KR101753776B1 - 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음향열적 미소가열 장치 및 에 관한 것으로서 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법에 관한 것으로서, 피에조 기판 상에 형성된 IDT(Interdigital Tansducer)전극을 통해 기설정된 표면탄성파를 발생시켜 피에조 기판 상측에 적층 형성된 점탄성 물질로 이루어지는 가열체를 발열시키도록 구성함으로써 상기 가열체으로 내부 유체 채널이 형성된 유체칩 역할을 수행하도록 함으로써 기존의 마이크로 유동 시스템을 그대로 사용하기 때문에 제작시 아무런 추가 공정 없이도 쉽게 제작이 가능하고, 투명하며 샘플 체적을 빠르고 정교하고 균일하게 비침습적으로 가열할 수 있으며, 접촉식이어서 유체 샘플 특성에 구애 받지 않고 유체 샘플 내에 난류를 일으켜 혼합을 촉진시킬 수 있고, 균일한 온도 분포를 가질 수 있으며, 2차원 평면 위에서 마이크로미터 크기의 픽셀 단위로 온도를 자유자재로 조절할 수 있어 차세대 핵산 증폭기 개발 및 랩온어칩 시스템 (Lab-On-A-Chip System)의 혁신에 크게 기여할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 가열체 상측에 내부 유체 채널이 형성된 유체칩을 일회 사용 후 교체 가능한 형태로 마이크로 유동 시스템을 구성할 수 있고 유체칩을 가열체와 동일 점탄성 물질 이외의 좀더 다양한 종류의 재질을 적용할 수 있는 효과를 갖는다.
Description
본 발명은 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 점탄성 물질의 표면탄성파 흡수에 따른 발열 현상을 이용한 음향열적 미소가열 장치에 관한 것이다.
주지된 바와 같이, 랩온어칩(Lab-on-a-chip) 시스템이 여러 가지 정교한 생물리화학 실험 및 공정에 광범위하게 쓰임에 따라, 마이크로 유동 시스템의 열적 제어는 오랜 기간 동안 중요한 논점이 되어 왔다.
따라서, 마이크로 가열 시스템의 개발은 핵산 증폭 기술, 세포의 용해 및 죽음, 세포 배양, 효소 역학의 연구, 가스 센서, 주열성, 열이동(Thermophoresis), 기포 생성 및 발달 연구, 마이크로/나노 입자 합성, 폴리머 합성, 미세조류로부터 바이오연료 생산 등 다양한 분야에서 필수적인 요소가 되었다.
그러나, 현재까지 제안된 마이크로 가열 시스템의 온도 조절은 복잡하고 비효율적이다. 예컨대, 구리 막대로부터 진화하여 유리 기판 위에 복잡한 금속 저항선을 인쇄하여 저항열을 일으키는 줄 가열(Joule heating)은 정확하고 빠르게 온도를 제어하나, 침습적인 전도 가열이기 때문에 샘플을 오염시키기 쉬우며 샘플의 표면과 내부의 온도차를 가지는 단점이 있다. 심지어 불투명하여 샘플의 변화를 관찰할 수 없을 뿐만 아니라 비싼 제조 공정에 비해 온도 제어 기능이 매우 제한적이다.
반면에, 적외선이나 마이크로웨이브를 활용하여 원거리에서 샘플을 가열하는 비접촉식 방식은 침습적이지 않으면서도 원하는 유체 샘플만을 선택적으로 가열하기 때문에 열용량이 작아 가열과 냉각의 반복이 빠르게 되어 변온 과정에 특히 유리하나 복잡한 최적화 과정이 필수라는 단점이 있다.
더욱이, 적외선 가열 방식의 경우 방사된 에너지를 한 곳으로 모아줄 렌즈가 필요하며, 파동과 유체 샘플과 마이크로 채널 사이의 간섭을 줄여줄 수 있는 필터 또는 주파수 조율이 필수적이다. 그리고, 마이크로웨이브 가열 방식의 경우 에너지 효율적으로 가열이 가능하지만 아직은 공정이 복잡하다.
또한, 비접촉식 히터는 대체로 부피가 크고 복잡한 제작 공정을 거쳐야 하기 때문에 일회용 또는 휴대용으로 쓰기 어려운 단점을 갖는다.
1. Chang, C. -M. et al. Nucleic acid amplification using microfluidic systems. Lab Chip 13, 1225-1242 (2013).
2. Vigolo, D., Rusconi, R., Piazza, R. & Stone, H. A. A portable device for temperature control along microchannels. Lab Chip 10, 795-798 (2010).
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 점탄성 물질의 표면탄성파 흡수에 따른 발열 현상을 이용하여 마이크로 유동 시스템 등의 열적 제어를 이룰 수 있도록 하는 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 음향열적 미소가열 장치는 표면탄성파를 발생시키도록 IDT(Interdigital Tansducer) 전극이 형성된 피에조 기판; 및 상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상에 교접하며, 상기 피에조 기판 에 발생된 표면탄성파를 흡수하여 발열되는 점탄성 물질로 이루어지는 가열체;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 피에조 기판은 리튬리니오베이트(LiNbO3), 석영(quartz), 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 리튬보레이트(Li2B4O7) 또는 랑가사이트(La3Ga5SiO14) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 IDT 전극은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 이들을 포함하는 금속 화합물들 중에서 선택된 하나 이상이 전극 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 가열체 상에 교접하며 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩;을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가열체가 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩을 이루도록 구성되는 것이 바람직하다.
상기 유체 채널은 상기 유체칩 내에서 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가열체는 실리콘 기반 폴리머(Silicone-based polymers), 고분자화합물(Plastics), 고무(Rubber), 종이(Paper), 음식물(Food) 또는 생체 조직(Biological tissue)중에 선택된 어느 하나의 점탄성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 실리콘 기반 폴리머(Silicone-Based Polymer)는 PDMS(Polydimethylsiloxane)인 것을 포함할 수 있다.
또한, 상기 고분자화합물(plastic)은 PMMA(Polymethyl Methacrylate), PP(polypropylene) 또는 PETE(Polyethylene Terephthalate)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상면과 상기 가열체 하면 사이의 틈새를 통진 가능하게 채우도록 도포되는 액상 또는 겔 상태의 교접 충진재를 더 포함할 수 있고, 상기 교접 충진재는 물 또는 초음파 겔로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 가열체를 상기 피에조 기판 상에 가역적으로 고정하기 위한 가역 접합 수단;을 더 포함할 수 있고, 상기 가역 접합 수단은 상기 가열체의 가장자리부를 상기 피에조 기판 상에 고정하는 고정 집게;로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 IDT 전극은 상기 피에조 기판 상의 상기 가열체 내에 적어도 하나 이상의 가열존을 갖도록 서로 다른 패턴 형상을 가지고 형성될 수 있다.
여기서, 상기 각 가열존은 상기 IDT 전극이 서로 다른 주기를 가지고 교차 배열되게 패턴 형성될 수 있다.
또한, 상기 각 가열존은 상기 IDT 전극이 서로 다른 교차 배열 형상을 가지고 형성될 수 있으며, 상기 IDT 전극들의 교차 형상은 평행 교차 배열 형상, 경사 교차 배열 형상 또는 곡률 교차 배열 형상 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 각 가열존 내에서 발생되는 상기 표면탄성파는 5MHz 내지 200MHz 범위 이내로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 IDT 전극은 상기 피에조 기판 상에서 적어도 2개 이상의 가열존을 갖도록 패턴 형상을 이루며 형성되고, 상기 각 가열존들을 가열 제어하도록 전류 신호를 발생시키는 신호 발생기;를 더 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기한 음향열적 미소가열 장치를 적용한 가열 제어 방법은, 가열하고자 하는 하나 이상의 가열존을 선정하는 단계; 선정된 상기 가열존들의 가열 순서 및 기간을 선정하는 단계; 및 상기 신호 발생기를 통해 선정된 순서 및 시간에 따라 상기 가열존들의 상기 IDT에 대응되는 주파수의 전류신호를 인가하는 가열 단계;를 포함하며, 상기 가열 단계에서는 선정된 상기 가열존들 중 적어도 하나 이상을 동시에 또는 순차적으로 가열하도록 전류신호를 인가할 수 있다.
상기한 본 발명의 음향열적 미소가열 장치에 따르면, 피에조 기판 상에 형성된 IDT(Interdigital Tansducer)전극을 통해 기설정된 표면탄성파를 발생시켜 피에조 기판 상측에 적층 형성된 점탄성 물질로 이루어지는 가열체를 발열시키도록 구성하고 상기 가열체으로 내부 유체 채널이 형성된 유체칩 역할을 수행하도록 함으로써 기존의 마이크로 유동 시스템을 그대로 사용하기 때문에 제작시 아무런 추가 공정 없이도 쉽게 제작이 가능하고, 투명하며 샘플 체적을 빠르고 정교하고 균일하게 비침습적으로 가열할 수 있으며, 접촉식이어서 샘플 특성에 구애 받지 않고 유체 샘플 내에 난류를 일으켜 혼합을 촉진시킬 수 있고, 균일한 온도 분포를 가질 수 있으며, 2차원 평면 위에서 마이크로미터 크기의 픽셀 단위로 온도를 자유자재로 조절할 수 있어 차세대 핵산 증폭기 개발 및 랩온어칩 시스템 (Lab-On-A-Chip System)의 혁신에 크게 기여할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 음향열적 미소가열 장치에 따르면, 가열체 상측에 내부 유체 채널이 형성된 유체칩이 교체 사용 가능하게 올려질 수 있도록 구성함으로써, 유체칩을 가열체와 동일 점탄성 물질 이외의 좀더 다양한 종류의 재질을 적용할 수 있을 뿐만 아니라 일회 사용 후 교체 가능한 형태로 제작할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 음향열적 미소가열 장치에 따르면, 피에조 기판의 2차원 평면 위의 설치되는 여러 개의 IDT 전극들을 신호발생기로부터 서로 다른 주파수의 신호를 시간 분할하는 방식으로 동시다발적으로 여러 주파수의 표면탄성파로 가진시킬 수 있도록 함에 따라 가열체 온도를 IDT 전극들이 이루는 픽셀 단위로 독립 제어할 수 있기 때문에 얼마든지 각 가열존의 온도와 넓이를 바꾸어 각 중합효소 연쇄반응(PCR) 단계의 시간 비율을 조정할 수 있고, 게다가 일부 영역의 픽셀 열원들의 작동을 멈추어 유효한 중합효소 연쇄반응(PCR) 회수를 조절할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 음향열적 미소가열 장치를 적용해 구현된 연속 흐름 중합효소 연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 통해 통상적인 PCR 기기들로 수행할 수 있는 기능들을 모두 실시할 수 있으며, 중합효소연쇄반응 소요 시간 또한 1~2시간에서 3분 미만으로 획기적으로 줄일 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 2는 도 1의 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 음향열적 미소가열 장치의 변형예들을 도시한 측단면 개략도이다.
도 5는 표면탄성파를 이용한 음향열정 미소가열 장치의 가열 원리를 설명한 모식도이다.
도 6은 표면탄성파의 주파수에 따른 침투 깊이(Penetration Depth)의 변화를 도시한 그래프이다.
도 7는 표면탄성파의 주파수에 따른 가열 양상을 적외선 카메라로 단면을 촬영한 사진이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 9는 도 8의 음향열적 미소가열 장치의 가열 원리를 설명하는 모식도이다.
도 10은 도 8의 음향열적 미소가열 장치의 표면탄성파주파수에 따른 온도 증가를 도시한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 13 내지 도 15는 음향열적 미소가열 장치 중에서 2개의 가열존을 가지는 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 도시한 도면이다.
도 15은 PDMS 유체칩의 표면탄성파주파수에 따른 온도 증가를 도시한 그래프이다.
도 16는 본 발명의 제5 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 사시도이다.
도 17은 도 16의 음향열적 미소가열 장치의 IDT 전극 패턴 형상을 도시한 평면 개략도이다.
도 18은 도 16의 음향열적 미소가열 장치를 이용해 각 픽셀을 가열하는 양상을 적외선 카메라로 촬영한 결과를 도시한 사진이다.
도 19는 본 발명의 제6 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 20은 본 발명의 제7 실시예에 따른 음향열적 미소 가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 2는 도 1의 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 음향열적 미소가열 장치의 변형예들을 도시한 측단면 개략도이다.
도 5는 표면탄성파를 이용한 음향열정 미소가열 장치의 가열 원리를 설명한 모식도이다.
도 6은 표면탄성파의 주파수에 따른 침투 깊이(Penetration Depth)의 변화를 도시한 그래프이다.
도 7는 표면탄성파의 주파수에 따른 가열 양상을 적외선 카메라로 단면을 촬영한 사진이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 9는 도 8의 음향열적 미소가열 장치의 가열 원리를 설명하는 모식도이다.
도 10은 도 8의 음향열적 미소가열 장치의 표면탄성파주파수에 따른 온도 증가를 도시한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 13 내지 도 15는 음향열적 미소가열 장치 중에서 2개의 가열존을 가지는 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 도시한 도면이다.
도 15은 PDMS 유체칩의 표면탄성파주파수에 따른 온도 증가를 도시한 그래프이다.
도 16는 본 발명의 제5 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 사시도이다.
도 17은 도 16의 음향열적 미소가열 장치의 IDT 전극 패턴 형상을 도시한 평면 개략도이다.
도 18은 도 16의 음향열적 미소가열 장치를 이용해 각 픽셀을 가열하는 양상을 적외선 카메라로 촬영한 결과를 도시한 사진이다.
도 19는 본 발명의 제6 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 20은 본 발명의 제7 실시예에 따른 음향열적 미소 가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이고, 도 2는 도 1의 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(1)는 표면탄성파(SAW: Surface Acustic Wave)를 발생시키도록 IDT 전극(20)이 형성된 피에조 기판(10)과, 상기 피에조 기판(10) 상에 교접하며 피에조 기판(10) 표면에 표면탄성파를 흡수하며 발열되는 점탄성 물질의 가열체(30)를 포함하여 구성된다.
피에조 기판(10)은 전기적 에너지를 기계적인 에너지로 변환 가능한 압전 물질로 이루어지며, 전기장을 형성하도록 인가된 교류 전류를 통해 기설정된 주파수의 표면탄성파를 발생시킬 수 있게 IDT(Interdigital Tansducer) 전극(20)이 기설정된 패턴 형상을 갖도록 인쇄하여 제작한다.
본 실시예에서는 500 μm 두께의 128° y-x 절단 x-전파 리튬 니오베이트(Lithium Niobate; LiNbO3)로 이루어지는 피에조(Piezoelectric) 기판(10) 상에 금속층(Au/Cr, 1000/300Å)으로 구성되는 IDT전극(20)들을 전자빔 증발 증착 리프트 오프(E-beam Evaporation Lift Off) 방식으로 인쇄하여 제작하는 것을 예시한다.
그러나, 본 발명에서 피에조 기판(10)이 상기한 리튬리니오베이트(LiNbO3) 이루어지는 것으로 반드시 한정되는 것은 아니며, IDT 전극(20)을 통해 전기장을 형성하도록 인가된 교류 전류를 통해 기설정된 주파수의 표면탄성파를 발생시킬 수 있는 한, 석영(Quartz), 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 리튬보레이트(Li2B4O7) 또는 랑가사이트(La3Ga5SiO14)을 포함하여 좀더 다양한 종류의 피에조 물질로 이루어질 수 있음은 당연하다.
상기 IDT 전극(20)은 기본적으로 피에조 기판(10)의 서로 양측 단부에 형성된 각각의 제1 전극 단자(21) 및 제2 전극 단자(25)로부터 이들의 방향을 따라 서로 교번하며 서로를 향해 폭 방향으로 연장 형성되는 복수의 제1 손가락형 전극(22) 및 제2 손가락형 전극(26)이 서로의 사이 사이에 끼워져 마치 포크 2개의 끝이 마주보도록 겹치되 서로 닿지 않도록 엇갈리게 놓인 것과 같은 패턴 형상을 갖도록 인쇄되어 형성된다.
따라서, 피에조 기판(10)에 전기장을 형성하도록 IDT 전극(20)들에 교류 전류가 가해질 때 마주보는 두 열의 제1 손가락형 전극(22) 및 제2 손가락형 전극(26)들이 순차적으로 +, -를 오가며 피에조 기판(10) 표면에 표면탄성파(SAW)를 일으키게 된다(도 5 참조).
본 실시예에서 상기한 IDT 전극(20)들은 바닥층을 이루는 크롬(Cr)과 상부층을 이루는 금(Au)이 서로 적층 형성된 Cr/Au 적층 구조로 이루어지는 것을 예시한다.
그러나, 상기한 IDT 전극(20)들은 전술한 Cr/Au 적층 구조뿐만 아니라 Ti/Au 또는 Ti/Al 조합의 적층 구조로 이루어질 수 있음은 물론, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 이들을 포함하는 금속화합물들 중에서 선택된 하나 이상의 전극 물질로 이루어질 수 있음은 당연하다.
그리고, 가열체(30)는 상기 IDT 전극(20)이 형성된 상기 피에조 기판(10) 상에 교접하도록 올려져, 상기 피에조 기판(10) 상에 발생된 표면탄성파(SAW)를 흡수하여 이를 통해 발열되는 점탄성 물질로 이루어진다.
본 실시예에서 가열체(30)는 실리콘 기반 폴리머(Silicone-Based Polymer)계열의 PDMS(Polydimethylsiloxane)로 이루지는 것을 예시한다.
그러나, 본 발명에서 상기 가열체(30)가 PDMS(Polydimethylsiloxane)로 반드시 한정되는 것은 아니며 PDMS(Polydimethylsiloxane)와 같은 실리콘 기반 폴리머들(Silicone-based polymers) 이외에도 고분자화합물들(Plastics), 고무(Rubber), 종이(Paper), 음식물(food; Organic Polymer) 또는 생체 조직(Biological tissue)들을 포함하여 다양한 종류의 점탄성 물질들이 모두 적용될 수 있음은 당연하다.
한편, 상기한 고분자화합물(Plastic) 중에서는 주로 PMMA(Polymethyl Methacrylate), PP(polypropylene) 또는 PETE(Polyethylene Terephthalate) 등이 주로 사용될 수 있다.
도 3 및 도 4은 도 1의 음향열적 미소가열 장치의 변형예들을 도시한 측단면 개략도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 음향열적 미소가열 장치(1)는 상기 IDT 전극(20)이 형성된 상기 피에조 기판(10) 상면과 상기 가열체(30) 하면 사이에 발생하는 미소 틈새를 채울 수 있게 액상 또는 겔 상태의 교접 충진재(40)가 더 사용되는 것을 예시한다.
여기서, 교접 충진재(40)는 상기 IDT 전극(20)이 형성된 상기 피에조 기판(10) 상면과 상기 가열체(30) 하면 사이의 미소 틈새를 채워 IDT 전극(20)을 통해 피에조 기판(10) 상에 형성된 표면탄성파가 가열체 내부로 좀더 잘 전파될 수 있도록 하여 이를 통해 가열체(30)의 발열 효율을 높일 수 있도록 한다.
여기서, 상기한 교접 충진재(40)는 물 이나 초음파 겔 등을 사용하는 것을 예시하나, 상기 피에조 기판(10)과 상기 가열체(30) 사이의 접촉율을 높여 가열체 내부로 표면탄성파의 전파 효율을 높일 수 있는 한 다양한 종류 및 형태의 물질이 적용될 수 있음은 당연하다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 음향열적 미소 가열 장치는 상기 가열체(30)를 상기 피에조 기판 상에 분리 및 교체 가능하게 가역적으로 고정하기 위한 가역 접합 수단(50)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서 가역 접합 수단(50)은 가열체(30)의 가장자리부를 잡아 상기 피에조 기판(10) 상에 밀착 고정하는 고정 집게로 이루어지는 것을 예시한다.
이처럼, 고정 집게를 적용한 물리적인 방식으로 상기 피에조 기판(10)상에 분리 및 교체 가능하게 가열체(30)를 잡아 가압 고정함으로써, 상기 IDT 전극(20)이 형성된 상기 피에조 기판(10) 상면과 상기 가열체(30) 하면 사이의 접촉 효율을 높여 가열체(30) 내의 가열 효율을 높일 수 있도록 한다.
도 5은 표면탄성파를 이용한 음향열정 미소가열 장치의 가열 원리를 설명한 모식도이고, 도 6는 표면탄성파의 주파수에 따른 침투 깊이(Penetration Depth)의 변화를 도시한 그래프이며, 도 7는 표면탄성파의 주파수에 따른 가열 양상을 적외선 카메라로 단면을 촬영한 사진이다.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, IDT 전극(20)들로부터 발생되어 나온 표면 탄성파는 피에조 기판(10)의 표면을 따라 진행하다가 PDMS 재질의 가열체(30) 내로 굴절되어 압축된 체적파(Compressional bulk Wave) 형태의 누설 표면탄성파(Leaky SAW)가 PDMS 재질의 가열체(30) 내에 흡수되며 열을 발생시키게 된다. PDMS 재질의 가열체(30) 내의 상기 표면 탄성파의 굴절각(θt)은 스넬의 법칙에 의해 결정된다.
피에조 기판(10) 표면을 타고 전파되는 표면탄성파가 피에조 기판 상에 놓인 PDMS 재질의 가열체(30) 안으로 굴절되어 침투 깊이(Penetration Depth) 또한 주파수의 함수로 주어진다. 즉, 침투 깊이(Penetration depth)는 표면탄성파의 주파수가 작을수록 크고, 주파수가 클수록 작은 특징을 갖는다.
도 6에 도시한 바와 같이, 9.8 MHz의 표면탄성파(SAW)를 흡수한 PDMS 재질의 가열체(30)의 온도가 정확히 1초 후 최고 68°C (Room Temperature: 22°C)에 이르렀을 때 측정한 반값 침투 깊이(Half-Power Penetration Depth)는 1290 μm이고, 주파수를 증가시킬수록 침투 깊이(Penetration Depth)는 작아져 128.5 MHz의 표면탄성파를 가했을 때 측정된 침투 깊이(Penetration Depth)는 210μm를 갖는다.
또한, PDMS 재질의 가열체(30)의 가열은 표면탄성파 주기에 따라 달라진다. 도 7에 도시한 바와 같이, 점탄성 물질인 PDMS 재질의 가열체(30) 발열량이 최대치를 기록할 때는 PDMS 가열체를 구성하는 폴리머의 이완기(Relaxation Period)가 반복되는 스트레스의 주기와 같아질 때다. 이러한 물질의 고유한 특성은 로스 팩터(Loss Factor)로 표현되며, 다음 수학식 1 같이 정의될 수 있다.
여기서 E와 E"는 각각 복소수로 표현된 영의 상수값이 실수와 허수값이다. 로스 팩터는 사이클 당 소모된 에너지 대 최대 위치 에너지의 비율로 정의된다. 로스 팩터는 소진된 에너지에 비례하며, 따라서 재료의 온도차에 비례한다.
여기서 Ds는 사이클 당 소진된 에너지이며, T는 PDMS의 온도 상승분이다. 한편, 로스 팩터는 주파수의 함수로 알려져 있다. 로스 팩터의 주파수에 따른 프로파일은 서로 다른 주파수에서 PDMS의 온도 상승분을 측정함으로써 얻어질 수 있다.
따라서, 피에조 기판(10) 상에 발생된 표면탄성파의 주파수와 형태는 IDT 전극(20)의 인쇄된 패턴 모양에 의해 결정될 수 있으며, 이는 후술하는 바와 같이 단일 피에조 기판(10) 상에서 여러 주파수를 갖는 연속파/펄스파, Standing/Traveling, Focused/Defocused 표면탄성파를 단일 기판 상의 여러 위치에서 구현하여 다양한 열전달을 순차적으로 또는 동시다발적으로 만들 수 있음을 의미한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이고, 도 9는 도 8의 음향열적 미소가열 장치를 적용한 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템 내의 유체 가열 원리를 설명하는 모식도이며, 도 10은 도 8의 음향열적 미소가열 장치의 표면탄성파주파수에 따른 가열체 내의 온도 증가를 도시한 그래프이다.
도 8 및 도 9를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(100)는 상기 가열체(30)가 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널(135)이 형성되는 유체칩(130)을 이루도록 함으로써, 표면탄성파를 이용해 유체 유동과 유체 가열을 동시에 이룰 수 있는 단일 구조의 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 구성할 수 있다.
여기서, 유체 샘플(PCR mixture)을 담고 있는 유체 채널(135)은 가열체로 이루어지는 유체칩(130) 내에서 사면이 폐쇄된 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태로 이루어지는 것이 보다 바람직하다.
이처럼, 폐쇄 수로 형태의 유체 채널(135)이 형성된 PDMS 재질의 유체칩(130)의 가열 과정은 IDT 전극(20)들로부터 발생되어 PDMS 재질의 유체칩(130) 내로 흡수되는 세로 방향의 체적파(Longitudinal Bulk Wave)가 순차적으로 유체 채널(135) 바닥층과 측면을 통과한 후 천정까지 도달하여 유체 채널(135)의 4면 모두를 빠르고 균일하게 가열하게 된다.
즉, PDMS 재질의 유체칩(130) 내로 침투한 누설 표면탄성파(Leaky SAW)는 압축된 체적파(Compressional Bulk Wave)이기 때문에, PDMS 재질의 유체칩(130)는 표면 가열이 아니라 체적 가열을 겪게 된다.
따라서 PDMS 재질의 유체칩(130)의 가열은 균일하고 급속하다. 이러한 특성은 열전도도가 높아 표면가열을 통한 전도 열전달 방식으로 PDMS 재질의 유체칩(130)을 가열하기 어려웠던 기존의 단점을 완전히 극복할 수 있을 뿐 아니라, 오히려 열을 잘 보존하는 PDMS 재질의 유체칩(130)의 장점을 살려 음향열적 미소가열 장치의 열에너지효율을 증가시킬 수 있게 된다.
이처럼, 가열체(30)가 전술한 바와 같이 내부에 유체 채널(135)을 가지는 유체칩(130)을 이루는 경우, 유체칩(130)의 높이를 전술한 표면탄성파의 침투 깊이(Penetration Depth) 이내의 미소 단위로 제한함으로써 유체 채널(135) 내의 유체 샘플(PCR mixture)을 균일하면서도 빠르고 충분하게 가열할 수 있도록 하는 것이 보다 바람직하다.
한편, 도 10은 10 내지 60 MHz주파수 표면탄성파(SAW)가 가해졌을 때 PDMS 유체칩(30) 절편의 온도 상승분을 측정한 그래프 나타낸 것이고, 삽입 도면(Inset)은 28 내지 32 MHz 주파수 표면탄성파(SAW가) 가해졌을 때 PDMS 재질의 유체칩(130) 절편에 대한 온도 상승분을 보다 세밀하게 나타낸 것이다.
이처럼, PDMS 재질의 가열체(30)의 경우 표면탄성파의 주파수가 30 MHz 근처에서 가열이 가장 급속하고 격렬함을 알 수 있으며, 30 MHz 근처의 주파수를 갖는 표면탄성파를 이용하여 PDMS 재질의 가열체(30)을 가열할 경우 최고 가열 속도가 2,260 K/s 이상에 이를 수 있을 알 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 측단면 개략도이다.
도 11을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(200)는 상기 가열체(30) 상에 교접하며 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널(265)이 형성되는 유체칩(260)을 더 포함하도록 구성되어, 또 다른 형태의 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)를 이룰 수 있도록 한다.
이처럼, 가열체(30) 상에 추가적으로 유체 채널(265)이 형성되는 유체칩(260)이 올려진 형태로 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 구성함으로써, 표면탄성파에 의해 가열된 가열체(30)에서 발열된 열이 유체칩(260)으로 전도되며 유체 채널 내에 유체 샘플(PCR mixture)이 가열되도록 한다.
물론, 가열체(30)로부터 유체칩(260)에 전달되는 전도열에 의해 유체 샘플이 가열되기 때문에 가열체(30)를 통해 가열되어 열전달 가능한 한 전술한 바와 같이 유체칩(260)을 가열체(30)와 동일 점탄성 물질 이외의 좀더 다양한 종류의 재질을 적용할 수 있을 뿐만 아니라 일회 사용 후 교체 가능한 형태로 제작할 수 있는 효과를 갖는다.
한편, 본 발명의 음향열적 미소가열 장치는 적어도 하나 이상의 가열존(Heating Zone)을 갖도록 구성할 수 있음은 당연하다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 12를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(300)는 상기 가열체 상에 두 개의 가열존들(321, 322)을 가지며, 각각의 가열존들(321, 322)의 가열 온도는 이에 대응되게 배열되는 IDT 전극(20)의 패턴 형상에 따라 결정될 수 있다.
본 실시예에서 상기 각 가열존들(321, 322)은 이에 대응되는 IDT 전극(320)의 패턴 형상 중에서 특히, 상기 IDT 전극(320)들을 이루는 손가락형 전극들(22, 26)의 지간 거리(Interdigital Distance)의 차이를 갖도록 형성되는 것을 예시한다.
즉, 표면탄성파(SAW)가 효율적으로 만들어지는 것은 아래 수학식1과 같이 IDT 전극(20)의 패턴 주기(
)와 가해지는 교류 전류의 주파수(
)의 곱이 상기한 피에조 기판(10)의 음속(
)과 일치할 때이다
여기서 IDT 전극(20)의 제1 손가락형 전극(22) 및 제2 손가락형 전극(26)이 교번하는 주기와 인가되는 교류전류의 주파수가 일대일 대응을 이룬다는 점은 매우 유용하다.
즉, 단일 피에조 기판(10) 상에서 각각의 가열존을 이루는 여러 개의 IDT 전극(20)들의 패턴 주기가 서로 다를 경우, 서로 다른 교류전류를 전극에 가하여 각각의 IDT 전극(20)을 독립적으로 가진시킬 수 있으며, 이는 각각의 IDT 전극(20)들을 통해 생성된 표면탄성파(SAW)에 의해 상기한 가열체(30)의 특정한 부분을 독립적으로 가열할 수 있음을 의미하기 때문이다.
따라서, 전술한 바와 같이 가열체(30) 내의 여러 위치에서 다양한 열전달을 동시다발적으로 만들어 내는 것이 가능할 뿐만 아니라 후술하는 유체칩 내의 유체 샘플의 가열 온도를 시공간적으로 자유자재로 제어하는 것도 가능하게 된다.
도 13 내지 도 15는 도 12의 음향열적 미소가열 장치를 적용한 2단 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)을 도시한 도면이다.
도 13 내지 도 15를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치를 적용한 2단 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(300', CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System;)은 IDT 전극(20)들은 리튬리니오베이트(LiNbO3) 피에조 기판(10) 상에서 IDT 전극(320)이 2개의 제1 가열존(321; Denaturation Zoon)과 제2 가열존(322; Annealing/ Extension zoon))을 갖도록 서로 다른 패턴의 주기(
)를 가지고 교차 배열되게 패턴 인쇄되어 형성된다.
한편, PDMS 재질의 유체칩(130; 도 8과 동일한 구조)는 SU-8 Replica Molding Protocol에 따른 기존의 소프트 리소그래피(Soft Lithography) 방식으로 제작될 수 있다.
여기서, 상기한 PDMS 재질의 유체칩(130)의 제조 과정은 먼저 PDMS Base (Sylgard 184A, Dow Corning, MI, USA)와 경화제(Curing Agent; Sylgard 184B, Dow Corning, MI, USA)를 10:1 비율로 섞은 뒤, SU-8 몰드에 붓고 90°C 오븐에서 2시간 이상 굳힌다.
이때, PDMS 재질의 유체칩(130) 내에 유체 유동을 위한 유체 채널(135)은 전술한 바와 같이 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태로 이루어지도록 한다. 따라서, 유체 채널(135) 바닥면이 될 얇은 PDMS를 같은 방식으로 준비한다.
그리고, 실레인(Trichloro(1H, 1H, 2H, 2H-perfluorooctyl; Silane(Aldrich, MO, USA))처리를 하여 친수성(Hydrophobic)을 갖도록 표면 코팅된 실리콘 웨이퍼 위에 PDMS 혼합물(PDMS Mixture)를 부은 뒤 스핀코팅(500rpm, 30 sec)을 하여 200μm 두께의 얇은 막을 만든 후, 마찬가지로 오븐에서 굳힌 뒤 유체 채널(135) 바닥면에 접착하여 유체 채널(135)이 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태를 가지는 PDMS 재질의 유체칩(130)을 만든다.
그 다음, 만들어진 PDMS 재질의 유체칩(130)을 웨이퍼에서 도려내어 상기한 피에조 기판(10) 위에 교체 사용 가능하도록 가역적으로 접합하여 완성한다.
따라서, 상기한 제조 과정을 통해 완성된 2단 연속 흐름 중합효소연쇄반응 시스템(300'; CFPCR; Continuous Flow Polymerase Chain Reaction System)은 제1 가열존(321)에서 30 MHz에 해당하는 133μm 패턴 주기를 갖도록 IDT 전극(20)의 제1 손가락형 전극(22) 및 제2 손가락형 전극(26)들을 교차 배열하여 이를 통해 95℃의 가열 온도를 가지게 되며, 제2 가열존(322)에서는 20 MHz에 해당하는 200μm 패턴 주기를 갖도록 IDT 전극(20)의 제1 손가락형 전극(22) 및 제2 손가락형 전극(26)들을 교차 배열하여 60°C의 가열 온도를 가지게 된다.
그러나, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 전술한 바와 같이 다양한 IDT 전극(20) 패턴 주기를 다양하게 변경하여, 단일 피에조 기판(10) 상에서 서로 다른 가열 온도를 가지는 여러 개의 가열존들을 픽셀 단위로 구현할 수 있음은 당연하다.
한편, 상기 가열존(321, 322)들 내에서 발생되는 상기 표면탄성파는 5MHz 내지 200MHz 주파수 범위 이내로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, 표면탄성파의 주파수가 5MHz 미만인 경우 IDT 전극 사이즈가 2.4cm를 초과하게 되어 집적하기기 어렵고, 200MHz 초과인 경우 IDT 전극 사이즈가 5um 미만으로 제조 가격대비 효율이 저하되는 단점을 갖는다.
도 16는 본 발명의 제5 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 사시도이고, 도 17은 도 16의 음향열적 미소가열 장치의 IDT 전극 배열 상태를 도시한 평면도이며, 도 18은 도 16의 음향열적 미소가열 장치를 이용해 각 픽셀을 가열하는 양상을 적외선 카메라로 촬영한 결과를 도시한 사진이다.
도 16 및 도 17을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(400)는 피에조 기판(10) 상에 형성되는 IDT 전극(420)이 픽셀 단위로 가열존들을 구획하도록 형성되는 구성의 차이를 갖는다.
이처럼 본 실시예의 음향열적 미소가열 장치(400)는 서로 다른 패턴 주기를 갖는 IDT 전극(115)들을 단위 픽셀 단위로 배열하여 전술한 피에조 기판(10)의 2차원 평면을 채우고, 그 위에 PDMS 재질의 가열체(30)을 가역적으로 접합하여 구성된다.
한편, 본 실시예에 적용된 IDT 전극(420)은 5쌍의 제1 전극 단자(421(a)~421(e)) 및 제2 전극 단자(425(a)~425(e)) 사이에서 각각 5개의 서로 다른 패턴 주기를 가지며 제1 손가락형 전극(422(a)~422(e)) 및 제2 손가락형 전극(426(a)~426(e))을 배열하여 5×5로 배열된 픽셀 형태의 가열존들(a1~e5)을 형성하는 것을 예시한다. 물론, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 보다 다양한 배율로 픽셀들을 구성할 수 있음은 당연하다.
한편, 전술한 바와 같이 2개 이상의 가열존들을 가지는 음향열적 미소가열 장치의 가열 제어 방법은 가열존 선정 단계(ST10), 가열 순서 및 시간 선정 단계(ST20) 및 가열 단계(ST30)를 통해 이루어질 수 있다.
먼저, 가열 위치 선정 단계(ST10)에서는 가열체(30) 내에 가열하고자 하는 공간상의 위치 및 범위를 IDT 전극(20)의 패턴 형상에 따라 구획된 가열존들(a1~e5) 중에서 픽셀 단위로 지정하여 선정하도록 한다.
가열 순서 및 시간 선정 단계(ST20)에서는 선정된 상기 가열존들(a1~e5)을 시간 함수로 단위 픽셀 단위로 구분하여 가열 순서(Heating Turn) 및 가열 기간(Heating Period)을 선정하도록 한다.
그리고, 가열 단계(ST30)에서는 상기 신호 발생기(미도시)를 통해 선정된 가열존들(a1~e5)의 가열순서 및 기간에 따라 선정된 상기 가열존들(a1~e5)의 상기 IDT 전극(20)에 대응되는 주파수의 전류신호를 인가하여 가열체(30)의 선정된 가열존들(a1~e5)이 가열하도록 한다.
이때, 상기 가열 단계(ST30)에서는 상기 신호 발생기(미도시)를 통해 선정된 상기 가열존들(a1~e5) 중 적어도 하나 이상을 동시에 또는 순차적으로 가열하도록 전류신호를 인가하여 가열체 내의 가열 부위를 시공간적으로 좀더 자유롭게 제어할 수 있음은 당연하다.
도 18에 도시한 바와 같이, 상기한 가열 제어 방법을 통해 각각의 픽셀 단위로 이루어지는 가열존들(a1~e5)중에서 선택된 가열존들을 차례대로 가열 제어하여 ‘K-A-I-S-T’ 글자 패턴을 이룰 수 있으며, 이와 같은 온도 분포의 제어는 종래 금속 저항선 패터닝으로는 불가능하다.
한편, 전술한 음향열적 미소가열 장치들(1~400)에서는 IDT 전극(20, 420)이전체적으로 사각형 모양의 평행 교차 배열 형상을 이루는 손가락형 전극들의 패턴 주기의 변화를 통해 하나 이상의 가열존들을 형성하는 것을 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 추가적으로 IDT 전극의 패턴 형상 중에서 전체적인 교차 배열 형상의 변화를 통해 서로 다른 형태의 가역 특성들을 갖도록 형성할 수 있다.
도 19는 본 발명의 제6 실시예에 따른 음향열적 미소가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 19를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소 가열 장치(500)는 피에조 기판(10) 상에 형성되는 IDT 전극(520)이 전체적으로 대략 사다리꼴 모양의 경사 교차 배열 형상으로 이루어지는 것을 예시한다.
이처럼, IDT 전극(520)을 이루는 제1 및 제2 손가락형 전극들(522, 526)이 일측에서 타일측으로 갈수록 점진적으로 넓어지거나 또는 좁아지게 지간 거리의 변화(D1<D2<D3)를 가지는 경사 교차 배열 형태로 형성함으로써, IDT 전극(520)에 대응되게 사용되는 교류전류 주파수 대역을 확장할 수 있을 뿐만 아니라 인가되는 교류 전류의 주파수 값에 따라 제1 및 제 2 손가락형 전극들(522, 526)의 길이 방향을 따라 이동하며 이에 대응되는 지간 거리를 갖는 위치로 가열 부위를 가변시킬 수 있다.
도 20은 본 발명의 제7 실시예에 따른 음향열적 미소 가열 장치를 도시한 평면 개략도이다.
도 20을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 음향열적 미소 가열 장치(600)는 기판(10) 상에 형성되는 IDT 전극(620)이 마치 렌즈 단면 형상과 같은 곡률 교차 배열 형상으로 이루어지는 것을 예시한다.
이처럼, IDT 전극(620)을 이루는 제1 및 제2 손가락형 전극들(622, 626)을 마치 렌즈 단면 형상과 같이 기설절된 곡률을 가지는 곡선 형태를 이루며 서로 교차 배열되게 형성함으로써, IDT 전극(620)을 통해 발생된 표면탄성파가 어느 한 지점을 향해 집속시켜 국부적인 가열 지점을 형성하여 가열 효율을 높일 수 있도록 한다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1, 100, 200, 300, 400, 500, 600: 음향열적 미소가열 장치
10: 피에조 기판 20, 420, 520: IDT 전극
21, 421(a)~421(e), 521, 621: 제1 전극 단자
22, 422(a)~422(e), 522, 622: 제1 손가락형 전극
25, 425(a)~425(e), 525, 625: 제2 전극 단자
26, 426(a)~426(e), 526, 626: 제2 손가락형 전극
30: 가열체 40: 교접 충진제
50: 가역 접합 수단 130; 260: 유체칩
135, 265: 유체 채널 321: 제1 가열존
322: 제2 가열존
10: 피에조 기판 20, 420, 520: IDT 전극
21, 421(a)~421(e), 521, 621: 제1 전극 단자
22, 422(a)~422(e), 522, 622: 제1 손가락형 전극
25, 425(a)~425(e), 525, 625: 제2 전극 단자
26, 426(a)~426(e), 526, 626: 제2 손가락형 전극
30: 가열체 40: 교접 충진제
50: 가역 접합 수단 130; 260: 유체칩
135, 265: 유체 채널 321: 제1 가열존
322: 제2 가열존
Claims (19)
- 표면탄성파를 발생시키도록 IDT(Interdigital Tansducer) 전극이 형성된 피에조 기판; 및
상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상에 교접하며, 상기 피에조 기판 에 발생된 표면탄성파를 흡수하여 발열되는 점탄성 물질로 이루어지는 가열체;를 포함하고,
상기 IDT 전극은,
상기 피에조 기판 상의 상기 가열체 내에 적어도 하나 이상의 가열존을 갖도록 서로 다른 패턴 형상을 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 피에조 기판은,
리튬리니오베이트(LiNbO3), 석영(quartz), 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 리튬보레이트(Li2B4O7) 또는 랑가사이트(La3Ga5SiO14) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 가열체 상에 교접하며 내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩;을 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 가열체는,
내부에 유체 유동을 위한 유체 채널이 형성되는 유체칩을 구성하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,
상기 유체 채널은 상기 유체칩 내에서 폐쇄 수로(Closed Channel) 형태로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 가열체는,
실리콘 기반 폴리머(Silicone-based polymers), 고분자화합물(Plastics), 고무(Rubber), 종이(Paper), 음식물(Food) 또는 생체 조직(Biological tissue)중에 선택된 어느 하나 이상의 점탄성 물질로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 제6항에서,
상기 가열체는,
상기 실리콘 기반 폴리머(Silicone-Based Polymer)는 PDMS(Polydimethylsiloxane)인 것으로 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제6항에서,
상기 고분자화합물(plastic)은 PMMA(Polymethyl Methacrylate), PP(polypropylene) 또는 PETE(Polyethylene Terephthalate)을 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 IDT 전극이 형성된 상기 피에조 기판 상면과 상기 가열체 하면 사이의 틈새를 통진 가능하게 채우도록 도포되는 액상 또는 겔 상태의 교접 충진재;를 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 가열체를 상기 피에조 기판 상에 가역적으로 고정하기 위한 가역 접합 수단;을 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제10항에서,
상기 가역 접합 수단은,
상기 가열체의 가장자리부를 상기 피에조 기판 상에 고정하는 고정 집게;로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 삭제
- 제1항에서,
상기 각 가열존은,
서로 다른 상기 IDT 전극들의 패턴 주기를 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 각 가열존은,
적어도 하나 이상이 서로 다른 상기 IDT 전극들의 교차 배열 형상을 가지고 형성되는 음향열적 미소가열 장치.
- 제14항에서,
상기 교차 배열 형상은,
평행 교차 배열 형상, 경사 교차 배열 형상 또는 곡률 교차 배열 형상 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 각 가열존 내에서 발생되는 상기 표면탄성파는 5MHz 내지 200MHz 주파수 범위 이내로 이루어지는 음향열적 미소가열 장치.
- 제1항에서,
상기 IDT 전극은 상기 피에조 기판 상에서 적어도 2개 이상의 가열존을 갖도록 패턴 형상을 이루며 형성되고,
상기 각 가열존들을 가열 제어하도록 전류 신호를 발생시키는 신호 발생기;를 더 포함하는 음향열적 미소가열 장치.
- 제17항의 음향열적 미소가열 장치를 통한 상기 가열체의 가열 제어 방법에 있어서,
가열하고자 하는 하나 이상의 가열존을 선정하는 단계;
선정된 상기 가열존들의 가열 순서 및 기간을 선정하는 단계; 및
상기 신호 발생기를 통해 선정된 순서 및 시간에 따라 상기 가열존들의 상기 IDT에 대응되는 주파수의 전류신호를 인가하는 가열 단계;를 포함하는 음향열적 미소가열 제어 방법.
- 제18항에서,
상기 가열 단계에서는,
선정된 상기 가열존들 중 적어도 하나 이상을 동시에 또는 순차적으로 가열하도록 전류신호를 인가하는 음향열적 미소가열 제어 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150093387A KR101753776B1 (ko) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150093387A KR101753776B1 (ko) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | 음향열적 미소가열 장치 및 이를 이용한 가열 제어 방법 |
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| KR20170003127A KR20170003127A (ko) | 2017-01-09 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012237319A (ja) * | 2005-12-09 | 2012-12-06 | Kyocera Corp | 流体アクチュエータ並びにこれを用いた発熱装置及び分析装置 |
-
2015
- 2015-06-30 KR KR1020150093387A patent/KR101753776B1/ko active IP Right Grant
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| KR20170003127A (ko) | 2017-01-09 |
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