KR101741717B1 - 다수의 패시브-매트릭스 컨트롤러들을 갖는 칩렛 디스플레이 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따르면 디스플레이 영역을 갖는 기판; 행 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 행 전극과 행 방향과는 다른 열 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 열 전극; 2 이상의 별개의 픽셀 그룹들로 나누어지고, 각 픽셀 그룹은 그룹 행 전극 및 별도의 그룹 열 전극을 갖는 픽셀; 디스플레이 영역에 위치된 2 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛; 행 전극에 연결된 하나 이상의 행 드라이버(들); 및 행 및 열 전극은 픽셀을 형성하기 위해 중첩되며, 각 열 드라이버 칩렛은 다른 픽셀 그룹에 고유하게 연결되고, 적어도 하나의 열 드라이버 칩렛은 적어도 하나의 픽셀의 2개의 다른 픽셀 그룹 각각 사이에 위치되며, 2 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛들이 한 픽셀 그룹의 그룹 열 전극을 구동하도록 형성되고, 행 드라이버와 열 드라이버 칩렛은 협력해서 행 및 열 전극을 각각 구동하여 픽셀을 활성화시키고 행 전극은 2 이상의 행 드라이버에 의해 공동으로 구동되는 디스플레이 디바이스가 제공된다.

Description

다수의 패시브-매트릭스 컨트롤러들을 갖는 칩렛 디스플레이{Chiplet Display with Multiple Passive-Matrix Controllers}

로날드 에스 콕 등(Ronald S. Cok, et al.)이 2009년 2월 17일자로 출원하였고 공동으로 양수된 발명의 명칭이 "CHIPLET DRIVER PAIRS FOR TWO-DIMENSIONAL DISPLAY"인 미국특허출원 No. 12/372,132을 참조하며, 상기 특허출원은 본 명세서에 포함된다.

본 발명은 픽셀 어레이를 제어하기 위해 분포된 독립적 칩렛들을 갖는 기판을 구비한 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.

휴대용 디바이스에 컴퓨팅 디바이스와 연계해 그리고 텔레비전과 같은 오락 디바이스용으로 플랫패널 디스플레이 디바이스들이 폭넓게 사용된다. 이런 디스플레이들은 일반적으로 기판 위에 분포된 복수의 픽셀들을 이용해 이미지를 디스플레이한다. 각 픽셀은 대표적으로 적색, 녹색 및 청색광을 방출하는 통상적으로 서브픽셀이라고 하는 다수의 다른 컬러의 발광소자들을 포함하여 각 이미지 요소를 나타낸다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 픽셀 및 서브픽셀은 구별하지 않고 하나의 발광소자라 한다. 다양한 플랫패널 디스플레이 기술들, 가령 플라즈마 디스플레이, 액정 디스플레이, 및 발광다이오드(LED) 디스플레이가 공지되어 있다.

발광소자를 이루는 발광재료의 박막을 포함한 발광다이오드(LED)는 플랫패널 디스플레이 디바이스들에서 많은 이점들이 있으며 광학 시스템에 유용하다. 2002년 5월 7일자로 간행된 탕 등(Tang et al.)의 미국특허 No. 6,384,529는 유기 LED 발광소자 어레이를 포함한 유기 LED(OLED) 컬러 디스플레이를 나타낸다. 대안으로, 무기재료들이 이용될 수 있고 인광결정 또는 다결정 반도체 매트릭스에 양자도트를 포함할 수 있다. 발광 박막재료에 전하주입, 수송 또는 차단을 제어하기 위해 유기 또는 무기재료로 된 다른 박막들도 또한 이용될 수 있고 해당기술분야에 공지되어 있다. 재료들은 캡슐화 커버층 또는 플레이트를 갖는 전극들 사이 기판에 놓인다. 전류가 발광재료를 지날 때 픽셀로부터 광이 방출된다. 방출된 광의 주파수는 사용된 재료의 성질에 따른다. 이런 디스플레이에서, 기판(하단 이미터) 또는 캡슐화 커버(상단 이미터)를 통해, 또는 둘 다를 통해 광이 방출될 수 있다.

LED 디바이스는 전류가 재료를 지날 때 다른 컬러의 광을 방출하도록 다른 재료들이 패턴에 이용되는 패턴화 발광층을 구비할 수 있다. 대안으로, 풀컬러 디스플레이를 형성하기 위해 컬러 필터들과 함께, 콕(Cok)의 발명의 명칭이 "Stacked OLED Display having Improved Efficiency" 미국특허 6,987,355에 개시된 바와 같이 풀컬러 디스플레이를 형성하기 위한 컬러 필터들과 함께 단색 방출층, 가령 백색광 이미터를 이용할 수 있다. 가령 콕 등(Cok et al.)의 발명의 명칭이 "Color OLED Display with Improved Power Efficiency"인 미국특허 6,919,681에 개시된 바와 같이 컬러 필터를 포함하지 않는 백색 서브픽셀을 이용하는 것도 또한 공지되어 있다. 디바이스의 효율을 향상시키기 위해 적색, 녹색, 청색 필터를 포함한 4색 픽셀, 서브픽셀, 및 비패턴화 백색 서브픽셀과 함께 비패턴화 백색 이미터를 이용한 설계가 제안되었다(2007년 6월 12일자로 간행된 밀러 등(Miller et al.)의 미국특허 7,230,594 참조).

플랫패널 디스플레이 디바이스에서 픽셀을 제어하기 위한 2개의 다른 방법들, 즉 액티브-매트릭스 디바이스와 패시브-매트릭스 디바이스가 일반적으로 공지되어 있다: 패시브-매트릭스 디바이스에서, 기판은 전혀 액티브 전자소자(가령, 트랜지스터)를 포함하지 않는다. 별개의 층에서 행 전극 어레이와 열 전극의 직각 어레이가 기판 위에 형성된다; 행 전극과 열 전극 간의 중첩 상호교차로 발광다이오드 전극이 형성된다. 그 후 행(또는 열)에 있는 각 발광다이오드를 밝히기 위해 직각 열(또는 행)이 적절한 전압을 제공하면서 외부 드라이버 칩이 순차적으로 전류를 각 행(또는 열)에 공급한다. 따라서, 패시브-매트릭스 설계는 2n개의 연결을 이용해 n²개의 별개로 제어가능한 발광소자들을 만든다. 그러나, 패시브-매트릭스 구동 디바이스는 구동하는 행(또는 열)의 순차적 성질이 명멸을 만들기 때문에 디바이스에 포함될 수 있는 행(또는 열) 개수가 제한된다. 행들이 너무 많이 포함되면, 명멸이 인식될 수 있다. 더욱이, PM 디스플레이 영역이 증가함에 따라 PM 구동의 논이미징 프리차지 및 방전 단계들에 필요한 전력이 우세해지기 때문에 디스플레이에서 전체 행(또는 열)을 구동하는데 필요한 전류가 문제가 될 수 있다. 이들 문제는 패시브-매트릭스 디스플레이의 물리적 크기를 제한한다.

액티브-매트릭스 디바이스에서, 액티브 컨트롤 소자가 플랫패널 디스플레이 위에 코팅된 반도체 재료, 가령 비정질 또는 다결정 실리콘의 박막으로 형성된다. 일반적으로, 각 서브픽셀은 하나의 컨트롤 소자에 의해 제어되고 각 컨트롤 소자는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한다. 가령, 간단한 액티브-매트릭스 유기 발광(OLED) 디스플레이에서, 각 컨트롤 소자는 2개의 트랜지스터(셀렉트 트랜지스트와 파워 트랜지스터)와 서브픽셀의 휘도를 특정하는 전하를 저장하기 위한 하나의 커패시터를 포함한다. 각 발광소자는 일반적으로 독립적인 컨트롤 전극과 공통으로 전기연결된 전극을 이용한다. 발광소자의 제어는 일반적으로 데이터 신호라인, 셀렉트 신호라인, 전원연결 및 접지연결을 통해 제공된다. 액티브-매트릭스 소자는 반드시 디스플레이일 필요는 없으며 기판 위에 분포되고 공간상으로 분포된 제어를을 필요로 하는 다른 애플리케이션들에 이용될 수 있다. 전력 및 접지선을 제외한 같은 개수의 외부 컨트롤 라인들이 패시브-매트릭스 디바이스에서와 같이 액티브-매트릭스 디바이스에 이용될 수 있다. 그러나, 액티브-매트릭스 디바이스에서, 각 발광소자는 컨트롤 회로로부터 별도의 구동연결을 갖고 데이터 기록을 위해 선택되지 않더라도 활성화되어 명멸이 제거된다.

액티브-매트릭스 컨트롤 소자를 형성하는 한가지 공통적인 종래기술의 방법은 일반적으로 실리콘과 같은 반도체 재료로 된 박막을 유리 기판에 증착한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 트랜지스터와 커패시터에 반도체 재료를 형성한다. 박막 실리콘은 비정질이거나 다결정일 수 있다. 비정질이거나 다결정로 제조된 박막 트랜지스터(TFT)는 결정 실리콘 웨이퍼로 제조된 종래 트랜지스터에 비해 상대적으로 크고 성능이 낮다. 더욱이, 이런 박막 디바이스는 일반적으로 유리 기판을 가로질러 국소적 또는 대형 불균일을 나타내 전기 성능 및 디스플레이의 시각적 외관이 균일하지 못하다. 이런 액티브-매트릭스 설계에서, 각 발광소자는 구동회로에 별도의 연결을 필요로 한다.

다른 제어기술을 이용해 마츠무라 등(Matsumura et al.)은 미국특허출원 2006/0055864에서 LCD 디스플레이 구동에 사용된 결정 실리콘 기판을 기술하였다. 상기 출원은 제 1 반도체 기판으로부터 제조된 픽셀-컨트롤 소자를 제 2 평면 디스플레이 기판에 선택적으로 전달 및 부착하는 방법을 기술하고 있다. 픽셀-컨트롤 디바이스내 배선 상호연결 및 버스와 컨트롤 전극으로부터 픽셀-컨트롤 디바이스로의 연결이 나타나 있다.

종래 패시브-매트릭스 디스플레이 설계는 발광소자의 크기 및 개수가 제한되고 TFT를 이용한 액티브-매트릭스 설계는 전기 성능이 낮고 복잡한 기판들을 갖기 때문에, 이들 문제를 극복한 향상된 디스플레이 디바이스용 제어방법이 요구된다.

본 발명에 따르면,

a) 디스플레이 영역을 갖는 기판;

b) 행 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 행 전극과 행 방향과는 다른 열 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 열 전극;

c) 2 이상의 별개의 픽셀 그룹들로 나누어지고, 각 픽셀 그룹은 그룹 행 전극 및 별도의 그룹 열 전극을 갖는 픽셀;

d) 디스플레이 영역에 위치된 2 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛;및

e) 행 전극에 연결된 하나 이상의 행 드라이버(들)을 구비하고,

f) 행 및 열 전극은 픽셀을 형성하기 위해 중첩되며, 각 열 드라이버 칩렛은 다른 픽셀 그룹에 고유하게 연결되고, 적어도 하나의 열 드라이버 칩렛은 픽셀 그룹들 사이에 위치되며, 2 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛들이 한 픽셀 그룹의 그룹 열 전극을 구동하도록 형성되고, 행 드라이버와 열 드라이버 칩렛은 협력해서 행 및 열 전극을 각각 구동하여 픽셀을 활성화시키고 행 전극은 2 이상의 행 드라이버에 의해 공동으로 구동되는 디스플레이 디바이스이 제공된다.

본 발명은 복수의 픽셀들을 칩렛 열 드라이버들이 픽셀 그룹들 간에 위치된 2 이상의 별개의 픽셀 그룹들로 나눈 디스플레이 디바이스를 제공함으로써 성능이 향상되고 구성부품 및 연결 회수가 줄어드는 이점이 있다. 또한, 별개의 행렬 드라이버 칩렛들을 가짐으로써, 각 칩렛은 매우 저가의 반도체 제조공정으로 각 칩렛에 이용가능해지게 할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 2개의 픽셀 그룹, 2개의 열 드라이버 칩렛, 및 2개의 외부의 행 드라이버를 갖는 기판의 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2개의 픽셀 그룹, 2개의 열 드라이버 칩렛, 및 2개의 외부 행 드라이버를 갖는 기판의 평면도이다.
도 1c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 및 2개의 외부의 행 드라이버를 갖는 기판의 평면도이다.
도 1d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 2개의 외부의 행 드라이버, 및 각 픽셀 그룹에 대한 별개의 행 전극을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 4개의 행 드라이버 칩렛, 및 각 픽셀 그룹에 대한 별개의 행 전극을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 4개의 행 드라이버 칩렛, 및 공통 행에 있는 픽셀 그룹에 대한 공유된 행 전극을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 2개의 행 드라이버 칩렛, 및 공통 행에 있는 픽셀 그룹에 대한 공유된 행 전극을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 2개의 픽셀 그룹, 2개의 열 드라이버 칩렛, 각 픽셀 그룹에 대한 2개의 행 드라이버 칩렛을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 4개의 픽셀 그룹, 4개의 열 드라이버 칩렛, 4개의 행 드라이버를 형성하는 8개의 행 드리이버 칩렛, 및 각 픽셀 그룹에 대한 별개의 행 전극을 갖는 기판의 평면도이다.
도 2f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 12개의 픽셀 그룹 및 6개의 행 드라이버 칩렛을 갖고, 각 행 드라이버 칩렛은 2개 픽셀 그룹의 행을 구동하는 기판의 평면도이다.
도 2g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 12개의 픽셀 그룹 및 6 쌍의 행 드라이버 칩렛을 갖고, 각 행 드라이버 칩렛은 6개 픽셀 그룹의 행을 구동하는 기판의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 행 드라이버 칩렛 회로의 간략한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 도 3의 행 드라이버 칩렛 회로의 일부분의 더 상세한 구성도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 도 3의 행 드라이버 칩렛 회로의 더 상세한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 열 드라이버 칩렛 회로의 간략한 구성도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 도 6의 열 드라이버 칩렛 회로의 더 상세한 구성도이다.
도 8a는 본 발명의 실시예에 따른 행 드라이버 부분 횡단면도이다.
도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 열 드라이버 부분 횡단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 픽셀 그룹, 그룹 행 및 열 전극, 행 드라이버 칩렛, 및 열 드라이버 칩렛을 갖는 기판의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 4개 픽셀 그룹, 그룹 행 및 열 전극, 행 드라이버 칩렛, 및 열 드라이버 칩렛을 갖는 기판의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 4개 픽셀 그룹, 그룹 행 및 열 전극, 행 드라이버 칩렛, 및 열 드라이버 칩렛을 갖는 기판의 평면도이다.
도면에서 다양한 층 및 소자들은 크기가 매우 다르기 때문에, 도면은 비율에 따르지 않는다.

본 발명의 일실시예로 도 1a를 참조하면, 디스플레이 디바이스는 디스플레이 영역(11)을 갖는 기판(10)을 포함한다. 복수의 행 전극(16)은 행 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역(11)에서 기판(10) 위에 형성되고, 복수의 열 전극(12)은 열 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역(11)에서 기판(10) 위에 형성된다. 행 및 열 전극(16,12)은 중첩되어 픽셀(30)을 형성한다. 일반적으로, 행 방향은 열 방향에 직각이며 픽셀(30)은 기판(10) 위에 규칙적 어레이를 형성한다.

픽셀(30)은 2 이상의 별개의 픽셀 그룹(32)으로 나누어지며, 각 픽셀 그룹(32)은 그룹 행 전극(16a,16b)과 별개의 그룹 열 전극(12a,12b)을 갖는다. 별개의 그룹 열 전극은 한 픽셀 그룹의 열 전극이 전기적으로 절연된 것을 말한다. 도 1a에서, 픽셀(30)은 2개의 픽셀 그룹(32)으로 나누어지는데, 한 픽셀 그룹(32)은 기판(10)의 위쪽 절반이고 다른 픽셀 그룹은 기판(10)의 아래쪽 절반이다. 각 그룹에 대한 열 전극(12)은 전기적으로 연결되어 있지 않고 열 전극의 각 그룹은 도 1a의 하단에서 상단으로 기판(10)을 가로지르는 길이의 절반에만 이른다.

2개 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛(20)이 디스플레이 영역(11)에 위치해 있고, 적어도 하나의 열 드라이버 챕렛(20)은 열 방향으로 적어도 2개의 픽셀 그룹이 있도록 2개의 다른 픽셀 그룹(32) 각각의 적어도 한 픽셀 사이에 위치해 있고 열 드라이버 챕렛(20)은 적어도 하나의 열 드라이버 칩렛(20)이 디스플레이 가장자리에 있지 않고 픽셀들이 각 측면에서 디스플레이 영역을 둘러싸며 디스플레이 영역 내에 있도록 2개의 픽셀 그룹 각각의 적어도 일부분 사이에 위치해 있다. 각 열 드라이버 칩렛(20)은 한 픽셀 그룹(32)의 그룹 열 전극(12)에 고유하게 연결되고 한 픽셀 그룹(32)의 그룹 행 전극(12)을 구동시키기 위해 적용된다. 하나 이상의 행 드라이버(21)가 행 전극(16)에 연결된다. 행 드라이버(21)와 2개 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛(20)이 픽셀(30)을 활성화시키도록 행 및 열 전극(16,12)을 각각 구동시키게 형성된다. 컨트롤러(40)가 행 드라이버(21)와 열 드라이버 칩렛(20)에 연결되어 이미지 정보 및 제어신호를 제공한다.

본 발명에 따르면, 행 및 열 전극(16,12)은 픽셀(30)을 제어한다. 일실시예에서, (가령, 도 8a,8b) 발광재료(14), 예컨대, 유기재료 또는 무기 양자도트재료가 행 및 열 전극(16,12) 사이에 위치된다. 전류가 픽셀영역(30)에 있는 발광재료(14)를 통해 한 전극으로부터 다른 전극으로 지나면, 가령 유기 발광다이오드를 갖는 경우에서와 같이 재료내 전류밀도에 비례해 광이 방출된다.

행 및 열 전극(16,12)은 절연층에 형성될 수 있고, 각 픽셀 그룹(32)은 행 드라이버(23) 및 열 드라이버 칩렛(20)에 의해 제어되는 패시브-매트릭스 제어를 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 행 및 열 전극(16,12)의 중첩에 의해 형성된 픽셀(30)은 픽셀 그룹(32)으로 나누어진다. 열 전극(12)을 열 방향으로 2 이상의 열 전극 그룹(12A,12B)으로 분리함으로써 적어도 2개의 픽셀 그룹들이 형성된다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 2개의 열 전극(12)은 기판(10) 위의 각 열에 있다. 디스플레이 영역(11)의 아래쪽 절반에서, 제 1 그룹의 열 전극(12B)은 디스플레이(11)의 하단에서 열 방향으로 디스플레이 중간까지 뻗어 있다. 제 2 그룹의 열 전극(12A)은 디스플레이의 중간에서 열 방향으로 디스플레이 상단까지 뻗어 있다. 이들 2개 그룹의 열 전극(12B,12A) 각각은 열 방향으로 별개의 픽셀 그룹(32)을 이루고, 픽셀 그룹(32) 각각은 별개의 드라이버 칩렛(20)에 의해 제어된다. 도 1a-1d(및 도 2a-2g)의 예에서, 열 드라이버 칩렛(20)은 제어되는 픽셀 그룹(32) 바로 아래에 위치해 있다. 도 1a의 예에서, 각 픽셀 그룹(32)은 외부 행 드라이버(21)에 의해 구동되는 다른 세트의 행 전극들(16)을 갖는다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "행" 및 "열" 지정은 임의이며 서로 바뀔 수 있다.

행 및 열 전극(16,12)의 보다 상세한 도면이 도 9에서 발견된다. 도 9를 참조하면, 기판(10)에 형성된 행 전극(16) 및 열 전극(12)은 픽셀 그룹(32)을 정의하는 픽셀 영역(30)을 형성하도록 중첩된다. 열 드라이버 칩렛(20)은 칩렛에 형성된 연결패드(24)를 통해 열 전극(12)에 전기 연결된다. 이 실시예에서, 행 드라이버 칩렛(23)은 행 드라이버 칩렛(23)에 형성된 연결패드(24)를 통해 열 전극(16)에 전기연결된다. 횡단면(8A,8A' 및 8B,8B')이 도 8a 및 도 8b에 예시되어 있다.

도 8a는 디바이스의 일실시예의 (도 9에 있는) 횡단면(8A,8A')이다. 도 8a를 참조하면, 절연 칩렛 기판(28)을 갖는 열 드라이버 칩렛(20)이 기판(10)에 부착되고 접착층(18)으로 매입된다. 열 드라이버 칩렛(20)은 회로(22)와 데이터 값 레지시터(26)를 포함한다. 열 전극(12)은 행 드라이버 칩렛(20)에 형성된 연결패드(24)에 전기연결된다. 발광재료(14) 위에 형성된 열 전극(12) 및 행 전극(16) 위에 발광재료(14)가 위치된다. (간략히 하기 위해 해당 열 전극이 도 9에서 생략되었으나, 행 전극(16)은 열 드라이버 칩렛(20) 위에 나타나 있다.) 발광재료(14)는 유기 및 무기 발광다이오드 기술분야에 알려진 바와 같이 다수의 발광재료층 뿐만 아니라 다양한 전하제어층들을 포함할 수 있다. 전극(12,16) 및 발광재료(14)는 발광다이오드(15)를 이룬다. 도 8b는 디바이스의 일실시예의 (도 9에 있는) 횡단면(8B,8B')이다. 도 8b를 참조하면, 절연 칩렛 기판(28)을 갖는 행 드라이버 칩렛(23)이 기판(10)에 부착되고 접착층(18)으로 매입된다. 행 드라이버 칩렛(23)은 회로(22)와 회전식 직렬 시프트 레지시터(27)를 포함한다. 행 전극(16)은 칩렛(23)에 형성된 연결패드(24)에 전기연결된다. 도 8a에서 열 전극(12)과 행 전극(16) 모두 겹치는 영역은 전류가 연결패드(24)를 통해 열 드라이버 칩렛(20) 및 행 드라이버 칩렛(23)에 의해 행 전극(16) 및 열 전극(12)으로부터 발광재료(14)를 지나고 열 드라이버 칩렛(20)과 행 드라이버 칩렛(23)에서 칩렛 회로(22)에 의해 제어될 때 광을 방출할 수 있는 픽셀(30)을 형성한다.

본 발명은 상단 이미터 구성 및 하단 이미터 구성 모두에 이용될 수 있다. 그러나, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 칩렛은 행 및 열 전극 아래 층에 위치되어 있고 기판 위 공간을 차지한다. 따라서, 디바이스의 방출 면적이 증가하게 상단 이미터 구성이 바람직할 수 있다.

열 드라이버 칩렛과 행 드라이버 배열을 갖는 다양한 픽셀 그룹들이 본 발명의 다양한 실시예들에 포함된다. 본 발명의 다른 실시예로 도 1b를 참조하면, 디스플레이 영역(11)을 갖는 기판(10)은 2개의 픽셀 그룹(32)과 열 전극(12)을 제어하는 2개의 열 드라이버 칩렛(20)을 포함한다. 그러나, 이 실시예에서, 각 픽셀 그룹(32)의 행 전극(16)은 2개의 외부 행 드라이버(21)와 함께 공동으로 구동된다. 2개의 외부 행 드라이버(21)는 추가 전류를 제공하고 전극 양단에 임의의 전압강하를 줄이기 위해 나란히 동일한 신호들로 동일 행 전극(16)을 구동한다. 이 실시예에서, 한 픽셀 그룹의 그룹 행 전극은 2 이상의 행 드라이버에 의해 공동으로 구동된다.

본 발명의 또 다른 실시예로 도 1c를 참조하면, 디스플레이 영역(11)을 갖는 기판(10)은 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)과 4개 픽셀 그룹 각각에 있는 열 전극(12)을 제어하는 4개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)을 포함한다. 도 1b의 실시예에서와 같이, 2개의 외부 행 전극(21)은 기판(10)의 어느 한 측면으로부터 행 전극(16)을 구동한다. 이 실시예에서, 픽셀 그룹(32A 및 32B)의 행 전극(16)은 동일 신호로 공동으로 구동되고, 픽셀 그룹(32C 및 32D)의 행 전극(16)은 동일 신호로 공동으로 구동된다. 따라서, 한 픽셀 그룹의 그룹 행 전극은 2 이상의 행 드라이버에 의해 공동으로 구동된다. 열 드라이버 칩렛(20A)은 열 드라이버 칩렛(20B)과 동기되어야 하고 열 드라이버 칩렛(20C)은 열 드라이버 칩렛(20D)과 동기되어야 한다. 이 실시예에서, 2 이상의 별개의 픽셀 그룹들은 공동으로 그룹 행 전극을 갖고 열 그룹의 행 전극은 2 이상의 행 드라이버에 의해 공동으로 구동된다.

도 1d를 참조하면, 디스플레이(11)를 갖는 기판(10)은 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)과 4개 픽셀 그룹 각각에 있는 절연된 열 전극(12)을 제어하는 4개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)을 포함한다. 도 1c의 실시예와 대조적으로, 도 1d의 실시예에서 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D) 각각은 절연된 외부 행 드라이버(21)에 전기 연결된 별개의 행 전극(16)을 갖는다. 이 실시예에서, 각 픽셀 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)의 행 전극(16)과 열 전극(12) 모두는 전기적으로 절연되고, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 임의의 다른 픽셀 그룹과는 독립적으로 제어된다.

도 1a-1d의 실시예는 디스플레이 영역(11) 외부의 행 드라이버(21)를 이용한다. 그러나, 대형 디스플레이 디바이스들에 대해, 열 전극은 이에 따라 길고, 도 1d의 실시예에 나타난 바와 같이 열 전극들이 반으로 분할되거나 도 1b 및 도 1c의 실시예에서와 같이 행 전극(16)이 2개의 행 드라이버(21)에 의해 디스플레이 영역의 각 측면으로부터 구동되더라도, 행 전극(12)을 따라 가능성 있는 전압강하와 행전극의 커패시턴스가 디바이스의 전체 성능을 크게 제한할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 행 드라이버는 칩렛으로 구현되고 열 드라이버 칩렛이듯이 디스플레이 영역 내에 위치해 있다.

일실시예로 도 2a를 참조하면, 디바이스는 디스플레이 영역(11)내 기판(10)에 형성된 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 갖고, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 별개의 그룹 행 및 열 전극(16,12), 별개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D), 및 별개의 행 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D)을 갖는다. 이 실시예에서, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 임의의 다른 픽셀 그룹과 독립적으로 동작될 수 있다. 행 및 열 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D,20A,20B,20C,20D)이 디스플레이 영역(11)에 위치해 있고, 도면에서, 행 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D)이 상기 행 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D)의 좌측의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 구동하는 반면 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)은 상기 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D) 위의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 구동한다. 가령, 픽셀 그룹(32A)은 열 드라이버 칩렛(20A)과 행 드라이버 칩렛(23A)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32B)은 열 드라이버 칩렛(20B)과 행 드라이버 칩렛(23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32C)은 열 드라이버 칩렛(20C)과 행 드라이버 칩렛(23C)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32D)은 열 드라이버 칩렛(20D)과 행 드라이버 칩렛(23D)에 의해 제어된다. 열 드라이버 칩렛에 의해 제어되는 열 전극(16)의 개수는 행 드라이버 칩렛에 의해 제어되는 행 전극(12)의 개수와는 다를 수 있음에 유의하라. 따라서, 행 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D)과 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)은 크기가 다르거나 연결패드의 개수가 다를 수 있거나 전극의 개수를 달리해 구동할 수 있다.

다른 실시예로 도 2b를 참조하면, 디바이스는 디스플레이 영역(11)내 기판(10)에 형성된 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 갖고, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 별개의 그룹 행(16) 및 별개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)을 각각 갖는다. 그러나 같은 행에서 행 전극(12)은 다수의 픽셀 그룹들 간에 공유되고 다수의 행 드라이버 칩렛들에 의해 동일 신호로 공동으로 구동된다. 각 행 전극(16)은 픽셀 그룹(32A 및 32B) 양단에서 전기적으로 연속적이다. 마찬가지로, 각 행 전극(16)은 픽셀 그룹(32C 및 32D) 양단에서 전기적으로 연속적이다. 행 및 열 드라이버 칩렛은 디스플레이 영역(11)에 위치해 있고 도면에서 각 열 드라이버 칩렛은 그 위에 바로 위치해 있는 픽셀 그룹을 구동한다. 도 2b는 행 전극이 수평으로 인접한 픽셀 그룹 쌍들 간에 공유되는 점에서 도 2a와 다르다. 가령, 픽셀 그룹(32A)은 열 드라이버 칩렛(20A) 및 행 드라이버 칩렛(23A 및 23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32B)은 열 드라이버 칩렛(20B)과 행 드라이버 칩렛(23A 및 23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32C)은 열 드라이버 칩렛(20C)과 행 드라이버 칩렛(23C 및 23D)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32D)은 열 드라이버 칩렛(20D)과 행 드라이버 칩렛(23C 및 23D)에 의해 제어된다. 이 실시예에서, 행 드라이버 칩렛(23A 및 23B)은 동일한 신호를 출력해야 하고 행 드라이버 칩렛(23C 및 23D)은 동일한 신호를 출력해야 한다.

마찬가지로, 이미지 정보가 적절히 우측 행에 디스플레이되도록 열 드라이버 칩렛(20A)은 열 드라이버 칩렛(20B)과 협력해야 하고 열 드라이버 칩렛(20C)은 열 드라이버 칩렛(20D)과 협력해야 한다. 전기적 공동 행 전극들과 나란히 2개의 행 드라이버 칩렛들을 이용함으로써 행 전극들을 공유한 픽셀 그룹들(가령, 32A 및 32B 또는 32C 및 32D) 간의 행 전극들에 전류 배분이 향상될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예의 도 2c를 참조하면, 디바이스는 디스플레이 영역(11)내 기판(10)에 형성된 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 갖고, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 별개의 그룹 행 전극(16) 및 별개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)을 각각 갖는다. 그러나, 행 전극(12)은 다수의 픽셀 그룹들 간에 공유되고 하나의 행 드라이버 칩렛에 의해 공동으로 구동된다. 행 및 열 드라이버 칩렛(23A,23B,20A,20B,20C,20D)이 디스플레이 영역(11)에 위치해 있고, 도면에서 각 행 드라이버 칩렛이 좌측의 행 전극을 구동하는 반면, 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D)은 각각 그 위에 픽셀 그룹을 구동한다. 도 2c는 단지 하나의 행 드라이버 칩렛이 행 전극을 구동하는 점에서 도 2b와 다르다. 가령, 픽셀 그룹(32A)은 열 드라이버 칩렛(20A)과 행 드라이버 칩렛(23A)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32B)은 열 드라이버 칩렛(20B)과 행 드라이버 칩렛(23A)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32C)은 열 드라이버 칩렛(20C)과 행 드라이버 칩렛(23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32D)은 열 드라이버 칩렛(20D)과 행 드라이버 칩렛(23B)에 의해 제어된다. 이 실시예에서, 열 드라이버 칩렛(20A 및 20B)이 협력되어야 하고 열 드라이버 칩렛(20C 및 20D)과 협력되어야 한다. 하나의 행 드라이버 칩렛을 이용함으로써 행 드라이버 칩렛의 개수가 줄어든다.

본 발명의 또 다른 실시예의 도 2d를 참조하면, 디바이스는 디스플레이 영역(11)내 기판(10)에 형성된 2개의 픽셀 그룹(32A 및 32B)을 갖고, 각 픽셀 그룹(32A 및 32B)은 별개의 그룹 행 전극(16) 및 별개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B)을 각각 갖는다. 행 전극(16)은 각 픽셀 그룹(32A 및 32B)에 고유하다. 각 그룹의 행 전극(16)은 2개의 독립된 행 드라이버 칩렛들에 의해 공동으로 구동된다. 가령, 픽셀 그룹(32A)은 열 드라이버 칩렛(20A) 및 행 드라이버 칩렛(23A 및 23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32B)은 열 드라이버 칩렛(20B) 및 행 드라이버 칩렛(23C 및 23D)에 의해 제어된다. 행 전극들에 대한 다수의 행 드라이버 칩렛을 이용함으로써 전극에 전류 분배가 향상된다.

본 발명의 또 다른 실시예의 도 2e를 참조하면, 디바이스는 디스플레이 영역(11)내 기판(10)에 형성된 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)을 갖고, 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 별개의 그룹 열 전극(16) 및 별개의 행 드라이버 전극(12)을 갖는다. 각 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)은 절연된 행 드라이버 칩렛 및 절연된 행 드라이버 칩렛을 갖는다. 그러나, 이 실시예에서, 행 드라이버는 2개의 전기연결된 칩렛을 포함한다. 가령 픽셀 그룹(32B)에 대한 행 드라이버는 칩렛(23B1) 및 칩렛(23B2)을 포함한다. 마찬가지로 픽셀 그룹(32D)에 대한 행 드라이버는 칩렛(23D1) 및 칩렛(23D2)을 포함한다. 칩렛 쌍은 한 칩렛에서 다음 칩렛으로 행 인에이블 신호를 이동시킴으로써 한 픽셀 그룹의 그룹 행 전극들을 제어하도록 함께 작동한다. 도면은 2개의 칩렛들을 나타내고 있으나, 본 발명의 다른 실시예들에서, 3, 4 또는 그 이상의 칩렛들이 직렬 연결되어 하나의 회전식 직렬 시프트 레지스터를 이룬다. 픽셀 그룹(32A 및 32C)은 또한 2개의 칩렛을 포함한 행 드라이버를 갖는다. 이는 가령 열 드라이버 칩렛의 의해 지원되는 열 전극에 의해 정의된 픽셀 개수가 하나의 행 드라이버 칩렛에 의해 지원될 수 있는 행 전극의 개수보다 더 많을 경우에 유용할 수 있다. 이는 행 드라이버 칩렛의 회로 복잡도가 열 드라이버 칩렛의 회로 복잡도보다 더 심하거나 행 드라이버 칩렛에 있는 연결패드의 개수가 열 드라이버 칩렛에 있는 연결패드의 개수 미만일 경우에 발생할 수 있다. 픽셀 그룹에서 행 전극(12)의 개수를 늘림으로써, 픽셀 그룹 및 행 드라이버 칩렛의 개수가 줄어든다.

도 2f는 12개 픽셀 그룹(32A-32L)을 갖는 본 발명의 실시예를 도시한 것이다. 공통 행 전극 및 공통 행 드라이버 칩렛을 갖는 픽셀 그룹이 쌍(가령 32A, 32B)으로 배열된다. 도 2g는 12개 픽셀 그룹(32A-32L)을 갖는 본 발명의 실시예를 도시한 것이다. 픽셀 그룹(32A-32F)의 그룹 행 전극은 픽셀 그룹(32G-32L)의 그룹 행 전극에서와 같이 전기적으로 공통이다. 각 행 드라이버는 하나의 회전식 직렬 시프트 레지스터를 이루는 2개의 칩렛을 구비한다. 픽셀 그룹 쌍은 행 드라이버를 공유한다. 따라서, 회전식 직렬 시프트 레지스터의 절반을 포함한 3개의 칩렛들이 픽셀 그룹(32A-32F)에 대해 공동으로 행 전극의 절반을 구동하는 한편 회전식 직렬 시프트 레지스터의 다른 절반을 포함한 3개의 칩렛들이 픽셀 그룹(32A-32F)에 대해 공동으로 행 전극의 나머지 절반을 구동한다. 픽셀 그룹(32G-32L)도 동일하게 구동된다. 이 배열은 행 전극들에서 우수한 전류 배분을 제공하고 열 드라이버 칩렛들의 개수를 줄이는 이점이 있다. 더 많거나 더 적은 열 드라이버 칩렛들을 갖는 유사한 배열들이 칩렛을 구동하고 각각의 회전식 직렬 시프트 레지스터를 구비한 더 많거나 더 적은 칩렛들도 본 발명의 범위내에 포함된다. 열 드라이버 및 행 드라이버 칩렛들의 개수는 적어도 칩렛의 전기적 특성, 행 및 열 전극의 특성, 행 및 열 전극의 중첩에 의해 형성된 픽셀 소자의 크기, 및 픽셀들이 데이터로 구동되는 비율(빈도)에 의해 결정된다.

도 2b, 2c 및 2d는 각 행 드라이버 칩렛에 의해 지원되는 픽셀 그룹의 개수가 변하는 본 발명의 다양한 실시예를 도시한 것이다. 일반적으로, 특정 디바이스에 대한 행 및 열 전극 커패시턴스와 전압강하를 평가함으로써 디바이스내 행 및 열 드라이버 칩렛의 개수를 판단하는데 유용하다. 행 및 열 드라이버 칩렛의 개수는 디바이스의 허용가능한 전기적 특성에 따라 선택될 수 있다. 열 드라이버 칩렛에 의해 지원되는 열 전극의 개수는 또한 열 드라이버 칩렛에 구성될 될 수 있는 연결패드의 개수 및 회로량에 의해 제한된다. 마찬가지로, 행 드라이버 칩렛에 의해 지원되는 행 전극의 개수도 행 드라이버 칩렛에 구성될 될 수 있는 연결패드의 개수 및 회로량에 의해 제한된다. 행 및 열 칩렛의 개수도 또한 디바이스에 디스플레이된 신호에 대한 필요한 재생률(refresh rate)에 의해 제한된다. 더 높은 재생률이 요구되면, 행 및 열 칩렛의 개수가 증가된다. 더 낮은 재생률이 요구되면, 행 및 열 칩렛의 개수는 감소된다.

도 10은 4개의 픽셀 그룹(32A,32B,32C,32D)의 다른 평면도로서, 각 픽셀 그룹은 별도의 행 전극(16) 및 열 전극(12)과 별개의 열 드라이버 칩렛(20A,20B,20C,20D) 및 행 드라이버 칩렛(23A,23B,23C,23D)을 갖는다. 칩렛 연결패드(24)가 나타나 있으나 칩렛들 또는 연결패드 및 전극 간에 와어어 연결이 되어 있지 않다. 이 도면에서, 픽셀 그룹(32A)은 열 컨트롤러(20A) 및 행 컨트롤러(23A)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32B)은 열 컨트롤러(20B) 및 행 컨트롤러(23B)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32C)은 열 컨트롤러(20C) 및 행 컨트롤러(23C)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹(32D)은 열 컨트롤러(20D) 및 행 컨트롤러(23D)에 의해 제어된다. 픽셀 그룹내 또는 기판 위에 칩렛의 상대 위치는 그룹 열 전극들이 해당 열 드라이버 칩렛에 적절히 연결되고 그룹 행 전극들이 해당 행 드라이버 칩렛에 적절히 연결되어 있는 한 중요하지 않다.

가령, 16개 전극들에 연결된 칩렛이 구성된다. 행 드라이버 칩렛은 128개 열로부터 전류를 제공할 수 있음이 또한 계산되었다. 3색 컬러의 480개 행 및 640개 열을 가진 디스플레이 디바이스는 921,600개 발광소자들을 갖는다. 스트라이프 구성으로, 이는 1,920개 열 및 480개 행과 같다. 따라서, 120개 열 드라이버 칩렛(각각 16개 전극을 지원)이 행 방향으로 요구된다. 적어도 30개의 행 드라이버 칩렛(각 16개 전극을 지원)이 열 방향으로 요구된다. 그러므로, 3,600개(120×30) 열 드라이버 칩렛들과 총 4050개 칩렛들에 대해 450개(1920/128 씩 30개)의 행 드라이버 칩렛들이 필요하다. 4개 소자(RGBW)로 (간략히 하기 위해 2048을 1024로 나눈 것으로 추정된) 고선명 디바이스용으로 칩렛당 32개 전극연결을 이용한 대형 디바이스 설계에서, 8192/1024 발광소자 어레이가 제어되어야 한다. 이 설계를 지원하기 위해, 디바이스 폭을 가로질러 256개(2048×4/32) 열 드라이버 칩렛들이 필요하고 디바이스 높이를 가로질러 32개(1024/32) 행 드라이버 칩렛들이 필요하다. 따라서, 8192개(256×32) 열 드라이버 칩렛들이 필요하다. 각 행 드라이버 칩렛이 256개 열을 지원할 수 있다고 가정하면, 총 9216개 칩렛들에 대해 1024개(8192×32/256) 행 드라이버 칩렛들이 필요하다. 가령, 도 2e에서와 같이 2개 칩렛을 포함한 회전식 직렬 시프트 레지스터가 이용되면, 열 드라이버 칩렛은 더 긴 와이어를 구동하고 더 많은 픽셀을 제어해야 하나, 몇개의 칩렛들이 이용에 필요하다. 가령, 회전식 직렬 시프트 레지스터가 32개 전극 연결을 각각 갖는 2개 칩렛들을 갖는 64개 행들을 제어하면, 단지 5120개 칩렛들(4096개 열 드라이버 칩렛과 1024개 행 드라이버 칩렛)만이 필요하나 픽셀 그룹은 2배가 된다.

행을 스캔함으로써 제어되는 임의의 픽셀 어레이에서는, 명멸이 관심이다. 대표적으로, 패시브-매트릭스 디스플레이 디바이스는 약 100개 행들로 제한된다. 그보다 더 많은 행들이 포함되면, 드라이버는 행들을 통해 인식가능한 명멸을 방지할 정도로 충분히 빠르게 순환할 수 없다. 대조적으로, 본 발명은 전극들이 훨씬 더 빠른 속도로 제어될 수 있도록 전극 길이가 크게 줄어드는 이점을 제공한다. 더욱이, 별도로 제어되는 픽셀 그룹들을 형성함으로써, 다수의 행들이 동시에 인에이블되어, 순차적으로 구동되는 행들의 개수를 크게 줄인다. 그러므로, 본 발명을 이용해, 우수한 이미지 품질을 제공하는 매우 큰 픽셀 어레이가 구성될 수 있다. 액티브-매트릭스 박막 트랜지스터들이 (일반적으로 고온에서) 기판에 전혀 구성될 필요가 없기 때문에, 제조비용이 크게 줄어들 수 있고 폭넓게 다양한 기판 재료들, 가령 가요성 플라스틱 기판이 이용될 수 있다.

본 발명의 일실시예로, 행 드라이버들은 한번에 하나의 행 전극을 선택하기 위해 회전식 직렬 시프트 레지스터를 포함한다. 도 3을 참조하면, 간단한 회로도는 행 드라이버에서 4개의 행을 제어하는 방식을 도시하고 있다. 행 드라이버는 하나의 행을 인에블시키기 위해 리셋신호에 응답하는 리셋회로와, 점진적으로 그리고 고유하게 하나의 행을 인에이블시키기 위해 행 셀렉트 신호를 수신하는 시프팅 회로를 포함한다. 일련의 4개 시프트 레지스터(29)가 연결되어 시프트 레지스터(29) 모두에 (시프트 레지스터 클록과 같은) 행 셀렉트 신호의 인가로, 각 시프트 레지스터에 있는 데이터가 다음 직렬연결된 시프트 레지스터(29)로 이동된다; 마지막 시프트 레지스터(29)에서의 데이터가 먼저 전달된다. 따라서, 회로는 회전식, 직렬 시프트 레지스터(27)를 제공한다. 리셋신호는 1로 설정된 첫번째를 제외하고 시프트 레지스터 모두를 0으로 설정한다. 1을 갖는 시프트 레지스터(29)는 회전식 직렬 시프트 레지스터(27)를 통해 한 값이 이동됨에 따라 각 행이 점진적으로 인에이블되고 단 하나의 행(R1,R2,R3,R4)만이 한꺼번에 인에이블되도록 해당 행(R1,R2,R3,R4)를 인에블시킨다. (해당기술분야에 공지된 바와 같이, 인에이블 및 디스에이블 신호들은 하이 또는 로우, 0 또는 1일 수 있고, 본 명세서에 설명된 신호레벨은 서로 바꿔질 수 있다)

연속으로 마지막 시프트 레지스터의 출력이 연속으로 제 1 시프트 레지스터의 입력에 연결되지만, 본 발명은 상기 실시예에 국한되지 않는다. 가령, 마지막 시프트 레지스터에 있는 데이터 값이 첫번째로 옮겨질 때 발생할 수 있는 동일 상태로 시프트 레지스터를 설정하도록 리셋신호가 주기적으로 이용될 수 있다. 리셋신호를 주기적으로 이용함으로써, 마지막 시프트 레지스터에서 첫번째 시프트 레지스터까지의 전기연결이 생략될 수 있어(그리고 이에 따라 대시선으로 도시됨), 행 드라이버의 배선 복잡를 줄인다. 이 배열은 다수의 칩들이 회전식 직렬 시프트 레지스터를 형성하도록 이용될 경우에 특히 유용한데, 이는 이 경우 마지막 시프트 레지스터에서 첫번째 시프트 레지스터까지의 생략된 전기연결이 칩렛 외부로 그리고 기판 위로 보내져야 한다. 더욱이, 멀티-칩렛 회전식 직렬 시프트 레지스터 실시예에서, 회전식 직렬 시프트 레지스터를 구비한 연결된 일련의 칩렛들에서 제 1 칩렛의 첫번째 레지스터만 인에이블 값으로 설정하는데 유용하다. 나머지 칩렛들은 칩렛내 첫번째 레지스터를 디스에이블 값으로 설정할 수 있다.

도 3에 도시된 회로의 보다 더 상세한 실시예이며 본 발명의 일실시예에 따른 도 4를 참조하면, (도 3에서 4개의 시프트 레지스터(29)라기 보다) 2개의 직렬연결된 시프트 레지스터(29A,29B)가 도시되어 있다. 제 2 시프트 레지스터(29B)의 출력부는 (연결(D)로 표시된 바와 같이) 제 1 시프트 레지스터(29A)에 연결된다. 2위상 클록이 나타낸 타이밍 도표와 함께 이용된다. 각 시프트 레지스터(가령, 29A)는 직렬 시프팅 회로를 이루는 2개의 커패시터(가령 61A,62A)와 4개의 트랜지스터(가령 52A,53A,54A,55A)를 포함한다. 회로를 리셋시키고 행 전극을 구동하기 위해 리셋회로를 이루는 리셋 트랜지스터가 이용된다. clk1이 하이이고 clk2가 로우일 때(clk1은 clk2의 역수임) 리셋신호가 트랜지스터(51A)에 인가되면, 제 1 커패시터(61A)는 충전되고 트랜지스터(52A)는 온되며, 제 2 커패시터(62A)는 충전되고 트랜지스터(53A)가 온되어, 시프트 레지스터(29B)에 하이 신호를 제공한다. 행 컨트롤 트랜지스터(55A)도 또한 행(R1)을 유일하게 인에블시키도록 온된다. 동일한 리셋신호가 트랜지스터(51B)를 통해 시프트 레지스터(29B)에 인가되면, 커패시터(61B,62B)가 방전되고, 트랜지스터(53B)는 온되며, 트랜지스터(52B,54B)가 로우로 밀려져 행 컨트롤 트랜지스터(55B)가 행(R2)을 오프시키고 신호(D)는 로우로 설정되어 진다. (같은 리셋회로가 제 1 시프트 레지스터(29A)를 회전식 직렬 시프트 레지스터의 멀티칩렛 실시에에서 로우 값으로 설정하는데 사용될 수 있다.)

그 후 리셋신호는 0으로 복귀하고 clk2가 인에이블된다(clk1은 디스에이블됨). 그리고 나서 트랜지스터(56B)를 통해 시프트 레지스터(29B)에 제공된 신호는 커패시터(61B)를 충전하고 트랜지스터(52B)를 온시킨다. 대조적으로, 신호(D)는 트랜지스터(56A)를 통해 커패시터(61A)를 소모시키고 트랜지스터(52A)를 오프시킨다. clk1이 연이어 인에블되고 clk2가 디스에이블되면, 제 1 커패시터(61B)에 저장된 값이 제 2 커패시터(62B)로 전달되며, 이로써 한 시프트 레지스터(29A)로부터 다음 레지스터(29B)로 완전한 데이터 이동이 수행된다. 그 후, 행(R1)이 디스에이블되고 행(R2)이 인에이블된다. 따라서, 도 4의 실시예는 다중위상 클록신호로 이동되는 이중 버퍼 레지스터(29A,29B)가 있는 회전식 직렬 시프트 레지스터(27)를 도시한 것이다. 도 5는 회전식 직렬 시프트 레지스터를 포함한 4개의 직렬연결된 이중버퍼의 다중 위상 시프트 레지스터(29)와 같은 회로를 도시한 것이다. 회로는 더 많은 시프트 레지스터(29)와 함께 필요한 만큼 많은 행들을 지원하도록 확장될 수 있고, 행 드라이버 칩렛 또는 일련의 행 드라이버 칩렛들에 맞을 수 있다. 회전식 직렬연결된 시프트 레지스터는 데이터를 또 다른 칩렛으로 전달하여 마지막 레지스터가 첫번째 레지스터의 입력부에 연결되는 한 필요한 만큼 길게 시프트 레지스터를 만들 수 있다(도 2e 참조).

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 열 드라이버 칩렛회로(20)가 도시되어 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 열 드라이버 칩렛회로(20)는 2개의 데이터 값 레지스터(26)를 포함하며, 각 데이터 값 레지스터(26)는 적어도 열 드라이버 칩렛이 연결된 픽셀 그룹에 열들이 있는 만큼이나 많은 아날로그 데이터 값들을 저장한다. 이 경우, 4개의 데이터 값 레지스터가 4개의 열 전극을 제어할 수 있는 칩렛에 대해 도시되어 있다. 데이터 값 레지스터(26)는 직렬 레지스터이고 데이터를 클록신호에 의해 제어되는 레지스터(26)로 옮김으로써 직렬 데이터 값 레지스터(26)에 저장된다. 어떤 데이터 값 레지스터(26)가 전달되고 어떤 열 전극 드라이버에 상기 데이터가 있도록 셀렉트 신호가 제어된다.

열 드라이버 칩렛(20)에 유용한 회로의 더 상세한 회로도가 도 7에 도시되어 있다. 클록신호에 의해 2개의 직렬연결된 아날로그 시프트 레지스터가 제어된다. 아날로그 시프트 레지스터는 해당기술분야에 공지되어 있으며 가령 CCD 및 CMOS 이미저(imagers) 모두에 이용된다. 이들은 일반적으로 다중위상 클록을 이용해 한 레지스터에서 다음 레지시터로 (커패시터 또는 반도체에서 전하들로 잘 표현되는) 아날로그 값을 이동시킨다. 셀렉트 신호와 그 역(逆)이 아날로그 데이터가 트랜지스터(70)를 통해 이동되는 데이터 값 레지스터를 선택한다. 마찬가지로, 셀렉트 트랜지스터(72)는 각 데이터 값 레지스터에 있는 아날로그 데이터 값을 열 전극 드라이버로 건네주어 픽셀 그룹에 있는 열 전극들(C1,C2,C3,C4)을 구동시킨다. 열 드라이버 칩렛들은 데이터 값의 전체 행이 선택되지 않은 데이터 값 레지스터를 통해 이동될 수 있도록 직렬연결될 수 있고, 데이터 값 레지스터에 있는 데이터가 열 전극들에 출력을 위해 선택되도록 셀렉트 신호가 스위치되며, 다른 데이터 값 레지스터가 클록신호를 이용해 데이터를 로딩하는 것에 유의하라. 이런 식으로, 데이터 값들이 번갈아 로딩되고 간단하고 효율적으로 열 전극들에 구동된다.

열 드라이버 칩렛 데이터 값 레지스터(26)에 있는 데이터를 선택하는데 사용되는 신호는 행 드라이버 회전식 직렬 시프트 레지스터(27)를 이동시키는데 사용될 수 있는 같은 신호라는 것을 주목하는 것이 유용하다.

도 6에 도시된 바와 같이, 열 드라이버 칩렛회로(20)는 2개의 직렬 시프트 레지스터(27)로부터 출력된 데이터를 번갈아 선택할 수 있다. 도 11에 도시된 본 발명의 다른 실시예에서, 한 직렬 시프트 레지스터(27)는 데이터를 칩렛으로 이동시키는데 이용될 수 있고 레지스터는 셀렉트 신호의 적용시 이동된 데이터를 저장하는데 사용된다. 그런 후, 저장된 데이터는 다음 데이터 세트가 직렬 시프트 레지스터로 이동되면서 열 전극을 제어하는데 사용될 수 있다. 이 실시예는 칩렛에 요구되는 회로량을 줄이는 이점이 있다.

본 발명은 종래 기술보다 절감된 비용을 제공한다. 종래의 액티브-매트릭스 백플레인들은 상대적으로 저성능 및 고가의 박막 반도체 재료를 이용한다. 행 드라이버 칩렛들은 연결패드 개수가 같거나 연결패드의 레이아웃이 같을 필요가 없다. 더욱이, 행 드라이버 칩렛들이 구동하는 행 개수는 열 드라이버 칩렛들이 구동하는 열 개수와 같을 필요가 없다. 행 드라이버 및 열 드라이버 칩렛은 이들이 해당 행 또는 열 전극들에 전기 연결되는 한 폭넓게 다양한 위치들에 위치해 있을 수 있다. 위치들은 일반적으로 칩렛에 전기연결하기 위해 라우팅 경로를 제공하고 이용된 제조공정들에 적합한 필요한 위치 허용오차에서 서로 칩렛들을 이격시키도록 선택된다. 더욱이, 행 드라이버 칩렛들의 기술, 공정 또는 구성은 열 드라이버 칩렛들의 기술, 공정 또는 구성과 다를 수 있다. 구성은 행 및 열 드라이버 칩렛들을 구성하는데 이용되는 공정 한계, 재료, 및 이용되는 제조과정을 말한다. 가령, 한 칩렛은 디지털 설계, 공정 및 재료를 이용할 수 있는 반면 다른 칩렛은 아날로그를 이용한다. 대안으로, 한 칩렛은 상대적으로 고전압의 설계, 공정 및 재료를 이용할 수 있는 반면 다른 칩렛은 상대적으로 저전압을 이용한다. 다시, 한 칩렛은 반도체 기판 재료 또는 도핑(가령, n 또는 p 도핑)을 이용할 수 있는 반면 다른 칩렛은 다른 재료 또는 도핑을 이용한다. 칩렛은 또한 다른 회로구성도를 이용할 수 있다. 별도의 구동방향을 제어하는 칩렛은 이미지 데이터를 수신하는 회로를 필요로 하며 출력당 이미지 데이터에 대한 하나 이상의 메모리 위치들을 필요로 하고, 더 작은 선폭의 반도체 공정으로 구현될 때 상대적으로 작은 전류들과 기능들을 더 잘 제어한다. 공통 구동방향을 제어하는 칩렛은 이미지 데이터를 수신하거나 이미지 데이터 메모리가 필요하지 않지만, 더 넓은 선폭의 반도체 공정으로 구현될 때 상대적으로 큰 전류 및 이에 따른 더 나은 기능을 전환하는데 필요하다.

본 발명의 다른 실시예에서, 칩렛 연결패드(24)는 행 또는 열 전극(16,12)에 직접 연결될 수 있다. 그러나, 이런 연결들로 칩렛이 필요한 것보다 더 커지게 할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 칩렛은 상기 칩렛의 가장자리가 행 또는 열 전극과 정렬되는 것을 포함해 픽셀 그룹 및 기판에 대해 임의의 방향으로 정렬될 수 있다. 실제로, 다른 칩렛들은 다르게 정렬될 수 있다. 게다가, 디스플레이 디바이스는 기판 위에 분포된 복수의 행 드라이버 칩렛들과 절연된 복수의 열 드라이버 칩렛들을 포함할 수 있고, 각 칩렛은 긴 치수와 짧은 치수를 가지며, 행 드라이버 칩렛의 긴 치수는 열 드라이버 칩렛의 긴 치수에 직각이다. 이런 배열은 단층, 가령, 금속층에서 버스의 라우팅을 용이하게 한다. 칩렛은 직사각형일 수 있고, 직사각형의 2개의 마주보는 면들은 다른 2개의 마주보는 면들보다 더 길며, 긴 측면과 짧은 측면을 갖는 큰 종횡비를 갖는 칩렛을 정의한다. 칩렛의 긴 측면은 행 전극 또는 열 전극과 같은 방향으로 정렬될 수 있다. 가령, 행 드라이버 칩렛의 긴 측면과 열 전극을 그리고 열 전극의 긴 측면과 행 전극을 정렬하는데 유용할 수 있다.

연결패드는 열 전극에 배선으로 연결될 수 있다. 바이어스가 한 배선층에서 또 다른 배선층으로 또는 연결패드로의 연결에 이용될 수 있고 가령 열 전극들과 전기단락을 방지하기 위해 열 전극들 사이에 형성된다. 상당한 배선이 연결패드를 행 및 열 전극에 전기연결하는데 필요할 수 있기 때문에, 상단 전극은 투명하고 하단 전극은 반사될 수 있는 상단 이미터 구성이 바람직할 수 있다. 기판은 또한 불투명일 수 있다.

칩렛들은 상대적으로 더 짧은 이웃면들보다 더 긴 칩렛의 상대적으로 더 긴 측면을 따라 하나의 행 또는 다수의 행을 가질 수 있다. 행 드라이버 칩렛에서 회로도는 열 드라이버 칩렛에서 회로도와 다를 수 있다. 특히, 행 드라이버는 데이터 전송속도가 낮은 매우 간단한 회로를 이용할 수 있으나 열 드라이버에 비해 큰 전류를 전환시킬 수 있다. 게다가, 행 드라이버 칩렛에 의해 제어된 행 개수는 열 드라이버 칩렛에 의해 구동된 열 개수와 다를 수 있다. 따라서, 다른 회로들이 다른 드라이버 또는 심지어 다른 드라이버를 만드는데 이용되는 다른 제조공정이나 기술에 이용될 수 있다.

칩렛은 버스 또는 멀티버스(명확히 하기 위해 도면에 미도시됨)를 통해 외부 컨트롤러에 연결될 수 있다. 버스는 직렬, 병렬 또는 점대점 버스일 수 있고 디지털 또는 아날로그일 수 있다. 직렬 버스는 한 칩렛에서 전기적으로 절연된 전기연결부의 다음 칩렛으로 데이터가 재전송되는 버스인 반면, 병렬 버스는 전기적으로 공통인 전기연결부상의 칩렛들 모두로 데이터가 동시에 제공되는 버스이다. 버스는 전력, 접지, 데이터, 또는 셀렉트 신호와 같은 신호들을 제공하도록 칩렛에 연결된다. 하나 이상의 컨트롤러에 별개로 연결된 하나 이상의 버스가 이용될 수 있다.

동작시, 컨트롤러는 디스플레이 디바이스의 필요에 따라 정보 신호를 수신하고 처리하며 하나 이상의 버스를 통해 처리된 신호와 제어정보를 디바이스에 있는 각 칩렛에 전송한다. 처리된 신호는 관련된 행 및 열 드라이버 칩렛들에 해당하는 각 발광 픽셀소자에 대한 휘도 정보를 포함한다. 휘도 정보는 각 발광 픽셀소자에 따라 아날로그 또는 디지털 저장소자에 저장될 수 있다. 그런 후 칩렛은 순차적으로 이들이 연결되는 행 및 열 전극을 활성화시킨다. 픽셀에 대한 행 및 열 전극 모두가 활성화되면, 전류가 행 및 열 전극에 의해 정의된 픽셀을 통해 흘러 광을 방출할 수 있다. 일반적으로, 픽셀 그룹내 행 전극의 전체 그룹 또는 열 전극 전체 그룹은 그룹 열 전극 모두와 한 행 전극(또는 그 반대)을 한꺼번에 활성화시킴으로써 동시에 활성화된다. 열 전극은 행에 있는 각 픽셀에 필요한 개개의 휘도를 제공하도록 제어된다. 그런 후 제 2 행이 선택되고 모든 행들이 활성화되고 모든 픽셀들이 광을 방출할 때까지 공정이 반복된다. 그리고 나서 공정은 반복될 수 있다. 별개의 픽셀 그룹들이 독립적으로 기능할 수 있다. "행" 또는 "열" 지정은 임의이며 행 및 열 전극의 기능은 바뀔 수 있음에 유의하라.

디스플레이 디바이스에서 별개의 행(또는 열)의 순차적 활성화로 명멸이 포함될 수 있으나, 다수의 독립적으로 제어되는 픽셀 그룹을 이용함으로써 각각 별도로 제어되는 픽셀 그룹의 행 또는 열 개수가 감소된다. 픽셀 그룹이 동시에 활성화되기 때문에, 명멸이 크게 줄어들 수 있다. 더욱이, 그룹 행 전극 및 그룹 열 전극은 한 픽셀 그룹내에서만 연결될 수 있기 때문에, 그룹 행 전극과 그룹 열 전극은 단락될 수 있어, 전극 커패시턴스와 저항 및 칩렛에서 고전력 구동회로 필요성이 줄어들고 디스플레이의 전력소비가 줄어든다. 따라서, 각 픽셀 행(또는 열)이 광을 방출하는 시간 부분이 증가되어, 명멸이 줄어들고 전류 밀도가 소정의 휘도로 줄어든다.

버스는 타이밍(가령, 클록)신호, 데이터 신호, 셀렉트 신호, 전력연결 또는 접지연결을 포함한 다양한 신호들을 제공할 수 있다. 신호들은 아날로그 또는 디지털, 가령 디지털 어드레스 또는 데이터 값일 수 있다. 아날로그 데이터 값은 전하로 제공될 수 있다. 저장 레지스터는 (가령 플립-플롭을 포함한) 디지털이거나 (가령 전하를 저장하기 위한 커패시터를 구비한) 아날로그일 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에서, 기판 위에 분포된 행 드라이버 또는 열 드라이버 칩렛은 같을 수 있다. 그러나, 고유의 식별값, 즉, ID가 각 칩렛과 관련있을 수 있다. ID는 칩렛이 기판 위에 위치되기 전에 또는 바람직하게는 후에 할당될 수 있고 ID는 기판 상에서 칩렛의 상대 위치를 반영할 수 있다. 즉, ID는 어드레스일 수 있다. 가령, ID는 행 또는 열에서 한 칩렛에서 다음 칩렛으로 카운트 신호를 보냄으로써 할당될 수 있다. 별개의 행 또는 열 ID 값들이 사용될 수 있다.

컨트롤러는 칩렛으로 구현될 수 있고 기판에 부착될 수 있다. 컨트롤러는 기판의 외주에 위치될 수 있거나 기판 외부에 있을 수 있고 종래 집적회로를 포함할 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 칩렛은 다양한 방식으로 가령 칩렛의 긴 치수를 따라 연결패드의 하나 또는 2개의 행들로 구성될 수 있다. 상호연결 버스 및 와이어가 다양한 재료들로부터 이루어질 수 있고 디바이스 기판에 증착을 위한 다양한 방법들을 이용할 수 있다. 가령, 상호연결버스와 와이어는 증발 또는 스퍼터링되는 금속, 예컨대 알루미늄 또는 알루미늄 합금일 수 있다. 대안으로, 상호연결버스와 와이어는 경화성 도전성 잉크 또는 금속 산화물로 제조될 수 있다. 한가지 비용이점적인 실시예에서, 상호연결버스와 와이어는 단층으로 형성된다.

본 발명은 복수의 칩렛들이 규칙적인 배열로 디바이스 기판 위에 배열되는 대형 디바이스 기판, 가령, 유리, 플라스틱, 또는 호일(foil)을 이용한 멀티픽셀 디바이스 실시예에 특히 유용하다. 각 칩렛은 칩렛의 회로도에 따라 그리고 컨트롤 신호에 응답해 디바이스 기판(10) 위에 형성된 복수의 픽셀들을 제어할 수 있다. 개개의 픽셀 그룹 또는 멀티픽셀 그룹은 전체 디스플레이를 형성하도록 어셈블리될 수 있는 타일식 소자들에 위치될 수 있다.

본 발명에 따르면, 칩렛은 기판 위에 분포된 픽셀 컨트롤 소자를 제공한다. 칩렛은 디바이스 기판에 비해 상대적으로 작은 집적회로이며 별개의 기판에 형성된 와이어, 연결패드, 레지스터 또는 커패시터와 같은 패시브 구성부품, 또는 트랜지스터 또는 다이오드와 같은 액티브 구성부품을 포함한 회로를 구비한다. 칩렛들은 디스플레이 기판으로부터 별개로 제조되고 그런 후 디스플레이 기판에 부착된다. 칩렛은 반도체 디바이스를 제조하기 위한 알려진 공정을 이용해 바람직하게는 실리콘 또는 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼를 이용해 제조된다. 각 칩렛은 디바이스 기판에 부착하기 전에 분리된다. 따라서 각 칩렛의 결정 베이스는 디바이스 기판으로부터 분리되고 칩렛 회로가 배치되는 기판으로 간주될 수 있다. 그러므로 복수의 칩렛들이 디바이스 구조로부터 서로 분리된 해당하는 복수의 기판을 갖는다. 특히, 별개의 기판들은 픽셀이 형성되는 기판으로부터 분리되고 함께 취합되는 독립된 칩렛 기판들의 면적이 디바이스 기판보다 더 작다. 칩렛들은 가령 박막 비정질 또는 다결정 실리콘 디바이스에서 발견되는 것보다 더 큰 성능의 액티브 구성부품을 제공하는 결정 기판을 가질 수 있다. 칩렛은 두께가 바람직하게는 100㎛ 이하, 더 바람직하게는 20㎛ 이하일 수 있다. 이는 칩렛 위에 종래 스핀코팅 기술을 이용해 적용될 수 있는 접착재 및 평탄화 재료의 형성을 용이하게 한다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 결정 실리콘 기판에 형성된 칩렛은 기하학적 어레이로 배열되고 접착재 및 평탄화 재료로 디바이스 기판에 부착된다. 각 칩렛을 신호 와이어, 파워 버스, 및 행 또는 열 전극에 연결해 픽셀을 구동시키기 위해 칩렛의 표면에 연결패드가 이용된다. 칩렛은 적어도 4개의 픽셀을 제어할 수 있다.

칩렛이 반도체 기판에 형성되기 때문에, 칩렛의 회로도는 현대 리소그래피 도구들을 이용해 형성될 수 있다. 이런 도구들로, 0.5 마이크론 이하의 피처 크기가 쉽게 이용가능해진다. 가령, 현대 반도체 제조라인들은 90㎚ 또는 45㎚의 선폭을 달성할 수 있고 본 발명의 칩렛을 제조하는데 이용될 수 있다. 그러나, 칩렛은 또한 디스플레이 기판에 어셈블리되는 칩렛들 위에 제공된 배선층에 전기연결하기 위한 연결패드를 필요로 한다. 연결패드는 디스플레이 기판에 사용된 리소그래피 도구의 피처 크기(가령 5㎛) 및 배선층에 칩렛의 정렬(가령 ±5㎛)을 기초로 크기 맞추어져야 한다. 따라서, 연결패드는 가령 패드들 간에 5㎛ 간격을 가지며 폭이 15㎛일 수 있다. 이는 패드들이 일반적으로 칩렛에 형성된 트랜지스터 회로보다 상당히 더 커지게 된다.

패드들은 일반적으로 트랜지스터 위의 칩렛 상의 금속화층에 형성될 수 있다. 이는 저가의 제조비용을 가능하도록 가능한 한 작은 표면적을 갖게 칩렛을 만드는 것이 바람직하다.

기판(가령, 비정질 또는 다결정 실리콘)에 직접 형성된 회로들보다 성능이 더 큰 회로도를 갖는 (가령, 결정 실리콘을 포함한) 별도의 기판들과 함께 칩렛을 이용함으로써, 더 큰 성능을 가진 디바이스가 제공된다. 결정 실리콘은 성능이 더 클뿐만아니라 액티브 소자(가령, 트랜지스터)가 훨씬 더 작기 때문에, 결정크기가 훨씬 줄어든다. 가령 윤(Yoon), 리(Lee), 양(Yang) 및 장(Jang)의 논문 "A novel use of MEMs switches in driving AMOLED", Digest of Technical Papers of the Society for Information Display, 2008년, 3월 4일, p. 13에 기술된 바와 같은 MEMS 구조를 이용해 유용한 칩렛이 또한 형성될 수 있다.

디바이스 기판은 해당 기술분야에 공지된 포토리소그래피 기술로 패턴화된 평탄화층(가령, 수지) 위에 형성된 증발되거나 스퍼터링된 금속 또는 금속 합금, 가령, 알루미늄 또는 은으로 제조된 배선층과 유리를 포함할 수 있다. 칩렛은 직접회로 산업에서 잘 확립된 종래 기술을 이용해 형성될 수 있다.

본 발명은 멀티픽셀 하부구조를 갖는 디바이스에 이용될 수 있다. 특히, 본 발명은 유기 또는 무기의 LED 디바이스로 실시될 수 있고, 정보 디스플레이 디바이스에 특히 유용하다. 바람직한 실시예에서, 본 발명은 1988년 9월 6일자로 간행된 탕 등(Tang et al)의 미국특허 No. 4,769,292 및 1991년 10월 29일자로 간행된 반슬리케 등(VanSIyke et al)의 미국특허 No. 5,061,569에 개시되나 이에 국한되지 않는 작은 분자 또는 폴리머 OLED로 구성된 플랫-패널 OLED 디바이스에 이용된다. 예컨대, (가령 카헨(Kahen)의 미국특허출원 2007/0057263에 개시된 바와 같이) 다결정 반도체 매트릭스에 형성된 양자 도트를 이용하고 유기 또는 무기 전하제어층을 이용한 무기 디바이스 또는 하이브리드 유기/무기 디바이스가 이용될 수 있다. 유기 또는 무기 발광 디스플레이의 많은 조합 및 변형들이 상단 또는 하단 이미터 구조를 갖는 액티브-매트릭스 디스플레이를 포함한 이런 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있다.

본 발명은 특히 소정의 바람직한 실시예를 참조로 설명하였으나, 본 발명의 기술사상 및 범위 내에서 변형 및 변경들이 달성될 수 있음을 알아야 한다.

C1-C4 열
R1-R4 행
D 신호
8A 열 드라이버 칩렛 횡단면
8A' 열 드라이버 칩렛 횡단면
8B 행 드라이버 칩렛 횡단면
8B' 행 드라이버 칩렛 횡단면
10 기판
11 디스플레이 영역
12 열 전극
12A,12B 열 전극 그룹
14 발광재료
15 발광 다이오드
16 행 전극
16A 행 전극 그룹
16B 행 전극 그룹
18 접착층
20 열 드라이버 칩렛
20A 열 드라이버 칩렛
20B 열 드라이버 칩렛
20C 열 드라이버 칩렛
20D 열 드라이버 칩렛
21 행 드라이버
22 회로도
23 행 드라이버 칩렛
23A 행 드라이버 칩렛
23B 행 드라이버 칩렛
23C 행 드라이버 칩렛
23D 행 드라이버 칩렛
23B1 칩렛
23B2 칩렛
23D1 행 드라이버 칩렛
23D2 행 드라이버 칩렛
24 연결패드
26 데이터 값 레지스터
27 회전식 직렬 시프트 레지스터
28 칩렛 기판
29 시프트 레지스터
29A 시프트 레지스터
29B 시프트 레지스터
30 픽셀
32 픽셀 그룹
32A 픽셀 그룹
32B 픽셀 그룹
32C 픽셀 그룹
32D 픽셀 그룹
32E 픽셀 그룹
32F 픽셀 그룹
32G 픽셀 그룹
32H 픽셀 그룹
32I 픽셀 그룹
32J 픽셀 그룹
32K 픽셀 그룹
32L 픽셀 그룹
40 컨트롤러
50 트랜지스터
51A,51B 트랜지스터
52A,52B 트랜지스터
53A,53B 트랜지스터
54A,54B 트랜지스터
55A,55B 트랜지스터
56A,56B 트랜지스터
61A,61B 커패시터
62A,62B 커패시터
70 트랜지스터
72 트랜지스터

Claims (15)

1. a) 디스플레이 영역을 갖는 기판;
   b) 행 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 행 전극과 행 방향과는 다른 열 방향으로 뻗어 있는 디스플레이 영역내 기판 위에 형성된 복수의 열 전극;
   c) 2 이상의 별개의 픽셀 그룹들로 나누어지고, 각 픽셀 그룹은 그룹 행 전극 및 별도의 그룹 열 전극을 갖는 픽셀;
   d) 디스플레이 영역에 위치된 2 이상의 이격된 열 드라이버 칩렛;
   e) 행 전극에 연결된 하나 이상의 행 드라이버(들); 및
   f) 행 및 열 전극은 픽셀을 형성하기 위해 중첩되고, 각 열 드라이버 칩렛은 각 픽셀 그룹에 고유하게 연결되고, 각 열 드라이버 칩렛은 2개의 서로 다른 픽셀 그룹들 사이에 위치되며, 각 열 드라이버 칩렛은 하나의 픽셀 그룹의 그룹 열 전극을 구동하도록 형성되고, 행 드라이버와 열 드라이버 칩렛은 협력해서 행 및 열 전극을 각각 구동하여 픽셀을 활성화시키고, 행 드라이버는 한 번에 하나의 행 전극을 선택하기 위한 회전식 직렬 시프트 레지스터를 포함하는 디스플레이 디바이스.
2. 제 1 항에 있어서,
   행 드라이버는 하나의 행을 인에이블시키기 위해 리셋신호에 응답하는 리셋회로와 점진적으로 고유하게 하나의 행을 인에이블시키기 위해 행 셀렉트 신호를 수신하는 시프팅 회로를 더 구비하는 디스플레이 디바이스.
3. 제 1 항에 있어서,
   회전식 직렬 시프트 레지스터는 다중위상 신호로 이동되는 이중버퍼식 레지스터인 디스플레이 디바이스.
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제

Images