KR101723750B1 - 적외선 스텔스 장치 및 방법 - Google Patents

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KR101723750B1
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김태국
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중앙대학교 산학협력단
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Abstract

적외선 스텔스 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 외부의 적외선 탐지기로부터 특정 대상(이하, ‘은폐 대상’이라 칭함)을 은폐하기 위한 적외선 스텔스 장치는, 특정 파장 범위에서, 상기 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 상기 은폐 대상이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경의 적외선 신호량을 계산하는 적외선 탐지부 및 상기 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록, 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 상기 배경의 적외선 신호량에 상응하게 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

적외선 스텔스 장치 및 방법{INFRA-RED STEALTH APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 적외선 스텔스 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 은폐 대상인 물체의 스텔스 성능을 향상시키는 기술에 관한 것이다.
지구상에 존재하는 모든 물체는 절대 온도 0K 이상일 때 복사 에너지를 방출하게 되는데, 이때 방출되는 복사 에너지는 적외선 영역(중적외선 영역 3~5μm, 원적외선 영역 8~12μm)에서 효과적으로 탐지할 수 있다.
이와 같은 현상을 이용한 적외선 탐지기는 야간이나 시야가 좋지 못한 상황에서 물체의 존재나 움직임을 파악할 수 있도록 하며, 특히 군사용으로 많이 사용되고 있다.
한편, 적외선 탐지기로부터 물체를 은폐하고자 하는 스텔스(stealth) 기능에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.
최근 주로 이루어지는 연구는 물체에서 방출되는 적외선 신호를 효과적으로 저감하는 방법에 관한 것이며, 일 예로서, 물체 표면에 차단막을 제공하고 차단막에 냉매를 분사하여 적외선을 저감하는 기술 등이 제안되었다.
그러나 이러한 종래 기술은 냉매에 의한 냉각 효과가 오랜 시간 동안 지속되지 못 할뿐만 아니라 냉매를 사람이나 동물에게 직접 분사하는 것에는 어려움이 있어 적용 대상이 한정되는 등의 문제가 있을 뿐만 아니라 위장 효과가 낮은 문제도 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 은폐의 대상과 적용 시간에 크게 제한 받지 않고 위장 효과가 큰 적외선 스텔스 기능을 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부의 적외선 탐지기로부터 특정 대상(이하, ‘은폐 대상’이라 칭함)을 은폐하기 위한 적외선 스텔스 장치는, 특정 파장 범위에서, 상기 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 상기 은폐 대상이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경의 적외선 신호량을 계산하는 적외선 탐지부 및 상기 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록, 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 상기 배경의 적외선 신호량에 상응하게 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 장치가 외부의 적외선 탐지기로부터 특정 대상(이하, ‘은폐 대상’이라 칭함)을 은폐하는 방법은 (a) 특정 파장 범위에서, 상기 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 상기 은폐 대상이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경의 적외선 신호량을 추출하는 단계, (b) 상기 추출된 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량을 계산하는 단계 및 (c) 상기 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 상기 배경의 적외선 신호량에 상응하게 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 은폐의 대상과 적용 시간에 크게 제한 받지 않게 되어 다양한 은폐 대상과 상황에서 활용할 수 있다.
또한, 은폐 대상의 특정 영역에 대해서만 적외선 스텔스 기능을 구현할 수 있으므로, 적외선 스텔스 기능을 적용 할 선별적인 영역의 선택이 가능하다.
또한, 간단한 방법으로 적외선 스텔스 기능을 구현할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 기능을 제공하는 장치의 개략적인 설명을 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 기능을 제공하는 과정을 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 장치의 적용을 도시한 도면이다.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 명세서에 기재된 ‘…부’, ‘…모듈’ 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 기능을 제공하는 장치의 개략적인 설명을 위한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 기능을 제공하는 장치(이하, ‘적외선 스텔스 장치’라 칭함)(100)는 외부의 적외선 탐지기(예를 들어, 미사일에 탑재된 적외선 탐지기, 휴대가 가능한 적외선 탐지기 등)로부터 은폐가 필요한 대상(예를 들어 탱크나 차량과 같은 이동 수단, 사람, 장비(equipment) 등, ‘이하 은폐 대상’이라 칭함)에 적용될 수 있다.
적외선 스텔스 장치(100)는 외부의 적외선 탐지기에서 촬영한 영상 프레임에서, 은폐 대상(10)과 은폐 대상(10)이 위치하는 배경(20)의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록 은폐 대상(10)의 표면 온도 또는 표면 방사율을 배경(20)의 적외선 신호량에 상응하게 조절함으로써, 은폐 대상(10)에 대한 적외선 스텔스 성능을 향상시킬 수 있다.
즉, 은폐 대상(10)의 표면 온도 또는 표면 방사율이 배경(20)의 적외선 신호량에 상응하게 조절됨으로써, 외부의 적외선 탐지기에서 은폐 대상(10)을 촬영 시 은폐 대상(10)과 배경(20)이 용이하게 구분되지 않도록 할 수 있다.
또한, 적외선 스텔스 장치(100)는 주기적으로 은폐 대상(10)의 이동이나 외부의 적외선 탐지기의 위치 변화에 따른 배경(20)의 변화를 감지하여, 은폐 대상(10)의 표면 온도 또는 표면 방사율을 변화된 배경(20)의 적외선 신호량에 상응하게 조절할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 적외선 스텔스 장치(100)를 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스테스 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 장치(100)는 적외선 탐지부(110), 제어부(120), 온도 가변 부재(130), 방사량 가변 부재(140) 및 배경 변화 감지부(150)를 포함할 수 있다.
각 구성 요소를 설명하면, 적외선 탐지부(110)는 특정 파장 범위에서, 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 은폐 대상(10)이 위치하는 픽셀을 추출할 수 있으며, 추출된 픽셀의 위치에 상응하는 배경(20)의 적외선 신호량을 계산할 수 있다.
참고로, 특정 파장 범위에서 배경(10)의 적외선 신호량은 측정 장비를 이용하여 용이하게 획득할 수 있다.
여기서, ‘특정 파장 범위’는 은폐 대상(10)을 관찰하는 외부의 적외선 탐지기의 통상적인 적외선 파장 대역일 수 있으며, ‘적외선 신호량’은 상기 특정 파장 대역에서의 신호량을 의미할 수 있다.
또한, 적외선 탐지부(110)는 은폐 대상(10) 자체에서 방사되는 적외선 신호와 은폐 대상(10) 표면에서 반사되는 적외선 신호 및 대기에서 방출되는 적외선 신호를 검출하고, 이에 근거하여 특정 파장 범위에서 은폐 대상(10)의 적외선 신호량를 계산할 수 있다.
특정 파장 범위에서 은폐 대상(10)의 적외선 신호량은 아래의 [수학식 1]을 이용하여 계산할 수 있다.
[수학식 1]
Figure 112015116125219-pat00001
Figure 112015116125219-pat00002
여기서, 은폐 대상(10) 자체에서 방사되는 적외선 신호량은 은폐 대상(10)의 표면 온도와 표면 방사율에 의해 결정될 수 있으며 아래의 [수학식 2]를 이용하여 계산할 수 있다.
[수학식 2]
Figure 112015116125219-pat00003
이때, τ는 대기 투과도, ε은 표면의 방사율, R path 는 물체와 센서와의 거리를 의미하며,
Figure 112015116125219-pat00004
이다.
또한, 은폐 대상(10) 표면에서 반사되는 적외선 신호량은 아래의 [수학식 3]을 이용하여 계산할 수 있다.
[수학식 3]
Figure 112015116125219-pat00005
ρ λ 는 해당 파장(λ)에서의 표면 반사율
한편, 제어부(120)는 적외선 탐지부(110)에서 각각 계산된 은폐 대상(10)의 적외선 신호량과 배경(20)의 적외선 신호량의 차이 값이 최소가 되도록 하는 은폐 대상(10)의 표면 온도와 표면 방사율을 계산할 수 있으며, 이는 아래의 [수학식 4]를 이용할 수 있다.
[수학식 4]
Figure 112015116125219-pat00006
Figure 112015116125219-pat00007
여기서 [수학식 4]에도 나타나 있지만, 제어부(120)는 다중 파장 범위 중 특정 파장 범위에 해당하는 가중치를 반영하여 적외선 신호량의 차이 값이 최소가 되도록 하는 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 계산할 수 있다.
즉, 제어부(120)는 다중 파장 영역에 대해 각 픽셀 위치에 해당하는 은폐 대상(10)과 배경(20)과의 적외선 신호량의 차이 값이 최소가 되도록 하는 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 계산할 수 있다.
이후, [수학식 1] 내지 [수학식 3]을 [수학식 4]에 적용하면, 아래의 [수학식 5]와 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 5]
Figure 112015116125219-pat00008
또한, 제어부(130)는 상기 계산된 은폐 대상(10)의 표면 온도에 기반하여 은폐 대상(10)의 표면 온도 또는 표면 방사율을 배경(20)의 적외선 신호량에 상응하게 조절할 수 있다.
즉, 은폐 대상(10)의 표면에 배치된 온도 가변 부재(130)의 온도 또는 방사율 가변 부재(140)의 표면 방사율을 조절할 수 있다.
한편, 온도 가변 부재(130)와 방사율 가변 부재(140)는 은폐 대상(10)의 외부를 둘러싸는 형태(예를 들어, 위장막 또는 의복 형태)일 수 있다.
또한, 온도 가변 부재(130)는 서로 다른 전도성을 가지는 금속이 결합된 것일 수 있으며, 전류의 방향에 따라 흡열 또는 발열이 발생하는 펠티어 효과를 통해 온도가 조절될 수 있다.
이를 위해, 제어부(120)와 온도 가변 부재(130) 사이에는 전류의 방향을 조절하는 별도의 전류 방향 조절 장치가 존재할 수 있다.
한편, 배경 변화 감지부(150)는 은폐 대상(10)의 이동 또는 외부의 적외선 탐지기의 위치 변화에 따른 배경(20)의 변화 여부를 감지할 수 있다.
이를 위해 배경 변화 감지부(150)는 은폐 대상(10)의 GPS 위치 정보 변화 또는 적외선 감지부(110)에서 검출된 적외선 신호량의 변화에 근거하여 배경 변화 여부를 감지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 기능을 제공하는 과정을 도시한 흐름도이다.
참고로, 적외선 스텔스 장치(100)는 적외선 스텔스 장치(100)를 사용하는 사용자의 동작 요청(ON)이 입력되면 이하의 과정을 수행할 수 있다.
적외선 스텔스 장치(100)는 특정 파장 대역에서, 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 은폐 대상(10)이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경(20)을 추출한다(S301).
S301 후, 적외선 스텔스 장치(100)는 특정 파장 대역에서, 추출된 배경(20)의 적외선 신호량을 획득하고, 은폐 대상(10)의 적외선 신호량을 계산한다(S302).
여기서, 은폐 대상(10)의 적외선 신호량은 은폐 대상(10)의 표면에서 자체 방사되는 적외선 신호량과, 은폐 대상(10)의 표면에서 반사되는 적외선 신호량 그리고 은폐 대상(10)과 상관 없이 대기에서 방출되는 적외선 신호량의 합으로 표현될 수 있다.
S302 후, 적외선 스텔스 장치(100)는 은폐 대상(10)과 배경(20)의 적외선 신호량의 차이 값이 최소가 되는 은폐 대상(10)의 표면 온도 또는 표면 방사율을 결정한다(S303).
S303 후, 적외선 스텔스 장치(100)는 은폐 대상(10)의 현재 표면 온도 또는 표면 방사율을 S303에서 결정된 표면 온도 또는 표면 방사율로, 즉, 배경(20)의 적외선 신호량에 상응하게 조절한다(S304).
S304 후, 적외선 스텔스 장치(100)는 은폐 대상(10)의 이동 또는 외부 적외선 탐지기의 위치 변화에 따른 배경(20)의 변화 여부를 판단하고(S305), 배경(20)이 변화된 것으로 판단되면, S301 내지 S303의 과정을 반복 수행할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 스텔스 장치의 적용을 도시한 도면이다.
도 4에서, 은폐 대상(10)은 군인(이하, 은폐 대상을 ‘군인’으로 칭함)이며, 적외선 스텔스 장치(100)가 군인(10)의 의복에 적용되었다.
그리고, 외부 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 설명의 편의 상 군인(10)이 위치하는 픽셀(이하, ‘군인의 픽셀’이라 칭함)을 2개로 설정하였다.
적외선 스텔스 장치(100)는 군인(10)이 위치한 배경(20)에서, 군인(10)의 픽셀(411, 412) 위치에 상응하는 픽셀(421, 422)의 적외선 신호량을 계산할 수 있으며, 군인(10)의 픽셀(411, 412)의 적외선 신호량을 계산할 수 있다.
참고로, 군인(10)의 의복에는 온도 가변 부재(130) 또는 방사율 가변 부재(140)가 포함될 수 있다.
이후 적외선 스텔스 장치(100)는 배경(20)의 픽셀(421, 422)과 군인(10)의 픽셀(411, 412)간 적외선 신호량의 차이가 최소가 되는 표면 온도 또는 표면 방사율을 결정하고, 해당 표면 온도 또는 표면 방사율로 군인(10)의 의복에 적용된 온도 가변 부재(130) 또는 방사율 가변 부재(140)를 조절할 수 있다.
한편, 전술된 실시예의 구성 요소는 프로세스적인 관점에서 용이하게 파악될 수 있다.
즉, 각각의 구성 요소는 각각의 프로세스로 파악될 수 있다. 또한 전술된 실시예의 프로세스는 장치의 구성 요소 관점에서 용이하게 파악될 수 있다.
또한 앞서 설명한 기술적 내용들은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다.
상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다.
상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예들을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다.
컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다.
프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다.
하드웨어 장치는 실시예들의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허 청구 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
10 : 은폐 대상
20 : 배경
100 : 적외선 스텔스 장치
110 : 적외선 탐지부
120 : 제어부
130 : 온도 가변 부재
140 : 방사율 가변 부재
150 : 배경 변화 감지부

Claims (11)

  1. 외부의 적외선 탐지기로부터 특정 대상(이하, ‘은폐 대상’이라 칭함)을 은폐하기 위한 적외선 스텔스 장치에 있어서,
    특정 파장 범위에서, 상기 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 상기 은폐 대상이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경의 적외선 신호량을 계산하는 적외선 탐지부; 및
    상기 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록, 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 상기 배경의 적외선 신호량에 상응하게 조절하는 제어부를 포함하되,
    상기 적외선 탐지부는
    상기 은폐 대상의 표면에서 자체 방사되는 적외선 신호량, 상기 은폐 대상의 표면에서 반사되는 적외선 신호량 및 대기에서 방출되는 적외선 신호량을 반영하여 상기 은폐 대상의 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 은폐 대상의 표면에 배치되며,
    상기 은폐 대상의 표면 온도를 변화시키는 온도 가변 부재 및 상기 은폐 대상의 표면 방사율을 변화시키는 방사율 가변 부재
    중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 은폐 대상의 이동 및 상기 외부의 적외선 탐지기의 위치 변화 중 하나 이상에 의한 상기 배경의 변화를 감지하는 배경 변화 감지부
    를 더 포함하고,
    상기 적외선 탐지부는
    상기 배경 변화 감지부에서 감지된 배경의 변화에 따라서 상기 변화된 배경의 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 배경 변화 감지부는
    상기 은폐 대상의 GPS 위치 정보 변화 및 상기 적외선 감지부에서 검출된 상기 배경의 적외선 신호량의 변화 중 하나 이상에 근거하여 배경 변화 여부를 감지하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 적외선 탐지부는
    상기 은폐 대상의 표면 온도와 표면 방사율에 근거하여 상기 은폐 대상의 표면에서 반사되는 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 적외선 탐지부는
    상기 은폐 대상의 표면의 반사율과 상기 은폐 대상의 표면에 입사되는 외부 열원에 근거하여 상기 은폐 대상의 표면에서 반사되는 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는
    다중 파장 범위 중 상기 특정 파장 범위에 해당하는 가중치를 반영하여 상기 적외선 신호량의 차이를 최소로 하는 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 결정하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 장치.
  9. 적외선 스텔스 장치가 외부의 적외선 탐지기로부터 특정 대상(이하, ‘은폐 대상’이라 칭함)을 은폐하는 방법에 있어서,
    (a) 특정 파장 범위에서, 상기 외부의 적외선 탐지기에서 촬영된 영상 프레임에서 상기 은폐 대상이 위치하는 픽셀의 위치에 상응하는 배경의 적외선 신호량을 추출하는 단계;
    (b) 상기 추출된 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량을 계산하는 단계; 및
    (c) 상기 배경의 적외선 신호량과 상기 은폐 대상의 적외선 신호량의 차이가 최소가 되도록 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 상기 배경의 적외선 신호량에 상응하게 조절하는 단계
    를 포함하되,
    상기 (b) 단계는
    상기 은폐 대상의 표면에서 자체 방사되는 적외선 신호량, 상기 은폐 대상의 표면에서 반사되는 적외선 신호량 및 대기에서 방출되는 적외선 신호량을 반영하여 상기 은폐 대상의 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 은폐 대상의 이동 및 상기 외부의 적외선 탐지기의 위치 변화 중 하나 이상에 의한 상기 배경의 변화를 감지하는 단계
    를 더 포함하고
    상기 (b) 단계는
    상기 변화된 배경의 적외선 신호량을 계산하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는
    다중 파장 범위 중 상기 특정 파장 범위에 해당하는 가중치를 반영하여 상기 적외선 신호량의 차이를 최소로 하는 상기 은폐 대상의 표면 온도 또는 표면 방사율을 결정하는 것을 특징으로 하는 적외선 스텔스 방법.
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