KR101834430B1 - 석재패널이 구비된 게비온 단위체 및 이를 이용한 옹벽 시공방법 - Google Patents

석재패널이 구비된 게비온 단위체 및 이를 이용한 옹벽 시공방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 절성토 사면의 조성 및 방호벽 또는 유실된 도로의 응급 복구 등 을 위하여, 폐석재를 이용한 석재패널을 이용하여, 게비온 옹벽의 시공성 및 시공 범위를 확대시킨 석재패널을 구비한 게비온 및 이를 이용한 옹벽 시공방법에 관한 것이으로, 본 발명은 각 면이 금속망으로 형성되고, 내부에 공간이 형성되는 육면체의 게비온과; 전면에 석재가 배치된 장방형의 콘크리트 블록으로, 상기 게비온 내에 배치되는 석재패널; 그리고 상기 게비온 내에 적층되는 채움골재를 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 본 발명에서는 시공된 게비온 옹벽 전면에 자연 폐석이 구비된 석재패널이 드러나므로, 게비온 옹벽에 있어 비교적 저렴한 비용으로 자연석과 같은 외관이 도출될 수 있는 효과가 있다.

Description

석재패널이 구비된 게비온 단위체 및 이를 이용한 옹벽 시공방법 { Gabion unit having stone panel and Constructing method retaining wall using the gabion }
본 발명은 절성토 사면의 조성 및 방호벽 또는 유실된 도로의 응급 복구등 에 사용되는 게비온 옹벽에 관한 것으로, 폐석재를 이용한 석재패널을 이용하여, 게비온 옹벽의 시공성 및 시공 범위를 확대시킨 석재패널을 구비한 게비온 및 이를 이용한 옹벽 시공방법에 관한 것이다.
사태지 복구, 절토 사면 안정 및 하천 제방의 정비에는 콘크리 옹벽, 블럭식 옹벽 또는 게비온을 이용한 시공방법들이 사용되어 왔다.
이들 각각의 시공 방법은 각자 장단점이 상이하여, 시공 현장의 조건 및 목적에 따라 선택적으로 적용되어 왔다.
상기 게비온을 이용한 옹벽은, 시공이 기간이 짧고, 시공 사면의 배수성이 뛰어나며, 시공자재를 현장에서 충당할 수 있어, 시공기간 동안 일반 수요자의 공기 단축이 중요한 사회 기반시설에 시공현장에 적합하게 이용되고 있다.
그러나 최근에는 자연석의 수급이 어려워짐에 따라 게비온 내에 채움 골재로 자연석 대신 인공 쇄석이나 폐건축 골재가 사용되는 실정이다. 이때, 상기 게비온 옹벽은 시공후 사면 개방면에 채움골재가 그대로 드러나므로 시공 후 사면 개방면의 미관이 아름답지 못한 단점이 있었다.
이에 대한민국 등록특허 제10-1337411호에서는 도 1에 도시된 바와 같이, 게비온 노출부(상부)에 별도의 식생토층을 마련하여 식생을 통해 자연 미관을 구현하는 기술이 개발되기도 하였다.
그러나 이와 같이, 식생을 통하여 미관을 개선하는 공법은 시공과정이 복잡해져 시공비의 증가뿐만 아니라 시공기간이 길어져, 게비온 옹벽 고유의 효율성을 저해시키는 문제점이 있었다.
한편, 게비온을 이용한 옹벽 시공과정을 살펴보면, 현장에서 게비온을 시공위치에 설치한 이후에, 게비온 내에 채움골재를 채워넣고, 상기 게비온의 개방부를 차폐하는 과정을 거친다.
이때, 상기 게비온은 강선으로 구성되는 망으로, 채움골재의 하중에 의해 직육면체의 형태가 변형될 수 있다. 이와 같이, 게비온의 형태가 변형되는 경우, 게비온과 게비온 사이가 치밀하게 배치되지 못하므로, 미관이 저해될 뿐만 아니라 옹벽 자체의 강도가 확보되지 못하는 문제점이 있다.
이에 종래 게비온을 이용한 옹벽 시공시에는 숙달된 작업자가, 게비온 내에 채움골재를 채워넣을 때, 골재를 재배열하여 게비온의 형태가 변형되지 않도록 하는 과정이 필요하다. 이에 따라 시공 결과의 일관성이 유지되지 못하는 문제점이 있었다.
대한민국 등록 특허 제10-1337411호
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 게비온 전면에 자연 폐석을 이용하여 제작된 석재패널을 구비하여, 게비온 옹벽 시공 완료 후, 자연석 경관을 살린 전면 외관이 도출되도록 하는 게비온 옹벽을 제공하고자 하는 것이다.
그리고 본 발명은 게비온 내에 석재패널을 설치하여, 게비온의 형태가 유지된 상태에서 채움골재를 충진하여, 채움골재 하중으로 인한 게비온의 형태 변형이 방지되도록 하여, 시공이 용이한 게비온 옹벽을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명은 석재패널 간 결합구조를 제공하여, 게비온과 게비온 사이의 결합력을 향상시키고, 게비온의 다양한 결합구조에 따라 범용적으로 사용될 수 있는 게비온용 석제패널을 제공하고자 하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 각 면이 금속망으로 형성되고, 내부에 공간이 형성되는 육면체의 게비온과; 전면에 석재가 배치된 장방형의 콘크리트 블록으로, 상기 게비온 내에 배치되는 석재패널; 그리고 상기 게비온 내에 적층되는 채움골재를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 게비온은, 바닥을 형성하는 저면부와; 상기 저면부의 각 변과 연결되어 상기 게비온의 측면을 형성하는 4개의 측면부; 그리고 상기 측면부에 연결되어 상기 게비온의 상면을 형성하는 덮개부를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 채움골재는, 폐콘크리트를 포함하는 건축 폐자재일 수도 있다.
또한, 상기 석재패널의 측면에는, 인접된 석재패널과 결합하기 위한 결합공이 형성될 수 있다.
그리고 상기 결합공은, 상기 석재패널의 테두리 각 면에 다수 개가 대칭형으로 배치되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 석재패널의 배면에는, 배면에 인접된 석재패널의 측면과 결합하기 위한 결합공이 형성되는 것도 가능하다.
그리고 상기 결합공은, 콘크리트 내에 삽입된 내측이 차폐되고 외측이 개구된 원통형의 케이싱에 의해 형성될 수도 있다.
또한, 인접한 석재패널들은, 양측 석재패널에 구비되는 각각의 케이싱에 삽입되는 원통형의 결합바에 의해 결합될 수도 있다.
한편, 상기 결합바는, 상기 케이싱의 깊이보다 길고, 상기 케이싱의 깊이의 두 배보다 짧게 형성될 수도 있다.
그리고 상기 석재패널은, 내측에 강도보강을 위한 보강망이 구비될 수도 있다.
또한, 상기 석재패널은, 배면의 수평 폭이 전면의 수평 폭보다 좁게 형성되어, 측면이 내측으로 경사진 면으로 형성될 수도 있다.
이때, 상기 결합공은, 상기 석재패널의 측면 및 배면에 수직한 방향으로 형성될 수도 있다.
그리고 상기 게비온은, 상기 게비온의 배면 측 상하단에 각각 구비되는 수평부재와; 상기 수평부재의 결합 길이를 조절하는 조절유닛을 포함하여 구성될 수도 있다.
이때, 상기 수평부재는, 양단 또는 일단에 나사산이 형성되고, 덮개부 측면 후단부와 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면봉으로 구성될 수도 있다.
그리고 상기 조절유닛은, 상기 후면봉의 단부 나사산에 체결되는 조절너트 일 수도 있다.
한편, 상기 수평부재는, 덮개부 양 측면 후단부와 양 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면 와이어로 구성될 수도 있다.
그리고 상기 조절유닛은, 상기 후면 와이어의 고정위치를 조절하는 고정소켓으로 구성되고; 상기 고정소켓은, 외부 하우징과; 상기 외부하우징 내에 구비되고, 테이퍼 경사의 외주면이 형성되어, 내부에 상기 후면와이어가 관통하는 복수 개의 고정편을 포함하여 구성될 수도 있다.
한편, 상기 석재패널은, (가) 몰드의 바닥에 폐석재 조각을 나열하여 배치하는 단계와; (나) 상기 몰드에 시멘트 몰탈을 기 설정된 높이로 타설하는 단계와; (다) 상기 몰드 내부에 상기 석재패널의 강도 보강을 위한 보강망을 배치하는 단계와; (라) 상기 석재패널에 결합공을 형성하기 위한 케이싱을 개구면이 외측을 향하고, 외측면에 수직하게 배치하는 단계; 그리고 (마) 상기 몰드 내부에 시멘트 몰탈을 추가 타설하여 양생하는 단계를 수행함에 의해 제작될 수도 있다.
그리고 본 발명은, (A) 설치 지반 및 사면을 정리하는 단계와; (B) 게비온을 상면이 개방되도록 설치하는 단계와; (C) 상기 게비온 전면에 미리 제작된 석재패널을 석재 노출면이 외측을 향하도록 배치하는 단계와; (D) 상기 게비온 내부에 채움골재를 적층하는 단계와; (D) 상기 게비온 개방면을 차폐하여 게비온 단위체를 설치하는 단계와; (E) 설치된 게비온 단위체에 접하여 상기 제(B)단계 내지 제(D)단계를 반복 수행하여, 시공사면 전 길이에 대하여 게비온 단위체를 설치하는 단계; 그리고 (F) 상기 제(E)단계를 시공사면 높이까지 다층으로 게비온 단위체를 설치하여 게비온 옹벽을 완성하는 단계를 포함하여 수행되는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법을 포함한다.
여기서, 상기 게비온 단위체 설치 시, 인접한 게비온 내 석재패널들은, 접면에 형성된 결합공에 삽입되는 결합바에 의해 서로 결합될 수도 있다.
위에서 살핀 바와 같은 본 발명에 의한 석재패널을 구비한 게비온 및 이를 이용한 옹벽 시공방법에서는 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
즉, 본 발명에서는 시공된 게비온 옹벽 전면에 자연 폐석이 구비된 석재패널이 드러나므로, 게비온 옹벽에 있어 비교적 저렴한 비용으로 자연석과 같은 외관이 도출될 수 있는 효과가 있다.
그리고 본 발명에서는 게비온 내에 석재패널을 설치되어 게비온의 형태가 유지된 채, 게비온 내에 채움골재를 충진할 수 있으므로, 채움골재 하중으로 인한 게비온의 형태 변형이 방지되므로, 게비온 옹벽의 시공이 용이한 효과가 있다.
또한, 본 발명에서는 다양한 위치와 형태로 결합될 수 있는 석재패널이 제공되어, 게비온 옹벽의 게비온 사이의 결합력을 향상될 뿐만 아니라, 게비온 옹벽의 다양한 결합구조에 범용적으로 사용될 수 있는 석제패널이 제공되는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 의한 녹화 게비온 옹벽의 구조를 도시한 예시도.
도 2는 본 발명에 의한 석재패널을 구비한 게비온의 구체적인 실시예를 도시한 예시도.
도 3은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 석재패널의 전면과 배면 구조를 도시한 예시도.
도 4는 본 발명에 의한 석재패널의 제작과정을 도시한 시공순서도.
도 5는 본 발명의 구체적인 실시예에 적용되는 케이싱과 결합바의 일 예를 도시한 예시도.
도 6은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 석재패널이 구비된 게비온 옹벽의 일 예를 도시한 예시도.
도 7은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 곡면형 석재패널의 일 예를 도시한 예시도.
도 8은 본 발명에 의한 곡면형 석재패널에 구비되는 케이싱의 설치형태를 도시한 예시도.
도 9는 본 발명에 의한 석재패널이 구비된 게비온에 적용되는 가변 게비온의 구체적인 실시예를 도시한 예시도.
도 10은 본 발명에 의한 석재패널이 구비된 게비온에 적용되는 가변 게비온의 다른 실시예를 도시한 예시도.
도 11은 본 발명에 의한 곡면형 석재패널이 적용된 게비온 옹벽의 일 예를 도시한 예시도.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 석재패널을 구비한 게비온 및 이를 이용한 옹벽 시공방법을 살펴보기로 한다.
도 2는 본 발명에 의한 석재패널을 구비한 게비온의 구체적인 실시예를 도시한 예시도이고, 도 3은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 석재패널의 전면과 배면 구조를 도시한 예시도이며, 도 4는 본 발명에 의한 석재패널의 제작과정을 도시한 시공순서도이고, 도 5는 본 발명의 구체적인 실시예에 적용되는 케이싱과 결합바의 일 예를 도시한 예시도이며, 도 6은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 석재패널이 구비된 게비온 옹벽의 일 예를 도시한 예시도이다.
먼저, 본 발명에 의한 게비온 옹벽은 다수의 게비온 단위체가 다층 다열로 적층되어 구성된다.
그리고 상기 게비온 단위체는, 도 2에 도시된 바와 같이, 게비온(100)과 상기 게비온(100) 내에 구비되는 석재패널(200) 및 채움석재(미도시)를 포함하여 구성된다.
상기 게비온(100)을 살펴보면, 상기 게비온(100)은 각면이 금속망으로 형성된 육면체의 형태를 갖는다.
그리고 상기 게비온(100)을 전개하면, 바닥을 형성하는 저면부와 상기 저면부의 각 변과 연결되어 상기 게비온(100)의 측면을 형성하는 4개의 측면부 그리고 상기 측면부에 연결되어 상기 게비온(100)의 상면을 형성하는 덮개부를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 게비온(100)의 각 면은 6각 망(각 면의 망 형태)으로 형성된다. 물론, 4각망 또는 기타 다른 다각망으로 형성될 수도 있다.
한편, 상기 게비온(100)은 저면부에 각 측면부를 연결하여 내부에 공간이 형성된 육면체로 조립된다.
그리고 상기 게비온(100)의 내부공간에 구비되는 석재패널(200)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 장방형의 콘크리트 블록으로 전면에 석재(210)가 구비된다. 상기 석재(210)는 자연석 조각들로 건축 폐자재가 사용될 수 있다.
상기 석재패널(200)의 구체적인 생산방법은 이후 다시 설명하기로 한다.
한편, 상기 석재패널(200)의 측면과 배면에는 인접한 석재패널(200)과 결합하기 위한 결합공(230)이 형성된다.
이때, 상기 결합공(230)은 상기 석재패널(200)의 테두리 각 면에 대응되는 개수와 위치에 형성되어, 상기 석재패널(200)이 측면 또는 상하면에 인접하는 경우, 서로 결합될 수 있도록 한다.
그리고 상기 석재패널(200)의 배면에도 상기 결합공(230)이 형성되어, 상기 석재패널(200)이 측면 배면에 결합되는 경우 상기 석재패널(200)이 서로 결합될 수 있도록 한다.
이를 위해 상기 석재패널(200) 배면의 결합공(230)으로부터 외측까지의 거리는 상기 석재패널(200) 측면의 결합공(230)으로부터 전면까지의 거리와 같게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 석재패널(200)의 제작과정을 설명하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 먼저, 몰드(201)의 바닥에 폐석재 조각(210)을 나열하여 배치한다.
다음으로, 상기 몰드(201)에 시멘트 몰탈(220)을 일정 높이로 타설한다.
그리고 상기 몰드(201) 내부에 상기 석재패널(200)을 보강하기 위한 보강망(240)을 배치한다. 상기 보강망(240)은 다양한 형태의 보강부재로 구성될 수 있고, 바람직하게는 이형 철근망으로 형성된다.
또한, 상기 보강망(240) 배치 후에는 상기 석재패널(200)에 결합공(230)을 형성하기 위한 케이싱(232)이 배치된다. 상기 케이싱(232)은 일 측이 차폐되고 타 측이 개구된 원통으로, 개구측 석재패널(200)의 외측을 향하도록 배치된다.
즉, 다수의 케이싱(200)들을 개구측이 상기 몰드(201)의 내측면에 접하도록, 각 측면에 배열하고, 또 다른 케이싱(232)들을 개구측이 상방을 향하도록 배열한다.
그리고 상기 몰드(201) 내부에 시멘트 몰탈(220)을 상기 케이싱(232) 단부까지 추가 타설하고, 콘크리트(220) 양생 이후에 몰드(201)를 제거하여 석재패널(200)을 완성한다.
한편, 상기 케이싱(232)은 상기 케이싱(232) 내측에 삽입 가능한 원통형의 결합바(234)에 의해 결합되는데, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 결합바(234)는 상기 케이싱(232)의 깊이보다 길고, 상기 케이싱(232)의 깊이의 두 배보다 짧게 형성되는 것이 바람직하다.
이하에서는 이와 같은 게비온 단위체를 체결하여 형성된 게비온 옹벽 및 이의 시공방법에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 옹벽 시공 절토 사면에 게비온(100)을 설치한다. 이때, 게비온(100)의 개방부가 상방을 향하도록 하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 게비온(100) 전면에 미리 제작된 석재패널(200)을 석재 노출면이 외측을 향하도록 배치한다.
다음으로, 상기 석재패널(200) 배면 측 게비온(100) 내부에 채움골재를 채워 넣는다. 이때, 상기 석재패널(200)이 상기 게비온(100)의 형태를 지지하므로, 채움골재의 하중으로 인한 상기 게비온(100)의 형태 변형이 방지된다.
이때, 상기 채움골재는 게비온 옹벽 외부로 드러나지 않으므로 폐콘크리트 등의 다양한 건축 폐자재를 재활용할 수 있다.
그리고 상기 게비온(100)의 개방부를 덮어 게비온 단위체를 조립한다.
이후, 인접한 위치에 설치할 다음 게비온(100)을 배치하고, 내측에 다시 석재패널(200)을 설치한 후, 석재패널(200)들 사이의 결합공(230)에 결합바(234)를 삽입하여 석재패널(200)들을 결합한다.
다음으로, 인접된 상기 게비온(100) 내에 채움골재를 채워넣는다.
전술한 바와 같은 과정을 반복하여 시공사면 전체에 걸쳐 게비온 단위체들을 설치하여, 게비온 옹벽을 완성한다.
물론, 상기 게비온 옹벽은 도 6에 도시된 바와 같이, 설계된 높이까지 상기 게비온 단위체를 다층으로 설치하여 시공된다. 이때, 상기 상부 석재패널(200)은 하부 석재패널(200)과 결합바(234)에 의해 결합공(230)을 통해 결합된다.
한편, 상기 게비온 옹벽의 측단부 게비온(100)에는 측면에도 석재패널(200)이 설치된다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 측단부 게비온(100) 내에는 전방에 석재패널(200)을 설치하고, 상기 전방 석재패널(200) 배면 단부에 측방으로 석재패널(200)이 결합된다.
이때, 측면의 석재패널(200) 측면 결합공(230)과 전면 석재패널(200)의 배면 결합공(230)이 연결된다.
이에 따라 상기 게비온 옹벽은 측면에도 자연석 외관을 구현할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 의한 석재패널을 구비한 게비온이 곡면에 시공되는 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
설명의 편의상 곡면 구간에 설치되는 게비온 유닛에 적용되는 석재패널 및 게비온을 각각 곡면형 석재패널(300) 및 가변 게비온(400)이라 한다.
도 7은 본 발명의 구체적인 실시예에 의한 곡면형 석재패널의 일 예를 도시한 예시도이고, 도 8은 본 발명에 의한 곡면형 석재패널에 구비되는 케이싱의 설치형태를 도시한 예시도이며, 도 9는 본 발명에 의한 석재패널이 구비된 게비온에 적용되는 가변 게비온의 구체적인 실시예를 도시한 예시도이고, 도 10은 본 발명에 의한 석재패널이 구비된 게비온에 적용되는 가변 게비온의 다른 실시예를 도시한 예시도이며, 도 11은 본 발명에 의한 곡면형 석재패널이 적용된 게비온 옹벽의 일 예를 도시한 예시도이다.
본 발명에 의한 석재패널을 구비한 게비온이 곡면에 시공되기 위해서는, 게비온 단위체를 구성하는 석재패널과 게비온의 구성이 다르게 형성된다. 이에 대하여 구체적으로 살피면, 도 7에 도시된 바와 같이, 곡면형 석재패널은 배면의 폭이 전면의 폭보다 좁게 형성된다.
이에 따라 다수의 상기 곡면형 석재패널들이 측면끼리 접하여 연결되는 경우, 상기 곡면형 석재패널들의 전면부는 곡면을 형성하게 된다(도 11 참조).
한편, 상기 곡면형 석재패널에 형성되는 결합공은 형성면에 수직한 방형으로 형성된다.
즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 곡면형 석재패널(300)의 측면에 형성되는 결합공(230)은 측면에 수직한 방향으로 형성되고, 도시되지는 않았으나, 상기 곡면형 석재패널(300)의 배면에 형성되는 결합공(230)은 배면에 수직한 방향으로 형성된다.
이는, 직선형의 결합바(234)가 인접한 두 곡면형 석재패널(300)의 결합공(230)에 삽입될 수 있도록 하기 위함이다.
다음으로, 상기 가변 게비온(400)의 구성에 대하여 설명하기로 한다.
곡면에 시공되는 게비온의 형태가 직육면 형태로 형성되면, 인접한 게비온과 배면 측에서 겹치는 부분이 발생되어, 시공상에 문제가 발생된다.
이에 따라 곡면에 사용되는 게비온은 전면부의 폭보다 배면부 폭이 좁아지도록 형성된다. 이와 같이 곡면에 사용되는 게비온은 개별적으로 제작되어 사용될 수도 있으나, 본 발명에서는 게비온의 범용성을 확보하여 평면 및 곡면형의 사면에 모두 사용할 수 있는 가변 게비온(400)이 적용된다.
상기 가변 게비온(400)은 게비온의 배면측 폭 길이를 조절할 수 있도록 구성된 게비온으로, 이하에서는 게비온의 배면측 폭 길이를 조절하는 조절유닛(500)의 구성에 따라 상기 가변 게비온(400)을 두 가지 실시예로 구분하여 각각 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명에 의한 가변 게비온(400)의 제1실시예는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 조절유닛(500)이 후면봉(510)과 조절너트(520)를 포함하여 구성된다.
상기 후면봉(510)은 상기 게비온의 배면부 상/하단에 각각 구비되고, 양단 또는 일단에 나사산이 형성되어, 덮개부 측면부재(410) 후단부와 측면부 단부 부재(420) 후단부를 관통하여 구비되는 봉부재이다.
이때, 상기 후면봉(510)의 단부 나사산에는 상기 덮개부 및 측면부 후단부 외측으로 조절너트(520)가 구비되어, 상기 조절너트(520)의 이동에 따라 상기 덮개부 및 측면부 후단부는 조절너트(520)와 함께 내측으로 이동된다.
즉, 상기 조절너트(520)를 이동시키면, 상기 가변 게비온(400)의 후단부 폭을 조절할 수 있고, 상기 곡면형 석재패널(300)의 측면부 경사각(α)에 따라 상기 가변 게비온(400)의 배면측 폭을 줄여, 옹벽 시공시 게비온 간 중첩 발생을 방지할 수 있다.
물론, 상기 가변 게비온(400)은 후단부 폭을 조절하지 않고, 직육면체 형태로 사용할 수도 있고, 현장에서 사면 경사에 따라 유동적 조절하여 사용하는 것도 가능하다.
다음으로, 본 발명에 의한 가변 게비온(400)의 제2실시예는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 조절유닛(500)이 후면 와이어(530)와 고정소켓(540)을 포함하여 구성된다. 상기 후면 와이어(530)는 상기 후면봉과 동일한 위치에 배치되는 와이어 부재이다.
이때, 상기 후면 와이어(530)의 덮개부 및 측면부 후단에 대한 고정위치를 조절하기 위하여, 상기 후면 와이어(530)에는 고정소켓(540)이 결합된다.
상기 고정소켓(540)은 외부 하우징 내에 테이퍼 경사를 가진 복수개의 고정편이 구비되어, 상기 고정편 들의 사이를 관통하는 와이어(또는 강선)가 이동하는 경우, 상기 고정편의 누름압에 의해 상기 와이어 또는 강선이 일방향으로 고정된다.
즉, 상기 고정소켓(540)은 상기 후면 와이어(530)를 상기 가변 게비온(400)의 후단부 폭이 좁아지도록 하는 방향으로는 이동 가능하되, 상기 게비온(400)의 후단부 폭이 넓어지도록 하는 방향으로는 이동이 구속된다.
이에 따라 상기 가변 게비온(400)의 제2실시예는, 직육면체의 가변 게비온(400)을 시공현장으로 이동하여 설치 후, 상기 가변 게비온(400)의 후단부 폭을 상기 곡면형 석재패널(300)의 측면부 경사각(α)에 따라 줄여 준 후, 상기 가변 게비온(400) 내에 채움석재를 채워넣는다.
전술한 바와 같이, 가변 게비온(400)에 곡면형 석재패널(300)이 구비되어 게비온 단위체를 구성하고, 이와 같은 게비온 단위체들을 다층 다단으로 적층하여 경사면에 게비온 옹벽을 시공한 모습이 도 11에 도시되어 있다.
이에 도시된 바와 같이, 게이온 단위체를 구성하는 상기 곡면형 석재패널(300)의 측면 경사각(α) 및 상기 가변 게비온(400)의 후단부 폭을 조절하여 시공하는 경우, 도 11에 도시된 바와 같은, 균일 경사의 곡면뿐만 아니라, 다양한 경사의 연속 곡면, 곡면과 평면이 혼합된 절(성)토지 사면에 연속되고 일체화된 게비온 옹벽을 시공할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
본 발명은 절성토 사면의 조성 및 방호벽 또는 유실된 도로의 응급 복구 등 을 위하여, 폐석재를 이용한 석재패널을 이용하여, 게비온 옹벽의 시공성 및 시공 범위를 확대시킨 석재패널을 구비한 게비온 및 이를 이용한 옹벽 시공방법에 관한 것이으로, 본 발명에서는 시공된 게비온 옹벽 전면에 자연 폐석이 구비된 석재패널이 드러나므로, 게비온 옹벽에 있어 비교적 저렴한 비용으로 자연석과 같은 외관이 도출될 수 있는 효과가 있다.
100 : 게비온 200 : 석재패널
210 : 석재 220 : 콘크리트
230 : 결합공 232 : 케이싱
234 : 결합바 240 : 보강망
300 : 곡면형 석재패널 400 : 가변 게비온
410 : 덮개부 측면 부재 420 : 측면부 단부 부재
500 : 조절유닛 510 : 후면봉
512 : 나사산 520 : 조절너트
530 : 후면 와이어 540 : 고정소켓

Claims (18)

  1. 각 면이 금속망으로 형성되고, 내부에 공간이 형성되는 육면체의 게비온과;
    전면에 석재가 배치된 장방형의 콘크리트 블록으로, 상기 게비온 내에 배치되는 석재패널; 그리고
    상기 게비온 내에 적층되는 채움골재를 포함하여 구성되고:
    상기 게비온은,
    바닥을 형성하는 저면부와;
    상기 저면부의 각 변과 연결되어 상기 게비온의 측면을 형성하는 4개의 측면부; 그리고
    상기 측면부에 연결되어 상기 게비온의 상면을 형성하는 덮개부를 포함하여 구성되며:
    상기 석재패널의 측면에는,
    인접된 석재패널과 결합하기 위한 결합공이 형성되고:
    상기 석재패널은,
    (가) 몰드의 바닥에 폐석재 조각을 나열하여 배치하는 단계와;
    (나) 상기 몰드에 시멘트 몰탈을 기 설정된 높이로 타설하는 단계와;
    (다) 상기 몰드 내부에 상기 석재패널의 강도 보강을 위한 보강망을 배치하는 단계와;
    (라) 상기 석재패널에 결합공을 형성하기 위한 케이싱을 개구면이 외측을 향하고, 외측면에 수직하게 배치하는 단계; 그리고
    (마) 상기 몰드 내부에 시멘트 몰탈을 추가 타설하여 양생하는 단계를 수행함에 의해 제작되며:
    상기 게비온은,
    상기 게비온의 배면 측 상하단에 각각 구비되는 수평부재와;
    상기 수평부재의 결합 길이를 조절하는 조절유닛을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평부재는,
    양단 또는 일단에 나사산이 형성되고, 덮개부 측면 후단부와 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면봉으로 구성되고;
    상기 조절유닛은,
    상기 후면봉의 단부 나사산에 체결되는 조절너트임을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평부재는,
    덮개부 양 측면 후단부와 양 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면 와이어로 구성되고:
    상기 조절유닛은,
    상기 후면 와이어의 고정위치를 조절하는 고정소켓으로 구성되고;
    상기 고정소켓은,
    외부 하우징과; 상기 외부하우징 내에 구비되고, 테이퍼 경사의 외주면이 형성되어, 내부에 상기 후면와이어가 관통하는 복수 개의 고정편을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 채움골재는,
    폐콘크리트를 포함하는 건축 폐자재임을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 석재패널은,
    내측에 강도보강을 위한 보강망이 구비됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 결합공은,
    상기 석재패널의 테두리 각 면에 다수 개가 대칭형으로 배치되어 형성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 석재패널의 배면에는,
    배면으로 인접된 석재패널의 측면과 결합하기 위한 결합공이 형성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 결합공은,
    콘크리트 내에 삽입된 내측이 차폐되고 외측이 개구된 원통형의 케이싱에 의해 형성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    인접한 석재패널들은,
    양측 석재패널에 구비되는 각각의 케이싱에 삽입되는 원통형의 결합바에 의해 결합됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 석재패널은,
    배면의 수평폭이 전면의 수평폭보다 좁게 형성되어, 측면이 내측으로 경사진 면으로 형성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 결합공은,
    상기 석재패널의 측면 및 배면에 수직한 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 석재패널이 구비된 게비온 단위체.
  13. (A) 설치 지반 및 사면을 정리하는 단계와;
    (B) 게비온을 상면이 개방되도록 설치하는 단계와;
    (C) 상기 게비온 전면에 미리 제작된 석재패널을 석재 노출면이 외측을 향하도록 배치하는 단계와;
    (D) 상기 게비온 내부에 채움골재를 적층하는 단계와;
    (D) 상기 게비온 개방면을 차폐하여 게비온 단위체를 설치하는 단계와;
    (E) 설치된 게비온 단위체에 접하여 상기 제(B)단계 내지 제(D)단계를 반복 수행하여, 시공사면 전 길이에 대하여 게비온 단위체를 설치하는 단계와;
    (F) 상기 제(E)단계를 시공사면 높이까지 다층으로 게비온 단위체를 설치하여 게비온 옹벽을 완성하는 단계를 포함하여 수행되고:
    상기 게비온은,
    바닥을 형성하는 저면부와;
    상기 저면부의 각 변과 연결되어 상기 게비온의 측면을 형성하는 4개의 측면부; 그리고
    상기 측면부에 연결되어 상기 게비온의 상면을 형성하는 덮개부를 포함하여 구성되며:
    상기 석재패널의 측면에는,
    인접된 석재패널과 결합하기 위한 결합공이 형성되고:
    상기 석재패널은,
    (가) 몰드의 바닥에 폐석재 조각을 나열하여 배치하는 단계와;
    (나) 상기 몰드에 시멘트 몰탈을 기 설정된 높이로 타설하는 단계와;
    (다) 상기 몰드 내부에 상기 석재패널의 강도 보강을 위한 보강망을 배치하는 단계와;
    (라) 상기 석재패널에 결합공을 형성하기 위한 케이싱을 개구면이 외측을 향하고, 외측면에 수직하게 배치하는 단계; 그리고
    (마) 상기 몰드 내부에 시멘트 몰탈을 추가 타설하여 양생하는 단계를 수행함에 의해 제작되며:
    상기 게비온은,
    상기 게비온의 배면 측 상하단에 각각 구비되는 수평부재와;
    상기 수평부재의 결합 길이를 조절하는 조절유닛을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 게비온 단위체 설치 시,
    인접한 게비온 내 석재패널들은, 접면에 형성된 결합공에 삽입되는 결합바에 의해 서로 결합되고:
    상기 결합공은,
    상기 석재패널의 테두리 각 면에 다수 개가 대칭형으로 배치되어 형성되며:
    상기 석재패널의 배면에는,
    배면으로 인접된 석재패널의 측면과 결합하기 위한 결합공이 형성됨을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수평부재는,
    양단 또는 일단에 나사산이 형성되고, 덮개부 측면 후단부와 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면봉으로 구성되고;
    상기 조절유닛은,
    상기 후면봉의 단부 나사산에 체결되는 조절너트임을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 수평부재는,
    덮개부 양 측면 후단부와 양 측면부 후단부를 관통하여 구비되는 후면 와이어로 구성되고:
    상기 조절유닛은,
    상기 후면 와이어의 고정위치를 조절하는 고정소켓으로 구성되고;
    상기 고정소켓은,
    외부 하우징과; 상기 외부하우징 내에 구비되고, 테이퍼 경사의 외주면이 형성되어, 내부에 상기 후면와이어가 관통하는 복수 개의 고정편을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 결합공은,
    콘크리트 내에 삽입된 내측이 차폐되고 외측이 개구된 원통형의 케이싱에 의해 형성됨을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 석재패널은,
    배면의 수평폭이 전면의 수평폭보다 좁게 형성되어, 측면이 내측으로 경사진 면으로 형성됨을 특징으로 하는 게비온 단위체를 이용한 옹벽 시공방법.
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