KR101787798B1 - Method for manufacturing a transparent substrate comprising fine metal wires - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 기재 상에 요철 패턴을 형성하는 단계; 상기 요철 패턴이 형성된 투명 기재 상에 금속 박막층을 형성하는 단계; 상기 금속 박막층에 크랙을 형성하는 단계; 및 상기 요철 패턴의 철부에 존재하는 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 포함하는 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a method for manufacturing a transparent substrate, comprising: forming a concavo-convex pattern on a transparent substrate; Forming a metal thin film layer on the transparent substrate on which the uneven pattern is formed; Forming a crack in the metal thin film layer; And physically removing the metal thin film layer present on the convex portion of the concave-convex pattern.

Description

금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSPARENT SUBSTRATE COMPRISING FINE METAL WIRES}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a transparent substrate including a metal thin wire,

본 발명은 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 금속 박막층의 선택적 제거가 용이한, 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a transparent substrate including a metal thin wire, and more specifically, to a method of manufacturing a transparent substrate including a metal thin wire, which facilitates selective removal of a metal thin film layer.

폴리머 필름 또는 유리 기판에 전도성 미세 패턴이 형성되어 있는 전도성 기판은 전자파 차폐 필터, 열선 유리, 터치 패널, 액정 디스플레이 등의 다양한 분야에서 사용되고 있다.
BACKGROUND ART [0002] Conductive substrates having conductive fine patterns formed on polymer films or glass substrates are used in various fields such as electromagnetic wave shielding filters, heat ray glasses, touch panels, and liquid crystal displays.

한편, 이러한 전도성 미세 패턴이 형성된 전도성 기판을 형성하기 위해 유리 기판이나 폴리머 기판 상에 요철 패턴을 가지는 자외선 경화형 수지층을 형성하고, 전도성 물질을 자외선 경화형 수지층의 전체 면에 증착시킨 후, 철부에 증착된 전도성 물질만을 선택적으로 제거하는 기술이 제안된바 있다(하기 도 1 참조).
In order to form a conductive substrate on which conductive fine patterns are formed, an ultraviolet curable resin layer having a concavo-convex pattern is formed on a glass substrate or a polymer substrate, a conductive material is deposited on the entire surface of the ultraviolet curable resin layer, A technique for selectively removing only the deposited conductive material has been proposed (see FIG. 1).

그러나, 이와 같이 전체면에 전도성 물질을 증착한 후 철부에 증착된 전도성 물질만을 선택적으로 제거하는 기술은, 상대적으로 패턴의 선폭이 넓은 경우에는 적용에 큰 문제가 없으나, 이와 달리 미세 패턴을 형성하는 경우에는, 선폭이 얇고, 철부에 증착된 전도성 물질과 요부에 증착된 전도성 물질이 연결되어 있기 때문에, 철부에 증착된 전도성 물질을 제거할 때 요부에 증착된 전도성 물질 역시 함께 제거가 되는 문제점이 있었다. 따라서, 전도성 물질의 증착 후 선택적 제거가 핵심인 전도성 미세 패턴이 형성된 전도성 기판에 제조 공정에 있어서, 정밀도가 떨어지는 한계가 있었다.
However, the technique of selectively removing only the conductive material deposited on the convex portion after the conductive material is deposited on the entire surface as described above does not cause a serious problem in application when the line width of the pattern is relatively large. Alternatively, The conductive material deposited on the convex portion is connected to the conductive material deposited on the concave portion so that the conductive material deposited on the concave portion is also removed when the conductive material deposited on the convex portion is removed . Accordingly, there is a limit in precision in the manufacturing process of the conductive substrate on which the conductive fine pattern is formed, which is the key to selective removal after the deposition of the conductive material.

따라서, 전도성 물질의 증착 후 선택적 제거가 용이한 새로운 전도성 미세 패턴이 형성된 전도성 기판의 제조 방법이 요구되고 있다.
Accordingly, there is a need for a method of manufacturing a conductive substrate on which a new conductive fine pattern is formed, which can be selectively removed after deposition of a conductive material.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 박막층의 선택적 제거가 매우 우수한, 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법을 제공하고자 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a transparent substrate including a metal thin wire, which is excellent in selective removal of a metal thin film layer.

본 발명은 투명 기재 상에 요철 패턴을 형성하는 단계; 상기 요철 패턴이 형성된 투명 기재 상에 금속 박막층을 형성하는 단계; 상기 금속 박막층에 크랙을 형성하는 단계; 및 상기 요철 패턴의 철부에 존재하는 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 포함하는 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법을 제공한다.
The present invention provides a method for manufacturing a transparent substrate, comprising: forming a concavo-convex pattern on a transparent substrate; Forming a metal thin film layer on the transparent substrate on which the concavo-convex pattern is formed; Forming a crack in the metal thin film layer; And physically removing the metal thin film layer present on the convex portion of the concavo-convex pattern. The present invention also provides a method of manufacturing a transparent substrate comprising the metal thin wire.

이때, 상기 크랙을 형성하는 단계는 레이저 스캔으로 금속 박막층에 열충격 효과를 주어 크랙을 유도하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 레이저 스캔으로 상기 금속 박막층에 열충격 효과를 주어 요부에 존재하는 금속 박막층과 철부에 존재하는 금속 박막층의 연결부에 크랙을 유도하는 것일 수 있다.
At this time, the step of forming the crack may be to induce a crack by imparting a thermal shock effect to the metal thin film layer by laser scanning. More specifically, a thermal shock may be applied to the metal thin film layer by laser scanning to induce a crack in a connection portion between the metal thin film layer existing in the concave portion and the metal thin film layer existing in the convex portion.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는 금속롤을 이용하여 강한 압력으로 금속 박막층에 충격을 주어 크랙을 유도하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 금속롤을 이용하여 강한 압력으로 상기 금속 박막층에 충격을 주어 요부에 존재하는 금속 박막층과 철부에 존재하는 금속 박막층의 연결부에 크랙을 유도하는 것일 수 있다.
Alternatively, the step of forming the crack may be to impinge the metal thin film layer with a strong pressure using a metal roll to induce a crack. More specifically, a metal roll may be used to impact the metal thin film layer with strong pressure to induce a crack in the metal thin film layer existing in the concave portion and the metal thin film layer existing in the convex portion.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는 비평탄 표면을 가지는 광학 필름을 이용한 표면 마찰로 금속 박막층에 충격을 주어 크랙을 유도하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 비평탄 표면을 가지는 광학 필름에 의한 금속 박막층의 표면 마찰을 이용하여 상기 금속 박막층에 충격을 주어 요부에 존재하는 금속 박막층과 철부에 존재하는 금속 박막층의 연결부에 크랙을 유도하는 것일 수 있다.
Alternatively, the step of forming the crack may be to impact the metal thin film layer by surface friction using an optical film having an uneven surface to induce a crack. More specifically, a surface friction of a metal thin film layer by an optical film having an uneven surface may be used to impact the metal thin film layer to induce a crack in a connection portion between the metal thin film layer existing in the concave portion and the metal thin film layer existing in the convex portion have.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는 연마재를 이용하여 금속 박막층에 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 크랙을 유도하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 박막층에 연마재를 이용하여 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 요부에 존재하는 금속 박막층과 철부에 존재하는 금속 박막층의 연결부에 크랙을 유도하는 것일 수 있다.
Alternatively, the step of forming the crack may be to induce a crack by applying vibration to the friction surface in a state where pressure is applied to the metal thin layer by using an abrasive. More specifically, the metal thin film layer may be vibrated in parallel with the friction surface in a state where pressure is applied by using an abrasive material to induce a crack in the connection between the metal thin film layer existing in the concave portion and the metal thin film layer present in the convex portion.

한편, 본 발명의 상기 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은 연마재를 이용하여 금속 박막층에 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 크랙을 유발하면서 철부에 존재하는 금속 박막층을 물리적으로 제거하여, 상기 크랙을 형성하는 단계와 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 동시에 수행할 수도 있다.
Meanwhile, in the method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire of the present invention, a metal thin film layer existing in a convex portion is physically moved while causing a crack by applying vibration to the friction thin surface in a state where a pressure is applied to the metal thin film layer by using an abrasive The step of forming the crack and the step of physically removing the metal thin film layer may be performed at the same time.

한편, 상기 투명 기재는 유리 기판 또는 고분자 필름일 수 있으며, 이때, 상기 고분자 필름은, 투명하기만 하면 되고, 그 재질이 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌나프탈렌 필름, 폴리이미드 필름, 셀룰로오스 필름 등이 사용될 수 있다.
On the other hand, the transparent substrate may be a glass substrate or a polymer film, and the polymer film may be transparent only, and the material thereof is not particularly limited. For example, a polyethylene terephthalate film, a polycarbonate film, A polyethylene naphthalene film, a polyimide film, a cellulose film and the like can be used.

한편, 상기 요철 패턴의 요부는 최대 폭이 0.1㎛ 내지 5㎛ 이고, 최대 깊이가 최대 폭 대비 D/7 내지 5D 이고, 곡률반경이 0 내지 0.3H 이고, 벽면 경사각이 0 내지 15°이고, 형성 면적이 요철 패턴 전체 면적에 대하여 0.1% 내지 5% 인 것이 바람직하다.
On the other hand, the recessed portion of the concavo-convex pattern has a maximum width of 0.1 to 5 탆, a maximum depth of D / 7 to 5 D, a radius of curvature of 0 to 0.3 H, a wall surface inclination angle of 0 to 15, It is preferable that the area is 0.1% to 5% with respect to the total area of the concavo-convex pattern.

한편, 상기 투명 기재 상에 요철 패턴을 형성하는 단계는 투명 기재 상에 요철 패턴을 가지는 수지층을 형성하는 것일 수 있다.
On the other hand, the step of forming the concavo-convex pattern on the transparent substrate may be to form a resin layer having a concavo-convex pattern on the transparent substrate.

이때, 상기 수지층은 활성 에너지선 경화형 수지 또는 열 경화형 수지를 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들면, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에스테르아크릴레이트, 폴리다이메틸실록세인 등을 포함하는 것일 수 있다.
At this time, the resin layer may include an active energy ray-curable resin or a thermosetting resin, and may include, for example, urethane acrylate, epoxy acrylate, ester acrylate, polydimethylsiloxane and the like .

또한, 상기 수지층은 임프린팅법에 의해 형성되는 것일 수 있다.
In addition, the resin layer may be formed by imprinting.

한편, 상기 금속 박막층은 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 것일 수 있다.
The metal thin film layer may include copper, silver, gold, aluminum, nickel, brass, iron, chromium, platinum, molybdenum, or an alloy thereof.

또한, 상기 금속 박막층은 그 두께가 요부 최대 깊이 대비 1 내지 70% 정도, 바람직하게는 1 내지 50% 정도, 더 바람직하게는, 1 내지 20% 정도일 수 있다.
The thickness of the metal thin film layer may be about 1 to 70%, preferably about 1 to 50%, and more preferably about 1 to 20% of the maximum depth of the recess.

또한, 상기 금속 박막층의 수직 단면의 면적(S)은 바람직하게는 하기 식 (1)을 만족하는 것일 수 있다.In addition, the area S of the vertical cross section of the metal thin film layer may preferably satisfy the following formula (1).

식 (1): 0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)] Equation (1): 0.01H [D- 0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]

상기 식 (1)에서, H는 요부의 최대 깊이를 의미하고, D는 요부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 요부 벽면의 경사각을 의미한다.
In the above formula (1), H means the maximum depth of the recess, D means the maximum width of the recess, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the recess wall.

한편, 상기 금속 박막층을 형성하는 단계는 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 또는 습식 코팅법에 의해 수행되는 것일 수 있다.
Meanwhile, the step of forming the metal thin film layer may be performed by an electroless plating method, a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or a wet coating method.

한편, 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법, 디태칭(detaching)법 또는 그 조합 등으로 수행될 수 있다.
Meanwhile, the step of physically removing the metal thin film layer may be performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a detaching method, or a combination thereof.

본 발명의 투명 기판 제조 방법은 금속 박막층에 물리적으로 데미지를 주어 요부에 존재하는 금속 박막층과 철부에 존재하는 금속 박막층의 연결부에 크랙을 형성하는 공정을 포함하는바, 선폭이 매우 얇은 경우에도 금속 박막층의 선택적 제거가 용이하며, 따라서 매우 미세한 금속 세선을 갖는 투명 기판의 제조가 가능하다. 그 결과, 본 발명에 따라 제조된 투명 기판의 경우, 금속 세선의 반사에 따른 투명성 저하가 최소화되어 매우 우수한 투명성을 가지기 때문에 터치 패널이나 투명 OLED와 같은 디스플레이 분야에서 매우 유용하게 적용될 수 있다.
The method of manufacturing a transparent substrate according to the present invention includes a step of physically damaging the metal thin film layer to form a crack in a connection portion between the metal thin film layer existing in the concave portion and the metal thin film layer existing in the convex portion, And thus it is possible to manufacture a transparent substrate having a very fine metal thin line. As a result, the transparent substrate manufactured according to the present invention can be very usefully applied to a display field such as a touch panel or a transparent OLED because it has a very low transparency due to reflection of metal thin wires and has excellent transparency.

또한, 본 발명의 투명 기판 제조 방법은 공정이 단순하고, 생산 비용이 저렴할 뿐 아니라, 물리적 금속제거 방법을 이용하여 폐화학물질의 발생이 최소화되는 친환경적 특성을 지닌다.
In addition, the method for manufacturing a transparent substrate of the present invention is simple in process, low in production cost, and has environment-friendly characteristics in which generation of waste chemical is minimized by using a physical metal removing method.

도 1은 종래의 금속 세선을 포함하는 투명 기판 제조 방법의 구현예를 보여주는 도면이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 금속 세선을 포함하는 투명 기판 제조 방법의 다양한 구현예들을 보여주는 도면들이다.
도 6은 본 발명의 투명 기판의 요부 단면의 구성 요소 중 폭, 깊이, 및 벽면 경사각을 보여주기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 투명 기판의 요부 단면의 구성 요소 중 최상부 모서리의 곡률반경을 보여주기 위한 도면이다.
도 8은 본 발멸의 일 구현예에 따라 요철 패턴을 갖는 수지층 상에 금속 박막층이 형성된 것을 보여주는 광학 현미경 사진이다.
도 9는 본 발명의 일 구현예에 따라 요철 패턴을 갖는 수지층 상에 형성된 금속 박막층에 크랙을 유도하여 금속 박막층을 선택적으로 제거하는 것을 보여주는 광학 현미경 사진이다.FIG. 1 is a view showing an embodiment of a method of manufacturing a transparent substrate including a conventional metal thin wire.
FIGS. 2 to 5 are views showing various embodiments of a method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire according to the present invention.
6 is a view showing the width, depth, and wall surface inclination angle among the constituent elements of the recessed section of the transparent substrate of the present invention.
7 is a view showing the radius of curvature of the uppermost corner among the constituent elements of the recessed section of the transparent substrate of the present invention.
8 is an optical microscope photograph showing that a metal thin film layer is formed on a resin layer having a concavo-convex pattern according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an optical microscope photograph showing that a metal thin film layer is selectively removed by inducing a crack in a metal thin film layer formed on a resin layer having a concavo-convex pattern according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 하기 도면들은 본 발명을 보다 자세하게 설명하게 위한 것으로, 본 발명의 일 구현예들에 불과하며, 본 발명이 도면에 도시된 범위로 한정되는 것은 아니다. 한편, 도면에서 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 나타내며, 도면에 개시된 각 구성요소들은 발명의 원활한 이해를 위해 과장, 축소 또는 생략되어 표현될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. It is to be understood, however, that the following description is only illustrative of the present invention and is not intended to limit the scope of the present invention. In the drawings, the same reference numerals denote like elements, and the elements described in the drawings may be exaggerated, reduced, or omitted for a better understanding of the invention.

본 발명의 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은, 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 형성하는 단계, 상기 요철 패턴(21, 22)이 형성된 투명 기재 상에 금속 박막층(30)을 형성하는 단계, 상기 금속 박막층(30)에 크랙을 형성하는 단계, 및 상기 요철 패턴(21, 22)의 철부(22)에 존재하는 금속 박막층(32)을 물리적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다(도 2 내지 도 5 참조).
A method of manufacturing a transparent substrate including a metal thin wire according to the present invention includes the steps of forming concave-convex patterns (21, 22) on a transparent substrate (10) A step of forming a crack in the metal thin film layer 30 and a step of physically removing the metal thin film layer 32 existing in the convex portions 22 of the concave and convex patterns 21 and 22 (See Figs. 2 to 5).

먼저, 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 형성한다. 이때, 상기 투명 기재(20)는 유리 기판 또는 투명 고분자 필름일 수 있으며, 상기 고분자 필름은, 투명하기만 하면 되고, 그 재질이 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌나프탈렌 필름, 폴리이미드 필름, 셀룰로오스 필름 등이 사용될 수 있다.
First, concave-convex patterns 21 and 22 are formed on a transparent substrate 10. In this case, the transparent substrate 20 may be a glass substrate or a transparent polymer film. The polymer film is not particularly limited as long as it is transparent. For example, a polyethylene terephthalate film, a polycarbonate Film, a polyethylene naphthalene film, a polyimide film, a cellulose film and the like can be used.

또한, 상기 요철 패턴(21, 22)은 오목한 음각 형상의 패턴인 요부(21)와 볼록한 양각 형상의 패턴인 철부(22)를 가지는 것을 의미하며, 이때, 상기 요부(21)의 단면 형상은 그 형태에 제한을 두지 않으나, 요부의 최상면의 너비가 요부 최하면의 너비보다 같거나 큰 것이 바람직하다.
The concavo-convex patterns 21 and 22 have concave and convex portions 21 and convex portions 22 and convex portions 22 and convex portions 21 and 22, respectively. It is preferable that the width of the uppermost surface of the recess is equal to or greater than the width of the recessed bottom, although the shape is not limited.

한편, 상기 요부(21)는 최대 폭(D)이 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도, 바람직하게는 0.3 내지 2㎛ 정도일 수 있다. 폭이 0.1㎛ 미만인 경우 금속선이 형성된 이후 충분히 낮은 저항값을 얻기가 어렵고, 선폭이 5㎛ 초과인 경우 금속 반사에 의한 시인효과로 인해 모바일 기기에 적용하기 어렵다. 이때, 상기 요부의 최대 폭(D)은 도 6의 (a) 내지 (b)에 도시되어 있는 바와 같이, 요부에 있어서 가장 넓은 너비를 의미한다.
The concave portion 21 may have a maximum width D of about 0.1 탆 to about 5 탆, preferably about 0.3 to 2 탆. When the width is less than 0.1 mu m, it is difficult to obtain a sufficiently low resistance value after the metal wire is formed, and when the line width is more than 5 mu m, it is difficult to apply to a mobile device due to a visual effect due to metal reflection. At this time, the maximum width D of the concave portion means the widest width in the concave portion as shown in (a) to (b) of FIG.

또한, 상기 요부(21)는 최대 깊이(H)가 최대 폭(D) 대비 D/7 내지 5D 정도, 바람직하게는 D/7 내지 2D, 더 바람직하게는 D/2 내지 1.5D 정도 일 수 있다. 최대 깊이가 D/7 이하인 경우, 물리적 제거 수단에 의해 요부 내부의 금속막 또한 제거가 될 가능성이 높으며, 5D 이상인 경우 최대 폭 대비 최대 깊이의 값이 커 임프린트에 의한 요부 형성이 어렵다. 이때, 상기 요부의 최대 깊이(H)는 도 6의 (a) 내지 (b)에 도시되어 있는 바와 같이, 요부의 최저점에서 수지층 표면까지의 높이를 의미한다.
The concave portion 21 may have a maximum depth H of about D / 7 to 5D, preferably D / 7 to 2D, and more preferably D / 2 to 1.5D with respect to the maximum width D . When the maximum depth is less than D / 7, there is a high possibility that the metal film inside the recess is also removed by the physical removal means. In the case of 5D or more, the maximum depth is larger than the maximum width. At this time, the maximum depth H of the concave portion means the height from the lowest point of the concave portion to the surface of the resin layer as shown in Figs. 6 (a) to 6 (b).

또한, 상기 요부 벽면의 경사각(θ1, θ2)은 0° 내지 15° 범위 내에 존재하며, 바람직하게는 0° 내지 10°, 더 바람직하게는 1° 내지 5° 범위 내에 존재할 수 있다. 경사도가 0°에 가까울 경우, 형상의 왜곡 및 공정 속도 저하의 우려가 있고, 경사도가 클 경우 벽면에 형성되는 금속막의 두께가 두꺼워 짐으로 인해 금속막의 물리적 제거 시 요부에 형성된 금속막 또한 영향을 받게 된다. 도 6에는 요부 벽면의 경사각(θ1, θ2)에 대한 정의가 예시적으로 도시되어 있다.
The inclination angles? 1 and? 2 of the concave wall surface are in the range of 0 to 15 degrees, preferably 0 to 10 degrees, more preferably 1 to 5 degrees. When the inclination is close to 0 deg, there is a possibility of distortion of the shape and lowering of the process speed. When the inclination is large, the thickness of the metal film formed on the wall surface becomes thick, do. In Fig. 6, definitions of the inclination angles ([theta] 1 , [theta] 2 ) of the concave wall surface are exemplarily shown.

한편, 상기 요부(21) 최상부 모서리의 곡률반경(r)은 0 내지 0.3H 범위내에 존재하며, 바람직하게는 0.01H 내지 0.15H 범위내에 존재 할 수 있다. 곡률반경(r)이 큰 경우 금속막의 물리적 제거시 모서리 부분에서의 금속막 깨짐 현상이 줄어들어 제거 속도 및 균일도가 떨어지게 된다. 도 7에는 모서리의 곡률반경(r)에 대한 정의가 예시적으로 도시되어 있다.
On the other hand, the curvature radius r of the uppermost corner of the concave portion 21 is in the range of 0 to 0.3H, preferably 0.01H to 0.15H. When the radius of curvature (r) is large, the removal of the metal film at the corners of the physical removal of the metal film is reduced and the removal speed and uniformity are lowered. In Fig. 7, the definition of the radius of curvature r of an edge is illustrated by way of example.

한편, 상기 요부(21)의 형성 면적은 요철 패턴 전체 면적에 대하여 0.1% 내지 5% 이하가 되도록 형성되는 것이 바람직하다. 요부 형성 면적이 5%를 초과할 경우, 금속 세선에 의해 기판의 투명성이 저해될 수 있고, 요부 형성 면적이 0.1% 미만일 경우에는 충분한 도전성을 확보하지 못하는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
On the other hand, it is preferable that the formation area of the concave portion 21 is formed to be 0.1% to 5% or less with respect to the total area of the concavo-convex pattern. If the lumber-forming area exceeds 5%, the transparency of the substrate may be impaired by the metal thin wire, and if the area of the lumber-forming area is less than 0.1%, sufficient conductivity may not be ensured.

한편, 상기 요철 패턴(21, 22)은 상기 투명 기재(10) 상에 직접 형성 되어도 좋고, 또는 생산수율 및 안정성을 향상시키기 위하여, 상기 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 가지는 수지층(20)을 형성하는 것이어도 좋다. 이때, 상기 수지층(20)은 활성 에너지선 경화형 수지 또는 열 경화형 수지를 포함할 수 있으며, 예를 들면, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에스테르아크릴레이트, 폴리다이메틸실록세인 등을 포함할 수 있다.
The concavo-convex patterns 21 and 22 may be formed directly on the transparent substrate 10 or may be formed on the transparent substrate 10 to improve the yield and stability of production. The resin layer 20 may be formed. At this time, the resin layer 20 may include an active energy ray-curable resin or a thermosetting resin, and may include, for example, urethane acrylate, epoxy acrylate, ester acrylate, polydimethylsiloxane, have.

투명 기재(10)상에 직접 요철 패턴(21, 22)을 형성하는 방법으로는 당해 기술 분야에 잘 알려진 패턴 형성 방법, 예를 들면, 프린트 방식, 오프셋(off-set) 방식 등을 이용할 수 있으며, 상기 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 가지는 수지층(20)을 형성하는 방법으로는, 당해 기술 분야에 잘 알려진 패턴 형성 방법, 예를 들면, 임프린팅법을 이용할 수 있다.
As a method of directly forming the concave-convex patterns 21 and 22 on the transparent substrate 10, a pattern forming method well-known in the art, for example, a printing method, an off-set method, As a method of forming the resin layer 20 having the concave and convex patterns 21 and 22 on the transparent substrate 10, a pattern forming method well-known in the art, for example, an imprinting method, have.

다음으로, 상기 요철 패턴(21, 22)이 형성된 투명 기재(10) 상에 금속 박막층(30)을 형성한다. 이때, 상기 금속 박막층(30)은 예를 들면, 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 것일 수 있으며, 경제성 및 전도성을 고려할 때, 이 중에서도 구리, 알루미늄 등이 특히 바람직하다.
Next, the metal thin film layer 30 is formed on the transparent substrate 10 on which the concave-convex patterns 21 and 22 are formed. The metal thin film layer 30 may be made of copper, silver, gold, aluminum, nickel, brass, iron, chromium, platinum, molybdenum or an alloy thereof. In consideration of economy and conductivity, Of these, copper, aluminum and the like are particularly preferable.

이때, 상기 금속 박막층(30)의 두께는 요부 최대 깊이 대비 1 내지 70% 정도, 바람직하게는 1 내지 50% 정도, 더 바람직하게는, 1 내지 20% 정도이다. 금속 박막층의 두께가 너무 얇을 경우 충분히 낮은 수준의 저항값을 얻기가 어렵고, 두께가 너무 두꺼운 경우에는 물리적 제거 방법에 의해 요부의 금속 또한 영향을 받아 일부 혹은 전체가 제거될 수 있다.
At this time, the thickness of the metal thin film layer 30 is about 1 to 70%, preferably about 1 to 50%, more preferably about 1 to 20% of the maximum depth of the recess. If the thickness of the metal thin film layer is too thin, it is difficult to obtain a sufficiently low resistance value. If the thickness of the metal thin film layer is too thick, the metal of the recess portion may be affected by the physical removal method and some or all of the metal thin film layer may be removed.

또한, 상기 금속 박막층의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 (1)을 만족하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 금속 박막층의 수직 단면적이 작을 경우에는, 충분히 낮은 수준의 저항값을 얻기가 어렵고, 수직 단면적이 너무 큰 경우에는, 물리적 제거 방법에 의해 홈부의 금속 또한 영향을 받아 일부 혹은 전체가 제거될 수 있다.It is preferable that the area S of the vertical cross section of the metal thin film layer satisfies the following formula (1). Similarly, when the vertical cross-sectional area of the metal thin film layer is small, it is difficult to obtain a sufficiently low resistance value. When the vertical cross-sectional area is too large, the metal of the groove is also affected by the physical removal method, have.

식 (1): 0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)] Equation (1): 0.01H [D- 0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]

상기 식 (1)에서, H는 요부의 최대 깊이를 의미하고, D는 요부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 요부 벽면의 경사각을 의미한다.
In the above formula (1), H means the maximum depth of the recess, D means the maximum width of the recess, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the recess wall.

한편, 상기 금속 박막층(30)은 원료 물질을 고려하여, 적절한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 상기 금속 박막층(30)은 요철 패턴(21, 22)이 형성된 투명 기재(10) 상에 상기 금속 물질을 도금하거나, 증착하거나 또는 습식 코팅함으로써 형성될 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 금속 박막층(30)은 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 등을 이용하여 형성될 수 있다.
On the other hand, the metal thin film layer 30 can be formed in an appropriate manner in consideration of a raw material. For example, the metal thin film layer 30 of the present invention can be formed by plating, vapor depositing or wet coating the metal material on the transparent substrate 10 on which the concave-convex patterns 21 and 22 are formed. More specifically, the metal thin film layer 30 may be formed using an electroless plating method, a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or the like.

상기와 같은 방법을 통해 금속 박막층(30)을 형성한 다음, 상기 금속 박막층(30)에 크랙을 형성시킨다. 보다 구체적으로, 상기 금속 박막층(30)에 열충격, 압력, 마찰, 진동 등의 물리적인 힘을 통해 요부에 존재하는 금속 박막층(31)과 철부에 존재하는 금속 박막층(32)의 연결부(33)에 크랙을 형성시킨다.
The metal thin film layer 30 is formed through the above-described method, and then the metal thin film layer 30 is cracked. More specifically, the metal thin film layer 31 existing in the concave portion and the connecting portion 33 of the metal thin film layer 32 existing in the convex portion are exposed to the metal thin film layer 30 through physical force such as thermal shock, pressure, friction, Thereby forming a crack.

예를 들면, 상기 크랙을 형성하는 단계는, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 레이저 스캔(40)으로 금속 박막층(30)에 열충격 효과를 주어 연결부(33)의 크랙을 유도하는 방법일 수 있다. 예를 들면, 당해 기술분야에서 일반적으로 사용되는 레이저 스캔 장비, 예컨대, 전체 출력 10W의 Coherent社의 레이저 스캔 장비 등을 이용하여 그린 레이저(green laser) 연속 파장(continuous wave) 등을 금속 박막층의 연결부(33)에까지 조사하여 연결부(33)에 크랙을 유도할 수 있다. 스캔 시간은 수초 내지 수분 정도로 특별히 한정되지 않는다.
For example, the step of forming the crack may be a method of applying a thermal shock to the metal thin film layer 30 by a laser scan 40 to induce a crack in the connecting portion 33, as shown in FIG. For example, a green laser continuous wave or the like is irradiated to a connection portion of a metal thin film layer using a laser scanning equipment commonly used in the related art, for example, a laser scanning equipment of Coherent, (33) so as to induce a crack in the connecting portion (33). The scanning time is not particularly limited to several seconds to several minutes.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 금속롤(50)을 이용하여 강한 압력으로 금속 박막층(30)에 충격을 주어 연결부(33)의 크랙을 유도하는 방법일 수 있다. 예를 들면, 당해 기술분야에서 일반적으로 사용되는 구리, 크롬 등으로 이루어진 금속롤을 이용하여, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 금속 박막층(30)에 압력을 주어 금속 박막층(30)의 연결부(33)에 크랙을 유도할 수 있다.
Alternatively, the step of forming the crack may be a method of inducing a crack in the connection portion 33 by applying an impact to the metal thin film layer 30 with a strong pressure using the metal roll 50 as shown in FIG. 3 have. For example, a metal roll made of copper, chromium or the like generally used in the related art can be used to apply pressure to the metal thin film layer 30 as shown in Fig. 3, ) Can be induced.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는, 도 4에 도시되어 있는 바와 같이 비평탄 표면을 가지는 광학 필름(60)을 이용한 표면 마찰로 금속 박막층(30)에 충격을 주어 연결부(33)의 크랙을 유도하는 방법일 수 있다. 예를 들면, 자외선 경화 수지로 이루어진 프리즘 렌즈 필름을 금속롤에 감아서 롤투롤 회전시켜 금속 박막층(30)을 문질러 표면 마찰을 일으켜 금속 박막층의 연결부(33)에 미세 크랙을 형성시킬 수 있다. 이때, 비평탄 표면의 형태는 특별히 한정되지 않으며, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 금속 박막층(30)과 접촉하여 마찰을 발생시키는 부분이 평탄하지만 않으면 된다. 또한, 이러한 비평탄 표면을 가지는 광학 필름(60)이 너무 단단하면 요부에 존재하는 금속 박막층(31)까지 크랙이 발생할 수 있는바, 자외선 경화형 수지로 형성된 광학 필름인 것이 바람직하다. 이러한 비평탄 표면을 가지는 자외선 형화형 수지로 형성된 광학 필름(60)의 구체적인 예로는, 이에 한정되는 것은 아니나, 프리즘 렌즈 필름, 마이크로 어레이 렌즈 필름, 렌티큘러 렌즈 필름 등을 들 수 있다.
Alternatively, the step of forming the crack may be performed by applying a shock to the metal foil layer 30 by surface friction using the optical film 60 having an uneven surface as shown in Fig. 4 to induce a crack in the connecting portion 33 Lt; / RTI > For example, a prism lens film made of an ultraviolet ray hardening resin may be wound around a metal roll and rotated in a roll-to-roll direction to rub the metal thin film layer 30 to cause surface friction, thereby forming microcracks in the connection portion 33 of the metal thin film layer. At this time, the shape of the non-planar surface is not particularly limited, and as shown in FIG. 5, the portion which is in contact with the metal thin film layer 30 and generates friction should not be flat. In addition, if the optical film 60 having such an unbalanced surface is too hard, a crack may be generated up to the metal thin film layer 31 existing in the concave portion, and it is preferably an optical film formed of an ultraviolet curing type resin. Specific examples of the optical film 60 formed of an ultraviolet ray-type resin having such an unflattened surface include, but are not limited to, a prism lens film, a microarray lens film, and a lenticular lens film.

또는, 상기 크랙을 형성하는 단계는, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 연마재를 이용하여 상기 금속 박막층(30)에 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 연결부(33)에 크랙을 유도하는 방법일 수 있다. 예를 들면, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 당해 기술분야에서 일반적으로 사용되는 연마재, 예를 들면 연마용 스폰지 필름(abrasive sponge film) 등을 이용하여 금속 박막층(30)에 압력을 가한 상태에서, 진동롤 등을 이용하여 연결부(30)에 크랙을 유도할 수 있다.
Alternatively, in the step of forming the crack, as shown in FIG. 5, a vibration is applied in parallel with the friction surface in a state where pressure is applied to the metal thin film layer 30 by using an abrasive material, Lt; / RTI > For example, as shown in FIG. 5, in a state where pressure is applied to the metal thin film layer 30 by using an abrasive material commonly used in the related art, for example, an abrasive sponge film or the like , A vibration roll, or the like can be used to induce a crack in the connection portion (30).

이와 같이, 상기 금속 박막층(30)에 물리적으로 데미지를 주어 크랙을 형성하는 단계를 거치는 경우에는, 이러한 단계를 거치지 않는 경우에 비하여, 용이하게 철부에 존재하는 금속 박막층(32)만을 선택적으로 제거할 수 있다는 장점이 있다.
In the case where the metal foil layer 30 is physically damaged to form cracks, only the metal foil layer 32 existing in the convex portions can be selectively removed There is an advantage that it can be.

상기와 같은 방법을 통해 상기 연결부(33)에 크랙을 형성한 다음, 상기 요철 패턴(21, 22)의 철부(22)에 존재하는 금속 박막층(32)을 선택적으로 제거한다. 이때, 상기 금속 박막층(32)의 제거는 물리적인 방법으로 수행되는 것이 바람직하다. 여기서 물리적인 방법이란, 물리적인 힘을 통해 금속 박막층을 제거하는 것을 의미하는 것으로, 에칭과 같이 화학적 반응을 통해 금속 박막층을 제거하는 방법과 구별되는 방법을 의미한다. 보다 구체적으로는, 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법 또는 디태칭(detaching)법 또는 그 조합 등으로 수행될 수 있다.
A crack is formed in the connecting portion 33 through the method described above and then the metal thin film layer 32 existing in the convex portions 22 of the concave and convex patterns 21 and 22 is selectively removed. At this time, the removal of the metal thin film layer 32 is preferably performed by a physical method. Here, the physical method means removing the metal thin film layer through physical force, and means a method different from a method of removing the metal thin film layer through a chemical reaction such as etching. More specifically, the step of physically removing the metal thin film layer may be performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a detaching method, or a combination thereof.

이때, 상기 폴리싱법은 나노 입자 또는 마이크로 입자를 이용하여 금속 박막층을 연마함으로써, 금속 박막층을 수지층으로부터 이탈시키는 방법을 의미하고, 상기 스크래칭법은 멜라민폼 또는 조면을 갖는 직물을 이용하여 금속 박막층을 문질러 제거하는 방법을 의미하며, 상기 샌드 블래스팅법은 마이크로 입자를 금속 박막층의 표면에 투사하여 금속 박막층을 수지층으로부터 이탈시키는 방법을 의미한다. 또한, 상기 디태칭(detaching)법은 금속 박막층의 일단에서부터 장력을 가하여 금속 박막층을 수지층으로부터 이탈시키는 방법을 말한다.
In this case, the polishing method refers to a method of separating the metal thin film layer from the resin layer by polishing the metal thin film layer by using nanoparticles or microparticles. In the scratching method, a metal thin film layer is formed by using a fabric having a melamine foam or roughened surface And the sandblasting method refers to a method in which the metal thin film layer is separated from the resin layer by projecting the microparticles on the surface of the metal thin film layer. The detaching method refers to a method in which the metal thin film layer is separated from the resin layer by applying tension from one end of the metal thin film layer.

한편, 상기 폴리싱법이나 샌드 블래스팅법에 사용되는 나노입자 또는 마이크로 입자로는, 이산화티탄, 알루미나 등과 같은 금속 산화물 입자, 실리콘카바이드 입자, 실리콘 옥사이드 입자, 다이아몬드 입자, 탄소 입자 등이 사용될 수 있다. 이 중, 나노 입자 또는 마이크로 입자를 이용하여 폴리싱법에 의해 수지층 표면의 금속 박막층을 제거할 경우, 상기 미세 입자들이 요부에 잔류될 수 있다. 이때, 상기 미세입자들은 폴리싱이나 샌드 블래스팅에 사용되는 입자, 금속 박막층이 연마 또는 이탈되면서 발생하는 미세 금속 입자 또는 이들의 조합일 수 있다. 이와 같이 미세 입자들이 요부 내부에 잔류할 경우, 미세 입자에 의해 광 산란이나 흡수가 발생하여, 금속 박막층에 의해 반사도가 저하되어 투명성이 향상되는 추가적인 효과를 얻을 수 있다. 한편, 스크래칭법 및/또는 디태칭법에 의해 금속 박막층을 제거할 경우에도, 금속 박막층 제거 시에 발생하는 미세 금속 입자가 요부에 포함될 수 있으며, 나아가 상기와 같은 효과를 얻기 위해 별도의 미세 입자를 요부에 포함시킬 수도 있다. 이와 같이, 미세 입자가 요부에 포함될 경우, 미세 입자가 포함되지 않는 경우에 비해 90% 이하의 반사도를 갖는 것이 바람직하다.
On the other hand, as the nanoparticles or microparticles used in the polishing method or the sandblasting method, metal oxide particles such as titanium dioxide and alumina, silicon carbide particles, silicon oxide particles, diamond particles, carbon particles and the like can be used. Among them, when the metal thin film layer on the surface of the resin layer is removed by the polishing method using nanoparticles or microparticles, the fine particles may remain in the recesses. At this time, the fine particles may be particles used for polishing or sandblasting, fine metal particles generated when the metal thin film layer is polished or separated, or a combination thereof. When the fine particles remain in the interior of the concave portion as described above, light scattering or absorption occurs due to the fine particles, so that the reflectivity is lowered by the metal thin film layer, and the transparency is further improved. On the other hand, when the metal thin film layer is removed by the scratching method and / or the dequantizing method, the fine metal particles generated at the time of removing the metal thin film layer may be contained in the recessed portion. Further, . As described above, when the fine particles are included in the recessed portion, it is preferable that the reflectance is 90% or less as compared with the case where the fine particles are not included.

한편, 상기와 같이 물리적 방법을 이용하여 금속 박막층을 제거할 경우, 종래에 사용되던 화학적 방법을 이용한 금속 박막층 제거 방법에 비해 공정이 단순할 뿐만 아니라, 친환경적이라는 장점이 있다. 화학적 방법을 이용해 금속 박막층을 제거할 경우에는 철부(22)에 존재하는 금속 박막층(32)을 선택적으로 제거하기 위해서 요부(21)에 형성된 금속 박막층(31) 상부에 별도의 내에칭성 물질을 삽입하는 등의 방법을 통해, 요부의 금속 박막층(31)을 보호할 필요가 있다. 이 경우 내에칭성 물질 삽입 공정이 추가되어 공정비용 및 제품의 수율에 영향을 줄 수 있다. 이에 비해 물리적 방법을 이용하여 금속 박막층을 제거하는 본 발명의 경우, 추가 공정이 필요없으며, 에칭액 및 내에칭성 물질과 같은 유독성 화학물질을 사용하지 않으므로 친환경적이다.
On the other hand, when the metal thin film layer is removed using the physical method as described above, the process is simpler and more environmentally friendly than the metal thin film layer removing method using the conventional chemical method. In order to selectively remove the metal thin film layer 32 existing in the convex portion 22, a separate etching resistant material is inserted into the metal thin film layer 31 formed on the concave portion 21 when the metal thin film layer is removed by a chemical method It is necessary to protect the metal thin film layer 31 of the concave portion. In this case, an etch resistant material inserting process may be added to affect the process cost and the yield of the product. In contrast, in the case of the present invention in which the metal thin film layer is removed by using a physical method, no additional process is required, and no toxic chemicals such as an etchant and an etch-resistant material are used.

한편, 본 발명의 상기 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은 상기 크랙을 형성하는 단계와 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 동시에 수행할 수도 있다. 보다 구체적으로, 당해 기술분야에서 일반적으로 사용되는 연마재, 예를 들면 연마용 스폰지 필름(abrasive sponge film) 등을 이용하여 금속 박막층(30)에 압력을 가한 상태에서, 마찰면과 평행하게 진동롤 등을 이용하여 진동하여 크랙을 유발하면서, 철부(22)에 존재하는 금속 박막층(32)을 물리적으로 제거하여, 상기 크랙을 형성하는 단계와 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 동시에 수행할 수 있다.
Meanwhile, the method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire of the present invention may simultaneously perform the step of forming the crack and the step of physically removing the metal thin film layer. More specifically, in the state where pressure is applied to the metal thin film layer 30 by using an abrasive material commonly used in the related art, for example, an abrasive sponge film or the like, The metal thin film layer 32 existing in the convex portion 22 may be physically removed while vibrating to generate a crack to physically remove the crack and the metal thin film layer .

한편, 필수적인 것은 아니나, 본 발명의 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은, 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 가지는 수지층(20)을 형성하는 경우, 필요에 따라, 상기 금속 박막층(20)을 형성하는 단계 이전에 상기 수지층(20) 상에 접착력 조절층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
On the other hand, although not essential, the method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire of the present invention is characterized in that when the resin layer 20 having the concave and convex patterns 21 and 22 is formed on the transparent substrate 10, , And forming an adhesion control layer on the resin layer (20) before forming the metal thin film layer (20).

상기 접착력 조절층은 수지층(20)과 금속 박막층(20)을 분리시켜 수지에 의한 금속 박막층(30)의 산화를 방지하고 수지층(20)과 금속 박막층(30)간의 접착력을 조절하여 제거가 용이하게 하기 위한 것으로, 예를 들면, 실리콘 옥사이드, 금속 산화물, 몰리브덴, 크롬, 니켈 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다.The adhesive force adjusting layer separates the resin layer 20 and the metal thin film layer 20 to prevent oxidation of the metal thin film layer 30 by the resin and adjusts the adhesive force between the resin layer 20 and the metal thin film layer 30, For example, one or more selected from the group consisting of silicon oxide, metal oxide, molybdenum, chromium, nickel and cobalt.

상기 접착력 조절층의 두께는 0.001 내지 0.5㎛ 정도, 바람직하게는 0.005내지 0.1㎛정도, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.05㎛ 정도일 수 있다. 두께가 0.001㎛ 이하인 경우 박막형성이 제대로 되지 않을 수 있으며, 0.5㎛ 이하에서 충분한 박막특성을 얻을 수 있으므로 그 이상인 경우 공정비용 증가만 초래할 뿐 불필요하다.
The thickness of the adhesion-controlling layer may be about 0.001 to 0.5 mu m, preferably about 0.005 to 0.1 mu m, more preferably about 0.01 to 0.05 mu m. When the thickness is 0.001 탆 or less, the thin film may not be formed properly, and when the thickness is 0.5 탆 or less, sufficient thin film characteristics can be obtained.

한편, 상기 접착력 조절층 형성 방법은, 접착력 조절층을 형성하는 물질에 따라 적절하게 선택될 수 있으며, 예를 들면, 화학기상증착법 또는 물리기상증착법에 의해 수행될 수 있다.
Meanwhile, the method of forming the adhesion-controlling layer may be appropriately selected depending on the material forming the adhesion-controlling layer, and may be performed, for example, by a chemical vapor deposition method or a physical vapor deposition method.

또한, 본 발명의 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은, 필요에 따라, 요부에 형성된 금속 박막층의 상부 및/또는 하부를 흑화처리하는 단계를 추가로 실시할 수 있다. 상기 흑화처리 단계는 금속 박막층의 반사도를 저하시켜 투명기판의 투명성을 향상시키기 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려진 금속층의 흑화처리 방법이 제한없이 사용될 수 있다.
Further, in the method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire of the present invention, if necessary, a step of blackening the upper and / or lower portions of the metal thin film layer formed on the recess can be additionally performed. The blackening treatment step is for improving the transparency of the transparent substrate by lowering the reflectivity of the metal thin film layer, and the method of blackening the metal layer well known in the art can be used without limitation.

또한, 본 발명의 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법은, 투명 기재(10) 상에 요철 패턴(21, 22)을 가지는 수지층(20)을 형성하는 경우, 필요에 따라, 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계 이후에 수지층(20)을 평탄화하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 평탄화 단계를 수행할 경우, 평탄화층에 의해 금속 세선이 산화되는 것을 방지하고, 스크래치 저항성이 향상되며 수지 형상에 의한 광산란이 줄어드는 효과가 있다.
The method of manufacturing a transparent substrate including the metal thin wire of the present invention is characterized in that when the resin layer 20 having the concave and convex patterns 21 and 22 is formed on the transparent substrate 10, The step of planarizing the resin layer 20 after the step of physically removing the resin layer 20 may be further included. When the planarization step is performed, the metal thin line is prevented from being oxidized by the planarization layer, scratch resistance is improved, and light scattering due to the resin shape is reduced.

한편, 상기 평탄화 단계는 수지층(20)의 요부(21)에 투명한 재질의 수지 조성물을 충진하는 방식으로 수행될 수 있으며, 이때, 평탄화층 형성 물질은 수지층(20) 형성 물질과 동일하거나, 상이할 수 있다. 바람직하게는 상기 평탄화층은 수지층(20) 형성 물질과의 굴절율 차가 0.3 이하인 물질로 형성되는 것이 좋다. 평탄화층과 수지층(20)의 굴절율 차가 커지면, 빛이 통과되면서 굴절, 반사 또는 산란되어 헤이즈가 발생하고, 그 결과 투명성이 저하될 수 있기 때문이다.
The planarization layer forming material may be the same as or different from the material forming the resin layer 20, and the planarization layer forming material may be the same as or different from the material forming the resin layer 20. Alternatively, the planarization layer forming step may be performed by filling a recessed portion 21 of the resin layer 20 with a transparent resin composition. Can be different. Preferably, the planarization layer is formed of a material having a refractive index difference of 0.3 or less with respect to the material forming the resin layer 20. When the difference in refractive index between the planarization layer and the resin layer 20 is increased, the light is refracted, reflected or scattered while passing through the lens, and haze is generated. As a result, transparency may decrease.

상기와 같은 방법에 의해 제조된 금속 세선을 포함하는 투명 기판은, 터치 패널, 유기태양전지용 전극, 투명 OLED, 전자파 차폐 필름, 발열 유리 등에 유용하게 적용될 수 있다.
The transparent substrate including the metal thin wires manufactured by the above method can be applied to touch panels, electrodes for organic solar cells, transparent OLEDs, electromagnetic wave shielding films, and heat-generating glasses.

도 8에는 본 발명의 일 구현예에 따라 요철 패턴을 갖는 수지층 상에 구리층이 형성된 것을 보여주는 광학 현미경 사진이 도시되어 있으며, 도 9에는 자외선 경화 수지로 이루어진 프리즘 렌즈 필름 이용하여 연결부에 크랙을 형성하여 철부에 형성된 금속 박막층을 제거한 것을 보여주는 광학 현미경 사진이 도시되어 있다. 하기 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 방법에 따르면, 요부를 제외한 영역에서만 금속 박막층이 용이하게 제거할 수 있으며, 따라서 미세한 금속 세선을 갖는 투명 기판의 제조가 가능하다.
FIG. 8 is an optical microscope photograph showing that a copper layer is formed on a resin layer having a concavo-convex pattern according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 shows a case where a prism lens film made of an ultraviolet- And a metal thin film layer formed on the convex portion is removed. As shown in FIGS. 8 and 9, according to the method of the present invention, the metal thin film layer can be easily removed only in the region excluding the recessed portion, and thus it is possible to manufacture a transparent substrate having fine metal thin wires.

10: 투명 기재
20: 수지층
21: 요부
22: 철부
30: 금속 박막층
31: 요부에 형성된 금속 박막층
32: 철부에 형성된 금속 박막층
33: 요부 및 철부 금속 박막층의 연결부, 크랙 발생 부위
40: 레이저 스캔
50: 금속롤
60: 비평탄 표면을 가지는 광학 필름
70: 연마재
D: 요부의 최대 폭
H: 요부의 최대 깊이
θ1, θ2: 요부 벽면의 경사각
r: 곡률반경10: transparent substrate
20: Resin layer
21: lumbar
22: convection
30: metal thin film layer
31: metal thin film layer formed on the concave portion
32: metal thin film layer formed on the convex portion
33: Connections and cracks in the concave and convex metal thin film layers
40: laser scan
50: metal roll
60: Optical film having non-planar surface
70: abrasive
D: Maximum width of the lumbar region
H: maximum depth of lumbar
θ 1 , θ 2 : inclination angle of the recessed wall surface
r: Curvature radius

Claims (16)

투명 기재 상에 요철 패턴을 형성하는 단계;
상기 요철 패턴이 형성된 투명 기재 상에 금속 박막층을 형성하는 단계;
상기 금속 박막층에 크랙을 형성하는 단계; 및
상기 요철 패턴의 철부에 존재하는 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 포함하고,
상기 요철 패턴의 요부는 최대 폭이 0.1㎛ 내지 5㎛이고, 최대 깊이가 최대 폭 대비 D/7 내지 5D이고, 곡률반경이 0 내지 0.3H이고, 벽면 경사각이 0 내지 15°이고, 형성 면적이 요철 패턴 전체 면적에 대하여 0.1% 내지 5%인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
Forming an uneven pattern on the transparent substrate;
Forming a metal thin film layer on the transparent substrate on which the concavo-convex pattern is formed;
Forming a crack in the metal thin film layer; And
And physically removing the metal thin film layer existing in the convex portion of the concavo-convex pattern,
The recessed portion of the concavo-convex pattern has a maximum width of 0.1 to 5 占 퐉, a maximum depth of D / 7 to 5D relative to the maximum width, a radius of curvature of 0 to 0.3H, a wall surface inclination angle of 0 to 15 占, Wherein the metal thin wire is 0.1% to 5% of the total area of the concavo-convex pattern.
제 1 항에 있어서,
상기 크랙을 형성하는 단계는 레이저 스캔으로 금속 박막층에 열충격 효과를 주어 크랙을 유도하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the forming of the crack comprises applying a thermal shock to the metal thin film layer by laser scanning to induce cracks.
제 1 항에 있어서,
상기 크랙을 형성하는 단계는 금속롤을 이용하여 강한 압력으로 금속 박막층에 충격을 주어 크랙을 유도하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the crack includes the step of applying a shock to the metal thin film layer with a strong pressure using a metal roll to induce a crack.
제 1 항에 있어서,
상기 크랙을 형성하는 단계는 비평탄 표면를 가지는 광학 필름을 이용한 표면 마찰로 금속 박막층에 충격을 주어 크랙을 유도하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the forming of the crack comprises applying a shock to the metal thin film layer by surface friction using an optical film having an uneven surface to induce a crack.
제 1 항에 있어서,
상기 크랙을 형성하는 단계는 연마재를 이용하여 금속 박막층에 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 크랙을 유도하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the forming of the crack comprises applying a vibration to the metal foil layer in parallel with the friction surface while applying pressure to the metal foil layer using an abrasive to induce cracks.
제 1 항에 있어서,
연마재를 이용하여 금속 박막층에 압력을 가한 상태에서 마찰면과 평행하게 진동을 주어 크랙을 유발하면서 철부에 존재하는 금속 박막층을 물리적으로 제거하여, 상기 크랙을 형성하는 단계와 상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계를 동시에 수행하는 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
A step of physically removing the metal thin film layer existing in the convex portion while generating a crack by applying vibration to the metal thin film layer while applying pressure to the metal thin film layer in parallel with the friction surface to form the crack and physically removing the metal thin film layer And a metal thin line which simultaneously performs the steps of:
제 1 항에 있어서,
상기 투명 기재는 유리 기판 또는 고분자 필름인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent substrate is a glass substrate or a polymer film.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기재 상에 요철 패턴을 형성하는 단계는 투명 기재 상에 요철 패턴을 가지는 수지층을 형성하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the concavo-convex pattern on the transparent substrate comprises forming a resin layer having a concavo-convex pattern on the transparent substrate.
제 9 항에 있어서,
상기 수지층은 활성 에너지선 경화형 수지 또는 열 경화형 수지를 포함하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the resin layer comprises an active energy ray-curable resin or a thermosetting resin.
제 9 항에 있어서,
상기 수지층은 임프린팅법에 의해 형성되는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the resin layer is formed by an imprinting method.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 박막층은 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal thin film layer comprises metal thin wires of copper, silver, gold, aluminum, nickel, brass, iron, chromium, platinum, molybdenum or an alloy thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 박막층의 두께는 상기 요철 패턴의 요부의 최대 깊이 대비 1 내지 70% 인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal thin film layer is between 1 and 70% of the maximum depth of the concavo-convex pattern.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 박막층의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 (1)을 만족하는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
식 (1): 0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]
상기 식 (1)에서, H는 요부의 최대 깊이를 의미하고, D는 요부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 요부 벽면의 경사각을 의미함.
The method according to claim 1,
Wherein the area S of the vertical cross section of the metal thin film layer satisfies the following formula (1).
Equation (1): 0.01H [D- 0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]
In the above formula (1), H means the maximum depth of the recess, D means the maximum width of the recess, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the recess wall.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 박막층을 형성하는 단계는 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 또는 습식 코팅법에 의해 수행되는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the metal thin film layer is performed by an electroless plating method, a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or a wet coating method.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 박막층을 물리적으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법, 디태칭(detaching)법 또는 그 조합으로 수행되는 것인 금속 세선을 포함하는 투명 기판의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of physically removing the metal thin film layer is performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a detaching method, or a combination thereof.
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