KR101815704B1 - Gate selection circuit of liquid crystal panel, accumulating capacity driving circuit, driving device, and driving method - Google Patents

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Abstract

액티브 매트릭스형의 액정 패널의 게이트 선택회로에 있어서, 회로 규모를 감소시킨다.
클록 발생 회로(110)에 의해 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)가 발생되고, 복수개의 래치 회로LA1(LA11∼LA1n)에 의해 시프트레지스터가 구성되며, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 동기해서 보유된 정보가 시프트 된다.
그리고, 스위치 회로SW1(SW11∼SW1m)에서는 래치 회로LA1(LA11∼LA1n) 각각의 출력신호에 따라 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4) 각각을 게이트 선택 신호로서 순차 출력시킨다.
In the gate selection circuit of the active matrix type liquid crystal panel, the circuit scale is reduced.
A plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 are generated by the clock generating circuit 110, a shift register is constituted by a plurality of latch circuits LA1 (LA11 to LA1n), an enable clock signal 1, the enable 2) are shifted.
The switch circuits SW1 (SW11 to SW1m) sequentially output the plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 as gate selection signals in accordance with the output signals of the latch circuits LA1 (LA11 to LA1n).

Figure R1020110014695
Figure R1020110014695

Description

액정 패널의 게이트 선택회로, 축적 용량 구동 회로, 구동장치, 및 구동 방법{GATE SELECTION CIRCUIT OF LIQUID CRYSTAL PANEL, ACCUMULATING CAPACITY DRIVING CIRCUIT, DRIVING DEVICE, AND DRIVING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a gate selection circuit, a storage capacitor driving circuit, a driving device, and a driving method for a liquid crystal panel,

액티브 매트릭스형의 액정 패널의 게이트 선택회로, 축적 용량구동 회로, 구동장치, 및 구동 방법에 관한 것이다. A storage capacitor driving circuit, a driving device, and a driving method of an active matrix type liquid crystal panel.

종래의 게이트 선택회로 201는, 도 1 6에 도시한 바와 같이, 복수개의 래치 회로(LA1ㅄ)로 이루어지는 시프트레지스터 회로로 구성되어 있고, 클록 신호(Clock 1, Clock2)는 상기 래치 회로(LA1ㅄ)의 클록으로서 이용될 수 있다. As shown in FIG. 16, the conventional gate selection circuit 201 is constituted by a shift register circuit composed of a plurality of latch circuits (LA1,...), And the clock signals (Clock1, Clock2) As shown in FIG.

또, 게이트 선택 신호(Gate<1>∼Gate<m>)은 복수의 래치 회로(LA1`) 각각의 출력(Q1∼Qm)으로부터 생성된다. The gate selection signals (Gate <1> to Gate <m>) are generated from the outputs (Q1 to Qm) of each of the plurality of latch circuits LA1 '.

한편, 래치 회로(LA1ㅄ)은, 도 20(A)에 도시한 바와 같이, 2개의 클록 인버터(클록 인버터) 회로(CINVa, CINVb)와, 1개의 인버터(인버터) 회로(INVa)로 구성된다. On the other hand, the latch circuit LA1 is constituted by two clock inverter circuits (CINVa and CINVb) and one inverter (inverter) circuit INVa as shown in Fig. 20 (A) .

이와 같이, 게이트 선택회로(201)에서는, 한 개의 게이트 선택회로 출력(게이트 선택 신호(Gate<1>∼Gate<m> 중 하나의 출력신호)당, 각 1개의 래치 회로(LA1ㅄ)가 필요하다. 또한, 상기 래치 회로(LA1ㅄ)을 동작시키기 위한 제어신호가 필요하게 된다. In this way, in the gate selection circuit 201, one latch circuit (LA1) is required for one gate selection circuit output (one output signal of the gate selection signals (Gate <1> to Gate <m> In addition, a control signal for operating the latch circuit LA1 is required.

한편, 도 20(A)에 도시된 래치 회로는, 통상 래치 회로라고 불리고, 도 20(B)에 도시된 2개의 인버터 회로(INVc, INVd)로 구성된 래치 회로는 버스형 래치 회로라고 불린다. On the other hand, the latch circuit shown in Fig. 20A is called a latch circuit in general, and the latch circuit composed of the two inverter circuits INVc and INVd shown in Fig. 20B is called a bus type latch circuit.

그 다음에, 종래의 축적 용량구동 회로(202)는, 도 1 7에 도시한 바와 같이, 게이트 선택회로(201)와 마찬가지로, 복수개의 래치 회로(LA1ㅄ)(도 20(A)을 참조)로 구성된 시프트레지스터 회로로 구성되어 있고, 클록 신호(Clock 1,Clock2)는 통상 래치 회로(LA1ㅄ)의 클록 신호로서 이용할 수 있다. 또, 축적 용량구동 신호(C<1>∼C<m>)은 상기 래치 회로 출력으로부터 생성된다. Then, the conventional storage capacitor driving circuit 202 includes a plurality of latch circuits LA1 (see FIG. 20 (A)) as in the gate selection circuit 201, as shown in FIG. And the clock signals (Clock 1, Clock 2) can be used as the clock signal of the normal latch circuit (LA1). The storage capacitor driving signals C <1> to C <m> are generated from the latch circuit output.

이와 같이, 축적 용량구동 회로(202)에서는, 게이트 선택회로(201)와 마찬가지로, 하나의 축적 용량구동 회로 출력(축적 용량구동 신호(C<1>∼C<m> 중 하나의 출력신호)당, 각 1개의 래치 회로(LA1ㅄ)가 필요하다. 또 상기 래치 회로(LA1ㅄ)을 동작시키기 위한 제어신호가 필요하게 된다. In this manner, in the storage capacitor driving circuit 202, as in the case of the gate selection circuit 201, one storage capacitor driving circuit output (one output signal among the storage capacitor driving signals C <1> to C <m>) , Each one latch circuit (LA1) is required, and a control signal for operating the latch circuit (LA1) is required.

그 다음에, 이와 같은 종래 기술을 이용한 게이트 선택회로(201)및 축적 용량구동 회로(202)에 의해 액정 패널을 구동하는 구동장치의 전체구성의 예는 도 18에 도시되어 있다. 또한, 구동 파형의 예는 도 19에 도시되어 있다. 18 shows an example of the overall configuration of the driving apparatus for driving the liquid crystal panel by the gate selection circuit 201 and the storage capacitance driving circuit 202 using such a conventional technique. An example of the drive waveform is shown in Fig.

도 18에 도시된 구동장치에 있어서, 액정 패널(1)은, 수평 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 복수의 게이트 라인(GL)과, 동일하게 수평 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 축적 용량 라인(CL)과, 수직 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 소스 라인(SL)을 포함하고 있다. 18, the liquid crystal panel 1 includes a plurality of gate lines GL formed by arranging a plurality of electrodes in a horizontal direction and a plurality of gate electrodes GL formed by arranging a plurality of electrodes in the same horizontal direction A storage capacitor line CL and a source line SL formed by arranging a plurality of electrodes in the vertical direction.

그리고, 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 소스 라인(SL)의 각 교점에는 TFT(박막 트랜지스터) 스위치, 액정용량(LC), 및 축적 용량(CS)으로 이루어지는 화소가 형성되어 있다. Pixels made up of a TFT (thin film transistor) switch, a liquid crystal capacitor LC and a storage capacitor CS are formed at each intersection of the gate line GL and the source line SL.

또, 액정 패널(1)에는, 상기 복수개의 게이트 라인(GL)을 구동 하기 위한 게이트 선택회로(201), 상기 복수개의 축적 용량 라인을 구동 하기 위한 축적 용량구동 회로 (202), 상기 복수개의 소스 전극을 구동 하기 위한 소스 구동 회로(203)이 접속되어 있다. The liquid crystal panel 1 is further provided with a gate selection circuit 201 for driving the plurality of gate lines GL, a storage capacitor drive circuit 202 for driving the plurality of storage capacitor lines, And a source driving circuit 203 for driving the electrodes are connected.

상기 게이트 선택회로(201)은 1 주사 기간에 있어서, 게이트 라인(GL)에 접속되어 있는 화소TFT(박막 트랜지스터)를 순차 선택 하는 동시에, 소스 구동 회로(203)로부터 원하는 데이터 전압을 액정용량(LC)에 기입한다. The gate selection circuit 201 sequentially selects pixel TFTs (thin film transistors) connected to the gate line GL in one scanning period and simultaneously supplies a desired data voltage from the source driving circuit 203 to the liquid crystal capacitance LC ).

또 데이터 전압을 기입한 후에, 축적 용량구동 회로(202)로부터 소정의 전압을 중첩함으로써, 액정용량(LC)에 기입된 데이터는 실제의 액정의 광학특성에 적합한 전압 으로 변환되고, 다음 프레임까지 보유된다. Further, after the data voltage is written, the data written in the liquid crystal capacitor LC is converted into a voltage suitable for the optical characteristics of the actual liquid crystal by superimposing the predetermined voltage from the storage capacitor driving circuit 202, do.

한편, 선행기술 문헌 일본 특허 공개 2009-223051호 공보에는 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법이 개시되어 있다. On the other hand, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-223051 discloses a display apparatus and a method of driving the display apparatus.

이 표시 장치에서는, 시프트레지스터 회로의 고밀도배치를 완화할 수 있는 표시 장치를 실현하는 것을 목적으로 하고 있다. 이를 위해, 패널의 양측에 게이트 회로를 배치 함으로써, 회로의 밀도를 저감시킨다. This display device is intended to realize a display device capable of relieving the high-density arrangement of the shift register circuits. To this end, the density of the circuit is reduced by disposing gate circuits on both sides of the panel.

게이트 회로를 구성하는 SR(시프트레지스터 회로)들 중 패널의 일단측의 SR의 출력은 패널 표시 영역의 주사 전극으로 전달되고, 일단측 SR의 입력으로서 사용함으로써, 패널 양측에 배치한 SR을 하나의 SR로서 동작시킨다. The output of the SR at one end of the panel among the SRs (shift register circuits) constituting the gate circuit is transferred to the scan electrodes of the panel display area and used as the input at the one end SR, SR.

전술한 바와 같이, 종래 구성의 게이트 회로 에서는, 하나의 게이트 선택회로 출력당 각 1개의 래치 회로가 필요하다. As described above, in the conventional gate circuit, one latch circuit is required for each output of one gate selection circuit.

또 종래 구성의 축적 용량구동 회로에 있어서도, 하나의 축적 용량구동 회로 출력당, 각 1개의 래치 회로가 필요하다. 이 외에, 래치 회로를 구동 하기 위한 제어신호도 필요하므로, 패널에 적용될 경우, 전체적인회로수의 증가는 피할 수 없다. 결과적으로, 패널 면적의 증대가 우려된다. Also in the conventional storage capacitor driving circuit, one latch circuit is required for each output of one storage capacitor driving circuit. In addition, since a control signal for driving the latch circuit is also required, an increase in the total number of circuits can not be avoided when applied to a panel. As a result, an increase in panel area is a concern.

패널 면적의 감소에 대한 요구를 충족시키기 위해, 종래와 같은 기능을 유지하면서, 전체적인 회로수를 감소시킬 수 있는 수단이 필요하다. In order to meet the demand for reduction of the panel area, there is a need for a means capable of reducing the overall number of circuits while maintaining the functions as in the past.

본 발명은, 이러한 실상에 감안해 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 액티브 매트릭스형의 액정 패널의 게이트 선택회로에 있어서, 회로 규모를 감소시키는 것에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to reduce a circuit scale in a gate selection circuit of an active matrix type liquid crystal panel.

또, 나아가서는, 축적 용량구동 회로 규모를 감소시키고, 전체적인 회로 면적을 감소시킬 수 있는, 액정 패널의 구동장치를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a driving apparatus for a liquid crystal panel capable of reducing the size of the storage capacitor driving circuit and reducing the overall circuit area.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 수평 방향으로 배치된 복수개의 게이트 라인 및 복수개의 축적 용량구동 라인과, 수직 방향으로 배치된 복수개의 소스 라인이 교차하는 개소에, 박막 트랜지스터 스위치, 액정용량, 축적 용량을 구비하는 화소를 매트릭스 형에 배설해서 형성되는 액티브 매트릭스형의 액정 패널을 구동하는 게이트 선택회로 로서, 상기액정패널에 표시하는 화상신호에 동기하는 소정의 수평동기신호를 분주해서 생성되는 인에이블 클록 신호와, 소정의 수직동기 클록 신호 및 상기 인에이블 클록 신호로부터 생성되어, 서로 다른 위상을 소유하는 복수개의 클록 신호를 발생시키는 클록 발생 회로와, 직렬로 접속해서 시프트레지스터를 형성하고, 상기 인에이블 클록 신호에 동기해서 보유하는 정보를 시프트되게 하는 복수개의 제1 래치 회로와, 상기 게이트 라인에 대응해서 설치되고, 각각의 상기게이트 라인에 상기 클록 신호를 상기 화소에의 게이트 선택 신호로서 공급할 때, 상기 제1 래치 회로로 출력되는 출력신호에 따라서 상기 게이트 선택 신호를 순차 출력시키는 제1 스위치 회로와,를 구비하는 것을 특징으로 하는 게이트 선택회로다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a plurality of gate lines and a plurality of storage capacitor driving lines arranged in a horizontal direction and a plurality of source lines arranged in a vertical direction, A gate selection circuit for driving an active matrix type liquid crystal panel formed by arranging pixels having storage capacitances in a matrix form, the gate selection circuit comprising: a plurality of gate selection circuits for generating a predetermined horizontal synchronization signal synchronized with an image signal to be displayed on the liquid crystal panel A clock generating circuit which generates an enable clock signal, a predetermined vertical synchronizing clock signal, and a plurality of clock signals generated from the enable clock signal and possesses different phases, a shift register which is connected in series to form a shift register, A plurality of synchronizing clocks for synchronizing with the enable clock signal, And a second latch circuit which is provided in correspondence with the gate line and supplies the clock signal to each of the gate lines as a gate selection signal to the pixel, And a first switch circuit for sequentially outputting a selection signal.

이 구성에 의해, 클록 발생 회로에 의해 복수개의 클록 신호를 발생시킨다. With this configuration, a plurality of clock signals are generated by the clock generation circuit.

또, 복수개의 래치 회로에 의해 시프트레지스터를 구성하고, 인에이블 클록 신호에 동기해서 보유하는 정보를 시프트되게 한다. A shift register is constituted by a plurality of latch circuits, and information held in synchronization with the enable clock signal is shifted.

그리고, 스위치 회로에서는 래치 회로의 출력신호를 따르고, 복수개의 클록 신호의 각각을, 게이트 선택 신호로서 순차 출력시킨다. The switch circuit follows the output signal of the latch circuit and sequentially outputs each of the plurality of clock signals as a gate selection signal.

이에 따라, 게이트 선택회로 전체의 회로 규모를 삭감하고, 회로 면적을 삭감 할 수 있다. Thus, the circuit scale of the gate selection circuit as a whole can be reduced, and the circuit area can be reduced.

본 발명의 게이트 선택회로는, 클록 발생 회로에 의해 생성된 복수개의 클록 신호가, 래치 회로로의 출력신호에 따라, 스위치 회로로 게이트 선택 신호로서 순차 출력되도록 했으므로, 이에 따라, 회로 규모를 삭감한 게이트 선택회로를 제공할 수 있는 효과가 있다. The gate selection circuit of the present invention is configured such that a plurality of clock signals generated by the clock generation circuit are sequentially output as a gate selection signal to the switch circuit in accordance with the output signal to the latch circuit, There is an effect that a gate selection circuit can be provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 게이트 선택회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 축적 용량구동 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 게이트 선택회로의 동작을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 축적 용량구동 회로의 동작을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 관계되는 액정 패널의 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로의 동작을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 관계되는 액정 패널의 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 클록 신호 변환 회로의 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로의 동작을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 관계되는 액정 패널의 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예의 동작을 나타내는 타이밍 차트다.
도 13은 게이트 선택회로의 제어신호를 발생하기 위한 클록 발생 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 14는 도 1 3에 도시된 클록 발생 회로의 동작 파형을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 액정 패널의 구동장치를 이용한 액정 디스플레이스 장치의 구성 예를 나타내는 도면이다.
도 16은 종래의 게이트 선택회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 17은 종래의 축적 용량구동 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 18은 종래의 기술을 이용한 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로로 이루어지는 액정 패널의 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 19는 도 1 7에 도시된 구동장치에 있어서의 구동 파형의 예를 나타내는 도면이다.
도 20은 래치 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
1 is a diagram showing a configuration of a gate selection circuit according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the configuration of the storage capacitor driving circuit according to the first embodiment.
3 is a diagram showing the relationship between the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the present invention.
4 is a diagram showing the operation of the gate selection circuit according to the first embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing the operation of the storage capacitor driving circuit according to the first embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing a configuration of a driving apparatus for a liquid crystal panel according to a second embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing the operation of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit according to the second embodiment of the present invention.
8 is a diagram showing a configuration of a driving apparatus for a liquid crystal panel according to a third embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing an example of a clock signal conversion circuit.
10 is a diagram showing the operation of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit according to the third embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing a configuration of a driving apparatus for a liquid crystal panel according to a fourth embodiment of the present invention.
12 is a timing chart showing the operation of the fourth embodiment of the present invention.
13 is a diagram showing a configuration of a clock generation circuit for generating a control signal of the gate selection circuit.
14 is a diagram showing an operation waveform of the clock generation circuit shown in FIG.
15 is a diagram showing a configuration example of a liquid crystal display apparatus using the liquid crystal panel driving apparatus of the present invention.
16 is a diagram showing a configuration of a conventional gate selection circuit.
17 is a diagram showing a configuration of a conventional storage capacitor driving circuit.
18 is a diagram showing a configuration of a driving apparatus for a liquid crystal panel including a gate selection circuit and a storage capacitor driving circuit using a conventional technique.
Fig. 19 is a diagram showing an example of a driving waveform in the driving apparatus shown in Fig.
20 is a diagram showing a configuration of a latch circuit.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, parts not related to the description are omitted. Like numbers refer to like parts throughout the specification.

[제1 실시예]  [First Embodiment]

(게이트 선택회로) (Gate selection circuit)

도 1은 본 발명의 제1 실시예에따른 게이트 선택회로의 구성을 나타낸다. Fig. 1 shows a configuration of a gate selection circuit according to the first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 게이트 선택회로(11)는, 복수개의 래치 회로(LA11∼LA1m)가 직렬로 접속되어서 형성되는 래치 회로LA1, 4상 클록 신호로부터 원하는 게이트 신호를 선택 하기 위한 스위치 회로SW1, 및 각 게이트 선택 신호(게이트 출력)을 출력 하기 위한 버퍼 회로BA1로 구성된다. The gate selection circuit 11 shown in Fig. 1 includes a latch circuit LA1 formed by serially connecting a plurality of latch circuits LA11 to LA1m, a switch circuit SW1 for selecting a desired gate signal from a four-phase clock signal, And a buffer circuit BA1 for outputting each gate selection signal (gate output).

또, 게이트 선택회로(11)에 공급되는 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), 데이터 신호(Gdata)는신호 제어 회로부(101)로부터 공급된다. The enable clock signals (enable 1 and enable 2), the clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 and the data signal Gdata supplied to the gate selection circuit 11 are supplied from the signal control circuit portion 101 .

한편, 신호 제어 회로부(101)에 대해서는 도 15를 참조하여 후술 한다. On the other hand, the signal control circuit portion 101 will be described later with reference to Fig.

도 1 에 도시된 바와 같이, 래치 회로LA1는, 복수개의 래치 회로(LA11∼LA1n)이 직렬로 접속되어 구성되고, 초단의 래치 회로(LA11)에 입력되는 데이터 신호(Gdata)가, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 의해, 차례로 시프트되어져서, 복수의 출력신호(Q1, Q2, Q3, …,Qn)로서 출력된다. 1, the latch circuit LA1 includes a plurality of latch circuits LA11 to LA1n connected in series, and the data signal Gdata input to the latch circuit LA11 at the first stage is connected to the enable clock Q2, Q3, ..., Qn, which are sequentially shifted by a signal (enable 1, enable 2).

한편, 복수의 출력신호(Q1, Q2, Q3, …,Qn) 가운데 스위치 회로SW1에 출력되는 것은, 홀수 번째의 출력신호들(Q1, Q3, Q5,…)이다. On the other hand, among the plurality of output signals Q1, Q2, Q3, ..., Qn, odd-numbered output signals Q1, Q3, Q5, ... are output to the switch circuit SW1.

이것은, 복수개의 래치 회로(LA11∼LA1n) 각각은 하프 래치 회로이며, 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 대하여 타이밍을 맞추기 때문에, 4상 클록 신호에 대하여 2개의 래치 회로가 필요하게 된다. 또, 복수개의래치 회로(LA11∼LA1n) 각각은, 도 20(A)에 도시된 통상 래치 회로다. This is because each of the plurality of latch circuits LA11 to LA1n is a half latch circuit and two latch circuits are required for the four-phase clock signal since the four latch circuits Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 are timed with respect to the four- . Each of the plurality of latch circuits LA11 to LA1n is a normal latch circuit shown in Fig. 20 (A).

또, 스위치 회로SW1안의 각 스위치 회로(SW11∼SW1m)는, MOS트랜지스터로 구성되고, 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4) 각각에 대응한다. 4개의 스위치 회로들이 1개의 단위로 구분되어 스위치 회로SW1를 구성하고 있다. Each of the switch circuits SW11 to SW1m in the switch circuit SW1 is constituted by a MOS transistor and corresponds to each of the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4. The four switch circuits are divided into one unit to constitute the switch circuit SW1.

예를 들면, 스위치 회로(SW11∼SW14)들이 1개의 단위이고, 스위치 회로(SW11∼SW14)의 게이트가 공통 접속되고, 이 공통 접속된 게이트에 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1)이 입력된다. For example, the switch circuits SW11 to SW14 are one unit, the gates of the switch circuits SW11 to SW14 are connected in common, and the output signal Q1 of the latch circuit LA11 is input to the commonly connected gates do.

그리고, 스위치 회로(SW11)의 드레인에 클록 신호(Ck1)이 입력되고, 소스로 출력되는 신호가 버퍼 회로(BA11)의 입력이 되고, 게이트 선택 신호(Gate<1>)로서 출력된다. The clock signal Ck1 is input to the drain of the switch circuit SW11 and the signal output to the source becomes the input of the buffer circuit BA11 and is output as the gate selection signal Gate <1>.

또, 스위치 회로(SW12)의 드레인에 클록 신호(Ck2)가 입력되고, 소스로 출력되는 신호가 버퍼 회로(BA12)의 입력이 되고, 게이트 선택 신호(Gate<2>)로서 출력된다. The clock signal Ck2 is input to the drain of the switch circuit SW12 and the signal output to the source becomes the input of the buffer circuit BA12 and is output as the gate selection signal Gate <2>.

또, 스위치 회로(SW13)의 드레인에 클록 신호(Ck3)가 입력되고, 소스로 출력되는 신호가 버퍼 회로(BA13)의 입력이 되고, 게이트 선택 신호(Gate<3>)로서 출력된다. The clock signal Ck3 is input to the drain of the switch circuit SW13 and the signal output to the source becomes the input of the buffer circuit BA13 and is output as the gate selection signal Gate <3>.

또, 스위치 회로(SW14)의 드레인에 클록 신호(Ck4)가 입력되고, 소스로 출력되는 신호가 버퍼 회로(BA14)의 입력이 되고, 게이트 선택 신호(Gate<4>)로서 출력된다. The clock signal Ck4 is input to the drain of the switch circuit SW14 and the signal output to the source becomes the input of the buffer circuit BA14 and is output as the gate selection signal Gate <4>.

동일한 방식으로, 스위치 회로(SW15∼SW18)이 1개의 단위이고, 스위치 회로(SW15∼SW18)의 게이트가 공통 접속되고, 이 공통 접속된 게이트에 래치 회로(LA13)의 출력신호(Q3)이 입력된다. In the same manner, the switch circuits SW15 to SW18 are one unit, the gates of the switch circuits SW15 to SW18 are connected in common, and the output signal Q3 of the latch circuit LA13 is input to the commonly connected gates do.

그리고, 스위치 회로(SW15)의 드레인에 클록 신호(Ck1)가 입력되고, 소스로 출력되는 신호가 버퍼 회로(BA15)의 입력이 되고, 게이트 선택 신호(Gate<5>)로서 출력된다. 이하, 위의 설명과 동일하다. The clock signal Ck1 is input to the drain of the switch circuit SW15 and the signal output to the source becomes the input of the buffer circuit BA15 and is output as the gate selection signal Gate <5>. Hereinafter, it is the same as the above description.

이와 같이 하여, 각 버퍼 회로(BA11∼BA1m)의 출력은 각각 상기 게이트 라인 출력 단자(Gate<1>, Gate<2>, Gate<3>, Gate<4> ,… Gate<m>)에 접속되어 있고, 상기 액정 패널의 게이트 라인이 m 개인 경우, 필요한 게이트 출력도 m 개가 된다. The outputs of the buffer circuits BA11 to BA1m are connected to the gate line output terminals Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>, ... Gate <m> When the gate line of the liquid crystal panel is m, the required gate output is also m.

그 다음에, 도 1에 도시된 게이트 선택회로(11)의 제어신호를 발생 하기 위한 클록 발생 회로의 구성과 그 동작은 도 13및 도 14에 도시되어 있다. Next, the configuration and operation of the clock generation circuit for generating the control signal of the gate selection circuit 11 shown in FIG. 1 are shown in FIG. 13 and FIG.

클록 발생 회로는, 도 1에 도시된 게이트 선택회로의 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 발생하는 회로이며, 도 13 (A)에 나타내는 분주 회로 (111), 도 13(B)에 나타내는 인에이블 클록 신호생성 회로(112) 및 도 13(C)에 나타내는 4상 클록 생성 회로(113)를 포함한다. The clock generating circuit generates the enable clock signals (enable 1, enable 2) and the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck4 of the gate selecting circuit shown in Fig. 13A includes a frequency divider circuit 111 shown in FIG. 13A, an enable clock signal generator circuit 112 shown in FIG. 13B, and a four-phase clock generator circuit 113 shown in FIG. 13C.

도 13(A)에 나타내는 분주 회로(111)는, 수평동기신호(1H) 및 이 수평동기신호 (1H)가 인버터 회로(INV1)에 의해 논리 반전된 수평동기신호(1Hb)에 의해 제어된다. The frequency divider circuit 111 shown in Fig. 13A is controlled by a horizontal synchronizing signal 1H and a horizontal synchronizing signal 1Hb which is logically inverted by the inverter circuit INV1.

이 분주 회로(111)에서는, 클록 인버터 회로(CINV1), 인버터 회로(INV2), 및 클록 인버터 회로(CINV2)가 종속 접속되고, 클록 인버터 회로(CINV2)의 출력 측이 클록 인버터 회로(CINV1)의 입력측에 접속된다. In this frequency divider circuit 111, the clock inverter circuit CINV1, the inverter circuit INV2 and the clock inverter circuit CINV2 are cascade-connected and the output side of the clock inverter circuit CINV2 is connected to the clock inverter circuit CINV1 And is connected to the input side.

또, 클록 인버터 회로(CINV2)의 출력신호가 NAND 회로(NAND1)의 한 쪽 입력단자의 입력신호가 되고, 이 NAND 회로(NAND1)의 다른 쪽의 입력단자에는, 이 분주 회로의 기동과 정지를 제어하는 신호(RES)가 입력된다. The output signal of the clock inverter circuit CINV2 becomes the input signal of one input terminal of the NAND circuit NAND1 and the other input terminal of the NAND circuit NAND1 is supplied with the start and stop of the frequency dividing circuit The signal RES to be controlled is inputted.

또, NAND 회로(NAND1)의 출력측과 한 쪽 입력측 사이에 클록 인버터 회로(CINV4)가 접속된다. 인버터 회로(INV1)에 수평동기신호(1H)가 입력되고, 신호(RES)가 H수준이 되는 것에 의해, 수평동기신호(1H)의 주파수에 비해 2분주(주파수가1/2)된 신호(A)가 얻어진다. The clock inverter circuit CINV4 is connected between the output side of the NAND circuit NAND1 and one input side. A signal (frequency 1/2) that is divided by 2 (frequency is 1/2) of the frequency of the horizontal synchronizing signal 1H due to the input of the horizontal synchronizing signal 1H to the inverter circuit INV1 and the signal RES to the H level A) is obtained.

이 신호(A)는, 도 13(B)에 나타내는 인에이블 클록 신호생성 회로(112)에 입력된다. This signal A is input to the enable clock signal generation circuit 112 shown in Fig. 13 (B).

도 13(B)에 나타내는 인에이블 클록 신호생성 회로(112)에서는, 4 개의 인버터 회로(INV3, INV3a, INV3b, INV3c)가 직렬로 접속되어 있고, 인버터 회로(INV3)의 출력측에 두 개의인버터 회로(INV3d, INV3d)가 직렬 접속되어 있다. In the enable clock signal generation circuit 112 shown in Fig. 13B, four inverter circuits INV3, INV3a, INV3b and INV3c are connected in series, and two inverter circuits INV3a, INV3b and INV3c are connected to the output side of the inverter circuit INV3. (INV3d, INV3d) are connected in series.

인에이블 클록 신호생성 회로(112)에, 분주 회로 (111)로부터 출력되는 신호(A)를 입력 함으로써, 인버터 회로(INV3)로부터 신호(B)가 출력되고, 인버터 회로(INV3c)로부터 인에이블 클록 신호(인에이블1)가 출력되고, 인버터 회로(INV3e)로부터 인에이블 클록 신호(인에이블2)가 출력된다. The signal B outputted from the inverter circuit INV3 is outputted from the inverter circuit INV3c by inputting the signal A outputted from the frequency divider circuit 111 to the enable clock signal generation circuit 112, A signal (enable 1) is outputted, and an enable clock signal (enable 2) is outputted from the inverter circuit INV3e.

이 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)가, 도 1에 도시되어 있는 게이트 선택회로(11)의 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)가 된다. 한편, 신호(B)는 신호(A)의 반전 신호다. This enable clock signal (enable 1, enable 2) becomes the enable clock signal (enable 1, enable 2) of the gate selecting circuit 11 shown in Fig. On the other hand, the signal B is an inverted signal of the signal A. [

또, 신호(A) 및 신호(B)는, 수직 클록 신호(CKV1, CKV2)와 함께, 도 13(C)에 도시되어 있는 4상 클록 생성 회로(113)의 NAND회로(NAND2∼NAND5)에 각각 입력된다. The signal A and the signal B are supplied to the NAND circuits NAND2 to NAND5 of the four-phase clock generation circuit 113 shown in Fig. 13C together with the vertical clock signals CKV1 and CKV2 Respectively.

NAND 회로(NAND2)에는, 신호(A)와 수직 클록 신호(CKV1)가 입력되고, 인버터 회로(INV4a ,4b,4c)를 통해서, 클록 신호(Ck1)가 얻어진다. The signal A and the vertical clock signal CKV1 are input to the NAND circuit NAND2 and the clock signal Ck1 is obtained through the inverter circuits INV4a, 4b and 4c.

NAND 회로(NAND3)에는, 신호(A)와 수직 클록 신호(CKV2)가 입력되고, 인버터 회로(INV5a ,5b,5c)를 통해서, 클록 신호(Ck2)가 얻어진다. The signal A and the vertical clock signal CKV2 are inputted to the NAND circuit NAND3 and the clock signal Ck2 is obtained through the inverter circuits INV5a, 5b and 5c.

NAND 회로(NAND4에는, 신호(B)와 수직 클록 신호(CKV1)이 입력되고, 인버터 회로(INV6a ,6b,6c)를 통해서, 클록 신호(Ck3)가 얻어진다. The clock signal Ck3 is obtained through the inverter circuits INV6a, INb6b, and INc6, and the NAND circuit NAND4 receives the signal B and the vertical clock signal CKV1.

NAND 회로(NAND5에는, 신호(B)과 수직 클록 신호(CKV2)이 입력되고, 인버터 회로(INV7a ,7b,7c)를 통해서, 클록 신호(Ck4)가 얻어진다. The clock signal Ck4 is obtained through the inverter circuits INV7a, 7b and 7c, and the NAND circuit (NAND5) receives the signal B and the vertical clock signal CKV2.

이와 같이 하여, 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 얻을 수 있다. In this manner, the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 can be obtained.

도 14에 구체적인 동작 타이밍이 도시되어 있다. Fig. 14 shows a specific operation timing.

도 14에 도시된 타이밍 차트에서는, 수평동기신호 (1H), 클록 신호(Clock1), 수직 클록 신호(CKV1), 클록 신호(Clock2), 수직 클록 신호(CKV2), 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 4상 클록Ck1/Ck2/Ck3/Ck4), 분주 회로 제어신호(RES)가 도시되어 있다. In the timing chart shown in Fig. 14, the horizontal synchronizing signal 1H, the clock signal Clock1, the vertical clock signal CKV1, the clock signal Clock2, the vertical clock signal CKV2, the enable clock signal , Enable 2), a four-phase clock Ck1 / Ck2 / Ck3 / Ck4, and a frequency divider circuit control signal RES.

도 14에 도시한 바와 같이, 최하단에 나타내는 신호(RES)를 하이 레벨인 H 레벨이 되었을 때 분주 회로가 동작을 시작하고, 수평동기신호(1H) 및 수직 클록 신호(CKV 1,CKV2)에 의해, 4상 클록(Ck1, Ck2, Ck3,Ck4)이 생성된다. As shown in Fig. 14, when the signal RES at the lowermost end becomes the H level of the high level, the dividing circuit starts to operate, and by the horizontal synchronizing signal 1H and the vertical clock signals CKV1 and CKV2 , Four-phase clocks Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 are generated.

이제 본 발명의 제1 실시 예에 따른 축적 용량구동 회로(12)를 설명한다.Now, the storage capacitor driving circuit 12 according to the first embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 축적 용량구동 회로(12)를 나타낸 도면이다. 2 is a diagram showing the storage capacitor driving circuit 12 according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 축적 용량구동 회로는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수개의 래치 회로(LA2n+2∼LA2n+9)를 포함하는 래치 회로LA2, 상기 래치 회로LA2에 입력되는 축적 용량구동 데이터 신호(Cdata)를 선택하는 복수개의 스위치 회로(SW2n+2∼SWn+9)를 포함하는 스위치 회로SW2, 및 상기 래치 회로 출력로부터 각 축적 용량출력을 출력 하기 위한 복수의 버퍼 회로(BAn∼BAn+7)를 포함하는 버퍼 회로BA2를 포함한다. As shown in Fig. 2, the storage capacitor driving circuit of the present invention includes a latch circuit LA2 including a plurality of latch circuits LA2n + 2 to LA2n + 9, a storage capacitor drive data signal A switch circuit SW2 including a plurality of switch circuits SW2n + 2 to SWn + 9 for selecting one of the plurality of storage capacitors Cdata, and a plurality of buffer circuits (BAn to Ben + 7) Lt; RTI ID = 0.0 &gt; BA2. &Lt; / RTI &gt;

한편, 「n」은 n번째의 게이트 라인을 나타낸다 (수직방향:Y)어드레스이며, 예를 들면, 「n+2」는, 수직 방향으로 n+2번째의 게이트 라인인 것을 나타내고 있다. On the other hand, "n" represents an n-th gate line (vertical direction: Y). For example, "n + 2" indicates an n + 2-th gate line in the vertical direction.

도 2 에 도시한 바와 같이, 각 스위치 회로(SW2n+2∼SW2n+9)는, MOS트랜지스터로 구성되고, 각각의 게이트에 게이트 선택회로(11)로부터 게이트 선택 신호(Gate <n+2>, Gate <n+3> ,… ,Gate <n+9>)이 각각 입력된다. As shown in Fig. 2, each of the switch circuits SW2n + 2 to SW2n + 9 is formed of a MOS transistor, and gate selection signals Gate <n + 2> Gate < n + 3 >, ..., Gate < n + 9 >

그리고, 각 스위치 회로(SW2n+2∼SW2n+9)의 각각의 드레인은 공통 접속되고, 이 공통 접속된 드레인에 데이터 신호(Cdata)가 입력된다. The respective drains of the respective switch circuits SW2n + 2 to SW2n + 9 are connected in common, and the data signal Cdata is input to the commonly connected drains.

또, 각 스위치 회로(SW2n+2∼SW2n+9)의 각각의 소스는, 래치 회로LA2(LA2n+2∼LA2n+9)의 데이터 입력측에 각각 접속된다. The sources of the respective switch circuits SW2n + 2 to SW2n + 9 are connected to the data input sides of the latch circuits LA2 (LA2n + 2 to LA2n + 9), respectively.

또, 래치 회로LA2(LA2n+2∼LA2n+9)의 각각의 데이터 출력측 각각은, 버퍼 회로BA2(BA2n∼BA2n+7)의 입력측에 접속되고, 버퍼 회로BA2(BA2n∼BA2n+7)의 각각의 출력측은, 축적 용량 라인 출력 단자 C <n>, C <n+1> ,… ,C <n+7>에 접속되어 있다. Each of the data output sides of the latch circuits LA2 (LA2n + 2 to LA2n + 9) is connected to the input side of the buffer circuit BA2 (BA2n to BA2n + 7), and each of the buffer circuits BA2 The output side of the storage capacitor line output terminal C <n>, C <n + 1>, ... , And C < n + 7 >.

상기 액정 패널의 축적 용량 라인이 m개인 경우, 필요한 축적 용량출력도 m개이다. When the storage capacitor line of the liquid crystal panel is m, the required storage capacity output is m.

한편, 도 2에 도시된 예에서, 실제의 액정 패널의 게이트 라인(GL)과 축적 용량 라인(CL) 간의 구동 타이밍을 맞추기 때문에, 게이트 라인(GL)의 수직방향 어드레스와, 축적 용량 라인(CL)의 수직방향 어드레스 사이에 2라인 분의 오프셋을 둔다. 2, since the driving timing between the gate line GL and the storage capacitor line CL of the actual liquid crystal panel is matched, the vertical address of the gate line GL and the vertical address of the storage capacitor line CL And the vertical direction address of the first line.

이 때문에, 게이트 선택 신호(Gate<n+2>, n+2번째의 게이트 라인의 구동 신호)에 의해, 축적 용량구동 신호(C<n>, n번째의 소스 라인(SL)의 구동 신호)가 생성되게 구성된다. Therefore, the storage capacitor driving signal C <n> and the driving signal of the n-th source line SL are driven by the gate selection signal Gate <n + 2> and the (n + Is generated.

또, 버퍼 회로BA2안의 각버퍼 회로(BA2n∼BA2n+7)를 구성하는 인버터의 단수는 버퍼 회로BA2n에 대해서는 3단, BA2n+1에 대해서는 2단이다. 따라서 출력신호가 교대로 다른 신호 레벨로 생성된다. The number of stages of the inverters constituting each of the buffer circuits BA2n to BA2n + 7 in the buffer circuit BA2 is three for the buffer circuit BA2n and two for the BA2n + 1. Thus, the output signals are alternately generated at different signal levels.

또, 복수의 버퍼 회로(BA2n∼BA2n+7) 각각의 최종출력용 버퍼 회로인 인버터는 전압조정 가능(화상의 콘트라스트의 조정 가능)한 전원 V1 및 V 2에 의해 구동된다. The inverter, which is the final output buffer circuit for each of the plurality of buffer circuits BA2n to BA2n + 7, is driven by power supplies V1 and V2 that can be voltage-adjusted (image contrast can be adjusted).

또, 복수의 버퍼 회로(BA2n∼BA2n+7) 각각의 인버터 접속 단수가 2단 또는 3단으로 교대로 다르게 구성된다. In addition, the number of inverter connection stages of each of the plurality of buffer circuits BA2n to BA2n + 7 is alternately configured in two or three stages.

또, 복수의 래치 회로(LA2n+2∼LA2n+9)는 버스형 래치 회로로 구성된다. The plurality of latch circuits LA2n + 2 to LA2n + 9 are formed by a bus-type latch circuit.

도 20은 통상 래치 회로와 버스형 래치 회로의 구성 예를 나타낸 것이다. 20 shows a configuration example of a normal latch circuit and a bus type latch circuit.

도 20(A)에 나타내는 통상 래치 회로에서는, 2개의 클록 인버터 회로(CINVa, CINVb)과, 1개의 인버터 회로(INVa)와로 구성되어 있고, 소자수로서는 10개의 트랜지스터가 필요하게 된다. In the normal latch circuit shown in Fig. 20A, two clock inverter circuits (CINVa and CINVb) and one inverter circuit (INVa) are provided, and ten transistors are required as the number of elements.

이것에 대하여 버스형 래치 회로에서는 2개의 인버터 회로(INVc, INVd)를 반대병렬 접속해서 구성된다. 소자수로서는 4개의 트랜지스터로 실현되므로, 상기 래치 회로 부분에서 6개의 트랜지스터수를 삭감하는 것이 가능하다. In contrast, in the bus-type latch circuit, two inverter circuits INVc and INVd are connected in opposite parallel connection. Since the number of elements is realized by four transistors, it is possible to reduce the number of six transistors in the latch circuit portion.

그 다음에, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로의 전체구성을 설명한다. Next, the overall configuration of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the first embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로의 관계를 나타낸 것이며, 액정 패널(화면)의 좌측에 배치되는 게이트 선택회로와, 화면의 우측에 배치되는 축적 용량구동 회로의 관계를 나타내는 도면이다. 3 is a diagram showing the relationship between the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the present invention and showing the relationship between the gate selection circuit disposed on the left side of the liquid crystal panel (screen) and the storage capacitor driving circuit disposed on the right side of the screen to be.

도 3 에 도시한 바와 같이, 게이트 선택회로(11)에 의해 생성된 게이트 선택 신호는, 액정 패널의 게이트 라인(GL)상을 통과하고, 상대측에 있는 축적 용량구동 회로(12)의 스위치 회로SW2에 접속되어 있다. 3, the gate selection signal generated by the gate selection circuit 11 passes on the gate line GL of the liquid crystal panel and is supplied to the switch circuit SW2 of the storage capacitor driving circuit 12 Respectively.

또, 상기 축적 용량구동 회로(12)에서는, 게이트 출력(게이트 선택 신호)이 H수준이 된 타이밍에서 축적 용량구동 데이터가 래치 회로LA2에 설정되고, 이 래치 회로LA2에 설정된 데이터는 버퍼 회로BA2에 입력되어 축적 용량회로 출력으로서 출력된다. In the storage capacitor driving circuit 12, the storage capacitor driving data is set in the latch circuit LA2 at the timing when the gate output (gate selection signal) becomes H level, and the data set in the latch circuit LA2 is supplied to the buffer circuit BA2 And is output as a storage capacitance circuit output.

이 경우에, 도 2 에 도시한 바와 같이, 게이트 선택 신호(Gate<n>)에 의해, 축적 용량구동 신호(C<n+2>)가 생성되게 구성된다. 이것은, 게이트 선택 신호(Gate<n>)에 의해 데이터 신호가 기입된 화소에 대하여, 축적 용량 회로 출력에 의해 갱신되는 타이밍을 지연 시키기 위해서 설정한 것이며, 이 예에서는, 2라인 분의 오프셋이 설정되어있다. 한편, 이 오프셋 시키는 라인수에 대해서는, 적당히 선택 할 수 있다. In this case, as shown in Fig. 2, the storage capacitor driving signal C <n + 2> is generated by the gate selection signal Gate <n>. This is set so as to delay the timing at which the data signal is written by the gate selection signal (Gate < n >) by the storage capacitor circuit output. In this example, . On the other hand, the number of lines to be offset can be appropriately selected.

또, 도 15에, 본 발명의 액정 패널의 구동장치(게이트 선택회로(11)및 축적 용량구동 회로(12))을 이용한 액정 디스플레이스 장치의 구성 예를 나타낸다. 15 shows a configuration example of a liquid crystal display apparatus using the liquid crystal panel driving apparatus (the gate selecting circuit 11 and the storage capacitor driving circuit 12) of the present invention.

도 15에 도시된 액정 디스플레이스 장치는, 본 발명에 직접 관계되는 부분, 즉, 클록 신호 등의 신호를 발생하는 신호 제어 회로부만을 나타내고 있어, 상대 전극구동 회로나, 백라이트나, 전원회로 등은 생략되어 있다. The liquid crystal display device shown in Fig. 15 only shows a part directly related to the present invention, that is, a signal control circuit part for generating a signal such as a clock signal, so that the counter electrode driving circuit, the backlight, .

도 15에 나타내는 구동장치에 있어서, 액정 패널(1)은, 수평 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 게이트 라인(GL)과, 동일하게 수평 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 축적 용량 라인(CL)과, 수직 방향으로 복수개의 전극을 배설해서 형성되는 소스 라인(SL)을 포함하고 있다. 15, the liquid crystal panel 1 includes a gate line GL formed by arranging a plurality of electrodes in a horizontal direction, and a plurality of storage capacitor lines (not shown) formed by arranging a plurality of electrodes in the same horizontal direction, (CL), and a source line (SL) formed by arranging a plurality of electrodes in the vertical direction.

그리고, 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 소스 라인(SL)의 각 교점에는 TFT(박막 트랜지스터)스위치, 액정용량(LC), 축적 용량(CS)로부터 이루어지는 화소가 형성되어 있다. A pixel made up of a TFT (thin film transistor) switch, a liquid crystal capacitor LC, and a storage capacitor CS is formed at each intersection of the gate line GL and the source line SL.

또, 액정 패널(1)에는, 상기 복수개의 게이트 라인(GL)을 구동 하기 위한 게이트 선택회로(11)과, 상기 복수개의 축적 용량 라인을 구동 하기 위한 축적 용량구동 회로(12)과, 상기 복수개의 소스 전극을 구동 하기 위한 소스 구동 회로(13)가 접속되어 있다. The liquid crystal panel 1 is further provided with a gate selection circuit 11 for driving the plurality of gate lines GL, a storage capacitor driving circuit 12 for driving the plurality of storage capacitor lines, And a source driving circuit 13 for driving the source electrodes are connected.

상기 게이트 선택회로(11)는 1주사 기간에 있어서, 게이트 라인(GL)에 접속되어 있는 화소TFT(박막 트랜지스터)를 순차 선택 하는 동시에, 소스 구동 회로(13)로부터 원하는 데이터 전압을 액정용량(LC)에 기입한다. The gate selection circuit 11 sequentially selects pixel TFTs (thin film transistors) connected to the gate line GL in one scanning period and simultaneously supplies a desired data voltage from the source driving circuit 13 to the liquid crystal capacitance LC ).

또 데이터 전압을 기입한 후에, 축적용량구동 회로(12)로부터 소정의 전압을 중첩 함으로써, 액정용량(LC)에 기입된 데이터는 실제의 액정의 광학특성에 적합한 전압 으로 변환되고, 다음 프레임까지 보유된다. Further, after the data voltage is written, the data written in the liquid crystal capacitor LC is converted into a voltage suitable for the optical characteristics of the actual liquid crystal by superimposing the predetermined voltage from the storage capacitor driving circuit 12, do.

또, 신호 제어 회로부(101)는 게이트 선택회로(11), 축적 용량구동 회로(12), 및 소스 구동 회로(13)을 제어 하기 위한 신호를 생성한다. The signal control circuit portion 101 generates signals for controlling the gate selection circuit 11, the storage capacitor driving circuit 12, and the source driving circuit 13. [

이 신호 제어 회로부(101)는 CPU등을 포함하는 제어부2에 의해 제어되는 것에 의해, 외부에서 입력되는 화상 데이터 신호, 동기 신호(수평, 수직동기신호),및 외부입력 클록 신호를 기초로, 게이트 선택회로(11), 축적 용량구동 회로(12),및 소스 구동 회로(13)을 구동 제어 하기 위한 신호를 생성한다. The signal control circuit unit 101 is controlled by the control unit 2 including a CPU and the like, and based on an externally input image data signal, a synchronizing signal (horizontal and vertical synchronizing signal), and an external input clock signal, A signal for driving and controlling the selection circuit 11, the storage capacitor driving circuit 12, and the source driving circuit 13 is generated.

이 신호 제어 회로부(101)안의 클록 발생 회로(110)은, 도 13에 도시된 수평동기신호를 분주하는 분주 회로(111), 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)를 생성하는 인에이블 클록 신호생성 회로(112), 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 생성하는 4상 클록 생성 회로(113), 및 도 9에 나타내는 클록 신호변환 회로(114)를 포함하고 있다. The clock generating circuit 110 in the signal control circuit portion 101 includes a frequency divider 111 for frequency dividing the horizontal synchronizing signal shown in Fig. 13, a divider 111 for generating an enable clock signal (enable 1, enable 2) Phase clock generating circuit 113 for generating the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 and the clock signal converting circuit 114 shown in Fig. 9 .

또, 데이터 신호 생성 회로(121)은, 화상 데이터 신호를 기초로, 소스 구동 회로(13)의 화상신호를 생성해서 출력한다. The data signal generating circuit 121 generates and outputs the image signal of the source driving circuit 13 on the basis of the image data signal.

(제1 실시예의동작)  (Operation of the first embodiment)

그 다음에, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 게이트 선택회로의 동작에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. Next, the operation of the gate selection circuit in the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 4에서는, 횡방향은 시간을 나타내고, 종방향으로 게이트 선택회로(11)에 입력되는 데이터 신호(Gdata), 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), 래치 회로LA1의 출력신호(Q1, Q2, Q3, Qm), 및 게이트 선택 신호(Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> ,… Gate <m>)가 도시되어 있다. 4, the horizontal direction indicates the time, and the data signal Gdata input to the gate selection circuit 11 in the vertical direction, the enable clock signal (enable 1, enable 2), the four-phase clock signal Ck1, The output signals Q1, Q2, Q3 and Qm of the latch circuit LA1 and the gate selection signals Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> < m >).

도 4에 있어서, 데이터 신호(Gdata)가 입력되면, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 의해 데이터 신호(Gdata)의 H수준이 래치 되어, 시점 t1, t2, 및 t3 각각에 래치 회로 출력신호(Q1, Q2, Q3)들이 순차 출력된다. 4, when the data signal Gdata is input, the H level of the data signal Gdata is latched by the enable clock signals (enable 1 and enable 2), and the H level of the data signal Gdata is latched at the times t1, t2, and t3 The latch circuit output signals Q1, Q2, and Q3 are sequentially output.

상기 래치 회로 출력(Q1, Q2)은 각 스위치 회로SW1에 접속되고 있으므로, 상기 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 선택 하기 위한 인에이블 신호가 된다. Since the latch circuit outputs Q1 and Q2 are connected to the respective switch circuits SW1, they become enable signals for selecting the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4.

예를 들면, Q1이 H수준이 되면, 상기 스위치 회로는 ON상태가 되고, 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)이 일괄해서 선택되어, 상기 버퍼 회로를 통해 게이트 라인 출력 단자(Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>…)를 경과해 순차 출력된다. For example, when Q1 becomes H level, the switch circuit is turned ON, and the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 are collectively selected, and the gate line output terminal Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> ...).

상기 래치 회로LA1는 시프트레지스터 회로를 구성하고 있으므로, 상기 Q1 및 Q2출력이 순차 전송되는 것에 의해, 상기 스위치 회로SW1도 순차 ON 상태로 되고, 원하는 타이밍에서 각게이트 선택 신호를 출력시키는 것이 가능하게 된다. Since the latch circuit LA1 constitutes a shift register circuit, by sequentially transmitting the outputs Q1 and Q2, the switch circuit SW1 is also sequentially turned on, and each gate selection signal can be output at a desired timing .

그 다음에, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 축적 용량구동 회로의 동작에 대해서 도 5를 참조하면서 설명한다. Next, the operation of the storage capacitor driving circuit in the first embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

도 5에서는, 횡방향은 시간이고, 종방향에, 축적 용량구동 회로(12)에 입력되는 데이터 신호(Cdata)와, 게이트 선택회로(11)로부터 출력되는 게이트 선택 신호)Gate <n+2>, Gate <n+3>, Gate <n+4>, Gate <n+5>, Gate <n+6>, Gate <n+7>, Gate <n+8>, Gate <N+9>), 및 축적 용량구동 신호(C <n>, C <n+1>, C <n+2>, C <n+3>, C <n+4>, C <n+5>, C <n+6>, C <n+7>)가 도시되어 있다. 5, the horizontal direction is time, and in the vertical direction, the data signal Cdata input to the storage capacitor driving circuit 12 and the gate selection signal Gate <n + 2> output from the gate selection circuit 11) N + 9>, Gate <n + 3>, Gate n + 4, Gate n + 5, Gate n + 6, Gate n + N + 3>, C <n + 4>, C <n + 5>, C <n + 1>, C <n + + 6 >, C < n + 7 >).

도 5에 있어서, 각 스위치 회로SW2에 상기 게이트 선택회로(11)로부터의 게이트 선택 신호(Gate <n+2>, Gate <n+3>,…Gate <n+9>)가 입력되면, 축적 용량구동 회로(12)안의 스위치 회로SW2(SW2n+2∼SW2n+9)은 각각 차례로 ON이 되고, 축적 용량 데이터(Cdata)가 래치 회로LA2(LA2n∼LA2n+7)에 입력된다. When the gate selection signals (Gate <n + 2>, Gate <n + 3>,... Gate <n + 9>) from the gate selection circuit 11 are input to the respective switch circuits SW2 in FIG. 5, The switch circuits SW2 (SW2n + 2 to SW2n + 9) in the capacitor driving circuit 12 are turned ON in turn and the storage capacitor data Cdata is input to the latch circuits LA2 (LA2n to LA2n + 7).

그리고 보유된 각 래치 회로LA2(LA2n∼LA2n+7)의 출력은 버퍼 회로BA2(BA2n∼BA2n+7)에 전달되고, 축적 용량 라인 출력 단자(C <n>, C <n+1> ,… ,C <n+7>)으로 출력된다. The output of each held latch circuit LA2 (LA2n to LA2n + 7) is transferred to the buffer circuit BA2 (BA2n to BA2n + 7), and the storage capacitor line output terminals C <n>, C <n + 1> , C < n + 7 >).

한편, 상기 래치 회로LA2(LA2n∼LA2n+7)는 다음 프레임에서 다시 상기 게이트 선택회로(11)로부터의 게이트 출력(게이트 선택 신호)이 스위치 회로SW2에 입력될때 까지, 축적 용량 데이터(Cdata)의 값을 계속해서 보유한다. On the other hand, the latch circuits LA2 (LA2n to LA2n + 7) are turned on in the next frame until the gate output (gate selection signal) from the gate selection circuit 11 is input to the switch circuit SW2 Continue to hold the value.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 축적 용량구동 회로의 래치 회로LA2은 전술한 것 같은 버스형 래치 회로(도 20(B)을 참조)로 구현된다. On the other hand, the latch circuit LA2 of the storage capacitor driving circuit in the first embodiment of the present invention is implemented by the bus type latch circuit (see Fig. 20 (B)) as described above.

종래의 축적 용량구동 회로가 시프트레지스터 구성을 취하고 있어, 시프터레지스터인 래치 회로는 항상 클록 신호를 공급하는 것이 필요하다. 이 때문에, 축적 용량구동 회로가 상기 버스형 래치로 구성되는 것이 어렵다. The conventional storage capacitor driving circuit adopts the shift register configuration, and it is necessary to always supply the clock signal to the latch circuit which is the shifter register. For this reason, it is difficult for the storage capacitor driving circuit to be composed of the bus-type latch.

이에 반해, 본 발명의 축적 용량구동 회로에서는 래치의 데이터를 갱신하는 타이밍이 1프레임에 1회 즉, 상기 게이트 선택회로의 게이트 출력이 H가 되는 기간만으로 결정되어 있기 때문에, 항상 래치 회로를 갱신할 필요가 없다. 따라서 소자수가 적은 버스형 래치를 축적 용량 구동 회로에 적용하는 것이 가능하다. On the other hand, in the storage capacitor driving circuit of the present invention, since the timing of updating the data of the latch is determined only once in one frame, that is, only during a period in which the gate output of the gate selection circuit becomes H, no need. Therefore, it is possible to apply a bus-type latch having a small number of elements to the storage capacitance driving circuit.

(제1 실시예에의해 얻어지는 효과)  (Effects obtained by the first embodiment)

전술한 바와 같이, 종래 게이트 선택 신호를 생성하기 위해 이용되고 있는 래치 회로LA1의 출력신호는 복수개의 클록 신호(예를 들면, 4상의 클록 신호)를 선택 하기 위한 인에이블 신호로서 이용된다. 따라서, 종래 기술의 게이트 선택회로가 1게이트 출력당, 1개의 래치 회로가 필요한 것에 대해서, 본 발명의 게이트 선택회로에서는 1게이트 출력당 0.5개 (4게이트 출력당 2개의 래치 회로)가 있으면, 동일한 기능을 구성하는 것이 가능하다. 그 결과 게이트 선택회로 전체의 래치 회로의 수를 반감 시킬 수 있다. As described above, the output signal of the latch circuit LA1 used for generating the conventional gate selection signal is used as an enable signal for selecting a plurality of clock signals (for example, a clock signal of four phases). Therefore, when the conventional gate selection circuit requires one latch circuit per one gate output, if there are 0.5 (two latch circuits per four gate outputs) per one gate output in the gate selection circuit of the present invention, It is possible to configure the function. As a result, the number of latch circuits in the entire gate selection circuit can be reduced by half.

한편, 본 실시예에서는 상기 복수개의 클록 신호로서 4상 클록 신호를 예로 들어서 설명했지만, 본 발명의 게이트 선택회로는, 예를 들면 래치 회로LA1에 입력되는 데이터 신호(Gdata)와 인에이블 클록신호(인에이블1, 인에이블2)의 펄스 폭 및 타이밍을 조정함으로써, 4상이외의 클록 신호에서도 적용할 수 있다. Although the four-phase clock signal is described as an example of the plurality of clock signals in the present embodiment, the gate selection circuit of the present invention is applicable to the case where the data signal Gdata input to the latch circuit LA1 and the enable clock signal Enable 1 and enable 2), it is possible to apply to clock signals other than four phases.

예를 들면, 데이터 신호와 클록 신호의 펄스 폭을 2배 (주파수1/2)로하고, 8상의 클록 신호를 입력 함으로써, 게이트 선택회로에 필요한 래치 회로는 8게이트 출력당 2개의 래치 회로에서 구성하는 것이 가능하게 된다. For example, by setting the pulse width of the data signal and the clock signal to 2 times (frequency 1/2) and inputting the 8-phase clock signal, the latch circuit necessary for the gate selection circuit is constituted by two latch circuits per 8 gate outputs .

동일하게 본 발명의 게이트 선택회로에서는 N상의 클록 신호를 입력 함으로써, 필요한 래치 회로를 2/N로 감소시킬 수 있다. Similarly, in the gate selection circuit of the present invention, by inputting the N phase clock signal, the required latch circuit can be reduced to 2 / N.

또, 본 발명의 축적 용량구동 회로에서는, 1축적 용량구동 회로 출력당 필요한 래치 회로수는 1개로 변함 없지만, 래치 회로의 클록 신호로서 상기 게이트 선택회로의 게이트 출력을 이용함으로써, 래치 회로를 제어 하기 위한 제어신호를 감소시킬 수 있다. In the storage capacitor driving circuit of the present invention, the number of latch circuits required per output of the one-storage capacitor driving circuit is not changed to 1. However, by using the gate output of the gate selection circuit as the clock signal of the latch circuit, Can be reduced.

또 종래의 래치 구성과 달리 버스형 래치 회로를 적용 함으로써, 회로 소자수를 감소시키는 것이 가능하게 되고, 축적 용량구동 회로도 전체적인 회로 면적이 종래에 비해 감소될 수 있다. Further, unlike the conventional latch configuration, the bus-type latch circuit can reduce the number of circuit elements, and the overall circuit area of the storage capacitor driving circuit can be reduced as compared with the conventional case.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 전체적인 회로 면적의 감소가 가능해 지고, 그 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈가 작아지는 것이 가능하게 된다. As described above, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the present invention, the overall circuit area can be reduced, and as a result, the size of the frame of the liquid crystal panel can be reduced.

[제2 실시예]  [Second Embodiment]

제1 실시예 에서는, 게이트 선택회로(11)와 축적 용량구동 회로(12)를 개별적으로 설치하는 예, 예를 들면, 도 18에 도시된 경우와 마찬가지로, 액정 패널(1)의 양측에 각각 독립적으로 배치하는 예에 대하여 설명했지만, 제2 실시의 형태에서는, 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로를 1개로 통합한 예, 예를 들면, 액정 패널(1)의 한 쪽에 두 회로가 배치된 예에 대하여 설명한다. In the first embodiment, the gate selection circuit 11 and the storage capacitor driving circuit 12 are provided separately, for example, as in the case shown in Fig. 18, on both sides of the liquid crystal panel 1, However, in the second embodiment, an example in which the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit are integrated into one, for example, an example in which two circuits are arranged on one side of the liquid crystal panel 1 .

본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 패널의 구동장치의 예를 도 6에 나타낸다. An example of a driving apparatus for a liquid crystal panel according to the second embodiment of the present invention is shown in Fig.

도 6에 도시된 구동장치(21)는, 게이트 선택회로(11A)와, 축적 용량구동 회로(12A)와로 구성된다. The driving device 21 shown in Fig. 6 is composed of a gate selection circuit 11A and a storage capacitor driving circuit 12A.

이 구동장치(21)에서는, 게이트 선택회로(11A)와, 축적 용량구동 회로(12A)가, 래치 회로LA1에 대응해서 교대로 배치된다. In this driving device 21, the gate selection circuit 11A and the storage capacitor driving circuit 12A are alternately arranged in correspondence with the latch circuit LA1.

게이트 선택회로(11A)는, 복수개의 래치 회로(LA11∼LA1m)가 직렬로 접속되어서 형성된 시프트레지스터 회로(래치 회로LA1), 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)로부터 원하는 게이트 신호를 선택 하기 위한 복수개의 MOS트랜지스터로 형성된 스위치 회로SW1, 및 게이트 선택 신호(Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>)를 출력 하기 위한 복수개의 버퍼 회로로 되는 버퍼 회로BA1를 포함한다. The gate selection circuit 11A includes a shift register circuit (latch circuit LA1) formed by serially connecting a plurality of latch circuits LA11 to LA1m and a desired gate signal from the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck4 A switch circuit SW1 formed of a plurality of MOS transistors for selecting the gate selection signals Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> BA1.

그리고, 상기 시프트레지스터 회로(래치 회로LA1)에는, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)와 데이터 신호(Gdata)가 입력되고, 스위치 회로SW1에는, 게이트 라인 신호로서 출력되는 복수개의 클록 신호(도 6에서는 4상의 클록 신호 Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)가 입력된다. An enable clock signal (enable 1, enable 2) and a data signal Gdata are input to the shift register circuit (latch circuit LA1). A switch circuit SW1 is supplied with a plurality of clocks (Four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 in Fig. 6).

이 버퍼 회로BA1안의 각 버퍼 회로의 출력은 각각 게이트 라인 출력 단자(Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> ,… Gate <m>)에 접속되어 있다. The outputs of the respective buffer circuits in the buffer circuit BA1 are connected to the gate line output terminals (Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>, ... Gate <m>).

이 게이트 선택회로의 부분의 구성에 대해서는, 도 1에 도시된 제1 실시예의 게이트 선택회로(11)와 동일한 바, 상세한 설명은 생략한다. The configuration of the gate selection circuit is the same as that of the gate selection circuit 11 of the first embodiment shown in FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted.

그 다음에, 축적 용량구동 회로(12A)는, 스위치 회로SW2, 스위치 회로SW3, 및 버퍼 회로BA2를 포함한다. Then, the storage capacitor driving circuit 12A includes a switch circuit SW2, a switch circuit SW3, and a buffer circuit BA2.

스위치 회로SW2(SW21∼SW2m)는, 스위치 회로SW3를 통해서 전달되는 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 의해 인에이블 상태로 되는 스위치 회로이며, 축적 용량구동 데이터 신호(Cdata)를 선택하고, 이 데이터를 래치 회로LA2(LA21∼LA2m)에 설정한다. The switch circuits SW2 (SW21 to SW2m) are switch circuits which are enabled by the clock signals (Ck1, Ck2, Ck3, Ck4) transmitted through the switch circuit SW3 and select the stored capacitance drive data signal (Cdata) , And sets this data in the latch circuits LA2 (LA21 to LA2m).

스위치 회로SW3(SW31∼SW3m)는, 시프트레지스터 회로(래치 회로LA1)안에 있는 짝수번째의 래치 회로(LA12, LA14,...)의 출력측에 게이트가 접속되고, 상기 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 선택하고, 동시에 상기 스위치 회로SW2(SW21∼SW2m)를 인에이블하기 위한 스위치 회로다. The switch circuits SW3 (SW31 to SW3m) have gates connected to the output sides of the even-numbered latch circuits LA12, LA14, ... in the shift register circuit (latch circuit LA1), and the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck4) and simultaneously enables the switch circuits SW2 (SW21 to SW2m).

버퍼 회로BA2(BA21∼BA2m)는, 래치 회로LA2(LA21∼LA2m)의 각출력신호를 입력받고, 각 축적 용량신호를 출력 하기 위한 버퍼 회로다. The buffer circuits BA2 (BA21 to BA2m) are buffer circuits for receiving respective output signals of the latch circuits LA2 (LA21 to LA2m) and outputting the respective storage capacitance signals.

복수의 버퍼 회로(BA21∼BA2m) 각각의 출력측은 복수의 축적 용량 라인 출력 단자(C <1>, C <2>, C <3> ,... ,C <m>) 중 대응하는 하나에 접속되어 있다. The output side of each of the plurality of buffer circuits BA21 to BA2m is connected to a corresponding one of the plurality of storage capacitor line output terminals C <1>, C <2>, C <3>, ..., C <m> Respectively.

이 축적 용량구동 회로의 구성에 있어서, 스위치 회로SW2(SW21∼SW2m), 래치 회로LA2(LA21∼LA2m), 및 버퍼 회로BA2(BA21∼BA2m)를 포함하는 내용에 대해서는, 도 2에 도시된 축적 용량구동 회로(12)와 동일하다.In the configuration of the storage capacitor driving circuit, the contents including the switch circuits SW2 (SW21 to SW2m), the latch circuits LA2 (LA21 to LA2m), and the buffer circuits BA2 (BA21 to BA2m) And is the same as the capacitance driving circuit 12.

도 6에 나타내는 축적 용량구동 회로(12A)가, 도 2에 나타내는 축적 용량구동 회로(12)과 구성상 다른 것은, 스위치 회로SW3(SW31∼SW3m)를 이용하고 있는 점이다. The storage capacitor driving circuit 12A shown in Fig. 6 differs from the storage capacitor driving circuit 12 shown in Fig. 2 in the point that a switch circuit SW3 (SW31 to SW3m) is used.

다시 말해, 도 2에 도시된 축적 용량구동 회로(12)에서는, 스위치 회로SW2(SW21∼SW2m)안의 각 MOS트랜지스터 게이트 신호로서, 게이트 선택 신호(Gate <n+2>, Gate <n+3> ,...)를 이용하고 있다. In other words, in the storage capacitor driving circuit 12 shown in Fig. 2, the gate selection signals Gate <n + 2> and Gate <n + 3> are used as gate signals of MOS transistors in the switch circuits SW2 (SW21 to SW2m) , ...) are used.

이와 달리, 도 6에 도시된 축적 용량구동 회로에서는, 스위치 회로SW3(SW31∼SW3m)가 래치 회로LA1(LA11∼LA1m)안의 짝수번째의 래치 회로(LA12, LA 4,…)의 출력신호(Q2, Q4, …) 및 4상 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 따라 스위치 회로SW2(SW21∼SW2m)의 MOS트랜지스터 게이트 신호를 생성하고 있다. 6, the switch circuits SW3 (SW31 to SW3m) output the output signals Q2 (LA1 to LA3m) of the even-numbered latch circuits LA12 to LA4m in the latch circuits LA1 Phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 and the MOS transistor gate signals of the switch circuits SW2 (SW21 to SW2m).

이 경우에, 스위치 회로SW3(SW31∼SW3m)안의 각 스위치는 4개의 단위로 구분되어 스위치 회로SW2의 게이트 신호를 생성한다. In this case, each switch in the switch circuit SW3 (SW31 to SW3m) is divided into four units to generate the gate signal of the switch circuit SW2.

예를 들면, 4개의 스위치 회로(SW31∼SW34)는, 래치 회로LA12의 출력신호 Q2 및 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 의해, 스위치 회로(SW21∼24)의 게이트 신호를 생성한다. 동일한 방식으로, 4개의 스위치 회로(SW35∼SW38)는, 래치 회로LA14의 출력신호 Q4 및 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 의해, 스위치 회로(SW25∼28)의 게이트 신호를 생성한다. For example, the four switch circuits SW31 to SW34 generate the gate signals of the switch circuits SW21 to 24 by the output signal Q2 of the latch circuit LA12 and the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 . In the same manner, the four switch circuits SW35 to SW38 generate the gate signals of the switch circuits SW25 to 28 by the output signal Q4 of the latch circuit LA14 and the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 .

(제2 실시예의동작)  (Operation of Second Embodiment)

그 다음에, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로의 동작에 대해서 도 7을 참조하면서 설명한다. Next, the operation of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

여기에서, 게이트 선택회로에 대해서는 상기 제1 실시예와 다른 점이 없으므로 상세한 설명은 생략한다. Here, the gate selection circuit is not different from the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

도 7에서, 횡방향은 시간으로 설정되고, 종방향에, 데이터 신호(Gdata)와, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1), 래치 회로(LA12)의 출력신호(Q2), 데이터 신호(Cdata), 게이트 선택 신호(Gate<1>), 축적 용량구동 신호(C<1>), 게이트 선택 신호(Gate <2>), 축적 용량구동 신호(C<2>), 게이트 선택 신호(Gate <3>), 축적 용량구동 신호(C<3>), 게이트 선택 신호(Gate <4>) 및 축적 용량구동 신호(C <4>)를 정렬시켜서 나타낸 것이다. 7, the horizontal direction is set as the time, and the data signal Gdata, the enable clock signal (enable 1, enable 2), the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck4, The output signal Q1 of the circuit LA11, the output signal Q2 of the latch circuit LA12, the data signal Cdata, the gate selection signal Gate <1>, the storage capacitor driving signal C <1> The gate selection signal Gate <2>, the storage capacitor driving signal C <2>, the gate selection signal Gate <3>, the storage capacitor driving signal C <3> ) And the storage capacitor driving signal (C < 4 >).

그리고, 도 7 에 도시한 바와 같이, 축적 용량구동 회로의 동작은, 상기 시프트레지스터 회로에 있어서의 래치 회로(LA12)의 출력(Q2)이 H수준이 되면, 스위치 회로SW3(SW31∼SW34)가 ON 상태로 되고, 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 의해 소정의 타이밍에서 스위치 회로SW2(SW21∼SW24)가 인에이블 된다. 7, when the output Q2 of the latch circuit LA12 in the shift register circuit becomes H level, the operation of the storage capacitor driving circuit causes the switch circuit SW3 (SW31 to SW34) The switch circuit SW2 (SW21 to SW24) is enabled at a predetermined timing by the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4.

스위치 회로SW2(SW21∼SW24)가 ON 상태로 되고, 축적 용량 데이터(Cdata)가 래치 회로LA2(LA21∼LA24)에 입력된다. The switch circuits SW2 (SW21 to SW24) are turned on, and the storage capacitance data Cdata is input to the latch circuits LA2 (LA21 to LA24).

그리고 보유된 각 래치 회로LA2(LA21∼LA24)의 출력은 버퍼 회로BA2(BA21∼BA24)에 전달되고, 축적 용량 라인 출력 단자(C <1>, C <2>, C <3>, C <4>)에 출력된다. The output of each held latch circuit LA2 (LA21 to LA24) is transferred to the buffer circuit BA2 (BA21 to BA24), and the storage capacitor line output terminals C <1>, C <2>, C <3> 4 &gt;).

한편, 상기 래치 회로LA2(LA21∼LA24)는 다음 프레임에서 다시 스위치 회로SW2(SW21∼SW24)가 인에이블 될 때까지, 축적 용량 데이터(Cdata)의 값을 계속해서 보유한다. On the other hand, the latch circuits LA2 (LA21 to LA24) continue to hold the value of the storage capacitance data (Cdata) until the switch circuit SW2 (SW21 to SW24) is enabled again in the next frame.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 축적 용량구동 회로의 래치 회로LA2에 대해서도, 2개의 인버터 회로로 구성된 버스형 래치 회로(도 20(B)을 참조)를 채용하고 있다. On the other hand, the latch circuit LA2 of the storage capacitor driving circuit in the second embodiment of the present invention employs a bus-type latch circuit (see Fig. 20 (B)) composed of two inverter circuits.

또, 상기 제1 실시 예에서, 래치 회로LA2의 데이터가 갱신되는 타이밍은 상기 게이트 선택회로의 게이트 출력이 H수준이 되는 기간이었던 것에 비해서, 제2 실시예에서 게이트 선택회로의 래치 회로(LA12)의 출력(Q2)이 H수준이 되고, 각 4상의클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)이 H수준이 되는 타이밍에 변경된다. 그러나 상기 제1 실시예와 동일한 효과가 얻어지는 것은 도 7에 도시된 파형도에 의해 명백하다. In the first embodiment, the timing at which the data in the latch circuit LA2 is updated is a period during which the gate output of the gate selection circuit becomes H level. In contrast, in the second embodiment, the latch circuit LA12 of the gate selection circuit, The output Q2 of the clock signal CK2 becomes H level and the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 of the four phases are changed to the H level. However, it is evident from the waveform diagram shown in Fig. 7 that the same effect as that of the first embodiment is obtained.

(제2 실시예에있어서의 효과)  (Effect in Second Embodiment)

본 발명의 제2 실시예에 있어서도, 게이트 선택 신호를 생성하기 위해서 래치 회로LA1의 출력신호가 복수개의 클록 신호를 선택 하기 위한 인에이블 신호로서 이용되어, 본 발명의 게이트 선택회로에서는 1게이트 출력당 0.5개 (4게이트 출력당 2개의 래치 회로)가 있으면, 동일한 기능을 구성하는 것이 가능하다. 제2 실시 예에서도 제1 실시예와 동일한 효과가 얻어진다. Also in the second embodiment of the present invention, the output signal of the latch circuit LA1 is used as an enable signal for selecting a plurality of clock signals in order to generate a gate selection signal. In the gate selection circuit of the present invention, If there are 0.5 (two latch circuits per 4 gate outputs), it is possible to configure the same function. The same effect as that of the first embodiment can be obtained also in the second embodiment.

또, 축적 용량구동 회로에서는, 1축적 용량구동 회로 출력당에 필요한 래치 회로수는 1개로 변함 없지만, 래치 회로LA2의 제어를 상기 게이트 선택회로에서 미리 구비되어 있는 래치 회로의 출력신호(Q2,Q4,…)과, 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 이용함으로써, 축적 용량구동 회로를 제어 하기 위한 제어신호를 별도 준비할 필요가 없어진다. In the storage capacitor driving circuit, the number of latch circuits required per output of the one-storage capacitor driving circuit is not changed to one, but the control of the latch circuit LA2 is controlled by the output signals Q2 and Q4 , ...) and the four-phase clock signals (Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), there is no need to separately prepare a control signal for controlling the storage capacitor driving circuit.

또 종래의 래치 회로 구성과 달리 버스형 래치 회로를 적용 함으로써, 회로 소자수를 감소시키는 것이 가능하게 되고, 축적 용량구동 회로에 대해서도 전체적인 회로 면적의 감소가 가능하게 된다. Further, unlike the conventional latch circuit configuration, by applying the bus-type latch circuit, it is possible to reduce the number of circuit elements, and the overall circuit area can be reduced also for the storage capacitor driving circuit.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 종래의 회로와 동일한 기능을 유지한 채, 전체적인 회로 면적의 감소가 가능해 지고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈를 감소시킬 수 있게된다. As described above, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the second embodiment of the present invention, the overall circuit area can be reduced while maintaining the same function as the conventional circuit, and as a result, The size of the frame of the liquid crystal panel can be reduced.

[제3 실시예] [Third Embodiment]

본 발명의 제3 실시예에 관계되는 액정 패널의 구동장치의 구성을 도 8에 나타낸다. Fig. 8 shows a structure of a driving apparatus for a liquid crystal panel according to the third embodiment of the present invention.

도 8에 나타내는 제3 실시예의 구동장치(22)는, 게이트 선택회로(11B) 및 축적 용량구동 회로(12B)로 구성된다. The driving device 22 of the third embodiment shown in Fig. 8 is composed of a gate selecting circuit 11B and a storage capacitor driving circuit 12B.

게이트 선택회로(11B)는, 래치 회로LA1(LA11∼LA1m), 스위치 회로SW1, 및 버퍼 회로BA1를 포함한다. The gate selection circuit 11B includes latch circuits LA1 (LA11 to LA1m), a switch circuit SW1, and a buffer circuit BA1.

한편, 클록 발생 회로(110)를 내장하는 신호 제어 회로부(101)를 포함시켜서 게이트 선택회로라고 부르는 경우도 있다. On the other hand, the signal control circuit portion 101 incorporating the clock generating circuit 110 may be referred to as a gate selecting circuit.

또, 축적 용량구동 회로(12B)는, 스위치 회로(SW2,SW3), 래치 회로LA2, 및 버퍼 회로BA2를 포함한다. The storage capacitor driving circuit 12B includes switch circuits SW2 and SW3, a latch circuit LA2, and a buffer circuit BA2.

도 8에 도시된 제3 실시예의 구동장치(22)가, 도 6에 도시된 제2 실시예의구동장치(21)와 구성상 다른 것은, 도 6에 도시된 회로에 트랜스퍼 게이트(TG 1,TG2)로 구성된 쌍방향전환 회로(EXC)(파선 타원으로 둘러싸여진 부분)을, 래치 회로LA1(보다 정확하게는 LA 11,LA 13,… ,LA1m-1)의 입력측에 새로 추가한 점이며, 다른 구성은 도 6에 나타내는 회로와 동일하다. The drive device 22 of the third embodiment shown in Fig. 8 differs from the drive device 21 of the second embodiment shown in Fig. 6 in that the transfer gates TG1 and TG2 Is a point newly added to the input side of the latch circuit LA1 (more precisely, LA11, LA13, ..., LA1m-1) which is a bidirectional switching circuit EXC Is the same as the circuit shown in Fig.

다시 말해, 도 8에 도시된 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로에서는, 래치 회로(LA 11,LA 13,… ,LA1m-1)(홀수번째의 래치 회로)에 입력되는 데이터 신호를 선택하고, 시프트레지스터의 전송 방향을 결정하기 위한 2개의 트랜스퍼 게이트(TG1, TG2)로 이루어진 쌍방향전환 회로(EXC), 이 쌍방향전환 회로(EXC)를 제어 하기 위한 제어신호(UD, UDB)가 추가되었다. In other words, in the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit shown in Fig. 8, the data signal inputted to the latch circuits (LA11, LA13, ..., LA1m-1) (odd-numbered latch circuits) A bidirectional switching circuit EXC consisting of two transfer gates TG1 and TG2 for determining the transfer direction of the register and control signals UD and UDB for controlling the bidirectional switching circuit EXC are added.

이와 같이, 도 8에 도시된 구성은, 도 6에 나타낸 제2 실시예에 있어서의 게이트 선택회로에, 상기 쌍방향전환 회로(EXC)를 부가한 구성과 동등하며, 이로 인하여, 동일한 구성 부분에는 동일한 부호가 부여되고, 중복되는 설명은 생략한다. 8 is equivalent to the configuration in which the bidirectional switching circuit EXC is added to the gate selection circuit in the second embodiment shown in Fig. 6, and therefore, And the description thereof is omitted.

도 9는 클록 신호변환 회로(114)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 8에 나타낸 시프트레지스터 회로(LA11∼LA1m)의 쌍방향전송을 실현하기 위해서, 클록 신호변환 회로(114)는 상기 제어신호(UD, UDB)의 상태와 동기되고, 4상 클록의 위상을 반전시키기 위한 회로다. 9 is a diagram showing a configuration of the clock signal conversion circuit 114. In Fig. In order to realize the bidirectional transfer of the shift register circuits LA11 to LA1m shown in Fig. 8, the clock signal conversion circuit 114 is synchronized with the states of the control signals UD and UDB and inverts the phase of the four-phase clock Circuit.

이 클록 신호변환 회로(114)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 신호 제어 회로부(101)의 클록 발생 회로(110)안에 설치되어 있다. The clock signal conversion circuit 114 is provided in the clock generation circuit 110 of the signal control circuit portion 101 as shown in Fig.

도9(A)에 도시한 바와 같이, 클록 신호변환 회로(114)에서, 트랜스퍼 게이트(TG11)및 트랜스퍼 게이트(TG12)는 출력측이 공통 접속되고, 트랜스퍼 게이트(TG11)의 입력측에는 클록 신호(CK1_a)가 입력되며, 제어 단자(/φ)에 신호(UDB)가 입력되고, 제어 단자(φ)에는 신호(UD)가 입력된다. 9A, in the clock signal conversion circuit 114, the output sides of the transfer gate TG11 and the transfer gate TG12 are connected in common, and the input side of the transfer gate TG11 is connected with the clock signal CK1_a And the signal UDB is input to the control terminal phi and the signal UD is input to the control terminal phi.

또, 트랜스퍼 게이트(TG12)의 입력측에는, 클록 신호(CK4_a)가 입력되고, 제어 단자(/φ)에 신호(UD)가 입력되며, 제어 단자(φ)에는 신호(UDB)가 입력된다. The clock signal CK4_a is input to the input terminal of the transfer gate TG12 and the signal UD is input to the control terminal / φ and the signal UDB is input to the control terminal φ.

그리고, 트랜스퍼 게이트(TG11, TG12)의 공통 접속된 출력측에는, 신호(UD, UDB)의 신호 레벨에 따라, 클록 신호(Ck1_a) 또는 클록 신호(Ck4_a) 중 어느 하나의 신호가 선택되어서 출력된다. Any one of the clock signal Ck1_a and the clock signal Ck4_a is selected and output on the commonly connected output side of the transfer gates TG11 and TG12 according to the signal level of the signals UD and UDB.

이 선택된 신호가 버퍼 회로BA3를 통해서, 클록 신호Ck1로서 출력된다. The selected signal is output as the clock signal Ck1 through the buffer circuit BA3.

출력측이 공통 접속되는 트랜스퍼 게이트(TG21, TG22)도 트랜스퍼 게이트(TG11, TG12)와 동일하게, 신호(UD, UDB)의 신호 레벨에 따라, 클록 신호(Ck2_a) 또는 클록 신호(Ck3_a) 중 어느 하나가 선택되어서 출력되고, 이 선택된 신호가 버퍼 회로BA3를 통해서, 클록 신호Ck2로서 출력된다. The transfer gates TG21 and TG22 to which the output sides are connected in common can be either one of the clock signal Ck2_a or the clock signal Ck3_a depending on the signal level of the signals UD and UDB in the same manner as the transfer gates TG11 and TG12 And the selected signal is output as the clock signal Ck2 through the buffer circuit BA3.

동일한 방식으로, 출력측이 공통 접속되는 트랜스퍼 게이트(TG31, TG32)도 신호(UD, UDB)의 신호 레벨에 따라, 클록 신호(Ck3_a 또는 클록 신호Ck2_a) 중 어느 하나가 선택되어서 출력되고, 이 선택된 신호가 버퍼 회로BA3를 통해서, 클록 신호(Ck3)로서 출력된다. The transfer gates TG31 and TG32 to which the output sides are commonly connected also select either the clock signal Ck3_a or the clock signal Ck2_a according to the signal level of the signals UD and UDB and output the selected signal Is outputted as the clock signal Ck3 through the buffer circuit BA3.

또, 출력측이 공통 접속되는 트랜스퍼 게이트(TG41, TG42)도 신호(UD, UDB)의 신호 레벨에 따라, 클록 신호(Ck4_a) 또는 클록 신호(Ck1_a) 중 어느 하나가 선택되어서 출력되고, 이 선택된 신호가 버퍼 회로BA3을 통해서, 클록 신호Ck4로서 출력된다. The transfer gates TG41 and TG42 to which the output sides are commonly connected also select either the clock signal Ck4_a or the clock signal Ck1_a according to the signal level of the signals UD and UDB and output the selected signal Is outputted as the clock signal Ck4 through the buffer circuit BA3.

상기 구성의 클록 신호변환 회로에 의해, 도 9(B)에 도시한 바와 같이, 신호(UD)가 H수준, 신호(UDB)이 L수준의 상태에 있어서는, 입력 클록 신호 CK1_a, CK2_a, CK3_a, 및 CK4_a의 위상순에 따른 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)가 출력된다. As shown in Fig. 9 (B), when the signal UD is at the H level and the signal UDB is at the L level, the input clock signals CK1_a, CK2_a, CK3_a, And the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 according to the phase order of CK4_a.

한편, 신호(UD)가 L수준, 신호(UDB)이 H수준의 상태에 있어서는, 입력 클록 신호 CK1_a, CK2_a, CK3_a, 및 CK4_a의 위상순을 반전시킨 위상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)가 출력된다. On the other hand, when the signal UD is at the L level and the signal UDB is at the H level, the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck3, and Ck4 are inverted in phase order of the input clock signals CK1_a, CK2_a, CK3_a, Ck4 are output.

(제3 실시예의 동작) (Operation of Third Embodiment)

본 발명의 제3 실시예에 있어서의 게이트 선택회로의 동작에 대해서 도 10을 참조하면서 설명한다. The operation of the gate selection circuit in the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 10에 나타내는 타이밍 차트에서는, 횡방향은 시간으로 설정하고, 종방향에, 래치 회로LA1에 입력되는 데이터 신호(Gdata)와, 인에이블 클록 신호(인에이블1), 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), 축적 용량구동 회로에 입력되는 데이터 신호(Cdata), 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1) 또는 래치 회로LA1m-1의 출력신호Qm-1), 래치 회로(LA21)의 출력신호(Q2) 또는 래치 회로(LA1m)의 출력신호(Qm), 신호(UD) 및 신호(UDB), 게이트 선택 신호(Gate <1>), 축적 용량구동 신호(C <1>), 게이트 선택 신호(Gate <2>), 축적 용량구동 신호(C <2>), 게이트 선택 신호(Gate <3>), 축적 용량구동 신호(C <3>), 게이트 선택 신호(Gate <4>), 축적 용량구동 신호(C <4>), 게이트 선택 신호(Gate <m-3>), 축적 용량구동 신호(C <m-3>), 게이트 선택 신호(Gate <m-2>), 축적 용량구동 신호(C <m-2>), 게이트 선택 신호(Gate <m-1>), 축적 용량구동 신호(C <m-1>), 게이트 선택 신호(Gate <m>), 및 축적 용량구동 신호(C <m>)를 정렬시켜서 나타내고 있다. In the timing chart shown in Fig. 10, the horizontal direction is set as time and the data signal Gdata input to the latch circuit LA1, the enable clock signal (enable 1), the clock signals Ck1, Ck2, The output signal Q1 of the latch circuit LA11 or the output signal Qm-1 of the latch circuit LA1m-1), the output of the latch circuit LA21 The output signal Qm of the signal Q2 or the latch circuit LA1m, the signal UD and the signal UDB, the gate selection signal Gate <1>, the storage capacitor driving signal C <1> A gate selection signal Gate <3>, a storage capacitance driving signal C <3>, a gate selection signal Gate <4>, a gate selection signal Gate <2> M + 3>, the gate selection signal Gate <m-2>, the storage capacitor driving signal C <4>, the gate selection signal Gate < The driving signal C <m-2>, the gate selection signal Gate <m-1> The signal C <m-1>, the gate selection signal Gate <m>, and the storage capacitor driving signal C <m>.

도 10에 도시된 바와 같이, 상기 쌍방향전환 회로(EXC)는, 상기 시프트레지스터 회로(래치 회로LA1(LA11∼LA1m))의 전송 방향을 전환하는 기능을 구비하고 있다. As shown in Fig. 10, the bidirectional switching circuit EXC has a function of switching the transfer direction of the shift register circuit (the latch circuits LA1 (LA11 to LA1m)).

다시 말해, 게이트 선택회로의 전송 방향을 Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> ,… ,Gate <8>,...과 같이 전송할 경우에는, 신호(UD)가 H수준 「UD=H」, 신호(UDB)이 L수준 「UDB=L」이 되고, 쌍방향전환 회로(EXC)의 TG1이 각각 ON상태, TG2가 오프 상태로 되고, 도 8에 나타내는 좌측단의 래치 회로(LA11)에 신호 데이터(Gdata)가 입력된다. In other words, the transfer direction of the gate selection circuit is Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>, ... The signal UD is at the H level "UD = H", the signal UDB is at the L level "UDB = L", and the signal UDB of the bidirectional switching circuit EXC TG1 are turned on and TG2 is turned off, and the signal data Gdata is input to the latch circuit LA11 at the left end shown in Fig.

그리고 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 동기해서 순차적으로 출력 신호Q1, Q2, Q3, Q4,...와 같이 데이터가 전송된다. Data is sequentially transmitted in the form of output signals Q1, Q2, Q3, Q4, ... in synchronization with the enable clock signals (enable 1 and enable 2).

예를 들면, 기간 t1∼t2에 있어서, 게이트 선택 신호 Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>의 순서로 게이트 선택 신호들이 출력된다. For example, gate selection signals Gate <1>, Gate <2>, Gate <3> and Gate <4> are output in the order of gate selection signals Gate 1, Gate 2 and Gate 4 in the period from t1 to t2.

반대로 게이트 선택회로의 전송 방향을 ..., Gate <8> ,… ,Gate <4>, Gate <3>, Gate <2>, Gate <1>과 같이 할 경우에는, 신호(UD)가 L수준 「UD=L」, 신호(UDB)이 H수준 「UDB=H」이 된다. 그러면, 쌍방향전환 회로(EXC)의 TG2이 각각 ON상태, TG1이 오프 상태로 되고, 우측단으로부터 2번째의 래치 회로(LA1m-1)에 신호 데이터(Gdata)가 입력되고, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 동기해서 순차적으로 Qm-1, Qm,...의 순서대로 데이터가 전송된다. Conversely, if the transfer direction of the gate selection circuit is ..., Gate <8>, ... The signal UD is at the L level "UD = L", the signal UDB is at the H level "UDB = H", and the signal UDB is at the H level when Gate < . Then, TG2 of the bidirectional switching circuit EXC is turned on, TG1 is turned off, signal data Gdata is input to the second latch circuit LA1m-1 from the right end, and the enable clock signal 1, Qm,... Sequentially in synchronization with the enable signal (enable 1, enable 2).

예를 들면, 시각t3∼t4에 있어서, 게이트 선택 신호 Gate <m>, Gate <m-1>, Gate <m-2>, Gate <m-3>의 순서로 게이트 선택 신호들이 출력된다. For example, gate selection signals are outputted in the order of the gate selection signals Gate <m>, Gate <m-1>, Gate <m-2>, and Gate <m-3> at time t3 to t4.

한편, 각 래치 출력으로부터 게이트 선택 신호가 출력될때 까지의 동작에 대해서는, 상기 제1 실시예 및 상기 제2 실시예와 동일하다. On the other hand, the operation from the latch output to the output of the gate selection signal is the same as in the first embodiment and the second embodiment.

또, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 축적 용량구동 회로의 동작에 대해서도, 상기 실시예 2와 동일하기 때문에, 여기서는 상세한 설명은 생략한다. The operation of the storage capacitor driving circuit in the third embodiment of the present invention is also the same as that of the second embodiment, and therefore, detailed description thereof will be omitted here.

(제3 실시예에 있어서의 효과) (Effects in the Third Embodiment)

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시예 에서는 제2 실시예의 기능에 더하여, 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로의 전송 방향을 전환하는 것이 가능하게 된다. As described above, in the third embodiment, in addition to the functions of the second embodiment, it is possible to switch the transfer direction of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit.

또한, 게이트 선택 신호를 생성하기 위해서 이용되고 있는 래치 회로LA1를 복수개의 클록 신호를 선택 하기 위한 인에이블 신호로서 이용함으로써, 본 발명의 게이트 선택회로에서는 1게이트 출력당 0.5개 (4게이트 출력당 2개의 래치 회로)가 있으면, 동일한 기능을 구성하는 것이 가능하게 되는 때문에, 제1 실시예 및 제2 실시예와 동일한 효과가 얻어진다. Further, by using the latch circuit LA1 used for generating the gate selection signal as an enable signal for selecting a plurality of clock signals, the gate selection circuit of the present invention is capable of generating 0.5 (4 Latch circuits), it is possible to configure the same functions, and therefore, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

또, 축적 용량구동 회로 에서는, 1축적 용량구동 회로 출력당에 필요한 래치 회로 개수는 1개로 변함 없지만, 래치 회로LA2의 제어를 상기 게이트 선택회로에 미리 구비되어 있는 래치 회로의 출력신호 Q2, Q4… 및 상기 4상의 클록 신호를 이용함으로써, 축적 용량구동 회로를 제어 하기 위한 제어신호를 별도로 준비할 필요가 없어진다. In the storage capacitor driving circuit, the number of latch circuits required per output of the one-storage capacitor driving circuit is not changed to one, but control of the latch circuit LA2 is controlled by the output signals Q2, Q4, ..., And by using the four-phase clock signal, there is no need to separately prepare a control signal for controlling the storage capacitor driving circuit.

또 종래 래치 구성으로부터 버스형 래치 회로를 적용 함으로써, 회로 소자수를 삭감하는 것이 가능하게 되고, 축적 용량구동 회로에 대해서도 전체적인 회로 면적의 삭감이 가능하게 된다. Further, by applying the bus-type latch circuit from the conventional latch structure, the number of circuit elements can be reduced, and the overall circuit area can be reduced also for the storage capacitor driving circuit.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 종래의 회로와 동일한 기능을 유지하면서, 전체적인 회로 면적의 삭감을 할 수 있고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈의 감소에 기여하는 것이 가능하게 된다. As described above, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the third embodiment of the present invention, it is possible to reduce the overall circuit area while maintaining the same function as the conventional circuit, and as a result, It is possible to contribute to the reduction of the size of the frame of the liquid crystal panel.

본 발명의 제4 실시예에 관계되는 액정 패널의 구동장치의 구성은 도 11에 도시되어 있다.  The structure of the driving apparatus for the liquid crystal panel according to the fourth embodiment of the present invention is shown in Fig.

도 11에 나타내는 제4 실시예의 구동장치(23)은, 게이트 선택회로(11C) 및 축적 용량구동 회로(12C)를 포함한다. The driving apparatus 23 of the fourth embodiment shown in Fig. 11 includes a gate selecting circuit 11C and a storage capacitor driving circuit 12C.

게이트 선택회로(11C)은, 래치 회로LA1(LA11∼LA1m), 쌍방향전환 회로(EXC), 부분표시 회로(DP1), 스위치 회로(SW1), 및 버퍼 회로(BA1)를 포함한다. 한편, 클록 발생 회로(110)를 내장하는 신호 제어 회로부(101)를 포함시켜서 게이트 선택회로라고 부를 수도 있다. The gate selection circuit 11C includes a latch circuit LA1 (LA11 to LA1m), a bidirectional switching circuit EXC, a partial display circuit DP1, a switch circuit SW1, and a buffer circuit BA1. On the other hand, the signal control circuit portion 101 incorporating the clock generation circuit 110 may be included and be referred to as a gate selection circuit.

또, 축적 용량구동 회로(12C)는, 부분표시 회로DP2, 스위치 회로SW2, 스위치 회로SW3, 래치 회로LA2, 및 버퍼 회로BA2를 포함한다. The storage capacitor driving circuit 12C includes a partial display circuit DP2, a switch circuit SW2, a switch circuit SW3, a latch circuit LA2, and a buffer circuit BA2.

도 11에 나타내는 구동장치(23)에서는, 게이트 선택회로(11C)과, 축적 용량구동 회로(12C)이, 래치 회로LA1의 각각 대응해서 교대로 배치된다. In the driving device 23 shown in Fig. 11, the gate selection circuit 11C and the storage capacitor driving circuit 12C are arranged alternately corresponding to the latch circuit LA1.

도 11에 도시된 제4 실시예의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로가, 도 8에 나타내는 제2 실시예의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로와 구성상 다른 것은, 도 8에 나타내는 회로에, 부분표시회로(DP1∼DPm)를 새로 추가한 점이며, 다른 구성은 도 8에 나타내는 제3 실시 예와 동일하다. The gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the fourth embodiment shown in Fig. 11 are different from the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the second embodiment shown in Fig. 8 in the configuration shown in Fig. Circuits DP1 to DPm are newly added, and the other configurations are the same as those of the third embodiment shown in Fig.

다시 말해, 본 발명의 제4 실시 예에 있어서의 회로 구성은 본 발명의 제3 실시예에있어서의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로에, 상기 부분표시 회로(DP1∼DPm)를 부가한 구성과 동일하다. 이 때문에, 도 8에 나타내는 회로와 동일한 구성 부분과 중복되는 설명은 생략한다. In other words, the circuit configuration in the fourth embodiment of the present invention is different from the configuration in which the partial display circuits DP1 to DPm are added to the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the third embodiment of the present invention same. Therefore, the description of the same components as those of the circuit shown in Fig. 8 will be omitted.

도 11에 있어서, 홀수번째의 부분표시 회로 DP1, DP3,...는, NAND 회로와 인버터 회로가 직렬로 접속되어서 구성된다. In Fig. 11, odd-numbered partial display circuits DP1, DP3, ... are constituted by connecting a NAND circuit and an inverter circuit in series.

그리고, 예를 들면, 부분표시 회로DP1에 대해서는, NAND 회로(NAND21)의 한 쪽 입력단자에는 신호(Part1)이 입력되고, 다른 쪽의 입력단자에는 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1)이 입력된다. For example, with respect to the partial display circuit DP1, the signal Part1 is inputted to one input terminal of the NAND circuit NAND21 and the output signal Q1 of the latch circuit LA11 is input to the other input terminal thereof .

NAND 회로(NAND21)의 출력신호는 인버터 회로(INV21)을 통해서, 스위치 회로SW1에 입력되고, 인버터 회로(INV21)의 출력은 스위치 회로SW1안의 각 MOS트랜지스터의 공통 게이트 신호가 된다. The output signal of the NAND circuit NAND21 is input to the switch circuit SW1 through the inverter circuit INV21 and the output of the inverter circuit INV21 becomes the common gate signal of each MOS transistor in the switch circuit SW1.

또, 짝수번째의 부분표시 회로 DP2, DP4,...는, NAND 회로와 인버터 회로가 직렬로 접속되어서 구성된다. The even-numbered partial display circuits DP2, DP4, ... are constituted by connecting a NAND circuit and an inverter circuit in series.

그리고, 예를 들면, 부분표시 회로DP2에 대해서는, NAND 회로(NAND22)의 한 쪽 입력단자에는 신호(Part2)가 입력되고, 다른 쪽의 입력단자에는 래치 회로(LA12)의 출력신호(Q2)가 입력된다. For example, for the partial display circuit DP2, the signal Part2 is inputted to one input terminal of the NAND circuit NAND22 and the output signal Q2 of the latch circuit LA12 is input to the other input terminal thereof .

NAND 회로(NAND22)의 출력신호는 인버터 회로(INV22)를 통해서, 스위치 회로SW3에 입력되고, 인버터 회로(INV22)의 출력은 스위치 회로SW3 안의 각 MOS트랜지스터의 공통 게이트 신호가 된다. The output signal of the NAND circuit NAND22 is input to the switch circuit SW3 via the inverter circuit INV22 and the output of the inverter circuit INV22 becomes the common gate signal of each MOS transistor in the switch circuit SW3.

(제4 실시예의 동작) (Operation of Fourth Embodiment)

제4 실시 예에 있어서의 게이트 선택회로의 동작에 대해서, 도 12을 참조하면서 설명한다. The operation of the gate selection circuit in the fourth embodiment will be described with reference to Fig.

도 12에 나타내는 타이밍 차트에서는, 횡방향은 시간으로 설정되고, 종방향에, 래치 회로LA1에 입력되는 데이터 신호(Gdata)와, 인에이블 클록 신호(인에이블1), 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4), 축적 용량구동 회로에 입력되는 데이터 신호(Cdata), 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1) 또는 래치 회로(LA1m-1)의 출력신호(Qm-1), 래치 회로(LA12)의 출력신호(Q2) 또는 래치 회로(LA1m)의 출력신호(Qm), 신호(UD), 신호(Part1, Part2), 게이트 선택 신호(Gate <1>), 축적 용량구동 신호(C<1>), 게이트 선택 신호(Gate<2>), 축적 용량구동 신호(C<2>), 게이트 선택 신호(Gate<3>), 축적 용량구동 신호(C<3>), 게이트 선택 신호(Gate<4>), 축적 용량구동 신호(C<4>), 게이트 선택 신호(Gate<m-3>), 축적 용량구동 신호(C<m-3>), 게이트 선택 신호(Gate<m-2>), 축적 용량구동 신호(C<m-2>)과, 게이트 선택 신호(Gate<m-1>), 축적 용량구동 신호(C<m-1>), 게이트 선택 신호(Gate<m>), 및 축적 용량구동 신호(C<m>)를 정렬시켜서 나타내고 있다. In the timing chart shown in Fig. 12, the horizontal direction is set as time, and the data signal Gdata input to the latch circuit LA1, the enable clock signal (enable 1), the clock signals Ck1, Ck2, The output signal Q1 of the latch circuit LA11 or the output signal Qm-1 of the latch circuit LA1m-1, the latch circuit LA12 The output signal Q2 of the latch circuit LA1m or the output signal Qm of the latch circuit LA1m, the signal UD, the signals Part1 and Part2, the gate selection signal Gate <1> >, The gate selection signal Gate <2>, the storage capacitor driving signal C <2>, the gate selection signal Gate <3>, the storage capacitor driving signal C <3> M <3>), the storage capacitor driving signal C <4>, the gate selecting signal Gate <m-3>, the storage capacitor driving signal C < >, The storage capacitor driving signal C <m-2>, the gate selection signal Gate <m-1> The signal C <m-1>, the gate selection signal Gate <m>, and the storage capacitor driving signal C <m>.

상기 시프트레지스터의 전송 방향의 전환에 관한 동작에 대해서는, 제3 실시예와동일하므로, 상세한 설명은 생략하고, 여기서는 상기 부분표시 회로(DP1) 및 부분표시 회로(DP2)의 기능에 관계되는 동작에 대하여 설명한다. Since the operation of switching the transfer direction of the shift register is the same as that of the third embodiment, a detailed description thereof will be omitted. Here, operations related to the functions of the partial display circuit DP1 and the partial display circuit DP2 .

도 12에 도시된 신호(Part1)가 H수준의 경우, 래치 회로(LA11)의 출력신호(Q1)에 의해 인에이블된 스위치 회로SW1은 ON 상태로 되고, 4상의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)는 소정의 게이트 선택 신호로서 출력된다. When the signal Part1 shown in Fig. 12 is at the H level, the switch circuit SW1 enabled by the output signal Q1 of the latch circuit LA11 is turned on, and the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3 , Ck4 are outputted as a predetermined gate selection signal.

이에 비해, 신호(Part1)가 L수준의 경우, 게이트 선택회로(11C)는 오프 상태로 되고, 게이트 선택 신호(Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4>)는 출력되지 않는다. In contrast, when the signal Part1 is at the L level, the gate selection circuit 11C is turned off and the gate selection signals Gate <1>, Gate <2>, Gate <3>, Gate <4> No output.

도 12의 도면 부호a로 표시된 빗금 부분으로 나타낸 타이밍을 참조한다. Reference is made to the timing indicated by the hatched portion denoted by a in Fig. 12.

기간 t1∼t2의 사이에 있어서, 신호(Part1)가 L수준이 되는 것에 의해, 게이트 선택 신호Gate <2>과 Gate <3> (도면 부호a로 나타낸 빗금 부분)는 출력되지 않는다. During the period from t1 to t2, since the signal Part1 becomes the L level, the gate selection signals Gate < 2 > and Gate < 3 > (shaded portions indicated by the reference symbol a) are not output.

이렇게 신호(Part1)의 논리 에 따라 스위치 회로의 상태를 게이트 라인마다 제어하는 것이 가능하게 되고, 원하는 게이트 라인만을 선택해서 출력 시킬 수 있다. In this manner, the state of the switch circuit can be controlled for each gate line in accordance with the logic of the signal Part1, and only a desired gate line can be selected and output.

이러한 기능은 액정 패널을 부분표시시키기 위해서 필요한 기능이며, 본 발명의 제4 실시예와 같은 구성을 취하는 것에 의해 실현된다. This function is a function necessary for partially displaying the liquid crystal panel and is realized by taking the same configuration as the fourth embodiment of the present invention.

마찬가지로, 축적 용량구동 회로에 있어서도, 부분표시 회로(DP2)에 의해 원하는 축적 용량 출력만 데이터를 갱신하는 것이 가능하게 된다. Similarly, also in the storage capacitor driving circuit, the partial display circuit DP2 makes it possible to update only the data of the desired storage capacitor output.

도 12의 도면 부호 "Hold"로 표시된 빗금 부분으로 나타낸 타이밍을 참조한다.Reference is made to the timing indicated by the hatched portion denoted by the reference numeral "Hold" in Fig.

기간 t2∼t3에 있어서, 신호(Part2)가 L수준이 되는 것에 의해, 축적 용량구동 신호(C<2>, C<3>)가 변화되지 않고, Hold 상태로 된다 (부호Hold로 나타내는 부분).  In the period from t2 to t3, the signal Part2 becomes the L level, and the storage capacitor driving signals C < 2 >, C < 3 & .

한편, 축적 용량구동 회로에서는 래치 회로LA2에 의해 출력의 상태 유지되고 있으므로, 부분표시의 기능에 의해 갱신되지 않은 래치 회로LA2의 래치 데이터는 다음 프레임에도 보유된다. On the other hand, in the storage capacitor driving circuit, since the output state is maintained by the latch circuit LA2, the latch data of the latch circuit LA2 which is not updated by the partial display function is also held in the next frame.

(제4 실시예에 있어서의 효과) (Effect in the fourth embodiment)

이상 설명한 바와 같이, 제4 실시예 에서는 제3 실시예의 기능에 부분표시의 기능을 더한 것이다. As described above, in the fourth embodiment, the function of the third embodiment is added to the function of the partial display.

게이트 선택 신호를 생성하기 위해서 이용되고 있는 래치 회로LA1의 출력 신호가 복수개의 클록 신호를 선택 하기 위한 인에이블 신호로서 이용됨으로써, 본 발명의 게이트 선택회로는 1게이트 출력당 0.5개 (4게이트 출력당 2개의 래치 회로)가 있으면, 종래와 같은 기능을 구성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 제1 실시 예, 제2 및 제3과 동일한 효과가 얻어진다. The output signal of the latch circuit LA1 used for generating the gate selection signal is used as an enable signal for selecting a plurality of clock signals so that the gate selection circuit of the present invention has 0.5 Two latch circuits), it is possible to configure a function as in the prior art. Therefore, the same effects as those of the first embodiment, the second and third embodiments are obtained.

또, 축적 용량구동 회로에 있어서 상기 실시예와 마찬가지로, 축적 용량구동 회로를 제어 하기 위한 제어신호를 별도 준비할 필요가 없어진다. In addition, in the storage capacitor driving circuit, it is not necessary to separately prepare a control signal for controlling the storage capacitor driving circuit as in the above embodiment.

또 종래 래치 구성으로부터 버스형 래치 회로를 적용 함으로써, 회로 소자수를 삭감하는 것이 가능하게 되고, 축적 용량구동 회로에 대해서도 전체적인 회로 면적의 삭감이 가능하게 된다. Further, by applying the bus-type latch circuit from the conventional latch structure, the number of circuit elements can be reduced, and the overall circuit area can be reduced also for the storage capacitor driving circuit.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 있어서의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 종래의 회로와 동일한 기능을 유지하면서, 전체적인 회로 면적의 삭감을 할 수 있고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈의 감소에 기여하는 것이 가능하게 된다. As described above, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit in the fourth embodiment of the present invention, it is possible to reduce the overall circuit area while maintaining the same function as the conventional circuit, and as a result, It is possible to contribute to the reduction of the size of the frame of the liquid crystal panel.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는, 휴대 정보 단말기등에 이용하는 전기광학장치(액티브 매트릭스형 액정 패널)의 게이트 선택회로에 있어서, 적어도 4상이상의 복수개의 클록 신호 및 인에이블 클록 신호를 발생시키는 클록 발생 회로, 상기 클록 발생 회로에 의해 작성된 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 의해 제어되어 시프트레지스터 동작을 행하는 복수개의 래치 회로와, 상기 래치 회로로의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 스위치 회로를 구비하고 있다. As described above, in the present invention, in the gate selection circuit of the electro-optical device (active matrix type liquid crystal panel) used in a portable information terminal or the like, the clock selection circuit includes a clock generation circuit A plurality of latch circuits controlled by enable clock signals (enable 1, enable 2) generated by the clock generating circuit to perform a shift register operation, and a plurality of latch circuits which are enabled by an output signal to the latch circuit And a switch circuit.

상기 클록 발생 회로에 의해 생성된 복수개의 클록 신호가, 상기 래치 회로로의 출력신호에 의해, 게이트 선택 신호로서 순차 출력되도록 구성함으로써, 게이트 선택회로 전체의 회로 규모를 감소시킨다. The plurality of clock signals generated by the clock generation circuit are sequentially output as the gate selection signal by the output signal to the latch circuit, thereby reducing the circuit scale of the entire gate selection circuit.

또, 액정 패널의 화소회로의 축적 용량을 구동 하기 위한 축적 용량구동 회로에 있어서, 상기 게이트 선택 신호출력을 축적 용량구동 회로내의 래치 회로용 인에이블 신호로서 사용 함으로써, 축적 용량구동 회로의 구동에 필요한 제어신호를 감소시킨다. In the storage capacitor driving circuit for driving the storage capacitor of the pixel circuit of the liquid crystal panel, by using the gate selection signal output as the latch circuit enable signal in the storage capacitor driving circuit, it is necessary to drive the storage capacitor driving circuit Decreasing the control signal.

또 축적 용량구동 회로의 래치 회로에 버스형 래치 회로를 적용 함으로써, 전체의 회로 면적을 감소 시킬 수 있다. Further, by applying the bus-type latch circuit to the latch circuit of the storage capacitor driving circuit, the whole circuit area can be reduced.

한편, 여기에서, 본 발명과 상기 실시예와의 대응 관계에 대해서 보충 설명한다. Here, the correspondence relationship between the present invention and the above embodiment will be supplementarily described.

본 발명의 액정 패널의 구동장치는, 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로와로 구성된다. A driving apparatus for a liquid crystal panel according to the present invention comprises a gate selection circuit and a storage capacitor driving circuit.

그리고, 본 발명의 액정 패널의 구동장치는, 구동장치(21, 22, 23)이 대응한다. The driving device of the liquid crystal panel of the present invention corresponds to the driving devices 21, 22, and 23.

또, 본 발명의 게이트 선택회로는, 게이트 선택회로(11, 11A, 11B, 11C)이 대응하고, 본 발명의 축적 용량구동 회로는, 축적 용량구동 회로(12, 12A, 12B, 12C)이 대응한다. The gate selection circuit (11, 11A, 11B, 11C) corresponds to the gate selection circuit of the present invention and the storage capacitor drive circuit of the present invention corresponds to the storage capacitor drive circuit (12, 12A, 12B, 12C) do.

한편, 게이트 선택회로(11, 11A, 11B, 11C)에는, 도 15에 나타내는 클록 발생 회로(110)를 포함할 수 있다. On the other hand, the gate selection circuits 11, 11A, 11B, and 11C may include the clock generation circuit 110 shown in Fig.

또, 본 발명에 있어서의 클록 발생 회로는, 클록 발생 회로(110)(도 1 5을 참조)에 대응한다. The clock generation circuit in the present invention corresponds to the clock generation circuit 110 (refer to Fig. 15).

또 본 발명에 있어서의 제1 래치 회로는 래치 회로LA1(LA11∼LA1n등), 제2 래치 회로는, 래치 회로LA2(LA21∼LA2m 등) 각각에 대응한다. The first latch circuit in the present invention corresponds to each of the latch circuits LA1 (LA11 to LA1n) and the second latch circuit corresponds to each of the latch circuits LA2 (LA21 to LA2m).

또, 본 발명에 있어서의 제1 스위치 회로는 스위치 회로SW1(SW11∼SW1m 등), 제2 스위치 회로는 스위치 회로SW2(SW21∼SW2m 등), 제3 스위치 회로는 스위치 회로SW3(SW31∼SW3m 등) 각각에 상당한다. In the present invention, the first switch circuit SW1 (SW11 to SW1m, etc.), the second switch circuit SW2 (SW21 to SW2m, etc.), the third switch circuit SW3 (SW31 to SW3m Respectively.

또, 본 발명에 있어서의 쌍방향전환 회로는, 쌍방향전환 회로(EXC)(도 8을 참조)에 대응하고, 제1 부분표시 회로는 부분표시 회로(DP1, 도 11을 참조)에 대응하고, 제2 부분표시 회로는 부분표시 회로(DP2)에 대응한다. The bidirectional switching circuit in the present invention corresponds to the bidirectional switching circuit EXC (see Fig. 8), the first partial display circuit corresponds to the partial display circuit (DP1, see Fig. 11) The two-part display circuit corresponds to the partial display circuit DP2.

또, 본 발명의 인에이블 클록 신호는 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 대응하고, 복수개의 클록 신호는 4상의 클록신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 대응한다. The enable clock signal of the present invention corresponds to the enable clock signals (enable 1 and enable 2), and the plurality of clock signals correspond to the four-phase clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4.

또, 제1 래치 회로LA1로 유지되는 데이터는 데이터 신호(Gdata), 제2 래치 회로LA2로 설정되는 데이터는 데이터 신호(Cdata), 제1 부분표시 제어신호는 신호(Part1, 도 11을 참조), 제2 부분표시 제어신호는 신호(Part2, 도 11을 참조) 각각에 대응한다. The data held in the first latch circuit LA1 is the data signal Gdata, the data set in the second latch circuit LA2 is the data signal Cdata, the first partial display control signal is the signal Part1 (see Fig. 11) , And the second partial display control signal corresponds to each of the signals (Part 2, see FIG. 11).

그리고, 상기 실시 예에 있어서, 게이트 선택회로(11)에서 클록 발생 회로(110)는, 액정 패널(1)에 표시되는 화상신호에 동기되는 소정의 수평동기신호를 분주해서 생성되는 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2), 및 소정의 수직동기 클록 신호 및 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)로부터 생성되어 서로 다른 위상을 소유하는 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 발생시킨다. In the embodiment, the clock generation circuit 110 in the gate selection circuit 11 generates an enable clock signal which is generated by frequency-dividing a predetermined horizontal synchronization signal synchronized with the image signal displayed on the liquid crystal panel 1, (Enable 1, enable 2) and a plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3 (Ck1, Ck2, Ck3) generated from a predetermined vertical synchronizing clock signal and an enable clock signal , Ck4).

또, 복수개의 제1 래치 회로LA1가, 직렬로 접속해서 시프트레지스터를 형성하고, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 동기해서 보유하는 정보(Gdata)를 시프트한다. A plurality of first latch circuits LA1 are connected in series to form a shift register and shift information (Gdata) retained in synchronization with the enable clock signals (enable 1, enable 2).

그리고, 제1 스위치 회로SW1는, 게이트 라인(GL)에 대응해서 설치되고, 각각의 게이트 라인(GL)에 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 화소의 게이트 선택 신호로서 공급한다. 제1 스위치 회로SW1는 제1 래치 회로LA1로부터 출력되는 출력신호에 따라서 게이트 선택 신호를 순차 출력시킨다. The first switch circuit SW1 is provided corresponding to the gate line GL and supplies clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 to each gate line GL as a gate selection signal of the pixel. The first switch circuit SW1 sequentially outputs the gate selection signal in accordance with the output signal output from the first latch circuit LA1.

이에 따라, 클록 발생 회로(110)에 의해 생성된 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)이, 래치 회로LA1로부터의 출력신호에 따라, 스위치 회로SW1로부터 게이트 선택 신호로서 순차 출력되므로, 래치 회로LA1의 회로 규모를 감소시킨 게이트 선택회로를 제공할 수 있다. Thus, the plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 generated by the clock generation circuit 110 are sequentially output as the gate selection signal from the switch circuit SW1 in accordance with the output signal from the latch circuit LA1, It is possible to provide a gate selection circuit in which the circuit scale of the latch circuit LA1 is reduced.

또, 상기실시예에 있어서, 축적 용량구동 회로(12)는 화소가 구비하는 축적 용량을 구동하는 복수개의 제2 래치 회로LA2를 가지고, 제2 스위치 회로SW2가 게이트 선택회로(11)로부터 출력되는 게이트 선택 신호에 따라 축적 용량(CS)으로 유지되는 정보를 제2 래치 회로LA2로 전달한다. In the above embodiment, the storage capacitor driving circuit 12 has a plurality of second latch circuits LA2 for driving the storage capacitors provided in the pixels, and the second switch circuit SW2 is output from the gate selection circuit 11 And transfers the information held in the storage capacitor CS to the second latch circuit LA2 according to the gate selection signal.

이에 따라, 게이트 선택회로(11)로부터 출력되는 게이트 선택 신호를 이용함으로써, 제2 래치 회로LA2를 제어 하기 위한 제어신호를 감소시킬 수 있는 것이 가능하게 된다. Thus, by using the gate selection signal output from the gate selection circuit 11, it becomes possible to reduce the control signal for controlling the second latch circuit LA2.

또, 제2 래치 회로는, 2개의 인버터 회로에서 구성되는 버스형 래치 회로로 구성 될 수 있으므로, 축적 용량구동 회로에 대해서도 전체적인 회로 면적의 감소가 가능하게 된다. Further, since the second latch circuit can be constituted by a bus-type latch circuit constituted by two inverter circuits, the overall circuit area can be reduced also for the storage capacitor driving circuit.

또, 상기 실시 예에 있어서 액정 패널의 구동장치는, 게이트 선택회로(11) 및 축적 용량구동 회로(12)를 구비한다. In the above embodiment, the driving apparatus for the liquid crystal panel is provided with the gate selection circuit 11 and the storage capacitor driving circuit 12.

그리고, 게이트 선택회로(11)는 직렬로 접속된 시프트레지스터를 형성하고, 인에이블 클록 신호(인에이블1, 인에이블2)에 동기해서 보유한 정보가 시프트되는 복수개의 제1 래치 회로LA1, 및 게이트 라인(GL)에 대응해서 설치되고 각각의 게이트 라인(GL)에 대응하는 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 화소의 게이트 선택 신호로서 공급할 때, 제1 래치 회로LA1로부터 출력되는 출력신호에 따라서 게이트 선택 신호를 순차 출력시키는 제1 스위치 회로SW1를 포함한다. The gate selection circuit 11 includes a plurality of first latch circuits LA1 and a plurality of second latch circuits LA1 and LA2 for forming a shift register connected in series and shifting the information held in synchronization with the enable clock signals (enable 1, enable 2) When supplying the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 corresponding to the respective gate lines GL as the gate selection signals of the pixels provided corresponding to the lines GL, the output signals from the first latch circuit LA1 And a first switch circuit SW1 for sequentially outputting a gate selection signal in accordance with the gate selection signal.

또, 축적 용량구동 회로는, 화소가 구비하는 축적 용량(CS)을 구동하는 복수개의 제2 래치 회로LA2, 및 게이트 선택회로(11)로부터 출력되는 게이트 선택 신호에 따라 축적 용량(CS)으로 유지되는 정보(데이터 신호(Cdata))를 제2 래치 회로LA2로 전달하는 제2 스위치 회로SW2를 포함한다. The storage capacitor driving circuit includes a plurality of second latch circuits LA2 for driving the storage capacitor CS provided in the pixel and a plurality of second latch circuits LA1 and LA2 for holding the storage capacitor CS in accordance with the gate selection signal output from the gate selection circuit 11. [ And a second switch circuit SW2 for transmitting information (data signal Cdata) to the second latch circuit LA2.

이와 같이, 액정 패널의 구동장치에, 발명의 게이트 선택회로와 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 래치 회로의 회로수 및 전체적인 회로 면적의 삭감이 가능해 지고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈(액정 패널의 틀)을 작게 할 수 있다. As described above, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the invention in the driving apparatus for the liquid crystal panel, it is possible to reduce the number of circuits of the latch circuit and the overall circuit area. As a result, Can be reduced.

또, 액정 패널의 구동장치(21)(도 6을 참조)에 있어서, 제3 스위치 회로SW3은, 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)을 입력 하는 동시에, 제1 래치 회로LA1의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 된다. 6), the third switch circuit SW3 inputs a plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4, and the first latch circuit LA1 And is enabled by an output signal.

그리고, 인에이블 된 상태에 있어서, 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)을 제2 스위치 회로SW2에 출력 함으로써, 상기 제2 스위치 회로SW2을 인에이블 상태로 한다. Then, in the enabled state, the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 are output to the second switch circuit SW2, thereby bringing the second switch circuit SW2 into the enabled state.

그리고, 구동장치(21)에서는, 제1 래치 회로LA1의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 된 소정의 기간에, 복수개의클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)을, 제1 스위치 회로SW1을 통해서 게이트 선택회로의 출력신호로서 순차 출력시킨다 동시에, 제1 래치 회로LA1의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 된 소정의 기간에, 제2 스위치 회로SW2과 제3 스위치 회로SW3을 통해서, 제2 래치 회로LA2에 축적 용량(CS)로 유지시키는 정보를 설정한다. The drive unit 21 sequentially supplies the plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3, and Ck4 to the first switch circuit SW1 in a predetermined period that is enabled by the output signal of the first latch circuit LA1 And sequentially outputs the output signal of the second latch circuit LA1 as an output signal of the gate selection circuit. At the same time, in the predetermined period in which the output signal of the first latch circuit LA1 is enabled, And sets the information to be held in the storage capacitor CS in the circuit LA2.

이에 따라, 액정 패널의 구동장치에, 본 발명의 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로를 이용함으로써, 종래의 회로와 동일한 기능을 유지한 채, 전체적인 회로 면적의 삭감이 가능해 지고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈를 작게 하는 것이 가능하게 된다. Accordingly, by using the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit of the present invention in the driving apparatus for the liquid crystal panel, it is possible to reduce the overall circuit area while maintaining the same function as that of the conventional circuit. As a result, It is possible to reduce the size of the frame.

또, 액정 패널의 구동장치(22)(도 8을 참조)는, 제1 래치 회로LA1로 입력되는 입력정보를 선택하고, 보유된 정보를 시프트되게 하는 방향을 선택하는 쌍방향전환 회로(EXC), 제1 스위치 회로SW1및 제2 스위치 회로SW2에 공급되는 복수개의 클록 신호의 위상순을 변환하는 클록 신호변환 회로(114)를 포함한다. 8) includes a bidirectional switching circuit EXC for selecting the input information input to the first latch circuit LA1 and selecting the direction in which the held information is shifted, And a clock signal conversion circuit 114 for converting the phase order of a plurality of clock signals supplied to the first switch circuit SW1 and the second switch circuit SW2.

이에 따라, 게이트 선택회로 및 축적 용량구동 회로의 전송 방향을 전환하는 것이 가능하게 된다. This makes it possible to switch the transfer direction of the gate selection circuit and the storage capacitor driving circuit.

또, 액정 패널의 구동장치 23(도 11을 참조)의 게이트 선택회로(11C)는, 제1 래치 회로LA1로부터의 출력신호와 제1 부분표시제어신호(Part1)에 의해 출력이 결정되는 제1 부분표시 회로(DP1), 및 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 각각 접속되고, 제1 부분표시 회로(DP1)로부터의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 제1 스위치 회로SW1과를 포함한다. The gate selection circuit 11C of the driving device 23 of the liquid crystal panel (see Fig. 11) is connected to the first latch circuit LA1 and the first partial display control signal (Part1) A first switch circuit SW1 which is connected to each of the plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 and which is enabled by the output signal from the first partial display circuit DP1, &Lt; / RTI &gt;

축적 용량구동 회로(12C)는, 제1 래치 회로LA1로부터의 출력신호와 제2 부분표시제어신호(Part2)에 의해 출력이 결정되는 제2 부분표시 회로(DP2), 및 복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)에 각각 접속되고, 제2 부분표시 회로(DP2)로부터의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 동시에, 상기 인에이블 된 상태에 있어서 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)를 출력해서 제2 스위치 회로SW2를 인에이블 상태로 하는 제3 스위치 회로SW3를 포함한다. The storage capacitor driving circuit 12C includes a second partial display circuit DP2 whose output is determined by the output signal from the first latch circuit LA1 and the second partial display control signal Part2 and a plurality of clock signals Ck1 Ck2, Ck3, and Ck4, respectively, and is enabled by the output signal from the second partial display circuit DP2, and in the enabled state, the clock signals Ck1, Ck2, Ck3, Ck4 And a third switch circuit SW3 for putting the second switch circuit SW2 in an enabled state.

복수개의 클록 신호(Ck1, Ck2, Ck3, Ck4)는, 제1 부분표시 회로(DP1)의 출력신호에 의해 인에이블 상태인 소정의 기간에, 선택된 소정의 게이트 선택 신호만이 게이트 선택회로(11C)의 출력신호로서 순차 출력된다. 축적 용량(CS)으로 유지되는 정보는, 제1 래치 회로LA1의 출력신호에 의해 인에이블 상태인 소정의 기간에, 제2 부분표시회로(DP2)의 출력신호에 의해 제2 스위치 회로SW2 및 제3 스위치 회로SW3를 선택적으로 인에이블 상태로 되어 선택적으로 갱신된다. 또한 상기 쌍방향전환 회로(EXC) 및 클록 신호변환 회로(114)에 따라서 게이트 선택회로(11C) 및 축적 용량구동 회로(12C)에 있어서의 출력신호의 출력 순서를 반전시킨다.  The plurality of clock signals Ck1, Ck2, Ck3 and Ck4 are selected by the gate selection circuit 11C (CK1, Ck2, Ck3, Ck4) only in the predetermined period in the enabled state by the output signal of the first partial display circuit DP1 As shown in Fig. The information held in the storage capacitor CS is supplied to the second switch circuit SW2 and the second switch circuit SW2 by the output signal of the second partial display circuit DP2 in a predetermined period enabled by the output signal of the first latch circuit LA1. 3 switch circuit SW3 is selectively enabled and selectively updated. The output order of the output signals in the gate selection circuit 11C and the storage capacitor driving circuit 12C is reversed in accordance with the bidirectional switching circuit EXC and the clock signal conversion circuit 114. [

이것에 의해 전체적인 회로 면적의 삭감을 할 수 있고, 결과로서 액정 패널의 액자의 사이즈를 작게 할 수 있는 것이 가능하게 되는 효과에 더해 부분표시의 기능을 더할 수 있다. As a result, it is possible to reduce the overall circuit area, and as a result, the size of the frame of the liquid crystal panel can be reduced, and the function of the partial display can be added.

이상, 본발명의 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명의 게이트 선택회로, 축적 용량구동 회로,및 액정 패널의 구동장치는, 전술한 도시한 예에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에 있어서 갖가지 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다. Although the embodiment of the present invention has been described above, the gate selection circuit, the storage capacitor driving circuit, and the driving apparatus for the liquid crystal panel of the present invention are not limited to the above-described examples, It is needless to say that various modifications can be added within the scope of the present invention.

1… 액정 패널, 2… 제어부, 11… 게이트 선택회로, 12… 축적 용량구동 회로, 13… 소스 구동 회로, 21,22,23… 액정 패널의 구동장치, 101… 신호 제어 회로부, 110… 클록 발생 회로, (111)… 분주 회로, 112… 인에이블 클록 신호생성 회로, 113… 4상 클록 생성 회로, 114… 클록 신호변환 회로, 121… 데이터 신호 생성 회로, 201… 게이트 선택회로, 202… 축적 용량구동 회로, BA 1,BA2… 버퍼 회로, CL… 축적 용량 라인, (GL)… 게이트 라인, (SL)… 소스 라인, DP 1,DP2… 부분표시 회로, LA 1,LA 2,LA3… 래치 회로, SW 1,SW 2,SW3… 스위치 회로, TG 1,TG2… 트랜스퍼 게이트, EXC… 쌍방향전환 회로 One… LCD panel, 2 ... A control unit 11, Gate selection circuit, 12 ... Accumulated capacitance drive circuit, 13 ... Source driving circuit, 21, 22, 23 ... Driving device of liquid crystal panel, 101 ... Signal control circuit section 110, A clock generating circuit, (111) ... Dividing circuit, 112 ... An enable clock signal generation circuit 113, 4-phase clock generation circuit, 114 ... Clock signal conversion circuit, 121 ... A data signal generation circuit 201, Gate selection circuit, 202 ... The storage capacitor driving circuit, BA 1, BA 2 ... Buffer circuit, CL ... Accumulation capacity line, (GL) ... Gate line, (SL) ... Source line, DP 1, DP2 ... Partial display circuits, LA 1, LA 2, LA 3 ... Latch circuit, SW 1, SW 2, SW 3 ... Switch circuit, TG 1, TG2 ... Transfer gate, EXC ... Bidirectional switching circuit

Claims (11)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 수평 방향으로 배치된 복수의 게이트 라인, 수평 방향으로 배치된 복수의 축적 용량구동 라인 및 수직 방향으로 배치된 복수의 소스 라인이 교차하는 복수의 영역 각각에, 박막 트랜지스터 스위치, 액정용량, 및 축적 용량을 구비하는 복수의 화소를 매트릭스 형태로 배열한 액티브 매트릭스형의 액정 패널을 구동하는 구동장치에 있어서,
상기 액정 패널에 표시되는 화상신호에 동기된 소정의 수평동기신호를 분주해서 생성되는 인에이블 클록 신호, 소정의 수직동기 클록 신호 및 상기 인에이블 클록 신호로부터 생성되어 서로 다른 위상을 소유하는 최소한 4상 이상의 복수개의 클록 신호를 발생시키는 클록 발생 회로,
직렬로 접속해서 시프트레지스터를 형성하고, 상기 인에이블 클록 신호에 동기해서 보유된 정보를 시프트되게 하는 복수개의 제1 래치 회로,
상기 게이트 라인에 대응해서 설치되고, 각각의 상기 게이트 라인에 대응하는 상기 클록 신호를 상기 화소에의 게이트 선택 신호로서 공급할 때에, 상기 제1 래치 회로의 출력신호에 따라서 상기 게이트 선택 신호를 순차 출력시키는 제1 스위치 회로를 포함하는 게이트 선택회로, 및
상기 화소가 구비하는 축적 용량을 구동하는 복수개의 제2 래치 회로, 상기 게이트 선택 신호에 따르고, 상기 축적 용량으로 유지되는 정보를 상기 제2 래치 회로에 전달하는 제2 스위치 회로, 및 상기 복수개의 클록 신호에 접속되고, 상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 동시에, 상기 인에이블된 상태에서 상기 클록 신호를 출력해서 상기 제2 스위치 회로를 인에이블 상태로 하는 제3 스위치 회로를 포함하는 축적 용량구동 회로를 포함하는 구동장치.
In each of a plurality of regions in which a plurality of gate lines arranged in the horizontal direction, a plurality of storage capacitor driving lines arranged in the horizontal direction and a plurality of source lines arranged in the vertical direction cross each other, thin film transistor switches, liquid crystal capacitors, A liquid crystal panel having a plurality of pixels arranged in a matrix,
An enable clock signal generated by dividing a predetermined horizontal synchronous signal synchronized with an image signal displayed on the liquid crystal panel, a predetermined vertical synchronous clock signal, and at least four phases generated from the enable clock signal and having different phases, A clock generating circuit for generating a plurality of clock signals,
A plurality of first latch circuits connected in series to form a shift register and to shift the held information in synchronization with the enable clock signal,
The gate selection signal is sequentially output in accordance with the output signal of the first latch circuit when the clock signal corresponding to each gate line is supplied as the gate selection signal to the pixel A gate selection circuit including a first switch circuit, and
A plurality of second latch circuits for driving the storage capacitors provided in the pixels; a second switch circuit for transferring information held in the storage capacitor to the second latch circuit in accordance with the gate selection signal; And a third switch circuit connected to the first latch circuit and rendered to be in an enabled state by the output signal of the first latch circuit and outputting the clock signal in the enabled state to place the second switch circuit in the enabled state And a storage capacitor driving circuit including the storage capacitor driving circuit.
제5항에 있어서,
상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 상기 제1 스위치 회로가 인에이블 상태인 소정의 기간에, 상기 복수 개의 클록 신호를 상기 게이트 선택회로의 출력신호로서 순차 출력시키고,
상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 상기 제3 스위치 회로가 인에이블 상태인 소정의 기간에, 상기 제2 스위치 회로와 상기 제3 스위치 회로를 통해서, 상기 제2 래치 회로에 상기 축적 용량으로 유지된 정보를 전달하는,
구동장치.
6. The method of claim 5,
And sequentially outputs the plurality of clock signals as output signals of the gate selection circuit in a predetermined period in which the first switch circuit is enabled by the output signal of the first latch circuit,
The second latch circuit is maintained in the storage capacity by the output signal of the first latch circuit through the second switch circuit and the third switch circuit in a predetermined period in which the third switch circuit is in an enabled state, Conveyed information,
Driving device.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 래치 회로로 입력되는 입력정보를 선택하고, 보유된 정보를 시프트되게 하는 방향을 선택하는 쌍방향전환 회로, 및
상기 제1 스위치 회로 및 상기 제3 스위치 회로에 공급되는 상기 복수개의 클록 신호의 위상순을 변환하는 클록 신호변환 회로를 더 포함하고,
상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 상기 제1 스위치 회로가 인에이블 상태인 소정의 기간에, 상기 복수개의 클록 신호를 상기 게이트 선택회로의 출력신호로서 순차 출력 시키고,
상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 상기 제3 스위치 회로가 인에이블 상태인 소정의 기간에, 상기 제2 스위치 회로와 상기 제3 스위치 회로를 통해서, 상기 제2 래치 회로에 상기 축적 용량으로 유지시키는 정보를 전달하고,
상기 쌍방향전환 회로 및 상기 클록 신호변환 회로에 따라 상기 게이트 선택회로 및 상기 축적 용량구동 회로에 있어서의 출력신호의 출력 순서를 반전시키는 것을 특징으로 하는 구동장치.
The method according to claim 5 or 6,
A bidirectional switching circuit for selecting the input information input to the first latch circuit and selecting a direction for shifting the held information,
Further comprising a clock signal conversion circuit for converting the phase order of the plurality of clock signals supplied to the first switch circuit and the third switch circuit,
And sequentially outputs the plurality of clock signals as output signals of the gate selection circuit in a predetermined period in which the first switch circuit is enabled by the output signal of the first latch circuit,
The second latch circuit is maintained in the storage capacity by the output signal of the first latch circuit through the second switch circuit and the third switch circuit in a predetermined period in which the third switch circuit is in an enabled state, Information,
And the output order of the output signals in the gate selection circuit and the storage capacitance driving circuit is reversed in accordance with the bidirectional switching circuit and the clock signal conversion circuit.
수평 방향으로 배치된 복수의 게이트 라인, 수평 방향으로 배치된 복수의 축적 용량구동 라인 및 수직 방향으로 배치된 복수의 소스 라인이 교차하는 복수의 영역 각각에, 박막 트랜지스터 스위치, 액정용량, 및 축적 용량을 구비하는 복수의 화소를 매트릭스 형태로 배열한 액티브 매트릭스형의 액정 패널을 구동하는 구동장치에 있어서,
상기 액정 패널에 표시되는 화상신호에 동기된 소정의 수평동기신호를 분주해서 생성되는 인에이블 클록 신호, 소정의 수직동기 클록 신호 및 상기 인에이블 클록 신호로부터 생성되어 서로 다른 위상을 갖는 최소한 4상 이상의 복수개의 클록 신호를 발생시키는 클록 발생 회로,
직렬로 접속해서 시프트레지스터를 형성하고, 상기 인에이블 클록 신호에 동기해서 보유된 정보를 시프트되게 하는 복수개의 제1 래치 회로,
상기 제1 래치 회로의 출력과 제1 부분표시제어신호에 의해 출력이 결정되는 제1 부분표시 회로 및 상기 게이트 라인에 대응해서 설치되고, 각각의 상기 게이트 라인에 대응하는 상기 클록 신호를 상기 화소로의 게이트 선택 신호로서 공급할 때에, 상기 제1 부분표시 회로의 출력신호에 의해 인에이블 상태인 소정의 기간에, 상기 복수 개의 클록 신호를 상기 게이트 선택 신호로서 순차 출력시키는 제1 스위치 회로를 포함하는 게이트 선택회로,
상기 화소가 구비하는 축적 용량을 구동하는 복수개의 제2 래치 회로, 상기 게이트 선택 신호에 따르고, 상기 축적 용량으로 유지되는 정보를 상기 제2 래치 회로에 전달하는 제2 스위치 회로, 상기 제1 래치 회로의 출력과 제2 부분표시제어신호에 의해 출력이 결정되는 제2 부분표시 회로, 및 상기 복수개의 클록 신호에 각각 접속되고, 상기 제2 부분표시회로의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 동시에, 상기 인에이블 상태에서 상기 클록 신호를 출력해서 상기 제2 스위치 회로를 인에이블 상태로 하는 제3 스위치 회로를 포함하는 축적 용량구동 회로,
상기 제1 래치 회로로 입력되는 입력정보를 선택하고, 보유된 정보를 시프트되게 하는 방향을 선택하는 쌍방향전환 회로, 및
상기 제1 스위치 회로 및 제3 스위치 회로에 공급되는 상기 복수개의 클록 신호의 위상순을 변환하는 클록 신호변환 회로
를 포함하는 구동장치.
In each of a plurality of regions in which a plurality of gate lines arranged in the horizontal direction, a plurality of storage capacitor driving lines arranged in the horizontal direction and a plurality of source lines arranged in the vertical direction cross each other, thin film transistor switches, liquid crystal capacitors, A liquid crystal panel having a plurality of pixels arranged in a matrix,
An enable clock signal generated by frequency-dividing a predetermined horizontal synchronous signal synchronized with an image signal displayed on the liquid crystal panel, a predetermined vertical synchronous clock signal, and at least four or more phases generated from the enable clock signal and having different phases A clock generating circuit for generating a plurality of clock signals,
A plurality of first latch circuits connected in series to form a shift register and to shift the held information in synchronization with the enable clock signal,
A first partial display circuit which outputs an output of the first latch circuit and a first partial display control signal, and a second partial display circuit which is provided corresponding to the gate line and which supplies the clock signal corresponding to each gate line to the pixel And a first switch circuit for sequentially outputting the plurality of clock signals as the gate selection signal in a predetermined period that is enabled by the output signal of the first partial display circuit when the gate signal is supplied as the gate selection signal of the gate Selection circuit,
A plurality of second latch circuits for driving the storage capacitors provided in the pixels, a second switch circuit for transferring information held in the storage capacitor to the second latch circuit in accordance with the gate selection signal, A second partial display circuit whose output is determined by an output of the first partial display control circuit and an output of which is determined by a second partial display control signal and a second partial display circuit which is connected to the plurality of clock signals, And a third switch circuit for outputting the clock signal in the enabled state to bring the second switch circuit into an enabled state,
A bidirectional switching circuit for selecting the input information input to the first latch circuit and selecting a direction for shifting the held information,
And a clock signal conversion circuit for converting the phase order of the plurality of clock signals supplied to the first switch circuit and the third switch circuit,
.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제1 래치 회로는,
상기 복수개의 클록 신호의 수 N (N은 정수중 짝수)에 따른 수의 래치 회로로 구성되고, 상기 제1 래치 회로의 수가 상기 1게이트 라인당 적어도 (2/N)인 것을 특징으로 하는 구동장치.
The method according to claim 5 or 6,
Wherein the first latch circuit comprises:
Wherein the number of the first latch circuits is at least (2 / N) per one gate line, and the number of the latch circuits according to the number N of the plurality of clock signals (N is an even number in an even number).
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제2 래치 회로는, 2개의 인버터 회로로 형성되는 버스형 래치 회로인 것을 특징으로 하는 구동장치.
The method according to claim 5 or 6,
And the second latch circuit is a bus-type latch circuit formed of two inverter circuits.
수평 방향으로 배치된 복수의 게이트 라인, 수평 방향으로 배치된 복수의 축적 용량구동 라인 및 수직 방향으로 배치된 복수의 소스 라인이 교차하는 복수의 영역 각각에, 박막 트랜지스터 스위치, 액정용량, 및 축적 용량을 구비하는 복수의 화소를 매트릭스 형태로 배열한 액티브 매트릭스형의 액정 패널의 게이트 선택회로의 구동 방법으로서,
상기 액정 패널에 표시되는 화상신호에 동기된 소정의 수평동기신호를 분주해서 생성되는 인에이블 클록 신호, 소정의 수직동기 클록 신호 및 상기 인에이블 클록 신호로부터 생성되어, 서로 다른 위상을 소유하는 복수개의 클록 신호를 발생시키는 단계,
직렬로 접속해서 시프트레지스터를 형성한 복수개의 제1 래치 회로에 보유된 정보를 상기 인에이블 클록 신호에 동기해서 시프트 시키는 단계,
상기 게이트 라인 각각에 상기 클록 신호를 상기 화소의 게이트 선택 신호로서 공급할 때, 상기 제1 래치 회로의 출력신호에 따라서 상기 게이트 선택 신호를 순차 출력시키는 단계,
상기 복수개의 클록 신호에 접속되는 제3 스위치 회로가 상기 제1 래치 회로의 출력신호에 의해 인에이블 상태로 되는 동시에, 상기 인에이블된 상태에서 상기 클록 신호를 출력해서 제2 스위치 회로를 인에이블 상태로 하는 단계,
상기 인에이블 상태의 제2 스위치 회로가 상기 게이트 선택 신호에 따라 상기 화소가 구비하는 축적 용량으로 유지되는 정보를 제2 래치 회로에 전달하는 단계, 및
상기 제2 래치 회로가 상기 축적 용량을 구동하는 단계
를 포함하는 구동 방법.
In each of a plurality of regions in which a plurality of gate lines arranged in the horizontal direction, a plurality of storage capacitor driving lines arranged in the horizontal direction and a plurality of source lines arranged in the vertical direction cross each other, thin film transistor switches, liquid crystal capacitors, And a plurality of pixels arranged in a matrix form, the method comprising the steps of:
An enable clock signal generated by frequency-dividing a predetermined horizontal synchronizing signal synchronized with an image signal displayed on the liquid crystal panel, a predetermined vertical synchronizing clock signal, and a plurality of Generating a clock signal,
Shifting information held in a plurality of first latch circuits connected in series and forming a shift register in synchronization with the enable clock signal,
Sequentially outputting the gate selection signal in accordance with an output signal of the first latch circuit when supplying the clock signal to each of the gate lines as a gate selection signal of the pixel,
The third switch circuit connected to the plurality of clock signals is enabled by the output signal of the first latch circuit and the clock signal is outputted in the enabled state to enable the second switch circuit to be in an enabled state , &Lt; / RTI &
The second switch circuit in the enabled state transfers to the second latch circuit the information held in the storage capacitor provided by the pixel in accordance with the gate selection signal,
The second latch circuit driving the storage capacitor
.
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