KR101713813B1 - Method for forming film and apparatus for forming the same - Google Patents

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Abstract

막을 두껍게 해도, 측면의 경사가 완만해지기 어려운 막 형성방법을 제공한다.
기판의 표면의, 막재료를 도포해야 하는 피도포영역의 가장자리를 따라, 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시켜 외연부를 먼저 형성하며, 그 후, 외연부보다 내측에, 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시키는 것에 의하여, 심층부를 형성함으로써, 외연부 및 심층부로 이루어지며, 상면이 패여 있는 단위층을 형성한다. 단위층 위에, 더욱, 각각이 외연부와 심층부로 이루어지는 다른 단위층을, 최상층의 단위층의 상면이 패인 형상을 유지하면서, 적층한다.
Provided is a film forming method which makes it difficult for the inclination of the side to be gentle even if the film is made thick.
The film material is applied by dropletization along the edge of the area to be coated to which the film material is to be applied on the surface of the substrate and is cured to form the outer edge portion first and then the film material is dripped And forming a deep layer portion by curing, thereby forming a unit layer formed of an outer edge portion and a deep layer portion and having an upper surface deflected. Another unit layer, each of which is composed of an outer edge part and a deep layer part, is laminated on the unit layer while maintaining the shape of the top surface of the uppermost unit layer being depressed.

Description

막 형성방법 및 막 형성장치{Method for forming film and apparatus for forming the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus,

본 출원은, 2014년 3월 11일에 출원된 일본 특허출원 제2014-047088호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-047088 filed on March 11, 2014. The entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은, 기판에 액적화된 막재료를 도포하여 경화시킴으로써, 막을 형성하는 방법 및 막 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus by applying a film material that has been liquidized on a substrate and curing the film material.

노즐헤드(잉크젯헤드)로부터 액상의 박막재료를 토출하여, 기판의 표면에 박막을 형성하는 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 박막재료에는, 광경화성 수지(예를 들면, 자외선 경화성 수지)가 이용된다. 기판에 부착한 박막재료에 경화용 빛을 조사함으로써, 박막재료를 경화시켜 박막을 형성한다.There is known a technique of ejecting a liquid thin film material from a nozzle head (inkjet head) to form a thin film on the surface of the substrate (for example, Patent Document 1). As the thin film material, a photo-curable resin (for example, an ultraviolet ray curable resin) is used. A thin film is formed by curing the thin film material by irradiating the thin film material adhered to the substrate with curing light.

특허문헌 2에 개시된 방법에서는, 우선 박막을 형성해야 하는 영역의 가장자리에 액적화된 박막재료를 착탄시킴으로써 엣지패턴을 형성한다. 엣지패턴을 형성한 후, 박막을 형성해야 하는 영역의 내측에 박막재료를 착탄시킴으로써, 박막을 형성해야 하는 영역을 액상의 박막재료로 덮는다. 그 후, 액상의 박막재료에 경화용 빛을 조사함으로써, 박막재료를 경화시킨다.In the method disclosed in Patent Document 2, first, an edge pattern is formed by depositing a dropletized thin film material on the edge of a region where a thin film is to be formed. After forming an edge pattern, a thin film material is deposited on the inner side of a region where a thin film is to be formed, thereby covering a region where a thin film is to be formed with a liquid thin film material. Thereafter, the thin film material is cured by irradiating the liquid thin film material with curing light.

엣지패턴이, 액상의 박막재료의 유동을 방지한다. 박막을 형성해야 하는 영역의 내측에 있어서는, 기판표면에 착탄한 박막재료가 가로방향으로 연속하여, 표면이 평탄한 액상의 피막이 형성된다. 표면이 평탄하게 된 후, 박막재료가 경화되기 때문에, 표면이 평탄한 박막을 형성할 수 있다.The edge pattern prevents the flow of the liquid thin film material. In the inside of the region where the thin film should be formed, the thin film material adhering to the substrate surface is continuous in the transverse direction and a liquid film having a flat surface is formed. Since the thin film material is cured after the surface becomes flat, a thin film having a flat surface can be formed.

선행기술문헌Prior art literature

(특허문헌)(Patent Literature)

특허문헌 1: 일본특허공보 제3544543호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 3544543

특허문헌 2: 국제공개공보 제2013/011775호Patent Document 2: International Publication No. 2013/011775

대전류용의 두꺼운 구리기판의 구리막의 두께는, 50㎛~2㎜ 정도이다. 두꺼운 구리기판의 구리막을 형성하기 위하여, 절연막도 동일한 정도까지 두껍게 해야 한다. 종래의 노즐헤드를 이용한 박막 형성방법으로, 이와 같이 두꺼운 막을 형성하면, 막의 측면이 경사져, 그 경사면이 완만하게 되어 버린다. 본 발명의 목적은, 막을 두껍게 해도, 측면의 경사가 완만하게 되기 어려운 막 형성방법, 및 막 형성장치를 제공하는 것이다.The thickness of the copper film of the thick copper substrate for high current is about 50 mu m to 2 mm. In order to form a copper film of a thick copper substrate, the insulating film must also be thickened to the same degree. In the thin film forming method using the conventional nozzle head, when such a thick film is formed, the side surface of the film is inclined, and the inclined surface becomes gentle. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a film forming method and a film forming apparatus in which the inclination of the side surface is difficult to be gentle even if the film is made thick.

본 발명의 일 관점에 의하면,According to one aspect of the present invention,

기판의 표면의, 막재료를 도포해야 하는 피도포영역의 가장자리를 따라, 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시켜 외연부를 먼저 형성하며, 그 후, 상기 외연부보다 내측에, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시키는 것에 의하여, 심층부(內奧部)를 형성함으로써, 상기 외연부 및 상기 심층부로 이루어져, 상면이 패여 있는 단위층을 형성하는 공정과,The film material is applied on the surface of the substrate along the edge of the area to be coated to which the film material is to be applied and is then applied and cured to form the outer edge portion first and then the inner side of the outer edge portion, Forming a unit layer formed by the outer edge portion and the deep layer portion and having an upper surface deflected by forming a deep portion by applying a liquid droplet,

상기 단위층 위에, 또한, 각각이 상기 외연부와 상기 심층부로 이루어지는 다른 단위층을, 최상층의 단위층의 상면이 패인 형상을 유지하면서, 적층하는 공정을 가지는 막 형성방법이 제공된다.There is provided a film forming method comprising a step of stacking, on the unit layer, another unit layer comprising the outer edge portion and the deep layer portion, while keeping the top surface of the uppermost unit layer in a depressed form.

본 발명의 다른 관점에 의하면,According to another aspect of the present invention,

기판을 지지하는 스테이지와,A stage for supporting the substrate,

상기 스테이지에 지지된 상기 기판에 대향하여, 상기 기판의 표면에, 광경화성의 막재료를 액적화하여 토출하는 복수의 노즐구멍을 가지는 노즐헤드와,A nozzle head having a plurality of nozzle holes for ejecting a photo-curable film material by droplet ejection, the nozzle head being opposed to the substrate supported on the stage,

상기 기판에 도포된 상기 막재료에 경화용 빛을 조사하는 광원과,A light source for irradiating the film material coated on the substrate with curing light;

상기 노즐헤드 및 상기 광원에 대하여 상기 기판을 상대적으로 이동시키는 이동기구와,A moving mechanism for relatively moving the substrate relative to the nozzle head and the light source,

상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하는 제어장치를 가지고,And a control device for controlling the nozzle head and the moving mechanism,

상기 제어장치는, 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하여,Wherein the control device controls the nozzle head and the moving mechanism,

상기 기판의 표면의 피도포영역의 가장자리를 따라, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시켜 외연부를 먼저 형성하며, 그 후, 상기 외연부보다 내측에, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고, 경화시키는 것에 의하여, 심층부를 형성함으로써, 상기 외연부 및 상기 심층부로 이루어져, 상면이 패여 있는 단위층을 형성하고,The film material is applied by dropletization along the edge of the substrate to be coated on the surface of the substrate and is cured to form the outer edge portion first and then the film material is applied on the inner side of the outer edge portion by dropletization And forming a deep layer portion by curing the outer layer portion and the deep layer portion to form a unit layer in which the upper surface is punched,

상기 단위층 위에, 또한, 각각이 상기 외연부와 상기 심층부로 이루어지는 다른 단위층을, 최상층의 단위층의 상면이 패인 형상을 유지하면서, 적층하는 막 형성장치가 제공된다.There is provided a film forming apparatus for forming a laminated structure on an upper surface of a unit layer of an uppermost layer while maintaining another unit layer composed of the outer edge portion and the deep layer portion on top of the unit layer.

외연부를 형성한 후에 심층부를 형성함으로써, 심층부를 형성할 때에 도포되는 막재료가 외연부의 외측에 유출되지 않는다. 단위층의 상면이 패여 있기 때문에, 단위층 위에 외연부를 형성하는 경우에, 막재료의 외측으로의 유출량을 적게 할 수 있다. 이로써, 막을 두껍게 해도, 막의 측면이 완만하게 되는 것을 억제할 수 있다.By forming the deep layer portion after forming the outer edge portion, the film material applied at the time of forming the deep layer portion does not flow out to the outer side of the outer edge portion. Since the upper surface of the unit layer is recessed, when the outer edge portion is formed on the unit layer, the outflow amount of the film material to the outside can be reduced. Thus, even if the film is made thick, it is possible to suppress the gentle side of the film.

도 1은 실시예에 의한 막 형성장치의 개략도이다.
도 2에 있어서, 도 2의 (a)는, 실시예에 의한 막 형성장치의 노즐헤드를 포함하는 노즐유닛의 사시도이며, 도 2의 (b)는, 노즐유닛의 저면도이다.
도 3은 실시예에 의한 막 형성장치의 스테이지 및 노즐유닛의 평면도이다.
도 4에 있어서, 도 4의 (a)는, 막을 형성할 때에 막재료를 도포해야 하는 영역(피도포영역)의 평면형상의 일부분을 나타내는 평면도이며, 도 4의 (b)는, 피도포영역의 형상을 정의하는 화상 데이터의 일부분을 나타내는 도이다.
도 5에 있어서, 도 5의 (a)는, 외연부를 형성할 때에 막재료를 도포하는 대상이 되는 화소를 나타내는 도이며, 도 5의 (b)~도 5의 (d)는, 외연부를 형성하는 공정의 도중 단계, 및 형성 후의 기판 및 외연부의 단면도이다.
도 6에 있어서, 도 6의 (a)는, 심층부를 형성할 때에 막재료를 도포하는 대상이 되는 화소를 나타내는 도이며, 도 6의 (b)~도 6의 (c)는, 심층부를 형성하는 공정의 도중 단계, 및 형성 후의 기판, 외연부, 및 심층부의 단면도이다.
도 7에 있어서, 도 7의 (a)~도 7의 (d)는, 막을 형성하는 공정의 도중 단계, 및 형성 후의 기판 및 막의 단면도이다.
도 8에 있어서, 도 8의 (a)~도 8의 (f)는, 실시예에 의한 막 형성방법의 효과를 설명하기 위한, 막형성의 도중 단계에 있어서의 기판 및 막의 단면도이다.
도 9에 있어서, 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 두꺼운 구리기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한, 제조 도중 단계에 있어서의 두꺼운 구리기판의 단면도이다.
1 is a schematic view of a film forming apparatus according to an embodiment.
2 (a) is a perspective view of a nozzle unit including a nozzle head of the film forming apparatus according to the embodiment, and Fig. 2 (b) is a bottom view of the nozzle unit.
3 is a plan view of a stage and a nozzle unit of the film forming apparatus according to the embodiment.
4 (a) is a plan view showing a planar part of a region (coated region) to which a film material should be applied when forming a film, and Fig. 4 (b) Fig. 5 is a diagram showing a part of image data defining a shape. Fig.
5 (a) is a view showing a pixel to which a film material is to be applied at the time of forming an outer edge portion, and FIGS. 5 (b) to 5 (d) And a cross-sectional view of the substrate and the outer edge after formation.
6 (a) is a view showing a pixel to which a film material is to be applied in forming a deep layer portion, and Figs. 6 (b) to 6 (c) And a cross-sectional view of the substrate, the outer edge portion, and the deep portion after formation.
In Fig. 7, Figs. 7 (a) to 7 (d) are a step in the middle of the step of forming a film and a cross-sectional view of the substrate and the film after formation.
In Fig. 8, Figs. 8A to 8F are cross-sectional views of the substrate and the film in the middle step of the film formation for explaining the effect of the film formation method according to the embodiment.
In Fig. 9, Figs. 9A and 9B are cross-sectional views of a thick copper substrate in a step during manufacture to explain a method of manufacturing a thick copper substrate.

도 1에, 실시예에 의한 막 형성장치의 개략도를 나타낸다. 기대(基臺)(10) 위에 이동기구(11)를 통하여 스테이지(12)가 지지되어 있다. x축 및 y축이 수평방향을 향하고, z축이 연직상방을 향하는 xyz 직교좌표계를 정의한다. 이동기구(11)는, 제어장치(30)에 의하여 제어되어, 스테이지(12)를 x방향 및 y방향으로 이동시킨다.1 is a schematic view of a film forming apparatus according to an embodiment. A stage 12 is supported on a base 10 through a moving mechanism 11. [ defines an xyz orthogonal coordinate system in which the x- and y-axes are oriented horizontally and the z-axis is oriented vertically upward. The moving mechanism 11 is controlled by the control device 30 to move the stage 12 in the x direction and the y direction.

스테이지(12)의 상면(지지면)에, 막을 형성해야 하는 기판(50)이 지지된다. 기판(50)은, 예를 들면 진공척에 의하여 스테이지(12)에 고정된다. 스테이지(12)의 상방에 노즐헤드(20)가, 승강 가능하게 지지되어 있다. 노즐헤드(20)는, 기판(50)에 대향하는 복수의 노즐구멍을 가진다. 각 노즐구멍으로부터, 기판(50)의 표면으로 향하여 광경화성(예를 들면 자외선 경화성)의 막재료가 액적화되어 토출된다. 박막재료의 토출은, 제어장치(30)에 의하여 제어된다.On the upper surface (support surface) of the stage 12, a substrate 50 on which a film is to be formed is supported. The substrate 50 is fixed to the stage 12 by, for example, a vacuum chuck. A nozzle head 20 is supported above the stage 12 so as to be movable up and down. The nozzle head 20 has a plurality of nozzle holes opposed to the substrate 50. A film material of photo-curability (for example, ultraviolet ray curable) is jetted from the respective nozzle holes toward the surface of the substrate 50 and is discharged. The ejection of the thin film material is controlled by the control device 30.

도 1에서는, 기대(10)에 대하여 노즐헤드(20)를 정지시켜, 기판(50)을 이동시키는 예를 나타냈지만, 그 반대로, 기대(10)에 대하여 기판(50)을 정지시켜, 노즐헤드(20)를 이동시켜도 된다. 이와 같이, 기판(50)과 노즐헤드(20) 중 일방을 타방에 대하여 상대적으로 이동시키는 구성으로 하는 것도 가능하다.1 shows an example in which the nozzle head 20 is stopped with respect to the base 10 to move the base plate 50. Conversely, the base plate 50 is stopped with respect to the base 10, (20) may be moved. In this manner, one of the substrate 50 and the nozzle head 20 can be moved relative to the other.

도 2의 (a)에, 노즐헤드(20)를 포함하는 노즐유닛(21)의 사시도를 나타낸다. 베이스 플레이트(22)에, 복수, 예를 들면 2개의 노즐헤드(20)가, y방향으로 나열되어 장착되어 있다. 노즐헤드(20)의 각각은, x방향으로 나열된 복수의 노즐구멍(23)을 가진다. y방향으로 인접하는 2개의 노즐헤드(20)의 사이, 및 양단의 노즐헤드(20)보다 더욱 외측에, 각각 경화용 광원(24)이 장착되어 있다. 경화용 광원(24)은, 기판(50)(도 1)에 도포된 막재료에 경화용 빛(예를 들면 자외광)을 조사한다.2 (a) shows a perspective view of the nozzle unit 21 including the nozzle head 20. As shown in Fig. A plurality of, for example, two nozzle heads 20 are mounted on the base plate 22 in the y direction. Each of the nozzle heads 20 has a plurality of nozzle holes 23 arranged in the x direction. a curing light source 24 is mounted between two nozzle heads 20 adjacent to each other in the y direction and further outward than the nozzle heads 20 at both ends. The curing light source 24 irradiates curing light (e.g., ultraviolet light) to the film material applied to the substrate 50 (Fig. 1).

도 2의 (b)에, 노즐유닛(21)의 저면도를 나타낸다. 2개의 노즐헤드(20)가 y방향으로 나열되어 배치되어 있다. 2개의 노즐헤드(20)의 사이, 및 가장 외측의 노즐헤드(20)보다 더욱 외측에, 각각 경화용 광원(24)이 배치되어 있다. 노즐헤드(20)의 각각의 노즐구멍(23)은, x방향으로 지그재그로 배열되어 있다. 1개의 노즐헤드(20)에 주목하면, 일례로서, x방향에 관하여 노즐구멍(23)이 300dpi에 상당하는 피치로 배치되어 있다. 일방의 노즐헤드(20)는, 타방의 노즐헤드(20)에 대하여, 노즐피치의 반만큼 x방향으로 어긋나게 배치되어 있다. 이로 인하여, 2개의 노즐헤드(20)의 노즐구멍(23)은, 전체적으로, x방향에 관하여 600dpi에 상당하는 피치로 배치된다.Fig. 2 (b) is a bottom view of the nozzle unit 21. Fig. Two nozzle heads 20 are arranged in the y direction. A curing light source 24 is disposed between the two nozzle heads 20 and further outside the nozzle head 20 at the outermost position. Each of the nozzle holes 23 of the nozzle head 20 is arranged in a staggered manner in the x direction. Paying attention to one nozzle head 20, as an example, the nozzle holes 23 are arranged at a pitch corresponding to 300 dpi in the x direction. One of the nozzle heads 20 is arranged to be shifted in the x direction by half the nozzle pitch with respect to the other nozzle head 20. Due to this, the nozzle holes 23 of the two nozzle heads 20 are arranged as a whole with a pitch corresponding to 600 dpi with respect to the x direction.

도 3에, 스테이지(12), 기판(50), 및 노즐유닛(21)의 평면도를 나타낸다. 스테이지(12)의 지지면에 기판(50)이 지지되어 있다. 기판(50)의 상방에 노즐유닛(21)이 지지되어 있다. 노즐유닛(21)의 베이스 플레이트(22)에, 노즐헤드(20) 및 경화용 광원(24)이 장착되어 있다. 이동기구(11)가, 제어장치(30)로부터 제어됨으로써, 스테이지(12)를 x방향 및 y방향으로 이동시킨다.Fig. 3 shows a top view of the stage 12, the substrate 50, and the nozzle unit 21. And the substrate 50 is supported on the support surface of the stage 12. [ And the nozzle unit 21 is supported above the substrate 50. [ The nozzle head 20 and the curing light source 24 are mounted on the base plate 22 of the nozzle unit 21. [ The moving mechanism 11 is controlled by the controller 30 to move the stage 12 in the x direction and the y direction.

제어장치(30)에, 형성해야 하는 막의 평면형상을 정의하는 화상 데이터가 기억되어 있다. 화상 데이터는, 예를 들면 2차원으로 배열한 복수의 화소를 포함한다. 제어장치(30)는, 이 화상 데이터에 근거하여 노즐헤드(20)로부터의 막재료의 토출 타이밍을 제어한다.The control device 30 stores image data defining a plane shape of a film to be formed. The image data includes, for example, a plurality of pixels arranged in two dimensions. The control device (30) controls the ejection timing of the film material from the nozzle head (20) based on the image data.

기판(50)을 y방향으로 이동시키면서, 노즐구멍(23)(도 2의 (b))으로부터 막재료를 액적화하여 토출함으로써, x방향에 관하여 600dpi의 해상도로, 막재료를 기판(50)에 도포할 수 있다. 기판(50)에 도포된 막재료는, 기판(50)의 이동방향의 전방에 위치하는 경화용 광원(24)으로부터 방사된 빛에 의하여 경화된다. 기판(50)을 y방향으로 이동시키면서, 노즐구멍(23)으로부터 막재료를 액적화하여 토출하는 처리를, “기판의 주사”라고 하기로 한다. 기판(50)을, 600dpi에 상당하는 간격의 1/4만큼 x방향으로 어긋나게 하여 4회의 기판의 주사를 행함으로써, x방향에 관하여 2400dpi의 해상도로, 막재료를 기판(50)에 도포할 수 있다. 4회의 기판의 주사에 있어서, 편방향주사를 행해도 되고, 왕복주사를 행해도 된다.The film material is ejected by ejecting the film material from the nozzle hole 23 (FIG. 2 (b)) while moving the substrate 50 in the y direction, . The film material applied to the substrate 50 is cured by the light emitted from the curing light source 24 located in front of the moving direction of the substrate 50. The process of dropletizing and discharging the film material from the nozzle hole 23 while moving the substrate 50 in the y direction will be referred to as " scanning of the substrate ". The substrate 50 is scanned four times by shifting the substrate 50 in the x direction by 1/4 of the interval corresponding to 600 dpi so that the film material can be applied to the substrate 50 at a resolution of 2,400 dpi with respect to the x direction have. In the scanning of the four substrates, the unidirectional scanning may be performed or the reciprocating scanning may be performed.

4회의 기판의 주사에 의하여 막재료를 도포할 수 있는 영역을, 1개의 경로(패스)라고 하기로 한다. 1개의 경로의 x방향의 폭이, 기판(50)의 x방향의 치수보다 좁은 경우, 기판(50)의 표면을 복수의 경로로 구분함으로써, 기판(50)의 전역에 막재료를 도포할 수 있다.An area where the film material can be applied by scanning of four substrates is referred to as one path (pass). When the width of one path in the x direction is narrower than the dimension of the substrate 50 in the x direction, the surface of the substrate 50 is divided into a plurality of paths so that the film material can be applied over the entire area of the substrate 50 have.

형성해야 하는 막에 요구되는 해상도가 600dpi인 경우에는, 1회의 기판의 주사로 1개의 경로의 처리를 완료할 수 있다. 또한, 2400dpi에 상당하는 노즐피치를 가지는 노즐헤드(20)를 이용하면, 1회의 기판의 주사로 1개의 경로의 처리를 완료할 수 있다.When the resolution required for the film to be formed is 600 dpi, the processing of one path can be completed by scanning the substrate one time. Further, by using the nozzle head 20 having a nozzle pitch corresponding to 2400 dpi, it is possible to complete the processing of one path by scanning one substrate.

도 4의 (a)에, 막을 형성할 때에 막재료를 도포해야 하는 영역(피도포영역)의 평면형상의 일부분을 나타낸다. 기판(50)의 표면에, y방향으로 뻗는 복수의 피도포영역(52)이 획정되어 있다. 이 피도포영역(52)에 막재료를 도포하여 경화시킴으로써, 막이 형성된다. 다만, 피도포영역(52)은, x방향으로 뻗는 스트라이프 형상이어도 되고, x방향 및 y방향에 대하여 경사방향으로 뻗는 스트라이프 형상이어도 되며, 곡선을 따르는 스트라이프 형상이어도 되고, 부정형이어도 된다.Fig. 4 (a) shows a planar portion of a region (coated region) to which a film material should be applied when a film is formed. On the surface of the substrate 50, a plurality of areas to be coated 52 extending in the y direction are defined. By applying a film material to the applied area 52 and curing it, a film is formed. However, the area to be coated 52 may be a stripe shape extending in the x direction or a stripe shape extending in the oblique direction with respect to the x direction and the y direction, or may be a stripe shape along the curve or a pseudo shape.

도 4의 (b)에, 피도포영역(52)을 정의하는 화상 데이터의 일례를 나타낸다. 이 화상 데이터는, 2차원(x방향 및 y방향)으로 배열한 복수의 화소(53)로 이루어진다. 복수의 화소(53)가, 막재료를 도포하는 대상의 화소와, 도포하는 대상이 아닌 화소로 구분되어 있다. 도 4의 (b)에 있어서, 막재료를 도포하는 대상의 화소(53)에 해칭이 들어가 있다. 도 4의 (b)의 해칭이 들어간 화소(53)의 집합에 의하여, 피도포영역(52)이 정의된다.Fig. 4 (b) shows an example of image data defining the area to be coated 52. Fig. This image data is composed of a plurality of pixels 53 arranged in two dimensions (x direction and y direction). A plurality of pixels 53 are divided into a pixel to be coated with a film material and a pixel to be coated. In Fig. 4 (b), hatching is included in the pixel 53 to be coated with the film material. The area to be coated 52 is defined by the set of pixels 53 having hatching in FIG. 4 (b).

도 5의 (a)~도 7의 (d)를 참조하여, 실시예에 의한 막 형성방법에 대하여 설명한다. 실시예에 의한 막 형성방법에서는, 동일한 평면형상을 가지는 단위층을 적층함으로써, 두께 50㎛~2㎜ 정도의 막이 형성된다. 이 두께는, 이른바 “두꺼운 막”이라고 불리는 범위에 속한다. 단위층의 각각의 형성공정에서는, 우선 외연부가 형성되고, 그 후 심층부가 형성된다. 도 5의 (a)~도 6의 (c)가, 1개의 단위층을 형성하는 공정을 나타내고 있고, 그 중 도 5의 (a)~도 5의 (d)가, 외연부를 형성하는 공정을 나타내고 있으며, 도 6의 (a)~도 6의 (c)가, 심층부를 형성하는 공정을 나타내고 있다. 도 7의 (a)~도 7의 (d)가, 제2층 이후의 단위층을 형성하는 공정을 나타내고 있다.A film forming method according to the embodiment will be described with reference to Figs. 5 (a) to 7 (d). In the film forming method according to the embodiment, a film having a thickness of about 50 to 2 mm is formed by laminating unit layers having the same planar shape. This thickness belongs to a so-called " thick film ". In each step of forming the unit layer, the outer edge portion is first formed, and then the deep portion is formed. Figs. 5A to 6C show a step of forming one unit layer, and Figs. 5A to 5D show the steps of forming the outer edge portion And FIGS. 6 (a) to 6 (c) show steps of forming a deep layer portion. 7 (a) to 7 (d) show steps of forming a unit layer after the second layer.

도 5의 (a)에, 외연부를 형성할 때에 막재료를 도포하는 대상이 되는 화소(53a)를 나타낸다. 도 5의 (a)에 있어서, 도포대상인 화소(53a)에 해칭이 들어가 있다. 외연부의 형성 시에는, 피도포영역(52)의 가장자리를 따르는 일렬의 화소(53a)가 도포대상으로서 선택된다. 다만, 인접하는 복수 열의 화소(53)를 도포대상으로서 선택해도 된다.Fig. 5 (a) shows a pixel 53a to be coated with a film material when forming the outer edge portion. In Fig. 5A, hatching is included in the pixel 53a to be coated. At the time of forming the outer edge portion, a row of pixels 53a along the edge of the area to be coated 52 is selected as an object to be coated. However, a plurality of adjacent pixels 53 may be selected as a coating target.

도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(50)을 주사함으로써, 도 5의 (a)에 나타낸 도포대상의 화소(53a)에, 막재료를 도포하여, 경화시킨다. 이로써, 외연부의 하층의 일부분(55a)이 형성된다. 노즐구멍(23)(도 2의 (b))의 피치와, 도포대상의 화소(53a)의 피치에 근거하여, 기판(50)의 주사횟수가 결정된다.As shown in Fig. 5B, by scanning the substrate 50, the film material is applied and cured to the pixel 53a to be coated as shown in Fig. 5A. Thereby, a portion 55a of the lower layer of the outer edge portion is formed. The number of times of scanning of the substrate 50 is determined based on the pitch of the nozzle hole 23 (Fig. 2 (b)) and the pitch of the pixel 53a to be coated.

도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 외연부의 일부분(55a) 위에, 더욱, 막재료를 도포하여, 경화시킴으로써, 외연부의 일부분(55a)을 높게 한다. 도 5의 (b)에 나타낸 기판(50)의 주사 시의 도포대상의 화소(53a)와, 도 5의 (c)에 나타낸 기판(50)의 주사 시의 도포대상의 화소(53a)는, 동일하다. 즉, 외연부의 일부분(55a)의 바로 위에, 새롭게 막재료가 도포된다.As shown in Fig. 5 (c), the film material is further coated on the portion 55a of the outer edge portion and cured to increase the portion 55a of the outer edge portion. The pixel 53a to be coated at the time of scanning of the substrate 50 shown in Fig. 5B and the pixel 53a to be coated at the time of scanning of the substrate 50 shown in Fig. same. That is, just above the portion 55a of the outer edge, a new film material is applied.

도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 더욱 기판(50)의 주사를 반복하여 외연부의 일부분(55a)을 높게 함으로써, 목표 높이의 외연부(55)를 형성한다.As shown in Fig. 5 (d), the scanning of the substrate 50 is further repeated to raise the portion 55a of the outer edge portion to form the outer edge portion 55 of the target height.

도 6의 (a)에, 심층부를 형성할 때에 막재료를 도포하는 대상이 되는 화소(53b)를 나타낸다. 도 6의 (a)에 있어서, 도포대상의 화소(53b)에 해칭이 들어가 있다. 심층부의 형성 시에는, 외연부(55)의 형성 시에 도포대상이 된 화소(53a)의 열보다 내측의 화소(53b)가 도포대상으로서 선택된다.Fig. 6A shows a pixel 53b to which a film material is to be applied in forming a deep portion. In Fig. 6A, hatching is included in the pixel 53b to be coated. The pixel 53b on the inner side of the row of the pixel 53a to be coated at the time of forming the outer edge portion 55 is selected as an object to be coated.

도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 기판(50)을 주사함으로써, 도 6의 (a)에 나타낸 도포대상의 화소(53b)에, 막재료를 도포하여, 경화시킨다. 이로써, 심층부의 하층의 일부분(56a)이 형성된다. 노즐구멍(23)(도 2의 (b))의 피치와, 도포대상의 화소(53b)의 피치에 근거하여, 기판(50)의 주사횟수가 결정된다.As shown in Fig. 6B, by scanning the substrate 50, the film material is applied to the pixel 53b to be coated, which is shown in Fig. 6A, and is cured. Thereby, a portion 56a of the lower layer of the deep layer is formed. The number of times of scanning of the substrate 50 is determined based on the pitch of the nozzle hole 23 (Fig. 2 (b)) and the pitch of the pixel 53b to be coated.

도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 심층부의 일부분(56a) 위에, 더욱, 막재료를 도포하여, 경화시킴으로써, 심층부의 일부분(56a)을 두껍게 한다. 도 6의 (b)에 나타낸 기판(50)의 주사 시의 도포대상의 화소(53b)와, 도 6의 (c)에 나타낸 기판(50)의 주사 시의 도포대상의 화소(53b)는, 동일하다. 또한 기판(50)의 주사를 반복함으로써, 심층부의 일부분(56a)을 목표 두께까지 두껍게 하여, 심층부(56)를 형성한다. 외연부(55)와 심층부(56)에 의하여, 단위층(57)이 구성된다. 단위층(57)의 상면이 패이도록, 심층부(56)의 두께 및 외연부(55)의 높이가 조정되어 있다. 구체적으로는, 심층부(56)를 형성할 때의 기판(50)의 주사횟수를, 외연부(55)를 형성할 때의 기판(50)의 주사횟수보다 적게 함으로써, 상면이 패인 단위층(57)을 형성할 수 있다.As shown in Fig. 6 (c), the film material is further coated on the portion 56a of the deep portion and hardened, thereby thickening the portion 56a of the deep portion. The pixel 53b to be coated at the time of scanning of the substrate 50 shown in Fig. 6B and the pixel 53b to be coated at the time of scanning of the substrate 50 shown in Fig. same. By repeating the scanning of the substrate 50, the portion 56a of the deep portion is thickened to the target thickness, and the deep portion 56 is formed. The unit layer 57 is constituted by the outer edge portion 55 and the deep portion 56. The thickness of the deep layer portion 56 and the height of the outer edge portion 55 are adjusted so that the upper surface of the unit layer 57 is depressed. More specifically, the number of times of scanning of the substrate 50 at the time of forming the deep portion 56 is made smaller than the number of times of scanning of the substrate 50 at the time of forming the outer edge portion 55, ) Can be formed.

도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1층의 단위층(57) 위에, 더욱 외연부(55)를 형성한다. 이 외연부(55)의 형성방법은, 도 5의 (b)~도 5의 (d)에 나타낸 제1층의 단위층(57)의 외연부(55)의 형성방법과 동일하다. 다만, 외연부(55)의 높이는, 동일하지 않아도 된다. 즉, 외연부(55)를 형성할 때의 기판(50)의 주사횟수는 동일하지 않아도 된다.As shown in Fig. 7 (a), an outer edge portion 55 is further formed on the unit layer 57 of the first layer. The method of forming the outer edge portion 55 is the same as the method of forming the outer edge portion 55 of the first layer unit layer 57 shown in Figs. 5B to 5D. However, the height of the outer edge portion 55 may not be the same. That is, the number of scanning times of the substrate 50 when forming the outer edge portion 55 may not be the same.

도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1층의 단위층(57) 위에, 제2층의 심층부(56)를 형성한다. 제2층의 심층부(56)의 형성방법은, 도 6의 (b)~도 6의 (c)에 나타낸 제1층의 단위층(57)의 심층부(56)의 형성방법과 동일하다. 다만, 심층부(56)의 두께는, 동일하지 않아도 된다. 즉, 심층부(56)를 형성할 때의 기판(50)의 주사횟수는 동일하지 않아도 된다. 이로써, 제1층의 단위층(57) 위에 형성된 외연부(55) 및 심층부(56)로 이루어지는 제2층의 단위층(57)이 형성된다. 제2층의 단위층(57)의 상면도 패여 있다. 제1층의 단위층(57)의 상면이 패여 있기 때문에, 제2층의 심층부(56)의 두께를, 제2층의 외연부(55)의 높이와 거의 동일하게 해도 된다.As shown in Fig. 7 (b), the deep layer portion 56 of the second layer is formed on the first layer unit layer 57. The method of forming the deep layer portion 56 of the second layer is the same as the method of forming the deep layer portion 56 of the first layer unit layer 57 shown in Figs. 6B to 6C. However, the thickness of the deep portion 56 may not be the same. That is, the number of scanning times of the substrate 50 when forming the deep portion 56 may not be the same. Thereby, the unit layer 57 of the second layer made of the outer edge portion 55 and the deep layer portion 56 formed on the first unit layer 57 is formed. The upper surface of the unit layer 57 of the second layer is also covered. The thickness of the deep portion 56 of the second layer may be substantially equal to the height of the outer edge 55 of the second layer because the upper surface of the unit layer 57 of the first layer is recessed.

도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2층의 단위층(57) 위에, 제3층의 외연부(55) 및 심층부(56)를 형성함으로써, 제3층의 단위층(57)을 형성한다.The outer layer portion 55 and the deep layer portion 56 of the third layer are formed on the unit layer 57 of the second layer to form the unit layer 57 of the third layer as shown in Fig. .

도 7의 (d)에 나타내는 바와 같이, 이미 형성되어 있는 단위층(57) 위에, 다른 단위층(57)을 적층한다. 이 때, 최상층의 단위층(57)의 상면이 패인 상태를 유지하면서, 단위층(57)을 적층한다. 복수의 단위층(57)이 목표 높이까지 적층된 후, 최상층의 단위층(57)의 상면의 홈을 막재료로 메움으로써, 거의 평탄한 상면을 가지는 평탄화층(58)을 형성한다. 여기까지의 공정으로, 적층된 복수의 단위층(57), 및 평탄화층(58)으로 이루어지는 막(60)이 형성된다.As shown in Fig. 7 (d), another unit layer 57 is laminated on the unit layer 57 already formed. At this time, the unit layer 57 is laminated while maintaining the upper surface of the uppermost unit layer 57 in a depressed state. After the plurality of unit layers 57 are stacked to the target height, the planarization layer 58 having a substantially planar upper surface is formed by filling the grooves on the upper surface of the uppermost unit layer 57 with the film material. By this process, a film 60 composed of a plurality of stacked unit layers 57 and a planarizing layer 58 is formed.

도 8의 (a)~도 8의 (d)를 참조하여, 상기 실시예의 효과에 대하여 설명한다. 도 8의 (a)에, 제1층의 외연부(55)가 형성된 후, 제1층의 심층부(56)(도 6의 (b))의 형성을 개시한 시점의 기판(50) 및 외연부(55)의 개략도를 나타낸다.The effects of the above embodiment will be described with reference to Figs. 8 (a) to 8 (d). Fig. 8A shows the substrate 50 at the time when the formation of the deep layer portion 56 (Fig. 6B) of the first layer is started after the outer edge portion 55 of the first layer is formed, Fig.

기판(50)의 표면에 도포된 막재료의 액적은, 기판(50)의 면 내 방향으로 넓어지기 때문에, 외연부(55)의 폭은, 외연부(55)를 형성할 때에 도포대상이 되는 화소(53a)(도 5의 (a))로 이루어지는 화소열의 폭보다 넓어진다. 심층부(56)의 형성 시에 도포대상이 되는 화소(53b)(도 6의 (a)) 중 가장 외측의 화소(53b)에 도포되는 액적화된 막재료(61)가, 제1층의 외연부(55)와 겹쳐지고, 또한 외연부(55)의 정상보다, 피도포영역(52)의 내측에 착탄된다.Since the droplet of the film material applied to the surface of the substrate 50 is widened in the in-plane direction of the substrate 50, the width of the outer edge portion 55 becomes an object to be coated Is wider than the width of the pixel column made up of the pixel 53a (Fig. 5 (a)). The dropletized film material 61 applied to the outermost pixel 53b of the pixel 53b (FIG. 6 (a)) to be coated at the time of forming the deep portion 56 is the outer layer of the first layer And overlaps the inside of the area to be coated 52 with respect to the top of the outer edge part 55. In addition,

도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 외연부(55)의 정상보다 내측에 착탄된 막재료(61)는, 낮은 쪽으로 흐른다. 즉, 막재료(61)는, 피도포영역(52)의 내측을 향하여 흐른다. 외연부(55)의 외측의 측면에는, 막재료(61)는 거의 유출되지 않는다.As shown in Fig. 8 (b), the film material 61 deposited on the inner side of the top of the outer edge portion 55 flows downward. That is, the film material 61 flows toward the inside of the area to be coated 52. The film material 61 hardly flows out to the side surface outside the outer edge portion 55.

도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 심층부의 일부분(56a)을 두껍게 하는 공정(도 6의 (c))에 있어서도, 액적화된 막재료(61)가, 외연부(55)의 정상보다 내측에 착탄된다. 이로 인하여, 도 8의 (d)에 나타내는 바와 같이, 막재료(61)가 외연부(55)의 정상으로부터, 피도포영역(52)의 내측을 향하여 흐른다.6 (c)), the dropletized film material 61 is prevented from being peeled off from the top of the outer edge portion 55 even in the step of thickening the portion 56a of the deep portion as shown in Fig. 8 (c) . 8 (d), the film material 61 flows from the top of the outer edge portion 55 toward the inside of the region 52 to be coated.

상기 서술과 같이, 심층부(56)(도 6의 (c))를 형성하는 경우에, 막재료가 외연부(55)의 외측의 측면으로 유출되지 않는다. 이로 인하여, 막(60)(도 7의 (d))의 측면의 경사가 완만하게 되는 것을 억제할 수 있다.6 (c)), the film material does not flow out to the side of the outside of the outer edge portion 55, as described above. This can suppress the slope of the side surface of the film 60 (Fig. 7 (d)) from becoming gentle.

도 8의 (e)에 나타내는 바와 같이, 단위층(57)을 적층하는 공정에 있어서, 현 시점에 있어서의 최상층의 단위층(57)의 외연부(55)의 바로 위에, 더욱, 외연부(55)를 형성하기 위한 막재료(61)가 착탄된다. 도 8의 (f)에 나타내는 바와 같이, 단위층(57)의 상면이 패여 있기 때문에, 외연부(55)를 형성하기 위한 막재료(61)가, 그 아래의 외연부(55)의 정상으로부터 외측뿐만 아니라, 내측으로도 흐른다. 단위층(57)의 상면이 패여 있지 않은 경우에는, 그 위에 외연부를 형성할 때에, 도포된 막재료의 대부분이 외측을 향하여 흘러버린다. 상기 서술한 실시예에서는, 최상층의 단위층(57)의 상면이 패여 있기 때문에, 외연부(55)(도 7의 (a))를 형성할 때에도, 막(60)(도 7의 (d))의 측면으로의 유출을 줄일 수 있다. 이로써, 막(60)(도 7의 (d))의 측면의 경사가 완만해지는 것을 억제할 수 있다.8 (e), in the step of laminating the unit layer 57, the outer edge portion 55 of the uppermost unit layer 57 at the present time, The film material 61 for forming the film 55 is landed. The film material 61 for forming the outer edge portion 55 is formed to extend from the top of the outer edge portion 55 below the outer edge portion 55 as shown in Figure 8 (f) Not only the outer side but also the inner side. In the case where the upper surface of the unit layer 57 is not dented, most of the applied film material flows outward when the outer edge portion is formed thereon. 7 (a)), the film 60 (Fig. 7 (d)) is formed even when the outer edge portion 55 (Fig. 7 Can be reduced. Thereby, it is possible to suppress the slope of the side surface of the film 60 (Fig. 7 (d)) from becoming gentle.

도 9의 (a) 및 도 9의 (b)를 참조하여, 상기 실시예에 의한 방법으로 형성된 막(60)(도 7의 (d))을 이용한 두꺼운 구리기판의 제조방법에 대하여 설명한다.A method of manufacturing a thick copper substrate using the film 60 (FIG. 7 (d)) formed by the method according to the above embodiment will be described with reference to FIGS. 9 (a) and 9 (b)

도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판(50)의 표면의, 두꺼운 구리를 배치하는 영역(63) 이외의 영역에, 상기 서술한 실시예에 의한 방법으로 막(60)을 형성한다. 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 막(60)이 형성되어 있지 않은 영역(63)에 구리를 메움으로써, 두꺼운 구리(64)를 형성한다.9A, the film 60 is formed on the surface of the substrate 50 in a region other than the region 63 where the thick copper is disposed, by the method according to the above-described embodiment. As shown in FIG. 9 (b), copper is filled in the region 63 where the film 60 is not formed, thereby forming the thick copper 64.

상기 실시예에서는, 단위층(57)(도 7의 (d))을 적층함으로써, 막(60)을 50㎛~2㎜ 정도까지 두껍게 할 수 있다. 이로 인하여, 두께 50㎛~2㎜ 정도의 두꺼운 구리(64)를 형성할 수 있다. 또한, 막(60)의 측면의 경사를 급준하게 할 수 있기 때문에, 두꺼운 구리(64)의 단면적을 크게 할 수 있다. 이로써, 대전류를 흘리는 용도에 적합한 두꺼운 구리(64)가 얻어진다.In the above embodiment, by laminating the unit layer 57 (Fig. 7 (d)), the film 60 can be thickened to about 50 m to 2 mm. As a result, a thick copper 64 having a thickness of about 50 to 2 mm can be formed. In addition, since the inclination of the side surface of the film 60 can be made steep, the cross-sectional area of the thick copper 64 can be increased. Thereby, a thick copper 64 suitable for a purpose of flowing a large current is obtained.

이상 실시예를 따라 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명할 것이다.While the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

10 기대
11 이동기구
12 스테이지
20 노즐헤드
21 노즐유닛
22 베이스 플레이트
23 노즐구멍
24 경화용 광원
30 제어장치
50 기판
52 피도포영역
53 화소
53a 외연부 형성 시의 도포대상의 화소
53b 심층부 형성 시의 도포대상의 화소
55 외연부
55a 외연부의 일부분
56 심층부
56a 심층부의 일부분
57 단위층
58 평탄화층
60 막
61 막재료
63 두꺼운 구리를 배치하는 영역
64 두꺼운 구리
10 Expectations
11 Moving mechanism
12 stages
20 nozzle head
21 nozzle unit
22 base plate
23 nozzle hole
24 Light source for curing
30 control device
50 substrate
52 Application area
53 pixels
53a < / RTI >
53b The pixel to be coated at the time of forming the deep-
55 Outer part
55a A portion of the outer margin
56 Deep part
56a part of the deep
57 unit layer
58 planarization layer
60 membrane
61 Membrane material
63 Area to place thick copper
64 thick copper

Claims (6)

기판의 표면의 막재료를 도포해야 하는 피도포영역의 가장자리를 따라, 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 외연부를 먼저 형성하며, 그 후, 상기 외연부보다 내측에 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시키는 것에 의하여 심층부를 형성함으로써, 상기 외연부 및 상기 심층부로 이루어지며, 상기 외연부가 상기 심층부보다 높게 형성되어 상면이 패여 있는 단위층을 형성하는 공정과,
상기 단위층 위에, 또한, 각각이 상기 외연부와 상기 심층부로 이루어지는 다른 단위층을, 최상층의 단위층의 상면이 패인 형상을 유지하면서, 적층하는 공정을 가지는 막 형성방법.
The film material is applied by dropletization along the edge of the area to be coated to which the film material on the surface of the substrate is to be applied and is cured to form the outer edge portion first and then the film material is dropletized on the inner side of the outer edge portion A step of forming a deep layer portion by applying and curing the outer layer portion to form a unit layer formed by the outer edge portion and the deep layer portion and the outer edge portion being formed higher than the deep portion portion,
Further comprising the step of laminating on the unit layer a different unit layer consisting of the outer edge portion and the deep layer portion while maintaining the shape of the top surface of the uppermost unit layer being depressed.
제 1 항에 있어서,
1개의 상기 단위층의 상기 외연부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 피도포영역의 가장자리를 따라, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 상기 외연부의 일부분을 형성하며, 상기 외연부의 일부분 위에, 더욱 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 상기 외연부의 일부분을 높게 함으로써 상기 외연부를 형성하는 막 형성방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the outer edge of one of the unit layers includes the step of forming a part of the outer periphery by applying and hardening the film material along the edge of the area to be coated to form a part of the outer periphery, Wherein the film material is subjected to droplet application and curing to raise a portion of the outer edge portion to form the outer edge portion.
제 2 항에 있어서,
상기 피도포영역의 형상이, 복수의 화소로 이루어지는 화상 데이터에 의하여 정의되어 있고,
상기 외연부의 일부분을 높게 하는 것은, 하측의 상기 외연부의 일부분을 형성할 때의 상기 막재료를 도포한 상기 화소와 동일한 화소로, 상기 외연부의 일부분 위에 상기 막재료를 더 도포하는 것을 특징으로 하는 막 형성방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the shape of the area to be coated is defined by image data composed of a plurality of pixels,
Wherein a portion of the outer edge portion is made to be higher by applying the film material to a portion of the outer edge portion with the same pixel as that of the pixel to which the film material is applied when forming a portion of the lower outer edge portion / RTI >
기판을 지지하는 스테이지와,
상기 스테이지에 지지된 상기 기판에 대향하여, 상기 기판의 표면에, 광경화성의 막재료를 액적화하여 토출하는 복수의 노즐구멍을 가지는 노즐헤드와,
상기 기판에 도포된 상기 막재료에 경화용 빛을 조사하는 광원과,
상기 노즐헤드 및 상기 광원에 대하여 상기 기판을 상대적으로 이동시키는 이동기구와,
상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하는 제어장치를 가지고,
상기 제어장치는, 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하여,
상기 기판의 표면의 피도포영역의 가장자리를 따라, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 외연부를 먼저 형성하며, 그 후, 상기 외연부보다 내측에 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시키는 것에 의하여 심층부를 형성함으로써, 상기 외연부 및 상기 심층부로 이루어지며, 상기 외연부가 상기 심층부보다 높게 형성되어 상면이 패여 있는 단위층을 형성하고,
상기 단위층 위에, 또한, 각각이 상기 외연부와 상기 심층부로 이루어지는 다른 단위층을, 최상층의 단위층의 상면이 패인 형상을 유지하면서, 적층하는 막 형성장치.
A stage for supporting the substrate,
A nozzle head having a plurality of nozzle holes for ejecting a photo-curable film material by droplet ejection, the nozzle head being opposed to the substrate supported on the stage,
A light source for irradiating the film material coated on the substrate with curing light;
A moving mechanism for relatively moving the substrate relative to the nozzle head and the light source,
And a control device for controlling the nozzle head and the moving mechanism,
Wherein the control device controls the nozzle head and the moving mechanism,
The film material is applied by dropletization along the edge of the substrate to be coated on the surface of the substrate and cured to form the outer edge portion first and then the film material is dripped on the inner side of the outer edge portion to be applied and cured Wherein the outer layer is formed to have a height higher than the depth of the outer layer and the upper layer is formed on the outer layer,
And the other unit layer including the outer edge portion and the deep layer portion is formed on the unit layer while maintaining the shape of the top surface of the uppermost unit layer being depressed.
제 4 항에 있어서,
상기 제어장치는, 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하여, 1개의 상기 단위층의 상기 외연부를 형성하는 경우에, 상기 피도포영역의 가장자리를 따라, 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 상기 외연부의 일부분을 형성하며, 상기 외연부의 일부분 위에, 더욱 상기 막재료를 액적화하여 도포하고 경화시켜 상기 외연부의 일부분을 높게 함으로써 상기 외연부를 형성하는 막 형성장치.
5. The method of claim 4,
The control device controls the nozzle head and the moving mechanism to form the outer periphery of one of the unit layers by applying droplets of the film material along the edge of the area to be coated and applying and curing Wherein the outer periphery is formed by forming a part of the outer periphery and further applying a liquid material on the part of the outer periphery and applying and hardening the film material to heighten a part of the outer periphery.
제 5 항에 있어서,
상기 제어장치는, 복수의 화소로 이루어지는 화상 데이터에 의하여 정의된 상기 피도포영역의 형상을 기억하고 있으며,
상기 외연부의 일부분을 높게 하는 것은, 하측의 상기 외연부의 일부분을 형성할 때의 상기 막재료를 도포한 상기 화소와 동일한 화소로, 상기 외연부의 일부분 위에 상기 막재료를 더 도포하는 것을 특징으로 하는 막 형성장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the control device stores the shape of the area to be coated defined by image data composed of a plurality of pixels,
Wherein a portion of the outer edge portion is made to be higher by applying the film material to a portion of the outer edge portion with the same pixel as that of the pixel to which the film material is applied when forming a portion of the lower outer edge portion Forming device.
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