KR101716996B1 - Method for manufacturing glass substrate and glass substrate manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
유리 제품의 백금 이물을 저감하는 것이 가능한 유리 기판의 제조 방법은, 용해 공정과, 청징 공정과, 성형 공정을 포함한다. 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어, 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고, 청징 공정에 있어서, 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고, 전극의 발열을 억제하기 위해 전극을 냉각하고, 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다.A manufacturing method of a glass substrate capable of reducing platinum foreign matter in a glass product includes a dissolving step, a refining step, and a molding step. The blue sign used in the fining process is a platinum or platinum alloy and has a flange-shaped electrode for electrically heating the blue sign. In the fining process, the blue sign is heated by energization so that the liquid level The electrode is cooled so as to suppress the heat generation of the electrode, and the cooling of the electrode is carried out in such a manner that the temperature of the wall of the blue oven is lower than the temperature of the air in the vapor space of the blue oven, The temperature is controlled so as to be in a range exceeding the temperature.
Description
본 발명은 유리 원료를 용융해서 유리 기판을 제조하는, 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 관한 것이다. 특히, 유리 기판의 제조 방법에 있어서의 청징 공정에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
유리 기판은, 일반적으로, 유리 원료로부터 용융 유리를 생성시킨 후, 용융 유리를 유리 기판으로 성형하는 공정을 거쳐 제조된다. 상기한 공정 중에는, 용융 유리가 내포하는 미소한 기포를 제거하는 공정(이하, 청징라고도 함)이 포함된다. 청징은, 관 형상의 청징조의 본체를 가열하면서, 이 청징조 본체(이하, 간단히 본체라고도 함)에 청징제를 배합시킨 용융 유리를 통과시켜, 청징제의 산화 환원 반응에 의해 용융 유리 중의 기포가 제거됨으로써 행하여진다. 보다 구체적으로는, 조용해(粗熔解)한 용융 유리의 온도를 더 올려 청징제를 기능시켜 기포를 부상 탈포시킨 후, 온도를 낮춤으로써, 탈포할 수 없어 남은 비교적 작은 기포는 용융 유리에 흡수시키도록 하고 있다. 즉, 청징은, 기포를 부상 탈포시키는 처리(이하, 탈포 처리 또는 탈포 공정이라고도 함) 및 소기포를 용융 유리에 흡수시키는 처리(이하, 흡수 처리 또는 흡수 공정이라고도 함)를 포함한다. 청징제는 종래 As2O3이 일반적이었지만, 최근의 환경 부하의 관점으로부터, SnO2 등이 이용되어 오고 있다.The glass substrate is generally manufactured through a process of forming a molten glass from a glass raw material and then molding the molten glass into a glass substrate. The above-mentioned process includes a step of removing minute bubbles contained in the molten glass (hereinafter also referred to as refining). The refining is carried out by passing molten glass containing a refining agent through the blue-signing body (hereinafter, simply referred to as the body) while heating the body of the tube-shaped blue-sign, Is removed. More specifically, by raising the temperature of the molten glass to further raise the temperature of the molten glass to float the bubbles by floating the bubbles and lowering the temperature, the relatively small bubbles that can not be defoamed are absorbed into the molten glass . That is to say, the refining includes a process of flotation of bubbles (hereinafter also referred to as defoaming process or defoaming process) and a process of absorbing small bubbles into molten glass (hereinafter also referred to as an absorption process or an absorption process). Conventionally, As 2 O 3 has been generally used as a refining agent, but SnO 2 has been used from the viewpoint of recent environmental load.
고온의 용융 유리로부터 품위가 높은 유리 기판을 양산하기 위해서는, 유리 기판의 결함의 요인이 되는 이물 등이, 유리 기판을 제조하는 어떤 장치로부터도 용융 유리에 혼입되지 않도록 고려하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 유리 기판의 제조 과정에 있어서 용융 유리에 접하는 부재의 내벽은, 그 부재에 접하는 용융 유리의 온도, 요구되는 유리 기판의 품질 등에 따라 적절한 재료에 의해 구성할 필요가 있다. 예를 들어, 상술한 청징조 본체를 구성하는 재료는, 통상 백금 또는 백금 합금 등의 백금족 금속이 이용되고 있는 것이 알려져 있다(특허문헌 1). 백금 또는 백금 합금은 고가이기는 하지만 융점이 높고, 용융 유리에 대한 내식성에도 우수하다.In mass production of glass substrates of high quality from molten glass at a high temperature, it is preferable to consider that foreign substances or the like which cause defects in the glass substrate are not mixed into the molten glass from any apparatus for manufacturing the glass substrate. Therefore, in the manufacturing process of the glass substrate, the inner wall of the member in contact with the molten glass needs to be made of an appropriate material in accordance with the temperature of the molten glass in contact with the member, the quality of the required glass substrate, and the like. For example, it is known that a platinum group metal such as platinum or a platinum alloy is usually used as a material for constituting the blue-signing body (Patent Document 1). Platinum or platinum alloys are expensive but have a high melting point and are excellent in corrosion resistance to molten glass.
탈포 공정 시에 청징조 본체를 가열하는 온도는, 성형해야 할 유리 기판의 조성에 의해 상이하지만, 1600℃ 내지 1700℃ 정도이다.The temperature for heating the blue oven body during the defoaming process varies depending on the composition of the glass substrate to be formed, but is about 1600 캜 to 1700 캜.
청징조 본체를 가열하는 기술로서 예를 들어, 청징조 본체에 1쌍의 플랜지 형상의 전극을 설치하고, 이 전극쌍에 전압을 인가함으로써, 청징조 본체를 통전 가열하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 2). 또한, 플랜지 형상의 전극에는, 구리나 니켈로 구성되는 수냉관이 설치되어 있다.As a technique for heating the blue sign body, for example, a technique is known in which a pair of flange-shaped electrodes are provided on a blue sign body and a blue sign body is energized by applying voltage to the pair of electrodes 2). In addition, a flange-shaped electrode is provided with a water-cooled pipe made of copper or nickel.
최근, 유리 기판에 포함되는 백금 이물이 문제가 되고 있다.In recent years, a platinum foreign matter contained in a glass substrate has become a problem.
예를 들어, 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는 유리 기판(FPD용 유리 기판)에 포함되는 백금 이물은 최근 특히 엄격하게 제한되고 있다. 또한, 플랫 패널 디스플레이용에 한정되지 않고, 다른 용도에서도 문제가 되고 있다.For example, platinum foreign materials contained in glass substrates (glass substrates for FPD) used in flat panel displays such as liquid crystal displays (LCDs) and organic EL displays and the like are recently severely restricted. In addition, it is not limited to a flat panel display, and is also a problem in other applications.
그러나, 상기 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 플랜지 형상의 전극을 수냉관에서 냉각하면, 청징조의 전극 근방의 위치에서는, 국소적으로 온도가 저하된다.However, as described in Patent Document 2, when the flange-shaped electrode is cooled in a water-cooled tube, the temperature locally falls at a position near the electrode of the blue sign.
한편, 청징조 본체의 내부 표면이, 백금 또는 백금 합금(백금족 금속)으로 구성되어 있는 경우, 기상 공간(산소를 포함하는 분위기)에 접하는 부분이 휘발된다. 휘발된 백금 또는 백금 합금은, 청징조의 전극 근방의 국소적으로 온도가 저하된 위치에서 응축하여, 응축물로 되어 부착된다. 이 응축물의 일부는 탈포 공정 중의 용융 유리 중으로 낙하되어 혼입되어, 유리 기판에 백금 이물로서 혼입될 우려가 있었다.On the other hand, when the inner surface of the blue sign body is made of platinum or a platinum alloy (platinum group metal), a portion in contact with the vapor phase space (atmosphere containing oxygen) is volatilized. The volatilized platinum or platinum alloy is condensed and adhered as a condensate at a locally lowered temperature position near the electrode of the blue sign. A part of the condensate may fall into the molten glass during the defoaming process and be mixed with the glass substrate as a platinum foreign matter.
본 발명은 이상의 점을 감안하여, 유리 제품의 백금 이물을 저감시키는 것이 가능한 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치를 제공하고자 하는 것이다.In view of the above, it is an object of the present invention to provide a glass substrate manufacturing method and a glass substrate manufacturing apparatus capable of reducing the amount of platinum foreign matter in a glass product.
본 발명은 이하의 형태를 갖는다.The present invention has the following aspects.
[형태 1][Mode 1]
용해 공정과, 청징 공정과, 성형 공정을 포함하는 유리 기판의 제조 방법이며,A method of manufacturing a glass substrate including a melting step, a cleaning step, and a molding step,
상기 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,Wherein the blue pattern used in the finishing step is made of platinum or a platinum alloy and has a flange shaped electrode for energizing the blue pattern,
상기 청징 공정에 있어서, In the purifying step,
상기 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 상기 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고,The defrosting is performed by passing the molten glass through the conduction-heated blue sign by adjusting the liquid level so as to have a vapor phase space,
상기 전극의 발열을 억제하기 위해 상기 전극을 냉각하고,Cooling the electrode to suppress heat generation of the electrode,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리기판의 제조 방법.Wherein the cooling of the electrode is controlled such that the temperature of the wall of the blue sign exceeds a temperature at which the platinum vapor generated in the vapor space of the blue sign exceeds the condensation temperature.
[형태 2][Mode 2]
상기 청징 공정에 있어서,In the purifying step,
상기 전극 또는 상기 전극 근방의 청징조의 온도를 측정하고,Measuring the temperature of the electrode or the blue circle in the vicinity of the electrode,
상기 측정한 온도에 기초하여, 상기 전극의 냉각량을 조정하는, 형태 1에 기재된 유리 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a glass substrate according to
[형태 3][Mode 3]
상기 청징 공정에 있어서,In the purifying step,
상기 측정한 전극 또는 전극 근방의 청징조의 온도가, 미리 결정된 온도 범위 내인지 아닌지를 판정하고, 상기 판정한 결과, 측정한 온도가 상기 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때, 상기 냉각량을 조정하는, 형태 2에 기재된 유리 기판의 제조 방법.Determining whether or not the temperature of the blue circle in the vicinity of the measured electrode or the electrode is within a predetermined temperature range and adjusting the cooling amount when the measured temperature is outside the predetermined temperature range, A method for producing a glass substrate according to the second aspect.
[형태 4][Mode 4]
상기 청징 공정에 있어서,In the purifying step,
청징제로서 산화 주석이 이용되는, 형태 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 제조 방법.The method for producing a glass substrate according to any one of the first to third aspects, wherein tin oxide is used as a fining agent.
[형태 5][Mode 5]
상기 전극은, 냉매를 통과시키기 위한 냉각관을 갖고,Wherein the electrode has a cooling pipe for passing the refrigerant therethrough,
상기 청징 공정은,In the purifying step,
상기 냉각관에 통과시키는 냉매의 양을 증감시킴으로써, 냉각량을 조정하는, 형태 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 유리 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a glass substrate according to any one of
[형태 6][Mode 6]
상기 냉매는 기체인 형태 5에 기재된 유리 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a glass substrate according to Mode 5, wherein the coolant is a base.
[형태 7][Mode 7]
용해조와, 청징조와, 성형 장치를 포함하는 유리 기판 제조 장치이며,1. A glass substrate manufacturing apparatus comprising a melting vessel, a blue sign, and a molding apparatus,
상기 청징조는 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극을 갖고,Wherein the blue sign comprises a platinum or platinum alloy and has a flange-shaped electrode for energizing the blue sign,
상기 전극은 상기 전극의 발열을 억제하기 위해 냉각되고,The electrode is cooled to suppress heat generation of the electrode,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.Wherein the cooling of the electrode is controlled such that the temperature of the wall of the blue sign exceeds a temperature at which the platinum vapor generated in the vapor space of the blue sign is condensed.
본 발명의 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 따르면, 유리 제품의 백금 이물을 저감시킬 수 있다.According to the method for manufacturing a glass substrate and the apparatus for manufacturing a glass substrate of the present invention, it is possible to reduce a platinum particle of a glass product.
도 1은 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법의 간단한 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 실시 형태의 유리 기판 제조 장치의 개략적인 배치도이다.
도 3은 본 실시 형태의 청징조의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 청징 공정에 있어서, 제어 장치가 전극의 냉각을 조정하는 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 5는 청징조의 길이 방향의 온도 분포의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 전극의 온도와 시간의 관계의 일례를 도시하는 도면이다.1 is a flow chart for explaining a simple process of a manufacturing method of a glass substrate according to the present embodiment.
2 is a schematic layout diagram of a glass substrate manufacturing apparatus according to the present embodiment.
3 is a schematic view showing the configuration of the blue sign of the present embodiment.
4 is a flowchart showing an example of a method of controlling the cooling of the electrode in the cleaning process according to the present embodiment.
5 is a diagram showing an example of the temperature distribution in the longitudinal direction of the blue sign.
6 is a diagram showing an example of the relationship between temperature and time of the electrode.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법의 실시 형태에 대해 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a method for manufacturing a glass substrate of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법의 공정을 도시하는 흐름도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 유리 기판은, 주로 용해 공정(ST1), 청징 공정(ST2), 균질화 공정(ST3), 공급 공정(ST4), 성형 공정(ST5), 서냉 공정(ST6), 절단 공정(ST7)을 거쳐 제작된다.Fig. 1 is a flow chart showing the steps of a method for manufacturing a glass substrate according to the present embodiment. As shown in Fig. 1, the glass substrate is mainly composed of a dissolving step (ST1), a clarifying step (ST2), a homogenizing step (ST3), a supplying step (ST4), a molding step (ST5) (ST7).
또한, 도 2는 상술한 용해 공정(ST1) 내지 절단 공정(ST7)을 거쳐 제작되는 본 실시 형태의 유리 기판 제조 장치의 개략도이고, 각 공정에 있어서 사용되는 장치의 배치를 개략적으로 나타내고 있다.2 is a schematic view of a glass substrate manufacturing apparatus of the present embodiment manufactured through the dissolving step (ST1) to cutting step (ST7) described above, and schematically shows the arrangement of apparatuses used in each step.
도 2에 도시한 바와 같이, 유리 기판 제조 장치(200)는 유리 원료를 가열해서 용융 유리를 생성하는 용해 장치(40)와, 용융 유리를 청징하는 청징조(41)와, 용융 유리를 교반해서 균질화하기 위한 교반 장치(100)와, 유리 기판에 성형하는 성형 장치(42)를 구비하고 있다. 또한, 용융 유리를 상술한 장치 사이로 이송하는 유리 공급관(43a, 43b, 43c)을 갖는다. 용해 장치(40) 이후, 성형 장치(42)까지의 각 장치 사이를 접속하는 유리 공급관(43a, 43b, 43c) 및 청징조(41)와 교반 장치(100)는 백금족 금속으로 구성되어 있다.2, the glass
용해 장치(40)는 내화벽돌 등의 내화물에 의해 구성되어 있다. 또한, 용해 장치(40)에는, 도시되지 않는 연료와 산소 등을 혼합한 연소 가스가 연소해서 화염을 발하는 버너 등의 가열 수단이 설치되어 있다.The
용해 공정(ST1)에서는, 예를 들어 SnO2 등의 청징제가 첨가되어 용해 장치(40) 내에 공급된 유리 원료를, 상술한 가열 수단으로 가열해서 용해함으로써 용융 유리 MG를 얻는다. 구체적으로는, 도시되지 않는 원료 투입 장치를 이용해서 유리 원료가 용융 유리의 액면에 공급된다. 유리 원료는, 버너의 화염으로부터의 복사열에 의해 가열된다. 유리 원료는, 상술한 가열 수단에 의해 가열되어 서서히 용해되고, 용융 유리 MG 중에 녹는다.Dissolving step (ST1) in, for example, by the fining agent it is such as SnO 2 added to the glass raw material supplied into the
또한, 상기 가열 수단은, 예를 들어 몰리브덴, 백금 또는 산화 주석 등으로 구성된 적어도 1쌍의 전극이여도 된다. 이 경우, 용융 유리 MG는 상기 전극 사이에 전류를 흘림으로써 통전 가열되어, 승온되어도 된다.The heating means may be at least a pair of electrodes made of, for example, molybdenum, platinum or tin oxide. In this case, the molten glass MG may be energized and heated by flowing a current between the electrodes.
용해 장치(40)에 투입되는 유리 원료는, 제조해야 할 유리 기판의 조성에 따라 적절히 조제된다. 일례로서 TFT형 LCD용 기판으로서 이용하는 유리 기판을 제조하는 경우를 들면, 유리 기판을 구성하는 유리 조성물을 질량%로 표시하여,The glass raw material charged into the
SiO2:50 내지 70%,SiO 2 : 50 to 70%
Al2O3:0 내지 25%,Al 2 O 3 : 0 to 25%
B2O3:1 내지 15%,B 2 O 3 : 1 to 15%
MgO:0 내지 10%,MgO: 0 to 10%
CaO:0 내지 20%,CaO: 0 to 20%
SrO:0 내지 20%,SrO: 0 to 20%
BaO:0 내지 10%,BaO: 0 to 10%
RO:5 내지 30%(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba의 합량)RO: 5 to 30% (R is the sum of Mg, Ca, Sr and Ba)
를 함유하는 무알칼리 유리인 것이 바람직하다.Alkali-free glass.
또한, 본 실시 형태에서는 무알칼리 유리로 했지만, 유리 기판은 알칼리 금속을 미량 포함한 알칼리 미량 함유 유리이여도 된다. 알칼리 금속을 함유시키는 경우, R'2O의 합계가 0.10% 이상 0.5% 이하, 바람직하게는 0.20% 이상 0.5% 이하(단, R'은 Li, Na 및 K로부터 선택되는 적어도 1종이고, 유리 기판을 함유하는 것이다) 포함하는 것이 바람직하다. 물론, R'2O의 합계가 0.10%보다 낮아도 된다.In the present embodiment, the glass is made of alkali-free glass. However, the glass substrate may be an alkali-containing glass containing a trace amount of alkali metal. When an alkali metal is contained, the total amount of R ' 2 O is 0.10% to 0.5%, preferably 0.20% to 0.5% (provided that R' is at least one species selected from Li, Na and K, It is preferable to include a substrate). Of course, the total of R ' 2 O may be lower than 0.10%.
또한, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법을 적용하는 경우는, 유리 조성물이, 상기 각 성분에 이외에, 질량%로 표시하여, SnO2:0.01 내지 1%(바람직하게는 0.01 내지 0.5%), Fe2O3:0 내지 0.2%(바람직하게는 0.01 내지 0.08%)를 함유하고, 환경 부하를 고려하여, As2O3, Sb2O3 및 PbO를 실질적으로 함유하지 않도록 유리 원료를 제조해도 된다.In the case of applying the glass substrate production method of the present invention, the glass composition may contain SnO 2 in an amount of 0.01 to 1% (preferably 0.01 to 0.5%), Fe 2 O 3 : 0 to 0.2% (preferably 0.01 to 0.08%), and considering the environmental load, a glass raw material may be prepared so as not to contain As 2 O 3 , Sb 2 O 3 and PbO .
다음의 청징 공정(ST2)은, 청징조(41)에서 행하여진다. 청징 공정에서는, 청징조(41) 내의 기상 공간을 갖도록 용융 유리 MG의 액위를 조정해서 용융 유리 MG를 통과시킨다. 이 때, 청징조(41) 내의 용융 유리 MG가 소정 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1600℃ 이상)로 승온됨으로써, 용융 유리 MG 중에 포함되는 O2, CO2 또는 SO2를 포함한 기포가, 예를 들어 SnO2 등의 청징제의 환원 반응에 의해 생긴 O2를 흡수해서 성장하고, 용융 유리 MG의 액면으로 부상해서 방출된다. 그 후, 유리 공급관(43b) 등에 있어서 용융 유리 MG의 온도를 저하시킴으로써, SnO2 등의 청징제가 환원 반응해서 얻어진 SnO가 산화 반응을 함으로써, 용융 유리 MG에 잔존하는 기포 중의 O2 등의 가스 성분이 용융 유리 MG 중에 흡수되어, 기포가 소멸한다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은 용융 유리 MG의 온도를 제어함으로써 행하여진다.The following cleaning process (ST2) is performed in the bluezing process (41). In the refining step, the liquid level of the molten glass MG is adjusted so as to have a vapor phase space in the
균질화 공정(ST3)에서는, 유리 공급관(43b)을 통해 공급된 교반 장치(100) 내의 용융 유리 MG를, 후술하는 교반기를 이용해 교반함으로써, 유리 성분의 균질화를 행한다. 교반 장치(100)는, 1개의 교반기를 이용해서 용융 유리 MG를 교반하지만, 2개 이상의 교반기를 이용해서 용융 유리 MG를 교반할 수도 있다.In the homogenization step (ST3), the molten glass MG in the stirring apparatus (100) supplied through the glass feed pipe (43b) is stirred using a stirrer to be described later to homogenize the glass components. The stirring
공급 공정(ST4)에서는, 유리 공급관(43c)을 통해 용융 유리 MG가 성형 장치(42)에 공급된다. 용융 유리는, 청징조(41)로부터 성형 장치에 보내질 때의 유리 공급관(43c)에 있어서, 성형에 적합한 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1200℃ 정도)로 되도록 냉각된다.In the supplying step ST4, the molten glass MG is supplied to the
성형 장치(42)에서는, 성형 공정(ST5) 및 서냉 공정(ST6)이 행하여진다.In the
성형 공정(ST5)에서는, 용융 유리 MG를 시트 형상 유리(44)로 성형하고, 시트 형상 유리(44)의 흐름을 만든다. 서냉 공정(ST6)에서는, 성형되어 흐르는 시트 형상 유리(44)가 원하는 두께로 되고, 내부 변형이 생기지 않도록 냉각된다.In the molding step ST5, the molten glass MG is formed into the sheet-
절단 공정(ST7)에서는, 도시하지 않는 절단 장치에 있어서, 성형 장치(42)로부터 공급된 시트 형상 유리(44)를 소정의 길이로 절단함으로써, 판 형상의 유리 기판을 얻는다. 절단된 유리 기판은 또한 소정의 사이즈로 절단되어 목표 사이즈의 유리 기판이 제작된다. 이후, 유리 기판의 단면의 연삭, 연마 및 유리 기판의 세정이 행하여지고, 또한, 기포나 흠집, 오염 등의 결점의 유무가 검사된 후, 검사 합격품의 유리 기판이 최종 제품으로서 포장된다.In the cutting step (ST7), the sheet-like glass (44) supplied from the molding machine (42) is cut to a predetermined length in a cutting device, not shown, to obtain a plate-like glass substrate. The cut glass substrate is further cut to a predetermined size to produce a glass substrate having a target size. Thereafter, the end face of the glass substrate is ground, polished, and the glass substrate is cleaned. After the presence or absence of defects such as bubbles, scratches, and contamination is inspected, the glass substrate of the inspected product is packaged as a final product.
[청징조(41)의 구성][Composition of blue sign 41]
다음에, 도 3을 이용하여, 청징조(41)의 구성을 설명한다. 도 3은 실시 형태의 청징조(41)의 구성을 도시하는 개략도이다. 청징조(41)에서는, 청징조(41)의 벽의 온도가, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다.Next, the configuration of the
도 3에 도시한 바와 같이, 청징조(41)는 통 형상의 형상을 갖고 있고, 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있다. 청징조(41)의 양단부의 외주면에는, 전극(50a, 50b)이 용접되어 있다. 전극(50a, 50b)은, 청징조(41)를 통전 가열하기 위해 이용되고, 전원 장치(52)에 접속되어 있다. 전극(50a, 50b)의 사이에 전압이 인가됨으로써, 전극(50a, 50b)의 사이의 청징조(41)에 전류가 흘러, 청징조(41)가 통전 가열된다. 이 통전 가열에 의해, 청징조(41)는 예를 들어, 1650℃ 내지 1700℃ 정도로 가열되고, 유리 공급관(43a)으로부터 공급된 용융 유리 MG는 탈포에 적합한 온도, 예를 들어 1600℃ 내지 1700℃ 정도로 가열된다.As shown in Fig. 3, the
또한, 전극(50a, 50b)에는 각각, 냉매 공급 장치(54a, 54b), 온도 계측 장치(56a, 56b), 제어 장치(58a, 58b)가 접속되어 있다. 전극(50a, 50b)의 외주에는 냉각관(502a, 502b)이 설치되어 있다.
또한, 전극(50a)은 전극(50b)과, 냉각관(502a)은 냉각관(502b)과, 냉매 공급 장치(54a)는 냉매 공급 장치(54b)와, 온도 계측 장치(56a)는 온도 계측 장치(56b)와, 제어 장치(58a)는 제어 장치(58b)와 각각 동일한 구성을 가지므로, 이하, 전극(50a, 50b)을 전극(50)으로 총칭하고, 냉매 공급 장치(54a, 54b)를 냉매 공급 장치(54)로 총칭하고, 온도 계측 장치(56a, 56b)를 온도 계측 장치(56)로 총칭하고, 냉각관(502a, 502b)을 냉각관(502)으로 총칭하고, 제어 장치(58a, 58b)는 제어 장치(58)로 총칭하여 설명한다.The
전극(50)은 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는, 전극(50)이 백금 또는 백금 합금으로 구성되어 있는 경우를 구체예로서 설명하지만, 전극(50)의 일부가 팔라듐, 은, 구리 등의 다른 금속으로 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 백금 또는 백금 합금은 고가이므로, 전극(50)의 비교적 온도가 낮은 장소에서는, 팔라듐, 은, 구리 등을 사용해도 된다. 전극(50)은, 판 형상으로 형성되어, 청징조(41)의 양단부의 외주면에 서로의 전극[50(50a, 50b)]이 거의 평행해지도록 용접되어 설치된다. 또한, 전극(50)에는, 전원 장치(52)와 접속하기 위해, 일부가 돌출된 돌출부가 설치되어 플랜지 형상을 이루고 있다. 이 돌출부는, 청징조(41)로부터 돌출되어 있으므로, 청징조(41)의 외기에 의해 냉각된다. 이로 인해, 전극(50) 근방의 청징조(41)가 냉각된다.The electrode 50 is made of platinum or a platinum alloy. In this embodiment, a case where the electrode 50 is made of platinum or a platinum alloy will be described as a specific example, but a part of the electrode 50 may be made of another metal such as palladium, silver, or copper. For example, since platinum or a platinum alloy is expensive, palladium, silver, copper, or the like may be used in a place where the electrode 50 has a relatively low temperature. The electrodes 50 are formed in a plate shape and are welded to each other so that the electrodes 50 (50a, 50b) are substantially parallel to the outer peripheral surfaces of both ends of the
또한, 전극(50)의 형상, 설치 위치, 설치 방법은 전원 장치(52)로부터 흐른 전류가 전극(50), 청징조(41)를 흘러, 용융 유리 MG를 가열할 수 있으면 되고, 임의이다.The shape, mounting position, and mounting method of the electrode 50 may be arbitrary as long as a current flowing from the
전극(50)에는, 온도 계측 장치(56)가 접속되어 있다. 예를 들어, 온도 계측 장치(56)는 열전대로 구성된다. 온도 계측 장치(56)는 각각, 전극(50)의 온도를 계측하고, 계측한 결과를 제어 장치(58)에 출력한다. 온도 계측 장치(56)가 계측하는 온도는, 전극(50)의 온도 대신에, 전극(50) 근방의 청징조의(벽의) 온도를 계측하고, 후술하는 전극(50)의 냉각의 제어에 이용해도 된다. 전극(50) 근방이라 함은, 전극(50)의 위치로부터 50㎝의 범위 내를 의미한다.To the electrode 50, a temperature measuring device 56 is connected. For example, the temperature measuring device 56 is composed of a thermocouple. The temperature measuring device 56 measures the temperature of the electrode 50 and outputs the measured result to the control device 58. [ The temperature measured by the temperature measuring device 56 is obtained by measuring the temperature of the blue circle near the electrode 50 instead of the temperature of the electrode 50 and controlling the temperature of the electrode 50 May be used. The vicinity of the electrode 50 means within a range of 50 cm from the position of the electrode 50.
또한, 전극(50)의 발열을 억제하기 위해, 전극(50)의 주위에 접촉되도록 냉각관(502)이 설치되어 있다. 즉, 전극(50)은 냉각관(502)에 의해 냉각되어 발열이 억제된다. 즉, 전극(50)이 냉각되어 전극(50)의 발열이 억제된다는 것은, 전류에 의해 발한 전극(50)의 열이 냉각되어 온도가 억제되는 것을 의미한다.In order to suppress the heat generation of the electrode 50, a cooling pipe 502 is provided so as to be in contact with the periphery of the electrode 50. That is, the electrode 50 is cooled by the cooling pipe 502, and heat generation is suppressed. That is, the fact that the electrode 50 is cooled to suppress the heat generation of the electrode 50 means that the heat of the electrode 50 sweated by the current is cooled and the temperature is suppressed.
냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)에 접속되어 있다. 냉각관(502)은 관 형상으로 구성되어 있고, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 받아들이는 유입구와, 공급된 냉매를 냉매 공급 장치(54)에 대해 배출하는 배출구를 갖는다. 즉, 냉각관(502)은, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 통과시킴으로써, 냉각관(502)에 접촉하도록 설치되어 있는 전극(50)을 냉각하도록 구성되어 있다.The cooling pipe (502) is connected to the refrigerant supply device (54). The cooling pipe 502 has a tubular shape and has an inlet for receiving the refrigerant supplied from the refrigerant supply device 54 and a discharge port for discharging the supplied refrigerant to the refrigerant supply device 54. That is, the cooling pipe 502 is configured to cool the electrode 50 provided so as to contact the cooling pipe 502 by passing the coolant supplied from the coolant supply device 54.
상기 냉매는 물 등의 액체이여도 되고, 공기 등의 기체이여도 된다.The refrigerant may be a liquid such as water or a gas such as air.
본 발명에서는, 상기 냉매는 기체인 것이 보다 바람직하다. 냉매가 물 등의 액체인 경우는, 냉각능이 높으므로, 청징조(41)의 전극(50)의 근방에서는 국소적으로 온도가 저하된다.In the present invention, it is more preferable that the refrigerant is a gas. When the refrigerant is a liquid such as water, the temperature is locally lowered in the vicinity of the electrode 50 of the
청징조에 있어서 국소적인 온도 저하가 일어나면, 청징이 충분히 행하여지지 않아, 기포 품질이 저하될 우려가 있었다. 또한, 백금 또는 백금 합금으로 구성된 청징조에서는 기상 공간을 가지므로 백금 또는 백금 합금이 휘발된다. 휘발된 백금 또는 백금 합금(백금 휘발물이라고 함)은, 전극 근방의 국소적으로 온도가 저하된 위치에서 응축하고, 응축물이 되어 부착된다. 응축물의 일부는 탈포 공정 중의 용융 유리 중에 낙하되어 혼입되고, 유리 기판의 품질의 저하를 초래할 우려가 있었다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 상기 냉매는 기체인 것이 바람직하다.If a local temperature drop occurs in the blue sign, refinement is not sufficiently carried out, and the bubble quality may be deteriorated. Further, the blue sign composed of platinum or platinum alloy has vapor phase space, so that platinum or platinum alloy is volatilized. The volatilized platinum or platinum alloy (referred to as platinum volatiles) is condensed at a locally lowered temperature in the vicinity of the electrode and attached as a condensate. A part of the condensate drops into the molten glass during the defoaming process and is mixed, which may lower the quality of the glass substrate. Therefore, in the present embodiment, the refrigerant is preferably a gas.
냉각관(502)은 금속으로 구성된다. 냉매 공급 장치(54)로부터 공급되는 냉매가 물 등의 액체인 경우는, 냉각능이 높으므로, 상기 금속에, 구리나 니켈 등을 이용해도 되고, 사용에 견딜 수 있다. 그러나, 냉매 공급 장치(54)로부터 공급되는 냉매가 기체인 경우는, 액체와 비교해 냉각능이 낮으므로, 상기 금속에, 고온의 공기 중에서 산화되지 않는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 백금, 로듐, 은, 팔라듐, 금, 또는 이들의 합금이 바람직하다. 은은, 이들 재질 중, 가장 가격이 싸고, 또한 전기 저항이 작으므로 발열을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 금속은 은을 포함하는 것이 바람직하고, 90질량% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 예를 들어, 청징조에 통전하는 전류가 3000암페어를 초과할 때는, 냉각관 재료는 전기 저항 비율이 작고, 전류의 바이패스로서 기능하는 재질이 바람직하고, 예를 들어, 구리, 은, 백금을 이용할 수 있다. 또한, 통전하는 전류가 3000암페어보다 작을 때는, 냉각관 재료의 저항 발열에 대한 문제는 작으므로, 스테인리스나 니켈, 코발트 등을 이용할 수도 있다. 즉, 냉각관(502)은 은, 백금, 구리, 로듐, 팔라듐, 금, 철, 코발트, 니켈 중 어느 하나를 포함하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 냉각관(502)에 백금보다 융점이 낮은 은 등의 재료를 이용하는 경우, 냉각관(502)의 주위를 내화벽돌 등의 내화물로 덮어, 냉각관(502)을 보호할 수도 있다.The cooling pipe 502 is made of metal. When the refrigerant supplied from the refrigerant supply device 54 is a liquid such as water, since the cooling ability is high, copper or nickel may be used for the metal, and it can withstand use. However, when the refrigerant supplied from the refrigerant supply device 54 is a gas, since the cooling ability is lower than that of the liquid, it is preferable to use a material that can not be oxidized in the high temperature air. Specifically, platinum, rhodium, silver, palladium, gold, or an alloy thereof is preferable. Silver is the cheapest among these materials and has a low electric resistance, so that heat generation can be suppressed. Therefore, the metal preferably contains silver and more preferably 90 mass% or more. Further, for example, when the electric current passing through the blue sign exceeds 3,000 amperes, the material of the cooling pipe material is preferably a material having a small electric resistance ratio and functioning as a bypass of the electric current, for example, copper, silver, Platinum can be used. When the electric current to be energized is less than 3,000 amperes, the problem of resistance heat generation of the cooling pipe material is small, so that stainless steel, nickel, cobalt or the like may be used. That is, the cooling pipe 502 may be configured to include any one of silver, platinum, copper, rhodium, palladium, gold, iron, cobalt, and nickel. When a material such as silver having a melting point lower than that of platinum is used for the cooling pipe 502, the periphery of the cooling pipe 502 may be covered with a refractory material such as refractory bricks to protect the cooling pipe 502.
냉매 공급 장치(54)는, 제어 장치(58)에 접속되어 있고, 제어 장치(58)의 제어에 따라, 냉각관(502)에 냉매를 공급한다. 냉매는, 예를 들어 압축 공기 등을 이용할 수 있다.The refrigerant supply device 54 is connected to the control device 58 and supplies the refrigerant to the cooling pipe 502 under the control of the control device 58. [ As the refrigerant, for example, compressed air or the like can be used.
제어 장치(58)는 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 구성되어 있다.The control device 58 is constituted by a computer including a CPU, a memory, and the like.
제어 장치(58)는, 상술한 바와 같이, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도의 결과를 받아들여, 이 계측 결과에 기초하여 냉매 공급 장치(54)를 제어한다. 이에 의해, 전극(50)의 냉각량은 조정된다. 예를 들어, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도의 결과가, 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 냉각량을 조정한다. 예를 들어 냉매 공급량을 미리 결정된 양만큼 증감시킨다. 또한, 미리 결정된 온도 범위 내에 있을 때는, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 냉매 공급량이 변경되지 않도록, 냉매 공급 장치(54)를 제어한다.The control device 58 receives the result of the temperature measured by the temperature measuring device 56 as described above and controls the refrigerant supply device 54 based on the measurement result. Thereby, the cooling amount of the electrode 50 is adjusted. For example, when the temperature measured by the temperature measuring device 56 is outside the predetermined temperature range, the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 to adjust the amount of cooling. For example, the refrigerant supply amount is increased or decreased by a predetermined amount. Further, when the temperature is within the predetermined temperature range, the refrigerant supply device 54 is controlled so that the refrigerant supply amount supplied by the refrigerant supply device 54 is not changed.
구체적으로는, 제어 장치(58)는, 상한값 또는 하한값 중 적어도 한쪽을 포함하는, 온도 범위를, 미리 메모리에 기억한다. 또한, 제어 장치(58)는 미리 결정된 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억한다.More specifically, the control device 58 stores in advance a temperature range including at least one of the upper limit value and the lower limit value. Further, the control device 58 stores in advance a predetermined amount of refrigerant increase and decrease in the memory.
제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도가, 상한값을 초과하고 있을 때는, 메모리를 참조하여, 냉매 증가량을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 냉매 증가량만큼 냉매 공급량을 증가시킨다.When the temperature measured by the temperature measuring device 56 exceeds the upper limit value, the control device 58 refers to the memory to determine the refrigerant increase amount. Further, the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 and increases the refrigerant supply amount by the determined increase amount of the refrigerant.
한편, 하한값을 초과하고 있을 때는, 메모리를 참조하여, 냉매 감소량을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 감소시킨다.On the other hand, when the lower limit value is exceeded, the refrigerant reduction amount is determined with reference to the memory. Further, the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 and reduces the refrigerant supply amount by the determined amount.
예를 들어, 상한값은 전극(50)이 발열에 의해 파단 등을 하지 않는 온도이다. 여기서, 전극(50)이 백금으로 구성되어 있은 경우, 백금의 융점 1768℃가 상한값이다. 전극(50)은, 상술한 바와 같이 팔라듐 등으로 구성할 수도 있으므로, 상한값은 전극(50)을 구성하는 재료의 융점이 된다. 또한, 하한값은 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하지 않는 온도이다. 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하지 않는 온도는, 용융 유리 MG의 온도가 청징제(예를 들어, 산화 주석)의 청징을 발현하는 온도 이상이므로, 상기 하한값은 용융 유리 MG의 온도가 산화 주석의 청징을 발현하는 온도가 아니면 안된다. 상술한, 상한값은 구체적으로는 1720℃이다. 또한, 상술한 하한값은 구체적으로는 1300℃이고, 바람직하게는 1400℃이다.For example, the upper limit value is a temperature at which the electrode 50 does not break or the like due to heat generation. Here, when the electrode 50 is made of platinum, the upper limit of the melting point of platinum is 1768 占 폚. Since the electrode 50 can be made of palladium or the like as described above, the upper limit value becomes the melting point of the material constituting the electrode 50. [ The lower limit value is a temperature at which the platinum vapor generated in the vapor phase space of the
본 발명자는, 미리 실험한 결과, 플랜지 형상의 전극(50)의 온도가 1300℃ 이상이 되도록 제어하면, 청징조에 있어서 백금이 응축(석출)되지 않는 것을 발견했다. 또한, 본 발명자는, 또한 확실하게 백금이 응축(석출)되지 않도록 하기 위해서는, 플랜지 형상의 전극(50)의 온도가 1400℃ 이상이 되도록 제어하면 되는 것을 발견했다.The inventor of the present invention has found out that when the temperature of the flange-shaped electrode 50 is controlled to be 1300 캜 or higher as a result of the experiment, platinum does not condense (precipitate) in the blue sign. Further, the inventors of the present invention have found that the temperature of the flange-shaped electrode 50 can be controlled to be 1400 DEG C or more in order to reliably prevent platinum from being condensed (precipitated).
따라서, 본 실시 형태에서는, 상술한 하한값은 1300℃이고, 1400℃인 것이 보다 바람직하다.Therefore, in the present embodiment, the lower limit described above is 1300 캜, and more preferably 1400 캜.
[전극(50)의 냉각 조정 방법][Cooling Adjustment Method of Electrode 50]
다음에, 전극(50)의 냉각 조정 방법을 도 4를 이용해서 상술한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 청징 공정 ST2에 있어서, 제어 장치(58)가 전극(50)의 냉각을 조정하는 방법의 일례를 도시하는 흐름도이다.Next, a method of adjusting the cooling of the electrode 50 will be described in detail with reference to Fig. 4 is a flowchart showing an example of a method of controlling the cooling of the electrode 50 by the control device 58 in the finishing step ST2 according to the present embodiment.
도 4에 도시한 바와 같이, 스텝 11(ST11)에 있어서, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)가 냉매의 공급을 개시한 상태에서, 온도 계측 장치(56)가 계측한 온도(계측 온도)를 받아들인다. 전극(50)의 온도는, 냉각관(502)에 접촉한 위치에서 온도가 가장 낮고, 청징조(41)와 접촉하는 위치를 향해 서서히 온도가 높아진다. 전극(50)에 있어서는 청징조(41)와 접촉하는 위치에서 온도가 가장 높아지지만, 청징조(41)에 있어서는 전극(50)과 접촉하는 위치, 즉, 전극(50)의 근방에서 온도가 가장 낮아진다. 도 5는 청징조(41)의 길이 방향(흐름 방향)의 온도 분포의 일례를 도시한 도면이다. 전극(50a, 50b)의 사이의 백금으로 구성된 청징조(41)에 전류를 흘려 청징조(41)를 통전 가열하면, 일반적으로 청징조(41)의 길이 방향 중앙부의 온도 T2가 최고 온도로 되고, 길이 방향 양단부의 전극(50a, 50b) 근방의 온도 T1이 최저 온도로 된다. 전극(50a, 50b) 근방에 있어서의 기상 공간 GP 및 용융 유리 MG의 온도가 가장 낮아지므로, 이 전극(50a, 50b) 근방의 기상 공간 GP에 있어서, 백금 증기가 응축할 가능성이 있다. 이로 인해, 온도 계측 장치(56)는 전극(50a, 50b) 근방에서 최저로 되는 이 온도 T1을 계측한다. 그리고, 제어 장치(58)는, 후술하는 스텝에 있어서, 온도 T1이 상한값으로부터 하한값의 범위 내에 있는지 아닌지를 판정한다. 이와 같이, 청징조(41)의 벽의 온도가, 기상 공간 GP에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록, 전극(50a, 50b)의 냉각이 제어되고 있다.4, in step 11 (ST11), the control device 58 determines whether or not the temperature measured by the temperature measuring device 56 (in the state where the refrigerant supply device 54 starts supplying the coolant) Measurement temperature). The temperature of the electrode 50 is lowest at the position where the electrode 50 is in contact with the cooling pipe 502 and gradually increases toward the position where the electrode 50 is in contact with the
또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)에 냉매 공급을 개시시킬 때, 냉매 공급량은 임의의 양이면 된다. 예를 들어, 제어 장치(58)는, 메모리에, 초기 냉매 공급량을 기억해 두고, 이 초기 냉매 공급량이 되도록 냉매 공급 장치(54)를 제어해도 된다.Further, when the control device 58 starts supplying refrigerant to the refrigerant supply device 54, the refrigerant supply amount may be an arbitrary amount. For example, the control device 58 may control the refrigerant supply device 54 so that the initial refrigerant supply amount is stored in the memory and the initial refrigerant supply amount is obtained.
스텝 12(ST12)에 있어서, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 상한값을 초과하고 있는지 아닌지를 판정한다. 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 상한값을 초과하고 있을 때는(ST12;Y), 제어 장치(58)는 ST13의 처리로 진행하고, 그 이외의 경우에는(ST12;N), ST21의 처리로 진행한다. 계측 온도가 상한값을 초과하고 있는 경우(ST12;Y), 전극(50) 및 전극(50)의 근방이 비정상적으로 가열된 상태이므로, 전극(50)이 파단될 우려가 있다. 이로 인해, 제어 장치(58)는, 스텝 13(ST13)에 있어서, 전극(50)의 냉각을 행한다. 한편, 계측 온도가 상한값을 초과하지 않은 경우(ST12;N), 온도가 적정하게 제어되어 전극(50)이 파단될 우려가 없으므로, 스텝 21(ST21)에 있어서, 계측 온도가 하한값을 하회하고 있는지 아닌지를 판정한다.In step 12 (ST12), the control device 58 determines whether or not the measurement temperature input from the temperature measurement device 56 exceeds the upper limit value. The control device 58 proceeds to the process of ST13 and when the measured temperature inputted from the temperature measuring device 56 exceeds the upper limit value (ST12; Y) And proceeds to processing. In the case where the measurement temperature exceeds the upper limit value (ST12; Y), since the vicinity of the electrode 50 and the electrode 50 is abnormally heated, the electrode 50 may be broken. For this reason, the control device 58 performs cooling of the electrode 50 in step 13 (ST13). On the other hand, in the case where the measurement temperature does not exceed the upper limit value (ST12; N), the temperature is appropriately controlled so that the electrode 50 is not likely to break. Therefore, in step 21 (ST21) Or not.
스텝 13(ST13))에 있어서, 제어 장치(58)는, 메모리를 참조하여, 증가시키는 냉매의 양을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하여, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증가시킨다. 도 6은 전극(50)의 온도와 시간의 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)에 의해 계측하고 있는 계측 온도가 시간 t1에서 상한값을 초과했다고 판정하면(ST12;Y), 도 6에 도시한 바와 같이, 시간 t1 이후, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉매 공급량을 증가시키고, 전극(50)의 온도가 상한값을 하회하도록 제어한다. 여기서, 제어 장치(58)가, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉매 공급량을 증가시키지 않으면 도 6에 도시하는 점선과 같이 전극(50)의 온도가 상승해 가서, 전극(50)의 파단의 원인이 된다. 전극(50)의 온도를 저하시키는 방법은, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 단위 시간당의 냉매 공급량을 증가시키는 방법 이외에, 냉매의 공급 시간(제어 실행 시간)을 길게 하여, 냉매의 온도를 저하시키거나, 전원 장치(52)가 공급하는 전류량을 저하시키는 방법이여도 된다.Step 13 (ST13)), the controller 58 refers to the memory to determine the amount of refrigerant to be increased. Further, the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 to increase the refrigerant supply amount by the determined amount. 6 is a diagram showing an example of the relationship between temperature and time of the electrode 50. In Fig. The control device 58 determines that the measured temperature measured by the temperature measuring device 56 exceeds the upper limit value at time t1 (ST12; Controls the device 54 to increase the refrigerant supply amount, and controls the temperature of the electrode 50 to be lower than the upper limit value. If the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 to increase the refrigerant supply amount, the temperature of the electrode 50 rises as shown by the dotted line in Fig. 6, It causes. The method of lowering the temperature of the electrode 50 is not limited to the method of increasing the amount of refrigerant supplied per unit time supplied by the refrigerant supply device 54 but also by increasing the supply time of the refrigerant (control execution time) Or the amount of current supplied by the
스텝 21(ST21)에 있어서, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 하한값 미만인가 아닌가를 판정한다. 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도가 하한값 미만일 때는(ST21;Y), 제어 장치(58)는 ST22의 처리로 진행되고, 그 이외의 경우에는(ST21;N) 처리를 종료한다.In step 21 (ST21), the control device 58 determines whether or not the measured temperature input from the temperature measuring device 56 is less than the lower limit value. When the measured temperature inputted from the temperature measuring device 56 is lower than the lower limit value (ST21; Y), the control device 58 proceeds to the process of ST22. Otherwise, the process ends (ST21; N).
스텝 22(ST22)에 있어서, 제어 장치(58)는, 메모리를 참조하여, 감소시키는 냉매의 양을 결정한다. 또한, 제어 장치(58)는, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 감소시킨다. 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)에 의해 계측하고 있는 계측 온도가 시간 t2에서 하한값을 하회했다고 판정되면(ST21;Y), 도 6에 도시한 바와 같이, 시간 t2 이후, 냉매 공급 장치(54)를 제어 해서 냉각량을 감소시켜, 전극(50)의 온도가 하한값을 상회하도록 제어한다. 여기서, 제어 장치(58)가, 냉매 공급 장치(54)를 제어해서 냉각량을 감소시키지 않으면 도 6에 도시한 점선과 같이 전극(50)의 온도가 저하되어 가서, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하거나 청징제(산화 주석)의 청징이 발현되지 않게 된다. 전극(50)의 온도를 상승시키는 방법은, 냉매 공급 장치(54)가 공급하는 단위 시간당의 냉매 공급량을 감소시키는 방법 이외에, 냉매의 공급 시간(제어 실행 시간)을 짧게 하여, 냉매의 온도를 상승시키거나 전원 장치(52)가 공급하는 전류량을 증가시키는 방법이여도 된다.In step 22 (ST22), the controller 58 refers to the memory to determine the amount of refrigerant to be reduced. Further, the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 and reduces the refrigerant supply amount by the determined amount. 6, when the measured temperature measured by the temperature measuring device 56 is lower than the lower limit value at the time t2 (ST21; Y), the control device 58 determines that the refrigerant supply The apparatus 54 is controlled to reduce the amount of cooling so that the temperature of the electrode 50 exceeds the lower limit value. If the control device 58 controls the refrigerant supply device 54 to reduce the amount of cooling, the temperature of the electrode 50 is lowered as shown by the dotted line in FIG. 6, and the temperature of the
이상의 처리를 반복함으로써, 전극(50)의 온도를 상한값으로부터 하한값의 범위 내로 되도록 제어할 수 있고, 유리 제품의 백금 이물을 저감할 수 있다.By repeating the above processing, the temperature of the electrode 50 can be controlled to fall within the range of the upper limit value to the lower limit value, and the platinum foreign matter of the glass product can be reduced.
다음에, 본 실시 형태의 작용에 대해 설명한다.Next, the operation of the present embodiment will be described.
청징 공정에서는, 전극(50a, 50b) 사이에 전압이 인가됨으로써, 전극(50a, 50b) 사이의 청징조(41)에 전류가 흘러, 청징조(41)가 통전 가열된다. 가열된 청징조(41) 내를 용융 유리 MG가 통과함으로써, 용융 유리 MG가 소정 온도(상기 조성의 유리의 경우는 예를 들어 1600℃ 이상)로 승온됨으로써, 용융 유리 MG 중에 포함되는 O2, CO2 또는 SO2를 포함한 기포가, 예를 들어 SnO2 등의 청징제의 환원 반응에 의해 발생한 O2를 흡수해서 성장하고, 용융 유리 MG의 액면으로 부상해서 방출된다. 그 후, 유리 공급관(43b) 등에 있어서 용융 유리 MG의 온도를 저하시킴으로써, SnO2 등의 청징제가 환원 반응된 SnO가 산화 반응을 함으로써, 용융 유리 MG에 잔존하는 기포 중의 O2 등의 가스 성분이 용융 유리 MG 중에 흡수되어, 기포가 소멸한다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은 용융 유리 MG의 온도를 제어함으로써 행하여진다.In the refining step, a voltage is applied between the
또한, 전극(50)의 발열을 억제하기 위해, 전극(50)의 주위에 접촉하도록 냉각관(502)이 설치되어 있다. 냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)에 접속되어 있다. 즉, 냉각관(502)은 냉매 공급 장치(54)로부터 공급된 냉매를 통과시킴으로써, 냉각관(502)에 접촉해서 설치되어 있는 전극(50)을 냉각한다.In order to suppress the heat generation of the electrode 50, a cooling pipe 502 is provided so as to be in contact with the periphery of the electrode 50. The cooling pipe (502) is connected to the refrigerant supply device (54). That is, the cooling pipe 502 passes the refrigerant supplied from the refrigerant supply device 54, thereby cooling the electrode 50 installed in contact with the cooling pipe 502.
또한, 냉각관(502)은 청징조(41) 내의 전류 밀도를 균일화하는 역할도 담당한다. 냉각관(502)을 이용하지 않는 경우, 판 형상의 전극(50)만으로는, 전류는 청징조(41)에 최단 거리로 향하는 경향이 있어, 청징조(41) 내부에서의 전류 밀도가 상측으로 치우친다. 한편, 냉각관(502)은 전기 저항이 작아지도록 할 수 있어, 전류를 냉각관(502)을 통해 청징조(41)의 하측으로 유도함으로써, 전류를 우회시켜, 전류의 치우침을 저감할 수 있다.Further, the cooling pipe 502 also serves to equalize the current density in the
이 때, 청징조(41)의 기상 공간은 청징조(41)의 내면에 있어서 휘발된 백금 증기를 갖는다.At this time, the vapor phase space of the
본 실시 형태에서는, 전극(50)에 온도 계측 장치(56)가 설치되고, 제어 장치(58)에 의해, 전극(50)은 소정의 온도 이상이 되도록 제어되고 있다. 소정의 온도라 함은, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 온도이다. 즉, 전극(50)은, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 제어되고 있다. 따라서, 청징조(41)의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 것을 방지하고, 유리 중에 백금 이물이 혼입하는 것을 방지할 수 있다.In this embodiment, a temperature measuring device 56 is provided on the electrode 50, and the electrode 50 is controlled by the control device 58 to be higher than a predetermined temperature. The predetermined temperature is a temperature exceeding the temperature at which the platinum vapor generated in the vapor phase space of the
또한, 상기 실시 형태에서는, 전극(50a, 50b)에 각각, 냉매 공급 장치(54a, 54b), 온도 계측 장치(56a, 56b), 제어 장치(58a, 58b)가 접속되어 있은 예를 구체예로서 설명했지만, 전극(50a, 50b)의 어느 한쪽에만, 냉매 공급 장치[54(54a, 54b)], 온도 계측 장치[56(56a, 56b)], 제어 장치[58(58a, 58b)]가 접속되어 있어도 된다.In the above embodiment, examples in which the
또한, 상기 실시 형태에서는, 온도 계측 장치(56)는 전극(50)에 설치되어 있었지만, 청징조(41)에 설치되어 있어도 된다.In the embodiment described above, the temperature measuring device 56 is provided on the electrode 50, but it may be provided on the
또한, 상기 실시 형태에서는, 청징조(41)는 플랜지 형상의 1쌍의 전극(50a, 50b)을 갖는 경우를 구체예로서 설명했지만, 예를 들어, 전극(50b)만을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 예를 들어, 유리 공급관(43a)에 전극(도시하지 않음)을 설치하고, 청징조(41)에 설치된 전극(50b)과, 유리 공급관(43a)에 설치된 전극 사이에 전류를 흘림으로써, 청징조(41)를 통전 가열해도 된다.In the above embodiment, the
또한, 상기 실시 형태에서는, 제어 장치(58)는, 미리 결정된 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억한다. 그러나, 제어 장치(58)는, 예를 들어, 온도에 따른 냉매 증가량 및 감소량을 미리 메모리에 기억해도 된다. 즉, 제어 장치(58)는, 온도 계측 장치(56)로부터 입력된 계측 온도에 따라, 냉매 증가량 및 감소량을 결정해도 된다. 이에 의해, 냉각의 정밀도를 높일 수 있다.Further, in the above embodiment, the control device 58 stores in advance the predetermined amount of refrigerant increase and decrease in the memory. However, the control device 58 may store, for example, the refrigerant increase amount and the decrease amount depending on the temperature in advance in the memory. That is, the control device 58 may determine the increase amount and the decrease amount of the refrigerant in accordance with the measurement temperature input from the temperature measurement device 56. [ Thus, the cooling accuracy can be improved.
또한, 상기 실시 형태에서는, 제어 장치(58)가, 냉매 증가량 및 감소량을 결정하고, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증감시켰다. 그러나, 제어 장치(58) 대신에, 오퍼레이터(작업자)가, 냉매 증가량 및 감소량을 결정하여, 냉매 공급 장치(54)를 제어하고, 결정한 양만큼 냉매 공급량을 증감시켜도 된다.In the above embodiment, the controller 58 determines the amount of increase and decrease of the refrigerant, controls the refrigerant supply device 54, and increases or decreases the refrigerant supply amount by the determined amount. However, instead of the control device 58, the operator (operator) may determine the amount of increase and decrease in the amount of refrigerant to control the refrigerant supply device 54, and increase or decrease the amount of refrigerant supplied by the determined amount.
또한, 각 전극(50a, 50b)에 있어서, 냉각량을 바꾸어도 된다. 예를 들어, 청징을 촉진시키기 위해, 유리 공급관(43a)에 근접된 전극(50a)의 온도를, 유리 공급관(43b)에 근접된 전극(50b)의 온도보다 높게 할 수도 있다. 또한, 청징조(41)의 흐름 방향에 있어서, 용융 유리 MG의 청징을 촉진시키는 온도는 상이하므로, 전극(50a, 50b)에 있어서의 온도의 상한값을 동일하게 하고, 온도의 하한값에 있어서는, 전극(50a)의 하한값을 전극(50b)의 하한값보다 높게 설정[예를 들어, 전극(50a)에서의 온도의 하한값:1400℃, 전극(50b)에서의 온도의 하한값:1350℃]할 수도 있다.Further, the amount of cooling may be changed in each of the
또한, 전원 장치(52)와 접속되는 전극(50)이 갖는 돌출부의 형상을 임의로 변경할 수도 있다. 전극(50)의 돌출부는 청징조(41)로부터 돌출되어 있으므로, 외기의 영향을 받은 전극(50)이 냉각되고, 전극(50) 근방의 청징조(41)의 기상 공간도 냉각된다. 이로 인해, 청징조(41)로부터 돌출하는 돌출부를 선 형상으로 하여, 외기에 의한 냉각을 저감하고, 전극(50) 근방의 냉각을 억제할 수도 있다. 또한, 돌출부를 보온 재료 등으로 보온함으로써, 전극(50) 근방의 냉각을 억제할 수도 있다.In addition, the shape of the projecting portion of the electrode 50 connected to the
[실시예][Example]
상술한 실시 형태에 있어서 설명한 유리 기판 제조 장치를 이용하여, 유리 기판을 제조했다.A glass substrate was produced by using the glass substrate producing apparatus described in the above-mentioned embodiments.
전극(50)의 온도는 1300℃ 이상, 1720℃ 이하로 되도록 제어했다.The temperature of the electrode 50 was controlled to be 1300 DEG C or more and 1720 DEG C or less.
제조한 유리 기판에 포함되는 백금 이물을 확인한 바, 전극(50)의 온도를 제어하지 않는 종래의 방법과 비교하여, 유리 기판에 포함되는 백금 이물의 양이 저하되어, 제품 수율 및 품질이 향상되었다.As a result of confirming the platinum foreign matter contained in the produced glass substrate, the amount of platinum foreign matters contained in the glass substrate was lowered compared with the conventional method in which the temperature of the electrode 50 was not controlled, thereby improving the yield and quality of the product .
또한, 본 명세서에 있어서, 「백금 또는 백금 합금(백금족 금속)」은, 백금족 원소를 포함하는 금속을 의미하고, 단일의 백금족 원소를 포함하는 금속 뿐만 아니라 백금족 원소의 합금을 포함하는 용어로서 사용한다. 여기서, 백금족 원소라 함은, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir)의 6원소를 가리킨다.In the present specification, " platinum or platinum alloy (platinum group metal) " means a metal containing a platinum group element, and is used as a term including an alloy of a platinum group element as well as a metal containing a single platinum group element . Here, the platinum group element refers to six elements of platinum (Pt), palladium (Pd), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), osmium (Os) and iridium (Ir).
또한, 본 발명은, 산화 주석(SnO2)을 청징제로서 사용하는 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 청징제는 종래 비소(AS2O3)가 일반적이었지만, 최근의 환경 부하의 관점에서, 산화 주석(SnO2)이 사용되고 있다. 산화 주석은 아비산과 비교해서 탈포 공정 시에 기포를 방출하는 힘이 약하므로, 유리의 점성을 낮게 해서 탈포 효과를 높일 필요가 있고, 결과적으로 높은 온도로 청징을 행할 필요가 있다. 따라서, 청징제로서 산화 주석(SnO2)을 사용하는 경우, 비소(아비산;AS2O3)를 사용하는 경우와 비교하여, 청징조를 높은 온도로 가열할 필요가 있지만, 청징조에 있어서 국소적으로 온도가 저하된 경우, 온도차가 보다 커지므로, 상술한 백금 이물의 문제가 보다 현저해진다. 따라서, 본 발명은, 산화 주석(SnO2)을 청징제로서 사용하는 유리 기판의 제조에 특히 적합하다.Further, the present invention is particularly suitable for the production of a glass substrate using tin oxide (SnO 2 ) as a fining agent. As the refining agent, arsenic (AS 2 O 3 ) has been generally used, but tin oxide (SnO 2 ) has been used from the viewpoint of recent environmental load. Tin oxide has a weaker force of releasing bubbles in the defoaming process as compared with the abiotic acid, so it is necessary to lower the viscosity of the glass and to increase the defoaming effect, and as a result, it is necessary to purify at a high temperature. Therefore, in the case of using tin oxide (SnO 2 ) as the refining agent, it is necessary to heat the blue oven to a high temperature as compared with the case of using arsenic (AS 2 O 3 ) If the temperature is lowered, the difference in temperature becomes larger, so that the problem of the above-described platinum foreign matter becomes more conspicuous. Therefore, the present invention is particularly suitable for the production of a glass substrate using tin oxide (SnO 2 ) as a fining agent.
또한, 본 발명은, 유리가, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리인, 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 무알칼리 유리나 알칼리 미량 함유 유리는, 알칼리 미량 함유 유리에 비해 알칼리를 많이 함유하는 유리에 비해, 점성이 높으므로, 보다 높은 온도로 청징을 실시할 필요가 있고, 청징조를 높은 온도로 가열할 필요가 있다.Further, the present invention is particularly suitable for the production of a glass substrate in which the glass is an alkali-containing glass containing only trace amounts of alkali-free glass and alkali. Since the alkali-free glass or alkali-alkali-containing glass has a higher viscosity than a glass containing a larger amount of alkali than an alkali-alkali-containing glass, it is necessary to purify the glass at a higher temperature and it is necessary to heat the blue- .
청징조를 높은 온도로 가열하면, 청징조에 있어서 국소적으로 온도가 저하된 경우, 상술한 백금 이물의 문제가 보다 현저해진다. 따라서, 본 발명은, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리인, 유리 기판의 제조에 특히 적합하다. 또한, 무알칼리 유리나 알칼리를 미량밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리가 이용되는, 액정 표시 장치용 유리 기판이나 유기 EL용 유리 기판 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 유리 기판의 제조에 특히 적합하다.When the blue sign is heated to a high temperature, when the temperature is locally lowered in the blue sign, the problem of the above-mentioned platinum foreign matter becomes more conspicuous. Therefore, the present invention is particularly suitable for the production of a glass substrate, which is an alkali-free glass containing only trace amounts of alkali-free glass and alkali. In addition, it is particularly suitable for the production of a glass substrate for a flat panel display (FPD) such as a glass substrate for a liquid crystal display or a glass substrate for an organic EL in which an alkali-free glass containing only trace amounts of alkali-free glass or alkali is used.
FPD용 유리 기판으로서 예를 들어, 액정 디스플레이용 유리 기판이나 유기 EL 디스플레이용 유리 기판을 들 수 있다. FPD용 유리 기판은, 예를 들어, 두께가 0.1 내지 0.7㎜로, 사이즈가 300×400㎜ 내지 2850×3050㎜이고, 본 발명은, 기포나 백금 이물의 결함이 개선되는 점에서, 보다 사이즈가 큰 유리의 제조에 적합하다.Examples of the glass substrate for FPD include glass substrates for liquid crystal displays and glass substrates for organic EL displays. The glass substrate for FPD has, for example, a thickness of 0.1 to 0.7 mm and a size of 300 x 400 mm to 2850 x 3050 mm. The present invention is advantageous in that defects of bubbles and platinum foreign substances are improved, It is suitable for the production of large glass.
본 발명은, 저온 폴리실리콘(LTPSS)용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판은, 일반적으로 유리 기판을 에칭 등에 의해 슬리밍해서 사용한다. 유리 기판을 에칭 등에 의해 슬리밍하면, 유리 기판의 내부에 포함되는 백금 이물이 표면에 나타나, 유리 표면에 요철을 형성하므로 문제가 된다. 따라서, 본 발명은, 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 저온 폴리실리콘(LTPS)용 유리 기판은, 변형점이 높은 유리 기판이고, 예를 들어, 변형점이 675℃ 이상, 바람직하게는 680℃ 이상, 더욱 바람직하게는 690℃ 이상의 유리 기판을 들 수 있다.The present invention is particularly suitable for manufacturing a glass substrate for low temperature polysilicon (LTPSS). A glass substrate for low temperature polysilicon (LTPS) is generally used by slimming a glass substrate by etching or the like. If the glass substrate is slipped by etching or the like, a platinum foreign substance contained in the glass substrate appears on the surface, and unevenness is formed on the glass surface, which is a problem. Therefore, the present invention is particularly suitable for producing a glass substrate for low temperature polysilicon (LTPS). A glass substrate for low temperature polysilicon (LTPS) is a glass substrate having a high strain point. For example, a glass substrate having a strain point of 675 DEG C or higher, preferably 680 DEG C or higher, more preferably 690 DEG C or higher can be given.
본 발명은, FPD용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다. 최근, 플랫 패널 디스플레이에서는, 보다 고콘트라스트가 요구되고 있어, 종래 문제가 되지 않았던 백금 이물이, 고콘트라스트화에 수반해 문제가 되고 있다. 따라서, 본 발명은, FPD용 유리 기판을 제조하는 경우에 특히 적합하다.The present invention is particularly suitable in the case of producing a glass substrate for FPD. In recent years, in a flat panel display, a higher contrast is required, and a platinum particle, which has not become a problem in the past, becomes a problem with high contrast. Therefore, the present invention is particularly suitable for producing a glass substrate for FPD.
그 외에, 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하고 적합한 다른 형태로의 변경이 가능하다.In addition, various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.
40 : 용해 장치
41 : 청징조
42 : 성형 장치
43a, 43b, 43c : 유리 공급관
52 : 전원 장치
54a, 54b : 냉매 공급 장치
56a, 56b : 온도 계측 장치
58a, 58b : 제어 장치
100 : 교반 장치
200 : 유리 기판 제조 장치
502a, 502b : 냉각관40: dissolution apparatus
41: Blue sign
42: Molding device
43a, 43b, and 43c:
52: Power supply
54a and 54b:
56a, 56b: temperature measuring device
58a, 58b:
100: stirring device
200: glass substrate manufacturing apparatus
502a, 502b: cooling pipe
Claims (7)
상기 청징 공정에 있어서 이용되는 청징조는, 통 형상의 형상을 갖고, 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조의 외주면에는, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극이 접속되고,
상기 청징 공정에 있어서,
상기 통전 가열된 청징조에, 기상 공간을 갖도록 액위를 조정해서 용융 유리를 통과시킴으로써 탈포를 행하고,
상기 전극의 발열을 억제하기 위해 상기 전극을 냉각하고,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 상기 전극의 온도를 제어하는 것에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 유리기판의 제조 방법.A method of manufacturing a glass substrate including a melting step, a cleaning step, and a molding step,
Wherein the blue sign used in the fining process has a cylindrical shape and is made of platinum or a platinum alloy, and a flange-shaped electrode for electrically heating the blue sign is connected to the outer peripheral face of the blue sign,
In the purifying step,
And the liquid level is adjusted so as to have a vapor phase space by passing the melted glass through the energization heating blue sign,
Cooling the electrode to suppress heat generation of the electrode,
The cooling of the electrode is performed by controlling the temperature of the electrode so that the temperature of the wall of the blue screen is in a range exceeding the temperature at which platinum vapor generated in the vapor space of the blue screen is condensed A method of manufacturing a glass substrate.
상기 전극 또는 상기 전극 근방의 청징조의 온도를 측정하고,
상기 측정한 온도에 기초하여, 상기 전극의 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Measuring the temperature of the electrode or the blue circle in the vicinity of the electrode,
And adjusting a cooling amount of the electrode based on the measured temperature.
상기 측정한 전극 또는 전극 근방의 청징조의 온도가, 미리 결정된 온도 범위 내인지 아닌지를 판정하고, 상기 판정한 결과, 측정한 온도가 상기 미리 결정된 온도 범위 이외에 있을 때, 상기 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.3. The method according to claim 2,
Determining whether or not the temperature of the blue circle in the vicinity of the measured electrode or the electrode is within a predetermined temperature range and when the measured temperature is outside the predetermined temperature range, / RTI >
청징제로서 산화 주석이 이용되는 유리 기판의 제조 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the tin oxide is used as the fining agent.
상기 청징 공정은,
상기 냉각관에 통과시키는 냉매의 양을 증감함으로써, 냉각량을 조정하는 유리 기판의 제조 방법.The refrigerating machine according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode has a cooling pipe for passing refrigerant,
In the purifying step,
Wherein the cooling amount is adjusted by increasing or decreasing the amount of the refrigerant passed through the cooling pipe.
상기 청징조는 통 형상의 형상을 갖고, 백금 또는 백금 합금으로 구성되고, 상기 청징조의 외주면에는, 상기 청징조를 통전 가열하기 위한 플랜지 형상의 전극이 접속되고,
상기 전극은 상기 전극의 발열을 억제하기 위해 냉각되고,
상기 전극의 냉각은, 상기 청징조의 벽의 온도가, 상기 청징조의 기상 공간에 발생하는 백금 증기가 응축하는 온도를 초과하는 범위로 되도록 상기 전극의 온도를 제어하는 것에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.1. A glass substrate manufacturing apparatus comprising a melting vessel, a blue sign, and a molding apparatus,
The blue sign has a tubular shape and is made of platinum or a platinum alloy. A flange-shaped electrode for electrically heating the blue sign is connected to the outer peripheral surface of the blue sign,
The electrode is cooled to suppress heat generation of the electrode,
The cooling of the electrode is performed by controlling the temperature of the electrode so that the temperature of the wall of the blue screen is in a range exceeding the temperature at which platinum vapor generated in the vapor space of the blue screen is condensed A glass substrate manufacturing apparatus.
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