KR101681350B1 - Variable capacitor circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가변 커패시터 회로에 관한 것으로, 병렬 연결된 복수 개의 커패시터; 상기 각 커패시터와 개별적으로 직렬 연결된 복수 개의 가변 스위치부; 및 노드a를 통해 상기 각 가변 스위치부와 연결된 공통 스위치부; 를 포함하되, 상기 공통 스위치부는 m×n 배열로 구성된 복수 개의 스위치 소자를 포함하는 가변 커패시터 회로를 제안한다.
The present invention relates to a variable capacitor circuit, comprising: a plurality of capacitors connected in parallel; A plurality of variable switch units connected in series with the respective capacitors; And a common switch unit connected to each of the variable switch units via a node a; Wherein the common switch section includes a plurality of switch elements each having an m x n array.

Description

가변 커패시터 회로{VARIABLE CAPACITOR CIRCUIT}Variable Capacitor Circuit {VARIABLE CAPACITOR CIRCUIT}

본 발명은 가변 커패시터 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는, Q값이 개선된 가변 커패시터 회로에 관한 것이다.
The present invention relates to a variable capacitor circuit, and more particularly, to a variable capacitor circuit having an improved Q value.

무선 통신에 있어서 여러 종류의 주파수 밴드 신호가 존재한다. 예를 들면, 2세대 스탠다드에 비해 전송 속도를 강화한 3세대 스탠다드인 UMTS(Universal Mobile Telecommunication System)의 경우, BAND 1(송신 주파수 대역: 1920-1980 MHz), BAND 2(송신 주파수 대역: 1850-1910 MHz), BAND 4(송신 주파수 대역: 1710-1770 MHz), BAND 5(송신 주파수 대역: 824-849 MHz) 및 BAND 8(송신 주파수 대역: 880-915 MHz) 등의 여러 세분화된 주파수 대역이 존재한다. There are various kinds of frequency band signals in wireless communication. For example, in the case of UMTS (Universal Mobile Telecommunication System), which is a 3G standard, which has a higher transmission rate than the second generation standard, BAND 1 (transmission frequency band: 1920-1980 MHz) and BAND 2 (transmission frequency band: 1850-1910 There are several subdivided frequency bands such as BAND 4 (transmission frequency band: 1710-1770 MHz), BAND 5 (transmission frequency band: 824-849 MHz) and BAND 8 (transmission frequency band: 880-915 MHz) do.

또한, 2세대 통신 스탠다드 중 하나인 GSM(Global System for Mobile communication)의 경우에도 GSM 900(송신 주파수 대역: 880-915 MHz), DCS 1800(송신 주파수 대역: 1710-1785 MHz), GSM 850(송신 주파수 대역: 824-849 MHz) 및 PCS 1900(송신 주파수 대역: 1850-1910 MHz) 등의 여러 세분화된 주파수 대역이 존재한다. Also, GSM 900 (transmission frequency band: 880-915 MHz), DCS 1800 (transmission frequency band: 1710-1785 MHz), GSM 850 (transmission Frequency band: 824-849 MHz) and PCS 1900 (transmission frequency band: 1850-1910 MHz).

이에 더하여, 최근, LTE(Long Term Evolution)으로 표방되는 4세대 이동통신이 출현하고 있다. 이와 같이, 3세대 이동통신망에 4세대 이동통신망이 더해짐에 따라 하나의 휴대폰에서 지원해야 할 주파수 대역이 많아지고 있다.
In addition, recently, fourth generation mobile communication, which is termed LTE (Long Term Evolution), is emerging. As such, as the fourth generation mobile communication network is added to the third generation mobile communication network, a frequency band to be supported by one mobile phone is increasing.

이러한 기술적 요구에 따라 안테나와 송신회로 간 부정합(mismatching) 문제가 점차 중요한 이슈로 떠오르고 있다. 안테나와 송신회로간의 부정합은 전력증폭기(Power Amplifier:PA)의 전력 사용량을 증가시키고 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier:LNA)의 수신률을 떨어뜨리는 등 무선 통신 장치의 성능 저하를 유발시키기 때문이다.According to such technical requirements, mismatching problem between the antenna and the transmission circuit becomes increasingly important issue. This is because mismatch between the antenna and the transmission circuit increases the power consumption of the power amplifier (PA) and deteriorates the reception performance of the low noise amplifier (LNA).

안테나와 송신회로간의 부정합을 해결하기 위해, 종래 휴대용 단말기는 고정된 LC(L: Inductor, C: Capacitor) 회로를 이용한 FMN(Fixed Matching Network) 방식을 사용한다. 상기 FMN 방식을 사용할 경우, 안테나 정합을 위한 최적의 LC 회로 소자값을 찾기 위해 단말 개발 시 많은 시간이 요구된다. 더욱이, 전계 상황에 따라 LC 회로 소자값을 변경할 수 없으므로, RF(Radio Frequency) 성능문제, 특히, 약전계의 경우 호 드랍(Call Drop), 묵음(Mute) 발생 등의 성능문제가 빈번하게 발생하는 단점이 있다.In order to solve the mismatch between the antenna and the transmission circuit, the conventional portable terminal uses a FMN (Fixed Matching Network) method using a fixed LC (L: Inductor, C: Capacitor) circuit. When the FMN scheme is used, much time is required in developing a terminal to find an optimal LC circuit element value for antenna matching. Furthermore, since the LC circuit element value can not be changed according to the electric field, there is a problem that a radio frequency (RF) performance problem, particularly a weak electric field, frequently causes performance problems such as call drop and mute There are disadvantages.

상기 FMN 방식의 단점을 보완하기 위해 고안된 기술이 TMN(Tunable Matching Network) 방식이다. 상기 TMN 방식은 고정된 LC 회로가 아닌 가변 LC 회로를 이용하며, 전계 상황 및 사용자 환경에 따라 최적의 LC 회로 소자값으로 안테나 정합을 이룸으로써, 안테나 변경 없이 다양한 전계 상황에서 RF 성능개선이 가능하다.A technique designed to compensate for the disadvantages of the FMN scheme is a TMN (Tunable Matching Network) scheme. The TMN scheme uses a variable LC circuit instead of a fixed LC circuit and performs antenna matching with an optimal LC circuit element value according to an electric field situation and a user environment so that RF performance can be improved in various electric field situations without changing an antenna .

가변 LC 회로는 주로 커패시터의 커패시턴스값(C)을 가변하여 정합을 이루는데, 이러한 의미로 가변 LC 회로는 가변 커패시터 회로로 정의되기도 한다. 이러한 가변 커패시터 회로에서 주로 사용되는 커패시터 소자는 비용면에서 이점이 있는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터이고, 이를 이용한 가변 커패시터 회로가 대한민국 공개특허공보에 게재된 공개번호 제 2006-0075660호(이하, 선행기술문헌)에 제시되어 있다.The variable LC circuit mainly performs the matching by varying the capacitance value C of the capacitor. In this sense, the variable LC circuit is also defined as a variable capacitor circuit. A capacitor element mainly used in such a variable capacitor circuit is a metal-insulator-metal (MIM) capacitor having an advantage in terms of cost, and a variable capacitor circuit using the same is disclosed in Korean Patent Publication No. 2006-0075660 , Prior art document).

선행기술문헌에 제시된 가변 커패시터 회로는, 회로입력 노드와 출력 노드 사이에 복수의 커패시터를 직렬로 연결하고, 이를 스위칭 트랜지스터로 제어하여 입출력 노드 사이의 정전용량을 제어하고 있다. The variable capacitor circuit disclosed in the prior art references a plurality of capacitors connected in series between a circuit input node and an output node and controls the capacitances between the input and output nodes by controlling them with a switching transistor.

그러나, 가변 커패시터 회로에서 중요한 요소는 가변 커패시터의 가역성과 Q값(Quality Factor)인데, 선행기술문헌에 제시된 가변 커패시터 회로를 이용하여 커패시턴스값을 증가시키는 경우, 온(on) 상태의 스위칭 트랜지스터에 따른 임피던스값이 증가하여 Q값이 열화되는 문제가 있다.However, an important factor in the variable capacitor circuit is the reversibility and the Q factor (Quality Factor) of the variable capacitor. When the capacitance value is increased by using the variable capacitor circuit shown in the prior art document, There is a problem that the impedance value increases and the Q value deteriorates.

한편, 미국 공개특허공보에 게재된 공개번호 제 20110002080호에서는 바이너리(binary) 방식으로 커패시턴스값(C)을 가변하는 가변 커패시터 회로가 제시하고 있다. 이는 하나의 커패시터와 복수 개의 스위치 소자로 구성된 유닛 커패시터열(Unit Capacitor row)을 비례적으로 증가하는 커패시턴스값(C)에 맞추어 배열함으로써 Q값이 열화되는 것을 방지하고 있다. On the other hand, in the publication No. 20110002080 published in the United States patent publication, a variable capacitor circuit which varies a capacitance value C in a binary manner is proposed. This arrangement prevents the Q value from deteriorating by arranging a unit capacitor row composed of one capacitor and a plurality of switch elements in accordance with the capacitance value C that increases proportionally.

그러나, 이러한 구조의 가변 커패시터 회로를 이용하여 커패시턴스값을 가변하는 경우 Q값이 열화되는 것을 방지할 수는 있으나, 유닛 커패시터열이 증가할수록 이에 포함된 커패시터 역시 따라서 증가하므로 Q값이 일정하게 유지될 뿐 개선되지는 않는다.
However, when the capacitance value is changed by using the variable capacitor circuit having such a structure, it is possible to prevent the Q value from deteriorating. However, as the unit capacitor row increases, the capacitors included therein also increase accordingly. However,

특허문헌 : 대한민국 공개특허공보 제 2006-0075660호Patent Document: Korean Patent Publication No. 2006-0075660 특허문헌 : 미국 공개특허공보 제 20110002080호Patent Document: U.S. Published Patent Application No. 20110002080

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, Q값이 개선된 가변 커패시터 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a variable capacitor circuit with improved Q value.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명은, 병렬 연결된 복수 개의 커패시터; 상기 각 커패시터와 개별적으로 직렬 연결된 복수 개의 가변 스위치부; 및 노드a를 통해 상기 각 가변 스위치부와 연결된 공통 스위치부; 를 포함하되, 상기 공통 스위치부는 m×n 배열로 구성된 복수 개의 스위치 소자를 포함하는, 가변 커패시터 회로를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including: a plurality of capacitors connected in parallel; A plurality of variable switch units connected in series with the respective capacitors; And a common switch unit connected to each of the variable switch units via a node a; Wherein the common switch portion includes a plurality of switch elements arranged in an m x n array.

또한, 상기 각 커패시터는 노드b를 통해 제1 RF터미널과 연결되고, 상기 공통 스위치부는 노드c를 통해 제2 RF터미널과 연결되는, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Each of the capacitors is connected to a first RF terminal via a node b, and the common switch part is connected to a second RF terminal through a node c.

또한, 상기 각 가변 스위치부의 온/오프 동작에 따라 커패시턴스값(C)이 가변하는, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Also, a variable capacitor circuit in which a capacitance value (C) varies in accordance with an on / off operation of each variable switch section is provided.

또한, 상기 가변 스위치부는, k×l 배열로 구성된 복수 개의 스위치 소자를 포함하는, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Further, the variable switch section includes a plurality of switch elements each of which is constituted by a k × 1 array.

또한, 상기 k 및/또는 l값은 각 가변 스위치부마다 서로 다른, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Also, the k and / or l values provide a variable capacitor circuit that is different for each variable switch portion.

또한, 상기 l값은 상기 n값과 동일한, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Also, the value of l is equal to the value of n, providing a variable capacitor circuit.

또한, 상기 k값은 1인, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Also, the k value is 1, which provides a variable capacitor circuit.

또한, 상기 각 커패시터의 커패시턴스값(C)이 서로 다른, 가변 커패시터 회로를 제공한다. Also, a variable capacitor circuit is provided in which the capacitance values (C) of the respective capacitors are different from each other.

또한, 상기 커패시터는, MIM (Metal Insulator Metal) 구조로 된, 가변 커패시터 회로를 제공한다. In addition, the capacitor provides a variable capacitor circuit having a metal insulator metal (MIM) structure.

또한, 상기 각 가변 스위치부와 일대일로 연결된 다수 개의 출력 단자를 포함하고, 상기 출력 단자를 통해 상기 각 가변 스위치부의 온/오프 동작을 제어하는 디코더;를 더 포함하는, 가변 커패시터 회로를 제공한다.
The variable capacitor circuit may further include a decoder including a plurality of output terminals coupled to the variable switch parts in a one-to-one relationship, and controlling ON / OFF operations of the variable switch parts through the output terminal.

본 발명에 따른 가변 커패시터 회로에 따르면, 별도의 비용 추가없이 Q값을 개선할 수 있다.
According to the variable capacitor circuit according to the present invention, the Q value can be improved without adding any additional cost.

도 1은 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 상세 회로도이다.
도 2는 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로에서 커패시턴스값에 따른 Q 값을 나타낸 그래프이다.
1 is a detailed circuit diagram of a variable capacitor circuit according to the present invention.
2 is a graph showing a Q value according to a capacitance value in a variable capacitor circuit according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The advantages and features of the present invention and the techniques for achieving them will be apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. The present embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is not only limited thereto, but also may enable others skilled in the art to fully understand the scope of the invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 서로 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
The terms used herein are intended to illustrate the embodiments and are not intended to limit the invention. In this specification, the singular forms include plural forms unless otherwise specified in the text. It is to be understood that the terms " comprise, " and / or " comprising ", as used herein, mean that a component, step, operation and / And does not exclude the presence or addition thereof.

도 1은 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 상세 회로도이다. 1 is a detailed circuit diagram of a variable capacitor circuit according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로는, 병렬 연결된 복수 개의 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)와, 상기 각 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)와 개별적으로 직렬 연결된 복수 개의 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15) 및 노드a를 통해 상기 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)와 연결된 공통 스위치부(S2)를 포함할 수 있다. 1, a variable capacitor circuit according to the present invention includes a plurality of capacitors C1, C2, C3, C4, and C5 connected in parallel and a plurality of capacitors C1, C2, C3, C4, A plurality of variable switch parts S11, S12, S13, S14 and S15 connected in series and a common switch part S2 connected to the variable switch parts S11, S12, S13, S14 and S15 via the node a .

상기 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)와 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)는 일정한 개수로 한정되지 않고, 여기서는 각각 다섯 개의 커패시터와 가변 스위치부로 구성된 가변 커패시터 회로를 기준으로 설명하기로 한다. The number of the capacitors C1, C2, C3, C4 and C5 and the variable switch sections S11, S12, S13, S14 and S15 are not limited to a certain number. In this case, variable capacitors constituted by five capacitors and variable switch sections It will be explained by reference.

상기 각 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)는 노드b를 통해 제1 RF터미널과 연결되고, 상기 공통 스위치부(S2)는 노드c를 통해 제2 RF터미널과 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로는 제1 RF터미널과 제2 RF터미널 사이의 신호 방향에 따라 커패시턴스값이 가변될 수 있다.Each of the capacitors C1, C2, C3, C4, and C5 may be connected to a first RF terminal through a node b, and the common switch S2 may be connected to a second RF terminal through a node c. Accordingly, in the variable capacitor circuit according to the present invention, the capacitance value can be varied according to the signal direction between the first RF terminal and the second RF terminal.

여기서, 상기 제1 및 제2 RF터미널은 TMN(Tunable Matching Network) 회로의 입력 노드 또는 출력 노드와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제1 RF터미널이 TMN회로의 출력 노드와 연결되면 상기 제2 RF터미널은 입력 노드와 연결될 수 있고, 반대로, 상기 제1 RF터미널이 TMN회로의 입력 노드와 연결되면 상기 제2 RF터미널은 출력 노드와 연결될 수 있다.
Here, the first and second RF terminals may be connected to input nodes or output nodes of a TMN (Tunable Matching Network) circuit. Therefore, when the first RF terminal is connected to the output node of the TMN circuit, the second RF terminal can be connected to the input node. On the contrary, when the first RF terminal is connected to the input node of the TMN circuit, May be coupled to an output node.

상기 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)는 MIM (Metal Insulator Metal) 커패시터일 수 있고, 각 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)의 커패시턴스값은 커패시터마다 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 커패시터(C1)는 1C, 커패시터(C2)는 2C, 커패시터(C3)는 4C, 커패시터(C4)는 8C, 그리고, 커패시터(C5)는 16C의 커패시턴스값을 가질 수 있다. 이러한 경우 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로는 바이너리(binary) 방식으로 커패시턴스값이 가변된다.
The capacitors C1, C2, C3, C4 and C5 may be metal insulator metal (MIM) capacitors and the capacitances of the capacitors C1, C2, C3, C4 and C5 may be different from one another. For example, the capacitance of the capacitor C1 may be 1C, the capacitance of the capacitor C2 may be 2C, the capacitance of the capacitor C3 may be 4C, the capacitance of the capacitor C4 may be 8C, and the capacitance of the capacitor C5 may be 16C. In this case, the variable capacitor circuit according to the present invention has a variable capacitance value in a binary manner.

상기 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)는 k×l 배열(k, l은 1이상의 정수)로 연결된 복수 개의 스위치 소자로 구성될 수 있다. The variable switch units S11, S12, S13, S14 and S15 may be constituted by a plurality of switch elements connected in a k × 1 arrangement (k, 1 is an integer of 1 or more).

본 발명의 실시 예에서 상기 스위치 소자는 FET(Field Effect Transistor)로 되어 있으나, 이와 동일한 기능을 하는 BJT(Bipolar Junction Transistor), SCR(Silicon-controlled rectifier), GTO사이리스터(Gate-Turn-Off Thyristor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등도 사용될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the switch element is a field effect transistor (FET), but a bipolar junction transistor (BJT), a silicon-controlled rectifier (SCR), a gate-turn-off thyristor (GTO) , An insulated gate bipolar transistor (IGBT), or the like may be used.

상기 k는 가변 커패시터 회로로 인가되는 전압을 분배하기 위하여 직렬로 연결되는 스위치 소자의 개수를 의미하고, l은 Q값 개선을 위하여 병렬로 연결되는 스위치 소자의 개수를 의미한다. K denotes the number of switch elements connected in series in order to distribute the voltage applied to the variable capacitor circuit, and 1 denotes the number of switch elements connected in parallel for improving the Q value.

상기 k의 값이 클수록(즉, 직렬로 연결되는 스위치 소자의 개수가 증가할수록) 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 임피던스값이 증가하여 Q값이 열화되므로, 상기 k의 값은 전압이 적절히 분배되는 범위내에서 최소값으로 설정하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 공간의 효율적 사용을 위해 상기 k의 값을 1로 설정하였다.As the value of k increases (that is, as the number of switch elements connected in series increases), the impedance value depending on the switch element in an on state increases to deteriorate the Q value. It is preferable to set the minimum value within the range to be distributed. In the embodiment of the present invention, the value of k is set to 1 for efficient use of space.

그리고, 상기 l의 값이 클수록(즉, 병렬로 연결되는 스위치 소자의 개수가 증가할수록) 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 임피던스값이 l만큼 분배되어 감소하므로, 상기 l의 값은 스위치 소자가 제품내 실장될 수 있는 최대 허용 범위내에서 최대값으로 설정하는 것이 바람직하다.Since the impedance value according to the on-state switch element is divided by 1 and decreased as the value of 1 is larger (i.e., the number of the switch elements connected in parallel increases) Is set to the maximum value within the maximum permissible range that can be mounted in the product.

이러한 상기 k 및/또는 l의 값은 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)마다 서로 다르게 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 유형으로 2×3 배열의 가변 스위치부(S11)와 2×4 배열의 가변 스위치부(S12), 제2 유형으로 3×2 배열의 가변 스위치부(S11)와 4×2 배열의 가변 스위치부(S12), 제3 유형으로 2×3 배열의 가변 스위치부(S11)와 3×2 배열의 가변 스위치부(S12)로 구성될 수 있다.
The value of k and / or l may be set differently for each variable switch unit S11, S12, S13, S14, and S15. For example, the first type includes a variable switch section S11 having a 2 × 3 array, a variable switch section S12 having a 2 × 4 array, a variable switch section S11 having a 3 × 2 array having a second type, A variable switch section S12 of a 2x3 array, a variable switch section S11 of a 3x2 array, and a variable switch section S12 of a 3x2 array.

상기 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)는 상기 디코더의 제어 신호에 따라 개별적으로 온/오프 되어 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 커패시턴스값을 가변한다. The variable switch units S11, S12, S13, S14, and S15 are individually turned on / off according to the control signal of the decoder to vary the capacitance value of the variable capacitor circuit according to the present invention.

예를 들어, 커패시터(C1)는 1C, 커패시터(C2)는 2C, 커패시터(C3)는 4C, 커패시터(C4)는 8C, 그리고, 커패시터(C5)는 16C의 커패시턴스값을 가지는 경우, 가변 스위치부(S11)가 온(on)되고 그 외 가변 스위치부(S12,13,14,15)가 오프(off)되면 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 커패시턴스값은 1C로 가변된다.For example, when the capacitance of the capacitor C1 is 1C, the capacitance of the capacitor C2 is 2C, the capacitance of the capacitor C3 is 4C, the capacitance of the capacitor C4 is 8C, and the capacitance of the capacitor C5 is 16C, The capacitance value of the variable capacitor circuit according to the present invention changes to 1 C when the switch S11 is turned on and the variable switch portions S12, 13, 14, and 15 are turned off.

그리고, 가변 스위치부(S11,S12)가 온(on)되고 그 외 가변 스위치부(S13,14,15)가 오프(off)되면, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 커패시턴스값은 3C로 가변된다.Then, when the variable switch portions S11 and S12 are turned on and the other variable switch portions S13, 14 and 15 are turned off, the capacitance value of the variable capacitor circuit according to the present invention is changed to 3C .

이와 같이, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로는 상기 디코더를 통해 상기 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)의 온/오프 동작을 개별적으로 제어함으로써, 상기 커패시터(C1)가 1C, 커패시터(C2)가 2C, 커패시터(C3)가 4C, 커패시터(C4)가 8C, 그리고 커패시터(C5)가 16C의 커패시턴스값을 가지는 경우, 0 부터 31C 사이의 커패시턴스값을 바이너리 방식으로 가변할 수 있다.
As described above, the variable capacitor circuit according to the present invention controls the ON / OFF operations of the variable switch parts S11, S12, S13, S14, and S15 individually through the decoder, so that the capacitors C1, The capacitance value between 0 and 31C can be varied in a binary manner when the capacitance of the capacitor C2 is 2C, the capacitance of the capacitor C3 is 4C, the capacitance of the capacitor C4 is 8C, and the capacitance of the capacitor C5 is 16C .

상기 디코더와 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)의 연결 구조를 구체적으로 살펴보면, 상기 디코더는 상기 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)에 대응하는 출력 단자(out1,out2,out3,out4,out5)를 포함하고, 각 출력 단자(out1,out2,out3,out4,out5)는 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)와 일대일로 연결된다. The decoder is connected to the output terminals out1 (out1) corresponding to the variable switch parts S11, S12, S13, S14 and S15, out2, out3, out4 and out5 and the output terminals out1, out2, out3, out4 and out5 are connected in a one-to-one manner to the variable switch parts S11, S12, S13, S14 and S15.

상기 가변 스위치부(S11)를 예로 들어, 가변 스위치부(S11)에 포함된 스위칭 소자가 FET라고 하면, 가변 스위치부(S11) 내의 모든 FET의 게이트단은 상기 디코더의 출력 단자(out1)와 연결되고, 상기 가변 스위치부(S11) 내의 모든 FET의 온/오프 동작은 상기 출력 단자(out1)로부터 입력된 제어 신호에 따라 일체로 이루어진다.
For example, if the variable switching unit S11 is a switching element included in the variable switching unit S11, the gate terminals of all FETs in the variable switching unit S11 are connected to the output terminal out1 of the decoder And the on / off operation of all the FETs in the variable switch unit S11 is performed integrally according to the control signal input from the output terminal out1.

상기 공통 스위치부(S2)는 m×n 배열(m, n 은 1이상의 정수)로 연결된 복수 개의 스위치 소자로 구성될 수 있다. 상기 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)와 마찬가지로, 상기 m은 가변 커패시터 회로로 인가되는 전압을 분배하기 위하여 직렬로 연결되는 스위치 소자의 개수를 의미하고, n은 Q값 개선을 위하여 병렬로 연결되는 스위치 소자의 개수를 의미한다.The common switch unit S2 may be composed of a plurality of switch elements connected in an mxn array (m, n is an integer of 1 or more). Similarly to the variable switch parts S11, S12, S13, S14 and S15, m denotes the number of switch elements connected in series in order to distribute a voltage applied to the variable capacitor circuit, and n denotes a Q value improvement Which means the number of switching elements connected in parallel.

상기 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)의 k와 공통 스위치부(S2)의 m은 모두 전압 분배를 위한 스위치 소자의 개수로써, 상기 k와 m은 서로 상관관계에 있다. 따라서, 상기 k의 값을 작게 설정하면 상기 m의 값을 크게 설정해야 하고, 상기 k의 값을 크게 설정하면 상기 m의 값을 작게 설정할 수 있다. K of the variable switch sections S11, S12, S13, S14, and S15 and m of the common switch section S2 are the number of switch elements for voltage distribution, and k and m are in correlation with each other. Therefore, if the value of k is set small, the value of m should be set large, and if the value of k is set large, the value of m may be set small.

다만, 상기 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)는 상기 커패시터(C1,C2,C3,C4,C5)와 동일한 개수로 설계되므로, 본 발명의 실시예에서와 같이, 공간의 효율적 사용을 위해 상기 k의 값을 1로 설정하고, 상기 m의 값을 복수 개로 설정하는 것이 바람직하다. However, since the variable switches S11, S12, S13, S14 and S15 are designed in the same number as the capacitors C1, C2, C3, C4 and C5, It is preferable to set the value of k to 1 for use and set the value of m to a plurality of values.

그리고, 상기 n은 상기 l과 마찬가지로, 그 값이 클수록 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 임피던스값이 n만큼 분배되어 감소하므로, 상기 n의 값은 스위치 소자가 제품내 실장될 수 있는 최대 허용 범위내에서 최대값으로 설정하되, 상기 n과 상기 l의 값을 동일하게 설정하는 것이 바람직하다.
As the value of n is larger than the value of n, the impedance value corresponding to the on-state switch element is divided and divided by n, so that the value of n is the maximum allowable value of the switch element It is preferable to set the value of n and the value of 1 equal to each other.

상기 공통 스위치부(S2)는 상기 디코더의 출력 단자(out6)와 연결되고, 따라서, 상기 출력 단자(out6)로부터 입력된 제어 신호에 따라 온/오프 동작이 이루어진다. 즉, 상기 공통 스위치부(S2)에 포함된 모든 스위치 소자, 예컨대 FET의 게이트단은 상기 디코더의 출력 단자(out6)와 연결되고, 모든 FET의 온/오프 동작은 상기 출력 단자(out6)로부터 입력된 제어 신호에 따라 일체로 이루어진다.
The common switch S2 is connected to the output terminal out6 of the decoder so that an on / off operation is performed according to a control signal input from the output terminal out6. That is, the gate terminals of all the switch elements included in the common switch S2 are connected to the output terminal out6 of the decoder. On / off operations of all the FETs are input from the output terminal out6 In accordance with the control signal.

상기 디코더는 상기 출력 단자(out1) 내지 출력 단자(out5) 중 어느 일 일단의 제어 신호를 출력시, 상기 출력 단자(out6)의 제어 신호를 함께 출력한다. The decoder outputs a control signal of the output terminal out6 together with a control signal of one of the output terminals out1 to out5.

예를 들어, 상기 출력 단자(out1)를 통해 제어 신호가 출력되면 상기 출력 단자(out6)의 제어 신호가 함께 출력되고, 상기 출력 단자(out1)와 출력 단자(out2)를 통해 제어 신호가 출력되면 상기 출력 단자(out6)의 제어 신호가 함께 출력된다. For example, when a control signal is outputted through the output terminal out1, a control signal of the output terminal out6 is outputted together. When a control signal is outputted through the output terminal out1 and the output terminal out2 And the control signal of the output terminal out6 is outputted together.

이에 따라, 상기 복수 개의 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15) 중 어느 하나의 가변 스위치부라도 온(on) 상태가 되면, 상기 공통 스위치부(S2) 역시 온(on) 상태가 된다. Accordingly, when the variable switch portion of any one of the plurality of variable switch portions S11, S12, S13, S14, and S15 is turned on, the common switch portion S2 is also turned on do.

이와 같이 작동하는 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로에서, 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 전체 임피던스값(Ron,total)은 아래 수학식 1과 같다.(여기서, 상기 각 가변 스위치부(S11,S12,S13,S14,S15)의 k,l의 값은 동일하되, 상기 k의 값은 1, 상기 l의 값은 상기 m의 값과 동일하게 설정하였다.)In the variable capacitor circuit according to the present invention operating in this manner, the total impedance value (Ron, total) according to the on-state switch element is given by the following equation (1) S12, S13, S14, S15) are the same, the value of k is 1, and the value of 1 is set equal to the value of m.

Figure 112012038977001-pat00001
Figure 112012038977001-pat00001

이에 따라, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 Q값은 아래 수학식 2와 같게 된다. Accordingly, the Q value of the variable capacitor circuit according to the present invention is given by Equation 2 below.

Figure 112012038977001-pat00002
Figure 112012038977001-pat00002

즉, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로는 어떤 커패시턴스값으로 가변되더라도 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 전체 임피던스값(Ron,total)이 상기 공통 스위치부(S2)의 n에 의해 분배되므로 Q값이 개선된다.
That is, the variable capacitor circuit according to the present invention has a total value of impedance (Ron, total) according to the on-state switch element is divided by n of the common switch part S2 regardless of a certain capacitance value, .

도 2는 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로에서 커패시턴스값에 따른 Q 값을 나타낸 그래프이다. 2 is a graph showing a Q value according to a capacitance value in a variable capacitor circuit according to the present invention.

종래 가변 커패시터 회로(미국 공개특허공보 제 20110002080호에 제시된 가변 커패시터 회로)는 유닛 커패시터열이 증가할수록 이에 포함된 커패시터 역시 따라서 증가하게 되어 Q값이 일정하다.Conventional variable capacitor circuits (variable capacitor circuits disclosed in U.S. Patent Publication No. 20110002080) increase the number of unit capacitors so that the capacitors included therein increase accordingly, so that the Q value is constant.

그러나, 본 발명에 따른 가변 커패시터 회로의 경우, 온(on) 상태의 스위치 소자에 따른 전체 임피던스값(Ron,total)이 n에 의해 분배되므로, 가변되는 커패시턴스값(즉, 상기 수학식 2의 C)이 작아질수록 Q값이 비례적으로 높아지는 것을 알 수 있다.
However, in the case of the variable capacitor circuit according to the present invention, since the total impedance value Ron, total according to the on-state switch element is divided by n, the variable capacitance value (i.e., C ) Becomes smaller, the Q value increases proportionally.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 서로 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 서로 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 서로 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 서로 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. It should be understood that the foregoing description is only illustrative and illustrative of preferred embodiments of the invention, and that the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the disclosure and the equivalents of the disclosure and / or the scope of the art or knowledge of the present invention. It should be understood that the above-described embodiments are intended to illustrate the best mode contemplated for carrying out the invention, and are not intended to limit the scope of the invention to the particular forms of application, Various modifications are also possible. Accordingly, the foregoing description of the invention is not intended to limit the invention to the precise embodiments disclosed. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover different embodiments.

C1,C2,C3,C4,C5 : 커패시터
S11,S12,S13,S14,S15 : 가변 스위치부
S2 : 공통 스위치부
C1, C2, C3, C4, C5: Capacitors
S11, S12, S13, S14, S15:
S2:

Claims (10)

병렬 연결된 복수 개의 커패시터;
상기 각 커패시터와 개별적으로 직렬 연결된 복수 개의 가변 스위치부; 및
노드a를 통해 상기 각 가변 스위치부와 연결된 공통 스위치부;
를 포함하되,
상기 공통 스위치부는 m×n 배열로 구성된 복수 개의 스위치 소자를 포함하는,
가변 커패시터 회로.
A plurality of capacitors connected in parallel;
A plurality of variable switch units connected in series with the respective capacitors; And
A common switch unit connected to each of the variable switch units via a node a;
, ≪ / RTI &
Wherein the common switch unit includes a plurality of switch elements arranged in an m x n array,
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 각 커패시터는 노드b를 통해 제1 RF터미널과 연결되고, 상기 공통 스위치부는 노드c를 통해 제2 RF터미널과 연결되는,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
Each capacitor being connected to a first RF terminal via a node b and the common switch part being connected to a second RF terminal via a node c,
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 각 가변 스위치부의 온/오프 동작에 따라 커패시턴스값(C)이 가변하는,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
Wherein the capacitance value (C) varies depending on the on / off operation of each variable switch part,
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 가변 스위치부는,
k×l 배열로 구성된 복수 개의 스위치 소자를 포함하는,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
The variable-
and a plurality of switching elements each of which is constituted by a plurality of switching elements,
Variable capacitor circuit.
제 4 항에 있어서,
상기 k 및/또는 l값은 각 가변 스위치부마다 서로 다른,
가변 커패시터 회로.
5. The method of claim 4,
The k and / or l values may be different for each variable switch unit,
Variable capacitor circuit.
제 4 항에 있어서,
상기 l값은 상기 n값과 동일한,
가변 커패시터 회로.
5. The method of claim 4,
Wherein the l value is equal to the n value,
Variable capacitor circuit.
제 4 항에 있어서,
상기 k값은 1인,
가변 커패시터 회로.
5. The method of claim 4,
Wherein the k value is 1,
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 각 커패시터의 커패시턴스값(C)이 서로 다른,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
The capacitance values C of the capacitors are different from each other,
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 커패시터는,
MIM (Metal Insulator Metal) 구조로 된,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
The capacitor
A metal insulator metal (MIM)
Variable capacitor circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 각 가변 스위치부와 일대일로 연결된 다수 개의 출력 단자를 포함하고, 상기 출력 단자를 통해 상기 각 가변 스위치부의 온/오프 동작을 제어하는 디코더;
를 더 포함하는,
가변 커패시터 회로.
The method according to claim 1,
A decoder including a plurality of output terminals connected to the variable switch parts in a one-to-one manner and controlling ON / OFF operations of the variable switch parts through the output terminal;
≪ / RTI >
Variable capacitor circuit.
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