KR101788161B1 - Solar cell module - Google Patents

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권준한
양혜영
심구환
박현정
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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 길게 연결되는 복수의 셀 스트링; 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되어, 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터; 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링을 제2 방향으로 연결하는 버싱바; 인터커넥터의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및 버싱바의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함한다.
The present invention relates to a solar cell module.
A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a plurality of cell strings in which a plurality of solar cells are connected in a long direction in a first direction; An inter connecter disposed between first and second solar cells adjacent to each other of the plurality of solar cells, the first and second solar cells being connected in series; A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other and connecting the first and second cell strings in the second direction; A first shield which is located in a second direction on the front surface of the interconnector and visually blocks the interconnector; And a second shield which is located long in the second direction on the front of the bushing bar to visually block the bushing bar.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.

이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.A plurality of such solar cells may be formed as modules by being connected to each other by inter connecters.

한편, 이와 같은 종래의 태양 전지 모듈은 복수 개의 인터커넥터가 모듈의 외부에서 보여져, 태양 전지 모듈의 외관을 깔끔하고 수려하게 보이지 못하게 하는 단점이 있었다.On the other hand, the conventional solar cell module has a disadvantage in that a plurality of interconnectors are visible from the outside of the module, making the appearance of the solar cell module neat and invisible.

더불어, 복수 개의 태양 전지가 인터커넥터로 연결된 셀 스트링 역시 버싱바에 의해 서로 연결되는데, 이와 같은 버싱바 역시 모듈의 외부에서 보여져, 태양 전지 모듈의 외관을 깔끔하고 수려하게 보이지 못하게 하는 단점이 있었다.In addition, a cell string having a plurality of solar cells connected to each other through an interconnect is also connected to each other by a bushing bar. Such a bushing bar is also seen from the outside of the module, which disadvantageously makes the appearance of the solar cell module neat and invisible.

본 발명은 외관이 보다 수려한 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module having a more excellent appearance.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판, 반도체 기판의 표면에 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 길게 연결되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 복수의 셀 스트링; 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 제2 방향으로 길게 배치되어, 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터; 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링을 제2 방향으로 연결하는 버싱바; 인터커넥터의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및 버싱바의 전면 위에 제2 방향으로 길게 위치하여, 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함한다.A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate, a plurality of solar cells having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate are connected in a long direction in a first direction, A plurality of cell strings arranged in a matrix; An interconnector disposed in a second direction between the first and second solar cells adjacent to each other among the plurality of solar cells included in each of the plurality of cell strings and serially connecting the first and second solar cells; A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other among the plurality of cell strings and connecting the first and second cell strings in the second direction; A first shield which is located in a second direction on the front surface of the interconnector and visually blocks the interconnector; And a second shield which is located long in the second direction on the front of the bushing bar to visually block the bushing bar.

여기서, 제2 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 선폭은 제2 쉴드의 중앙 선폭보다 크게 형성되되, 제2 쉴드는 제2 방향 중심선을 기준으로 비대칭일 수 있다.Here, the line width of the second shield at both ends in the second direction is larger than the center line width of the second shield, and the second shield may be asymmetric with respect to the second direction center line.

여기서, 제2 쉴드에서 제1, 2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 인접한 내측 부분은 마지막 태양 전지의 모서리 부분에서 마지막 태양 전지 방향으로 돌출되고, 제2 쉴드에서 내측 부분의 반대 측면에 위치하는 외측 부분은 직선으로 형성될 수 있다.Here, the inner portion adjacent to the last solar cell of the first and second cell strings in the second shield projects from the edge portion of the last solar cell toward the last solar cell, and the outer portion located on the opposite side of the inner portion in the second shield May be formed in a straight line.

여기서, 제2 쉴드의 내측 부분에서 돌출된 부분은 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.Here, the portion protruding from the inner portion of the second shield may protrude in the diagonal direction intersecting with the first and second directions.

또한, 제2 쉴드의 내측 부분은 마지막 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 마지막 태양 전지의 반도체 기판의 전면 가장 자리와 중첩될 수 있다.Further, the inner portion of the second shield may be spaced apart from the semiconductor substrate of the last solar cell, or may overlap with the front edge of the semiconductor substrate of the last solar cell.

아울러, 제2 쉴드는 제1, 2 셀 스트링 사이에서 제2 방향으로 이격될 수 있다.In addition, the second shield may be spaced apart in the second direction between the first and second cell strings.

그러나, 이와 다르게, 제2 쉴드는 제1, 2 셀 스트링 사이에 더 구비되고, 제1, 2 셀 스트링 사이에 위치한 제2 쉴드의 폭은 제2 쉴드의 중앙 선폭과 동일할 수도 있다.Alternatively, however, the second shield may be further provided between the first and second cell strings, and the width of the second shield located between the first and second cell strings may be equal to the center line width of the second shield.

또한, 제1 쉴드는 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 적어도 어느 한 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩될 수 있다.The first shield may be spaced apart from the semiconductor substrate of the first and second solar cells or may be overlapped with the front edge of at least one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells.

일례로, 제1 쉴드는 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 어느 하나의 반도체 기판 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 하나의 반도체 기판과 이격될 수 있다.For example, the first shield may be superimposed on the front edge of one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells, and may be spaced apart from the other one of the semiconductor substrates.

여기서, 제1 쉴드와 반도체 기판의 전면 가장 자리가 중첩되는 폭은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있다.Here, the width at which the front edges of the first shield and the semiconductor substrate overlap may be between 0.1 mm and 2 mm.

또한, 제1 태양 전지의 반도체 기판과 제2 태양 전지의 반도체 기판 사이의 최소 이격 간격은 3.8mm ~ 4.2mm 사이일 수 있다.In addition, the minimum separation distance between the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell may be between 3.8 mm and 4.2 mm.

또한, 제1 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 폭은 제1 쉴드의 중앙 폭보다 클 수 있다.The width of both ends of the first shield in the second direction may be larger than the center width of the first shield.

여기서, 제1 쉴드의 제2 방향 양 끝단의 폭은 제1 쉴드의 양 끝단으로 갈수록 점진적으로 증가하고, 제1 쉴드는 제2 방향 중심선을 기준으로 대칭일 수 있다.Here, the widths of both ends of the first shield in the second direction gradually increase toward both ends of the first shield, and the first shield may be symmetrical with respect to the second direction centerline.

아울러, 제1, 2 쉴드 각각은 복수 개로 분할되고, 분할된 각각이 중첩되어 형성될 수 있다.In addition, each of the first and second shields may be divided into a plurality of portions, and each of the divided portions may be overlapped.

여기서, 제1, 2 쉴드는 절연성 재질의 기재와, 기재의 후면에 위치하며 인터커넥터 또는 버싱바에 점착하는 점착층(cohesion layer)을 포함할 수 있다.Here, the first and second shields may include a substrate made of an insulating material, and a cohesion layer positioned on the rear surface of the substrate and adhering to the interconnector or the bushing bar.

일례로, 기재는 PET(polyethylene terephthalate)를 포함하고, 점착층은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다.For example, the substrate may include PET (polyethylene terephthalate), and the adhesive layer may include at least one material selected from the group consisting of Epoxy, Acryl, and silicone.

또한, 기재의 두께는 50um ~ 70um 사이이고, 점착층의 두께는 10um ~ 30um 사이일 수 있다.Further, the thickness of the substrate may be between 50 um and 70 um, and the thickness of the adhesive layer may be between 10 um and 30 um.

또한, 제1, 2 쉴드는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하일 수 있다.Also, the first and second shields may have a thermal strain of 10% or less at 180 캜 or lower.

아울러, 기재의 수광면인 전면에는 복수의 요철이 형성되거나, 기재의 수광면인 전면에는 광반사 입자 또는 금속 재질을 포함하는 광반사층이 기재의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가지고 위치할 수 있다.In addition, a plurality of projections and depressions may be formed on the front surface, which is the light receiving surface of the substrate, or a light reflecting layer containing light reflecting particles or a metal material may be positioned on the front surface, which is the light receiving surface of the substrate, with the same plane shape as the plane shape of the substrate.

아울러, 제1, 2 쉴드의 수광면 색상은 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트의 색상과 동일하거나 동일한 계열일 수 있다.In addition, the light receiving surface hues of the first and second shields may be the same or the same color as the color of the rear sheet positioned on the rear surface of the solar cell.

또한, 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 각각에 구비된 제1 전극의 후면에 제1 방향으로 길게 접속되는 제1 도전성 배선과 제2 전극의 후면에 제1 방향으로 길게 접속되는 제2 도전성 배선을 더 포함할 수 있다.The solar cell module further includes a first conductive wiring connected to the rear surface of the first electrode provided in each of the plurality of solar cells in the first direction and a second conductive wiring connected to the rear surface of the second electrode in the first direction, .

여기서, 제1, 2 전극 각각은 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되고, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.Here, the first and second electrodes are arranged long in the second direction intersecting the longitudinal direction of the first and second conductive wirings, and the first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting the first electrode And the second conductive wiring is connected to the second electrode by a conductive adhesive at a portion where the second conductive wiring intersects with the second electrode, And can be insulated from the first electrode by an insulating layer which is crossed.

아울러, 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell among the plurality of solar cells and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell adjacent to the first solar cell, And can be commonly connected to the rear surface of the interconnector.

이와 같은 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격될 수 있다.The interconnector may be spaced apart from the semiconductor substrates of the first and second solar cells.

또한, 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 버싱바의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the last solar cell of the first cell string and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the last solar cell of the second cell string are connected to the projection region And can be commonly connected to the rear surface of the bushing bar.

여기서, 버싱바는 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격될 수 있다.Here, the bushing bar may be spaced apart from the semiconductor substrate provided in the last solar cell of each of the first and second cell strings.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드와 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드를 구비함으로써, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.The solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first shield for visually shielding the interconnector and a second shield for visually shielding the bus bar, thereby further enhancing the appearance of the solar cell module.

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 쉴드가 생략된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 2는 도 1에서 제1, 2 쉴드가 구비된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 단면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 4 내지 도 10은 각 셀 스트링에서 태양 전지들 사이의 연결 구조 및 태양 전지 구조 및 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 11은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.
도 12은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 13은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 평면 형상을 비교하여 설명하기 위한 도이다.
도 14는 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.
도 15은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위한 도이다.
도 16은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 세 번째 예를 설명하기 위한 도이다.
도 17은 하나의 제1 쉴드(400a)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 18 및 도 19는 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b)의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 20은 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b’)의 변경례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 21은 하나의 제2 쉴드(400b)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 22는 제2 쉴드(400b)에 광반사 구조가 형성된 일례를 설명하기 위한 도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining an overall plan view of a solar cell module in which first and second shields are omitted in a solar cell module according to an example of the present invention; FIG.
FIG. 2 is a view for explaining an overall plan view of the solar cell module having the first and second shields in FIG.
3 is a cross-sectional view of a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 10 are views for specifically describing the connection structure between the solar cells in each cell string, the solar cell structure, and an example of the first shield 400a.
11 is an example for more specifically illustrating a cross section of the first shield 400a applied in accordance with an example of the present invention.
FIG. 12 is a view for explaining the light reflection structure of the first shield 400a applied in accordance with an example of the present invention.
FIG. 13 is a diagram for explaining the comparison of planar shapes of the first shield 400a and the interconnector 300 applied according to an example of the present invention.
FIG. 14 is an example for more specifically illustrating a cross section in which the first shield 400a applied in accordance with an exemplary embodiment of the present invention is adhered onto the interconnect 300. FIG.
15 is a view for explaining a second example of the first shield 400a according to an example of the present invention.
16 is a view for explaining a third example of the first shield 400a according to an example of the present invention.
17 is a view for explaining an example in which a plurality of first shields 400a are provided and overlapped with each other.
FIGS. 18 and 19 are views for explaining an example of the second shield 400b in the solar cell module shown in FIG. 2. FIG.
20 is a view for explaining a modification of the second shield 400b 'in the solar cell module shown in FIG.
FIG. 21 is a view for explaining an example in which a plurality of the second shields 400b are formed to overlap with each other.
22 is a view for explaining an example in which a light reflection structure is formed on the second shield 400b.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.

또한, 어떤 폭이나 길이가 동일하다는 것은 공정 오차를 고려하여, 10% 이내에서 동일한 것을 의미한다.In addition, the same width and length mean the same within 10% considering process errors.

아울러, 이하에서 셀 스트링이라 함은 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 구조나 형태를 의미한다.Hereinafter, the cell string refers to a structure or a form in which a plurality of solar cells are connected in series to each other.

도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 쉴드가 생략된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 2는 도 1에서 제1, 2 쉴드가 구비된 태양 전지 모듈의 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 단면 모습을 설명하기 위한 도이다.FIG. 1 is a view for explaining an overall plan view of a solar cell module in which first and second shields are omitted in a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is a view for explaining a cross-sectional view of a solar cell module according to an example of the present invention. FIG.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지가 연결된 복수의 셀 스트링, 복수의 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터(300), 복수의 셀 스트링을 연결하는 버싱바(310, busing bar), 제1 쉴드(400a) 및 제2 쉴드(400b)를 포함하고, 아울러, 이에 더하여, 복수의 태양 전지 각각에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.1 to 3, the solar cell module according to the present invention includes a plurality of cell strings to which a plurality of solar cells are connected, an interconnector 300 for serially connecting a plurality of solar cells, a plurality of cell strings A first shield 400a and a second shield 400b which are connected to the first and second conductive wires 310 and 320. The first and second conductive wires 210 and 220 A front transparent substrate 10 that encapsulates a cell string, fillers 20 and 30, a back sheet 40, and a frame 50.

여기서, 각 셀 스트링은 복수의 태양 전지가 제1 방향(x)으로 길게 배열된 상태에서, 인터커넥터(300)에 의해 복수의 태양 전지가 제1 방향(x)으로 길게 연결될 수 있다.Here, in each cell string, a plurality of solar cells may be connected in a long length in the first direction (x) by the interconnector 300 in a state in which a plurality of solar cells are arranged long in the first direction (x).

여기서, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)과 각 반도체 기판(110)의 표면, 일례로, 후면에 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.Here, each of the plurality of solar cells may include a first electrode 141 and a second electrode 142 on the surface of the semiconductor substrate 110 and the surface of each semiconductor substrate 110, for example, on the rear surface thereof.

이와 같은 복수의 태양 전지에 대해서는 도 6 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.Such a plurality of solar cells will be described in more detail with reference to FIG.

복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속될 수 있다. 여기서, 복수의 제1 도전성 배선(210)은 각 태양 전지에 형성된 복수의 제1 전극(141) 각각에 접속될 수 있으며, 복수의 제2 도전성 배선(220)은 각 태양 전지에 형성된 복수의 제2 전극(142) 각각에 접속될 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 may be connected to the rear surface of each of the plurality of solar cells, as shown in Figs. Here, the plurality of first conductive wirings 210 may be connected to each of the plurality of first electrodes 141 formed in each solar cell, and the plurality of second conductive wirings 220 may be connected to a plurality of Two electrodes 142 may be connected.

아울러, 각 태양 전지에 접속된 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다. 일례로, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하는 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.In addition, a plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 connected to each solar cell may be commonly connected to the interconnector 300. For example, as shown in Figs. 1 and 3, a plurality of first conductive wirings 210 connected to a first solar cell C1 and a plurality of second conductive wirings 210 connected to a second solar cell C2 The solar cell 220 may be connected in common to the interconnector 300 located between the first and second solar cells C1 and C2.

이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속된 복수의 태양 전지는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다. 1 and 3, the plurality of solar cells to which the plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 are connected is connected in series in the first direction x by the interconnector 300, Can be connected.

여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 직렬 연결하는 인터커넥터(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.1, the interconnector 300 connecting the first and second solar cells C1 and C2 in series connects the first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other among the plurality of solar cells included in each of the plurality of cell strings, And may be arranged long in the second direction (y) between the solar cells C1 and C2.

이때, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 인터커넥터(300)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.1 and 3, a plurality of first conductive wires 210 connected to the first solar cell C1 and a plurality of second conductive wires 210 connected to the second solar cell C2, The front surface of the wiring 220 can be connected to the rear surface of the interconnector 300, so that a cell string in which a plurality of solar cells are connected in series can be formed.

아울러, 이와 같이, 제1 방향(x)으로 길게 형성된 복수의 셀 스트링 각각은 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있다.In this way, each of the plurality of cell strings formed in the first direction (x) can be arranged in the second direction (y).

아울러, 버싱바(310)는 제2 방향(y)으로 이격된 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)을 제2 방향(y)으로 연결할 수 있다. The bushing bar 310 may connect the first and second cell strings ST1 and ST2 adjacent to each other among the plurality of cell strings spaced in the second direction y in the second direction y.

보다 구체적 일례로, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분 각각은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있다. 1, an end portion of a plurality of first conductive wirings 210 connected to the last solar cell EC of the first cell string ST1 and a second end portion of the second cell string ST2, Each of the ends of the plurality of second conductive wirings 220 connected to the last solar cell EC of the semiconductor substrate 110 may protrude out of the projection area of the semiconductor substrate 110.

이와 같이, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 끝부분 전면이 버싱바(310)의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.As described above, the entire end surfaces of the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to the last solar cell EC of the first and second cell strings ST1 and ST2 are connected to the rear surface of the bushing bar 310 They can be connected in common.

따라서, 버싱바(310)는 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)에 접속되어, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)을 제2 방향(y)으로 연결할 수 있다.The bending bar 310 is connected to the last conductive line 210 connected to the last solar cell EC of the first cell string ST1 adjacent to the first cell string ST1 adjacent to the last cell string ST1, The first and second cell strings ST1 and ST2 may be connected to the second conductive wiring 220 connected to the battery EC so as to connect the first and second cell strings ST1 and ST2 in the second direction y.

이와 같은 셀 스트링은 도 3에 도시된 바와 같이, 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.As shown in FIG. 3, the cell string may be thermally pressed and laminated while being disposed between the front transparent substrate 10 and the back sheet 40.

일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.For example, a plurality of solar cells are disposed between the front transparent substrate 10 and the rear sheet 40, and transparent fillers 20 and 30, such as an EVA sheet, are disposed on the front and back surfaces of a plurality of solar cells as a whole , It can be integrated and encapsulated by a lamination process in which heat and pressure are simultaneously applied.

아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.1, the front transparent substrate 10, the back sheet 40, and the fillers 20 and 30 encapsulated by the lamination process can be protected by fixing the edges by the frame 50 .

따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 전면에는 전면 투명 기판(10)과 충진재(20, 30)를 투과하여, 복수의 태양 전지와 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 인터커넥터(300), 후면 시트(40) 및 프레임(50)이 보여질 수 있다.1, the front transparent substrate 10 and the fillers 20 and 30 are transmitted through the front surface of the solar cell module to form a plurality of solar cells and a plurality of first and second conductive wires 210 and 220 The inter connecter 300, the back sheet 40 and the frame 50 can be seen.

더불어, 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(310)에 의해 제2 방향(y)으로 직렬 연결 될 수 있다.In addition, each of the cell strings may be arranged long in the first direction (x) and spaced apart in the second direction (y), and such plurality of cell strings may be arranged in a bushing bar 310 in a second direction (y).

여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다. Here, the front transparent substrate 10 may be formed of tempered glass having a high transmittance and excellent breakage-preventing function.

후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다. The back sheet 40 can prevent the moisture from penetrating from the rear surface of the solar cells C1 and C2 to protect the solar cell from the external environment. Such a backsheet 40 may have a multi-layer structure, such as a layer preventing moisture and oxygen penetration, a layer preventing chemical corrosion.

이와 같은 후면 시트(40)는 FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트일 수 있다.Such a backsheet 40 is made of a thin sheet made of an insulating material such as FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer), but may be an insulating sheet made of another insulating material.

이와 같은 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 면 형상의 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.Such a lamination process may be performed in the state where the planar fillers 20 and 30 are disposed between the front transparent substrate 10 and the solar cell and between the solar cell and the rear substrate.

여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.The materials of the fillers 20 and 30 may be formed of materials different from those of the insulating layer 252 to prevent corrosion due to moisture penetration and to protect the solar cells C1 and C2 from impact. And may be formed of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA) capable of absorbing shock.

따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 시트 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다. Accordingly, the sheet-like fillers 20 and 30 disposed between the front transparent substrate 10 and the solar cell and between the solar cell and the rear substrate can be softened and cured by heat and pressure during the lamination process.

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈은 도 1에 도시된 적어도 인터커넥터(300)와 버싱바(310)를 시각적으로 차단하여, 모듈의 외관을 보다 수려하게 하기 위하여, 제1 쉴드(400a)와 제2 쉴드(400b)를 구비한다.In order to visually block at least the inter connecter 300 and the bushing bar 310 shown in FIG. 1 and to enhance the appearance of the module, the solar cell module according to the present invention includes a first shield 400a and a second shield 400b, And a shield 400b.

여기서, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 훨씬 수려하게 할 수 있다. The first shield 400a is located on the front surface of the interconnector 300 in the second direction y so that the interconnector 300 is visually shielded so that the appearance of the solar cell module can be much improved have.

보다 구체적으로, 제1 쉴드(400a)는 도 2에 도시된 바와 같이, 셀 스트링을 구성하기 위해 태양 전지와 태양 전지에 사이에 위치하는 인터커넥터(300) 위에 위치할 수 있으며, 제2 방향(y)의 중심선을 기준으로 대칭되는 형상을 가질 수 있다. More specifically, the first shield 400a may be positioned on the interconnect 300 located between the solar cell and the solar cell to form a cell string, as shown in FIG. 2, y may be symmetrical with respect to the center line of the center line.

더불어, 이때, 제1 쉴드(400a)의 수광면 색상을 셀 스트링 사이에 보여지는 후면 시트(40)(BS)의 색상과 동일하거나 동일한 계열이 되도록 하여, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.At this time, the color of the light receiving surface of the first shield 400a may be the same as or the same as the color of the rear sheet 40 (BS) shown between the cell strings, thereby further enhancing the appearance of the solar cell module .

이와 같은 제1 쉴드(400a)에 대해서는 도 9 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The first shield 400a will be described in more detail with reference to FIG.

제2 쉴드(400b)는 버싱바(310)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 버싱바(310)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 더욱 수려하게 할 수 있다.The second shield 400b is positioned on the front surface of the bushing bar 310 in the second direction y so as to visually block the bushing bar 310 to further enhance the appearance of the solar cell module.

이와 같은 제2 쉴드(400b)는 도 2에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)의 접속되는 버싱바(310) 위에 위치할 수 있으며, 제2 방향(y)의 중심선을 기준으로 비칭되는 형상을 가질 수 있다.2, the second shield 400b may be positioned above the bushing bar 310 to which the last solar cell EC of each cell string is connected, and the center line of the second direction y Can have a shape that is not symmetrical with respect to the reference.

여기서, 제2 쉴드(400b)는 도 2에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 제1 방향(x) 상단 및 하단에 위치할 수 있다.Here, the second shield 400b may be located at the upper and lower ends of the solar cell module in the first direction (x), as shown in FIG.

아울러, 제2 쉴드(400b)에서 셀 스트링의 끝단에 위치하는 각 태양 전지에 인접한 내측 부분은 제2 방향(y)의 양끝단으로 갈수록 마지막 태양 전지(EC) 방향으로 돌출될 수 있으며, 제2 쉴드(400b)의 외측 부분은 직선으로 형성될 수 있다.In addition, an inner portion adjacent to each solar cell located at the end of the cell string in the second shield 400b may protrude toward the last solar cell EC toward both ends in the second direction y, The outer portion of the shield 400b may be formed in a straight line.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 이와 같이 제2 쉴드(400b)를 더 구비함으로써, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 더 수려하게 할 수 있다.The solar cell module according to the exemplary embodiment of the present invention further includes the second shield 400b, thereby further enhancing the appearance of the solar cell module.

이와 같은 제2 쉴드(400b)에 대해서는 도 18 이하에서 보다 구체적으로 설명한다. Such a second shield 400b will be described in more detail later with reference to FIG.

도 4 내지 도 10은 각 셀 스트링에서 태양 전지들 사이의 연결 구조 및 태양 전지 구조 및 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 구체적으로 설명하기 위한 도이다.FIGS. 4 to 10 are views for specifically describing the connection structure between the solar cells in each cell string, the solar cell structure, and an example of the first shield 400a.

여기서, 도 4는 각 셀 스트링에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 전면을 도시한 일례이고, 도 5는 후면을 도시한 일례이다.Here, FIG. 4 shows an example of a front surface of first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other among a plurality of solar cells included in each cell string, and FIG. 5 shows an example of the rear surface.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.4 and 5, the first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other among the plurality of solar cells may be arranged in the first direction x, Each of the first and second electrodes C1 and C2 includes a plurality of first electrodes X1 and X2 extending in a second direction y that is spaced apart from each other at least on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the semiconductor substrate 110, A first electrode 141 and a plurality of second electrodes 142.

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 복수의 태양 전지 각각에 접속될 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 are extended in a first direction x in the arrangement direction of the first and second solar cells C1 and C2, .

이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.The plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 may be formed of a plurality of first electrodes 141 and a plurality of second electrodes 142, 1 conductive wirings 210 and a plurality of second conductive wirings 220 crossing and overlapping the plurality of second electrodes 142. [

보다 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.5, the first conductive wiring 210 includes a first conductive adhesive 251 made of a conductive material and electrically connected to the first electrode 141 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2, And may be insulated from the second electrode 142 by an insulating layer 252 made of an insulating material.

아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.The second conductive wiring 220 is connected to the second electrode 142 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2 through the first conductive adhesive 251 and the insulating layer 252 One electrode 141 can be insulated.

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.The first and second conductive wirings 210 and 220 are made of a conductive metal and include a conductive core containing any one of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and aluminum (Al) And a conductive coating layer including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn) and coating the surface of the core (CR).

이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 끝부분은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 끝부분은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있다.The ends of the first conductive interconnects 210 connected to the interconnectors 300 may protrude out of the projection area of the semiconductor substrate 110 and may be connected to the interconnectors 300 may protrude out of the projection area of the semiconductor substrate 110. [0064]

이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 각각의 끝부분이 인터커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.The ends of the first and second conductive wires 210 and 220 are connected to the interconnector 300 so that a plurality of solar cells can be connected in series to each other.

보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다. 여기서, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 투영 영역 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 투영 영역과 이격되어 배치될 수 있다.More specifically, the interconnect 300 is located between the first solar cell C1 and the second solar cell C2 and may extend in the second direction y. Here, the interconnector 300 may be disposed apart from the projection region of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and the projection region of the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2.

아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 끝부분이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.The end portion of the first conductive wiring 210 connected to the first electrode 141 of the first solar cell C1 and the second electrode of the second solar cell C2 The end portions of the second conductive wirings 220 connected to the first and second solar cells C1 and C2 are connected in common so that the first and second solar cells C1 and C2 can be connected in series in the first direction x.

제1 쉴드(400a)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)의 전면 위에 중첩하여 제2 방향(y)으로 길게 위치하되, (1) 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 각 반도체 기판(110) 중 적어도 하나의 반도체 기판(110)의 가장 자리(edge area) 전면에 중첩되어 점착되거나, (2) 각 반도체 기판(110)과 이격될 수 있다.4 and 5, the first shield 400a overlaps the front surface of the interconnector 300 and is long in the second direction y. (1) The first and second solar cells C1 (2) the semiconductor substrate 110 may be overlapped and adhered to the entire edge area of at least one of the semiconductor substrates 110 of the semiconductor substrates 110 and C2.

여기서, 반도체 기판(110)의 가장 자리는 인터커넥터(300)와 인접하며, 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면일 수 있다.The edge of the semiconductor substrate 110 may be adjacent to the interconnector 300 and may be a side surface of the semiconductor substrate 110 in parallel with the second direction y.

아울러, 가장 자리 전면은 전술한 반도체 기판(110)의 측면에 인접한 전면 영역일 수 있다. 즉, 가장 자리 전면은 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면에 인접한 전면 영역일 수 있다.In addition, the edge face may be a front face region adjacent to the side of the semiconductor substrate 110 described above. That is, the edge face may be a front face region adjacent to the side surface of the semiconductor substrate 110 in parallel with the second direction (y).

따라서, 도 4 및 도 5에서는 반도체 기판(110)으로 결정질 실리콘 웨이퍼를 사용한 경우, 반도체 기판(110)에서 제1 방향(x)의 측면과 제2 방향(y)의 측면이 만나는 부분에는 결정질 실리콘 웨이퍼의 제조 특성상 제1, 2 방향(x, y)과 교차하는 사선 방향으로 따여진 모서리 영역이 존재하는데, 이와 같은 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 모서리 영역의 가장 자리 전면에도 제1 쉴드(400a)가 중첩되어 점착될 수 있다.4 and 5, when a crystalline silicon wafer is used as the semiconductor substrate 110, a portion of the semiconductor substrate 110 where the side face in the first direction x intersects the side face in the second direction y includes a crystalline silicon As shown in Fig. 4, in the case where the edge portion of the edge region is located in the oblique direction, the edge portion of the edge portion of the first shield (x, y) (400a) can be overlapped and adhered.

이와 같은 제1 쉴드(400a)는 다음과 같은 다양한 형태로 태양 전지 모듈에 구비될 수 있다.The first shield 400a may be provided in the solar cell module in various forms as follows.

첫 번째 예로, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 하나로 형성되어, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 중첩되거나, 두 번째 예로, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 중에서 어느 한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 한 태양 전지의 반도체 기판(110)과는 이격될 수도 있다.One first shield 400a is formed on the front surface of the interconnect 300 located between the first and second solar cells C1 and C2 so that the first and second solar cells C1 and C2 are connected to each other, The first shield 400a overlaps the front edge of each semiconductor substrate 110 or the second shield 400a overlaps one of the solar cells 110 of the first and second solar cells C1 and C2, And may be spaced apart from the semiconductor substrate 110 of the other solar cell.

또는, 세 번째 예로, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)과 이격될 수도 있다.Alternatively, as a third example, it may be spaced apart from the semiconductor substrate 110 of each of the first and second solar cells C1 and C2.

여기서, 먼저 도 4 내지 도 14을 통해 첫 번째 예로 형성된 제1 쉴드(400a)의 일례에 대해 설명하고, 두 번째 예는 도 15에서, 세 번째 예는 도 16에서 설명한다.Here, an example of the first shield 400a formed in the first example will be described first with reference to FIG. 4 to FIG. 14, and the second example will be described with reference to FIG. 15, and the third example will be described with reference to FIG.

이와 같은 제1 쉴드(400a)는 불투명하거나 반투명하여, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 사이에 위치한 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 일부를 시각적으로 완전히 차단하거나 인터커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 윤곽만 나도록 하여, 모듈의 외관을 보다 깔끔하게 하고 수려하게 보이도록 할 수 있다.The first shield 400a may be opaque or translucent so that the interconnect 300 and the first and second conductive wirings 210 and 220 located between the first and second solar cells C1 and C2 may be visually Or the outline of the interconnector 300 and the first and second conductive wirings 210 and 220 is made to be clear so that the appearance of the module can be made cleaner and more beautiful.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 일례로 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 위치하되 하나로 형성된 경우, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 모두 중첩되어 점착될 수 있다.4 and 5, when the first shield 400a is formed on the front surface of the interconnector 300 located between the first and second solar cells C1 and C2, The first shield 400a may be overlapped and adhered to both the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and the front edge of the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2 .

이와 같은 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 각 반도체 기판(110) 중 적어도 하나의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리(edge area)에 중첩 및 점착되어, 제조 공정 중 태양 전지 모듈의 반도체 기판(110) 가장 자리에 생길 수 있는 크랙의 발생이나 확산을 방지할 수 있다.The first shield 400a overlaps and adheres to the front edge region of at least one of the semiconductor substrates 110 of the first and second solar cells C1 and C2, This can prevent generation and diffusion of cracks that may occur at the edge of the semiconductor substrate 110 of the solar cell module during the manufacturing process.

더불어, 제1 쉴드(400a)는 앞에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단할 뿐만 아니라, 각 태양 전지의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 시각적으로 차단할 수 있다.In addition, the first shield 400a can visually block the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to the rear surface of each solar cell as well as to visually block the interconnector 300, have.

이와 같은 태양 전지 모듈의 적용되는 태양 전지의 구조에 대해 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. The structure of a solar cell to which such a solar cell module is applied will be described in more detail as follows.

도 6는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이다.Fig. 6 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to Fig. 1, and Fig. 7 is a sectional view in the first direction (x) of the solar cell shown in Fig.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 6 and 7, an example of a solar cell according to the present invention includes an antireflection film 130, a semiconductor substrate 110, a tunnel layer 180, a first semiconductor section 121, The passivation layer 190, the plurality of the first electrodes 141, and the plurality of the second electrodes 142. The first electrode 141, the second electrode 142,

여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the antireflection film 130, the tunnel layer 180, and the passivation layer 190 may be omitted. However, since the efficiency of the solar cell is improved, the following description will be made by way of example.

반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The semiconductor substrate 110 may be formed of at least one of monocrystalline silicon and polycrystalline silicon doped with impurities of the first conductivity type or the second conductivity type. In one example, the semiconductor substrate 110 may be formed of a single crystal silicon wafer.

여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다. Here, the impurity of the first conductive type contained in the semiconductor substrate 110 or the impurity of the second conductive type may be any of n-type and p-type conductive types.

반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.When the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium, indium, or the like is doped in the semiconductor substrate 110. However, when the semiconductor substrate 110 has an n-type conductivity type, impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) may be doped into the semiconductor substrate 110.

이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the case where the impurity contained in the semiconductor substrate 110 is an impurity of the second conductivity type and is n-type will be described as an example. However, the present invention is not limited thereto.

이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다. The semiconductor substrate 110 may have a plurality of uneven surfaces on the entire surface thereof. Accordingly, the first semiconductor part 121 located on the front surface of the semiconductor substrate 110 may also have an uneven surface.

이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.Accordingly, the amount of light reflected from the front surface of the semiconductor substrate 110 decreases, and the amount of light incident into the semiconductor substrate 110 increases.

반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The antireflection film 130 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 to minimize the reflection of light incident from the outside to the front surface of the semiconductor substrate 110. The antireflection film 130 is formed of an aluminum oxide film (AlOx), a silicon nitride film (SiNx) An oxide film (SiOx), and a silicon oxynitride film (SiOxNy).

터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.The tunnel layer 180 is disposed in direct contact with the entire rear surface of the semiconductor substrate 110, and may include a dielectric material. Accordingly, the tunnel layer 180 can pass carriers generated in the semiconductor substrate 110, as shown in FIGS.

이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.The tunnel layer 180 may pass carriers generated in the semiconductor substrate 110 and passivate the back surface of the semiconductor substrate 110.

아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다. In addition, the tunnel layer 180 may be formed of a dielectric material formed of SiCx or SiOx having high durability even at a high temperature process of 600 DEG C or more.

제1 반도체부(121)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.6 and 7, the first semiconductor section 121 may be disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, for example, in direct contact with a part of the rear surface of the tunnel layer 180 .

아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The first semiconductor part 121 may be formed of a polycrystalline silicon material having a first conductivity type opposite to the second conductivity type and disposed in the second direction y on the rear surface of the semiconductor substrate 110 have.

여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.Here, the first semiconductor section 121 may be doped with an impurity of the first conductivity type, and when the impurity contained in the semiconductor substrate 110 is an impurity of the second conductivity type, The pn junction with the semiconductor substrate 110 can be formed with the layer 180 therebetween.

각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.The first semiconductor section 121 may have a p-type conductivity type and the plurality of first semiconductor sections 121 may be formed of p Impurity of the trivalent element can be doped in the first semiconductor portion 121. [0157]

제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다. The second semiconductor section 172 is extended on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in a second direction y parallel to the first semiconductor section 121. The second semiconductor section 172 may be formed on the rear surface of the tunnel layer 180, 1 semiconductor region 121. In this case,

이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.The second semiconductor section 172 may be formed of a polycrystalline silicon material doped with impurities of the second conductivity type at a higher concentration than the semiconductor substrate 110. Therefore, for example, when the semiconductor substrate 110 is doped with an n-type impurity which is an impurity of the second conductivity type, the plurality of second semiconductor regions 172 may be an n + impurity region.

이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다. The second semiconductor section 172 prevents the hole movement toward the second semiconductor section 172, which is the direction of electron movement, by the potential barrier due to the difference in impurity concentration between the semiconductor substrate 110 and the second semiconductor section 172 (E. G., Electrons) to the second semiconductor portion 172 can be facilitated.

따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(141, 142)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다. Therefore, the amount of charges lost by recombination of electrons and holes in the second semiconductor section 172 and the vicinity thereof or the first and second electrodes 141 and 142 is reduced and the electron movement is accelerated, Can be increased.

지금까지의 도 6 내지 도 7에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다. 6 to 7 illustrate a case where the semiconductor substrate 110 is an impurity of the second conductivity type and the first semiconductor section 121 serves as an emitter section and the second semiconductor section 172 ) Serves as a rear electric field portion.

그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.Alternatively, when the semiconductor substrate 110 contains impurities of the first conductivity type, the first semiconductor portion 121 serves as a rear electric field portion and the second semiconductor portion 172 serves as an emitter portion .

아울러, 여기의 도 6 및 도 7에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수도 있다.6 and 7 illustrate the case where the first semiconductor section 121 and the second semiconductor section 172 are formed of a polycrystalline silicon material on the rear surface of the tunnel layer 180. Alternatively, If the layer 180 is omitted, the first semiconductor portion 121 and the second semiconductor portion 172 may be doped with impurities diffused in the rear surface of the semiconductor substrate 110. [ In this case, the first semiconductor section 121 and the second semiconductor section 172 may be formed of the same single-crystal silicon material as the semiconductor substrate 110.

진성 반도체부(150)은 도 6 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.6 to 7, the intrinsic semiconductor part 150 may be formed on the rear surface of the tunnel layer 180 exposed between the first semiconductor part 121 and the second semiconductor part 172, Unlike the first semiconductor part 121 and the second semiconductor part 172, the intrinsic semiconductor part 150 is formed of an intrinsic polycrystalline silicon layer in which impurity of the first conductivity type or impurity of the second conductivity type is not doped .

아울러, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.6 and 7, each of both side surfaces of the intrinsic semiconductor part 150 may have a structure in which the side surfaces of the first semiconductor part 121 and the side surfaces of the second semiconductor part 172 are in direct contact with each other have.

패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The passivation layer 190 is formed on the back surface of the polycrystalline silicon layer formed on the first semiconductor section 121, the second semiconductor section 172, and the intrinsic semiconductor section 150 by a dangling bond defect So that carriers generated from the semiconductor substrate 110 can be prevented from being recombined by the dangling bonds and disappearing.

복수의 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The plurality of first electrodes 141 may be connected to the first semiconductor section 121 and extend in a second direction y. The first electrode 141 may collect carriers, for example, holes, which have migrated toward the first semiconductor section 121.

복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.The plurality of second electrodes 142 may be connected to the second semiconductor portion 172 and extend in the second direction y in parallel with the first electrode 141. As such, the second electrode 142 can collect carriers, for example, electrons, which have migrated toward the second semiconductor section 172.

이와 같은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.1, the first electrode 141 and the second electrode 142 may be alternately arranged in the first direction x.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the first electrode 141 and the electrons collected through the second electrode 142 in the solar cell according to the present invention are used as electric power of the external device through the external circuit device .

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 6 및 도 7에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to those shown in FIGS. 6 and 7, and the first and second electrodes 141 and 142 provided in the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110 Other components can be changed at any time.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode 141 and the first semiconductor part 121 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110, and a part of the first electrode 141 is disposed on the semiconductor substrate 110 The MWT type solar cell may be connected to the remaining part of the first electrode 141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through the hole formed in the semiconductor substrate 110. [

이와 같은 태양 전지가 도 1과 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 이용하여 직렬 연결된 단면 구조는 다음의 도 8와 같다.1, a cross-sectional structure in which the solar cell is connected in series using the first and second conductive wirings 210 and 220 and the interconnector 300 is shown in FIG.

도 8는 도 4 및 도 5 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.Fig. 8 is a cross-sectional view taken along the line X1-X1 in Figs. 4 and 5. Fig.

도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 포함하는 복수의 태양 전지는 복수 개가 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다. As shown in FIG. 8, a plurality of solar cells including the first solar cell C1 and the second solar cell C2 can be arranged in the first direction (x).

이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(141, 142)의 길이 방향이 도 5및 도 6와 같이 제2 방향(y)으로 향하도록 배치될 수 있다.At this time, the longitudinal direction of the first and second electrodes 141 and 142 provided in the first and second solar cells C1 and C2 is arranged to be oriented in the second direction y as shown in Figs. 5 and 6 .

이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.The first and second solar cells C1 and C2 are connected to the first and second conductive wirings 210 and 220 while the first and second solar cells C1 and C2 are arranged in the first direction x, And one interconnection (300) extending in the first direction (x) to form one string connected in series.

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.In addition, the plurality of first and second conductive wirings 210 and 220 may have a conductive wire shape having a circular section or a ribbon shape having a width larger than the thickness.

여기서, 도 5및 도 8에 도시된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line widths of the first and second conductive wirings 210 and 220 shown in Figs. 5 and 8 are set to 0.5 mm to 2.5 mm, respectively, while keeping the line resistance of the conductive wiring sufficiently low, And the gap between the first conductive wiring 210 and the second conductive wiring 220 may be formed in consideration of the total number of the first and second conductive wirings 210 and 220 so that the short- It may be formed to be between 4 mm and 6.5 mm so as not to be damaged.

이와 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.Thus, the number of the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to one solar cell can be 10 to 20, respectively. Accordingly, the sum of the total number of the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to one solar cell may be 20 to 40. [

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 앞선 도 1에서 설명한 바와 같이, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(141, 142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통해 접속되거나 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.1, the first and second conductive wirings 210 and 220 are electrically connected to the first and second electrodes 141 and 142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of each solar cell, May be connected via the insulating layer 251 or may be insulated by the insulating layer 252.

여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 이와 같은 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive paste) 형태로 형성될 수 있다.Here, the first conductive adhesive 251 may be formed of a metal material including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn). The first conductive adhesive 251 may be formed in the form of a solder paste containing an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), or may be formed of tin (Sn) or tin (Sn ) May be formed in the form of an epoxy solder paste or a conductive paste including an alloy containing a metal (e.g.

여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.The insulating layer 252 may be any insulating material. For example, an insulating material such as epoxy, polyimide, polyethylene, acrylic, or silicone may be used.

아울러, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 끝부분은 도 8에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 인터커넥터(300)에 공통으로 접속될 수 있다.8, the end portions of the first and second conductive wirings 210 and 220 connected to the rear surfaces of the first and second solar cells C1 and C2 are connected to each other through the inter- And may be connected to the connector 300 in common.

이를 위해, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 끝부분과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 끝부분은 인터커넥터(300)와 중첩되도록 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출되어 배치될 수 있다.To this end, the ends of the plurality of first conductive interconnects 210 connected to the first solar cell C1 and the ends of the plurality of second conductive interconnects 220 connected to the second solar cell C2 are connected to the inter- The first and second solar cells C1 and C2 may protrude out of the semiconductor substrate 110 so as to overlap the connector 300. [

이때, 일례로, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 끝부분은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.8, an end of each of the first and second conductive wirings 210 and 220 is overlapped with the inter connecter 300 to be connected to the inter connecter 300 through the second conductive adhesive agent 350. In this case, 300).

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. The second conductive adhesive agent 350 for bonding the first and second conductive wires 210 and 220 and the interconnector 300 to each other is made of a metal material containing an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn) .

보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.More specifically, the second conductive adhesive 350 may be formed of (1) a solder paste comprising an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), or (2) Sn or tin (Sn), or may be formed in the form of an electrically conductive paste (conductive paste).

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 제1 도전성 접착제(251)와 동일한 재질로 형성되거나 다른 재질로 형성될 수 있다.The second conductive adhesive agent 350 for bonding the first and second conductive wires 210 and 220 and the interconnector 300 to each other may be formed of the same material as that of the first conductive adhesive agent 251, have.

즉, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 일례로, 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 패이스트(solder paste) 형태로 형성될 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 에폭시 솔더 패이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 패이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.That is, when the second conductive adhesive agent 350 is formed of different materials, for example, the second conductive adhesive agent 350 may be formed in the form of a solder paste containing tin (Sn) And may be formed in the form of an epoxy solder paste or a conductive paste including an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn).

아울러, 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 제2 도전성 접착제(350)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)보다 높을 수 있다.In addition, when the second conductive adhesive agent 350 is formed of different materials, the melting point of the second conductive adhesive agent 350 may be higher than that of the first conductive adhesive agent 251.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.Since the solar cell module having such a structure has a separate interconnector 300, it is possible to connect the first and second conductive wirings 210 and 220 among the plurality of solar cells and the first and second electrodes 141 and 142 The connection between the interconnector 300 and the first and second conductive wirings 210 and 220 is released so that the solar cell can be replaced more easily.

한편, 이와 같은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착될 수 있다.8, one first shield 400a is formed on the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and the second shield 400b on the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1, 2 solar cell C2 can be overlapped and adhered to the front edge of the semiconductor substrate 110. [

이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.

도 9는 도 4에서 제1 쉴드(400a)가 위치한 부분을 보다 확대한 모듈의 전면 일부분이고, 도 10는 도 5에서 제1 쉴드(400a)가 위치한 부분을 보다 확대한 모듈의 후면 일부분이다.FIG. 9 shows a part of the front surface of the module in which the first shield 400a is enlarged in FIG. 4, and FIG. 10 is a rear part of the module in which the first shield 400a is enlarged in FIG.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 하나로 형성되어, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착될 수 있다.9 and 10, the first shield 400a is formed as one unit between the first solar cell C1 and the second solar cell C2, and the first shield 400a is connected to the semiconductor substrate (not shown) of the first solar cell C1 110 and the front edge of the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2.

따라서, 반도체 기판(110)의 전면에서 보았을 때, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)에서 제2 방향(y)과 나란한 전면 가장 자리 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)에서 제2 방향(y)과 전면 가장 자리를 덮은 상태로 위치할 수 있다.9, the first shield 400a is arranged on the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 in parallel with the second direction y, as shown in FIG. 9 The front edge and the front edge of the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2 may be covered with the front edge.

여기서, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 제1 쉴드(400a)의 중심축이 위치하되, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 위치할 수 있다. 이에 따라 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x) 사이에 위치하는 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단할 수 있고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 방향인 제1 방향(x) 사이로 노출되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)을 시각적으로 차단할 수 있다.Here, the first shield 400a has a structure in which the central axis of the first shield 400a is located between the first and second solar cells C1 and C2 and the first shield 400a is connected to the first and second solar cells C1 and C2 (Y) that intersects the first direction (x) which is the first direction (x). The first shield 400a can visually block the inter connecter 300 located between the first direction x and the first direction that is the series connection direction of the first and second solar cells C1 and C2, It is possible to visually block the first and second conductive wirings 210 and 220 exposed in the first direction x that is the series connection direction of the two solar cells C1 and C2.

아울러, 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성되는 경우, 도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 모서리 영역을 고려하여, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a)의 중앙 폭(Wa400a)보다 크게 형성될 수 있다. 4 and 9, when the semiconductor substrate 110 is formed of a single crystal silicon wafer, the first shield 400a in the second direction (the first direction) the width Wb400a of both ends may be larger than the center width Wa400a of the first shield 400a.

일례로, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 반도체 기판(110)의 모서리 영역의 형태를 고려하여, 제1 쉴드(400a)의 양끝단으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. The width Wb400a of both ends of the first shield 400a in the second direction y may be gradually increased toward both ends of the first shield 400a in consideration of the shape of the edge region of the semiconductor substrate 110. [ . ≪ / RTI >

아울러, 제1 쉴드(400a)의 평면 형상은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y) 중심선을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다.In addition, the plane shape of the first shield 400a may be formed symmetrically with respect to the center line in the second direction (y), as shown in Figs.

또한, 도 9에서는 일례로, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향 길이(L400a)가 반도체 기판(110)의 제2 방향 길이(L110y)보다 긴 것으로 도시하였지만, 이와 다르게, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향 길이(L400a)는 반도체 기판(110)의 제2 방향 길이(L110y)와 실질적으로 동일할 수 있다.9, the second direction length L400a of the first shield 400a is longer than the second direction length L110y of the semiconductor substrate 110. Alternatively, the first shield 400a May be substantially the same as the second direction length L110y of the semiconductor substrate 110. The second direction length L400a may be substantially the same as the second direction length L110y.

아울러, 제1 쉴드(400a)의 양 끝단의 최대 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a) 중앙의 최소폭(Wa400a)이나 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이의 최소 이격 간격(DB110) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 모서리 영역의 최대 이격 간격보다 클 수 있다.The maximum width Wb400a of both ends of the first shield 400a is the minimum width Wa400a of the center of the first shield 400a or the minimum spacing DB110a between the first and second solar cells C1 and C2 And the maximum spacing distance of the corner regions of the first and second solar cells C1 and C2.

그러나, 만약 반도체 기판(110)이 다결정 실리콘 웨이퍼로 형성된 경우, 도 4 및 도 9에 도시된 바와 다르게, 반도체 기판(110)에 전술한 모서리 영역이 존재하지 않고, 반도체 기판(110)의 모서리가 수직으로 형성되므로, 이와 같은 경우, 제1 쉴드(400a)의 제2 방향(y) 양 끝단의 폭(Wb400a)은 제1 쉴드(400a)의 중앙 폭(Wa400a)과 동일하게 형성될 수 있다.However, if the semiconductor substrate 110 is formed of a polycrystalline silicon wafer, the edge regions of the semiconductor substrate 110 do not exist in the semiconductor substrate 110, as shown in FIGS. 4 and 9, The width Wb400a of both ends of the first shield 400a in the second direction y may be equal to the center width Wa400a of the first shield 400a.

아울러, 도 9 및 도 10에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110) 사이의 최소 이격 간격(DB110)은 일례로, 3.8mm ~ 4.2mm 사이일 수 있다.9 and 10, the minimum distance DB110 between the semiconductor substrates 110 of the first and second solar cells C1 and C2 may be between 3.8 mm and 4.2 mm, for example.

또한, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 제1 쉴드(400a)와 다르게, 제2 방향(y)을 따라 동일할 수 있으며, 제1 쉴드(400a)의 최소 폭(Wa400a)보다 작을 수 있다. 일례로, 인터커넥터(300)의 선폭(W300)은 일례로, 1mm ~ 2mm 사이로 형성될 수 있다. Unlike the first shield 400a, the line width W300 of the interconnect 300 may be the same along the second direction y and may be less than the minimum width Wa400a of the first shield 400a have. For example, the line width W300 of the interconnect 300 may be, for example, between 1 mm and 2 mm.

아울러, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격은 각각 1mm ~ 2mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 인터커넥터(300) 사이의 최소 이격 간격의 총합은 2mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있다.The minimum spacing between the semiconductor substrate 110 and the interconnector 300 of the first and second solar cells C1 and C2 may be between 1 mm and 2 mm, The minimum spacing distance between the substrate 110 and the interconnector 300 and the minimum spacing distance between the semiconductor substrate 110 and the interconnector 300 of the second solar cell C2 may be between 2 mm and 3 mm have.

아울러, 제1 쉴드(400a)의 최소폭(Wa400a)은 인터커넥터(300)의 선폭(W300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 최소 이격 간격(DB110)보다 크게 형성될 수 있다. 일례로, 제1 쉴드(400a)의 최소 폭(Wa400a)은 4mm ~ 6mm 사이로 형성될 수 있다. The minimum width Wa400a of the first shield 400a may be greater than the line width W300 of the interconnect 300 and the minimum spacing DB110 between the first and second solar cells C1 and C2 . For example, the minimum width Wa400a of the first shield 400a may be between 4 mm and 6 mm.

이에 따라, 이에 따라 제1 쉴드(400a)는 도 9에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리를 덮을 수 있고, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)의 후면에 완전히 중첩되어, 태양 전지 모듈의 전면에서 봤을 때, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)에 의해 완전히 가려질 수 있다.9, the first shield 400a can cover the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first and second solar cells C1 and C2, Is completely overlapped on the rear surface of the first shield 400a so that the interconnector 300 can be completely covered by the first shield 400a when viewed from the front side of the solar cell module.

아울러, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 각각과 중첩되는 폭(OL1, OL2) 각각은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있으며, 중첩되는 폭(OL1, OL2) 각각의 합(OL1+OL2)은 0.2mm ~ 3mm 사이가 되도록 할 수 있다.The widths OL1 and OL2 of the first shield 400a overlapping the front edges of the semiconductor substrate 110 provided in the first and second solar cells C1 and C2 are 0.1 mm to 2 mm And the sum OL1 + OL2 of the overlapping widths OL1 and OL2 may be between 0.2 mm and 3 mm.

이와 같이 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 각각과 중첩되어 점착되도록 하여, 제조 공정 중 태양 전지 모듈의 반도체 기판(110) 가장 자리에 생길 수 있는 크랙(A)이 발생하거나 확산되는 것을 방지할 수 있다.The first shield 400a is superimposed on and adhered to the front edges of the semiconductor substrate 110 provided in the first and second solar cells C1 and C2, It is possible to prevent a crack (A) that may occur at the edge of the substrate 110 from being generated or diffused.

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110)의 후면에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속될 수 있다. 여기서, 일례로, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)에 접속된 제1 도전성 배선(210)은 반도체 기판(110) 밖으로 돌출되어 인터커넥터(300)에 접속되지만, 제1 태양 전지(C1)의 제2 도전성 배선(220)의 끝단은 반도체 기판(110)의 가장 자리에 위치하게 된다. More specifically, in the solar cell module according to the present invention, the first and second conductive wirings 210 and 220 may be connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110. Here, for example, the first conductive wiring 210 connected to the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 protrudes outside the semiconductor substrate 110 and is connected to the interconnector 300. However, The ends of the second conductive wirings 220 of the capacitor C1 are located at the edge of the semiconductor substrate 110. [

이와 같이, 도전성 배선의 끝단이 반도체 기판(110)의 가장 자리에 위치하는 경우, 모듈의 제조 공정이나 모듈이 완성된 이후 이동 중 태양 전지에 약간의 충격이 가해질 경우, 도전성 배선의 끝단이 위치한 반도체 기판(110)의 가장 자리에 크랙이 발생할 가능성이 있고, 한번 발생된 크랙은 계속 확산되는 특성에 의하여 결국 크랙이 발생한 해당 태양 전지는 제기능을 수행하지 못할 가능성이 높다.In the case where the end of the conductive wiring is positioned at the edge of the semiconductor substrate 110, if a slight impact is applied to the solar cell during the manufacturing process of the module or after the module is completed, There is a possibility that a crack is generated at the edge of the substrate 110 and a crack generated once is cracked due to the continuous diffusion of the generated crack, so that the corresponding solar cell is likely to fail to perform its function.

그러나, 본 발명과 같이, 인터커넥터(300)의 전면에 위치한 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 점착되도록 하면, 모듈의 제조 공정이나 모듈이 완성된 이후 이동 중 충격이 가해지더라도 제1 쉴드(400a)가 충격을 완화하여 도 10에 도시된 바와 같은 크랙(A)의 발생 가능성을 현저히 줄일 수 있고, 더불어, 크랙(A)이 발생하더라도, 반도체 기판(110) 전면 가장 자리에 점착된 제1 쉴드(400a)로 인하여, 크랙(A)이 확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. However, when the first shield 400a located on the front surface of the interconnect 300 is adhered to the edge of the front surface of the semiconductor substrate 110 of the first and second solar cells C1 and C2 as in the present invention, The first shield 400a mitigates the impact even when the impact is applied during the manufacturing process or module after the module is completed, so that the possibility of occurrence of the crack A as shown in FIG. 10 can be remarkably reduced, A can be effectively prevented from spreading due to the first shield 400a adhering to the front edge of the semiconductor substrate 110. [

여기서, 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the cross section of the first shield 400a will be described in more detail.

도 11은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.11 is an example for more specifically illustrating a cross section of the first shield 400a applied in accordance with an example of the present invention.

도 11에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면에 점착(cohesion)되어 구비될 수 있다.As shown in FIG. 11, the first shield 400a may be cohesively attached to the front surface of the interconnector 300. FIG.

이때, 제1 쉴드(400a)는 절연성 재질의 기재(410)와, 인터커넥터(300)와 마주보는 절연성 재질 기재(410)의 후면에 위치하며 인터커넥터(300)에 점착하는 점착층(420, cohesion layer)을 포함할 수 있다.The first shield 400a includes a base material 410 made of an insulating material and an adhesive layer 420 disposed on the back surface of the insulating base material 410 facing the interconnector 300 and adhered to the interconnector 300, cohesion layer).

여기서, 기재(410)는 제1 쉴드(400a)의 몸체를 형성하는 기능을 하고, 점착층(420)은 기재(410)를 인터커넥터(300)의 전면에 점착(cohesion)시키는 기능을 할 수 있다. Herein, the substrate 410 functions as a body of the first shield 400a, and the adhesive layer 420 functions to cohesion the substrate 410 to the front surface of the interconnector 300 have.

여기서, 점착이라는 의미는 상온에서 물리적 힘에 의해 두 개의 층이 서로 부착되거나 분리될 수 있는 정도의 접착력을 의미한다. Here, the term " sticking " means an adhesive force at which the two layers can be attached or separated from each other by physical force at room temperature.

따라서, 점착은 열처리를 통해 두 개의 층이 서로 부착되어, 두 개의 층을 분리할 때, 어느 하나의 층이 손상되는 접착(adhesion)과는 다른 의미이다.Thus, adhesion is different from adhesion in which one layer is damaged when two layers are attached to each other through heat treatment and the two layers are separated.

이와 같이, 본 발명의 제1 쉴드(400a)는 점착층(420)을 구비함으로써, 제조 공정 중 제1 쉴드(400a)의 위치가 인터커넥터(300)의 원하는 위치에 부착되지 않은 경우, 제1 쉴드(400a)를 인터커넥터(300)로부터 분리하여 다시 부착할 수 있는 장점이 있다. The first shield 400a of the present invention is provided with the adhesive layer 420 so that when the position of the first shield 400a in the manufacturing process is not attached to a desired position of the inter connector 300, There is an advantage that the shield 400a can be detached from the interconnector 300 and reattached.

여기서, 기재(410)는 절연성 재질이면 충분하고, 일례로, PET(polyethylene terephthalate)로 형성될 수 있다. Here, the substrate 410 may be made of an insulating material, and may be formed of, for example, PET (polyethylene terephthalate).

아울러, 점착층(420)은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.In addition, the adhesive layer 420 may include at least one material selected from the group consisting of epoxy, acryl, and silicone.

아울러, 기재(410)의 두께(410T)는 반도체 기판(110) 및 인터커넥터(300)의 두께를 고려하여 50um ~ 70um 사이로 형성될 수 있고, 점착층(420)의 두께(420T)는 점착층(420)의 점착력과 기재(410)의 두께를 고려하여, 10um ~ 30um 사이로 형성될 수 있다.The thickness 410T of the base material 410 may be between 50um and 70um in consideration of the thickness of the semiconductor substrate 110 and the interconnector 300 and the thickness 420T of the adhesive layer 420 may be between 50um and 70um, The thickness of the base material 410 may be in the range of 10um to 30um.

이와 같은 제1 쉴드(400a)는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하일 수 있다. The first shield 400a may have a thermal strain of 10% or less at 180 DEG C or less.

이는 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 점착된 상태에서, 라미네이션 공정이 진행될 수 있는데, 통상 라미네이션 공정이 160℃ ~ 170℃ 사이에서 수행되므로, 이와 같은 라미네이션 공정 중에 제1 쉴드(400a)의 변형을 최소화하기 위함이다.This is because the lamination process can be performed in a state where the first shield 400a is adhered between the first and second solar cells C1 and C2. Since the lamination process is usually performed between 160 ° C and 170 ° C, So as to minimize deformation of the first shield 400a during the process.

아울러, 이와 같은 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하므로, 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 극대화하기 위해, 제1 쉴드(400a)의 전면에는 광반사 구조가 수반될 수 있다.Since the first shield 400a is located between the first and second solar cells C1 and C2 in order to maximize the optical gain of the solar cell module, .

도 12은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.FIG. 12 is a view for explaining the light reflection structure of the first shield 400a applied in accordance with an example of the present invention.

도 12의 (a)는 제1 쉴드(400a)의 광반사 구조 일례를 설명하기 위해, 제1 쉴드(400a)를 전면에서 바라본 형상이고, 도 12의 (b)는 광반사 구조가 형성된 제1 쉴드(400a)의 단면을 도시한 것이고, 도 12의 (c)는 광반사 구조의 다른 일례를 설명하기 위해 제1 쉴드(400a)의 단면을 도시한 것이다. 12 (a) is a view of the first shield 400a viewed from the front, and FIG. 12 (b) is a view of the first shield 400a as viewed from the front to illustrate an example of the light reflection structure of the first shield 400a. FIG. 12C is a cross-sectional view of the shield 400a, and FIG. 12C is a cross-sectional view of the first shield 400a for explaining another example of the light reflection structure.

도 12에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 극대화하기 위해 본 발명에 따른 제1 쉴드(400a)는 전면에 광반사 구조가 구비될 수 있다.As shown in FIG. 12, in order to maximize the optical gain of the solar cell module, the first shield 400a according to the present invention may have a light reflecting structure on the front surface thereof.

일례로, 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)에 포함된 기재(410)의 수광면인 전면에는 복수의 요철(P400a)이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIGS. 12A and 12B, a plurality of protrusions P400a may be formed on the front surface of the light receiving surface of the substrate 410 included in the first shield 400a.

여기서, 제1 쉴드(400a)의 전면에 형성된 복수의 요철(P400a)은 도 12의 (a)와 같이, 요철의 돌출부와 함몰부가 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있으며, 돌출부와 함몰부 사이에 형성되는 경사면이 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 방향으로 향하도록 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 12 (a), a plurality of protrusions P400a formed on the front surface of the first shield 400a may be formed such that the protrusions and depressions of the protrusions and protrusions extend in the second direction y, The inclined surfaces formed between the depressions can be formed to be oriented toward the first and second solar cells C1 and C2.

따라서, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 빛이 제1 쉴드(400a)의 전면으로 입사되었을 때, 제1 방향(x)으로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 쪽으로 빛을 반사하여, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 수광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, when light is incident on the front surface of the first shield 400a, light is emitted toward the first and second solar cells C1 and C2 adjacent to each other in the first direction x, as shown in FIG. 12 (b) So that the light receiving efficiency of the first and second solar cells C1 and C2 can be further improved.

또는 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 기재(410)의 수광면인 전면에는 광반사 입자(예를 들면, TiO2) 또는 금속 재질(예를 들면, 알루미늄)을 포함하는 광반사층(430)이 위치할 수 있다. 이와 같은 광반사층(430)의 평면 형상은 기재(410)의 평면 형상과 동일할 수 있다.A light reflecting layer 430 (see FIG. 12C) including light reflecting particles (for example, TiO 2) or a metal material (for example, aluminum) is formed on the front surface of the light receiving surface of the substrate 410 ) Can be located. The planar shape of the light reflection layer 430 may be the same as the planar shape of the base material 410.

아울러, 이와 같은 제1 쉴드(400a)는 앞선 도 10에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)와 다른 평면 형상을 가질 수 있다. 이하에서는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 형상 차이에 대해 비교하여 설명한다.In addition, the first shield 400a may have a planar shape different from that of the interconnector 300, as shown in FIG. Hereinafter, differences in shape between the first shield 400a and the interconnector 300 will be described.

도 13은 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)와 인터커넥터(300)의 평면 형상을 비교하여 설명하기 위한 도이다.FIG. 13 is a diagram for explaining the comparison of planar shapes of the first shield 400a and the interconnector 300 applied according to an example of the present invention.

도 13에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)는 제1 쉴드(400a)에 완전히 중첩되되, 제1 쉴드(400a)의 평면 형상은 인터커넥터(300)의 평면 형상과 다르게 형성될 수 있다.13, the interconnector 300 is completely overlapped with the first shield 400a, and the planar shape of the first shield 400a may be formed differently from the planar shape of the interconnector 300. [

보다 구체적으로, 도 13의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제2 방향(y)의 방향 중심축(AX)을 기준으로 양측이 서로 대칭된 평면 형상일 수 있으나, 인터커넥터(300)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 열팽창을 완화하기 위하여, 제1 쉴드(400a)와 다르게 중심충(AX)을 기준으로 양측이 서로 비대칭된 평면 형상, 예를 들어, 도 13의 (a)와 같이 지그재그 형상이나 도 13의 (b)와 같이, 제2 방향(y)으로 서로 다른 위치에서 인터커넥터(300)의 측면이 함돌되는 형상을 가질 수 있다.More specifically, as shown in Figs. 13A and 13B, the first shield 400a has a planar shape in which both sides are mutually symmetrical with respect to the direction central axis AX in the second direction (y) The interconnects 300 may be formed in a planar shape in which the both sides are asymmetrical with respect to each other with respect to the central core AX, unlike the first shield 400a, in order to alleviate the thermal expansion of the first and second conductive wires 210, A shape such as a zigzag shape as shown in Fig. 13 (a) or a shape in which a side surface of the interconnector 300 is piled up at different positions in the second direction y as shown in Fig. 13 (b) .

이와 같이 본 발명에 따른 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 평면 형상이 제1 쉴드(400a)의 평면 형상과 다르더라도 인터커넥터(300)를 완전히 가릴 정도의 최소 폭(Wa400a)을 가지며, 인터커넥터(300)를 시각적으로 차단하여, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 깔끔하고 수려하게 할 수 있다.The first shield 400a according to the present invention has a minimum width Wa400a sufficient to completely cover the interconnector 300 even if the plane shape of the interconnector 300 is different from the plane shape of the first shield 400a And the interconnector 300 is visually interrupted, so that the appearance of the solar cell module can be made cleaner and more refined.

이와 같은 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면 구조는 다음과 같다.The cross-sectional structure of the first shield 400a adhered to the interconnect 300 is as follows.

도 14는 본 발명의 일례에 따라 적용되는 제1 쉴드(400a)가 인터커넥터(300) 위에 점착된 단면을 보다 구체적으로 설명하기 위한 일례이다.FIG. 14 is an example for more specifically illustrating a cross section in which the first shield 400a applied in accordance with an exemplary embodiment of the present invention is adhered onto the interconnect 300. FIG.

도 14에서 이해의 편의를 위해, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 제1, 2 전극(141, 142), 제1, 2 도전성 접착제(251, 350) 및 절연층(252)에 대한 도시는 생략되었으나, 도 8에 도시된 바와 동일한 구조를 가지며, 이를 전제하고 설명한다.The first and second electrodes 141 and 142 and the first and second conductive adhesives 251 and 350 and the insulating layer 252 of the first and second solar cells C1 and C2 Although the illustration is omitted, it has the same structure as that shown in FIG. 8, and the premise thereof will be described.

도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 인터커넥터(300)의 전면과 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리 위에 점착하되, 기재(410)가 모듈의 전면 방향으로 위치하고, 점착층(420)이 인터커넥터(300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 점착되는 구조로 적용될 수 있다.14A, the first shield 400a is adhered to the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first and second solar cells C1 and C2 and the front surface of the interconnect 300, The adhesive layer 420 is adhered to the front edge of the semiconductor substrate 110 of the interconnector 300 and the first and second solar cells C1 and C2 Structure.

여기서, 제1 쉴드(400a)의 기재(410)와 점착층(420)은 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 평탄하게 구비될 수 있지만, 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이, 태양 전지 모듈이 라미네이팅되는 경우, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300) 및 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제1 쉴드(400a)의 일부분은 모듈의 후면 방향으로 함몰될 수도 있다.Here, the base 410 of the first shield 400a and the adhesive layer 420 may be provided flat in the first direction x, as shown in Fig. 14 (a) The semiconductor substrate 110 of the interconnector 300 and the first and second solar cells C1 and C2 and the first and second photovoltaic cells C1 and C2 are electrically connected to each other as shown in FIG. A portion of the first shield 400a that is not overlapped may be recessed toward the back side of the module.

도 15은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위한 도이다.15 is a view for explaining a second example of the first shield 400a according to an example of the present invention.

여기서, 도 15의 (a)는 제1 쉴드(400a)의 두 번째 예를 설명하기 위해, 제1 쉴드(400a)의 전면을 도시한 것이고, 도 15의 (b)는 단면을 도시한 것이다.15A is a front view of the first shield 400a to illustrate a second example of the first shield 400a, and FIG. 15B is a sectional view of the first shield 400a.

제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110) 중에서 어느 한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 한 태양 전지의 반도체 기판(110)과는 이격될 수도 있다. The first shield 400a overlaps the front edge of the semiconductor substrate 110 of any one of the semiconductor substrates 110 of the first and second solar cells C1 and C2, And may be spaced apart from the substrate 110.

일례로, 도 15의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)의 전면에 위치하여 하나로 형성되되, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩(OL1)되어 점착되고, 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격(D2)될 수도 있다.15A and 15B, the first shield 400a is located on the front surface of the interconnector 300 located between the first and second solar cells C1 and C2 And may be overlapped OL1 and adhered to the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and may be separated from the semiconductor substrate 110 of the second solar cell C2 have.

이는 태양 전지 모듈의 제조 공정 중 공정 오차에 의해 발생될 수 있으나, 이와 같은 경우에도 제1 쉴드(400a)가 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 점착되어 있어, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)의 가장 자리에서의 크랙의 발생 가능성이나 확산 가능성을 줄일 수 있다.In this case, the first shield 400a is adhered to the front edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1, It is possible to reduce the possibility of occurrence of cracks at the edge of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 and the possibility of diffusion.

아울러, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치한 인터커넥터(300)를 완전히 덮고 있어, 모듈의 외관을 보다 더 수려하게 할 수 있다.In addition, the first shield 400a completely covers the interconnector 300 located between the first and second solar cells C1 and C2, thereby further enhancing the appearance of the module.

아울러, 도 15의 (b)에 도시된 제1 쉴드(400a)에서 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되는 끝단은 라미네이션 공정 중 상부 충진재(EC1)의 확산 압력에 의해, 모듈의 후면 방향인 인터커넥터(300) 방향으로 밴딩될 수 있다.The end portion of the second solar cell C2 spaced apart from the semiconductor substrate 110 in the first shield 400a shown in FIG. 15 (b) is subjected to the diffusion pressure of the upper filler EC1 during the lamination process, And may be bent in the direction of the interconnector 300, which is the rear direction of the module.

도 16은 본 발명의 일례에 따른 제1 쉴드(400a)의 세 번째 예를 설명하기 위한 도이다.16 is a view for explaining a third example of the first shield 400a according to an example of the present invention.

여기서, 도 16의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110)의 투영 영역과 중첩되지 않고, 이격될 수 있다. 16A, the first shield 400a is not overlapped with the projection area of each semiconductor substrate 110 of the first and second solar cells C1 and C2, have.

이와 같이, 제1 쉴드(400a)가 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 각 반도체 기판(110)과 이격된 경우, 라미네이션 공정에 의해, 최종 모듈 구조에서는, 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)의 제1 방향(x) 양끝단은 모듈의 후면 방향인 인터커넥터(300) 방향으로 밴딩될 수 있다.16, when the first shield 400a is separated from the semiconductor substrates 110 of the first and second solar cells C1 and C2 by the lamination process, Both ends of the first shield 400a in the first direction x may be bent in the direction of the inter connector 300 which is the rear direction of the module.

지금까지는 서로 인접한 두 개의 태양 전지 사이에 구비되는 제1 쉴드(400a)가 하나로 형성되는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 제1 쉴드(400a)는 분할된 복수 개가 서로 중첩되어 구비될 수도 있다.Although the first shield 400a provided between two adjacent solar cells has been described as an example, the first shield 400a may be provided so that a plurality of the divided first shields 400a are overlapped with each other.

도 17은 하나의 제1 쉴드(400a)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.17 is a view for explaining an example in which a plurality of first shields 400a are provided and overlapped with each other.

서로 인접한 두 개의 태양 전지(C1, C2) 사이에 위치하는 제1 쉴드(400a)는 복수 개로 분할되되, 분할된 복수 개 각각이 서로 중첩되어 형성될 수도 있다.The first shield 400a positioned between two adjacent solar cells C1 and C2 may be divided into a plurality of solar cells C1a and C2b, and the plurality of divided solar cells C1a and C2b may be overlapped with each other.

일례로, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드(400a)는 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a)로 분할될 수 있고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a)가 서로 중첩되어 구비될 수 있다.17, the first shield 400a may be divided into first, second, and third subshields 401a, 402a, and 403a, and first, second, and third subshields 401a, 402a, and 403a may be overlapped with each other.

보다 구체적으로 설명하면, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a) 각각은 태양 전지(C1, C2) 각각의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리에 중첩되고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401a, 402a, 403a) 각각은 제2 방향(y)으로 서로 중첩될 수 있다.More specifically, each of the first, second, and third sub-shields 401a, 402a, and 403a is superimposed on the front edge of the semiconductor substrate 110 of each of the solar cells C1 and C2, The three sub shields 401a, 402a, and 403a may overlap each other in the second direction y.

여기서, 제1 서브 쉴드(401a)는 선폭이 일정하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다.Here, the first subshield 401a may be formed so as to extend in a second direction y with a constant line width.

제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)는 제1 서브 쉴드(401a)의 제2 방향(y) 한쪽 끝 및 다른 한쪽 끝에 각각 위치하여, 제1 서브 쉴드(401a)와 중첩될 수 있다. The second and third sub shields 402a and 403a may be positioned at one end and the other end of the first sub shield 401a in the second direction y and may overlap with the first sub shield 401a.

여기서, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)의 최대폭은 두 개의 태양 전지(C1, C2) 사이의 이격 간격보다 크고, 제1 서브 쉴드(200a)의 선폭보다 클 수 있다. 아울러, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)는 최소폭은 제1 서브 쉴드(200a)의 선폭보다 작게 형성될 수 있으며, 제2, 3 서브 쉴드(402a, 403a)의 폭은 제1 서브 쉴드(401a) 방향으로 가까이 갈수록 폭이 점진적으로 좁아질 수 있다. The maximum width of the second and third sub shields 402a and 403a is larger than the spacing distance between the two solar cells C1 and C2 and may be larger than the line width of the first sub shield 200a. The minimum width of the second and third subshields 402a and 403a may be smaller than the line width of the first subshield 200a and the width of the second and third subshields 402a and 403a may be less than the width of the first subshield 200a. And the width gradually becomes narrower toward the shield 401a.

이하에서는 도 2에 도시된 제2 쉴드(400b)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the second shield 400b shown in FIG. 2 will be described in more detail.

도 18 및 도 19는 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b)의 일례에 대해 설명하기 위한 도로서, 도 18의 (a)는 제2 쉴드(400b)의 평면 형상, 도 18의 (b)는 제2 쉴드(400b)의 단면 형상, 도 18의 (c)는 제2 쉴드(400b)의 위치 및 기능에 대해 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이고, 도 19는 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 버싱바(310)가 접속된 단면 구조를 도시한 것이다.Figs. 18 and 19 are diagrams for explaining an example of the second shield 400b in the solar cell module shown in Fig. 2. Fig. 18 (a) is a plan view of the second shield 400b, Fig. FIG. 18B is a sectional view of the second shield 400b, FIG. 18C is a view for explaining the position and function of the second shield 400b, and FIG. 19 is a cross- And a cross-sectional structure in which a bending bar 310 is connected to the last solar cell EC.

도 19에 도시된 바와 같이, 버싱바(310)는 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 각각의 마지막 태양 전지(EC)에 구비된 반도체 기판(110)의 투영 영역과 이격될 수 있다.19, when the solar cell module is viewed from the plane, the bushing bar 310 is positioned on the semiconductor substrate 110 provided in the last solar cell EC of each of the first and second cell strings ST1 and ST2, As shown in FIG.

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있으며, 돌출된 제1 도전성 배선(210)의 끝부분 전면에 버싱바(310)의 후면이 접속될 수 있다.In addition, the end portion of the first conductive wiring 210 connected to the last solar cell EC in the solar cell module according to the present invention may protrude outside the projection area of the semiconductor substrate 110 of the last solar cell EC The rear surface of the bushing bar 310 may be connected to the entire surface of the end portion of the protruding first conductive wiring 210.

아울러, 버싱바(310)는 인접한 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 전면에 접속될 수 있다.In addition, the buffering bar 310 may be connected to the front surface of the second conductive wiring 220 connected to the last solar cell EC of the adjacent cell string.

이와 같은 버싱바(310)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제3 도전성 접착제(370)를 통해 접속될 수 있다.The bushing bar 310 may be connected to the first and second conductive wirings 210 and 220 through a third conductive adhesive 370.

이와 같은 제3 도전성 접착제(370)는 앞서 설명한 제1 도전성 접착제(251)와 동일하거나 다른 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 제3 도전성 접착제(370)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)와 실질적으로 동일하거나 다를 수 있다.The third conductive adhesive 370 may be formed of the same or different material as the first conductive adhesive 251 described above. Therefore, the melting point of the third conductive adhesive 370 may be substantially the same as or different from the melting point of the first conductive adhesive 251.

만약, 제3 도전성 접착제(370)와 제1 도전성 접착제(251)가 서로 다른 재질로 형성되는 경우, 제3 도전성 접착제(370)의 용융점은 제1 도전성 접착제(251)보다 높을 수 있다.If the third conductive adhesive 370 and the first conductive adhesive 251 are made of different materials, the melting point of the third conductive adhesive 370 may be higher than that of the first conductive adhesive 251.

제2 쉴드(400b)는 도 18의 (c) 및 도 19에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속되는 버싱바(310)의 전면 위에 제2 방향(y)으로 길게 위치하여, 버싱바(310)를 시각적으로 차단할 수 있다.The second shield 400b is disposed on the front surface of the bushing bar 310 connected to the last solar cell EC of each cell string in the second direction y as shown in Figs. So that the bus bar 310 can be visually interrupted.

아울러, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리와 중첩될 수 있다.19, the inner portion S2 of the second shield 400b overlaps with the front edge of the semiconductor substrate 110 of the last solar cell EC, as shown in FIG. 19, .

이때, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 전면 가장 자리와 중첩되는 폭(OL3)은 0.1mm ~ 2mm 사이일 수 있다.At this time, the width OL3 of the second shield 400b overlapping the front edge of the semiconductor substrate 110 of the last solar cell EC may be between 0.1 mm and 2 mm.

그러나, 도 19에 도시된 바와 다르게, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되는 것도 가능하다. 그러나, 제2 쉴드(400b)가 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되더라도, 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 이격되는 폭은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)과 버싱바(310) 사이의 간격보다 좁을 수 있다.However, as shown in Fig. 19, it is also possible that the second shield 400b is spaced apart from the semiconductor substrate 110 of the last solar cell EC. However, even if the second shield 400b is spaced apart from the semiconductor substrate 110 of the last solar cell EC, the width of the last solar cell EC, which is spaced apart from the semiconductor substrate 110, May be narrower than an interval between the substrate 110 and the bushing bar 310.

이와 같은 제2 쉴드(400b) 평면 형상은 도 18의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제2 방향(y) 중심선을 기준으로 비대칭일 수 있다.The planar shape of the second shield 400b may be asymmetric with respect to the center line of the second direction y when the solar cell module is viewed in a plane, as shown in Figs. 18A and 18C .

보다 구체적으로, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향 양 끝단의 선폭(Wb400b)은 도 18의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400b)보다 크게 형성되되, 제2 쉴드(400b)에서 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 인접한 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 모서리 부분에서 마지막 태양 전지(EC) 방향인 제1 방향(x)으로 돌출되고, 제2 쉴드(400b)에서 내측 부분(S2)의 반대 측면에 위치하는 외측 부분(S1)은 직선으로 형성될 수 있다.More specifically, the line width Wb400b at both ends in the second direction of the second shield 400b is greater than the center line width Wa400b of the second shield 400b, as shown in Figs. 18A and 18C, And the inner portion S2 adjacent to the last solar cell EC of the first and second cell strings ST1 and ST2 in the second shield 400b is larger than the last solar cell EC in the corner portion of the last solar cell EC. The outer portion S1 protruding in the first direction x which is the direction of the battery EC and located on the opposite side of the inner portion S2 in the second shield 400b may be formed in a straight line.

여기서, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 모서리 부분에서 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.Here, the inner portion S2 of the second shield 400b may protrude in the diagonal direction intersecting the first and second directions at the corner portion of the last solar cell EC.

이에 따라, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)은 마지막 태양 전지(EC)의 가장 자리 형태에 대응되도록 형성될 수 있다.Accordingly, the inner portion S2 of the second shield 400b can be formed to correspond to the edge shape of the last solar cell EC.

여기서, 제2 쉴드(400b)의 내측 부분(S2)에서 사선 방향으로 돌출되는 폭(Wc400b)은 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400ab)과 동일하거나 1.5배 이하일 수 있다.The width Wc400b protruding in the oblique direction from the inner portion S2 of the second shield 400b may be equal to or less than 1.5 times the center line width Wa400ab of the second shield 400b.

따라서, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭(Wa400ab) 대비 끝단 선폭(Wb400ab)의 비는 1: 2 ~ 2.5 사이일 수 있다. Accordingly, the ratio of the center line width Wa400ab of the second shield 400b to the end line width Wb400ab may be between 1: 2 and 2.5.

일레로, 제2 쉴드(400b)의 중앙 선폭은 10mm ~ 12mm 사이일 수 있으며, 제2 쉴드(400b)의 끝단 선폭은 23mm ~ 26mm 사이일 수 있다.The center line width of the second shield 400b may be between 10 mm and 12 mm and the end line width of the second shield 400b may be between 23 mm and 26 mm.

아울러, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향(y)으로의 길이(L400b)는 마지막 태양 전지(EC)의 제2 방향(y) 길이(L110y)와 실질적으로 동일할 수 있다.The length L400b of the second shield 400b in the second direction y may be substantially equal to the length L110y of the last solar cell EC in the second direction y.

일레로, 제2 쉴드(400b)의 제2 방향(y)으로의 길이는 160mm ~ 165mm 사이일 수 있다.The length of the second shield 400b in the second direction y may be between 160 mm and 165 mm.

이와 같은 제2 쉴드(400b)는 도 18의 (b)에 도시된 바와 같이, 절연성 재질의 기재(410)와, 기재(410)의 후면에 위치하며 버싱바(310)에 점착하는 점착층(420, cohesion layer)을 포함할 수 있다.18 (b), the second shield 400b includes a base 410 made of an insulating material, an adhesive layer (not shown) disposed on the back surface of the base 410 and adhered to the bushing bar 310 420, cohesion layer).

여기서, 제2 쉴드(400b)의 기재(410)와 점착층(420) 각각의 재질은 앞선 설명한 제1 쉴드(400a)의 기재(410) 및 점착층(420) 각각의 재질과 동일할 수 있다.The materials of the base 410 and the adhesive layer 420 of the second shield 400b may be the same as the materials of the base 410 and the adhesive layer 420 of the first shield 400a described above .

또한, 제2 쉴드(400b)의 색상은 앞서 설명한 제1 쉴드(400a)의 색상과 동일할 수 있다. 따라서, 제2 쉴드(400b)의 수광면 색상은 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트(40)의 색상과 동일하거나 동일한 계열일 수 있다.In addition, the hue of the second shield 400b may be the same as the hue of the first shield 400a described above. Accordingly, the color of the light receiving surface of the second shield 400b may be the same or the same as the color of the rear sheet 40 positioned on the rear surface of the solar cell.

아울러, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 쉴드(400b)는 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이에서 제2 방향(y)으로 이격될 수 있다.18 (c), the second shield 400b is sandwiched between the first and second cell strings ST1 and ST2 in the second direction y, as shown in FIG. 18 (c) Can be spaced apart.

이와 같은 경우, 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 이격된 제2 쉴드(400b) 사이로 버싱바(310)의 일부가 노출될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 18 (c), a part of the bushing bar 310 may be exposed through the second shields 400b spaced in the second direction y.

이하에서는 이와 같이 버싱바(310)의 일부가 노출되지 않도록 변경된 제2 쉴드(400b)의 변경례에 대해 설명한다.Hereinafter, a modification of the second shield 400b modified to prevent a portion of the bushing bar 310 from being exposed will be described.

도 20은 도 2에 도시된 태양 전지 모듈에서 제2 쉴드(400b’)의 변경례에 대해 설명하기 위한 도로서, 도 20의 (a)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 평면 형상, 도 20의 (b)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)가 적용된 태양 전지 모듈의 전면 형상, 도 20의 (c)는 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)가 제2 방향(y)으로 서로 중첩된 예를 도시한 것이다.FIG. 20 is a view for explaining a modification of the second shield 400b 'in the solar cell module shown in FIG. 2. FIG. 20 (a) is a plan view of the second shield 400b' 20 (b) shows a front view of the solar cell module to which the second shield 400b 'according to the modification is applied, and FIG. 20 (c) shows the shape of the second shield 400b' (Y) are superimposed on each other.

변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)는 도 20의 (b)에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈을 평면에서 봤을 때, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이의 이격된 공간에 더 구비될 수 있다.20B, the second shield 400b 'according to the modified example has a structure in which when the solar cell module is viewed in a plan view, the second shield 400b' is formed in a spaced space between the first and second cell strings ST1 and ST2 .

따라서, 도 18의 (c)에서 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이의 이격된 공간으로 노출되는 버싱바(310)를 완전히 시각적으로 차단할 수 있다.Thus, in FIG. 18C, the bushing bar 310 exposed to the space between the first and second cell strings ST1 and ST2 can be completely cut off visually.

따라서, 이를 위해, 도 20의 (a)에 도시된 바와 같이, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)는 제1 방향(x)으로 도출되는 부분의 끝단에서 제2 방향(y)으로 더 연장될 수 있다.20 (a), the second shield 400b 'according to the modification may further include a second shield 400b' in the second direction y at the end of the portion derived in the first direction x, Can be extended.

이에 따라, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 제2 방향(y)으로의 길이(La400b’)는 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)의 제2 방향(y)으로의 길이(L110y)보다 더 길게 형성될 수 있다.Accordingly, the length La400b 'of the second shield 400b' in the second direction y according to the modified example is greater than the length (in the direction y) of the semiconductor substrate 110 provided in the solar cell in the second direction y L110y).

변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 연장 길이(Lb400b’)는 인접한 두 셀 스트링 사이의 간격(DS)보다 작고 두 셀 스트링 사이의 간격(DS)의 1/2보다 클 수 있다.The extension length Lb400b 'of the portion extending further in the second direction y from the second shield 400b' according to the modification is smaller than the interval DS between the adjacent two cell strings and the distance between two cell strings DS). ≪ / RTI >

일례로, 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 길이(Lb400b’)는 2mm ~ 3mm 사이일 수 있다.For example, the length Lb400b 'of the portion of the second shield 400b' that extends further in the second direction y may be between 2 mm and 3 mm.

아울러, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분의 선폭(Wa400b’)은 제2 쉴드(400b’)의 중앙 부분의 선폭(Wa400b’), 즉 제2 쉴드(400b’)의 최소 선폭과 동일할 수 있다.The line width Wa400b 'of the portion extending further in the second direction y from the second shield 400b' according to the modification is the line width Wa400b 'of the center portion of the second shield 400b' May be equal to the minimum line width of the second shield 400b '.

여기서, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b’)의 중앙 부분과 더 연장된 부분의 선폭(Wa400b’)은 10mm ~ 12mm 사이에서 형성될 수 있다.Here, the center portion of the second shield 400b 'according to the modified example and the line width Wa400b' of the extended portion may be formed between 10 mm and 12 mm.

따라서, 제1, 2 셀 스트링(ST1, ST2) 사이에 위치한 제2 쉴드(400b’)의 선폭은 제2 쉴드(400b’)의 중앙 선폭과 동일할 수 있다.Accordingly, the line width of the second shield 400b 'positioned between the first and second cell strings ST1 and ST2 may be equal to the center line width of the second shield 400b'.

아울러, 도 20의 (c)에 도시된 바와 같이, 변경례에 따른 제2 쉴드(400b1)에서 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분은 인접한 다른 제2 쉴드(400b2)의 제2 방향(y)으로 더 연장된 부분과 중첩될 수 있다.20 (c), the portion of the second shield 400b1 further extending in the second direction y according to the modified example is connected to the second shield 400b2 of the adjacent second shield 400b2 in the second direction lt; RTI ID = 0.0 > y). < / RTI >

여기서, 서로 인접한 두 개의 제2 쉴드(400b1, 400b2)가 서로 중첩되는 폭(OLS)은 0.1mm ~ 3mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the width OLS of the two second shields 400b1 and 400b2 adjacent to each other may be between 0.1 mm and 3 mm.

도 21은 하나의 제2 쉴드(400b)가 복수 개로 형성되되, 서로 중첩되어 구비되는 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 21 is a view for explaining an example in which a plurality of the second shields 400b are formed to overlap with each other.

도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제2 쉴드(400b)는 복수 개로 분할되고, 분할된 각각은 중첩되어 형성될 수 있다.As shown in FIG. 21, the second shield 400b according to the present invention may be divided into a plurality of portions, and each of the divided portions may be overlapped.

일례로, 제2 쉴드(400b)는 제1, 2, 3 서브 쉴드(401b, 402b, 403b)로 분할될 수 있고, 제1, 2, 3 서브 쉴드(401b, 402b, 403b)가 서로 중첩되어 구비될 수 있다.For example, the second shield 400b may be divided into first, second, and third subshields 401b, 402b, 403b, and first, second, and third subshields 401b, 402b, .

여기서, 제1 서브 쉴드(401b)는 제2 쉴드(400b)의 몸통을 구성할 수 있고, 제2, 3 서브 쉴드(402b, 403b)는 제1 서브 쉴드(401b)와 중첩되어, 제2 쉴드(400b)에서 제1 방향(x)으로 돌출되는 부분을 형성할 수 있다.The first and second sub shields 401b and 403b may overlap the first sub shield 401b and the second sub shield 401b may form a body of the second shield 400b. (X) in the first direction (400b).

도 21에서는 변경례에 따른 제2 쉴드를 일례로 설명하였지만, 도 18의 (a)에 도시된 제2 쉴드도 전술한 바와 마찬가지로, 복수 개의 서브 쉴드로 분할되어 형성될 수 있다.Although the second shield according to the modification example is described as an example in Fig. 21, the second shield shown in Fig. 18 (a) may also be divided into a plurality of sub shields as described above.

이와 같이, 제2 쉴드(400b)를 복수 개의 서브 쉴드로 분할하여 형성함으로써, 제2 쉴드(400b)에 대한 제조 비용을 보다 절감할 수 있다.In this way, by forming the second shield 400b into a plurality of sub shields, it is possible to further reduce the manufacturing cost of the second shield 400b.

도 22는 제2 쉴드(400b)에 광반사 구조가 형성된 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 22의 (a)는 광반사 구조가 형성된 제2 쉴드(400b)의 평면을 도시한 것이고, 도 22의 (b)는 광반사 구조가 형성된 제2 쉴드(400b)의 단면을 도시한 것이다.22 (a) is a plan view of a second shield 400b having a light reflection structure, and FIG. 22 (b) is a plan view of the second shield 400b, (B) shows a cross section of the second shield 400b on which the light reflecting structure is formed.

도 22의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 수광 효율을 보다 증대시키기 위해, 제1 쉴드(400a)와 마찬가지로 제2 쉴드(400b) 역시, 기재의 수광면인 전면에 복수의 요철(P400b)이 형성될 수 있다.As shown in Figs. 22A and 22B, in order to further increase the light-receiving efficiency of the solar cell, the second shield 400b, like the first shield 400a, A plurality of unevenness P400b can be formed.

이때, 복수의 요철(P400b)은 도 22의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 요철(P400b)의 돌출부와 함몰부가 제2 방향(y)으로 길게 형성되고, 돌출부와 함몰부 사이에 형성된 경사면이 제1 방향(x)으로 빛을 반사하도록 함으로써, 마지막 태양 전지(EC)의 수광 효율을 보다 증대시킬 수 있다.At this time, as shown in Figs. 22 (a) and 22 (b), the protrusions P400b are formed such that protrusions and depressions of the protrusions P400b are elongated in the second direction y, The light receiving efficiency of the last solar cell EC can be further increased by reflecting the light in the first direction x.

아울러, 제2 쉴드(400b)에 의해 반사된 반사광이 마지막 태양 전지(EC) 쪽으로 보다 많이 반사되도록 하기 위하여, 도 22의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부와 함몰부 사이에 형성된 경사면 중 마지막 태양 전지(EC) 방향으로 향해있는 경사면은 마지막 태양 전지(EC)의 반대 방향으로 향해있는 경사면보다 길이가 크고, 경사각이 완만하게 형성될 수 있다.In order to allow reflected light reflected by the second shield 400b to be reflected more toward the last solar cell EC, as shown in FIG. 22 (b), the end portion of the inclined surface formed between the protruding portion and the depressed portion The inclined surface facing toward the solar cell EC is longer than the inclined surface facing the opposite direction of the last solar cell EC and the inclination angle can be formed gently.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전술한 제1 쉴드(400a)와 제2 쉴드(400b)를 구비하여, 태양 전지 모듈의 외관을 보다 수려하게 하면서, 제1, 2 쉴드(400a, 400b)를 통해, 태양 전지 모듈의 수광 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention includes the first shield 400a and the second shield 400b so as to enhance the appearance of the solar cell module, and the first and second shields 400a and 400b ), The light receiving efficiency of the solar cell module can be further improved.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

Claims (27)

반도체 기판, 상기 반도체 기판의 표면에 제1 전극과 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 길게 연결되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되는 복수의 셀 스트링;
상기 복수의 셀 스트링 각각에 포함된 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제2 방향으로 길게 배치되어, 상기 제1, 2 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터;
상기 복수의 셀 스트링 중 서로 인접한 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되어, 상기 제1, 2 셀 스트링을 상기 제2 방향으로 연결하는 버싱바;
상기 인터커넥터의 전면 위에 상기 제2 방향으로 길게 위치하여, 상기 인터커넥터를 시각적으로 차단하는 제1 쉴드; 및
상기 버싱바의 전면 위에 상기 제2 방향으로 길게 위치하여, 상기 버싱바를 시각적으로 차단하는 제2 쉴드;를 포함하고,
상기 제2 쉴드는 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 상기 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩되어 점착되는 태양 전지 모듈.
1. A solar cell comprising: a semiconductor substrate; a plurality of cell strings each having a first electrode and a second electrode on a surface of the semiconductor substrate, the plurality of solar cells being elongated in a first direction and arranged in a second direction intersecting the first direction;
An interconnector disposed in a second direction between the first and second solar cells adjacent to each other among the plurality of solar cells included in each of the plurality of cell strings and serially connecting the first and second solar cells;
A bushing bar connected to the last solar cell of each of the first and second cell strings adjacent to each other of the plurality of cell strings and connecting the first and second cell strings in the second direction;
A first shield which is located on the front surface of the interconnector in the second direction and blocks the interconnector visually; And
And a second shield which is located on the front surface of the boding bar and is long in the second direction and blocks the bushing bar visually,
Wherein the second shield is overlapped and adhered to the front edge of the semiconductor substrate provided in the last solar cell of each of the plurality of cell strings.
제1 항에 있어서,
상기 제2 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 선폭은 상기 제2 쉴드의 중앙 선폭보다 크게 형성되되,
상기 제2 쉴드는 상기 제2 방향 중심선을 기준으로 비대칭인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a line width of both ends of the second shield in the second direction is larger than a center line width of the second shield,
And the second shield is asymmetric with respect to the second direction centerline.
제1 항에 있어서,
상기 제2 쉴드에서 상기 제1, 2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 인접한 내측 부분은 상기 마지막 태양 전지의 모서리 부분에서 상기 마지막 태양 전지 방향으로 돌출되고,
상기 제2 쉴드에서 상기 내측 부분의 반대 측면에 위치하는 외측 부분은 직선으로 형성되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
An inner portion adjacent to the last solar cell of the first and second cell strings in the second shield protrudes from the edge portion of the last solar cell toward the last solar cell,
And an outer portion located on an opposite side of the inner portion of the second shield is formed as a straight line.
제3 항에 있어서,
상기 제2 쉴드의 내측 부분에서 돌출된 부분은 상기 제1, 2 방향과 교차하는 사선 방향으로 돌출되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
And a portion protruding from an inner portion of the second shield protrudes in a diagonal direction intersecting with the first and second directions.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제2 쉴드는 상기 제1, 2 셀 스트링 사이에서 상기 제2 방향으로 이격되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
And the second shield is spaced apart in the second direction between the first and second cell strings.
제1 항에 있어서,
상기 제2 쉴드는 상기 제1, 2 셀 스트링 사이에 더 구비되고,
상기 제1, 2 셀 스트링 사이에 위치한 상기 제2 쉴드의 폭은 상기 제2 쉴드의 중앙 선폭과 동일한 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The second shield is further provided between the first and second cell strings,
Wherein a width of the second shield located between the first and second cell strings is equal to a center line width of the second shield.
제1 항에 있어서,
상기 제1 쉴드는 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판과 이격되거나, 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 적어도 어느 한 반도체 기판의 전면 가장 자리에 중첩되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first shield is spaced apart from the semiconductor substrate of the first and second solar cells or overlapped with the front edge of at least one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells.
제8 항에 있어서,
상기 제1 쉴드는 상기 제1, 2 태양 전지의 반도체 기판 중 어느 하나의 반도체 기판 전면 가장 자리에 중첩되고, 나머지 하나의 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
9. The method of claim 8,
Wherein the first shield is superimposed on a front edge of a semiconductor substrate of any one of the semiconductor substrates of the first and second solar cells and is spaced apart from the other semiconductor substrate.
제9 항에 있어서,
상기 제1 쉴드와 상기 반도체 기판의 전면 가장 자리가 중첩되는 폭은 0.1mm ~ 2mm 사이인 태양 전지 모듈.
10. The method of claim 9,
Wherein a width at which the front edge of the first shield and the front edge of the semiconductor substrate overlap is 0.1 mm to 2 mm.
제1 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지의 반도체 기판과 상기 제2 태양 전지의 반도체 기판 사이의 최소 이격 간격은 3.8mm ~ 4.2mm 사이인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the minimum distance between the semiconductor substrate of the first solar cell and the semiconductor substrate of the second solar cell is between 3.8 mm and 4.2 mm.
제1 항에 있어서,
상기 제1 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 폭은 상기 제1 쉴드의 중앙 폭보다 큰 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a width of both ends of the first shield in the second direction is larger than a center width of the first shield.
제12 항에 있어서,
상기 제1 쉴드의 상기 제2 방향 양 끝단의 폭은 상기 제1 쉴드의 양 끝단으로 갈수록 증가하고,
상기 제1 쉴드는 상기 제2 방향 중심선을 기준으로 대칭인 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
The widths of both ends of the first shield in the second direction increase toward both ends of the first shield,
Wherein the first shield is symmetrical with respect to the second direction centerline.
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 쉴드 각각은 복수 개로 분할되고, 분할된 각각이 중첩되어 형성되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second shields is divided into a plurality of portions, and each of the divided portions is overlapped.
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 쉴드는
절연성 재질의 기재와,
상기 기재의 후면에 위치하며 상기 인터커넥터 또는 상기 버싱바에 점착하는 점착층(cohesion layer)을 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The first and second shields
A substrate made of an insulating material,
And a cohesion layer located on a rear surface of the substrate and adhering to the interconnector or the bushing bar.
제15 항에 있어서,
상기 기재는 PET(polyethylene terephthalate)를 포함하고,
상기 점착층은 에폭시(Epoxy) 계열, 아크릴(Acryl) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 태양 전지 모듈.
16. The method of claim 15,
The substrate comprises PET (polyethylene terephthalate)
Wherein the adhesive layer comprises at least one material selected from the group consisting of Epoxy, Acryl, and Silicone.
제15 항에 있어서,
상기 기재의 두께는 50um ~ 70um 사이이고, 상기 점착층의 두께는 10um ~ 30um 사이인 태양 전지 모듈.
16. The method of claim 15,
Wherein the thickness of the substrate is between 50um and 70um, and the thickness of the adhesive layer is between 10um and 30um.
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 쉴드는 180℃ 이하에서 열변형률이 10% 이하인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second shields have a thermal strain of 10% or less at 180 DEG C or lower.
제15 항에 있어서,
상기 기재의 수광면인 전면에는 복수의 요철이 형성되는 태양 전지 모듈.
16. The method of claim 15,
Wherein a plurality of projections and depressions are formed on a front surface, which is a light receiving surface of the substrate.
제15 항에 있어서,
상기 기재의 수광면인 전면에는 광반사 입자 또는 금속 재질을 포함하는 광반사층이 상기 기재의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가지고 위치하는 태양 전지 모듈.
16. The method of claim 15,
Wherein a light reflecting layer containing light reflecting particles or a metal material is positioned on the front surface of the base material, which is a light receiving surface, having the same planar shape as the plane shape of the base material.
제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 쉴드의 수광면 색상은 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트의 색상과 동일하거나 동일한 계열인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the color of the light receiving surface of the first and second shields is the same as or the same as the color of the rear sheet positioned on the rear surface of the solar cell.
제1 항에 있어서,
상기 태양 전지 모듈은
상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 상기 제1 전극의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 접속되는 제1 도전성 배선과 상기 제2 전극의 후면에 상기 제1 방향으로 길게 접속되는 제2 도전성 배선을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The solar cell module
A first conductive wiring that is connected to the rear surface of the first electrode provided in each of the plurality of solar cells in the first direction and a second conductive wiring that is connected to the rear surface of the second electrode by a long length in the first direction, Including a solar cell module.
제22 항에 있어서,
상기 제1, 2 전극 각각은 상기 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 길게 배치되고,
상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 상기 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.
23. The method of claim 22,
Wherein each of the first and second electrodes is elongated in the second direction intersecting the longitudinal direction of the first and second conductive wirings,
Wherein the first conductive wiring is connected to the first electrode by a conductive adhesive at a portion intersecting with the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode,
Wherein the second conductive wiring is connected to the second electrode by the conductive adhesive at a portion intersecting with the second electrode and is insulated from the first electrode by the insulating layer intersecting with the first electrode, .
제22 항에 있어서,
상기 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.
23. The method of claim 22,
The end portions of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and the end portions of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell each project out of the projection region of the semiconductor substrate, The solar cell module comprising: a solar cell module;
제24 항에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
25. The method of claim 24,
Wherein the interconnector is spaced apart from each semiconductor substrate of the first and second solar cells.
제1 항에 있어서,
상기 제1 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제2 셀 스트링의 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 버싱바의 후면에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The ends of the plurality of first conductive wirings connected to the last solar cell of the first cell string and the ends of the plurality of second conductive wirings connected to the last solar cell of the second cell string are projected And is commonly connected to the rear surface of the bending bar.
제16 항에 있어서,
상기 버싱바는 상기 제1, 2 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
17. The method of claim 16,
Wherein the bending bar is spaced apart from the semiconductor substrate of the last solar cell of each of the first and second cell strings.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015065304A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 三洋電機株式会社 Solar battery module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050268959A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
JP2015065304A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 三洋電機株式会社 Solar battery module

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