KR101794355B1 - Photo mask and method of fabricating display substrate using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광을 모두 투과하는 투과부, 상기 투과부와 이격되어 배치되며 상기 광을 차단하는 차단부, 및 상기 투과부 보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부를 포함하는 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법을 개시한다.The present invention relates to a photomask including a transmissive portion that transmits all of light, a blocking portion that is disposed apart from the transmissive portion and blocks the light, and a transflective portion that is formed in a plurality of patterns spaced apart from each other with a smaller light transmittance than the transmissive portion, A method of manufacturing a display substrate using the same is disclosed.

Description

포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법{Photo mask and method of fabricating display substrate using the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a photomask and a method of fabricating the same,

본 발명은 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법에 관한 것으로, 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절하는 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a photomask and a method of manufacturing a display substrate using the same, and more particularly, to a photomask for adjusting a light transmittance by changing a pattern structure of a mask and a method of manufacturing a display substrate using the same.

오늘날 표시장치는 정보산업의 발달과 더불어 많은 발전을 이루고 있다. 표시장치의 예로서는 액정표시장치, 유기전계발광다이오드 표시장치 및 플라즈마 표시장치등일 수 있다. Today, display devices are making much progress with the development of the information industry. Examples of the display device include a liquid crystal display device, an organic light emitting diode display device, and a plasma display device.

이와 같은 표시장치는 다수의 마스크 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 마스크 공정은 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 통해 일정한 패턴의 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용한 패터닝 공정을 포함할 수 있다.Such a display device can be manufactured using a plurality of mask processes. The mask process may include a patterning process using a photoresist pattern as an etch mask after forming a photoresist pattern of a predetermined pattern through an exposure and development process using a mask.

현재, 표시장치의 제조 공정 비용을 줄이기 위해, 마스크 공정 수를 줄이기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다. 여기서, 마스크 공정 수를 줄이기 위하여, 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이때, 단차를 갖는 포토레지스트 패턴은 슬릿 마스크, 그레이톤 마스크 및 하프톤 마스크등의 포토 마스크를 이용한 노광 공정을 통해 형성할 수 있다.At present, in order to reduce the manufacturing cost of the display device, much research has been conducted to reduce the number of mask processes. Here, in order to reduce the number of mask processes, a photoresist pattern having a step is formed. At this time, the photoresist pattern having a step can be formed through an exposure process using a photomask such as a slit mask, a gray-toned mask, and a halftone mask.

하지만, 슬릿 마스크 및 그레이톤 마스크는 균일한 패터닝을 구하기 어려울 뿐만 아니라, 슬릿 마스크, 그레이톤 마스크 및 하프톤 마스크를 제조하기 위한 공정이 복잡하여 포토 마스크의 제조 비용이 상승하게 되었다. 이와 같은 포토 마스크의 제조 비용 증가로 인해, 표시장치의 제조 비용을 낮추는데 한계가 있었다.
However, the slit mask and the gray-tone mask are difficult to obtain uniform patterning, and the manufacturing process of the slit mask, the gray-tone mask, and the halftone mask is complicated, thereby increasing the manufacturing cost of the photomask. Due to the increase in the manufacturing cost of such a photomask, there has been a limit to lowering the manufacturing cost of the display device.

따라서, 본 발명은 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법에서 발생될 수 있는 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 구체적으로 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절함에 따라 용이한 제조 공정으로 제조될 수 있는 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention has been made to solve the problems that may occur in a method of manufacturing a photomask and a display substrate using the same, and more particularly, to a method of manufacturing a display substrate using the same, And a method of manufacturing a display substrate using the same.

본 발명에 따른 해결 수단의 포토 마스크를 제공한다. 상기 포토 마스크는 광을 모두 투과하는 투과부; 상기 투과부와 이격되어 배치되며 상기 광을 차단하는 차단부; 및 상기 투과부 보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부;를 포함할 수 있다.A photomask of the solution according to the invention is provided. The photomask may include a transmissive portion through which light is entirely transmitted; A blocking portion disposed to be spaced apart from the transmissive portion and blocking the light; And a semi-transmissive portion formed in a plurality of patterns spaced apart from each other and having a light transmittance lower than that of the transmissive portion.

여기서, 상기 투과부에서 상기 차단부로 갈수록 일정한 비율로 감소된 광투과율을 갖는 연속 반투과부를 더 포함할 수 있다.Here, the continuous transflective portion may have a reduced light transmittance from the transmissive portion to the blocking portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 개구부로 이루어지며, 상기 다수의 개구부는 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 감소된 면적을 가질 수 있다.In addition, the pattern constituting the continuous transflective portion may include a plurality of apertures, and the plurality of apertures may have a reduced area as the transmissive portion progresses from the transmissive portion to the blocking portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 감소된 간격을 가질 수 있다.In addition, the pattern constituting the continuous transflective portion may be formed of a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns may have a reduced spacing as the blocking portion progresses from the transmitting portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 증가된 면적을 가질 수 있다.Also, the pattern constituting the continuous transflective portion may be formed of a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns may have an increased area as the blocking portion is moved from the transmitting portion to the blocking portion.

또한, 상기 반투과부는 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.
In addition, the transflective portion may have a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns may be spaced apart at a predetermined interval.

본 발명에 따른 다른 해결 수단으로 포토 마스크를 이용한 표시기판의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 표시부와 상기 표시부의 주변에 배치된 비표시부를 갖는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 전면에 피식각막을 형성하는 단계; 상기 피식각막을 포함한 상기 기판상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층 상에 광을 모두 투과하는 투과부와 상기 투과부와 이격되어 배치되며 상기 광을 차단하는 차단부와 상기 투과부 보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부를 갖는 포토 마스크를 제공하는 단계; 상기 포토레지스트층 상에 상기 포토 마스크를 이용한 노광 공정 및 현상 공정을 수행하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 피식각막을 식각하여 패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. Another method of manufacturing a display substrate using a photomask according to the present invention is provided. The manufacturing method includes: providing a substrate having a display portion and a non-display portion disposed in the periphery of the display portion; Forming a corneal epithelium on the entire surface of the substrate; Forming a photoresist layer on the substrate including the corneal epithelium; A photomask having a transmissive portion that transmits light entirely on the photoresist layer, a blocking portion that is disposed apart from the transmissive portion and that blocks the light, and a semi-transmissive portion that is formed in a plurality of patterns spaced apart from the transmissive portion, ; Forming a photoresist pattern having a step difference by performing an exposure process and a development process using the photomask on the photoresist layer; And etching the patterned cornea using the photoresist pattern as an etching mask to form a pattern.

여기서, 상기 반투과부는 상기 비표시부와 대응되도록 배치되며, 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할 수록 감소된 광투과율을 갖는 연속 반투과부를 가질 수 있다.Here, the transflective portion may be disposed to correspond to the non-display portion, and may have a continuous transflective portion having a reduced light transmittance from the outer portion of the display portion to the outer portion of the non-display portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 개구부로 이루어지며, 상기 개구부는 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할 수록 감소된 면적을 가질 수 있다.In addition, the pattern constituting the continuous transflective portion may include a plurality of openings, and the opening may have a reduced area as it goes from the outer periphery of the display portion to the outer periphery of the non-display portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할수록 일정한 비율로 감소된 간격을 가질 수 있다.In addition, the pattern constituting the continuous transflective portion may be formed of a plurality of blocking patterns, and the blocking patterns may have a reduced spacing at a constant rate from the outer periphery of the display portion to the outer periphery of the non-display portion.

또한, 상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할수록 일정한 비율로 증가된 면적을 가질 수 있다.In addition, the pattern constituting the continuous transflective portion may be formed of a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns may have an increased area at a constant rate as they progress from the outer portion of the display portion to the outer portion of the non-display portion.

또한, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 연속 반투과부와 대응되며 연속적으로 증가된 두께를 갖는 연속 단차를 가질 수 있다.In addition, the photoresist pattern may have a continuous step corresponding to the continuous transflective portion and having a continuously increased thickness.

또한, 상기 반투과부는 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다.In addition, the transflective portion may have a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns may be spaced apart at a predetermined interval.

또한, 상기 피식각막은 순차적으로 형성된 비정질 실리콘층, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층 및 금속층을 포함할 수 있다.
In addition, the epitaxial cornea may include an amorphous silicon layer, an amorphous silicon layer doped with impurities, and a metal layer sequentially formed.

본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크는 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절함에 따라 간단한 공정으로 제조될 수 있어, 포토 마스크의 제조 비용을 줄일 수 있다.The photomask according to the embodiment of the present invention can be manufactured in a simple process by adjusting the light transmittance by changing the pattern structure of the mask, thereby reducing the manufacturing cost of the photomask.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크는 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절함에 따라 간단한 공정을 통해 톤의 개수도 무한대로 증가시킬 수 있다.In addition, the photomask according to the embodiment of the present invention can increase the number of tones to infinity through a simple process by adjusting the light transmittance by changing the pattern structure of the mask.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크는 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절함에 따라 연속적으로 일정하게 감소되거나 증가될 수 있는 광투과율을 가지도록 형성될 수 있어, 표시장치의 제조 공정에서 발생할 수 있는 로딩 효과(loading effect)를 개선할 수 있다.
Further, the photomask according to the embodiment of the present invention can be formed so as to have a light transmittance that can be continuously reduced or increased continuously as the light transmittance is adjusted by changing the pattern structure of the mask, The loading effect that can occur can be improved.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토 마스크의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토 마스크의 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴의 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시기판의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.1 is a plan view of a photomask according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a photoresist pattern formed by an exposure and development process using the photomask shown in FIG.
3 is a plan view of a photomask according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a photoresist pattern formed by an exposure and development process using the photomask shown in FIG.
5 to 9 are sectional views illustrating a manufacturing process of a display substrate according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예들은 포토 마스크 및 표시기판의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to drawings of a photomask and a display substrate. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토 마스크의 평면도이다.1 is a plan view of a photomask according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토 마스크(PM)는 광을 모두 투과하는 투과부(T4), 투과부(T4)와 이격되어 배치되며 광을 차단하는 차단부(T1) 및 투과부(T4) 보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부(T2)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the photomask PM according to the first embodiment of the present invention includes a transmissive portion T4 that transmits all light, a blocking portion T1 that is spaced apart from the transmissive portion T4 and blocks light, And a transflective portion T2 having a smaller light transmittance than the transmissive portion T4 and formed of a plurality of spaced apart patterns.

포토 마스크(PM)는 투명한 기판(S)과 기판(S) 상에 배치된 광차단 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 광차단 물질은 투과부(T4)와 대응된 영역을 제외하고 차단부(T1)와 반투과부(T2)와 대응된 영역에만 배치될 수 있다. 이에 따라, 투과부(T4)는 투명한 기판을 통해 광이 모두 투과되고, 차단부(T1)는 광이 모두 차단될 수 있다. 이때, 반투과부(T2)는 광차단 물질의 패터닝으로 형성된 다수의 차단패턴(PM1)으로 형성될 수 있다. 여기서, 차단패턴(PM1)들 사이에 이격된 이격공간을 통해 광이 투과될 수 있어, 반투과부(T2)는 투과부(T4)에 비해 작은 광투과율을 가질 수 있다. 이때, 반투과부(T2)에 형성된 다수의 차단패턴(PM1)은 일정 간격으로 이격되도록 배치될 수 있다. 여기서, 반투과부의 광투과율은 차단 패턴들 사이의 이격 간격 또는 패턴의 면적에 의해 조절될 수 있다. The photomask PM may be formed of a transparent substrate S and a light blocking material disposed on the substrate S. [ Here, the light blocking material may be disposed only in a region corresponding to the blocking portion T1 and the transflective portion T2, except for the region corresponding to the transmitting portion T4. Accordingly, light can be transmitted through the transparent portion T4 through the transparent substrate, and light can be blocked from the blocking portion T1. At this time, the transflective portion T2 may be formed of a plurality of blocking patterns PM1 formed by patterning the light blocking material. Here, the light can be transmitted through the spaced apart spaces between the blocking patterns PM1, and the transflective portion T2 can have a smaller light transmittance than the transmissive portion T4. At this time, the plurality of blocking patterns PM1 formed in the transflective portion T2 may be spaced apart at regular intervals. Here, the light transmittance of the transflective portion can be adjusted by the spacing between the blocking patterns or the area of the pattern.

다수의 차단패턴(PM1) 각각은 사각형의 형태를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서 패턴의 형태를 한정하는 것은 아니다. Each of the plurality of blocking patterns PM1 may have a rectangular shape. However, the embodiment of the present invention does not limit the pattern form.

본 발명의 실시예에서, 하나의 반투과부(T2)를 갖는 포토 마스크(PM)로 한정하여 설명하였으나, 차단패턴(PM1)의 간격이나 면적을 통해 광 투과율을 자유롭게 제어할 수 있음에 따라 다수의 반투과부(T2), 즉 무한대의 톤 개수를 갖는 멀티톤 포토 마스크를 제조할 수 있다.The present invention is not limited to the photomask PM having one transflective portion T2. However, since the light transmittance can be freely controlled through the interval or the area of the blocking pattern PM1, It is possible to manufacture a multitone photomask having a transflective portion T2, that is, an infinite number of tones.

여기서, 종래 반투과부를 갖는 마스크를 제조할 경우, 광차단층의 적층 형태나 두께를 조절하여 형성하기 때문에, 공정이 복잡해지고 광투과율이 서로 다른 여역, 즉 톤의 갯수를 증대시키는데 한계가 있었다. 하지만, 본원 발명에서와 같이, 패턴 구조의 변경을 통해 광투과율을 조절할 수 있으므로, 종래와 대비하여 간단한 공정과 톤의 갯수를 무한대로 증가시킬 수 있는 포토 마스크를 제조할 수 있다.Conventionally, when a mask having a transflective portion is manufactured, the process is complicated and the number of tones, that is, the number of tones having different light transmittances, has been limited because it is formed by adjusting the lamination type and thickness of the light blocking layer. However, as in the present invention, since the light transmittance can be controlled by changing the pattern structure, it is possible to manufacture a photomask capable of infinitely increasing the number of processes and the number of tones compared to the conventional art.

이에 더하여, 포토 마스크(PM)는 연속 반투과부(T3)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 연속 반투과부(T3)는 다수의 차단패턴(PM1)으로 이루어질 수 있다. 이때, 다수의 차단패턴(PM1)은 투과부(T4)에서 차단부(T1)로 진행할수록 연속적으로 감소된 간격 또는 연속적으로 증가된 면적을 가질 수 있다. 이에 따라, 연속 반투과부(T3)는 일지점에서 다른 지점으로 갈수록, 예컨대 투과부(T4)에서 차단부로 갈수록 연속적으로 감소된 광투과율을 갖는 영역일 수 있다. In addition, the photomask PM may further include a continuous transflective portion T3. Here, the continuous transflective portion T3 may be formed of a plurality of blocking patterns PM1. At this time, the plurality of blocking patterns PM1 may have a continuously decreasing interval or a continuously increased area as they progress from the transmitting portion T4 to the blocking portion T1. Accordingly, the continuous transflective portion T3 can be a region having a light transmittance which is continuously reduced from one point to another, for example, from the transmission portion T4 to the blocking portion.

본 발명의 실시예에서, 포토 마스크는 기판과 광차단물질로 구성된 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 포토 마스크는 몸체를 관통하는 개구를 갖는 불투명한 기판으로 형성될 수도 있다. 이때, 투과부는 개구부로 형성되고, 반투과부는 일정 간격으로 이격된 다수의 개구로 이루어질 수 있다.
In the embodiment of the present invention, the photomask is composed of the substrate and the light blocking material, but the present invention is not limited thereto. For example, the photomask may be formed of an opaque substrate having an opening through the body. At this time, the transmissive portion may be formed as an opening portion, and the semi-transmissive portion may be composed of a plurality of apertures spaced apart at regular intervals.

도 2는 도 1에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a photoresist pattern formed by an exposure and development process using the photomask shown in FIG.

도 2를 참조하면, 기판(10) 상에 포토레지스트 패턴(20)을 형성하기 위해, 먼저 기판(10)상에 포토레지스트층을 형성한다. 이후, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토 마스크(PM)를 제공한 후, 노광 및 현상공정을 수행하여 단차(21) 및 연속적으로 감소되는 두께를 갖는 연속 단차(22)를 갖는 포토레지스트 패턴(20)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, a photoresist layer is first formed on the substrate 10 to form a photoresist pattern 20 on the substrate 10. Thereafter, after the photomask (PM) according to the first embodiment of the present invention is provided, an exposure and development process is performed to form a photoresist pattern 21 having a step 21 and a continuous step 22 having a continuously decreasing thickness (20) can be formed.

여기서, 현상공정에서 투과부(T4)와 대응된 포토레지스트층은 완전히 제거되며, 차단부(T1)와 대응된 포토레지스트층은 잔존할 수 있다. Here, in the developing process, the photoresist layer corresponding to the transmissive portion T4 is completely removed, and the photoresist layer corresponding to the blocking portion T1 may remain.

또한, 반투과부(T2)와 대응된 포토레지스트 패턴(20)은 투과부(T4)와 대응된 포토레지스트층에 비해 작은 광에너지의 도달로 인해 차단부(T1)와 대응된 포토레지스트 패턴(20)과 대비하여 작은 두께를 갖는 단차부를 형성할 수 있다. The photoresist pattern 20 corresponding to the transflective portion T2 has a photoresist pattern 20 corresponding to the blocking portion T1 due to the arrival of light energy smaller than the photoresist layer corresponding to the transmissive portion T4, The step portion having a small thickness can be formed.

또한, 연속 반투과부(T3)는 일지점에서 다른 지점으로 갈수록 연속적으로 감소되는 광투과율을 가짐에 따라, 연속 반투과부(T3)와 대응된 포토레지스트 패턴은 연속적으로 감소되는 두께를 갖는 연속 단차(22)를 형성할 수 있다. Also, since the continuous transflective portion T3 has a light transmittance that decreases consecutively from one point to another, the photoresist pattern corresponding to the continuous transflective portion T3 has a continuously decreasing thickness 22 can be formed.

이에 따라, 포토레지스트 패턴(20)은 연속적으로 감소된 두께를 가지도록 형성할 수 있어, 표시장치를 제조하는 공정에서 발생할 수 있는 로딩 효과(loading effect)를 효과적으로 방지할 수 있다. 여기서, 로딩 효과는 포토레지스트의 건식식각 또는 현상공정에서 표시장치의 표시부보다 표시부의 외곽에서 포토레지스트 패턴의 두께가 낮아지는 것을 의미한다. 이때, 건식공정에서는 로딩효과가 표시부의 외곽에서 포토레지스트 패턴의 두께가 낮아지는 것은 플라즈마의 왜곡 현상에 의해 발생할 수 있다. 또한, 현상공정에서는 로딩효과가 표시부의 외곽에서 패턴이 점차적으로 조밀해지기 때문이다. 이와 같은 로딩 효과로 인해, 포토레지스트 패턴을 이용한 식각 공정에서 표시부의 외곽에 배치된 패턴, 특히 배선들이 과식각되는 문제점이 있었다. 하지만, 본원 발명에서와 같이, 연속적으로 감소되는 두께를 갖는 연속 반투과부(T3)를 갖는 포토 마스크(PM)를 이용함에 따라, 건식공정이나 현상공정에서 연속적인 두께 변화를 갖는 포토레지스트 패턴(20)의 두께를 효과적으로 보정할 수 있다. Accordingly, the photoresist pattern 20 can be formed to have a continuously reduced thickness, thereby effectively preventing the loading effect that may occur in the process of manufacturing the display device. Here, the loading effect means that the thickness of the photoresist pattern at the periphery of the display portion is lower than the display portion of the display device in the dry etching or development process of the photoresist. At this time, in the dry process, the loading effect of lowering the thickness of the photoresist pattern at the periphery of the display portion may be caused by distortion of the plasma. Further, in the developing step, the loading effect gradually becomes dense at the outer portion of the display portion. Due to such a loading effect, there is a problem that a pattern, particularly a wiring, disposed on the outer periphery of the display portion in the etching process using the photoresist pattern over-deflects. However, as in the present invention, by using the photomask (PM) having the continuous transflective portion T3 having a continuously decreasing thickness, the photoresist pattern 20 having a continuous thickness change in the dry process or the development process Can effectively be corrected.

본 발명의 제 1 실시예에서와 같이, 패턴의 간격이나 면적을 조절하여 광투과율을 제어할 수 있음에 따라, 다수의 톤을 무한대로 갖는 멀티톤 포토 마스크를 용이하게 제조할 수 있다. As in the first embodiment of the present invention, since the light transmittance can be controlled by adjusting the interval or area of the pattern, a multi-tone photomask having a large number of tones can be easily manufactured.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에서와 같이, 패턴의 간격이나 면적을 조절하여 광투과율을 제어할 수 있음에 따라, 포토마스크는 연속적으로 감소하거나 증가할 수 있는 광투과율을 갖는 연속 반투과부를 가지도록 형성할 수 있어, 로딩 효과를 효과적으로 방지할 수 있다.Further, as in the first embodiment of the present invention, since the light transmittance can be controlled by adjusting the interval or the area of the pattern, the photomask can have a continuous transflective portion having a light transmittance that can be continuously decreased or increased So that the loading effect can be effectively prevented.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토 마스크의 평면도이다. 여기서, 반투과부 및 연속 반투과부를 포함한 패턴의 형태를 제외하고 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 포토마스크와 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 제 1 실시예와 반복된 설명은 생략하기로 한다.3 is a plan view of a photomask according to a second embodiment of the present invention. Here, the photomask has the same configuration as that of the photomask according to the first embodiment except for the pattern shape including the semi-transmissive portion and the continuous semi-transmissive portion. Accordingly, the first embodiment and the repeated description will be omitted.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토 마스크(PM)는 광을 모두 투과하는 투과부(T4), 투과부(T4)와 이격되어 배치되며 광을 차단하는 차단부(T1) 및 투과부(T4) 보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부(T2)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the photomask PM according to the second embodiment of the present invention includes a transmissive portion T4 that transmits all light, a blocking portion T1 that is spaced apart from the transmissive portion T4 and blocks light, And a transflective portion T2 having a smaller light transmittance than the transmissive portion T4 and formed of a plurality of spaced apart patterns.

여기서, 포토 마스크(PM)는 투명한 기판(S)상에 배치된 광차단 물질로 형성될 수 있다. 이때, 반투과부(T2)를 형성하는 다수의 패턴은 투명한 기판을 노출하는 다수의 개구부(PM2)로 이루어질 수 있다. 여기서, 개구부(PM2)는 일정한 면적을 가질 수 있다. 이때, 반투과부(T2)의 투과율은 개구부(PM2)의 면적 또는 개구부(PM2)의 간격에 의해 조절될 수 있다.Here, the photomask PM may be formed of a light blocking material disposed on the transparent substrate S. At this time, a plurality of patterns forming the transflective portion T2 may be formed of a plurality of openings PM2 exposing a transparent substrate. Here, the opening PM2 may have a constant area. At this time, the transmittance of the transflective portion T2 can be adjusted by the area of the opening PM2 or the interval of the opening PM2.

이에 더하여, 포토 마스크(PM)는 연속적으로 광투과율이 감소되는 연속 반투과부(T3)를 더 구비할 수 있다. 이때, 연속 반투과부(T3)는 일지점에서 타지점으로 진행할 수록, 예컨대 투과부(T4)에서 차단부(T1)로 진행할 수록 연속적으로 감소된 면적을 갖는 개구부(PM2)로 이루어질 수 있다.
In addition, the photomask PM may further include a continuous transflective portion T3 with a continuously decreasing light transmittance. At this time, the continuous semi-transmissive portion T3 may be formed of the opening portion PM2 having a continuously reduced area as it progresses from one point to another point, for example, as it proceeds from the transmission portion T4 to the blocking portion T1.

도 4는 도 3에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a photoresist pattern formed by an exposure and development process using the photomask shown in FIG.

도 4에서와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행할 경우, 단차(21)와 연속 단차(22)를 갖는 포토레지스트 패턴(20)이 형성될 수 있다. 이때, 단차(21)는 포토마스크(PM)의 반투과부(T2)와 대응된 영역일 수 있으며, 연속 단차(22)는 포토 마스크(PM)의 연속 반투과부(T3)와 대응될 수 있다.As shown in FIG. 4, when the exposure and development processes using the photomask according to the second embodiment of the present invention are performed, the photoresist pattern 20 having the step 21 and the continuous step 22 can be formed have. At this time, the step 21 may be a region corresponding to the transflective portion T2 of the photomask PM, and the continuous step 22 may correspond to the continuous transflective portion T3 of the photomask PM.

따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서와 같이, 투명기판을 노출하는 다수의 개구부를 형성함에 따라 반투과부를 갖는 포토 마스크를 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 개구부의 면적 또는 간격의 조절을 통해 연속적으로 변화되는 광투과율을 갖는 연속 반투과부를 갖는 포토 마스크를 용이하게 형성할 수 있다.
Therefore, as in the second embodiment of the present invention, a photomask having a transflective portion can be easily formed by forming a plurality of openings exposing a transparent substrate. Further, it is possible to easily form a photomask having a continuous transflective portion having a light transmittance which changes continuously through adjustment of the area or the interval of the openings.

도 5 내지 도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 표시기판의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.5 to 9 are sectional views illustrating a manufacturing process of a display substrate according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 표시기판을 제조하기 위해, 먼저 기판(100) 상에 게이트 전극(111)을 형성한다. Referring to FIG. 5, in order to manufacture a display substrate, a gate electrode 111 is first formed on a substrate 100.

구체적으로, 표시부(D)와 표시부(D)의 주변에 배치된 비표시부(ND)를 갖는 기판(100)을 제공한다. Specifically, a substrate 100 having a display portion D and a non-display portion ND disposed in the periphery of the display portion D is provided.

이후, 게이트 전극(111)을 형성하기 위해, 기판(100) 상에 도전막 및 제 1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 여기서, 제 1 포토레지스트 패턴은 도전막상에 제 1 포토레지스트층을 형성한다. 이후, 제 1 포토레지스트층에 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여 제 1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.Then, to form the gate electrode 111, a conductive film and a first photoresist pattern are formed on the substrate 100. Then, Here, the first photoresist pattern forms a first photoresist layer on the conductive film. Thereafter, the first photoresist layer can be formed by performing an exposure and development process using a mask.

이후, 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 도전막을 식각하여 표시부(D)에 배치된 게이트 전극(111)을 형성할 수 있다.Thereafter, the conductive film is etched using the first photoresist pattern as an etching mask to form the gate electrode 111 disposed on the display portion D.

여기서, 게이트 전극(111)을 형성하는 공정에서, 도면에는 도시하지 않았으나 게이트 전극(111)과 연결되며 표시부에 배치된 게이트 배선이 형성될 수 있다. 이에 더하여, 비표시부(ND)에 배치된 게이트 패드와 게이트 패드와 게이트 배선을 서로 전기적으로 연결하기 위한 게이트 링크 배선이 더 형성될 수 있다.Here, in the step of forming the gate electrode 111, although not shown in the figure, a gate wiring connected to the gate electrode 111 and arranged in the display portion may be formed. In addition, a gate pad disposed in the non-display portion ND and a gate link wiring for electrically connecting the gate pad and the gate wiring to each other may be further formed.

이후, 게이트 전극(111)을 포함한 기판(100)상에 게이트 절연막(110)을 형성한다. 여기서, 게이트 절연막(110)은 화학기상증착법을 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 게이트 절연막(110)을 형성하는 재질의 예로서는 산화실리콘 또는 질화실리콘일 수 있다. Thereafter, a gate insulating film 110 is formed on the substrate 100 including the gate electrode 111. Here, the gate insulating layer 110 may be formed by chemical vapor deposition. At this time, an example of the material for forming the gate insulating film 110 may be silicon oxide or silicon nitride.

도 6을 참조하면, 게이트 절연막(110)을 형성한 후, 비정질 실리콘층(120a), 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층(120b) 및 금속층(130a)을 순차적으로 형성한다.Referring to FIG. 6, an amorphous silicon layer 120a, an impurity-doped amorphous silicon layer 120b, and a metal layer 130a are sequentially formed after the gate insulating layer 110 is formed.

이후, 금속층(130a)상에 단차(140a) 및 연속 단차(140b)를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 형성한다. 여기서, 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 형성하기 위해, 금속층(130a)상에 제 2 포토레지스트층을 형성한 후, 제 2 포토레지스트층 상에 영역별로 서로 다른 광투과율을 갖는 포토 마스크(PM)를 제공한다. 여기서, 포토 마스크(PM)는 투과부(T4), 차단부(T1), 반투과부(T2) 및 연속 반투과부(T3)를 포함할 수 있다. 이때, 반투과부(T2)와 연속 반투과부(T3)는 이격된 다수의 패턴을 포함할 수 있다. 여기서, 다수의 패턴은 차단물질의 패터닝으로 형성된 차단 패턴(도 1의 PM1)이거나 차단물질을 관통하는 개구부(도 3의 PM2)일 수 있다. 반투과부(T2)의 패턴들은 일정 간격으로 이격되어 있을 수 있다. 이에 따라, 반투과부(T2)는 투과부(T4)에 비해 작은 광투과율을 가질 수 있다. 또한, 연속 반투과부(T3)는 일지점에서 타지점, 예컨대 표시부(D)의 외곽에서 비표시부(ND)의 외곽으로 진행할 수록 감소된 광투과율을 가질 수 있다. 이때, 연속 반투과부(T3)의 패턴들이 차단패턴(도 1의 PM1)으로 형성될 경우, 표시부(D)의 외곽에서 비표시부(ND)의 외곽으로 진행할 수록 차단 패턴(도 1의 PM1)들의 간격이 감소되거나 차단 패턴(도 1의 PM1)들의 면적이 증가될 수 있다. 또는 연속 반투과부(T3)의 패턴들이 개구부(도 3의 PM2)로 형성될 경우, 표시부(D)의 외곽에서 비표시부(ND)의 외곽으로 진행할 수록 개구부(도 3의 PM2)들의 면적이 감소될 수 있다.Thereafter, a second photoresist pattern 140 having a step 140a and a continuous step 140b is formed on the metal layer 130a. Here, in order to form the second photoresist pattern 140, a second photoresist layer is formed on the metal layer 130a, and then a photomask (PM) having a different light transmittance for each region on the second photoresist layer ). Here, the photomask PM may include a transmissive portion T4, a blocking portion T1, a transflective portion T2, and a continuous transflective portion T3. At this time, the transflective portion T2 and the continuous transflective portion T3 may include a plurality of spaced apart patterns. Here, the plurality of patterns may be a blocking pattern (PM1 in FIG. 1) formed by patterning the blocking material or an opening (PM2 in FIG. 3) penetrating the blocking material. The patterns of the transflective portion T2 may be spaced apart at regular intervals. Accordingly, the transflective portion T2 can have a smaller light transmittance than the transmissive portion T4. Further, the continuous transflective portion T3 may have a reduced light transmittance from one point to another, for example, the outer edge of the display portion D, to the outer edge of the non-display portion ND. 1), as the pattern of the continuous transflective portion T3 is formed by a blocking pattern (PM1 in FIG. 1) as it goes from the outer periphery of the display portion D to the outer portion of the non-display portion ND, The interval can be reduced or the area of the blocking pattern (PM1 in Fig. 1) can be increased. The area of the opening (PM2 in FIG. 3) decreases as the pattern of the continuous semi-transparent portion T3 is formed by the opening portion (PM2 in FIG. 3) .

포토 마스크(PM)를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여, 도 6에서와 같이 단차(140a)와 연속적으로 증가된 두께를 갖는 연속 단차(140b)를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(140)이 형성될 수 있다. 여기서, 단차(140a)는 포토마스크(PM)의 반투과부(T2)와 대응될 수 있다. 또한, 연속 단차(140b)는 포토마스크(PM)의 연속 반투과부(T3)와 대응될 수 있다.An exposure and development process using a photomask (PM) is performed to form a second photoresist pattern 140 having a step 140a and a continuous step 140b having a continuously increased thickness as shown in FIG. 6 . Here, the step 140a may correspond to the transflective portion T2 of the photomask PM. Further, the continuous step 140b may correspond to the continuous transflective portion T3 of the photomask PM.

도 7을 참조하면, 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 식각 마스크로 사용하여 비정질 실리콘층(120a), 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층(120b) 및 금속층(130a)을 식각하여, 활성층(121) 및 오믹콘택층(122) 및 금속 패턴(130b을 형성한다.7, the amorphous silicon layer 120a, the amorphous silicon layer 120b doped with impurities and the metal layer 130a are etched using the second photoresist pattern 140 as an etching mask to form the active layer 121, And the ohmic contact layer 122 and the metal pattern 130b.

도 8을 참조하면, 제 2 포토레지스트 패턴(140)의 단차(140a)를 제거한다. 여기서, 단차(140a)의 제거는 에싱 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 에싱 공정에서 기판의 외곽부, 즉 비표시부(ND) 부분에서 플라즈마의 왜곡 현상으로 인해 표시부(D)의 제 2 포토레지스트 패턴(140)보다 비표시부의 제 2 포토레지스트 패턴(140)이 과식각되는 문제점, 즉 로딩 효과(loading effect)가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서와 같이, 비표시부(ND)의 제 2 포토레지스트 패턴(140)은 연속적으로 증가된 두께를 가지도록 형성되기 때문에, 단차가 제거된 제 2 포토레지스트 패턴(140)의 두께는 표시부(D)와 비표시부(ND)에서 동일해질 수 있다. 즉, 비표시부(ND)에서 연속 단차(140b)를 가지도록 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 형성함에 따라, 로딩 효과가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 8, the step 140a of the second photoresist pattern 140 is removed. Here, the removal of the step 140a may be formed through an ashing process. At this time, in the ashing process, the second photoresist pattern 140 of the non-display portion is formed so as to be closer to the second photoresist pattern 140 of the display portion D due to the distortion of the plasma at the outer portion of the substrate, Overeating problems, i.e., loading effects, can occur. However, since the second photoresist pattern 140 of the non-display portion ND is formed to have a continuously increased thickness, as in the embodiment of the present invention, the second photoresist pattern 140, The thickness of the display portion D and the thickness of the non-display portion ND may be the same. That is, since the second photoresist pattern 140 is formed to have the continuous step 140b in the non-display portion ND, the loading effect can be prevented from occurring.

이후, 단차(140a)가 제거된 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 식각 마스크로 사용하여 금속 패턴(130b)을 식각하여 표시부(D)에 배치된 소스 및 드레인 전극(132, 133)과 소스 전극(132)과 전기적으로 연결된 데이터 배선(134)이 형성될 수 있다. 또한, 금속 패턴(130b)의 식각 공정으로 인해, 비표시부(ND)에 배치된 데이터 링크배선(135) 및 데이터 패드가 더 형성될 수 있다.Thereafter, the metal pattern 130b is etched using the second photoresist pattern 140 from which the step 140a has been removed as an etching mask to expose the source and drain electrodes 132 and 133, A data line 134 electrically connected to the data line 132 may be formed. Further, due to the etching process of the metal pattern 130b, the data link wiring 135 and the data pad disposed in the non-display portion ND can be further formed.

이후, 소스 및 드레인 전극(132, 133) 또는 단차(140a)가 제거된 제 2 포토레지스트 패턴(140)을 식각 마스크로 사용하여 오믹 콘택층(122)을 식각하여 소스 및 드레인 전극(132, 133) 사이의 활성층(121)을 노출하도록 함으로써, 기판(100)상의 표시부(D)에 게이트 배선과 데이터 배선(134), 두 배선과 전기적으로 연결된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되고, 비표시부(ND)에 게이트 링크 배선, 게이트 패드, 데이터 링크배선 및 데이터 패드가 형성될 수 있다. Thereafter, the ohmic contact layer 122 is etched using the second photoresist pattern 140 from which the source and drain electrodes 132 and 133 or the step 140a are removed as an etching mask to form the source and drain electrodes 132 and 133 The gate wiring and the data wiring 134 and the thin film transistor Tr electrically connected to the two wirings are formed on the display portion D on the substrate 100 and the non-display portion ND ), A gate link wiring, a gate pad, a data link wiring, and a data pad may be formed.

도 9를 참조하면, 박막트랜지스터(Tr)를 형성한 후, 박막트랜지스터(Tr)를 포함한 기판 상에 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(133)의 일부를 노출하는 보호막(150)을 형성한다. 9, after forming a thin film transistor Tr, a protective film 150 is formed on a substrate including the thin film transistor Tr to expose a part of the drain electrode 133 of the thin film transistor Tr.

이후, 보호막(150) 상에 드레인 전극(133)과 전기적으로 연결된 화소전극(160)을 형성한다. 여기서, 화소전극(160)은 도전물질을 증착한 후, 증착된 도전물질을 식각하여 형성할 수 있다. Then, a pixel electrode 160 electrically connected to the drain electrode 133 is formed on the passivation layer 150. Here, the pixel electrode 160 may be formed by depositing a conductive material and then etching the deposited conductive material.

따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 포토 마스크에 구비된 패턴의 구조 변경으로 광투과율을 조절하여, 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로, 표시기판을 제조하기 위한 마스크 공정수를 줄일 수 있다.Therefore, as in the embodiment of the present invention, by changing the structure of the pattern provided in the photomask, the light transmittance can be adjusted to form a photoresist pattern having steps, thereby reducing the number of mask processes for manufacturing the display substrate .

또한, 본 발명의 실시예에 따른 포토 마스크는 마스크의 패턴 구조 변경으로 광투과율을 조절함에 따라 연속적으로 일정하게 감소되거나 증가될 수 있는 광투과율을 가지도록 형성될 수 있어, 표시장치의 제조 공정에서 발생할 수 있는 로딩 효과(loading effect)를 개선할 수 있다.
Further, the photomask according to the embodiment of the present invention can be formed so as to have a light transmittance that can be continuously reduced or increased continuously as the light transmittance is adjusted by changing the pattern structure of the mask, The loading effect that can occur can be improved.

PM : 포토 마스크 PM1 : 차단패턴
PM2 : 개구부 T1 : 차단부
T2 : 반투과부 T3 : 연속 반투과부
T4 : 투과부
10, 100 : 기판 20 : 포토레지스트 패턴
140 : 제 2 포토레지스트 패턴 21. 140a : 단차
22, 140b : 연속 단차 111 : 게이트 전극
110 : 게이트 절연막 121 : 활성층
122 : 오믹 콘택층 132 : 소스 전극
133 : 드레인 전극 134 : 데이터 배선
135 : 데이터 링크 배선 150 : 보호막
160 : 화소전극PM: Photomask PM1: Break pattern
PM2: opening T1: blocking portion
T2: transflective portion T3: continuous transflective portion
T4:
10, 100: substrate 20: photoresist pattern
140: second photoresist pattern 21. 140a: step
22, 140b: continuous step 111: gate electrode
110: gate insulating film 121: active layer
122: ohmic contact layer 132: source electrode
133: drain electrode 134: data line
135: Data link wiring 150: Shield
160: pixel electrode

Claims (16)

광을 모두 투과시키는 투과부;
상기 투과부와 이격되어 배치되며 광을 차단하는 차단부;
상기 투과부보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부; 및
일지점에서 타지점으로 갈수록 연속적으로 감소된 광투과율을 갖는 연속 반투과부;
를 포함하는 포토 마스크.
A transmissive portion that transmits all light;
A blocking portion disposed to be spaced apart from the transmissive portion and blocking light;
A transflective portion formed in a plurality of spaced apart patterns having a smaller light transmittance than the transmissive portion; And
A continuous transflective portion having successively reduced light transmittance from one point to another;
.
제 1 항에 있어서,
상기 연속 반투과부는 상기 투과부에서 상기 차단부로 갈수록 감소된 광투과율을 갖는 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the continuous semi-transmissive portion has a reduced light transmittance from the transmissive portion to the blocking portion.
제 1 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 개구부로 이루어지며, 상기 다수의 개구부는 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 감소된 면적을 갖는 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion comprises a plurality of openings, and the plurality of openings have a reduced area as the transparent portion progresses from the transmissive portion to the blocking portion.
제 1 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 감소된 간격 을 갖는 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion is composed of a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns has a reduced spacing from the transmitting portion to the blocking portion.
제 1 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 투과부에서 상기 차단부로 진행할수록 증가된 면적을 갖는 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion is composed of a plurality of blocking patterns and the plurality of blocking patterns has an increased area as the blocking portion is moved from the transmitting portion to the blocking portion.
제 1 항에 있어서,
상기 반투과부는 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 일정 간격으로 이격되도록 배치된 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the semitransmissive portion comprises a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns are spaced apart from each other by a predetermined distance.
표시부와 상기 표시부의 주변에 배치된 비표시부를 갖는 기판을 제공하는 단계;
상기 기판의 전면에 피식각막을 형성하는 단계;
상기 피식각막을 포함한 상기 기판상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층 상에 광을 모두 투과시키는 투과부와 상기 투과부와 이격되어 배치되며 상기 광을 차단하는 차단부와 상기 투과부보다 작은 광투과율을 가지며 이격된 다수의 패턴으로 형성된 반투과부와 일지점에서 타지점으로 갈수록 연속적으로 감소된 광투과율을 갖는 연속 반투과부를 포함하는 포토 마스크를 제공하는 단계;
상기 포토레지스트층 상에 상기 포토 마스크를 이용한 노광 공정 및 현상 공정을 수행하여 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 피식각막을 식각하여 패턴을 형성하는 단계;
를 포함하는 표시기판의 제조방법.
Providing a substrate having a display portion and a non-display portion disposed around the display portion;
Forming a corneal epithelium on the entire surface of the substrate;
Forming a photoresist layer on the substrate including the corneal epithelium;
A photoresist layer formed on the photoresist layer, and a photoresist layer formed on the photoresist layer, the photoresist layer having a transmissive portion and a transflective portion, the photoresist layer being spaced apart from the transmissive portion and shielding the light, and a transflective portion having a smaller light transmittance than the transmissive portion, Providing a photomask comprising a continuous transflective portion having successively reduced light transmittance toward a point;
Forming a photoresist pattern having a step difference by performing an exposure process and a development process using the photomask on the photoresist layer; And
Etching the corneal epithelium using the photoresist pattern as an etching mask to form a pattern;
Wherein the display substrate includes a first substrate and a second substrate.
제 7 항에 있어서,
상기 반투과부는 상기 비표시부와 대응되도록 배치되며, 상기 연속 반투과부는 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 갈수록 감소된 광투과율을 갖는 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the semi-transmissive portion is disposed to correspond to the non-display portion, and the continuous semi-transmissive portion has a light transmittance reduced from the outer portion of the display portion to the outer portion of the non-display portion.
제 7 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 개구부로 이루어지며, 상기 개구부는 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할 수록 감소된 면적을 갖는 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion comprises a plurality of openings and the opening has a reduced area as it goes from the outer periphery of the display portion to the outer periphery of the non-display portion.
제 7 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할수록 일정한 비율로 감소된 간격을 갖는 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion comprises a plurality of cutoff patterns and the plurality of cutoff patterns has a reduced spacing at a constant rate from the outer periphery of the display portion to the outer periphery of the non-display portion.
제 7 항에 있어서,
상기 연속 반투과부를 구성하는 패턴은 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 상기 표시부의 외곽에서 상기 비표시부의 외곽으로 진행할수록 증가된 면적을 갖는 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the pattern constituting the continuous transflective portion is composed of a plurality of blocking patterns and the plurality of blocking patterns has an increased area from an outer periphery of the display portion to an outer periphery of the non-display portion.
제 7 항에 있어서,
상기 포토레지스트 패턴은, 상기 연속 반투과부와 대응되며 연속적으로 증가된 두께를 갖는 연속 단차를 포함하는 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the photoresist pattern comprises a continuous step corresponding to the continuous transflective portion and having a continuously increased thickness.
제 7 항에 있어서,
상기 반투과부는 다수의 차단 패턴으로 이루어지며, 상기 다수의 차단 패턴은 일정 간격으로 이격되도록 배치된 표시기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the transflective portion comprises a plurality of blocking patterns, and the plurality of blocking patterns are spaced apart from each other at a predetermined interval.
제 7 항에 있어서,
상기 피식각막은 순차적으로 형성된 비정질 실리콘층, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층 및 금속층을 포함하는 표시기판의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the corneal epithelium comprises an amorphous silicon layer sequentially formed, an amorphous silicon layer doped with impurities, and a metal layer. 제 1 항에 있어서,
상기 반투과부와 상기 연속 반투과부는 상기 투과부와 상기 차단부 사이에 배치되고, 상기 연속 반투과부는 상기 반투과부보다 상기 투과부에 가깝게 배치된 포토 마스크.
The method according to claim 1,
Wherein the semi-transmissive portion and the continuous semi-transmissive portion are disposed between the transmissive portion and the blocking portion, and the continuous semi-transmissive portion is disposed closer to the transmissive portion than the transflective portion.
제 7 항에 있어서,
상기 반투과부와 상기 연속 반투과부는 상기 투과부와 상기 차단부 사이에 배치되고, 상기 연속 반투과부는 상기 반투과부보다 상기 투과부에 가깝게 배치된 표시기판의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the transflective portion and the continuous transflective portion are disposed between the transmissive portion and the blocking portion, and the continuous transflective portion is disposed closer to the transmissive portion than the transflective portion.
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