KR20120072733A - Front-end module - Google Patents

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KR20120072733A
KR20120072733A KR1020100134612A KR20100134612A KR20120072733A KR 20120072733 A KR20120072733 A KR 20120072733A KR 1020100134612 A KR1020100134612 A KR 1020100134612A KR 20100134612 A KR20100134612 A KR 20100134612A KR 20120072733 A KR20120072733 A KR 20120072733A
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Abstract

PURPOSE: A front end module is provided to improve isolation features between multiple paths corresponding to plural bands by applying features of the front end module to a portable terminal. CONSTITUTION: An RF(Radio Frequency) switch unit(100) includes an antenna port, a first or a second transistor group, and a first or a second shunt transistor group. A resonant circuit unit(200) is formed between a group port and a ground unit. The resonant circuit unit includes a first or a second resonant device circuit(200-1~200-2n) which forms LC resonant in frequency which is previously established in the on state of the shunt transistor group.

Description

프론트 엔드 모듈{FRONT-END MODULE}Front End Module {FRONT-END MODULE}

본 발명은 이동 통신 단말기에 적용될 수 있고, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로의 스위칭 기능을 갖는 프론트 엔드 모듈에 관한 것이다.
The present invention is applicable to a mobile communication terminal, and relates to a front end module having a multipath switching function corresponding to a plurality of bands.

일반적으로, 휴대전화 등의 이동 통신 단말기에서, 세계적으로 여러 가지의 이동통신 시스템이 서로 다른 방식으로 운영되고 있기 때문에 휴대 전화 이용자는 서로 다른 이동 통신 시스템 하에서도 하나의 휴대전화를 계속하여 사용할 필요성이 있다.In general, in a mobile communication terminal such as a mobile phone, various mobile communication systems operate in different ways around the world, so that mobile phone users need to keep using a single mobile phone even under different mobile communication systems. have.

이에 따라, 휴대 전화의 프론트 엔드(Front End) 단은 서로 다른 이동 통신 시스템에서도 사용이 가능하도록 복수개의 밴드를 수용할 수 있는 RF 스위치(Switch)를 이용한 송신용 프론트 엔드 모듈(Front End Module) 또는 수신용 프론트 엔드 모듈(Front End Module)이 많이 사용되고 있다.Accordingly, the front end of the mobile phone is a front end module for transmitting using an RF switch capable of accommodating a plurality of bands for use in different mobile communication systems, or Receive front end modules are widely used.

이러한 프론트 엔드 모듈(Front End Module)에서 복수개의 밴드를 지원하기 위해 복수의 경로를 선택할 수 있는 RF 스위치(Switch)를 사용할 경우, 각 경로간의 아이솔레이션(Isolation) 특성이 매우 중요하다.When using an RF switch that can select a plurality of paths in order to support a plurality of bands in the front end module, isolation characteristics between the paths are very important.

종래의 송신용 프론트 엔드 모듈은, 하나의 안테나 포트를 복수의 송신 포트중에 하나에 연결하는 RF 스위치를 포함한다. 또한, 종래의 수신용 프론트 엔드 모듈은, 하나의 안테나 포트를 복수의 수신 포트중에 하나에 연결하는 RF 스위치를 포함한다.A conventional transmission front end module includes an RF switch that connects one antenna port to one of a plurality of transmission ports. In addition, a conventional receiving front end module includes an RF switch connecting one antenna port to one of a plurality of receiving ports.

이러한 RF 스위치는, 안테나 포트와 복수개의 포트 각각 사이에는 각 경로를 포함하고, 이러한 경로 각각은, 해당 경로상에 연결되는 스위치 트랜지스터 그룹(Switch Transistor Grouping)과, 상기 해당 경로와 접지 사이에 연결되는 션트 트랜지스터 그룹(Shunt Transistor Grouping)을 포함한다.The RF switch includes a respective path between the antenna port and each of the plurality of ports, each of which is connected to a switch transistor grouping connected on the path and between the corresponding path and ground. Shunt Transistor Grouping.

이때, 임의의 제1 경로의 스위치 트랜지스터 그룹이 온상태로 되면 제1 경로의 션트 트랜지스터 그룹은 오프상태가 되고, 다른 경로의 스위치 트랜지스터 그룹 및 다른 경로의 션트 트랜지스터 그룹 각각은 오프상태 및 온상태가 된다.
At this time, when the switch transistor group of any first path is turned on, the shunt transistor group of the first path is turned off, and each of the switch transistor group of the other path and the shunt transistor group of the other path is turned off and on. do.

이와 같은 종래 프론트 엔드 모듈에서, 복수의 밴드간의 아이솔레이션 특성은 스위치 트랜지스터 그룹 및 션트 트랜지스터 그룹의 아이솔레이션 특성에 의해 결정된다.In such a conventional front end module, the isolation characteristics between the plurality of bands are determined by the isolation characteristics of the switch transistor group and the shunt transistor group.

그런데, 종래 프론트 엔드 모듈에서는, 스위치 트랜지스터 그룹 및 션트 트랜지스터 그룹 각각은 스택된 복수의 트랜지스터로 이루어지고, 이러한 트랜지스터가 오프 상태인 경우에도 트랜지스터 자체 특성에 의해서 RF 신호에 대한 아이솔레이션 특성이 우수하지 못하다는 문제점이 있다.
However, in the conventional front end module, each of the switch transistor group and the shunt transistor group is composed of a plurality of stacked transistors, and even when such a transistor is in an off state, the isolation characteristics of the RF signal are not excellent due to the transistor's own characteristics. There is a problem.

본 발명의 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명은, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로 서로간의 아이솔레이션 특성이 향상된 프론트 엔드 모듈을 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, and the present invention provides a front end module having improved isolation characteristics between multipaths corresponding to a plurality of bands.

상기한 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 기술적인 측면은, 안테나 포트와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함하는 RF 스위치; 및 상기 접지 포트 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로를 포함하는 공진용 회로부를 포함하는 프론트 엔드 모듈을 제공하는 것이다.The first technical aspect of the present invention for solving the above problems of the present invention, the first to second n-n switch transistor formed in each of the first and second n-path path formed between the antenna port and each of the first to second n-n signal port An RF switch including a group and first to second nth shunt transistor groups formed in each of the first to second n paths and a ground port; And first to second n-resonance element circuits formed between each of the ground ports and ground, and forming LC resonances at a predetermined frequency when a corresponding shunt transistor group of the first to second n-shunt transistor groups is on. It is to provide a front end module including a circuit unit for resonance.

상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.Each of the first to second n-th switch transistor groups may include a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates may be connected in common to receive a corresponding control signal.

상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.Each of the first to second n-shunt transistor groups includes a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates are connected in common and receive a corresponding control signal.

상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로 각각은, 해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터: 및 상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Each of the first to second n-resonating element circuits is connected between a corresponding ground port and ground, and has a capacitor having a capacitance for a predetermined resonance frequency: and is connected in parallel to the capacitor, and bypasses a DC component to ground. It characterized in that it comprises a resistor to make.

본 발명에 의하면, 이동 통신 단말기에 적용될 수 있는 프론트 엔드 모듈을 이용하면, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로 서로간의 아이솔레이션(Isolation) 특성을 향상시킬 수 있고, 이와 같이 아이솔레이션이 향상됨에 따라 이동통신 단말기의 PVT(Power Vs Time) 특성과 변조(Modulation) ORFS(Output RF Spectrum) 특성도 개선되는 효과가 있다.
According to the present invention, by using the front end module applicable to the mobile communication terminal, it is possible to improve the isolation characteristics between the multipaths corresponding to the plurality of bands, and thus, as the isolation is improved, the mobile communication terminal is improved. The PVT (Power Vs Time) and Modulation (ORFS) Output RF Spectrum (ORFS) characteristics are also improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성도.
도 2는 도 1의 제1 및 제2 경로상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹, 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로의 상세도.
도 3은 선택된 주파수 밴드 및 비선택된 주파수 밴드의 주파수 특성도.1 is a block diagram of a front end module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a detailed view of first and second switch transistor groups, first and second shunt transistor groups, and first and second resonant element circuits on the first and second paths of FIG.
3 is a frequency characteristic diagram of selected and unselected frequency bands.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시 예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
The present invention is not limited to the embodiments described, and the embodiments of the present invention are used to assist in understanding the technical spirit of the present invention. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성도이다.1 is a block diagram of a front end module according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈은, RF 스위치(100)와 공진용 회로부(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the front end module according to an exemplary embodiment of the present disclosure may include an RF switch 100 and a resonance circuit unit 200.

상기 RF 스위치(100)는, 안테나 포트(ANT)와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트(GND1~GND2n)에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함할 수 있다.The RF switch 100 may include an antenna port ANT, a first to second n switch transistor group formed in each of the first to second n paths formed between each of the first to second n signal ports, and the first to second n. It may include a first to 2n shunt transistor group formed in each of the path and the ground port (GND1 ~ GND2n).

상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은, 송신용 신호 포트가 될 수 있고, 또는 수신용 신호 포트가 될 수 있다.Each of the first to second nn signal ports may be a signal port for transmission or a signal port for reception.

이와 달리, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는, 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트(Tx1~Txn)와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트(Rx1~Rxn)를 포함할 수 있다.
Alternatively, the first to second nn signal ports may include first to nth transmission signal ports Tx1 to Txn and first to nth reception signal ports Rx1 to Rxn.

또한, 상기 공진용 회로부(200)는, 상기 접지 포트(GND1~GND2n) 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n)를 포함할 수 있다.
In addition, the resonant circuit unit 200 is formed between each of the ground ports GND1 to GND2n and ground, and the shunt transistor group of the first to second n shunt transistor groups is turned on at a preset frequency. The first to second n-th resonance element circuits 200-1 to 200-2n forming the LC resonance may be included.

상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받도록 이루어질 수 있다.Each of the first to second n-switch transistor groups may include a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates may be connected in common to receive a corresponding control signal.

상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받도록 이루어질 수 있다.Each of the first to second n-shunt transistor groups may include a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates may be connected in common to receive a corresponding control signal.

그리고, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n) 각각은, 해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터와, 상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항을 포함할 수 있다.
Each of the first to second n-th resonance device circuits 200-1 to 200-2n is connected between a corresponding ground port and ground, and has a capacitor having a capacitance for a preset resonance frequency, and parallel to the capacitor. And a resistor to bypass the direct current component to ground.

한편, 본 발명의 제 1 내지 제 2n 경로중에서, 제1 및 제2 경로상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹, 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
Meanwhile, among the first to second n paths of the present invention, the first and second switch transistor groups, the first and second shunt transistor groups, and the first and second resonance element circuits on the first and second paths are also illustrated. It demonstrates with reference to 2.

도 2는 도 1의 제1 및 제2 경로(PTH1,PTH2)상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW11,SW21), 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST11,ST21) 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)의 상세도이다.FIG. 2 shows first and second switch transistor groups SW11 and SW21, first and second shunt transistor groups ST11 and ST21, and first and second paths on the first and second paths PTH1 and PTH2 of FIG. 2 is a detailed view of the resonance element circuits 200-1 and 200-2.

먼저, 도 2를 참조하면, 상기 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S11)를 입력받도록 이루어질 수 있다.First, referring to FIG. 2, the first switch transistor group SW11 includes a plurality of MOSFETs in which a stacked structure is connected, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S11. Can be done.

상기 제 1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S12)를 입력받도록 이루어질 수 있다.The first shunt transistor group ST11 may include a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates may be connected in common to receive a corresponding control signal S12.

다음, 도 2를 참조하면, 상기 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S21)를 입력받도록 이루어질 수 있다.Next, referring to FIG. 2, the second switch transistor group SW21 includes a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S21. Can be done.

상기 제 2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S22)를 입력받도록 이루어질 수 있다.
The second shunt transistor group ST21 may include a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates may be connected in common to receive a corresponding control signal S22.

그 다음, 도 2를 참조하면, 상기 제1 공진용 소자 회로(200-1)는, 제1 접지포트(GND1)와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터(C11)와, 상기 커패시터(C11)에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항(R11)을 포함할 수 있다.Next, referring to FIG. 2, the first resonant element circuit 200-1 is connected between the first ground port GND1 and ground, and has a capacitor having a capacitance for a predetermined resonance frequency fo. And a resistor R11 connected in parallel to the capacitor C11 and bypassing a DC component to ground.

여기서, 상기 공진 주파수(fo)는 인접 밴드의 주파수에 해당되므로, 아이솔레이션 특성을 개선하기 위해서, 제거되어야 할 대상 주파수 밴드의 중심주파수에 해당된다.Here, since the resonance frequency fo corresponds to the frequency of the adjacent band, in order to improve the isolation characteristic, it corresponds to the center frequency of the target frequency band to be removed.

또한, 상기 제2 공진용 소자 회로(200-2)는, 제2 접지포트(GND2)와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터(C21)와, 상기 커패시터(C21)에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항(R21)을 포함할 수 있다.
In addition, the second resonance element circuit 200-2 includes a capacitor C21 connected between a second ground port GND2 and a ground, and having a capacitance for a preset resonance frequency, and the capacitor C21. And a resistor R21 connected in parallel to and bypassing a DC component to ground.

도 3은 선택된 주파수 밴드 및 비선택된 주파수 밴드의 주파수 특성도이다.3 is a frequency characteristic diagram of selected and unselected frequency bands.

도 3에서, G1은 선택된 주파수 밴드의 주파수 특성이고, G2는 비선택 주파수 밴드의 주파수 특성이다.
In FIG. 3, G1 is a frequency characteristic of a selected frequency band, and G2 is a frequency characteristic of an unselected frequency band.

이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 설명한다.
Hereinafter, the operation and effects of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈에 대해 설명하면, 먼저 도 1에서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈은, RF 스위치(100)와 공진용 회로부(200)를 포함할 수 있다.1 to 3, a front end module according to an embodiment of the present invention will be described. First, in FIG. 1, the front end module according to an embodiment of the present invention is for resonating with an RF switch 100. It may include a circuit unit 200.

상기 RF 스위치(100)는, 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함할 수 있다.The RF switch 100 may include first to second nn switch transistor groups and first to second nth shunt transistor groups.

상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 안테나 포트(ANT)와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성될 수 있다.Each of the first to second nn switch transistor groups may be formed in each of the first to second nth paths formed between the antenna port ANT and each of the first to second nn signal ports.

그리고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트(GND1~GND2n)에 형성될 수 있다.
Each of the first to second n-shunt transistor groups may be formed in each of the first to second n-paths and the ground ports GND1 to GND2n.

예를 들어, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는, 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트(Tx1~Txn)와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트(Rx1~Rxn)를 포함할 수 있으며, 이러한 구현 예가 도 1에 도시되어 있다.For example, the first to second nn signal ports may include first to nth transmission signal ports Tx1 to Txn and first to nth reception signal ports Rx1 to Rxn. This implementation is illustrated in FIG. 1.

또한, 상기 공진용 회로부(200)는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n) 각각은, 상기 접지 포트(GND1~GND2n) 각각과 접지 사이에 형성된다.In addition, the resonance circuit unit 200 may include first to second n-th resonance device circuits 200-1 to 200-2n, and the first to second n-th resonance device circuits 200-1 to 200. -2n) are each formed between each of the ground ports GND1 to GND2n and ground.

상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태일 때, 상기 온상태인 해당 션트 트랜지스터 그룹의 인덕턴스와 해당 공진용 회로부의 캐패시턴스에 의한 공진이 형성되는데, 여기서, 상기 LC 공진을 이용하여 배제 대상인 인접 밴드 배제 특성을 향상시키기 위해서, 해당 공진용 회로부의 캐패시턴스를 조절하면 상기 공진주파수를 배제 대상인 인접 밴드 주파수와 동일하게 할 수 있다.
When the shunt transistor group of the first to second n shunt transistor groups is in an on state, resonance is formed by inductance of the on-state shunt transistor group and capacitance of the corresponding resonant circuit part, wherein the LC resonance In order to improve the adjacent band rejection characteristic of the exclusion target, by adjusting the capacitance of the resonance circuit part, the resonance frequency can be made equal to the neighboring band frequency of the exclusion target.

예를 들어, 본 발명의 프론트 엔드 모듈이, 제1 송신용 포트(Tx1)와 안테나포트(ANT)간의 제1 경로(PTH1)상의 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11) 및 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST1)과, 제2 송신용 포트(Tx2)와 안테나포트(ANT)간의 제2 경로(PTH2)상의 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21) 및 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)을 포함하는 경우에 대해, 도 2를 참조하여 설명한다.
For example, the front end module of the present invention may include a first switch transistor group SW11 and a first shunt transistor group ST1 on a first path PTH1 between the first transmission port Tx1 and the antenna port ANT. And a second switch transistor group SW21 and a second shunt transistor group ST21 on the second path PTH2 between the second transmission port Tx2 and the antenna port ANT, FIG. It demonstrates with reference to 2.

먼저, 도 2를 참조하여 제1 경로(PTH1)가 선택되고 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않은 경우에 대해 설명한다.First, a case in which the first path PTH1 is selected and the second path PTH2 is not selected will be described with reference to FIG. 2.

도 2를 참조하여, 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되기 위한 동작을 설명한다.Referring to FIG. 2, an operation for selecting the first path PTH1 will be described.

첫 번째로, 도 2에서, 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은 온레벨을 갖는 해당 제어신호(S11)에 의해 온상태로 되고, 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은 오프레벨을 갖는 해당 제어신호(S12)에 의해 오프상태로 된다. First, in FIG. 2, the first switch transistor group SW11 is turned on by the corresponding control signal S11 having the on level, and the first shunt transistor group ST11 has the corresponding control signal having the off level. It is turned off by S12.

여기서, 상기 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S11)를 입력받는다. 또한, 상기 제 1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S12)를 입력받는다.Here, the first switch transistor group SW11 includes a plurality of MOSFETs in which a stacked structure is also connected, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S11. The first shunt transistor group ST11 includes a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S12.

이에 의해 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되어, 안테나포트(ANT)와 제1 수신용 신호 포트(Tx1)간 신호가 전달될 수 있다.
As a result, the first path PTH1 may be selected to transmit a signal between the antenna port ANT and the first reception signal port Tx1.

두 번째로, 도 2를 참조하여 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않기 위한 동작에 대해 설명한다.Secondly, an operation for not selecting the second path PTH2 will be described with reference to FIG. 2.

도 2에서, 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은 오프레벨을 갖는 해당 제어신호(S21)에 의해 오프상태로 되고, 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 온레벨을 갖는 해당 제어신호(S12)에 의해 온상태로 된다. In FIG. 2, the second switch transistor group SW21 is turned off by the corresponding control signal S21 having an off level, and the second shunt transistor group ST21 is connected to the corresponding control signal S12 having the on level. Is turned on.

여기서, 상기 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은, 스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S21)를 입력받는다. 또한, 상기 제 2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S22)를 입력받는다.Here, the second switch transistor group SW21 includes a plurality of MOSFETs in which a stacked structure is also connected, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S21. In addition, the second shunt transistor group ST21 includes a plurality of MOSFETs connected in a stacked structure, and the plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal S22.

이에 의해 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제2 수신용 신호 포트(Tx2)간에는 신호가 전달되지 않는 것이 바람직하다.Accordingly, since the second path PTH2 is not selected, it is preferable that no signal is transmitted between the antenna port ANT and the second reception signal port Tx2.

그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
However, since the MOSFETs included in the shunt transistor group are not excellent in isolation with respect to the RF signal, the resonance proposed in the present invention can improve the isolation characteristics between the multipaths.

한편, 상기 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 온상태일 때, 상기 온상태인 상기 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)에 포함된 복수의 MOSFET가 모두 온상태가 되고, 상기 온상태로 스택구조로 연결된 복수의 MOSFET는 등가적인 인덕턴스를 갖게 된다.On the other hand, when the second shunt transistor group ST21 is in an on state, all the MOSFETs included in the second shunt transistor group ST21 in the on state are turned on, and in the on state, the second shunt transistor group ST21 is in a stack structure. Multiple MOSFETs connected will have equivalent inductance.

또한, 상기 제 1 및 제 2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)중, 제 2 공진용 소자 회로(200-2)는, 커패시터(C21)와 저항(R21)을 포함하며, 상기 커패시터(C21)는 제2 접지포트(GND2)와 접지 사이에 연결되어, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 가진다. 여기서, 공진주파수(fo)는 배제 대상인 인접 밴드의 주파수에 해당된다.Further, of the first and second resonance device circuits 200-1 and 200-2, the second resonance device circuit 200-2 includes a capacitor C21 and a resistor R21. C21 is connected between the second ground port GND2 and ground, and has a capacitance for a predetermined resonance frequency fo. Here, the resonance frequency fo corresponds to the frequency of the adjacent band to be excluded.

즉, 상기 온상태인 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)의 등가 인덕턴스와 상기 커패시턴스에 의해서 상기 공진 주파수(fo)에서 공진이 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시한 G2를 참조하면 공진 주파수(fo)에서 아이솔레이션이 상당히 높음을 알 수 있다. That is, resonance is formed at the resonance frequency fo by the equivalent inductance and the capacitance of the second shunt transistor group ST21 in the on state. Accordingly, referring to G2 shown in FIG. 3, it can be seen that isolation is quite high at the resonance frequency fo.

또한, 상기 커패시터(C21)에 병렬로 연결된 저항(R21)은, 상기 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 복수의 MOSFET의 동작을 위해 필요한 직류 전압을 접지로 바이패스시킨다.
In addition, the resistor R21 connected in parallel to the capacitor C21 bypasses a DC voltage necessary for the operation of the plurality of MOSFETs included in the shunt transistor group to ground.

반대로, 도 2를 참조하여 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않고, 제2 경로(PTH2)가 선택되는 경우에 대해 설명한다.On the contrary, a case in which the first path PTH1 is not selected and the second path PTH2 is selected will be described with reference to FIG. 2.

도 2를 참조하여 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않기 위한 동작을 설명한다.An operation for not selecting the first path PTH1 will be described with reference to FIG. 2.

첫 번째로, 도 2에서, 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은 해당 제어신호(S11)에 의해 오프상태로 되고, 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은 해당 제어신호(S12)에 의해 온상태로 된다. First, in FIG. 2, the first switch transistor group SW11 is turned off by the corresponding control signal S11, and the first shunt transistor group ST11 is turned on by the corresponding control signal S12. do.

이에 의해 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제1 수신용 신호 포트(Tx1)간에는 신호가 전달되지 않는다.Accordingly, since the first path PTH1 is not selected, no signal is transmitted between the antenna port ANT and the first reception signal port Tx1.

두 번째로, 도 2를 참조하여 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되기 위한 동작을 설명한다.Secondly, an operation for selecting the second path PTH2 will be described with reference to FIG. 2.

제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은 해당 제어신호(S21)에 의해 온상태로 되고, 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 해당 제어신호(S12)에 의해 오프상태로 된다.The second switch transistor group SW21 is turned on by the control signal S21, and the second shunt transistor group ST21 is turned off by the control signal S12.

이에 의해 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제2 수신용 신호 포트(Tx2)간에는 신호가 전달되지 않는 것이 바람직하다.Accordingly, since the second path PTH2 is not selected, it is preferable that no signal is transmitted between the antenna port ANT and the second reception signal port Tx2.

그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
However, since the MOSFETs included in the shunt transistor group are not excellent in isolation with respect to the RF signal, the resonance proposed in the present invention can improve the isolation characteristics between the multipaths.

그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
However, since the MOSFETs included in the shunt transistor group are not excellent in isolation with respect to the RF signal, the resonance proposed in the present invention can improve the isolation characteristics between the multipaths.

이때, 상기 제 1 및 제 2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)중, 제 1 공진용 소자 회로(200-1)는, 커패시터(C11)와 저항(R11)을 포함하며, 상기 커패시터(C11)는 제1 접지포트(GND1)와 접지 사이에 연결되어, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 가진다. 여기서, 공진주파수(fo)는 배제 대상인 인접 밴드의 주파수에 해당된다.At this time, of the first and second resonance device circuits 200-1 and 200-2, the first resonance device circuit 200-1 includes a capacitor C11 and a resistor R11. C11 is connected between the first ground port GND1 and ground, and has a capacitance for a preset resonance frequency fo. Here, the resonance frequency fo corresponds to the frequency of the adjacent band to be excluded.

즉, 상기 온상태인 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)의 등가 인덕턴스와 상기 커패시턴스에 의해서 상기 공진 주파수(fo)에서 공진이 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시한 G2를 참조하면 공진 주파수(fo)에서 아이솔레이션이 상당히 높음을 알 수 있다.
That is, resonance is formed at the resonance frequency fo by the equivalent inductance and the capacitance of the first shunt transistor group ST11 in the on state. Accordingly, referring to G2 shown in FIG. 3, it can be seen that isolation is quite high at the resonance frequency fo.

또한, 상기 커패시터(C11)에 병렬로 연결된 저항(R11)은, 상기 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 복수의 MOSFET의 동작을 위해 필요한 직류 전압을 접지로 바이패스시킨다.
In addition, the resistor R11 connected in parallel to the capacitor C11 bypasses a DC voltage necessary for the operation of a plurality of MOSFETs included in the shunt transistor group to ground.

전술한 바와 같은 본 발명에서, 제1 경로가 선택되고 제2 경로가 선택되지 않은 경우, 제2 경로에서 공진이 형성되어 공진 주파수에서 접지로 RF신호가 더 잘 흐르게 되어 제2 경로에서 공진 주파수 신호는 거의 검출되지 않는다. 이렇게 되면 공진 주파수에서 아이솔레이션(Isolation) 특성이 매우 개선된다.
In the present invention as described above, when the first path is selected and the second path is not selected, resonance is formed in the second path so that the RF signal flows better from the resonant frequency to ground, so that the resonant frequency signal is in the second path. Is hardly detected. This greatly improves the isolation characteristics at the resonant frequency.

100 : RF 스위치
200 : 공진용 회로부
200-1~200-2n : 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로
ANT : 안테나포트
Tx1~Txn,Rx1~Rxn : 제 1 내지 제 2n 신호 포트
Tx1~Txn : 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트
Rx1~Rxn : 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트
GND1~GND2n : 제 1 내지 제 2n 접지 포트
C11,C21 : 커패시터
R11,R21 : 저항100: RF switch
200: resonant circuit portion
200-1 to 200-2n: first to second nth resonance element circuits
ANT: Antenna Port
Tx1 to Txn, Rx1 to Rxn: first to second nn signal ports
Tx1 to Txn: Signal ports for first to nth transmission
Rx1 to Rxn: Signal ports for first to nth reception
GND1 to GND2n: first to second nn ground ports
C11, C21: Capacitor
R11, R21: Resistance

Claims (7)

안테나 포트와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함하는 RF 스위치; 및
상기 접지 포트 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로를 포함하는 공진용 회로부
를 포함하는 프론트 엔드 모듈.A first to second n-switch transistor group formed on each of the first to second n-path paths formed between the antenna port, each of the first to second n-n signal ports, and first to second on each of the first to second n-path paths and the ground port. An RF switch comprising a 2n shunt transistor group; And
A first to second n-resonance element circuit formed between each of the ground ports and ground, and forming an LC resonance at a predetermined frequency while a corresponding shunt transistor group of the first to second n-shunt transistor groups is on. Resonant circuit part
Front end module comprising a. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은
스택된 구조도 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고,
상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것
을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The method of claim 1, wherein each of the first to second n-th transistor group is
The stacked structure also includes a plurality of connected MOSFETs,
The plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal
Front end module characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은
스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고,
상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것
을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The method of claim 1, wherein each of the first to second n-shunt transistor groups
A plurality of MOSFETs connected in a stacked structure,
The plurality of MOSFET gates are commonly connected to receive the corresponding control signal
Front end module characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로 각각은,
해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터: 및
상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항
을 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The device circuit of claim 1, wherein each of the first to second n-th resonance device circuits comprises:
A capacitor connected between the corresponding ground port and ground and having a capacitance for a predetermined resonance frequency:
A resistor connected in parallel to the capacitor and bypassing a direct current component to ground
Front end module comprising a. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은,
송신용 신호 포트인 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The method of claim 1, wherein each of the first to second nn signal ports,
A front end module, characterized in that the signal port for transmission. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은,
수신용 신호 포트인 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The method of claim 1, wherein each of the first to second nn signal ports,
Front end module, characterized in that the receiving signal port. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는,
제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The method of claim 1, wherein the first to second nn signal ports,
And a first through n-th transmission signal port and a first through n-th reception signal port.
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