KR101723908B1

KR101723908B1 - 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법

Info

Publication number: KR101723908B1
Application number: KR1020160008958A
Authority: KR
Inventors: 김계남; 김일국; 김승수; 최종원
Original assignee: 한국원자력연구원
Priority date: 2016-01-25
Filing date: 2016-01-25
Publication date: 2017-04-10

Abstract

본 발명은, 방사능 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계, 및 상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 제2 단계를 포함하고, 상기 제1 단계는, 상기 교반 시 상기 스톤의 입자들이 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않도록 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시키는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법을 제공한다.

Description

방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법{DECONTAMINATION METHOD OF RADIOACTIVITY CONTAMINATED MATERIAL AND METHOD OF RADIOACTIVE WASTE DISPOSAL}

본 발명은 방사능에 오염된 스톤(stone)을 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법에 관한 것이다.

현재 우라늄오염토양을 일반 매립장에 자체처분시키기 위해서는 토양의 잔류우라늄 농도를 1 Bq/g 이하 수준으로 낮추어야한다.

한편, 우라늄오염토양 중에서 입도가 3 cm 이상인 자갈(gravel)은 세척장치에서 세척제염이 불가능하다. 왜냐하면 세척용액과 토양을 혼합시켜 세척작업 할 때 입자가 큰 자갈은 모두 세척장치의 밑으로 가라앉아 자갈 내에 함유된 우라늄을 세척할 수 없기 때문이다. 또한, 입자가 큰 자갈은 세척장치 내부에 혼합을 위해 설치된 임펠러 날개와 세척 과정 중에 충돌하여 임펠러를 손상시킨다.

그러므로 우라늄오염토양에 포함된 3 cm 이상의 자갈을 3 cm 미만의 토양과 다른 방법으로 제염처리하는 방안이 고려될 수 있다.

본 발명은, 우라늄오염토양에 포함된 비교적 입도가 큰 자갈 등의 스톤(stone)을 제염처리하되, 그 제염효율을 높일 수 있는 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.

이와 같은 본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사능 오염 물질의 제염 방법은, 방사능 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계, 및 상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 제2 단계를 포함하고, 상기 제1 단계는, 상기 교반 시 상기 스톤의 입자들이 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않도록 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시킨다.

본 발명과 관련한 일 예에 따르면, 상기 세척조 내에는 상기 교반을 위한 임펠러가 설치되고, 상기 스톤의 입자들은 상기 교반 시, 상기 산성용액 속에 부유된 상태로 상기 임펠러의 회전에 의해 제염처리될 수 있다.

본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 산성용액은 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 산성용액의 농도는 1.0 mol로 이루어질 수 있다.

본 발명과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 제1 단계는, 상기 스톤의 입도를 1 mm 이상 2 mm 이하로 분쇄시킬 수 있다.

본 발명과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제1 세척 단계, 및 상기 제1 세척 단계에서 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제2 세척 단계를 포함할 수 있다.

상기 제2 단계는, 상기 제1 세척 단계 후 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제1 분리 단계, 및 상기 제2 세척 단계 후 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제2 분리 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 제1 및 제2 세척 단계는, 3 시간 동안 이루어질 수 있다.

본 발명과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 세척조의 온도가 60 도인 조건에서 이루어질 수 있다.

본 발명과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 제염처리 후 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g 이하로 감소하였는지 여부를 검사하는 단계를 포함하고, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g을 초과하는 경우 상기 제염처리를 다시 수행할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기한 과제를 실현하기 위하여, 방사성 폐기물 처리 방법을 제안한다. 상기 방사성 폐기물 처리 방법은, 방사능 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계와, 상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 제2 단계, 및 상기 제2 단계에서 1 Bq/g 이하로 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 매립(entomb) 처리하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제1 단계는, 상기 교반 시 상기 스톤의 입자들이 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않도록, 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시킨다.

본 발명의 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법에 의하면, 방사능에 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입자화시키는 제1 단계와, 제1 단계에서 분쇄된 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하되, 제1 단계에서 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시키도록 이루어진다. 이에 따라, 세척조 내에서 스톤의 입자들이 산성용액과 세척되는 동안 세척조 바닥으로 가라앉지 않고, 산성용액 속에 부유된 상태로 세척이 이루어지므로 교반에 의한 세척효율이 증가하며, 스톤의 입도가 작아진 상태이므로 세척조 내의 다른 구성들과의 충돌에 의한 파손 발생 위험을 낮출 수 있다.

또한, 본 발명은 방사능에 오염된 스톤을 1 Bq/g 이하 수준으로 제염처리함에 있어서, 시간과 비용적으로 최적화된 제염처리 조건들을 제공하여, 방사능 오염 물질의 제염처리 효율을 보다 높일 수 있다는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사능 오염 물질의 제염 방법을 나타낸 흐름도.
도 2는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 스톤의 입도에 따른 방사능 농도를 나타낸 표.
도 3은 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척에 이용되는 산성용액의 농도에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 4는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척조의 온도에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프.
도 5는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척 시간에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프.

이하, 본 발명의 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 동일유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다. 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사능 오염 물질의 제염 방법을 나타낸 흐름도.

도 1을 참조하면, 방사능 오염 물질의 제염 방법은, 방사능에 오염된 스톤(stone)의 입도를 감소시키는 제1 단계(S100)와, 제1 단계(S100)에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 1 Bq/g 이하 수준으로 제염처리하는 제2 단계(S200)를 포함한다.

제1 단계(S100)는, 방사능 오염된 스톤의 입도 즉, 상기 스톤을 이루는 입자들의 평균 지름이나 대표 지름을 감소시킨다. 상기 스톤은 예를 들어, 원자력 발전소와 같은 시설에서 우라늄(uranium) 등과 같은 방사성 물질에 오염된 토양에 포함되는 3cm 이상 크기의 자갈(gravel)이 될 수 있다. 제1 단계(S100)는 상기 스톤의 입도를 감소시키기 위하여, 상기 스톤을 분쇄(pulverization)시킨다.

제2 단계(S200)는, 제1 단계(S100)에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 1 Bq/g 이하 수준으로 제염처리한다. 보다 구체적으로, 분쇄된 스톤 입자들의 제염처리는, 산성용액과 상기 스톤의 입자들이 수용가능한 세척조에서, 상기 스톤의 입자들과 상기 산성용액을 함께 교반(agitation)하는 처리를 통하여 이루어질 수 있다.

여기서, 상기 제1 단계(S100)는, 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하의 크기로 감소키도록 이루어진다. 구체적으로, 제1 단계(S100)는, 상기 세척조 내에서, 상기 산성용액과 분쇄된 상기 스톤의 입자들이 상기 교반 시에, 상기 산성용액 및 상기 스톤 입자들의 혼합물 내에서 상기 스톤 입자들이 상기 세척조의 바닥으로 가라앉지 않도록, 상기 스톤의 입도를 감소시키되, 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 분쇄시키도록 이루어진다.

한편, 상기 제2 단계(S200)에서 상기 세척조 내에는 상기 교반 처리를 위한 임펠러(impeller)가 설치될 수 있다. 여기서, 상기 분쇄된 스톤의 입자들은, 상기 교반 시, 상기 산성용액 속에서 부유된 상태로 상기 임펠러의 회전에 의해 상기 산성용액과 상기 교반이 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1 단계(S100)는, 상기 방사능 오염된 스톤을 파쇄(crushing)하는 단계(S110)와, 상기 파쇄하는 단계(S110)에서 파쇄된 상기 스톤을 보다 작은 입도를 갖도록 분쇄(pulverization)시키는 단계(S120)로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 파쇄하는 단계(S110)는, 예를 들어, 상기 스톤을 30 mm 이하 수준으로 만들고, 상기 분쇄시키는 단계(S210)는, 예를 들어, 상기 파쇄된 스톤을 2 mm 이하 수준으로 만들도록 이루어질 수 있다.

한편, 제2 단계(S200)는, 제1 세척 단계(S210)와, 제2 세척 단계(S220)를 포함할 수 있다.

제1 세척 단계(S210)는, 상기 제1 단계(S100)에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하는 것을 통해 제염처리하도록 이루어질 수 있다.

제2 세척 단계(S220)는, 상기 제1 세척 단계(S210)에서 1차로 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하는 것으로 제염처리 할 수 있다.

또한, 상기 제2 단계(S200)는, 제1 분리 단계(S215) 및 제2 분리 단계(S225)를 더 포함할 수 있다.

제1 분리 단계(S215)는, 상기 제1 세척 단계(S210) 후, 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키도록 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 분리 단계(S215)에서 상기 제염처리된 상기 스톤의 입자들은 진동 체(sieve) 등에서 상기 산성용액으로부터 분리될 있다.

제2 분리 단계(S225)는, 상기 제1 분리 단계(S215)와 유사하게, 상기 제2 세척 단계(S220) 후 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키도록 이루어질 수 있다. 또한, 제2 분리 단계(S225)는 상기 진동 체에 의해 이루어질 수 있다.

한편, 상기 제2 단계(S200)는, 상기 분쇄된 스톤 입자들의 제염처리 후, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g 이하로 감소하였는지 여부를 검사하는 단계(S230)을 포함할 수도 있다.

구체적으로, 상기 제염처리된 스톤 입자들의 방사능 농도를 검사하는 단계(S230)는, 상기 스톤 입자들이 상기 산성용액과 교반되어 제염처리된 후, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g을 초과하는 경우, 상기 제염처리를 다시 수행하도록, 상기 제1 세척 단계(S210)로 돌아갈 수 있다. 다만, 본 도면에서는 도시되지 않았으나, 상기 방사능 농도를 검사하는 단계(S230)는, 상기 제염처리를 다시 수행하도록 상기 제2 세척 단계(S220)로 돌아갈 수도 있다.

한편, 본 도면에서는 도시되지 않았으나, 본 발명의 방사성 폐기물 처리 방법은, 앞서 설명한 방사능 오염된 스톤을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계(S100)와, 제1 단게(S100)에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하는 것으로 제염처리가 이루어지는 제2 단계(S200)과, 상기 제2 단계(S200)에서 1 Bq/g 이하 수준으로 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 매립(entomb) 처리하는 제3 단계(S300)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 단계(S100)는, 상기 방사능 오염 물질의 제염 방법과 유사하게, 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시키도록 이루어진다.

이상에 설명한 본 발명의 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법에 의하면, 방사능에 오염된 상기 스톤을 분쇄하여 입자화시키는 제1 단계(S100)와, 상기 제1 단계(S100)에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하되, 제1 단계(S100)에서 상기 스톤의 입도를 2 mm 이하로 감소시키도록 이루어진다. 이에 따라, 상기 세척조 내에서 상기 스톤의 입자들이 상기 산성용액에 의해 세척되는 동안 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않고, 상기 산성용액 속에 부유된 상태에서 세척이 이루어지므로 교반에 의한 세척효율이 증가하며, 상기 스톤의 입도가 작아진 상태이므로 상기 세척조 내의 상기 임펠러와 같은 다른 구성들과의 충돌에 의한 파손 발생 위험을 낮출 수 있다. 결과적으로, 방사능 오염된 스톤의 세척효율을 높이는 동시에 세척조의 내구성을 보다 향상시킬 수 있는 장점을 갖습니다.

이하, 본 발명의 방사능 오염 물질의 제염 방법 및 방사성 폐기물 처리 방법에서 최적의 제염효율을 나타내는 제염처리 조건들에 대하여 도 2 내지 도 5을 참조하여 설명한다.

도 2는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 스톤의 입도에 따른 방사능 농도를 나타낸 표이고, 도 3은 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척에 이용되는 산성용액의 농도에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프이며, 도 4는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척조의 온도에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5는 도 1에 도시된 방사능 오염 물질의 제염 방법을 이용하여 방사능 오염된 스톤의 제염처리 시, 세척 시간에 따른 스톤의 방사능 농도 변화를 나타낸 그래프이다.

우선 도 2를 참조하면, 상기 제1 단계(S100)는 상기 스톤의 입도를 1 mm 이상 2 mm 이하로 분쇄시키도록 이루어질 수 있다. 도 2에 도시된 표와 같이, 상기 스톤의 입도가 2 mm ~ 4 mm 범위에서는, 2번의 세척을 통하여 1 Bq/g 의 방사능 농도에 이를 수 없으며, 또한, 상기 스톤의 입도가 0.075 mm ~ 1 mm 범위에서는 스톤의 분쇄 처리를 더 필요로 하거나, 2번의 세척 이후 방사능 농도가 1 Bq/g 이하로 내려가지 않았다.

다음으로, 도 3을 참조하면, 상기 제2 단계에서, 상기 제염처리에 이용되는 상기 산성용액은 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 산성용액은 1.0 mol의 농도로 이루어질 수 있다. 도시된 그래프를 참조하면, 1.0 mol의 산성용액으로 상기 분쇄된 스톤 입자들의 제염처리가 이루어지는 경우, 2번의 세척 이후, 1.0 Bq/g 이하 수준의 방사능 농도를 얻을 수 있다.

다음으로, 도 4를 참조하면, 상기 제2 단계(S200)는, 상기 세척조의 온도가 60 도인 조건에서 이루어질 수 있다. 도 4에 도시된 그래프를 참조하면, 상기 세척조의 온도가 60 도인 조건에서 2번의 세척 이후, 상기 분쇄된 스톤 입자들의 방사능 농도가 1.0 Bq/g 이하 수준으로 내려감을 확인할 수 있다. 한편, 상기 세척조의 온도가 80 도인 조건에서는 60 도인 조건과 비교하였을 때, 방사능 농도가 조금 더 내려가긴 하지만, 그 차이가 크지 않은 것을 확인할 수 있다. 또한, 상기 세척조에는 상기 세척조의 온도를 유지하기 위한 온도조절장치가 설치될 수 있다.

다음으로, 도 5를 참조하면, 상기 제1 세척 단계(S210)와 상기 제2 세척 단계(S220)는, 3 시간 동안 이루어질 수 있다. 도 5에 도시된 그래프를 참조하면, 상기 세척조 내에서 교반에 의한 제염처리 시 2 번의 세척을 각각 3 시간 동안 실시하는 경우, 상기 분쇄된 스톤 입자들의 방사능 농도가 1.0 Bq/g 이하 수준으로 내려감을 볼 수 있다. 또한, 상기 2 번의 세척을 각각 3 시간 동안 실시한 경우를, 상기 세척을 각각 6 시간 동안 실시하는 경우와 비교해 볼 때, 방사능 농도의 변화는 크지 않음을 확인할 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명의 제염처리 조건에 의하면, 방사능에 오염된 상기 스톤을 1 Bq/g 이하 수준으로 제염처리함에 있어서, 시간과 비용적으로 최적화된 제염처리 조건들을 제공하여, 방사능 오염 물질의 제염처리 효율을 보다 높일 수 있다는 장점이 있다.

다만, 본 발명의 권리범위는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정됨은 아니고, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다. 또한, 특허청구범위로부터 파악되는 본 발명의 권리범위와 비교하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자 수준에서 변형, 부가, 삭제, 치환 가능한 발명 등 모든 균등한 수준의 발명에 대하여는 모두 본 발명의 권리 범위에 속함은 자명하다.

Claims

방사능 오염된 스톤(stone)을 분쇄하여 입도를 감소시키는 제1 단계; 및
상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 세척조 내에서 산성용액과 함께 교반하여 1 Bq/g 이하로 제염처리하는 제2 단계를 포함하고,
상기 세척조 내부에는 상기 교반을 위한 임펠러가 설치되며,
상기 제1 단계는, 상기 임펠러의 회전에 의한 상기 교반 시 상기 스톤의 입자들이 상기 산성용액 속에서 부유된 상태로 상기 세척조 바닥으로 가라앉지 않으며, 상기 스톤의 입자들이 상기 교반 시 상기 임펠러에 충돌하며 발생되는 충격을 완화시키도록, 상기 스톤의 입도를 1 mm 이상 2 mm 이하로 분쇄시키는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
삭제
제1항에 있어서,
상기 산성용액은 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
제3항에 있어서,
상기 산성용액의 농도는 1.0 mol 이상 2.0 mol 이하로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제2 단계는,
상기 제1 단계에서 분쇄된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제1 세척 단계; 및
상기 제1 세척 단계에서 제염 처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 세척조 내에서 상기 산성용액과 함께 교반하여 제염처리하는 제2 세척 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
제6항에 있어서,
상기 제2 단계는,
상기 제1 세척 단계 후, 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제1 분리 단계; 및
상기 제2 세척 단계 후, 제염처리된 상기 스톤의 입자들을 상기 산성용액으로부터 분리시키는 제2 분리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2 세척 단계는, 3 시간 이상 6 시간 이하 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
제1항에 있어서,
상기 제2 단계는, 상기 세척조의 온도가 60 도 이상 80 도 이하인 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
제1항에 있어서,
상기 제2 단계는,
상기 제염처리 후, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g 이하로 감소하였는지 여부를 검사하는 단계를 포함하고, 상기 스톤 입자들의 방사능 농도가 1 Bq/g을 초과하는 경우, 상기 제염처리를 다시 수행하는 것을 특징으로 하는 방사능 오염 물질의 제염 방법.
삭제