KR101701113B1 - 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 - Google Patents
반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101701113B1 KR101701113B1 KR1020150111370A KR20150111370A KR101701113B1 KR 101701113 B1 KR101701113 B1 KR 101701113B1 KR 1020150111370 A KR1020150111370 A KR 1020150111370A KR 20150111370 A KR20150111370 A KR 20150111370A KR 101701113 B1 KR101701113 B1 KR 101701113B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- damper
- pressure
- slide
- ball screw
- sensor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010790 dilution Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000012895 dilution Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
이는 반도체 제조 공정시에 발생되는 배출가스를 설정된 압력으로 일정하게 외부로 배출시켜서, 공정챔버내의 압력을 일정하게 유지하여, 반도체, LCD등의 제조품의 품질을 증가시키고, 유지관리하도록 하는데 있다.
또한, 설정된 배출압력이 되도록, 슬라이드식 댐퍼를 이용하여, 구조적으로 안정적인 기계장치를 제공하여, 제어가 원활하게 작동되도록 하는데 있다.
또한, 완전개방센서, 완전폐쇄센서, 정위치센서를 부착하여, 슬라이드 댐퍼의 개폐상태를 판단하고, 이를 제어부의 판단신호로 제공하여, 정밀한 계폐량이 되도록 하는데 있다.
또한, 챔버내의 유해가스를 희석하거나, 밸브의 배출구를 세척하여, 사용기간을 늘리도록 하는데 있다.
Description
도 2는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3a은 본 발명의 센서부가 장착된 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3b는 본 발명의 센서부의 감지상태를 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼를 나타낸 개략도.
도 5는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부가 배출구에서 슬라이드 개폐되는 상태를 나타낸 개략도.
도 6은 본 발명의 유해가스 희석장치를 나타낸 개략도.
50: 메인기어 51:구동기어
52: 볼스크류 53: 직선구동부
60: 완전개방용 센서 61: 정위치용 센서
62: 완전폐쇄용 센서 71: 센서감지바
73: 댐퍼 77: 배출구
90: 유입구 91: 유출구
80: 제어부
100: 오토댐퍼
Claims (5)
- 반도체 제조시 발생하는 배출가스 제어장치에 있어서,
반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키고,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 형성시키고;
상기 구동기어(51)에 장착되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고,
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를
결합시키고,
상기 직선구동부(53)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 장착됨으로써, 직선구동부(53)가 직선왕복운동시 슬라이드 직선 왕복운동되는 댐퍼(73)를 형성시키고,
상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)의 회전을 제어하여, 상기 댐퍼(73)의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키도록;
이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제1항에 있어서,
오토댐퍼(100)의 일측면에는 완전개방용 센서(60), 정위치용 센서(61), 완전폐쇄용 센서(62)가 부착되어 있으며;
이에 대응되도록 상기 오토 댐퍼(100)에서 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)에 연결된 일측면에 센서감지바(71)가 형성되어 직선 슬라이드 구동시에 상기 센서( 60,61,62)에 감지되도록 하여, 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)가 배출구(77)에 위치되어 있는 상태를 탐지하여, 상기 제어부(80)에 수신되도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제2항에 있어서,
상기 정위치용 센서(61)는 슬라이드 구동시에, 모터를 정지 후 재구동시에, 상기 슬라이드 댐퍼(73)의 구동 원점을 설정하도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부(80)는 상기 센서(60,61,62)에 의하여 개폐상태를 감지하고, 이를 기준으로 모터의 회전각도를 구동시켜서, 댐퍼(73)의 개폐량을 조절하되, 회전각도에 따른 댐퍼(73)의 이동거리가 사전에 제어부(80)에 입력되어, 상기 센서(60,61,62)에 의하여 감지된 댐퍼(73)상태를 판단할 수 있도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 반도체 제조시 발생하는 배출가스 희석장치에 있어서,
반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키고,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 형성시키고;
상기 구동기어(51)에 장착되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고,
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를
결합시키고,
상기 직선구동부(53)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하게 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 왕복 운동하는 댐퍼(73)를 형성시키고,
상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)의 회전을 제어하여, 상기 댐퍼(73)의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키며,
상기 배출구(77)의 일부분에 희석용 가스를 유입하는 유입구(90)와 유출되는 유출구(91)를 형성하여, 상기 댐퍼(73)가 개방시에 챔버(10)내의 유해가스와 상호 혼합하도록 하거나, 배출구(91)의 표면에 붙어 있는 이물질등을 세척하도록;
이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 희석장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150111370A KR101701113B1 (ko) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150111370A KR101701113B1 (ko) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101701113B1 true KR101701113B1 (ko) | 2017-02-01 |
Family
ID=58109535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150111370A KR101701113B1 (ko) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101701113B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101810358B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-01-25 | 황의상 | 신축이음기능을 갖는 누출방지 댐퍼 시스템 |
CN114975190A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-08-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备和压力控制方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990033894U (ko) * | 1998-01-06 | 1999-08-16 | 구본준 | 반도체의 압력조절밸브 |
KR200293094Y1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 반도체 제조용 가스공급장치 |
KR20020085482A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 삼성전자 주식회사 | 로드락 챔버의 도어개폐장치 |
KR101523228B1 (ko) | 2013-09-26 | 2015-05-29 | 우범제 | 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법 |
-
2015
- 2015-08-07 KR KR1020150111370A patent/KR101701113B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990033894U (ko) * | 1998-01-06 | 1999-08-16 | 구본준 | 반도체의 압력조절밸브 |
KR20020085482A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 삼성전자 주식회사 | 로드락 챔버의 도어개폐장치 |
KR200293094Y1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 반도체 제조용 가스공급장치 |
KR101523228B1 (ko) | 2013-09-26 | 2015-05-29 | 우범제 | 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101810358B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-01-25 | 황의상 | 신축이음기능을 갖는 누출방지 댐퍼 시스템 |
CN114975190A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-08-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备和压力控制方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8883085B2 (en) | Isolator | |
US5832948A (en) | Liquid transfer system | |
TWI515368B (zh) | 基於在一過濾器資訊標籤中之過濾器資訊以控制一幫浦操作之方法和系統 | |
US20120275967A1 (en) | Isolator | |
KR101701113B1 (ko) | 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 | |
RU2012147635A (ru) | Устройство для смешивания текучих сред | |
US9539672B2 (en) | Portable equipment for monitoring and controlling the level of oxygen in reflow oven atmosphere | |
WO2008107967A1 (ja) | フロート式弁装置及びフロート式弁装置のクリーニング方法 | |
CN206787802U (zh) | 一种阀门静压寿命试验系统 | |
EP3908756B1 (en) | Air-operated pump with leak detection and containment assembly | |
KR101697491B1 (ko) | 반도체 제조시 발생가스의 희석 및 볼 밸브 세척이 동시에 가능한 배출가스 정밀압력제어용 볼 밸브식 오토 볼 밸브 댐퍼의 제어장치 | |
JP2009222613A (ja) | ガス導入装置 | |
KR101713549B1 (ko) | 유-무기공정 반도체 제조시 발생가스의 희석 및 댐퍼의 세척이 동시에 가능한 배출가스 정밀압력제어용 투-웨이 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 | |
CN104124147A (zh) | 蚀刻机台及用于清洗该蚀刻机台的结晶的方法 | |
CN109095418B (zh) | 一种灌装机背压的控制系统及控制方法 | |
CN209143655U (zh) | 一种灌装机背压的控制系统 | |
CN1491319A (zh) | 活塞式泵的气流调节装置 | |
JP2009144607A (ja) | 蒸気エゼクタ | |
KR101713550B1 (ko) | 반도체 제조시 발생가스의 희석 및 버터플라이 밸브 세척이 동시에 가능한 배출가스 정밀압력제어용 버터플라이 밸브식 오토 댐퍼의 제어장치 | |
KR102298148B1 (ko) | 공정 챔버에 잔존하는 유해가스의 퍼지 장치 | |
KR200357003Y1 (ko) | 반도체 제조용 가스공급장치 | |
KR100699696B1 (ko) | 산소수 제조 장치 및 그 방법 | |
JP2009144609A (ja) | 蒸気エゼクタ | |
JP5365825B2 (ja) | 流量制御空気駆動ポンプ | |
KR101490765B1 (ko) | 탁수 유입 급속 차단 밸브 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150807 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160726 Patent event code: PE09021S01D |
|
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20170112 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170124 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170124 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191217 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191217 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201207 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211215 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230116 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231113 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241112 Start annual number: 9 End annual number: 9 |