KR101804348B1 - 유기 반도체 패턴 및 그 형성 방법과 상기 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

제1 양각부 및 상기 제1 양각부보다 높이가 낮은 제2 양각부를 가진 몰드를 준비하는 단계, 하부막 위에 상기 몰드를 배치하는 단계, 상기 하부막과 상기 몰드 사이에 유기 반도체 용액을 공급하는 단계, 그리고 모세관력(capillary force)에 의해 상기 하부막과 상기 제2 양각부 사이에 상기 유기 반도체 용액을 모으는 단계를 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법, 상기 방법으로 형성된 유기 반도체 패턴 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.

Description

유기 반도체 패턴 및 그 형성 방법과 상기 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 전자 소자{ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN AND METHOD OF FORMING THE SAME AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN}
유기 반도체 패턴 및 그 형성 방법과 상기 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)와 같은 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기 광학 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.
평판 표시 장치는 스위칭 소자로서 삼단자 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 포함한다. 이러한 박막 트랜지스터 중에서, 규소(Si)와 같은 무기 반도체 대신 유기 반도체를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
유기 반도체는 공액 저분자 및 공액 고분자와 같은 공액성 화합물을 포함할 수 있으며, 유기 물질의 특성상 섬유(fiber) 또는 필름(film)과 같은 형태로 만들 수 있어서 가요성 표시 장치(flexible display device)로 제작될 수 있다.
한편 유기 반도체의 질서도 및 결정성은 유기 박막 트랜지스터의 성능에 중요한 영향을 미친다.
일 구현예는 유기 반도체의 질서도 및 결정성을 높일 수 있는 유기 반도체 패턴의 형성 방법을 제공한다.
다른 구현예는 상기 방법으로 형성된 유기 반도체 패턴을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 제1 양각부 및 상기 제1 양각부보다 높이가 낮은 제2 양각부를 가진 몰드를 준비하는 단계, 하부막 위에 상기 몰드를 배치하는 단계, 상기 하부막과 상기 몰드 사이에 유기 반도체 용액을 공급하는 단계, 그리고 모세관력(capillary force)에 의해 상기 하부막과 상기 제2 양각부 사이에 상기 유기 반도체 용액을 모으는 단계를 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법을 제공한다.
상기 제1 양각부는 상기 몰드의 에지부에 위치할 수 있다.
상기 제2 양각부는 상기 제1 양각부 사이에 위치할 수 있다.
상기 제2 양각부는 상기 제1 양각부보다 약 1 내지 100nm 만큼 높이가 낮을 수 있다.
상기 몰드를 배치하는 단계에서 상기 제1 양각부는 상기 하부막에 접촉하고 상기 제2 양각부는 상기 하부막에 접촉하지 않을 수 있다.
상기 몰드를 배치하는 단계에서 상기 제2 양각부와 상기 하부막 사이에 약 1 내지 100nm 의 간극(gap)을 가질 수 있다.
상기 몰드는 소수성 물질을 포함할 수 있다.
상기 몰드는 불소 함유 화합물을 포함할 수 있다.
상기 제조 방법은 상기 유기 반도체 용액을 공급하는 단계 후에 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 반도체 용액은 펜타센(pentacene), 테트라벤조포피린(tetrabenzoporphyrin), 페닐렌비닐렌(phenylenevinylene), 티닐렌비닐렌(thienylenevinylene), 플루오렌(fluorene), 플러렌(fullerene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리티에노티오펜(polythienothiophene), 폴리아릴아민(polyarylamine), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine), 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA), 페릴렌(perylene), 코로넨(coronene) 및 이들의 유도체에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기 반도체 용액은 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene, P3HT), 트리이소프로필실릴에티닐펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene, TIPS-pentacene) 및 페닐-C61-부티르산 메틸에스테르(phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상술한 방법으로 형성된 유기 반도체 패턴을 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 반도체 패턴을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.
용해성 유기 반도체 물질을 기반으로 결정성 높은 유기 반도체 박막을 성장시킬 수 있으며, 이를 포함하는 유기 전자 소자의 성능을 개선할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 반도체 패턴을 형성할 때 사용하는 몰드를 도시한 개략도이고,
도 2 내지 도 5는 일 구현예에 따른 유기 반도체 패턴의 형성 방법을 차례로 도시한 사시도이고,
도 6 내지 도 8은 일 구현예에 따른 방법으로 형성된 다양한 모양의 유기 반도체 패턴을 보여주는 사진이고,
도 9는 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이고,
도 10은 비교예 1 및 실시예 1에 따른 박막 트랜지스터의 이동도를 보여주는 그래프이고,
도 11은 실시예 4에 따른 박막 트랜지스터의 이동도를 보여주는 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 반도체 패턴의 형성 방법에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따라 유기 반도체 패턴을 형성할 때 사용하는 몰드를 도시한 개략도이고, 도 2 내지 도 5는 일 구현예에 따른 유기 반도체 패턴의 형성 방법을 차례로 도시한 사시도이다.
먼저, 유기 반도체 패턴을 형성하기 위한 몰드(mold)를 준비한다.
도 1을 참고하면, 몰드(50)는 제1 양각부(50a), 제2 양각부(50b), 그리고 제1 양각부(50a)와 제2 양각부(50b) 사이에 위치하는 음각부(50c)를 가진다.
제1 양각부(50a)는 몰드(50)의 에지 부분에 위치한다. 제1 양각부(50a)는 대향하는 한 쌍의 에지 부분에 위치할 수도 있고 대향하는 두 쌍의 에지 부분에 위치할 수도 있다.
제2 양각부(50b)는 제1 양각부(50a) 사이에 위치하며 제1 양각부(50a)와 높이가 다르다. 제2 양각부(50b)는 제1 양각부(50a)보다 높이가 낮으며, 제1 양각부(50a)와 제 2 양각부(50b)의 높이의 차이(d)는 약 1 내지 100nm 일 수 있다.
제2 양각부(50b)의 하부면은 형성하고자 하는 유기 반도체 패턴과 실질적으로 동일한 모양 및 크기를 가질 수 있다. 제2 양각부(50b)는 예컨대 수 내지 수백 마이크로미터의 폭을 가질 수 있으며, 예컨대 약 1 내지 800㎛의 폭을 가질 수 있다.
몰드(50)는 소수성 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 불소 함유 화합물을 포함할 수 있다. 불소 함유 화합물은 예컨대 퍼플루오로폴리에테르(perfluoro polyether, PFPE)를 포함할 수 있다. 이와 같이 소수성 물질로 만들어진 몰드(50)를 사용함으로써 후술하는 바와 같이 유기 반도체 패턴 형성시 유기 반도체 용액과의 접착성이 개선되어 모세관력이 효율적으로 작용할 수 있다.
도 2를 참고하면, 상기 몰드(50)를 하부막(100) 위에 배치하고 가압한다.
하부막(100)은 유기 반도체 패턴을 형성하고자 하는 기판 또는 박막일 수 있으며, 박막인 경우 예컨대 절연막 또는 도전막일 수 있다.
이 때 몰드(50)의 제2 양각부(50b)는 제1 양각부(50a)보다 높이가 낮으므로, 몰드(50)의 제1 양각부(50a)는 하부막(100)에 접촉하고 몰드(50)의 제2 양각부(50b)는 하부막(100)과 접촉하지 않는다. 몰드(50)의 제2 양각부(50b)와 하부막(100) 사이에는 제1 양각부(50a)와 제2 양각부(50b) 사이의 높이 차이만큼의 간극(gap)(d)이 생길 수 있다. 따라서 몰드(50)의 제2 양각부(50b)와 하부막(100) 사이에 약 1 내지 100nm의 간극이 생길 수 있다.
도 3을 참고하면, 몰드(50)와 하부막(100) 사이에 유기 반도체 용액(150)을 공급한다. 유기 반도체 용액(150)은 예컨대 적하(dripping) 또는 침지(dipping)와 같은 방법으로 공급될 수 있다.
유기 반도체 용액(150)은 유기 반도체 물질 및 용매를 포함할 수 있다.
유기 반도체 물질은 용해성 유기 반도체 물질일 수 있으며, 예컨대 펜타센(pentacene), 테트라벤조포피린(tetrabenzoporphyrin), 페닐렌비닐렌(phenylenevinylene), 티닐렌비닐렌(thienylenevinylene), 플루오렌(fluorene), 플러렌(fullerene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리티에노티오펜(polythienothiophene), 폴리아릴아민(polyarylamine), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine), 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA), 페릴렌(perylene), 코로넨(coronene) 및 이들의 유도체에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
유기 반도체 물질은 예컨대 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene, P3HT), 트리이소프로필실릴에티닐펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene, TIPS-pentacene) 및 페닐-C61-부티르산 메틸에스테르(phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
용매는 유기 반도체 물질을 용해할 수 있으면 특히 한정되지 않으며, 예컨대 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 클로로포름, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 및 아세토니트릴에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 4를 참고하면, 몰드(50)와 하부막(100) 사이에 공급된 유기 반도체 용액(150)은 모세관력(capillary force)에 의해 하부막(100)과 제2 양각부(50b) 사이에 모인다.
이어서 유기 반도체 용액(150) 중의 용매를 제거한다. 용매는 상온에서 수분간 방치하여 제거할 수도 있고, 용매의 비점보다 높은 온도로 열처리하여 제거할 수도 있다.
이에 따라 하부막(100)과 제2 양각부(50b) 사이에는 유기 반도체 물질만 남게 된다. 이 때 하부막(100)과 제2 양각부(50b) 사이의 공간이 실질적으로 매우 작으므로 유기 반도체 물질은 면방향, 즉 이차원적으로 성장하여 결정성 박막 필름인 유기 반도체 패턴(154)으로 형성된다. 유기 반도체 패턴(154)은 제2 양각부(50b)의 하부면과 실질적으로 동일한 패턴을 가질 수 있다.
도 5를 참고하면, 몰드(50)를 제거하고 하부막(100) 위에 유기 반도체 패턴(154)만 남긴다.
이와 같이 높이가 다른 양각부를 가진 몰드를 사용하여 모세관력에 의해 유기 반도체 패턴을 형성함으로써 추가적인 후처리 없이 결정성 높은 유기 반도체 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 용해성 유기 반도체 물질을 기반으로 결정성 높은 박막을 성장시킬 수 있으며, 이에 따라 상술한 방법으로 형성된 유기 반도체 패턴을 포함하는 소자의 성능을 개선할 수 있다.
또한 몰드의 양각부 형태에 따라서 다양한 모양의 유기 반도체 패턴을 형성할 수 있으며 원하는 위치에 선택적으로 유기 반도체 패턴을 형성할 수 있다.
도 6 내지 도 8은 일 구현예에 따른 방법으로 형성된 다양한 모양의 유기 반도체 패턴을 보여주는 사진이다.
도 6은 직사각형 모양의 제2 양각부를 가지는 몰드를 사용하여 형성된 직사각형 모양의 유기 반도체 패턴을 보여주고, 도 7은 정사각형 모양의 제2 양각부를 가지는 몰드를 사용하여 형성된 정사각형 모양의 유기 반도체 패턴을 보여주며, 도 8은 지그재그 모양의 제2 양각부를 가지는 몰드를 사용하여 형성된 지그재그 모양의 유기 반도체 패턴을 보여준다.
이하 상술한 유기 반도체 패턴(154)을 포함하는 박막 트랜지스터에 대하여 설명한다.
도 9는 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 9를 참고하면, 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터는 기판(110) 위에 게이트 전극(124)이 형성되어 있고 게이트 전극(124) 위에 기판 전면을 덮는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(124)과 중첩하는 유기 반도체 패턴(154)이 형성되어 있다. 유기 반도체 패턴(154)은 전술한 방법에 따라 형성될 수 있다.
유기 반도체 패턴(154) 위에는 서로 마주하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 유기 반도체 패턴(154)과 전기적으로 연결되어 있다. 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 유기 반도체 패턴(154)에 형성된다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
실시예 1
유리 기판 위에 스퍼터링으로 몰리브덴 2000Å을 적층하고 패터닝하여 게이트 전극을 형성하였다. 이어서, 기판 위에 350℃에서 화학기상증착으로 약 4000Å의 질화규소를 적층하여 게이트 절연막을 형성하였다. 이어서 수 나노미터의 높이 차를 가지는 복수의 직사각형 양각부를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르(PFPE) 몰드를 준비한 후, 상기 몰드를 게이트 절연막 위에 배치하였다. 이어서 몰드와 게이트 절연막 사이에 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT) 및 클로로포름이 20mg/ml의 농도로 혼합된 유기 반도체 용액 5㎕을 적하하였다. 이어서 상온에서 수분간 두어 클로로포름을 휘발시킨 후 몰드를 제거하여 유기 반도체 패턴을 형성하였다. 이어서 알루미늄 1000 Å을 새도우 마스크를 사용하여 적층하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하였다.
실시예 2
폴리(3-헥실티오펜)(P3HT) 대신 트리이소프로필실릴에티닐펜타센(TIPS-pentacene)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하였다.
실시예 3
폴리(3-헥실티오펜)(P3HT) 대신 트리이소프로필실릴에티닐펜타센(TIPS-pentacene)을 사용하고 클로로포름 대신 톨루엔을 사용하고 유기 반도체 용액의 농도를 10mg/ml로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하였다.
실시예 4
폴리(3-헥실티오펜)(P3HT) 대신 페닐-C61-부티르산 메틸에스테르(PCBM)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하였다.
비교예 1
유기 반도체 패턴 형성시, 몰드를 사용하지 않고 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT) 및 클로로포름이 20mg/ml의 농도로 혼합된 유기 반도체 용액을 스핀 코팅한 후 건조하여 유기 반도체를 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하였다.
평가 - 1
비교예 1에 따른 박막 트랜지스터를 3개 제조하여 각각 소자번호(Device number) 1, 2, 3으로 하고, 실시예 1에 따른 박막 트랜지스터를 11개 제조하여 소자번호 4 내지 14로 하여 이들의 이동도(mobility)를 비교하였다.
도 10은 비교예 1 및 실시예 1에 따른 박막 트랜지스터의 이동도를 보여주는 그래프이다.
도 10을 참고하면, 실시예 1에 따른 박막 트랜지스터(소자번호 4 내지 14)는 비교예 1에 따른 박막 트랜지스터(소자번호 1, 2, 3)와 비교하여 이동도가 높은 것을 알 수 있다.
평가 - 2
실시예 1 내지 4에 따른 박막 트랜지스터의 이동도를 측정하였다.
실시예 1에 따른 박막 트랜지스터의 이동도는 평가 1에서 측정한 바와 같고, 실시예 4에 따른 박막 트랜지스터는 소자 15개를 제조하여 각각 소자번호(Device number) 1 내지 15로 하고 이들의 이동도를 측정하였다
그 결과에 대하여 표 1 및 도 11을 참고하여 설명한다.
도 11은 실시예 4에 따른 박막 트랜지스터의 이동도를 보여주는 그래프이다.
이동도(㎠/Vs)
실시예 1 > 0.01
실시예 2 7.46 x 10-1
실시예 3 9.41 x 10-1
실시예 4 > 0.01
실시예 1에 따른 박막 트랜지스터의 이동도는 평가 1에서 보는 바와 같이 모든 소자에 대하여 0.01㎠/Vs 보다 높게 측정되었으며, 실시예 2 및 3에 따른 박막 트랜지스터 또한 양호한 이동도를 나타내는 것으로 확인되었다.
도 11을 참고하면, 실시예 4에 따른 박막 트랜지스터 또한 약 0.01㎠/Vs 보다 높은 이동도를 나타냄을 확인하였다.
이로부터 상술한 구현예에 따라 높이가 다른 양각부를 가진 몰드를 사용하여 모세관력에 의해 유기 반도체 패턴을 형성함으로써 유기 반도체 용액으로부터 결정성 높은 박막을 성장시킬 수 있고 이에 따라 소자의 성능을 개선할 수 있음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
50: 몰드 50a: 제1 양각부
50b: 제2 양각부 50c: 음각부
100: 하부막 110: 기판
124: 게이트 전극 140: 게이트절연막
150: 유기반도체용액 154: 유기반도체패턴
173: 소스 전극 175: 드레인 전극

Claims (13)

  1. 제1 양각부 및 상기 제1 양각부보다 높이가 낮은 제2 양각부를 가진 몰드를 준비하는 단계,
    하부막 위에 상기 몰드를 배치하는 단계,
    상기 하부막과 상기 몰드 사이에 유기 반도체 용액을 공급하는 단계, 그리고
    모세관력(capillary force)에 의해 상기 하부막과 상기 제2 양각부 사이에 상기 유기 반도체 용액을 모으는 단계
    를 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 양각부는 상기 몰드의 에지부에 위치하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항에서,
    상기 제2 양각부는 상기 제1 양각부 사이에 위치하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 제2 양각부는 상기 제1 양각부보다 1 내지 100nm 만큼 높이가 낮은 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항에서,
    상기 하부막 위에 상기 몰드를 배치하는 단계에서 상기 제1 양각부는 상기 하부막에 접촉하고 상기 제2 양각부는 상기 하부막에 접촉하지 않는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 하부막 위에 상기 몰드를 배치하는 단계에서 상기 제2 양각부와 상기 하부막 사이에 1 내지 100nm 의 간극(gap)을 가지는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  7. 제1항에서,
    상기 몰드는 소수성 물질을 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 몰드는 불소 함유 화합물을 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  9. 제1항에서,
    상기 유기 반도체 용액을 공급하는 단계 후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 유기 반도체 용액은 펜타센(pentacene), 테트라벤조포피린(tetrabenzoporphyrin), 페닐렌비닐렌(phenylenevinylene), 티닐렌비닐렌(thienylenevinylene), 플루오렌(fluorene), 플러렌(fullerene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리티에노티오펜(polythienothiophene), 폴리아릴아민(polyarylamine), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 금속화 프탈로시아닌(metallized phthalocyanine), 페릴렌테트라카르복실산 이무수물(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA), 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물(naphthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA), 페릴렌(perylene), 코로넨(coronene) 및 이들의 유도체에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 유기 반도체 용액은 폴리(3-헥실티오펜)(poly(3-hexylthiophene, P3HT), 트리이소프로필실릴에티닐펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene, TIPS-pentacene) 및 페닐-C61-부티르산 메틸에스테르(phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 반도체 패턴의 형성 방법.
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