KR101740017B1 - Rf mems 스위치 - Google Patents

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KR101740017B1
KR101740017B1 KR1020150047589A KR20150047589A KR101740017B1 KR 101740017 B1 KR101740017 B1 KR 101740017B1 KR 1020150047589 A KR1020150047589 A KR 1020150047589A KR 20150047589 A KR20150047589 A KR 20150047589A KR 101740017 B1 KR101740017 B1 KR 101740017B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 RF MEMS 스위치는 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 밀봉된 공간을 형성하는 절연 부재, 공간 내의 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 전극, 공간 내의 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제1 전극과 마주하는 제2 고체 전극, 제1 전극 위에 위치하는 액체 금속층, 제2 전극 위에 위치하는 나노 전극을 포함하고, 액체 금속층과 상기 나노 전극은 이격되어 위치한다.

Description

RF MEMS 스위치{RF MEMS SWITCH}
본 발명은 RF 스위치에 관한 것으로, 특히 RF MEMS 스위치에 관한 것이다.
RF 스위치는 RF 신호의 개폐나 접속 상태를 변경하는데 사용된다. 예를 들면, 미세가공기술을 이용하여 제작된 RF MEMS(Radio Frequency Micro Electro Mechanical Systems) 스위치가 있다.
또한 미세가공기술을 이용한 RF MEMS 스위치는 기계적인 구동과 고체-고체(solid to solid) 접촉의 한계로 인하여, 오염(contamination) 및 마모(wear)를 발생시키며, 이로 인하여 미세 입자(particle)를 발생시킨다. 미세가공기술을 이용한 RF MEMS 스위치는 고체-고체 접촉을 형성하므로 실질적인 접촉 면적을 매우 작게 형성하고, 이로 인하여, 전달되는 신호의 파워를 제한하게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 다양한 방안 중, 일례로써, 고체-고체 접촉이 아닌 고체-액체(solid to liquid) 접촉을 이용하는 방식의 RF MEMS 스위치가 개발되고 있다. 예를 들면, 미세 액체 금속 액적을 이용한 RF MEMS스위치가 있다.
미세 액체 금속 액적을 이용한 RF MEMS 스위치는 고체-액체 접촉으로 인한 오염 및 마모와 같은 문제점들을 해결할 수 있고, 넓은 실제 접촉 면적을 형성하여 큰 신호의 파워를 전달할 수 있다.
미세 액체 금속 액정을 이용한 RF MEMS 스위치는 액체 금속 이동형과 액체 금속 고정형으로 나뉠 수 있다. 이중 액체 금속 이동형은 구동 속도가 느린 단점이 있다.
그리고, 액체 금속 고정형은 액체 금속으로Hg또는 Ga를 기반으로 사용할 수 있다. Hg기반의 액체 금속일 경우 환경 오염을 유발하고 표면 장력이 높아 비젖음성이 강하므로 Hg액체 금속이 신호 전달부에 젖지 않아 전기적으로 연결하기 어려운 문제점이 있다. 그리고 Ga기반 액체 금속일 경우 액체 금속과 고체 전극간 비접촉시 액체 금속 일부가 분리되어 고체 전극으로 이형되는 현상이 발생하고, 이에 따라서 구동속도가 느려지고 스위치의 수명이 단축되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 액체 금속과 고체 전극간의 분리시에 액체 금속의 일부가 고체 전극으로 이형되지 않아, 구동 동작이 빠르고 수명이 개선된 RF MEMS 스위치를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치는 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 밀봉된 공간을 형성하는 절연 부재, 공간 내의 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 전극, 공간 내의 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제1 전극과 마주하는 제2 고체 전극, 제1 전극 위에 위치하는 액체 금속층, 제2 전극 위에 위치하는 나노 전극을 포함하고, 액체 금속층과 상기 나노 전극은 이격되어 위치한다.
상기 나노 전극은 카본 나노튜브, Si, Ge 등의 반도체 나노선, TiO2 , ZnO 등의 금속 산화물 나노선, Au, Ag, Pd, Pt 등의 금속 나노선 중 어느 하나로 이루어지는 나노 구조체를 포함할 수 있다.
상기 나노 전극은 상기 제2 전극으로부터 상기 액체 금속층을 향해서 돌출된 복수의 기둥형 나노 구조체를 포함할 수 있다.
상기 나노 구조체의 높이는 0.1㎛ 내지 100㎛이고, 나노 구조체의 지름은 0.05㎛ 내지 1㎛일 수 있다.
상기 액체 금속층은 Hg, Ga 또는 Ga 합금 을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판은 가요성 기판일 수 있다.
상기 제2 기판은 정전기력, 모터 구동, 또는 공압에 의해서 상기 액체 금속층 방향으로 휘어질 수 있다.
상기 나노 전극은 상기 액체 금속층에 대해서 비젖음성 특성을 가질 수 있다.
상기 액체 금속층은 상기 나노 전극의 표면에 대해서 접촉각이 90° 보다 큰 구형일 수 있다.
상기 밀봉된 공간은 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판으로 갈수록 폭이 증가할 수 있다.
본 발명에서와 같이 나노 전극을 형성하면, 액체 금속과 고체 전극간의 분리시에 액체 금속의 일부가 고체 전극으로 이형되지 않아, 구동 동작이 빠르고 수명이 개선된 RF MEMS 스위치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 전극을 촬영한 사진이고, 도3은 도 2의 나노 전극 위에 액체 금속층이 놓여진 상태를 도시한 사진이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 RF 스위치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치는 서로 마주하는 제1 기판(100) 및 제2 기판(200), 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 밀봉된 공간(33)을 형성하는 절연 부재(300), 제1 기판(100) 위에 위치하는 제1 전극(400), 제1 전극(400)과 마주하는 제2 전극(500), 제1 전극(400) 위에 위치하는 액체 금속층(600), 제2 전극(500) 위에 위치하는 나노 전극(550)을 포함한다.
제1 기판(100)은 절연 물질로, 유리, 석영(quartz) 또는 SiO2, Si, PI(polyimide), PMMA(polymethyl methacrylate), PET(polyethylene terephthalate), PP(polypropylene), FRP(fiber-reinforced plastic), PDMS(polydimethylsiloxane) 등의 고분자 물질 등으로 이루어질 수 있다.
제2 기판(200)은 제1 기판(100)보다 유연하여 정전기력, 모터 구동, 공압 등에 의해서 휘어지는 가요성 기판일 수 있으며, 예를 들어 PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PP(polypropylene), PC(polycarbonate), PDMS(polydimethylsiloxane) 등의 고분자 물질 또는 200㎛이하의 유리, Si 등으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(400)과 제2 전극(500)은 구동부에 의해서 전달되는 RF 신호를 입력하거나 출력한다. 제1 전극(400)과 제2 전극(500)은 Pt, Rh, Ta, Au, Mo, W, Ti, TiN, Ag, Ni, CNT, Cu, Al, Cr, Ni 또는 이들의 합금, 그래핀(Graphene) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
절연 부재(300)는 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 사이에 위치하며, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)에 의해서 밀봉된 공간(33)을 가진다.
제1 전극(400) 및 제2 전극(500)은 밀봉된 공간(33) 내에 위치하며 서로 마주하도록 배치되어 있다.
액체 금속층(600)은 공간(33) 내의 제1 전극(400)과 접촉하고, 제2 전극(500)과는 이격되어 위치하여, Ga 또는 Ga합금을 포함하는 액체 금속으로 이루어진다. 액체 금속층(600)은 공간(33)의 형상에 맞게 변형될 수 있으므로, 공간(33)은 구동시에 액체 금속층(600)이 제2 전극(500)과 용이하게 접촉할 수 있는 형상으로 변형될 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 1에서와 같이 제1 전극(400)으로부터 제2 전극(500)으로 갈수록 공간의 폭이 증가하도록 형성할 수 있다.
나노 전극(550)은 제2 전극(500)의 표면으로부터 제1 전극(400)을 향해서 돌출된 형상으로, CNT(carbon nanotube), Si 또는 Ge로 이루어지는 반도체 나노선, TiO2 또는 ZnO로 이루어지는 금속 산화물 나노선, Au, Ag, Pd 또는 Pt로 이루어지는 금속 나노선 중 어느 하나로 이루어지는 나노선 형태의 나노 구조체를 포함할 수 있다.
나노 전극(550)은 복수의 나노 구조체를 포함할 수 있으며, 나노 구조체는 표면으로부터 돌출한 기둥 형상일 수 있다. 이때, 각각의 나노 구조체는 0.1㎛ 내지 100㎛의 높이로, 0.05㎛ 내지 1㎛의 지름을 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 단위 구조체 사이의 간격은 10배 이하인 것이 바람직하다.
나노 전극(550)의 표면은 액체 금속층(600)에 대해서 비젖음성 특성을 가진다. 즉, 액체 금속층(600)은 나노 전극(550) 표면과의 접촉각(θ)이 90° 보다 클 수 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 전극을 촬영한 사진이고, 도3은 도 2의 나노 전극 위에 액체 금속층이 놓여진 상태를 도시한 사진이다.
도 2에서는 Si로 나노 전극을 형성하였다. 도 2에 도시한 바와 같이 본 발명의 한 실시예에 따른 나노 전극은 기둥형인 복수의 나노 구조체가 형성되어 나노 전극을 이루는 것을 알 수 있다. 나노 구조체는 복수의 나노 구조체들이 일정한 간격으로 형성될 수 있으나, 도 2에서와 같이 복수의 나노 구조체들이 집합체를 이루어 형성될 수 있다.
도 2의 Si나노 구조체는 금속을 이용한 화학적 식각(Metal assisted chemical etching)으로 형성되며, 세정된 Si 웨이퍼 위에 200nm이하의 Pt박막을 형성하고, HF용액에 침지시켜 식각한 후 세정한 다음 질소가스로 건조시켜 형성된 나노 구조체이다.
도 3은 도 2에 도시한 나노 전극 위에 Ga 합금으로 액체 금속층을 형성하였다. 도 3을 참조하면, 나노 전극의 표면과 액체 금속층이 이루는 접촉각은 131°인 것을 알 수 있다. 이처럼, 접촉각이 90°보다 크면 액체 금속층은 구형에 가깝게 된다.
이처럼, 본 발명의 한 실시예에서는 나노 전극을 형성함으로써, 액체 금속층과 나노 전극 사이의 접촉각을 90° 보다 크게 함으로써, 액체 금속층의 형상이 구형과 가깝게 할 수 있다. 따라서 본 발명의 한 실시예에 따른 RF 스위치가 ON, OFF 될 때, 제2 전극에 의해서 나노 전극이 액체 금속층과 접촉한 후 용이하게 분리될 수 있어, 제2 전극 위에 액체 금속층이 잔류하는 현상을 방지할 수 있다.
구체적으로, 도 4와 기 설명한 도 1을 참조하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 RF 스위치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 RF MEMS 스위치는 액적을 이용하여, 제1 전극과 연결된 신호선을 따라 전달되는 신호의 개폐와 접속을 제어할 수 있다. RF MEMS 스위치는 제2 전극과 액체 금속층이 비접촉되어 설정된 임피던스를 유지할 때 RF 신호를 전달하는 캐패시턴스 타입과 제2 전극과 액체 금속층이 접촉하여 전기적으로 연결될 때 RF 신호를 전달하는 DC 접촉 타입일 수 있다.
따라서, RF 스위치는 도 1의 비접촉 상태에서 도 4의 접촉 상태로 변형되거나, 도 4의 접촉 상태에서 비접촉 상태로 변형되면서 RF 신호를 ON, OFF 할 수 있다.
이하에서는 공압(pneumatic)을 이용한 방식으로, 도 1의 비접촉 상태에서 도 4의 접촉 상태로 변형되는 것을 예로 설명한다.
제2 기판(500) 위에는 공압을 제공하기 위해서 공기가 밀봉된 가압 공간이 위치하고, 가압 공간은 밀봉 상태로 공압 펌프(pneumatic pump)와 연결될 수 있다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 RF 스위치의 제2 전극(500)은 액체 금속층(600)과 이격되어 위치한다. 이때, 공압 펌프는 작동하지 않는다. 이때, RF 스위치는 액체 금속층(600)가 밀봉된 공간에 위치하는 공기를 유전체로 작동하는 캐패시터 타입으로, 비접촉 상태에서 RF 신호가 전달되는 ON 상태이다.
이후, 도 4에 도시한 바와 같이, 공압 펌프를 작동시켜 가압하면, 가압 공간의 팽창에 의해서 제2 기판(200)이 액적 방향으로 휘어지면서 제2 전극(500)이 액적과 접촉하도록 이동한다. 이때, 제2 전극(500) 위에는 나노 전극(550)이 위치하므로, 나노 전극(550)과 액적 금속층(600)이 접촉할 때까지 가압한다.
따라서, 도 1과 같이 제2 전극(500)과 나노 전극(550)이 비접촉일 때 RF 신호가 전달되어, RF 스위치가 ON이면, 도 4에서와 같이 제2 전극(500)과 나노 전극(550)이 접촉하면 RF 스위치는 OFF 상태로 RF 신호가 더 이상 전달되지 않는다.
이후, 공압 펌프를 이용하여 가압 공간의 압력을 제거하면 제2 기판(200)은 도 1에서와 같이 원래의 상태로 돌아간다. 이처럼, 제2 기판(200)이 원래의 상태로 돌아가면서 나노 전극(550)은 액체 금속층(600)과 분리되어 RF 스위치는 ON 상태로 RF 신호가 다시 전달된다.
한편, 본 발명의 한 실시예에서는 제2 전극(500) 위에 나노 전극(550)이 형성되어 있으며, 액체 금속층(600)은 나노 전극(550)과 접촉한다. 따라서, 제2 전극(500)이 원래의 상태로 돌아가면서 나노 전극(550)도 액체 금속층(600)과 분리된다.
이때, 나노 전극(550)은 액체 금속층(600)에 대해서 비젖음성 특성을 가지므로, 나노 전극(550)이 용이하게 액체 금속층(600)으로부터 분리된다. 즉, 나노 전극(550)의 비젖음성 특성으로 인해서 액체 금속층으로부터 분리될 때 액체 금속층(600)의 일부가 나노 전극(550)에 딸려 가는 현상이 발생하지 않는다.
이하에서는 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치를 제조하는 방법에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 RF MEMS 스위치를 제조하는 방법은 제1 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계(S100), 절연 부재를 형성하는 단계(S110), 액적 적하하는 단계(S120), 제2 기판 위에 제2 전극을 형성하는 단계(S200), 제2 전극 위에 나노 전극 형성하는 단계(S210), 제1 제1 기판과 제2 기판을 결합하는 단계(S300)를 포함한다.
제1 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계(S100)와 제2 기판 위에 제2 전극을 형성하는 단계(S200)는 각각 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 위에 금속막을 형성한 후 패터닝하여 제1 전극(400) 및 제2 전극(500)을 형성한다.
절연 부재를 형성하는 단계(S110)는 제1 기판(500) 위에 제1 전극(400)을 덮도록 절연막을 형성한 후 패터닝하여 제1 전극(400)을 노출하는 개구부를 형성한다.
액적을 적하하는 단계(S120)는 개구부를 통해서 노출된 제1 전극(400) 위에 Ga 또는 Ga 합금으로 이루어지는 액적을 적하하여 액체 금속층(600)을 형성한다.
제2 전극 위에 나노 전극 형성하는 단계(S210)는 제2 전극(500) 위에 CNT(carbon nanotube), Si 또는 Ge로 이루어지는 반도체 나노선, TiO2 또는 ZnO로 이루어지는 금속 산화물 나노선, Au, Ag, Pd 또는 Pt로 이루어지는 금속 나노선 중 어느 하나로 이루어지는 나노선 형태의 복수의 나노 구조체를 포함하도록 나노 전극(550)을 형성한다.
나노 구조체의 높이는 0.1㎛ 내지 100㎛이고, 지름은 0.05㎛ 내지 1㎛이며, 이때 나노 구조체의 간격은 지름의 10배 이하인 것이 바람직하다.
나노 전극은 별도의 기판 위에 형성한 후 제2 전극 위에 부착시키거나, 제2 전극 위에 직접 나노 전극을 형성할 수 있다.
Si로 이루어지는 나노 전극은 별도의 기판에 Si 나노 구조체를 형성한 후 제2 전극 위에 부착시킬 수 있다. Si로 이루어지는 나노 구조체는 금속을 이용한 화학적 식각(Metal assisted chemical etching)으로 형성할 수 있다. 즉, 세정된 Si 웨이퍼 위에 200nm미낭의 Pt박막을 형성하고, HF용액에 침지시켜 식각한 후 세정한 다음 질소가스로 건조시켜 형성할 수 있다.
그리고 ZnO로 이루어지는 나노 전극은 제2 전극 위에 직접 ZnO로 이루어지는 나노 구조체를 성장시켜 나노 전극을 형성할 수 있다. ZnO로 이루어지는 나노 구조체는 10mM 내지300mM Zn(NO3)26H2O, 10mM 내지 300mM의 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4) 또는 이들에 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine)을 첨가한 ZnO성장 용액에 제2 전극이 형성된 제2 기판을 침지시켜, 전해 도금 또는 수열 합성 등의 방법으로 제2 전극 위에 직접 성장시킬 수 있다. 이때, 제2 전극은 ZnO를 성장시키기 위한 촉매 또는 씨드층으로 사용될 수 있다.
또한, CNT는 별도의 기판에 CNT를 성장시킨 후 제2 전극에 부착하거나, 제2 전극 위에 직접 성장시킬 수 있다.
한편, 별도의 기판에 나노 구조체를 형성한 경우, 나노 전극(550)은 나노 구조체가 형성된 기판을 준비하고, 나노 구조체를 제2 전극(500)과 접촉하도록 배치한 후, 상온 내지 350℃의 온도를 가하거나, 500㎫ 이하의 압력을 가하거나, 10㎑ 내지 70㎑의 고주파 진동을 가하여 압인 또는 금속 결합을 유도하여 나노 구조체와 제2 전극(500)을 접합시킨 후, 기판을 제거함으로써 제2 전극(500) 위에 나노 전극(550)을 형성할 수 있다.
이때, 제2 전극(500)과 나노 전극(550)의 접합을 용이하게 하기 위해서, 제2 전극(500) 위에 전도성 접합층(도시하지 않음)을 형성한 후, 전도성 접합층 위에 나노 전극을 형성할 수 있다. 전도성 접합층은 Ag, Sn, Bi, In, Ga 등의 금속 및 합금, 이들을 포함하는 고분자 복합체, PVDF(poly(vinylidenedifluoride)), PEDOT(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PPY(polypyrrole), PANI (poly aniline) 등의 전도성 고분자일 수 있다.
이후, 제1 기판과 제2 기판을 결합하는 단계(S300)는 제2 기판(500)의 나노 전극(550)이 개구부와 대응하도록 배치 한 후, 결합시킨다.
이때, 제1 기판과 제2 기판은 접착제를 도포한 후 열 또는 UV를 이용하여 경화시켜 결합할 수 있다. 또한, 압력을 가하거나, 10㎑ 내지 70㎑의 고주파 진동을 가하여 압인 또는 금속 결합을 유도하여 결합시킬 수 있다.
제1 기판과 제2 기판을 밀봉시키면, 개구부는 액체 금속층(600)을 담는 공간이 형성되면서, 액체 금속층(600)이 공간에 밀봉된다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.

Claims (10)

  1. 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 밀봉된 공간을 형성하는 절연 부재,
    상기 공간 내의 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 전극,
    상기 공간 내의 상기 제2 기판 위에 위치하며 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 액체 금속층,
    상기 제2 전극 위에 위치하여 상기 제2 전극으로부터 상기 액체 금속층을 향해서 돌출된 복수의 기둥형 나노 구조체를 포함하고 상기 액체 금속층에 대해서 비젖음성 특성을 가지는 나노 전극
    을 포함하고,
    상기 액체 금속층과 상기 나노 전극은 이격되어 위치하며 상기 나노 구조체의 높이는 0.1㎛ 내지 100㎛이고, 상기 나노 구조체의 지름은 0.05㎛ 내지 1㎛이고, 상기 나노 구조체 사이의 간격은 상기 지름의 10배 이내인 RF MEMS 스위치.
  2. 제1항에서,
    상기 나노 구조체는 CNT(carbon nanotube), 반도체 나노선, 금속 산화물 나노선 또는 금속 나노선 중 어느 하나로 이루어지는 RF MEMS 스위치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에서,
    상기 액체 금속층은 Ga 또는 Ga 합금을 포함하는 RF MEMS 스위치.
  6. 제1항에서,
    상기 제2 기판은 가요성 기판인 RF MEMS 스위치.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 기판은 정전기력, 모터 구동 또는 공압 중 어느 하나에 의해서 상기 액체 금속층 방향으로 휘어지는 RF MEMS 스위치.
  8. 삭제
  9. 제1항에서,
    상기 액체 금속층은 상기 나노 전극의 표면에 대해서 접촉각이 90° 보다 큰 구형인 RF MEMS 스위치.
  10. 제1항에서,
    상기 밀봉된 공간은 상기 제1 기판으로부터 상기 제2 기판으로 갈수록 폭이 증가하는 RF MEMS 스위치.
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