KR101716525B1 - Electrode paste composition and electrode prepared using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제1 금속분말; 제2 금속분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 제1 금속분말은 은(Ag) 분말이며, 상기 제2 금속분말은 은 분말과 공융점(eutactic point)이 형성되는 개시온도가 150℃ 내지 700℃인 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것으로, 본 발명의 태양전지 전극용 페이스트 조성물은 소결 속도가 우수하고, 전극으로 제조시 실리콘 표면과의 접촉저항을 낮고 시리즈 저항이 작으므로, 변환효율이 우수한 효과를 가진다. The present invention relates to a first metal powder; A second metal powder; Glass frit; And an organic vehicle, wherein the first metal powder is silver (Ag) powder, and the second metal powder has a starting temperature at which an eutectic point with the silver powder is formed is in a range of 150 ° C. to 700 ° C., The paste composition for a solar cell electrode of the present invention has excellent sintering speed, low contact resistance with a silicon surface when manufactured into an electrode, and small series resistance, so that conversion efficiency It has excellent effect.
Description
본 발명은 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 소결 속도가 빠르고, 시리즈 저항이 작으며, 은(Ag)의 액상소결이 가능해지므로 실리콘 표면과의 접촉저항을 낮출 수 있는 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극에 관한 것이다.
The present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode and an electrode made therefrom. More specifically, the present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode, which is capable of reducing contact resistance with a silicon surface because a sintering speed is high, a series resistance is small, and silver (Ag) .
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.Solar cells generate electrical energy by using the photoelectric effect of pn junction that converts photon of sunlight into electricity. The solar cell is formed with a front electrode and a rear electrode on a semiconductor wafer or a substrate on which a pn junction is formed. The photovoltaic effect of the pn junction is induced in the solar cell by the sunlight incident on the semiconductor wafer, and the electrons generated from the pn junction provide a current flowing to the outside through the electrode. Such an electrode of the solar cell can be formed on the surface of the wafer by applying, patterning and firing the electrode paste composition.
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 에미터(emitter)의 두께가 지속적으로 얇아짐에 따라, 태양전지의 성능을 저하시킬 수 있는 션팅(shunting) 현상을 유발시킬 수 있다. 또한, 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적을 점차 증가시키고 있는데, 이는 태양전지의 접촉저항을 높여 태양전지의 효율을 감소시킬 수 있다.Recently, as the thickness of the emitter has been continuously thinned to increase the efficiency of the solar cell, shunting phenomenon which can degrade the performance of the solar cell can be caused. Further, the area of the solar cell is gradually increased to increase the efficiency of the solar cell, which can reduce the efficiency of the solar cell by increasing the contact resistance of the solar cell.
또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지고 이에 따라 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 확보할 수 있는 페이스트 조성물에 대한 요구가 높아지고 있다.In addition, there is a growing demand for a paste composition capable of securing thermal stability even at a wide baking temperature due to a large variation range of firing temperature as the wafer of various sheet resistances increases.
따라서, 다양한 면저항 하에서 pn 접합에 대한 피해를 최소화함으로써 pn 접합 안정성을 확보할 수 있고 태양전지 효율을 높일 수 있는 전극용 페이스트 조성물을 개발할 필요가 있다.
Therefore, there is a need to develop an electrode paste composition capable of ensuring pn junction stability and minimizing damage to pn junctions under various sheet resistances and capable of increasing solar cell efficiency.
본 발명의 목적은 소결 속도가 우수한 태양전지 전극용 페이스트 조성물을 제공하기 위함이다.An object of the present invention is to provide a paste composition for a solar cell electrode having an excellent sintering speed.
본 발명의 다른 목적은 전극으로 제조시 실리콘 표면과의 접촉저항이 작으며 시리즈 저항을 낮출 수 있는 태양전지 전극용 페이스트 조성물을 제공하기 위함이다.Another object of the present invention is to provide a paste composition for a solar cell electrode which has a small contact resistance with a silicon surface when manufactured into an electrode and can lower a series resistance.
본 발명의 또 다른 목적은 변환효율이 우수한 태양전지 전극을 제공하기 위함이다.It is still another object of the present invention to provide a solar cell electrode having excellent conversion efficiency.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.
본 발명의 하나의 관점은 태양전지 전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 제1 금속분말; 제2 금속분말; 유리 프릿; 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 제1 금속분말은 은(Ag) 분말이며, 상기 제2 금속분말은 은 분말과 공융점(eutactic point)이 형성되는 개시온도가 150 내지 700℃인 것을 특징으로 한다.One aspect of the present invention relates to a paste composition for a solar cell electrode, said composition comprising: a first metal powder; A second metal powder; Glass frit; And an organic vehicle, wherein the first metal powder is a silver (Ag) powder, and the second metal powder has an initiation temperature of 150 to 700 ° C at which an eutectic point with the silver powder is formed .
상기 조성물은 상기 은 분말 60 내지 95 중량%; 상기 제2 금속분말 0.1 내지 10 중량%; 상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%를 포함할 수 있다.The composition comprises 60 to 95% by weight of the silver powder; 0.1 to 10% by weight of the second metal powder; 0.5 to 20% by weight of the glass frit; And 1 to 30% by weight of the organic vehicle.
상기 제2 금속분말은 In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, Ge, Ga 및 Bi로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The second metal powder may be one selected from the group consisting of In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, And the like.
상기 제2 금속분말은 평균입경(D50)은 0.1㎛ 내지 10㎛ 일 수 있다.The second metal powder may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 10 mu m.
상기 유리 프릿은 전이점이 상이한 2종의 유리 프릿을 포함할 수 있다.The glass frit may include two kinds of glass frit having different transition points.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 10㎛일 수 있다.The glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 占 퐉 to 10 占 퐉.
상기 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.The composition may further include at least one additive selected from the group consisting of a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoamer, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant and a coupling agent.
본 발명의 다른 관점은 태양전지 전극에 관한 것으로, 상기 전극은 제1금속과 제2 금속의 합금 및 유리 프릿 성분을 포함하고, 상기 제1금속은 은이고, 상기 제2 금속은 상기 은과 공융점(eutactic point)이 형성되는 개시온도가 150 내지 700℃인 금속일 수 있다.Another aspect of the present invention relates to a solar cell electrode, wherein the electrode comprises an alloy of a first metal and a second metal and a glass frit component, the first metal is silver and the second metal is silver and eutectic The starting temperature at which the eutectic point is formed may be 150 to 700 占 폚.
상기 제2 금속은 In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, Ge, Ga 및 Bi로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
The second metal is selected from the group consisting of In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, Ge, It may be at least one selected.
본 발명의 태양전지 전극용 페이스트 조성물은 소결 속도가 우수하고, 전극으로 제조시 시리즈 저항이 작으며, 실리콘 표면과의 접촉저항을 낮으므로 변환효율이 우수한 효과를 가진다.
The paste composition for a solar cell electrode of the present invention has an excellent sintering speed, a small series resistance at the time of manufacturing an electrode, and a low contact resistance with a silicon surface, and thus has an excellent conversion efficiency.
도 1은 은(Ag)과 인듐(In) 합금의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 2는 은(Ag)과 텔루륨(Te) 합금의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 3은 은(Ag)과 주석(Sn) 합금의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 4는 은(Ag)과 비스무스(Bi) 합금의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 5는 은(Ag)과 아연(Zn) 합금의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다. Fig. 1 shows the phase equilibrium diagram of silver (Ag) and indium (In) alloys.
Fig. 2 shows the phase equilibrium diagrams of silver (Ag) and tellurium (Te) alloys.
Fig. 3 shows a phase balance diagram of silver (Ag) and tin (Sn) alloys.
Fig. 4 shows a phase balance diagram of silver (Ag) and bismuth (Bi) alloys.
Fig. 5 shows the phase equilibrium diagrams of silver (Ag) and zinc (Zn) alloys.
6 is a schematic view briefly showing a structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
태양전지 전극용 페이스트Paste for solar cell electrodes
본 발명의 태양전지 전극용 페이스트는 은 분말(A), 제2 금속분말(B), 유리 프릿(C), 및 유기 비히클(D)를 포함한다. 상기 제2 금속분말(B)은 은 분말(A)과 공융점이 형성되는 개시 온도가 700℃ 이하로서 보다 낮은 온도에서 은과 얼로이를 형성하여 태양전지 전극의 형성 물질로 사용될 수 있다.
The paste for a solar cell electrode of the present invention comprises a silver powder (A), a second metal powder (B), a glass frit (C), and an organic vehicle (D). The second metal powder (B) can be used as a material for forming a solar cell electrode by forming silver halide at a lower temperature at a starting temperature at which a eutectic point with the silver powder (A) is 700 ° C or less.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면, 다음과 같다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
(A) 은 분말 : 제1 금속분말(A) is a powder: a first metal powder
본 발명의 태양전지 전극용 페이스트는 제1 금속분말로서 도전성 분말인 은(Ag) 분말을 사용한다. 상기 은 분말은 나노 사이즈 또는 마이크로 사이즈의 입경을 갖는 분말일 수 있는데, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 은 분말, 수 내지 수십 마이크로미터의 은 분말일 수 있으며, 2이상의 서로 다른 사이즈를 갖는 은 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.In the paste for a solar cell electrode of the present invention, silver (Ag) powder which is a conductive powder is used as the first metal powder. The silver powder may be a nano-sized or micro-sized powder, for example, a silver powder having a size of several tens to several hundreds of nanometers, a silver powder of several to several tens of micrometers, Silver powder may be mixed and used.
은 분말은 입자 형상이 구형, 판상, 무정형 형상을 가질 수 있다The silver powder may have a spherical shape, a plate shape, and an amorphous shape as the particle shape
은 분말은 평균입경(D50)은 바람직하게는 0.1㎛ 내지 3㎛이며, 더 바람직하게는 0.5㎛ 내지 2㎛이 될 수 있다. 상기 평균입경은 이소프로필알코올(IPA)에 도전성 분말을 초음파로 25℃에서 3분 동안 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정된 것이다. 상기 범위 내에서, 접촉 저항과 선 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다. The average particle diameter (D50) of the silver powder is preferably from 0.1 mu m to 3 mu m, and more preferably from 0.5 mu m to 2 mu m. The average particle diameter was measured using a 1064 LD model manufactured by CILAS after dispersing the conductive powder in isopropyl alcohol (IPA) by ultrasonication at 25 캜 for 3 minutes. Within this range, the contact resistance and line resistance can be lowered.
은 분말은 페이스트 조성물 100 중량%를 기준으로 60 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있고, 유기 비히클 양의 상대적인 감소로 페이스트화가 어려워지는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 70 내지 90 중량% 로 포함될 수 있다.
The silver powder may be contained in an amount of 60 to 95% by weight based on 100% by weight of the paste composition. In this range, it is possible to prevent the conversion efficiency from being lowered by increasing the resistance, and to prevent the paste from becoming difficult due to the relative reduction in the amount of the organic vehicle. Preferably 70 to 90% by weight.
(B) 제2 금속분말(B) a second metal powder
제2 금속은 은(Ag)과 공융점(Eutectic Point)을 갖는 물질로서, 본 발명에서 상기 제2 금속은 은과 공융점이 형성되는 개시 온도(initial temperature)가 150 내지 700℃인 금속을 말한다. 상기 공융점이라 함은, 2 성분계의 고체상-액체상 곡선에서 2 성분이 고용체를 만들지 않고 액체 상태에서 완전히 녹아 섞이는 점을 말한다. The second metal is a material having an eutectic point with silver (Ag). In the present invention, the second metal refers to a metal having an initial temperature of 150 to 700 ° C at which a eutectic point is formed with silver. The eutectic point refers to a point where two components in a two-component solid-liquid phase curve completely melt and mix in a liquid state without forming a solid solution.
상기 제2 금속은 은 분말에 혼합되어 합금을 형성하는 물질로서 본 발명의 페이스트 조성물이 용융되고 소결 과정을 거친 후에는 은-합금(Ag Alloy)이 기판상 형성되어 전극으로 사용될 수 있다.The second metal is mixed with silver powder to form an alloy, and after the paste composition of the present invention is melted and sintered, a silver alloy is formed on the substrate to be used as an electrode.
도 1 내지 도 5는 은(Ag)과 제2 금속이 혼합된 물질의 상평형도(phase diagram)들이다. 각각의 상평형도에서 x축은 각 성분들의 원자 퍼센트(atomic percent) 또는 몰비를 나타내며, y축은 섭씨온도를 나타낸다. FIGS. 1 to 5 are phase diagrams of a mixed material of silver (Ag) and a second metal. In each phase diagram, the x axis represents the atomic percent or mole ratio of each component, and the y axis represents the Celsius temperature.
도 1은 은(Ag) 분말과 상기 은(Ag)과 얼로이를 형성하는 인듐(In)을 혼합한 물질의 상평형도이고, 도 2는 은(Ag) 분말과 상기 은(Ag)과 얼로이를 형성하는 텔루륨(Te)을 혼합한 물질의 상평형도이며, 도 3은 은(Ag) 분말과 상기 은(Ag)과 얼로이를 형성하는 주석(Sn)을 혼합한 물질의 상평형도이다. 상기 도 1 내지 도 3의 상평형도에서 공융점이 형성되는 개시온도는 Ag-In계에서는 약 156℃이고, Ag-Te계에서는 약 351℃이고, Ag-Sn계에서는 약 231℃인 것을 알 수 있다.FIG. 1 is a phase diagram of a material obtained by mixing silver (Ag) powder with indium (In) forming silver and the alloy. FIG. 2 is a graph showing the phase equilibrium diagram of a material obtained by mixing silver (Ag) FIG. 3 is a phase diagram of a material obtained by mixing silver (Ag) powder with tin (Sn) forming silver and silver (Ag). FIG. The starting temperature at which the eutectic point is formed in the phase equilibrium diagrams of Figs. 1 to 3 is about 156 占 폚 for the Ag-In system, about 351 占 폚 for the Ag-Te system, and about 231 占 폚 for the Ag- have.
공융점이 형성되는 개시온도에 대하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 도 4를 참고하면, 은(Ag) 분말과 상기 은(Ag)과 얼로이를 형성하는 비스무스(Bi)를 혼합한 물질의 상평형도를 나타낸 것이다. 상기 상평형도에서 보는 바와 같이 Ag-Bi계에서는 1개의 공융점이 있음을 알 수 있다. Ag-Bi계의 공융점은 약 545℃이고, Ag와 Bi의 몰비는 약 0.05/0.95인 것을 알 수 있다. 즉, 상기 Ag에 증착되는 물질로서 Bi를 혼합하면, 혼합물질인 Ag-Bi계의 공융점은 약 545℃가 되므로, 상기 Ag 고유의 녹는점인 961.93℃보다 더욱 낮은 온도에서 용융시킬 수 있다. 따라서, 종래에 은(Ag)을 700 내지 900℃ 정도의 온도에서 소성시키는 것과 달리, 본 발명에서는 그 보다 낮은 온도에서 은(Ag)과 제2 금속 물질을 포함하는 Ag 합금으로 전극으로 제조할 수 있다. The starting temperature at which the eutectic point is formed will be described in more detail as follows. Referring to FIG. 4, there is shown a phase balance diagram of a material obtained by mixing silver (Ag) powder with bismuth (Bi) that forms silver and silver (Ag). As can be seen from the phase balance diagram, it can be seen that there is one eutectic point in the Ag-Bi system. The eutectic point of the Ag-Bi system is about 545 ° C, and the molar ratio of Ag and Bi is about 0.05 / 0.95. That is, when Bi is mixed as the material to be deposited on the Ag, the eutectic point of the Ag-Bi system as the mixed material becomes about 545 ° C, so that it can be melted at a temperature lower than 961.93 ° C, which is the melting point inherent in the Ag. Therefore, unlike the conventional method in which silver (Ag) is baked at a temperature of about 700 to 900 ° C, in the present invention, it is possible to produce an electrode with Ag alloy containing silver (Ag) and a second metal material at a lower temperature have.
물질 간에 형성되는 공융점은 1개 이상일 수 있다. 도 5를 참고하면, 상기 상평형도에서 보는 바와 Ag-Zn계에서는 4개의 공융점들이 있음을 알 수 있다. Ag-Zn계의 공융점들은 Ag과 Zn의 조성비에 따라 431℃, 631℃, 661℃, 및 710℃를 나타내고 있다. The eutectic point formed between the materials may be one or more. Referring to FIG. 5, it can be seen that there are four eutectic points in the Ag-Zn system as seen from the phase equilibrium diagram. The eutectic points of the Ag-Zn system show 431 ° C, 631 ° C, 661 ° C, and 710 ° C depending on the composition ratio of Ag and Zn.
본 발명에서 사용하는 제2 금속분말은 은(Ag)과 공융점을 형성하는 최초의 개시온도가 700℃ 이하인 금속을 의미한다. 상기 Zn 역시 은(Ag)과 중량비에 따라 700℃를 초과하는 710℃에서도 공융점을 형성할 수 있으나, 공융점을 형성하는 최초의 개시온도는 431℃ 이므로 본 발명의 제2 금속분말로 사용될 수 있다. The second metal powder used in the present invention means a metal whose initial starting temperature for forming a eutectic point with silver (Ag) is 700 캜 or lower. The Zn can also form a eutectic point at 710 ° C. exceeding 700 ° C. depending on the weight ratio of silver (Ag). However, since the initial starting temperature for forming the eutectic point is 431 ° C., it can be used as the second metal powder have.
상기 제2 금속분말은 In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, Ge, Ga 및 Bi로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있으나, 반드시 이에 제한되지 않으며, 은(Ag)과 공융점을 형성하는 개시온도가 700℃ 이하인 금속이라면 본 발명에서 정의된 제2 금속의 범주에 포함될 수 있다. Wherein the second metal powder comprises at least one of the group consisting of In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Al, Ba, Ca, However, the present invention is not limited thereto. The metal may be included in the category of the second metal defined in the present invention as long as the metal has a starting temperature for forming a eutectic point with silver (Ag) of 700 ° C or lower.
은(Ag)과 얼로이를 형성하는 상기 제2 금속을 태양전지용 전극 페이스트에 사용하는 경우 공융 온도가 낮아짐에 따라 실버의 액상소결이 가능해지므로 실리콘 표면과의 접촉저항을 낮출 수 있고 소결속도가 빨라지므로 시리즈 저항이 낮아질 수 있다. In the case of using the second metal for forming an alloy with silver (Ag) in the electrode paste for a solar cell, the liquid phase sintering of silver becomes possible as the eutectic temperature becomes lower, so that the contact resistance with the silicon surface can be lowered and the sintering speed becomes faster Series resistance can be lowered.
일 예로서, 상기 제2 금속과 얼로이되어 전극으로 형성되는 Ag 합금은 Ag-In 합금, Ag-Sr 합금, Ag-Sn 합금, Ag-Bi 합금, 또는 Ag-Te 합금일 수 있다. 상기 형성된 Ag 합금은 기계적, 전기적 특성이 우수하여 전극으로 사용될 수 있으며, 특히, 전면 전극으로 사용되는 것이 바람직하다. As an example, the Ag alloy formed by the alloy with the second metal may be an Ag-In alloy, an Ag-Sr alloy, an Ag-Sn alloy, an Ag-Bi alloy, or an Ag-Te alloy. The Ag alloy thus formed is excellent in mechanical and electrical properties and can be used as an electrode. In particular, the Ag alloy is preferably used as a front electrode.
본 발명에서 상기 제2 금속은 파우더 또는 분말 형태로 사용되는 것이 반응 비표면적을 넓힐 수 있다는 점에서 바람직하다. 상기 제2 금속 입자의 평균입경(D50)은 0.1 내지 10㎛ 일 수 있다. In the present invention, the second metal is preferably used in the form of powder or powder because it can broaden the reaction specific surface area. The average particle size (D50) of the second metal particles may be 0.1 to 10 mu m.
제 2 금속입자의 평균입경이 상기 범위 내인 경우, 우수한 인쇄성 및 균일한 패턴을 얻을 수 있다. When the average particle diameter of the second metal particles is within the above range, excellent printability and uniform pattern can be obtained.
상기 제2 금속분말은 페이스트 조성물 100 중량%를 기준으로 0.1 내지 20 중량% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. The second metal powder may be contained in an amount of 0.1 to 20% by weight, and preferably 0.1 to 10% by weight based on 100% by weight of the paste composition.
제 2 금속분말의 함량이 상기 범위 내인 경우, 제 1 금속분말과 얼로이 형성이 용이하고, 우수한 변환 효율을 가질 수 있다.
When the content of the second metal powder is within the above range, the first metal powder and the alloy are easily formed, and the conversion efficiency can be improved.
(C) 유리 (C) Glass 프릿Frit
유리 프릿(glass frit)은 전극 페이스트의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고, 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.The glass frit is formed by etching the antireflection film during the firing process of the electrode paste, melting the silver particles to produce silver grains in the emitter region so that the resistance can be lowered, and the adhesion between the conductive powder and the wafer And softening at sintering to lower the firing temperature.
태양전지의 효율을 증가시키기 위하여 태양전지의 면적을 증가시키면 태양전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)에 대한 피해를 최소화함과 동시에 직렬저항을 최소화시켜야 한다. 또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 충분히 확보될 수 있는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다. Increasing the area of the solar cell in order to increase the efficiency of the solar cell may increase the contact resistance of the solar cell. Therefore, the damage to the pn junction should be minimized and the series resistance should be minimized. In addition, it is preferable to use a glass frit which can sufficiently secure thermal stability even at a wide firing temperature because the range of variation in firing temperature becomes large as wafers of various sheet resistances increase.
상기 유리 프릿은 통상적으로 태양전지 전극 페이스트에 사용되는 유연 유리 프릿 또는 무연 유리 프릿 중 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.The glass frit may be at least one of a flexible glass frit or a lead-free glass frit that is typically used in a solar cell electrode paste.
상기 유리 프릿은 산화납, 산화규소, 산화텔루륨, 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화알루미늄, 산화텅스텐 등으로부터 선택된 금속 산화물을 단독으로 또는 이들 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화아연-산화규소계(ZnO-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화규소계(Bi2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화납-산화텔루륨계(PbO-TeO2), 산화납-산화텔루륨-산화규소계(PbO-TeO2-SiO2), 산화납-산화텔루륨-산화리튬계(PbO-TeO2-Li2O), 산화비스무스-산화텔루륨계(Bi2O3-TeO2), 산화비스무스-산화텔루륨-산화규소계(Bi2O3-TeO2-SiO2), 산화텔루륨-산화아연계(TeO2-ZnO) 또는 산화비스무스-산화텔루륨-산화리튬계(Bi2O3-TeO2-Li2O) 유리 프릿 등이 이용될 수 있다.The glass frit may include a metal oxide selected from lead oxide, silicon oxide, tellurium oxide, bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, aluminum oxide, tungsten oxide, etc., alone or in a mixture thereof. For example, there are zinc oxide-silicon oxide (ZnO-SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide- (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide- (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3), lead oxide-oxide telru ryumgye (PbO-TeO 2), lead oxide-tellurium oxide - silicon oxide (PbO-TeO 2 -SiO 2) , lead oxide-oxide tellurium-based lithium oxide (PbO -TeO 2 -Li 2 O), bismuth oxide-oxide telru ryumgye (Bi 2 O 3 -TeO 2) , bismuth-tellurium oxide - silicon oxide (Bi 2 O 3 -TeO 2 -SiO 2), oxidation Tel Ru-oxide-zinc (TeO 2- ZnO) or bismuth oxide-tellurium oxide-lithium oxide (Bi 2 O 3 -TeO 2 -Li 2 O) glass frit may be used.
유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 금속 산화물로부터 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 금속산화물의 조성으로 혼합한다. 혼합은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 혼합할 수 있다. 혼합된 조성물을 700℃-1300℃의 조건에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한다. 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 유리 프릿을 얻을 수 있다. The glass frit can be prepared from the metal oxides described above using conventional methods. For example, in the composition of the metal oxide described above. The blend can be mixed using a ball mill or a planetary mill. The mixed composition is melted at 700 ° C to 1300 ° C and quenched at 25 ° C. The resulting product is pulverized by a disk mill, a planetary mill or the like to obtain a glass frit.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛인 것이 사용될 수 있으며, 페이스트 조성물 100 중량%를 기준으로 0.5 내지 20 중량% 포함될 수 있다. 상기 유리 프릿의 형상은 구형이거나 부정형상이어도 무방하다. 구체예에서는, 전이점이 상이한 2종의 유리 프릿을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 전이점이 200℃ 이상 350℃ 이하인 제1 유리프릿과 전이점이 350℃ 초과 550℃ 이하인 제2 유리프릿를 1 : 0.2 내지 1 : 1의 중량비로 혼합하여 사용할 수 있다. The glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 10 mu m, and may be contained in an amount of 0.5 to 20 wt% based on 100 wt% of the paste composition. The shape of the glass frit may be spherical or irregular. In a specific example, two kinds of glass frit having different transition points may be used. For example, a first glass frit having a transition point of 200 ° C or higher and 350 ° C or lower and a second glass frit having a transition point of 350 ° C or higher and 550 ° C or lower may be mixed at a weight ratio of 1: 0.2 to 1: 1.
상기 유리 프릿은 상용의 제품을 구매하여 사용하거나 원하는 조성을 얻기 위해, 예를 들어, 이산화규소(SiO2), 알루미늄산화물(Al2O3), 붕소산화물(B2O3), 비스무스산화물(Bi2O3), 나트륨산화물(Na2O), 산화아연(ZnO) 등을 선택적으로 용융하여 제조할 수도 있다.
The glass frit may be made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), sodium oxide (Na 2 O), zinc oxide (ZnO), and the like.
(D) 유기 (D) Organic 비히클Vehicle
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 페이스트의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 페이스트를 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.The organic vehicle imparts viscosity and rheological properties suitable for printing the paste through mechanical mixing with inorganic components of the paste for forming the solar cell electrode.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 페이스트에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있는데, 통상 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.The organic vehicle may be an organic vehicle usually used for a solar cell electrode paste, and may generally include a binder resin, a solvent, and the like.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.As the binder resin, an acrylate-based or cellulose-based resin can be used, and ethylcellulose is generally used. However, it is preferable to use a mixture of ethylhydroxyethylcellulose, nitrocellulose, a mixture of ethylcellulose and phenol resin, an alkyd resin, a phenol resin, an acrylic ester resin, a xylene resin, a polybutene resin, a polyester resin, Based resin, a rosin of wood, or a polymethacrylate of alcohol may be used.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸센로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the solvent include hexane, toluene, ethyl cellosolve, cyclohexanone, butyl cellosolve, butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether), dibutyl carbitol (diethylene glycol dibutyl ether) , Butyl carbitol acetate (diethylene glycol monobutyl ether acetate), propylene glycol monomethyl ether, hexylene glycol, terpineol, methyl ethyl ketone, benzyl alcohol, gamma butyrolactone or ethyl lactate, Two or more of them may be used in combination.
상기 유기 비히클의 배합량은 페이스트 조성물 100 중량%를 기준으로 1 내지 30 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.
The blending amount of the organic vehicle may be 1 to 30% by weight based on 100% by weight of the paste composition. Within this range, sufficient adhesive strength and excellent printability can be ensured.
(E) 첨가제(E) Additive
본 발명의 페이스트 조성물은 상기한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 페이스트 조성물 100 중량%를 기준으로 0.1 내지 5 중량%로 첨가되지만 필요에 따라 변경할 수 있다.
The paste composition of the present invention may further contain conventional additives as necessary in order to improve flow characteristics, process characteristics and stability in addition to the above-mentioned components. The additive may be used alone or as a mixture of two or more of a dispersing agent, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoaming agent, a pigment, an ultraviolet stabilizer, an antioxidant and a coupling agent. These are added in an amount of 0.1 to 5% by weight based on 100% by weight of the paste composition, but they can be changed if necessary.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지Solar cell electrode and solar cell comprising same
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극용 페이스트로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 6은 본 발명의 한 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.Another aspect of the present invention relates to an electrode formed from the paste for a solar cell electrode and a solar cell including the same. 6 illustrates a structure of a solar cell according to one embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, p층(또는 n층)(101) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 상기 페이스트들을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 페이스트를 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200℃ 내지 400℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 페이스트를 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 700℃ 내지 950℃에서 30초 내지 180초 정도 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다. 6, the pastes are printed and fired on a
상기 제조된 전극은 제1 금속인 은과 제2 금속의 합금 및 유리 프릿 성분을 포함한다. 소성 후 제 2 금속성분이 분말 형태로 들어가지 않고 유리성분으로 구성되는 경우는 은과 얼로이를 형성할 수 없기 때문에 Si 웨이퍼와의 계면에서 직접적인 컨텍으로 인한 시리즈 저항의 개선효과가 없을 수 있다.
The electrode thus produced includes an alloy of a silver and a second metal, which is a first metal, and a glass frit component. If the second metal component does not enter the powder form after firing and is composed of a glass component, it may not have an effect of improving the series resistance due to direct contact at the interface with the Si wafer, since silver can not be formed.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but these examples are for illustrative purposes only and should not be construed as limiting the present invention.
실시예Example
실시예Example 1-5 및 1-5 and 비교예Comparative Example 1 One
실시예 1Example 1
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스 (Dow chemical company, STD4) 1 중량%를 용매인 부틸 카비톨 (Butyl Carbitol) 12.5 중량%에 60℃에서 충분히 용해한 후 평균입경이 2.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 76 중량%, 평균 입경이 110 nm인 건식 나노 인듐 분말(Strategic Metal Investments, Indium Powder) 5.0 중량%, 평균 입경이 1.0 ㎛이고 전이점이 381℃인 저융점 유연 유리 프릿-Ⅰ(유연 Glass, (주)파티클로지, CI-124) 4.0 중량%, 평균 입경이 1.0 ㎛이고 전이점이 430℃인 저융점 유연 유리 프릿-Ⅱ(유연 Glass, (주)파티클로지, CI-5008) 1.0 중량%, 분산제 BYK102(BYK-chemie) 0.2 중량%, 요변제 Thixatrol ST (Elementis co.)을 0.3 중량% 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였다.1% by weight of ethyl cellulose (STD4) as an organic binder was sufficiently dissolved in 12.5% by weight of butylcarbitol as a solvent at 60 占 폚, and spherical silver powder having an average particle diameter of 2.0 占 퐉 (Dowa Highech CO. 5.0% by weight of dry nano indium powder (Strategic Metal Investments, Indium Powder) having an average particle size of 110 nm, 76% by weight of a low melting point flexible glass frit having an average particle diameter of 1.0 탆 and a transition point of 381 캜 (Flexible glass, particle grain, CI-124) having 4.0% by weight, average particle diameter of 1.0 占 퐉 and transition point of 430 占 폚, 5008), 0.2 wt% of a dispersing agent BYK-chemie (0.2 wt%) and 0.3 wt% of Thixatrol ST (Elementis co.) As a thixotropic agent were mixed and dispersed with a three roll kneader to prepare a paste for forming a solar cell electrode Respectively.
상기 태양전지 전극 형성용 페이스트를 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 이후 웨이퍼의 후면에 알루미늄 페이스트를 후면 인쇄한 후 동일한 방법으로 건조하였다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형 소성로를 사용하여 400 내지 950 ℃사이로 30초에서 180초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율 측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 Fill Factor (FF, %) 및 변환효율(%)을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The paste for forming the solar cell electrode was printed on the entire surface of the wafer in a predetermined pattern by screen printing, and dried using an infrared drying furnace. Thereafter, aluminum paste was printed on the rear surface of the wafer on the back side and dried in the same manner. The cells thus formed were sintered at 400 to 950 ° C for 30 seconds to 180 seconds using a belt-type sintering furnace. The cells thus manufactured were subjected to a solar cell efficiency measurement (Pasan Co., CT-801) Fill Factor (FF,%) and conversion efficiency (%) were measured and shown in Table 1 below.
실시예 2Example 2
제2 금속분말로 평균 입경이 1㎛인 건식 텔루륨 분말을 5.0 중량% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.A paste for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5.0 wt% of dry tellurium powder having an average particle diameter of 1 μm was used as the second metal powder. Respectively.
실시예 3Example 3
제2 금속분말로 평균 입경이 1㎛인 건식 주석 분말을 5.0 중량% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.A paste for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5.0 wt% of dry tin powder having an average particle diameter of 1 mu m was used as the second metal powder. Respectively.
실시예 4Example 4
제2 금속분말로 평균 입경이 1㎛인 건식 비스무스 분말을 5.0 중량부 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.A paste for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5.0 parts by weight of dry bismuth powder having an average particle diameter of 1 μm was used as the second metal powder. Respectively.
실시예 5Example 5
전이점이 430℃인 저융점 유연 유리 프릿-Ⅱ(유연 Glass, (주)파티클로지, CI-5008)만을 5.0 중량% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.Except that 5.0% by weight of only low-melting point flexible glass frit-II (flexible glass, particle size: CI-5008) having a transition point of 430 ° C was used. The results are shown in Table 1 below.
비교예 1Comparative Example 1
제2 금속분말을 포함하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.The paste for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that the second metal powder was not included. The results are shown in Table 1 below.
비교예 2Comparative Example 2
제2 금속분말로 평균 입경이 1㎛이고 920℃에서 공융점을 형성하는 건식 루테늄 분말을 5.0 중량% 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지 전극 형성용 페이스트를 제조하였으며, 물성 측정 후 결과 값을 하기 표 1에 나타내었다.A paste for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that the second metal powder had an average particle diameter of 1 탆 and 5.0% by weight of dry ruthenium powder forming a eutectic point at 920 캜, The results after measurement are shown in Table 1 below.
상기 표 1의 결과 값에서 확인할 수 있듯이, 은 분말과 공융점(eutactic point)이 형성되는 개시온도가 150 내지 700℃에 속하는 제2 금속분말을 사용한 실시예 1 내지 4의 페이스트 조성물로 제조된 태양전지 전극이 제2 금속분말을 사용하지 않은 비교예 1 또는 은 분말과 공융점이 형성되는 개시온도가 700℃를 초과하는 루테늄 분말을 제2 금속분말로 사용한 비교예 2에 비하여 Fill Factor값과 변환 효율이 우수한 것을 알 수 있다.
As can be seen from the results shown in Table 1, the silver powder prepared in Examples 1 to 4 using the second metal powder having an initiation temperature of 150 to 700 ° C at which an eutectic point was formed Compared with Comparative Example 1 in which the second metal powder was not used for the battery electrode, and Comparative Example 2 in which ruthenium powder having a melting point exceeding 700 캜 was formed as a second metal powder, the fill factor and conversion efficiency Is superior.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
Claims (10)
제2 금속분말;
유리 프릿; 및
유기 비히클을 포함하고,
상기 제1 금속분말은 은(Ag) 분말이며,
상기 제2 금속분말은 은 분말과 공융점(eutactic point)이 형성되는 최초의 개시온도가 150 내지 700℃이고, 상기 제2 금속분말은 In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Ba, Ca, Ge, Ga 또는 Bi 단독 분말이고,
상기 유리 프릿은 전이점이 상이한 2종의 유리 프릿을 포함하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물이고,
상기 제2 금속 분말은 상기 태양전지 전극용 페이스트 조성물 중 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물.
A first metal powder;
A second metal powder;
Glass frit; And
An organic vehicle,
Wherein the first metal powder is a silver (Ag) powder,
Wherein the first metal powder has an initial starting temperature of 150 to 700 ° C. at which an eutectic point with the silver powder is formed and the second metal powder is at least one of In, Sr, Ce, Zn, Te, , La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Ba, Ca, Ge,
Wherein the glass frit is a paste composition for a solar cell electrode comprising two kinds of glass frit having different transition points,
Wherein the second metal powder comprises 0.1 to 5 wt% of the paste composition for a solar cell electrode.
상기 제1 금속분말 60 내지 95 중량%;
상기 제2 금속분말 0.1 내지 5 중량%
상기 유리 프릿 0.5 내지 20 중량%; 및
상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물.
The composition of claim 1, wherein the composition comprises
60 to 95 wt% of the first metal powder;
0.1 to 5% by weight of the second metal powder,
0.5 to 20% by weight of the glass frit; And
And 1 to 30% by weight of the organic vehicle.
The paste composition for a solar cell electrode according to claim 1, wherein the second metal powder has a particle diameter of 0.1 to 10 mu m.
The paste composition for a solar cell electrode according to claim 1, wherein the glass frit has an average particle diameter (D50) of 0.1 to 10 mu m.
The composition according to claim 1, wherein the composition further comprises at least one additive selected from the group consisting of a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoamer, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant and a coupling agent Paste composition for solar cell electrode.
A solar cell electrode made from the paste composition for a solar cell electrode according to any one of claims 1, 2, 4, 6, and 7.
상기 제1금속은 은이고,
상기 제2 금속은 상기 제 1 금속과 공융점(eutactic point)이 형성되는 최초의 개시온도가 150 내지 700℃인 금속이고, 상기 제2 금속은 In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se, Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Ba, Ca, Ge, Ga 또는 Bi 단독 분말이고,
상기 유리 프릿 성분은 전이점이 상이한 2종의 유리 프릿을 포함하는 태양전지 전극이고,
상기 제2 금속은 상기 태양전지 전극 중 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극.An alloy of a first metal and a second metal, and a glass frit component,
Wherein the first metal is silver,
The second metal is a metal having an initial starting temperature of 150 to 700 ° C at which an eutectic point with the first metal is formed and the second metal is at least one of In, Sr, Ce, Zn, Te, Sn, Se , Eu, La, Sb, Pb, Na, Li, Pr, As, Ba, Ca, Ge,
Wherein the glass frit component is a solar cell electrode comprising two kinds of glass frit having different transition points,
Wherein the second metal is contained in an amount of 0.1 to 5 wt% of the solar cell electrode.
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