KR101813375B1 - Photoelectric sensor - Google Patents
Photoelectric sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR101813375B1 KR101813375B1 KR1020160059542A KR20160059542A KR101813375B1 KR 101813375 B1 KR101813375 B1 KR 101813375B1 KR 1020160059542 A KR1020160059542 A KR 1020160059542A KR 20160059542 A KR20160059542 A KR 20160059542A KR 101813375 B1 KR101813375 B1 KR 101813375B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- connector
- base
- cover
- photoelectric sensor
- light
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 19
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
베이스(11)의 정면에는 커넥터 커버(16)가 덮인 커넥터(내부 커넥터 17)가 매설되어 있다. 커넥터(17) 내에 복수의 접속 단자(18)가 배치되어 있다. 상기 커넥터(17)에 연결 커넥터(외부 커넥터 201)가 삽입된다. 커넥터 커버(16)의 다음 판에는 커넥터(17)의 연결 단자(18)에 대응하는 복수의 관통구가 형성되어 있다. 관통구는 연결 단자(18)와 거의 같은 크기로 형성되어 있다. 상기 베이스부(11)는 투광부(12), 수광부(13)와 함께 일체로 성형된 케이스(10a)에 의해 형성된다. 이런 구성에 의하면, 광전 센서를 안정적으로 제조할 수 있다On the front surface of the base 11, a connector (internal connector 17) covered with a connector cover 16 is embedded. A plurality of connection terminals 18 are arranged in the connector 17. A connector (external connector 201) is inserted into the connector 17. A plurality of through-holes corresponding to the connection terminals 18 of the connector 17 are formed on the next plate of the connector cover 16. The through-hole is formed to have substantially the same size as the connection terminal 18. The base portion 11 is formed by a casing 10a integrally molded with the light projecting portion 12 and the light receiving portion 13. [ According to this configuration, a photoelectric sensor can be stably manufactured
Description
본 발명은 광전 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a photoelectric sensor.
투과형 광전 센서는 투광부와 수광부가 대향 배치되고, 투광부에서 수광부를 향해 검출광이 발사된다. 광전 센서는 수광부에 있어서의 검출광의 수광량에 근거하여 검출 신호를 출력한다. 이 검출신호에 근거하여 투광부와 수광부간의 피검출물을 검출 가능하게 한다. (예를 들어, 특허문헌 1 참조) In the transmission type photoelectric sensor, the light projecting portion and the light receiving portion are disposed to face each other, and the detection light is emitted from the light transmitting portion toward the light receiving portion. The photoelectric sensor outputs a detection signal based on the amount of received light of the detection light in the light receiving unit. So that the object to be detected between the transparent portion and the light receiving portion can be detected based on the detection signal. (See, for example, Patent Document 1)
특허 문헌1: 일본공개특허번호 특개평11-145505호Patent Document 1: JP-A No. 11-145505
그런데 광전 센서에는, 전원 공급 및 검출 신호의 전송을 위한 케이블을 커넥터로 연결하는 방법이 있다. 여기서, 이러한 광전 센서를 안정적으로 제조하는 것이 요구된다.In the photoelectric sensor, there is a method of connecting a cable for power supply and transmission of a detection signal to a connector. Here, it is required to stably manufacture such a photoelectric sensor.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로써. 그 목적은 안정된 제조가 가능한 광전 센서를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems. The object of the present invention is to provide a photoelectric sensor capable of stable manufacture.
상기 과제를 해결하는 광전 센서는 리드 프레임에 실장된 투광 소자와 수광 소자와 회로부품을 포함한 광전 센서로서, 상기 회로 부품이 실장된 상기 리드 프레임 부분을 포함하는 회로 베이스와 상기 회로 베이스의 양단부에 리드부를 통해 연결되며, 상기 투광 소자와 상기 수광 소자가 실장된 상기 리드 프레임 부분을 각각 포함한 투광 소자 베이스 및 수광 소자 베이스와 상기 회로 베이스의 일단부에 리드부를 통해 연결된 접속부와 상기 접속부에 접속된 복수의 연결 단자를 가지고, 외부 커넥터가 삽입되는 오목부를 가지는 내부 커넥터를 가지며, 상기 내부 커넥터를 수용하고 바닥에 상기 복수의 연결 단자가 삽입된 관통구를 갖는 커넥터 커버와, 상기 회로 베이스, 상기 투광 소자 베이스, 상기 수광 소자 베이스, 상기 접속부 및 상기 커넥터 커버를 덮도록 일체로 성형된 케이스가 있다.A photoelectric sensor that solves the above problems is a photoelectric sensor including a light emitting element, a light receiving element, and circuit components mounted on a lead frame, the photoelectric sensor comprising: a circuit base including the lead frame portion on which the circuit component is mounted; A light emitting element base and a light receiving element base each including the light emitting element and the light receiving element mounted thereon and connected to each other through a lead portion at one end of the circuit base and a plurality of A connector cover having a connection terminal and an internal connector having a concave portion into which the external connector is inserted and having a through-hole for receiving the internal connector and having the plurality of connection terminals inserted into a bottom thereof; The light receiving element base, the connecting portion, There is a case integrally molded to cover the bur.
이 구성에 의하면, 내부 커넥터는 커넥터 커버에 의하여 덮여 있기 때문에 케이스를 일체로 성형할 때 내부 커넥터의 변형이 억제된다. 따라서 내부 커넥터에 외부 커넥터가 확실하게 삽입되는 것이 가능하기 때문에 광전 센서를 안정적으로 제조할 수 있다.According to this configuration, since the internal connector is covered by the connector cover, deformation of the internal connector is suppressed when the case is integrally formed. Therefore, since the external connector can be reliably inserted into the internal connector, the photoelectric sensor can be stably manufactured.
상기 광전 센서에는, 상기 관통구가 상기 접속단자를 삽입 가능하게 형성하는 것이 바람직하다.In the photoelectric sensor, it is preferable that the through-hole forms the connection terminal so as to be insertable.
이 구성에 의하면, 커넥터 커버에 삽입된 내부 커넥터의 이동이 제한되고, 일체 성형시의 위치 어긋남이 방지된다.According to this configuration, the movement of the internal connector inserted in the connector cover is restricted, and positional deviation during integral molding is prevented.
상기 광전 센서는 상기 커넥터 커버와 상기 내부 커넥터 사이에 극간이 설정되어 있는 것이 바람직하다. The photoelectric sensor preferably has a gap between the connector cover and the internal connector.
이 구성에 의하면, 케이스를 일체로 성형할 때 커넥터 커버가 변형되어도 그 변형에 의한 내부 커넥터에 대한 영향은 적다. 따라서 내부 커넥터의 변형이 억제된다. 즉, 내부 커넥터에 외부 커넥터가 확실하게 삽입되는 것이 가능하기 때문에 광전 센서를 안정적으로 제조할 수 있다.According to this configuration, even if the connector cover is deformed when the case is integrally formed, the influence on the internal connector due to the deformation is small. Therefore, deformation of the internal connector is suppressed. That is, since the external connector can be reliably inserted into the internal connector, the photoelectric sensor can be stably manufactured.
상기 광전 센서는, 상기 커넥터 커버의 개구단에는 내부를 향해 테이퍼면이 형성되는 것이 바람직하다.In the photoelectric sensor, a tapered surface is preferably formed at an opening end of the connector cover.
이 구성에 의하면, 테이퍼면에 의해 커넥터 커버에 내부 커넥터를 용이하게 삽입할 수 있다.According to this configuration, the internal connector can be easily inserted into the connector cover by the tapered surface.
상기 광전 센서는 상기 커넥터 커버의 외면에는 상기 외부 커넥터의 탈착 방향에서 상기 케이스와 결합하는 결합부가 형성되는 것이 바람직하다.In the photoelectric sensor, an outer surface of the connector cover may be provided with an engaging portion for engaging with the case in a detachment direction of the external connector.
이 구성에 의하면, 커넥터 케이스의 결합부는 외부 커넥터의 탈착 방향으로 케이스와 결합한다. 따라서 내부 커넥터에 외부 커넥터를 탈착할 때 그 탈착에 의해 내부 커넥터와 커넥터 커버가 케이스로부터 이탈되는 것을 억제할 수 있다.According to this configuration, the engaging portion of the connector case is engaged with the case in the attaching / detaching direction of the external connector. Therefore, when the external connector is detached from the internal connector, detachment of the external connector from the internal connector and the connector cover can be suppressed.
본 발명의 광전 센서, 광전 센서의 제조 방법을 따르면, 안정된 제조를 가능하게 할 수 있다.According to the manufacturing method of the photoelectric sensor and the photoelectric sensor of the present invention, stable production can be achieved.
도 1은, K형의 광전 센서을 표시하는 사시도이다.
도 2는, K형의 광전 센서의 K형용 주요부를 표시하는 사시도이다.
도 3은, 커버 부재를 표시하는 사시도이다.
도 4는, 커버 부재를 표시하는 사시도이다.
도 5는, 케이스를 제외한 각 부재를 나타내는 사시도이다.
도 6은, K형용 주요부에 커버 부재를 부착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 7은, 리드 프레임을 나타내는 설명도이다.
도 8은, 몰드 상태를 나타내는 설명도이다.
도 9는, 리드 프레임과 커넥터의 연결을 나타내는 설명도이다.
도 10은, 커넥터와 커넥터 커버의 사시도이다.
도 11은, (a)와 (b)는 커넥터와 커넥터 커버의 사시도이다.
도 12는, L형 광전 센서를 나타내는 사시도이다.
도 13은, 리드 프레임을 나타내는 설명도이다.
도 14는, (a)와 (b)는 리드 프레임과 커넥터의 연결을 나타내는 설명도이다.
도 15는, L형 광전 센서 L형용 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 16은, 리드 프레임과 커넥터 단자의 연결을 나타내는 설명도이다.1 is a perspective view showing a photoelectric sensor of a K type.
Fig. 2 is a perspective view showing a main portion for a K-type photoelectric sensor of the K-type.
3 is a perspective view showing the cover member.
4 is a perspective view showing the cover member.
Fig. 5 is a perspective view showing each member except the case. Fig.
6 is a perspective view showing a state in which a cover member is attached to a main portion for a K-shape.
7 is an explanatory view showing a lead frame.
8 is an explanatory diagram showing a mold state.
Fig. 9 is an explanatory view showing the connection between the lead frame and the connector. Fig.
10 is a perspective view of a connector and a connector cover.
11 (a) and 11 (b) are perspective views of a connector and a connector cover.
12 is a perspective view showing an L-type photoelectric sensor.
13 is an explanatory view showing a lead frame.
14 (a) and 14 (b) are explanatory diagrams showing the connection between the lead frame and the connector.
15 is a perspective view showing a main part for an L-type photoelectric sensor L-type.
16 is an explanatory diagram showing the connection between the lead frame and the connector terminal.
이하, 실시 예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment will be described.
첨부 도면은 쉽게 이해하기 위해 구성 요소를 확대하여 나타내는 경우가 있다. 구성 요소의 치수 비율은 실제와 또는 다른 도면 중의 것과 다른 경우가 있다. 또한 단면에서는 쉽게 이해하기 위해 일부 구성 요소의 해치를 생략하는 경우가 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, in which: FIG. The dimensional ratio of the components may be different from that of the actual or other drawings. Also, in some cases, hatching of some components is omitted for easy understanding.
이하의 설명에서 화살표로 표시 한 방향을 이용한다. 이러한 방향은 광전 센서의 설치 방향의 일례를 나타내는 것이다. 또한, 일부 도에서 화살표와 함께 각 방향을 나타내고 있다. 또한, 각 도에 걸릴 설명에 나타나지 않는 부재에 대한 부호를 생략할 수 있다.In the following description, directions indicated by arrows are used. This direction is an example of the installation direction of the photoelectric sensor. In some figures, arrows indicate respective directions. In addition, the reference numerals for the members that are not shown in the explanations for each figure can be omitted.
도 1에 표시된 광전 센서(10)는 제1형 광전 센서이다. 이 형태를 K형으로 한다.The
K형 광전 센서(10)는 베이스부(11), 투광부(12), 수광부(13), 장착부(14, 15)가 있고, 이러한 부분은 수지에 의해 일체로 성형되어 있다. 예를 들어 수지는 열가소성 수지이다. 베이스부(11), 투광부(12), 수광부(13)는 후에 설명할 베이스 등의 성형품을 포함하고, 그 성형품의 일부가 노출되도록 수지에 의해 덮여있다. 예를 들어 수지는 PBT(폴리부틸렌 테레프탈레이트)이다. 이 수지를 케이스(10a)라고 한다. 즉, 광전 센서(10)는 케이스(10a) 각부의 성형품을 매설하여 형성되어 있다.The K-type
각부에 대해 순차적으로 설명한다.Each part will be described sequentially.
베이스(11)는 대략 직육면체 형상으로 형성되어 있다. 베이스부(11)의 후방에는 투광부(12)와 수광부(13)이 소정의 간격을 두고 대향하도록 후방으로 연장되어있다. 투광부(12) 안에는 투광 소자가 내장되어 있고 수광부(13) 안에는 수광 소자가 내장되어 있다. 투광 소자에서 출사되는 빛을 감지(예를 들어 적외선)는 투 광부(12)와 수광부(13)의 테두리를 통해 수광 소자에서 수광된다.The
베이스부(11)의 좌우 양단에 각각 부착부(14, 15)가 형성되어 있다. 부착부(14,15)에는 부착부(14, 15)를 상하 방향으로 관통하는 장착 구멍(14a, 15a)이 형성되어 있다. 또한 부착부(14, 15)에는 부착부(14, 15)를 전후 방향으로 관통하는 장착 구멍(14b, 15b)가 형성되어 있다. 부착부(14, 15)는 케이스(10a)를 성형하는 수지에 의해 일체로 성형된다. 예를 들어, 수지는 PBT(폴리부틸렌 테레 프탈레이트)이며, 나사 고정시 좌굴의 발생을 방지할 수 있는 강도가 확보된다.
베이스부(11)의 정면에는 커넥터 커버(16)에 덮인 커넥터(내부 커넥터 17)가 매설되어있다. 커넥터 커버(16) 및 커넥터(17)는 전방이 개방하고 있으며, 커넥터(17) 내에 복수의 접속 단자(18)가 배치되어 있다. 이 커넥터(17)에 연결 커넥터 (외부 커넥터 201)가 삽입된다. 광전 센서(10)는 연결 커넥터(201)를 통해 케이블(202)에 연결된다.A connector (internal connector 17) covered on the
다음 광전 센서의 주요 부분에 대해 설명한다.The main parts of the following photoelectric sensors are described below.
도 2에 K형용 주요부(20)는 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스(25), 단자베이스(26)를 가지고 있다. 이러한 베이스는 리드 프레임을 성형하여 형성되어 있다. 즉, K형에 주요부(20)는 리드 프레임을 성형하여 형성된 성형품이다. 그리고 리드 프레임을 접어도 도 2에 나타낸 형상의 K형용 주요부(20)가 형성된다.2, the K-type
도 2와 같이 앰프 베이스(21)는 대략 직사각형 판상에 형성된 베이스부(21a)를 가지고 있다. 베이스부(21a)는 리드 프레임(27)이 베이스부(21a)의 표면에서 노출되도록 매설되어 있다. 베이스부(21a) 표면의 단부에는 사각 프레임 모양의 베이스 프레임(21b)이 형성되어 있다. 즉, 앰프베이스(21)는 리드 프레임(27)을 노출하는 직사각형의 오목부를 가지고 있다. 이 베이스 프레임(21b)에 둘러싸인 베이스부 (21a)의 표면에서 노출하는 리드 프레임(27)에 앰프 회로를 구성하는 회로 부품이 실장되어 있다. 회로는 발광 소자(31)와 IC 칩 등의 칩 부품을 포함한다.2, the
투광 소자 베이스(22) 수광 소자 베이스(23)은 약자 직육면체 형상으로 형성되어 있다. 투광 소자 베이스(22)는 리드 프레임(27)을 노출하는 직사각형의 오목부(22a)가 형성되어 있다. 그리고 그 오목(22a)에서 노출하는 리드 프레임(27)에 투광 소자(32)가 구현되어있다.The light-emitting
또한, 도 2에 나타내고 있진 않지만, 수광 소자 베이스(23)에는 투광 소자 베이스(22)뿐만 아니라 리드 프레임을 노출하는 오목부가 형성되고, 그 오목부에서 노출하는 리드 프레임에 수광 소자(33)가 구현되어 있다.Although not shown in FIG. 2, the light receiving
도 3은 앰프베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23)를 덮는 커버 부재(40)를 나타낸다. 커버 부재(40)는 앰프 커버(41), 투광부 커버(42) 수광부 커버(43)를 가지고 있다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 커버 부재(40)는 K형용 주요부(20)에 부착된다.3 shows a
앰프 커버(41)는 도 2에 표시된 앰프베이스(21)의 베이스 프레임(21b)을 덮는 덮개 모양으로 형성되어 있다. 앰프 커버(41)는 가시 광선을 투과하는 성질을 가지는 수지, 예를 들면 적색 수지로 형성되어 있다. 투광부 커버(42)와 수광부 커버(43)는 앰프 커버의 장방향 양단부에 앰프 커버(41)에 수직으로 형성되어 있다.The
투광부 커버(42)와 수광부 커버(43)는 도 2에 표시된 투광 소자 베이스(22)와 수광 소자 베이스(23)의 대향면을 덮도록 형성되어 있다. 투광부 커버(42)와 수광부 커버(43)는 가시광선을 투과하지 않는 성질을 가지는 수지, 예를 들면 흑색 수지로 형성되어 있다. 즉, 커버 부재(40)는 두 가지 색으로 성형되어 있다. 커버 부재(40)는 예를 들면 PC (폴리 카보네이트) 등의 열가소성 수지가 사용된다.The
도 4와 같이 앰프 커버(41)의 뒷면에는 그 외주부에 앰프베이스(21)의 외주부를 결합 가능하게 한 테두리 모양부(41a)가 형성되어 있다. 또한 테두리 모양부 (41a)의 안쪽에서 앰프 커버(41)의 뒷면에는 앰프 커버(41)의 장방향을 따라 연장되는 복수의 오목부(41b)가 형성되어 있다. 이러한 오목부(41b)에 의해 앰프커버(41)의 뒷면은 단면 물결로 형성되어 있다.As shown in Fig. 4, a rim portion 41a is formed on the outer surface of the rear surface of the
이러한 커버 부재(40)의 앰프 커버(41)를 앰프 베이스(21)에 결합하면 앰프 베이스(21)와 앰프 커버(41)에 의해 둘러싸인 공간이 형성된다. 이 공간에 도 2에 표시된 발광 소자(31) 등의 회로가 배치되어 있다. 또한 투광부 커버(42)와 수광부 커버(43)는 투광 소자 케이스(22)와 수광 소자 케이스(23)의 대향면을 덮는다. 그리고 투광 소자 케이스(22)와 투광부 커버(42)에 의해 둘러싸인 공간을 형성하고,이 공간에 도 2에 표시된 투광 소자(32)가 배치되어 있다. 마찬가지로, 수광 소자 베이스(23), 수광부 커버(43)에 의해 둘러싸인 공간을 형성하고, 이 공간에 도 2에 표시된 수광 소자(33)가 배치되어 있다.When the
커버 부재(40)의 앰프 커버(41)는 적색의 수지에 의해 성형되어 있다. 리드 프레임(27)에 실장된 발광 소자(31)로부터 출사되는 가시광선에 의해 앰프 커버 (41)가 적색으로 점등한다. 발광 소자(31)로부터 출사되는 가시 광선은 앰프 커버(41)의 오목부(41b)에 의해 산란되어 앰프 커버(41)를 통과한다. 따라서 앰프 커버 (41)의 상면 및 측면 전체가 적색으로 점등된 상태가 되기 때문에, K형 광전 센서 (10)의 주위에서의 시인성이 향상된다.The
도 7은 리드 프레임을 절곡한 이전 K형용 주요부(20)를 나타낸다. 이 도 7에 표시된 K형용 주요부(20)가 성형품으로 형성되어 있다.Fig. 7 shows a
리드 프레임(27)은 복수의 리드 부재를 포함한다. 이 리드 프레임(27)을 금형에 내장하고 특정 장소를 수지로 몰드한 앰프베이스(21), 투광 소자 베이스 (22), 수광 소자 베이스(23), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스(25), 단자 베이스(26)가 형성된다. 각 베이스를 연결하는 리드 프레임을 리드부라고 한다. 즉, 앰프 베이스(21)의 장방향 단부에는 리드부(27a, 27b)를 통해 투광 소자 베이스(22)와 수광 소자 베이스(23)가 연결되어 있다. 앰프 베이스(21)의 짧은 쪽 방향 한쪽에는 굴곡 베이스(24)와 보강 베이스(25), 단자 베이스(26)가 리드부(27a, 27d, 27e)를 통해 직렬로 연결되어 있다.The
또한, 도 7에서 리드 프레임(27)을 굵은 선으로 나타내고, 각 베이스를 가는선으로 보여주고 있다. 앰프 베이스(21)는 도 7의 이면 측에서 리드 프레임(27)이 노출되고 노출된 리드 프레임에 도 2에 표시된 발광 소자(31)를 포함하는 회로 부품이 리드 프레임(27)에 연결되어 있다. 마찬가지로, 투광 소자 베이스(22)와 수광 소자 베이스(23)는 도 7의 이면 측에 리드 프레임이 노출되고 노출된 리드 프레임 (27)에 도 2에 표시된 발광 소자(31)와 수광 소자(33)가 각각 연결되어 있다. 단자베이스(26)에는 도 7의 표면 측에서 리드 프레임(27)이 노출되어 있다. 이 노출된 리드 프레임(27)은 커넥터의 단자에 연결부(51)로서의 기능을 한다.In Fig. 7, the
굴곡 베이스(24)와 보강 베이스(25) 사이의 리드부(27d)는 커넥터의 단자에 연결부(52)로서의 기능을 한다. 상술하면, 리드 프레임(27)은 굴곡 베이스(24)로 보강 베이스(25) 사이의 리드부(27d)를 가지고 있다. 또한, 리드 프레임(27)은 보강 베이스(25)에 유지되며 대체로 사각형 플레이트형의 유지부(52a)를 가지고 있다. 이 유지부(52a)는 보강 베이스(25)에서 굴곡 베이스(24)를 향해 돌출되어 있다. 또한, 리드 프레임(27)는 유지부(52a)에서 굴곡 베이스(24)를 향해 리드부(27d)와 평행하게 돌출되는 돌출부(52b)를 가지고 있다. 리드부(27d), 유지부(52a) 및 돌출부(52b)는 굴곡 베이스(24)와 보강 베이스(25) 사이에 대체로 ‘U’자형 연결부(52)를 구성한다. 따라서 연결부(52)는 리드부(27d)와 유지부(52a)와 돌출부(52b)에 의해 형성되는 홈 부분을 가지고 있다. 이 연결부(52)는 후술하는 L형 광전 스위치에서 이용된다.The
도 8에 나타낸 바와 같이, 굴곡 베이스(24)는 리드부(27c)가 휘어 앰프 베이스(21)의 측방 (도 8에서 앰프 베이스(21)의 위쪽)에 배치되어 있다. 또한 보강 베이스(25)와 단자 베이스(26)는 리드부(27d, 27e)가 각각 절곡되어 앰프 베이스(21)의 이면 측(도 8에서 앰프베이스(21)의 왼쪽)에 배치되어 있다. 이 때, 단자 베이스(26)는 그 단자 베이스(26)에 포함된 리드 프레임(27)(접속부 51)이 수광 소자 베이스(23)와 연장 방향(도 8에서 좌우 방향)과 평행이 되도록 배치된다.8, the
도 9와 같이 단자 베이스(26)의 연결부(51)는 커넥터(17)의 접속 단자(18)와 연결된다.The
도 10과 같이 커넥터(17)는 복수의 접속 단자(18)를 가지고 있다. 본 실시 형태의 커넥터(17)는 4개의 접속 단자(18)를 가지고 있다. 2개의 연결 단자는 K형 광전 센서(10)의 동작 전원을 공급하는 전원 단자이다. 2개의 연결 단자는 K형 광전 센서(10)에서 2개의 감지 신호를 출력하는 신호 출력 단자이다. 2개의 검출 신호는 예를 들자면 상보 신호이다.As shown in FIG. 10, the
커넥터(17)는 도 1에 표시된 연결 커넥터(201)가 삽입되는 오목부(17a)를 가지고 있다. 연결 단자(18)는 그 오목부(17a)에 삽입된 연결 커넥터(201)의 접속 단자(도시 생략)와 전기적으로 연결된다. 연결 단자(18)는 단면으로 볼 때 사각형 형상으로 형성되어 커넥터(17) 후면에서 돌출되고 있다.The
도 11(a)에 나타낸 바와 같이, 커넥터(17)는 커넥터 덮개(16)에 의해 덮여있다. 도 10과 같이 커넥터 커버(16)는 커넥터(17)를 수용하는 오목부(16a)를 가지고 있다. 커넥터 커버(16)의 오목부(16a)의 내면과 커넥터(17)의 외면 사이에는 전체 둘레에 걸쳐 또는 부분적으로 극간(隙間; gap))이 형성되어 있다. 오목부(16a)의 개구단, 즉 커넥터(17)를 삽입하는 커넥터 삽입구는 커넥터 커버(16)의 내부를 향해 테이퍼면 (16b)이 형성되어 있다. 이 테이퍼면(16b)에 의해 오목부(16a)에의 커넥터(17)의 삽입이 용이해 진다.As shown in Fig. 11 (a), the
커넥터 커버(16)에는 개구단에 절개홈(16c)이 형성되어 있다. 절개홈(16c)은 커넥터(17)의 계합 돌출부(17b)를 노출한다. 이 절개홈(16c)에 의해 커넥터(17)에 삽입되는 연결 커넥터(201)(그림 1 참조)의 결합부(201a)가 계합 돌출부(17b)와 맞물려 연결 커넥터(201)의 이탈을 방지한다.The
커넥터 커버(16)의 후판(16d)은 커넥터(17) 연결 단자(18)에 대응하는 복수 (4개)의 관통구(16e)(도 10에서는 2개의 표시)가 형성되어 있다. 관통구(16e)는 연결 단자(18)와 거의 같은 크기로 형성되어 있다. 커넥터(17) 연결 단자(18)는 단면 사각형 형상으로 형성되어 있다. 관통구(16e)는 그 내주면에 접속 단자(18)가 맞닿게 되거나 내주면에서 커넥터 덮개(16)에 간신히 삽입되도록 형성되어 있다. 이와 같이 관통구(16e)를 형성함으로써 오목부(16a)에 삽입된 커넥터(17)의 이동을 제한하고 성형시의 위치 어긋남을 방지한다.The rear plate 16d of the
도 11(a) 및 도 11(b)에 나타낸 바와 같이, 커넥터 커버(16)의 외면에는 여러 종류의 오목부(16f)가 형성되어 있다. 이 오목부(16f)는 도 1 케이스(10a)를 성형하는 수지가 충전된다. 오목부(16f)는 성형 후 케이스(10a)와 맞물린다. 예를 들어, 상하 방향(도 11(a)에서 상하 방향)으로 연장하는 오목부(16f)는 도 1과 연결 커넥터(201)의 탈착 방향에서 성형 후 케이스(10a)와 맞물린다. 이는 케이스(10a)로부터 커넥터 커버(16) 및 커넥터(17)의 이탈을 억제한다.As shown in Figs. 11 (a) and 11 (b), on the outer surface of the
도 12에 표시된 광전 센서(60)는 제2형 광전 센서이다. 이 형태를 L형으로 한다.The
L형 광전 센서(60)는 베이스부(61), 투광부(62), 수광부(63), 장착부(64,65)가 있고 이러한 부분은 수지에 의해 일체로 성형되어 있다. 이 수지를 케이스(60a)로한다.The L-type
L형 광전 센서(60)는 도 1에 표시된 K형 광전 센서(10)와 개략적으로 같지만, 베이스부(61)에 대한 투광부(62) 및 수광부(63)의 연장 방향이 다르다. 이 다른 부분을 중점적으로 설명한다. 덧붙여 설명에서 도 1과 K형 광전 센서(10)에 포함된 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명의 일부 또는 전부를 생략한다. The L-type
베이스부(61)는 대략 직육면체 형상으로 형성되어 있다. 베이스부(61)의 위쪽으로는 투광부(62)와 수광부(63)가 소정의 간격을 두고 대향하도록 위쪽으로 연장되어 있다. 투광부(62) 안에는 투광 소자가 내장되고, 수광부(63) 안에는 수광 소자가 내장되어 있다. 투광 소자에서 출사되는 검출광(예를 들어 적외선)는 투광부(62)와 수광부(63)의 테두리를 통해 수광 소자에서 수광된다.The
베이스부(61)의 좌우 양단에 각각 부착부(64, 65)가 형성되어 있다. 부착 부(64,65)에는 부착부(64, 65)를 상하 방향으로 관통하는 장착구(64a, 65a)가 형성되어 있다. 또한 부착부(64, 65)에는 부착부(64, 65)를 전후 방향으로 관통하는 장착구(64b,65b)가 형성되어 있다. 부착부(64,65)는 케이스(60a)를 성형하는 수지에 의해 일체로 성형된다. 수지는 예를 들어 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트)이며, 나사 고정시 좌굴의 발생을 방지할 수 있는 강도가 확보된다.
베이스부(61)의 정면에는 커넥터 커버(16)에 덮인 커넥터(17)가 매설되어 있다. 커넥터 커버(16) 및 커넥터(17)는 전방이 개방되어 있으며, 커넥터(17) 내에 복수의 연결 단자가 배설되어 있다. 이 커넥터(17)에 연결 커넥터(201)가 삽입된다. L형 광전 센서(60)는 연결 커넥터(201)를 통해 케이블(202)에 연결된다.On the front surface of the
도 15에 나타내는 L형용 주요부(20a)는 앰프베이스(21), 투광 소자 베이스 (22), 수광 소자 베이스(23), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스(25)를 구비하고 있다. 즉,이 L형용 주요부(20a)는 도 2에 나타낸 K형용 주요부(20)에 대해 단자 베이스 (26)이 생략되어 있다. 이 L형용 주요부(20a) 성형품을 가공하여 형성된다.The L-shaped
도 13과 같이 성형품으로 K형용 주요부(20)의 리드부를 점선으로 표시된 부분에서 분리하고 L형용 주요부(20a)를 형성한다. 이 L형용 주요부(20a)의 리드 프레임(27)을 절곡해서 도 15에 표시된 형태의 L자형용 주요부(20a)를 형성한다.As shown in Fig. 13, the lead portion of the K-shaped
도 14 (a)에 나타낸 바와 같이, 굴곡 베이스(24)는 리드부(27c)가 휘어 앰프 베이스(21)의 측방 (도 14(a)에서 앰프 베이스(21)의 왼쪽)에 배치되어있다.As shown in Fig. 14 (a), the bending
이 때, 굴곡 베이스(24)와 보강 베이스(25) 사이의 리드부(27d)는 절곡되어 있지 않다. 따라서 이 리드부(27d)는 수광 소자 베이스(23)가 연장 방향(도 14(a)에서 상하 방향)과 평행하게 뻗어있다. 그리고 이 리드부(27d)에 커넥터 커버(16)에서 돌출된 접속 단자(18)가 배치된다.At this time, the
도 16에 나타낸 바와 같이, L형용 주요부(20a)에서 굴곡 베이스(24)로 보강 베이스(25) 사이에는 연결부(52)가 형성되어 있다. 연결부(52)는 리드부(27d)와 유지부(52a)와 돌출부(52b)를 포함하고 대체로 ‘U’자형으로 형성되어 있다. 그리고 리드부(27d)와 돌출부(52b) 사이에 접속 단자(18)가 배치된다. 그리고 연결 단자(18)와 연결부(52)가 납땜으로 연결된다.As shown in Fig. 16, a connecting
또한 상기 L형 광전 센서(60)는 도 14 (b)에 나타내는 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22) 및 수광 소자 베이스(23)을 덮는 커버 부재를 가지고 있다. 이 커버 부재는 도 1과 K형 광전 센서(10)의 커버 부재(40)(도 3 참조)와 같은 형상을 가지고 있다. 따라서 도면 및 설명을 생략한다.The L-type
(작용)(Action)
다음으로, 상기의 광전 센서(10, 60)의 작용을 설명한다.Next, the operation of the above-described
K형 광전 센서(10)는 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23), 커버 부재(40) 및 커넥터 커버(16)가 케이스(10a)에 대체로 덮여있다. 케이스(10a)의 성형시에 케이스(10a)와 다른 부재의 표면이 서로 녹아 밀착한다. 그러면 K형 광전 센서(10)의 수밀성이 향상된다.The K-type
도 2에 표시된 앰프베이스(21)와 도 3에 표시된 앰프 커버(41)는 도 2에 표시된 베이스부(21a)와 베이스 프레임(21b)과 앰프 커버(41)에 의해 둘러싸인 공간을 형성한다. 이 공간에 회로 부품이 수용(리드 프레임(27)에 구현)되어있다. 따라서 케이스(10a)의 성형시에 회로 소자에 작용하는 열 응력이 완화된다. 마찬가지로, 투광 소자(32)와 수광 소자(33)에도 열 응력이 완화된다.The
도 7에 나타낸 바와 같이, 리드 프레임(27)을 부분적으로 몰딩해서, 평면적으로 배치된 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스(25) 및 단자 베이스(26)을 포함한 K형용 주요부(20)(성형품)을 형성한다. 각 베이스는 리드 프레임(27)의 리드부에 의해 연결되어 있다. 리드부(27a,27b)를 절곡함으로써 투광 소자 베이스(22)의 투광 소자(32)와 수광 소자 베이스(23)의 수광 베이스(33)를 서로 대향시킨다. 또한 리드부(27c ~ 27e)를 절곡함으로써 투광 소자 베이스(22) 및 수광 소자 베이스(23)가 연장 방향과 평행하게 연결부(51)를 배치한다. 이 접속부(51)에 커넥터(17)의 연결 단자(18)를 연결하고 케이스(10a)를 성형해서, 커넥터(17)의 삽입 방향과 베이스부(11)에 투광부(12) 및 수광부가 늘어나는 방향과 평행한 K형 광전 센서(10)가 형성되도록 한다.As shown in Fig. 7, the
또한, 도 13에 나타낸 바와 같이, K형에 주요부(20)의 리드부(27e)를 절단하여 L형용 주요부(20a)를 형성한다. 도 14(a)에 나타낸 바와 같이, L형용 주요부 (20a)의 리드부(27c)를 절곡함으로써 투광 소자 케이스(22) 및 수광 소자 케이스(23)가 연장 방향과 평행하게 연장되는 연결부(52)를 형성한다. 이 연결부(52)에 커넥터(17)의 접속 단자(18)를 직교하는 방향에 따라 연장하도록 배치하고 연결부(52)에 접속 단자(18)를 연결한다. 그리고 케이스(10a)를 성형해서 커넥터(17)의 삽입 방향과 베이스부(11)에 투광부(12)및 수광부(13)가 연장 방향과 직교하는 L형 광전 센서(60)가 형성되도록 한다.13, the L-shaped
이와 같이, K형용 주요부(20)에 있는 성형품을, 형상이 다른 광전 센서(10,60)의 공통 부품으로도 할 수 있다. 따라서 모양이 다른 광전 센서(10,60) 에 한 종류의 성형품을 준비해두면 좋고, 제조 비용이 절감된다.In this manner, the molded product in the K-shaped
커넥터(17)는, 커넥터 커버(16)의 오목부(16a)에 수용된다. 그리고 커넥터(17)의 연결 단자(18)는 단자베이스(26)의 접속부(51, 52)에 납땜된다. 그리고 K형용 주요부(20), 커버 부재(40), 커넥터 커버(16) 및 커넥터(17)를 금형에 넣고 금형에 용융된 수지를 사출해서 케이스(10a)를 성형한다. 도 5는 금형에 세트된 부재를 나타낸다.The
성형시에, 커넥터 덮개(16)의 외주면에는 금형에 사출되는 수지의 사출 압력이 더해진다. 일체로 성형하기 전에서 커넥터 덮개(16)의 오목부(16a)는 커넥터(17)를 이격되어 삽입 가능한 크기로 형성되어 있다. 즉, 커넥터 커버(16)의 오목부(16a)의 내면과 커넥터(17)의 외면 사이에 극간이 생긴다. 이 극간을 통해 사출 압력에 의해 커넥터 커버(16)가 변형되어도 커넥터 커버(16)와 커넥터(17)와의 사이에 극간이 형성되어 있기 때문에, 사출 압력이 직접 커넥터(17)에 영향을 주지 않는다. 따라서 일체로 성형할 때 커넥터(17)는 변형하기 어렵다.The injection pressure of the resin injected into the mold is added to the outer peripheral surface of the
커넥터(17)에는 도 1에 표시된 연결 커넥터(201)가 삽입된다. 따라서 커넥터 (17)가 변형되면 연결 커넥터(201)의 삽입이 곤란해진다. 이렇게 연결 커넥터(201)의 삽입이 곤란해진 광전 센서는 불량으로 분류된다.The
이에 대해 본 실시 형태에서는, 커넥터(17)가 커넥터 덮개(16)에 덮여있다. 커넥터 커버(16)는 커넥터(17)의 변형을 억제한다. 따라서 연결 커넥터(201)를 쉽게 삽입할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, the
또한 금형의 온도는 케이스(10a)를 성형하는 수지의 유동성을 확보하도록 하는 소정의 온도이다. 또한 케이스(10a)를 성형하는 수지는 소정의 온도에 가열되는 유동성을 가지고 있다. 따라서 금형안에 세트된 커넥터 커버(16)는 금형 등의 열을 받는다. 커넥터(17)는 커넥터 커버(16)에 의해 대체로 덮여있다. 또한, 성형 전에 있어서 커넥터(17)와 커넥터 커버(16) 사이에는 극간이 형성되어 있다. 따라서 커넥터(17)는 성형시 열 영향이 적어진다. 그러면 커넥터(17)의 변형이 억제된다.The temperature of the mold is a predetermined temperature for securing the fluidity of the resin for molding the case 10a. The resin for molding the case 10a has fluidity to be heated to a predetermined temperature. Therefore, the
상기와 같은 광전 센서는 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.The above-described photoelectric sensor can achieve the following effects.
(1) K형 광전 센서(10)에 사용되는 K형용 주요부(20)는, 리드 프레임(27)을 부분적으로 성형하고 평면적으로 배치된 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스(25) 및 단자 베이스(26)를 갖는 성형품이다. 그리고 보강 베이스(25) 과 단자 베이스(26)를 연결하는 리드부 (27e)를 절단하여 얻은 L형용 주요부(20a)를 이용하여 L형 광전 센서(60)를 생성한다. 이처럼 외형의 모양이 다른 광전 센서(10,60)에 대해 한 종류의 성형품을 이용하여 만들 수 있다. 따라서 형태가 다른 광전 센서(10,60)마다 주요부를 형성하는 것에 비해 제작 비용(각각의 주요 부를 형성하기 위한 금형 등)을 줄일 수 있다. 또한, 외형의 모양이 다른 광전 센서(10,60)에 대하여 한 종류의 성형품을 준비해두면 좋기 때문에 관리하는 부품 수가 적어지고, 관리 비용을 절감할 수 있다.(1) The K-type
(2) 접속 커넥터(201)를 접속하는 커넥터(17)는 커넥터 커버(16)에 의해 덮여 베이스부(11)에 매설되어 있다. 이 베이스부(11)는 투광부(12), 수광부(13)와 함께 일체로 성형된 케이스(10a)에 의해 형성된다. 이 케이스(10a)를 형성하는 수지를 금형 안에 사출할 때의 압력은 커넥터 덮개(16)에 걸려 커넥터 덮개(16)에 수용된 커넥터(17)에 대한 영향이 적다. 따라서 커넥터(17)의 변형을 억제할 수 있다.(2) The
(3) 커넥터(17)의 외면과 커넥터 덮개(16)의 오목부(16a) 사이에는 성형 전 극간이 형성되어 있다. 이 극간을 통해 이 케이스(10a)를 형성하는 수지를 금형 안에 사출 할 때의 압력으로 커넥터 커버(16)가 변형되어도 커넥터 커버(16)에 수용된 커넥터(17)에 대한 영향이 적다. 따라서 커넥터(17)의 변형을 억제할 수 있다.(3) Between the outer surface of the
(4) 도 8에 나타낸 바와 같이, 단자 베이스(26)의 연결부(52)는 리드부(27c~ 27e)를 접함으로써 대략적으로 케이스(10a)의 중심(도 8에서 상하 방향의 대략적인 중심)에 배치된다. 따라서, 이 연결부(52)에 연결되는 연결 단자(18)는 대략적으로 케이스(10a)의 중심으로 배치된다. 따라서 K형 광전 센서(10)의 두께를 얇게하는, 즉 K형 광전 센서(10)를 소형화할 수 있다.(4) As shown in Fig. 8, the connecting
(5) L형 광전 센서(60)의 작성에 사용되는 접속부(52)는 리드부(27d)와 유지 부(52a), 돌출부(52b)에 따라 절개홈(노치)부를 갖는 ‘U’자형으로 형성되어 있다. 이 홈 부분에 연결 단자(18)가 삽입되고, 연결부(52)에 연결된다. 이와 같이, 노치부를 갖는 연결부(52)는 접속 단자(18)의 연결 부분이 단순히 리드부(27d)를 사용하는 경우에 비해 커진다. 따라서 연결 단자(18)와 연결부(52)의 연결을 공고히할 수 있다. 또한, 연결 부분의 전기 저항을 감소시킬 수 있다.(5) The connecting
(6) 커넥터 커버(16)의 외면에는 여러 종류의 오목부(16f)가 형성되어 있다. 오목부(16f)은, 연결 커넥터(201)의 탈착 방향에서 성형 후 케이스(10a)와 맞물린 다. 따라서 커넥터(17)에 연결 커넥터(201)를 탈착할 때 그 탈착에 의해 커넥터 (17)와 커넥터 커버(16)가 케이스(10a)로부터 이탈되는 것을 억제할 수 있다.(6) On the outer surface of the
(7) 열가소성 수지로 성형된 앰프 베이스(21), 굴곡 베이스(24), 보강 베이스 (25), 단자 베이스(26)와 열가소성 수지로 성형된 커버 부재(40)를 거의 덮도록 케이스(10a)가 성형되기 때문에 케이스(10a)의 성형시에 케이스(10a)와 다른 부재와의 계면이 서로 융합하고 수밀성이 향상된다. 따라서, 내수성이 우수한 광전 센서를 형성할 수 있다.(7) The case 10a is formed so as to substantially cover the
(8) 앰프 베이스(21)와 앰프 커버(41)에 의해 회로 부품을 수용한 공간을 확보한 상태에서 케이스(10a)를 성형한다. 따라서, 회로 부품의 열 스트레스에 의한 고장을 경감하고, 제조시의 수율을 향상시킬 수 있다.(8) The case 10a is formed in a state in which a space for accommodating circuit components is secured by the
(9) 리드 프레임(27)을 매설한 베이스부(21a) 주변에 베이스 프레임(21b)을 성형하여 앰프 베이스(21)를 형성했기 때문에 보강 베이스(25)와 단자 베이스(26)를 앰프 베이스(21)의 뒷면에 절곡할 때, 리드 프레임(27)에 기계적 스트레스의 작용을 줄일 수 있다. 따라서 기계적 스트레스로 인한 회로의 손상을 방지하고, 제조시의 수율을 향상시킬 수 있다.(9) Since the
또한, 상기 실시 형태는 다음과 같이 변경하여도 좋다.The above embodiment may be modified as follows.
·상기 실시 형태의 앰프 베이스(21), 투광 소자 베이스(22), 수광 소자 베이스(23) 등을 성형하는 수지를 적절하게 변경해도 좋다. 예를 들어, 수지로서 ABS (아크릴로니트릴부타디엔스티렌), PC, PPS(폴리페닐렌설파이드)를 사용할 수있다. 또한 커버 부재(40)를 형성하는 수지에 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)를 사용할 수도 있다.The resin for molding the
·앰프 커버(41)는 적색 이외의 가시 광선을 투과하기 쉬운 색채의 수지로 성형할 수 있다.The
10 ... 광전 센서, 10a ... 케이스, 11 ...베이스부, 12 ... 투광부, 13 ... 수광부, 16 ... 커넥터 커버, 16a ... 오목부, 16e ... 관통구, 16f ... 오목부(계합부), 17 ... 커넥터, 17a ... 오목부, 18 ... 연결 단자, 20 ... K형용 주요 부품 (몰딩), 20a ... L형용 주요부 (주요부), 21 ... 앰프 베이스(회로 베이스), 22 ... 투광 소자 베이스, 22a ... 오목부, 23 ... 수광 소자 베이스, 24 ... 굴곡 베이스(접속부), 25 ... 보강 베이스(접속부), 26 ... 단자 베이스, 27 ... 리드 프레임, 27a ... 리드부, 27b ... 리드부, 27c ... 리드부, 27c-27e ... 리드부, 27d ... 리드부, 27e ... 리드부 32 ... 투광 소자, 33 ... 수광 소자, 40 ... 커버 부재, 41b ... 오목부, 51 ... 접속부, 52 ... 접속부, 60 ... 광전 센서, 60a ... 케이스.10: photoelectric sensor 10a: case 11: base portion 12: transparent portion 13: light receiving portion 16: connector cover 16a: concave portion 16e (20a, 20b, 20c, 20d, 20e, 20f, 20f, 20f, 20f, A light emitting
Claims (5)
상기 회로 부품이 실장된 상기 리드 프레임 부분을 포함하는 회로 베이스와,
상기 회로 베이스의 양단부에 리드부를 통해 연결되며, 상기 투광 소자와 상기 수광 소자가 실장된 상기 리드 프레임 부분을 각각 포함한 투광 소자 베이스 및 수광 소자 베이스;
상기 회로 베이스의 일 단부에 리드부를 통해 연결된 접속부;
상기 접속부에 접속된 복수의 연결 단자가 있고 외부 커넥터가 삽입되는 오목부를 가지는 내부 커넥터;
상기 내부 커넥터를 수용하고 바닥에 상기 복수의 연결 단자가 삽입된 관통구를 갖는 커넥터 커버; 및
상기 회로 베이스, 상기 투광 소자 베이스, 상기 수광 소자 베이스, 상기 접속부 및 상기 커넥터 커버를 덮도록 일체로 성형된 케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 센서A photoelectric sensor comprising a light emitting element, a light receiving element, and a circuit component mounted on a lead frame,
A circuit base including the lead frame portion on which the circuit component is mounted,
A light-emitting element base and a light-receiving element base which are connected to both ends of the circuit base through a lead portion and each include the lead frame portion in which the light-emitting element and the light-receiving element are mounted;
A connecting portion connected to one end of the circuit base through a lead portion;
An internal connector having a plurality of connection terminals connected to the connection portion and having a recess into which the external connector is inserted;
A connector cover having a through-hole for receiving the internal connector and having a plurality of connection terminals inserted in a bottom thereof; And
And a case integrally molded to cover the circuit base, the light emitting element base, the light receiving element base, the connecting portion, and the connector cover.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2015-145770 | 2015-07-23 | ||
JP2015145770A JP6510347B2 (en) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | Photoelectric sensor, manufacturing method of photoelectric sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170012008A KR20170012008A (en) | 2017-02-02 |
KR101813375B1 true KR101813375B1 (en) | 2017-12-28 |
Family
ID=57061660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160059542A KR101813375B1 (en) | 2015-07-23 | 2016-05-16 | Photoelectric sensor |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6510347B2 (en) |
KR (1) | KR101813375B1 (en) |
CN (1) | CN205642399U (en) |
TW (1) | TW201704794A (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098471A (en) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Sharp Corp | Optical coupling device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus using optical coupling device |
US20080210952A1 (en) | 2006-10-24 | 2008-09-04 | Hideo Wada | Photo interrupter, method of manufacturing the same, and electronic equipment using the same |
JP2008270264A (en) | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Rohm Co Ltd | Photointerrupter |
JP2009050129A (en) | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Omron Corp | Safety controller |
JP2010062238A (en) | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Juki Corp | Photointerrupter |
JP2011027532A (en) | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Yamatake Corp | Photoelectric sensor |
JP2015115186A (en) | 2013-12-11 | 2015-06-22 | アズビル株式会社 | Photoelectric switch |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0935594A (en) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Omron Corp | Photosensor |
JPH11145505A (en) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Omron Corp | Photosensor and manufacture thereof |
JP3721887B2 (en) * | 1999-10-01 | 2005-11-30 | オムロン株式会社 | Electronic components and photomicrosensors |
-
2015
- 2015-07-23 JP JP2015145770A patent/JP6510347B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-28 CN CN201620371698.2U patent/CN205642399U/en active Active
- 2016-05-16 KR KR1020160059542A patent/KR101813375B1/en active IP Right Grant
- 2016-05-17 TW TW105115107A patent/TW201704794A/en unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098471A (en) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Sharp Corp | Optical coupling device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus using optical coupling device |
US20080210952A1 (en) | 2006-10-24 | 2008-09-04 | Hideo Wada | Photo interrupter, method of manufacturing the same, and electronic equipment using the same |
JP2008270264A (en) | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Rohm Co Ltd | Photointerrupter |
JP2009050129A (en) | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Omron Corp | Safety controller |
JP2010062238A (en) | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Juki Corp | Photointerrupter |
JP2011027532A (en) | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Yamatake Corp | Photoelectric sensor |
JP2015115186A (en) | 2013-12-11 | 2015-06-22 | アズビル株式会社 | Photoelectric switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170012008A (en) | 2017-02-02 |
CN205642399U (en) | 2016-10-12 |
JP2017027812A (en) | 2017-02-02 |
TW201704794A (en) | 2017-02-01 |
JP6510347B2 (en) | 2019-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5058549B2 (en) | Optical element module | |
US8616787B2 (en) | Optical connector and manufacturing method thereof | |
JP2009098343A (en) | Optical module and method for making the same | |
KR20040036521A (en) | Magnetic detection apparatus | |
US20060244439A1 (en) | Moving object detection device | |
US7635852B2 (en) | Optical coupler with first and second division connector portion | |
KR101844652B1 (en) | Photoelectric sensor and method for manufacturing the same | |
KR101813375B1 (en) | Photoelectric sensor | |
JP5964687B2 (en) | Optical sensor | |
US8602661B2 (en) | Housing-integrated optical semiconductor component and manufacturing method thereof | |
JP2009063420A (en) | Loading location accuracy inspection apparatus | |
US9711914B2 (en) | Cable connector assembly having a stopping member for avoiding light scattering | |
US8805138B2 (en) | Method of manufacturing optical path change optical connector, and optical path change connector | |
JP5222233B2 (en) | Optical communication module | |
JP2009151128A (en) | Optical connector | |
JP2008172183A (en) | Photo interrupter and its manufacturing method | |
JP4175288B2 (en) | Manufacturing method of optical connector | |
JPH0935594A (en) | Photosensor | |
JP2014178598A (en) | Optical element module | |
CN218567611U (en) | Sensor packaging structure and distance sensor | |
JP2013137412A (en) | Lens component | |
JP2006251014A (en) | Optical transmission connector | |
KR20220085095A (en) | Dust-proof optical sensor and its manufacturing method | |
JP6273605B2 (en) | Member fixing method of optical element module | |
KR20190021025A (en) | Camera module and apparatus for manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |