KR101788161B1 - Solar cell module - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 195
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 175
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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Abstract
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 길게 연결되는 복수의 셀 스트링; 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되어, 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터; 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링을 제2 방향으로 연결하는 버싱바; 인터커넥터의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및 버싱바의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함한다.The present invention relates to a solar cell module.
A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a plurality of cell strings in which a plurality of solar cells are connected in a long direction in a first direction; An inter connecter disposed between first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells, the first and second solar cells being connected in series; A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other and connecting the first and second cell strings in the second direction; A first shield which is located in a second direction on the front surface of the interconnector and visually blocks the interconnector; And a second shield which is located long in the second direction on the front of the bushing bar to visually block the bushing bar.
Description
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.
이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.A plurality of such solar cells may be formed as modules by being connected to each other by inter connecters.
한편, 이와 같은 종래의 태양 전지 모듈은 복수 개의 인터커넥터가 모듈의 외부에서 보여져, 태양 전지 모듈의 외관을 깔끔하고 수려하게 보이지 못하게 하는 단점이 있었다.On the other hand, the conventional solar cell module has a disadvantage in that a plurality of interconnectors are visible from the outside of the module, making the appearance of the solar cell module neat and invisible.
더불어, 복수 개의 태양 전지가 인터커넥터로 연결된 셀 스트링 역시 버싱바에 의해 서로 연결되는데, 이와 같은 버싱바 역시 모듈의 외부에서 보여져, 태양 전지 모듈의 외관을 깔끔하고 수려하게 보이지 못하게 하는 단점이 있었다.In addition, a cell string having a plurality of solar cells connected to each other through an interconnect is also connected to each other by a bushing bar. Such a bushing bar is also seen from the outside of the module, which disadvantageously makes the appearance of the solar cell module neat and invisible.
본 발명은 외관이 보다 수려한 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module having a more excellent appearance.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 반도체 기판의 표면에 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 길게 연결되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 복수의 셀 스트링; 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 제2 방향으로 길게 배치되어, 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터; 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링을 제2 방향으로 연결하는 버싱바; 인터커넥터의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및 버싱바의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함한다.A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate, a plurality of solar cells having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate are connected in a long direction in a first direction, A plurality of cell strings arranged in a matrix; An interconnector disposed in a second direction between the first and second solar cells adjacent to each other among the plurality of solar cells included in each of the plurality of cell strings and serially connecting the first and second solar cells; A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other among the plurality of cell strings and connecting the first and second cell strings in the second direction; A first shield which is located in a second direction on the front surface of the interconnector and visually blocks the interconnector; And a second shield which is located long in the second direction on the front of the bushing bar to visually block the bushing bar.
여기서, 제2 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 선폭은 제2 쉴드의 중앙 선폭보다 크게 형성되되, 제2 쉴드는 제2 방향 중심선을 기준으로 비대칭일 수 있다.Here, the line width of the second shield at both ends in the second direction is larger than the center line width of the second shield, and the second shield may be asymmetric with respect to the second direction center line.
여기서, 제2 쉴드에서 제1, 2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 인접한 내측 부분은 마지막 태양 전지의 모서리 부분에서 마지막 태양 전지 방향으로 돌출되고, 제2 쉴드에서 내측 부분의 반대 측면에 위치하는 외측 부분은 직선으로 형성될 수 있다.Here, the inner portion adjacent to the last solar cell of the first and second cell strings in the second shield projects from the edge portion of the last solar cell toward the last solar cell, and the outer portion located on the opposite side of the inner portion in the second shield May be formed in a straight line.
여기서, 제2 쉴드의 내측 부분에서 돌출된 부분은 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.Here, the portion protruding from the inner portion of the second shield may protrude in the diagonal direction intersecting with the first and second directions.
또한, 제2 쉴드의 내측 부분은 마지막 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 마지막 태양 전지의 반도체 기판의 전면 가장 자리와 중첩될 수 있다.Further, the inner portion of the second shield may be spaced apart from the semiconductor substrate of the last solar cell, or may overlap with the front edge of the semiconductor substrate of the last solar cell.
아울러, 제2 쉴드는 제1, 2 셀 스트링 사이에서 제2 방향으로 이격될 수 있다.In addition, the second shield may be spaced apart in the second direction between the first and second cell strings.
그러나, 이와 다르게, 제2 쉴드는 제1, 2 셀 스트링 사이에 더 구비되고, 제1, 2 셀 스트링 사이에 위치한 제2 쉴드의 폭은 제2 쉴드의 중앙 선폭과 동일할 수도 있다.Alternatively, however, the second shield may be further provided between the first and second cell strings, and the width of the second shield located between the first and second cell strings may be equal to the center line width of the second shield.
또한, 제1 쉴드는 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 적어도 어느 한 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩될 수 있다.The first shield may be spaced apart from the semiconductor substrate of the first and second solar cells or may be overlapped with the front edge of at least one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells.
일례로, 제1 쉴드는 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 어느 하나의 반도체 기판 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 하나의 반도체 기판과 이격될 수 있다.For example, the first shield may be superimposed on the front edge of one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells, and may be spaced apart from the other one of the semiconductor substrates.
여기서, 제1 쉴드와 반도체 기판의 전면 가장 자리가 중첩되는 폭은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있다.Here, the width at which the front edges of the first shield and the semiconductor substrate overlap may be between 0.1 mm and 2 mm.
또한, 제1 태양 전지의 반도체 기판과 제2 태양 전지의 반도체 기판 사이의 최소 이격 간격은 3.8mm ~ 4.2mm 사이일 수 있다.In addition, the minimum separation distance between the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell may be between 3.8 mm and 4.2 mm.
또한, 제1 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 폭은 제1 쉴드의 중앙 폭보다 클 수 있다.The width of both ends of the first shield in the second direction may be larger than the center width of the first shield.
여기서, 제1 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 폭은 제1 쉴드의 양 끝단으로 갈수록 점진적으로 증가하고, 제1 쉴드는 제2 방향 중심선을 기준으로 대칭일 수 있다.Here, the widths of both ends of the first shield in the second direction gradually increase toward both ends of the first shield, and the first shield may be symmetrical with respect to the second direction centerline.
아울러, 제1, 2 쉴드 각각은 복수 개로 분할되고, 분할된 각각이 중첩되어 형성될 수 있다.In addition, each of the first and second shields may be divided into a plurality of portions, and each of the divided portions may be overlapped.
여기서, 제1, 2 쉴드는 절연성 재질의 기재와, 기재의 후면에 위치하며 인터커넥터 또는 버싱바에 점착하는 점착층(cohesion layer)을 포함할 수 있다.Here, the first and second shields may include a substrate made of an insulating material, and a cohesion layer positioned on the rear surface of the substrate and adhering to the interconnector or the bushing bar.
일례로, 기재는 PET(polyethylene terephthalate)를 포함하고, 점착층은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다.For example, the substrate may include PET (polyethylene terephthalate), and the adhesive layer may include at least one material selected from the group consisting of Epoxy, Acryl, and silicone.
또한, 기재의 두께는 50um ~ 70um 사이이고, 점착층의 두께는 10um ~ 30um 사이일 수 있다.Further, the thickness of the substrate may be between 50 um and 70 um, and the thickness of the adhesive layer may be between 10 um and 30 um.
또한, 제1, 2 쉴드는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하일 수 있다.Also, the first and second shields may have a thermal strain of 10% or less at 180 캜 or lower.
아울러, 기재의 수광면인 전면에는 복수의 요철이 형성되거나, 기재의 수광면인 전면에는 광반사 입자 또는 금속 재질을 포함하는 광반사층이 기재의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가지고 위치할 수 있다.In addition, a plurality of projections and depressions may be formed on the front surface, which is the light receiving surface of the substrate, or a light reflecting layer containing light reflecting particles or a metal material may be positioned on the front surface, which is the light receiving surface of the substrate, with the same plane shape as the plane shape of the substrate.
아울러, 제1, 2 쉴드의 수광면 색상은 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트의 색상과 동일하거나 동일한 계열일 수 있다.In addition, the light receiving surface hues of the first and second shields may be the same or the same color as the color of the rear sheet positioned on the rear surface of the solar cell.
또한, 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 각각에 구비된 제1 전극의 후면에 제1 방향으로 길게 접속되는 제1 도전성 배선과 제2 전극의 후면에 제1 방향으로 길게 접속되는 제2 도전성 배선을 더 포함할 수 있다.The solar cell module further includes a first conductive wiring connected to the rear surface of the first electrode provided in each of the plurality of solar cells in the first direction and a second conductive wiring connected to the rear surface of the second electrode in the first direction, .
여기서, 제1, 2 전극 각각은 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되고, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.Here, the first and second electrodes are arranged long in the second direction intersecting the longitudinal direction of the first and second conductive wirings, and the first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting the first electrode And the second conductive wiring is connected to the second electrode by a conductive adhesive at a portion where the second conductive wiring intersects with the second electrode, And can be insulated from the first electrode by an insulating layer which is crossed.
아울러, 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell among the plurality of solar cells and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell adjacent to the first solar cell, And can be commonly connected to the rear surface of the interconnector.
이와 같은 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격될 수 있다.The interconnector may be spaced apart from the semiconductor substrates of the first and second solar cells.
또한, 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 버싱바의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the last solar cell of the first cell string and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the last solar cell of the second cell string are connected to the projection region And can be commonly connected to the rear surface of the bushing bar.
여기서, 버싱바는 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격될 수 있다.Here, the bushing bar may be spaced apart from the semiconductor substrate provided in the last solar cell of each of the first and second cell strings.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드와 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드를 구비함으로써, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.The solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first shield for visually shielding the interconnector and a second shield for visually shielding the bus bar, thereby further enhancing the appearance of the solar cell module.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 쉴드가 생략된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 2는 도 1에서 제1, 2 쉴드가 구비된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 단면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 4 내지 도 10은 각 셀 스트링에서 태양 전지들 사이의 연결 구조 및 태양 전지 구조 및 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 11은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.
도 12은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 13은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 평면 형상을 비교하여 설명하기 위한 도이다.
도 14는 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.
도 15은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위한 도이다.
도 16은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 세 번째 예를 설명하기 위한 도이다.
도 17은 하나의 제1 쉴드(400a)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 18 및 도 19는 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b)의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 20은 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b’)의 변경례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 21은 하나의 제2 쉴드(400b)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 22는 제2 쉴드(400b)에 광반사 구조가 형성된 일례를 설명하기 위한 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining an overall plan view of a solar cell module in which first and second shields are omitted in a solar cell module according to an example of the present invention; FIG.
FIG. 2 is a view for explaining an overall plan view of the solar cell module having the first and second shields in FIG.
3 is a cross-sectional view of a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 10 are views for specifically describing the connection structure between the solar cells in each cell string, the solar cell structure, and an example of the
11 is an example for more specifically illustrating a cross section of the
FIG. 12 is a view for explaining the light reflection structure of the
FIG. 13 is a diagram for explaining the comparison of planar shapes of the
FIG. 14 is an example for more specifically illustrating a cross section in which the
15 is a view for explaining a second example of the
16 is a view for explaining a third example of the
17 is a view for explaining an example in which a plurality of
FIGS. 18 and 19 are views for explaining an example of the
20 is a view for explaining a modification of the
FIG. 21 is a view for explaining an example in which a plurality of the
22 is a view for explaining an example in which a light reflection structure is formed on the
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.
또한, 어떤 폭이나 길이가 동일하다는 것은 공정 오차를 고려하여, 10% 이내에서 동일한 것을 의미한다.In addition, the same width and length mean the same within 10% considering process errors.
아울러, 이하에서 셀 스트링이라 함은 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 구조나 형태를 의미한다.Hereinafter, the cell string refers to a structure or a form in which a plurality of solar cells are connected in series to each other.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 쉴드가 생략된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 2는 도 1에서 제1, 2 쉴드가 구비된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 단면 모습을 설명하기 위한 도이다.FIG. 1 is a view for explaining an overall plan view of a solar cell module in which first and second shields are omitted in a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is a view for explaining a cross-sectional view of a solar cell module according to an example of the present invention. FIG.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지가 연결된 복수의 셀 스트링, 복수의 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터(300), 복수의 셀 스트링을 연결하는 버싱바(310, busing bar), 제1 쉴드(400a) 및 제2 쉴드(400b)를 포함하고, 아울러, 이에 더하여, 복수의 태양 전지 각각에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.1 to 3, the solar cell module according to the present invention includes a plurality of cell strings to which a plurality of solar cells are connected, an
여기서, 각 셀 스트링은 복수의 태양 전지가 제1 방향(x)으로 길게 배열된 상태에서, 인터커넥터(300)에 의해 복수의 태양 전지가 제1 방향(x)으로 길게 연결될 수 있다.Here, in each cell string, a plurality of solar cells may be connected in a long length in the first direction (x) by the
여기서, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)과 각 반도체 기판(110)의 표면, 일례로, 후면에 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.Here, each of the plurality of solar cells may include a
이와 같은 복수의 태양 전지에 대해서는 도 6 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.Such a plurality of solar cells will be described in more detail with reference to FIG.
복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속될 수 있다. 여기서, 복수의 제1 도전성 배선(210)은 각 태양 전지에 형성된 복수의 제1 전극(141) 각각에 접속될 수 있으며, 복수의 제2 도전성 배선(220)은 각 태양 전지에 형성된 복수의 제2 전극(142) 각각에 접속될 수 있다.The plurality of first and second
아울러, 각 태양 전지에 접속된 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다. 일례로, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하는 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.In addition, a plurality of first and second
이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속된 복수의 태양 전지는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다. 1 and 3, the plurality of solar cells to which the plurality of first and second
여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 직렬 연결하는 인터커넥터(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.1, the
이때, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 인터커넥터(300)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.1 and 3, a plurality of first
아울러, 이와 같이, 제1 방향(x)으로 길게 형성된 복수의 셀 스트링 각각은 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있다.In this way, each of the plurality of cell strings formed in the first direction (x) can be arranged in the second direction (y).
아울러, 버싱바(310)는 제2 방향(y)으로 이격된 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)을 제2 방향(y)으로 연결할 수 있다. The
보다 구체적 일례로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분 각각은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있다. 1, an end portion of a plurality of first
이와 같이, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 끝부분 전면이 버싱바(310)의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.As described above, the entire end surfaces of the first and second
따라서, 버싱바(310)는 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)을 제2 방향(y)으로 연결할 수 있다.The bending
이와 같은 셀 스트링은 도 3에 도시된 바와 같이, 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.As shown in FIG. 3, the cell string may be thermally pressed and laminated while being disposed between the front
일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.For example, a plurality of solar cells are disposed between the front
아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.1, the front
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 전면에는 전면 투명 기판(10)과 충진재(20, 30)를 투과하여, 복수의 태양 전지와 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 인터커넥터(300), 후면 시트(40) 및 프레임(50)이 보여질 수 있다.1, the front
더불어, 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(310)에 의해 제2 방향(y)으로 직렬 연결 될 수 있다.In addition, each of the cell strings may be arranged long in the first direction (x) and spaced apart in the second direction (y), and such plurality of cell strings may be arranged in a
여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다. Here, the front
후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다. The
이와 같은 후면 시트(40)는 FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트일 수 있다.Such a
이와 같은 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 면 형상의 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.Such a lamination process may be performed in the state where the
여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.The materials of the
따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 시트 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다. Accordingly, the sheet-
한편, 이와 같은 태양 전지 모듈은 도 1에 도시된 적어도 인터커넥터(300)와 버싱바(310)를 시각적으로 차단하여, 모듈의 외관을 보다 수려하게 하기 위하여, 제1 쉴드(400a)와 제2 쉴드(400b)를 구비한다.In order to visually block at least the
여기서, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 훨씬 수려하게 할 수 있다. The
보다 구체적으로, 제1 쉴드(400a)는 도 2에 도시된 바와 같이, 셀 스트링을 구성하기 위해 태양 전지와 태양 전지에 사이에 위치하는 인터커넥터(300) 위에 위치할 수 있으며, 제2 방향(y)의 중심선을 기준으로 대칭되는 형상을 가질 수 있다. More specifically, the
더불어, 이때, 제1 쉴드(400a)의 수광면 색상을 셀 스트링 사이에 보여지는 후면 시트(40)(BS)의 색상과 동일하거나 동일한 계열이 되도록 하여, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.At this time, the color of the light receiving surface of the
이와 같은 제1 쉴드(400a)에 대해서는 도 9 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The
제2 쉴드(400b)는 버싱바(310)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 버싱바(310)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.The
이와 같은 제2 쉴드(400b)는 도 2에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)의 접속되는 버싱바(310) 위에 위치할 수 있으며, 제2 방향(y)의 중심선을 기준으로 비칭되는 형상을 가질 수 있다.2, the
여기서, 제2 쉴드(400b)는 도 2에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 제1 방향(x) 상단 및 하단에 위치할 수 있다.Here, the
아울러, 제2 쉴드(400b)에서 셀 스트링의 끝단에 위치하는 각 태양 전지에 인접한 내측 부분은 제2 방향(y)의 양끝단으로 갈수록 마지막 태양 전지(EC) 방향으로 돌출될 수 있으며, 제2 쉴드(400b)의 외측 부분은 직선으로 형성될 수 있다.In addition, an inner portion adjacent to each solar cell located at the end of the cell string in the
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 이와 같이 제2 쉴드(400b)를 더 구비함으로써, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 더 수려하게 할 수 있다.The solar cell module according to the exemplary embodiment of the present invention further includes the
이와 같은 제2 쉴드(400b)에 대해서는 도 18 이하에서 보다 구체적으로 설명한다. Such a
도 4 내지 도 10은 각 셀 스트링에서 태양 전지들 사이의 연결 구조 및 태양 전지 구조 및 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 구체적으로 설명하기 위한 도이다.FIGS. 4 to 10 are views for specifically describing the connection structure between the solar cells in each cell string, the solar cell structure, and an example of the
여기서, 도 4는 각 셀 스트링에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 전면을 도시한 일례이고, 도 5는 후면을 도시한 일례이다.Here, FIG. 4 shows an example of a front surface of first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other among a plurality of solar cells included in each cell string, and FIG. 5 shows an example of the rear surface.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.4 and 5, the first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other among the plurality of solar cells may be arranged in the first direction x, Each of the first and second electrodes C1 and C2 includes a plurality of first electrodes X1 and X2 extending in a second direction y that is spaced apart from each other at least on the rear surface of the
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 복수의 태양 전지 각각에 접속될 수 있다.The plurality of first and second
이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.The plurality of first and second
보다 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.5, the first
아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.The second
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.The first and second
이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 끝부분은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 끝부분은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있다.The ends of the first
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 각각의 끝부분이 인터커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.The ends of the first and second
보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다. 여기서, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 투영 영역 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 투영 영역과 이격되어 배치될 수 있다.More specifically, the
아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 끝부분이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.The end portion of the first
제1 쉴드(400a)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 전면 위에 중첩하여 제2 방향(y)으로 길게 위치하되, (1) 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 각 반도체 기판(110) 중 적어도 하나의 반도체 기판(110)의 가장 자리(edge area) 전면에 중첩되어 점착되거나, (2) 각 반도체 기판(110)과 이격될 수 있다.4 and 5, the
여기서, 반도체 기판(110)의 가장 자리는 인터커넥터(300)와 인접하며, 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면일 수 있다.The edge of the
아울러, 가장 자리 전면은 전술한 반도체 기판(110)의 측면에 인접한 전면 영역일 수 있다. 즉, 가장 자리 전면은 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면에 인접한 전면 영역일 수 있다.In addition, the edge face may be a front face region adjacent to the side of the
따라서, 도 4 및 도 5에서는 반도체 기판(110)으로 결정질 실리콘 웨이퍼를 사용한 경우, 반도체 기판(110)에서 제1 방향(x)의 측면과 제2 방향(y)의 측면이 만나는 부분에는 결정질 실리콘 웨이퍼의 제조 특성상 제1, 2 방향(x, y)과 교차하는 사선 방향으로 따여진 모서리 영역이 존재하는데, 이와 같은 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 모서리 영역의 가장 자리 전면에도 제1 쉴드(400a)가 중첩되어 점착될 수 있다.4 and 5, when a crystalline silicon wafer is used as the
이와 같은 제1 쉴드(400a)는 다음과 같은 다양한 형태로 태양 전지 모듈에 구비될 수 있다.The
첫 번째 예로, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 하나로 형성되어, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 중첩되거나, 두 번째 예로, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 중에서 어느 한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 한 태양 전지의 반도체 기판(110)과는 이격될 수도 있다.One
또는, 세 번째 예로, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)과 이격될 수도 있다.Alternatively, as a third example, it may be spaced apart from the
여기서, 먼저 도 4 내지 도 14을 통해 첫 번째 예로 형성된 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 설명하고, 두 번째 예는 도 15에서, 세 번째 예는 도 16에서 설명한다.Here, an example of the
이와 같은 제1 쉴드(400a)는 불투명하거나 반투명하여, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 사이에 위치한 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부를 시각적으로 완전히 차단하거나 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 윤곽만 나도록 하여, 모듈의 외관을 보다 깔끔하게 하고 수려하게 보이도록 할 수 있다.The
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 일례로 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 위치하되 하나로 형성된 경우, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 모두 중첩되어 점착될 수 있다.4 and 5, when the
이와 같은 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 각 반도체 기판(110) 중 적어도 하나의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리(edge area)에 중첩 및 점착되어, 제조 공정 중 태양 전지 모듈의 반도체 기판(110) 가장 자리에 생길 수 있는 크랙의 발생이나 확산을 방지할 수 있다.The
더불어, 제1 쉴드(400a)는 앞에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단할 뿐만 아니라, 각 태양 전지의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 시각적으로 차단할 수 있다.In addition, the
이와 같은 태양 전지 모듈의 적용되는 태양 전지의 구조에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. The structure of a solar cell to which such a solar cell module is applied will be described in more detail as follows.
도 6는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이다.Fig. 6 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to Fig. 1, and Fig. 7 is a sectional view in the first direction (x) of the solar cell shown in Fig.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 6 and 7, an example of a solar cell according to the present invention includes an
여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the
반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The
여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다. Here, the impurity of the first conductive type contained in the
반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.When the
이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the case where the impurity contained in the
이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다. The
이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.Accordingly, the amount of light reflected from the front surface of the
반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The
터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.The
이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.The
아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다. In addition, the
제1 반도체부(121)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.6 and 7, the
아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The
여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.Here, the
각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.The
제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다. The
이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.The
이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다. The
따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다. Therefore, the amount of charges lost by recombination of electrons and holes in the
지금까지의 도 6 내지 도 7에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다. 6 to 7 illustrate a case where the
그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.Alternatively, when the
아울러, 여기의 도 6 및 도 7에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.6 and 7 illustrate the case where the
진성 반도체부(150)은 도 6 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.6 to 7, the
아울러, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.6 and 7, each of both side surfaces of the
패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The
복수의 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The plurality of
복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.The plurality of
이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.1, the
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 6 및 도 7에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to those shown in FIGS. 6 and 7, and the first and
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the
이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 이용하여 직렬 연결된 단면 구조는 다음의 도 8와 같다.1, a cross-sectional structure in which the solar cell is connected in series using the first and second
도 8는 도 4 및 도 5 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.Fig. 8 is a cross-sectional view taken along the line X1-X1 in Figs. 4 and 5. Fig.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 포함하는 복수의 태양 전지는 복수 개가 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다. As shown in FIG. 8, a plurality of solar cells including the first solar cell C1 and the second solar cell C2 can be arranged in the first direction (x).
이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향이 도 5및 도 6와 같이 제2 방향(y)으로 향하도록 배치될 수 있다.At this time, the longitudinal direction of the first and
이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.The first and second solar cells C1 and C2 are connected to the first and second
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.In addition, the plurality of first and second
여기서, 도 5및 도 8에 도시된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line widths of the first and second
이와 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.Thus, the number of the first and second
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 앞선 도 1에서 설명한 바와 같이, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통해 접속되거나 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.1, the first and second
여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive paste) 형태로 형성될 수 있다.Here, the first
여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.The insulating
아울러, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 끝부분은 도 8에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.8, the end portions of the first and second
이를 위해, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분은 인터커넥터(300)와 중첩되도록 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.To this end, the ends of the plurality of first
이때, 일례로, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 끝부분은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.8, an end of each of the first and second
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. The second conductive
보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.More specifically, the second
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 제1 도전성 접착제(251)와 동일한 재질로 형성되거나 다른 재질로 형성될 수 있다.The second conductive
즉, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 일례로, 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성될 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.That is, when the second conductive
아울러, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 제2 도전성 접착제(350)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)보다 높을 수 있다.In addition, when the second conductive
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.Since the solar cell module having such a structure has a
한편, 이와 같은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착될 수 있다.8, one
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
도 9는 도 4에서 제1 쉴드(400a)가 위치한 부분을 보다 확대한 모듈의 전면 일부분이고, 도 10는 도 5에서 제1 쉴드(400a)가 위치한 부분을 보다 확대한 모듈의 후면 일부분이다.FIG. 9 shows a part of the front surface of the module in which the
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 하나로 형성되어, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착될 수 있다.9 and 10, the
따라서, 반도체 기판(110)의 전면에서 보았을 때, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)에서 제2 방향(y)과 나란한 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)에서 제2 방향(y)과 전면 가장 자리를 덮은 상태로 위치할 수 있다.9, the
여기서, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 제1 쉴드(400a)의 중심축이 위치하되, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 위치할 수 있다. 이에 따라 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x) 사이에 위치하는 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단할 수 있고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x) 사이로 노출되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 시각적으로 차단할 수 있다.Here, the
아울러, 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성되는 경우, 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 모서리 영역을 고려하여, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a)의 중앙 폭(Wa400a)보다 크게 형성될 수 있다. 4 and 9, when the
일례로, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 반도체 기판(110)의 모서리 영역의 형태를 고려하여, 제1 쉴드(400a)의 양끝단으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. The width Wb400a of both ends of the
아울러, 제1 쉴드(400a)의 평면 형상은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y) 중심선을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다.In addition, the plane shape of the
또한, 도 9에서는 일례로, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향 길이(L400a)가 반도체 기판(110)의 제2 방향 길이(L110y)보다 긴 것으로 도시하였지만, 이와 다르게, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향 길이(L400a)는 반도체 기판(110)의 제2 방향 길이(L110y)와 실질적으로 동일할 수 있다.9, the second direction length L400a of the
아울러, 제1 쉴드(400a)의 양 끝단의 최대 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a) 중앙의 최소폭(Wa400a)이나 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 최소 이격 간격(DB110) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 모서리 영역의 최대 이격 간격보다 클 수 있다.The maximum width Wb400a of both ends of the
그러나, 만약 반도체 기판(110)이 다결정 실리콘 웨이퍼로 형성된 경우, 도 4 및 도 9에 도시된 바와 다르게, 반도체 기판(110)에 전술한 모서리 영역이 존재하지 않고, 반도체 기판(110)의 모서리가 수직으로 형성되므로, 이와 같은 경우, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a)의 중앙 폭(Wa400a)과 동일하게 형성될 수 있다.However, if the
아울러, 도 9 및 도 10에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110) 사이의 최소 이격 간격(DB110)은 일례로, 3.8mm ~ 4.2mm 사이일 수 있다.9 and 10, the minimum distance DB110 between the
또한, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 제1 쉴드(400a)와 다르게, 제2 방향(y)을 따라 동일할 수 있으며, 제1 쉴드(400a)의 최소 폭(Wa400a)보다 작을 수 있다. 일례로, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 일례로, 1mm ~ 2mm 사이로 형성될 수 있다. Unlike the
아울러, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격은 각각 1mm ~ 2mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격의 총합은 2mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있다.The minimum spacing between the
아울러, 제1 쉴드(400a)의 최소폭(Wa400a)은 인터커넥터(300)의 선폭(W300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 최소 이격 간격(DB110)보다 크게 형성될 수 있다. 일례로, 제1 쉴드(400a)의 최소 폭(Wa400a)은 4mm ~ 6mm 사이로 형성될 수 있다. The minimum width Wa400a of the
이에 따라, 이에 따라 제1 쉴드(400a)는 도 9에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리를 덮을 수 있고, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)의 후면에 완전히 중첩되어, 태양 전지 모듈의 전면에서 봤을 때, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)에 의해 완전히 가려질 수 있다.9, the
아울러, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 각각과 중첩되는 폭(OL1, OL2) 각각은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있으며, 중첩되는 폭(OL1, OL2) 각각의 합(OL1+OL2)은 0.2mm ~ 3mm 사이가 되도록 할 수 있다.The widths OL1 and OL2 of the
이와 같이 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 각각과 중첩되어 점착되도록 하여, 제조 공정 중 태양 전지 모듈의 반도체 기판(110) 가장 자리에 생길 수 있는 크랙(A)이 발생하거나 확산되는 것을 방지할 수 있다.The
보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110)의 후면에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속될 수 있다. 여기서, 일례로, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)에 접속된 제1 도전성 배선(210)은 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 인터커넥터(300)에 접속되지만, 제1 태양 전지(C1)의 제2 도전성 배선(220)의 끝단은 반도체 기판(110)의 가장 자리에 위치하게 된다. More specifically, in the solar cell module according to the present invention, the first and second
이와 같이, 도전성 배선의 끝단이 반도체 기판(110)의 가장 자리에 위치하는 경우, 모듈의 제조 공정이나 모듈이 완성된 이후 이동 중 태양 전지에 약간의 충격이 가해질 경우, 도전성 배선의 끝단이 위치한 반도체 기판(110)의 가장 자리에 크랙이 발생할 가능성이 있고, 한번 발생된 크랙은 계속 확산되는 특성에 의하여 결국 크랙이 발생한 해당 태양 전지는 제기능을 수행하지 못할 가능성이 높다.In the case where the end of the conductive wiring is positioned at the edge of the
그러나, 본 발명과 같이, 인터커넥터(300)의 전면에 위치한 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 점착되도록 하면, 모듈의 제조 공정이나 모듈이 완성된 이후 이동 중 충격이 가해지더라도 제1 쉴드(400a)가 충격을 완화하여 도 10에 도시된 바와 같은 크랙(A)의 발생 가능성을 현저히 줄일 수 있고, 더불어, 크랙(A)이 발생하더라도, 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 점착된 제1 쉴드(400a)로 인하여, 크랙(A)이 확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. However, when the
여기서, 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the cross section of the
도 11은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.11 is an example for more specifically illustrating a cross section of the
도 11에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면에 점착(cohesion)되어 구비될 수 있다.As shown in FIG. 11, the
이때, 제1 쉴드(400a)는 절연성 재질의 기재(410)와, 인터커넥터(300)와 마주보는 절연성 재질 기재(410)의 후면에 위치하며 인터커넥터(300)에 점착하는 점착층(420, cohesion layer)을 포함할 수 있다.The
여기서, 기재(410)는 제1 쉴드(400a)의 몸체를 형성하는 기능을 하고, 점착층(420)은 기재(410)를 인터커넥터(300)의 전면에 점착(cohesion)시키는 기능을 할 수 있다. Herein, the
여기서, 점착이라는 의미는 상온에서 물리적 힘에 의해 두 개의 층이 서로 부착되거나 분리될 수 있는 정도의 접착력을 의미한다. Here, the term " sticking " means an adhesive force at which the two layers can be attached or separated from each other by physical force at room temperature.
따라서, 점착은 열처리를 통해 두 개의 층이 서로 부착되어, 두 개의 층을 분리할 때, 어느 하나의 층이 손상되는 접착(adhesion)과는 다른 의미이다.Thus, adhesion is different from adhesion in which one layer is damaged when two layers are attached to each other through heat treatment and the two layers are separated.
이와 같이, 본 발명의 제1 쉴드(400a)는 점착층(420)을 구비함으로써, 제조 공정 중 제1 쉴드(400a)의 위치가 인터커넥터(300)의 원하는 위치에 부착되지 않은 경우, 제1 쉴드(400a)를 인터커넥터(300)로부터 분리하여 다시 부착할 수 있는 장점이 있다. The
여기서, 기재(410)는 절연성 재질이면 충분하고, 일례로, PET(polyethylene terephthalate)로 형성될 수 있다. Here, the
아울러, 점착층(420)은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the
아울러, 기재(410)의 두께(410T)는 반도체 기판(110) 및 인터커넥터(300)의 두께를 고려하여 50um ~ 70um 사이로 형성될 수 있고, 점착층(420)의 두께(420T)는 점착층(420)의 점착력과 기재(410)의 두께를 고려하여, 10um ~ 30um 사이로 형성될 수 있다.The
이와 같은 제1 쉴드(400a)는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하일 수 있다. The
이는 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 점착된 상태에서, 라미네이션 공정이 진행될 수 있는데, 통상 라미네이션 공정이 160℃ ~ 170℃ 사이에서 수행되므로, 이와 같은 라미네이션 공정 중에 제1 쉴드(400a)의 변형을 최소화하기 위함이다.This is because the lamination process can be performed in a state where the
아울러, 이와 같은 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하므로, 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 극대화하기 위해, 제1 쉴드(400a)의 전면에는 광반사 구조가 수반될 수 있다.Since the
도 12은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.FIG. 12 is a view for explaining the light reflection structure of the
도 12의 (a)는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조 일례를 설명하기 위해, 제1 쉴드(400a)를 전면에서 바라본 형상이고, 도 12의 (b)는 광반사 구조가 형성된 제1 쉴드(400a)의 단면을 도시한 것이고, 도 12의 (c)는 광반사 구조의 다른 일례를 설명하기 위해 제1 쉴드(400a)의 단면을 도시한 것이다. 12 (a) is a view of the
도 12에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 극대화하기 위해 본 발명에 따른 제1 쉴드(400a)는 전면에 광반사 구조가 구비될 수 있다.As shown in FIG. 12, in order to maximize the optical gain of the solar cell module, the
일례로, 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)에 포함된 기재(410)의 수광면인 전면에는 복수의 요철(P400a)이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIGS. 12A and 12B, a plurality of protrusions P400a may be formed on the front surface of the light receiving surface of the
여기서, 제1 쉴드(400a)의 전면에 형성된 복수의 요철(P400a)은 도 12의 (a)와 같이, 요철의 돌출부와 함몰부가 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있으며, 돌출부와 함몰부 사이에 형성되는 경사면이 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 방향으로 향하도록 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 12 (a), a plurality of protrusions P400a formed on the front surface of the
따라서, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 빛이 제1 쉴드(400a)의 전면으로 입사되었을 때, 제1 방향(x)으로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 쪽으로 빛을 반사하여, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 수광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, when light is incident on the front surface of the
또는 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 기재(410)의 수광면인 전면에는 광반사 입자(예를 들면, TiO2) 또는 금속 재질(예를 들면, 알루미늄)을 포함하는 광반사층(430)이 위치할 수 있다. 이와 같은 광반사층(430)의 평면 형상은 기재(410)의 평면 형상과 동일할 수 있다.A light reflecting layer 430 (see FIG. 12C) including light reflecting particles (for example, TiO 2) or a metal material (for example, aluminum) is formed on the front surface of the light receiving surface of the substrate 410 ) Can be located. The planar shape of the
아울러, 이와 같은 제1 쉴드(400a)는 앞선 도 10에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)와 다른 평면 형상을 가질 수 있다. 이하에서는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 형상 차이에 대해 비교하여 설명한다.In addition, the
도 13은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 평면 형상을 비교하여 설명하기 위한 도이다.FIG. 13 is a diagram for explaining the comparison of planar shapes of the
도 13에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)에 완전히 중첩되되, 제1 쉴드(400a)의 평면 형상은 인터커넥터(300)의 평면 형상과 다르게 형성될 수 있다.13, the
보다 구체적으로, 도 13의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제2 방향(y)의 방향 중심축(AX)을 기준으로 양측이 서로 대칭된 평면 형상일 수 있으나, 인터커넥터(300)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 열팽창을 완화하기 위하여, 제1 쉴드(400a)와 다르게 중심충(AX)을 기준으로 양측이 서로 비대칭된 평면 형상, 예를 들어, 도 13의 (a)와 같이 지그재그 형상이나 도 13의 (b)와 같이, 제2 방향(y)으로 서로 다른 위치에서 인터커넥터(300)의 측면이 함돌되는 형상을 가질 수 있다.More specifically, as shown in Figs. 13A and 13B, the
이와 같이 본 발명에 따른 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 평면 형상이 제1 쉴드(400a)의 평면 형상과 다르더라도 인터커넥터(300)를 완전히 가릴 정도의 최소 폭(Wa400a)을 가지며, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 깔끔하고 수려하게 할 수 있다.The
이와 같은 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면 구조는 다음과 같다.The cross-sectional structure of the
도 14는 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.FIG. 14 is an example for more specifically illustrating a cross section in which the
도 14에서 이해의 편의를 위해, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 제1, 2 전극(141, 142), 제1, 2 도전성 접착제(251, 350) 및 절연층(252)에 대한 도시는 생략되었으나, 도 8에 도시된 바와 동일한 구조를 가지며, 이를 전제하고 설명한다.The first and
도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면과 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 위에 점착하되, 기재(410)가 모듈의 전면 방향으로 위치하고, 점착층(420)이 인터커넥터(300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 점착되는 구조로 적용될 수 있다.14A, the
여기서, 제1 쉴드(400a)의 기재(410)와 점착층(420)은 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 평탄하게 구비될 수 있지만, 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이, 태양 전지 모듈이 라미네이팅되는 경우, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제1 쉴드(400a)의 일부분은 모듈의 후면 방향으로 함몰될 수도 있다.Here, the
도 15은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위한 도이다.15 is a view for explaining a second example of the
여기서, 도 15의 (a)는 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위해, 제1 쉴드(400a)의 전면을 도시한 것이고, 도 15의 (b)는 단면을 도시한 것이다.15A is a front view of the
제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 중에서 어느 한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 한 태양 전지의 반도체 기판(110)과는 이격될 수도 있다. The
일례로, 도 15의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 위치하여 하나로 형성되되, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩(OL1)되어 점착되고, 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격(D2)될 수도 있다.15A and 15B, the
이는 태양 전지 모듈의 제조 공정 중 공정 오차에 의해 발생될 수 있으나, 이와 같은 경우에도 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 점착되어 있어, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 가장 자리에서의 크랙의 발생 가능성이나 확산 가능성을 줄일 수 있다.In this case, the
아울러, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)를 완전히 덮고 있어, 모듈의 외관을 보다 더 수려하게 할 수 있다.In addition, the
아울러, 도 15의 (b)에 도시된 제1 쉴드(400a)에서 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되는 끝단은 라미네이션 공정 중 상부 충진재(EC1)의 확산 압력에 의해, 모듈의 후면 방향인 인터커넥터(300) 방향으로 밴딩될 수 있다.The end portion of the second solar cell C2 spaced apart from the
도 16은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 세 번째 예를 설명하기 위한 도이다.16 is a view for explaining a third example of the
여기서, 도 16의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110)의 투영 영역과 중첩되지 않고, 이격될 수 있다. 16A, the
이와 같이, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110)과 이격된 경우, 라미네이션 공정에 의해, 최종 모듈 구조에서는, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)의 제1 방향(x) 양끝단은 모듈의 후면 방향인 인터커넥터(300) 방향으로 밴딩될 수 있다.16, when the
지금까지는 서로 인접한 두 개의 태양 전지 사이에 구비되는 제1 쉴드(400a)가 하나로 형성되는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 제1 쉴드(400a)는 분할된 복수 개가 서로 중첩되어 구비될 수도 있다.Although the
도 17은 하나의 제1 쉴드(400a)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.17 is a view for explaining an example in which a plurality of
서로 인접한 두 개의 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하는 제1 쉴드(400a)는 복수 개로 분할되되, 분할된 복수 개 각각이 서로 중첩되어 형성될 수도 있다.The
일례로, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a)로 분할될 수 있고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a)가 서로 중첩되어 구비될 수 있다.17, the
보다 구체적으로 설명하면, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a) 각각은 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a) 각각은 제2 방향(y)으로 서로 중첩될 수 있다.More specifically, each of the first, second, and third sub-shields 401a, 402a, and 403a is superimposed on the front edge of the
여기서, 제1 서브 쉴드(401a)는 선폭이 일정하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다.Here, the first subshield 401a may be formed so as to extend in a second direction y with a constant line width.
제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)는 제1 서브 쉴드(401a)의 제2 방향(y) 한쪽 끝 및 다른 한쪽 끝에 각각 위치하여, 제1 서브 쉴드(401a)와 중첩될 수 있다. The second and
여기서, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)의 최대폭은 두 개의 태양 전지(C1, C2) 사이의 이격 간격보다 크고, 제1 서브 쉴드(200a)의 선폭보다 클 수 있다. 아울러, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)는 최소폭은 제1 서브 쉴드(200a)의 선폭보다 작게 형성될 수 있으며, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)의 폭은 제1 서브 쉴드(401a) 방향으로 가까이 갈수록 폭이 점진적으로 좁아질 수 있다. The maximum width of the second and
이하에서는 도 2에 도시된 제2 쉴드(400b)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the
도 18 및 도 19는 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b)의 일례에 대해 설명하기 위한 도로서, 도 18의 (a)는 제2 쉴드(400b)의 평면 형상, 도 18의 (b)는 제2 쉴드(400b)의 단면 형상, 도 18의 (c)는 제2 쉴드(400b)의 위치 및 기능에 대해 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이고, 도 19는 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 버싱바(310)가 접속된 단면 구조를 도시한 것이다.Figs. 18 and 19 are diagrams for explaining an example of the
도 19에 도시된 바와 같이, 버싱바(310)는 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 각각의 마지막 태양 전지(EC)에 구비된 반도체 기판(110)의 투영 영역과 이격될 수 있다.19, when the solar cell module is viewed from the plane, the
아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있으며, 돌출된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분 전면에 버싱바(310)의 후면이 접속될 수 있다.In addition, the end portion of the first
아울러, 버싱바(310)는 인접한 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 전면에 접속될 수 있다.In addition, the
이와 같은 버싱바(310)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제3 도전성 접착제(370)를 통해 접속될 수 있다.The
이와 같은 제3 도전성 접착제(370)는 앞서 설명한 제1 도전성 접착제(251)와 동일하거나 다른 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 제3 도전성 접착제(370)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)와 실질적으로 동일하거나 다를 수 있다.The third
만약, 제3 도전성 접착제(370)와 제1 도전성 접착제(251)가 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 제3 도전성 접착제(370)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)보다 높을 수 있다.If the third
제2 쉴드(400b)는 도 18의 (c) 및 도 19에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속되는 버싱바(310)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 버싱바(310)를 시각적으로 차단할 수 있다.The
아울러, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리와 중첩될 수 있다.19, the inner portion S2 of the
이때, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리와 중첩되는 폭(OL3)은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있다.At this time, the width OL3 of the
그러나, 도 19에 도시된 바와 다르게, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되는 것도 가능하다. 그러나, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되더라도, 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되는 폭은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 버싱바(310) 사이의 간격보다 좁을 수 있다.However, as shown in Fig. 19, it is also possible that the
이와 같은 제2 쉴드(400b) 평면 형상은 도 18의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제2 방향(y) 중심선을 기준으로 비대칭일 수 있다.The planar shape of the
보다 구체적으로, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향 양 끝단의 선폭(Wb400b)은 도 18의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400b)보다 크게 형성되되, 제2 쉴드(400b)에서 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 인접한 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 모서리 부분에서 마지막 태양 전지(EC) 방향인 제1 방향(x)으로 돌출되고, 제2 쉴드(400b)에서 내측 부분(S2)의 반대 측면에 위치하는 외측 부분(S1)은 직선으로 형성될 수 있다.More specifically, the line width Wb400b at both ends in the second direction of the
여기서, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 모서리 부분에서 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.Here, the inner portion S2 of the
이에 따라, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 가장 자리 형태에 대응되도록 형성될 수 있다.Accordingly, the inner portion S2 of the
여기서, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)에서 사선 방향으로 돌출되는 폭(Wc400b)은 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400ab)과 동일하거나 1.5배 이하일 수 있다.The width Wc400b protruding in the oblique direction from the inner portion S2 of the
따라서, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400ab) 대비 끝단 선폭(Wb400ab)의 비는 1: 2 ~ 2.5 사이일 수 있다. Accordingly, the ratio of the center line width Wa400ab of the
일레로, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭은 10mm ~ 12mm 사이일 수 있으며, 제2 쉴드(400b)의 끝단 선폭은 23mm ~ 26mm 사이일 수 있다.The center line width of the
아울러, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향(y)으로의 길이(L400b)는 마지막 태양 전지(EC)의 제2 방향(y) 길이(L110y)와 실질적으로 동일할 수 있다.The length L400b of the
일레로, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향(y)으로의 길이는 160mm ~ 165mm 사이일 수 있다.The length of the
이와 같은 제2 쉴드(400b)는 도 18의 (b)에 도시된 바와 같이, 절연성 재질의 기재(410)와, 기재(410)의 후면에 위치하며 버싱바(310)에 점착하는 점착층(420, cohesion layer)을 포함할 수 있다.18 (b), the
여기서, 제2 쉴드(400b)의 기재(410)와 점착층(420) 각각의 재질은 앞선 설명한 제1 쉴드(400a)의 기재(410) 및 점착층(420) 각각의 재질과 동일할 수 있다.The materials of the
또한, 제2 쉴드(400b)의 색상은 앞서 설명한 제1 쉴드(400a)의 색상과 동일할 수 있다. 따라서, 제2 쉴드(400b)의 수광면 색상은 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트(40)의 색상과 동일하거나 동일한 계열일 수 있다.In addition, the hue of the
아울러, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)는 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이에서 제2 방향(y)으로 이격될 수 있다.18 (c), the
이와 같은 경우, 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 이격된 제2 쉴드(400b) 사이로 버싱바(310)의 일부가 노출될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 18 (c), a part of the
이하에서는 이와 같이 버싱바(310)의 일부가 노출되지 않도록 변경된 제2 쉴드(400b)의 변경례에 대해 설명한다.Hereinafter, a modification of the
도 20은 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b’)의 변경례에 대해 설명하기 위한 도로서, 도 20의 (a)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 평면 형상, 도 20의 (b)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)가 적용된 태양 전지 모듈의 전면 형상, 도 20의 (c)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)가 제2 방향(y)으로 서로 중첩된 예를 도시한 것이다.FIG. 20 is a view for explaining a modification of the
변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)는 도 20의 (b)에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이의 이격된 공간에 더 구비될 수 있다.20B, the
따라서, 도 18의 (c)에서 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이의 이격된 공간으로 노출되는 버싱바(310)를 완전히 시각적으로 차단할 수 있다.Thus, in FIG. 18C, the
따라서, 이를 위해, 도 20의 (a)에 도시된 바와 같이, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)는 제1 방향(x)으로 도출되는 부분의 끝단에서 제2 방향(y)으로 더 연장될 수 있다.20 (a), the
이에 따라, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 제2 방향(y)으로의 길이(La400b’)는 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)의 제2 방향(y)으로의 길이(L110y)보다 더 길게 형성될 수 있다.Accordingly, the length La400b 'of the
변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 연장 길이(Lb400b’)는 인접한 두 셀 스트링 사이의 간격(DS)보다 작고 두 셀 스트링 사이의 간격(DS)의 1/2보다 클 수 있다.The extension length Lb400b 'of the portion extending further in the second direction y from the
일례로, 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 길이(Lb400b’)는 2mm ~ 3mm 사이일 수 있다.For example, the length Lb400b 'of the portion of the
아울러, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 선폭(Wa400b’)은 제2 쉴드(400b’)의 중앙 부분의 선폭(Wa400b’), 즉 제2 쉴드(400b’)의 최소 선폭과 동일할 수 있다.The line width Wa400b 'of the portion extending further in the second direction y from the
여기서, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 중앙 부분과 더 연장된 부분의 선폭(Wa400b’)은 10mm ~ 12mm 사이에서 형성될 수 있다.Here, the center portion of the
따라서, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이에 위치한 제2 쉴드(400b’)의 선폭은 제2 쉴드(400b’)의 중앙 선폭과 동일할 수 있다.Accordingly, the line width of the
아울러, 도 20의 (c)에 도시된 바와 같이, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b1)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분은 인접한 다른 제2 쉴드(400b2)의 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분과 중첩될 수 있다.20 (c), the portion of the second shield 400b1 further extending in the second direction y according to the modified example is connected to the second shield 400b2 of the adjacent second shield 400b2 in the second direction lt; RTI ID = 0.0 > y). < / RTI >
여기서, 서로 인접한 두 개의 제2 쉴드(400b1, 400b2)가 서로 중첩되는 폭(OLS)은 0.1mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the width OLS of the two second shields 400b1 and 400b2 adjacent to each other may be between 0.1 mm and 3 mm.
도 21은 하나의 제2 쉴드(400b)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 21 is a view for explaining an example in which a plurality of the
도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제2 쉴드(400b)는 복수 개로 분할되고, 분할된 각각은 중첩되어 형성될 수 있다.As shown in FIG. 21, the
일례로, 제2 쉴드(400b)는 제1, 2, 3 서브 쉴드(401b, 402b, 403b)로 분할될 수 있고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401b, 402b, 403b)가 서로 중첩되어 구비될 수 있다.For example, the
여기서, 제1 서브 쉴드(401b)는 제2 쉴드(400b)의 몸통을 구성할 수 있고, 제2, 3 서브 쉴드(402b, 403b)는 제1 서브 쉴드(401b)와 중첩되어, 제2 쉴드(400b)에서 제1 방향(x)으로 돌출되는 부분을 형성할 수 있다.The first and second sub shields 401b and 403b may overlap the
도 21에서는 변경례에 따른 제2 쉴드를 일례로 설명하였지만, 도 18의 (a)에 도시된 제2 쉴드도 전술한 바와 마찬가지로, 복수 개의 서브 쉴드로 분할되어 형성될 수 있다.Although the second shield according to the modification example is described as an example in Fig. 21, the second shield shown in Fig. 18 (a) may also be divided into a plurality of sub shields as described above.
이와 같이, 제2 쉴드(400b)를 복수 개의 서브 쉴드로 분할하여 형성함으로써, 제2 쉴드(400b)에 대한 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.In this way, by forming the
도 22는 제2 쉴드(400b)에 광반사 구조가 형성된 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 22의 (a)는 광반사 구조가 형성된 제2 쉴드(400b)의 평면을 도시한 것이고, 도 22의 (b)는 광반사 구조가 형성된 제2 쉴드(400b)의 단면을 도시한 것이다.22 (a) is a plan view of a
도 22의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 수광 효율을 보다 증대시키기 위해, 제1 쉴드(400a)와 마찬가지로 제2 쉴드(400b) 역시, 기재의 수광면인 전면에 복수의 요철(P400b)이 형성될 수 있다.As shown in Figs. 22A and 22B, in order to further increase the light-receiving efficiency of the solar cell, the
이때, 복수의 요철(P400b)은 도 22의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 요철(P400b)의 돌출부와 함몰부가 제2 방향(y)으로 길게 형성되고, 돌출부와 함몰부 사이에 형성된 경사면이 제1 방향(x)으로 빛을 반사하도록 함으로써, 마지막 태양 전지(EC)의 수광 효율을 보다 증대시킬 수 있다.At this time, as shown in Figs. 22 (a) and 22 (b), the protrusions P400b are formed such that protrusions and depressions of the protrusions P400b are elongated in the second direction y, The light receiving efficiency of the last solar cell EC can be further increased by reflecting the light in the first direction x.
아울러, 제2 쉴드(400b)에 의해 반사된 반사광이 마지막 태양 전지(EC) 쪽으로 보다 많이 반사되도록 하기 위하여, 도 22의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부와 함몰부 사이에 형성된 경사면 중 마지막 태양 전지(EC) 방향으로 향해있는 경사면은 마지막 태양 전지(EC)의 반대 방향으로 향해있는 경사면보다 길이가 크고, 경사각이 완만하게 형성될 수 있다.In order to allow reflected light reflected by the
이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전술한 제1 쉴드(400a)와 제2 쉴드(400b)를 구비하여, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 수려하게 하면서, 제1, 2 쉴드(400a, 400b)를 통해, 태양 전지 모듈의 수광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention includes the
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.
Claims (27)
상기 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제2 방향으로 길게 배치되어, 상기 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터;
상기 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 상기 제1, 2 셀 스트링을 상기 제2 방향으로 연결하는 버싱바;
상기 인터커넥터의 전면 위에 상기 제2 방향으로 길게 위치하여, 상기 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및
상기 버싱바의 전면 위에 상기 제2 방향으로 길게 위치하여, 상기 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함하고,
상기 제2 쉴드는 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 상기 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착되는 태양 전지 모듈.1. A solar cell comprising: a semiconductor substrate; a plurality of cell strings each having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate, the plurality of solar cells being elongated in a first direction and arranged in a second direction intersecting the first direction;
An interconnector disposed in a second direction between the first and second solar cells adjacent to each other among the plurality of solar cells included in each of the plurality of cell strings and serially connecting the first and second solar cells;
A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other of the plurality of cell strings and connecting the first and second cell strings in the second direction;
A first shield which is located on the front surface of the interconnector in the second direction and blocks the interconnector visually; And
And a second shield which is located on the front surface of the boding bar and is long in the second direction and blocks the bushing bar visually,
Wherein the second shield is overlapped and adhered to the front edge of the semiconductor substrate provided in the last solar cell of each of the plurality of cell strings.
상기 제2 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 선폭은 상기 제2 쉴드의 중앙 선폭보다 크게 형성되되,
상기 제2 쉴드는 상기 제2 방향 중심선을 기준으로 비대칭인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a line width of both ends of the second shield in the second direction is larger than a center line width of the second shield,
And the second shield is asymmetric with respect to the second direction centerline.
상기 제2 쉴드에서 상기 제1, 2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 인접한 내측 부분은 상기 마지막 태양 전지의 모서리 부분에서 상기 마지막 태양 전지 방향으로 돌출되고,
상기 제2 쉴드에서 상기 내측 부분의 반대 측면에 위치하는 외측 부분은 직선으로 형성되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
An inner portion adjacent to the last solar cell of the first and second cell strings in the second shield protrudes from the edge portion of the last solar cell toward the last solar cell,
And an outer portion located on an opposite side of the inner portion of the second shield is formed as a straight line.
상기 제2 쉴드의 내측 부분에서 돌출된 부분은 상기 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출되는 태양 전지 모듈.The method of claim 3,
And a portion protruding from an inner portion of the second shield protrudes in a diagonal direction intersecting with the first and second directions.
상기 제2 쉴드는 상기 제1, 2 셀 스트링 사이에서 상기 제2 방향으로 이격되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
And the second shield is spaced apart in the second direction between the first and second cell strings.
상기 제2 쉴드는 상기 제1, 2 셀 스트링 사이에 더 구비되고,
상기 제1, 2 셀 스트링 사이에 위치한 상기 제2 쉴드의 폭은 상기 제2 쉴드의 중앙 선폭과 동일한 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The second shield is further provided between the first and second cell strings,
Wherein a width of the second shield located between the first and second cell strings is equal to a center line width of the second shield.
상기 제1 쉴드는 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 적어도 어느 한 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first shield is spaced apart from the semiconductor substrate of the first and second solar cells or overlapped with the front edge of at least one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells.
상기 제1 쉴드는 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 어느 하나의 반도체 기판 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 하나의 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.9. The method of claim 8,
Wherein the first shield is superimposed on a front edge of a semiconductor substrate of any one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells and is spaced apart from the other semiconductor substrate.
상기 제1 쉴드와 상기 반도체 기판의 전면 가장 자리가 중첩되는 폭은 0.1mm ~ 2mm 사이인 태양 전지 모듈.10. The method of claim 9,
Wherein a width at which the front edge of the first shield and the front edge of the semiconductor substrate overlap is 0.1 mm to 2 mm.
상기 제1 태양 전지의 반도체 기판과 상기 제2 태양 전지의 반도체 기판 사이의 최소 이격 간격은 3.8mm ~ 4.2mm 사이인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the minimum distance between the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell is between 3.8 mm and 4.2 mm.
상기 제1 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 폭은 상기 제1 쉴드의 중앙 폭보다 큰 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a width of both ends of the first shield in the second direction is larger than a center width of the first shield.
상기 제1 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 폭은 상기 제1 쉴드의 양 끝단으로 갈수록 증가하고,
상기 제1 쉴드는 상기 제2 방향 중심선을 기준으로 대칭인 태양 전지 모듈.13. The method of claim 12,
The widths of both ends of the first shield in the second direction increase toward both ends of the first shield,
Wherein the first shield is symmetrical with respect to the second direction centerline.
상기 제1, 2 쉴드 각각은 복수 개로 분할되고, 분할된 각각이 중첩되어 형성되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second shields is divided into a plurality of portions, and each of the divided portions is overlapped.
상기 제1, 2 쉴드는
절연성 재질의 기재와,
상기 기재의 후면에 위치하며 상기 인터커넥터 또는 상기 버싱바에 점착하는 점착층(cohesion layer)을 포함하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The first and second shields
A substrate made of an insulating material,
And a cohesion layer located on a rear surface of the substrate and adhering to the interconnector or the bushing bar.
상기 기재는 PET(polyethylene terephthalate)를 포함하고,
상기 점착층은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 태양 전지 모듈.16. The method of claim 15,
The substrate comprises PET (polyethylene terephthalate)
Wherein the adhesive layer comprises at least one material selected from the group consisting of Epoxy, Acryl, and Silicone.
상기 기재의 두께는 50um ~ 70um 사이이고, 상기 점착층의 두께는 10um ~ 30um 사이인 태양 전지 모듈.16. The method of claim 15,
Wherein the thickness of the substrate is between 50um and 70um, and the thickness of the adhesive layer is between 10um and 30um.
상기 제1, 2 쉴드는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first and second shields have a thermal strain of 10% or less at 180 DEG C or lower.
상기 기재의 수광면인 전면에는 복수의 요철이 형성되는 태양 전지 모듈.16. The method of claim 15,
Wherein a plurality of projections and depressions are formed on a front surface, which is a light receiving surface of the substrate.
상기 기재의 수광면인 전면에는 광반사 입자 또는 금속 재질을 포함하는 광반사층이 상기 기재의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가지고 위치하는 태양 전지 모듈.16. The method of claim 15,
Wherein a light reflecting layer containing light reflecting particles or a metal material is positioned on the front surface of the base material, which is a light receiving surface, having the same planar shape as the plane shape of the base material.
상기 제1, 2 쉴드의 수광면 색상은 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트의 색상과 동일하거나 동일한 계열인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the color of the light receiving surface of the first and second shields is the same as or the same as the color of the rear sheet positioned on the rear surface of the solar cell.
상기 태양 전지 모듈은
상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 상기 제1 전극의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 접속되는 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 접속되는 제2 도전성 배선을 더 포함하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The solar cell module
A first conductive wiring that is connected to the rear surface of the first electrode provided in each of the plurality of solar cells in the first direction and a second conductive wiring that is connected to the rear surface of the second electrode by a long length in the first direction, Including a solar cell module.
상기 제1, 2 전극 각각은 상기 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 길게 배치되고,
상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 상기 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.23. The method of claim 22,
Wherein each of the first and second electrodes is elongated in the second direction intersecting the longitudinal direction of the first and second conductive wirings,
Wherein the first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting with the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode,
Wherein the second conductive wiring is connected to the second electrode by the conductive adhesive at a portion intersecting with the second electrode and is insulated from the first electrode by the insulating layer intersecting with the first electrode, .
상기 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.23. The method of claim 22,
The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell each project out of the projection region of the semiconductor substrate, The solar cell module comprising: a solar cell module;
상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.25. The method of claim 24,
Wherein the interconnector is spaced apart from each semiconductor substrate of the first and second solar cells.
상기 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 버싱바의 후면에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
The ends of the plurality of first conductive wirings connected to the last solar cell of the first cell string and the ends of the plurality of second conductive wirings connected to the last solar cell of the second cell string are projected And is commonly connected to the rear surface of the bending bar.
상기 버싱바는 상기 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
17. The method of claim 16,
Wherein the bending bar is spaced apart from the semiconductor substrate of the last solar cell of each of the first and second cell strings.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160069195A KR101788161B1 (en) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | Solar cell module |
CN201710286412.XA CN107425082B (en) | 2016-05-03 | 2017-04-27 | Solar cell module |
EP17169073.8A EP3242334B1 (en) | 2016-05-03 | 2017-05-02 | Solar cell module |
US15/584,775 US10622499B2 (en) | 2016-05-03 | 2017-05-02 | Solar cell module |
JP2017091808A JP7004513B2 (en) | 2016-05-03 | 2017-05-02 | Solar cell module |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR101788161B1 true KR101788161B1 (en) | 2017-10-19 |
Family
ID=60298387
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101788161B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050268959A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Sunpower Corporation | Interconnection of solar cells in a solar cell module |
JP2015065304A (en) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 三洋電機株式会社 | Solar battery module |
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