KR101747856B1 - Cutting method for Anodic oxide film structure and Unit Anodic oxide film structure using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양극산화 피막의 일면에 절단 예정 라인을 따라 에칭하여 에칭홈을 형성하여 에칭홈의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어의 입구 직경을 확경시켜 확경 포어를 형성한 후, 에칭홈을 따라 절단함으로써 크랙 발생이 적고 수율이 우수한 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체에 관한 것이다.According to the present invention, an etching groove is formed on one surface of an anodized film along a line along which a substrate is to be divided to form an enlarged pore by enlarging an entrance diameter of an anodizing pore located on an inner bottom surface of the etching groove, And a unit anodic oxide film structure using the same. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention

Description

양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체{ Cutting method for Anodic oxide film structure and Unit Anodic oxide film structure using the same }BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anodic oxide film structure and an anodic oxide film structure using the same,

본 발명은 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of cutting an anodized film structure and a unit anodized film structure using the same.

일반적으로 단위 유닛들은 직사각형 형태의 매트릭스 형태로 일괄적으로 형성되고, 그 활용을 위해 절단장치에 의해 다이싱되어 개별적으로 분리되어 진다. 반도체 제조공정에 사용되는 절단장치는 웨이퍼나 반도체 스트립을 미리 구성된 지그 상에 올려 고정시킨 다음에 냉각수를 분사하면서 다이싱 블레이드(dicing blade)를 고속 회전시켜서 다이싱 공정작업을 실시한다. In general, the unit units are integrally formed in the form of a rectangular matrix, and are diced and separated individually by a cutting device for their utilization. In the cutting apparatus used in the semiconductor manufacturing process, the wafer or the semiconductor strip is fixed on a pre-configured jig, and then the dicing blade is rotated at a high speed while jetting the cooling water to perform the dicing process.

그러나 위와 같은 다이싱 장치를 마이크로 수준의 구조체에 바로 적용하게 되면, 다이싱 과정에서 발생되는 열을 식혀주기 위한 냉각수의 수압 및 고속 회전하는 다이싱 블레이드 주변의 공기압 등으로 인하여, 효율적으로 단위 유닛으로 개별화하는 것이 어렵다는 문제가 있다. However, if the dicing apparatus is directly applied to the micro-level structure, the water pressure of the cooling water for cooling the heat generated in the dicing process and the air pressure around the dicing blade rotating at high speed can be effectively used as unit units There is a problem that individualization is difficult.

한국공개특허 제2006-0006283호에는 반도체 또는 디스플레이 제조 장치의 양극산화 피막이 코팅된 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 부재의 제조방법이 개시되어 있는데, 위 공개공보에 개시된 기술은 미리 알루미늄 합금을 소정의 크기로 절단한 이후에, 그 표면을 양극산화 처리하는 것이기 때문에, 양극산화층을 기판으로 이용하여 그 상면에 전극 등을 형성한 이후에 이를 단위 유닛으로 개별화는 것에는 적합하지 않다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0006283 discloses a method of manufacturing an aluminum or aluminum alloy member coated with an anodic oxide coating of a semiconductor or display manufacturing apparatus. In the technique disclosed in the above publication, an aluminum alloy is cut into a predetermined size Thereafter, since the surface is subjected to the anodic oxidation treatment, it is not suitable for forming an electrode or the like on the upper surface of the anodic oxide layer as a substrate, and then individualizing it as a unit unit.

금속재질의 모재에 양극산화처리(anodizing)를 하면, 표면에 뚫린 구멍(Pore)을 다수 가지는 다공층과 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 양극산화 피막이 형성되는데, 이러한 양극 산화 피막을 기판으로 하여 그 일면에 전극 등을 형성한 구조체에 있어서는, 이를 단위 유닛으로 개별화하는 방법이 알려져 있지 않아 효율적으로 개별화하는 것이 어렵다는 문제점이 있다.When an anodizing treatment is performed on a metal base material, an anodic oxide film composed of a porous layer having a plurality of pores opened on the surface and a barrier layer existing under the porous layer is formed. A structure in which an electrode or the like is formed on one surface thereof is not known as a method of individualizing the structure into unit units, which makes it difficult to efficiently individualize the structure.

한국공개특허 제2006-0006283호Korea Patent Publication No. 2006-0006283

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 양극산화 피막 구조체의 절단시 크랙 발생이 적고 수율이 우수한 양극산화 피막 구조체의 절단 방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체를 제공함에 그 목적이 있다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for cutting an anodized oxide film structure with less cracking and excellent yield in cutting an anodized oxide film structure, and a unit anodized oxide film structure using the same .

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 양극산화 피막 구조체의 절단 방법은, 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 양극산화 피막의 일면에 절단 예정 라인을 따라 에칭하여 에칭홈을 형성하여 상기 에칭홈의 내부 바닥면에 위치하는 상기 아노다이징 포어의 입구 직경을 확경시켜 확경 포어를 형성하는 에칭단계; 상기 에칭홈을 따라 절단하는 절단단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for cutting an anodized oxide film structure, comprising: forming an anodized oxide film on a surface of an anodized film having a plurality of anodizing pores, An etching step of forming an enlarged pore by enlarging an entrance diameter of the anodizing pores located on the surface; A cutting step of cutting along the etching groove; And a control unit.

또한, 상기 확경 포어 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성되는 것을 특징으로 한다.Also, at least a part of the large-diameter pores are connected to each other to form a space.

또한, 상기 절단단계는 다이싱 블레이드를 이용하여 절단하는 것을 특징으로 한다.The cutting step is characterized in that cutting is performed using a dicing blade.

또한, 상기 절단단계는 상기 양극산화 피막의 타면을 가압하여 브레이킹하는 것을 특징으로 한다.Further, in the cutting step, the other surface of the anodized film is pressed to be braked.

본 발명의 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 단위 양극산화 피막 구조체에 있어서, 상기 단위 양극산화 피막 구조체는 몸체부와, 상기 몸체부의 상면에 대해 단차져 외측으로 연장된 단차부를 포함하고, 상기 몸체부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경보다 상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경이 더 큰 것을 특징으로 한다.In the unit anodizing structure having a plurality of anodizing pores according to the present invention, the unit anodizing structure may include a body portion and a stepped portion extending outwardly from the upper surface of the body portion, The inlet diameter of the anodizing pores formed on the upper surface of the step portion is larger than the inlet diameter of the formed anodizing pores.

또한, 상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, at least a part of the openings of the anodizing pores formed on the upper surface of the step portion are connected to each other to form a space.

또한, 상기 몸체부의 상면에는 전극이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, an electrode is formed on the upper surface of the body part.

또한, 상기 전극은 히터전극, 센서전극, 또는 히터전극 및 센서전극인 것을 특징으로 한다.The electrode may be a heater electrode, a sensor electrode, or a heater electrode and a sensor electrode.

본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.The present invention has the following effects.

양극산화 피막이 인장력을 덜 받도록 절단할 수 있어, 크랙 발생이 적고 수율이 우수하다. 그래서 다이싱 공정이 요구되는 경우에도 양극산화 피막 구조체를 활용하기 좋다.The anodic oxidation coating can be cut so as to receive less tensile force, so that occurrence of cracks is small and yield is excellent. Therefore, even when a dicing process is required, an anodic oxide film structure is preferably utilized.

단위 양극산화 피막 구조체의 구조적 안정성이 우수하다.The structural stability of the unit anodized film structure is excellent.

도 1은 양극산화 피막 구조체 절단시 크랙이 발생한 모습을 나타낸 사진.
도 2는 양극산화 피막 구조체의 상면에 전극이 형성된 평면도.
도 3은 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체 사이를 확대하여 나타낸 정면도.
도 4는 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체 사이에 에칭홈이 형성된 정면도.
도 5는 도 4에서 절단 부분을 나타낸 정면도.
도 6은 양극산화 피막 구조체의 절단 방법에 따라 절단된 단위 양극산화 피막 구조체.
도 7은 단위 양극산화 피막 구조체의 평면도.
도 8은 몸체부의 상면을 나타낸 확대사진.
도 9는 단차부의 상면을 나타낸 확대사진.FIG. 1 is a photograph showing a state where a crack occurred when an anodic oxide coating structure was cut. FIG.
2 is a plan view showing an electrode formed on an upper surface of an anodized film structure.
3 is an enlarged front view showing the adjacent unit anodic oxide film structures.
4 is a front view showing an etching groove formed between adjacent unit anodic oxide film structures.
Fig. 5 is a front view showing a cutting portion in Fig. 4; Fig.
6 is a sectional view of a unit anodized film structure cut according to a cutting method of an anodized film structure.
7 is a plan view of the unit anodized film structure.
8 is an enlarged view showing an upper surface of the body portion;
9 is an enlarged view showing a top surface of a stepped portion.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부한 도면들과 함께 상세히 후술된 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명하는 실시 예에 한정된 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and how to achieve them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in different forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms 'comprises' and / or 'comprising' mean that the stated element, step, operation and / or element does not imply the presence of one or more other elements, steps, operations and / Or additions. In addition, since they are in accordance with the preferred embodiment, the reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order.

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.The embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

참고적으로, 이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.For reference, the same components as those of the conventional art will be described with reference to the above-described prior art, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 양극산화 피막 구조체(1)는 양극산화 피막(50)을 기판으로 하고, 양극산화 피막(50)의 외면에 각종 전극 또는 칩 등이 일정간격으로 다수 개 배치된 것이다. 양극산화 피막 구조체(1)는 도 2에 도시한 바와 같이, 단위 유닛인 단위 양극산화 피막 구조체(150)들이 직사각형 형태의 매트릭스 형태로 일괄적으로 형성되어 있다. 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 상면이 사각형인 직육면체 형상의 양극산화 피막(50)과, 양극산화 피막(50)을 기판으로 하여 그 상면에 형성된 전극을 포함하여 이루어진다. 상기 전극은 히터전극(151) 및 센서전극(154)으로 이루어진다. 양극산화 피막 구조체(1)가 다이싱되어 생산되는 개별 부품의 예로써, 각종 센서가 있으며, 이하 본 실시예에서는 마이크로 센서(150)를 예로 들어 설명하도록 한다. The anodic oxide coating structure 1 of the present invention comprises an anodic oxide film 50 as a substrate and a plurality of electrodes or chips arranged on the outer surface of the anodized film 50 at a predetermined interval. As shown in Fig. 2, the anodic oxide coating structure 1 is formed in a unit shape in the form of a rectangular matrix of unit anodic oxide coating structures 150, which is a unit unit. The unit anodizing film structure 150 includes a rectangular parallelepiped anodic oxide film 50 having a square top surface and electrodes formed on the top surface of the anodic oxide film 50 as a substrate. The electrode includes a heater electrode 151 and a sensor electrode 154. There are various sensors as an example of discrete components produced by dicing the anodic oxide coating structure 1, and in this embodiment, the micro sensor 150 will be described as an example.

양극산화 피막 구조체(1)를 종래에 공지된 다이싱 방법으로 절단하면, 도 1과 같이 크랙이 발생하기 쉬워 수율이 낮은 문제점이 본 발명자에 의해 발견되었다. 위와 같은 크랙이 발생이 발생하는 이유는 위 종래의 다이싱 방법이 양극산화 피막 구조체(1)를 절단하는 데에는 적절하지 않기 때문인 것으로 이해된다.When the anodic oxide coating structure 1 is cut by a conventionally known dicing method, cracks tend to occur as shown in Fig. 1 and the yield is low. It is understood that the above-mentioned cracks occur because the above-mentioned conventional dicing method is not suitable for cutting the anodic oxide film structure 1.

본 실시예의 절단 방법은, 도 2와 같이 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 구성된 양극산화 피막 구조체(1)를 다이싱하여 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리하는 방법이다. 양극산화 피막 구조체(1)는 도 2에 점선으로 도시된 절단 예정 라인(120)을 따라 절단되어 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리된다. The cutting method of the present embodiment is a method of dicing an anodic oxide coating structure 1 composed of a plurality of unit anodic oxide coating structures 150 as shown in FIG. 2 and separating them into individual unit anodic oxide coating structures 150. The anodic oxide coating structure 1 is cut along the line along which the substrate is intended to be cut 120 shown by a dotted line in Fig. 2 and is separated into a plurality of unit anodized film structures 150. [

도 2 내지 도 7에 도시되어 있는 아노다이징 포어(110)의 직경 및 깊이의 크기는 설명의 편의상 과장되게 도시한 것이므로, 본 발명의 기술적 사상이 도 2 내지 도 7에 도시되어 있는 구조의 것으로 한정되지는 않는다. The sizes of the diameter and depth of the anodizing pores 110 shown in Figs. 2 to 7 are exaggerated for convenience of explanation, and therefore, the technical idea of the present invention is limited to the structures shown in Figs. 2 to 7 .

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양극산화 피막 구조체(1)의 절단 방법은, 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 형성된 양극산화 피막(50)의 일면에 절단 예정 라인(120)을 따라 에칭하여 에칭홈(300)을 형성하여 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구(213) 직경을 확경시켜 확경 포어(210)를 형성하는 에칭단계(S1);와, 에칭홈(300)을 따라 절단하는 절단단계(S2); 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The method of cutting an anodic oxide coating structure 1 according to a preferred embodiment of the present invention is a method of cutting an anodized oxide film 50 having a plurality of anodizing pores 110 formed thereon along a line along which the object is intended to be cut 120, (S1) of forming an enlarged pore (210) by enlarging a diameter of an inlet (213) of an anodizing pore (110) positioned on an inner bottom surface of the etching groove (300) (S2) for cutting along the first direction (300); And a control unit.

본 발명의 양극산화 피막(50)은 금속재질의 모재를 양극산화처리(anodizing)하여 형성된다. 금속재질의 모재에 양극산화처리(anodizing)를 하면, 표면에 뚫린 구멍(Pore)을 다수 가지는 다공층과 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 양극산화 피막(50)이 형성된다. 여기서의 금속재질의 모재는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn) 등일 수 있으나, 경량이고, 가공이 용이하고, 열전도성이 우수하며, 중금속 오염의 우려가 없는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The anodic oxidation coating (50) of the present invention is formed by anodizing a metal base material. When anodizing is performed on a metal base material, an anodic oxidation film 50 composed of a porous layer having a plurality of pores opened on the surface and a barrier layer existing under the porous layer is formed. The base metal material here may be aluminum (Al), titanium (Ti), tungsten (W), zinc (Zn) or the like but is lightweight, easy to process, It is preferably made of aluminum or an aluminum alloy material.

일례로 알루미늄의 표면에 양극산화처리를 행하는 것에 의해 표면에 뚫린 구멍(Pore)(110)을 다수 가지는 산화알루미늄 다공층과 산화알루미늄 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 산화알루미늄 피막이 형성된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서의 양극산화 피막(50)은 일례로, 알루미늄이 제거된 산화알루미늄 피막만으로 구성될 수 있다. 또한 산화알루미늄 피막의 산화알루미늄 다공층 상에 전극이 형성될 수 있고, 반대로 베리어층 상에 전극이 형성될 수 있다. 또한 산화알루미늄 피막의 베리어층을 제거하여 아노다이징 포어(110)가 상, 하로 관통되는 산화알루미늄 다공층만으로 구성될 수 있다. For example, an anodic oxidation treatment is performed on the aluminum surface to form an aluminum oxide coating composed of an aluminum oxide porous layer having a plurality of pores 110 formed on the surface thereof and a barrier layer existing under the aluminum oxide porous layer. The anodized film 50 in the preferred embodiment of the present invention may be composed of only an aluminum oxide film from which aluminum is removed, for example. In addition, an electrode can be formed on the aluminum oxide porous layer of the aluminum oxide coating, and conversely, the electrode can be formed on the barrier layer. Also, the barrier layer of the aluminum oxide coating may be removed so that the anodizing pores 110 may be composed of only the aluminum oxide porous layer passing through the top and the bottom.

이하에는 상기 알루미늄과 상기 베리어층이 제거된 양극산화 피막(50)을 기준으로 설명하도록 한다. Hereinafter, the description will be made on the basis of the anodized film 50 from which the aluminum and the barrier layer are removed.

양극산화된 알루미늄에서 상기 알루미늄과 상기 베리어층이 제거되어 양극산화 피막(50)의 아노다이징 포어(110)는 상하방향으로 관통된다. 양극산화 피막(50)이 산화알루미늄 다공층으로 형성되므로 양극산화 피막 구조체(150)는 열용량이 작아진다.In the anodized aluminum, the aluminum and the barrier layer are removed, and the anodizing pores 110 of the anodized oxide film 50 pass vertically. Since the anodic oxide film 50 is formed of an aluminum oxide porous layer, the anodic oxide film structure 150 has a small heat capacity.

이하에는 도 3 내지 도 5를 참고하여 양극산화 피막 구조체(1)의 절단 방법에 대해 상술한다.Hereinafter, a method of cutting the anodic oxide film structure 1 will be described in detail with reference to Figs. 3 to 5. Fig.

도 3은 절단되기 전, 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체(150)의 사이를 확대하여 나타낸 정면도이다.Fig. 3 is an enlarged front view of the adjacent unit anodized film structure bodies 150 before being cut.

우선, 에칭단계(S1)는 도 4에 도시한 바와 같이, 양극산화 피막(50)의 상면을 절단 예정 라인(120)을 따라 에칭하여 에칭홈(300)을 형성한다. 에칭홈(300)은 인접하는 어느 하나의 단위 양극산화 피막 구조체(150)와 다른 하나의 단위 양극산화 피막 구조체(150)의 사이에 형성된다.4, the upper surface of the anodic oxide film 50 is etched along the line along which the substrate is intended to be cut 120 to form the etching trenches 300. As shown in FIG. The etching groove 300 is formed between any one unit anodized film structure 150 and another unit anodized film structure 150 adjacent to each other.

그리고 양극산화 피막(50)의 상면에 에칭홈(300)을 형성할 때, 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구(213) 직경이 확경되어 확경 포어(210)가 형성된다. 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 확경 포어(210)의 입구(213)의 직경(d2)은, 양극산화 피막(50)의 상면 중에서 에칭홈(300)의 내부 바닥면 이외의 부분에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구의 직경(d1)보다 크게 형성된다(d1<d2). 또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 확경 포어(210) 중 적어도 일부는 입구(213)가 서로 연결되어 공간(220)이 형성된다.The diameter of the inlet 213 of the anodizing pores 110 positioned on the inner bottom surface of the etching groove 300 is enlarged and the diameter of the diameter pores 210 Is formed. The diameter d2 of the entrance 213 of the diameter pore 210 located on the inner bottom surface of the etching groove 300 is larger than the diameter d2 of the portion of the top surface of the anodic oxide film 50 other than the inner bottom surface of the etching groove 300 (D1 < d2) of the entrance of the anodizing pores 110 located at the center of the anodizing pores 110. [ 9, at least some of the diametrically opposed pores 210 are connected to each other through the openings 213 to form a space 220. In addition, as shown in FIG.

에칭용 다이에서 에칭단계(S1)가 수행된 양극산화 피막 구조체(1)는 다이싱용 다이로 이동되어 절단단계(S2)가 수행된다. 절단단계(S2)에서는, 에칭홈(300)을 따라 양극산화 피막(50)이 상하로 절단된다. 도 5에 도시한 바와 같이, 절단 부분(120)의 좌우폭은 에칭홈(300)의 좌우폭보다 좁다. The anodic oxide coating structure 1 on which the etching step S1 is performed in the etching die is moved to the dicing die and the cutting step S2 is performed. In the cutting step S2, the anodic oxidation film 50 is cut up and down along the etching groove 300. As shown in Fig. 5, the width of the cut portion 120 is smaller than the width of the etching groove 300.

절단단계(S2)는 다이싱 블레이드를 이용하여 절단할 수 있다. 에칭홈(300)의 좌우폭보다 좁은 폭의 다이싱 블레이드를 이용하여 양극산화 피막(50)을 절단한다. 그래서, 도 2의 양극산화 피막 구조체(1)는, 도 6과 같이 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리된다. The cutting step S2 may be cut using a dicing blade. The anodized oxide film 50 is cut using a dicing blade having a width narrower than the width of the etching groove 300. Thus, the anodic oxide coating structure 1 of FIG. 2 is separated into individual unit anodic oxide coating structures 150 as shown in FIG.

또한, 절단단계(S2)는 전술한 바와 달리, 양극산화 피막(50)의 하면을 가압하여 브레이킹함으로써, 양극산화 피막 구조체(1)를 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리할 수 있다. 양극산화 피막(50)의 하면 중에서 에칭홈(300)에 인접한 부분에 상측 방향으로 압력을 가하여, 에칭홈(300)을 따라 브레이킹한다.The cutting step S2 can separate the anodic oxide coating structure 1 into a plurality of unit anodic oxide coating structures 150 by pressing and braking the lower surface of the anodic oxide coating 50 unlike the above- . An upward pressure is applied to a portion of the lower surface of the anodic oxide film 50 adjacent to the etching groove 300 to break along the etching groove 300.

이상과 같은 절단방법에 따라, 양극산화 피막 구조체(1)를 절단하면, 양극산화 피막(50)이 인장력을 덜 받아, 크랙 발생이 적고 수율이 우수하다. 그래서 다이싱 공정이 요구되는 경우에도 양극산화 피막 구조체(1)를 활용하기 좋다.According to the cutting method described above, when the anodic oxide coating structure 1 is cut, the anodic oxide coating 50 is less tensile, cracks are less likely to occur, and the yield is excellent. Therefore, it is preferable to utilize the anodic oxide film structure 1 even when a dicing process is required.

전술한 절단방법에 의해 도 2의 양극산화 피막 구조체(1)를 다수 개로 절단하면, 도 6 및 도 7과 같은 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)가 형성된다. 본 실시예에서 절단된 각각의 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 마이크로 센서(150) 일 수 있다. 단위 양극산화 피막 구조체(150)는, 몸체부(100)를 기판으로 하고, 몸체부(100)의 상면에 상기 전극이 형성된다.When the anodic oxide coating structure 1 of Fig. 2 is cut into a plurality of pieces by the above-described cutting method, a single unit anodic oxide coating structure 150 as shown in Figs. 6 and 7 is formed. Each unit anodized film structure 150 cut in this embodiment may be a microsensor 150. The unit anodic oxide coating structure 150 has the body 100 as a substrate and the electrode on the upper surface of the body 100.

도 6 및 도 7에 도시한 단위 양극산화 피막 구조체(150)는, 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 상하방향으로 관통되어 형성된 것으로서, 몸체부(100)와, 몸체부(100)의 상면에 대해 단차져 외측으로 연장된 단차부(200)를 포함한다. The unit anodizing film structure 150 shown in Figs. 6 and 7 is formed by vertically penetrating a plurality of anodizing pores 110. The unit anodizing structure 110 includes a body portion 100 and an upper surface of the body portion 100 And a stepped portion 200 extending outwardly of the stepped portion.

몸체부(100)는 직육면체 형상으로 형성된다. 그리고 몸체부(100)의 상면에는 상기 전극이 형성된다. 상기 전극은 히터전극(151)이나 센서전극(154)일 수 있고, 또는 히터전극(151) 및 센서전극(154)일 수 있다. 본 실시예에서 상기 전극은 히터전극(151) 및 센서전극(154)으로 이루어진다.The body portion 100 is formed in a rectangular parallelepiped shape. The electrode is formed on the upper surface of the body part 100. The electrode may be a heater electrode 151 or a sensor electrode 154 or may be a heater electrode 151 and a sensor electrode 154. In the present embodiment, the electrode comprises a heater electrode 151 and a sensor electrode 154.

단차부(200)는 몸체부(100)의 외주를 둘러서 형성된다. 단차부(200)의 상면은 몸체부(100)의 상면에 비해 하측에 위치하여, 단차져 있다.The stepped portion 200 is formed around the outer periphery of the body portion 100. The upper surface of the stepped portion 200 is positioned lower than the upper surface of the body portion 100 and is stepped.

몸체부(100) 및 단차부(200)에는 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 상하방향으로 관통되어 형성되어 있다. 또한, 단차부(200)에 형성된 아노다이징 포어(110)는 상측 입구(213)의 직경이 확경된 확경 포어(210)이다. 그래서, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 몸체부(100)의 상면에 형성된 아노다이징 포어(110)의 입구의 직경(d1)보다 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213)의 직경(d2)이 더 크다(d1<d2). 또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213) 중 적어도 일부는 서로 연결되어 공간(220)이 형성된다. 공간(220)은 단차부(200)의 상면에 대해 하측으로 오목한 홈이다.A plurality of anodizing pores 110 are vertically formed through the body 100 and the stepped portion 200. The anodizing pores 110 formed in the stepped portion 200 are large diameter pores 210 having a diameter of the upper inlet 213 enlarged. 8 and 9, the diameter d1 of the entrance of the anodizing pore 110 formed on the upper surface of the body 100 is larger than the diameter d1 of the entrance of the diameter pore 210 formed on the upper surface of the step 200 The diameter d2 of the inlet 213 is larger (d1 < d2). 9, at least a part of the openings 213 of the large diameter pores 210 formed on the top surface of the stepped portion 200 are connected to each other to form a space 220. [ The space 220 is a groove recessed downward with respect to the upper surface of the stepped portion 200.

이상과 같이 입구(213) 직경이 확경된 확경 포어(210) 및 공간(220)의 형성으로 인해 측면방향으로 작용하는 외부 응력에 대한 완충능력을 갖게 되어 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 구조적인 안정성이 우수하다.As described above, due to the formation of the large diameter pores 210 and the space 220 in which the diameter of the inlet 213 is enlarged, the unit anodic oxide coating structure 150 has buffering ability against external stress acting in the lateral direction, Stability is excellent.

도 7을 참고하여, 몸체부(100)의 상면에 형성되는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 대해 설명한다. The heater electrode 151 and the sensor electrode 154 formed on the upper surface of the body 100 will be described with reference to FIG.

센서전극(154)은 감지물질에 가스가 흡착되었을 때의 전기적 특성 변화를 감지한다. 센서전극(154)은 제1센서전극(154a)과, 제1센서전극(154a)과 이격되게 배치되는 제2센서전극(154b)을 포함한다. 제1센서전극(154a)과 제2센서전극(154b)은 좌우방향으로 이격되게 배치되며, 평면상에서 수직하게 배치되는 중심선을 기준으로 대칭되게 형성된다.The sensor electrode 154 senses a change in electrical characteristics when the gas is adsorbed to the sensing material. The sensor electrode 154 includes a first sensor electrode 154a and a second sensor electrode 154b disposed so as to be spaced apart from the first sensor electrode 154a. The first sensor electrode 154a and the second sensor electrode 154b are spaced apart from each other in the left-right direction and are formed symmetrically with respect to a center line disposed vertically on the plane.

각각의 센서전극(300a,300b)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 센서배선(155a,155b)과, 센서배선(155a,155b)에 연결된 센서전극패드(157)를 포함한다.Each of the sensor electrodes 300a and 300b includes sensor wires 155a and 155b formed at the center of the upper surface of the body 100 and sensor electrode pads 157 connected to the sensor wires 155a and 155b.

제1센서전극(154a)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 제1센서배선(155a)과, 제1센서배선(155a)에 연결되는 제1센서전극패드를 포함한다. 제2센서전극(154b)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 제2센서배선(155b)과, 제2센서배선(155b)에 연결되는 제2센서전극패드를 포함한다. 센서배선(155a,155b)은 제1센서배선(155a)과 제2센서배선(155b)을 포함한다. 센서전극패드(157)는 상기 제1센서전극패드와 상기 제2센서전극패드를 포함한다. 센서배선(155a,155b)의 폭은, 일정한 폭으로 형성된다. 센서전극패드(157)는 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. 제1,2센서전극(300a, 300b)의 센서전극패드(157)는 사각형상으로 형성되는 몸체부(100)의 두 개의 인접한 모서리에 각각 배치되며, 단부로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 센서전극패드(157)는 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다.The first sensor electrode 154a includes a first sensor wiring 155a formed at the central portion of the upper surface of the body 100 and a first sensor electrode pad connected to the first sensor wiring 155a. The second sensor electrode 154b includes a second sensor wiring 155b formed at the central portion of the upper surface of the body 100 and a second sensor electrode pad connected to the second sensor wiring 155b. The sensor wirings 155a and 155b include a first sensor wiring 155a and a second sensor wiring 155b. The sensor electrode pad 157 includes the first sensor electrode pad and the second sensor electrode pad. The widths of the sensor wirings 155a and 155b are formed to have a constant width. The sensor electrode pad 157 is formed to have a larger width than the first sensor wiring 155a and the second sensor wiring 155b. The sensor electrode pads 157 of the first and second sensor electrodes 300a and 300b are disposed at two adjacent corners of the body 100 formed in a rectangular shape and have a width wider toward the end. That is, the sensor electrode pad 157 is formed to have a narrower width toward the first sensor wiring 155a and the second sensor wiring 155b.

센서전극(154)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.The sensor electrode 154 is formed of a mixture containing Pt, W, Co, Ni, Au, and / or Cu.

히터전극(151)은 몸체부(100)의 상면에 형성된다. The heater electrode 151 is formed on the upper surface of the body portion 100.

산화알루미늄 피막의 산화알루미늄 다공층 상에 전극이 형성되는 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 의해 상부가 막히고 하부 역시 막힌다. 이와 달리, 산화알루미늄 피막의 베리어층 상에 전극이 형성되는 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 상부가 막혀 있고, 하부는 개방된다. 이와 달리, 산화알루미늄 피막의 베리어층을 제거한 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 의해 상부가 막히고 하부는 개방된다. 이와 같이 히터전극(151)이 상기 산화알루미늄 다공층 상에 형성되므로, 열용량이 작은 단위 양극산화 피막 구조체(150)가 된다.The heater electrode 151 and the anodizing pores 110 located under the sensor electrodes 154 are electrically connected to the heater electrodes 151 and the sensor electrodes 154 The upper part is clogged and the lower part is also clogged. Alternatively, when the electrode is formed on the barrier layer of the aluminum oxide coating, the upper portion of the anodizing pores 110 located below the heater electrode 151 and the sensor electrode 154 is closed, and the lower portion is opened. Alternatively, when the barrier layer of the aluminum oxide coating is removed, the heater electrode 151 and the sensor electrode 154 block the upper portion of the anodizing pores 110 located under the sensor electrodes 154 The lower part is opened. Since the heater electrode 151 is formed on the aluminum oxide porous layer as described above, the unit anodizing film structure 150 having a small heat capacity is obtained.

히터전극(151)은 센서전극패드(157)보다 센서배선(155a,155b)에 근접하도록 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 발열배선(153)과, 발열배선(153)에 연결되는 히터전극패드(152)를 포함하여 이루어진다.The heater electrode 151 is connected to the heat generating wiring 153 formed at the central portion of the upper surface of the body portion 100 so as to be closer to the sensor wiring 155a and 155b than the sensor electrode pad 157, And an electrode pad 152.

발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되며, 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)의 적어도 일부를 감싸면서 형성된다. 그리고 히터전극패드(152)는 발열배선(153)의 양단에 각각 연결되어 서로 이격된 제1히터전극패드(152a) 및 제2히터전극패드(152b)를 포함한다. 발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 배치된다.The heat generating wiring 153 is formed at the central portion of the upper surface of the body part 100 and is formed by surrounding at least a part of the first sensor wiring 155a and the second sensor wiring 155b. The heater electrode pad 152 includes a first heater electrode pad 152a and a second heater electrode pad 152b which are connected to both ends of the heat generating wiring 153 and are spaced apart from each other. The heat generating wiring 153 is disposed at the central portion of the upper surface of the body portion 100.

도 7과 같이 평면상에서 볼 때, 발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심을 지나는 선에 대해 대칭을 이루도록 형성되되, 원호 형상으로 형성된 복수 개의 호부와, 상기 호부를 연결하는 복수 개의 연결부를 포함한다.7, the heat generating wiring 153 is formed to be symmetrical with respect to a line passing through the center of the top surface of the body 100, and includes a plurality of arc portions formed in an arc shape, and a plurality of arc- And a connection portion.

발열배선(153)은 에어갭(156)에 인접하여 원호 형상으로 형성된 제1호부와, 상기 제1호부의 일단에서 몸체부(100)의 상면 중심을 향해 절곡 연장된 제1연결부와, 상기 제1연결부의 단부에서 원호 형상으로 연장 형성되어 상기 제1호부의 내측으로 이격 배치된 제2호부와, 상기 제2호부의 단부에서 몸체부(100)의 상면 중심을 향해 연장 형성된 제2연결부… 와 같은 방식으로 복수 개의 호부 및 연결부가 반복적으로 연결되어 형성된다.The heat generating wiring 153 has a first arc portion formed in an arc shape adjacent to the air gap 156 and a first connecting portion bent and extended toward the center of the upper surface of the body portion 100 at one end of the first arc portion, And a second connection part extending from the end of the second call part toward the center of the upper surface of the body part 100. The second connection part extends from the end of the second connection part, A plurality of arc portions and connection portions are repeatedly connected to each other.

발열배선(153)은 상기 제1호부에서 제3호부까지 연결되어 일체를 이루고, 몸체부(100)의 상면 중심을 지나는 선에 대해 대칭을 이룬다.The heat generating wiring 153 is connected to the third to fourth parts and is symmetrical with respect to a line passing through the center of the top surface of the body part 100.

도 7과 같이, 발열배선(153)의 복수 개의 상기 호부는 각각 대략 반원호 형상으로 형성되고, 좌우 대칭으로 형성됨으로써, 전체적으로 원형을 이룬다. 이로 인해 몸체부(100)의 상면 중심부의 온도 균일성이 향상된다.As shown in Fig. 7, the plurality of arc portions of the heat generating wiring 153 are each formed in a substantially semicircular arc shape, and are formed symmetrically to form a circular shape as a whole. This improves the temperature uniformity at the center portion of the upper surface of the body portion 100.

발열배선(153)의 중심부는 좌우측의 상기 호부(211)가 서로 만나는 지점으로서, 두 개의 원호 형상의 상기 호부가 합쳐져 상측이 개방된 원형을 이룬다. 그리고 그 내측에 이격공간부(160)가 형성된다. 이격공간부(160)는 발열배선(153)의 중심부에서 발열배선(153)의 상부까지 연장되어 형성된다. 즉 발열배선(153)의 상부 중앙에서 중심부까지 이격공간부(160)가 형성되도록 서로 좌우로 이격되어 있다. 이격공간부(160)에는 센서배선(155a,155b)이 배치된다. 즉, 발열배선(153)은 제1, 2센서배선(310a, 310b)의 적어도 일부를 그 외측에서 감싸면서 형성된다. 또한, 상기 제1호부의 타단부에는 제2히터전극패드(152b)가 연결되고, 상기 제3호부(211c)의 일단부에는 제1히터전극패드(152a)가 연결된다. The central portion of the heat generating wiring 153 is a point where the arc portions 211 on the left and right sides meet with each other, and the arc portions of the two arcs form a circular shape with the upper side opened. And a spacing space 160 is formed in the inside thereof. The spacing space 160 is formed to extend from the central portion of the heat generating wiring 153 to the upper portion of the heat generating wiring 153. That is, the heat generating wiring 153 is formed to be spaced apart from the center of the upper portion to the central portion. Sensor wirings 155a and 155b are disposed in the spacing space 160. [ That is, the heat generating wiring 153 is formed while covering at least a part of the first and second sensor wirings 310a and 310b from the outside thereof. A second heater electrode pad 152b is connected to the other end of the first call portion and a first heater electrode pad 152a is connected to one end of the third call portion 211c.

히터전극(151)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.The heater electrode 151 is formed of a mixture containing one or at least one of Pt, W, Co, Ni, Au, and Cu.

히터전극패드(152)는 발열배선(153)의 양단에 각각 연결되는 연결되는 제1, 2히터전극패드(220a,220b)를 포함한다. 이와 같이, 히터전극패드(152)는 적어도 2개 이상으로 형성된다. 히터전극패드(152)는 몸체부(100)의 상면의 나머지 두 개의 인접한 두 개의 모서리에 배치되며, 외측으로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 히터전극패드(152)는 발열배선(153)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다. 히터전극패드(152)는 발열배선(153)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. The heater electrode pad 152 includes first and second heater electrode pads 220a and 220b connected to both ends of the heat generating wiring 153, respectively. As described above, the heater electrode pad 152 is formed of at least two or more. The heater electrode pad 152 is disposed at two adjacent two corners of the upper surface of the body portion 100 and is formed to have a wider width toward the outside. That is, the heater electrode pad 152 is formed so as to have a narrower width toward the heat generating wiring 153. The heater electrode pad 152 is formed to have a larger width than the heat generating wiring 153.

에어갭(156)은 발열배선(153) 및 센서배선(155a,155b)의 둘레에 배치된다.The air gap 156 is disposed around the heat generating wiring 153 and the sensor wiring 155a and 155b.

에어갭(156)은 원호형상으로 형성되어, 4개 형성된다. 복수 개의 에어갭(156)은 원주방향으로 이격되게 배치된다. 즉, 에어갭(156)은 불연속적으로 다수 개 형성된다. The air gaps 156 are formed in an arc shape, and four air gaps 156 are formed. A plurality of air gaps 156 are disposed circumferentially spaced apart. That is, a plurality of air gaps 156 are discontinuously formed.

에어갭(156)은 상하방향으로 관통되어 형성된다. 즉, 에어갭(156)은 몸체부(100)의 상면에서 하면까지 관통되어 형성된 공간이다. The air gap 156 is formed so as to penetrate in the vertical direction. That is, the air gap 156 is a space formed to penetrate from the upper surface to the lower surface of the body portion 100.

몸체부(100)의 상면의 중심부에는 발열배선(153) 및 센서배선(155a,155b)을 덮는 감지물질이 형성된다.감지물질은 프린팅되어 형성된다. 이와 같이 감지물질이 프린팅되어 형성되면, 감지물질을 형성한 이후에 감지물질의 표면에 메쉬망 형태의 자국이 남는다.A sensing material covering the heat generating wiring 153 and the sensor wirings 155a and 155b is formed in the central portion of the upper surface of the body 100. The sensing material is formed by printing. When the sensing material is formed by printing, a mesh network is formed on the surface of the sensing material after the sensing material is formed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims .

1: 양극산화 피막 구조체 50: 양극산화 피막
100: 몸체부 110: 아노다이징 포어
120: 절단 예정 라인, 절단 부분
150: 단위 양극산화 피막 구조체, 마이크로 센서
151: 히터전극 152: 히터전극패드
152a: 제1히터전극패드 152b:제2히터전극패드
153: 발열배선 154: 센서전극
154a: 제1센서전극 154b:제2센서전극
155a: 센서배선, 제1센서배선 155b: 센서배선, 제2센서배선
156: 에어갭 157: 센서전극패드
160: 이격공간부 200: 단차부
210: 확경 포어 213: 입구
220: 공간 300: 에칭홈
S1: 에칭단계 S2: 절단단계1: Anodized film structure 50: Anodized film
100: Body part 110: Anodizing pores
120: line to be cut, cutting portion
150: unit anodized film structure, microsensor
151: heater electrode 152: heater electrode pad
152a: first heater electrode pad 152b: second heater electrode pad
153: heat generating wiring 154: sensor electrode
154a: first sensor electrode 154b: second sensor electrode
155a: sensor wiring, first sensor wiring 155b: sensor wiring, second sensor wiring
156: Air gap 157: Sensor electrode pad
160: spacing space part 200:
210: Brightening pore 213: Entrance
220: Space 300: Etching groove
S1: etching step S2: cutting step

Claims (8)

다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 단위 양극산화 피막 구조체에 있어서,
상기 단위 양극산화 피막 구조체는 몸체부(100)와, 상기 몸체부(100)의 외주를 둘러서 형성되는 단차부(200)를 포함하고, 상기 단차부(200)의 상면은 상기 몸체부(100)의 상면에 비해 하측에 위치하여 단차져 있고,
상기 몸체부(100)의 상면에 형성된 전극을 포함하고,
상기 몸체부(100)의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경(d1)보다 상기 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213) 직경(d2)이 더 크고, 상기 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213) 중 적어도 일부는 서로 연결되어 공간(220)이 형성되고,
상기 입구(213) 직경(d2)이 확경된 확경 포어(210) 및 상기 공간(220)의 형성으로 인해 측면방향으로 작용하는 외부 응력에 대한 완충능력을 갖게 되는 특징으로 하는 단위 양극산화 피막 구조체.
In the unit anodized film structure in which a plurality of anodizing pores are formed,
The unit anodizing structure may include a body 100 and a step 200 formed around the body 100. The upper surface of the step 200 may be formed on the body 100, Which is located lower than the upper surface of the upper portion,
And an electrode formed on an upper surface of the body part 100,
The diameter d2 of the inlet 213 of the enlarged pores 210 formed on the upper surface of the step 200 is larger than the diameter d1 of the inlet of the anodizing pores formed on the upper surface of the body 100, At least a part of the openings 213 of the diameter pores 210 formed on the upper surface of the part 200 are connected to each other to form a space 220,
Wherein the diameter d2 of the inlet 213 has a buffering capacity against external stress acting in the lateral direction due to the diameter pore 210 and the space 220 being formed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102457193B1 (en) * 2018-05-29 2022-10-20 (주)포인트엔지니어링 Micro led adsorption body

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660310B1 (en) * 1999-07-30 2006-12-22 닛폰 이타가라스 가부시키가이샤 Method of dicing semiconductor wafer into chips, and structure of groove formed in dicing area
JP2007247070A (en) 2007-06-22 2007-09-27 Kanagawa Acad Of Sci & Technol Method for manufacturing anodic oxidation porous alumina compound material
JP2009120892A (en) 2007-11-13 2009-06-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Self-supported film of alumina by anodization and production method therefor
US20100273312A1 (en) 2009-04-22 2010-10-28 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
JP2013057102A (en) 2011-09-08 2013-03-28 Kanagawa Acad Of Sci & Technol Method for forming fine structure and mold for nanoimprint having fine structure, and method of producing porus alumina composite
JP2013074276A (en) 2011-09-29 2013-04-22 Kyocera Corp Manufacturing method of photoelectric conversion element

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100664900B1 (en) 2004-07-15 2007-01-04 주식회사 코미코 ANODIZED Al OR Al ALLOY MEMBER HAVING GOOD THERMAL CRACKING-RESISTANCE AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THE MEMBER

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660310B1 (en) * 1999-07-30 2006-12-22 닛폰 이타가라스 가부시키가이샤 Method of dicing semiconductor wafer into chips, and structure of groove formed in dicing area
JP2007247070A (en) 2007-06-22 2007-09-27 Kanagawa Acad Of Sci & Technol Method for manufacturing anodic oxidation porous alumina compound material
JP2009120892A (en) 2007-11-13 2009-06-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Self-supported film of alumina by anodization and production method therefor
US20100273312A1 (en) 2009-04-22 2010-10-28 Nec Electronics Corporation Method of manufacturing semiconductor device
JP2013057102A (en) 2011-09-08 2013-03-28 Kanagawa Acad Of Sci & Technol Method for forming fine structure and mold for nanoimprint having fine structure, and method of producing porus alumina composite
JP2013074276A (en) 2011-09-29 2013-04-22 Kyocera Corp Manufacturing method of photoelectric conversion element

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