KR101713918B1 - 메모리 프로그래밍 동안의 금지 전압의 램핑 - Google Patents

Abstract

금지 전압은, 프로그램 동작 동안 기입하기 위해 메모리 셀을 갖는 프로그램 워드라인에 인접한 워드라인들에 인가된 전압이다. 프로그램 동작에 대한 금지 전압은 프로그램 펄스 동안 램프 업될 수 있다. 누설로 인해 대폭 감소하는 초기 부스팅된 채널 전위를 발생하는 일정한 높은 금지 전압을 인가하는 대신, 시스템은 금지 전압을 더 낮게 시작하고, 프로그램 펄스 동안 초기 전압을 램프 업할 수 있다. 램프 업은 프로그램 펄스 동안, 연속적인 램프일 수 있거나 또는 유한한 이산 스텝들로 있을 수 있다. 금지 전압의 그러한 램핑은 프로그램 디스터브와 금지 디스터브 간의 더 우수한 트레이드오프를 제공할 수 있다.

Description

메모리 프로그래밍 동안의 금지 전압의 램핑{RAMPING INHIBIT VOLTAGE DURING MEMORY PROGRAMMING}

본 발명의 실시예들은 일반적으로 메모리 디바이스들에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 프로그램 디스터브(program disturb)와 금지 디스터브(inhibit disturb) 간의 트레이드-오프를 개선시키기 위해 메모리 프로그래밍 동안 금지 전압을 램핑-업(ramping-up)하는 것에 관한 것이다.

저작권 공고/허가

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컴퓨팅 디바이스들은 그 컴퓨팅 디바이스들에서 사용된 코드 및 데이터를 저장하기 위한 저장 디바이스들에 의존한다. 고체 상태 메모리 디바이스들은 종래의 회전 디스크 저장 디바이스들에서 사용된 기계 부품없이 비휘발성 저장소를 제공한다. 일반적인 고체 상태 저장 기술은 플래시 메모리이고, 더 상세하게는, NAND 기반 플래시 메모리가 특히 일반적이다. 플래시 메모리와 같은 고체 상태 메모리는 프로그램된 워드라인 상에 고전압을 인가함으로써 기입 또는 프로그램된다. 프로그램된 셀은 프로그램된 워드라인과 선택된 비트라인의 교차점에 위치한다. 금지된 셀은 프로그램된 워드라인과 미선택된 비트라인의 교차점에 위치한다. 프로그램될 필요가 있는 셀들은 (선택된 비트라인으로부터 그들의 채널까지 전압을 전달함으로써) 0 채널 전위로 유지되고, 프로그램될 필요가 없는 셀들은 (그들을 미선택된 비트라인으로부터 분리하고 채널로 하여금 금지 전압에 용량성으로 결합하게 하여) 그 채널을 부스팅함으로써 금지된다. 금지 전압은 프로그램된 워드라인에 대한 2개 또는 여러 개의 인접 워드라인들 상에 인가된다. 금지된 채널의 부스팅된 전압은 부스팅된 채널 전위로서 지칭될 수 있고, 통상적으로, 데이터가 메모리 디바이스로부터 판독될 수 있는 정규 동작 전압 레벨보다 더 높다. 금지된 채널의 부스팅된 채널 전위는 금지 전압으로부터의 용량성 결합뿐 아니라 채널에서의 부스트 누설에 의해 결정된다.

메모리 디바이스들은 프로그램 에러의 2개의 상이한 카테고리들에 영향을 받기 쉬우며, 이는 일반적으로 "디스터브"들, 또는 의도치않은 프로그래밍 또는 기입 동작의 의도된 타깃이 아닌 다른 메모리 셀들로의 변경으로서 지칭된다. 메모리 셀들은 희생 셀들(victim cells)로서 지칭될 수 있다. 의도치않은 프로그래밍의 2개의 카테고리들은 프로그램 디스터브(PD) 및 금지 디스터브(ID)로서 식별될 수 있다. PD는 프로그램된 워드라인 및 미선택된 비트라인에 속하는 셀들에서 발생한다. ID는 금지된 워드라인들(금지 전압 하의 워드라인들) 및 선택된 비트라인에 속하는 셀들에서 발생한다. PD는 부스팅된 채널 전위가 금지된 채널에서 불충분할(낮을) 경우에 발생하며, 이는 의도치않은 프로그래밍을 야기한다. 통상적으로, 시스템은 금지 워드라인들 상의 금지 전압을 증가시켜 미선택된 비트라인 상의 부스팅된 채널 전위를 개선시키며, 이는 결국 PD를 감소시킨다.

ID에 있어서, 선택된 비트라인 상에 또한 있는 금지 워드라인들 상의 셀들은 프로그램 동작 동안, 특히, 높은 금지 전압들로 의도치않게 기입될 수 있다. 따라서, 금지 전압을 증가시키는 것은 PD를 감소시킬 수 있지만, 금지 전압을 증가시키는 것은 ID를 증가시키는 경향이 있다. 따라서, PD를 원하는 레이트로 유지하기 위해 충분히 높은 금지 전압을 제공하는 것과 ID를 원하는 레이트로 유지하기 위해 금지 전압을 증가시키지 않는 것 간의 트레이드오프가 존재한다는 것이 이해될 것이다.

다음의 설명은 본 발명의 실시예들의 구현들의 예에 의해 제공된 예시들을 갖는 도면들의 논의를 포함한다. 도면들은 한정이 아닌 예로서 이해되어야 한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 하나 이상의 "실시예들"에 대한 참조들은 본 발명의 적어도 하나의 구현에 포함된 특정한 특징, 구조 및/또는 특성을 설명하는 것으로서 이해되어야 한다. 따라서, 본 명세서에서 나타나는 "일 실시예에 있어서" 또는 "대안적인 실시예에 있어서"와 같은 구문들은 본 발명의 다양한 실시예들 및 구현들을 설명하며, 반드시 모두 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 하지만, 그들은 또한 반드시 상호 배타적인 것은 아니다.
도 1은 금지 전압이 프로그램 동작 윈도우 동안에 증가되는 메모리 디바이스를 갖는 시스템의 실시예의 블록도이다.
도 2는 프로그램 동작 동안 금지 전압을 램프-업하는 시스템에 있어서의 전압 파형들의 실시예의 도식적 표현이다.
도 3은 고정된 금지 전압 및 램프된 금지 전압에 대한 2개의 디스터브 메커니즘들의 의존성의 실시예의 도식적 표현이다.
도 4는 프로그램 동작 동안 금지 전압을 증가하기 위한 프로세스의 실시예의 흐름도이다.
도 5는 금지 전압 램프가 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 실시예의 블록도이다.
도 6은 금지 전압 램프가 구현될 수 있는 모바일 디바이스의 실시예의 블록도이다.
하기에 설명되는 실시예들의 일부 또는 그 모두를 도시할 수도 있는 도면들의 설명을 포함하는 것은 물론, 본 명세서에서 제시된 발명의 개념들의 다른 잠재적인 실시예들 또는 구현들을 논의하는 특정 상세들 및 구현들의 설명들이 뒤따른다.

본 명세서에서 설명된 바와 같이, 메모리 셀들의 프로그램 동작은 프로그램 동작 동안 금지 전압을 램프-업하는 것을 포함한다. 램프된 전압의 사용은 PD(프로그램 디스터브)와 ID(금지 디스터브) 간의 트레이드오프를 개선시킬 수 있다. 프로그램 동작 동안 금지 전압을 증가시킴으로써, 금지된 셀들(프로그램된 워드라인 및 미선택된 비트라인의 교차점에서의 셀들)은 PD를 감소시키는, 개선된 평균 부스팅된 채널 전위를 인식한다. ID는 또한 초기 전압의 선택 및 금지 전압의 램프-업 기울기에 의해 제어될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 전체 평균 금지 전압은 일정하게 유지될 수 있으며, 따라서, ID에 영향을 주지 않지만 PD를 현저하게 감소시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 등가의 PD에 대해, 전체 평균 금지 전압이 감소될 수 있으며, 따라서, ID를 감소시킬 수 있다.

금지 전압의 램핑-업은 누설의 효과들을 오프셋시킬 수도 있으며, 이는 통상적으로 전형적인 프로그래밍 구현들에 있어서 PD의 증가를 야기한다. 일정한 금지 전압이 인가될 경우, 부스팅된 채널 전위는 훨씬 더 작은 값으로 점진적으로 누설한다. 누설은 부스팅된 전위에 지수적으로 의존한다는 것이 이해될 것이다. 더 높은 부스팅된 채널 전위는 지수적으로 더 높은 누설을 발생시킨다. 따라서, 일정한 금지 전압에 대해, 누설은 시작부에서 훨씬 더 높고 초기 부스팅된 채널 전위는 매우 신속히 감소한다. 누설로 인해 부스트를 감소시키는 일정한 금지 전압을 인가하는 대신, 시스템은 금지 전압을 더 낮게 시작하고 프로그램 펄스 지속기간 동안에 램프할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 램핑-업은 프로그램 펄스 지속기간 동안 연속적인 램프-업일 수 있다. 다른 더 복잡한 구현들은 일정한 램프-업 대신 금지 전압에 있어서 주기적인 상승 스텝들을 포함할 수 있다(이는 주기적인 램프-업으로 지칭될 수 있음).

바람직한 금지 전압은 결합된 양자의 디스터브 메커니즘들(PD 및 ID)로부터 최소로 디스터브된 셀들을 생성하는 금지 전압이라는 것이 이해될 것이다. 고정된 고 전압 레벨을 금지 전압으로서 인가 및 유지하는 대신, 시스템은 PD와 ID 간의 트레이드오프를 개선하도록 구성된 전압을 인가한다. 시스템은 디스터브된 셀들의 총 수를 감소시키기 위해 프로그램 동작 동안 금지 전압 파형을 더 효과적으로 성형할 수 있다(shape). 금지 전압의 램핑-업은 금지 전압 파형을 성형하는 것으로서 지칭될 수 있다. 금지 전압 파형을 성형하는 것은 종래의 고정된 금지 전압 레벨에 대조적이다.

종래의 시스템들은 금지된 채널을 부스팅하기 위해 전체 프로그램 펄스 동안 일정한 금지 전압을 제공한다. 프로그램 펄스의 시작부에서, 부스팅된 채널 전위는 금지 워드라인들로부터의 용량성 결합에 의해 결정된다. 초기 부스트는 채널 내로 누설하는 전자들로 인해 시간에 걸쳐 감소되고, 이는 결국 PD의 크기(magnitude)를 결정한다는 것이 이해될 것이다. 부스트 누설은 순시 부스트(instantaneous boost)에 지수적으로 의존한다. 따라서, 금지 전압의 일정한 또는 고정된 값을 증가시키는 것은 PD 개선에 비해 감소하는 리턴(return)들을 제공한다.

일 실시예에 있어서, 금지 전압 성형은 삼각 금지 전압 파형을 생성하는 것을 포함한다. 따라서, 일 실시예에 있어서, 연속적인 램프-업 기술은 금지 전압의 TTO(triangular top-off)로서 지칭될 수 있다. TTO 접근법은 금지 전압의 연속적인 램프-업을 제공하고, 이는 누설로 인한 부스트 손실이 매 순간 금지 전압에서의 증가에 의해 보상됨을 보장할 수 있다는 것이 이해될 것이다. TTO 또는 다른 램프-업 기술들은 종래의 고정된 전압 접근법에 비해 프로그램 펄스의 시작부에서 금지 전압의 감소를 허용할 수 있다.

도 1은 부스트 전압이 프로그램 동작 윈도우 동안에 증가되는 메모리 디바이스를 갖는 시스템의 실시예의 블록도이다. 시스템(100)은, 금지 전압이 프로그램 동작 동안에 램프 업되고 그리고 전자 회로 및/또는 회로 디바이스이거나 전자 회로 및/또는 회로 디바이스를 포함할 수 있는 시스템을 나타낸다. 시스템(100)은 메모리 디바이스(110)를 포함하고, 메모리 디바이스(110)는 메모리 셀들 중 하나에 기입하기 위해 프로그램 동작에 대해 프로그램 디스터브 및 금지 디스터브되는 메모리 디바이스를 나타낸다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스(110)는 플래시 메모리 디바이스 또는 다른 NAND 메모리 디바이스이다.

메모리 어레이(120)는 N개의 워드라인들(WL[0] 내지 WL[N-1])을 포함한다. 일반적으로 어레이(120)의 사이즈가 부스트 전압을 램핑 업함으로써 셀 디스터브를 감소하기 위한 능력 또는 셀 디스터브의 원인에 영향을 주지 않지만, N은 예를 들어 32 또는 64일 수 있다. 어레이(120)는 M개의 비트라인들(BL[0] 내지 BL[M-1])을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스(110)는 별도로 어드레싱가능한 위치들에 데이터를 저장하기 위한 메모리 셀들의 다수의 어레이들(120) 또는 다수의 뱅크들을 포함한다. 어레이(120) 내의 각각의 메모리 셀은 워드라인 및 비트라인을 어서트함으로써 어드레싱되거나 선택된다. C/A(컬럼 어드레스) 디코더(112)는 수신된 커맨드로부터, 어느 비트라인 또는 비트라인들을 특정 커맨드에 대해 어서트하는지를 결정할 수 있다. R/A(로우 어드레스) 디코더(114)는 수신된 커맨드로부터, 어느 워드라인을 커맨드에 대해 어서트하는지를 결정할 수 있다. 도시된 메모리 셀들에 부가하여, 통상의 기술자에 의해 이해되는 바와 같이, 시스템(100)은 비트라인들의 선택을 가능케 하는 스트링 선택 라인(SSL), 접지 선택 라인(GSL), 및 공통 소스 라인(CSL)을 도시한다.

메모리 디바이스(110)는 전력 소스들(130)로부터 수신된 전력에 기초하여 동작한다. 전력 소스들(130)은, 시스템(100)을 포함할 수 있는 전자 디바이스의 전자 컴포넌트들을 전력공급하기 위해 시스템(100) 내에서 생성된 하나 이상의 전압 소스들 또는 전압 레벨들을 나타낸다. 전력 소스들(130)은, 판독 동작들을 위해 메모리 디바이스(110)에 의해 사용된 전압 레벨을 제공하는 동작 전압 공급부(132)를 포함할 수 있다. 동작 전압 공급부(132)는 통상적으로, 전자 시스템에서의 다른 전자 컴포넌트들에 의해 일반적으로 사용되는 전압 레벨이고, 디바이스간 통신을 수행하도록 통상 사용되는 전압 레벨이다.

전력 소스들(130)은 또한, 동작 전압 공급부(132)보다 더 높은 전압 레벨들을 생성할 수 있는 프로그래밍 전압 공급부(140)를 제공한다. 프로그래밍 전압 공급부(140)는, 메모리 셀들을 프로그래밍하는 것을 가능케 하기 위해 메모리 어레이(120)의 메모리 셀들의 채널 임계치를 극복하기에 충분히 높은 전압 레벨을 제공한다. 특정 전압 레벨들은 디바이스-특정적 특성들 및 설계에 의존하고, 따라서, 상이한 제조자들로부터의 디바이스들에 대해 상이할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 일 실시예에 있어서, 프로그래밍 전압 공급부(140)는 가변 제어부(142)를 포함하고, 가변 제어부(142)는 전력 소스로 하여금 전압 출력을 가변적으로 제어할 수 있게 하는 회로 구성요소들 및/또는 로직을 나타낸다. 예를 들어, 상기 설명된 바와 부합하게, 가변 제어부(142)는 전압 레벨의 연속적인 램프 업 또는 주기적인 램프 업을 가능케 할 수 있다.

프로그램 제어 로직(150)은, 메모리 디바이스(110)가 시스템(100) 내에서 프로그램 커맨드를 수신하고 하나 이상의 프로그램 전압 레벨들을 수신하게 하는 하드웨어 및/또는 로직을 나타낸다. 일 실시예에 있어서, 프로그램 제어 로직(150)은 메모리 디바이스(110)의 부분이다. 프로그램 커맨드 또는 커맨드들은 시스템(100)으로 하여금 메모리 어레이(120)의 하나 이상의 메모리 셀들에 대한 프로그램 동작을 개시하게 한다. 프로그램 전압은 프로그램 워드라인에 인가하기 위한 프로그램 전압 레벨(예를 들어, 메모리 셀을 프로그래밍하기에 충분히 높은 레벨)을 포함할 수 있다. 프로그램 전압은 또한, 프로그램 디스터브를 감소시키기 위해 프로그램 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 인가되는 금지 전압을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 워드라인(WL[3])이 프로그램 워드라인이면(프로그램 동작 동안 기입할 워드라인에 하나 이상의 셀들이 존재함을 의미함), 워드라인들(WL[2] 및 WL[4])은 금지 전압으로 바이어스될 수 있다. 다른 워드라인들은 또한, WL[3]이 (WL[1] 및 WL[5]와 같은) 프로그램 워드라인으로서 선택될 경우 금지 전압으로 바이어싱될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 전압은 램프 업된 금지 전압을 나타낸다. 더 상세하게, 금지 전압은 프로그램 동작 동안에 램프 업된다. 프로그램 동작 동안 전압을 램핑 업하는 것은 메모리 디바이스(110)의 동작의 다른 부분들에서 공급 전압을 램핑 업하거나 턴온하거나 인가하는 것과는 구별된다. 전압을 램핑-업하는 것은 또한, 워드라인의 저항성 및 용량성 지연으로부터 야기되는 목표 전압에 도달하기 위한 지연과는 구별된다. 전압이 다른 시간에 램프 업되는 상황들이 존재할 수도 있든지 아니든지 또는 금지 전압을 턴온하는 것이 전압을 램프 업하도록 초기에 고려될 수 있든지 아니든지, 종래의 시스템들은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 금지 전압을 램핑-업하지 않는다. 종래에는, 금지 워드라인들에 제공된 전압은 전력 소스들(130)에 의해 인가되는 고정된 전압이다. 종래 고정된 금지 전압을 이용하면, 금지된 메모리 셀에서 인식되는 바와 같은 부스팅된 채널 전위는, 고정된 전압이 인가되더라도, 누설로 인해 지수적으로 저감된다. 하지만, 본 명세서에서 설명된 램프 업된 금지 전압을 이용하면, 프로그래밍 전압 공급부(140) 및/또는 프로그램 제어 로직(150)은 프로그램 동작 동안에 변하는 금지 워드라인(들)에서의 전압 레벨을 제공한다. 프로그램 동작은 프로그램 펄스가 어서트되는 시간의 윈도우이고, 이 시간의 윈도우에서, 프로그램 전압 레벨이 프로그램 워드라인에 인가된다는 것이 이해될 것이다. 램프 업된 금지 전압을 이용하면, 메모리 셀은 프로그램 펄스 지속기간 동안 부스팅된 채널 전위의 증가를 인식한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 워드라인(들)에서 인식된 전압 증가의 양은 메모리 어레이(120)에서의 디바이스들의 예상된 또는 공지된 거동에 기초하여 설정된다. 예를 들어, 종래, 금지 전압은 고정된 레벨로 설정되어, 이 고정된 값에서의 임의의 추가 증가는 PD 셀들을 감소시키는 것보다 더 많은 ID 셀들을 생성한다(PD 및 ID 셀들의 총 수는 최소임). 이러한 최적의 고정된 전압을 이용하는 결과적인 부스팅된 채널 전위의 지수적 저감은 메모리 아키텍처, 채널로의 용량성 결합, 및 부스트 누설 특성들의 지식에 기초하여 계산될 수 있다. 프로그램 동작 윈도우의 주기에 걸쳐, 그러한 종래의 접근법은 프로그램 펄스 지속기간에 걸쳐 금지된 메모리 셀의 채널에 의해 인식되는 평균 부스팅된 전위를 발생할 것이다. 예를 들어, 11V 고정된 금지 전압은 프로그램 동작의 시작부에서 10V의 부스팅된 채널 전위를 생성한다. 이러한 전위는, 전체 프로그램 펄스 지속기간에 걸쳐 메모리 셀에서 인식된 7V를 정확히 초과하는 평균에 대해, 15 마이크로초의 시간 윈도우 동안에 대략 6V로 저감된다. 대신, 대략 7V의 초기 금지 전압 및 프로그램 윈도우 동안 12V로 램핑 업하는 것을 고려한다. 일 실시예에 있어서, 프로그래밍 펄스 동안의 모든 시간의 순간에서, 누설로 인해 손실되는 부스팅된 채널 전위는 램프로 인한 금지 전압에서의 순시 증가에 의해 계속 보충된다. 그러한 경우, 금지된 메모리 셀의 채널에서 인식된 평균 전압은 종래의 접근법에서 인식된 평균 부스팅된 채널 전위(7V)보다 훨씬 높을 것이며(예를 들어, 8V 초과), 이는 PD를 감소시킨다. 더욱이, 램프된 경우에 대한 금지 전압이 프로그램 펄스의 지속기간 대부분 동안 종래의 고정된 경우(11V)보다 더 낮기 때문에, 프로그램된 비트라인들 상의 다른 셀들에 대한 ID는 또한 램프된 금지 접근법을 이용하여 감소된다.

도 2는 프로그램 동작 동안 금지 전압을 램프 업하는 시스템에 있어서의 전압 파형들의 실시예의 도식적 표현이다. 다이어그램(202)은 다양한 금지 전압 파형들을 나타낸다. 다이어그램(204)은 금지된 메모리 셀의 부스팅된 채널 전위를 나타낸다.

먼저, 다이어그램(202)을 참조하면, Vpgm은 프로그램 워드라인에 인가된 프로그래밍 전압을 나타낸다. 전압 레벨들의 스케일은 다이어그램들(202 및 204)에 명시적으로 도시되지 않는다는 것이 이해될 것이다. Vinh_F는 종래의 고정된 금지 전압을 나타내며, 상대적인 비교를 위해 도시된다. 다이어그램(202)에서의 전압들은 메모리 디바이스에 인가된 바와 같은 전압들을 나타내지만, 그 전압 레벨들에 의해 생성되는 금지된 메모리 셀들에서의 부스팅된 채널 전위는 다이어그램(204)에 나타내어진다는 것이 이해될 것이다.

램프된 금지 전압을 이용하면, 금지 전압에 대한 적어도 하나의 시작 및 종료 전압이 존재한다. 다이어그램(202)은 계속 증가하는 램프 업 전압을 나타낸다. Vinh_START는 금지 워드라인들에 인가된 시작 전압을 나타낸다. Vinh_END는 금지 워드라인들에 인가된 종료 전압을 나타낸다. 통상적으로, Vinh_START는 Vinh_F보다 더 낮고, Vinh_END는 Vinh_F보다 더 높다. 초기 부스팅된 채널 전위는 금지 전압에 비례하고, 따라서, (다이어그램(204)에서 인식되는 바와 같이) 종래의 금지 전압 접근법에 대해 더 높다. 하지만, 누설이 더 높은 채널 부스트 전위에 대해 지수적으로 더 높기 때문에, 이러한 부스트는 신속히 감소되고, 고정된 금지 전압 접근법에 대해 지수적인 저감이 후속한다. 램프된 금지 전압 접근법에 대한 초기 누설은 훨씬 더 낮고, 따라서, 부스팅된 채널 전위에서의 초기 저감은 더 낮다. 금지 전압이 램핑을 시작할 경우, 부스팅된 채널 전위는 또한, 금지 전압 워드라인들로부터의 용량성 결합으로 인해 상승하기 시작한다. 부스팅된 채널 전위에서의 그러한 연속적인 상승은 점진적으로 포화될 것이고, 점근선(asymptote)이 발생함이 관측될 것이며, 여기서, 램프로부터 야기하는 전위에서의 순시 증가는 순시 전위에 의해 생성된 누설과 동일하다(고 전위들은 누설의 증가를 야기함).

타이밍을 참조하면, ID는 금지 펄스 폭의 전체 지속기간(t_PASS + t_P) 동안 활성이고 PD는 오직 프로그램 펄스 폭(t_P) 또는 프로그램 인에이블 펄스의 주기 동안에만 활성임이 관측될 것이다. 시간 주기(t_PASS)는, 시스템이 워드라인들을 바이어스하기 시작할 때로부터 프로그램 신호가 어서트될 때까지의 시간 주기를 나타낸다. 시간 주기(t_P)는 프로그램 신호가 어서트되는 윈도우 또는 시간의 주기이다. 전압 레벨들과 같이 시간의 주기들은 디바이스들의 아키텍처 및 시스템 특정적 특성들에 의존한다. 시간 주기(t_R_DELAY)(램프된 금지 전압에 대한 지연)는, 금지 전압 바이어스가 도달될 때와 시스템이 전압을 램프 업하기 시작할 때 사이의 시간의 지연 주기를 나타낸다.

다이어그램(204)에서 인식된 바와 같이, 시작부에서의 고정된 금지 전압에 대한 부스팅된 채널 전위는 Vinh_F 및 채널에 대한 금지된 워드라인들의 용량성 결합에 의해 결정된다. 그 후, 부스팅된 채널 전위의 전개가 순시 누설에 의해 결정된다. 누설의 레이트가 높은 부스트 조건들에서 훨씬 더 높기 때문에, Vinh_F를 추가로 증가시키는 것은 결국, 프로그램 펄스 폭 동안 부스팅된 채널 전위의 개선을 위해 감소하는 리턴들을 제공할 것이 이해될 것이다. 부가적으로, 높은 부스트를 지원하는데 요구된 높은 Vinh_F는 주기(t_PASS) 동안 불필요한 ID를 야기한다.

다이어그램(204)에서 또한 인식된 바와 같이, 램핑된 접근법에서의 초기 금지 전압(Vinh_START)을 낮게 유지함으로써, 종래의 고정된 금지 전압 접근법(더 높은 초기 전압 전위는 더 높은 ID에 대응함)에 비해, t_PASS 동안의 ID가 감소된다. 시스템은 t_PASS 동안 Vinh_START를 낮게 유지할 수 있고, PD는 그 주기 동안 비활성이기 때문에, 따라서, 금지 전압을 감소시키는 것은 PD에 영향을 주지 않을 것이다. 일 실시예에 있어서, 램프된 금지 전압은, 지연 주기(t_R_DELAY) 이후에 시작하고 Vpgm 펄스의 종단까지 램핑을 계속하는 삼각 램프이다.

t_R_DELAY, Vinh_START, 및 Vinh_END의 실제 값들은 채널의 부스트 누설 특성들에 기초하여 계산되거나 결정될 수 있다. 최적의 t_R_delay는 실제 구현에 있어서 t_PASS보다 더 작거나 더 크거나 또는 그와 동일할 수 있음을 유의해야 한다. 금지 전압을 램핑 업하는 것은 t_P 동안 PD를 감소시키기 위해 더 높은 평균 채널 부스트 전위를 제공할 수 있다. t_PASS 동안 ID를 낮게 유지하는 것은 전체 ID에 악영향을 주지 않고도 (Vinh_F의 값에 비해) Vinh_END의 더 높은 값을 허용할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 일 실시예에 있어서, Vinh_START 및 Vinh_END에 대한 값들은, 전압 레벨이 매 순간 또는 시간의 서브-주기들 동안에 메모리 디바이스에 대한 잠재적인 누설에 대응하는데 어떤 전압 레벨이 필요로 될지를 계산함으로써 결정된다. 일 실시예에 있어서, 램프된 금지 전압은 곡선의 매 마이크로초에서 삼각 기울기를 갖지만 전체 주기에 걸쳐 반드시 직선으로 증가할 필요는 없다. 누설에 대응하는 것은 시스템으로 하여금 종래에 획득될 수 있는 동일한 ID를 유지하면서 PD를 개선하게 한다.

도 3은 고정된 금지 전압 부스트 및 램프된 전압 부스트에 대한 PD 및 ID의 의존성의 실시예의 도식적 표현이다. 다이어그램(302)은 시스템에서 발생하는 디스터브된 셀들의 수 대 금지 전압 파형, 더 구체적으로는, 고정된 Vinh 구현에 대한 고정된 전압 및 램핑된 Vinh 구현에 대한 시작 전압의 그래픽 표현을 제공한다. 그 다이어그램은, 반드시 스케일링될 필요는 없이, 곡선들의 일반적인 형상들을 나타낸다는 것이 이해될 것이다.

상부 지수 곡선(단순 점선 패턴)은 좌측에서 시작하여 우측으로 저감하며, 종래의 고정된 금지 전압 구현에 대한 PD를 나타낸다. 하부 지수 곡선(쇄선(dash-dot) 패턴)은 또한 좌측에서 시작하여 우측으로 저감하며, 본 명세서에서 설명된 실시예에 따른 램프된 금지 전압 구현에 대한 PD를 나타낸다. 램핑된 금지 전압이 종래의 접근법보다 더 낮은 PD를 제공한다는 것이 관측될 것이다.

양자의 곡선들은, 좌측에서 낮게 시작하여 우측으로 지수적으로 증가하는 실선 곡선과 교차한다. 그 곡선은 금지 전압 파형 중 어느 하나에 대한 ID를 나타내는데, 왜냐하면 이 특정 다이어그램은 램프 금지 파형(Vinh_START, Vinh_END 및 t_R_DELAY)의 형상이 적절히 선택되어, PD를 개선하면서 종래의 고정된 금지 전압 접근법의 ID와 매칭한다고 가정하기 때문이다. 2개의 실선 U-형상 곡선들은, PD 및 ID를 함께 가산함으로써 계산될 수 있는 총 디스터브들을 표시한다. 따라서, 고정된 금지 전압 구현을 위해 가능한 디스터브들의 최소 총 수는 램프된 금지 전압 구현을 위한 디스터브들의 최소 총 수보다 더 높다.

시스템 설계자들은 임의의 구현을 위한 최상의 성능의 포인트를 선택할 것이라는 것이 가정될 수 있다. 따라서, Vinh_F 전압은 고정된 금지 전압에 대한 U-형상 총 곡선에서의 최저 포인트를 생성하는 전압으로서 선택될 것이고, Vinh_START, Vinh_END, 및 t_R_DELAY는 램프된 금지 전압에 대한 U-형상 총 곡선에서의 최저 포인트를 생성하도록 적절히 선택될 것이다. 이들 2개의 최저 포인트들 간의 차이는 금지 전압을 램핑 업하는 이득으로서 이해될 수 있다.

도 4는 프로그램 동작에 대해 금지 전압을 증가시키기 위한 프로세스의 실시예의 흐름도이다. 프로세스(400)는 프로그램 동작에 대해 증가하는 금지 전압을 인가하기 위한 프로세스이다. 증가하거나 램프된 부스트 전압을 지원하는 메모리 디바이스를 갖는 시스템은 프로그래밍 시퀀스 또는 프로그래밍 상태에 진입한다(402). 예를 들어, 시스템은 데이터를 하나 이상의 메모리 셀들에 기입하도록 메모리 디바이스에게 요청하기 위한 기입 커맨드에 직면할 수 있다. 시스템은 예를 들어, 메모리 기입 커맨드를 메모리 디바이스로 전송함으로써, 메모리 디바이스에 대한 프로그램 동작을 개시할 수 있다(404). 그 커맨드는 메모리 디바이스로 하여금 요청된 기입 동작을 수행하게 하기 위해 제어 로직에 의해 생성된 다양한 신호들을 포함할 수 있다.

메모리 디바이스는 프로그램 동작 요청 또는 기입 커맨드를 디코딩하고, 프로그램 워드라인 및 하나 이상의 금지 워드라인들을 식별한다(406). 프로그램 워드라인은, 그 요청 또는 커맨드를 충족하기 위해 프로그램 동작 동안에 프로그램될 메모리 셀을 갖는 워드라인이다. 금지 워드라인들은 프로그램 워드라인에 인접한 워드라인들이다. 금지 전압을 금지 워드라인들에 인가하는 것은, 프로그램 동작 동안 그 채널을 금지 전압에 용량적으로 결합시킴으로써 미선택된 비트라인 상의 금지된 셀의 의도치않은 프로그래밍의 위험을 감소시킬 수 있다.

시스템은 금지 워드라인들에 대한 금지 전압을 생성한다(408). 프로그램 동작의 시작부에서 생성된 금지 전압은, 시스템이 프로그램 동작 동안에 증가시킬 초기 금지 전압(예를 들어, Vinh_START)이다. 초기 금지 전압은 종래의 금지 전압보다 더 낮게 유지될 수 있다. 더 낮은 초기 금지 전압으로부터의 누설은 더 높은 전압으로부터보다 더 적을 것이고, 더 낮은 전압은 더 낮은 ID를 발생시킬 것이다. 시스템은 프로그램 펄스 동안 프로그램 워드라인에 인가하기 위한 프로그램 전압을 생성한다(410).

시스템은 프로그램 펄스를 생성하고(412), 프로그램 동작을 개시한다. 프로그램 동작 윈도우에 있는 동안(414) 또는 펄스 동안, 시스템은 금지 워드라인들 상의 금지 전압을 증가시킬 수 있다(416). 금지 전압을 램핑 업하는 것은 부스팅된 채널 전위를 증가시키는 하나의 방법이다. 일 실시예에 있어서, 시스템은 전체 프로그램 펄스 동안 연속적인 램프 업 전압을 생성한다. 램핑 업은, 시스템이, 반드시 연속적인 램프 업을 생성할 필요는 없이, 프로그램 동작 동안 금지 전압을 증가시키는 여러 개의 구간들(intervals)을 지칭할 수 있다. 시스템은, 프로그램 동작이 종료되는지를 결정할 수 있다(418). 프로그램 동작이 종료되었으면(420의 "예" 분기), 시스템은 프로그램 워드라인으로부터의 프로그램 전압 및 금지 워드라인들로부터의 금지 전압을 디어서트(deassert)할 수 있다(422). 프로그램 동작이 종료되지 않았으면(420의 "아니오" 분기), 일 실시예에 있어서, 시스템은 414로 복귀하여 금지 전압을 램프 업하는 것을 계속할 것이다.

도 5는 부스트 전압 램핑이 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 실시예의 블록도이다. 시스템(500)은 본 명세서에서 설명된 임의의 실시예에 따른 컴퓨팅 디바이스를 나타내고, 랩톱 컴퓨터, 저장소 디바이스, 데스크톱 컴퓨터, 서버, 게이밍 또는 엔터테인먼트 제어 시스템, 스캐너, 복사기, 프린터, 라우팅 또는 스위칭 디바이스, 또는 다른 전자 디바이스일 수 있다. 시스템(500)은, 시스템(500)에 대한 명령어들의 프로세싱, 동작 관리, 및 실행을 제공하는 프로세서(520)를 포함한다. 프로세서(520)는 임의의 타입의 마이크로프로세서, 중앙 프로세싱 유닛(CPU), 프로세싱 코어, 또는 시스템(500)에 대한 프로세싱을 제공하기 위한 다른 프로세싱 하드웨어를 포함할 수 있다. 프로세서(520)는 시스템(500)의 전체 동작을 제어하고, 하나 이상의 프로그램가능 범용 또는 특수 목적 마이크로프로세서들, 디지털 신호 프로세서들(DSP들), 프로그램가능 제어기들, 애플리케이션 특정 집적 회로들(ASIC들), 프로그램가능 로직 디바이스들(PLD들) 등, 또는 그러한 디바이스들의 조합이거나 이들을 포함할 수 있다.

메모리 서브시스템(530)은 시스템(500)의 메인 메모리를 나타내고, 프로세서(520)에 의해 실행될 코드, 또는 루틴을 실행함에 있어서 이용될 데이터 값들을 위한 임시 저장소를 제공한다. 메모리 서브시스템(530)은 판독 전용 메모리(ROM), 플래시 메모리, 랜덤 액세스 메모리(RAM)의 하나 이상의 변형물들, 또는 다른 메모리 디바이스, 또는 그러한 디바이스들의 조합과 같은 하나 이상의 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. 메모리 서브시스템(530)은, 특히, 시스템(500)에서의 명령어들의 실행을 위한 소프트웨어 플랫폼을 제공하기 위한 운영 체제(OS)(536)를 저장하고 호스팅한다. 부가적으로, 다른 명령어들(538)은, 시스템(500)의 프로세싱 및 로직을 제공하기 위해 메모리 서브시스템(530)으로부터 저장 및 실행된다. OS(536) 및 명령어들(538)은 프로세서(520)에 의해 실행된다. 메모리 서브시스템(530)은, 데이터, 명령어들, 프로그램들, 또는 다른 아이템들을 저장하는 메모리 디바이스(532)를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 메모리 서브시스템은, 커맨드들을 생성하여 메모리 디바이스(532)로 발행하기 위한 메모리 제어기인 메모리 제어기(534)를 포함한다. 메모리 제어기(534)는 프로세서(520)의 물리적 부분일 수 있음이 이해될 것이다.

프로세서(520) 및 메모리 서브시스템(530)은 버스/버스 시스템(510)에 결합된다. 버스(510)는, 적절한 브리지들, 어댑터들 및/또는 제어기들에 의해 접속된 임의의 하나 이상의 별개의 물리적 버스들, 통신 라인들/인터페이스들, 및/또는 점-대-점 접속들을 나타내는 추상적 개념이다. 따라서, 버스(510)는 예를 들어, 시스템 버스, PCI(Peripheral Component Interconnect) 버스, 하이퍼트랜스포트(HyperTransport) 또는 ISA(industry standard architecture) 버스, SCSI(small computer system interface) 버스, USB(universal serial bus), 또는 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 표준 1394 버스(일반적으로 "파이어와이어"로서 지칭됨) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 버스(510)의 버스들은 또한, 네트워크 인터페이스(550)에서의 인터페이스들에 대응할 수 있다.

시스템(500)은 또한, 버스(510)에 결합된 하나 이상의 입력/출력(I/O) 인터페이스(들)(540), 네트워크 인터페이스(550), 하나 이상의 내부 대용량 저장소 디바이스(들)(560), 및 주변기기 인터페이스(570)를 포함한다. I/O 인터페이스(540)는 하나 이상의 인터페이스 컴포넌트들을 포함할 수 있고, 이 하나 이상의 인터페이스 컴포넌트들을 통해, 사용자는 시스템(500)과 상호작용(예를 들어, 비디오, 오디오, 및/또는 영숫자 인터페이싱)한다. 네트워크 인터페이스(550)는, 하나 이상의 네트워크들을 통해 원격 디바이스들(예를 들어, 서버들, 다른 컴퓨팅 디바이스들)과 통신하는 능력을 시스템(500)에게 제공한다. 네트워크 인터페이스(550)는 이더넷 어댑터, 무선 상호접속 컴포넌트들, USB(universal serial bus), 또는 다른 유선 또는 무선의 표준 기반 또는 독점적 인터페이스들을 포함할 수 있다.

저장소(560)는 하나 이상의 자기, 고체 상태, 또는 광학 기반 디스크들, 또는 이들의 조합과 같이, 다량의 데이터를 비휘발성 방식으로 저장하기 위한 임의의 종래의 매체이거나 그 매체를 포함할 수 있다. 저장소(560)는 코드 또는 명령어들 및 데이터(562)를 지속되는 상태로 유지한다(즉, 시스템(500)으로의 전력의 차단에도 불구하고 값이 유지됨). 저장소(560)는 일반적으로 "메모리"로 간주될 수 있지만, 메모리(530)는 프로세서(520)에 명령어들을 제공하기 위한 실행 또는 동작 메모리이다. 저장소(560)가 비휘발성이지만, 메모리(530)는 휘발성 메모리를 포함할 수 있다(즉, 전력이 시스템(500)에 대해 차단되면, 데이터의 값 또는 상태가 미결정적이다(indeterminate)).

주변기기 인터페이스(570)는 위에서 구체적으로 언급되지 않은 임의의 하드웨어 인터페이스를 포함할 수 있다. 주변기기들은 일반적으로 시스템(500)에 의존적으로 접속하는 디바이스들을 지칭한다. 의존적인 접속은, 동작이 실행되고 그리고 사용자가 상호작용하는 소프트웨어 및/또는 하드웨어 플랫폼을 시스템(500)이 제공하는 것이다.

일 실시예에 있어서, 프로세서(520)는 메모리 서브시스템(530) 및/또는 저장소(560)(예를 들어, NAND 기술을 이용한 고체 상태 드라이브(SSD))에 저장된 데이터에 대한 동작들을 실행한다. 메모리 서브시스템(530) 및/또는 저장소(560)는, 프로그램 전압을 프로그램 워드라인에 인가하고 금지 전압을 금지 워드라인에 인가함으로써 프로그램되는 메모리 디바이스를 포함할 수 있다. 그러한 메모리 디바이스를 프로그램하기 위해, 시스템은 프로그램 동작 동안 금지 전압을 램프 업할 수 있다. 따라서, 시스템은 초기 금지 전압을 금지 워드라인(들)에 인가하고, 프로그램 동작 동안 금지 전압을 증가시킨다. 증가하는 금지 전압을 인가하는 것은 메모리 디바이스 내 총 셀 디스터브 성능을 개선시키고, ID와 PD 간의 트레이드오프를 대처함에 있어서 더 많은 유연성을 허용할 수 있다.

도 6은 부스트 전압 램핑이 구현될 수 있는 모바일 디바이스의 실시예의 블록도이다. 디바이스(600)는 컴퓨팅 태블릿, 고성능 서버, 모바일 전화 또는 스마트폰, 무선 가능 전자 리더(wireless-enabled e-reader), 웨어러블 컴퓨팅 디바이스(wearable computing device), 또는 다른 모바일 디바이스와 같은 모바일 컴퓨팅 디바이스를 나타낸다. 컴포넌트들 중 특정 컴포넌트가 일반적으로 도시되어 있고, 그러한 디바이스의 모든 컴포넌트들이 디바이스(600)에 도시되어 있지는 않다는 것이 이해될 것이다.

디바이스(600)는, 디바이스(600)의 주요 프로세싱 동작들을 수행하는 프로세서(610)를 포함한다. 프로세서(610)는 마이크로프로세서들, 애플리케이션 프로세서들, 마이크로 제어기들, 프로그램가능 로직 디바이스들, 또는 다른 프로세싱 수단들과 같은 하나 이상의 물리 디바이스들을 포함할 수 있다. 프로세서(610)에 의해 수행된 프로세싱 동작들은, 애플리케이션 및/또는 디바이스 기능들이 실행되는 운영 플랫폼(operating platform) 또는 운영 체제(operating system)의 실행을 포함한다. 프로세싱 동작들은 인간 사용자와의 또는 다른 디바이스들과의 I/O(입력/출력)에 관련된 동작들, 전력 관리에 관련된 동작들, 및/또는 디바이스(600)를 다른 디바이스에 접속하는 것에 관련된 동작들을 포함한다. 프로세싱 동작들은 또한, 오디오 I/O 및/또는 디스플레이 I/O에 관련된 동작들을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 디바이스(600)는, 컴퓨팅 디바이스에 오디오 기능들을 제공하는 것과 연관된 하드웨어(예를 들어, 오디오 하드웨어 및 오디오 회로들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들, 코덱들) 컴포넌트들을 나타내는 오디오 서브시스템(620)을 포함한다. 오디오 기능들은 스피커 및/또는 헤드폰 출력뿐 아니라 마이크로폰 입력을 포함할 수 있다. 그러한 기능들을 위한 디바이스들은 디바이스(600)에 통합되거나 또는 디바이스(600)에 접속될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 사용자는, 프로세서(610)에 의해 수신 및 프로세싱되는 오디오 커맨드들을 제공함으로써 디바이스(600)와 상호작용한다.

디스플레이 서브시스템(630)은, 사용자가 컴퓨팅 디바이스와 상호작용하기 위한 시각 및/또는 촉각 디스플레이를 제공하는 하드웨어(예를 들어, 디스플레이 디바이스들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들) 컴포넌트들을 나타낸다. 디스플레이 서브시스템(630)은, 사용자에게 디스플레이를 제공하기 위해 이용되는 특정 스크린 또는 하드웨어 디바이스를 포함하는 디스플레이 인터페이스(632)를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 디스플레이 인터페이스(632)는 디스플레이에 관련된 적어도 일부의 프로세싱을 수행하기 위해 프로세서(610)로부터 분리된 로직을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 디스플레이 서브시스템(630)은, 출력 및 입력 모두를 사용자에게 제공하는 터치스크린 디바이스를 포함한다.

I/O 제어기(640)는 사용자와의 상호작용에 관련된 하드웨어 디바이스들 및 소프트웨어 컴포넌트들을 나타낸다. I/O 제어기(640)는 오디오 서브시스템(620) 및/또는 디스플레이 서브시스템(630)의 부분인 하드웨어를 관리하도록 동작할 수 있다. 부가적으로, I/O 제어기(640)는 디바이스(600)에 접속되는 부가의 디바이스들을 위한 접속 포인트를 나타내며, 이를 통해, 사용자가 시스템과 상호작용할 수도 있다. 예를 들어, 디바이스(600)에 부착될 수 있는 디바이스들은 마이크로폰 디바이스들, 스피커 또는 스테레오 시스템들, 비디오 시스템들 또는 다른 디스플레이 디바이스, 키보드 또는 키패드 디바이스들, 또는 카드 리더들이나 다른 디바이스들과 같은 특정 애플리케이션들과 함께 사용하기 위한 다른 I/O 디바이스들을 포함할 수 있다.

전술한 바와 같이, I/O 제어기(640)는 오디오 서브시스템(620) 및/또는 디스플레이 서브시스템(630)과 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰 또는 다른 오디오 디바이스를 통한 입력은 디바이스(600)의 하나 이상의 애플리케이션들 또는 기능들을 위한 입력 또는 커맨드들을 제공할 수 있다. 부가적으로, 오디오 출력은 디스플레이 출력 대신, 또는 그에 부가하여 제공될 수 있다. 다른 예에 있어서, 디스플레이 서브시스템이 터치스크린을 포함하면, 디스플레이 디바이스는 또한, I/O 제어기(640)에 의해 적어도 부분적으로 관리될 수 있는 입력 디바이스로서 기능한다. 또한, I/O 제어기(640)에 의해 관리되는 I/O 기능들을 제공하기 위해, 디바이스(600)에 대한 부가적인 버튼들 또는 스위치들이 존재할 수 있다.

일 실시예에 있어서, I/O 제어기(640)는 가속도계들, 카메라들, 광 센서들 또는 다른 환경 센서들, 자이로스코프들, 글로벌 포지셔닝 시스템(GPS), 또는 디바이스(600)에 포함될 수 있는 다른 하드웨어와 같은 디바이스들을 관리한다. 입력은 집적 사용자 상호작용의 부분일 수 있을 뿐 아니라, (노이즈에 대해 필터링하는 것, 휘도 검출을 위해 디스플레이들을 조정하는 것, 카메라에 대해 플래시를 적용하는 것, 또는 다른 특징들과 같은) 시스템의 동작들에 영향을 주도록 시스템에 환경 입력을 제공하는 것일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 디바이스(600)는 배터리 전력 사용, 배터리의 충전, 및 전력 절감 동작에 관련된 특징들을 관리하는 전력 관리부(650)를 포함한다.

메모리 서브시스템(660)은, 정보를 디바이스(600)에 저장하기 위한 메모리 디바이스(들)(662)를 포함한다. 메모리 서브시스템(660)은 비휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 차단되면, 상태가 변화하지 않음) 및/또는 휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 차단되면, 상태가 미결정적임) 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. 메모리(660)는 애플리케이션 데이터, 사용자 데이터, 음악, 사진들, 문서들 또는 다른 데이터뿐 아니라, 시스템(600)의 애플리케이션들 및 기능들의 실행에 관련된 시스템 데이터(장기든지 또는 임시든지)를 저장할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 메모리 서브시스템(660)은 (시스템(600)의 제어부의 부분으로 또한 고려될 수 있고 프로세서(610)의 부분으로 잠재적으로 고려될 수 있는)메모리 제어기(664)를 포함한다. 메모리 제어기(664)는, 커맨드들을 생성하여 메모리 디바이스(662)로 발행하기 위한 스케줄러를 포함한다.

접속성(670)은 디바이스(600)로 하여금 외부 디바이스들과 통신할 수 있게 하기 위한 하드웨어 디바이스들(예를 들어, 무선 및/또는 유선 커넥터들 및 통신 하드웨어) 및 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)을 포함한다. 외부 디바이스는 다른 컴퓨팅 디바이스들, 무선 액세스 포인트들 또는 기지국들뿐 아니라, 헤드셋들, 프린터들 또는 다른 디바이스들과 같은 주변기기들과 같은 별개의 디바이스들일 수 있다.

접속성(670)은 다수의 상이한 유형들의 접속성을 포함할 수 있다. 일반화하기 위해, 디바이스(600)는 셀룰러 접속성(672) 및 무선 접속성(674)으로 도시된다. 셀룰러 접속성(672)은 일반적으로, GSM(global system for mobile communication) 또는 변형물들 또는 파생물들, CDMA(code division multiple access) 또는 변형물들 또는 파생물들, TDM(time division multiple access) 또는 변형물들 또는 파생물들, LTE(long term evolution - "4G"로서도 또한 지칭됨), 또는 다른 셀룰러 서비스 표준을 통해 제공되는 것과 같이, 무선 캐리어들에 의해 제공되는 셀룰러 네트워크 접속성을 지칭한다. 무선 접속성(674)은 셀룰러가 아닌 무선 접속성을 지칭하며, (블루투스와 같은) 개인 영역 네트워크들, (WiFi와 같은) 로컬 영역 네트워크들, 및/또는 (WiMax와 같은) 광역 네트워크들, 또는 다른 무선 통신을 포함할 수 있다. 무선 통신은 비-고체 매체(non-solid medium)를 통한 변조된 전자기 방사의 이용을 통한 데이터의 전달을 지칭한다. 유선 통신은 고체 통신 매체를 통해 발생한다.

주변기기 접속들(680)은 주변기기 접속을 행하기 위한 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)뿐 아니라, 하드웨어 인터페이스들 및 커넥터들을 포함한다. 디바이스(600)는 다른 컴퓨팅 디바이스들로의 주변기기 디바이스(682 "로의")일 수 있을 뿐 아니라, 주변기기 디바이스들(684 "로부터")이 그 디바이스에 접속되게 할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 디바이스(600)는 일반적으로, 디바이스(600) 상의 컨텐츠를 관리하는 것(예를 들어, 다운로드하는 것 및/또는 업로드하는 것, 변경하는 것, 동기화하는 것)과 같은 목적을 위해 다른 컴퓨팅 디바이스들에 접속하기 위한 "도킹" 커넥터를 갖는다. 부가적으로, 도킹 커넥터는 디바이스(600)로 하여금 예를 들어 시청각 또는 다른 시스템으로의 컨텐츠 출력을 제어하게 하는 특정 주변기기들에 디바이스(600)가 접속하게 할 수 있다.

독점적 도킹 커넥터 또는 다른 독점적 접속 하드웨어에 부가하여, 디바이스(600)는 공통 또는 표준 기반 커넥터들을 통해 주변기기 접속들(680)을 형성할 수 있다. 공통 타입들은 (다수의 상이한 하드웨어 인터페이스들 중 임의의 인터페이스를 포함할 수 있는) USB(Universal Serial Bus) 커넥터, MDP(MiniDisplayPort)를 포함하는 디스플레이포트(DisplayPort), HDMI(High Definition Multimedia Interface), 파이어와이어(Firewire) 또는 다른 유형을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 프로세서(610)는, SSD 또는 다른 NAND 디바이스를 포함할 수 있는 메모리 서브시스템(660)에 저장된 데이터에 대한 동작들을 실행한다. 메모리 서브시스템(660)은, 프로그램 전압을 프로그램 워드라인에 인가하고 금지 전압을 금지 워드라인에 인가함으로써 프로그램되는 메모리 디바이스를 포함할 수 있다. 그러한 메모리 디바이스를 프로그램하기 위해, 시스템은 프로그램 동작 동안 금지 전압을 램프 업할 수 있다. 따라서, 시스템은 초기 금지 전압을 금지 워드라인(들)에 인가하고, 프로그램 동작 동안 금지 전압을 증가시킨다. 증가하는 금지 전압을 인가하는 것은 메모리 디바이스 내 총 셀 디스터브 성능을 개선시키고, ID와 PD 간의 트레이드오프를 대처함에 있어서 더 많은 유연성을 허용할 수 있다.

일 양태에 있어서, 방법은 메모리 디바이스의 프로그램 워드라인에서의 메모리 셀에 대한 프로그램 동작을 개시하는 단계 - 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖고, 이 연관된 프로그램 동작 윈도우 동안 프로그램 동작이 실행됨 - ; 프로그램 동작의 시작에 대한 프로그램 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하는 단계; 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 단계를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우는 프로그램 인에이블 펄스 폭을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 초기 금지 전압을 생성하는 단계 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑하는 단계는 금지 전압을 초기 값으로부터 최종 값까지 램핑하는 단계를 포함하고, 초기 값 및 최종 값 양자는 고정된 레벨에서 금지 전압을 개시하는 것으로부터 야기되는 평균 부스팅된 채널 전위보다 더 높은 평균 부스팅된 채널 전위를 발생하도록 선택되고 이는 동일한 금지 디스터브를 야기한다. 일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 단계는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 계속 램핑 업하는 단계를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압을 램핑 업하는 단계는 금지 전압을 삼각 기울기로 램핑 업하는 단계를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압은, 프로그램 워드라인에 인접한 다수의 워드라인들에 인가되는 금지 전압을 포함한다.

일 양태에 있어서, 메모리 서브시스템은 메모리 디바이스의 워드라인에서의 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스 - 메모리 셀은 프로그램 동작을 통해 프로그램가능하고, 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖는 프로그램 동작 신호에 의해 트리거링됨 - ; 프로그램 동작 신호를 설정하는 것을 포함하는, 메모리 셀을 프로그램하기 위한 프로그램 동작을 개시하는 프로그램 제어 로직; 및 프로그램 동작에 대한 메모리 셀의 워드라인에 인접한 하나 이상의 인접 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하고 그리고 프로그램 동작 신호 동안 초기 금지 전압을 램프 업하는 전압 소스를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 신호는 프로그램 인에이블 펄스를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 초기 금지 전압을 생성하고, 금지 전압을 초기 값으로부터 최종 값까지 램핑하는 것을 포함하여 금지 전압을 램프 업하기 위한 것이고, 초기 값 및 최종 값 양자는 동일한 금지 디스터브를 발생하는 고정된 레벨에서 금지 전압을 개시하는 것으로부터 야기되는 평균 부스팅된 채널 전위보다 현저히 더 높은 평균 부스팅된 채널 전위를 발생하도록 선택된다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 계속 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 금지 전압을 삼각 기울기로 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 주기적으로 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함한다.

일 양태에 있어서, 전자 디바이스는 데이터를 저장하는 메모리 서브시스템 - 메모리 서브시스템은 메모리 디바이스의 워드라인에서의 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스 - 메모리 셀은 프로그램 동작을 통해 프로그램가능하고, 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖는 프로그램 동작 신호에 의해 트리거링됨 - , 프로그램 동작 신호를 설정하는 것을 포함하는 프로그램 동작을 메모리 셀을 프로그래밍하기 위해 개시하는 프로그램 제어 로직, 및 프로그램 동작에 대한 메모리 셀의 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하고 그리고 프로그램 동작 신호 동안 금지 전압을 램프 업하는 전압 소스를 포함함 - ; 및 메모리 디바이스로부터 액세스된 데이터에 기초하여 디스플레이를 생성하도록 결합된 터치스크린 디스플레이를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 신호는 프로그램 인에이블 펄스를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 초기 금지 전압을 생성하고, 프로그램 전압을 초기 값으로부터 최종 값까지 램핑하는 것을 포함하여 금지 전압을 램프 업하기 위한 것이고, 초기 값 및 최종 값 양자는 동일한 금지 디스터브를 발생하는 고정된 레벨에서 금지 전압을 개시하는 것으로부터 야기되는 평균 부스팅된 채널 전위보다 현저히 더 높은 평균 부스팅된 채널 전위를 발생하도록 선택된다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 계속 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 주기적으로 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 전압 소스는 금지 전압을 삼각 기울기로 램프 업하기 위한 것이다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함한다.

일 양태에 있어서, 제조 물품은 컨텐츠가 저장된 컴퓨터 판독가능 저장 매체를 포함하고, 컨텐츠는, 실행될 경우, 메모리 디바이스의 프로그램 워드라인에서의 메모리 셀에 대한 프로그램 동작을 개시하는 것 - 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖고, 이 연관된 프로그램 동작 윈도우 동안 프로그램 동작이 실행됨 - ; 프로그램 동작의 시작에 대한 프로그램 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하는 것; 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 것을 포함하는 동작들을 수행한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우는 프로그램 인에이블 펄스의 폭을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 초기 금지 전압을 생성하는 컨텐츠 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑하는 컨텐츠는 금지 전압을 초기 값으로부터 최종 값까지 램핑하는 컨텐츠를 포함하고, 초기 값 및 최종 값 양자는 고정된 레벨에서 금지 전압을 개시하는 것으로부터 야기되는 평균 부스팅된 채널 전위보다 더 높은 평균 부스팅된 채널 전위를 발생하도록 선택되고 이는 동일한 금지 디스터브를 야기한다. 일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 컨텐츠는 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 계속 램핑 업하는 컨텐츠를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압을 램핑 업하는 컨텐츠는 금지 전압을 삼각 기울기로 램핑 업하는 컨텐츠를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압은, 프로그램 워드라인에 인접한 다수의 워드라인들에 인가되는 금지 전압을 포함한다.

일 양태에 있어서, 장치는 회로 구성요소들의 제1 데크를 생성하는 수단 - 제1 데크는 소스 컨덕터 위에 적층된 회로 구성요소들의 다수의 계층들을 가짐 - ; 메모리 디바이스의 프로그램 워드라인에서의 메모리 셀에 대한 프로그램 동작을 개시하는 수단 - 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖고, 이 연관된 프로그램 동작 윈도우 동안 프로그램 동작이 실행됨 - ; 프로그램 동작의 시작에 대한 프로그램 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하는 수단; 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 수단을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우는 프로그램 인에이블 펄스의 폭을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 초기 금지 전압을 생성하는 수단 및 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑하는 수단은 금지 전압을 초기 값으로부터 최종 값까지 램핑하는 수단을 포함하고, 초기 값 및 최종 값 양자는 고정된 레벨에서 금지 전압을 개시하는 것으로부터 야기되는 평균 부스팅된 채널 전위보다 더 높은 평균 부스팅된 채널 전위를 발생하도록 선택되고 이는 동일한 금지 디스터브를 야기한다. 일 실시예에 있어서, 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 램핑 업하는 수단은 프로그램 동작 윈도우 동안 금지 전압을 계속 램핑 업하는 수단을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압을 램핑 업하는 수단은 금지 전압을 삼각 기울기로 램핑 업하는 수단을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 금지 전압은, 프로그램 워드라인에 인접한 다수의 워드라인들에 인가되는 금지 전압을 포함한다.

본 명세서에 도시된 바와 같은 흐름도들은 다양한 프로세스 액션들의 시퀀스들의 예들을 제공한다. 흐름도들은 소프트웨어 또는 펌웨어 루틴에 의해 실행될 동작들뿐 아니라 물리 동작들을 나타낼 수 있다. 일 실시예에 있어서, 흐름도는, 하드웨어 및/또는 소프트웨어로 구현될 수 있는 유한 상태 머신(FSM)의 상태를 예시할 수 있다. 특정 시퀀스 또는 순서로 도시되어 있지만, 달리 명시되지 않는다면, 액션들의 순서는 변경될 수 있다. 따라서, 예시된 실시예들은 오직 예로서만 이해되어야 하며, 프로세스는 다른 순서로 수행될 수 있으며, 일부 액션들은 병렬로 수행될 수 있다. 부가적으로, 하나 이상의 액션들이 다양한 실시예들에서 생략될 수 있으며; 따라서 모든 액션이 모든 실시예에서 요구되는 것은 아니다. 다른 프로세스 흐름들이 가능하다.

다양한 동작들 또는 기능들이 본 명세서에서 설명되는 한, 그들은 소프트웨어 코드, 명령어들, 구성 및/또는 데이터로서 기술되거나 정의될 수 있다. 컨텐츠는 직접적으로 실행가능물(executable)("오브젝트" 또는 "실행가능" 형태), 소스 코드, 또는 차분 코드(difference code)("델타(delta)" 또는 "패치(patch)" 코드)일 수 있다. 본 명세서에서 설명된 실시예들의 소프트웨어 컨텐츠는 컨텐츠가 저장된 제조 물품을 통해, 또는 통신 인터페이스를 통해 데이터를 송신하기 위해 통신 인터페이스를 동작시키는 방법을 통해 제공될 수 있다. 머신 판독가능한 저장 매체는 머신으로 하여금 설명된 기능들 또는 동작들을 수행하게 할 수 있으며, 기록가능/비-기록가능 매체들(예를 들어, 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 자기 디스크 저장 매체들, 광학 저장 매체들, 플래시 메모리 디바이스들 등)과 같이, 머신(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스, 전자 시스템 등)에 의한 액세스가능한 형태로 정보를 저장하는 임의의 메커니즘을 포함한다. 통신 인터페이스는 메모리 버스 인터페이스, 프로세서 버스 인터페이스, 인터넷 접속, 디스크 제어기 등과 같이, 다른 디바이스로 통신하기 위해 하드와이어드(hardwired), 무선, 광학 등의 매체 중의 임의의 매체에 인터페이스하는 임의의 메커니즘을 포함한다. 통신 인터페이스는 소프트웨어 컨텐츠를 기술하는 데이터 신호를 제공하도록 통신 인터페이스를 준비하기 위해 구성 파라미터들을 제공하고/거나 신호들을 전송함으로써 구성될 수 있다. 통신 인터페이스는 통신 인터페이스로 전송된 하나 이상의 커맨드들 또는 신호들을 통해 액세스될 수 있다.

본 명세서에서 설명된 다양한 컴포넌트들은 설명된 동작들 또는 기능들을 수행하기 위한 수단일 수 있다. 본 명세서에서 설명된 각각의 컴포넌트는 소프트웨어, 하드웨어, 또는 이들의 조합을 포함한다. 컴포넌트들은 소프트웨어 모듈들, 하드웨어 모듈들, 특수 목적의 하드웨어(예를 들어, 애플리케이션 특정 하드웨어, ASIC들(application specific integrated circuits), 디지털 신호 프로세서들(DSP들) 등), 임베딩된 제어기들, 하드와이어드 회로 등으로서 구현될 수 있다.

본 명세서에서 설명된 것 이외에, 본 발명의 개시된 실시예들 및 구현들에 대하여 그들의 범위로부터 일탈하지 않고도 다양한 변형들이 행해질 수 있다. 따라서, 본 명세서에서의 예시들 및 예들은 한정적인 의미가 아니라 예시의 의미로 해석되어야 한다. 본 발명의 범위는 오로지, 후속하는 특허청구범위에 대한 참조에 의해서만 판단되어야 한다.

Claims (20)

1. 메모리 디바이스의 프로그램 워드라인에서의 메모리 셀에 대한 프로그램 동작을 개시하는 단계 - 상기 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖고, 상기 연관된 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 프로그램 동작이 실행됨 - ;
   상기 프로그램 동작의 시작에 대한 상기 프로그램 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압(initial inhibit voltage)을 생성하는 단계; 및
   상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 종료 금지 전압까지 램핑 업(ramping up)하는 단계 - 상기 금지 전압을 램핑하는 것은 특정 금지 디스터브(inhibit disturb)를 야기하고, 상기 특정 금지 디스터브를 야기하는 고정된 금지 전압에 대해, 상기 초기 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 낮고, 상기 종료 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 높음 -
   를 포함하는 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 프로그램 동작 윈도우는 프로그램 인에이블 펄스의 폭을 포함하는 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 금지 전압을 램핑하는 것은 상기 프로그램 동작 윈도우 이전에 상기 금지 전압의 램핑을 시작하는 것을 포함하는, 방법.
4. 제1항에 있어서,
   상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 램핑 업하는 단계는 상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 계속 램핑 업하는 단계를 포함하는 방법.
5. 제4항에 있어서,
   상기 금지 전압을 램핑 업하는 단계는 상기 금지 전압을 삼각 기울기(triangular slope)로 램핑 업하는 단계를 포함하는 방법.
6. 제1항에 있어서,
   상기 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함하는 방법.
7. 제1항에 있어서,
   상기 금지 전압은, 상기 프로그램 워드라인에 인접한 다수의 워드라인들에 인가되는 금지 전압을 포함하는 방법.
8. 메모리 서브시스템으로서,
   메모리 디바이스의 워드라인에서의 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스 - 상기 메모리 셀은 프로그램 동작을 통해 프로그램가능하고, 상기 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖는 프로그램 동작 신호에 의해 트리거링됨 - ;
   상기 프로그램 동작 신호를 설정하는 것을 포함하는, 상기 메모리 셀을 프로그램하기 위한 프로그램 동작을 개시하는 프로그램 제어 로직; 및
   상기 프로그램 동작에 대한 상기 메모리 셀의 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하고 상기 프로그램 동작 신호 동안 상기 초기 금지 전압을 종료 금지 전압까지 램프 업하는 전압 소스 - 상기 금지 전압을 램프하는 것은 특정 금지 디스터브를 야기하고, 상기 특정 금지 디스터브에 대응하는 고정된 금지 전압에 대해, 상기 초기 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 낮고, 상기 종료 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 높음 -
   를 포함하는 메모리 서브시스템.
9. 제8항에 있어서,
   상기 프로그램 동작 신호는 프로그램 인에이블 펄스를 포함하는 메모리 서브시스템.
10. 제8항에 있어서,
    상기 전압 소스는, 상기 프로그램 동작 윈도우 이전에 상기 금지 전압을 램프하기 시작하는, 메모리 서브시스템.
11. 제8항에 있어서,
    상기 전압 소스는 상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 계속 램프 업하기 위한 것인 메모리 서브시스템.
12. 제11항에 있어서,
    상기 전압 소스는 상기 금지 전압을 삼각 기울기로 램프 업하기 위한 것인 메모리 서브시스템.
13. 제8항에 있어서,
    상기 전압 소스는 상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 주기적으로 램프 업하기 위한 것인 메모리 서브시스템.
14. 제8항에 있어서,
    상기 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함하는 메모리 서브시스템.
15. 전자 디바이스로서,
    데이터를 저장하는 메모리 서브시스템 - 상기 메모리 서브시스템은,
    메모리 디바이스의 워드라인에서의 메모리 셀을 포함하는 메모리 디바이스 - 상기 메모리 셀은 프로그램 동작을 통해 프로그램가능하고, 상기 프로그램 동작은 연관된 프로그램 동작 윈도우를 갖는 프로그램 동작 신호에 의해 트리거링됨 - ;
    상기 프로그램 동작 신호를 설정하는 것을 포함하는, 상기 메모리 셀을 프로그램하기 위한 프로그램 동작을 개시하는 프로그램 제어 로직; 및
    상기 프로그램 동작에 대한 상기 메모리 셀의 워드라인에 인접한 하나 이상의 워드라인들에 대한 초기 금지 전압을 생성하고 상기 프로그램 동작 신호 동안 상기 금지 전압을 종료 금지 전압까지 램프 업하는 전압 소스 - 상기 금지 전압을 램프하는 것은 특정 금지 디스터브를 야기하고, 상기 특정 금지 디스터브에 대응하는 고정된 금지 전압에 대해, 상기 초기 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 낮고, 상기 종료 금지 전압은 상기 고정된 금지 전압보다 높음 -
    를 포함함 - ; 및
    상기 메모리 디바이스로부터 액세스된 데이터에 기초하여 디스플레이를 생성하도록 결합된 터치스크린 디스플레이
    를 포함하는 전자 디바이스.
16. 제15항에 있어서,
    상기 프로그램 동작 신호는 프로그램 인에이블 펄스를 포함하는 전자 디바이스.
17. 제15항에 있어서,
    상기 전압 소스는, 상기 프로그램 동작 윈도우 이전에 상기 금지 전압을 램프하기 시작하는, 전자 디바이스.
18. 제15항에 있어서,
    상기 전압 소스는 상기 프로그램 동작 윈도우 동안 상기 금지 전압을 계속 램프 업하기 위한 것인 전자 디바이스.
19. 제18항에 있어서,
    상기 전압 소스는 상기 금지 전압을 삼각 기울기로 램프 업하기 위한 것인 전자 디바이스.
20. 제15항에 있어서,
    상기 메모리 디바이스는 NAND 플래시 메모리 디바이스를 포함하는 전자 디바이스.

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