KR101832152B1 - 광학 센서 패키지 - Google Patents

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KR101832152B1
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Abstract

광학 센서 패키지가 개시된다.본 발명의 광학 센서 패키지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 결합된 발광부, 상기 베이스 기판의 상면에 상기 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부 및 상기 발광부가 수용되는 제1 개구부 및 상기 수광부가 수용되는 제2 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 사이를 차폐하는 차폐벽을 구비하고, 상기 베이스 기판과 결합하는 커버부를 포함하고, 상기 제1 개구부의 내측면의 적어도 일부는 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 45%이상인 반사면으로 형성될 수 있다.

Description

광학 센서 패키지{Optical sensor package}
본 발명은 광학 센서 패키지에 관한 것으로,더욱 상세하게는 발광부가 생성한 광의 적어도 일부를 수광부에서 수광하여 외부 환경을 측정할 수 있는 광학 센서 패키지에 관한 것이다.
최근 스마트폰,태블릿 컴퓨터,웨어러블 디바이스 등 복합적인 기능을 수행하는 전자 장치가 널리 보급되고 있다.이러한 전자 장치에는 외부의 환경을 측정할 수 있는 다양한 센서가 장착되고 있다.이러한 센서 중 하나로 광학 센서가 널리 사용되고 있다.
광학 센서는 발광부 및 수광부를 포함할 수 있다.이러한 광학 센서는 발광부에서 생성한 광의 적어도 일부가 다시 수광부로 조사되어 수광되게 된다. 그리고 수광된 광의 크기 등을 분석하여 외부 환경을 측정하게 된다.이러한 광학 센서는 근접 센서 또는 심박 센서 등으로 사용될 수 있다.대한민국 등록특허공보 제10-1277314호에는 이러한 형태의 근접센서가 개시되어 있다.
그러나 이러한 형태의 광학 센서에 있어서,발광부가 생성한 광 중 일부는 피감지체 방향으로 조사되지 못하고 광학 센서 패키지 내부에서 흡수되게 된다.이러한 경우 수광부가 측정할 수 있는 광의 수광량이 감소하게 되고,측정 정확도가 떨어지게 된다.이를 해결하기 위해서는 발광량이 많은 발광부를 사용해야 하지만 이는 소비 전력의 증가,발열량의 증가 및 제조 원가의 증가라는 문제점을 야기한다.
따라서 상기의 문제점을 최소화하면서 광학 센서의 측정 정확도를 향상시킬 수 있는 광학 센서 패키지에 대한 요구가 증대되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는,광학 센서의 발광부가 생성하는 광이 유효하게 피감지체까지 도달하는 비중을 증가시킬 수 있는 광학 센서 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 광학 센서 패키지의 커버 상면에서 반사되는 광에 따른 측정 정확도 감소를 최대한 억제할 수 있는 광학 센서 패키지를 제공하는 것이다.
상기과제를 해결하기 위한본 발명의 광학 센서 패키지는, 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상면에 결합된 발광부, 상기 베이스 기판의 상면에 상기 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부 및 상기 발광부가 수용되는 제1 개구부 및 상기 수광부가 수용되는 제2 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 사이를 차폐하는 차폐벽을 구비하고, 상기 베이스 기판과 결합하는 커버부를 포함하고, 상기 제1 개구부의 내측면의 적어도 일부는 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 45%이상인 반사면으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 반사면은 금속 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 금속 입자는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 반사면은 흰색 또는 은색 계열로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 커버부의 상면의 적어도 일부는 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 20% 미만인 흡광면으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 반사면의 반사율은 상기 흡광면의 반사율의 3배 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 흡광면은 상기 제2 개구부의 상면 측 주변에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 커버부는 그 표면의 적어도 일부가 상기 반사면이 되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 커버부의 상면의 적어도 일부에 결합되고, 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 20% 미만인 흡광층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 커버부는 그 표면의 적어도 일부가 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 20% 미만이 되도록 형성되고, 상기 반사면은 상기 제1 개구부의 내측면에 결합되는 반사층에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제1 개구부 내부에서 상기 발광부 주변에 형성되는 제1 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제1 몰딩부의 표면은 곡면으로 형성되어 상기 발광부가 생성하는 광을 집광시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제2 개구부 내부에서 상기 수광부 주변에 형성되는 제2 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 제2 몰딩부의 표면은 곡면으로 형성되어 외부에서 조사되는 광을 집광시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,상기 수광부가 생성한 신호를 처리하는 ASIC을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지는 광학 센서의 발광부가 생성하는 광이 유효하게 피감지체까지 도달하는 비중을 증가시킬 수 있다.
또한,본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지는 광학 센서 패키지의 커버 상면에서 반사되는 광에 따른 측정 정확도 감소를 최대한 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에서 발광부 부분의 광 경로도를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에서 수광부 부분의 광 경로도를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부한 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에서 발광부부분의 광 경로도를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에서 수광부 부분의 광 경로도를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 1및 도 2를 참조하면, 본 발명의 광학 센서 패키지는 베이스 기판(100), 발광부(210), 수광부(220), 커버부(400), 제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(320)를 포함한다.
베이스 기판(100)은 평판 형태로 형성된다. 베이스 기판(100)은 상하면이 직사각형 형태인 것으로 형성될 수 있다. 베이스 기판(100)의 상면과 하면에는 각각 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 각각의 전극은 외부로 노출되도록 형성된다. 상면의 전극은 발광부(210)와 수광부(220)가 결합될 수 있다. 경우에 따라 상면의 전극에는 ASIC(230)이 결합 될 수도 있다. 하면의 전극은 신호가 입출력되거나 전원이 공급되는데 사용될 수 있다. 상면과 하면의 전극은 베이스 기판(100) 내부의 비아홀 등을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 베이스 기판(100)은 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board)으로 형성될 수 있다.
발광부(210)와 수광부(220)는 각각 베이스 기판(100)의 상면에 결합된다. 발광부(210)와 수광부(220)는 베이스 기판(100)의 상면 상에서 서로 소정의 거리를 두고 이격된 상태로 결합 될 수 있다.발광부(210)와 수광부(220)는 베이스 기판(100) 상면의 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 경우에 따라서 발광부(210) 또는 수광부(220)는 ASIC(230)에 결합되고, ASIC(230)이 베이스 기판(100)에 결합될 수도 있다.
발광부(210)는 일정한 파장 범위의 광을 생성한다. 발광부(210)는 발광 다이오도(LED) 또는 레이저 다이오드 등이 될 수 있다. 발광부(210)가 발광한 광은 광학 센서 패키지의 상방에 위치하는 피감지체에 반사되어 수광부(220)로 조사될 수 있다.
발광부(210)는 다양한 파장 대역의 광을 발광할 수 있다. 예를 들면, 200nm 내지 400nm의 UV(Ultra Violet) 대역, 450nm 내지 650nm의 가시광선 대역 및 850nm 및 950nm의 적외선 대역 등이 사용될 수 있다. 발광부(210)의 광의 파장은 각각의 용도 및 특성에 따라 선택적으로 사용될 수 있으며, 상기 나열한 예시에 한정되는 것은 아니다.
경우에 따라서, 발광부(210)는 둘 이상이 있을 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 2개의 발광부(210)가 수광부(220)를 사이에 두고 베이스 기판(100)에 배치될 수 있다. 두 개의 발광부(210)는 필요에 따라 서로 동일한 파장 대역의 광을 발광하거나 서로 다른 파장 대역의 광을 발광할 수 있다.
수광부(220)는 피감지체에 반사되어 조사된 발광부(210)의 광을 수광 할 수 있다. 수광부(220)는 수광하는 광의 세기를 전기적인 신호로 변환하여 출력할 수 있다. 수광부(220)는 예를 들어, 포토 다이오드 등이 될 수 있다.
ASIC(230)은 수광부(220)의 출력 신호를 처리하여 다양한 정보를 도출할 수 있다. 예를 들어, ASIC(230)이 정보를 도출하는 것은 광학 센서 패키지의 상방에 물체가 위치하는지 및 어느 정도 가깝게 위치하는지를 센싱하는 근접 센싱 또는 광학 센서 패키지의 상방에 인체의 조직 등이 위치하는 경우 그 내부 혈관의 심박수를 센싱하는 심박 센싱 등이 될 수 있다.그러나 ASIC(230)의 기능은 나열한 것에 한정되는 것은 아니다. ASIC(230)의 목적에 따라 발광부(210)가 생성하는 광의 파장 대역은 변경될 수 있으며, 이에 따라 수광부(220)가 수광하는 파장 대역도 변경될 수 있다.
커버부(400)는 제1 개구부(410) 및 제2 개구부(420)가 형성된 구조물이다. 제1 개구부(410)와 제2 개구부(420)는 커버부(400)의 상면과 하면을 관통하는 관통구로 형성된다. 구체적으로, 제1 개구부(410)에는 발광부(210)가 수용되고, 제2 개구부(420)에는 수광부(220)가 수용된다.
커버부(400)는 제1 개구부(410) 및 제2 개구부(420) 사이를 차폐하는 차폐벽(430)을 구비한다. 차폐벽(430)은 발광부(210)의 광이 통과되지 못하는 차광성인 것이 바람직하다.
또한 커버부(400)는 베이스 기판(100)과 결합한다.구체적으로 커버부(400)는 그 하면이 베이스 기판(100)의 상면과 맞닿아 결합 될 수 있다.커버부(400)의 하면과 베이스 기판(100)의 상면은 밀착되어 결합되어, 제1 개구부(410)와 제2 개구부(420)가 커버부(400)의 하면과 베이스 기판(100)의 상면 사이의 틈새로 연통되는 것이 최소화될 수 있다.
커버부(400)가 베이스 기판(100)과 결합하면, 베이스 기판(100)의 발광부(210)가 결합된 부분 및 그 주변의 상면과 제1 개구부(410)의 내측면으로 둘러싸여 형성되는 내부 공간이 형성된다. 이 내부 공간은 상방으로는 개방되어 있다. 이 내부 공간에 발광부(210)가 수용된다. 또한, 베이스 기판(100)의 수광부(220)가 결합된 부분 및 그 주변의 상면과 제2 개구부(420)의 내측면으로 둘러싸여 형성되는 내부 공간이 형성된다. 이 내부 공간은 상방으로는 개방되어 있다.이 내부 공간에 수광부(220)가 수용된다.
커버부(400)는 그 표면의 일부가 반사면(411)으로 형성될 수 있다.여기서,반사면(411)은 발광부(210)가 생성하는 광에 대한 반사율이 일정 정도 이상인 것을 의미한다.구체적으로,반사면(411)은 발광부(210)가 생성하는 광에 대한 반사율이 45% 이상인 것일 수 있다.구체적으로,반사면(411)은 커버부(400)의 제1 개구부(410)의 내측면의 적어도 일부에 형성될 수 있다.
커버부(400)는 그 표면의 일부가 반사면(411)으로 형성되기 위해서, 커버부(400)는 반사율이 높은 금속 입자를 포함할 수 있다.예를 들어, 커버부(400)는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등의 반사율이 높은 입자를 포함하는 재질로 형성되어 그 표면의 반사율이 일정 수준 이상이 될 수 있다.경우에 따라서 커버부(400) 중 적어도 반사면(411)으로 형성된 부분은 그 표면이 매끄럽게 가공되어 반사율이 더욱 높게 형성될 수 있다.
또한, 커버부(400)는 경우에 따라서 흰색 또는 은색 계열의 플라스틱 사출물로 형성될 수도 있다.이러한 커버부(400)의 표면의 적어도 일부가 반사면(411)이 될 수 있다.또한,경우에 따라서 커버부(400) 중 적어도 반사면(411)으로 형성된 부분은 그 표면이 매끄럽게 가공되어 반사율이 더욱 높게 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 발광부(210)가 생성하는 광이 진행하는 경로에 대해서 설명하도록 한다. 제1 개구부(410) 내부에 수용된 발광부(210)가 생성하는 광 중 일부의 광(R1)은 제1 개구부(410) 외부로 바로 진행하지만,다른 일부의 광(R2)은 반사면(411)에 조사될 수 있다.이후 상기 다른 일부의 광(R2) 중 일부(R2)는 반사되어 제1 개구부(410) 외부로 진행될 수 있다.그리고 그 중 일부는 피감지체에 반사되어 수광부(220)로 조사될 수 있다.따라서 제1 개구부(410) 내측면 중 적어도 일부가 반사면(411)으로 형성되는 것에 의해, 발광부(210)가 생성하는 광 중 피감지체까지 도달하는 광의 비중을 증가시킬 수 있다. 이는 수광부(220)에 조사되는 발광부(210)의 광의 양을 증가시키게 된다.따라서 결과적으로 이는 광학 센서 패키지의 측정 정확도를 향상시킬 수 있다.
다시 도 1 내지 도 2를 참조하면, 커버부(400)는 상면 중 적어도 일부가 흡광면(500)으로 형성될 수 있다. 여기서, 흡광면(500)은 발광부(210)가 생성하는 광에 대한 반사율이 일정 정도 미만인 것을 의미한다.구체적으로,흡광면(500)은 발광부(210)가 생성하는 광에 대한 반사율이 20% 미만인 것일 수 있다.또한,반사면(411)의 반사율은 흡광면(500)의 반사율의 3배 이상이 되도록 형성될 수 있다.구체적으로,흡광면(500)은 커버부(400)의 제2 개구부(420)의 상면 측 주변에 형성될 수 있다.
커버부(400)는 상면 중 적어도 일부가 흡광면(500)으로 형성되기 위해서,커버부(400)의 상면 중 적어도 일부에 흡광층(500)이 결합될 수 있다.흡광층(500)은 그 표면의 적어도 일부가 반사면(411)인 커버부(400)와 다른 재질로 형성되는 것일 수 있다.예를 들어,흡광층(500)은 흑색 계열의 플라스틱 수지재 등으로 형성될 수 있다.흡광층(500)은 커버부(400)의 상면 중 적어도 일부에 코팅되거나 부착되어 결합될 수 있다.
구체적으로, 커버부(400)의 상면에는 흡광층(500)이 내부에 결합될 수 있는 홈부가 형성될 수 있다. 홈부는 커버부(400)의 제1 개구부(410)와 제2 개구부(420) 사이의 상면에 형성될 수 있다. 홈부에는 흡광층(500)이 결합되어,상면이 외부로 노출될 수 있다.
도 4를 참조하여, 수광부(220) 측으로 조사되는 광이 진행하는 경로에 대해서 설명하도록 한다.발광부(210)가 생성하여 피감지체에 반사된 광 중 일부의 광(R3)은 제2 개구부(420) 내부로 입사되어 수광부(220)에 조사되나,다른 일부의 광(R4)은 커버부(400)의 상면에 조사되게 된다.흡광면(500)이 없는 경우라면 이러한 광(R4) 중 일부는 커버부(400)의 상면에서 반사되고,그 중 일부는피감지체 또는 커버 윈도우 등 광학 센서 패키지 상부의 다른 구조물에서 다시 반사되어 수광부(220)에 조사될 수 있다.이러한 광은 광학 센서 패키지의 측정 정확도를 감소시킬 수 있다.따라서 커버부(400)의 상면 중 일부에 흡광면(500)이 결합되면,커버부(400)의 상면에 조사된 광(R4) 중 상당 부분이 흡광면(500)에서 흡수될 수 있다.따라서 커버부(400)의 상면에서 반사되어 측정 정확도를 감소시키는 것을 방지할 수 있다.
제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(320)는 각각 제1 개구부(410) 및 제2 개구부(420) 내부에서 발광부(210) 및 수광부(220)의 주변에 형성된다.제1 몰딩부(310)의 표면은 곡면으로 형성되어 발광부(210)가 생성하는 광을 굴절시켜 집광시킬 수 있다.또한,제2 몰딩부(320)의 표면도 곡면으로 형성되어 외부에서 조사되어 수광부(220)에 수광될 광을 집광시킬 수 있다.제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(320)는 발광부(210)가 생성하는 광에 대한 투광성이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 제1 몰딩부(310)와 제2 몰딩부(320)는 예를 들어,실리콘 또는 에폭시 계열의 수지재로 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에 대해 설명한다.
본 실시예는 도 1 내지 도 4를 참조하여 상술한 실시예와 흡광면 부분만 다르고 나머지 부분은 대부분 동일하다.따라서 설명의 편의성을 위해 본 실시예는 상술한 것과 다른 점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 사시도이다.도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 흡광면(510)은 커버부(401)의 상면에 부착되는 박막 형태의 구조물인 흡광층(510)일 수 있다. 흡광층(510)은 예를 들어, 차광성 또는 흡광성의 필름일 수 있다. 흡광층(510)은 경우에 따라 제2 개구부(420)의 상측 주변에만 부착될 수동 있고, 커버부(400)의 상면 전부에 부착될 수 도 있다.
이하, 첨부한 도 7을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지에 대해 설명한다.
본 실시예는 도 1 내지 도 4를 참조하여 상술한 실시예와 커버부만 다르고 나머지 부분은 대부분 동일하다.따라서 설명의 편의성을 위해 본 실시예는 상술한 것과 다른 점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광학 센서 패키지의 단면도이다.
도 7을 참조하면,커버부(402)는 그 표면의 일부가 흡광면으로 형성될 수 있다.커버부(402)는 그 표면의 일부가 흡광면으로 형성되기 위해서,커버부(400)는 흑색 계열의 플라스틱 수지재로 형성될 수 있다.또한,반사율을 더 낮추기 위해서 경우에 따라서 흡광면으로 형성되는 부분은 그 표면이 거칠게 가공될 수도 있다.이러한 경우 커버부(400)에는 별도의 흡광층이 결합될 필요가 없다.따라서 커버부(400)의 상면에는 별도의 흡광층이 결합되지 않고, 커버부(400)의 표면 자체가 흡광면으로 기능할 수 있다.
반면에,커버부(400)의 제1 개구부(410) 내부면에 별도의 반사층(412)이 결합될 수 있다.여기서,반사층(412)은 반사율이 높은 금속 입자를 포함할 수 있다.예를 들어,반사층(412)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등의 반사율이 높은 입자를 포함하는 재질로 형성되어 그 표면의 반사율이 일정 수준 이상이 될 수 있다.경우에 따라서 반사층(412)은 그 표면이 매끄럽게 가공되어 반사율이 더욱 높게 형성될 수 있다.반사층(412)은 커버부(400)의 제1 개구부(410) 내부면 중 적어도 일부에 코팅되거나 부착되어 결합될 수 있다.
이상, 본 발명의 광학 센서 패키지의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 베이스 기판 210: 발광부
220: 수광부 230: ASIC
310: 제1 몰딩부 320: 제2 몰딩부
400: 커버부 410: 제1 개구부
411: 반사면 420: 제2 개구부
500: 흡광면

Claims (15)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상면에 결합된 발광부;
    상기 베이스 기판의 상면에 상기 발광부와 소정의 거리로 이격되어 결합된 수광부;
    상기 발광부가 수용되는 제1 개구부 및 상기 수광부가 수용되는 제2 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 사이를 차폐하는 차폐벽을 구비하고, 상기 베이스 기판과 결합하는 커버부;
    상기 제1 개구부의 내측면의 적어도 일부에 도포된 금속 입자를 포함하는 코팅층으로 형성되어 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 45%이상인 반사면; 및
    상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 사이의 상기 커버부의 외측 상면에 형성되고, 상기 발광부가 생성하는 광에 대한 반사율이 20% 미만인 흡광면을 포함하는 광학 센서 패키지.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 입자는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 입자를 포함하는 광학 센서 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 반사면은 흰색 또는 은색 계열로 형성되는 광학 센서 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 흡광면은 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 사이의 상기 커버부의 외측 상면에 형성된 홈부 및 상기 홈부에 삽입되고 흑색으로 형성되는 흡광층을 포함하는 광학 센서 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 반사면의 반사율은 상기 흡광면의 반사율의 3배 이상인 광학 센서 패키지.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 개구부 내부에서 상기 발광부를 둘러싸는 제1 몰딩부를 더 포함하는 광학 센서 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부의 표면은 볼록한 곡면으로 형성되어 상기 발광부가 생성하는 광을 집광시키는 광학 센서 패키지.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 개구부 내부에서 상기 수광부를 둘러싸는 제2 몰딩부를 더 포함하는 광학 센서 패키지.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부의 표면은 볼록한 곡면으로 형성되어 외부에서 조사되는 광을 집광시키는 광학 센서 패키지.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 수광부가 생성한 신호를 처리하는 ASIC을 더 포함하는 광학 센서 패키지.

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