KR101788160B1 - Solar cell module - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.
이와 같은 태양 전지는 복수 개가 셀간 커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.A plurality of such solar cells may be formed as modules by being connected to each other by inter-cell connectors.
한편, 이와 같은 태양 전지 중 전극이 모두 후면에 접속되는 후면 컨텍 태양 전지는 반도체 기판의 후면에 위치한 전극에 금속 배선이 도전성 접착제를 통해 접속되고, 금속 배선은 태양 전지 사이에 위치하는 셀간 커넥터에 접속될 수 있다.On the other hand, in the back-surface solar cell in which all of the electrodes in the solar cell are connected to the rear surface, the metal wiring is connected to the electrode located on the rear surface of the semiconductor substrate through the conductive adhesive, and the metal wiring is connected to the inter- .
여기서, 금속 배선을 셀간 커넥터에 접속시키는 열처리 공정 중 금속 배선을 길이 팽창을 할 수 있고, 이로 인하여, 금속 배선과 셀간 커넥터 사이의 물리적 접착력이 약화되어, 단선되는 문제점이 있다.Here, the metal wiring can be expanded in length during the heat treatment process for connecting the metal wiring to the inter-cell connector, thereby deteriorating the physical adhesion between the metal wiring and the inter-cell connector, resulting in disconnection.
본 발명은 금속 배선과 셀간 커넥터 사이의 물리적 접착력을 강화하여, 신뢰성이 향상된 태양 전지 모듈을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module with enhanced reliability by enhancing physical adhesion between a metal wiring and an inter-cell connector.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1 방향으로 배열되어 서로 직렬 연결되고, 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 각각의 반도체 기판의 후면 위에 제1 방향으로 길게 배치되어, 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선;을 포함하고, 복수의 제1 도전성 배선은 제2 방향과 나란한 반도체 기판의 제1 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고, 복수의 제2 도전성 배선은 제1 측면과 반대쪽에 위치하는 반도체 기판의 제2 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 선폭은 제1, 2 도전성 배선 중 반도체 기판의 후면 위에 위치하는 셀 부분의 선폭보다 크다.A solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate and a plurality of first and second solar cell modules arranged in a first direction and extending in a second direction crossing the first direction, A plurality of solar cells having electrodes; And a plurality of second conductive wirings arranged in a first direction on the rear surface of the semiconductor substrate of each of the plurality of solar cells, the plurality of first conductive wirings connected to the plurality of first electrodes and the plurality of second conductive wirings connected to the plurality of second electrodes; Wherein the plurality of first conductive wirings include protruding portions protruding outward from the first side of the semiconductor substrate in parallel with the second direction and the plurality of second conductive wirings include a plurality of protruding portions protruding outward from the first side of the semiconductor substrate, The line width of the protruding portion end of each of the first and second conductive wirings is larger than the line width of the cell portion of the first and second conductive wirings located on the rear surface of the semiconductor substrate.
일례로, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 선폭은 셀 부분의 선폭보다 크고 2배 이하일 수 있다.For example, in each of the first and second conductive wirings, the line width at the end of the protruding portion may be larger than the line width of the cell portion and less than twice.
여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀 부분의 선폭은 1mm ~ 3mm 사이일 수 있다.Here, the line width of the cell portion in each of the first and second conductive wirings may be between 1 mm and 3 mm.
또한, 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분은 끝단으로 갈수록 선폭이 점진적으로 증가할 수 있다. Further, the line width of the protruding portions of the first and second conductive wirings may gradually increase toward the end.
또한, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 두께는 셀 부분 두께와 동일하거나 작을 수 있다.The thickness of the protruding portion ends in each of the first and second conductive wirings may be equal to or smaller than the thickness of the cell portion.
일례로, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 두께는 셀 부분 두께보다 작고, 셀 부분 두께의 1/2보다 클 수 있다. For example, in each of the first and second conductive wirings, the thickness of the end of the protruding portion may be smaller than the thickness of the cell portion and larger than 1/2 of the thickness of the cell portion.
여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀 부분의 두께는 35um ~ 400um 사이일 수 있다.Here, the thickness of the cell portion in each of the first and second conductive wirings may be between 35 [mu] m and 400 [mu] m.
또한, 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.In addition, each of the first and second conductive wirings may include a conductive core and a conductive coating layer for coating the surface of the core.
여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 코어 두께는 셀 부분의 코어 두께보다 작을 수 있다.Here, in each of the first and second conductive wirings, the core thickness at the end of the protruding portion may be smaller than the core thickness of the cell portion.
또한, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.The first conductive wiring is connected to the first electrode by a first conductive adhesive at a portion intersecting the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode, The wiring is connected to the second electrode by a first conductive adhesive at a portion intersecting the second electrode and can be insulated from the first electrode by an insulating layer which intersects the first electrode.
또한, 복수의 태양 전지 중 서로 인접하여 배치되는 제1, 2 태양 전지 사이에 제2 방향으로 길게 배치되어, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 셀간 커넥터;를 더 포함할 수 있다.The solar cell further includes a plurality of first conductive wirings arranged in the second direction between the first and second solar cells disposed adjacent to each other among the plurality of solar cells and connected to the first solar cell and a plurality And an inter-cell connector to which the second conductive wirings are connected in common.
여기서, 셀간 커넥터에는 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 돌출 부분 끝단과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 돌출 부분 끝단이 공통으로 접속되는 포함 수 있다.Here, the inter-cell connector may include a plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and a plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분 끝단의 선폭을 상대적으로 크게 하여, 태양 전지 모듈의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.The solar cell module according to an example of the present invention can increase the line width of the projecting portion end portions of each of the first and second conductive wirings relatively to improve the reliability of the solar cell module.
도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이다.
도 3 내지 도 5는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일례에 따른 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분의 구조를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 도전성 배선을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 14는 본 발명의 일례에 따른 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 끝단 부분에 대한 변경례를 설명하기 위한 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view illustrating a plan view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is an example of a schematic cross-sectional view of first and second solar cells C1 and C2 connected to each other by an
FIGS. 3 to 5 are views for specifically explaining the series connection structure of the first and second solar cells C1 and C2 shown in FIG.
6 to 8 are views for explaining an example of a solar cell according to the present invention.
Figs. 9 to 11 are views for explaining the structure of protruding portions of the first and second
12 and 13 are views for explaining an example of a method of manufacturing the conductive wiring of the present invention.
14 is a view for explaining a modification of the end portions of the first and second
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.
이하에서, 어떤 구성의 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 쪽으로 향하는 방향일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면 쪽으로 향하는 방향일 수 있다.Hereinafter, the front surface of a certain structure may be a direction toward one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may refer to a surface of the semiconductor substrate on which the direct light is not incident, Lt; / RTI >
아울러, 이하에서 셀 스트링이라 함은 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 구조나 형태를 의미한다.Hereinafter, the cell string refers to a structure or a form in which a plurality of solar cells are connected in series to each other.
또한, 어떤 구성 부분의 두께나 폭이 다른 구성 부분의 두께나 폭과 동일하다는 의미는 공정 오차를 포함하여, 10%의 범위 내에서 동일함을 의미한다.In addition, the meaning that the thickness and width of a constituent part are the same as the thickness and width of other constituent parts means that they are the same within a range of 10% including a process error.
도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, 1 and 2 solar cells (C1, C2).
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 및 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)을 포함한다.1 and 2, a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells and a plurality of first and second
아울러, 이에 더하여, 복수의 태양 전지를 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결하는 셀간 커넥터(300), 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.In addition, in addition to this, in addition to the above, an
여기서, 복수의 태양 전지는 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 이와 같은 복수의 태양 전지에 대해서는 도 6 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The plurality of solar cells may include a plurality of
복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속될 수 있다. The plurality of first and second
이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)이 접속된 복수의 태양 전지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 셀간 커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다.As described above, a plurality of solar cells to which the plurality of first and second
일례로, 셀간 커넥터(300)는 복수의 태양 전지 중 제1 방향(x)으로 서로 인접하여 배치되는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결할 수 있다. For example, the
이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 셀간 커넥터(300)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.2, a plurality of second
이와 같은 셀 스트링은 도 2에 도시된 바와 같이, 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.As shown in FIG. 2, such a cell string may be thermocompressed and laminated while being disposed between the front
일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.For example, a plurality of solar cells are disposed between the front
아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.1, the front
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 전면에는 전면 투명 기판(10)과 충진재(20, 30)를 투과하여, 복수의 태양 전지와 복수의 제1, 2 도전성 배선(200), 셀간 커넥터(300), 후면 시트(40) 및 프레임(50)이 보여질 수 있다.1, the front
더불어, 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(310)에 의해 제2 방향(y)으로 직렬 연결 될 수 있다.In addition, each of the cell strings may be arranged long in the first direction (x) and spaced apart in the second direction (y), and such plurality of cell strings may be arranged in a
여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다. Here, the front
후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다. The
이와 같은 후면 시트(40)는 FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트일 수 있다.Such a
이와 같은 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 면 형상의 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.Such a lamination process may be performed in the state where the
여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.The materials of the
따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 면 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다. Therefore, the
이하에서는 도 1, 2 에 도시된 태양 전지 모듈에서, 복수의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(200) 및 셀간 커넥터(300)에 의해 직렬 연결되는 구조를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, in the solar cell module shown in Figs. 1 and 2, a structure in which a plurality of solar cells are connected in series by the first and second
도 3 내지 도 5는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.FIGS. 3 to 5 are views for specifically explaining the series connection structure of the first and second solar cells C1 and C2 shown in FIG.
여기서, 도 3은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 전면을 도시한 일례이고, 도 4는 도 3에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면을 도시한 일례이고, 도 5는 도 3 및 도 4 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.3 shows an example of a front surface of the first and second solar cells C1 and C2 connected to each other by the
도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.3 and 4, in the solar cell module according to the present invention, the first and second
여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.The first and second solar cells C1 and C2 may be arranged at a distance in the first direction x and each of the first and second solar cells C1 and C2 may be at least A plurality of
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접속될 수 있다.The plurality of first and second
이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.The plurality of first and second
보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.More specifically, the first
아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.The second
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.The first and second
바람직한 일례로, 코어는 구리(Cu)로 형성될 수 있으며, 코팅층은 주석(Sn)을 포함하는 합금인 SnBiAg로 형성될 수 있다.In a preferred example, the core may be formed of copper (Cu), and the coating layer may be formed of SnBiAg, which is an alloy containing tin (Sn).
이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 셀간 커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 제1 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 셀간 커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 제2 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함할 수 있다.One end of the first
여기서, 반도체 기판의 제1 측면과 제2 측면은 반도체 기판을 중심으로 서로 마주보는 반대쪽에 위치하고, 제1, 2 측면은 반도체 기판의 4 측면 중에서 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향과 나란한 방향의 측면을 의미한다.Here, the first side and the second side of the semiconductor substrate are located opposite to each other with respect to the semiconductor substrate, and the first and second sides are the lengths of the first and second
이에 따라, 제1 도전성 배선(210) 및 제2 도전성 배선(220)은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출된 돌출 부분의 끝단이 셀간 커넥터(300)에 접속될 수 있으며, 제1, 2 도전성 배선(210)의 돌출 부분 반대쪽 타단은 반도체 기판의 투영 영역 내에 위치할 수 있다.As a result, the ends of the protruding portions protruding from the projection area of the semiconductor substrate can be connected to the
여기서, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.Here, the plurality of first and second
여기서, 도 4및 도 5에 도시된 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.Here, the line width of each of the first and second
이와 같이 제1, 2 도전성 배선(200) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(200)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.In this way, the number of the first and second
여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 도전성 금속 재질로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로, 제1 도전성 접착제(251)는 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 포함되는 일부 금속 물질이 혼합된 혼합층으로 형성되거나, 솔더 페이스트층 또는 에폭시 솔더 페이스트층 중 어느 하나의 층과 혼합층이 함께 포함되어 형성될 수 있다.Here, the first
이와 같이, 제1 도전성 접착제(251)가 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 포함되는 일부 금속 물질이 혼합된 혼합층을 포함하도록 하여, 제1 도전성 접착제(251)와 제1, 2 전극(141, 142) 사이의 물리적 접착력을 보다 향상시킬 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)와 제1, 2 전극(141, 142) 사이의 전기적 저항을 최소화할 수 있다.The first
여기서, 솔더 페이스트층은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성되고, 에폭시 솔더 페이스트층은 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.Here, the solder paste layer may be formed of an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn), and the epoxy solder paste layer may be formed of an alloy containing tin (Sn) or tin (Sn) in the epoxy.
이와 같은 제1 도전성 접착제(251)의 상세한 구조에 대해서는 도 10 이하에서 보다 구체적으로 설명한다. The detailed structure of the first
여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.The insulating
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 각각의 일단이 셀간 커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.One end of each of the plurality of first and second
보다 구체적으로, 셀간 커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다. More specifically, the
여기서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 태양 전지를 평면에서 봤을 때, 셀간 커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되어 배치될 수 있다.3 and 4, when the solar cell is viewed in a plane, the
아울러, 이와 같은 셀간 커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 일단과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 일단이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.One end of the first
보다 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(200)과 셀간 커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.More specifically, as shown in Fig. 5, the first and second solar cells C1 and C2 are arranged in the first direction (x) in a state in which the first and second solar cells C1 and C2 are arranged in the first direction (x) , One string that is extended in the first direction (x) and connected in series by the two conductive wirings (200) and the intercell connector (300) can be formed.
여기서, 일례로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 일단은 셀간 커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 셀간 커넥터(300)에 접착될 수 있다.5, one end of each of the first and second
여기서, 제1, 2 도전성 배선(200)과 셀간 커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다. The second conductive
보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 페이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 페이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 페이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.More specifically, the second
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 셀간 커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(200) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 셀간 커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(200) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.Since the solar cell module having such a structure is provided with a separate
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 서로 인접한 임의의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 후면에 제1, 2 도전성 배선(200)이 접속되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 셀간 커넥터(300)로 직렬 연결되는 구조를 설명하였다. Up to now, in the solar cell module according to the present invention, the first and second
그러나, 본 발명의 태양 전지 모듈은 서로 인접한 제1, 2 태양 전지가 반드시 셀간 커넥터(300)를 통해 직렬 연결되는 구조로 한정되는 것은 아니고, 셀간 커넥터(300)가 생략된 상태에서, 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선이 서로 중첩되어 제2 도전성 접착제를 통해 서로 접속되는 구조도 적용가능하다.However, the solar cell module of the present invention is not limited to the structure in which the first and second solar cells adjacent to each other are necessarily connected in series through the
이하에서는 이와 같은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)로 적용 가능한 태양 전지의 구체적인 구조의 일례에 대해서 설명한다.Hereinafter, an example of a specific structure of a solar cell applicable to the first and second solar cells C1 and C2 will be described.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 6은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이고, 도 8은 반도체 기판의 후면에 형성된 제1, 2 전극(200)의 패턴을 도시한 것이다.6 to 8 are diagrams for explaining an example of a solar cell to which the present invention is applied, FIG. 6 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to the present invention, and FIG. 7 is a cross- FIG. 8 shows a pattern of the first and
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 6 and 7, an example of a solar cell according to the present invention includes an
여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the
반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.The
여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다. Here, the impurity of the first conductive type contained in the
반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.When the
이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the case where the impurity contained in the
이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다. The
이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.Accordingly, the amount of light reflected from the front surface of the
반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The
터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.The
이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.The
아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다. In addition, the
제1 반도체부(121)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.6 and 7, the
아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 길게 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The
여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.Here, the
각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.The
제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다. The
이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.The
이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다. The
따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(200)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다. Therefore, the amount of charges lost due to the recombination of electrons and holes in the
지금까지의 도 6 내지 도 7에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다. 6 to 7 illustrate a case where the
그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.Alternatively, when the
아울러, 여기의 도 6 및 도 7에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였다.6 and 7, the case where the
그러나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수 있고, 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.Alternatively, if the
진성 반도체부(150)은 도 6 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.6 to 7, the
아울러, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.6 and 7, each of both side surfaces of the
패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.The
복수의 제1 전극(141)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.8, the plurality of
복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.The plurality of
이와 같은 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 제1 방향(x)으로 이격될 수 있다. 아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.The
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 6 및 도 7에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(200)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to those shown in FIGS. 6 and 7 except that the first and
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the
한편, 이와 같은 태양 전지 모듈은 셀간 커넥터(300)와 제1, 2 도전성 배선의 물리적 접착력을 보다 향상시키기 위하여, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 선폭을 상기 제1, 2 도전성 배선 중 상기 반도체 기판의 후면 위에 위치하는 셀 부분의 선폭보다 크게 할 수 있다.In order to further improve the physical adhesion between the
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일례에 따른 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분의 구조를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.Figs. 9 to 11 are views for explaining the structure of protruding portions of the first and second
아울러, 도 12 및 도 13은 본 발명의 도전성 배선을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.12 and 13 are views for explaining an example of a method of manufacturing the conductive wiring of the present invention.
보다 구체적으로, 도 9은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분의 평면 구조의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 10은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분의 단면 구조의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 11은 도전성 배선의 돌출 부분의 단면 구조의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.9 is a view for explaining an example of the planar structure of protruding portions of the first and second
도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각과 셀간 커넥터(300)와의 물리적 접착력을 보다 향상시키기 위하여, 본 발명은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭(W200B)을 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 반도체 기판(110)의 후면 위에 위치하는 셀 부분(210A, 220A)의 선폭(W200A)보다 크게 할 수 있다.The first and second
보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)에서 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭은 제1 도전성 배선(210) 중 반도체 기판(110)의 후면 위에 위치하는 셀 부분(210A, 220A)의 선폭보다 크게 할 수 있고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에서 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 반도체 기판(110)의 후면 위에 위치하는 셀 부분(210A, 220A)의 선폭보다 크게 할 수 있다.More specifically, the line width of the end portions of the protruding
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 반도체 기판(110)의 제1, 2 측면 밖으로 돌출된 부분을 의미하고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 셀 부분(210A, 220A)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 반도체 기판(110)의 후면 위에 위치하여, 반도체 기판(110)과 중첩되는 부분을 의미한다.The protruding
아울러, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B)의 끝단은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 셀간 커넥터(300)에 접속되는 부분의 끝단을 의미한다.The ends of the protruding
도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 돌출 부분(210B, 220B)은 셀 끝단으로 갈수록 선폭이 점진적으로 증가할 수 있다. 그러나, 돌출 부분(210B, 220B)의 선폭은 반드시 점진적으로 증가하는 것에 한정되지는 아니다.The line width of the protruding
여기서, 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭(W200B)은 셀 부분(210A, 220A)의 선폭(W200A)보다 크고 2배 이하일 수 있다. 여기서, 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭(W200B)을 2배 이하로 하는 것은 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭(W200B)이 과도하게 큰 경우, 셀간 커넥터(300)에 접속한 인접한 다른 도전성 배선과 중첩되고, 이로 인하여, 해당 도전성 배선의 물리적 접속이 온전하게 형성되지 않을 수 있기 때문이다.The line width W200B at the ends of the protruding
일례로, 셀 부분(210A, 220A)의 선폭(W200A)은 1mm ~ 3mm 사이로 형성되는 경우, 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 선폭(W200B)은 셀 부분(210A, 220A)의 선폭(W200A)보다 큰 범위에서 최대 2mm ~ 6mm 사이로 형성될 수 있다.For example, when the line width W200A of the
여기서 셀간 커넥터(300)의 선폭(W300)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 셀 부분(210A, 220A) 선폭과의 차이가 10% 이내로 형성되어, 셀 부분(210A, 220A)의 선폭(W200A)과 동일하거나 크거나 작을 수 있다.The line width W300 of the
또한, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 두께는 셀 부분(210A, 220A) 두께와 동일하거나 작을 수 있다.The thickness of the end portions of the protruding
일례로, 도 10에 도시된 바와 같이, 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 두께는 셀 부분(210A, 220A) 두께와 동일할 수도 있지만, 도 11에 도시된 바와 같이, 돌출 부분(200B) 끝단의 두께(T200B)는 셀 부분(200A) 두께(T200A)보다 작게 형성될 수도 있다.10, the thickness of the end portions of the protruding
그러나, 돌출 부분(200B) 끝단의 두께(T200B)는 셀 부분(200A) 두께(T200A)보다 작게 형성되더라도 셀 부분(200A) 두께(T200A)의 1/2보다 클 수 있다.The thickness T200B of the end of the protruding
일례로, 셀 부분(200A)의 두께(T200A)가 35um ~ 400um 사이로 형성되는 경우, 돌출 부분(200B) 끝단의 두께(T200B)는 셀 부분(200A)의 두께(T200A)보다 작은 범위에서 최소 17.5um ~ 200um 사이로 형성될 수 있다.For example, when the thickness T200A of the
아울러, 전술한 바와 같이, 도전성 배선(200)이 도전성 코어(201)와 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층(202)을 포함하여 형성되는 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 돌출 부분(210B, 220B) 끝단의 코어 두께(T201B)는 셀 부분(210A, 220A)의 코어 두께(T201A)보다 작게 형성될 수 있다.11, when the
이에 따라, 도 11에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)에서 셀 부분(200A)의 코어(201)와 돌출 부분(200B) 끝단의 코어(201) 사이에는 두께 단차가 형성될 수 있다.11, a thickness step may be formed between the
이와 같은 도전성 배선은 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선으로 형성될 금속 기판(MP)을 준비한 상태에서, 점선으로 도시된 부분 컷팅 라인(CL)을 펀칭(punching) 장치를 이용하여 절단함으로써, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같은 도전성 배선(200)을 만들 수 있다.12 (a), in the state that the metal substrate MP to be formed of the conductive wiring is prepared, the partial cutting line CL shown by the dotted line is punched by using a punching device The
이때, 도전성 배선(200)의 끝단의 선폭(W200B)은 도전성 배선(200)의 셀 부분 두께(W200A)보다 크게 형성되고, 도전성 배선(200)의 끝단의 두께(T200B)는 도전성 배선(200)의 셀 부분의 두께(T200A)와 동일하여, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같은 도전성 배선을 형성할 수 있다.The line width W200B of the end of the
아울러, 다른 일례로, 도 13의 (a)에 도시된 바와 같은 도전성 배선(200)을 준비한 상태에서, 프레스(press) 장치(P1. P2)를 이용하여 도전성 배선(200)의 끝단에 강하게 압력을 가하여, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)의 끝단의 선폭(W200B)이 도전성 배선(200)의 셀 부분 선폭(W200A)보다 크게 형성되도록 할 수 있고, 도 13의 (c)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)의 끝단의 두께(T200B)가 도전성 배선(200)의 셀 부분의 두께(T200A)보다 작게 형성되도록 할 수 있다.In addition, in another example, in a state in which the
이때, 코어(201)와 코팅층(202)으로 형성된 도전성 배선(200)을 이용할 경우, 도 13의 (c)에 도시된 바와 같이, 코어(201)의 끝단의 두께(T201B)가 상대적으로 더 얇게 형성될 수 있다.At this time, when the
이와 같이, 도 13에 따른 방법으로 형성된 도전성 배선을 이용하여, 모듈을 제조할 경우, 도 9 및 도 11에서 설명한 바와 같은 도전성 배선을 형성할 수 있다.In this manner, when a module is manufactured by using the conductive wiring formed by the method according to Fig. 13, the conductive wiring as described with reference to Figs. 9 and 11 can be formed.
지금까지는 도전성 배선에서 상대적으로 폭이 큰 끝단 부분이 도전성 배선의 셀 부분(210A, 220A)과 일체로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 다른 일례로, 도전성 배선에서 셀간 커넥터(300)에 접속되는 끝단 부분이 별도의 금속 배선으로 형성되는 것도 가능하다.The case where the end portion having a relatively large width in the conductive wiring is formed integrally with the
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
도 14는 본 발명의 일례에 따른 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 끝단 부분에 대한 변경례를 설명하기 위한 도이다.14 is a view for explaining a modification of the end portions of the first and second
도 14의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 반도체 기판(110)과 중첩되고 돌출 부분을 포함하는 메인 배선(210x1, 220x1)과, 메인 배선(210x1, 220x1)의 끝단에 메인 배선(210x1, 220x1)보다 선폭이 상대적으로 큰 별도의 보조 배선(210x2, 220x2)을 구비하여 형성될 수 있다.14A and 14B, the first and second
여기서, 보조 배선(210x2, 220x2)은 메인 배선(210x1, 220x1)의 후면에 제3 도전성 접착제(370)를 통해 접속될 수 있다. 이와 같은 제3 도전성 접착제(370)는 제2 도전성 접착제(350)와 동일할 재질일 수 있다.The auxiliary wirings 210x2 and 220x2 may be connected to the rear surfaces of the main wirings 210x1 and 220x1 through a third conductive adhesive 370. [ The third conductive adhesive 370 may be made of the same material as the second
아울러, 이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 각 보조 배선(210x2, 220x2) 전면이 셀간 커넥터(300)의 후면에 제2 도전성 접착제(350)를 통해 접속될 수 있다.The front surfaces of the auxiliary wirings 210x2 and 220x2 of the first and second
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.
Claims (12)
상기 복수의 태양 전지를 서로 연결하기 위하여, 상기 반도체 기판의 후면 위에 상기 제1 방향으로 길게 배치되어, 상기 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 상기 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선;을 포함하고,
상기 복수의 제1 도전성 배선은 상기 제2 방향과 나란한 상기 반도체 기판의 제1 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고,
상기 복수의 제2 도전성 배선은 상기 제1 측면과 반대쪽에 위치하는 상기 반도체 기판의 제2 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고,
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 돌출 부분 끝단의 선폭은 상기 제1, 2 도전성 배선 중 상기 반도체 기판의 후면 위에 위치하는 셀 부분의 선폭보다 큰 태양 전지 모듈.A plurality of solar cells arranged in a first direction and connected to each other in series and each having a semiconductor substrate and a plurality of first and second electrodes arranged on the rear surface of the semiconductor substrate in a second direction crossing the first direction, ; And
A plurality of first conductive wirings arranged in the first direction on the rear surface of the semiconductor substrate so as to connect the plurality of solar cells to each other and connected to the plurality of first electrodes and connected to the plurality of second electrodes And a plurality of second conductive wirings,
The plurality of first conductive wirings include protruding portions protruding out of the first side surface of the semiconductor substrate in parallel with the second direction,
Wherein the plurality of second conductive wirings include a protruding portion protruding outward from a second side of the semiconductor substrate located opposite to the first side,
Wherein a line width of a projecting portion end of each of the first and second conductive wirings is larger than a line width of a cell portion of the first and second conductive wirings located on a rear surface of the semiconductor substrate.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 돌출 부분 끝단의 선폭은 상기 셀 부분의 선폭보다 크고 2배 이하인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a line width of an end of the projecting portion in each of the first and second conductive wirings is larger than a line width of the cell portion and not more than 2 times.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀 부분의 선폭은 1mm ~ 3mm 사이인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a line width of the cell portion in each of the first and second conductive wirings is between 1 mm and 3 mm.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분은 끝단으로 갈수록 선폭이 점진적으로 증가하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a projected portion of each of the first and second conductive wirings gradually increases in line width toward an end.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 돌출 부분 끝단의 두께는 상기 셀 부분 두께와 동일하거나 작은 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the projecting portion end of each of the first and second conductive wirings is equal to or smaller than a thickness of the cell portion.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 돌출 부분 끝단의 두께는 상기 셀 부분 두께보다 작고, 상기 셀 부분 두께의 1/2보다 큰 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the projecting portion end at each of the first and second conductive wirings is smaller than the cell portion thickness and is larger than 1/2 of the cell portion thickness.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀 부분의 두께는 35um ~ 400um 사이인 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the cell portion in each of the first and second conductive wirings is between 35 [mu] m and 400 [mu] m.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein each of the first and second conductive wirings includes a conductive core and a conductive coating layer for coating the surface of the core.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 돌출 부분 끝단의 코어 두께는 상기 셀 부분의 코어 두께보다 작은 태양 전지 모듈.9. The method of claim 8,
Wherein a core thickness of each of the projecting portion ends in each of the first and second conductive wirings is smaller than a core thickness of the cell portion.
상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive wiring is connected to the first electrode by a first conductive adhesive at a portion intersecting the first electrode and is insulated from the second electrode by an insulating layer at a portion intersecting the second electrode,
Wherein the second conductive wiring is connected to the second electrode by a first conductive adhesive at a portion intersecting with the second electrode and is electrically insulated from the first electrode by the insulating layer crossing the first electrode, module.
상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접하여 배치되는 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제2 방향으로 길게 배치되어, 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 셀간 커넥터;를 더 포함하는 태양 전지 모듈.The method according to claim 1,
A plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and a plurality of second conductive wirings arranged in the second direction between first and second solar cells disposed adjacent to each other of the plurality of solar cells, And an inter-cell connector to which the plurality of second conductive wirings connected are commonly connected.
상기 셀간 커넥터에는 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선의 돌출 부분 끝단과 상기 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선의 돌출 부분 끝단이 공통으로 접속되는 포함하는 태양 전지 모듈.
12. The method of claim 11,
Wherein the inter-cell connector is provided with a protruding portion end of the plurality of first conductive wirings connected to the first solar cell and a protruding portion end of the plurality of second conductive wirings connected to the second solar cell are connected in common Solar module.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160094341A KR101788160B1 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Solar cell module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101788160B1 true KR101788160B1 (en) | 2017-11-15 |
Family
ID=60386967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160094341A KR101788160B1 (en) | 2016-07-25 | 2016-07-25 | Solar cell module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101788160B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111640812A (en) * | 2017-12-30 | 2020-09-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | Photovoltaic module |
WO2022258361A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Solar panel having optimized interconnection, and method for manufacturing same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295715A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Sharp Corp | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
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2016
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295715A (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Sharp Corp | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111640812A (en) * | 2017-12-30 | 2020-09-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | Photovoltaic module |
CN111640812B (en) * | 2017-12-30 | 2023-02-28 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | Photovoltaic module |
WO2022258361A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Solar panel having optimized interconnection, and method for manufacturing same |
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