, 및 케토쿠마린을 기재로 한, 광개시제와 공개시제를 포함하는 수소 추출 광개시제; 및 그의 조합이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 광개시제는 아실포스핀 옥사이드(예를 들어, 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)-페닐포스핀 옥사이드, 비스(2,6-다이메톡시벤조일)-(2,4,4-트라이메틸펜틸)포스핀 옥사이드, 및 2,4,4-트라이메틸벤조일 다이페닐포스핀 옥사이드)이다.Compositions comprising a radiation curable composition and a thermosetting composition typically also comprise a photoinitiator or combination of photoinitiators. Useful photoinitiators include, for example, benzoin, benzoin acetals (e.g., benzyl dimethyl ketal), benzoin ethers (e.g., benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1- (4-isopropylphenyl) - 2-methylpropan-1-one), benzoyl cyclohexanol, dialkoxyacetophenone derivatives (for example, 2,2-diethoxyacetophenone), acylphosphine oxides (for example, Bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) - (2,4,4-trimethylpentyl) phosphine oxide, Methylthiophenylmorpholinocarbonate (e.g., 2-methyl-1-4 (methylthio) and phenyl-2- Le poly-1-propanone), and morpholino phenyl amino ketones, including, "alpha cleavage type" photoinitiators; A hydrogen extraction photoinitiator comprising a photoinitiator and a public reagent based on benzophenone, thioxanthone, benzyl, camphorquinone, and ketocoumarin; And combinations thereof. In some embodiments, the photoinitiator is acylphosphine oxide (e.g., bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) - , 4-trimethylpentyl) phosphine oxide, and 2,4,4-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide).
예시적인 유용한 구매가능한 광개시제는, 모두가 시바 스페셜티 케미칼스(Ciba Specialty Chemicals)(미국 뉴욕주 아슬리 소재)로부터 입수가능한, 하기의 상표명 "이르가큐어(IRGACURE) 369", "이르가큐어 819", "이르가큐어 CGI 403", "이르가큐어 651", "이르가큐어 1841", "이르가큐어 29594", "다로큐르(DAROCUR) 1173", "다로큐르 4265", 및 "CGI1700"로 입수가능하다. 광개시제는 바람직하게는 원하는 광중합 속도를 제공하기에 충분한 양으로 존재한다. 그 양은 부분적으로, 광원, 방사선 에너지에 노출될 층의 두께, 및 파장에 따른 광개시제의 소멸계수에 좌우될 것이다. 전형적으로, 광개시제 성분은 약 0.01 중량% 이상, 약 0.1 중량% 이상, 약 0.2 중량% 이상, 최대 약 10 중량%, 또는 최대 약 5 중량%의 양으로 존재할 것이다.Exemplary useful commercially available photoinitiators include those sold under the trade designations IRGACURE 369, IRGACURE 819, IRGACURE < RTI ID = 0.0 > 819 & , "Irgacure CGI 403", "Irgacure 651", "Irgacure 1841", "Irgacure 29594", "DAROCUR 1173", "Darocur 4265", and "CGI 1700" Available. The photoinitiator is preferably present in an amount sufficient to provide the desired photopolymerization rate. The amount will depend in part on the light source, the thickness of the layer to be exposed to radiation energy, and the extinction coefficient of the photoinitiator depending on the wavelength. Typically, the photoinitiator component will be present in an amount of at least about 0.01% by weight, at least about 0.1% by weight, at least about 0.2% by weight, at most about 10% by weight, or up to about 5% by weight.
방사선 경화성 조성물과 열 경화성 조성물은 본 명세서에 개시된 다공성 연마 패드를 제조하기 위한 조성물 내에서 완전히 혼합될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 조성물은 조성물의 총중량을 기준으로, 약 10 (일부 실시 형태에서, 약 15, 20, 25, 30, 또는 40 이상) 중량% 이상의 방사선 경화성 조성물 및 최대 약 85 (일부 실시 형태에서, 최대 약 80, 75, 70, 65, 60, 55, 또는 50) 중량%의 방사선 경화성 조성물을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 조성물은 조성물의 총중량을 기준으로, 약 15 (일부 실시 형태에서, 약 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 또는 60) 중량% 이상의 열 경화성 조성물 및 최대 약 90 (일부 실시 형태에서, 최대 약 85, 80, 또는 75) 중량%의 열 경화성 조성물을 포함한다.The radiation curable and thermosetting compositions can be thoroughly mixed in a composition for making the porous polishing pad disclosed herein. In some embodiments, the composition comprises at least about 10 (in some embodiments, at least about 15, 20, 25, 30, or 40 or more) weight percent radiation curable compositions and at most about 85 (in some embodiments, , Up to about 80, 75, 70, 65, 60, 55, or 50 weight percent of radiation curable compositions. In some embodiments, the composition comprises about 15 (in some embodiments, about 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, or 60) weight percent or more thermosetting composition and a maximum About 90 (in some embodiments, up to about 85, 80, or 75) percent by weight thermosetting composition.
일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지 조성물, 방사선 경화성 수지 조성물, 및 중합체 입자를 포함하는 조성물은 계면활성제를 추가로 포함한다. 유사하게, 일부 실시 형태에서, 열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크, 가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자, 및 가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공을 포함하는 다공성 연마 층은 가교결합된 네트워크 내에 분산된 계면활성제를 추가로 포함한다. 본 발명의 실시에 유용할 수 있는 계면활성제의 예에는 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제(예를 들어, 쯔비터이온성 계면활성제), 및 그의 조합이 포함된다. 이들 유형의 계면활성제의 각각은 불소화합물계, 실리콘 및 탄화수소기반 계면활성제를 포함할 수 있다.In some embodiments, the composition comprising the thermosetting resin composition, the radiation curable resin composition, and the polymer particles further comprises a surfactant. Similarly, in some embodiments, a crosslinked network comprising a thermally cured component and a radiation cured component, polymer particles dispersed within the crosslinked network, and a porous structure comprising closed cell pores dispersed within the crosslinked network The abrasive layer further comprises a surfactant dispersed within the crosslinked network. Examples of surfactants that may be useful in the practice of the present invention include anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, amphoteric surfactants (e.g., zwitterionic surfactants), and combinations thereof do. Each of these types of surfactants may include fluorine-based, silicone, and hydrocarbon-based surfactants.
예시적인 유용한 양이온성 계면활성제에는 지방족 암모늄염이 포함된다. 예시적인 유용한 음이온성 계면활성제에는 카르복실산염(예를 들어, 지방산염 및 알킬에테르 카르복실산염), 설폰산염(예를 들어, 알킬벤젠설폰산염, 알킬나프탈렌 설폰산염, 및 알파-올레핀설폰산염), 황산염(예를 들어, 고급 알코올 황산 에스테르 염 및 알킬에테르 황산염), 및 인산염(예를 들어, 알킬인산염)이 포함된다. 예시적인 유용한 비이온성 계면활성제에는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 에테르 에스테르(예를 들어, 글리세린 에스테르의 폴리옥시에틸렌 에테르), 에스테르(예를 들어, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르, 글리세린 에스테르, 소르비탄 에스테르), 및 실리콘 글리콜 공중합체, 예를 들어 미국 펜실베니아주 알렌타운 소재의 에어 프로덕츠로부터 상표명 "댑코(DABCO)"로 입수가능한 것들이 포함된다. 계면활성제는 조성물 또는 다공성 연마 층의 총중량을 기준으로, 예를 들어 최대 10 중량%(일부 실시 형태에서, 최대 4, 3, 또는 2 중량%)의 양으로 조성물에 또는 연마 층에 존재할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 계면활성제는 조성물 또는 다공성 연마 층의 총중량을 기준으로 1% 이상의 양으로 존재한다. 본 발명은 본 명세서에 설명된 연마 패드의 제조 방법을 제공한다. 본 방법은 열 경화성 수지 조성물, 방사선 경화성 수지 조성물, 및 중합체 입자를 포함하는 조성물에 세공을 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 조성물에 세공을 형성하는 단계는 조성물을 혼합함으로써 수행된다. 혼합은 다양한 기술로, 예를 들어 기계 혼합기 또는 수동 혼합을 이용하여 이루어질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 혼합 공정(및 기계 혼합기)은 공전과 자전 둘 모두를 포함할 수 있다. 입자 크기 및 중합체 입자의 로딩은, 상기한 바와 같이, 생성되는 연마 층의 다공도에 영향을 줄 수 있다.Exemplary useful cationic surfactants include aliphatic ammonium salts. Exemplary useful anionic surfactants include carboxylic acid salts (e.g., fatty acid salts and alkyl ether carboxylic acid salts), sulfonates (e.g., alkylbenzenesulfonates, alkylnaphthalenesulfonates, and alpha-olefin sulfonates) , Sulfates (e.g., higher alcohol sulfate ester and alkyl ether sulfate), and phosphates (e.g., alkyl phosphates). Exemplary useful nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers, ether esters (e.g., polyoxyethylene ethers of glycerin esters), esters (e.g., polyethylene glycol fatty acid esters, glycerin esters, sorbitan esters) Silicone glycol copolymers such as those available under the trade designation "DABCO" from Air Products of Allentown, Pa., USA. The surfactant may be present in the composition or in the polishing layer in an amount of, for example, up to 10% by weight (in some embodiments up to 4, 3, or 2% by weight) based on the total weight of the composition or porous abrasive layer. In some embodiments, the surfactant is present in an amount of at least 1% based on the total weight of the composition or porous abrasive layer. The present invention provides a method of manufacturing a polishing pad as described herein. The method includes forming pores in a composition comprising a thermosetting resin composition, a radiation curable resin composition, and polymer particles. In some embodiments, the step of forming pores in the composition is carried out by mixing the composition. Mixing can be accomplished in a variety of techniques, for example using mechanical mixers or manual mixing. In some embodiments, the mixing process (and mechanical mixer) may include both orbital and rotational. The particle size and loading of the polymer particles can affect the porosity of the resulting abrasive layer, as described above.
일부 실시 형태에서, 열 경화성 수지 조성물, 방사선 경화성 수지 조성물, 및 중합체 입자를 포함하는 조성물은 함께 혼합되어 지지 층 상에 위치될 수 있다. 지지 층 상부 상의 개방 몰드(예를 들어, 상부 또는 뚜껑이 없는 몰드)가 연마 층의 원하는 형상을 형성하는 데 유용할 수 있다. 혼합물은 몰드를 균일하게 충전하기 위해 기계적 수단에 의해 몰드 내로 분배될 수 있다. 적합한 기계적 수단은 저압 압착 또는 압축 롤러의 사용을 포함할 수 있다.In some embodiments, the thermosetting resin composition, the radiation curable resin composition, and the composition comprising the polymer particles may be mixed together and placed on the support layer. An open mold (e.g., top or uncoated mold) on top of the support layer may be useful for forming the desired shape of the abrasive layer. The mixture may be dispensed into the mold by mechanical means to uniformly fill the mold. Suitable mechanical means may include the use of low pressure squeeze or compression rollers.
본 명세서에 개시된 연마 패드의 제조 방법은 또한 조성물을 방사선에 노출시켜 방사선 경화성 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키고 조성물을 가열하여 열 경화성 수지를 적어도 부분적으로 경화시킴으로써 연마 층을 형성하는 단계를 포함한다. 방사선은 전형적으로 자외 방사선(즉, 약 200 ㎚ 내지 약 400 ㎚ 범위의 방사선)이다. 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 필요한 방사선의 양은, 예를 들어 방사선에 대한 노출 각도, 조성물의 두께, 조성물 내의 중합성 기의 양, 및 광개시제의 유형과 양을 비롯한 다양한 요인에 좌우될 것이다. 전형적으로, 약 200 ㎚ 내지 약 400 ㎚의 파장을 가진 UV 광원이, 조성물의 방사선 흡수 프로파일에 적합한 UV 공급원을 지나는 통과 속도를 제공하는 컨베이어 시스템 상에서 수송되는 조성물을 향하게 된다. 유용한 UV 광원은, 예를 들어 초고압 수은 램프, 고압 수은 램프, 중압 수은 램프, 저강도 형광 램프, 금속 할라이드 램프, 마이크로웨이브 구동 램프, 크세논 램프, 예를 들어 엑시머 레이저 및 아르곤-이온 레이저를 비롯한 레이저빔 공급원, 및 그의 조합을 포함한다. 그 후, 조성물은, 예를 들어 최대 약 180℃, 최대 약 150℃, 최대 약 135℃, 또는 최대 약 120℃(예를 들어, 80℃ 내지 120℃, 80℃ 내지 110℃, 또는 90℃ 내지 100℃ 범위)의 승온의 오븐에서 소정 기간(예를 들어, 30분 내지 24시간) 동안 놓여질 수 있다. 방사선에 대한 노출 및 가열은 순차적으로 또는 동시에 수행될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 방사선에 대한 노출은 가열 전에 수행된다.The method of making a polishing pad disclosed herein also includes forming the polishing layer by at least partially curing the radiation curable composition by exposing the composition to radiation and heating the composition to at least partially cure the thermosetting resin. The radiation is typically ultraviolet radiation (i.e., radiation in the range of about 200 nm to about 400 nm). The amount of radiation required to at least partially cure the composition will depend on a variety of factors including, for example, the exposure angle to radiation, the thickness of the composition, the amount of polymerizable group in the composition, and the type and amount of photoinitiator. Typically, a UV light source having a wavelength of from about 200 nm to about 400 nm is directed to a composition that is transported on a conveyor system that provides a through rate through a UV source that is compatible with the radiation absorption profile of the composition. Useful UV light sources include, for example, ultra-high pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, medium pressure mercury lamps, low intensity fluorescent lamps, metal halide lamps, microwave driven lamps, xenon lamps such as excimer lasers and argon- A beam source, and combinations thereof. The composition may then be heated to a temperature of, for example, up to about 180 캜, up to about 150 캜, up to about 135 캜, or up to about 120 캜 (e.g., from 80 캜 to 120 캜, 80 캜 to 110 캜, (For example, 30 minutes to 24 hours) in an oven at an elevated temperature of about < RTI ID = 0.0 > 100 C < / RTI > Exposure to radiation and heating may be performed sequentially or simultaneously. In some embodiments, exposure to radiation is performed prior to heating.
본 발명의 연마 패드는 하나 이상의 작업 표면을 가질 수 있으며, 여기서 본 명세서에 사용되는 바와 같이 "작업 표면"은 연마될 용품의 표면과 접촉할 수 있는 연마 패드의 표면을 말한다. 일부 실시 형태에서, 연마될 용품은 규소 웨이퍼일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 연마 패드의 작업 표면은 채널, 홈, 구멍 및 그의 조합과 같은 표면 특징부를 가질 수 있다. 이들 표면 특징부는 다음 특징 중 하나 이상을 향상시킬 수 있다: (1) 패드의 작업 표면과 연마 중인 용품의 표면 사이의 연마 슬러리의 이동; (2) 연마 중인 용품의 표면으로부터 연마된 재료의 제거 및 수송; 또는 (3) 연마 패드의 연마 또는 평탄화 효율.The polishing pad of the present invention may have one or more work surfaces, as used herein, refers to a surface of a polishing pad that is capable of contacting a surface of an article to be polished. In some embodiments, the article to be polished may be a silicon wafer. In some embodiments, the work surface of the polishing pad may have surface features such as channels, grooves, holes, and combinations thereof. These surface features can improve one or more of the following features: (1) movement of the polishing slurry between the working surface of the pad and the surface of the article being polished; (2) removing and transporting the polished material from the surface of the article being polished; Or (3) the polishing or planarization efficiency of the polishing pad.
표면 특징부는 다양한 방법에 의해 연마 패드의 작업 표면 내로 포함될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 패드의 작업 표면은, 예를 들어 연마 또는 절단에 의해 기계적으로 변경될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 표면 특징부는, 예를 들어 패드의 형성 동안 패드의 작업 표면 내로 임프린트(imprint)될 수 있는 융기된 특징부를 몰드의 적어도 하나의 내부 표면에 제공함으로써, 성형 공정 동안 패드의 작업 표면 내로 포함될 수 있다. 표면 특징부는 연마 패드의 작업 표면을 가로질러 무작위 또는 균일 패턴의 형태로 분포될 수 있다. 예시적인 표면 특징부 패턴은 나선형, 원형, 정사각형, 망상선 및 와플형 패턴을 포함할 수 있다.The surface features can be incorporated into the working surface of the polishing pad by a variety of methods. In some embodiments, the working surface of the pad can be mechanically altered, for example by polishing or cutting. In another embodiment, the surface feature may provide at least one internal surface of the mold with a raised feature that can be imprinted into the working surface of the pad during formation of the pad, for example, Lt; / RTI > The surface features can be distributed in the form of a random or uniform pattern across the working surface of the polishing pad. Exemplary surface feature patterns may include helical, circular, square, network lines, and waffle-like patterns.
일부 실시 형태에서, 본 발명에 따른 또는 본 발명에 따라 제조된 연마 패드는 지지 층으로부터 돌출하는 분리된 연마 요소를 포함한다. 이제 도 3을 참조하면, 복수개의 연마 요소(4)를 포함하는 연마 패드(2)의 실시 형태가 도시되는데, 각각의 연마 요소(4)는 선택적 지지 층(8)에 고정되어 있다. 연마 패드(2)는 컴플라이언트 층(10)을 추가로 포함한다. 전형적으로, 분리된 연마 요소를 포함하는 연마 층은 연속 층이지만 이는 도 3에 도시되어 있지 않다. 분리된 연마 요소 사이에서, 필름은 두께가, 예를 들어 최대 0.01, 0.02, 또는 0.03 ㎜일 수 있다. 다른 실시 형태에서, 분리된 연마 요소를 포함하는 연마 층은, 예를 들어 분리된 연마 요소들 사이에서 필름 내에 불연속성을 가질 수 있다. 연마 요소(4)들은 연마 요소(4)들 사이에 박막 층(도시되지 않음)을 가진 예시된 실시 형태에서 지지 층에 고정되므로, 연마 요소(4)의 다른 연마 요소(4)들 중 하나 이상에 대한 측방 운동이 제한되지만, 연마 요소(4)는 전형적으로 연마 요소(4) 각각의 연마 표면(14)에 수직인 축에서 독립적으로 운동가능하게 남아 있다. 도시된 바와 같이, 연마 요소(4)의 각각은 일반적으로, 사실상 전체 연마 요소(4)에 걸쳐 분포된 복수개의 세공(15)을 갖는다.In some embodiments, a polishing pad according to or according to the present invention comprises a separate polishing element that protrudes from the support layer. Referring now to FIG. 3, there is shown an embodiment of a
도 3에 의해 예시된 실시 형태에서, 연마 요소(4)는, 예를 들어 지지 층(8)에 대한 직접 접합에 의해, 지지 층(8)의 제1 주요 면에 고정되어 도시된다. 연마 요소(4)는 지지 층(8) 상에서 직접 성형 및 경화될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 연마 요소(4)는 지지 층(8)에 부착되거나 또는 접착제를 이용하여 컴플라이언트 층(10)에 직접 부착될 수 있다. 이들 실시 형태에서, 다공성 연마 층은 전형적으로 불연속 층이다. 도 3에 의해 예시되는 특정 실시 형태에서, CMP 연마 장치(도 3에 도시되지 않음)의 연마 압반(도 3에 도시되지 않음)에 연마 패드(2)를 고정하기 위해 이용될 수 있는 선택적 감압 접착제 층(12)이 지지 층(8)에 대향하는 컴플라이언트 층(10)에 인접하게 도시된다.In the embodiment illustrated by Fig. 3, the abrasive element 4 is shown secured to the first major surface of the
도 4를 참조하면, 다른 예시적 실시 형태의 연마 패드(2')가 도시되는데, 연마 패드(2')는 제1 주요 면 및 제1 주요 면에 대향하는 제2 주요 면을 가진 컴플라이언트 층(30); 복수개의 연마 요소(24) - 각각의 연마 요소(24)는 컴플라이언트 층(30)의 제1 주요 면에 각각의 연마 요소(24)를 고정하기 위한 랜드 영역(25)을 가짐- ; 및 제1 주요 표면 및 제1 주요 표면에 대향하는 제2 주요 표면을 가진 선택적인 가이드 플레이트(31) - 가이드 플레이트(31)는 컴플라이언트 층(30)의 제1 주요 면 상에 복수개의 연마 요소(24)를 배열하기 위해 위치되며, 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면은 컴플라이언트 층(30)으로부터 원위에 있음 -를 포함한다.Referring to Figure 4, there is shown another exemplary embodiment of a polishing pad 2 ', wherein the polishing pad 2' comprises a
도 4에 의해 예시되는 바와 같이, 각각의 연마 요소(24)는 제1 주요 면에 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면으로부터 연장한다. 도 4에 의해 예시된 특정 실시 형태에서, 다공성 연마 요소(24)의 각각은 또한 사실상 전체 연마 요소(24)에 걸쳐 분포된 복수개의 세공(15)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 부가적으로, 도 4에 의해 예시되는 특정 실시 형태에서, 3개의 연마 요소(24)가 도시되는데, 모든 연마 요소(24)는 다공성 연마 표면(23) 및 사실상 전체 연마 요소(24)에 걸쳐 분포된 세공(15) 둘 모두를 포함하는 다공성 연마 요소로서 나타난다. 그러나, 많은 수의 연마 요소(24)가 사용될 수 있으며, 다공성 연마 요소의 수는 1개의 연마 요소만큼 적게, 연마 요소 전부만큼 많이, 또는 그 사이의 임의의 수만큼 선택될 수 있음이 이해될 것이다.As illustrated by FIG. 4, each
선택적 연마 조성물 분배 층(28)이 도 4에 의해 추가로 예시된다. 연마 공정 동안, 선택적 연마 조성물 분배 층(28)은 개별 연마 요소(24)에 작업 액체 및/또는 연마 슬러리를 분배하는 것을 돕는다. 도 4에 의해 예시된 바와 같이, 적어도 가이드 플레이트(31)와 선택적 연마 조성물 분배 층(28)을 통해 연장하는 복수개의 개구(26)가 또한 제공될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가이드 플레이트(31)는 또한 연마 조성물 분배 층으로 작용할 수 있다.The optional abrasive
도 4에 의해 예시된 바와 같이, 일부 실시 형태에서, 각각의 연마 요소(24)는 랜드 영역(25)을 가지며, 각각의 연마 요소(24)는 상응하는 랜드 영역(25)을 가이드 플레이트(31)의 제2 주요 표면에 맞물리게 함으로써 컴플라이언트 층(30)의 제1 주요 면에 고정된다. 각각의 연마 요소(24)의 적어도 일부는 상응하는 개구(26) 내로 연장하며, 각각의 연마 요소(24)는 또한 상응하는 개구(26)를 통과하여 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면으로부터 외향 연장한다. 따라서, 가이드 플레이트(31)의 복수개의 개구(26)는 지지 층(30) 상의 연마 요소(24)의 측방 배열을 안내하는 작용을 하는 한편, 또한 각각의 랜드 영역(25)과 맞물리게 하여 각각의 상응하는 연마 요소(24)를 지지 층(30)에 고정시킨다.4, each of the
결과적으로, 연마 공정동안, 연마 요소(24)는 지지 층(30)의 제1 주요 면에 실질적으로 수직인 방향으로 독립적으로 변위되기에 자유로운 한편, 여전히 가이드 플레이트(31)에 의해 컴플라이언트 층(30)에 고정된 채 남아 있다. 일부 실시 형태에서, 이것은 비컴플라이언트 연마 요소, 예를 들어 단지 연마 표면에 또는 그 근처에 실질적으로 분포된 세공을 가진 다공성 연마 요소의 사용을 허용할 수 있다.As a result, during the polishing process, the
도 4에 의해 예시된 특정 실시 형태에서, 연마 요소(24)는 부가적으로 컴플라이언트 층(30)과 가이드 플레이트(31) 사이의 계면에 위치된 선택적 접착제 층(34)을 이용하여 컴플라이언트 층(30)의 제1 주요 면에 고정된다. 그러나, 다른 접합 방법이 이용될 수 있는데, 예를 들어 열 및 압력을 이용하여 컴플라이언트 층(30)에 연마 요소(24)를 직접 접합시키는 것을 포함한다.4, the
도 4에 예시되지 않은 관련 예시적 실시 형태에서, 복수개의 개구는 개구의 어레이로서 배열될 수 있으며, 여기서 개구(26)의 적어도 일부는 주요 보어 및 가이드 플레이트(31)의 언더컷(undercut) 영역을 포함하며, 언더컷 영역은 상응하는 연마 요소 랜드 영역(25)과 맞물리는 견부(shoulder)를 형성하여, 연마 요소(24)와 컴플라이언트 층(30) 사이에서 접착제를 요구하지 않고 연마 요소(24)를 보유한다.4, the plurality of openings may be arranged as an array of openings, wherein at least a portion of the
또한, 제2 선택적 접착제 층(36)은, 도 4에 의해 예시된 바와 같이, 가이드 플레이트(31)의 제1 주요 표면에 선택적 연마 조성물 분배 층(28)을 고정하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 도 4에 의해 예시되는 특정 실시 형태에서, CMP 연마 장치(도 4에 도시되지 않음)의 연마 압반(도 4에 도시되지 않음)에 연마 패드(2')를 고정하기 위해 이용될 수 있는 선택적 감압 접착제 층(32)이 가이드 플레이트(31)에 대향하는, 지지 층(30)에 인접하여 도시되어 있다.A second
가이드 플레이트 및/또는 분배 층은 또한 다공성 연마 요소(4)가 랜드 영역을 갖지 않는 도 3에 도시된 실시 형태와 관련하여 사용될 수 있다. 지지 층(8)은 가이드 플레이트의 존재 하에서 제거될 수 있으며, 다공성 연마 요소는, 예를 들어 접착제를 이용하여, 컴플라이언트 층(10)에 고정될 수 있다.The guide plate and / or distribution layer may also be used in connection with the embodiment shown in Fig. 3 in which the porous abrasive element 4 does not have a land area. The
연마 표면(14, 23)에 대체로 평행한 방향으로 연마 요소(4, 24)를 통해 취한, 연마 요소(4, 24)의 단면 형상은 의도한 응용에 따라 폭넓게 변할 수 있다. 도 3 및 도 4가 대체로 원형 단면을 가진 원통형 연마 요소(4, 24)를 대체적으로 도시하지만, 다른 단면 형상이 가능하며 이는 일부 실시 형태에서 바람직할 수 있다. 예를 들어, 원형, 타원형, 삼각형, 정사각형, 직사각형, 육각형, 및 사다리꼴 단면 형상이 유용할 수 있다.The cross sectional shape of the
원형 단면을 가진 원통형 연마 요소(4, 24)의 경우, 연마 표면(14, 23)에 대체로 평행한 방향으로의 연마 요소(4, 24)의 단면 직경은 약 50 ㎛ 내지 약 20 ㎜일 수 있으며, 일부 실시 형태에서 단면 직경은 약 1 ㎜ 내지 약 15 ㎜이며, 다른 실시 형태에서, 단면 직경은 약 5 ㎜ 내지 약 15 ㎜(또는 심지어 약 5 ㎜ 내지 약 10 ㎜)이다. 비원형 단면을 가진 비원통형 연마 요소의 경우, 특징적인 치수를 이용하여 특정 높이, 폭, 및 길이에 의하여 연마 요소 크기를 특성화할 수 있다. 일부 예시적 실시 형태에서, 특징적 치수는 약 0.1 ㎜ 내지 약 30 ㎜이도록 선택될 수 있다.In the case of a cylindrical
다른 예시적 실시 형태에서, 연마 표면(14, 23)에 대체로 평행한 방향으로의 연마 요소(4, 24) 각각의 단면적은 약 1 ㎟ 내지 약 1,000 ㎟일 수 있으며, 다른 실시 형태에서는 약 10 ㎟ 내지 약 500 ㎟일 수 있으며, 또 다른 실시 형태에서, 약 20 ㎟ 내지 약 250 ㎟일 수 있다.In another exemplary embodiment, the cross-sectional area of each of the
연마 요소(도 3에서 4, 도 4에서 24)는 의도한 응용에 따라, 매우 다양한 패턴으로 컴플라이언트 층(도 3에서 10, 도 4에서 30)의 주요 면 상에 분포될 수 있으며, 패턴은 규칙적이거나 불규칙적일 수 있다. 연마 요소는 사실상 컴플라이언트 층의 전체 표면에 존재할 수 있거나, 또는 연마 요소를 포함하지 않는 지지 층 영역이 있을 수 있다. 일부 실시 형태에서, 연마 요소는, 연마 요소의 개수, 각 연마 요소의 단면적, 및 연마 패드의 단면적에 의해 결정되는 바와 같이, 컴플라이언트 층의 평균 표면 커버리지가 컴플라이언트 층의 주요 표면의 전체 면적의 약 30 내지 약 95%일 수 있다.The polishing element (4 in Fig. 3, 24 in Fig. 4) may be distributed on the major surface of the compliant layer (10 in Fig. 3, 30 in Fig. 3) in a very diverse pattern, depending on the intended application, It may be regular or irregular. The abrasive element may be present substantially on the entire surface of the compliant layer, or there may be a support layer region that does not include abrasive elements. In some embodiments, the abrasive element has an average surface coverage of the compliant layer, as determined by the number of abrasive elements, the cross-sectional area of each abrasive element, and the cross-sectional area of the polishing pad, of the total area of the major surface of the compliant layer About 30% to about 95%.
연마 패드의 주요 표면에 대체로 평행한 방향으로의 연마 패드의 단면적은, 일부 예시적 실시 형태에서 약 100 ㎠ 내지 약 300,000 ㎠, 다른 실시 형태에서 약 1,000 ㎠ 내지 약 100,000 ㎠, 그리고 또 다른 실시 형태에서 약 2,000 ㎠ 내지 약 50,000 ㎠ 범위일 수 있다.The cross-sectional area of the polishing pad in a direction generally parallel to the major surface of the polishing pad may range from about 100
연마 작업에서 연마 패드(도 3에서 2, 도 4에서 2')의 처음 사용 전에, 일부 예시적 실시 형태에서, 각각의 연마 요소(도 3에서 4, 도 4에서 24)는 컴플라이언트 층(도 3에서 10, 도 4에서 30)의 제1 주요 면에 실질적으로 수직인 제1 방향을 따라 연장한다. 다른 예시적 실시 형태에서, 각각의 연마 요소는 가이드 플레이트(도 4에서 31)를 포함하는 평면 위 약 0.25 ㎜ 이상의 제1 방향을 따라 연장한다. 추가의 예시적 실시 형태에서, 각각의 연마 요소는 지지 층(도 3에서 10)을 포함하는 평면 위 약 0.25 ㎜ 이상의 제1 방향을 따라 연장한다. 추가의 예시적 실시 형태에서, 연마 요소(도 3에서 2, 도 4에서 2')의 기부 또는 바닥 위 연마 표면(도 3에서 14, 도 4에서 23)의 높이는 사용되는 연마 조성물 및 연마 요소를 위해 선택된 재료에 따라, 0.25 ㎜, 0.5 ㎜, 1.5 ㎜, 2.0 ㎜, 2.5 ㎜, 3.0 ㎜, 5.0 ㎜, 10 ㎜ 또는 그 이상일 수 있다.Prior to the first use of the polishing pad (2 in FIG. 3, 2 'in FIG. 4) in a polishing operation, in some exemplary embodiments, each of the polishing elements (4 in FIG. 3 and 24 in FIG. 3) 3 to 10, and in FIG. 4, 30). In another exemplary embodiment, each abrasive element extends along a first direction at least about 0.25 mm above a plane that includes a guide plate (31 in Fig. 4). In a further exemplary embodiment, each abrasive element extends along a first direction at least about 0.25 mm above the plane comprising the support layer (10 in Figure 3). In a further exemplary embodiment, the height of the base or abrasive surface of the abrasive element (2 in Fig. 3, 2 ' in Fig. 4) May be 0.25 mm, 0.5 mm, 1.5 mm, 2.0 mm, 2.5 mm, 3.0 mm, 5.0 mm, 10 mm or more, depending on the material selected for use.
다시 도 4를 참조하면, 연마 조성물 분배 층(28) 및 가이드 플레이트(31)에 걸쳐 있는 개구(26)의 깊이와 간격은 특정 CMP 공정에 필요한 바에 따라 변할 수 있다. 연마 요소(24) 각각은 서로에 대하여 그리고 연마 조성물 분배 층(28) 및 가이드 플레이트(31)에 대하여 평면 배향으로 유지되고, 연마 조성물 분배 층(28) 및 가이드 플레이트(31)의 표면 위에 돌출한다.Referring again to FIG. 4, the depth and spacing of the
일부 예시적 실시 형태에서, 가이드 플레이트(31)와 임의의 연마 조성물 분배 층(도 4에서 28) 또는 지지 층(도 3에서 8) 위의 연마 요소(도 3에서 4, 도 4에서 24)의 연장에 의해 생성되는 부피는 연마 조성물 분배 층(도 4에서 28) 또는 지지 층(도 3에서 8)의 표면 상에 연마 조성물을 분배하기 위한 공간을 제공할 수 있다. 연마 요소(도 3에서 4, 도 4에서 24)는 연마 요소의 재료 특징 및 연마 조성물 분배 층(도 4에서 28) 또는 지지 층(도 3에서 8)의 표면 위에서의 연마 조성물(작업 액체 및 또는 연마 슬러리)의 원하는 유동에 적어도 부분적으로 종속하는 양만큼 연마 조성물 분배 층(도 4에서 28) 또는 지지 층(도 3에서 8) 위에 돌출한다.In some exemplary embodiments, the abrasive elements (4 in FIG. 3, 24 in FIG. 3) on the
일부 실시 형태에 유용한 가이드 플레이트는 중합체, 공중합체, 중합체 블렌드, 중합체 복합체 또는 그의 조합과 같은 매우 다양한 재료로 제조될 수 있다. 비전도성 및 액체 불투과성 중합체 재료가 대체로 바람직하며, 폴리카르보네이트가 특히 유용한 것으로 밝혀졌다.Guide plates useful in some embodiments may be made from a wide variety of materials, such as polymers, copolymers, polymer blends, polymer composites, or combinations thereof. Nonconductive and liquid impermeable polymeric materials are generally preferred, and polycarbonates have been found to be particularly useful.
일부 실시 형태에 유용한 선택적 연마 조성물 분배 층은 또한 매우 다양한 중합체 재료로 제조될 수 있다. 연마 조성물 분배 층은, 일부 실시 형태에서, 적어도 하나의 친수성 중합체를 포함한다. 바람직한 친수성 중합체에는 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알코올, 폴리옥시메틸렌, 및 그의 조합이 포함된다. 중합체 재료는 바람직하게는 다공성이며, 더욱 바람직하게는 연마 조성물 분배 층이 압축될 때 연마 작업 동안 기재를 향하는 양압을 제공하기 위해 폼을 포함한다. 개방 또는 폐쇄 셀을 가진 발포된 또는 다공성 재료가 일부 실시 형태에서 바람직할 수 있다. 일부 특정 실시 형태에서, 연마 조성물 분배 층은 다공도가 약 10 내지 약 90%이다. 대안적 실시 형태에서, 연마 조성물 층은 연마 작업 동안 윤활성 표면을 제공하기 위하여 바람직하게는 약 5 내지 약 60 중량% 범위로 물을 흡수할 수 있는, 예를 들어 친수성 우레탄과 같은, 하이드로겔 재료를 포함할 수 있다.Optional abrasive composition dispensing layers useful in some embodiments can also be made from a wide variety of polymeric materials. The polishing composition dispensing layer, in some embodiments, comprises at least one hydrophilic polymer. Preferred hydrophilic polymers include polyurethanes, polyacrylates, polyvinyl alcohols, polyoxymethylene, and combinations thereof. The polymeric material is preferably porous and more preferably comprises a foam to provide a positive pressure towards the substrate during the polishing operation when the polishing composition distribution layer is compressed. Foamed or porous materials with open or closed cells may be desirable in some embodiments. In certain embodiments, the polishing composition dispensing layer has a porosity of from about 10% to about 90%. In an alternative embodiment, the layer of abrasive composition comprises a hydrogel material, such as, for example, a hydrophilic urethane, which is capable of absorbing water, preferably in the range of about 5 to about 60 weight percent, to provide a lubricating surface during the polishing operation .
일부 예시적 실시 형태에서, 연마 조성물 분배 층은 연마되는 기재의 표면을 가로질러 연마 조성물을 사실상 균일하게 분배하여, 더 균일한 연마를 제공할 수 있다. 연마 조성물 분배 층은 선택적으로 유동 저항 요소, 예를 들어 배플, 홈(도면에 도시되지 않음), 세공 등을 포함하여, 연마 동안 연마 조성물의 유량을 조절할 수 있다. 추가의 예시적 실시 형태에서, 연마 조성물 분배 층은 연마 표면으로부터 변하는 깊이에서 원하는 연마 조성물 유량을 이루기 위하여 상이한 재료의 다양한 층을 포함할 수 있다.In some exemplary embodiments, the polishing composition distribution layer can distribute the polishing composition substantially uniformly across the surface of the substrate to be polished to provide a more uniform polishing. The polishing composition distribution layer can optionally control the flow rate of the polishing composition during polishing, including flow resistance elements, such as baffles, grooves (not shown), pores, and the like. In a further exemplary embodiment, the polishing composition distribution layer may comprise various layers of different materials to achieve the desired polishing composition flow rate at varying depths from the polishing surface.
일부 예시적 실시 형태에서, 하나 이상의 연마 요소는 연마 요소 내에 한정된 개방 코어 영역 또는 캐비티를 포함할 수 있으나, 그러한 배열이 필요하지는 않다. 일부 실시 형태에서, 국제 특허 공개 WO 2006/055720호(토저슨(Torgerson) 등)에 기재된 바와 같이, 연마 요소의 코어는 압력, 전도성, 커패시턴스, 와전류 등을 검출하기 위한 센서를 포함할 수 있다.In some exemplary embodiments, the at least one abrasive element may include an open core region or cavity defined within the abrasive element, but such an arrangement is not required. In some embodiments, the core of the abrasive element may include a sensor for detecting pressure, conductivity, capacitance, eddy current, etc., as described in International Patent Publication No. WO 2006/055720 (Torgerson et al.).
본 명세서에 개시된 연마 패드 및/또는 연마 패드의 제조 방법의 일부 실시 형태에서, 지지 층은 가요성 및 순응성 재료를 포함한다. 지지 층은 전형적으로 열 경화성 수지 조성물과 방사선 경화성 수지 조성물을 포함하는 조성물이 위에 경화될 수 있는 표면을 제공하는 필름이다. 다공성 연마 층이 연마 요소를 포함하는 일부 예시적 실시 형태에서, 적어도 일부가 다공성 연마 요소를 포함하는 연마 요소에는 지지 층에 고정된 연마 요소의 단일 시트로서 지지 층이 형성될 수 있다.In some embodiments of the polishing pad and / or polishing pad manufacturing method disclosed herein, the support layer comprises a flexible and compliant material. The support layer is typically a film that provides a surface upon which a composition comprising a thermosetting resin composition and a radiation curable resin composition can be cured thereon. In some exemplary embodiments in which the porous abrasive layer comprises abrasive elements, a support layer may be formed as a single sheet of abrasive elements secured to the support layer in an abrasive element, at least a portion of which comprises a porous abrasive element.
지지 층은 또한 연마 패드가 사용 중인 동안 연마 조성물 내의 물 또는 다른 유체로부터 컴플라이언트 층을 보호하는 역할을 한다. 지지 층은 일반적으로 유체 불투과성이지만, 투과성 재료가 선택적 장벽과 조합되어 사용되어 지지 층을 통한 유체 침투를 방지하거나 억제할 수 있다. 일부 예시적 실시 형태에서, 지지 층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타다이엔 고무, 네오프렌, 폴리우레탄, 폴리올레핀, 및 그의 조합으로부터 선택된 중합체 재료를 포함한다. 지지 층은 매우 다양한 추가 재료, 예를 들어 충전제, 미립자, 섬유, 보강제 등을 추가로 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 지지 층은 투명하다.The support layer also serves to protect the compliant layer from water or other fluid in the polishing composition while the polishing pad is in use. The support layer is generally fluid impermeable, but a permeable material may be used in combination with an optional barrier to prevent or inhibit fluid penetration through the support layer. In some exemplary embodiments, the support layer comprises a polymeric material selected from silicon, natural rubber, styrene-butadiene rubber, neoprene, polyurethane, polyolefin, and combinations thereof. The support layer may further comprise a wide variety of additional materials, such as fillers, particulates, fibers, reinforcing agents, and the like. In some embodiments, the support layer is transparent.
지지 층은, 예를 들어 재료(예를 들어, 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타다이엔 고무, 네오프렌, 폴리우레탄, 폴리올레핀, 및 그의 조합)를 필름으로 압출시켜 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 재료는, 예를 들어 미국 오하이오주 클리블렌드 소재의 루브리졸 어드밴스트 머티리얼스, 인크.(Lubrizol Advanced Materials, Inc.)로부터 상표명 "에스탄(ESTANE) 58887-NAT02"로 또는 미국 미시간주 미들랜드 소재의 다우 케미칼로부터 상표명 "펠레탄(PELLETHANE)", 예를 들어 "펠레탄 2102-65D"으로 입수가능한 폴리우레탄이다. 지지 층으로 유용한 구매가능한 필름은, 예를 들어 미국 매사추세츠주 이스트햄톤 소재의 스티븐스 우레탄(Stevens Urethane)으로부터 상표명 "ST-1882", "ST-1035", "SS-3331", "SS-1495L", 및 "ST-1880"으로 입수가능한 폴리우레탄 필름을 포함한다.The support layer can be made, for example, by extruding a material (e.g., silicone, natural rubber, styrene-butadiene rubber, neoprene, polyurethane, polyolefin, and combinations thereof) into a film. In some embodiments, the material is available from, for example, Lubrizol Advanced Materials, Inc. of Cleveland, Ohio under the trade designation "ESTANE 58887-NAT02" Is a polyurethane available under the trade designation "PELLETHANE ", for example" Peltan 2102-65D " from Dow Chemical, Midland, Mich. ST-1882 ", "ST-1035 "," SS-3331 ", "SS- 1495L ", and" ST- , And "ST-1880 ".
본 명세서에 개시된 연마 패드 및/또는 연마 패드의 제조 방법의 일부 실시 형태에서, 컴플라이언트 층은 가요성 및 순응성 재료, 예를 들어 순응성 고무 또는 중합체를 포함한다. 컴플라이언트 층은 대체로 압축성이어서 연마 표면을 향하는 양압을 제공하며, 예를 들어 연마 패드와 연마 중인 기재의 표면 사이에 접촉 균일성을 제공하도록 도울 수 있다. 일부 예시적 실시 형태에서, 컴플라이언트 층은 압축성 중합체 재료(예를 들어, 천연 고무, 합성 고무, 또는 열가소성 탄성중합체로 제조된 발포된 중합체 재료)로 제조된다. 폐쇄 셀 다공성 재료가 유용할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 컴플라이언트 층은 폴리우레탄을 포함하며, 예를 들어 발포된 폴리우레탄 또는 폴리우레탄 함침 펠트일 수 있다. 컴플라이언트 층의 두께는, 예를 들어 0.2 내지 3 ㎜ 범위일 수 있다. 연마 층이 연마 요소를 포함하는 일부 예시적 실시 형태에서, 적어도 일부가 다공성 연마 요소를 포함하는 연마 요소에는 다공성 컴플라이언트 층일 수 있는 컴플라이언트 층에 고정된 연마 요소의 단일 시트로서 컴플라이언트 층이 형성될 수 있다.In some embodiments of the polishing pad and / or polishing pad manufacturing methods disclosed herein, the compliant layer comprises a flexible and compliant material, such as a compliant rubber or polymer. The compliant layer is generally compressible to provide a positive pressure towards the polishing surface and may help to provide contact uniformity, for example, between the polishing pad and the surface of the substrate being polished. In some exemplary embodiments, the compliant layer is made of a compressible polymeric material (e.g., a foamed polymeric material made of natural rubber, synthetic rubber, or thermoplastic elastomer). Closed cell porous materials may be useful. In some embodiments, the compliant layer comprises polyurethane and may be, for example, a foamed polyurethane or polyurethane impregnated felt. The thickness of the compliant layer may range, for example, from 0.2 to 3 mm. In some exemplary embodiments where the abrasive layer comprises abrasive elements, the abrasive element, at least a portion of which comprises a porous abrasive element, includes a compliant layer formed as a single sheet of abrasive elements secured to a compliant layer, which may be a porous compliant layer .
일부 예시적 실시 형태에서, 컴플라이언트 층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타다이엔 고무, 네오프렌, 폴리올레핀, 폴리우레탄, 및 그의 조합으로부터 선택된 중합체 재료를 포함한다. 컴플라이언트 층은 매우 다양한 추가 재료, 예를 들어 충전제, 미립자, 섬유, 보강제 등을 추가로 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 컴플라이언트 층은 (투과성 재료가 상기한 바와 같이 지지 층과 조합되어 사용될 수 있지만) 유체 불투과성이다.In some exemplary embodiments, the compliant layer comprises a polymeric material selected from silicone, natural rubber, styrene-butadiene rubber, neoprene, polyolefin, polyurethane, and combinations thereof. The compliant layer may further comprise a wide variety of additional materials such as fillers, particulates, fibers, reinforcing agents, and the like. In some embodiments, the compliant layer is fluid impermeable (although the permeable material may be used in combination with the support layer as described above).
적합한 구매가능한 컴플라이언트 층에는, 예를 들어 제품 설명 4701-60-20062-04, 4701-50-20062-04, 4701-40-20062-04를 가진, 미국 코네티컷주 로저스 소재의 로저스 코포레이션(Rogers Corp.)으로부터 상표명 "포론(PORON)"으로 입수가능한 마이크로셀 폴리우레탄이 포함된다. 다른 적합한 컴플라이언트 층에는, 예를 들어 미국 델라웨어주 뉴왁 소재의 로델, 인코포레이티드(Rodel, Incorporated)로부터 상표명 "수바(SUBA) IV"로 입수가능한 폴리우레탄 함침된 폴리에스테르 펠트, 및 미국 캘리포니아주 산타 아나 소재의 루버라이트 사이프레스 스폰지 루버 프로덕츠, 인크.(Rubberite Cypress Sponge Rubber Products, Inc.)로부터 상표명 "본드텍스(BONDTEX)"로 입수가능한 접합된 고무 시트가 포함된다.A suitable purchasable compliant layer includes, for example, Rogers Corp, Inc. of Rogers, Connecticut, USA, having product descriptions 4701-60-20062-04, 4701-50-20062-04, 4701-40-20062-04. ) Available under the trade designation "PORON ". Other suitable compliant layers include, for example, polyurethane-impregnated polyester felt available under the trade designation "SUBA IV " from Rodel, Incorporated of Newark, Del. Included is a bonded rubber sheet available under the trade designation "BONDTEX " from Lube Light Cypress Sponge Rubber Products, Inc., Santa Ana, Calif.
본 명세서에 개시된 연마 패드 및/또는 연마 패드의 제조 방법의 일부 실시 형태에서, 연마 패드는 연마 표면에 수직인 방향으로 패드를 통해 연장하는 윈도우를 포함할 수 있거나, 또는 국제 특허 공개 WO 2009/140622호(바자즈 등)에 기재된 바와 같이, 연마 공정의 광학적 종점을 허용하기 위한, 투명층 및/또는 투명 연마 요소를 사용할 수 있다.In some embodiments of the methods of making an abrasive pad and / or a polishing pad as disclosed herein, the polishing pad may comprise a window extending through the pad in a direction perpendicular to the polishing surface, A transparent layer and / or a transparent abrasive element may be used to allow the optical end point of the polishing process, as described in US Pat.
상기에 사용되는 바와 같이 용어 "투명층"은 투명 영역을 포함하는 층을 포함하는데, 이는 층의 나머지와 동일하거나 상이한 재료로 제조될 수 있다. 일부 예시적 실시 형태에서, 연마 요소, 지지 층, 컴플라이언트 층, 또는 연마 층 또는 지지 층의 영역 중 적어도 하나는 투명할 수 있거나, 재료에 열 및/또는 압력을 인가하여 투명하게 될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 투명 재료는 층 내에 적절하게 위치된 개구 내에 (예를 들어, 몰드를 이용하여) 제자리에서 캐스팅되어 (예를 들어, 연마 층, 지지 층, 또는 컴플라이언트 층 내에) 투명 영역을 생성할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 연마 층은 예비성형된 윈도우의 존재 하에서 경화되어 연마 층 내에 투명 영역을 생성한다. 일부 실시 형태에서, 전체 지지 층 및/또는 컴플라이언트 층은 종점 검출 장치에 의해 이용되는 관심 파장(들)의 범위 내의 에너지에 투명하거나 투명하게 될 수 있는 재료로 제조될 수 있다. 투명한 요소, 층 또는 영역에 적합한 투명 재료에는, 예를 들어 투명 폴리우레탄이 포함된다.The term "transparent layer " as used above includes a layer comprising a transparent region, which may be made of the same or different material as the rest of the layer. In some exemplary embodiments, at least one of the areas of the abrasive element, the support layer, the compliant layer, or the abrasive layer or the support layer may be transparent, or may be transparent by applying heat and / or pressure to the material. In some embodiments, the transparent material is cast in place (e.g., using a mold) in an opening appropriately positioned within the layer (e.g., within the abrasive layer, support layer, or compliant layer) Can be generated. In some embodiments, the polishing layer is cured in the presence of the preformed window to create a transparent region within the polishing layer. In some embodiments, the entire support layer and / or compliant layer may be made of a material that can be transparent or transparent to energy within the range of wavelength (s) of interest utilized by the endpoint detection device. Transparent materials suitable for transparent elements, layers or regions include, for example, transparent polyurethanes.
더욱이, 상기에 사용되는 바와 같이, 용어 "투명한"은 종점 검출 장치에 의해 이용되는 관심 파장(들)의 범위 내의 에너지에 실질적으로 투명한 요소, 층 및 또는 영역을 포함하고자 한다. 일부 예시적 실시 형태에서, 종점 검출 장치는 자외선 광, 가시광, 적외선 광, 마이크로웨이브, 전파, 그의 조합 등의 형태로 방사선을 방출하기 위해 하나 이상의 전자기 에너지 공급원을 이용한다. 일부 실시 형태에서, 용어 "투명한"은 투명 요소, 층 또는 영역 상에 충돌하는 관심 파장에서 에너지의 약 25% 이상(예를 들어, 약 35% 이상, 약 50% 이상, 약 60% 이상, 약 70% 이상, 약 80% 이상, 약 90% 이상, 약 95% 이상)이 그를 통해 투과됨을 의미한다.Moreover, as used above, the term "transparent" is intended to include elements, layers and / or regions that are substantially transparent to energy within the range of wavelength (s) of interest utilized by the endpoint detection apparatus. In some exemplary embodiments, the endpoint detection device utilizes one or more sources of electromagnetic energy to emit radiation in the form of ultraviolet light, visible light, infrared light, microwaves, radio waves, combinations thereof, and the like. In some embodiments, the term "transparent" means that at least about 25% (e.g., at least about 35%, at least about 50%, at least about 60% 70% or more, about 80% or more, about 90% or more, or about 95% or more) is transmitted therethrough.
일부 예시적 실시 형태에서, 지지 층은 투명하다. 일부 실시 형태에서, 연마 층은 투명하다. 상기 도 3에서 예시된 실시 형태를 비롯하여 일부 예시적 실시 형태에서, 적어도 하나의 연마 요소는 투명하다. 일부 실시 형태에서, 지지 층은 투명하고, 연마 층의 적어도 일부(예를 들어, 연마 요소)가 투명하고, 연마 층의 투명한 부분과 정렬된 컴플라이언트 층 내에는 구멍이 있다.In some exemplary embodiments, the support layer is transparent. In some embodiments, the polishing layer is transparent. In some exemplary embodiments, including the embodiment illustrated in FIG. 3, at least one polishing element is transparent. In some embodiments, the support layer is transparent, at least a portion of the abrasive layer (e.g., abrasive element) is transparent, and there is a hole in the compliant layer aligned with the transparent portion of the abrasive layer.
상기 도 4에 예시된 실시 형태를 비롯한 추가의 예시적 실시 형태에서, 적어도 하나의 연마 요소가 투명하고, 접착제 층 및 컴플라이언트 층 또한 투명하다. 추가의 예시적 실시 형태에서, 컴플라이언트 층, 가이드 플레이트, 연마 조성물 분배 층, 적어도 하나의 연마 요소, 또는 그의 조합이 투명하다.In a further exemplary embodiment, including the embodiment illustrated in FIG. 4, the at least one abrasive element is transparent, and the adhesive layer and compliant layer are also transparent. In a further exemplary embodiment, the compliant layer, guide plate, polishing composition distribution layer, at least one abrasive element, or a combination thereof is transparent.
본 발명은 추가로 연마 공정에서 상기에 설명된 바와 같은 연마 패드를 이용하는 방법에 관한 것이며, 본 방법은 기재의 표면을 본 발명에 따른 연마 패드의 다공성 연마 층과 접촉시키는 단계와 연마 패드를 기재에 대하여 상대 이동시켜 기재 표면을 연마하는 단계를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 연마 패드의 다공성 연마 층은 복수개의 연마 요소를 포함하며, 그 중 적어도 일부는 다공성이다. 일부 예시적 실시 형태에서, 작업 액체는 연마 패드 표면과 기재 표면 사이의 계면에 제공될 수 있다. 적합한 작업 액체는, 예를 들어 미국 특허 제6,238,592호(하디(Hardy) 등) 및 제6,491,843호(스리니바산(Srinivasan) 등) 및 국제 특허 공개 WO 2002/33736호(허(Her) 등)에서 설명된 것들을 포함한다.The present invention further relates to a method of using a polishing pad as described above in an abrasive process comprising contacting the surface of a substrate with a porous abrasive layer of a polishing pad according to the present invention, And polishing the surface of the substrate. In some embodiments, the porous polishing layer of the polishing pad comprises a plurality of polishing elements, at least some of which are porous. In some exemplary embodiments, a working liquid may be provided at the interface between the polishing pad surface and the substrate surface. Suitable working liquids are described, for example, in U.S. Patent No. 6,238,592 (Hardy et al.) And 6,491,843 (Srinivasan et al.) And International Patent Publication No. WO 2002/33736 Includes the described.
일부 실시 형태에서, 본 발명의 연마 패드 및/또는 본 발명의 방법에 따라 제조된 연마 패드의 연마 층은 평균 세공 크기가 5 마이크로미터 이상, 10 마이크로미터 이상, 또는 15 마이크로미터 이상일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 연마 패드는 평균 세공 크기가 최대 100, 75, 50, 45, 또는 40 마이크로미터일 수 있다. 예를 들어, 평균 세공 크기는 5 내지 100, 5 내지 75, 5 내지 50, 5 내지 40, 또는 5 내지 30 마이크로미터일 수 있다. 일부 실시 형태(예를 들어, 계면활성제 중 적어도 하나가 포함되거나 중합체 입자가 섬유인 실시 형태)에서, 연마 패드는 평균 세공 크기가 최대 30, 25, 또는 20 마이크로미터일 수 있다. 세공 크기는 일반적으로 세공의 직경을 말한다. 그러나, 세공이 비구형인 실시 형태에서, 세공 크기는 세공의 최대 치수를 말할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 세공 크기 불균일도는 40 내지 75% 범위 또는 40 내지 60% 범위이다. 일부 실시 형태에서, 세공 크기 불균일도는 최대 75, 70, 65, 60, 55, 또는 50%이다. 그에 반해서, 열 경화성 조성물을 포함하는 비교 조성물은 세공 크기 불균일도가 80, 90 또는100%보다 클 수 있다. 일부 실시 형태에서, 본 발명에 따른 연마 패드 내의 연마 층은 다공도가 5 내지 60% 범위 또는 5 내지 55% 범위, 10 내지 50% 범위, 또는 10 내지 40% 범위일 수 있다.In some embodiments, the polishing pad of the present invention and / or the polishing pad of the polishing pad made according to the method of the present invention may have an average pore size of greater than or equal to 5 micrometers, greater than or equal to 10 micrometers, or greater than or equal to 15 micrometers. In some embodiments, the polishing pad may have an average pore size of up to 100, 75, 50, 45, or 40 micrometers. For example, the average pore size may be from 5 to 100, from 5 to 75, from 5 to 50, from 5 to 40, or from 5 to 30 micrometers. In some embodiments (e.g., embodiments wherein at least one of the surfactants is included or the polymer particles are fibers), the polishing pad may have an average pore size of up to 30, 25, or 20 micrometers. The pore size generally refers to the pore diameter. However, in embodiments where the pores are non-spherical, the pore size can refer to the largest dimension of the pores. In some embodiments, the pore size non-uniformity ranges from 40 to 75% or from 40 to 60%. In some embodiments, the pore size non-uniformity is at most 75, 70, 65, 60, 55, or 50%. On the contrary, the comparative composition comprising the thermosetting composition may have a pore size non-uniformity of greater than 80, 90 or 100%. In some embodiments, the polishing layer in the polishing pad according to the present invention may have a porosity in the range of 5 to 60%, or in the range of 5 to 55%, in the range of 10 to 50%, or in the range of 10 to 40%.
본 발명에 따른 연마 층 내의 그리고 비교용 열 경화성 조성물 내의 세공 크기의 제어 사이의 차이는 도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 6b에 예시되어 있다. 도 5a 및 도 5b는 각각 하기 실시예들 중 실시예 2에서 설명된 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진이다. 그에 반해서, 도 6a 및 도 6b는 각각 비교예 3의 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진이다. 실시예 2 및 비교예 3 둘 모두는 10 중량%의 중합체 입자를 이용하여 제조하였으며 동일한 방식으로 혼합하였다. 그러나, 실시예 2는 방사선 경화 및 열 경화 둘 모두에 의해 경화시켰으며, 비교예 3은 열 경화만으로 경화시켰다. 실시예 2의 세공이 비교예 3의 세공보다 더 잘 제어됨을 현미경사진이 예시한다. 하기 실시예의 표 1의 데이터는 또한 비교예 3에서보다 실시예 2에서 크기 범위가 더 낮고, 세공 크기 불균일도가 더 낮고, 경도는 더 높다는 것을 뒷받침한다.The difference between the control of the pore size in the polishing layer according to the invention and in the comparative thermosetting composition is illustrated in Figures 5A, 5B, 6A and 6B. Figures 5A and 5B are cross-sectional and plan-view micrographs of the cured compositions described in Example 2 of the following examples, respectively. On the other hand, FIGS. 6A and 6B are cross-sectional and plan-view micrographs of the cured composition of Comparative Example 3, respectively. Both Example 2 and Comparative Example 3 were prepared using 10 wt% polymer particles and mixed in the same manner. However, Example 2 was cured by both radiation curing and thermal curing, and Comparative Example 3 was cured by thermal curing alone. Micrographs illustrate that the pores of Example 2 are better controlled than the pores of Comparative Example 3. The data in Table 1 of the following examples also support that the size range is lower, the pore size non-uniformity is lower, and the hardness is higher in Example 2 than in Comparative Example 3. [
이론에 구애되고자 함이 없이, 세공 크기 및 세공 크기 불균일도에 대한 제어가 연마 층의 경도에 상관될 수 있는 것으로 여겨진다. 일부 실시 형태에서, 다공성 연마 층은 경도가 40, 45, 또는 50 쇼어(Shore) D 이상이다. 경도는, 예를 들어 하기 실시예에서 설명되는 바와 같이 시험 방법 2에 따라 측정할 수 있다. 그에 반해서, 열 경화성 조성물을 포함하는 비교용 조성물은 경도가 40 쇼어 D 미만일 수 있다.Without wishing to be bound by theory, it is believed that control over pore size and pore size non-uniformity can be correlated to the hardness of the polishing layer. In some embodiments, the porous abrasive layer has a hardness of 40, 45, or greater than 50 Shore D. The hardness can be measured according to
계면활성제는, 예를 들어 전형적으로 계면활성제의 부재 하에서의 이중 경화법에서보다 훨씬 더 세공 크기와 세공 크기 범위를 감소시키고 세공 분포를 향상시키기 위하여, 본 명세서에 개시된 조성물과 다공성 연마 층에서 유용하다. 다시 말하면, 계면활성제의 첨가는 세공 크기 분포 및 세공의 크기, 밀도 및 형상에 대한 더 나은 제어를 제공하는 것을 도울 수 있으며, 이것은 다시 균일한 성능(예를 들어, 제거 속도 및 웨이퍼 내 균일도)의 핵심 측정기준에 긍정적 영향을 가질 수 있다. 각각이 하기 실시예들 중 실시예 15에서 설명되는 경화된 조성물의 단면 및 평면 현미경사진인 도 7a 및 도 7b의 현미경사진은 계면활성제의 첨가가 세공 크기 범위 및 세공 분포에 긍정적 영향을 줄 수 있음을 예시한다. 예를 들어, 동일한 수의 중합체 입자를 가지며 동일한 방식으로 제조되지만 계면활성제가 없는 실시예 2에서보다 실시예 15에서 세공 크기 범위가 낮다.Surfactants are useful, for example, in the compositions and porous polishing layers disclosed herein to reduce pore size and pore size range and improve pore distribution, as compared to double curing methods, typically without the presence of a surfactant. In other words, the addition of a surfactant can help to provide better control over pore size distribution and pore size, density and shape, which in turn can lead to uniform performance (e. G., Removal rate and uniformity within the wafer) It can have a positive impact on core metrics. The cross-sectional and cross-sectional micrographs of the cured compositions described in Example 15, below, of each of the following Examples, in FIGS. 7a and 7b, show that addition of a surfactant can have a positive effect on pore size range and pore distribution . For example, the pore size range in Example 15 is lower than in Example 2, which has the same number of polymer particles and is prepared in the same manner, but without a surfactant.
본 발명의 선택된 실시 형태In selected embodiments of the present invention
제1 실시 형태에서, 본 발명은In the first embodiment,
제1 및 제2 대향 면을 가진 컴플라이언트 층; 및A compliant layer having first and second opposing faces; And
컴플라이언트 층의 제1 면 상에 배치된 다공성 연마 층을 포함하는 연마 패드를 제공하며, 다공성 연마 층은A polishing pad comprising a porous polishing layer disposed on a first side of a compliant layer, the porous polishing layer comprising
열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크 - 여기서 방사선 경화된 성분과 열 경화된 성분은 가교결합된 네트워크에서 공유결합됨 - ;A crosslinked network comprising a thermally cured component and a radiation cured component wherein the radiation cured component and the thermally cured component are covalently bonded in a crosslinked network;
가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자; 및Polymer particles dispersed within a crosslinked network; And
가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공을 포함한다.And closed cell pores dispersed within the crosslinked network.
제2 실시 형태에서, 본 발명은 컴플라이언트 층과 다공성 연마 층 사이에 개재된 지지 층을 추가로 포함하는, 제1 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공한다.In a second embodiment, the present invention provides a polishing pad according to the first embodiment, further comprising a support layer interposed between the compliant layer and the porous polishing layer.
제3 실시 형태에서, 본 발명은 제1 또는 제2 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 열 경화된 성분은 폴리우레탄 또는 폴리에폭사이드 중 적어도 하나를 포함하며, 방사선 경화된 성분은 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리(비닐 에테르), 폴리비닐, 또는 폴리에폭사이드 중 적어도 하나를 포함한다.In a third embodiment, the present invention provides a polishing pad according to the first or second embodiment, wherein the thermosetting component comprises at least one of polyurethane or polyepoxide and the radiation cured component is a poly Acrylate, polymethacrylate, poly (vinyl ether), polyvinyl, or polyepoxide.
제4 실시 형태에서, 본 발명은 제1 또는 제2 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 열 경화된 성분과 중합체 입자는 각각 독립적으로 폴리우레탄을 포함한다.In a fourth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to the first or second embodiment, wherein the thermosetting component and the polymer particles each independently comprise a polyurethane.
제5 실시 형태에서, 본 발명은 제1 내지 제4 실시 형태 중 어느 하나에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 가교결합된 네트워크 내의 열 경화된 성분 또는 방사선 경화된 성분 중 적어도 하나에 공유 결합된다.In a fifth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any one of the first to fourth embodiments, wherein the polymer particles are shared by at least one of a thermally cured component or a radiation cured component in a cross- .
제6 실시 형태에서, 본 발명은 제1 내지 제5 실시 형태 중 어느 하나에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 방사선 경화된 성분은 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트 중 적어도 하나를 포함한다.In a sixth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any one of the first to fifth embodiments, wherein the radiation cured component comprises at least one of polyacrylate or polymethacrylate.
제7 실시 형태에서, 본 발명은 제6 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트는 우레탄 또는 우레아 결합 기를 통해 열 경화된 성분에 공유 결합된다.In a seventh embodiment, the present invention provides a polishing pad according to the sixth embodiment wherein the polyacrylate or polymethacrylate is covalently bonded to the thermosetting component via a urethane or urea linking group.
제8 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 다공성 연마 층은 경도가 시험 방법 2에 의해 측정할 때 40 쇼어 D 이상이다.In an eighth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the porous polishing layer has a hardness of greater than 40 Shore D as measured by
제9 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 평균 입자 크기가 5 마이크로미터 내지 500 마이크로미터 범위이다.In a ninth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polymer particles have an average particle size in the range of 5 micrometers to 500 micrometers.
제10 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 실질적으로 구형이다.In a tenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polymer particles are substantially spherical.
제11 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 섬유이다.In an eleventh embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polymer particles are fibers.
제12 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 다공성 연마 층의 총중량을 기준으로 최대 20 중량%로 존재한다.In a twelfth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polymer particles are present at a maximum of 20% by weight based on the total weight of the porous polishing layer.
제13 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 세공은 세공 크기 불균일도가 최대 75%이다.In a thirteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the pores have a pore size non-uniformity of at most 75%.
제14 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 세공은 평균 세공 크기가 5 마이크로미터 내지 100 마이크로미터 범위이다.In a fourteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the pores have an average pore size in the range of 5 micrometers to 100 micrometers.
제15 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 연마 층은 지지 층 또는 컴플라이언트 층으로부터 돌출하는 분리된 연마 요소를 포함한다.In a fifteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polishing layer comprises a separate polishing element projecting from the support layer or the compliant layer.
제16 실시 형태에서, 본 발명은 제15 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 연마 요소는 각각 지지 층으로부터 원위에 있는 단부를 가지며, 원위 단부는 연마 요소의 연마 표면에 수직인 축에서 이동가능하다.In a sixteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to the fifteenth embodiment, wherein each of the polishing elements has an end on a circle from the support layer, and the distal end is moved in an axis perpendicular to the polishing surface of the polishing element It is possible.
제17 실시 형태에서, 본 발명은 복수개의 개구를 가진 가이드 플레이트를 추가로 포함하며, 분리된 연마 요소 각각은 복수개의 개구 중 하나를 통해 돌출하는 제15 또는 제16 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공한다.In a seventeenth aspect, the present invention further provides a polishing pad according to the fifteenth or sixteenth embodiment, further comprising a guide plate having a plurality of openings, each of the separate polishing elements projecting through one of the plurality of openings do.
제18 실시 형태에서, 본 발명은 제15 내지 제17 실시 형태 중 어느 하나에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 연마 요소는 접착제를 이용하여 컴플라이언트 층에 고정된다.In an eighteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any one of the fifteenth to seventeenth embodiments, wherein the polishing element is fixed to the compliant layer using an adhesive.
제19 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 컴플라이언트 층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타다이엔 고무, 네오프렌, 폴리올레핀, 또는 폴리우레탄 중 적어도 하나를 포함한다.In a nineteenth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the compliant layer comprises at least one of silicon, natural rubber, styrene-butadiene rubber, neoprene, polyolefin, or polyurethane .
제20 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 연마 패드의 적어도 일부는 투명하다.In a twentieth embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein at least a portion of the polishing pad is transparent.
제21 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 물에서 가용성이다.In a twenty-first embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the polymer particles are water soluble.
제22 실시 형태에서, 본 발명은 임의의 이전 실시 형태에 따른 연마 패드를 제공하는데, 여기서 다공성 연마 층은 가교결합된 네트워크 내에 계면활성제를 추가로 포함한다.In a twenty-second embodiment, the present invention provides a polishing pad according to any preceding embodiment, wherein the porous polishing layer further comprises a surfactant in the crosslinked network.
제23 실시 형태에서, 본 발명은 연마 패드의 제조 방법을 제공하는데, 본 방법은In a twenty-third embodiment, the present invention provides a method of making a polishing pad,
열 경화성 수지 조성물, 방사선 경화성 수지 조성물, 및 중합체 입자를 포함하는 조성물을 제공하는 단계;Providing a composition comprising a thermosetting resin composition, a radiation curable resin composition, and polymer particles;
조성물에 세공을 형성하는 단계;Forming pores in the composition;
지지 층 상에 조성물을 위치시키는 단계; 및Placing the composition on a support layer; And
방사선 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 방사선에 노출시키고 열 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 가열하여 지지 층 상에 다공성 연마 층을 형성하는 단계를 포함한다.Exposing the composition to radiation and at least partially curing the thermosetting resin composition to at least partially cure the radiation curable resin composition, and heating the composition to form a porous abrasive layer on the support layer.
제24 실시 형태에서, 본 발명은 다공성 연마 층에 대향하는 지지 층의 표면에 컴플라이언트 층을 접착 접합하는 단계를 추가로 포함하는, 제23 실시 형태에 따른 방법을 제공한다.In a twenty-fourth aspect, the present invention provides a method according to the twenty-third embodiment, further comprising the step of adhesively bonding the compliant layer to the surface of the support layer opposite to the porous abrasive layer.
제25 실시 형태에서, 본 발명은 제23 또는 제24 실시 형태에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 열 경화성 수지 조성물은 적어도 2개의 아이소시아네이트 기 또는 적어도 2개의 에폭사이드 기를 가진 제1 수지 및 적어도 2개의 하이드록실, 아미노, 카르복시, 또는 메르캅탄 기를 가진 적어도 제2 수지를 포함하며, 방사선 경화성 조성물은 적어도 2개의 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐, 또는 에폭사이드 기를 포함한다.In a twenty-fifth embodiment, the present invention provides a method according to the twenty-third or twenty-fourth embodiment, wherein the thermosetting resin composition comprises a first resin having at least two isocyanate groups or at least two epoxide groups and at least two At least a second resin having a hydroxyl, amino, carboxy, or mercaptan group, wherein the radiation curable composition comprises at least two acrylates, methacrylates, vinyls, or epoxide groups.
제26 실시 형태에서, 본 발명은 제25 실시 형태에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 제1 수지는 적어도 2개의 아이소시아네이트 기를 가지며, 제2 수지는 적어도 2개의 하이드록실 기 또는 적어도 2개의 아미노 기를 가지며, 방사선 경화성 조성물은 적어도 2개의 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 기를 포함하며, 방사선 경화성 조성물은 아이소시아네이트 기 또는 하이드록실 기 중 적어도 하나를 추가로 포함한다.In a twenty-sixth embodiment, the present invention provides a method according to the twenty-fifth embodiment wherein the first resin has at least two isocyanate groups and the second resin has at least two hydroxyl groups or at least two amino groups , The radiation curable composition comprises at least two acrylate or methacrylate groups and the radiation curable composition further comprises at least one of an isocyanate group or a hydroxyl group.
제27 실시 형태에서, 본 발명은 제26 실시 형태에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 방사선 경화성 조성물은 지방족, 아이소시아네이트-작용성 우레탄 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트이다.In a twenty-seventh embodiment, the present invention provides a method according to the twenty-sixth embodiment, wherein the radiation curable composition is an aliphatic, isocyanate-functional urethane acrylate or methacrylate.
제28 실시 형태에서, 본 발명은 다공성 연마 층이 형성되기 전에 지지 층 상의 조성물 내에 개방 몰드를 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 제23 내지 제27 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공한다.In a twenty-eighth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to twenty seventh embodiments, further comprising the step of locating the open mold in the composition on the support layer prior to forming the porous abrasive layer.
제29 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제28 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 세공은 폐쇄 셀 세공이다.In a twenty-ninth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to twenty-eighth embodiments, wherein the pores are closed cell pores.
제30 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제29 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 조성물은 계면활성제를 추가로 포함한다.In a thirtieth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty third to twenty-ninth embodiments, wherein the composition further comprises a surfactant.
제31 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제30 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 다공성 연마 층은 경도가 시험 방법 2에 의해 측정할 때 40 쇼어 D 이상이다.In a thirty-first embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirtieth embodiments, wherein the porous abrasive layer has a hardness of at least 40 Shore D as measured by
제32 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제31 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 평균 입자 크기가 5 마이크로미터 내지 500 마이크로미터 범위이다.In a thirtieth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-first aspects, wherein the polymer particles have an average particle size in the range of from 5 micrometers to 500 micrometers.
제33 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제32 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 실질적으로 구형이다.In a thirty-third embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-second aspects, wherein the polymer particles are substantially spherical.
제34 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제33 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 섬유이다.In a thirty-fourth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-third aspects, wherein the polymer particles are fibers.
제35 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제34 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 물에서 가용성이다.In a thirtieth embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty third to thirty-fourth aspects, wherein the polymer particles are soluble in water.
제36 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제35 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 중합체 입자는 다공성 연마 층의 총중량을 기준으로 최대 20 중량%로 존재한다.In a 36 th embodiment, the present invention provides a method according to any one of the 23 th to 35 th embodiments wherein the polymer particles are present at up to 20 wt% based on the total weight of the porous abrasive layer.
제37 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제36 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 세공은 세공 크기 불균일도가 최대 75%이다.In a thirty-seventh embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-sixth aspects, wherein the pores have a pore size non-uniformity of at most 75%.
제38 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제37 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 세공은 평균 세공 크기가 5 마이크로미터 내지 100 마이크로미터 범위이다.In a thirty-38th embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-seventh embodiments, wherein the pores have an average pore size ranging from 5 micrometers to 100 micrometers.
제39 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제38 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 연마 층은 지지 층에 고정되어 그로부터 돌출하는 분리된 연마 요소를 포함한다.In a 39th embodiment, the present invention provides a method according to any one of the 23rd to 38th embodiments, wherein the polishing layer comprises a separate abrasive element secured to the support layer and projecting therefrom.
제40 실시 형태에서, 본 발명은 제39 실시 형태에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 분리된 연마 요소 각각은 고정 단부 및 지지 층으로부터 원위에 있는 단부를 가지며, 원위 단부는 연마 요소의 연마 표면에 수직인 축에서 이동가능하다.In a 40 th embodiment, the present invention provides a method according to the 39 th embodiment, wherein each of the separate abrasive elements has a fixed end and an end on the circle from the support layer, the distal end being perpendicular to the abrasive surface of the abrasive element Lt; / RTI > axis.
제41 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제38 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 연마 층은 컴플라이언트 층으로부터 돌출하는 분리된 연마 요소를 포함하며, 연마 요소 각각은 지지 층으로부터 원위에 있는 단부를 가지며, 원위 단부는 연마 요소의 연마 표면에 수직인 축에서 이동가능하다.In a forty-first embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to thirty-eighth embodiments, wherein the abrasive layer comprises a separate abrasive element projecting from the compliant layer, And the distal end is movable in an axis perpendicular to the polishing surface of the abrasive element.
제42 실시 형태에서, 본 발명은 복수개의 개구를 가지며 복수개의 개구 중 하나를 통해 분리된 연마 요소가 각각 돌출하는 가이드 플레이트를 추가로 포함하는 제39 내지 제41 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공한다.In a 42nd embodiment, the present invention provides a method according to any one of < RTI ID = 0.0 > 39th < / RTI > to 41st embodiments, further comprising a guide plate each having a plurality of openings, to provide.
제43 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제42 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 지지 층은 실리콘, 천연 고무, 스티렌-부타다이엔 고무, 네오프렌, 폴리올레핀 또는 폴리우레탄 중 적어도 하나를 포함한다.In a forty-third embodiment, the present invention provides a method according to any one of the twenty-third to forty-ninth embodiments, wherein the support layer comprises at least one of silicon, natural rubber, styrene-butadiene rubber, neoprene, polyolefin or polyurethane One.
제44 실시 형태에서, 본 발명은 제23 내지 제43 실시 형태 중 어느 하나에 따른 방법을 제공하는데, 여기서 연마 패드의 적어도 일부는 투명하다.In a 44th embodiment, the present invention provides a method according to any one of the 23rd to 43rd embodiments, wherein at least a portion of the polishing pad is transparent.
제45 실시 형태에서, 본 발명은 연마 방법을 제공하는데, 본 방법은In a forty-fifth embodiment, the present invention provides a polishing method,
기재 표면을 제1 내지 제22 실시 형태 중 어느 하나에 따른 연마 패드의 다공성 연마 층과 접촉시키는 단계; 및Contacting the substrate surface with a porous polishing layer of a polishing pad according to any one of the first to twenty-second embodiments; And
연마 패드를 기재에 대하여 상대 이동시켜서 기재 표면을 연마하는 단계를 포함한다.And polishing the substrate surface by relatively moving the polishing pad relative to the substrate.
제46 실시 형태에서, 본 발명은 다공성 연마 층과 기재 표면 사이의 계면에 작업 액체를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 제45 실시 형태의 방법을 제공한다.In a forty-sixth embodiment, the present invention provides a process of the forty-fifth embodiment, further comprising the step of providing a working liquid at the interface between the porous polishing layer and the substrate surface.
이제, 본 발명에 따른 예시적인 연마 패드가 후속하는 비제한적 실시예를 참고로 예시될 것이다.An exemplary polishing pad according to the present invention will now be illustrated with reference to the following non-limiting embodiments.
시험 방법 1: Test method 1: FESEMFESEM
종래 절차에 따라, 일본 도쿄 소재의 히타치 하이-테크놀로지스 코포레이션(Hitachi High-Technologies Corporation)으로부터 입수가능한 히타치 S-4500 FESEM을 이용하여 용품의 주사 전자 현미경사진(평면도 및 단면도)을 얻었다. 용품의 단면도는 예리한 면도날을 이용하여 절단하여 얻었다. 후속하여 샘플을 SEM 검사 전에 종래 기술을 이용하여 Au/Pd로 스퍼터 코팅하였다. 용품의 단면과 평면의 이미지를 얻었다.According to conventional procedures, scanning electron micrographs (plan and sectional views) of the article were obtained using a Hitachi S-4500 FESEM available from Hitachi High-Technologies Corporation, Tokyo, Japan. Cross sections of the articles were obtained by cutting with a sharp razor blade. Subsequently, the samples were sputter coated with Au / Pd using conventional techniques prior to SEM inspection. An image of the cross section and plane of the article was obtained.
시험 방법: 2: 경도Test method: 2: Hardness
경도 측정은 미국 일리노이주 버팔로 그로브 소재의 렉스 게이지 컴퍼니, 인크.(Rex Gauge Company, Inc.)로부터 입수가능한 모델 1500 쇼어 D 경도계를 이용하여 이루어졌다. 표 1에 기록된 값은 5회 측정값의 평균이며, 각각의 측정은 실시예의 상이한 연마 특징부에 대해 이루어졌다.Hardness measurements were made using a Model 1500 Shore D hardness meter available from Rex Gauge Company, Inc., Buffalo Grove, Illinois, USA. The values recorded in Table 1 are the average of 5 measurements, each measurement being made on the different polishing features of the example.
시험 방법 3: 광학 현미경을 통한 세공 크기 측정Test method 3: Measurement of pore size through optical microscope
세공 크기 평균, 세공 크기 표준 편차(Std. Dev.), 세공 크기 범위(관찰된 최대 크기 세공 - 관찰된 최소 크기 세공), 세공 크기 불균일도(세공 크기 표준 편차/평균 세공 크기 × 100) 및 다공도(세공으로 이루어진 이미지의 측정된 면적/이미지 전체 면적 × 100)를 미국 메릴랜드주 베데스다 소재의 미디어 사이버네틱스(Media Cybernetics)로부터 입수가능한 이미지-프로 플러스 분석 소프트웨어와 함께, 미국 일리노이주 엘진 소재의 니콘 이스트루먼츠, 인크.(Nikon Instruments, Inc.)로부터 입수가능한 MM-40 니콘 측정 현미경을 이용하여 얻은 광학 이미지의 이미지 분석을 이용하여 측정하였다.Pore size average, pore size standard deviation (Std. Dev.), Pore size range (observed maximum pore-observed minimum pore size), pore size non-uniformity (pore size standard deviation / average pore size x 100) (Measured area of the image of the pore / total area of the image x 100) was measured with an image-proplus analysis software available from Media Cybernetics, Bethesda, Md., USA, Was determined using image analysis of optical images obtained using a MM-40 Nikon measurement microscope available from Nikon Instruments, Inc.
광학 이미지 형성 전에, 샘플을 다음 순서로 제조하였다. 3개의 연마 특징부를 용품으로부터 절단하여, 미국 미네소타주 세인트폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니(3M Company)로부터 상표명 "쓰리엠 스카치-웰드 에폭시 폿팅 컴파운드/어드헤시브(3M SCOTCH-WELD Epoxy Potting Compound/Adhesive) DP270 클리어(CLEAR)"로 입수한 폿팅 화합물을 이용하여, 미국 일리노이주 레이크 블러프 41 소재의 뷜러 리미티드(Buehler Ltd.)로부터 입수가능한 2.5 ㎝ 외경 × 2.2 ㎝ 내경의 페놀 고리 형태로 밀봉하였다. 에폭시에 매립된 특징부를 29.3 ㎪(4.25 psi)의 아래로 누르는 힘(down force)으로 6 단계 공정을 이용하여, 뷜러 리미티드로부터 입수가능한 에코멧(Ecomet) 3 연삭기-연마기를 이용하여 미세 연마하였으며, 모든 6 단계 동안 헤드 및 압반 속도는 120 rpm이었다. 모든 경우에, 표시된 샌드 페이퍼 또는 연마 패드를 감압 접착제(psa)를 이용하여 에코멧 3의 압반에 장착시켰다.Prior to optical image formation, samples were prepared in the following order. Three abrasive features were cut from the article and the 3M SCOTCH-WELD Epoxy Potting Compound / Adhesive DP270 clear from the 3M Company, St. Paul, Minn. (CLEAR) " was sealed in the form of a phenol ring having an inside diameter of 2.5 cm and an inside diameter of 2.2 cm available from Buehler Ltd., Lake Bluff 41, Illinois, USA. The features embedded in the epoxy were micro-polished using a Ecomet 3 grinder-grinder available from Mueller Limited, using a 6-step process with a down force of 29.3 ㎪ (4.25 psi) During all six steps, the head and platen speed was 120 rpm. In all cases, the sandpaper or polishing pad indicated was mounted on the platen of ECOMET 3 using a pressure sensitive adhesive (psa).
단계 1: 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 "쓰리엠 웨토드라이 피에스에이 디스크(3M WETORDRY PSA Disc) 21366"으로 입수한 20.3 ㎝(8 인치) 직경, 240 그릿 디스크, 연삭 시간은 연삭 유체로서 물을 이용하여 3분이었다.Step 1: 20.3 cm (8 inch) diameter, 240 grit disks, obtained from 3M Company under the trade designation "3M WETORDRY PSA Disc 21366 ", grinding time was 3 minutes using water as a grinding fluid .
단계 2: 뷜러 리미티드로부터 상표명 "카르비멧(CARBIMET) 8" PSA 디스크 30-5118-600-100으로 입수한 20.3 ㎝(8 인치) 직경, 600 그릿 디스크, 연삭 시간은 연삭 유체로서 물을 이용하여 6분이었다.Step 2: A 20.3 cm (8 inch) diameter, 600 grit disk, obtained from Poller Limited under the trade designation "
단계 3: 뷜러 리미티드로부터 상표명 "텍스멧(TEXMET) 1500 폴리싱 패드(Polishing Pad)", 40-8618로 입수한 20.3 ㎝(8") 직경 패드, 연마 시간은 연마 유체로서 미국 캘리포니아주 란초 도민구에즈 소재의 앨라이드 하이 테크 프로덕츠, 인크.(Allied High Tech Products, Inc.)로부터 입수가능한 15 ㎛ 등급 다결정질 다이아몬드 현탁액 90-30035를 이용하여 6분이었다.Step 3: A 20.3 cm (8 ") diameter pad, available from Dow Corning Limited under the trade designation" TEXMET 1500 Polishing Pad ", 40-8618, For 6 minutes using a 15 탆 grade polycrystalline diamond suspension 90-30035 available from Allied High Tech Products,
단계 4: 뷜러 리미티드로부터 상표명 "텍스멧 1500 폴리싱 패드", 40-8618로 입수한 20.3 ㎝(8 인치) 직경 패드, 연마 시간은 연마 유체로서 앨라이드 하이 테크 프로덕츠, 인크.로부터 입수가능한 6 ㎛ 등급 다결정질 다이아몬드 현탁액 90-30025를 이용하여 6분이었다.Step 4: 20.3 cm (8 inch) diameter pad, obtained from Dow Corning Limited under the trade designation "Texmet 1500 Polishing Pad ", 40-8618, polishing time is 6 탆 grade available from Allied High Tech Products, And using a polycrystalline diamond suspension 90-30025 for 6 minutes.
단계 5: 뷜러 리미티드로부터 상표명 "텍스멧 1500 폴리싱 패드", 40-8618로 입수한 20.3 ㎝(8 인치) 직경 패드, 연마 시간은 연마 유체로서 앨라이드 하이 테크 프로덕츠, 인크.로부터 입수가능한 3 ㎛ 등급 다결정질 다이아몬드 현탁액 90-30020을 이용하여 6분이었다.Step 5: 20.3 cm (8 inch) diameter pad, obtained from Voller Limited, Texte 1500 Polishing Pad, 40-8618, polishing time, 3 占 퐉 grade available from Allied High Tech Products, And using a polycrystalline diamond suspension 90-30020 for 6 minutes.
단계 6: 뷜러 리미티드로부터 상표명 "텍스멧 1500 폴리싱 패드", 40-8618로 입수한 20.3 ㎝(8 인치) 직경 패드, 연마 시간은 연마 유체로서 앨라이드 하이 테크 프로덕츠, 인크.로부터 입수가능한 1 ㎛ 등급 다결정질 다이아몬드 현탁액 90-30015를 이용하여 6분이었다.Step 6: 20.3 cm (8 inch) diameter pad, obtained from Dow Corning Limited, Texex 1500 Polishing Pad, 40-8618, polishing time, 1 占 퐉 grade available from Allied High Tech Products, Using a polycrystalline diamond suspension 90-30015 for 6 minutes.
연마 후, 특징부의 연마된 표면을 종래 기술을 이용하여 미국 뉴저지주 무어스타운 소재의 덴톤 배큠, 엘엘씨(Denton Vacuum, LLC)로부터 입수가능한 스퍼터링 코팅기를 이용하여 탄소로 코팅하였다. 광학 이미지 형성을 후속하여 실시하였다.After polishing, the polished surface of the feature was coated with carbon using a conventional technique using a sputter coater available from Denton Vacuum, LLC, Moorestown, NJ, USA. Optical image formation was subsequently carried out.
실시예 1Example 1
실시예 1은 0.28 g의 5350D, 2.15 g의 M1, 1.83 g의 PHP-75D, 1.27 g의 D100 및 0.06 g의 TPO-L을 50 ㎖ 플라스틱 비이커에 넣음으로써 제조하였다. 비이커를 아와토리-렌타로(Awatori-Rentaro) AR-500 팅키 믹서(Thinky Mixer)(일본 도쿄 소재의 팅키 코포레이션(Thinky Corporation)으로부터 입수)에 넣고 2단계 공정으로 AR-500을 작동시킴으로써 성분들을 함께 혼합하였다. 제1 단계는 5분 동안 1000 rpm의 자전 및 1000 rpm의 공전으로 실시하였다. 제2 단계는 제1 단계 후 즉시 이어졌으며 15초 동안 30 rpm의 자전 및 2000 rpm의 공전으로 실시되어, 수지 혼합물을 형성하였다. 수지 혼합물을 길이가 19.5 ㎝이고 폭이 9.2 ㎝인 알루미늄 플레이트로부터 형성된 테플론 코팅되고 Ni로 도금된 알루미늄 몰드 내로 부었다. 몰드는 테이퍼가 형성된 원통형 캐비티의 정사각형 어레이로 이루어졌다. 캐비티는 캐비티의 상부에서 직경이 7.8 ㎜이고 캐비티의 바닥에서 직경이 6.5 ㎜이고 깊이가 1.8 ㎜였다. 캐비티들 사이의 중심에서 중심까지 거리는 약 11.7 ㎜였다. 한 조각의 폴리우레탄 필름 ST-1880을 배킹으로 이용하였다. 배킹을 약 12 ㎝ × 10 ㎝의 크기로 절단하고, 수지 혼합물을 함유한 몰드의 영역 위에 두었다. 28 ㎝ 길이 × 17 ㎝ 폭 × 3.5 ㎜ 두께의 석영 플레이트를 폴리우레탄 배킹의 상부에 두고, 수지를 캐비티 내로 힘을 가하고, 캐비티들 사이에 수지 혼합물의 약 0.5 ㎜ 두께의 얇은 랜드 영역을 생성하였다.Example 1 was prepared by placing 0.28 g of 5350D, 2.15 g of M1, 1.83 g of PHP-75D, 1.27 g of D100 and 0.06 g of TPO-L in a 50 mL plastic beaker. The beaker is placed in an Awatori-Rentaro AR-500 Thinky Mixer (obtained from Thinky Corporation, Tokyo, Japan) and the AR-500 is operated in a two-step process to convert the ingredients And mixed together. The first step was carried out for 5 minutes with rotation of 1000 rpm and revolutions of 1000 rpm. The second step was immediately followed by the first step and was carried out for 15 seconds with rotation of 30 rpm and revolution of 2000 rpm to form a resin mixture. The resin mixture was poured into a Teflon coated, Ni plated aluminum mold formed from an aluminum plate having a length of 19.5 cm and a width of 9.2 cm. The mold consisted of a square array of tapered cylindrical cavities. The cavity was 7.8 mm in diameter at the top of the cavity and 6.5 mm in diameter at the bottom of the cavity and 1.8 mm in depth. The distance from the center to the center between the cavities was about 11.7 mm. One piece of polyurethane film ST-1880 was used as backing. The backing was cut to a size of about 12 cm x 10 cm and placed on the area of the mold containing the resin mixture. A quartz plate of 28 cm length x 17 cm wide x 3.5 mm thick was placed on top of the polyurethane backing and the resin was forced into the cavity to create a thin land area of about 0.5 mm thick of the resin mixture between the cavities.
몰드, 수지 혼합물, 배킹 및 석영 플레이트를 약 157.5 와트/㎝(400 와트/인치)에서 작동하는 2개의 자외선 램프(미국 메릴랜드주 게이더스버그 소재의 퓨젼 시스템즈 인크.(Fusion Systems Inc.)로부터 입수가능한 "V" 벌브) 아래로 통과시켜 수지 혼합물을 UV 경화시켰다. 몰드는 약 2.4 미터/분(8 피트/분)의 속도로 광 아래로 통과시켰으며 방사선은 석영 플레이트와 폴리우레탄 배킹을 통과하여 수지 혼합물에 도달하였다. 그 후, 몰드, 부분 경화된 수지 혼합물 및 폴리우레탄 배킹을 2시간 동안 100℃의 설정 온도를 가진 오븐을 통해 공기 유동으로 이동시켜 수지 혼합물을 열 경화시켰다. 폴리우레탄 배킹을 부드럽게 당겨서 경화된 용품을 몰드로부터 제거하여, 구조화된 연마 특징부를 가진 용품인 실시예 1을 형성하였다.The mold, resin mixture, backing and quartz plates were placed in two ultraviolet lamps (Fusion Systems Inc., Gaithersburg, Maryland, USA) operating at about 157.5 watts / "V" bulb) to UV cure the resin mixture. The mold was passed under light at a rate of about 2.4 meters per minute (8 feet per minute) and the radiation passed through the quartz plate and the polyurethane backing to reach the resin mixture. The mold, the partially cured resin mixture and the polyurethane backing were then thermally cured by moving the air flow through the oven with a set temperature of 100 DEG C for 2 hours. The cured article was removed from the mold by gently pulling the polyurethane backing to form Example 1, an article having structured abrasive features.
실시예 2Example 2
실시예 2는 수지 혼합물의 조성이 0.58 g의 5350D, 2.15 g의 M1, 1.83 g의 PHP-75D, 1.27 g의 D100 및 0.06 g의 TPO-L인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1, except that the composition of the resin mixture was 0.550 g of 5350D, 2.15 g of M1, 1.83 g of PHP-75D, 1.27 g of D100 and 0.06 g of TPO-L .
실시예 3Example 3
실시예 3은 경화를 역순으로 실시하여 열 경화를 먼저하고 이어서 UV 경화를 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 3 was prepared in the same manner as Example 1, except that the curing was carried out in the reverse order and the heat curing first followed by UV curing.
실시예 4Example 4
실시예 4는 경화를 역순으로 실시하여 열 경화를 먼저하고 이어서 UV 경화를 한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 제조하였다.Example 4 was prepared in the same manner as in Example 2, except that the curing was carried out in the reverse order, followed by thermosetting followed by UV curing.
비교예 C1Comparative Example C1
비교예 C1은 5350D가 수지 혼합물의 조성으로부터 생략된 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Comparative Example C1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5350D was omitted from the composition of the resin mixture.
비교예 C2Comparative Example C2
비교예 C2는 수지 혼합물의 조성이 0.31 g의 5350D, 2.15 g의 M1, 및 3.65 g의 PHP-75D이고 2시간 동안 100℃에서의 열 경화만을 이용하였으며 UV 경화 단계를 생략한 것을 제외하고는 비교예 C1과 동일하게 제조하였다.Comparative Example C2 is a comparative example except that the composition of the resin mixture is 5350D of 0.31 g, M1 of 2.15 g, and PHP-75D of 3.65 g, and only thermal curing at 100 ° C for 2 hours was used and the UV curing step was omitted Was prepared in the same manner as Example C1.
비교예 C3Comparative Example C3
비교예 C3은 수지 혼합물의 조성이 0.65 g의 5350D, 2.15 g의 M1, 및 3.65 g의 PHP-75D인 것을 제외하고는 비교예 C2와 동일하게 제조하였다.Comparative Example C3 was prepared in the same manner as Comparative Example C2, except that the composition of the resin mixture was 0.65 g of 5350D, 2.15 g of M1, and 3.65 g of PHP-75D.
실시예 5Example 5
실시예 5는 9.49 g의 5350D, 35.00 g의 M1, 29.69 g의 PHP-75D, 20.63 g의 D100 및 1.03 g의 TPO-L을 500 ㎖ 플라스틱 비이커에 넣음으로써 제조하였다. 비이커를 아와토리-렌타로 AR-500 팅키 믹서에 넣고 2단계 공정으로 AR-500을 작동시킴으로써 성분들을 함께 혼합하였다. 제1 단계는 5분 동안 1000 rpm의 자전 및 1000 rpm의 공전으로 실시하였다. 제2 단계는 제1 단계 후 즉시 이어졌으며 15초 동안 30 rpm의 자전 및 2000 rpm의 공전으로 실시되어 수지 혼합물을 형성하였다.Example 5 was prepared by placing 9.49 g of 5350D, 35.00 g of M1, 29.69 g of PHP-75D, 20.63 g of D100 and 1.03 g of TPO-L in a 500 mL plastic beaker. The ingredients were mixed together by placing the beaker in an AR-500 tincture mixer with Awatori-Lentar and operating the AR-500 in a two-step process. The first step was carried out for 5 minutes with rotation of 1000 rpm and revolutions of 1000 rpm. The second step was immediately followed by the first step and was carried out for 15 seconds with rotation of 30 rpm and revolution of 2000 rpm to form a resin mixture.
폭이 약 53 ㎝(21 인치)이고, 갭이 1.52 ㎜(60 mil)인 나이프 코팅기를 이용하여, 수지 혼합물의 대략 28 ㎝ × 28 ㎝ 코팅을, 열가소성 폴리우레탄(TPU), 에스탄 58887-NAT02(미국 오하이오주 클리블랜드 소재의 루브리졸 어드밴스트 머티리얼스, 인크.로부터 입수가능함)를 종이 이형 라이너 상에 182℃에서 필름 형태로 압출시켜 형성된 26 ㎛ 두께의 배킹 상에서 제조하였다.Approximately 28 cm x 28 cm coating of the resin mixture was coated with a thermoplastic polyurethane (TPU), ESTAN 58887-NAT02 (trade name) using a knife coater with a width of about 53 cm (21 inches) and a gap of 1.52 mm (Available from Lubrizol Advanced Materials, Inc., Cleveland, Ohio, USA) was prepared on a 26 um thick backing formed by extruding in film form at 182 DEG C on a paper release liner.
코팅된 수지 혼합물과 배킹을 두께가 6.35 ㎜(0.25 인치)인 30.5 ㎝ × 30.5 ㎝(12 인치 × 12 인치)의 알루미늄 플레이트 상에 두었다. 직경이 9.6 ㎜(0.375 인치)이고 두께가 3.2 ㎜(0.125 인치)인 36개의 자석을 알루미늄 플레이트의 후면의 리세스 내로 끼워 맞추었다. 36개의 리세스는 리세스들 사이의 중심에서 중심까지 거리가 약 5 ㎝인 정사각형 어레이였다. 리세스의 직경과 깊이는 각각 9.8 ㎜와 4.3 ㎜였다. 각각 직경이 약 6.2 ㎜이고 중심에서 중심까지 거리가 약 8 ㎜인 원형 구멍의 육각형 어레이를 가진, 약 1.6 ㎜ 두께를 갖는 약 41 ㎝ × 30 ㎝의 테플론 코팅된 금속 스크린을 수지 혼합물 코팅의 상부에 두었다. 스크린과 알루미늄 플레이트 내의 자석 사이의 자기 인력(magnetic attraction)은 스크린이 수지 혼합물 코팅을 통과하도록 강제하여, 금속 스크린과 배킹 사이에 코팅의 얇은 랜드 영역을 남겼다. 석영 플레이트를 사용하지 않은 것을 제외하고, 코팅의 UV 경화를 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 실시예 1에서 설명된 것과 동일한 절차를 이용하여 열 경화가 이어졌다.The coated resin mixture and backing were placed on a 30.5 cm x 30.5 cm (12 inch x 12 inch) aluminum plate with a thickness of 6.35 mm (0.25 inch). 36 magnets with a diameter of 9.6 mm (0.375 inches) and a thickness of 3.2 mm (0.125 inches) were fitted into the recess in the back of the aluminum plate. The 36 recesses were square arrays with a distance of about 5 cm from the center to the center between the recesses. The diameter and depth of the recesses were 9.8 ㎜ and 4.3 ㎜, respectively. Approximately 41 cm x 30 cm Teflon coated metal screen, having a hexagonal array of circular holes with a diameter of approximately 6.2 mm and a center-to-center distance of approximately 8 mm, having a thickness of approximately 1.6 mm, was placed on top of the resin mixture coating I have. The magnetic attraction between the screen and the magnet in the aluminum plate forced the screen to pass through the resin mixture coating leaving a thin land area of the coating between the metal screen and the backing. The UV curing of the coating was carried out in the same manner as in Example 1 except that no quartz plate was used. Thermal curing was followed using the same procedure as described in Example 1.
오븐에서 꺼낸 후, 금속 스크린을 경화된 수지로부터 제거하여, 원래의 종이로 배킹된 폴리우레탄 배킹에 접착된 텍스처링된 패드 표면을 형성하였다. 종이를 제거하여 폴리우레탄 배킹의 대향면을 노출시켰다. 127 ㎛ 두께 전사 접착제인 쓰리엠 접착 전사 테이프(3M Adhesive Transfer Tape) 9672(쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능)를 이용하여, 텍스처링된 패드 표면의 폴리우레탄 배킹을 1.59 ㎜(0.0625 인치) 두께를 갖는 대략 30 ㎝ × 30 ㎝의 폴리우레탄 폼 조각(로저스 "포론(PORON)" 우레탄 폼, 부품 번호 4701-50-20062-04(미국 미네소타주 차스카 소재의 아메리칸 플렉서블 프로덕츠, 인크.(American Flexible Products, Inc.)로부터 입수가능)에 손으로 라미네이팅시켰다. 18 ㎜ 직경의 중심 구멍을 가진 23 ㎝ 직경의 패드를 라미네이트로부터 다이 절단하여 본 발명의 구조화된 연마 특징부를 가진 패드, 실시예 5를 형성하였다.After removal from the oven, the metal screen was removed from the cured resin to form a textured pad surface bonded to the original paper backed polyurethane backing. The paper was removed to expose the opposing side of the polyurethane backing. Using a 3M Adhesive Transfer Tape 9672 (available from 3M Company), 127 탆 thick transcription adhesive, the polyurethane backing of the textured pad surface was transferred to a 30 cm x 1.59 mm (0.0625 inch) (PORON) urethane foam, part number 4701-50-20062-04 (American Flexible Products, Inc., Charska, MN, USA) A 23 cm diameter pad with a 18 mm diameter center hole was die cut from the laminate to form a pad with the structured polishing features of the present invention, Example 5.
비교예 C4Comparative Example C4
비교예 C4는 수지 혼합물의 조성이 10.48 g의 5350D, 35.00 g의 M1, 및 59.38 g의 PHP-75D이고, 2시간 동안 100℃에서의 열 경화만을 이용하였으며 UV 경화 단계를 생략한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 제조하였다.Comparative Example C4 shows that the composition of the resin mixture is 5350D of 10.48 g, M1 of 35.00 g, and 59.38 g of PHP-75D, except that only the thermal curing at 100 ° C for 2 hours is used and the UV curing step is omitted Was prepared in the same manner as in Example 5.
시험 방법 2 및 시험 방법 3을 이용하여, 실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 C1 내지 비교예 C4의 경도, 세공 크기 평균, 세공 크기 표준 편차, 세공 크기 범위, 세공 크기 불균일도 및 다공도를 측정하였다. 결과가 하기의 표 1에 나타나 있다.The hardness, pore size average, pore size standard deviation, pore size range, pore size non-uniformity and porosity of Examples 1 to 5 and Comparative Examples C1 to C4 were measured using
[표 1][Table 1]
실시예 6Example 6
실시예 6은 수지 혼합물의 조성이 0.28 g의 5150D, 2.15 g의 M1, 1.83 g의 PHP-75D, 1.27 g의 D100 및 0.06 g의 TPO-L인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the composition of the resin mixture was 5150D of 0.28 g, M1 of 2.15 g, PHP-75D of 1.83 g, D100 of 1.27 g and TPO-L of 0.06 g .
예시적인 실시예 I-1Exemplary Embodiment I-1
예시적 실시예 I-1은 수지 혼합물의 조성이 0.28 g의 5070D, 2.15 g의 M1, 1.83 g의 PHP-75D, 1.27 g의 D100 및 0.06 g의 TPO-L인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Exemplary Embodiment I-1 is similar to Example I-1 except that the composition of the resin mixture is 5070 D, 2.15 g M1, 1.83 g PHP-75D, 1.27 g D100 and 0.06 g TPO-L, Were prepared in the same manner.
실시예 7Example 7
실시예 7은 5350D의 양이 0.05 g인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of 5350D was 0.05 g.
실시예 8Example 8
실시예 8은 5350D의 양이 0.14 g인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 8 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of 5350D was 0.14 g.
실시예 9Example 9
실시예 9는 5350D의 양이 0.93 g인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Example 9 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of 5350D was 0.93 g.
예시적인 실시예 I-2Exemplary Embodiment I-2
예시적 실시예 I-2는 5350D의 양이 1.31 g인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.Exemplary Example I-2 was prepared as in Example 1 except that the amount of 5350D was 1.31 g.
실시예 6 내지 실시예 9의 FESEM(시험 방법 1) 결과는 그들이 허용가능한 수준의 다공도를 가짐을 나타냈다. 예시적 실시예 I-1 및 실시예 I-2의 FESEM(시험 방법 1) 결과는 그들이 낮은 수준의 다공도를 가짐을 나타냈다.The FESEM (Test Method 1) results of Examples 6 to 9 show that they have an acceptable level of porosity. The FESEM (Test Method 1) results of Example I-1 and Example I-2 showed that they had low levels of porosity.
실시예 10Example 10
실시예 10은 다음 변화를 제외하고는 실시예 5와 동일하게 제조하였다. 수지 혼합물의 조성은 0.62 g의 A15LV, 23 g의 P-250, 15.83 g의 PHP-75D, 22 g의 D100, 1.1g의 TPO-L 및 0.68 g의 DC5604였다. 성분을 500 ㎖ 플라스틱 용기에 넣고 혼합하였다.Example 10 was prepared in the same manner as in Example 5 except for the following changes. The composition of the resin mixture was 0.62 g of A15LV, 23 g of P-250, 15.83 g of PHP-75D, 22 g of D100, 1.1 g of TPO-L and 0.68 g of DC5604. The ingredients were placed in a 500 ml plastic container and mixed.
TPU 배킹과 수지 혼합물을 가진 스크린을 157.5 와트/㎝(400 와트/인치)에서 작동하는 2개의 자외선 광 램프(미국 메릴랜드주 게이더스버그 소재의 퓨젼 시스템즈 인크.로부터 입수가능한 "V" 벌브) 아래로 통과시켜 수지 혼합물을 UV 경화시켰다. 수지 혼합물을 약 2.4 미터/분(8 피트/분)의 속도로 광 아래로 통과시켰으며 방사선은 수지 혼합물을 통과하였다. 그 후, 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 "쓰리엠 스카치팩(SCOTCHPAK) 1022 릴리즈 라이너(Release Liner)"로 입수한 플루오로중합체 코팅된 폴리에스테르 필름 이형 라이너를 스크린 상부에 두고 수지 혼합물을 부분 경화시켰다. 이어서, 조립체를 뒤집어 폴리우레탄 배킹이 위로 가도록 하고 플루오로중합체 코팅된 폴리에스테르 필름/스크린/부분 경화된 수지 혼합물이 바닥에 가도록 하였다. 석영 플레이트를 배킹의 상부에 두고 전체 조립체를 두 번째로 동일한 UV 경화 공정을 통과시켰다. 두 번째 UV 경화가 완료된 후, 석영 플레이트와 플루오로중합체 코팅된 폴리에스테르 필름을 제거하고 스크린/부분 경화 수지 혼합물/배킹 조립체를 2시간 동안 100℃의 설정 온도를 가진 오븐을 통한 공기 유동으로 이동시켜 수지 혼합물을 열 경화시켰다. 실온으로 냉각한 후, 18 ㎜ 직경의 중심 구멍을 가진 23 ㎝ 직경의 패드를 실시예 5에서 설명된 바와 같이 제작하여 실시예 10을 생성하였다.The screen with the TPU backing and resin mixture was placed under two ultraviolet light lamps operating at 157.5 watts / cm (400 watts / inch) ("V" bulb available from Fusion Systems Inc., Gaithersburg, Md.) And the resin mixture was UV-cured. The resin mixture was passed under light at a rate of about 2.4 meters per minute (8 feet per minute) and the radiation passed through the resin mixture. Thereafter, a fluoropolymer coated polyester film release liner, available from 3M Company as the trade name "SCOTCHPAK 1022 Release Liner" was placed on the screen and the resin mixture partially cured. The assembly was then turned upside down with the polyurethane backing up and the fluoropolymer coated polyester film / screen / partially cured resin mixture to go to the bottom. The quartz plate was placed on top of the backing and the entire assembly was passed through a second identical UV curing process. After the second UV curing was completed, the quartz plate and the fluoropolymer coated polyester film were removed and the screen / partially cured resin mixture / backing assembly was transferred to the air flow through the oven at a set temperature of 100 DEG C for 2 hours The resin mixture was thermally cured. After cooling to room temperature, a 23 cm diameter pad with a central hole of 18 mm diameter was made as described in Example 5 to produce Example 10.
실시예 11Example 11
실시예 11은 A15LV의 중량이 1.25 g인 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 제조하였다.Example 11 was prepared in the same manner as in Example 10 except that the weight of A15LV was 1.25 g.
실시예 12Example 12
실시예 12는 A15LV의 중량이 3.20 g인 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 제조하였다.Example 12 was prepared in the same manner as in Example 10, except that the weight of A15LV was 3.20 g.
실시예Example 13 13
실시예 13은 A15LV의 중량이 6.76 g인 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 제조하였다.Example 13 was prepared in the same manner as in Example 10 except that the weight of A15LV was 6.76 g.
실시예 14Example 14
실시예 14는 6.88 g의 A15LV, 127.78 g의 P-250, 6.11 g의 TPO-L 및 3.51 g의 DC5604를 650 ㎖ 플라스틱 용기에 넣음으로써 제조하였다. 용기를 아와토리-렌타로 AR-500 팅키 믹서에 넣고 1000 rpm의 자전 및 1000 rpm의 공전으로 4분 동안 AR-500을 작동시킴으로써 성분들을 함께 혼합하였다. 용기를 믹서에서 꺼내고 87.29 g의 PHP-75D와 122.22 g의 D100을 용기에 첨가하였다. 혼합물은 2단계 혼합 공정을 거쳤다. 제1 단계는 4분 동안 1000 rpm의 자전 및 1000 rpm의 공전으로 실시하였다. 제2 단계는 제1 단계 후 즉시 이어졌으며 15초 동안 30 rpm의 자전 및 2000 rpm의 공전으로 실시되어 수지 혼합물을 형성하였다.Example 14 was prepared by placing 6.88 g of A15LV, 127.78 g of P-250, 6.11 g of TPO-L and 3.51 g of DC5604 in a 650 ml plastic vessel. The ingredients were mixed together by placing the container in an AR-500 tinky mixer with Awatori-Lentar and operating the AR-500 for 4 minutes at 1000 rpm revolutions and 1000 rpm revolutions. The vessel was removed from the mixer and 87.29 g of PHP-75D and 122.22 g of D100 were added to the vessel. The mixture was subjected to a two-step mixing process. The first step was carried out for 4 minutes with rotation of 1000 rpm and revolutions of 1000 rpm. The second step was immediately followed by the first step and was carried out for 15 seconds with rotation of 30 rpm and revolution of 2000 rpm to form a resin mixture.
폭이 약 53 ㎝(21 인치)이고, 갭이 1.52 ㎜(60 mil)인 나이프 코팅기를 이용하여, 수지 혼합물의 대략 53.3 ㎝ × 58.4 ㎝(21 in × 23 in) 코팅을, TPU, "에스탄 58309-022"를 종래의 102 ㎛(4 mil) 폴리에스테르 이형 라이너 상에 210℃에서 필름 형태로 압출시켜 형성된 102 ㎛(4 mil) 두께의 배킹 상에서 제조하였다.Approximately 53.3 cm x 58.4 cm (21 in
코팅된 수지 혼합물과 배킹을 두께가 6.35 ㎜(0.25 인치)인 61.0 ㎝ × 61.0 ㎝(24 인치 × 24 인치)의 알루미늄 플레이트 상에 두었다. 직경이 9.6 ㎜(0.375 인치)이고 두께가 3.2 ㎜(0.125 인치)인 113개의 자석을 알루미늄 플레이트의 후면의 리세스 내로 끼워 맞추었다. 리세스는 15열로 이루어진 선형 어레이였다. 8개의 열은 열 당 8개 리세스를 갖는 한편 7개의 열은 열 당 7개 리세스를 가졌다. 열들 사이의 간격은 4 ㎜인 한편 열 내의 리세스들 사이의 간격은 7.5 ㎜였다. 리세스의 제1 열(플레이트의 가장자리 근처)은 8개의 리세스를 가졌으며, 제2 열은 7개의 리세스를 가졌다. 이러한 교번하는 패턴은 8개의 리세스를 가진 15번째 열까지 계속되었다. 짝수 열의 리세스는 그들이 상응하는 인접 열의 리세스들 사이에 중심이 설정되도록 위치되었다. 리세스의 직경과 깊이는 각각 9.8 ㎜와 4.3 ㎜였다. 고온에서 취급될 수 있는 테이프를 이용하여 리세스 내에 자석을 고정시켰다. 각각 직경이 약 6.2 ㎜이고 중심에서 중심까지 거리가 약 8 ㎜인 원형 구멍의 육각형 어레이를 가진, 약 1.6 ㎜ 두께를 갖는 약 61.0 ㎝ × 61.0 ㎝(24 in × 24 in)의 테플론 코팅된 금속 스크린을 수지 혼합물 코팅의 상부에 두었다. 스크린과 알루미늄 플레이트 내의 자석 사이의 자기 인력은 스크린이 수지 혼합물 코팅을 통과하도록 강제하여, 금속 스크린과 배킹 사이에 코팅의 얇은 랜드 영역을 남겼다.The coated resin mixture and backing were placed on an aluminum plate of 61.0 cm x 61.0 cm (24 inches x 24 inches) with a thickness of 6.35 mm (0.25 inches). 113 magnets with a diameter of 9.6 mm (0.375 inches) and a thickness of 3.2 mm (0.125 inches) were fitted into the recess in the back of the aluminum plate. The recess was a linear array of 15 rows. The eight columns had eight recesses per column while the seven columns had seven recesses per column. The spacing between the rows was 4 mm while the spacing between the recesses in the rows was 7.5 mm. The first row of the recess (near the edge of the plate) had eight recesses, and the second row had seven recesses. This alternating pattern continued to the 15th column with 8 recesses. The recesses of the even-numbered columns are positioned such that they are centered between the corresponding adjacent column recesses. The diameter and depth of the recesses were 9.8 ㎜ and 4.3 ㎜, respectively. The magnet was fixed in the recess using a tape that could be handled at high temperatures. Teflon coated metal screens of about 61.0 cm x 61.0 cm (24 in
실시예 10의 동일한 경화 절차를 따라 수지 혼합물을 경화시켰다. 오븐에서 꺼낸 후, 금속 스크린을 경화된 수지로부터 제거하여, 원래의 폴리에스테르로 배킹된 폴리우레탄 TPU 배킹에 접착된 텍스처링된 패드 표면을 형성하였다. 127 ㎛ 두께의 전사 접착제인, "쓰리엠 접착 전사 테이프 9672"(쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능)를 이용하여, 텍스처링된 패드 표면의 폴리에스테르 이형 라이너를 2 ㎜(0.0787 인치) 두께를 갖는 대략 53.3 ㎝ × 58.4 ㎝(21 in × 23 in)의 폴리우레탄 폼 조각에 손으로 라미네이팅시켰다. 직경이 50.8 ㎝(20.0 in)인 패드를 라미네이트로부터 다이 절단하여 본 발명의 구조화된 연마 특징부를 가진 패드, 실시예 14를 형성하였다.The resin mixture was cured according to the same curing procedure of Example 10. After removal from the oven, the metal screen was removed from the cured resin to form a textured pad surface bonded to the original polyester backed polyurethane TPU backing. Using a "3M adhesive transfer tape 9672" (available from 3M Company), a 127 탆 thick transcription adhesive, the polyester release liner on the textured pad surface was applied to an approximately 53.3 cm x 58.4 Cm < / RTI > (21 in
비교예 C5Comparative Example C5
비교예 C5는 A15LV가 수지 혼합물의 조성으로부터 생략된 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 제조하였다.Comparative Example C5 was prepared in the same manner as in Example 10 except that A15LV was omitted from the composition of the resin mixture.
비교예 C6Comparative Example C6
비교예 C6은 수지 혼합물의 조성이 1.44 g의 A15LV, 23 g의 P-250, 47.50 g의 PHP-75D, 및 0.68 g의 DC5604이고 2시간 동안 100℃에서의 열 경화만을 이용하였으며 UV 경화 단계를 생략한 것을 제외하고는 실시예 10과 동일하게 제조하였다.Comparative Example C6 was prepared by using only the thermosetting at 100 DEG C for 2 hours with A15LV having a composition of resin mixture of 1.44 g, 23 g of P-250, 47.50 g of PHP-75D and 0.68 g of DC5604, Was prepared in the same manner as in Example 10.
비교예 C7Comparative Example C7
비교예 C7은 A15LV가 수지 혼합물의 조성으로부터 생략된 것을 제외하고는 비교예 C6과 동일하게 제조하였다.Comparative Example C7 was prepared in the same manner as Comparative Example C6 except that A15LV was omitted from the composition of the resin mixture.
실시예 15Example 15
실시예 15는 수지 혼합물의 조성이 7.58 g의 5350D, 28.00 g의 M1, 23.75 g의 PHP- 75D, 16.50 g의 D100, 0.83 g의 TPO-L 및 0.77 g의 DC5604인 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 제조하였다.Example 15 was prepared in the same manner as in Example 5 except that the composition of the resin mixture was 7.550 g of 5350D, 28.00 g of M1, 23.75 g of PHP-75D, 16.50 g of D100, 0.83 g of TPO-L and 0.77 g of DC5604. .
비교예 C8Comparative Example C8
비교예 C8은 수지 혼합물의 조성이 8.39 g의 5350D, 28.00 g의 M1, 47.50 g의 PHP-75D 및 3.5 g의 DC5604이고 2시간 동안 100℃에서의 열 경화만을 이용하였으며 UV 경화 단계를 생략한 것을 제외하고는 실시예 15와 동일하게 제조하였다.In Comparative Example C8, the composition of the resin mixture was 5350D of 8.39 g, 28.00 g of M1, 47.50 g of PHP-75D and 3.5 g of DC5604, using only thermal curing at 100 占 폚 for 2 hours and omitting the UV curing step Was prepared in the same manner as in Example 15.
시험 방법 2 및 시험 방법 3을 이용하여, 실시예 10 내지 실시예 15 및 비교예 C5 내지 비교예 C8의 경도, 세공 크기 평균, 세공 크기 표준 편차, 세공 크기 범위, 세공 크기 불균일도 및 다공도를 측정하였다. 결과가 하기의 표 2에 나타나 있다.The hardness, pore size average, pore size standard deviation, pore size range, pore size non-uniformity and porosity of Examples 10 to 15 and Comparative Examples C5 to C8 were measured using
[표 2][Table 2]
본 명세서에 걸쳐 "일 실시 형태", "일부 실시 형태", "하나 이상의 실시 형태", 또는 "실시 형태"라고 하는 것은, 실시 형태라는 용어 앞에 "예시적인"이라는 용어를 포함하든 포함하지 않든 간에, 그 실시 형태와 관련하여 기술된 특정의 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 발명의 예시적인 일부 실시 형태들 중 적어도 하나의 실시 형태에 포함되어 있다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서에 걸쳐 여러 곳에서 나오는 "하나 이상의 실시 형태에서", "일부 실시 형태에서", "하나의 실시 형태에서" 또는 "일 실시 형태에서"라는 문구가 반드시 본 개시 내용의 예시적인 일부 실시 형태들 중 동일한 실시 형태를 말하는 것은 아니다. 또한, 특정의 특징들, 구조들, 재료들, 또는 특성들은 하나 이상의 실시 형태에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.Reference throughout this specification to "one embodiment," " some embodiments, "" one or more embodiments, " or" an embodiment, " Means that a particular feature, structure, material, or characteristic described in connection with the embodiment is included in at least one embodiment of some exemplary embodiments of the invention. Thus, the appearances of the phrase " in one or more embodiments, "in some embodiments," in an embodiment, "or" in an embodiment, " But are not to be construed as being limited to the same embodiments. In addition, certain features, structures, materials, or characteristics may be combined in any suitable manner in one or more embodiments.
명세서가 예시적인 일부 실시 형태를 상세히 기술하고 있지만, 당업자라면 이상의 내용을 이해할 때 이들 실시 형태에 대한 여러 수정, 변형 및 그 등가물을 용이하게 안출할 수 있다는 것을 잘 알 것이다. 따라서, 본 발명이 이상에 기재된 예시적인 실시 형태로 부당하게 제한되어서는 안됨을 이해하여야 한다. 특히, 본 명세서에 사용된 바와 같이, 종점(endpoint)에 의한 수치 범위의 언급은 그 범위 내에 포함되는 모든 숫자를 포함하고자 한다(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4, 및 5를 포함함). 또한, 본 명세서에 사용된 모든 숫자는 용어 "약"에 의해 수식되는 것으로 가정된다. 게다가, 본 명세서에 인용된 모든 간행물 및 특허는, 각각의 개별 간행물 또는 특허가 인용에 의해 포함되는 것으로 구체적이고 개별적으로 명시된 것처럼, 인용에 의해 그 전체 내용이 본 명세서에 포함된다.While the specification concludes with a description of some exemplary embodiments in detail, those skilled in the art will readily appreciate that many modifications, variations, and equivalents may be resorted to, Therefore, it should be understood that the present invention should not be unduly limited to the exemplary embodiments described above. In particular, as used herein, reference to a numerical range by an endpoint is intended to include all numerals contained within that range (e.g., 1 to 5 are 1, 1.5, 2, 2.75, 3 , 3.80, 4, and 5). In addition, all numbers used herein are assumed to be modified by the term "about ". In addition, all publications and patents cited in this specification are herein incorporated by reference in their entirety, as if each individual publication or patent was specifically and individually indicated to be incorporated by reference.
다양한 예시적인 실시 형태가 설명되었다. 이들 및 다른 실시 형태는 하기의 특허청구범위의 범주 내에 속한다.Various exemplary embodiments have been described. These and other embodiments are within the scope of the following claims.
Claims (23)
컴플라이언트 층의 제 1 면 상에 배치된 다공성 연마 층을 포함하며, 다공성 연마 층은
열 경화된 성분과 방사선 경화된 성분을 포함하는 가교결합된 네트워크로서, 상기 방사선 경화된 성분과 열 경화된 성분은 가교결합된 네트워크에서 공유결합되는 가교결합된 네트워크;
가교결합된 네트워크 내에 분산된 중합체 입자; 및
가교결합된 네트워크 내에 분산된 폐쇄 셀 세공(pore)을 포함하는, 연마 패드.A compliant layer having first and second opposing surfaces; And
A porous abrasive layer disposed on a first side of the compliant layer, the porous abrasive layer comprising
A crosslinked network comprising a thermally cured component and a radiation cured component, wherein the radiation cured component and the thermally cured component are covalently bonded in a crosslinked network;
Polymer particles dispersed within a crosslinked network; And
And a closed cell pore dispersed within the crosslinked network.
조성물에 세공을 형성하는 단계;
지지 층 상에 조성물을 위치시키는 단계; 및
방사선 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 방사선에 노출시키고, 열 경화성 수지 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키기 위해 조성물을 가열하여 지지 층 상에 다공성 연마 층을 형성하는 단계를 포함하는, 연마 패드의 제조 방법.Providing a composition comprising a thermosetting resin composition, a radiation curable resin composition, and polymer particles;
Forming pores in the composition;
Placing the composition on a support layer; And
Exposing the composition to radiation to at least partially cure the radiation curable resin composition and heating the composition to at least partially cure the thermosetting resin composition to form a porous polishing layer on the support layer, ≪ / RTI >
연마 패드를 기재에 대해 상대적으로 이동시켜서 기재 표면을 연마하는 단계를 포함하는, 연마 방법.Contacting the substrate surface with the porous polishing layer of the polishing pad of claim 1 or 2; And
And polishing the substrate surface by relatively moving the polishing pad relative to the substrate.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28898209P | 2009-12-22 | 2009-12-22 | |
US61/288,982 | 2009-12-22 | ||
US42244210P | 2010-12-13 | 2010-12-13 | |
US61/422,442 | 2010-12-13 | ||
PCT/US2010/061199 WO2011087737A2 (en) | 2009-12-22 | 2010-12-20 | Polishing pad and method of making the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120120247A KR20120120247A (en) | 2012-11-01 |
KR101855073B1 true KR101855073B1 (en) | 2018-05-09 |
Family
ID=44247814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127019080A KR101855073B1 (en) | 2009-12-22 | 2010-12-20 | Polishing pad and method of making the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130012108A1 (en) |
JP (1) | JP5728026B2 (en) |
KR (1) | KR101855073B1 (en) |
SG (1) | SG181890A1 (en) |
TW (1) | TWI517975B (en) |
WO (1) | WO2011087737A2 (en) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110183583A1 (en) * | 2008-07-18 | 2011-07-28 | Joseph William D | Polishing Pad with Floating Elements and Method of Making and Using the Same |
JP6092120B2 (en) * | 2011-01-04 | 2017-03-08 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH | Composite semi-finished products and molded parts produced therefrom, as well as hydroxy-functional (meth) acrylate-based directly produced molded parts that are thermoset crosslinked by uretdione |
US20120302148A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
KR101825734B1 (en) * | 2011-11-29 | 2018-02-05 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
KR101847619B1 (en) * | 2012-01-12 | 2018-04-11 | 엠.씨.케이(주) | Polishing pad having a high-content of abrasive ingredients and method of manufacturing the same |
US9050697B2 (en) * | 2012-03-20 | 2015-06-09 | Jh Rhodes Company, Inc. | Self-conditioning polishing pad and a method of making the same |
TWI590918B (en) * | 2013-08-16 | 2017-07-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | Polishing pad, polishing apparatus and method for manufacturing polishing pad |
US9421666B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein |
TWI580524B (en) * | 2014-02-18 | 2017-05-01 | 中國砂輪企業股份有限公司 | Chemical mechanical polishing conditioner with high performance and method for manufacturing the same |
JP6365869B2 (en) * | 2014-03-19 | 2018-08-01 | Dic株式会社 | Urethane composition and abrasive |
JP6315246B2 (en) * | 2014-03-31 | 2018-04-25 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Polishing pad and manufacturing method thereof |
EP3043960B1 (en) * | 2014-05-01 | 2018-06-06 | 3M Innovative Properties Company | Flexible abrasive article and method of using the same |
US9873180B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
WO2016060712A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Applied Materials, Inc. | Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
TWI548481B (en) * | 2014-11-17 | 2016-09-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | Polishing pad and method for making the same |
US10086500B2 (en) * | 2014-12-18 | 2018-10-02 | Applied Materials, Inc. | Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad |
US10010106B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-07-03 | Frito-Lay North America, Inc. | Method and apparatus for removing a portion of a food product with an abrasive stream |
KR101600393B1 (en) * | 2015-05-20 | 2016-03-07 | 에프엔에스테크 주식회사 | Polishing pad and preparing method thereof |
US10005172B2 (en) * | 2015-06-26 | 2018-06-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled-porosity method for forming polishing pad |
CN105150120B (en) * | 2015-09-01 | 2018-03-30 | 河南科技学院 | A kind of Roll to Roll chemical-mechanical polishing mathings rigid layer of concretion abrasive polishing roll and preparation method thereof |
TWI769988B (en) * | 2015-10-07 | 2022-07-11 | 美商3M新設資產公司 | Polishing pads and systems and methods of making and using the same |
KR102584551B1 (en) * | 2015-10-16 | 2023-10-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Method and apparatus for forming an advanced polishing pad using an additive manufacturing process |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
CN108698206B (en) * | 2016-01-19 | 2021-04-02 | 应用材料公司 | Porous chemical mechanical polishing pad |
WO2017204218A1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | タツタ電線株式会社 | Electroconductive adhesive composition |
KR101894071B1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-08-31 | 에스케이씨 주식회사 | Uv-curable resin composition, polishing pad and preparation method thereof |
WO2018187220A1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-10-11 | Jl Darling Llc | Coating for recyclable paper |
US11524390B2 (en) * | 2017-05-01 | 2022-12-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Methods of making chemical mechanical polishing layers having improved uniformity |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | Abrasive delivery polishing pads and manufacturing methods thereof |
JP7089905B2 (en) * | 2018-03-02 | 2022-06-23 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Polishing pad |
JP7373503B2 (en) | 2018-05-07 | 2023-11-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hydrophilic and zeta potential adjustable chemical mechanical polishing pad |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
US20200171623A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer backside cleaning apparatus and method of cleaning wafer backside |
US11851570B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Anionic polishing pads formed by printing processes |
KR102270392B1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-06-30 | 에스케이실트론 주식회사 | Wafer polishing head, method of manufacturing waper polishing head and wafer polishing Apparatus having the same |
TWI741753B (en) * | 2019-10-29 | 2021-10-01 | 南韓商Skc索密思股份有限公司 | Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same |
KR102293765B1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-08-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Polishing pad, preparation method thereof, and preparation method of semiconductor device using same |
KR102293801B1 (en) | 2019-11-28 | 2021-08-25 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Polishing pad, preparation method thereof, and preparation method of semiconductor device using same |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11612978B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads |
US11638979B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing of polishing pads |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
JP2023547826A (en) * | 2020-10-19 | 2023-11-14 | シーエムシー マテリアルズ リミティド ライアビリティ カンパニー | UV curable resin used for chemical mechanical polishing pads |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
KR102538440B1 (en) * | 2021-05-26 | 2023-05-30 | 에스케이엔펄스 주식회사 | Polishing system, polishing pad and manufacturing method for semiconductor device |
WO2023244740A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Cmc Materials Llc | Uv-curable resins for chemical mechanical polishing pads |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009544830A (en) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | エボニック レーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Process for the production of (meth) acrylate-based ABA-triblock copolymers |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6077601A (en) * | 1998-05-01 | 2000-06-20 | 3M Innovative Properties Company | Coated abrasive article |
US6477926B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US7192340B2 (en) * | 2000-12-01 | 2007-03-20 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad, method of producing the same, and cushion layer for polishing pad |
US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US20050276967A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-12-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Surface textured microporous polishing pads |
US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
AU2003275237A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-19 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
US20040209066A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
KR20040093402A (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-05 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Polishing Pad and Method of Polishing a Semiconductor Wafer |
JP2006114666A (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Polishing pad, its manufacturing method, and polishing method using the same |
-
2010
- 2010-12-20 KR KR1020127019080A patent/KR101855073B1/en active IP Right Grant
- 2010-12-20 WO PCT/US2010/061199 patent/WO2011087737A2/en active Application Filing
- 2010-12-20 JP JP2012546101A patent/JP5728026B2/en active Active
- 2010-12-20 US US13/518,475 patent/US20130012108A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-20 SG SG2012046546A patent/SG181890A1/en unknown
- 2010-12-21 TW TW099145034A patent/TWI517975B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009544830A (en) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | エボニック レーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Process for the production of (meth) acrylate-based ABA-triblock copolymers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130012108A1 (en) | 2013-01-10 |
TWI517975B (en) | 2016-01-21 |
WO2011087737A3 (en) | 2011-09-15 |
SG181890A1 (en) | 2012-07-30 |
TW201130656A (en) | 2011-09-16 |
WO2011087737A2 (en) | 2011-07-21 |
JP2013515379A (en) | 2013-05-02 |
CN102762340A (en) | 2012-10-31 |
JP5728026B2 (en) | 2015-06-03 |
KR20120120247A (en) | 2012-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101855073B1 (en) | Polishing pad and method of making the same | |
US7097549B2 (en) | Polishing pad | |
US6477926B1 (en) | Polishing pad | |
TWI295998B (en) | Polyurethane urea polishing pad | |
US9126304B2 (en) | Polishing pad | |
KR100892924B1 (en) | Polishing pad | |
KR101107043B1 (en) | Polishing pad | |
JP5078000B2 (en) | Polishing pad | |
EP1034065B1 (en) | Durable abrasive articles with thick abrasive coatings | |
TWI475056B (en) | Grinding pad manufacturing method | |
JP5088865B2 (en) | Polishing pad | |
CN106376234B (en) | Intermittent structured abrasive article and the method for polishing workpiece | |
JP5074224B2 (en) | Polishing pad, polishing pad manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
JP4884808B2 (en) | Polishing pad manufacturing method | |
JP7118840B2 (en) | polishing pad | |
CN102762340B (en) | Polishing pad and manufacture method thereof | |
JP2009220249A (en) | Polishing pad, method of manufacturing polishing pad, and method of manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |