KR101792898B1 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 다수 개의 기공들을 포함하는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 베이스층보다 더 낮은 기공율을 가지는 배리어층을 포함한다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치에 관한 것이다.
태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.
이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.
이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.
이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.
실시예는 향상된 성능을 가지고, 높은 내열성을 가지는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 다수 개의 기공들을 포함하는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 베이스층보다 더 낮은 기공율을 가지는 배리어층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 흑연을 포함하는 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치되는 배리어층; 상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 배리어층을 포함하는 기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에, 600℃ 내지 900℃의 온도에서, 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 높은 강도 및 내열성을 가지는 베이스층 및 배리어층을 포함할 수 있다. 특히, 상기 베이스층 및 상기 배리어층은 상기 후면전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 전면전극층을 지지하는 지지기판을 구성할 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 흡수층은 고온에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층은 약 600℃ 내지 약 900℃의 온도에서 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 흡수층은 향상된 결정 구조를 가질 수 있고, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
이때, 상기 베이스층은 다수 개의 기공들을 포함할 수 있다. 특히, 상기 베이스층이 흑연 등과 같은 높은 내열성을 가지는 물질로 형성되는 경우, 상기 베이스층은 다수 개의 기공들을 포함할 수 있다.
이때, 상기 배리어층은 상기 베이스층보다 더 높은 치밀성을 가지고, 상기 기공들을 덮기 때문에, 상기 베리어층을 통하여 유입되는 수분 등이 효과적으로 차단될 수 있다. 또한, 상기 배리어층은 상기 베이스층에 포함되는 물질이 상기 후면전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 전면전극층으로 확산되는 것을 효과적으로 막을 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 후면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 전면전극층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 베이스층(110) 및 배리어층(120)을 포함한다.
상기 베이스층(110)은 상기 배리어층(120)을 지지한다. 결국, 상기 베이스층(110)은 높은 내열성을 가지는 물질을 포함한다. 더 자세하게, 상기 베이스층(110)은 고온에서 높은 기계적인 특성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 베이스층(110)은 약 500℃ 이상의 온도에서, 높은 휨 강성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스층(110)은 약 500℃ 내지 약 1000℃의 온도에서, 약 내지 약 의 휨 강성을 가질 수 있다.
상기 베이스층(110)은 흑연 또는 알루미늄 옥사이드 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 베이스층(110)으로 세라믹 등이 사용될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 베이스층(110)으로 높은 내열성을 가지는 물질이 다양하게 사용될 수 있다.
상기 베이스층(110)은 다수 개의 기공들(111)을 포함한다. 상기 기공들(111)은 높은 내열성을 가지는 물질의 내재적인 특성에 의해서 형성되거나, 상기 베이스층(110)을 형성하는 과정에서 필연적으로 형성될 수 있다.
특히, 상기 베이스층(110)은 미립자의 소결 공정에 의해서 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 베이스층(110)은 상기 기공들(111)을 필연적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 기공들(111)은 상기 베이스층(110)에 인위적으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 베이스층(110)의 기계적인 특성을 향상시키기 위해서, 예를 들어, 상기 베이스층(110)의 휨 특성을 향상시키기 위해서, 상기 기공들(111)이 형성될 수 있다.
상기 기공들(111)의 크기, 즉, 상기 기공들(111)의 직경은 약 10㎚ 내지 약 1㎛일 수 있다. 또한, 상기 베이스층(110)의 기공율은 약 5% 내지 약 15%일 수 있다. 상기 기공들(111)의 크기 및 기공율은 상기 베이스층(110)을 형성하는 공정 조건에 따라서 다양하게 제어될 수 있다.
상기 베이스층(110)의 두께는 약 1㎜ 내지 약 5㎜일 수 있다. 또한, 상기 베이스층(110)의 대각선의 길이는 약 50인치 일 수 있고, 이때, 상기 베이스층(110)의 외곽을 고정시킬 때, 약 600℃ 내지 약 800℃의 온도에서, 중앙 부분의 변형은 약 1㎜이내일 수 있다.
상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110) 상에 배치된다. 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)의 상면에 전체적으로 배치된다 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)의 상면을 덮는다. 상기 배리어층(120)은 상기 기공들(111)을 덮는다.
상기 배리어층(120)은 치밀한 구조를 가진다. 더 자세하게, 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)보다 더 치밀한 구조를 가진다. 더 자세하게, 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)보다 더 낮은 기공률을 가진다. 예를 들어, 상기 배리어층(120)의 기공률은 약 1%보다 더 작을 수 있다. 상기 배리어층(120)은 기공을 거의 포함하지 않을 수 있다.
상기 배리어층(120)의 두께는 상기 베이스층(110)으로부터의 불순물의 확산을 방지하고, 상기 배리어층(120)을 통하여 유입되는 수분 등을 차단할 수 있을 정도로 충분히 두꺼워야 한다. 예를 들어, 상기 배리어층(120)의 두께는 약 50㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다.
상기 배리어층(120)은 실리콘 카바이드(silicon carbide)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 배리어층(120)은 실리콘 카바이드 층일 수 있다. 상기 배리어층(120)으로 실리콘 카바이드가 사용되는 경우, 상기 배리어층(120)은 높은 내 산화성 및 열전도율을 가질 수 있다.
상기 배리어층(120)은 피롤리틱 카본(pyrolytic carbon)을 포함할 수 있다. 상기 배리어층(120)은 아세틸렌, 프로판, 프로펜 또는 부탄 등의 탄화수소가스를 열분해하여 형성된 탄소를 증착하여, 형성될 수 있다. 즉, 상기 배리어층(120)은 피롤리틱 카본층일 수 있다. 이에 따라서, 상기 배리어층(120)은 높은 이방성 특성을 가지고, 높은 밀도를 가질 수 있다. 또한, 상기 배리어층(120)은 상기 피롤리틱 카본을 포함하기 때문에, 낮은 기공률을 가지고, 평탄한 상면을 가질 수 있다.
이외에도, 상기 배리어층(120)은 실리콘 옥사이드, 알루미늄 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등을 포함할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 후면전극층(200)은 상기 배리어층(120) 상에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 상기 배리어층(120)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다.
상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 전면전극층(600)은 투명하다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극층(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)이 알루니늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 도전층이다.
이상에서와 같이, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)에 대해서, CIGS계 박막 태양전지의 구조로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 지지기판(100) 상에는 실리콘계 박막 태양전지 또는 Cd-Te계 태양전지 등과 같은 다양한 태양전지가 배치될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 높은 강도 및 내열성을 가지는 상기 베이스층(110) 및 상기 배리어층(120)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 베이스층(110) 및 상기 배리어층(120)은 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)을 지지하는 지지기판(100)을 구성한다.
이에 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 고온에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 약 600℃ 내지 약 900℃의 온도에서 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 향상된 결정 구조를 가질 수 있고, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
이때, 상기 베이스층(110)은 상기 기공들(111)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 베이스층(110)이 흑연 등과 같은 높은 내열성을 가지는 물질로 형성되는 경우, 상기 베이스층(110)은 상기 기공들(111)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)보다 더 높은 치밀성을 가지고, 상기 기공들(111)을 덮기 때문에, 상기 배리어층(120)을 통하여 유입되는 수분 등이 효과적으로 차단될 수 있다. 또한, 상기 배리어층(120)은 상기 베이스층(110)에 포함되는 물질이 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)으로 확산되는 것을 효과적으로 막을 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지를 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.
도 2를 참조하면, 베이스층(110) 상에 배리어층(120)이 형성되어, 지지기판(100)이 형성된다. 상기 배리어층(120)은 물리적 기상 증착 공정 또는 화학적 기상 증착 공정 등과 같은 진공 증착 공정 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 실리콘 소스 및 카본 소스의 화학 반응에 의해서, 실리콘 카바이드가 상기 베이스층(110) 상에 증착되어, 상기 배리어층(120)이 형성될 수 있다.
또한, 탄화수소가스가 열분해되어, 상기 베이스층(110) 상에 피롤리틱 카본이 증착되엉, 상기 배리어층(120)이 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 후면전극층(200)이 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.
상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CGS계 광 흡수층이 형성될 수 있다.
이때, 상기 광 흡수층(300)은 약 575℃ 내지 약 900℃의 공정 온도에서 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 약 600℃ 내지 약 900℃의 공정 온도에서 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 약 600℃ 내지 약 800℃의 공정 온도에서 형성될 수 있다. 즉, 상기 CIGS계 결정, 상기 CIS계 결정 또는 상기 CGS계 결정은 약 575℃ 내지 약 900℃의 고온에서 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 광 흡수층(300)은 고온에서 형성되기 때문에, 더 큰 그레인을 가질 수 있다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 큰 결정을 가질 수 있기 때문에, 향상된 효율을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 화학 용액 증착 공정(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 후, 상기 광 흡수층(300)은 황화 카드뮴을 형성하기 위한 물질들을 포함하는 용액에 침지되고, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴을 포함하는 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
이후, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 전면전극층(600)이 형성된다. 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 적층되어 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
이와 같이, 상기 지지기판(100)은 높은 내열성을 가지기 때문에, 상기 광 흡수층(300)은 고온에서 형성될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 향상된 효율을 가지는 태양광 발전장치를 제공할 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 지지기판; 및
    상기 지지기판 상에 배치되는 광 흡수층을 포함하고,
    상기 지지기판은 다수 개의 기공들을 포함하는 베이스층; 및
    상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 베이스층보다 더 낮은 기공율을 가지는 배리어층을 포함하고,
    상기 광 흡수층은 CIGS계 결정, CIS계 결정 및 CGS계 결정 중 어느 하나를 포함하고,
    상기 배리어층은 피롤리틱카본을 포함하고, 상기 베이스층의 기공율은 5% 내지 15% 이며, 상기 베이스층의 기공들 직경은 10㎚ 내지 1㎛ 인 태양광 발전장치.
  2. 삭제
  3. 다수 개의 기공들을 포함하는 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 베이스층보다 더 낮은 기공율을 가지는 배리어층을 포함하는 지지기판;
    상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되고, CIGS계 결정, CIS계 결정 및 CGS계 결정 중 어느 하나를 포함하는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,
    상기 배리어층은 피롤리틱카본을 포함하고, 상기 배리어층의 두께는 50㎛ 내지 100㎛이며, 상기 배리어층은 상기 기공들을 덮고,
    상기 베이스층의 기공율은 5% 내지 15% 이며, 상기 베이스층의 기공들 직경은 10㎚ 내지 1㎛ 인 태양광 발전장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 흑연을 포함하며 다수의 기공들을 가지는 베이스층 및
    상기 베이스층 상에 배치되는 배리어층을 포함하는 지지기판;
    상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되고, CIGS계 결정, CIS계 결정 및 CGS계 결정 중 어느 하나를 포함하는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,
    상기 배리어층은 피롤리틱카본을 포함하고,
    상기 베이스층의 기공율은 5% 내지 15% 이며, 상기 베이스층의 기공들 직경은 10㎚ 내지 1㎛ 인 태양광 발전장치.
  7. 다수의 기공들을 포함하는 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 배리어층을 포함하는 기판을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층 상에, 600℃ 내지 900℃의 온도에서, CIGS계 결정, CIS계 결정 및 CGS계 결정 중 어느 하나를 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 배리어층은 피롤리틱카본을 포함하고,
    상기 베이스층의 기공율은 5% 내지 15% 이며, 상기 베이스층의 기공들 직경은 10㎚ 내지 1㎛ 인 태양광 발전장치의 제조방법.
  8. 삭제
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