KR101723437B1 - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 제1 및 제2 전극라인을 구비하는 배선기판, 상기 제1 전극라인과 전기적으로 연결되는 도전형 전극과, 상기 제2도전형 전극과 적층되는 복수의 도전형 반도체층을 구비하는 반도체 발광 소자들, 일 방향을 따라 인접하는 반도체 발광소자들을 서로 연결하는 연결라인 및 상기 복수의 도전형 반도체층 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어지며, 상기 연결라인과 전기적으로 연결되는 반도체층과, 상기 반도체 발광소자들, 상기 연결라인, 및 상기 제2 전극라인으로 이어지는 도전 경로를 형성하도록 상기 반도체층에 적층되는 연결전극을 구비하는 연결 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a semiconductor light emitting device. A display device according to the present invention includes a wiring substrate having first and second electrode lines, a conductive electrode electrically connected to the first electrode line, a plurality of conductive semiconductor layers stacked with the second conductive electrode, A plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, a plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, a plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, And a connection electrode part having a semiconductor layer, and a connection electrode layer laminated on the semiconductor layer to form a conductive path leading to the semiconductor light emitting elements, the connection line, and the second electrode line.

Figure R1020150006378
Figure R1020150006378

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a display device using a semiconductor light-

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a semiconductor light emitting device.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. In recent years, display devices having excellent characteristics such as a thin shape and a flexible shape in the field of display technology have been developed. On the other hand, major displays that are commercialized today are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).

그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.However, in the case of LCD, there is a problem that the reaction time is not fast and the implementation of flexible is difficult. In the case of AMOLED, there is a weak point that the lifetime is short, the mass production yield is not good, and the degree of flexible is weak.

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, Has been used as a light source for a display image of an electronic device including a communication device. Accordingly, a method of solving the above problems by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device can be presented.

또한, 이에 더하여 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이에 적합한 연결배선의 구조가 착안 될 수 있다. In addition, a structure of a connection wiring suitable for a flexible display using a semiconductor light emitting element can be conceived.

본 발명의 일 목적은 플렉서블이 가능한 종래와 다른 새로운 형태의 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a display device of a new type that is flexible and capable of being different from the conventional display device.

본 발명의 일 목적은, 디스플레이 장치의 베젤의 두께를 줄일 수 있는 연결배선 구조를 갖는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a display device having a connection wiring structure capable of reducing the thickness of a bezel of a display device.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 제1 및 제2 전극라인을 구비하는 배선기판, 상기 제1 전극라인과 전기적으로 연결되는 도전형 전극과, 상기 제2도전형 전극과 적층되는 복수의 도전형 반도체층을 구비하는 반도체 발광 소자들, 일 방향을 따라 인접하는 반도체 발광소자들을 서로 연결하는 연결라인 및 상기 복수의 도전형 반도체층 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어지며, 상기 연결라인과 전기적으로 연결되는 반도체층과, 상기 반도체 발광소자들, 상기 연결라인, 및 상기 제2 전극라인으로 이어지는 도전 경로를 형성하도록 상기 반도체층에 적층되는 연결전극을 구비하는 연결 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A display device according to the present invention includes a wiring substrate having first and second electrode lines, a conductive electrode electrically connected to the first electrode line, a plurality of conductive semiconductor layers stacked with the second conductive electrode, A plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, a plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, a plurality of semiconductor light emitting devices having a plurality of semiconductor light emitting devices, And a connection electrode part having a semiconductor layer and a connection electrode laminated on the semiconductor layer to form a conductive path leading to the semiconductor light emitting elements, the connection line, and the second electrode line.

실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들은, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 중첩되고, 상기 도전형 전극이 적층되는 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 연결 전극부에 구비된 반도체층은, 상기 제1 도전형 반도체 층과 동일한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In an embodiment, the semiconductor light emitting devices may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer overlapping the first conductivity type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer being laminated with the conductive type electrode, And an active layer disposed between the conductive type semiconductor layers, wherein the semiconductor layer provided on the connection electrode part is made of the same material as the first conductive type semiconductor layer.

실시 예에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 층과 상기 연결 전극부에 구비된 반도체층은 반도체 웨이퍼 상에서 함께 성장되도록 질화물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the semiconductor layers of the first conductivity type semiconductor layer and the connection electrode are formed of a nitride semiconductor so as to be grown together on a semiconductor wafer.

실시 예에 있어서, 상기 배선기판은, 상기 제1 전극라인을 구비하는 제1 배선기판, 상기 제1 배선기판과 중첩되고, 상기 제2 전극라인을 구비하는 제2 배선 기판을 포함하고, 상기 연결 전극부는, 상기 제2 배선기판에 구비된 상기 제2 전극라인과 전기적으로 연결되도록, 상기 제2 배선기판 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the wiring board includes a first wiring board having the first electrode line, a second wiring board overlapping the first wiring board and having the second electrode line, And the electrode portion is disposed on the second wiring substrate so as to be electrically connected to the second electrode line provided on the second wiring substrate.

실시 예에 있어서, 상기 연결 전극부는 상기 일 방향으로 연장된 상기 연결라인들과 전기적으로 연결되도록 상기 제2 배선기판의 양 가장자리에 배치되는 것을 특징으로 한다.In an embodiment, the connection electrode unit is disposed at both edges of the second wiring substrate so as to be electrically connected to the connection lines extending in one direction.

실시 예에 있어서, 상기 연결라인들의 양단 중 어느 일단이 상기 제2 배선기판의 양 가장자리 중 어느 하나에서 상기 연결 전극부에 연결되도록, 상기 연결 전극부는 상기 제2 배선기판의 양 가장자리에서 상기 일 방향을 따라 서로 어긋나도록 배치되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, one end of each of the connection lines is connected to the connection electrode unit at any one of opposite edges of the second wiring board, And are arranged so as to be offset from each other.

실시 예에 있어서, 상기 제2 배선기판의 양 가장자리는 상기 일 방향을 따라 반대측에 각각 형성되는 제1 및 제2 가장자리부를 구비하고, 상기 제1 및 제2 가장자리부는 각각 상기 제2 배선기판에 배치된 상기 제2 전극라인이 상기 연결 전극부와 전기적으로 연결되도록, 상기 연결 전극부를 향하여 구부러진 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the first and second edge portions are disposed on the second wiring board, and the first and second edge portions are formed on opposite sides of the second wiring substrate, And the second electrode line is bent toward the connection electrode portion so as to be electrically connected to the connection electrode portion.

실시 예에 있어서, 상기 제2 배선기판에 배치된 상기 제2 전극라인과 상기 연결 전극부 사이에는 전극패드가 배치되는 것을 특징으로 한다.In an exemplary embodiment, an electrode pad is disposed between the second electrode line and the connection electrode portion disposed on the second wiring board.

실시 예에 있어서, 상기 제2 배선기판과 상기 연결 전극부는, 상기 제2 배선기판 및 상기 연결 전극부 사이에 배치되는 전도성 접착층에 의하여 합착되어, 상기 전도성 접착층에 포함된 전도성 물질에 의하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In an embodiment, the second wiring board and the connection electrode portion are attached together by a conductive adhesive layer disposed between the second wiring board and the connection electrode portion, and electrically connected by the conductive material included in the conductive adhesive layer. .

실시 예에 있어서, 상기 제2 배선기판은, 상기 일 방향으로 상기 제1 배선기판보다 돌출된 것을 특징으로 한다. In an embodiment, the second wiring board is protruded from the first wiring board in one direction.

실시 예에 있어서, 상기 제1 전극라인은 상기 배선기판의 일단부를 향하여 연장되고, 상기 제2 전극라인은, 상기 일단부의 반대측에 형성되는 상기 배선기판의 타단부를 향하여 연장되는 것을 특징으로 한다. In an embodiment, the first electrode line extends toward one end of the wiring board, and the second electrode line extends toward the other end of the wiring board formed on the opposite side of the one end.

실시 예에 있어서, 상기 일단부 측에는, 상기 제1 전극라인과 연결되며, 상기 반도체 발광소자들에 대한 제1 구동신호를 생성하는 제1 구동부가 배치되고, 상기 타단부 측에는, 상기 제2 전극라인과 연결되며, 상기 반도체발광소자들에 대한 제2 구동신호를 생성하는 제2 구동부가 배치되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the first driving unit connected to the first electrode line and generating a first driving signal for the semiconductor light emitting devices is disposed on the one end side, and the second driving unit connected to the second electrode line, And a second driver for generating a second driving signal for the semiconductor light emitting devices is disposed.

실시 예에 있어서, 상기 연결 전극부는 상기 도전형 전극과 동일 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.In an exemplary embodiment, the connection electrode unit may be formed of the same material as the conductive electrode.

실시 예에 있어서, 상기 연결 전극부는 상기 도전형 전극과 동시에 형성되도록 상기 도전형 전극과 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.The connection electrode unit may have the same thickness as the conductive electrode so as to be formed simultaneously with the conductive electrode.

실시 예에 있어서, 상기 연결 전극부는 상기 제2 전극라인과 연결되는 제2 연결 전극부이고, 상기 도전형 전극은 상기 일 방향과 수직한 방향으로 연장되어 인접한 반도체 발광소자를 전기적으로 연결하며, 상기 도전형 전극의 단부에는 상기 도전형 전극 및 상기 제1 전극 라인에 각각 연결되는 제1 연결 전극부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the connection electrode unit is a second connection electrode unit connected to the second electrode line, the conductive electrode extends in a direction perpendicular to the one direction and electrically connects adjacent semiconductor light emitting devices, And a first connection electrode portion connected to the conductive electrode and the first electrode line is formed at an end of the conductive electrode.

실시 예에 있어서, 상기 제1 및 제2 연결 전극부는 각각 전도성 접착층에 의하여 상기 배선기판에 부착되며, 상기 반도체 발광소자들은 비전도성 접착층에 의하여 상기 배선기판에 부착되는 것을 특징으로 한다.In an exemplary embodiment, the first and second connection electrode portions are attached to the wiring board by a conductive adhesive layer, respectively, and the semiconductor light emitting elements are attached to the wiring board by a nonconductive adhesive layer.

실시 예에 있어서, 상기 제1 전극라인과 제2 전극라인은 상기 배선기판의 일면에서 서로 다른 영역상에 배치되는 것을 특징으로 한다.In an embodiment, the first electrode line and the second electrode line are arranged on different areas on one surface of the wiring board.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 웨이퍼 상에 반도체 발광 소자 성장함께 동시에 연결 전극부를 성장시키고, 이러한 연결 전극부를 활용하여, 구동부와 반도체 발광소자를 전기적으로 연결하는데 활용할 수 있다. 나아가, 본 발명에 의하면 연결 전극부를 활용함으로써, 반도체 발광소자와의 전기적 연결을 위하여 요구되는 배선기판상의 전극라인들의 배치에 자유도를 얻을 수 있다. 이를 통해, 데이터 전극 및 스캔 전극에 구동신호를 각각 전달하는 구동부들을 서로 대칭이 되는 위치에 배치할 수 있고, 결과적으로, 디스플레이 장치의 베젤의 두께를 줄일 수 있다.In the display device according to the present invention, the semiconductor light emitting device is grown on the wafer and the connection electrode portion is grown at the same time, and the driving electrode and the semiconductor light emitting device are electrically connected to each other by utilizing the connection electrode portion. Further, according to the present invention, by using the connection electrode portion, it is possible to obtain a degree of freedom in arrangement of the electrode lines on the wiring board required for electrical connection with the semiconductor light emitting device. Accordingly, the driving units for transmitting the driving signals to the data electrodes and the scan electrodes, respectively, can be disposed at positions symmetrical to each other. As a result, the thickness of the bezel of the display device can be reduced.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10a은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 사시도이다.
도 10b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 배선기판에서 전극들이 배치되는 구조를 설명하기 위한 개념도이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 연결 전극부의 구조를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 12a 및 도 12b는 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자 및 연결 전극부를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치를, A-A방향에서 바라본 단면도들이다.
도 14는 수평형 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 15는 수평형 반도체 발광소자가 배치된 디스플레이 장치의 사시도이다.
도 16a는 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 사시도이다.
도 16b는 다른 실시 예에 따른 배선기판에 구비된 전극라인 구조를 설명하기 위한 개념도이다.
도 17a, 도 17b 및 도 17c는 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 연결 전극부의 구조를 설명하기 위한 개념도들이다.
도 18은 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자 및 연결 전극부를 설명하기 위한 개념도들이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are cross-sectional views taken along line BB and CC of Fig.
4 is a conceptual diagram showing a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
9 is a conceptual diagram showing the vertical type semiconductor light emitting device of FIG.
10A is a perspective view of a display device according to the present invention.
10B is a conceptual view for explaining a structure in which electrodes are arranged on a wiring board of a display device according to the present invention.
11A and 11B are conceptual diagrams illustrating the structure of the semiconductor light emitting device and the connection electrode unit according to the present invention.
12A and 12B are conceptual diagrams illustrating a semiconductor light emitting device and a connection electrode portion formed on a wafer.
13A and 13B are cross-sectional views of the display device according to the present invention as viewed in the AA direction.
14 is a conceptual diagram for illustrating a horizontal semiconductor light emitting device.
15 is a perspective view of a display device in which a horizontal semiconductor light emitting device is disposed.
16A is a perspective view of a display device according to another embodiment.
16B is a conceptual diagram for explaining an electrode line structure provided in a wiring board according to another embodiment.
FIGS. 17A, 17B, and 17C are conceptual diagrams illustrating the structure of the semiconductor light emitting device and the connection electrode unit according to the present invention.
18 is a conceptual diagram for explaining a semiconductor light emitting device and a connecting electrode portion formed on a wafer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation device, a slate PC, , A Tablet PC, an Ultra Book, a digital TV, a desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustrated example, the information processed in the control unit of the display device 100 may be displayed using a flexible display.

플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, twistable, collapsible, and curlable, which can be bent by an external force. For example, a flexible display can be a display made on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded or rolled like paper while maintaining the display characteristics of conventional flat panel displays.

상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state where the flexible display is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In the first state, the display area may be a curved surface in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state). As shown in the figure, the information displayed in the second state may be time information output on the curved surface. Such visual information is realized by independently controlling the emission of a sub-pixel arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for implementing one color.

상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of a portion A of FIG. 1, FIGS. 3 A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2, FIG. 4 is a conceptual view of a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.

도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B, a display device 100 using a passive matrix (PM) semiconductor light emitting device as a display device 100 using a semiconductor light emitting device is illustrated. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The display device 100 includes a substrate 110, a first electrode 120, a conductive adhesive layer 130, a second electrode 140, and a plurality of semiconductor light emitting devices 150.

기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 110 may be a flexible substrate. For example, to implement a flexible display device, the substrate 110 may comprise glass or polyimide (PI). In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. In addition, the substrate 110 may be either a transparent material or an opaque material.

상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The substrate 110 may be a wiring substrate on which the first electrode 120 is disposed, so that the first electrode 120 may be positioned on the substrate 110.

도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.The insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is located and the auxiliary electrode 170 may be disposed on the insulating layer 160. In this case, a state in which the insulating layer 160 is laminated on the substrate 110 may be one wiring substrate. More specifically, the insulating layer 160 is formed of a flexible material such as polyimide (PI), polyimide (PET), or PEN, and is integrally formed with the substrate 110 to form a single substrate.

보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150 and is disposed on the insulating layer 160 and corresponds to the position of the first electrode 120. For example, the auxiliary electrode 170 may be in the form of a dot and may be electrically connected to the first electrode 120 by an electrode hole 171 passing through the insulating layer 160. The electrode hole 171 may be formed by filling a via hole with a conductive material.

본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, the conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160, but the present invention is not limited thereto. For example, a layer having a specific function may be formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130, or a structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160 It is also possible. In the structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110, the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.

상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity. To this end, the conductive adhesive layer 130 may be mixed with a substance having conductivity and a substance having adhesiveness. Also, the conductive adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling the flexible function in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The conductive adhesive layer 130 may be formed as a layer having electrical insulation in the horizontal X-Y direction while permitting electrical interconnection in the Z direction passing through the thickness. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (hereinafter, referred to as a conductive adhesive layer).

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.

다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring again to FIG. 5, the second electrode 140 is located in the insulating layer 160, away from the auxiliary electrode 170. That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed.

절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive adhesive layer 130 is formed in a state where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned in the insulating layer 160, the semiconductor light emitting device 150 is connected to the semiconductor light emitting device 150 in a flip chip form The semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140.

도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.

예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type semiconductor layer 155 in which a p-type electrode 156, a p-type electrode 156 are formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, And an n-type electrode 152 disposed on the n-type semiconductor layer 153 and the p-type electrode 156 on the n-type semiconductor layer 153 and 154 in the horizontal direction. In this case, the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 by the conductive adhesive layer 130, and the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140.

다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A and 3B, the auxiliary electrode 170 is elongated in one direction, and one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150. For example, the p-type electrodes of the right and left semiconductor light emitting elements may be electrically connected to one auxiliary electrode around the auxiliary electrode.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, and the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the conductive adhesive layer 130 through the p- And only the portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 has conductivity and the semiconductor light emitting device does not have a conductive property because the semiconductor light emitting device is not press- The conductive adhesive layer 130 not only couples the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140 but also forms an electrical connection.

또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting element array, and the phosphor layer 180 is formed in the light emitting element array.

발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element array may include a plurality of semiconductor light emitting elements having different brightness values. Each of the semiconductor light emitting devices 150 constitutes a unit pixel and is electrically connected to the first electrode 120. For example, the first electrodes 120 may be a plurality of semiconductor light emitting devices, and the semiconductor light emitting devices may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.

또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Also, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, the semiconductor light emitting devices grown on the transparent dielectric substrate can be used. The semiconductor light emitting devices may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150. In this case, the barrier ribs 190 may separate the individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 150 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier 190 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, the barrier ribs 190 may be provided separately from the reflective barrier ribs. In this case, the barrier rib 190 may include a black or white insulation depending on the purpose of the display device. When a barrier of a white insulator is used, an effect of enhancing reflectivity may be obtained. When a barrier of a black insulator is used, a contrast characteristic may be increased while having a reflection characteristic.

형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and the phosphor layer 180 converts the blue (B) light into the color of a unit pixel. The phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting an individual pixel.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 151. [ In addition, only the blue semiconductor light emitting element 151 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel. More specifically, phosphors of one color may be stacked along each line of the first electrode 120. Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. In other words, red (R), green (G), and blue (B) may be arranged in order along the second electrode 140, thereby realizing a unit pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.(R), green (G), and blue (B) unit pixels may be implemented by combining the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot QD instead of the fluorescent material. have.

또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers to improve contrast. That is, the black matrix 191 can improve the contrast of light and dark.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied.

도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.5A, each of the semiconductor light emitting devices 150 includes gallium nitride (GaN), indium (In) and / or aluminum (Al) are added together to form a high output light Device.

이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a unit pixel (sub-pixel), respectively. For example, red, green, and blue semiconductor light emitting elements R, G, and B are alternately arranged, and red, green, and blue unit pixels Form a single pixel, through which a full color display can be implemented.

도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W having a yellow phosphor layer for each individual device. In this case, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting element W to form a unit pixel. Further, a unit pixel can be formed by using a color filter in which red, green, and blue are repeated on the white light emitting element W.

도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the ultraviolet light emitting element UV. As described above, the semiconductor light emitting device can be used not only for visible light but also for ultraviolet (UV), and can be extended to a form of a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of the upper phosphor .

본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 150 is disposed on the conductive adhesive layer 130 and constitutes a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 150 may be 80 mu m or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.Also, even if a square semiconductor light emitting device 150 having a length of 10 m on one side is used as a unit pixel, sufficient brightness for forming a display device appears. Accordingly, when the unit pixel is a rectangular pixel having a side of 600 mu m and the other side of 300 mu m as an example, the distance of the semiconductor light emitting element becomes relatively large. Accordingly, in such a case, it becomes possible to implement a flexible display device having HD picture quality.

상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a novel manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG.

도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.

본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. The conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are disposed. A first electrode 120, an auxiliary electrode 170, and a second electrode 140 are formed on the wiring substrate, and the insulating layer 160 is formed on the first substrate 110 to form a single substrate (or a wiring substrate) . In this case, the first electrode 120 and the second electrode 140 may be arranged in mutually orthogonal directions. In addition, the first substrate 110 and the insulating layer 160 may include glass or polyimide (PI), respectively, in order to implement a flexible display device.

상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer 130 may be formed, for example, by an anisotropic conductive film, and an anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is disposed.

다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.A second substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrodes 140 and having a plurality of semiconductor light emitting elements 150 constituting individual pixels is disposed on the semiconductor light emitting element 150 Are arranged so as to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140.

이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the second substrate 112 is a growth substrate for growing the semiconductor light emitting device 150, and may be a spire substrate or a silicon substrate.

상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size at which a display device can be formed.

그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the second substrate 112 are thermally bonded. For example, the wiring board and the second substrate 112 may be thermocompression-bonded using an ACF press head. The wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermocompression bonding. Only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression, The device 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and partition walls may be formed between the semiconductor light emitting devices 150.

그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 112 is removed. For example, the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).

마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the second substrate 112 is removed to expose the semiconductor light emitting devices 150 to the outside. If necessary, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating a wiring substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is coupled with silicon oxide (SiOx) or the like.

또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Further, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red phosphor or a green phosphor for converting the blue (B) A layer can be formed on one surface of the device.

이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method and structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. For example, a vertical semiconductor light emitting device may be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In the modifications or embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the previous example, and the description is replaced with the first explanation.

도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.8 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual view illustrating a vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, to be.

본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) vertical semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a substrate 210, a first electrode 220, a conductive adhesive layer 230, a second electrode 240, and a plurality of semiconductor light emitting devices 250.

기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 210 is a wiring substrate on which the first electrode 220 is disposed. The substrate 210 may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 220 is disposed on the substrate 210 and may be formed as a long bar electrode in one direction. The first electrode 220 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.A conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is located. The conductive adhesive layer 230 may be formed of an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing a conductive particle, or the like, as in a display device using a flip chip type light emitting device. ) And the like. However, the present embodiment also exemplifies the case where the conductive adhesive layer 230 is realized by the anisotropic conductive film.

기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.If the semiconductor light emitting device 250 is connected to the semiconductor light emitting device 250 by applying heat and pressure after the anisotropic conductive film is positioned in a state where the first electrode 220 is positioned on the substrate 210, And is electrically connected to the electrode 220. In this case, the semiconductor light emitting device 250 may be disposed on the first electrode 220.

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion 231 having conductivity in the thickness direction and a portion 232 having no conductivity.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 230 realizes electrical connection as well as mechanical bonding between the semiconductor light emitting element 250 and the first electrode 220.

이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Thus, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. The size of the individual semiconductor light emitting device 250 may be 80 μm or less on one side and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 μm or less.

상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of second electrodes 240 electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are disposed between the vertical semiconductor light emitting devices in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220.

도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.9, the vertical type semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256, a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256, an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 An n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253. In this case, the p-type electrode 256 located at the bottom may be electrically connected to the first electrode 220 by the conductive adhesive layer 230, and the n-type electrode 252 located at the top may be electrically connected to the second electrode 240 As shown in FIG. Since the vertical semiconductor light emitting device 250 can arrange the electrodes up and down, it has a great advantage that the chip size can be reduced.

다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring to FIG. 8 again, a phosphor layer 280 may be formed on one side of the semiconductor light emitting device 250. For example, the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 280 for converting the blue (B) . In this case, the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light can be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251 at a position forming a red unit pixel, A green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be laminated on the blue semiconductor light emitting element 251. In addition, only the blue semiconductor light emitting element 251 can be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, the unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can form one pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied to a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, as described above.

다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. The second electrode 240 is located between the semiconductor light emitting devices 250 and electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250. For example, the semiconductor light emitting devices 250 may be disposed in a plurality of rows, and the second electrode 240 may be disposed between the columns of the semiconductor light emitting devices 250.

개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. The second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 because the distance between the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels is sufficiently large.

제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode 240 may be formed as a long bar-shaped electrode in one direction and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.

또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected by a connection electrode protruding from the second electrode 240. More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250. For example, the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a part of the ohmic electrode by printing or vapor deposition. Accordingly, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 can be electrically connected.

도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the example, the second electrode 240 may be disposed on the conductive adhesive layer 230. A transparent insulating layer (not shown) containing silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed. When the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer. In addition, the second electrode 240 may be formed spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.

만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used for positioning the second electrode 240 on the semiconductor light emitting device 250, the problem that the ITO material has poor adhesion with the n-type semiconductor layer have. Accordingly, the present invention has an advantage in that the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250, so that a transparent electrode such as ITO is not used. Therefore, the light extraction efficiency can be improved by using a conductive material having good adhesiveness with the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being bound by transparent material selection.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the barrier ribs 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250. That is, the barrier ribs 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 forming the individual pixels. In this case, the barrier ribs 290 may separate the individual unit pixels from each other, and may be formed integrally with the conductive adhesive layer 230. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film can form the partition.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier ribs 290 may have a reflection characteristic and a contrast may be increased without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, as the partition 190, a reflective barrier may be separately provided. The barrier ribs 290 may include black or white insulators depending on the purpose of the display device.

만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the second electrode 240 is directly disposed on the conductive adhesive layer 230 between the semiconductor light emitting devices 250, the barrier ribs 290 may be formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240 As shown in FIG. Therefore, individual unit pixels can be formed with a small size by using the semiconductor light emitting device 250, and the distance between the semiconductor light emitting device 250 can be relatively large enough so that the second electrode 240 can be electrically connected to the semiconductor light emitting device 250 ), And it is possible to realize a flexible display device having HD picture quality.

또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, a black matrix 291 may be disposed between the respective phosphors to improve the contrast. That is, this black matrix 291 can improve the contrast of light and dark.

상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is disposed on the conductive adhesive layer 230, thereby forming individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent brightness, individual unit pixels can be formed with a small size. Therefore, a full color display in which red (R), green (G), and blue (B) unit pixels form one pixel can be realized by the semiconductor light emitting device.

상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들로 구동신호를 전달하기 위하여, 배선기판 상에 서로 교차하는 전극라인들이 배치된다. 이러한, 전극라인들 중 어느 일방향으로 연장되는 일부 전극라인들은 스캔 전극을 구성하고, 상기 전극라인들 중 상기 일방향과 수직하는 다른 일방향으로 연장되는 전극라인들은 데이터 전극을 구성한다. 한편, 배선기판에 구비된 전극라인들에 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 각각 제공하기 위해서는, 스캔 구동 신호를 반도체 발광소자들로 전달하는 전극라인들에 스캔 구동 신호를 제공하는 구동부가 연결되고, 데이터 구동 신호를 반도체 발광소자들로 전달하는 전극라인들에 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부가 전기적으로 연결된다.According to the display device described above, electrode lines intersecting each other are disposed on a wiring board in order to transmit driving signals to the semiconductor light emitting devices. Some electrode lines extending in one direction among the electrode lines constitute a scan electrode, and electrode lines extending in one direction perpendicular to the one direction constitute data electrodes. In order to provide the scan driving signal and the data driving signal to the electrode lines of the wiring substrate, a driving unit for supplying a scan driving signal to the electrode lines for transmitting the scan driving signal to the semiconductor light emitting devices is connected, And a driver for supplying a data driving signal to the electrode lines for transmitting the data driving signal to the semiconductor light emitting elements are electrically connected.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 스캔 구동 신호를 전달하는 전극라인들과 데이터 구동 신호를 전달하는 전극라인들은 서로 수직 교차하므로, 예를 들어, 사각형태의 배선 기판에서, 서로 인접하는 변에 스캔 구동 신호를 제공하는 구동부와, 데이터 구동 신호를 제공하는 구동부가 각각 배치된다. 이 경우, 사각 형태의 배선 기판에서, 서로 수직하는 변들에 구동부들이 배치되므로, 서로 마주보는 변들에 구동부들이 배치될때 보다, 상기 일방향 또는 상기 일방향과 수직하는 다른 방향으로의 디스플레이 장치의 베젤 두께가 더 두꺼워지게 된다.As described above, since the electrode lines for transmitting the scan driving signal and the electrode lines for transmitting the data driving signal cross each other at right angles, for example, in the square-shaped wiring substrate, And a driving unit for providing a data driving signal. In this case, since the drivers are arranged on the sides perpendicular to each other in the square-shaped wiring board, the thickness of the bezel of the display device in the one direction or the other direction perpendicular to the one direction is smaller than that in the case where the drivers are arranged on the opposite sides It becomes thick.

이에, 본 발명에서는, 서로 마주보는 변들에 구동부들을 배치시켜 디스플레이 장치의 베젤 두께를 줄일 수 있는 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 10a은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 사시도이고, 도 10b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 배선기판에서 전극들이 배치되는 구조를 설명하기 위한 개념도이다.Accordingly, in the present invention, a structure of a display device capable of reducing the thickness of a bezel of a display device by disposing drivers on opposite sides thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 10A is a perspective view of a display device according to the present invention, and FIG. 10B is a conceptual view illustrating a structure in which electrodes are arranged on a wiring board of a display device according to the present invention.

도 10a 및 도 10b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.10A and 10B, a display device 1000 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device as a display device 1000 using a semiconductor light emitting device is illustrated. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) semiconductor light emitting device.

본 발명에 따른 디스플레이 장치(1000)는 기판(또는 배선기판, 1010), 제1전극(또는 제1 전극라인, 1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(또는 제2 전극라인, 1040), 복수의 반도체 발광 소자(1050), 연결 전극부(1060) 및 연결라인(1070)을 포함한다. 이하의 설명에서는, 제1 전극을 "제1 전극라인"으로, 제2 전극을 "제2 전극라인"으로 혼용하여 사용될 수 있다.A display device 1000 according to the present invention includes a substrate (or a wiring substrate) 1010, a first electrode (or a first electrode line) 1020, a conductive adhesive layer 1030, a second electrode (or a second electrode line 1040) A plurality of semiconductor light emitting devices 1050, a connection electrode unit 1060, and a connection line 1070. In the following description, the first electrode may be used as the "first electrode line" and the second electrode may be used as the "second electrode line"

기판(1010)은 제1전극(1020) 및 제2 전극(1040)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다. The substrate 1010 is a wiring substrate on which the first electrode 1020 and the second electrode 1040 are disposed. The substrate 1010 may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

상기 기판(1010)은 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 각 층에 서로 다른 전극을 구비할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(1010)은 제1 및 제2 기판(1010a, 1010b)로 이루어질 수 있고, 상기 제1 및 제2 기판(1010a, 1010b)의 적어도 일부분은 서로 중첩하여 존재할 수 있다. 상기 제1 및 제2 기판(1010a, 1010b) 중 적어도 하나는 '절연층'으로 명명될 수 있다.The substrate 1010 may have a plurality of layers, and each layer may have different electrodes. For example, the substrate 1010 may comprise first and second substrates 1010a and 1010b, and at least a portion of the first and second substrates 1010a and 1010b may overlap each other. At least one of the first and second substrates 1010a and 1010b may be referred to as an 'insulating layer'.

제2 기판(1010b)은, 일 방향(E-E방향)으로 제1 기판(1010a)보다 돌출되도록 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 기판(1010b)의 단부는 제1 기판(1010a)의 단부가 더 돌출되어 있다. 상기 제2 기판(1010b)의 양단은, 상기 일 방향(E-E)방향으로 상기 제1 기판(1010a)의 양단보다 돌출되도록 이루어진다. 이 경우, 상기 일 방향(E-E)방향으로, 상기 제1 기판(1010a)의 길이는, 상기 제2 기판(1010b)의 길이보다 짧을 수 있다. The second substrate 1010b may be formed to protrude from the first substrate 1010a in one direction (E-E direction). More specifically, the end portion of the second substrate 1010b is further protruded from the end portion of the first substrate 1010a. Both ends of the second substrate 1010b protrude from both ends of the first substrate 1010a in the one direction (E-E) direction. In this case, the length of the first substrate 1010a may be shorter than the length of the second substrate 1010b in the one direction (E-E).

나아가, 상기 제2 기판(1010b)의 양단이, 상기 제1 기판(1010a)보다 돌출됨으로써, 상기 제2 기판(1010b)은, 상기 제1 기판(1010a)에 의하여 덮이지 않는 영역(1010b-1)이 형성될 수 있다. 상기 제1 기판(1010a)에 의하여 덮이지 않는 영역(1010b-1)에는, 연결 전극부(1060)가 배치될 수 있다.In addition, both ends of the second substrate 1010b are protruded from the first substrate 1010a, so that the second substrate 1010b has a region 1010b-1 (not shown) covered by the first substrate 1010a May be formed. The connection electrode unit 1060 may be disposed in a region 1010b-1 that is not covered by the first substrate 1010a.

제1전극 또는 제1 전극라인(1020)은 제1 기판(1010a) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode or first electrode line 1020 is located on the first substrate 1010a and may be formed as a long bar electrode in one direction. The first electrode 1020 may serve as a data electrode.

제2 전극 또는 제2 전극라인(1040)은 제2 기판(1010b) 상에 위치하며, 적어도 일 지점에서 구부러진 형상을 갖도록 이루어질 수 있다.The second electrode or second electrode line 1040 may be disposed on the second substrate 1010b and may have a bent shape at least at one point.

도 10b에 도시된 것과 같이, 제1 전극라인(1020)은 배선기판(1010)의 제1 방향(예를 들어, D-D방향)을 따라 연장되며, 제2 전극라인(1040)은 상기 제1 전극라인(1020)과 수직하는 제2 방향(E-E방향)으로 연장되다가, 어느 일 지점에서 상기 제1 전극라인(1020)과 나란한 방향으로 절곡될 수 있다(또는 구부러질 수 있다).10B, the first electrode line 1020 extends along a first direction (e.g., the DD direction) of the wiring substrate 1010, and the second electrode line 1040 extends along the first direction May extend in a second direction (EE direction) perpendicular to the line 1020 and may be bent (or bent) in a direction parallel to the first electrode line 1020 at any point.

이를 통해, 제2 전극라인(1040)은, 상기 제2 방향(E-E방향)과 평행한 방향으로 연장된, 수평부(1040a) 및 상기 제1 전극라인(1020)과 나란한 방향으로 연장된 수직부(1040b)를 포함할 수 있다. 수평부(1040a)와 수직부(1040b)는 서로 이어지도록 형성된다. 보다 구체적으로, 수평부(1040a)의 일단과 수직부(1040b)의 일단은 서로 연결되어 있다.The second electrode line 1040 includes a horizontal portion 1040a extending in a direction parallel to the second direction (EE direction), and a vertical portion 1040b extending in a direction parallel to the first electrode line 1020. [ 1040b. ≪ / RTI > The horizontal portion 1040a and the vertical portion 1040b are formed to be connected to each other. More specifically, one end of the horizontal portion 1040a and one end of the vertical portion 1040b are connected to each other.

이 경우, 상기 제1 전극라인(1020)은 상기 배선기판(1010)의 일단(1010-1)으로 연장되고, 상기 제2 전극라인(1040)은 상기 배선기판(1010)의 일단(1010-1)과 마주보는 타단(1010-2)으로 연장된다.In this case, the first electrode line 1020 extends to one end 1010-1 of the wiring board 1010, and the second electrode line 1040 extends to one end 1010-1 To the opposite end 1010-2.

이와 같이, 제2 전극라인(1040)이 어느 일 지점에서 상기 제1 전극라인(1020)이 배치된 방향과 나란한 방향으로 연장됨에 따라, 배선기판(1010)의 서로 마주보는 양 단(1010-1, 1010-2)에는 , 상기 제1 전극라인(1020) 및 제2 전극라인(1040)이 각각 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 전극라인(1020, 1040)에 구동신호들을 전달하는 구동부들은, 상기 배선기판(1010)의 양 단(1010-1, 1010-2)에 대응되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 배선기판(1010)의 양 가장자리(제1 가장자리(1010-3), 제2 가장자리(1010-4))에는 구동부들이 배치되지 않을 수 있으므로, 상기 양 가장자리(1010-3, 1010-4)에 대응되는 디스플레이 장치의 베젤의 두께가 줄어들 수 있다.As described above, the second electrode line 1040 extends in a direction parallel to the direction in which the first electrode line 1020 is disposed at a certain point, so that the opposite ends 1010-1 And 1010-2 may extend the first electrode line 1020 and the second electrode line 1040, respectively. Accordingly, the driving units for transmitting the driving signals to the first and second electrode lines 1020 and 1040 may be arranged to correspond to both ends 1010-1 and 1010-2 of the wiring board 1010. [ Accordingly, the driving portions may not be disposed on both edges (the first edge 1010-3 and the second edge 1010-4) of the wiring substrate 1010, so that the edges 1010-3 and 1010-4 The thickness of the bezel of the display device can be reduced.

한편, 본 발명에서는, 배선기판(1010)의 양 단(1010-1, 1010-2)에 구동부들을 배치시키기 위하여, 제2 전극라인(1040)을 어느 일 지점에서 절곡시키고, 이러한 절곡된 제2 전극라인(1040)과 반도체 발광소자들(1050)을 전기적으로 연결시키기 위하여, 연결 전극부(1060)를 활용한다.In the present invention, the second electrode line 1040 is bent at a certain point so as to dispose the driving portions at both ends 1010-1 and 1010-2 of the wiring substrate 1010, A connection electrode unit 1060 is utilized to electrically connect the electrode line 1040 and the semiconductor light emitting devices 1050.

연결 전극부(1060)는, 반도체 발광소자들(1050)을 웨이퍼 상에 성장시킬 때, 반도체 발광소자들(1050)과 상기 웨이퍼 상에 함께 성장된다. 따라서, 상기 연결 전극부(1060)는 상기 반도체 발광소자들(1050)이 상기 배선기판(1010) 상에 배치될 때, 함께 배치된다. 상기 반도체 발광소자들(1050)과 연결 전극부(1060)는 전도성 접착층(1030)을 통해, 배선기판(1010) 상에 배치될 수 있다.The connection electrode portion 1060 is grown together with the semiconductor light emitting elements 1050 on the wafer when the semiconductor light emitting elements 1050 are grown on the wafer. Accordingly, the connection electrode unit 1060 is disposed together when the semiconductor light emitting devices 1050 are disposed on the wiring substrate 1010. The semiconductor light emitting devices 1050 and the connection electrode unit 1060 may be disposed on the wiring substrate 1010 through the conductive adhesive layer 1030. [

보다 구체적으로, 전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시 예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(1030)이 구현되는 경우를 예시한다.More specifically, the conductive adhesive layer 1030 is formed on the substrate 1010 where the first electrode 1020 is located. The conductive adhesive layer 1030 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing a conductive particle, or the like, as in a display device using a flip chip type light emitting device described above. solution or the like. However, the present embodiment also exemplifies the case where the conductive adhesive layer 1030 is realized by the anisotropic conductive film.

제1 기판(1010a) 상에 제1전극라인(1020)이 구비되고, 제2 기판(1010b) 상에 제2 전극라인(1040)이 구비된 상태에서, 기판(1010) 상에 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(1050) 및 연결 전극부(1060)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 연결 전극부(1060)는, 상기 제2 기판(1010b) 상에 배치되는데, 상기 제2 기판(1010b) 중 상기 제1 기판(1010a)에 의해 덮이지 않는 영역(1010b-1)까지 연장된 제2 전극라인(1040)에 대응되도록 위치한다. 이때, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.A first electrode line 1020 is formed on a first substrate 1010a and an anisotropic conductive film is formed on a substrate 1010 while a second electrode line 1040 is provided on a second substrate 1010b. The semiconductor light emitting device 1050 and the connection electrode unit 1060 are connected to each other by applying heat and pressure so that the semiconductor light emitting device 1050 is electrically connected to the first electrode 1020. The connection electrode unit 1060 is disposed on the second substrate 1010b and extends to a region 1010b-1 of the second substrate 1010b not covered by the first substrate 1010a And is positioned to correspond to the extended second electrode line 1040. Here, the semiconductor light emitting device 1050 may be disposed on the first electrode 1020.

도시와 같이, 반도체 발광 소자(1050)는 제1 기판(1010a) 상에 배치되고, 연결 전극부(1060)는, 제1 기판(1010a) 보다 돌출된 제2 기판(1010b) 상에 배치될 수 있다. The semiconductor light emitting device 1050 may be disposed on the first substrate 1010a and the connecting electrode unit 1060 may be disposed on the second substrate 1010b protruding from the first substrate 1010a have.

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion having conductivity in the thickness direction and a portion having no conductivity.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(1030)은 반도체 발광 소자(1050)와 제1전극(1020) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 1030 realizes not only an electrical connection but also a mechanical coupling between the semiconductor light emitting element 1050 and the first electrode 1020.

한편, 상기 반도체 발광 소자들(1050) 상에는, 상기 반도체 발광 소자들(1050)과 연결 전극부(1060), 그리고 제2 전극라인(1040) 및 구동부(미도시됨)를 전기적으로 연결하기 위한 연결라인(1070)이 구비될 수 있으며, 상기 연결라인(1070)은, 상기 제1 전극라인(1020)과 수직 교차하는 방향으로 이웃하는 반도체 발광소자들(1050)을 연결시킬 수 있다. 연결라인(1070)은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 전도성을 띌 수 있다. 연결라인(1070)은 투명전극으로 이루어질 수 있다.On the other hand, a connection (not shown) for electrically connecting the semiconductor light emitting devices 1050 and the connection electrode unit 1060, the second electrode line 1040, and the driver (not shown) is formed on the semiconductor light emitting devices 1050, Line 1070 may be provided and the connection line 1070 may connect the semiconductor light emitting devices 1050 adjacent to each other in the direction perpendicular to the first electrode line 1020. [ The connection line 1070 may be made of a transparent material and may be made conductive. The connection line 1070 may be a transparent electrode.

보다 구체적으로, 제1 전극라인(1020)은 B-B 방향으로 서로 이웃하는 반도체 발광소자들(1050)을 전기적으로 연결하고, 상기 연결라인(1070)는 상기 제1 전극라인(1020)과 수직하는 A-A 방향으로 서로 이웃하는 반도체 발광소자들(1050)을 전기적으로 연결할 수 있다.More specifically, the first electrode line 1020 electrically connects semiconductor light emitting elements 1050 adjacent to each other in the BB direction, and the connection line 1070 is electrically connected to the first electrode line 1020, The semiconductor light emitting devices 1050 adjacent to each other can be electrically connected.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 연결 전극부(1060)는 반도체 발광소자들(1050)과 함께 성장되는데, 이하에서는, 연결 전극부(1060) 및 반도체 발광소자들(1050)의 구조에 대하여 먼저 살펴본 뒤, 반도체 발광소자들, 제1 전극라인(1020), 제2 전극라인(1040), 연결 전극부(1060), 연결라인(1070), 구동부(미도시됨)들의 전기적인 연결 통로 및 이러한 전기적인 연결 통로를 구현하기 위한 구조에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 11a 및 도 11b는 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 연결 전극부의 구조를 설명하기 위한 개념도들이고, 도 12a 및 도 12b는 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자 및 연결 전극부를 설명하기 위한 개념도들이다.As described above, the connection electrode unit 1060 is grown together with the semiconductor light emitting devices 1050. Hereinafter, the structure of the connection electrode unit 1060 and the semiconductor light emitting devices 1050 will be described first The first electrode line 1020, the second electrode line 1040, the connection electrode unit 1060, the connection line 1070, and the driving unit (not shown) The structure for implementing the connection pathway will be described in more detail. FIGS. 11A and 11B are conceptual diagrams illustrating the structure of the semiconductor light emitting device and the connection electrode unit according to the present invention, and FIGS. 12A and 12B are conceptual diagrams illustrating a semiconductor light emitting device and a connection electrode unit formed on a wafer.

먼저, 도 11a를 참조하여, 반도체 발광소자들(1050)의 구조를 살펴보면, 반도체 발광소자는, 제1 도전형 반도체층(예를 들어, n형 반도체층, 1053), 상기 제1 도전형 반도체층(1053)과 중첩되고, 상기 제1 도전형 반도체층(1053)과 중첩되는 제2 도전형 반도체층(예를 들어, p형 반도체층, 1055), 상기 제1 도전형 반도체층(1053)과 상기 제2 도전형 반도체층(1056) 사이에 배치되는 활성층(1054) 및 상기 제2 도전형 반도체층(1055)에 적층되는 제2 도전형 전극(예를 들어, p형 전극 또는 p패드, 1056)를 포함한다. First, referring to FIG. 11A, a structure of the semiconductor light emitting devices 1050 will be described. The semiconductor light emitting device includes a first conductive semiconductor layer (for example, an n-type semiconductor layer 1053) A second conductive type semiconductor layer (for example, p-type semiconductor layer 1055), the first conductive type semiconductor layer 1053, and the second conductive type semiconductor layer 1053 overlapping the first conductive type semiconductor layer 1053, An active layer 1054 disposed between the first conductive semiconductor layer 1054 and the second conductive semiconductor layer 1056 and a second conductive electrode 1056 stacked on the second conductive semiconductor layer 1055, 1056).

그리고, 도 11b를 참조하면, 연결 전극부(1060)는 상기 반도체 발광소자들(1050)이 웨이퍼 상에 성장될 때, 함께 성장됨으로써 형성되는 것으로, 상기 반도체 발광소자들의 복수의 도전형 반도체층들(예를 들어, 제1 도전형 반도체층(또는, n형 반도체층, 1053), 제2 도전형 반도체층(또는, p형 반도체층, 1055)) 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어진다. 연결 전극부(1060)는 상기 반도체 발광소자들(1050)과 함께 성장됨으로써 형성된다. Referring to FIG. 11B, the connection electrode unit 1060 is formed by growing together the semiconductor light emitting devices 1050 when the semiconductor light emitting devices 1050 are grown on the wafer, and the plurality of conductive semiconductor layers (Or the n-type semiconductor layer 1053) and the second conductivity type semiconductor layer (or the p-type semiconductor layer 1055, for example). The connection electrode unit 1060 is formed by growing together with the semiconductor light emitting devices 1050.

한편, 본 명세서에서는, 연결 전극부(1060)가, 제1 도전형 반도체층(예를 들어, n형 반도체층, 1053)과 동일한 재질을 갖는 것을 예를 들어 설명하나, 연결 전극부(1060)는 상기 제1 도전형 반도체층과 다른 제2 도전형 반도체층(또는, p형 반도체층, 1055)과 동일한 재질로 이루어질 수 있음은 자명하다.Although the connection electrode unit 1060 has the same material as that of the first conductivity type semiconductor layer (for example, the n-type semiconductor layer 1053) in this specification, (Or the p-type semiconductor layer 1055) that is different from the first conductivity type semiconductor layer may be made of the same material.

도시와 같이, 연결 전극부(1060)는 제1 도전형 반도체층(1060a)을 구비하고, 상기 제1 도전형 반도체층(1060a)에 적층되는 전극(1060b)을 구비한다. 여기에서, 상기 전극(1060b)은 제2 도전형 전극(예를 들어, p형 전극 또는 p패드, 1060b)과 동일한 재질로 이루어진다. 상기 연결 전극부(1060)는 질화물 반도체를 포함할 수 있다.As shown in the figure, the connection electrode unit 1060 includes a first conductivity type semiconductor layer 1060a and an electrode 1060b stacked on the first conductivity type semiconductor layer 1060a. Here, the electrode 1060b is made of the same material as the second conductive type electrode (for example, the p-type electrode or the p-type pad 1060b). The connection electrode unit 1060 may include a nitride semiconductor.

연결 전극부(1060)의 제1 도전형 반도체층(1060a)은, 반도체 발광소자들에서, 제1 도전형 반도체층(1053)이 성장될 때 함께 성장되며, 연결 전극부(1060)의 전극(1060b)은, 반도체 발광소자들에서, 제2 도전형 전극(1055)이 형성될때, 함께 형성된다. 따라서, 연결 전극부(1060)의 제1 도전형 반도체층(1060a)의 두께는, 반도체 발광소자들의 제1 도전형 반도체층(1053)의 두께와 동일할 수 있다. 나아가, The first conductivity type semiconductor layer 1060a of the connection electrode part 1060 is grown together with the first conductivity type semiconductor layer 1053 in the semiconductor light emitting devices and the electrode 1060a of the connection electrode part 1060 1060b are formed together when the second conductive type electrode 1055 is formed in the semiconductor light emitting elements. Therefore, the thickness of the first conductivity type semiconductor layer 1060a of the connection electrode unit 1060 may be equal to the thickness of the first conductivity type semiconductor layer 1053 of the semiconductor light emitting devices. Furthermore,

따라서, 연결 전극부(1060)의 전극(1060b)의 두께는, 반도체 발광소자들의 제2 도전형 전극(1056)의 두께와 동일할 수 있다.Therefore, the thickness of the electrode 1060b of the connection electrode portion 1060 may be equal to the thickness of the second conductive type electrode 1056 of the semiconductor light emitting devices.

그러나, 반도체 발광 소자들에서, 제2 도전형 전극(1055)은, 제2 도전형 반도체층(1055)과 전기적으로 연결되지만, 연결 전극부(1060)에서의 전극(1060b)은, 제1 도전형 반도체층(1053)과 전기적으로 연결될 수 있다.However, in the semiconductor light emitting devices, the second conductive type electrode 1055 is electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 1055, but the electrode 1060b in the connecting electrode portion 1060 is electrically connected to the first Type semiconductor layer 1053, as shown in FIG.

한편, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 반도체 발광소자들(1050)과 연결 전극부(1060)의 성장시, 연결 전극부(1060)는 반도체 발광소자들(1050)이 배치되는 영역(1001-1)의 어느 일 측 또는 양측에 형성될 수 있다. 즉, 상기 연결 전극부(1060)는 상기 영역(1001-1)의 어느 일 가장자리(1001a) 또는 서로 바주보는 양 가장자리 측에 형성될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자들(1050)은 연결 전극부(1060)를 사이에 두고, 형성된다. 이를 통해, 반도체 발광소자들(1050)은 일 방향(A-A)으로, 상기 연결 전극부(1060)와 전기적으로 연결될 수 있다.12A and 12B, when the semiconductor light emitting devices 1050 and the connection electrode unit 1060 are grown, the connection electrode unit 1060 is formed in a region 1001 - 1 on either side or both sides thereof. That is, the connection electrode unit 1060 may be formed on one edge 1001a of the region 1001-1 or on both edge sides of the bar. In this case, the semiconductor light emitting elements 1050 are formed with the connecting electrode portion 1060 therebetween. Accordingly, the semiconductor light emitting devices 1050 can be electrically connected to the connection electrode unit 1060 in one direction (A-A).

한편, 상기 연결 전극부(1060)는 양 가장자리(1001a, 1001b)에서 상기 일 방향(A-A)을 따라 서로 어긋나도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 일 방향(A-A)을 따라 배치된 복수의 반도체 발광소자 어레이 중, 제1 반도체 발광소자 어레이(1050a)는 상기 양 가장자리(1001a, 1001b) 어느 일 가장자리(1001a)에 형성된 연결 전극부(1060)부와 전기적으로 연결되고, 복수의 반도체 발광소자 어레이 중, 제2 반도체 발광소자 어레이(1050b)는 상기 양 가장자리(1001a, 1001b) 다른 일 가장자리(1001b)에 형성된 연결 전극부(1060)부와 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the connection electrode unit 1060 may be arranged to be offset from each other along the one direction (A-A) at both edges 1001a and 1001b. In this case, among the plurality of semiconductor light-emitting element arrays arranged along the one direction AA, the first semiconductor light-emitting element array 1050a includes a connection electrode portion 1001a formed at one edge 1001a of the both edges 1001a and 1001b, The second semiconductor light emitting element array 1050b of the plurality of semiconductor light emitting element arrays is electrically connected to the connection electrode portion 1060 formed at the other edge 1001b of the both edges 1001a and 1001b, And can be electrically connected to the part.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 연결 전극부(1060)는 반도체 발광소자들(1050)을 구성하는 복수의 도전형 반도체층, 활성층, 도전형 전극 중 일부 구성을 포함하고 있으므로, 도 12b에 도시된 것과 같이, 연결 전극부(1060)와 반도체 발광소자들(1050)은 두께방향으로 높이차를 갖을 수 있다.Meanwhile, as described above, since the connection electrode unit 1060 includes a part of the plurality of conductive semiconductor layers, the active layer, and the conductive electrode constituting the semiconductor light emitting devices 1050, Similarly, the connection electrode portion 1060 and the semiconductor light emitting elements 1050 may have a height difference in the thickness direction.

이와 같은, 구조를 갖는 반도체 발광소자들 및 연결 전극부들이, 도 10a 및 도 10b에서 살펴본, 배선기판에 합착됨에 따라, 반도체 발광소자들과, 배선기판에 구비된 전극들, 이에 연결된 구동부들은 전기적으로 연결될 수 있다.10A and 10B, the semiconductor light emitting devices, the electrodes provided on the wiring substrate, and the driving parts connected to the semiconductor light emitting devices are electrically .

이상에서 살펴본, 구조적인 특징을 갖는 연결 전극부(1060)를 이용하여, 반도체 발광소자들에 구동신호를 전달하는 방법을 도 13a 및 도 13b와 함께, 앞서 살펴본, 도 10a, 도 10b를 다시 참조하여 살펴본다.도 13a 및 도 13b는 본 발명에 따른 디스플레이 장치를, E-E방향에서 바라본 단면도들이다.A method of transmitting driving signals to the semiconductor light emitting devices using the connection electrode unit 1060 having the above-described structural characteristics will be described with reference to FIGS. 13A and 13B and FIGS. 10A and 10B 13A and 13B are sectional views of the display device according to the present invention as viewed in the EE direction.

본 발명에서는, 연결 전극부(1060)를 사이에 두고, 웨이퍼 상에 성장된 반도체 발광소자들(1050)은, 도 10a에 도시된 것과 같이, 제1 배선기판(1010a)에 배치되고, 반도체 발광소자들(1050)이 배치된 영역(1001-1)의 양측에 성장된 연결 전극부(1060)는, 제2 배선기판(1010b) 중 상기 제1 배선기판(1010a)에 의하여 덮이지 않는 영역(1010b-1)에 배치된다.In the present invention, the semiconductor light emitting elements 1050 grown on the wafer with the connecting electrode part 1060 therebetween are arranged on the first wiring substrate 1010a as shown in FIG. 10A, The connection electrode portion 1060 grown on both sides of the region 1001-1 where the elements 1050 are disposed is electrically connected to a region of the second wiring substrate 1010b not covered by the first wiring substrate 1010a 1010b-1.

먼저, 데이터 신호가 전달되는 전기적인 통로를 살펴보면, 데이터 신호는, 반도체 발광소자들의 제2 도전형 반도체층(또는 p형 반도체층, 1055)으로 전달된다. 보다 구체적으로, 반도체 발광소자들(1050)의 제2 도전형 반도체층(또는 p형 반도체층, 1055)에 적층된 p형 전극(1056)은 상기 제1 배선기판(1010a에) 배치된 제1 전극라인(1020)과 전기적으로 연결된다. 상기 반도체 발광소자들(1050)은 B-B 방향으로 연장되는 제1 전극라인(1020)과 전기적으로 연결됨으로써, 상기 B-B 방향을 따라 나란하게 배치된 이웃하는 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극라인(1020)은 배선기판(1010)의 일 단부(1010-2, 도 10b 참조)에서 구동부와 전기적으로 연결될 수 있는데, 상기 제1 전극라인(1020)과 전기적으로 연결되는 구동부에서는, 데이터 신호를 생성 및 전송할 수 있다.First, a data signal is transmitted to the second conductivity type semiconductor layer (or the p-type semiconductor layer 1055) of the semiconductor light emitting devices. More specifically, the p-type electrode 1056 laminated on the second conductivity type semiconductor layer (or the p-type semiconductor layer 1055) of the semiconductor light emitting elements 1050 is connected to the first wiring substrate 1010a And is electrically connected to the electrode line 1020. The semiconductor light emitting devices 1050 may be electrically connected to neighboring semiconductor light emitting devices arranged in parallel along the B-B direction by being electrically connected to the first electrode line 1020 extending in the B-B direction. The first electrode line 1020 may be electrically connected to the driving unit at one end 1010-2 of the wiring board 1010. The first electrode line 1020 may be electrically connected to the first electrode line 1020 In the driving unit, a data signal can be generated and transmitted.

이를 통해, 상기 반도체 발광소자들(1050)은, 반도체 발광소자(1050)를 구성하는, 제2 도전형 반도체층(또는 p형 반도체층, 1055) 및 p형 전극(1056) 및 상기 제1 전극라인(1020)을 통해, 구동부로부터 데이터 신호를 전달받을 수 있다.Accordingly, the semiconductor light emitting devices 1050 may include a second conductive semiconductor layer (or a p-type semiconductor layer 1055) and a p-type electrode 1056, which constitute the semiconductor light emitting device 1050, Through the line 1020, a data signal can be received from the driver.

다음으로, 스캔 신호가 전달되는 전기적인 통로를 살펴보면, 스캔 신호는, 반도체 발광 소자들(1050)의 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1053)으로 전달될 수 있다.Next, the scan signal may be transmitted to the first conductive semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1053) of the semiconductor light emitting devices 1050 in an electrical path through which the scan signal is transmitted.

보다 구체적으로, 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1053)은, 상기 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1053)상에 형성되고, A-A방향을 따라 연장되는 연결라인(1070)을 통해, 연결 전극부(1060)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 연결라인(1070)과 전기적으로 연결되는, 연결 전극부(1060)는 제2 기판(1010b)에 구비된 제2 전극라인(1040)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 전극라인(1040)은, 배선기판(1010)의 타 단부(1010-1, 도 10b 참조)에서 구동부와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결라인(1070)을 통해, 상기 연결라인(1070)과 나란하게 배치되는 반도체 발광소자들은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.More specifically, the first conductivity type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1053) is formed on the first conductivity type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1053) And is electrically connected to the connection electrode unit 1060 through the connection electrode unit 1070. The connection electrode unit 1060 electrically connected to the connection line 1070 is electrically connected to the second electrode line 1040 provided on the second substrate 1010b and the second electrode line 1040 May be electrically connected to the driving unit at the other end 1010-1 of the wiring board 1010 (see FIG. 10B). Through the connection line 1070, the semiconductor light emitting devices arranged in parallel with the connection line 1070 can be electrically connected to each other.

구동부에서 전달되는 스캔신호는, 제2 전극라인(1040), 연결 전극부(1060), 반도체 발광소자들의 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1053), 그리고 상기 반도체 발광소자들의 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1053)을 상기 A-A방향을 따라 서로 전기적으로 연결시키는 연결라인(1070)을 통해, 반도체 발광소자들로 전달된다. 이를 통해, 스캔신호는, 상기 제1 전극라인(1020)과 수직교차하는 방향으로 배치된 반도체 발광소자들(또는 상기 연결라인(1070)과 나란하게 배치된 반도체 발광소자들)로 각각 전달될 수 있다. The scan signal transferred from the driving unit includes a second electrode line 1040, a connection electrode unit 1060, a first conductive type semiconductor layer (or an n-type semiconductor layer) 1053 of semiconductor light emitting elements, Type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1053) to the semiconductor light emitting devices through a connection line 1070 that electrically connects the first conductivity type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1053) along the AA direction. Accordingly, the scan signal can be transmitted to the semiconductor light emitting devices (or the semiconductor light emitting devices arranged in parallel with the connection line 1070) arranged in the direction perpendicular to the first electrode line 1020 have.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 제1 전극라인(1020)은 배선기판(1010)의 제1 방향(예를 들어, D-D방향)을 따라 연장되며, 제2 전극라인(1040)은 상기 제1 전극라인(1020)과 수직하는 제2 방향(E-E방향)으로 연장되다가, 어느 일 지점에서 상기 제1 전극라인(1020)과 나란한 방향으로 절곡될 수 있다(또는 구부러질 수 있다).As described above, the first electrode line 1020 extends along a first direction (e.g., the DD direction) of the wiring substrate 1010, and the second electrode line 1040 extends along the first direction (EE direction) perpendicular to the first electrode line 1020 and may be bent (or bent) in a direction parallel to the first electrode line 1020 at a certain point.

이 경우, 상기 제1 전극라인(1020)은 상기 배선기판(1010)의 일단(1010-1)으로 연장되고, 상기 제2 전극라인(1040)은 상기 배선기판(1010)의 일단(1010-1)과 마주보는 타단(1010-2)으로 연장된다.In this case, the first electrode line 1020 extends to one end 1010-1 of the wiring board 1010, and the second electrode line 1040 extends to one end 1010-1 To the opposite end 1010-2.

이와 같이, 제2 전극라인(1040)이 어느 일 지점에서 상기 제1 전극라인(1020)이 배치된 방향과 나란한 방향으로 연장됨에 따라, 배선기판(1010)의 서로 마주보는 양 단(1010-1, 1010-2)에는 , 상기 제1 전극라인(1020) 및 제2 전극라인(1040)이 각각 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 전극라인(1020, 1040)에 구동신호들을 전달하는 구동부들은, 상기 배선기판(1010)의 양 단(1010-1, 1010-2)에 대응되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 배선기판(1010)의 양 가장자리(제1 가장자리(1010-3), 제2 가장자리(1010-4))에는 구동부들이 배치되지 않을 수 있으므로, 상기 양 가장자리(1010-3, 1010-4)에 대응되는 디스플레이 장치의 베젤의 두께가 줄어들 수 있다.As described above, the second electrode line 1040 extends in a direction parallel to the direction in which the first electrode line 1020 is disposed at a certain point, so that the opposite ends 1010-1 And 1010-2 may extend the first electrode line 1020 and the second electrode line 1040, respectively. Accordingly, the driving units for transmitting the driving signals to the first and second electrode lines 1020 and 1040 may be arranged to correspond to both ends 1010-1 and 1010-2 of the wiring board 1010. [ Accordingly, the driving portions may not be disposed on both edges (the first edge 1010-3 and the second edge 1010-4) of the wiring substrate 1010, so that the edges 1010-3 and 1010-4 The thickness of the bezel of the display device can be reduced.

한편, 본 발명에서는, 배선기판(1010)의 양 단(1010-1, 1010-2)에 구동부들을 배치시키기 위하여, 제2 전극라인(1040)을 어느 일 지점에서 절곡시키고, 이러한 절곡된 제2 전극라인(1040)과 반도체 발광소자들(1050)을 전기적으로 연결시키기 위하여, 앞서 살펴본, 연결 전극부(1060)와 연결라인(1070)을 활용한다.In the present invention, the second electrode line 1040 is bent at a certain point so as to dispose the driving portions at both ends 1010-1 and 1010-2 of the wiring substrate 1010, In order to electrically connect the electrode line 1040 and the semiconductor light emitting elements 1050, the connection electrode portion 1060 and the connection line 1070 are used.

한편, 앞서, 도 12a 및 도 12b에서 살펴본 것과 같이, 연결 전극부(1060)는 반도체 발광소자들(1050)을 구성하는 복수의 도전형 반도체층 중 제1 도전형 반도체층(1053)과 동일한 재질로 이루어지는 도전형 반도체층(1060a) 및 제2 도전형 전극(또는 p 전극)과 동일한 재질로 이루어지는 전극(1060b)으로 이루어지므로, 도 12b에 도시된 것과 같이, 연결 전극부(1060)와 반도체 발광소자들(1050)은 두께방향으로 높이차를 갖을 수 있다. 따라서, 전도성 접착층(1030)을 이용하여, 반도체 발광소자들(1050)과 연결 전극부(1060)를, 배선기판(1010)에 합착시에, 상기 연결 전극부(1060)와 제2 기판(1010b) 사이의 거리가 멀어, 전도성 접착층(1030)에 포함된 전도성 물질(또는 도전볼)이 변형이 이루어지지 않을 수 있다. 이 경우, 제2 기판(1010b)에 구비된 제2 전극라인(1040)과 연결 전극부(1060)는 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명에서는, 도 13a에 도시된 것과 같이, 연결 전극부(1060)와 제2 기판(1010b) 사이에 전극패드(1040b-2)를 추가적으로 배치함으로써, 연결 전극부(1060)와 전극패드 사이에 배치된 전도성 물질(또는 도전볼)을 변형시킬 수 있다. 이를 통해, 제2 전극라인(1040)과 연결 전극부(1060)는 전기적으로 연결될 수 있다. 본 설명에서는, 제2 기판(1010b) 상에 전극패드(1040b-2)를 배치시키는 구조에 대하여 설명하였으나, 이에 국한되지 않고, 전극패드(1040b-2)는, 연결 전극부(1060)상에 위치할 수 있다. 나아가, 본 발명에서는, 연결 전극부(1060)에 구비되는 전극(1060b)의 두께를 두껍게 증착함으로써, 연결 전극부(1060)와 제2 기판(1010b) 사이에 배치된 전도성 물질(또는 도전볼)의 변형이 이루어지도록 할 수 있다.12A and 12B, the connection electrode portion 1060 is formed of the same material as the first conductivity type semiconductor layer 1053 among the plurality of conductive type semiconductor layers constituting the semiconductor light emitting elements 1050 And the electrode 1060b made of the same material as that of the second conductive type electrode (or the p-type electrode). Therefore, as shown in FIG. 12B, the connection electrode portion 1060 and the semiconductor light- The elements 1050 may have a height difference in the thickness direction. Therefore, when the semiconductor light emitting devices 1050 and the connecting electrode unit 1060 are attached to the wiring substrate 1010 using the conductive adhesive layer 1030, the connecting electrode unit 1060 and the second substrate 1010b The conductive material (or conductive ball) included in the conductive adhesive layer 1030 may not be deformed. In this case, the second electrode line 1040 provided on the second substrate 1010b may not be electrically connected to the connection electrode unit 1060. [ 13A, the electrode pad 1040b-2 is additionally disposed between the connection electrode portion 1060 and the second substrate 1010b, so that the connection electrode portion 1060 and the electrode pad 1060b- The conductive material (or the conductive ball) disposed between the electrodes can be deformed. Accordingly, the second electrode line 1040 and the connection electrode unit 1060 can be electrically connected. The electrode pad 1040b-2 is formed on the connection electrode portion 1060 so as to cover the electrode pad 1040b-2 on the second substrate 1010b, Can be located. The conductive material (or conductive ball) disposed between the connection electrode portion 1060 and the second substrate 1010b may be formed by depositing a thick electrode 1060b on the connection electrode portion 1060, Can be deformed.

다른 예로서, 본 발명에서는, 도 13b에 도시된 것과 같이, 배선기판(1010)의 As another example, in the present invention, as shown in Fig. 13B,

상기 배선기판(1010)의 양 가장자리(1010-3, 1010-4)는, 연결 전극부(1060)를 향하여 구부러질 수 있다. 이를 통해, 연결 전극부(1060)와 배선기판(1010) 사이의 거리가, 반도체 발광소자들과 배선기판(1010) 사이의 거리만큼 가까워질 수 있다. 따라서, 상기 배선기판(1010)과 연결 전극부(1060)는, 전도성 접착층(1030)에 포함된 전도성 물질(또는 도전볼)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.Both edges 1010-3 and 1010-4 of the wiring board 1010 can be bent toward the connection electrode unit 1060. [ Accordingly, the distance between the connection electrode portion 1060 and the wiring substrate 1010 can be reduced by a distance between the semiconductor light emitting elements and the wiring substrate 1010. Therefore, the wiring board 1010 and the connection electrode unit 1060 can be electrically connected by a conductive material (or a conductive ball) included in the conductive adhesive layer 1030.

나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자들(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. Furthermore, the display device 1000 may further include a phosphor layer 1080 formed on one surface of the plurality of semiconductor light emitting devices 1050.

이상에서 살펴본 것과 같이, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 웨이퍼 상에 반도체 발광 소자 성장함께 동시에 연결 전극부를 성장시키고, 이러한 연결 전극부를 활용하여, 구동부와 반도체 발광소자를 전기적으로 연결하는데 활용할 수 있다. 나아가, 본 발명에 의하면 연결 전극부를 활용함으로써, 반도체 발광소자와의 전기적 연결을 위하여 요구되는 배선기판상의 전극라인들의 배치에 자유도를 얻을 수 있다. 이를 통해, 데이터 전극 및 스캔 전극에 구동신호를 각각 전달하는 구동부들을 서로 대칭이 되는 위치에 배치할 수 있고, 결과적으로, 디스플레이 장치의 베젤의 두께를 줄일 수 있다.As described above, the display device according to the present invention can grow the semiconductor light emitting device and simultaneously grow the connection electrode part on the wafer, and utilize the connection electrode part to electrically connect the driving part and the semiconductor light emitting device. Further, according to the present invention, by using the connection electrode portion, it is possible to obtain a degree of freedom in arrangement of the electrode lines on the wiring board required for electrical connection with the semiconductor light emitting device. Accordingly, the driving units for transmitting the driving signals to the data electrodes and the scan electrodes, respectively, can be disposed at positions symmetrical to each other. As a result, the thickness of the bezel of the display device can be reduced.

한편, 이상에서는, 수직형 반도체 발광소자들이 배치된 디스플레이 장치를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 연결배선 구조는 수평형 반도체 발광소자들이 배치된 디스플레이 장치에도 적용가능하다. 이하에서는, 수평형 반도체 발광소자들이 배치된 디스플레이 장치에서, 본 발명이 적용된 경우를 예를 들어 살펴본다. 도 14는 수평형 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이고, 도 15는 수평형 반도체 발광소자가 배치된 디스플레이 장치의 사시도이다.Although the display device in which the vertical type semiconductor light emitting devices are disposed has been described above, the connection wiring structure according to the present invention is also applicable to a display device in which horizontal type semiconductor light emitting devices are arranged. Hereinafter, a case where the present invention is applied to a display device in which horizontal-type semiconductor light emitting devices are arranged will be described as an example. FIG. 14 is a conceptual view for explaining a horizontal semiconductor light emitting device, and FIG. 15 is a perspective view of a display device in which a horizontal semiconductor light emitting device is disposed.

본 발명에 따른 수평형 반도체 발광소자는, 도 14에 도시된 것과 같이, 제1도전형 전극(1053-1)과, 제1도전형 전극(1057-1)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1053-1)과, 제1도전형 반도체층(1053-1) 상에 형성된 활성층(1054-1)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1055-1) 및 제2도전형 반도체층(1055-1)에 형성되는 제2도전형 전극(1056-1)을 포함한다.14, a horizontal semiconductor light emitting device according to the present invention includes a first conductive type electrode 1053-1 and a first conductive type semiconductor layer 1053-1 in which a first conductive type electrode 1057-1 is formed, An active layer 1054-1 formed on the first conductivity type semiconductor layer 1053-1; a second conductivity type semiconductor layer 1055-1 formed on the active layer 1154; And a second conductive type electrode 1056-1 formed on the two-conductivity type semiconductor layer 1055-1.

보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1057-1) 및 제1도전형 반도체층(1053-1)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1056-1) 및 제2도전형 반도체층(1055-1)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 p형이 되고 제2도전형이 n형이 되는 예시도 가능하다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자에 따르면, 도 14에 도시된 것과 같이, 제1 도전형 전극(1057-1)은, 제1 도전형 반도체층(1053-1)의 일면에서, 측면으로 연장되며, 상기 제1 도전형 반도체층(1053-1)의 상면으로 연장될 수 있다. 제1 도전형 전극(1057-1)은, 반도체층(1053-1)의 측면에서 폭방향을 따라 돌출된다. More specifically, the first conductive type electrode 1057-1 and the first conductive type semiconductor layer 1053-1 may be an n-type electrode and an n-type semiconductor layer, respectively, and the second conductive type electrode 1056 -1) and the second conductivity type semiconductor layer 1055-1 may be a p-type electrode and a p-type semiconductor layer, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type. According to the semiconductor light emitting device of the present invention, as shown in Fig. 14, the first conductive type electrode 1057-1 extends laterally from one surface of the first conductive type semiconductor layer 1053-1, And may extend to the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 1053-1. The first conductive type electrode 1057-1 protrudes along the width direction from the side surface of the semiconductor layer 1053-1.

이와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자들이 배치된 디스플레이 장치에서는, 도 15에 도시된 것과 같이, 연결라인(1070)이, 반도체 발광소자들의 제1 도전형 전극(1057-1) 상에 형성되어, 연결 전극부(1060)까지 연결됨으로써, 반도체 발광소자들과, 제2 전극(1040)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.15, a connection line 1070 is formed on the first conductive type electrode 1057-1 of the semiconductor light emitting elements, and the connection line 1070 is connected to the first conductive type electrode 1057-1 of the semiconductor light emitting elements, And the second electrode 1040 can be electrically connected to the electrode unit 1060. [

한편, 수평형 반도체 발광소자들이 구비된 디스플레이 장치에 대한 구체적인 설명은 앞서, 수직형 반도체 발광소자들이 구비된 디스플레이 장치에 대한 설명으로 갈음한다.A description of a display device including horizontal semiconductor light emitting devices will be described with reference to a display device having vertical semiconductor light emitting devices.

상기에서는, 복수의 층으로 이루어진 배선기판, 연결 전극부 및 연결라인을 이용하여, 복수의 층에 각각 구비된 제1 전극라인, 제2 전극라인들과, 반도체 발광소자들, 그리고 구동부를 전기적으로 연결하는 방법에 대하여 살펴보았다. 이하에서는, 단일 층으로 이루어진 배선기판, 연결 전극부 및 연결라인을 이용하여, 단일 층(특히, 단일 층의 같은 면)에 구비된 제1 전극라인 및 제2 전극라인과, 반도체 발광소자들, 그리고 구동부를 전기적으로 연결하는 방법에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다. 도 16a는 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 사시도이고 도 16b는 다른 실시 예에 따른 배선기판에 구비된 전극라인 구조를 설명하기 위한 개념도이다.In the above description, the first electrode lines, the second electrode lines, the semiconductor light emitting elements, and the driving unit, which are respectively provided in the plurality of layers, are electrically connected to each other by using a wiring board, And how to connect them. Hereinafter, a first electrode line and a second electrode line provided on a single layer (particularly, on the same side of a single layer), a semiconductor light emitting element, And a method of electrically connecting the driving unit will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 16A is a perspective view of a display device according to another embodiment, and FIG. 16B is a conceptual view illustrating an electrode line structure included in a wiring board according to another embodiment.

도 16a 및 도 16b를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치의, 배선기판(또는 기판, 1110)에는, 제1 전극라인(1120) 및 제2 전극라인(1140)이 상기 배선기판(1110)의 동일 면에 구비된다. 상기 기판(1010)은 제1전극(1120) 및 제2 전극(1140)이 함께 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다. 상기 배선기판(1110)의 일면에는, 제1 전극라인(또는, 제1 전극, 1120)과 상기 제2 전극라인(또는, 제2 전극, 1140)은 서로 중첩되거나, 겹치지 않도록 배치된다. 즉, 제1 전극라인(또는, 제1 전극, 1120)과 상기 제2 전극라인(또는, 제2 전극, 1140)은 상기 배선기판(1110)의 일면에서 서로 다른 영역에서 서로 겹치지 않도록 배치된다16A and 16B, a first electrode line 1120 and a second electrode line 1140 are formed on the wiring board 1110 in a wiring board (or a substrate) 1110 of a display device according to another embodiment. On the same plane. The substrate 1010 is a wiring substrate on which the first electrode 1120 and the second electrode 1140 are disposed together. The substrate 1010 may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used. The first electrode line (or the first electrode) 1120 and the second electrode line (or the second electrode 1140) are disposed on one surface of the wiring substrate 1110 so as to overlap with each other or not overlap each other. That is, the first electrode line (or the first electrode) 1120 and the second electrode line (or the second electrode) 1140 are arranged so as not to overlap with each other in one area of the wiring substrate 1110

보다 구체적으로, 제1 전극(1120)은, 배선기판(1110)의 양단(1110-1, 1110-2) 중 어느 일단(1110-1)에 배치된다. 상기 제1전극(1120)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.More specifically, the first electrode 1120 is disposed at one end 1110-1 of both ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring substrate 1110. The first electrode 1120 may serve as a data electrode.

다음으로, 제2 전극 또는 제2 전극라인(1140)은 적어도 일 지점에서 구부러진 형상을 갖도록 이루어질 수 있다. 도시된 것과 같이, 제2 전극라인(1140)은 상기 배선기판(1110)의 양 가장자리(1110-3, 1110-4)에서 제1 방향(G-G)으로 연장되다가, 상기 연장된 전극라인과 수직하는 제2 방향(H-H) 방향으로 절곡 수 있다(또는 구부러질 수 있다). 그리고, 상기 제2 전극라인(1140)은, 상기 제2 방향(H-H)으로 절곡되어, 상기 제1 전극(1120)이 배치된 일단(1110-1)과 마주보는 타단(1110-2)으로 연장될 수 있다.Next, the second electrode or the second electrode line 1140 may be formed to have a bent shape at least at one point. The second electrode lines 1140 extend in the first direction GG at both edges 1110-3 and 1110-4 of the wiring substrate 1110 and are perpendicular to the extended electrode lines (Or can be bent) in the second direction HH. The second electrode line 1140 is bent in the second direction HH and extended to the other end 1110-1 facing the one end 1110-1 where the first electrode 1120 is disposed .

이를 통해, 제2 전극라인(1040)은, 상기 제1 방향(G-G방향)과 평행한 방향으로 연장된, 수평부(1140a) 및 상기 수평부(1140a)와 수직한 방향(또는 제1 방향(H-H))으로 연장된 수직부(1140b)를 포함할 수 있다. 수평부(1140a)와 수직부(1140b)는 서로 이어지도록 형성된다. 보다 구체적으로, 수평부(1140a)의 일단과 수직부(1140b)의 일단은 서로 연결되어 있다.The second electrode line 1040 includes a horizontal portion 1140a extending in a direction parallel to the first direction GG and a second electrode portion 1040b extending in a direction perpendicular to the horizontal portion 1140a 0.0 > HH). ≪ / RTI > The horizontal portion 1140a and the vertical portion 1140b are formed to be connected to each other. More specifically, one end of the horizontal portion 1140a and one end of the vertical portion 1140b are connected to each other.

이 경우, 상기 제1 전극라인(1120)은 상기 배선기판(1110)의 일단(1110-1)으로 연장되고, 상기 제2 전극라인(1140)은 상기 배선기판(1110)의 일단(1110-1)과 마주보는 타단(1110-2)으로 연장된다.The first electrode line 1120 extends to one end 1110-1 of the wiring board 1110 and the second electrode line 1140 extends to one end 1110-1 of the wiring board 1110. In this case, To the opposite end 1110-2.

이와 같이, 제2 전극라인(1140)이 어느 일 지점에서, 상기 배선기판(1110)의 타단을 향하여 연장됨에 따라, 배선기판(1110)의 서로 마주보는 양 단(1110-1, 1110-2)에는, 상기 제1 전극라인(1120) 및 제2 전극라인(1140)이 각각 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 전극라인(1120, 1140)에 구동신호들을 전달하는 구동부들은, 상기 배선기판(1110)의 양 단(1110-1, 1110-2)에 대응되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 배선기판(1110)의 양 가장자리(제1 가장자리(1110-3), 제2 가장자리(1110-4))에는 구동부들이 배치되지 않을 수 있으므로, 상기 양 가장자리(1110-3, 1110-4)에 대응되는 디스플레이 장치의 베젤의 두께가 줄어들 수 있다.As the second electrode line 1140 extends toward the other end of the wiring board 1110 at one point, the opposite ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring board 1110 face each other, The first electrode line 1120 and the second electrode line 1140 may extend respectively. The driving units for transmitting the driving signals to the first and second electrode lines 1120 and 1140 may be arranged to correspond to both ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring board 1110. [ Accordingly, since the driving portions may not be disposed on both edges (the first edge 1110-3 and the second edge 1110-4) of the wiring substrate 1110, the edges 1110-3 and 1110-4 The thickness of the bezel of the display device can be reduced.

한편, 본 발명에서는, 배선기판(1010)의 양 단(1110-1, 1110-2)에 구동부들을 배치시키기 위하여, 제2 전극라인(1140)을 어느 일 지점에서 절곡시키고, 이러한 절곡된 제2 전극라인(1140), 그리고 제1 전극(1120)을 반도체 발광소자들(1150)을 전기적으로 연결시키기 위하여, 연결 전극부(1160)를 활용한다.In the present invention, the second electrode line 1140 is bent at a certain point in order to dispose the driving parts on both ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring board 1010, The electrode line 1140 and the first electrode 1120 are electrically connected to the semiconductor light emitting devices 1150 by using the connection electrode unit 1160. [

연결 전극부(1160)는, 반도체 발광소자들(1150)을 웨이퍼 상에 성장시킬 때, 반도체 발광소자들(1150)과 상기 웨이퍼 상에 함께 성장된다. 따라서, 상기 연결 전극부(1160)는 상기 반도체 발광소자들(1150)이 상기 배선기판(1110) 상에 배치될 때, 함께 배치된다. 상기 반도체 발광소자들(1150)과 연결 전극부(1160)는 전도성 접착층(1130)을 통해, 배선기판(1110) 상에 배치될 수 있다.The connection electrode portion 1160 is grown together with the semiconductor light emitting elements 1150 on the wafer when the semiconductor light emitting elements 1150 are grown on the wafer. Accordingly, the connection electrode portion 1160 is disposed together when the semiconductor light emitting devices 1150 are disposed on the wiring substrate 1110. The semiconductor light emitting devices 1150 and the connection electrode unit 1160 may be disposed on the wiring substrate 1110 through the conductive adhesive layer 1130. [

상기 연결 전극부(1160)는, 제1 및 제2 연결 전극부(1160a, 1160b)를 포함하며, 제1 연결 전극부(1160a)는 제1 전극(1120)과 반도체 발광소자들(1150)을 전기적으로 연결시키고, 제2 연결 전극부(1160b)는 제2 전극(1140)과 반도체 발광소자들(1150)을 전기적으로 연결시킨다.The connection electrode unit 1160 includes first and second connection electrode units 1160a and 1160b and the first connection electrode unit 1160a includes a first electrode 1120 and semiconductor light emitting devices 1150 And the second connection electrode part 1160b electrically connects the second electrode 1140 and the semiconductor light emitting devices 1150. [

한편, 상기 반도체 발광 소자들(1150) 상에는, 상기 반도체 발광 소자들(1050)과 제2 연결 전극부(1160b), 그리고 제2 전극라인(1140) 및 구동부(미도시됨)를 전기적으로 연결하기 위한 연결라인(1170)이 구비될 수 있다. 상기 연결라인(1170)은, 상기 제2 전극라인(1140)의 수평부(1140a)의 나란한 방향으로 배치된 반도체 발광소자들(1150)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 연결라인(1170)은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 전도성을 띌 수 있다. 연결라인(1170)은 투명전극으로 이루어질 수 있다.On the other hand, on the semiconductor light emitting devices 1150, the semiconductor light emitting devices 1050 and the second connection electrode portions 1160b, and the second electrode lines 1140 and the driver (not shown) are electrically connected A connection line 1170 may be provided. The connection line 1170 may electrically connect the semiconductor light emitting elements 1150 arranged in the horizontal direction of the horizontal portion 1140a of the second electrode line 1140 with each other. The connection line 1170 may be made of a transparent material and may be made conductive. The connection line 1170 may be a transparent electrode.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 연결 전극부(1160)는 반도체 발광소자들(1150)과 함께 성장되는데, 이하에서는, 연결 전극부(1160) 및 반도체 발광소자들(1150)의 구조에 대하여 먼저 살펴본 뒤, 반도체 발광소자들, 제1 전극라인(1120), 제2 전극라인(1140), 연결 전극부(1160), 연결라인(1170), 구동부(미도시됨)들의 전기적인 연결 통로 및 이러한 전기적인 연결 통로를 구현하기 위한 구조에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 17a, 도 17b 및 도 17c는 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 연결 전극부의 구조를 설명하기 위한 개념도들이고, 도 18은 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자 및 연결 전극부를 설명하기 위한 개념도들이다.As described above, the connection electrode portion 1160 is grown together with the semiconductor light emitting elements 1150. Hereinafter, the structure of the connection electrode portion 1160 and the semiconductor light emitting elements 1150 will be described first The first electrode line 1120, the second electrode line 1140, the connecting electrode portion 1160, the connecting line 1170, and the driving portion (not shown) The structure for implementing the connection pathway will be described in more detail. FIGS. 17A, 17B, and 17C are conceptual diagrams illustrating the structure of the semiconductor light emitting device and the connection electrode unit according to the present invention, and FIG. 18 are conceptual diagrams illustrating the semiconductor light emitting device and the connection electrode unit formed on the wafer.

도 17a에 반도체 발광소자는, 제1 도전형 반도체층(예를 들어, n형 반도체층, 1153), 상기 제1 도전형 반도체층(1153)과 중첩되고, 상기 제1 도전형 반도체층(1153)과 중첩되는 제2 도전형 반도체층(예를 들어, p형 반도체층, 1155), 상기 제1 도전형 반도체층(1153)과 상기 제2 도전형 반도체층(1156) 사이에 배치되는 활성층(1154) 및 상기 제2 도전형 반도체층(1155)에 적층되는 제2 도전형 전극라인(예를 들어, p형 전극라인1156)를 포함한다. 17A, the semiconductor light emitting device includes a first conductive semiconductor layer 1153 (for example, an n-type semiconductor layer 1153) and a first conductive semiconductor layer 1153 overlapping the first conductive semiconductor layer 1153, (For example, a p-type semiconductor layer 1155), an active layer (for example, a p-type semiconductor layer) 1155 disposed between the first conductivity type semiconductor layer 1153 and the second conductivity type semiconductor layer 1156 And a second conductive type electrode line (for example, a p-type electrode line 1156) laminated on the second conductive type semiconductor layer 1155.

본 발명에 따른 반도체 발광소자들에 적층되는 제2 도전형 전극라인들은, 도 18에 도시된 것과 같이, 일 방향으로 서로 이웃하는 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결되도록, 상기 일 방향을 따라 연장된다. 여기에서, 상기 p 전극라인(1156)은 상기 반도체 발광소자들이, 앞서 도 16a 및 도 16b에서 살펴본 배선기판 상에 배치될 때, 제1 전극(1120)과 연결되도록, H-H 방향을 따라 연장될 수 있다.The second conductive type electrode lines stacked on the semiconductor light emitting devices according to the present invention extend along the one direction so as to be electrically connected to the semiconductor light emitting elements adjacent to each other in one direction . Here, the p-electrode line 1156 may extend along the HH direction so as to be connected to the first electrode 1120 when the semiconductor light emitting elements are disposed on the wiring board as shown in Figs. 16A and 16B. have.

그리고, 도 17b 및 도 17c를 참조하면, 연결 전극부(1160)는 상기 반도체 발광소자들(1150)이 웨이퍼 상에 성장될 때, 함께 성장됨으로써 형성되는 것으로, 상기 반도체 발광소자들의 복수의 도전형 반도체층들(예를 들어, 제1 도전형 반도체층(또는, n형 반도체층, 1153), 제2 도전형 반도체층(또는, p형 반도체층, 1155)) 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어진다. 연결 전극부(1160)는 상기 반도체 발광소자들(1150)과 함께 성장됨으로써 형성된다. 17B and 17C, the connection electrode unit 1160 is formed by being grown together with the semiconductor light emitting devices 1150 when the semiconductor light emitting devices 1150 are grown on the wafer, (Or a p-type semiconductor layer, 1155) that are formed on the first conductive semiconductor layer (for example, the first conductive semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer) 1153 and the second conductive semiconductor layer . The connection electrode portion 1160 is formed by growing together with the semiconductor light emitting elements 1150.

한편, 본 명세서에서는, 연결 전극부(1160)가, 제1 도전형 반도체층(예를 들어, n형 반도체층, 1153, 도 17a 참조)과 동일한 재질을 갖는 것을 예를 들어 설명하나, 연결 전극부(1160)는 상기 제1 도전형 반도체층과 다른 제2 도전형 반도체층(또는, p형 반도체층, 1155)과 동일한 재질로 이루어질 수 있음은 자명하다.Although the connection electrode portion 1160 has the same material as that of the first conductivity type semiconductor layer (for example, the n-type semiconductor layer 1153, see FIG. 17A) in the present specification, It is apparent that the first conductive semiconductor layer 1160 may be formed of the same material as the second conductive semiconductor layer (or the p-type semiconductor layer 1155) different from the first conductive semiconductor layer.

한편, 연결 전극부(1160)는 도 17b에 도시된 것과 같이, 제1 연결 전극부(1160a)와, 제2 연결 전극부(1160b)를 포함한다.Meanwhile, the connection electrode unit 1160 includes a first connection electrode unit 1160a and a second connection electrode unit 1160b, as shown in FIG. 17B.

여기에서, 상기 제1 연결 전극부(1160a)는 도전형 반도체층(1160a-1)과 상기 도전형 반도체층(1160a-1)과 적층되는 도전형 전극(1160a-2)을 구비할 수 있다.The first connection electrode part 1160a may include a conductive semiconductor layer 1160a-1 and a conductive electrode 1160a-2 stacked with the conductive semiconductor layer 1160a-1.

한편, 상기 제1 연결 전극부(1160a)에 구비된 상기 도전형 전극(1160a-2)은, 도 18에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자들(1150)에 구비된 p형 전극라인(1156)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 본 발명에서는 상기 p형 전극라인(1156)이 상기 제1 연결 전극부(1160a)까지 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극연결부(1160a)는, 상기 H-H방향을 따라 연장된 p형 전극라인(1156)에 의하여, 상기 H-H방향으로 연장된 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결될 수 있다.18, the conductive electrode 1160a-2 provided on the first connection electrode part 1160a may include a p-type electrode line 1156 provided in the semiconductor light emitting elements 1150, And the like. In the present invention, the p-type electrode line 1156 may extend to the first connection electrode portion 1160a. Therefore, the first electrode connection part 1160a may be electrically connected to the semiconductor light emitting elements extending in the H-H direction by the p-type electrode line 1156 extending along the H-H direction.

나아가, 제2 연결 전극부(1160b) 또한 상기 반도체 발광소자들의 복수의 도전형 반도체층들(예를 들어, 제1 도전형 반도체층(또는, n형 반도체층, 1153), 제2 도전형 반도체층(또는, p형 반도체층, 1155)) 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어진다. 연결 전극부(1160)는 상기 반도체 발광소자들(1150)과 함께 성장됨으로써 형성된다. 제2 연결 전극부(1160b)는 도전형 반도체층(1160b-1)을 구비하고, 상기 도전형 반도체층(1160b-1)에 적층되는 전극(1160b-2)을 구비한다. 여기에서, 상기 전극(1160b-2)은 제2 도전형 전극(예를 들어, p형 전극 또는 p패드, 1156)과 동일한 재질로 이루어진다. Further, the second connection electrode portion 1160b may also include a plurality of conductive semiconductor layers (for example, a first conductivity type semiconductor layer (or an n-type semiconductor layer, 1153), a second conductivity type semiconductor layer (Or p-type semiconductor layer, 1155). The connection electrode portion 1160 is formed by growing together with the semiconductor light emitting elements 1150. The second connection electrode part 1160b includes an electrode 1160b-2 having a conductivity type semiconductor layer 1160b-1 and being stacked on the conductivity type semiconductor layer 1160b-1. Here, the electrode 1160b-2 is made of the same material as the second conductive electrode (for example, the p-type electrode or the p-pad 1156).

제2 연결 전극부(1160b)의 도전형 반도체층(1160b-2)은, 반도체 발광소자들에서, 제1 도전형 반도체층(1153)이 성장될 때 함께 성장되며, 제2 연결 전극부(1160b)의 전극(1160b-2)은, 반도체 발광소자들에서, 제2 도전형 전극(1156)이 형성될때, 함께 형성되거나, 별도로 형성될 수 있다. The conductive type semiconductor layer 1160b-2 of the second connection electrode portion 1160b is grown together with the first conductivity type semiconductor layer 1153 in the semiconductor light emitting elements, and the second connection electrode portion 1160b The electrodes 1160b-2 may be formed together or separately from each other when the second conductive type electrode 1156 is formed in the semiconductor light emitting elements.

한편, 도 18을 참조하면, 반도체 발광소자들(1150)과 연결 전극부(1160)의 성장시, 제1 연결 전극부(1160a)는 반도체 발광소자들(1150)이 배치되는 영역(1101-1)의 제1 측 영역(1101-2) 및 상기 제1 측 영역과 마주보는 제2 측 영역 중 적어도 하나에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 연결 전극부(1160a)는 반도체 발광소자들(1150)이 배치되는 영역(1101-1)의 어느 제1 가장자리 영역(1101-1) 또는 서로 바주보는 양 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자들(1150)은 상기 제1 연결 전극부(1160a)를 사이에 두고, 형성된다. 반도체 발광소자들(1150)은 반도체 발광 소자들(1150)의 p형 전극라인(1156)과 이어지는 제1 연결 전극부(1160a의) 전극(1160a-2)와 전기적으로 연결된다. 한편, 상기 제1 연결 전극부(1160a)는 양 가장자리에서 상기 일 방향(H-H)을 따라 서로 어긋나도록 배치될 수 있다.18, when the semiconductor light emitting devices 1150 and the connection electrode unit 1160 are grown, the first connection electrode unit 1160a is formed in a region 1101-1 where the semiconductor light emitting devices 1150 are disposed The first side region 1101-2 and the second side region facing the first side region. That is, the first connection electrode part 1160a may be formed in either the first edge area 1101-1 of the area 1101-1 where the semiconductor light emitting devices 1150 are disposed, . In this case, the semiconductor light emitting devices 1150 are formed with the first connection electrode part 1160a therebetween. The semiconductor light emitting elements 1150 are electrically connected to the p-type electrode line 1156 of the semiconductor light emitting elements 1150 and the electrode 1160a-2 of the first connecting electrode portion 1160a. Meanwhile, the first connection electrode portions 1160a may be arranged to be offset from each other along the one direction (H-H).

한편, 제2 연결 전극부(1160b)는 상기 제1 연결 전극부(1160b)와 다른 일측 영역, 예를 들어, 제3 측 영역(1101-3) 및 상기 제3 측 영역(1101-3)과 마주보는 제4 측 영역 중 적어도 하나의 영역에 성장될 수 있다. 이를 통해, 반도체 발광소자들(1150)은 제1 및 제2 연결 전극부(1160a, 1160b)에 의해 둘러쌓일 수 있다. 반도체 발광소자들(1150)의 n형 반도체층(1153)은, 일 방향(G-G)으로, 상기 제2 연결 전극부(1160b)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second connection electrode portion 1160b may be formed on one side of the first connection electrode portion 1160b, for example, the third side region 1101-3 and the third side region 1101-3, May be grown in at least one of the facing fourth side regions. Accordingly, the semiconductor light emitting elements 1150 can be surrounded by the first and second connection electrode portions 1160a and 1160b. The n-type semiconductor layer 1153 of the semiconductor light emitting elements 1150 may be electrically connected to the second connection electrode portion 1160b in one direction G-G.

한편, 상기 제2 연결 전극부(1160b)는 반도체 발광소자들(1150)이 배치된 영역(1101-1)의 양 가장자리에서 상기 일 방향(G-G)을 따라 서로 어긋나도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 일 방향(G-G)을 따라 배치된 복수의 반도체 발광소자 어레이 중, 어느 반도체 발광소자 어레이(1150b)는 상기 양 가장자리 중 어느 일 가장자리에 형성된 제2 연결 전극부(1160b)부와 전기적으로 연결되고, 복수의 반도체 발광소자 어레이 중, 다른 반도체 발광소자 어레이는 상기 양 가장자리 다른 일 가장자리에 형성된 제2 연결 전극부(미도시됨)부와 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the second connection electrode part 1160b may be arranged to be offset from each other along the one direction (G-G) at both edges of the area 1101-1 where the semiconductor light emitting devices 1150 are disposed. In this case, of the plurality of semiconductor light-emitting element arrays arranged along the one direction GG, any one of the semiconductor light-emitting element arrays 1150b may be electrically connected to the second connecting electrode portion 1160b formed at one edge of the both edges, And the other semiconductor light emitting element array among the plurality of semiconductor light emitting element arrays may be electrically connected to the second connecting electrode portion (not shown) formed at the other edge of the both edges.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 연결 전극부(1160)는 반도체 발광소자들(1150)을 구성하는 복수의 도전형 반도체층, 활성층, 도전형 전극 중 일부 구성을 포함하고 있으므로, 연결 전극부(1160)와 반도체 발광소자들(1150)은 두께방향으로 높이차를 갖을 수 있다.As described above, since the connection electrode portion 1160 includes a part of the plurality of conductive semiconductor layers, the active layer, and the conductive electrode that constitute the semiconductor light emitting devices 1150, And the semiconductor light emitting elements 1150 may have a height difference in the thickness direction.

이와 같은, 구조를 갖는 반도체 발광소자들 및 연결 전극부들이, 도 16a 및 도 16b에서 살펴본, 배선기판에 합착됨에 따라, 반도체 발광소자들과, 배선기판에 구비된 전극들, 이에 연결된 구동부들은 전기적으로 연결될 수 있다.16A and FIG. 16B, the semiconductor light emitting devices, the electrodes provided on the wiring substrate, and the driving parts connected thereto are electrically connected to each other .

보다 구체적으로, 도 18와 같이 성장된 반도체 발광소자들(1160), 제1 연결 전극부(1160a) 및 제2 연결 전극부(1160b)는, 전도성 접착층(1130)을 통해, 배선기판(1110) 상에 합착된다.More specifically, the semiconductor light emitting devices 1160, the first connection electrode portion 1160a, and the second connection electrode portion 1160b grown as shown in FIG. 18 are electrically connected to the wiring substrate 1110 through the conductive adhesive layer 1130, Lt; / RTI >

이때, 제1 연결 전극부(1160a)는 제1 전극(1120)과 전기적으로 연결되도록, 배선기판(1110)의 일 단부(1110-1) 또는 상기 양 단부(1110-1, 1110-2)에 배치된다. 그리고, 상기 제2 연결 전극부(1160b)는, 제2 전극라인(1140)과 전기적으로 연결되도록, 배선기판(1110)의 일 가장자리(1110-3) 또는 양 가장자리(1110-3, 1110-4)에 배치된다. 그리고, 반도체 발광소자들(1150)은, 상기 제1 및 제2 연결 전극부(1160a, 1160b)에 둘러 쌓이도록, 배선기판(1110)의 중앙영역(1110-5)에 배치된다.The first connection electrode part 1160a is electrically connected to the first electrode 1120 at one end 1110-1 or at both ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring board 1110 . The second connection electrode part 1160b is electrically connected to the first edge 1110-3 or both edges 1110-3 and 1110-4 of the wiring board 1110 so as to be electrically connected to the second electrode line 1140. [ . The semiconductor light emitting devices 1150 are disposed in the central region 1110-5 of the wiring substrate 1110 so as to be surrounded by the first and second connection electrode portions 1160a and 1160b.

한편, 상기 반도체 발광소자들(1150), 연결 전극부(1160) 사이에는 전도성 접착층(1130)이 배치되는데, 전도성 접착층(1130)의 도전볼은, 배선기판(1110)의 양 단부(1110-1, 1110-2) 및 양 가장자리(1110-3, 11104)에 대응되는 부분(1130-1)에만 포함되고, 전도성 접착층(1130)의 중 배선기판(1110)의 가운데 영역(1110-5)과 대응되는 부분(1130-2)은, 절연층으로 이루어진다. 상기 절연층(1130-2)을 통해, 상기 배선기판(1110)의 중앙영역(1110-5)에 제2 전극라인(1140)이 배치되더라도, 상기 반도체 발광소자들(1150)의 p형 전극(1156)과 절연될 수 있다.A conductive adhesive layer 1130 is disposed between the semiconductor light emitting devices 1150 and the connection electrode unit 1160. The conductive balls of the conductive adhesive layer 1130 are electrically connected to both ends 1110-1 1110-2 corresponding to the middle region 1110-5 of the middle wiring board 1110 of the conductive adhesive layer 1130 are included only in the portions 1130-1 corresponding to both the edges 1110-2, 1110-2 and the edges 1110-3, Is made of an insulating layer. Even if the second electrode line 1140 is disposed in the central region 1110-5 of the wiring board 1110 through the insulating layer 1130-2, the p-type electrode 1150 of the semiconductor light emitting elements 1150 1156, respectively.

한편, 상기 반도체 발광 소자들(1150) 상에는, 상기 반도체 발광 소자들(1150)과 제2 연결 전극부(1160b), 그리고 제2 전극라인(1140) 및 구동부(미도시됨)를 전기적으로 연결하기 위한 연결라인(1170)이 구비될 수 있으며, 상기 연결라인(1170)은, 상기 p형 전극라인(1156)과 수직 교차하는 방향으로 이웃하는 반도체 발광소자들(1150)을 연결시킬 수 있다. 연결라인(1170)은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 전도성을 띌 수 있다. 연결라인(1170)은 투명전극으로 이루어질 수 있다.On the other hand, on the semiconductor light emitting devices 1150, the semiconductor light emitting devices 1150 and the second connection electrode units 1160b, and the second electrode lines 1140 and the driver (not shown) are electrically connected And the connection line 1170 may connect the semiconductor light emitting devices 1150 adjacent to each other in the direction perpendicular to the p-type electrode line 1156. The connection line 1170 may be made of a transparent material and may be made conductive. The connection line 1170 may be a transparent electrode.

보다 구체적으로, 제1 전극(1120)은, p형 전극 라인(1156) 및 제1 연결 전극부(1160a)를 통해, H-H 방향으로 서로 이웃하는 반도체 발광소자들(1150)을 전기적으로 연결되고, 상기 연결라인(1170)은, 제2 연결 전극부(1160b), 상기 p형 전극라인(1156)과 수직하는 G-G 방향으로 서로 이웃하는 반도체 발광소자들(1150)을 전기적으로 연결할 수 있다.More specifically, the first electrode 1120 is electrically connected to the semiconductor light emitting elements 1150 adjacent to each other in the HH direction through the p-type electrode line 1156 and the first connection electrode portion 1160a, The connection line 1170 may electrically connect the semiconductor light emitting elements 1150 adjacent to each other in the GG direction perpendicular to the second connection electrode part 1160b and the p-type electrode line 1156. [

제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1153)은, 상기 제1 도전형 반도체층(또는 n형 반도체층, 1153)상에 형성되고, G-G방향을 따라 연장되는 연결라인(1170)을 통해, 제2 연결 전극부(1160b)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 연결라인(1170)과 전기적으로 연결되는, 제2 연결 전극부(1160b)는 배선기판(1110)에 구비된 제2 전극라인(1140)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 전극라인(1140)은, 배선기판(1110)의 일 단부(1110-2)에서 구동부와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결라인(1170)을 통해, 상기 연결라인(1170)과 나란하게 배치되는 반도체 발광소자들은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductive type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer) 1153 is formed on the first conductive type semiconductor layer (or the n-type semiconductor layer 1153) and has a connection line 1170 extending along the GG direction And is electrically connected to the second connection electrode portion 1160b. The second connection electrode portion 1160b electrically connected to the connection line 1170 is electrically connected to the second electrode line 1140 provided on the wiring substrate 1110 and the second electrode line 1140 may be electrically connected to the driving unit at one end 1110-2 of the wiring board 1110. [ The semiconductor light emitting devices disposed in parallel with the connection line 1170 may be electrically connected to each other through the connection line 1170.

한편, 상기 구동부에서 전달되는 스캔신호는, 제2 전극라인(1140), 제2 연결 전극부(1160b), 연결라인(1170)을 따라, 반도체 발광소자들(1150)로 전달된다. The scan signal transmitted from the driving unit is transmitted to the semiconductor light emitting devices 1150 along the second electrode line 1140, the second connection electrode unit 1160b, and the connection line 1170.

한편, 앞서 살펴본 것과 같이, 제1 전극(1120)은 배선기판(1110)의 일 방향(예를 들어, H-H방향)을 따라 연장된, 반도체 발광소자들(1150)의 p형 전극라인(1156)과 제1 연결 전극부(1160a)dmf 통해 전기적으로 연결되며, 이를 통해, 상기 제1 전극(1120)으로 전달되는 데이터 구동신호가, 반도체 발광소자들(1150)로 전달될 수 있다.The first electrode 1120 is electrically connected to the p-type electrode line 1156 of the semiconductor light emitting elements 1150 extending along one direction (e.g., the HH direction) of the wiring substrate 1110, The data driving signal transmitted to the first electrode 1120 may be transmitted to the semiconductor light emitting devices 1150 through the first connection electrode portion 1160a and the first connection electrode portion 1160a.

이와 같이, 제2 전극라인(1140)이 어느 일 지점에서 p형 전극라인(1156)이 배치된 방향과 나란한 방향으로 연장됨에 따라, 배선기판(1110)의 서로 마주보는 양 단(1110-1, 1110-2)에는, 상기 제1 전극(1120) 및 제2 전극라인(1140)이 각각 연장될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 전극라인(1120, 1140)에 구동신호들을 전달하는 구동부들은, 상기 배선기판(1110)의 양 단(1110-1, 1110-2)에 대응되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 배선기판(1110)의 양 가장자리(제1 가장자리(1110-3), 제2 가장자리(1110-4))에는 구동부들이 배치되지 않을 수 있으므로, 상기 양 가장자리(1110-3, 1110-4)에 대응되는 디스플레이 장치의 베젤의 두께가 줄어들 수 있다.As described above, the second electrode line 1140 extends in a direction parallel to the direction in which the p-type electrode line 1156 is disposed at a certain point, so that the opposite ends 1110-1, 1110-2 of the wiring substrate 1110, The first electrode 1120 and the second electrode line 1140 may extend from the first electrode 1110-2 to the second electrode 1110-2. The driving units for transmitting the driving signals to the first and second electrode lines 1120 and 1140 may be arranged to correspond to both ends 1110-1 and 1110-2 of the wiring board 1110. [ Accordingly, since the driving portions may not be disposed on both edges (the first edge 1110-3 and the second edge 1110-4) of the wiring substrate 1110, the edges 1110-3 and 1110-4 The thickness of the bezel of the display device can be reduced.

나아가, 본 실시 예에 의하면, 반도체 발광소자들의 p형 전극들이, 어느 일 방향으로 연장됨에 따라, 배선기판 상에, 반도체 발광소자들을 상기 일 방향으로 연장하기 위한 데이터 전극라인이, 반도체 발광소자들이 배치된 영역 상에 구비되지 않을 수 있고, 결과적으로, 단층의 배선기판을 형성할 수 있어, 두께방향으로의 디스플레이 장치의 두께를 줄일 수 있다.Further, according to the present embodiment, as the p-type electrodes of the semiconductor light emitting elements are extended in either direction, the data electrode line for extending the semiconductor light emitting elements in the one direction is formed on the wiring substrate, It is possible to form a wiring substrate of a single layer, and as a result, the thickness of the display device in the thickness direction can be reduced.

이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described display device using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and the method of the embodiments described above, but all or a part of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made to the embodiments It is possible.

Claims (17)

제1 전극라인이 구비되는 제1 배선기판 및 상기 제1 배선기판보다 일 방향으로 돌출되도록 형성되며, 제2 전극라인이 구비되는 제2 배선기판을 포함하는 배선기판;
상기 제1 배선기판 상에 배치되며, 상기 제1 배선기판에 배치된 제1 전극라인과 전기적으로 연결되는 도전형 전극과, 상기 도전형 전극과 적층되는 복수의 도전형 반도체층을 구비하는 반도체 발광 소자들;
상기 반도체 발광소자들 상에 형성되어, 일 방향을 따라 인접하는 반도체 발광소자들을 서로 연결하는 연결라인; 및
상기 복수의 도전형 반도체층 중 어느 하나와 동일한 재질로 이루어지며, 상기 제1 배선기판보다 돌출되도록 형성된 제2 배선기판 상에 배치되도록 이루어지는 연결 전극부를 포함하도록 이루어지고,
상기 연결 전극부는,
상기 제2 배선기판에 구비된 제2 전극라인과 전기적으로 연결되는 연결전극 및 상기 연결전극 상에 적층되며, 상기 반도체 발광소자들을 서로 연결하는 연결라인과 전기적으로 연결되는 반도체층을 포함하도록 이루어져, 상기 반도체 발광소자들, 상기 연결라인, 및 상기 제2 전극라인으로 이어지는 도전 경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.A wiring board including a first wiring board having a first electrode line and a second wiring board protruding in one direction from the first wiring board and having a second electrode line;
A conductive type electrode disposed on the first wiring substrate and electrically connected to a first electrode line disposed on the first wiring substrate; and a semiconductor light emitting element including a plurality of conductive type semiconductor layers stacked with the conductive type electrode Elements;
A connection line formed on the semiconductor light emitting elements, the connection line connecting adjacent semiconductor light emitting elements along one direction; And
And a connection electrode part made of the same material as any one of the plurality of conductive semiconductor layers and disposed on a second wiring board formed to protrude from the first wiring board,
The connection electrode unit,
A connection electrode electrically connected to the second electrode line provided on the second wiring substrate, and a semiconductor layer stacked on the connection electrode and electrically connected to a connection line connecting the semiconductor light emitting devices, Wherein the first electrode line and the second electrode line form a conductive path leading to the semiconductor light emitting elements, the connection line, and the second electrode line. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광소자들은,
제1 도전형 반도체층,
상기 제1 도전형 반도체층과 중첩되고, 상기 도전형 전극이 적층되는 제2 도전형 반도체층, 및
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고,
상기 연결 전극부에 구비된 반도체층은,
상기 제1 도전형 반도체 층과 동일한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
The semiconductor light-
The first conductivity type semiconductor layer,
A second conductive type semiconductor layer superimposed on the first conductive type semiconductor layer and stacked with the conductive type electrode,
And an active layer disposed between the first and second conductive type semiconductor layers,
The semiconductor layer provided on the connection electrode part may include a first electrode,
Wherein the first conductive semiconductor layer is made of the same material as the first conductive semiconductor layer. 제2항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체 층과 상기 연결 전극부에 구비된 반도체층은 반도체 웨이퍼 상에서 함께 성장되도록 질화물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first conductive semiconductor layer and the connection electrode portion are formed of a nitride semiconductor so as to be grown together on a semiconductor wafer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 연결 전극부는 상기 일 방향으로 연장된 상기 연결라인들과 전기적으로 연결되도록 상기 제2 배선기판의 양 가장자리에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection electrode portion is disposed at both edges of the second wiring substrate so as to be electrically connected to the connection lines extending in the one direction. 제5항에 있어서,
상기 연결라인들의 양단 중 어느 일단이 상기 제2 배선기판의 양 가장자리 중 어느 하나에서 상기 연결 전극부에 연결되도록, 상기 연결 전극부는 상기 제2 배선기판의 양 가장자리에서 상기 일 방향을 따라 서로 어긋나도록 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
The connecting electrode portions are offset from each other along the one direction at both edges of the second wiring substrate so that either one of the ends of the connecting lines is connected to the connecting electrode portion at any one of both edges of the second wiring substrate And wherein the display device is disposed on the display device. 제5항에 있어서,
상기 제2 배선기판의 양 가장자리는 상기 일 방향을 따라 반대측에 각각 형성되는 제1 및 제2 가장자리부를 구비하고,
상기 제1 및 제2 가장자리부는 각각 상기 제2 배선기판에 배치된 상기 제2 전극라인이 상기 연결 전극부와 전기적으로 연결되도록, 상기 연결 전극부를 향하여 구부러진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first and second edge portions of the second wiring board have first and second edge portions, respectively, formed on the opposite sides along the first direction,
Wherein the first and second edge portions are respectively bent toward the connection electrode portion so that the second electrode line disposed on the second wiring substrate is electrically connected to the connection electrode portion. 제5항에 있어서,
상기 제2 배선기판에 배치된 상기 제2 전극라인과 상기 연결 전극부 사이에는 전극패드가 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
And an electrode pad is disposed between the second electrode line and the connection electrode portion disposed on the second wiring substrate. 제5항에 있어서,
상기 제2 배선기판과 상기 연결 전극부는, 상기 제2 배선기판 및 상기 연결 전극부 사이에 배치되는 전도성 접착층에 의하여 합착되어, 상기 전도성 접착층에 포함된 전도성 물질에 의하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the second wiring board and the connection electrode unit are bonded together by a conductive adhesive layer disposed between the second wiring board and the connection electrode unit and are electrically connected by a conductive material included in the conductive adhesive layer Display device. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 전극라인은 상기 배선기판의 일단부를 향하여 연장되고,
상기 제2 전극라인은, 상기 일단부의 반대측에 형성되는 상기 배선기판의 타단부를 향하여 연장되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. The method according to claim 1,
Wherein the first electrode line extends toward one end of the wiring board,
And the second electrode line extends toward the other end of the wiring board formed on the opposite side of the one end. 제11항에 있어서,
상기 일단부 측에는, 상기 제1 전극라인과 연결되며, 상기 반도체 발광소자들에 대한 제1 구동신호를 생성하는 제1 구동부가 배치되고,
상기 타단부 측에는, 상기 제2 전극라인과 연결되며, 상기 반도체발광소자들에 대한 제2 구동신호를 생성하는 제2 구동부가 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.12. The method of claim 11,
A first driving unit connected to the first electrode line and generating a first driving signal for the semiconductor light emitting devices is disposed on the one end side,
And a second driving unit connected to the second electrode line and generating a second driving signal for the semiconductor light emitting devices is disposed on the other end side. 제1항에 있어서,
상기 연결 전극은 상기 도전형 전극과 동일 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection electrode is formed of the same material as the conductive electrode. 제13항에 있어서,
상기 연결 전극은 상기 도전형 전극과 동시에 형성되며, 상기 도전형 전극과 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the connection electrode is formed simultaneously with the conductive electrode and has the same thickness as the conductive electrode. 제1항에 있어서,
상기 연결 전극부는 상기 제2 전극라인과 연결되는 제2 연결 전극부이고,
상기 도전형 전극은 상기 일 방향과 수직한 방향으로 연장되어 인접한 반도체 발광소자를 전기적으로 연결하며,
상기 도전형 전극의 단부에는 상기 도전형 전극 및 상기 제1 전극 라인에 각각 연결되는 제1 연결 전극부가 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
The connection electrode portion is a second connection electrode portion connected to the second electrode line,
Wherein the conductive electrode extends in a direction perpendicular to the one direction to electrically connect adjacent semiconductor light emitting elements,
And a first connection electrode part connected to the conductive electrode and the first electrode line, respectively, is formed at an end of the conductive electrode. 제15항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 전극부는 각각 전도성 접착층에 의하여 상기 배선기판에 부착되며, 상기 반도체 발광소자들은 비전도성 접착층에 의하여 상기 배선기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.


16. The method of claim 15,
Wherein the first and second connection electrode portions are respectively attached to the wiring board by a conductive adhesive layer, and the semiconductor light emitting elements are attached to the wiring board by a nonconductive adhesive layer.


삭제delete
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