KR101736931B1 - 인 셀 구조의 터치표시장치 - Google Patents

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Abstract

터치 인식 및 터치 위치판단의 정확성을 높일 수 있는 인 셀 구조의 터치표시장치가 제공된다. 인 셀 구조의 터치표시장치는, 액정패널의 내부에 배치된 터치센서 및 액정패널의 외부에 배치된 도전패턴을 포함한다. 터치센서는 사용자의 터치를 감지하고, 도전패턴은 사용자의 터치에 의해 발생되는 정전기를 방전시킨다.

Description

인 셀 구조의 터치표시장치{In-cell type touch display device}
본 발명은 터치표시장치의 터치 감도를 향상시키면서 터치 위치를 정확하게 판단할 수 있는 인 셀 구조의 터치표시장치에 관한 것이다.
평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display Device: ELD) 등을 들 수 있다. 이들은 공통적으로 화상을 구현하는 평판 표시패널을 필수적인 구성요소로 하는 바, 평판 표시패널은 고유의 발광 또는 편광 물질층을 사이에 두고 한 쌍의 투명 절연기판을 대면 합착시킨 구성을 갖는다.
최근 이러한 평판 표시장치에 사람의 손이나 별도의 입력 수단을 통해 터치 부위를 인식하고 이에 대응하여 별도의 정보를 전달할 수 있는 터치패널을 부가하는 터치표시장치의 요구가 늘고 있다.
터치표시장치는 터치패널의 위치에 따라 분류되는데, 터치패널이 표시장치의 외부에 별도로 존재하는 애드 온(add on) 터치표시장치, 터치패널이 표시장치의 상부면에 존재하는 온 셀(on cell) 및 터치패널이 표시장치의 내부에 존재하는 인 셀(in cell) 터치표시장치로 분류된다. 또, 터치표시장치는 터치 감지 방식에 따라 분류되는데, 저항 방식, 정전용량 방식, 적외선감지 방식으로 분류된다. 최근, 터치표시장치의 두께를 줄이면서 터치 감지가 우수한 정전용량 방식의 인 셀 터치표시장치가 주로 사용된다.
도 1은 종래의 인 셀 구조의 터치표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 터치표시장치에서 사용자의 터치 동작에 따른 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 터치표시장치(1)는 표시패널, 예컨대 액정패널 내부에 터치센서(15)가 형성되는 인 셀 구조이다.
터치표시장치(1)는 TFT어레이(11)가 형성된 하부기판(10), 상기 TFT어레이(11) 상에 형성된 터치센서(15), 컬러필터(21)가 형성된 상부기판(20) 및 상부기판(20)의 상면에 형성된 도전패턴(25)을 포함한다. 도전패턴(25)은 터치표시장치(1)에서 발생되는 정전기를 방전시키기 위한 ESD(Electrostatic Discharge)전극이다. 그리고, 상부기판(20)과 하부기판(10)은 액정층(30)을 사이에 두고 서로 합착된다.
터치센서(15)는 TFT어레이(11) 상에 사각형 형태의 다수개의 블록으로 구획되어 형성되고, 각각의 터치센서(15)는 액정패널의 다수개의 픽셀에 대응되도록 형성된다. 그리고, 도전패턴(25)은 상부기판(20)의 전면에 판(plate) 형태로 형성된다.
이러한 종래의 터치표시장치(1)는 사용자의 터치 동작에 따라 터치물체와 터치센서(15) 사이의 정전용량 변화를 감지함으로써 사용자의 터치 위치를 인식한다.
그러나, 종래의 터치표시장치(1)에서는 상부기판(20)의 전면에 형성된 도전패턴(25)에 의해 사용자의 터치 시 도전패턴(25)과 터치센서(15) 사이에 형성되는 정전용량, 즉 기생커패시턴스에 의해 사용자의 터치 인식이 부정확해진다.
다시 말하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 사용자가 터치표시장치(1)를 터치하게 되면, 도전패턴(25)과 터치물체 사이의 터치 커패시턴스(Cf)와 함께 도전패턴(25)과 터치센서(15) 사이에 기생 커패시턴스(Ca)가 발생된다.
이러한 기생 커패시턴스(Ca)는 터치물체, 즉 사용자의 손가락과 터치센서(15) 사이의 정전용량 변화를 작게 만들기 때문에 터치 감도를 저하시킨다.
따라서, 종래의 터치표시장치(1)는 터치 감도의 저하에 따라 사용자의 터치를 정확하게 인식하지 못하게 된다. 여기서, 도 2의 S와 G는 TFT어레이(11)의 게이트전극과 소스전극을 의미한다.
또한, 종래의 터치표시장치(1)는 도전패턴(25)이 상부기판(20)의 전면에 판 형태로 형성되어 있다. 따라서, 각각의 터치센서(15)에 대응되는 도전패턴(25)은 소정의 크기의 저항성분(Ra)으로 서로 연결되어 있다.
이때, 도전패턴(25)의 저항성분(Ra)이 매우 작은 크기이기 때문에, 사용자가 터치표시장치(1)의 일영역을 터치하더라도 도전패턴(25)의 저항성분(Ra)에 의해 상기 일영역의 주변에서도 터치가 감지될 수 있다. 이로 인하여, 종래의 터치표시장치(1)에서는 사용자의 터치 위치를 정확하게 판단하기 어렵다.
본 발명은 사용자의 터치 인식과 터치 위치판단의 정확성을 높일 수 있는 인 셀 구조의 터치표시장치를 제공하고자 하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 인 셀 구조의 터치표시장치는, 액정패널의 내부에 배치된 터치센서 및 액정패널의 외부에 배치된 도전패턴을 포함한다.
액정패널은 TFT어레이가 구비된 제1기판 및 액정층을 사이에 두고 제1기판과 대향되어 배치된 제2기판을 포함한다.
터치센서는 제1기판의 TFT어레이 상에 서로 이격되어 배치된 다수개의 블록으로 구성된다. 터치센서는 사용자의 터치를 감지한다.
도전패턴은 제2기판의 배면에서 터치센서와 중첩되지 않도록 구성된다. 도전패턴은 사용자의 터치에 의해 발생되는 정전기를 방전시킨다.
본 발명에 따른 인 셀 구조의 터치표시장치는 정전기 방전을 위한 도전패턴이 터치센서의 경계면을 따라 메쉬(mesh) 구조로 형성되어 서로 중첩되지 않기 때문에 사용자의 터치 동작 시 도전패턴과 터치센서 사이에 형성되는 정전용량, 즉 기생커패시턴스를 제거할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 인 셀 구조의 터치표시장치는 터치 감도를 향상시켜 사용자의 터치 인식의 정확도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 서로 인접하는 도전패턴 사이의 저항성분이 매우 커지게 되며, 이로 인하여 사용자가 터치표시장치를 터치하였을 때 그 위치를 정확하게 인식할 수 있어 고스트(ghost) 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 인 셀 구조의 터치표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 터치표시장치에서 사용자의 터치 동작에 따른 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치표시장치의 단면을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 도전패턴과 터치센서를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 터치표시장치에서 사용자의 터치 동작에 따른 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 터치표시장치의 제조공정을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 인 셀 구조의 터치표시장치에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치표시장치의 단면을 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 도전패턴과 터치센서를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 터치표시장치(100)는 표시패널, 예컨대 액정패널(110, 120)과 터치를 위한 전극을 포함할 수 있다. 터치를 위한 전극은 상기 액정패널(110, 120)의 서로 다른 층에서 형성된 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 여기서, 제1전극은 터치센서(115)이고, 제2전극은 도전패턴(125)일 수 있다. 터치센서(115)는 액정패널(110, 120)의 내부에 형성되어 사용자의 터치를 인식하도록 동작되며, 도전패턴(125)은 액정패널(110, 120)의 외면에 형성되어 터치표시장치(100)에서 발생되는 정전기를 방전시키는 전극으로 동작될 수 있다.
액정패널(110, 120)은 제1기판(110), 제2기판(120) 및 액정층(130)으로 구성될 수 있다.
어레이기판이라고 불리는 제1기판(110)은 유리 또는 플라스틱 등과 같은 기판(111) 상에 형성된 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)어레이(101)를 포함할 수 있다.
TFT어레이(101)는 다수의 TFT(미도시)를 포함할 수 있다. 각각의 TFT는 제1기판(110)의 다수의 화소전극(미도시) 각각과 대응되도록 형성될 수 있다.
TFT어레이(101)는 터치표시장치(100)의 동작모드, 예컨대 VA모드, IPS모드 등과 같은 동작모드에 따라 형성될 수 있는데, 본 실시예에서는 터치표시장치(100)가 프린지 필드(fringe field)를 이용하는 IPS 동작모드일 경우에 형성된 TFT어레이(101)의 예를 들어 설명한다. 또한, TFT어레이(101)의 각 TFT는 공지된 구성과 동일하며, 이에 대한 설명은 후술하기로 한다.
터치센서(115)는 제1기판(110)의 TFT어레이(101) 상에 형성될 수 있다. 터치센서(115)는 TFT어레이(101)의 화소전극과 중첩되는 다수개의 블록으로 형성될 수 있다.
터치센서(115)는 액정패널(110, 120)의 해상도에 따라 소정의 크기를 가지는 블록으로 형성될 수 있다. 예컨대, 액정패널(110, 120)이 FHD(Full HD), 즉 1920*1080의 해상도라면, 터치센서(115)의 각 블록은 액정패널(110, 120)에 형성된 40*40 내지 60*60의 화소(pixel)면적에 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 이때, 터치센서(115)의 각 블록이 60*60의 화소면적에 대응된다면, 각 블록은 32*18의 크기를 가질 수 있다.
터치센서(115)는 제1기판(110)의 공통전극(미도시)으로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 본 발명의 터치센서(115)는 TFT어레이(101) 상에 별도의 전극으로 형성되는 것이 아니라 TFT어레이(101)의 공통전극으로 형성될 수 있다.
여기서, TFT어레이(101)의 공통전극은 화소전극 상의 서로 다른 평면에서 상기 화소전극과 중첩되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, TFT어레이(101)의 공통전극을 터치센서(115)로 형성함으로써, 터치센서(115)는 액정패널(110, 120)이 디스플레이 모드로 동작되는 경우에는 공통전극으로 동작하고, 터치모드로 동작되는 경우에는 터치센서(115)로 동작될 수 있다.
상술한 터치센서(115)는 사용자가 액정패널(110, 120)을 터치하는 동작에 따라 터치센서(115)와 터치물체, 예컨대 사용자의 손 사이에 소정 크기의 정전용량이 발생될 수 있다. 이러한 정전용량에 의해 터치표시장치(100)의 전체 정전용량의 변화가 발생되며, 이로 인하여 사용자의 터치를 인식하고 그 위치를 판단할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 터치센서(115)가 제1기판(110)의 TFT어레이(101) 상에 형성된 예를 들어 설명하였으나, 이에 제한되지는 않는다. 예컨대, 터치센서(115)는 후술될 제2기판(120)의 컬러필터(123) 상에 형성될 수도 있다.
컬러필터기판으로 불리는 제2기판(120)은 유리 또는 플라스틱 등과 같은 기판(121) 상에 형성된 블랙매트릭스(미도시) 및 컬러필터(123)를 포함할 수 있다.
블랙매트릭스는 제1기판(110)에 형성된 TFT어레이(101) 중 화소전극이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분을 가리도록 형성될 수 있다. 블랙매트릭스는 외부로부터 유입되는 광을 차단할 수 있다.
컬러필터(123)는 블랙매트릭스에 의해 구획된 영역에 형성될 수 있다. 컬러필터(123)는 제1기판(110)의 각각의 화소전극에 대응되도록 3원색, 예컨대 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)의 컬러필터가 배열되어 형성될 수 있다.
도전패턴(125)은 제2기판(120)의 배면, 즉 제2기판(120)의 컬러필터(123)가 형성된 일면과 대응되는 타면에 형성될 수 있다. 도전패턴(125)은 사용자의 터치 동작 시 발생될 수 있는 정전기를 방전시켜 터치표시장치(100)의 동작 신뢰성을 높일 수 있다.
도전패턴(125)은 제1기판(110)에 형성된 터치센서(115)의 다수의 블록 각각의 경계를 따라 형성될 수 있다. 도전패턴(125)은 접지(GND)와 연결되도록 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 터치센서(115)는 앞서 설명한 바와 같이 다수개의 블록 형태로 형성될 수 있다. 터치센서(115)의 다수개의 블록 각각은 소정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
도전패턴(125)은 터치센서(115)의 경계, 즉 서로 인접하는 터치센서(115) 사이에 형성될 수 있다. 도전패턴(125)은 터치센서(115)의 경계면을 따라 터치센서(115)와 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. 도전패턴(125)은 메쉬(mesh) 구조로 형성될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, TFT어레이(101)와 터치센서(115)를 포함하는 제1기판(110)과 컬러필터(123)와 도전패턴(125)을 포함하는 제2기판(120)은 액정층(130)을 사이에 두고 서로 합착되어 터치표시장치(100)를 구성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 터치표시장치에서 사용자의 터치 동작에 따른 등가회로를 나타내는 도면이다.
앞서 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 도전패턴(125)은 터치센서(115)의 경계면을 따라 형성되기 때문에 터치센서(115)와 중첩되지 않는다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 초기상태, 즉 사용자의 터치 동작이 없는 상태에서 터치표시장치(100)는 터치센서(115)와 TFT어레이(101) 사이에 소스 커패시턴스(Cs), 게이트 커패시턴스(Cg) 및 소스/게이트 커패시턴스(Cgs)가 형성된 상태일 수 있다. 터치표시장치(100)의 총 정전용량은 상술한 커패시턴스의 합으로 나타낼 수 있다.
여기서, 소스 커패시턴스(Cs)는 터치센서(115)와 TFT어레이(101)의 소스전극(미도시) 사이에 형성된 정전용량을 의미하고, 게이트 커패시턴스(Cg)는 터치센서(115)와 TFT어레이(101)의 게이트전극(미도시) 사이에 형성된 정전용량을 의미하며, 소스/게이트 커패시턴스(Cgs)는 TFT어레이(101)의 소스전극과 게이트전극 사이에 형성된 정전용량을 의미할 수 있다.
초기상태에서 사용자가 터치물체, 예컨대 손가락을 이용하여 터치표시장치(100)의 상부를 터치하는 터치 동작이 발생되면, 터치물체와 터치센서(115) 사이에 정전용량, 예컨대 터치 커패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다.
이때, 도전패턴(125)이 터치센서(115)의 경계면을 따라 터치센서(115)와 중첩되지 않도록 형성되기 때문에, 본 발명의 터치표시장치(100)에서는 사용자의 터치 동작에 따라 도전패턴(125)과 터치센서(115) 사이에 커패시턴스, 즉 기생커패시턴스가 형성되지 않는다.
따라서, 본 발명의 터치표시장치(100)에서 사용자의 터치 동작에 따른 정전용량의 변화는 아래의 [수학식1]과 같이 나타낼 수 있다.
[수학식1]
Figure 112014050761402-pat00001
그러나, 앞서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 종래의 터치표시장치(1)에서는 사용자의 터치 동작에 따라 도전패턴(5)과 터치센서(15) 사이에 기생 커패시턴스(Ca)가 형성된다.
따라서, 종래의 터치표시장치(1)에서 사용자의 터치 동작에 따른 정전용량의 변화는 아래의 [수학식2]와 같이 나타낼 수 있다.
[수학식2]
Figure 112014050761402-pat00002
[수학식1] 및 [수학식2]에서와 같이, 사용자의 터치 동작에 따른 정전용량의 변화는 본 발명에 따른 터치표시장치(100)가 종래의 터치표시장치(100)에 비하여 크다.
따라서, 본 발명의 터치표시장치(100)는 종래의 터치표시장치(1)에 비하여 큰 정전용량의 변화로 인해 터치표시장치(100)의 터치 감도를 높일 수 있으며, 이로 인하여 사용자의 터치 동작을 정확하게 인식할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 터치표시장치(100)에서는 도전패턴(125)이 터치센서(115) 사이에서 서로 이격되어 형성되어 있기 때문에 나란하게 형성된 도전패턴(125) 사이는 무한대의 저항성분이 형성된다.
이에 따라, 각각의 터치센서(115)는 분리될 수 있으며, 이로 인해 사용자가 터치표시장치(100)의 일 영역을 터치하더라도 타 영역의 터치센서(115)에 영향을 주지 않게 된다. 이로 인해, 본 발명의 터치표시장치(100)는 사용자의 터치에 따른 위치를 정확하게 인식할 수 있어 고스트 현상을 방지할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 터치표시장치의 제조공정을 나타내는 단면도들이다. 여기서, 도 6a는 터치표시장치의 제1기판의 제조공정을 나타내는 도면이고, 도 6b는 터치표시장치의 제2기판의 제조공정을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 6a를 참조하면, 투명한 유리 또는 플라스틱으로 구성된 기판(111) 상에 금속물질을 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트전극(102)을 형성할 수 있다.
이어, 게이트전극(102)이 형성된 기판(111)의 전면에 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 구성된 게이트절연막(103)을 형성할 수 있다.
그리고, 게이트절연막(103)의 전면에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 차례로 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 반도체층(104)을 형성할 수 있다. 반도체층(104)은 채널영역(미도시)과 오믹콘택층(미도시)을 포함할 수 있다.
반도체층(104)이 형성된 기판(111)의 전면에 금속물질을 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 반도체층(104)의 오믹콘택층과 각각 접촉되는 소스전극(105a)과 드레인전극(105b)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 게이트전극(102), 반도체층(104), 소스전극(105a) 및 드레인전극(105b)을 포함하는 TFT를 형성할 수 있다.
그리고, 소스전극(105a)과 드레인전극(105b)이 형성된 기판(111)의 전면에 유기물질 또는 무기물질로 형성된 층간절연막(106)을 형성할 수 있다. 여기서, 층간절연막(106)에는 드레인전극(105b)을 노출시키는 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다.
층간절연막(106) 상에 투명한 도전성 금속, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide; IZO)를 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 화소전극(107)을 형성할 수 있다. 여기서 화소전극(107)은 층간절연막(106)의 콘택홀을 통해 드레인전극(105b)에 연결될 수 있다.
이상의 공정을 통해 제1기판(110) 상에 TFT와 화소전극(106)을 포함하는 TFT어레이(101)를 형성할 수 있다.
계속해서, 화소전극(106)이 형성된 기판(111)의 전면에 보호층(108)을 형성할 수 있다. 이어, 보호층(108) 상에 ITO 또는 IZO를 증착하고 이를 선택적으로 패터닝하여 공통전극을 형성할 수 있다. 여기서, 공통전극은 사용자의 터치 동작 시 터치센서(115)가 될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판(111) 상에 TFT어레이(101)와 터치센서(115)를 형성하여 터치표시장치(100)의 제1기판(110)을 완성할 수 있다.
도 3 및 도 6b를 참조하면, 투명한 유리 또는 플라스틱으로 구성된 기판(121) 상에 광 차단물질을 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 블랙매트릭스(122)를 형성할 수 있다.
블랙매트릭스(122)는 앞서 설명된 제1기판(110)에서 화소전극(107)을 제외한 나머지 부분, 예컨대 TFT를 가릴 수 있도록 패터닝되어 형성될 수 있다.
이어, 블랙매트릭스(122)에 의해 구획된 영역에 R, G, B의 컬러필터(123)를 형성할 수 있다. 그리고, 도면에 도시하지는 않았으나, 컬러필터(123) 상면에 컬러필터(123)를 보호하면서 평탄화시킬 수 있는 보호층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
계속해서, 기판(121)의 배면에 투명한 금속물질, 예컨대 ITO 또는 IZO를 증착하고, 이를 선택적으로 패터닝하여 도전패턴(125)을 형성할 수 있다. 도전패턴(125)은 앞서 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 제1기판(110)에 형성된 터치센서(115)의 경계면을 따라 메쉬 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 서로 나란하게 형성된 도전패턴(125)의 사이에 노출된 영역은 터치센서(115)의 크기와 동일할 수 있다. 도전패턴(125)은 접지(GND)에 연결되도록 형성될 수 있다.
이어, TFT어레이(101)와 터치센서(115)가 형성된 제1기판(110)과 블랙매트릭스(122), 컬러필터(123) 및 도전패턴(125)가 형성된 제2기판(120)은 서로 대향되어 합착될 수 있다. 이에 따라, 제1기판(110)의 터치센서(115)와 제2기판(120)의 도전패턴(125)은 서로 중첩되지 않으면서 대응될 수 있다.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
100: 터치표시장치 110: 제1기판
101: TFT어레이 115: 터치센서
120: 제2기판 125: 도전패턴

Claims (8)

  1. TFT어레이가 구비된 제1기판 및 상기 제1기판과 액정층을 사이에 두고 대향되어 배치된 제2기판으로 구성된 액정패널;
    상기 액정패널 내부의 상기 TFT어레이 상에 배치되고, 서로 이격된 다수개의 블록으로 구성되며, 사용자의 터치를 감지하는 터치센서; 및
    상기 액정패널 외면의 상기 제2기판의 배면에 배치되고, 상기 터치센서와 중첩되지 않도록 구성되며, 사용자의 터치에 의해 발생되는 정전기를 방전시키는 도전패턴을 포함하는 인 셀 구조의 터치표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전패턴은 상기 터치센서의 각 블록의 경계면을 따라 배치된 인 셀 구조의 터치표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도전패턴은 메쉬(mesh) 구조인 인 셀 구조의 터치표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전패턴은 접지와 연결되는 인 셀 구조의 터치표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전패턴은 ITO 또는 IZO로 구성된 인 셀 구조의 터치표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 터치센서는 보호층을 사이에 두고 상기 TFT어레이의 화소전극과 중첩되는 공통전극으로 구성되는 인 셀 구조의 터치표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 터치센서의 각 블록은 상기 액정패널의 해상도에 따른 크기를 가지는 인 셀 구조의 터치표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 터치센서의 각 블록은 상기 액정패널의 40*40의 화소면적 내지 60*60의 화소면적에 대응되는 크기를 가지는 인 셀 구조의 터치표시장치.

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