KR101687209B1 - Led package and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

서미스터 내장형 엘이디 패키지가 개시된다. 본 발명의 서미스터 내장형 엘이디 패키지는, 리드 프레임; 리드 프레임에 마련되는 발광 소자; 및 리드 프레임에 마련되는 서미스터를 포함하고, 서미스터는 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되는 것을 특징으로 한다.A thermistor embedded LED package is disclosed. A thermistor-embedded LED package of the present invention includes: a lead frame; A light emitting element provided in the lead frame; And a thermistor provided on the lead frame, wherein the thermistor is provided on the inner ceiling portion of the lead frame.

Description

서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법{LED PACKAGE AND ITS MANUFACTURING METHOD}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a LED package and an ITS manufacturing method,

본 발명은, 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 간단한 제조 및 결합 방식으로 방열 된 발광 소자의 온도를 최근접 위치에서 정확하게 감지할 수 있는 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermistor-embedded LED package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a thermistor-embedded LED package and a manufacturing method thereof that can accurately detect the temperature of a light emitting device that has been heat- ≪ / RTI >

엘이디(LED)는 전류 인가에 의해 p-n 반도체 접합(p-n junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 반도체 발광 장치로서, 통상 엘이디 칩을 포함하는 패키지 구조로 제작되며, 그와 같은 구조의 발광장치는 흔히 '엘이디 패키지'라 한다.An LED (light emitting diode) is a semiconductor light emitting device in which electrons and holes meet at a pn junction due to the application of a current and emits light. The LED is usually fabricated in a package structure including an LED chip. It is often called the 'LED package'.

일반적으로 엘이디 패키지는 엘이디 칩으로부터 발생 된 소정 파장의 광만으로는 원하는 색의 광을 만들기 어렵다.Generally, it is difficult to produce light of a desired color by only light of a predetermined wavelength generated from an LED chip in an LED package.

이에 따라, 서로 다른 파장의 광을 혼합하여 원하는 색의 광, 특히, 백색광을 만드는 많은 기술이 제안된 바 있다. 그 중, 엘이디 칩을 밀봉하는 투광성의 밀봉부 내에 형광체가 포함되도록 하여, 그 형광체를 이용하여 광의 파장을 변환하는 기술이 많이 이용되고 있다.Accordingly, a number of techniques have been proposed for mixing lights of different wavelengths to produce light of a desired color, in particular, white light. Among them, a technique of including a phosphor in a light-transmissive sealing portion for sealing an LED chip and converting the wavelength of light by using the phosphor is widely used.

엘이디 칩을 밀봉하는 밀봉부는 형광체가 혼합된 수지를 이용하여 마련되며, 엘이디 칩이 실장 된 베이스(하우징, PCB, 세라믹 또는 금속 리드 프레임 등) 상에 형성된다. 이때, 형광체는 밀봉부 내에서 불규칙적으로 그리고 넓게 산재한다.The sealing portion for sealing the LED chip is formed using a resin mixed with a fluorescent material and is formed on a base (a housing, a PCB, a ceramic or a metal lead frame, etc.) on which an LED chip is mounted. At this time, the phosphor disperses irregularly and widely in the sealing portion.

따라서, 밀봉부 내에 산재하는 형광체는 엘이디 칩으로부터 나온 광을 파장 변환시키는데 있어서 낮은 효율을 나타낸다. 또한, 밀봉부 내의 형광체 양을 늘리면 광 파장의 변환 효율은 어느 정도 개선되지만 발광 효율이 저하될 수 있으며 경제적으로도 불리하다.Therefore, the phosphor dispersed in the sealing portion exhibits low efficiency in wavelength conversion of the light emitted from the LED chip. Further, if the amount of the phosphor in the sealing portion is increased, the conversion efficiency of the light wavelength is improved to some extent, but the light emitting efficiency may be lowered and economically disadvantageous.

한편 엘이디 예를 들어 조명용 엘이디는 공급되는 전력 중 반도체 내에서 전자와 정공의 결합을 제외한 대부분이 열로 소모된다. 이러한 발열에 의해 엘이디 p-n 접합부의 온도가 상승하면 전자와 정공의 결합에 의해 이를 빛으로 변환하는 발광 효율이 저하된다.On the other hand, among LEDs for illumination, for example, most of the supplied power is consumed in the semiconductor, except for the combination of electrons and holes in the semiconductor. When the temperature of the LED p-n junction rises due to such heat generation, the luminous efficiency of converting electrons and holes into light is lowered.

그에 따라 엘이디 칩의 온도는 더욱 증가 되어 에이디 소자의 수명은 이에 반비례하여 급격하게 감소한다. 엘이디 p-n 접합부에 영향을 끼치는 요인은 구동 전류, 열의 이동 경로, 외부 온도 등이다.As a result, the temperature of the LED chip is further increased, and the lifetime of the AD device is drastically reduced inversely. Factors affecting the LED p-n junction are the drive current, heat transfer path, and external temperature.

조명용 엘이디 구조에 있어 높은 온도를 발생시키는 p-n 접합부와 상대적으로 낮은 온도인 엘이디 패키지의 방열부 간에는 열 흐름 경로가 존재한다. 이러한 열 흐름을 가로 막는 저항 역할을 하는 것이 열 저항이고, 열 저항이 낮을수록 p-n 접합부에서 발생 된 열은 외부로 빨리 전달될 수 있다.There is a heat flow path between the p-n junction that generates a high temperature in the LED structure for illumination and the heat dissipation portion of the LED package that is relatively low in temperature. The heat resistance acting as a barrier to this heat flow is thermal resistance, and the lower the thermal resistance, the faster the heat generated at the p-n junction can be transmitted to the outside.

하지만 방열을 위해서는 엘이디 소자의 발열 정도 및 그 상태를 사전에 정확히 확인하여야 한다. 엘이디 패키지 상태에서 엘이디 p-n 접합부의 온도를 직접적으로 측정하는 것은 불가능하기에 대부분 엘이디 패키지의 외부 임의의 위치에 온도 센서를 설치한다.However, in order to dissipate heat, the degree of heat generation of the LED device and its state must be confirmed in advance. Since it is impossible to directly measure the temperature of the LED p-n junction in the LED package state, most temperature sensors are installed at an arbitrary position outside the LED package.

엘이디를 조명용으로 사용하기 위해 엘이디의 고출력을 이루기 위해서는 엘이디 칩의 대면적화가 요구된다. 이 경우 엘이디 칩을 구성하는 물질들 간의 열팽창 계수(thermal expansion coefficient) 차로 인해 스트레스(stress)는 더욱 커지게 된다.In order to use the LED as a light source, it is necessary to make the LED chip large in order to achieve high output of the LED. In this case, the stress is further increased due to the difference in the thermal expansion coefficient between the materials constituting the LED chip.

이는 조명용 고출력 엘이디에 있어서는 간과할 수 없는 매우 중요한 고려 요소이다.This is a very important factor that can not be ignored in high-power LEDs for illumination.

엘이디 소자의 온도 측정 정확도를 높이기 위해 선행기술인 한국등록특허공보 제10-0999760호(2010.12.02) "발광소자 패키지 및 그 제조방법"에는 온도 측정 소자가 발광 소자와 직접 접촉되며 금속층면 상면부에 마련되는 기술이 개시되어 있다.In order to improve the accuracy of temperature measurement of the LED device, Korean Patent Registration No. 10-0999760 (2010.12.02) "Light emitting device package and its manufacturing method ", which is a prior art, includes a temperature measuring device directly contacting the light emitting device, Is disclosed.

이 경우 온도 측정 소자가 발광 소자와 직접 접촉되어 발광 소자의 온도를 정확히 측정할 수 있지만, 발광 소자의 고열에 의해 온도 측정 소자의 내구성에 문제가 발생 될 수 있고, 온도 측정 소자의 수명이 단축될 수 있다.In this case, the temperature measuring element directly contacts the light emitting element to accurately measure the temperature of the light emitting element. However, due to the high temperature of the light emitting element, the durability of the temperature measuring element may be problematic, .

또한 발광 소자는 일반적으로 금속 재질의 전극('리드 프레임' 이라고도 함)에 접촉되어 방열이 되는 데, 온도 측정 소자로 인해 방열이 제한될 수 있다.In addition, the light emitting device generally comes in contact with a metal electrode (also referred to as a " lead frame ") to radiate heat, which may restrict heat radiation due to the temperature measuring device.

나아가 온도 측정 소자는 직접 발광 소자와 접촉되어 온도를 감지하므로 발광 소자의 방열 온도를 고려할 수 없는 단점이 있다.Further, since the temperature measuring element directly contacts the light emitting element to sense the temperature, the heat radiation temperature of the light emitting element can not be considered.

그리고 엘이디 소자의 온도 측정 정확도를 높이기 위한 선행기술이 한국등록특허공보 제10-1221492호(2013.01.07) "온도 조절용 써어미스터를 내장하는 LED 및 LED 조명 및 그 제조방법"에는 PTC 또는 NTC 써어미스터들이 젤(gel) 또는 크림(cream) 형태로 혼합물로 형성되어 세라믹 그린시트 또는 세라믹 기판에 마련된 기술이 개시되어 있다.A prior art for increasing the accuracy of temperature measurement of an LED device is disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1221492 (Apr. 31, 2013) entitled " LED and LED lighting with built-in temperature control thermistor and its manufacturing method " Are formed on a ceramic green sheet or a ceramic substrate by being formed into a mixture in the form of a gel or a cream.

하지만 전술한 선행기술은 써어미스터를 젤 또는 크림 형태의 혼합물로 형성하므로 써어미스터의 정확한 설치 위치를 세팅하기 어렵고, 젤 또는 크림 형태의 혼합물로 된 써어미스터를 제조하는 것이 복잡하고 어려운 단점이 있다.However, the prior art described above has a disadvantage in that it is difficult to set up the exact installation position of the surer because the surer is formed of a mixture of gel or cream, and it is complicated and difficult to manufacture a surmer made of a mixture of gel or cream.

특히 젤 또는 크림 형태의 혼합물로 된 써어미스터가 반도체 LED 칩의 고온에 의해 영향을 받아 파우더 형태를 유지할 수 있는지 여부 등에 대한 문제 해결도 남아 있다.Particularly, there remains a problem of whether a surmer made of a mixture of gel or cream type can be maintained in powder form due to the high temperature of the semiconductor LED chip.

한국등록특허공보 제10-0999760호(엘지이노텍 주식회사) 2010.12.02Korean Registered Patent No. 10-0999760 (LG Innotek Co., Ltd.) 2010.12.02 한국등록특허공보 제10-1221492호(주식회사 웨이브인) 2013.01.07Korean Patent Registration No. 10-1221492 (Wave in Co., Ltd.) 2013.01.07

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 간단한 제조 및 결합 방식으로 방열 된 발광 소자의 온도를 최근접 위치에서 정확하게 감지할 수 있는 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thermistor-embedded LED package and a method of manufacturing the same, which can accurately detect the temperature of a light emitting device that has been heat-dissipated in a simple manufacturing and bonding manner.

본 발명의 일 측면에 따르면, 리드 프레임; 상기 리드 프레임에 마련되는 발광 소자; 및 상기 리드 프레임에 마련되는 서미스터를 포함하고, 상기 서미스터는 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되는 것을 특징으로 하는 서미스터 내장형 엘이디 패키지가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lead frame comprising: a lead frame; A light emitting element provided in the lead frame; And a thermistor provided on the lead frame, wherein the thermistor is provided on an inner ceiling portion of the lead frame.

상기 서미스터는 상기 발광 소자가 배치되는 상기 리드 프레임의 영역에 마련될 수 있다.The thermistor may be provided in an area of the lead frame where the light emitting device is disposed.

상기 리드 프레임은, 양극 리드; 및 상기 양극 리드와 분리되어 서로 이격 배치되는 음극 리드를 포함할 수 있다.The lead frame includes a positive electrode lead; And a negative electrode lead which is separated from the positive electrode lead and is spaced apart from the negative electrode lead.

상기 서미스터는 상기 양극 리드의 내측 천장부 또는 상기 음극 리드의 내측 천장부에 마련될 수 있다.The thermistor may be provided on an inner ceiling portion of the cathode lead or an inner ceiling portion of the cathode lead.

상기 발광 소자는 레드(RED) 엘이디 칩, 블루(blue) 엘이디 칩 및 그린(green) 엘이디 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device may include at least one of a red LED chip, a blue LED chip, and a green LED chip.

상기 레드 엘이디 칩과 상기 블루 엘이디 칩은 서로 직렬로 연결되고, 상기 블루 엘이디 칩은 복수로 마련되되 서로 병렬로 연결될 수 있다.The red LED chip and the blue LED chip are connected in series, and the plurality of blue LED chips may be connected in parallel.

상기 서미스터는 상기 레드 엘이디 칩, 상기 블루 엘이디 칩 및 상기 그린 엘이디 칩 중 적어도 하나와 직렬로 연결될 수 있다.The thermistor may be connected in series with at least one of the red LED chip, the blue LED chip, and the green LED chip.

상기 서미스터는 상기 블루 엘이디 칩과 상기 레드 엘이디 칩의 사이에 배치되어 상기 블루 엘이디 칩으로부터 상기 레드 엘이디 칩으로 흐르는 전류를 제어할 수 있다.The thermistor may be disposed between the blue LED chip and the red LED chip to control a current flowing from the blue LED chip to the red LED chip.

상기 서미스터는 상기 레드 엘이디 칩, 상기 블루 엘이디 칩 및 상기 그린 엘이디 칩 중 적어도 하나와 병렬로 연결될 수 있다.The thermistor may be connected in parallel with at least one of the red LED chip, the blue LED chip, and the green LED chip.

상기 서미스터는 PTC(Positive Temperature Coefficient) 서미스터 또는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터일 수 있다.The thermistor may be a PTC (Positive Temperature Coefficient) thermistor or a NTC (Negative Temperature Coefficient) thermistor.

상기 리드 프레임에 마련되며 상기 발광 소자와 연결되어 상기 발광 소자를 정전기로부터 보호하는 정전기 방지소자를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an antistatic member provided on the lead frame and connected to the light emitting device to protect the light emitting device from static electricity.

상기 정전기 방지소자는 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련될 수 있다.The antistatic element may be provided on an inner ceiling portion of the lead frame.

상기 서미스터는 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 본딩(bonding) 결합 될 수 있다.The thermistor may be bonded to the inner ceiling of the lead frame.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 양극 리드와 음극 리드로 서로 분리되어 이루어진 리드 프레임의 내측 천장부에 서미스터를 결합하는 단계; 및 상기 리드 프레임의 상면부에 리플렉터(reflector)를 마련하는 단계를 포함하고, 상기 서미스터는 본딩(bonding) 결합 되는 것을 특징으로 하는 엘이디 패키지의 제조방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: coupling a thermistor to an inner ceiling portion of a lead frame separated from a cathode lead and a cathode lead; And providing a reflector on a top surface of the lead frame, wherein the thermistor is bonded to the lead frame.

본 발명의 실시예들은, 서미스터를 리드 프레임의 내측 천장부에 마련하여 발광 소자의 고열로부터 서미스터를 보호하여 내구성을 확보함과 아울러 리드 프레임을 통해 방열 된 발광 소자의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.Embodiments of the present invention can provide a thermistor in the inner ceiling portion of the lead frame to protect the thermistor from the high temperature of the light emitting element to ensure durability and accurately measure the temperature of the light emitting element that has been released through the lead frame.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 2의 개략적인 저면도이다.
도 5는 도 2의 개략적인 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 개략적인 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 개략적인 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 도 10의 개략적인 평면도이다.
도 12는 도 10의 개략적인 저면도이다.
도 13은 도 10의 개략적인 회로도이다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 15는 도 14의 개략적인 회로도이다.
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 17은 도 16의 개략적인 회로도이다.
도 18은 본 발명의 제8 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 19는 도 18의 개략적인 평면도이다.
도 20은 도 18의 개략적인 저면도이다.
도 21은 도 18의 개략적인 회로도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a second embodiment of the present invention.
Figure 3 is a schematic plan view of Figure 2;
Figure 4 is a schematic bottom view of Figure 2;
Fig. 5 is a schematic circuit diagram of Fig. 2. Fig.
6 is a plan view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to a third embodiment of the present invention.
Fig. 7 is a schematic circuit diagram of Fig. 6. Fig.
8 is a plan view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a schematic circuit diagram of Fig.
10 is a cross-sectional view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a fifth embodiment of the present invention.
Figure 11 is a schematic plan view of Figure 10;
Figure 12 is a schematic bottom view of Figure 10;
13 is a schematic circuit diagram of Fig.
FIG. 14 is a plan view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a sixth embodiment of the present invention.
15 is a schematic circuit diagram of Fig.
16 is a plan view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to a seventh embodiment of the present invention.
Fig. 17 is a schematic circuit diagram of Fig. 16. Fig.
18 is a cross-sectional view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a schematic plan view of FIG. 18. FIG.
Figure 20 is a schematic bottom view of Figure 18;
Fig. 21 is a schematic circuit diagram of Fig.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a first embodiment of the present invention.

이 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(1)는, 리드 프레임(10)과, 리드 프레임(10)에 마련되는 발광 소자(20)와, 리드 프레임(10)에 마련되는 서미스터(30)와, 리드 프레임(10)에 마련되어 정전기로부터 발광 소자(20)를 보호하는 정전기 방지소자(40)와, 리드 프레임(10)의 상면부에 마련되는 리플렉터(50)와, 리플렉터(50)에 의해 마련된 공간부를 충진하는 몰딩재(60)를 구비한다.As shown in this figure, the thermistor-embedded LED package 1 according to the present embodiment includes a lead frame 10, a light emitting element 20 provided in the lead frame 10, An antistatic element 40 provided on the lead frame 10 to protect the light emitting element 20 from static electricity, a reflector 50 provided on the top surface of the lead frame 10, And a molding material (60) filling the space provided by the reflector (50).

리드 프레임(10)은, 전기적인 입출력 단자의 역할을 함과 아울러 열 방출의 통로로 이용되는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(PB)를 둘러싸도록 마련될 수 있다.The lead frame 10 serves as an electrical input / output terminal and is used as a path for heat dissipation. The lead frame 10 may be provided to surround the package body PB, as shown in FIG.

본 실시 예에서 리드 프레임(10)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 양극 리드(11)와 음극 리드(12)로 마련될 수 있고, 양극 리드(11)와 음극 리드(12)는 서로 분리되어 패키지 몸체(PB)에 결합될 수 있다.1, the lead frame 10 may be provided with a positive electrode lead 11 and a negative electrode lead 12, and the positive electrode lead 11 and the negative electrode lead 12 may be separated from each other And can be coupled to the package body PB.

또한 본 실시 예에서 리드 프레임(10)의 상면부, 예를 들어 양극 리드(11)의 상면부에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)가 마련될 수 있다. 그리고 본 실시 예에서 발광 소자(20)는 음극 리드(12)의 상면부에도 마련될 수 있다.1, the light emitting device 20 may be provided on the upper surface portion of the lead frame 10, for example, the upper surface portion of the positive electrode lead 11 in this embodiment. In this embodiment, the light emitting device 20 may be provided on the upper surface of the anode lead 12. [

나아가 본 실시 예에서 양극 리드(11)와 음극 리드(12)는 각각 복수로 마련될 수 있고, 패키지 몸체(PB)에 일측부가 벤딩 되어 고정될 수 있다.Further, in the present embodiment, the positive electrode lead 11 and the negative electrode lead 12 may be provided in plural, respectively, and one side portion may be bent and fixed to the package body PB.

그리고 본 실시 예에서 리드 프레임(10)은 Cu 재질로 제작될 수 있다.In this embodiment, the lead frame 10 may be made of a Cu material.

발광 소자(20)는, 리드 프레임(10)의 상면부에 마련되고, 리드 프레임(10)과 전선 와이어(W)로 연결되어 공급되는 전원에 의해 발광 되어 빛을 방출한다.The light emitting device 20 is provided on the top surface of the lead frame 10 and is connected to the lead frame 10 and the wire W so as to emit light by being supplied with power.

본 실시 예에서 발광 소자(20)는 다색 엘이디(LED) 칩, 예를 들어 400 내지 480nm의 파장을 갖는 블루(blue) 엘이디 칩, 600 내지 700nm의 파장을 갖는 레드(red) 엘이디 칩, 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22) 사이의 파장을 갖는 그린(green) 엘이디 칩을 포함할 수 있다.In this embodiment, the light emitting device 20 is a multicolor LED chip, for example, a blue LED chip having a wavelength of 400 to 480 nm, a red LED chip having a wavelength of 600 to 700 nm, And a green LED chip having a wavelength between the chip 21 and the red LED chip 22.

또한 본 실시 예에서 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)은 복수로 마련될 수 있고, 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)은 서로 직렬로 연결될 수 있다. 나아가 복수로 마련되는 레드 엘이디 칩(22)은 서로 병렬로 연결될 수 있다.In this embodiment, a plurality of blue LED chips 21 and red LED chips 22 may be provided, and a blue LED chip 21 and a red LED chip 22 may be connected in series. Further, the plurality of red LED chips 22 may be connected to each other in parallel.

그리고 본 실시 예에서 발광 소자(20)는 양극 리드(11) 또는 음극 리드(12)의 상면부에 도전성 에폭시에 의해 다이 본딩(die bonding) 방법으로 실장 될 수 있다.In this embodiment, the light emitting device 20 may be mounted on the upper surface of the cathode lead 11 or the anode lead 12 by a die bonding method using a conductive epoxy.

특히 블루 엘이디 칩(21)과 복수의 레드 엘이디 칩(22)을 조합하여 화이트(white) 색상을 내는 경우 레드 엘이디 칩(22)의 열화에 의해 색 컬러가 변화될 수 있으나, 이는 서미스터(30)를 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)의 사이에 마련하여 방지할 수 있다. 이에 대해서는 후술하는 실시예에서 상세히 설명한다.In particular, when the blue LED chip 21 and the plurality of red LED chips 22 are combined to produce a white color, the color of the red LED chip 22 may be changed by the deterioration of the red LED chip 22, Can be prevented between the blue LED chip 21 and the red LED chip 22 to prevent it. This will be described in detail in the following embodiments.

서미스터(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 마련되어 발광 소자(20)의 온도를 감지하는 기능을 하며, 별도로 마련되는 회로를 통해 발광 소자(20)에 흐르는 전류를 제어하거나 냉각 장치 가동의 신호로 이용될 수 있다.1, the thermistor 30 is provided on the inner ceiling portion of the lead frame 10 to sense the temperature of the light emitting device 20 and is connected to the light emitting device 20 through a separate circuit It can be used as a signal to control the flowing current or to operate the cooling device.

본 실시 예는 서미스터(30)를 발광 소자(20)와 최근접 위치에 마련하되 발광 소자(20)의 고열에 의한 내구성을 고려하고, 제작이나 결합의 용이성을 위해 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 마련한다.The present embodiment is characterized in that the thermistor 30 is provided at a nearest position to the light emitting element 20 so that the durability due to the high temperature of the light emitting element 20 is taken into consideration, .

즉 발명의 배경이 되는 기술에서 전술한 바와 같이 발광 소자(20)와 직접 접촉되게 서미스터(30)를 마련하면 발광 소자(20)의 온도를 정확히 측정할 수 있지만, 발광 소자(20)의 고열에 의해 온도 측정 소자의 내구성에 문제가 발생 될 수 있고, 온도 측정 소자의 수명이 단축될 수 있다.The temperature of the light emitting device 20 can be accurately measured by providing the thermistor 30 so as to be in direct contact with the light emitting device 20 as described above, A problem may arise in the durability of the temperature measuring element, and the lifetime of the temperature measuring element may be shortened.

또한 발광 소자(20)는 일반적으로 금속 재질의 전극('리드 프레임' 이라고도 함)에 접촉되어 방열이 되는 데, 온도 측정 소자로 인해 방열이 제한될 수 있다.In addition, the light emitting device 20 is generally in contact with a metal electrode (also referred to as a 'lead frame') to radiate heat, which may restrict heat radiation due to the temperature measuring device.

나아가 온도 측정 소자는 직접 발광 소자(20)와 접촉되어 온도를 감지하므로 발광 소자(20)의 방열 온도를 고려할 수 없는 단점이 있다.Further, since the temperature measuring element is in contact with the direct light emitting element 20 to sense the temperature, there is a disadvantage that the heat radiation temperature of the light emitting element 20 can not be considered.

그리고 서미스터(30)를 젤 또는 크림 형태의 혼합물로 형성하면 서미스터(30)의 정확한 설치 위치를 세팅하기 어렵고, 젤 또는 크림 형태의 혼합물로 된 서미스터(30)를 제조하는 것이 복잡하고 어려운 단점이 있다.If the thermistor 30 is formed of a mixture of gel or cream, it is difficult to set the precise mounting position of the thermistor 30, and it is complicated and difficult to manufacture the thermistor 30 made of a gel or cream type mixture .

하지만 본 실시 예와 같이 서미스터(30)를 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 마련하면 발광 소자(20)의 고열에 의한 영향을 줄이면서 발광 소자(20)와 최근접의 위치에 서미스터(30)를 배치할 수 있다.However, by providing the thermistor 30 on the inner ceiling portion of the lead frame 10 as in the present embodiment, the thermistor 30 can be prevented from being affected by the high temperature of the light emitting element 20, Can be disposed.

또한 본 실시 예에서 서미스터(30)는 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 도전성 에폭시(epoxy)를 적용하여 본딩(bonding) 결합 방식으로 결합 되므로 결합 작업을 간단하고 신속하게 할 수 있다.In this embodiment, since the thermistor 30 is bonded to the inner ceiling portion of the lead frame 10 by applying a conductive epoxy, the thermistor 30 can be coupled with the lead frame 10 in a simple and quick manner.

본 실시 예에서 서미스터(30)는 다른 실시예에서 자세히 설명하겠지만 발광 소자(20)와 직렬로 연결되어 발광 소자(20)로 흐르는 전류의 양을 제어하여 발광 소자(20)의 온도가 오르면서 저하되는 광량을 증가시킬 수 있다The thermistor 30 may be connected in series with the light emitting device 20 to control the amount of current flowing to the light emitting device 20 to decrease the temperature of the light emitting device 20 It is possible to increase the amount of light

또한 본 실시 예에서 서미스터(30)는 발광 소자(20)와 개별적으로 연결되어 별도 회로, 예를 들어 온도 보상 회로 또는 냉각 회로로 이용될 수 있다.In this embodiment, the thermistor 30 may be separately connected to the light emitting element 20 and used as a separate circuit, for example, a temperature compensation circuit or a cooling circuit.

그리고 본 실시 예에서 서미스터(30)는, 발광 소자(20)의 온도가 상승 되면 저항이 증가 되어 레드 엘이디 칩(22)으로 흐르는 전류의 양을 감소시키는 PTC(Positive Temperature Coefficient) 서미스터일 수 있다.In this embodiment, the thermistor 30 may be a positive temperature coefficient (PTC) thermistor that increases the resistance when the temperature of the light emitting device 20 rises to reduce the amount of current flowing to the red LED chip 22. [

또한 본 실시 예에서 서미스터(30)는 발광 소자(20)의 온도가 상승 되면 저항이 감소 되어 레드 엘이디 칩(22)으로 흐르는 전류의 양을 증가시키는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터일 수 있다.In this embodiment, the thermistor 30 may be a negative temperature coefficient (NTC) thermistor that increases the amount of current flowing to the red LED chip 22 when the temperature of the light emitting device 20 rises.

덧붙여 본 실시 예에서 서미스터(30)는 리드 프레임(10)의 상면부에 마련될 수도 있으나, 이는 발광 소자(20)의 광 추출을 저해시키는 요인으로 작용하므로 바람직하지 않을 수 있다.In the present embodiment, the thermistor 30 may be provided on the upper surface of the lead frame 10, but this may be undesirable because it acts as a factor that hinders the light extraction of the light emitting element 20.

정전기 방지소자(40)는, 리드 프레임(10)에 마련되어 정전기로 인해 발광 소자(20) 방향으로 역방향의 전류가 인가되어도 정전기 방지소자(40)를 통해 전류를 바이 패스(by-pass) 시켜 발광 소자(20)가 정전기 방전 충격으로 인해 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.The antistatic element 40 is provided in the lead frame 10 and is capable of emitting current by bypassing the current through the antistatic element 40 even if a reverse current is applied in the direction of the light emitting element 20 due to static electricity. And serves to prevent the element 20 from being damaged due to the electrostatic discharge impact.

본 실시 예에서 정전기 방지소자(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(10)의 음극 리드(12) 상면부에 마련될 수 있고, 발광 소자(20)와 병렬로 연결될 수 있다.The antistatic element 40 in this embodiment may be provided on the upper surface of the negative electrode lead 12 of the lead frame 10 and may be connected in parallel with the light emitting element 20 as shown in Fig. .

그리고 본 실시 예에서 정전기 방지소자(40)는 정전압 다이오드 또는 반도체 저항소자(varistor)로 마련될 수 있다.In this embodiment, the antistatic element 40 may be a constant voltage diode or a semiconductor resistor.

리플렉터(50)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(10)의 상면부에 마련되어 하우징(housing)의 역할을 하며, 발광 소자(20)의 측면으로 방출되는 광을 상부측으로 전환시키는 역할을 한다.1, the reflector 50 is provided on the top surface of the lead frame 10 to serve as a housing and serves to convert the light emitted to the side of the light emitting device 20 to the upper side .

본 실시 예에서 리플렉터(50)는 발광 소자(20)를 둘러싸도록 마련될 수 있고, 리플렉터(50)에 의해 마련된 공간부에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)가 배치된다.In the present embodiment, the reflector 50 may be provided so as to surround the light emitting element 20, and the light emitting element 20 is disposed in the space portion provided by the reflector 50, as shown in Fig.

그리고 본 실시 예에서 리플렉터(50)는 리드 프레임(10)의 상면부에 수지(resin)를 사용하여 사출 성형(injection molding) 방식으로 마련될 수 있다. 본 실시 예에서 리플렉터(50)는 PCT(polycyclohexanedimethylene terephthalate) 또는 PPA(Polyphethal Amide) 수지 중 어느 하나의 재질로 제작될 수 있다.In the present embodiment, the reflector 50 may be provided on the upper surface of the lead frame 10 by injection molding using resin. In the present embodiment, the reflector 50 may be made of any one of polycarbonate (PCT) resin and polyphenylene amide (PPA) resin.

또한 본 실시 예에서 리플렉터(50)의 내부는 발광 소자(20)를 보호하기 위해 투명 몰딩되거나 광의 색상을 변환시키는 물질이 포함되어 몰딩 될 수 있다.Also, in this embodiment, the inside of the reflector 50 may be transparent molded to protect the light emitting element 20 or may be molded with a material that changes the color of light.

한편 본 실시 예에서 리플렉터(50)는 Al, Au 등과 같은 고반사성 금속, 석영 재료 등으로 마련되는 미러형 리플렉터 일 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the reflector 50 may be a mirror-type reflector provided with a highly reflective metal such as Al, Au, or the like, or a quartz material.

본 실시 예에서 리플렉터(50)는 미러형 리플렉터를 대신하여 반사 프리즘 리플렉터가 이용될 수도 있고, 미러형 리플렉터와 반사 프리즘 리프렉터 각각이 갖는 특유의 반사 특성을 모두 이용하도록 미러형 리플렉터와 반사 프리즘 리플렉터를 혼용할 수도 있다.In the present embodiment, the reflector 50 may be replaced by a reflective prism reflector in place of the mirror-type reflector, or may be a mirror-type reflector and a reflective prism reflector so as to utilize the unique reflective characteristics of the mirror- .

몰딩재(60)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 리플렉터(50)에 의해 마련된 공간부에 채워져 발광 소자(20)로부터 방출되는 빛의 파장을 변환하여 백색 광원은 비롯한 여러 종류의 빛을 발산시키는 역할을 한다.1, the molding material 60 is filled in a space provided by the reflector 50 to convert the wavelength of light emitted from the light emitting device 20 to emit various kinds of light including a white light source .

본 실시 예에서 몰딩재(60)는 형광체가 함유된 에폭시 또는 실리콘 젤을 사용할 수 있고, 리플렉터(50)에 의해 마련된 공간부에 충진 될 수 있다.In this embodiment, the molding material 60 may be epoxy or silicone gel containing a phosphor, and may be filled in a space provided by the reflector 50. [

본 실시 예에서 몰딩재(60)는 구현하려는 발광 소자(20)의 색상에 따라 투명 재료나 형광체가 포함되어 있는 투광성 수지로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the molding material 60 may be made of a transparent resin containing a transparent material or a fluorescent material depending on the color of the light emitting device 20 to be implemented.

이하에서 본 실시 예의 제조 방법을 간략히 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of this embodiment will be briefly described.

먼저 리드 프레임(10)을 스탬핑(stamping) 하여 제작하고, 제작된 리드 프레임(10)을 도금하는 단계가 이루어진다. 이때 리드 프레임(10)은 양극 리드(11)와 음극 리드(12)로 각각 제작될 수 있다.First, a step of stamping the lead frame 10 and plating the manufactured lead frame 10 is performed. At this time, the lead frame 10 may be made of the positive electrode lead 11 and the negative electrode lead 12, respectively.

다음으로 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 서미스터(30)를 본딩(bonding) 하는 단계가 이루어진다. 본 실시 예에서 서미스터(30)는 도전성 에폭시를 이용하여 리드 프레임(10)에 부착될 수 있다.Next, a step of bonding the thermistor 30 to the inner ceiling portion of the lead frame 10 is performed. In this embodiment, the thermistor 30 can be attached to the lead frame 10 using conductive epoxy.

그 다음으로 리드 프레임(10)에 리플렉터(50)를 마련하는 단계가 이루어질 수 있다. 본 실시 예에서 리플렉터(50)는 리드 프레임(10)의 상면부에 PPA 수지 또는 PCT 수지를 포함하는 사출 수지를 이용하여 사출 성형 방식으로 마련될 수 있다.Next, a step of providing the reflector 50 to the lead frame 10 may be performed. In the present embodiment, the reflector 50 may be provided on the upper surface of the lead frame 10 by injection molding using an injection resin containing PPA resin or PCT resin.

이어서 리드 프레임(10)을 커팅 및 벤딩 하는 단계가 이루어질 수 있다. 이 단계는 리드 프레임(10)의 불필요한 부분을 따내고 단자를 구성하는 단계로, 리드 프레임(10)이 결합 되는 패키지 몸체(PB, 도 1 참조)의 형상을 고려하여 커팅 또는 벤딩 될 수 있다.Then, a step of cutting and bending the lead frame 10 can be performed. This step is a step of picking up an unnecessary portion of the lead frame 10 and constituting a terminal and can be cut or bent in consideration of the shape of the package body PB (see Fig. 1) to which the lead frame 10 is coupled.

본 실시 예에서 서미스터(30)가 결합 된 리드 프레임(10)의 단부는, 도 1에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(PB)의 저면부로 벤딩 될 수 있다.The end portion of the lead frame 10 to which the thermistor 30 is coupled in this embodiment can be bent to the bottom portion of the package body PB as shown in Fig.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 2의 개략적인 저면도이고, 도 5는 도 2의 개략적인 회로도이다.2 is a schematic plan view of FIG. 2, FIG. 4 is a schematic bottom view of FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the LED package according to the second embodiment of the present invention. 2 is a schematic circuit diagram.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(100)는 발광 소자(20)를 정전기로부터 보호하는 정전기 방지소자(40)를 리드 프레임(10)의 상면부가 아닌 리드 프레임(10)의 내측 천장부에 마련한 점에서 차이점이 있다.The thermistor-embedded LED package 100 according to the present embodiment is characterized in that an antistatic element 40 for protecting the light emitting element 20 from static electricity is provided on the inner ceiling portion of the lead frame 10, not on the upper surface of the lead frame 10 .

이 경우 정전기 방지소자(40)가 몰딩재(60)의 내부에서 발광 소자(20)에서 방출되는 빛을 간섭하지 않으므로 발광 소자(20)의 광 효율이 저하되지 않는 이점이 있다.In this case, since the antistatic element 40 does not interfere with the light emitted from the light emitting element 20 in the molding material 60, the light efficiency of the light emitting element 20 is not lowered.

그리고 본 실시 예는 서미스터(30)가 엘이디 회로에 직접 연결되어 발광 소자(20)로 흐르는 전류의 양을 제어하여 발광 소자(20)로부터 방출되는 빛의 세기를 제어할 수도 있고, 이는 전술한 제1 실시예에도 그대로 적용될 수 있다.In this embodiment, the thermistor 30 is directly connected to the LED circuit to control the intensity of light emitted from the light emitting device 20 by controlling the amount of current flowing to the light emitting device 20, 1 embodiment.

본 실시 예는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 총 6개의 리드로 마련되되 이 중 양극 리드(11)와 음극 리드(12)는 각각 하나씩 마련될 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the present embodiment is provided with a total of six leads, and one of the positive electrode lead 11 and the negative electrode lead 12 may be provided.

또한 양극 리드(11)를 통해 유입되는 전류는, 도 5에 도시된 바와 같이, 서미스터(30)와, 발광 소자(20)를 거친 후 도 3 및 도 4에 도시된 음극 리드(12)를 통해 흐를 수 있다.The current flowing through the positive electrode lead 11 passes through the thermistor 30 and the light emitting element 20 and then through the negative electrode lead 12 shown in Figures 3 and 4, Can flow.

즉 본 실시 예에서 서미스터(30)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 일측부는 양극 리드(11)에 연결되고, 타측부는 양극 리드(11)와 동일 선상에 있는 여분 리드(ST)와 연결될 수 있다. 이 여분 리드(ST)의 상면부에는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)가 마련될 수 있다. 본 실시 예에서 발광 소자(20)는 00 내지 480nm의 파장을 갖는 블루(blue) 엘이디 칩, 600 내지 700nm의 파장을 갖는 레드(red) 엘이디 칩, 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22) 사이의 파장을 갖는 그린(green) 엘이디 칩을 포함할 수 있다.3, one side of the thermistor 30 is connected to the positive electrode lead 11 and the other side of the thermistor 30 is connected to the extra lead ST on the same line as the positive electrode lead 11 . A light emitting device 20 may be provided on the upper surface of the redundant lead ST, as shown in FIGS. In this embodiment, the light emitting device 20 includes a blue LED chip having a wavelength of 00 to 480 nm, a red LED chip having a wavelength of 600 to 700 nm, a blue LED chip 21 and a red LED chip 22 ). ≪ / RTI >

본 실시 예에서 서미스터(30)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)와 직렬 연결되며, 서미스터(30)의 저항은 발광 소자(20)에 의해 온도가 상승 되는 리드 프레임(10)의 온도에 종속적이고, 발광 소자(20)의 동작 온도에 종속되어 발광 소자(20)로 흐르는 전류를 제어하도록 동작 될 수 있다.5, the resistance of the thermistor 30 is connected to the lead frame 10 whose temperature is raised by the light emitting element 20, and the resistance of the thermistor 30 is connected in series with the light emitting element 20. In the present embodiment, the thermistor 30 is connected in series with the light emitting element 20, , And may be operated to control the current flowing to the light emitting element 20 depending on the operating temperature of the light emitting element 20. [

구체적으로 본 실시 예에서 서미스터(30)는 발광 소자(20)의 온도가 상승 되면 저항이 증가 되어 발광 소자(20)로 흐르는 전류의 양을 감소시키는 PTC 서미스터일 수 있고, 발광 소자(20)의 온도가 상승 되면 저항이 감소 되어 발광 소자(20)로 흐르는 전류의 양을 증가시키는 NTC 서미스터일 수 있다.Specifically, in this embodiment, the thermistor 30 may be a PTC thermistor that increases the resistance when the temperature of the light emitting device 20 rises and reduces the amount of current flowing to the light emitting device 20, The resistance may be decreased to increase the amount of current flowing to the light emitting element 20 when the temperature rises.

그리고 본 실시 예에서 정전기 방지소자(40)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)와 병렬로 연결될 수 있다.In this embodiment, the antistatic device 40 may be connected in parallel with the light emitting device 20, as shown in FIG.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 개략적인 회로도이다.FIG. 6 is a plan view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic circuit diagram of FIG.

본 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(200)는, 도 6 및 7에 도시된 바와 같이, 발광 소자(20)로 하나의 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)을 채택하고, 블루 엘이디 칩(21)을 레드 엘이디 칩(22)과 연결하지 않고, 레드 엘이디 칩(22)의 전방에 서미스터(30)를 배치한 점에서 전술한 실시예와 차이점이 있다.As shown in FIGS. 6 and 7, the thermistor-embedded LED package 200 according to the present embodiment employs one blue LED chip 21 and a red LED chip 22 as the light emitting device 20, There is a difference from the previous embodiment in that the LED chip 21 is not connected to the red LED chip 22 and the thermistor 30 is disposed in front of the red LED chip 22. [

이는 고연색성 및 고휘도 온백색(warm white) 엘이디 구현을 위해 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22) 조합의 구성 시 레드 엘이디 칩(22)의 온도에 따른 급격한 컬러 변화를 방지하기 위해서다.This is to prevent a sudden color change due to the temperature of the red LED chip 22 in the construction of the combination of the blue LED chip 21 and the red LED chip 22 for realizing a high color rendering property and a high brightness warm white LED.

구체적으로 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)의 동작 온도에 따른 방출 세기에서의 변화는 서로 다르다. 일반적으로 레드 엘이디 칩(22)의 방출 세기는 동작 온도가 증가함에 따라 블루 엘이디 칩(21)보다 감소 된다.Specifically, changes in emission intensity depending on the operating temperatures of the blue LED chip 21 and the red LED chip 22 are different from each other. Generally, the emission intensity of the red LED chip 22 is reduced as compared with the blue LED chip 21 as the operating temperature increases.

예를 들어 발광 소자(20)의 동작 온도 범위가 25 내지 75℃ 범위에서 GaN계 블루 엘이디 칩의 방출 세기는 약 5% 감소 될 수 있는 반면, AlGaInP계 레드 엘이디 칩의 방출 세기는 약 40%만큼 감소 될 수 있다.For example, the emission intensity of the GaN blue LED chip can be reduced by about 5% in the operating temperature range of the light emitting device 20 in the range of 25 to 75 캜, while the emission intensity of the AlGaInP red LED chip is about 40% Can be reduced.

따라서 발광 소자(20)의 온도가 상승 될수록 레드 엘이디 칩(22)에서 방출되는 레드 광의 상대적 비율 감소가 CRI(Color Rendering Index) 지수(조명 빛이 자연 태양광 아래에서 보여지는 본래 색감을 얼마나 비슷하게 나타내는 지에 대한 수치를 말한다)를 낮춰 광 효율을 감소시킬 수 있다.Therefore, as the temperature of the light emitting device 20 increases, the relative ratio of the red light emitted from the red LED chip 22 decreases due to the CRI (Color Rendering Index) index (how much the illuminating light shows the original color shown under natural sunlight) The light efficiency can be reduced.

하지만 본 실시 예는, 도 7에 도시된 바와 같이, 레드 엘이디 칩(22)의 전방에 서미스터(30), 즉 NTC 서미스터를 마련하여 발광 소자(20)에 의해 온도가 상승 되어도 레드 엘이디 칩(22)으로 흐르는 전류의 양을 증가시킬 수 있다.7, the thermistor 30, that is, the NTC thermistor is provided in front of the red LED chip 22, so that even if the temperature is raised by the light emitting device 20, the red LED chip 22 Can be increased.

그 결과 레드 엘이디 칩(22)으로 흐르는 전류의 양이 증가 되어 레드 엘이디 칩(22)에서 방출되는 빛의 세기를 증가시킬 수 있으므로 레드 엘이디 칩(22)의 온도에 따른 급격한 컬러 변화를 방지할 수 있다.As a result, the amount of current flowing to the red LED chip 22 can be increased to increase the intensity of light emitted from the red LED chip 22, so that rapid color change due to the temperature of the red LED chip 22 can be prevented have.

한편 본 실시 예에서 도 6에 도시된 한 쌍의 양극 리드(11) 중 어느 하나의 양극 리드(11)로 유입되는 전류는 블루 엘이디 칩(21)을 통과한 후 음극 리드(12)로 흐른다. 또한 나머지 하나의 양극 리드(11)로 유입되는 전류는 서미스터(30), 레드 엘이디 칩(22)을 순차적으로 통과한 후 음극 리드(12)로 흐른다.On the other hand, in the present embodiment, the current flowing into the positive electrode lead 11 of one of the pair of positive electrode leads 11 shown in FIG. 6 flows to the negative electrode lead 12 after passing through the blue LED chip 21. The current flowing into the remaining one positive electrode lead 11 sequentially flows through the thermistor 30 and the red LED chip 22 and then flows to the negative electrode lead 12. [

그리고 본 실시 예에서 발광 소자(20)를 보호하는 정전기 방지소자(40)는 미 도시되었지만 리드 프레임(10)의 상면부 또는 내측 천장부에 선택적으로 마련될 수 있다.In this embodiment, the antistatic device 40 for protecting the light emitting device 20 is not shown but may be selectively provided on the upper surface portion or the inner surface ceiling portion of the lead frame 10.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 9는 도 8의 개략적인 회로도이다.FIG. 8 is a plan view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a schematic circuit diagram of FIG.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(300)는, 서미스터(30)를 발광 소자(20)와 직렬로 연결하고, 발광 소자(20)로 블루 엘이디 칩(21), 레드 엘이디 칩(22), 그린 엘이디 칩(23)을 채택한 점에서 전술한 실시예와 차이점이 있다.The thermistor 30 is connected in series with the light emitting device 20 and the blue LED chip 21, the red LED chip 22, There is a difference from the above-described embodiment in that the green LED chip 23 is employed.

본 실시 예는 레드 엘이디 칩(22)과 그린 엘이디 칩(23)의 전방에 서미스터(30)를 마련하고 그린 엘이디 칩(23)과 레드 엘이디 칩(22)으로 흐르는 전류를 제어할 수 있도록 한 점에서 전술한 실시예와 차이점이 있다.A thermistor 30 is provided in front of the red LED chip 22 and the green LED chip 23 so that the current flowing to the green LED chip 23 and the red LED chip 22 can be controlled Which is different from the above-described embodiment.

본 실시 예에서 서미스터(30)는 도 9에 도시된 예에 한정되지 않고 블루 엘이디 칩(21)의 전방에 배치되거나, 그린 엘이디 칩(23)과 레드 엘이디 칩(22)의 사이에 배치될 수도 있다.The thermistor 30 is not limited to the example shown in Fig. 9 but may be disposed in front of the blue LED chip 21 or may be disposed between the green LED chip 23 and the red LED chip 22 have.

도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 개략적인 평면도이고, 도 12는 도 10의 개략적인 저면도이고, 도 13은 도 10의 개략적인 회로도이다.FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a thermistor-embedded LED package according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 11 is a schematic plan view of FIG. 10, FIG. 12 is a schematic bottom view of FIG. 10, 10 is a schematic circuit diagram of Fig.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(400)는, 서미스터(30)를 엘이디 회로에 직접 연결하지 않고 별도 회로, 예를 들어 온도 보상 회로 또는 냉각 회로로 구성하고, 이를 위해 별도의 서미스터 단자(31)를 마련한 점에서 전술한 실시예와 차이점이 있다.The thermistor 30 is not directly connected to the LED circuit but is formed of a separate circuit, for example, a temperature compensation circuit or a cooling circuit. For this purpose, a separate thermistor terminal 31 ), Which is different from the above-described embodiment.

본 실시 예에서 서미스터(30)는 발광 소자(20)의 온도를 측정하는 용도로 사용될 수 있다. 본 실시 예는 서미스터(30)에서 측정되는 발광 소자(20)의 온도를 기초로 발광 소자(20)를 냉각시키는 냉각 회로를 작동시킬 수도 있다.In this embodiment, the thermistor 30 can be used for measuring the temperature of the light emitting element 20. [ The present embodiment may operate a cooling circuit for cooling the light emitting element 20 based on the temperature of the light emitting element 20 measured by the thermistor 30. [

또한, 본 실시 예에서 서미스터(30)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 한 쌍이 서로 이격 마련되는 서미스터 단자(31) 중 어느 하나의 서미스터 단자(31)에 일측부가 연결되고, 타측부는 나머지 하나의 서미스터 단자(31)에 연결될 수 있다.11, one side of the thermistor 30 is connected to one of the thermistor terminals 31 that are spaced apart from each other, and the other side of the thermistor 30 is connected to the other May be connected to one thermistor terminal (31).

그리고 본 실시 예에서 서미스터 단자(31)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 한 쌍이 동일 선상에 위치하도록 마련될 수 있다.In this embodiment, the thermistor terminals 31 may be provided so that a pair of the thermistor terminals 31 are located on the same line as shown in Fig.

한편 본 실시 예에서 서미스터(30)와 발광 소자(20)를 흐르는 전류는, 도 13에 도시된 바와 같이, 각각 별개로 흐를 수 있다. 즉 발광 소자(20)를 흐르는 전류는, 도 11 및 도 12에 도시된 양극 리드(11)를 통해 발광 소자(20)로 유입되고, 음극 리드(12)를 통해 배출된다. 서미스터(30)를 흐르는 전류은 한 쌍의 서미스터 단자(31) 중 어느 하나의 서미스터 단자(31)를 통해 유입된 후 다른 하나의 서미스터 단자(31)를 통해 배출된다.On the other hand, in the present embodiment, the current flowing through the thermistor 30 and the light emitting element 20 can flow separately, as shown in Fig. That is, the current flowing through the light emitting element 20 flows into the light emitting element 20 through the cathode lead 11 shown in Figs. 11 and 12, and is discharged through the cathode lead 12. Fig. The current flowing through the thermistor 30 flows through one of the pair of thermistor terminals 31 through the thermistor terminal 31 and then is discharged through the other thermistor terminal 31. [

도 14는 본 발명의 제6 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 15는 도 14의 개략적인 회로도이다.FIG. 14 is a plan view schematically showing a thermistor-embedded LED package according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a schematic circuit diagram of FIG.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(500)는 발광 소자(20)로 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)을 채택하고, 양자를 직렬로 연결한 점에서 전술한 제5 실시예와 차이점이 있다.The thermistor-embedded LED package 500 according to the present embodiment includes the blue LED chip 21 and the red LED chip 22 as the light emitting device 20 and is connected in series to the fifth embodiment There is a difference.

본 실시 예에서 양극 리드(11)를 통해 유입되는 전류는 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)을 순차적으로 통과한 후 음극 리드(12)로 흐른다. 또한 본 실시예에서 서미스터(30)는 발광 소자(20)와 별도의 회로로 연결되므로 서미스터(30)로 흐르는 전류는, 도 14에 도시된 바와 같이, 양극 리드(11) 및 음극 리드(12)가 아닌 서미스터 단자(31)를 통해 흐른다.도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 17은 도 16의 개략적인 회로도이다.The current flowing through the positive electrode lead 11 flows through the blue LED chip 21 and the red LED chip 22 sequentially to the negative electrode lead 12 in this embodiment. The thermistor 30 is connected to the light emitting device 20 in a separate circuit so that the current flowing to the thermistor 30 is supplied to the positive electrode lead 11 and the negative electrode lead 12, FIG. 16 is a plan view schematically illustrating a thermistor-embedded LED package according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a schematic circuit diagram of FIG.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(600)는 발광 소자(20)로 블루 엘이디 칩(21)과 레드 엘이디 칩(22)과 그린 엘이디 칩(23)을 채택하고, 이들을 서로 직렬로 연결한 점에서 전술한 제6 실시예와 차이점이 있다.The thermistor embedded LED package 600 according to the present embodiment includes the blue LED chip 21, the red LED chip 22 and the green LED chip 23 as the light emitting device 20, Which is different from the above-described sixth embodiment.

본 실시 예에서 양극 리드(11)를 통해 유입되는 전류는 블루 엘이디 칩(21)과 그린 엘이디 칩(23)과 레드 엘이디 칩(22)을 순차적으로 통과한 후 음극 리드(12)로 흐른다. 또한 본 실시 예도 전술한 제6 실시예와 같이 서미스터(30)가 발광 소자(20)와 별도의 회로로 연결되므로 서미스터(30)로 흐르는 전류는 서미스터 단자(31)를 통해 흐른다.The current flowing through the positive electrode lead 11 flows through the blue LED chip 21, the green LED chip 23 and the red LED chip 22 in sequence and then flows to the negative electrode lead 12. [ Also, since the thermistor 30 is connected to the light emitting element 20 in a separate circuit, the current flowing through the thermistor 30 flows through the thermistor terminal 31 as in the sixth embodiment described above.

도 18는 본 발명의 제8 실시예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 19는 도 18의 개략적인 평면도이고, 도 20은 도 18의 개략적인 저면도이고, 도 21은 도 18의 개략적인 회로도이다.19 is a schematic plan view of FIG. 18, FIG. 20 is a schematic bottom view of FIG. 18, and FIG. 21 is a cross-sectional view of the thermistor-embedded LED package according to the eighth embodiment of the present invention. 18 is a schematic circuit diagram of Fig.

본 실시 예에 따른 서미스터 내장형 엘이디 패키지(400)는, 한 쌍의 레드 엘이디 칩(22)을, 도 19 및 도 21에 도시된 바와 같이, 블루 엘이디 칩(21)과 직렬로 마련하되 한 쌍의 블루 엘이디 칩(21) 간에는 병렬로 마련한 점에서 전술한 제4 실시예와 차이점이 있다.19 and 21, a pair of red LED chips 22 are provided in series with the blue LED chip 21, and the pair of red LED chips 22 are arranged in series with each other, And the blue LED chips 21 are provided in parallel with each other, which is different from the above-described fourth embodiment.

또한 발광 소자(20)가 레드 엘이디 칩(22)과 블루 엘이디 칩(21)으로 복수로 마련됨으로 인해 서미스터 단자(31)의 배치 위치를 변경하고, 음극 리드(12)를 한 쌍으로 마련한 점에서 전술한 실시예와 차이점이 있다.Since the plurality of light emitting elements 20 are provided by the red LED chip 22 and the blue LED chip 21 so that the position of the thermistor terminal 31 is changed and the pair of the anode leads 12 are provided This is different from the above-described embodiment.

구체적으로 본 실시 예는, 도 19에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 서미스터 단자(31)의 사이에 양극 리드(11)를 배치하고, 양극 리드(11)와 동일 선상에 여분 리드(ST)를 마련하고, 여분 리드(ST)의 상하 방향에 각각 음극 리드(12)를 마련한다.19, the positive electrode lead 11 is disposed between the pair of thermistor terminals 31 and the extra lead ST is provided on the same line as the positive electrode lead 11. In this embodiment, And the negative electrode lead 12 is provided in the vertical direction of the redundant lead ST, respectively.

따라서 양극 리드(11)를 통해 유입되는 전류는 블루 엘이디 칩(21), 여분 리드(ST), 한 쌍의 레드 엘이디 칩(22), 음극 리드(12)를 순차적으로 흐른 후 배출된다. 서미스터(30)를 흐르는 전류는 블루 엘이디 칩(21)을 흐르는 전류와 별개로 흐를 수 있고, 한 쌍의 서미스터 단자(31) 중 어느 하나의 서미스터 단자(31)를 통해 유입되는 전류는 나머지 하나의 서미스터 단자(31)를 통해 흐른 후 배출된다.The current flowing through the positive electrode lead 11 sequentially flows through the blue LED chip 21, the redundant lead ST, the pair of red LED chips 22, and the negative electrode lead 12, and is then discharged. The current flowing through the thermistor 30 can flow independently of the current flowing through the blue LED chip 21 and the current flowing through the thermistor terminal 31 of any one of the pair of thermistor terminals 31 can flow to the other Flows through the thermistor terminal 31, and is discharged.

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그리고 본 실시 예에서 서미스터(30)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 서미스터 단자(31)와 양극 리드(11)에 걸쳐서 마련될 수 있다.In this embodiment, the thermistor 30 may be provided over the pair of thermistor terminals 31 and the positive electrode lead 11 as shown in Fig.

이상에서 살펴 본 바와 같이 본 실시 예는 서미스터를 리드 프레임의 내측 천장부에 마련하여 발광 소자의 고열로부터 서미스터를 보호하여 내구성을 확보함과 아울러 리드 프레임을 통해 방열 된 발광 소자의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the thermistor is provided on the inner ceiling portion of the lead frame to protect the thermistor from the high temperature of the light emitting element, thereby ensuring durability, and the temperature of the light emitting element, have.

또한 본 실시 예는 블루 엘이디 칩과 레드 엘이디 칩의 사이에 서미스터를 마련하고, 발광 소자에 의해 온도가 상승 되는 경우에도 레드 엘이디 칩으로 흐르는 전류를 제어하여 레드 엘이디 칩에서 방출되는 빛의 세기를 증가시켜 레드 엘이디 칩의 온도에 따른 급격한 컬러 변화를 방지할 수 있다.Also, in this embodiment, a thermistor is provided between the blue LED chip and the red LED chip, and when the temperature is raised by the light emitting device, the current flowing to the red LED chip is controlled to increase the intensity of light emitted from the red LED chip So that it is possible to prevent a sudden color change due to the temperature of the red LED chip.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

1,100,200,300,400,500,600,700 : 서미스터 내장형 엘이디 패키지
10 : 리드 프레임 11 : 양극 리드
12 : 음극 리드 20 : 발광 소자
21 : 블루 엘이디 칩 22 : 레드 엘이디 칩
23 : 블루 엘이디 칩 30 : 서미스터
31 : 서미스터 단자 40 : 정전기 방지소자
50 : 리플렉터 60 : 몰딩재
PB : 패키지 바디 ST : 여분 리드
W : 와이어1,100,200,300,400,500,600,700: Thermistor embedded LED package
10: lead frame 11: positive lead
12: cathode lead 20: light emitting element
21: Blue LED chip 22: Red LED chip
23: Blue LED chip 30: Thermistor
31: Thermistor terminal 40: Antistatic element
50: Reflector 60: Molding material
PB: Package body ST: Extra lead
W: Wire

Claims (16)

양극 리드 및 상기 양극 리드와 분리되어 서로 이격 배치되는 음극 리드를 포함하는 리드 프레임;
상기 리드 프레임에 마련되고, 레드 엘이디 칩, 블루 엘이디 칩 및 그린 엘이디 칩 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자;
상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되고, 상기 발광 소자와 병렬 연결되어 상기 발광 소자를 정전기로부터 보호하는 정전기 방지소자; 및
상기 리드 프레임에 마련되는 서미스터를 포함하되,
상기 서미스터는 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되며, 상기 발광 소자가 배치되는 상기 리드 프레임의 영역에 마련되고, 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 도전성 에폭시를 적용한 본딩 결합 방식으로 부착되고,
상기 서미스터는 상기 레드 엘이디 칩과 직렬 연결되어 상기 발광 소자의 온도가 상승하면 상기 레드 엘이디 칩으로 흐르는 전류를 증가시키는 NTC 서미스터인 것을 특징으로 하는 서미스터 내장형 엘이디 패키지.
A lead frame including a positive electrode lead and a negative electrode lead separated from the positive electrode lead and disposed apart from each other;
A light emitting element provided in the lead frame and including at least one of a red LED chip, a blue LED chip and a green LED chip;
An antistatic element provided at an inner ceiling portion of the lead frame and connected in parallel with the light emitting element to protect the light emitting element from static electricity; And
And a thermistor provided on the lead frame,
Wherein the thermistor is provided in an inner ceiling portion of the lead frame and is provided in a region of the lead frame where the light emitting device is disposed and is attached in a bonding bonding manner in which a conductive epoxy is applied to an inner ceiling portion of the lead frame,
Wherein the thermistor is an NTC thermistor connected in series with the red LED chip to increase a current flowing to the red LED chip when the temperature of the light emitting device rises.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 양극 리드 및 상기 양극 리드와 분리되어 서로 이격 배치되는 음극 리드를 포함하는 리드 프레임;
상기 리드 프레임에 마련되고, 레드 엘이디 칩, 블루 엘이디 칩 및 그린 엘이디 칩 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자;
상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되고, 상기 발광 소자와 병렬 연결되어 상기 발광 소자를 정전기로부터 보호하는 정전기 방지소자; 및
상기 리드 프레임에 마련되는 서미스터를 포함하고,
상기 서미스터는 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 마련되며, 상기 발광 소자가 배치되는 상기 리드 프레임의 영역에 마련되고, 상기 리드 프레임의 내측 천장부에 도전성 에폭시를 적용한 본딩 결합 방식으로 부착되며, 상기 서미스터의 일측부 및 타측부가 각각 상호 이격된 서미스터 단자에 연결되고,
상기 서미스터는 상기 발광 소자와 별도의 회로로 연결되어 상기 발광 소자의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 서미스터 내장형 엘이디 패키지.
A lead frame including a positive electrode lead and a negative electrode lead separated from the positive electrode lead and disposed apart from each other;
A light emitting element provided in the lead frame and including at least one of a red LED chip, a blue LED chip and a green LED chip;
An antistatic element provided at an inner ceiling portion of the lead frame and connected in parallel with the light emitting element to protect the light emitting element from static electricity; And
And a thermistor provided on the lead frame,
Wherein the thermistor is provided in an inner ceiling portion of the lead frame and is provided in a region of the lead frame where the light emitting device is disposed and is attached in a bonding bonding manner in which a conductive epoxy is applied to an inner ceiling portion of the lead frame, The side portion and the other side portion are connected to the mutually spaced thermistor terminals,
Wherein the thermistor is connected to the light emitting device by a separate circuit to measure the temperature of the light emitting device.
청구항 1 또는 청구항 15에 있어서,
상기 서미스터는 상기 양극 리드의 내측 천장부 또는 상기 음극 리드의 내측 천장부에 마련되는 것을 특징으로 하는 서미스터 내장형 엘이디 패키지.The method according to claim 1 or 15,
Wherein the thermistor is provided on an inner ceiling portion of the positive electrode lead or an inner ceiling portion of the negative electrode lead.
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