KR101847916B1 - Led display apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 휘도를 향상시키고, 저전력으로 구동할 수 있는 LED(Light Emitting Diode) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 명세서의 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치는, 기판과, 상기 기판의 일면 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극에 형성된 에피택셜층과, 상기 에피택셜층에 형성된 금속 전극을 포함하는 LED 소자와; 상기 LED 소자의 금속 전극과 본딩되는 TFT(Thin Film Transistor)를 갖는 디스플레이용 TFT 후면판을 포함하며, 상기 금속 전극과 상기 TFT는 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.[0001] The present invention relates to an LED (Light Emitting Diode) display device capable of improving brightness and driving with low power and a method of manufacturing the same, and an LED display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, A transparent electrode formed on the transparent electrode, an epitaxial layer formed on the transparent electrode, and a metal electrode formed on the epitaxial layer; And a TFT back panel for a display having a TFT (Thin Film Transistor) bonded to a metal electrode of the LED element, wherein the metal electrode and the TFT are electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

Description

ＬＥＤ 디스플레이 장치 및 그 제조 방법{LED DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an LED display device,

본 명세서는 LED(light emitting device, LED) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND 1. Technical Field The present disclosure relates to a light emitting device (LED) display device and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 발광 소자(light emitting device, LED)는, 백열 전구와 같이 폭넓은 발광 스펙트럼을 갖는 것과는 다르게 대부분 단색광에 가까운 광을 발광한다. 발광 소자마다 그 전자/정공 결합에 따른 에너지가 상이하므로, 각각의 특성에 따라 적색, 녹색, 청색, 황색을 나타낸다. 상기 발광 장치에 대한 설명은 한국 특허 출원 번호 출원번호 10-2010-7006534에도 개시되어 있다.In general, a light emitting device (LED) emits light that is mostly monochromatic, unlike an incandescent lamp having a broad emission spectrum. Each of the light emitting devices exhibits red, green, blue, and yellow depending on their characteristics because their energy due to their electron / hole coupling is different. A description of the light emitting device is also disclosed in Korean Patent Application No. 10-2010-7006534.

본 명세서는 휘도를 향상시키고, 저전력으로 구동할 수 있는 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an LED display device capable of improving brightness and driving with low power and a method of manufacturing the same.

본 명세서의 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치는, 기판과, 상기 기판의 일면 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극에 형성된 에피택셜층과, 상기 에피택셜층에 형성된 금속 전극을 포함하는 LED(Light Emitting Diode) 소자와; 상기 LED 소자의 금속 전극과 본딩되는 TFT(Thin Film Transistor)를 갖는 디스플레이용 TFT 후면판을 포함하며, 상기 금속 전극과 상기 TFT는 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.An LED display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a transparent electrode formed on a surface of the substrate, an epitaxial layer formed on the transparent electrode, and a light emitting diode (LED) including a metal electrode formed on the epitaxial layer. Emitting diode; And a TFT back panel for a display having a TFT (Thin Film Transistor) bonded to a metal electrode of the LED element, wherein the metal electrode and the TFT are electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 기판은 유리 기판 또는 웨이퍼 기판일 수 있다.As one example related to the present specification, the substrate may be a glass substrate or a wafer substrate.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 기판의 타면 상에 형성된 제1 형광체 층과; 상기 제1 형광체 층상에 형성된 킬러 필터를 더 포함할 수 있다.As one example related to the present specification, the first phosphor layer formed on the other surface of the substrate; And a killer filter formed on the first phosphor layer.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 킬러 필터는, 상기 제1 형광체 층상에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착제와; 상기 투명 필름 또는 투명 접착제 상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the killer filter includes: a transparent film or a transparent adhesive formed on the first phosphor layer; (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive.

본 명세서의 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치 제조 방법은, 기판의 일면 상에 투명 전극을 형성하는 단계와; 상기 투명 전극에 에피택셜층을 형성하는 단계와; 상기 에피택셜층에 금속 전극을 형성하는 단계와; 디스플레이용 TFT(Thin Film Transistor) 후면판의 TFT를 상기 금속 전극과 본딩시키는 단계를 포함하며, 상기 금속 전극과 상기 TFT는 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.A method of manufacturing an LED display device according to an embodiment of the present invention includes: forming a transparent electrode on one surface of a substrate; Forming an epitaxial layer on the transparent electrode; Forming a metal electrode on the epitaxial layer; And bonding the TFT of the rear TFT (Thin Film Transistor) for display to the metal electrode, wherein the metal electrode and the TFT are electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

본 명세서의 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법은, 백라이트유닛(Back Light Unit; BLU)로 사용하고 있는 LED를 디스플레이에 적용하기 위해, LED 구조(100)와 디스플레이용 박막트랜지스터(TFT) 후면판(Back-plane)을 서로 결합함으로써 휘도를 형상시킬 수 있고, 저전력으로 구동될 수 있는 효과가 있다. The LED display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention may be applied to an LED structure 100 and a display thin film transistor (TFT) to apply an LED used as a backlight unit (BLU) The back-plane can be formed by combining the backlight and the backlight, and the backlight can be driven with low power.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치에 적용된 LED 소자(구조)를 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치를 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치의 휘도 실험 결과를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치의 온도 실험 결과를 나타낸 예시도이다. FIG. 1 is a configuration diagram showing an LED device (structure) applied to an LED display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram illustrating an LED display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view illustrating a luminance experiment result of the LED display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a temperature experiment result of an LED display device according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. It is noted that the technical terms used herein are used only to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. It is also to be understood that the technical terms used herein are to be interpreted in a sense generally understood by a person skilled in the art to which the present invention belongs, Should not be construed to mean, or be interpreted in an excessively reduced sense. Further, when a technical term used herein is an erroneous technical term that does not accurately express the spirit of the present invention, it should be understood that technical terms that can be understood by a person skilled in the art are replaced. In addition, the general terms used in the present invention should be interpreted according to a predefined or prior context, and should not be construed as being excessively reduced.

또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.Also, the singular forms "as used herein include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprising" or "comprising" or the like should not be construed as necessarily including the various elements or steps described in the specification, Or may be further comprised of additional components or steps.

또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. Furthermore, terms including ordinals such as first, second, etc. used in this specification can be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or similar elements throughout the several views, and redundant description thereof will be omitted.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. It is to be noted that the accompanying drawings are only for the purpose of facilitating understanding of the present invention, and should not be construed as limiting the scope of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하에서는, LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode),LED(Light Emitting Diode) 등과 같은 다양한 디스플레이 소자에 적용될 수 있는 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. Hereinafter, an LED display device and a manufacturing method thereof applicable to various display devices such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), and a light emitting diode (LED) will be described with reference to FIGS. 1 to 4 do.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치에 적용된 LED 소자(구조)를 나타낸 구성도이다.FIG. 1 is a configuration diagram showing an LED device (structure) applied to an LED display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치에 적용된 LED 소자(또는 LED 구조)(100)는, 기판(예를 들면, 유리 기판 또는 웨이퍼 기판)(101)과; 상기 기판(101)상에 형성된 투명 전극(102)과; 상기 투명 전극(102)에 형성된 에피택셜층(Epitaxial layer)(103)과; 상기 에피택셜층(103)에 형성된 전극(예를 들면, 금속 전극)(104)을 포함한다.1, an LED device (or LED structure) 100 applied to an LED display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 101 (e.g., a glass substrate or a wafer substrate); A transparent electrode 102 formed on the substrate 101; An epitaxial layer 103 formed on the transparent electrode 102; And an electrode (for example, a metal electrode) 104 formed on the epitaxial layer 103.

상기 기판(101)은 유리 기판 또는 웨이퍼 기판일 수 있으며, 상기 투명 전극(102)은 공통(common) 전극으로서 상기 기판(101)상에 증착된다. The substrate 101 may be a glass substrate or a wafer substrate, and the transparent electrode 102 is deposited on the substrate 101 as a common electrode.

상기 에피택셜층(103)은, 상기 투명 전극(102) 상에 증착되고, 질화갈륨(GaN; gallium nitride) 물질로 구성될 수 있다. The epitaxial layer 103 is deposited on the transparent electrode 102 and may be formed of gallium nitride (GaN).

상기 금속 전극(104)은, 상기 에피택셜층(103) 상에 금속을 증착하고, 그 전극을 식각(etching)하여 상기 금속 전극으로 패터닝함으로써, 상기 에피택셜층(103) 상에 형성된다. 상기 금속 전극(104)의 크기는 디스플레이 장치의 화소수의 크기와 동일하게 결정될 수 있다. The metal electrode 104 is formed on the epitaxial layer 103 by depositing a metal on the epitaxial layer 103 and etching the electrode to pattern the metal electrode. The size of the metal electrode 104 may be determined to be the same as the number of pixels of the display device.

본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치에 적용된 LED 구조(100)가 실리콘 기판(101)에 형성되는 경우에, 상기 디스플레이 장치의 크기에 매칭되도록 상기 실리콘 기판(101)을 절단하고, 그 절단된 실리콘 기판(101)에 형성된 LED 구조를 사용할 수도 있다.When the LED structure 100 applied to the LED display device according to the embodiment of the present invention is formed on the silicon substrate 101, the silicon substrate 101 is cut so as to match the size of the display device, The LED structure formed on the silicon substrate 101 may be used.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치를 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram illustrating an LED display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치(400)는, 상기 기판(예를 들면, 유리 기판 또는 웨이퍼 기판)(101)과, 상기 기판(101) 상에 형성된 투명 전극(102)과, 상기 투명 전극(102)에 형성된 에피택셜층(Epitaxial layer)(103)과, 상기 에피택셜층(103)에 형성된 전극(예를 들면, 금속 전극)(104)을 포함하는 LED 구조(100)와; 2, an LED display device 400 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 101 (e.g., a glass substrate or a wafer substrate) 101, A transparent electrode 102, an epitaxial layer 103 formed on the transparent electrode 102, and an electrode (for example, a metal electrode) 104 formed on the epitaxial layer 103 (100);

상기 LED 구조(100)의 전극(104)과 본딩되는 TFT(Thin Film Transistor; 박막트랜지스터)를 갖는 디스플레이용 TFT 후면판(Back-plane)(200)을 포함한다.And a back-plane TFT 200 for a display having a TFT (Thin Film Transistor) that is bonded to the electrode 104 of the LED structure 100.

본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치(40)는, 상기 기판(100) 상에 형성(도포)된 제1 형광체 층(예를 들면, 노란색 형광체 층)(301)과; 상기 제1 형광체 층상에 형성된 컬러 필터(300)를 더 포함할 수 있다. An LED display device 40 according to an embodiment of the present invention includes a first phosphor layer (for example, a yellow phosphor layer) 301 formed (applied) on the substrate 100; And a color filter 300 formed on the first phosphor layer.

상기 투명 전극(102)은 상기 기판(101)의 일면(예를 들면, 앞면) 상에 형성되고, 상기 제1 형광체 층(301)은 상기 기판(101)의 타면(예를 들면, 뒷면) 상에 형성될 수 있다.The transparent electrode 102 is formed on one surface (for example, front surface) of the substrate 101 and the first phosphor layer 301 is formed on the other surface (for example, a back surface) As shown in FIG.

상기 디스플레이용 TFT 후면판(Back-plane)(200)은 디스플레이부(예를 들면, LCD 디스플레이부)(201)와 TFT(202)로 구성될 수 있다.The back-plane 200 of the display TFT may be composed of a display part (for example, an LCD display part) 201 and a TFT 202.

상기 디스플레이부(예를 들면, LCD 디스플레이부)(201)는, 상부 기판과, 하부 기판과, 상기 상부 및 하부 기판 사이에 형성된 액정 층을 포함할 수 있으며, 상기 상부 기판에는 상부 편광판이 부착될 수 있고, 상기 하부 기판에는 하부 편광판이 부착될 수 있다. 상기 하부 기판에는 상기 TFT(202)가 형성될 수 있다. 상기 디스플레이용 TFT 후면판(Back-plane)(200)은 이미 공지된 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The display unit (e.g., the LCD display unit) 201 may include an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the upper and lower substrates. The upper substrate may have an upper polarizer attached thereto And a lower polarizer may be attached to the lower substrate. The TFT 202 may be formed on the lower substrate. Since the back-plane 200 of the display TFT is a well-known technology, a detailed description thereof will be omitted.

상기 LED 구조(100)의 전극(104)과 상기 디스플레이용 TFT 후면판(Back-plane)(200)의 TFT(Thin Film Transistor; 박막트랜지스터)은 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. The electrodes 104 of the LED structure 100 and the thin film transistors (TFT) of the back-plane TFT 200 of the display may be electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

상기 제1 형광체 층(예를 들면, 노란색 형광체 층)(301)은 디스플레이를 구현하기 위해 상기 기판(100) 상에 접합될 수 있다. The first phosphor layer (for example, yellow phosphor layer) 301 may be bonded onto the substrate 100 to realize a display.

상기 컬러 필터(300)는, 상기 제1 형광체 층(예를 들면, 노란색 형광체 층)(301)상에 형성된 투명 필름(또는 투명 접착제)(302)과; 상기 투명 필름(또는 투명 접착제)(302)상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체(303)를 포함할 수 있다. 상기 투명 필름(또는 투명 접착제)(302) 대신에 투명 유리가 사용될 수도 있다.The color filter 300 includes a transparent film (or a transparent adhesive) 302 formed on the first phosphor layer (for example, yellow phosphor layer) 301; (Red / Green / Blue) phosphor 303 formed on the transparent film 302 (or a transparent adhesive). Instead of the transparent film (or transparent adhesive) 302, a transparent glass may be used.

상기 노란색 형광체 물질로는 (Y1-x-yGdxCey)3Al5O12 , (Y1-xCex)3Al5O12 , (Y1-xCex)3(Al1-yGay)5O12, (Y1-x-yGdxCey)3(Al1-zGaz)5O12 과 같은 YAG 계 형광체 와 (Y1-x-yLuxCey)3Al5O12 과 같은 LuAG계 형광체, (Sr,Ca,Ba,Mg)2SiO4:Eu 과 같은 Silicate계 또한 (Ca,Sr)Si2N2O2:Eu 과 같은 산질화물 형광체 또한 사용 가능하며, 이외에도 다양한 노란색 형광체 물질이 사용될 수 있다.Examples of the yellow phosphor material include (Y1-x-yGdxCey) 3Al5O12, (Y1-xCex) 3Al5O12, (Y1-xCex) 3 (Al1-yGay) LuAG-based phosphors such as (Y1-x-yLuxCey) 3Al5O12, and oxynitride phosphors such as (Sr, Si) Si2N2O2: Eu such as (Sr, Ca, Ba, Mg) 2SiO4: And various other yellow phosphor materials may be used.

상기 녹색 형광체 물질로는 Y3(Al,Ga)5O12:Ce, CaSc2O4:Ce, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, (Sr,Ba)2SiO4:Eu,(Si,Al)6(O,N)8:Eu (

Figure 112011084115432-pat00001
-sialon), (Ba,Sr)3Si6O12N2:Eu, SrGa2S4:Eu, BaMgAl10O17:Eu,Mn 이 사용될 수 있으며, (Y1-x-yLuxCey)3Al5O12과 같은 LuAG계 형광체 물질도 사용 가능하며, 이외에도 다양한 녹색 형광체 물질이 사용될 수 있다. (Sr, Ba) 2SiO4: Eu, (Si, Al) 6 (O, N) Ce, CaSc2O4: Ce, Ca3 (Sc, Mg) 2Si3O12: Ce, 8: Eu (
Figure 112011084115432-pat00001
(Ba1-x-yLuxCey) 3Al5O12 can be used as the blue phosphor, and a variety of green phosphors such as (Y1-x-yLuxCey) 3Al5O12 can be used. Materials can be used.

상기 적색 형광체 물질로는 (Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si(N,O)2:Eu, (Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)8:Eu, (Sr,Ba)3SiO5:Eu, (Ca,Sr)S:Eu, (La,Y)2O2S:Eu, K2SiF6:Mn, CaAlSiN:Eu가 사용 가능하며, 이외에도 다양한 적색 형광체 물질이 사용될 수 있다.Eu, (Ca, Sr, Ba) 2Si5 (N, O) 8: Eu, (Ca, Sr, Ba) Si Eu, (Sr, Ba) 3SiO5: Eu, (Ca, Sr) S: Eu, (La, Y) 2O2S: Eu, K2SiF6: Mn and CaAlSiN: Eu can be used. Materials can be used.

상기 제1 형광체 층(301)은 유지 조성물을 포함할 수 있으며, 상기 유리 조성물은 PbO-B2O3-SiO2계 유리, P2O5-B2O3-ZnO계 유리, ZnO-B2O3-RO(예를 들면, BaO, SrO, La2O, Bi2O3)계 유리 중 어느 하나이거나, 이들의 조합 또는 다양한 유리 조성물이 사용될 수도 있다. The first phosphor layer 301 may include a fat composition, and the glass composition may include PbO-B 2 O 3 -SiO 2 glass, P 2 O 5 -B 2 O 3 -ZnO glass, ZnO-B 2 O 3 -RO (for example, BaO, SrO, La 2 O, Bi 2 O 3 ) glass, or a combination thereof or various glass compositions may be used.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치(400)는, 백라이트유닛(Back Light Unit; BLU)로 사용하고 있는 LED를 디스플레이에 적용하기 위해, LED 구조(100)와 디스플레이용 박막트랜지스터(TFT) 후면판(Back-plane)을 서로 결합함으로써 휘도를 형상시킬 수 있고, 저전력으로 구동될 수 있다. Therefore, the LED display device 400 according to an embodiment of the present invention includes the LED structure 100 and the thin film transistor for display (hereinafter, referred to as " display thin film transistor ") for applying the LED used as the backlight unit (TFT) backplane, and can be driven with low power.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치의 휘도 실험 결과를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view illustrating a luminance experiment result of the LED display device according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 휘도계(예를 들면, PR-705 휘도계)를 통해 휘도를 측정한 결과 3V-0.001A 조건의 칩 어레이(chip array)(LED 디스플레이 장치)에서 5,000 cd/m2이상의 휘도가 측정됨을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법은 높은 휘도의 디스플레이를 구현할 수 있으므로 500cd/m2의 휘도를 가지고도 종래의 LCD 대비 전력 소모를 1/10 이상으로 줄일 수 있다. As shown in FIG. 3, the luminance was measured through a luminance meter (for example, a PR-705 luminance meter). As a result, it was found that a chip array (LED display device) of 3V- It can be seen that the luminance of two or more is measured. In other words, since the LED display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can realize a display of high brightness, the power consumption can be reduced to 1/10 or more compared to the conventional LCD even at a luminance of 500 cd / m 2 .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치의 온도 실험 결과를 나타낸 예시도이다. FIG. 4 is a diagram illustrating a temperature experiment result of an LED display device according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 전류대비 광속(lm)과 온도(Temp.)를 실험한 결과 0.05A 미만 전류에서 상온을 유지함을 알 수 있다. 즉, 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법은 휘도를 1/10로 줄일 수 있어 저전력(low power) LED 재료를 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치는, 온도도 거의 상온으로 유지할 수 있어, 방열판(heat sink) 없이 구현 가능함으로 비용 상승이 크지 않으면서도 전력소모를 1/10로 줄일 수 있다. As shown in FIG. 4, when the luminous flux (lm) and the temperature (Temp.) Were compared with each other, it was found that the room temperature was maintained at a current of less than 0.05 A. That is, the LED display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can reduce the brightness to 1/10 and use a low power LED material. In addition, the LED display device according to an embodiment of the present invention can maintain the temperature at almost room temperature, and can be implemented without a heat sink, so that the power consumption can be reduced to 1/10 without increasing the cost.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법은, 백라이트유닛(Back Light Unit; BLU)로 사용하고 있는 LED를 디스플레이에 적용하기 위해, LED 구조(100)와 디스플레이용 박막트랜지스터(TFT) 후면판(Back-plane)을 서로 결합함으로써 휘도를 형상시킬 수 있고, 저전력으로 구동될 수 있다. As described above, the LED display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention can be applied to a display device such as a backlight unit (BLU) (TFT) backplane for the TFTs to form the brightness and can be driven with low power.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: LED 구조 200: 디스플레이용 TFT 후면판
300: 컬러 필터 301: 제1 형광체100: LED structure 200: TFT back panel for display
300: Color filter 301: First phosphor

Claims (8)

기판과, 상기 기판의 일면 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극에 형성된 에피택셜층과, 상기 에피택셜층에 형성된 금속 전극을 포함하는 LED(Light Emitting Diode) 소자와;
상기 LED 소자의 금속 전극과 본딩되는 TFT(Thin Film Transistor)를 갖는 디스플레이용 TFT 후면판과;
상기 기판의 타면 상에 형성된 제1 형광체 층과;
상기 제1 형광체 층상에 형성된 컬러 필터를 포함하며,
상기 금속 전극과 상기 TFT는 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.An LED (Light Emitting Diode) device comprising a substrate, a transparent electrode formed on one surface of the substrate, an epitaxial layer formed on the transparent electrode, and a metal electrode formed on the epitaxial layer;
A TFT back panel for a display having a TFT (Thin Film Transistor) bonded to a metal electrode of the LED element;
A first phosphor layer formed on the other surface of the substrate;
And a color filter formed on the first phosphor layer,
Wherein the metal electrode and the TFT are electrically connected to each other by an adhesive conductive material. 제1항에 있어서, 상기 기판은,
유리 기판 또는 웨이퍼 기판인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1,
Wherein the LED display device is a glass substrate or a wafer substrate. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 컬러 필터는,
상기 제1 형광체 층상에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착제와;
상기 투명 필름 또는 투명 접착제 상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The color filter according to claim 1,
A transparent film or a transparent adhesive formed on the first phosphor layer;
And an RGB (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive. 기판의 일면 상에 투명 전극을 형성하는 단계와;
상기 투명 전극에 에피택셜층을 형성하는 단계와;
상기 에피택셜층에 금속 전극을 형성하는 단계와;
디스플레이용 TFT(Thin Film Transistor) 후면판의 TFT를 상기 금속 전극과 본딩시키는 단계와;
상기 기판의 타면 상에 제1 형광체 층을 형성하는 단계와;
상기 제1 형광체 층상에 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속 전극과 상기 TFT는 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치 제조 방법.Forming a transparent electrode on one surface of the substrate;
Forming an epitaxial layer on the transparent electrode;
Forming a metal electrode on the epitaxial layer;
Bonding a TFT of a display TFT (Thin Film Transistor) rear plate to the metal electrode;
Forming a first phosphor layer on the other surface of the substrate;
And forming a color filter on the first phosphor layer, wherein the metal electrode and the TFT are electrically connected to each other by an adhesive conductive material. 제5항에 있어서, 상기 기판은,
유리 기판 또는 웨이퍼 기판인 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치 제조 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the LED display device is a glass substrate or a wafer substrate. 삭제delete 제5항에 있어서, 상기 컬러 필터를 형성하는 단계는,
상기 제1 형광체 층상에 투명 필름 또는 투명 접착제를 형성하는 단계와;
상기 투명 필름 또는 투명 접착제 상에 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein forming the color filter comprises:
Forming a transparent film or a transparent adhesive on the first phosphor layer;
And forming an RGB (Red / Green / Blue) phosphor on the transparent film or the transparent adhesive.
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