KR101684244B1 - Board inspection method - Google Patents
Board inspection method Download PDFInfo
- Publication number
- KR101684244B1 KR101684244B1 KR1020110018695A KR20110018695A KR101684244B1 KR 101684244 B1 KR101684244 B1 KR 101684244B1 KR 1020110018695 A KR1020110018695 A KR 1020110018695A KR 20110018695 A KR20110018695 A KR 20110018695A KR 101684244 B1 KR101684244 B1 KR 101684244B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- height
- measurement
- region
- measurement object
- channel
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Operations Research (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
기판을 검사하기 위하여, 먼저 개구부를 갖는 투명층이 형성되고, 개구부에 측정대상물이 형성된 기판에 광을 조사하여 측정 데이터를 획득한다. 이어서, 측정 데이터에서 측정대상물의 영역을 추출하고, 측정 데이터에서 측정대상물에 대한 베이스 영역을 추출한다. 이어서, 측정대상물의 영역 및 베이스 영역의 측정 데이터를 기초로 측정대상물의 높이를 획득하고, 투명층에 의한 높이측정 오프셋을 획득한다. 이어서, 높이측정 오프셋 및 측정대상물의 높이를 기초로 측정대상물의 높이맵을 획득한다. 이에 따라, 투명층이 형성된 경우에도 측정대상물을 보다 정확하게 측정할 수 있으므로, 기판의 불량여부를 보다 정확히 판단할 수 있다.In order to inspect the substrate, first, a transparent layer having an opening is formed, and light is irradiated to a substrate on which an object to be measured is formed to obtain measurement data. Subsequently, the region of the measurement object is extracted from the measurement data, and the base region for the measurement object is extracted from the measurement data. Then, the height of the measurement object is obtained based on the measurement data of the area of the measurement object and the base area, and the height measurement offset by the transparent layer is obtained. Then, a height map of the measurement object is obtained based on the height measurement offset and the height of the measurement object. Accordingly, even when the transparent layer is formed, the measurement object can be measured more accurately, and it is possible to more accurately determine whether or not the substrate is defective.
Description
본 발명은 기판 검사방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측정대상물을 보다 정확하게 측정할 수 있는 기판 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection method, and more particularly, to a substrate inspection method capable of more accurately measuring a measurement object.
일반적으로, 전자장치 내에는 적어도 하나의 인쇄회로기판(printed circuit board; PCB)이 구비되며, 이러한 인쇄회로기판 상에는 회로 패턴, 연결 패드부, 상기 연결 패드부와 전기적으로 연결된 구동칩 등 다양한 회로 소자들이 실장되어 있다. In general, at least one printed circuit board (PCB) is provided in an electronic device, and various circuit elements such as a circuit pattern, a connection pad portion, a driving chip electrically connected to the connection pad portion, Respectively.
일반적으로, 상기와 같은 다양한 회로 소자들이 상기 인쇄회로기판에 제대로 형성되었는지 혹은 형성될 수 있는지 확인하기 위하여 형상 측정장치가 사용된다. 상기 회로 소자들이 상기 인쇄회로기판에 제대로 형성될 수 있는지 검사하기 위하여, 상기 형상 측정장치를 이용하여 상기 회로 소자들이 상기 인쇄회로기판에 실장되기 이전에 적절한 솔더의 양이 도포되었는지 검사될 수 있다.In general, a shape measuring device is used to check whether various circuit elements as described above are properly formed or formed on the printed circuit board. In order to inspect whether the circuit elements can be properly formed on the printed circuit board, the shape measuring device can be used to check whether an appropriate amount of solder has been applied before the circuit elements are mounted on the printed circuit board.
따라서, 솔더의 양을 정확히 측정할 수 있는 기판 검사방법이 요청된다.Therefore, a substrate inspection method capable of accurately measuring the amount of solder is required.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 투명층이 형성된 경우에도 측정대상물을 보다 정확하게 측정함으로써 상기 측정대상물이 형성된 기판의 불량여부를 보다 정확히 판단할 수 있는 기판 검사방법을 제공하는 것이다SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate inspection method capable of more accurately determining whether a substrate on which the measurement object is formed is more accurately measured even when a transparent layer is formed
본 발명의 예시적인 일 실시예에 따라 기판을 검사하기 위하여, 먼저 개구부를 갖는 투명층이 형성되고, 상기 개구부에 측정대상물이 형성된 기판에 광을 조사하여 측정 데이터를 획득한다. 이어서, 상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물의 영역을 추출한다. 다음으로, 상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물에 대한 베이스 영역을 추출한다. 이어서, 상기 측정대상물의 영역 및 상기 베이스 영역의 측정 데이터를 기초로 상기 측정대상물의 높이를 획득한다. 다음으로, 상기 투명층에 의한 높이측정 오프셋을 획득한다. 이어서, 상기 높이측정 오프셋 및 상기 측정대상물의 높이를 기초로 상기 측정대상물의 높이맵(height map)을 획득한다.In order to inspect a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, first, a transparent layer having an opening is formed, and measurement data is acquired by irradiating light onto a substrate on which the measurement object is formed. Then, the region of the measurement object is extracted from the measurement data. Next, a base region for the measurement object is extracted from the measurement data. Then, the height of the measurement object is acquired based on the measurement data of the area of the measurement object and the base area. Next, a height measurement offset by the transparent layer is obtained. Then, a height map of the measurement object is obtained based on the height measurement offset and the height of the measurement object.
본 발명에 따르면, 측정대상물 주위에 투명층이 형성된 경우에도 투명층에 의한 오프셋을 측정하여 상기 측정대상물의 높이맵을 획득할 수 있다.According to the present invention, even when the transparent layer is formed around the measurement object, the height map of the measurement object can be obtained by measuring the offset by the transparent layer.
또한, 상기 측정대상물 및 상기 투명층이 동일한 높이에 형성되어 있는 경우에도 측정대상물의 높이맵을 획득할 수 있다.Further, even when the measurement object and the transparent layer are formed at the same height, the height map of the measurement object can be obtained.
또한, 기판 상에 솔더가 형성된 솔더 영역은 하나를 추출하고, 상기 솔더 영역에 인접한 베이스 영역은 각 채널별로 추출하며, 상기 추출된 베이스 영역의 기준 높이를 각 채널별로 다르게 적용하는 경우 보다 정확한 영역 구분을 할 수 있으며 보다 정확하게 솔더 영역의 높이맵을 획득할 수 있다.In addition, the solder region on which the solder is formed on the substrate is extracted, and the base region adjacent to the solder region is extracted for each channel. In the case where the reference height of the extracted base region is different for each channel, And more accurately obtain the height map of the solder region.
이에 따라, 솔더의 양을 보다 정확하게 측정할 수 있으므로, 인쇄회로기판의 불량여부를 보다 정확히 판단할 수 있다.As a result, the amount of solder can be more accurately measured, and it is possible to more accurately determine whether or not the printed circuit board is defective.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 3차원 형상 측정장치를 도시한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 검사방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 도 2의 기판 검사방법이 적용되는 측정대상물이 형성된 기판의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판의 평면도이다.
도 5는 도 2에서 솔더 영역을 추출하는 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.
도 6은 도 2에서 베이스 영역을 추출하는 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.1 is a conceptual diagram showing a three-dimensional shape measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of inspecting a substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate on which a measurement object to which the substrate inspection method of FIG. 2 is applied is formed.
4 is a plan view of the substrate of Fig.
FIG. 5 is a flowchart illustrating an embodiment of extracting a solder region in FIG. 2. FIG.
FIG. 6 is a flowchart illustrating an embodiment of extracting a base region in FIG.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprising" or "having ", and the like, are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art and are to be interpreted as ideal or overly formal in meaning unless explicitly defined in the present application Do not.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.
먼저, 본 발명의 이해를 위해서, 모아레 패턴을 이용한 위상천이 방식에 의한 3차원 형상측정방법의 일 예를 간단히 설명한다.First, for understanding of the present invention, an example of a method of measuring a three-dimensional shape by a phase shift method using a moire pattern will be briefly described.
모아레 패턴을 이용한 위상천이 방식에서는 격자패턴 이미지를 측정 대상물에 조사하고, 측정 대상물로부터 반사되는 격자 이미지를 관측하여 3차원 형상을 측정한다.In a phase shift method using a moiré pattern, a grid pattern image is irradiated onto a measurement object, and a three-dimensional shape is measured by observing a lattice image reflected from the measurement object.
기판의 표면의 각 위치를 xy평면으로 가정하고, 각 x, y 좌표값에 대응하는 광의 강도(intensity)는 아래의 수학식 1로 표현될 수 있다.Assuming that each position of the surface of the substrate is an xy plane, the intensity of light corresponding to each x, y coordinate value can be expressed by the following equation (1).
이 식에서, I는 측정광의 강도, D는 DC광 강도(조명 광 강도 및 물체의 반사율의 함수), γ는 가시도(visibility, 물체의 반사율 및 격자주기의 함수)이다. 예를 들면, 4??버킷(bucket) 알고리즘의 경우, 아래 첨자는 1, 2, 3 및 4를 가질 수 있으며, 각각 0도(위상을 변화시키지 않을 때), 90도, 180도 및 270도 변화시킬 때를 나타낸다.I is the intensity of the measurement light, D is the DC light intensity (a function of the illumination light intensity and the reflectance of the object), and? Is the visibility (the reflectivity of the object and the function of the grating period). For example, for a 4-ary bucket algorithm, the subscripts may have 1, 2, 3, and 4, with 0 degrees (when the phase is unchanged), 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees It shows when to change.
이식으로부터, 수학식 2를 얻을 수 있다.From the implantation, equation (2) can be obtained.
한편 위상 Φ와 높이 h는 다음의 수학식 3에서와 같이 비례 관계가 성립한다.On the other hand, the phase? And the height h are proportional to each other as shown in the following Equation (3).
여기서, Λ는 모아레 등가파장이다.Here,? Is a moire equivalent wavelength.
이상에서 기술된 수학식을 이용하여 격자패턴광을 물체에 조사한 후, 각 x,y 좌표값에 대응하는 위상값(Φ)을 구하고, 이러한 위상값을 이용하여 x, y좌표값에 대응하는 높이(h)를 구함으로써 측정 대상물의 3차원 형상을 얻을 수 있다.
After the lattice pattern light is irradiated onto the object using the above described equations, a phase value (?) Corresponding to each x, y coordinate value is obtained, and the height corresponding to the x, y coordinate value (h) can be obtained, whereby a three-dimensional shape of the measurement object can be obtained.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 3차원 형상 측정장치를 도시한 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing a three-dimensional shape measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 의한 3차원 형상 측정방법에 사용되는 3차원 형상 측정장치는 측정 스테이지부(100), 영상 촬영부(200), 제1 및 제2 조명장치들(300,400)을 포함하는 제1 조명부, 제2 조명부(450), 영상 획득부(500), 모듈 제어부(600) 및 중앙 제어부(700)를 포함할 수 있다.1, the three-dimensional shape measuring apparatus used in the three-dimensional shape measuring method according to the present embodiment includes a
상기 측정 스테이지부(100)는 측정 대상물(10)을 지지하는 스테이지(110) 및 상기 스테이지(110)를 이송시키는 스테이지 이송유닛(120)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 스테이지(110)에 의해 상기 측정 대상물(10)이 상기 영상 촬영부(200)와 상기 제1 및 제2 조명장치들(300,400)에 대하여 이동함에 따라, 상기 측정 대상물(10)에서의 측정위치가 변경될 수 있다.The
상기 영상 촬영부(200)는 상기 스테이지(110)의 상부에 배치되어, 상기 측정 대상물(10)로부터 반사되어온 광을 인가받아 상기 측정 대상물(10)에 대한 영상을 측정한다. 즉, 상기 영상 촬영부(200)는 상기 제1 조명장치(300) 및 제2 조명장치(400)에서 출사되어 상기 측정 대상물(10)에서 반사된 광을 인가받아, 상기 측정 대상물(10)의 평면영상을 촬영한다.The
상기 영상 촬영부(200)는 카메라(210), 결상렌즈(220), 필터(230) 및 원형램프(240)를 포함할 수 있다. 상기 카메라(210)는 상기 측정 대상물(10)로부터 반사되는 광을 인가받아 상기 측정 대상물(10)의 평면영상을 촬영하며, 일례로 CCD 카메라나 CMOS 카메라 중 어느 하나가 채용될 수 있다. 상기 결상렌즈(220)는 상기 카메라(210)의 하부에 배치되어, 상기 측정 대상물(10)에서 반사되는 광을 상기 카메라(210)에서 결상시킨다. 상기 필터(230)는 상기 결상렌즈(220)의 하부에 배치되어, 상기 측정 대상물(10)에서 반사되는 광을 여과시켜 상기 결상렌즈(220)로 제공하고, 일례로 주파수 필터, 컬러필터 및 광세기 조절필터 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 원형램프(240)는 상기 필터(230)의 하부에 배치되어, 상기 측정 대상물(10)의 2차원 형상과 같은 특이영상을 촬영하기 위해 상기 측정 대상물(10)로 광을 제공할 수 있다.The
상기 제1 조명장치(300)는 예를 들면 상기 영상 촬영부(200)의 우측에 상기 측정 대상물(10)을 지지하는 상기 스테이지(110)에 대하여 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제1 조명장치(300)는 제1 조명유닛(310), 제1 격자유닛(320), 제1 격자 이송유닛(330) 및 제1 집광렌즈(340)를 포함할 수 있다. 상기 제1 조명유닛(310)은 조명원과 적어도 하나의 렌즈로 구성되어 광을 발생시키고, 상기 제1 격자유닛(320)은 상기 제1 조명유닛(310)의 하부에 배치되어 상기 제1 조명유닛(310)에서 발생된 광을 격자무늬 패턴을 갖는 제1 격자패턴광으로 변경시킨다. 상기 제1 격자 이송유닛(330)은 상기 제1 격자유닛(320)과 연결되어 상기 제1 격자유닛(320)을 이송시키고, 일례로 PZT(Piezoelectric) 이송유닛이나 미세직선 이송유닛 중 어느 하나를 채용할 수 있다. 상기 제1 집광렌즈(340)는 상기 제1 격자유닛(320)의 하부에 배치되어 상기 제1 격자유닛(320)로부터 출사된 상기 제1 격자패턴광을 상기 측정 대상물(10)로 집광시킨다.The
상기 제2 조명장치(400)는 예를 들면 상기 영상 촬영부(200)의 좌측에 상기 측정 대상물(10)을 지지하는 상기 스테이지(110)에 대하여 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2 조명장치(400)는 제2 조명유닛(410), 제2 격자유닛(420), 제2 격자 이송유닛(430) 및 제2 집광렌즈(440)를 포함할 수 있다. 상기 제2 조명장치(400)는 위에서 설명한 상기 제1 조명장치(300)와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 상세한 설명은 생략한다.The
상기 제1 조명장치(300)는 상기 제1 격자 이송유닛(330)이 상기 제1 격자유닛(320)을 N번 순차적으로 이동하면서 상기 측정 대상물(10)로 N개의 제1 격자패턴광들을 조사할 때, 상기 영상 촬영부(200)는 상기 측정 대상물(10)에서 반사된 상기 N개의 제1 격자패턴광들을 순차적으로 인가받아 N개의 제1 패턴영상들을 촬영할 수 있다. 또한, 상기 제2 조명장치(400)는 상기 제2 격자 이송유닛(430)이 상기 제2 격자유닛(420)을 N번 순차적으로 이동하면서 상기 측정 대상물(10)로 N개의 제2 격자패턴광들을 조사할 때, 상기 영상 촬영부(200)는 상기 측정 대상물(10)에서 반사된 상기 N개의 제2 격자패턴광들을 순차적으로 인가받아 N개의 제2 패턴영상들을 촬영할 수 있다. 여기서, 상기 N은 자연수로, 일 예로 3 또는 4일 수 있다.The
한편, 본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 격자패턴광들을 발생시키는 조명장치로 상기 제1 및 제2 조명장치들(300,400)만을 설명하였으나, 이와 다르게 상기 조명장치의 개수는 3개 이상일 수도 있다. 즉, 상기 측정 대상물(10)로 조사되는 격자패턴광이 다양한 방향에서 조사되어, 다양한 종류의 패턴영상들이 촬영될 수 있다. 예를 들어, 3개의 조명장치들이 상기 영상 촬영부(200)를 중심으로 정삼각형 형태로 배치될 경우, 3개의 격자패턴광들이 서로 다른 방향에서 상기 측정 대상물(10)로 인가될 수 있고, 4개의 조명장치들이 상기 영상 촬영부(200)를 중심으로 정사각형 형태로 배치될 경우, 4개의 격자패턴광들이 서로 다른 방향에서 상기 측정 대상물(10)로 인가될 수 있다. 또한, 상기 제1 조명부는 8개의 조명장치들을 포함할 수 있으며, 이 경우 8개의 방향에서 격자패턴광을 조사하여 영상을 촬영할 수 있다.In the present embodiment, only the first and second illuminating
상기 제2 조명부(450)는 상기 측정 대상물(10)의 2차원적 영상을 획득하기 위한 광을 상기 측정 대상물(10)에 조사한다. 일 실시예로, 상기 제2 조명부(450)는 적색조명(452), 녹색조명(454) 및 청색조명(456)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 적색조명(452), 상기 녹색조명(454) 및 상기 청색조명(456)은 상기 측정 대상물(10)의 상부에서 원형으로 배치되어 상기 측정 대상물(10)에 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 조사할 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 각각 높이가 다르도록 형성될 수 있다.The
상기 영상 획득부(500)는 상기 영상 촬영부(200)의 카메라(210)와 전기적으로 연결되어, 상기 카메라(210)로부터 상기 제1 조명부에 의한 패턴영상들을 획득하여 저장한다. 또한, 상기 영상 획득부(500)는 상기 카메라(210)로부터 상기 제2 조명부(450)에 의한 2차원적 영상들을 획득하여 저장한다. 예를 들어, 상기 영상 획득부(500)는 상기 카메라(210)에서 촬영된 상기 N개의 제1 패턴영상들 및 상기 N개의 제2 패턴영상들을 인가받아 저장하는 이미지 시스템을 포함한다.The
상기 모듈 제어부(600)는 상기 측정 스테이지부(100), 상기 영상 촬영부(200), 상기 제1 조명장치(300) 및 상기 제2 조명장치(400)와 전기적으로 연결되어 제어한다. 상기 모듈 제어부(600)는 예를 들어, 조명 콘트롤러, 격자 콘트롤러 및 스테이지 콘트롤러를 포함한다. 상기 조명 콘트롤러는 상기 제1 및 제2 조명유닛들(310,410)을 각각 제어하여 광을 발생시키고, 상기 격자 콘트롤러는 상기 제1 및 제2 격자 이송유닛들(330,430)을 각각 제어하여 상기 제1 및 제2 격자유닛들(320, 420)을 이동시킨다. 상기 스테이지 콘트롤러는 상기 스테이지 이송유닛(120)을 제어하여 상기 스테이지(110)를 상하좌우로 이동시킬 수 있다.The
상기 중앙 제어부(700)는 상기 영상 획득부(500) 및 상기 모듈 제어부(600)와 전기적으로 연결되어 각각을 제어한다. 구체적으로, 상기 중앙 제어부(700)는 상기 영상 획득부(500)의 이미지 시스템으로부터 상기 N개의 제1 패턴영상들 및 상기 N개의 제2 패턴영상들을 인가받아, 이를 처리하여 상기 측정 대상물의 3차원 형상을 측정할 수 있다. 또한, 상기 중앙 제어부(700)는 상기 모듈 제어부(600)의 조명 콘트롤러, 격자 콘트롤러 및 스테이지 콘트롤러를 각각 제어할 수 있다. 이와 같이, 상기 중앙 제어부는 이미지처리 보드, 제어 보드 및 인터페이스 보드를 포함할 수 있다.The
이하, 상기와 같은 3차원 형상 측정장치를 이용하여 상기 측정 대상물(10)로 채용된 인쇄회로기판 상의 소정의 소자를 검사하는 방법을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of inspecting a predetermined element on a printed circuit board employed as the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 검사방법을 나타낸 흐름도이고, 도 3은 도 2의 기판 검사방법이 적용되는 측정대상물이 형성된 기판의 일 예를 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 3의 기판의 평면도이다.3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate on which a measurement object to which the substrate inspection method of FIG. 2 is applied is formed, FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate inspection method of FIG. 3, Fig.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 정확한 측정대상물의 검사를 위하여, 먼저 측정대상물이 형성된 기판의 소정 검사영역(IA)에 광을 조사하고 상기 기판에 의해 반사된 광을 촬상하여 측정 데이터를 획득한다. 이때, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 측정대상물은 솔더(950)일 수 있으며, 상기 기판은 인쇄회로기판(PCB)(900)일 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, in order to inspect an object to be accurately measured according to an embodiment of the present invention, light is first irradiated onto a predetermined inspection area IA of a substrate on which a measurement object is formed, And acquires measurement data. 3, the measurement object may be a
일 실시예로, M개의 방향에 대응하는 M개의 채널(channel)들에 대하여 각각 격자패턴광을 상기 기판에 조사하고 상기 기판(900)으로부터 반사된 격자패턴광을 수신하여 측정 데이터를 획득할 수 있다(S110). 이때 M은 2이상의 자연수이다.In one embodiment, grid data may be obtained by illuminating the substrate with grid pattern light for each of the M channels corresponding to the M directions and receiving the grid pattern light reflected from the substrate 900 (S110). Here, M is a natural number of 2 or more.
이와는 다르게, 도 1에 도시된 상기 제2 조명부(450)를 이용하여 상기 기판에 광을 조사하고 상기 기판으로부터 반사된 광을 수신하여 측정 데이터를 획득할 수도 있다. 이때, 상기 제2 조명부(450)의 컬러와 각도를 다르게 조사하여 광을 조사할 수도 있다. Alternatively, the
일 실시예로, 상기 인쇄회로기판(900)은 베이스 기판(910), 도전층(920), 솔더 레지스트(solder resist)(930) 및 투명층(940)을 포함한다. 상기 도전층(920), 상기 솔더 레지스트(930) 및 상기 투명층(940)은 상기 베이스 기판(910) 위에 차례로 적층된다. 상기 솔더 레지스트(930) 및 상기 투명층(940)은 상기 도전층(920)의 적어도 일부를 노출시키도록 개구된다. 상기 개구된 공간에는 솔더(950)가 형성된다. 상기 투명층(940)은, 예를 들면, 상기 솔더(950)를 도포하기 위한 마스크(mask)일 수 있다.In one embodiment, the printed
일 실시예로, 상기 측정 데이터는 상기 각 채널별로 N번의 격자패턴광을 조사하여 획득될 수 있다. 이때, N은 2이상의 자연수이며, 일 예로 N은 4일 수 있다. 이에 따라, 상기 획득된 측정 데이터를 가지고 예를 들면 N??버켓 알고리즘을 이용함으로써, 상기 검사영역 내의 높이 데이터 및 3차원 형상을 상기 각 채널별로 획득할 수 있다. 상기 측정 데이터는, 예를 들면, 상기 검사영역(IA)을 촬영한 이미지일 수 있다.In one embodiment, the measurement data may be obtained by irradiating N grid patterns for each channel. At this time, N is a natural number of 2 or more, for example, N may be 4. Accordingly, the height data and the three-dimensional shape in the inspection area can be acquired for each channel by using, for example, N ?? Bucket algorithm with the obtained measurement data. The measurement data may be, for example, an image of the inspection area IA.
이어서, 상기 측정 데이터로부터 상기 측정대상물에 대응하는 상기 솔더(950)가 형성된 솔더 영역을 추출한다(S120).Subsequently, a solder region in which the
상기 솔더 영역은 상기 측정 데이터로부터 다양한 방법에 의하여 추출될 수 있다. 예를 들면, 2차원 이미지, 3차원 이미지 및 측정높이 중 어느 하나 이상을 이용하여 상기 솔더 영역을 추출할 수 있다.The solder region can be extracted from the measurement data by various methods. For example, the solder region can be extracted using at least one of a two-dimensional image, a three-dimensional image, and a measurement height.
도 5는 도 2에서 솔더 영역을 추출하는 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating an embodiment of extracting a solder region in FIG. 2. FIG.
도 5를 참조하면, 상기 솔더(950)가 형성된 솔더 영역을 추출하기 위해서, 상기 검사영역(IA)을 측정한 이미지를 이용한다.Referring to FIG. 5, in order to extract the solder region where the
먼저 상기 각 채널에 대해서 획득된 상기 N번의 격자패턴광에 따른 N개의 측정 데이터 중 상기 채널별로 최대값을 각각 추출한다(S122).First, a maximum value is extracted for each channel among N measurement data corresponding to the N grid pattern lights acquired for each channel (S122).
상기 N번의 격자패턴광이 상기 검사영역(IA)에 반사되어 카메라에 수신될 때, 상기 수신된 광의 강도는 상기 격자패턴광을 형성한 격자가 N번 이송됨에 따라 다르게 나타난다. 상기 광의 강도의 최대값을 이용하는 경우, 측정된 이미지에서 판독 가능한 모든 데이터를 활용 할 수 있다.. 즉, N개의 측정데이터를 이용하여 격자패턴이 제거된 이미지를 생성할 때, 예를 들면 N개의 측정데이터를 평균화하여 2차원 평면 이미지를 생성할 때, 활용 가능한 유효 계조 범위를 벗어나는 영역이 발생할 수 있다. 그러나, 상기 광의 강도의 최대값을 이용하는 경우, 상기와 같은 유효 계조 범위를 벗어나는 영역에 대해서도 유효 계조 범위 내의 데이터로 활용할 수 있다.When the N number of grating light beams are reflected on the inspection area IA and are received by the camera, the intensity of the received light is different depending on the N times of the grating formed with the grating light. When using the maximum value of the intensity of light, all data that can be read out from the measured image can be utilized. That is, when generating an image in which a grid pattern is removed using N measurement data, for example, When a two-dimensional plane image is generated by averaging the measurement data, an area outside the usable effective gradation range may occur. However, when the maximum value of the light intensity is used, it is possible to utilize the data in the effective gradation range even in the area outside the effective gradation range as described above.
이어서, 상기 각 채널별 최대값 중에서 최소값을 추출한다(S124).Then, the minimum value among the maximum values for each channel is extracted (S124).
상기 각 채널에서의 측정 데이터는 상기 각 채널에 대응하는 조명부의 촬영 각도와 방향에 따라 일부에 그림자 영역(shadow area)이나 포화 영역(밝게 빛나는 영역)(saturation area)과 같은 노이즈가 발생할 수 있다. 상기와 같이 N개의 측정 데이터 중 상기 채널별로 최대값을 각각 추출하는 경우, 각각의 채널에서 포화된 영역은 채널별로 서로 다르게 나타날 수 있다. 따라서, 상기 각 채널별 최대값 중에서 최소값을 추출하는 경우, 상기 각 채널에서 다르게 존재하는 포화 영역을 노이즈로 제거할 수 있다.The measurement data of each channel may generate noise such as a shadow area or a saturation area (saturation area) depending on an angle and direction of the illumination unit corresponding to each channel. When the maximum value is extracted for each channel among the N measurement data as described above, the saturation region in each channel may be different for each channel. Therefore, when extracting the minimum value among the maximum values for each channel, it is possible to remove the saturation region, which is different in each channel, with noise.
구체적으로, 상기와 같이 N개의 측정 데이터 중 상기 채널별로 최대값을 각각 추출하는 경우, 최대값의 선택으로 인하여 포화영역이 노이즈로 많이 포함될 수 있다. 포화영역은 각 채널마다 다르게 형성될 수 있으므로, 상기 각 채널별 최대값 중에서 최소값을 추출하는 경우 이와 같은 포화영역을 효과적으로 제거할 수 있다.Specifically, when extracting the maximum value for each channel among the N measurement data as described above, the saturation region may be largely included as noise due to the selection of the maximum value. Since the saturation region may be formed differently for each channel, when the minimum value among the maximum values for each channel is extracted, such saturation region can be effectively removed.
이와는 다르게, 상기 각 채널 이미지에서 포화영역을 노이즈로 먼저 제거하고, 채널별 평균 또는 최대값을 선택하여 이미지를 합성할 수도 있다. 이 경우, 앞서 단계 S122에서 설명한 바와 같이, 유효 계조 범위를 벗어나는 일부 영역들의 데이터가 노이즈로 버려지지 않도록 할 수 있다. 이때, 상기 각 채널 이미지에서 포화영역을 노이즈로 제거하는 과정은, 예를 들면, 앞선 최대값을 추출하는 단계(S122) 또는 채널별 평균화 이미지 생성 단계에서 실시 할 수 있다.Alternatively, the saturation region may be removed first as noise in each of the channel images, and an image may be synthesized by selecting an average or maximum value for each channel. In this case, as described above in step S122, it is possible to prevent the data of some areas out of the effective tone range from being discarded as noise. At this time, the process of removing the saturation region from the saturation region with noise may be performed, for example, in the step S122 of extracting the maximum value or the step of generating the averaged image per channel.
다음으로, 상기 최소값을 이용하여 상기 검사영역에서 상기 솔더 영역을 최종적으로 추출한다(S126).Next, the solder region is finally extracted in the inspection region using the minimum value (S126).
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 다음으로, 상기 측정 데이터에서 상기 솔더(950)에 대한 베이스(base) 영역을 추출한다(S130). 2 to 4, a base region for the
상기 베이스 영역은 상기 솔더(950)의 주위에 위치하는 영역으로서, 상기 솔더 영역과 구분되는 영역을 의미한다.The base region is a region located around the
상기 베이스 영역은 다양한 방법으로 추출될 수 있으며, 예를 들면, 상기 검사 영역(IA) 중에서 상기 솔더 영역을 제외한 나머지 영역으로 추출될 수 있다.The base region may be extracted in various ways, for example, the remaining region of the inspection region IA except for the solder region.
이와는 다르게, 상기 베이스 영역은 정확한 높이 측정을 위하여 노이즈를 제거하여 추출될 수 있다.Alternatively, the base region can be extracted by removing noise for accurate height measurement.
일 실시예로, 상기 베이스 영역은 상기 각 채널별로 다르게 추출될 수 있으며, 상기 베이스 영역의 높이는 상기 각 채널별로 획득될 수 있다. 이에 따라, 후술되는 과정에서 상기 베이스 영역의 각 채널별 높이를 이용하여 상기 솔더 영역의 상대적인 높이를 보다 정확하게 획득할 수 있다.In one embodiment, the base region may be extracted differently for each channel, and the height of the base region may be obtained for each channel. Accordingly, it is possible to more accurately obtain the relative height of the solder region by using the height of each channel of the base region in the process described below.
도 6은 도 2에서 베이스 영역을 추출하는 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.FIG. 6 is a flowchart illustrating an embodiment of extracting a base region in FIG.
도 6을 참조하면, 먼저 상기 각 채널별로 상기 측정 데이터로부터 상기 솔더 영역을 제외시킨다(S132).Referring to FIG. 6, the solder region is excluded from the measurement data for each channel (S132).
상기 솔더 영역은 앞선 솔더 영역을 추출하는 단계(S120)에서 추출된 솔더 영역과 동일하다.The solder area is the same as the solder area extracted in step S120 of extracting the preceding solder area.
본 실시예에서, 상기 측정 데이터로부터 상기 솔더 영역을 제외시키는 작업은 상기 각 채널별로 독립적으로 수행된다.In this embodiment, the operation of removing the solder region from the measurement data is performed independently for each channel.
이어서, 상기 각 채널별로 상기 측정 데이터로부터 노이즈 영역을 제외시킨다(S134). Subsequently, the noise region is excluded from the measurement data for each channel (S134).
상기 베이스 영역의 정확한 높이 획득의 전제가 되는 상기 베이스 영역의 추출을 위하여 상기 각 채널별로 솔더 영역 이외의 노이즈 영역을 제외할 수 있다. 또한, 상기 노이즈 영역은 상기 측정 데이터 중에서 비정상적인 것으로 인정되는, 예를 들면, 주위보다 밝게 촬영된 영역을 포함할 수도 있다.A noise region other than the solder region may be excluded for each channel in order to extract the base region which is a premise of obtaining the accurate height of the base region. In addition, the noise region may include an area that is recognized as abnormal in the measurement data, for example, a region photographed brighter than the surrounding area.
상기 측정 데이터로부터 상기 노이즈 영역을 제외시키는 작업은 상기 각 채널별로 독립적으로 수행된다.The operation of excluding the noise region from the measurement data is performed independently for each channel.
이와 같이 상기 노이즈 영역을 제외시키는 작업(S134)은 앞선 상기 측정 데이터로부터 상기 솔더 영역을 제외시킨 작업(S132) 후에 수행될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 측정 데이터로부터 상기 노이즈 영역을 먼저 제외시킨 후 상기 솔더 영역을 나중에 제외시킬 수도 있다.In this manner, the operation of excluding the noise region (S134) may be performed after the operation (S132) in which the solder region is excluded from the measurement data. Alternatively, the noise region may be first excluded from the measurement data, and then the solder region may be excluded later.
다음으로, 상기 각 채널별로 상기 솔더 영역 및 상기 노이즈 영역이 제외된 영역을 채널별 베이스 영역으로 설정한다(S136).Next, a region excluding the solder region and the noise region for each channel is set as a base region for each channel (S136).
이에 따라, 상기 베이스 영역의 높이를 상기 각 채널별로 비교적 정확하게 획득할 수 있다.Accordingly, the height of the base region can be obtained relatively accurately for each channel.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 이어서, 상기 솔더 영역 및 상기 베이스 영역의 측정 데이터를 기초로 상기 솔더의 높이를 획득한다(S140).2 to 4, the height of the solder is obtained based on the measurement data of the solder region and the base region (S140).
상기 솔더 영역과 상기 베이스 영역이 추출된 후, 상기 베이스 영역에 대하여 상대적인 상기 솔더 영역의 높이를 획득할 수 있다.After the solder region and the base region are extracted, the height of the solder region relative to the base region may be obtained.
일 실시예로, 상기 솔더의 높이는 다음과 같이 획득될 수 있다.In one embodiment, the height of the solder may be obtained as follows.
먼저 상기 솔더 영역의 측정 데이터로부터 상기 솔더 영역의 높이를 산출하고, 상기 베이스 영역의 측정 데이터로부터 상기 베이스 영역의 높이를 산출한다.First, the height of the solder region is calculated from the measurement data of the solder region, and the height of the base region is calculated from the measurement data of the base region.
이때, 상기 베이스 영역은 상기 각 채널별로 추출될 수 있다.At this time, the base region may be extracted for each channel.
일 실시예로, 먼저 상기 각 채널별로 추출된 상기 베이스 영역에 대응하는 상기 각 채널별 측정 데이터로부터 상기 베이스 영역의 높이를 채널별로 산출한다.In one embodiment, the height of the base region is calculated for each channel from measurement data for each channel corresponding to the base region extracted for each channel.
상기 베이스 영역이 상기 각 채널별로 독립적으로 획득되므로, 상기 각 채널별 베이스 영역에 대한 측정 데이터를 이용하여 상기 베이스 영역의 높이를 구할 수 있다. 상기와 같이 베이스 영역을 각 채널별로 독립적으로 설정하여 상기 각 채널별로 상기 베이스 영역의 높이를 산출하는 경우, 상기 베이스 영역의 높이는 비교적 일정하고 정확하게 나타날 수 있다.Since the base region is independently obtained for each channel, the height of the base region can be obtained by using measurement data of the base region for each channel. When the base area is independently set for each channel and the height of the base area is calculated for each channel as described above, the height of the base area can be relatively constant and accurately displayed.
다음으로, 상기 채널별로 산출된 베이스 영역의 높이를 각각 상기 베이스 영역의 각 채널별 기준 높이로 설정한다.Next, the height of the base region calculated for each channel is set as a reference height for each channel of the base region.
상기 베이스 영역의 높이를 산출한 후에는, 상기 베이스 영역의 높이에 대한 상기 측정대상물의 상대적인 높이를 획득한다.After the height of the base region is calculated, the relative height of the object to be measured with respect to the height of the base region is obtained.
상기 측정 데이터로부터 획득되는 채널별 높이를 일정한 기준, 일 예로 상기 솔더 레지스트(930)의 상면을 기준으로 나타내기 위하여, 상기 측정 데이터로부터 획득되는 솔더 영역의 채널별 높이에서 상기 베이스 영역의 채널별 높이를 차감한다. 이에 따라, 상기 베이스 영역을 기준으로 한 상대적인 솔더의 높이를 나타낼 수 있다.In order to display the height of each channel obtained from the measurement data with reference to a predetermined reference, for example, the upper surface of the solder resist 930, . Accordingly, the height of the solder relative to the base region can be indicated.
이어서, 상기 획득된 솔더의 각 채널별 상대적인 높이를 병합(merging)한다.Then, the relative heights of the obtained solder for each channel are merged.
상기 각 채널별 높이는 상기 채널의 개수만큼 획득되므로, 상기 채널별 높이를 병합한 높이를 산출한다. 일 실시예로, 상기 채널의 개수가 4개일 때, 상기 병합된 높이는 상기 4개의 채널별 높이의 평균일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 4개의 채널별 높이 중 최대값과 최소값을 제외한 2개의 채널에 대한 높이를 평균하여 상기 병합된 높이를 획득할 수도 있다.Since the height of each channel is obtained by the number of the channels, the height obtained by combining the height of each channel is calculated. In one embodiment, when the number of channels is four, the merged height may be an average of the heights of the four channels. Alternatively, the merged heights may be obtained by averaging the heights of the two channels excluding the maximum value and the minimum value among the heights of the four channels.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 다음으로, 상기 투명층에 의한 높이측정 오프셋을 획득한다(S150).Referring to FIGS. 2 to 4, a height measurement offset by the transparent layer is obtained (S150).
상기 측정 데이터로부터 추출된 높이는 상기 투명층(940)의 특성에 따라 일정한 값만큼 시프트되어 나타날 수 있다. 상기 투명층(940)은 소정의 투명도를 갖는 투명물질로 이루어지며, 상기 투명물질의 반사특성에 따라 측정높이가 달라질 수 있다. 즉 광이 투명도를 가진 투명층(940)을 투과하는 정도에 따라 측정높이가 달라질 수 있다. 따라서, 상기 높이측정 오프셋을 획득하고 앞선 과정에서 측정된 높이로부터 상기 높이측정 오프셋만큼 차감하여, 후술되는 상기 솔더의 높이맵을 획득할 수 있다. 도 3에서, 일 예로 상기 높이측정 오프셋은 'OS'로 나타난다.이어서, 상기 높이측정 오프셋 및 상기 솔더(950)의 높이를 기초로 상기 솔더(950)의 높이맵(height map)을 획득한다(S160).The height extracted from the measurement data may be shifted by a predetermined value according to the characteristics of the
상기 측정된 솔더(950)의 높이에서 상기 높이측정 오프셋을 차감한 높이를 상기 솔더 영역의 각 지점에 대하여 나타내면 상기 솔더(950)의 높이맵을 획득할 수 있다 A height map of the
앞서 설명한 바와 같이, 상기 투명층(940)은 소정의 투명도를 가지므로, 투명도에 의해 상기 투명층(940)의 실제 높이가 아닌 상기 투명층(940)의 실제 높이보다 작은 값이 측정되며, 물리적으로 100% 투과하지는 않으므로 0보다는 큰 값이 측정된다. 따라서, 상기 투명층(940)이 없을 때의 높이를 산출하기 위하여, 상기 투명층(940)의 투명도에 따라 측정되는 높이값을 오프셋으로 차감하여 투명층(940)에 의한 높이 변화량을 보상할 수 있다.상기 높이측정 오프셋은 본 단계에서 측정에 의하여 획득될 수도 있지만, 이와는 다르게, 실험, 계산 등에 의하여 미리 설정할 수도 있다.As described above, since the
예를 들어, 상기 솔더 레지스트(930) 및 상기 투명층(940)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 솔더 레지스트(930)의 일부가 노출되도록 단차부가 형성될 수 있다. 즉, 상기 솔더 레지스트(930)에 형성된 개구부와 상기 투명층(940)에 형성된 개구부는 서로 일치하지 않고 상기 솔더 레지스트(930)의 일정부분이 노출될 수 있다. 따라서, 상기 단차부에 대응하는 상기 솔더 레지스트(930)와 상기 투명층(940)의 상대적인 높이를 측정하여 상기 높이측정 오프셋을 결정 할 수 있다. 한편, 상기 높이측정 오프셋을 보다 정확하게 결정하도록, 상기 투명층(940)은 상기 검사영역(IA) 내에서 균일한 두께를 가질 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, the solder resist 930 and the
상기 높이측정 오프셋은 오프셋 결정자에 의하여 결정될 수 있으며, 상기 오프셋 결정자는, 예를 들면, 상기 투명층(940)의 재질 및 두께 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The height measurement offset may be determined by an offset determiner, and the offset determiner may include at least one of material and thickness of the
상기 투명층(940)의 재질 및 두께에 따라 상기 높이측정 오프셋이 달라질 수 있으므로, 상기 투명층(940)이 도포된 영역인 상기 베이스 영역의 높이는, 노이즈가 제거된 신뢰도 높은 측정 데이터를 이용하여 측정하는 경우, 보다 정확한 솔더(950)의 높이를 구할 수 있다.Since the height measurement offset may vary depending on the material and the thickness of the
또한, 사전에 영역을 구분하여 상기 솔더 영역의 높이와 상기 베이스 영역의 높이를 구하므로, 측정된 베이스 영역의 높이와 측정된 솔더 영역의 높이가 서로 차이가 없더라도 상기 투명층(940)으로 인한 상기 높이측정 오프셋을 적용하여 상기 솔더 영역의 높이를 알 수 있다. 즉, 영역 구분 및 높이측정 오프셋을 설정하지 않고 측정하는 경우, 측정된 베이스 영역의 높이와 솔더 영역 사이의 높이차가 없어 솔더의 높이를 측정 할 수 없으나, 상기 높이측정 오프셋을 적용하는 경우 상기 솔더 영역의 높이를 측정 할 수 있다. 이때, 상기 솔더 영역의 높이는 상기 높이측정 오프셋의 높이와 동일하다.Since the height of the solder region and the height of the base region are determined in advance by dividing the regions, the height of the base region and the height of the measured solder region are not different from each other, The height of the solder region can be determined by applying a measurement offset. That is, when the measurement is performed without setting the area division and height measurement offset, there is no height difference between the measured height of the base region and the solder region. However, when the height measurement offset is applied, Can be measured. At this time, the height of the solder region is equal to the height of the height measurement offset.
이와 같이 솔더 영역의 높이맵이 획득되면 솔더의 양을 산출할 수 있으며, 상기 솔더의 양이 허용범위 내에 있는지를 확인하여 상기 인쇄회로기판(900)의 불량여부를 판단할 수 있다.When the height map of the solder region is obtained in this way, the amount of solder can be calculated, and it is possible to determine whether the printed
상기와 같은 본 발명에 따르면, 측정대상물 주위에 투명층이 형성된 경우에도 투명층에 의한 오프셋을 측정하여 상기 측정대상물의 높이맵을 획득할 수 있다.According to the present invention, even when the transparent layer is formed around the measurement object, the height map of the measurement object can be obtained by measuring the offset by the transparent layer.
또한, 상기 측정대상물 및 상기 투명층이 동일한 높이에 형성되어 있는 경우에도 측정대상물의 높이맵을 획득할 수 있다.Further, even when the measurement object and the transparent layer are formed at the same height, the height map of the measurement object can be obtained.
또한, 기판 상에 솔더가 형성된 솔더 영역은 하나를 추출하고, 상기 솔더 영역에 인접한 베이스 영역은 각 채널별로 추출하며, 상기 추출된 베이스 영역의 기준 높이를 각 채널별로 다르게 적용하는 경우 보다 정확한 영역 구분을 할 수 있으며 보다 정확하게 솔더 영역의 높이맵을 획득할 수 있다.In addition, the solder region on which the solder is formed on the substrate is extracted, and the base region adjacent to the solder region is extracted for each channel. In the case where the reference height of the extracted base region is different for each channel, And more accurately obtain the height map of the solder region.
이에 따라, 솔더의 양을 보다 정확하게 측정할 수 있으므로, 인쇄회로기판의 불량여부를 보다 정확히 판단할 수 있다.As a result, the amount of solder can be more accurately measured, and it is possible to more accurately determine whether or not the printed circuit board is defective.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다. 따라서, 전술한 설명 및 아래의 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical and exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the foregoing description and drawings are to be regarded as illustrative rather than limiting of the present invention.
100 : 측정 스테이지부 200 : 영상 촬영부
210 : 카메라 300 : 제1 조명장치
400 : 제2 조명장치 450 : 제2 조명부
500 : 영상 획득부 600 : 모듈 제어부
700 : 중앙 제어부 900 : 인쇄회로기판
910 : 베이스 기판 920: 도전층
930 : 솔더 레지스트 940 : 투명층
IA : 검사영역100: measurement stage unit 200:
210: camera 300: first illuminator
400: Second illuminator 450: Second illuminator
500: image acquisition unit 600: module control unit
700: central control unit 900: printed circuit board
910: base substrate 920: conductive layer
930: solder resist 940: transparent layer
IA: Inspection area
Claims (11)
상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물의 영역을 추출하는 단계;
상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물에 대한 베이스 영역을 추출하는 단계;
상기 측정대상물의 영역 및 상기 베이스 영역의 측정 데이터를 기초로 상기 측정대상물의 높이를 획득하는 단계;
상기 투명층에 의한 높이측정 오프셋을 획득하는 단계; 및
상기 높이측정 오프셋 및 상기 측정대상물의 높이를 기초로 상기 측정대상물의 높이맵(height map)을 획득하는 단계를 포함하는 기판 검사방법.Forming a transparent layer having an opening, irradiating a substrate on which an object to be measured is formed with light to obtain measurement data;
Extracting an area of the measurement object from the measurement data;
Extracting a base region for the measurement object from the measurement data;
Obtaining a height of the measurement object based on measurement data of the area of the measurement object and the base area;
Obtaining a height measurement offset by the transparent layer; And
And obtaining a height map of the measurement object based on the height measurement offset and the height of the measurement object.
상기 높이측정 오프셋은 상기 투명층의 재질 및 두께 중 적어도 하나를 포함하는 오프셋 결정자에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The method according to claim 1,
Wherein the height measurement offset is determined by an offset determiner comprising at least one of a material and a thickness of the transparent layer.
상기 기판에 하나 이상의 방향에 대응하는 하나 이상의 채널(channel)에 대하여 각각 두 번 이상의 격자패턴광을 조사하는 단계; 및
상기 기판으로부터 반사된 격자패턴광을 수신하여 상기 측정 데이터를 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.2. The method of claim 1, wherein irradiating the substrate with light to obtain measurement data comprises:
Irradiating the substrate with at least two grid pattern light beams for each of at least one channel corresponding to at least one direction; And
And receiving the grid pattern light reflected from the substrate to obtain the measurement data.
상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물의 영역을 추출하는 단계는,
상기 각 채널에 대해서 획득된 상기 두 번 이상의 격자패턴광에 따른 두 개 이상의 측정 데이터 중 상기 채널별로 최대값을 각각 추출하는 단계;
상기 각 채널별 최대값 중에서 최소값을 추출하는 단계; 및
상기 최소값을 이용하여 검사영역에서 상기 측정대상물의 영역을 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The method of claim 3,
Wherein the step of extracting the region of the measurement object from the measurement data comprises:
Extracting a maximum value for each channel among two or more measurement data corresponding to the two or more grid pattern lights obtained for each channel;
Extracting a minimum value among the maximum values for each channel; And
And extracting a region of the measurement object in the inspection region using the minimum value.
상기 측정 데이터에서 상기 측정대상물에 대한 베이스 영역을 추출하는 단계는,
상기 각 채널별로 상기 측정 데이터로부터 상기 측정대상물의 영역을 제외시키는 단계;
상기 각 채널별로 상기 측정 데이터로부터 노이즈 영역을 제외시키는 단계;
상기 각 채널별로 상기 측정대상물의 영역 및 상기 노이즈 영역이 제외된 영역을 채널별 베이스 영역으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.
The method of claim 3,
The step of extracting the base region for the measurement object from the measurement data includes:
Removing a region of the measurement object from the measurement data for each channel;
Removing a noise region from the measurement data for each channel;
And setting a region of the measurement object and a region excluding the noise region for each channel as a base region for each channel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110018695A KR101684244B1 (en) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | Board inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110018695A KR101684244B1 (en) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | Board inspection method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120100064A KR20120100064A (en) | 2012-09-12 |
KR101684244B1 true KR101684244B1 (en) | 2016-12-09 |
Family
ID=47109865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110018695A KR101684244B1 (en) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | Board inspection method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101684244B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019164382A1 (en) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 주식회사 고영테크놀러지 | Method for inspecting mounting state of component, printed circuit board inspection apparatus, and computer readable recording medium |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101447968B1 (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-13 | 주식회사 고영테크놀러지 | Base plane setting method for inspecting circuit board and circuit inspection method using the base plane |
WO2018008851A1 (en) * | 2016-07-03 | 2018-01-11 | 엘지전자 주식회사 | Thickness measuring apparatus |
KR102418633B1 (en) * | 2021-12-22 | 2022-07-07 | 큐알티 주식회사 | A semiconductor device radiation test method, and a semiconductor device radiation test system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007327867A (en) | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Anritsu Corp | Apparatus and method for inspecting printed solder |
JP2008070135A (en) | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Juki Corp | Detecting method of optical axis shift of imaging apparatus and part position detecting method and device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101059697B1 (en) * | 2009-05-13 | 2011-08-29 | 주식회사 고영테크놀러지 | Measuring method of measuring object on printed circuit board |
KR101097716B1 (en) * | 2009-05-20 | 2011-12-22 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | Method for measuring three-dimensional shape |
-
2011
- 2011-03-02 KR KR1020110018695A patent/KR101684244B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007327867A (en) | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Anritsu Corp | Apparatus and method for inspecting printed solder |
JP2008070135A (en) | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Juki Corp | Detecting method of optical axis shift of imaging apparatus and part position detecting method and device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019164382A1 (en) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 주식회사 고영테크놀러지 | Method for inspecting mounting state of component, printed circuit board inspection apparatus, and computer readable recording medium |
CN111788883A (en) * | 2018-02-26 | 2020-10-16 | 株式会社高迎科技 | Component mounting state inspection method, printed circuit board inspection apparatus, and computer-readable recording medium |
CN111788883B (en) * | 2018-02-26 | 2021-11-05 | 株式会社高迎科技 | Component mounting state inspection method, printed circuit board inspection apparatus, and computer-readable recording medium |
US11244436B2 (en) | 2018-02-26 | 2022-02-08 | Koh Young Technology Inc. | Method for inspecting mounting state of component, printed circuit board inspection apparatus, and computer readable recording medium |
US11328407B2 (en) | 2018-02-26 | 2022-05-10 | Koh Young Technology Inc. | Method for inspecting mounting state of component, printed circuit board inspection apparatus, and computer readable recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120100064A (en) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5562407B2 (en) | Substrate inspection apparatus and inspection method | |
JP6317296B2 (en) | Three-dimensional shape measuring method and measuring apparatus | |
JP5256251B2 (en) | Inspection method of measurement object | |
JP5202575B2 (en) | Shape measuring apparatus and shape measuring method | |
KR101241175B1 (en) | Mounting boards inspection apparatus and method thereof | |
KR101659302B1 (en) | Three-dimensional shape measurement apparatus | |
JP5411913B2 (en) | Pin tip position setting method | |
JP5411914B2 (en) | Board inspection method | |
KR101410220B1 (en) | Method for measuring height of measuring target in three dimensional shape measuring apparatus | |
KR101684244B1 (en) | Board inspection method | |
KR101622628B1 (en) | Method and apparatus of inspecting a substrate with electronic devices mounted thereon | |
KR101311215B1 (en) | Method for inspecting substrate | |
KR101133976B1 (en) | Method and apparatus for 3-dimensional optical inspection | |
KR20090120383A (en) | Apparatus for measurement of surface profile | |
KR101133972B1 (en) | Method of inspecting terminal | |
KR101216453B1 (en) | Inspection method of measuring object | |
KR101311255B1 (en) | Inspection method of measuring object | |
KR101544763B1 (en) | Method of inspecting terminal |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190909 Year of fee payment: 4 |