KR101689485B1 - 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법에 관한 것으로, 임의의 원자층 증착용 전구체 샘플을 선택하는 단계와, 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 실리콘 기판 상에 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 제 1 간격만큼 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 상기 실리콘 기판으로 제 2 간격만큼 근접 이동시키는 단계와, 상기 실리콘 기판의 표면에서 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 공전방식 및 자전방식으로 복수의 접합구조를 도출하는 단계와, 상기 도출된 복수의 접합구조 중에서 각 접합구조에 대해 상기 실리콘 기판과 상대적으로 가깝게 위치하거나 상대적으로 멀리 위치하는 접합구조를 제외시키는 단계와, DFT에 따라 상기 원자층 증착용 전구체 샘플의 잔여 접합구조에 대한 흡착에너지의 계산을 통해 중복 접합구조를 제외하는 단계와, 상기 흡착에너지의 계산 전후에 대한 각 샘플 중심 좌표를 비교하여 그 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위인지 판단하는 단계와, 상기 단계에서의 판단 결과, 상기 좌표거리의 절대값이 상기 기 설정된 거리 범위인 경우 최적 접합구조인 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 기판을 향해 이동시켜 정렬시킨 접합구조에 대한 흡착에너지를 계산하고, 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 원자층 증착용 전구체의 흡착에너지에 따라 최적 접합구조를 판단 및 선택할 수 있는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 최초의 상업용 트랜지스터가 개발된 이후로 반도체 산업은 무어의 법칙에 따라 IC(Integrated circuit)에 제작되는 소자수가 18개월마다 대략 2배씩 증가되어 왔고, 현재에는 한 개의 칩에 수억 개의 소자를 집적하는 수준까지 개발되었으며, 소자의 크기 또한 꾸준히 감소하여 2012년에는 10nm 수준의 기술이 개발되었다.
최근에는 게이트 산화막에서 발생하는 누설전류를 감소시키면서 채널을 잘 형성시키기 위해 유전율이 높은 하프늄 산화물과 지르코늄 산화물로 대체되었지만, 실리콘 산화물의 우수한 절연 효과로 인해 하프늄 실리콘 산화물(HfSiO), 하프늄 실리콘 질화 산화물(HfSiON), 지르코늄 실리콘 산화물(ZrSiO) 등의 물질이 게이트 산화물로 이용되고 있다.
이에 따라, 미세하고 정밀한 산화막 및 질화막의 중요성이 지속적으로 높아지고 있으며, 이를 위해 박막 증착 기술 또한 매우 중요한 요소로 연구 개발되고 있다.
현재 알려진 증착 기술 중에서 박막 두께를 가장 정밀하게 조절하여 미세한 두께의 박막을 형성할 수 있는 기술로서 원자층 증착(atomic layer deposition) 기술이 널리 사용되고 있는데, 원자층 증착법은 기존 증착 기술(예를 들면, PVD, CVD 등)과는 달리 박막 형성에 필요한 소스 기체를 한 번에 한 가지씩 증착시켜 원자층을 한 층씩 쌓아 박막을 성장시키는 기술로, 기판의 표면에서만 반응하고 같은 소스 기체 간 반응은 일어나지 않는 특징을 가지고 있다.
이러한 원자층 증착법을 이용한 실리콘 산화막 성장 연구는 사염화규소(SiCl4)와 물분자의 사용으로 시작되었고, 암모니아(NH3), 피리디늄(C5H5N) 등과 같은 촉매제의 사용, 육염화이규소(Si2Cl6), 오존(O3) 등에 대한 연구로 진행되어 왔으나, 박막의 질이 우수하지 않고, 낮은 증착율, 촉매제의 사용, 불순물 형성 등과 같은 다양한 문제점이 보고되고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 질소리간드(amino ligand)를 포함한 금속 유기 전구체들이 사용되고 있지만, 여전히 질소, 탄소 등과 같은 원자가 불순물을 형성하는 문제점이 제기되고 있다.
또한, 최근에 실리콘 기판뿐만 아니라 유리 기판, 유기물 기판 등을 이용한 반도체 소자가 제작되고 있는 상황에서 유리 기판의 특성 상 400℃ 이하, 유기물 기판의 경우 유기물이 용해되지 않는 100℃ 이하에서의 저온 증착 공정이 필요하기 때문에, 증착 특성이 우수하면서 저온에서도 증기압이 높고 열적으로 안정적인 전구체의 개발이 필요하며, 이를 위해 원자층 증착용 전구체에 대한 다양한 연구 개발이 진행되고 있다.
본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 기판을 향해 이동시켜 정렬시킨 접합구조에 대한 흡착에너지를 계산하고, 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 원자층 증착용 전구체의 흡착에너지에 따라 최적 접합구조를 판단 및 선택할 수 있는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘기판과 제 1 간격만큼 이격된 위치에 미리 배치한 후, 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘기판에 제 2 간격만큼 이격되도록 접근시키며, 공전방식 및 자전방식으로 회전하여 도출된 복수의 접합구조에 대해 DFT(Density Function Theory : 밀도범함수이론)에 따라 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 최적 접합구조를 갖는 원자층 증착용 전구체를 제공할 수 있는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 임의의 원자층 증착용 전구체 샘플을 선택하는 단계와, 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 실리콘 기판 상에 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 제 1 간격만큼 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 상기 실리콘 기판으로 제 2 간격만큼 근접 이동시키는 단계와, 상기 실리콘 기판의 표면에서 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 공전방식(revolution) 및 자전방식(rotation)으로 복수의 접합구조를 도출하는 단계와, 상기 도출된 복수의 접합구조 중에서 각 접합구조에 대해 상기 실리콘 기판과 상대적으로 가깝게 위치하거나 상대적으로 멀리 위치하는 접합구조를 제외시키는 단계와, DFT(Density Function Theory)에 따라 상기 원자층 증착용 전구체 샘플의 잔여 접합구조에 대한 흡착에너지의 계산을 통해 중복 접합구조를 제외하는 단계와, 상기 흡착에너지의 계산 전후에 대한 각 샘플 중심 좌표를 비교하여 그 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위인지 판단하는 단계와, 상기 단계에서의 판단 결과, 상기 좌표거리의 절대값이 상기 기 설정된 거리 범위인 경우 최적 접합구조인 것으로 판단하는 단계를 포함하는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법이 제공될 수 있다.
본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 기판을 향해 이동시켜 정렬시킨 접합구조에 대한 흡착에너지를 계산하고, 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 원자층 증착용 전구체의 흡착에너지에 따라 최적 접합구조를 판단 및 선택할 수 있다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 실콘기판과 제 1 간격만큼 이격된 위치에 미리 배치한 후, 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘기판에 제 2 간격만큼 이격되도록 접근시키며, 공전방식 및 자전방식으로 회전하여 도출된 복수의 접합구조에 대해 DFT에 따라 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 최적 접합구조를 갖는 원자층 증착용 전구체를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착용 전구체의 흡착성을 판단하는 과정을 나타낸 단계별 흐름도이고,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착용 전구체의 접합구조를 정렬하는 것을 설명하기 위한 도면이며,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전구체의 흡착에너지를 예시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착용 전구체의 접합구조를 정렬하는 것을 설명하기 위한 도면이며,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전구체의 흡착에너지를 예시한 도면이다.
본 발명의 실시예들에 대한 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 반도체 소자에 실리콘 산화막을 원자층 증착법으로 증착시키기 위해 사용되는 실리콘이 포함된 물질을 실리콘 전구체(precursor)라고 하는데, 실리콘 기판 표면에 실리콘 전구체 화학물질을 원자층 증착법으로 증착시켜 실리콘 원자층 위에 증착하고자 하는 박막을 한 층씩 성장시킬 수 있고, 이를 위한 실리콘 전구체를 개발하기 위해 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 전구체의 흡착성을 판단할 수 있다.
여기에서, 전구체가 실리콘 기판에 흡착되는 요인은 반데르발스(Van der Waals) 힘과 원자 간의 전기음성도 차이, 산소, 질소 등과 같은 특정 원자들의 고립전자쌍(lone pair electrons)과 관련이 있는데, 전구체의 흡착에너지가 실리콘 기판과 반응하는데 요구되는 활성화에너지보다 상대적으로 크고, 흡착에너지보다 상대적으로 낮으면서 증착 가능한 충분한 에너지가 공급될 경우 전구체는 실리콘 기판과 반응하여 증착될 수 있다.
반면에, 활상화 에너지가 흡착에너지보다 상대적으로 크면, 반응하는데 요구되는 에너지가 흡착에너지보다 상대적으로 크기 때문에, 실리콘 기판과 전구체의 반응 전에 탈착이 발생하게 되며, 이에 따라 화합물이 전구체 물질로 작용하기 위해서 실리콘 기판 표면에 흡착이 된 후 활성화에너지가 상대적으로 작아야만 한다.
상술한 바와 같은 상황에서, 본 발명에서는 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 원자층 증착용 전구체로 사용하기에 적합한 흡착성을 판단하기 위한 과정에 대해 이하에서 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착용 전구체의 흡착성을 판단하는 과정을 나타낸 단계별 흐름도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착용 전구체의 접합구조를 정렬하는 것을 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전구체의 흡착에너지를 예시한 도면이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 임의의 원자층 증착용 전구체 샘플을 선택한다(단계102).
여기에서, 실리콘 원자와 원자층 증착용 전구체 화합물을 구성하는 원자 간의 본드에너지가 상대적으로 작은 값을 가져야만 원자층 증착 특성을 향상시킬 수 있는데, 전구체 화합물의 설계 시에 전구체의 실리콘 원자와 전구체를 구성하는 다른 원소와의 본드에너지가 약한 부분을 고려할 수 있다.
또한, 전구체 화합물의 설계 시에 실리콘 표면에서 물리 흡착하면서 전구체 화합물 원자들의 본드에너지는 약해지게 되는데, 깨져야 할 원자 사이의 본드에너지는 다른 원자 사이의 본드에너지보다 상대적으로 더 약해지는 것이 바람직하다.
이에 따라, 선택된 원자층 증착용 전구체 샘플에서 본드에너지가 가장 약한 본드(이하, '제 1 본드'라 함)를 선정하고, 실리콘 기판 표면에서 깨질 본드(이하, '제 2 본드'라 함)를 선정할 수 있다.
그리고, 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 실리콘 기판 상에 원자층 증착용 전구체 샘플을 제 1 간격(예를 들면, 9-11 Å 등)만큼 이격시켜 미리 배치한다(단계104).
여기에서, 컴퓨터 시뮬레이션은 원자, 분자, 고체 등을 포함하는 다체(many-body) 슈레딩거 방정식(Schrodinger equation)을 컴퓨터를 이용하여 계산할 수 있는 코드를 내장하고 있으며, 이러한 코드를 이용하여 원자, 분자, 고체 등의 전기적, 자기적, 광학적 성질을 조사할 수 있는 프로그램을 의미한다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 원자의 전자 파동 함수는 PAW(projector augmented wave) 방법이 사용되었고, 교환 상관 에너지는 GGA(generalized gradient approximation)에 기초한 PBE(Perdew, Burke, Ernzerhof)에 의해 설명된 방법이 사용되었다.
아울러, 흡착에너지 계산을 위한 원자 포텐셜은 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램에 내장된 코드에 포함되어 있으며, 스미어링(smering)을 위해 가우시안(Gaussian) 법을 사용하였다.
상술한 바와 같은 컴퓨터 시뮬레이션 상태에서 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘 기판과 제 1 간격만큼 이격된 위치에 배치할 수 있다.
예를 들면, 도 2a에 도시한 바와 같이 반응 시 탈착되는 타겟 원자들을 갖는 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘 기판에서 제 1 간격만큼 이격시킨 위치에 배치할 수 있다.
여기에서, 사용되는 실리콘 기판은 수산화기 처리되어 있는데, 순수한 실리콘 표면을 이용하여 불산으로 표면 처리한 후, 산소플라즈마를 이용하여 수산화기 처리된 상태의 실리콘 표면을 얻을 수 있으며, 이러한 실리콘 기판의 표면은 상대적으로 좋은 화학반응성을 갖는 것으로 알려져 있다.
다음에, 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘 기판에 제 2 간격(예를 들면, 1 Å 등)만큼 근접 이동시킬 수 있다(단계106).
예를 들면, 도 2a에 도시한 바와 같이 선택된 원자층 증착용 전구체 샘플에서 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 원자층 증착용 전구체 샘플의 제 1 본드를 실리콘 기판에 있는 제 2 본드에서 1 Å만큼 위로 이격된 위치로 이동시키고, 샘플에 있는 나머지 원자들도 제 1 본드에 맞추어 이동시킬 수 있다.
다음에, 실리콘 기판 표면에서 원자층 증착용 전구체 샘플을 공전방식(revolution) 및 자전방식(rotation)으로 복수의 접합구조를 도출할 수 있다(단계108).
여기에서, 복수의 접합구조는 접합구조에 대한 원자들의 반발을 최소화하면서, 너무 밀접하게 위치하는 원자들을 갖지 않는 접합구조를 선택하고, 가장 안정적인 접합구조를 찾기 위해 도 2b에 도시한 바와 같이 공전방식 및 자전방식을 이용하여 복수의 접합구조를 도출할 수 있다.
예를 들면, 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘 기판의 표면에 있는 제 2본드를 중심으로 -90° 내지 +90° 범위에서 5°단위로 각각 공전시키면서 각 공전 위치에서 원자층 증착용 전구체 샘플을 360°범위에서 2°간격으로 제 1 본드 기준으로 자전시킴으로써, 원자층 증착용 전구체 샘플의 접합구조를 6480(36*180)개 도출할 수 있다.
그리고, 도출된 복수의 접합구조 중에서 각각의 접합구조에 대해 실리콘 기판과 상대적으로 가깝게 위치하는 접합구조를 제외시킬 수 있다(단계110).
여기에서, 각각의 접합구조의 각 원자간 간격을 도 2c에 도시한 바와 같은 원자간 간격에 따라 기 설정된 원자간 간격 테이블값(단위 : Å)과 비교하여 70% 이하의 원자간 간격을 가지는 접합구조는 제외시킬 수 있는데, 이는 원자간 간격이 너무 가까운 경우 그 접합구조가 매우 불안정하기 때문이며, 접합구조가 모두 제외되면 단계106에서 제 1 본드를 제 2 본드에서 0.5Å 더 떨어뜨린 후 단계108을 반복하여 재수행할 수 있다.
또한, 나머지 접합구조에 대해 각 원자간 간격에 따라 상대적으로 멀리 위치하는 접합구조를 제외시킬 수 있다(단계112).
여기에서, 나머지 접합구조에 대한 각 원자간 간격에 대해서 '(원자간 간격)2'의 합이 최소가 되는 일정 개수(대략 5개 등)의 접합구조를 선택(즉, 나머지 접합구조를 제외함)할 수 있는데, 이는 원자간 간격이 너무 먼 경우 그 접합구조가 안정적이지 않기 때문이다.
그리고, DFT에 따라 원자층 증착용 전구체 샘플의 잔여 접합구조에 대한 흡착에너지를 계산을 통해 중복 접합구조를 제외할 수 있다(단계114).
여기에서, DFT는 물질, 분자 내부에 전자가 들어있는 모양과 그 에너지를 양자 역학으로 계산하기 위한 이론의 하나로서, 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램에 코드화되어 내장되어 있으며, 잔여 접합구조에 따라 원자층 증착용 전구체 샘플의 흡착에너지를 계산할 수 있으며, 유사한 흡착에너지를 갖는 중복 접합구조를 제거할 수 있다.
이어서, 흡착에너지 계산 전의 원자층 증착용 전구체 샘플의 중심 좌표와 흡착에너지 계산 후의 원자층 증착용 전구체 샘플의 중심 좌표를 비교하고, 그 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위인지 판단한다(단계116).
여기에서, 원자층 증착용 전구체 샘플의 중심 좌표는 원자층 증착용 전구체 샘플의 본드 중심 좌표를 의미하며, 기 설정된 거리 범위는 0.1-0.5Å으로 설정될 수 있다.
상기 단계(116)에서의 판단 결과, 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위인 경우 해당 원자층 증착용 전구체 샘플의 최적 접합구조(접합좌표)로 판단할 수 있다(단계118).
한편, 상기 단계(116)에서의 판단 결과, 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위를 벗어나는 경우 도 2d에 도시한 바와 같이 추가적으로 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘 기판에서 추가간격만큼 이동(shift)시킨 후(단계120)에, 단계114 이후의 과정을 재수행할 수 있다.
여기에서, 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위 중 최소값과 0의 사이인 경우 원자층 증착용 전구체 샘플의 좌표는 최적의 좌표이거나 실리콘 표면으로부터 너무 멀리 떨어져 있어 움직임이 거의 없는 상태로서, 대략 0.3Å의 추가간격만큼 실리콘 기판을 향해 이동시켜 DFT를 이용한 흡착에너지 계산의 과정부터 다시 수행할 수 있다.
한편, 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위 중 최대값 이상인 경우 원자층 증착용 전구체 샘플의 좌표가 실리콘 기판 표면에 너무 가까워 원자층 증착용 전구체 샘플이 실리콘 기판 표면에서 튕겨 아주 멀어진 상태로서, 좌표거리/2인 추가간격만큼 실리콘 기판을 향해 이동시켜 DFT를 이용한 흡착에너지 계산의 과정부터 다시 수행할 수 있다.
상술한 바와 같은 과정을 통해 최적 접합구조 및 최적 접합좌표로 판단된 원자층 증착용 전구체 샘플에 대한 흡착에너지를 비교하여 최소가 되는 원자층 증착용 전구체 샘플을 원자층 증착용 전구체 샘플로서 선택할 수 있으며, 도 3에 도시한 바와 같이 두 개의 표면과 열 개의 전구체에 대한 흡착에너지를 계산할 수 있다.
따라서, 본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 기판을 향해 이동시켜 정렬시킨 접합구조에 대한 흡착에너지를 계산하고, 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 원자층 증착용 전구체의 흡착에너지에 따라 최적 접합구조를 판단 및 선택할 수 있다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘기판과 제 1 간격만큼 이격된 위치에 미리 배치한 후, 원자층 증착용 전구체 샘플을 실리콘기판에 제 2 간격만큼 이격되도록 접근시키며, 공전방식 및 자전방식으로 회전하여 도출된 복수의 접합구조에 대해 DFT에 따라 계산된 흡착에너지를 통해 최적 접합구조를 판단함으로써, 최적 접합구조를 갖는 원자층 증착용 전구체를 제공할 수 있다.
이상의 설명에서는 본 발명의 다양한 실시예들을 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 쉽게 알 수 있을 것이다.
Claims (6)
- 임의의 원자층 증착용 전구체 샘플을 선택하는 단계와,
컴퓨터 시뮬레이션을 통해 실리콘 기판 상에 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 제 1 간격만큼 이격시켜 배치하는 단계와,
상기 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 상기 실리콘 기판으로 제 2 간격만큼 근접 이동시키는 단계와,
상기 실리콘 기판의 표면에서 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 공전방식(revolution) 및 자전방식(rotation)으로 복수의 접합구조를 도출하는 단계와,
상기 도출된 복수의 접합구조 중에서 각 접합구조에 대해 상기 실리콘 기판과 상대적으로 가깝게 위치하거나 상대적으로 멀리 위치하는 접합구조를 제외시키는 단계와,
DFT(Density Function Theory)에 따라 상기 원자층 증착용 전구체 샘플의 잔여 접합구조에 대한 흡착에너지의 계산을 통해 중복 접합구조를 제외하는 단계와,
상기 흡착에너지의 계산 전후에 대한 각 샘플 중심 좌표를 비교하여 그 좌표거리의 절대값이 기 설정된 거리 범위인지 판단하는 단계와,
상기 기 설정된 거리 범위인지 판단하는 단계에서의 판단 결과, 상기 좌표거리의 절대값이 상기 기 설정된 거리 범위인 경우 최적 접합구조인 것으로 판단하는 단계
를 포함하는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 접합구조 판단 방법은,
상기 기 설정된 거리 범위인지 판단하는 단계에서의 판단 결과, 상기 좌표거리의 절대값이 상기 기 설정된 거리 범위를 벗어나는 경우 추가적으로 상기 원자층 증착용 전구체 샘플을 상기 실리콘 기판을 향해 추가간격만큼 이동시키는 단계와,
상기 DFT에 따른 상기 흡착에너지의 계산 이후의 과정을 재수행하는 단계
를 더 포함하는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 접합구조를 제외시키는 단계는, 상기 각 원자간 간격을 기 설정된 원자간 간격 테이블값과 비교하여 상대적으로 가깝게 위치하는 상기 접합구조를 제외시키는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 접합구조를 제외시키는 단계는, (원자간 간격)2의 합이 최소가 되는 일정 개수의 접합구조를 선택하는 방식으로 상대적으로 멀리 위치하는 상기 접합구조를 제외시키는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기 설정된 거리 범위는, 0.1-0.5Å으로 설정되는 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 간격은, 9-11 Å이고,
상기 제 2 간격은, 1 Å인 원자층 증착용 전구체의 접합구조 판단 방법.
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| KR20230049132A (ko) | 2021-09-07 | 2023-04-12 | 니혼 콜마 가부시키가이샤 | 나노 버블 화장료용 외용 조성물 |
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- 2015-12-29 KR KR1020150188535A patent/KR101689485B1/ko active IP Right Grant
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