KR101676131B1 - Method for manufacturing metal composite - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속 복합체를 제조하는 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 금속 분말의 표면 상에 이종의 금속을 코팅하여 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a metal composite, and more particularly, to a method of manufacturing a core-shell structure metal composite by coating a different metal on the surface of the metal powder.

Description

금속 복합체의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING METAL COMPOSITE}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING METAL COMPOSITE [0002]

본 발명은 금속 복합체를 제조하는 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 금속 분말의 표면 상에 이종의 금속을 코팅하여 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a metal composite, and more particularly, to a method of manufacturing a core-shell structure metal composite by coating a different metal on the surface of the metal powder.

금속 분말을 이용한 페이스트는 인쇄 기판에서 가장 많이 사용되고 있는 기법이며, 금속 페이스트를 유기용매에 희석하여 코팅, 페인트 및 잉크용으로 다양하게 사용될 수 있기 때문에, 전자 패키징 공정, 태양 전지 및 모바일 전자 기기 등에 적용될 뿐만 아니라 전자 기기로부터 발생되는 전자파를 차폐하기 위한 소재로서 활용되고 있다.The paste using metal powder is the most widely used technique in printed circuit boards. It can be applied to electronic packaging processes, solar cells, mobile electronic devices, etc. because it can be used for coating, painting and ink by diluting metal paste in organic solvents. In addition, it is utilized as a material for shielding electromagnetic waves generated from electronic devices.

현재 페이스트에 포함되는 전도성 금속 분말은 주로 은, 구리, 알루미늄 및 니켈 등이다. At present, the conductive metal powder contained in the paste is mainly silver, copper, aluminum and nickel.

이 중 구리 또는 니켈은 은 다음으로 높은 전도성을 가지고 있으며, 전자파 흡수 손실과 반사 손실 값이 크기 때문에 은과 함께 다양하게 응용되고 있다. Among them, copper or nickel silver has the next highest conductivity, and since it has a large electromagnetic wave absorption loss and reflection loss value, it has been applied variously with silver.

그러나 이러한 구리 또는 니켈과 같이 내산화성이 큰 금속들은 장기간 공기 중에 노출되면 표면에 산화 현상이 일어나서 전도성이 전하되거나 오작동의 원인을 제공하기 때문에 실제로 은에 비하여 사용량은 극히 미소하다.However, metals with high oxidation resistance such as copper or nickel are exposed to air for a long period of time, resulting in oxidation on the surface, which leads to conductivity or malfunction.

이에 반하여, 은은 전도성이 매우 높다는 점에서 전도성 금속 분말로서의 활용성이 매우 뛰어나나, 은이 상대적으로 고가이기 때문에 비용적인 측면에서 불리한 점이 많다.On the other hand, silver is highly utilizable as a conductive metal powder because of its high conductivity, but silver is relatively expensive, which is disadvantageous in terms of cost.

이를 위해 전도성 금속 분말의 경쟁력을 높이기 위해, 금속 분말의 원가를 낮추고, 전기적 특성은 은 분말을 사용하는 것과 유사한 수준인 금속 분말의 개발에 대한 요구가 지속적으로 이어져 오고 있다.
For this purpose, in order to increase the competitiveness of the conductive metal powder, there is a continuing need for the development of a metal powder, which has a cost similar to that of using a silver powder with a lowered cost of the metal powder.

상기와 같은 기술적 배경 하에서, 본 발명자들은 전도성 금속 분말의 전기적 특성은 허용 가능한 수준으로 유지하되, 제조 원가를 획기적으로 낮추기 위한 방안으로서 니켈 분말의 표면을 은으로 코팅한 코어-쉘 구조의 복합체의 적용을 고려한 바 있다.Under such technical background, the present inventors have found that the use of a composite of a core-shell structure in which the surface of a nickel powder is coated with silver as a means for keeping the electrical properties of the conductive metal powder at an allowable level, .

다만, 내산화성이 큰 구리 또는 니켈의 경우, 공기 중에서 그 표면에 산화막이 형성된 상태로 존재하며, 금속의 산화막 상에 은 코팅층이 적절히 성장하지 않는다는 문제점이 있다는 것을 확인하였다.However, in the case of copper or nickel having a high oxidation resistance, it is confirmed that there is a problem that an oxide film is formed on the surface of air in the air, and the silver coating layer does not grow properly on the oxide film of the metal.

즉, 내산화성 금속의 표면에 형성된 산화막은 은과 같은 귀금속 코팅층과의 밀착성을 저하시키므로, 상기 내산화성 금속 분말의 표면 상에 귀금속을 코팅할 경우 균일한 코팅층이 형성되기가 어렵다.That is, since the oxide film formed on the surface of the oxidation-resistant metal lowers the adhesion with the noble metal coating layer such as silver, it is difficult to form a uniform coating layer when the noble metal is coated on the surface of the oxidation-resistant metal powder.

따라서, 본 발명은 금속 분말의 표면 상에 귀금속과 같은 이종의 금속을 균일하게 코팅하여 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for producing a core-shell structure metal composite by uniformly coating a different metal such as a noble metal on the surface of the metal powder.

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하여 금속 복합체를 제조하는 방법에 있어서, a) 제1 금속 분말과 환원제를 포함하는 제1 반응액을 제조하는 단계; b) 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 단계; 및 c) 상기 제1 반응액과 제2 반응액을 반응시켜 상기 제1 금속 분말의 표면 상에 존재하는 제1 금속 산화막을 제거하고, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하는 것을 포함하는 금속 복합체의 제조 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for producing a metal composite by forming a second metal coating layer on a surface of a first metal powder, comprising the steps of: a) preparing a first reaction solution containing a first metal powder and a reducing agent ; b) preparing a second reaction solution comprising a second metal precursor and a first metal oxide film remover; And c) reacting the first reaction solution and the second reaction solution to remove a first metal oxide film existing on the surface of the first metal powder and forming a second metal coating layer on the surface of the first metal powder May be provided.

여기서, 상기 제1 금속 분말은 구리, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 및 철로부터 선택되는 적어도 하나의 금속일 수 있다.Here, the first metal powder may be at least one metal selected from copper, nickel, tin, zinc, aluminum and iron.

여기서, 상기 환원제는 글루코스, 프룩토오스, 말토오스 및 락토오스로부터 선택되는 적어도 하나의 환원당일 수 있다.Here, the reducing agent may be at least one reducing sugar selected from glucose, fructose, maltose and lactose.

여기서, 상기 환원제는 옥살산(Oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 아젤라산(azelaic acid), 세바스산(sebacic acid), 시트르산(citric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 아코니트산(aconitic acid), 프로판-1,2,3-트리카르복실산(propane-1,2,3-tricarboxylic acid), 트리메스산(trimesic acid), 말레산(meleic acid) 및 타르타르산(tartaric acid)로부터 선택되는 적어도 하나의 보조제를 더 포함할 수 있다.The reducing agent may be selected from the group consisting of oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, (s) selected from the group consisting of suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, isocitric acid, aconitic acid, At least one adjuvant selected from propane-1,2,3-tricarboxylic acid, trimesic acid, meleic acid and tartaric acid.

여기서, 상기 환원제는 글루코스이며, 보조제로서 시트르산을 더 포함할 수 있다.Here, the reducing agent is glucose and may further include citric acid as an auxiliary agent.

여기서, 상기 글루코스와 시트르산의 질량비는 1:10 ~ 20:1의 범위 내일 수 있다.Here, the mass ratio of the glucose to the citric acid may be in the range of 1:10 to 20: 1.

여기서, 상기 제2 금속 전구체는 은 염, 백금 염 및 금 염으로부터 선택되는 적어도 하나일 수 있다.Here, the second metal precursor may be at least one selected from silver salts, platinum salts and gold salts.

여기서, 상기 제1 금속 산화막 제거제는 에틸렌다이아민(EDA)일 수 있다.Here, the first metal oxide film remover may be ethylene diamine (EDA).

여기서, 상기 제2 반응액 중 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비는 1:100 이상 1:200 미만의 범위 내일 수 있다.Here, the molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover in the second reaction solution may be in the range of 1: 100 or more and less than 1: 200.

여기서, 상기 제조 방법은, 상기 단계 c)를 통해 상기 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 일차적으로 형성한 후, 제2 금속 전구체와 착화제를 포함하는 제3 반응액과 추가적으로 반응시켜 제2 금속 코팅층을 이차적으로 형성하는 단계 d)를 더 포함할 수 있다.In this case, the second metal coating layer is first formed on the surface of the first metal powder through the step c), and further reacted with the third reaction solution containing the second metal precursor and the complexing agent And d) forming a second metal coating layer in a second step.

여기서, 상기 착화제는 EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), 싸이오황산(thiosulfate), 암모니아(ammonia), 시안화염(cyanide), 아황산염(sulphite) 및 싸이오요소(thiourea)로부터 선택되는 적어도 하나일 수 있다.Here, the complexing agent may be at least one selected from ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), thiosulfate, ammonia, cyanide, sulphite, and thiourea.

여기서, 상기 제3 반응액 중 제2 금속 전구체와 착화제의 몰비는 1:10 ~ 1:30의 범위 내일 수 있다.Here, the molar ratio of the second metal precursor to the complexing agent in the third reaction solution may be in the range of 1:10 to 1:30.

여기서, 상기 단계 a) 전에 제1 금속 분말을 산 또는 염기성 용액으로 전처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
The method may further include a step of pre-treating the first metal powder with an acidic or basic solution before the step a).

본 발명에 따르면, 금속 입자의 표면 상에 형성된 산화막을 제거함과 동시에 귀금속을 코팅하기 때문에 금속 입자와 이종의 금속 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있으며, 균일한 이종 금속 코팅층을 가지는 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 제조할 수 있다.
According to the present invention, since the oxide film formed on the surface of the metal particles is removed and the noble metal is coated, the adhesion between the metal particles and the dissimilar metal can be improved, and the core-shell structure metal having a uniform dissimilar metal coating layer Complex can be produced.

도 1a는 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 SEM 사진이며, 도 1b는 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 SEM 사진이다.
도 2는 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체와 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 ICP 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시킨 후 남아있는 반응액과 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시킨 후 남아있는 반응액의 ICP 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 4는 제2 반응액 중 은 전구체와 EDA의 몰비의 변화에 따른 금속 복합체의 SEM 사진이다.
FIG. 1A is an SEM image of a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDTA-ammonia with a first reaction solution. FIG. 1B is a cross-sectional view of a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDA with a first reaction solution SEM photograph of a metal complex.
2 shows ICP analysis results of a metal complex prepared by reacting a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDTA-ammonia with a first reaction solution, a second reaction solution containing EDA, and a first reaction solution .
FIG. 3 is a graph showing the results of reaction between a second reaction solution containing EDTA-ammonia and a first reaction solution, reacting the remaining reaction solution with a second reaction solution containing EDA and the first reaction solution, The results of the analysis are shown.
4 is a SEM photograph of the metal complex according to the change of the molar ratio of the precursor and EDA in the second reaction solution.

본 발명을 더 쉽게 이해하기 위해 편의상 특정 용어를 본원에 정의한다. 본원에서 달리 정의하지 않는 한, 본 발명에 사용된 과학 용어 및 기술 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가질 것이다. 또한, 문맥상 특별히 지정하지 않는 한, 단수 형태의 용어는 그것의 복수 형태도 포함하는 것이며, 복수 형태의 용어는 그것의 단수 형태도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Certain terms are hereby defined for convenience in order to facilitate a better understanding of the present invention. Unless otherwise defined herein, scientific and technical terms used in the present invention shall have the meanings commonly understood by one of ordinary skill in the art. Also, unless the context clearly indicates otherwise, the singular form of the term also includes plural forms thereof, and plural forms of the term should be understood as including its singular form.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 해당 구성요소들은 이와 같은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 이 용어들은 하나의 구성요소들을 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
Terms including ordinals such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by such terms. These terms are used only to distinguish one component from another.

이하, 본 발명의 다양한 양태를 상세히 설명하도록 한다.
Hereinafter, various aspects of the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 금속 복합체의 제조 방법은 a) 제1 금속 분말과 환원제를 포함하는 제1 반응액을 제조하는 단계; b) 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 단계; 및 c) 상기 제1 반응액과 제2 반응액을 반응시켜 상기 제1 금속 분말의 표면 상에 존재하는 제1 금속 산화막을 제거하고, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하는 것을 포함한다.
A method for producing a metal complex according to the present invention comprises the steps of: a) preparing a first reaction solution containing a first metal powder and a reducing agent; b) preparing a second reaction solution comprising a second metal precursor and a first metal oxide film remover; And c) reacting the first reaction solution and the second reaction solution to remove a first metal oxide film existing on the surface of the first metal powder and forming a second metal coating layer on the surface of the first metal powder .

이 때, 제1 금속 산화막의 제거와 제2 금속 코팅층의 형성은 동시에 일어나며, 제1 금속 산화막의 제거 속도는 제1 금속 산화막의 재생성 속도보다 빠른 것이 바람직하다.
At this time, the removal of the first metal oxide film and the formation of the second metal coating layer occur simultaneously, and it is preferable that the removal rate of the first metal oxide film is faster than the regeneration rate of the first metal oxide film.

금속 복합체의 코어를 형성하게 되는 제1 금속 분말은 표면에 산화막이 존재하는 금속 분말, 즉 내산화성 금속 분말로서, 구리, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 또는 철 등이 이용될 수 있다.The first metal powder to form the core of the metal composite may be copper, nickel, tin, zinc, aluminum, iron, or the like as a metal powder having an oxide film on its surface, that is, an oxidation resistant metal powder.

또한, 제1 금속 분말로서, 구리, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 및 철로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 분말을 단독으로 이용하거나 구리, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 및 철로부터 선택되는 적어도 두 개 이상의 금속의 합금 분말을 이용할 수 있다.At least one metal powder selected from copper, nickel, tin, zinc, aluminum and iron may be used alone as the first metal powder or at least two metal powders selected from copper, nickel, tin, zinc, Metal alloy powder may be used.

또한, 제1 금속 분말은 표면 개질 등을 위하여 염산, 황산, 질산 등과 같은 산 또는 수산화소듐, 수산화마그네슘 등과 같은 염기성 용액으로 전처리된 후 사용될 수 있다.
In addition, the first metal powder may be used after being pre-treated with an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid or the like or a basic solution such as sodium hydroxide, magnesium hydroxide or the like for surface modification or the like.

제1 반응액 중의 환원제는 제2 금속을 포함하는 전구체(예를 들어, 은 염, 백금 염 및/또는 금 염) 내 존재하는 제2 금속 이온(예를 들어, 은 이온, 백금 이온 및/또는 금 이온)의 환원 반응을 유도하여 금속 복합체의 코어를 형성하는 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하도록 한다. The reducing agent in the first reaction liquid may contain a second metal ion (e.g., a silver ion, a platinum ion and / or a metal ion) present in a precursor (e.g., a silver salt, a platinum salt and / Gold ion) is induced to form a second metal coating layer on the surface of the first metal powder forming the core of the metal composite.

즉, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층이 형성되어 코어-쉘 구조의 금속 복합체가 제조된다.
That is, a second metal coating layer is formed on the surface of the first metal powder to produce a metal composite having a core-shell structure.

여기서, 제2 금속 코팅층의 형성을 위한 제2 금속 이온의 환원 반응을 유도하기 위해 사용되는 환원제는 글루코스, 프룩토오스, 말토오스 및 락토오스로부터 선택되는 적어도 하나의 환원당인 것이 바람직하다.Here, the reducing agent used for inducing the reduction reaction of the second metal ion for forming the second metal coating layer is preferably at least one reducing sugar selected from glucose, fructose, maltose and lactose.

또한, 환원 보조를 위하여 환원제는 옥살산(Oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 아젤라산(azelaic acid), 세바스산(sebacic acid), 시트르산(citric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 아코니트산(aconitic acid), 프로판-1,2,3-트리카르복실산(propane-1,2,3-tricarboxylic acid), 트리메스산(trimesic acid), 말레산(meleic acid) 및 타르타르산(tartaric acid)로부터 선택되는 적어도 하나의 보조제와 함께 사용될 수 있다.The reducing agent may be selected from the group consisting of oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, And salts thereof. The compounds of the present invention include, but are not limited to, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, isocitric acid, aconitic acid, May be used in combination with at least one adjuvant selected from propane-1,2,3-tricarboxylic acid, trimesic acid, meleic acid and tartaric acid. .

바람직하게는, 본 발명에서 환원제로는 글루코스를 사용할 수 있으며, 보조제로는 시트르산을 사용할 수 있다.Preferably, in the present invention, glucose may be used as a reducing agent, and citric acid may be used as an auxiliary agent.

이 때, 시트르산은 시트르산염(citrate) 형태로 혼합물 중에 포함될 수 있다.At this time, citric acid may be contained in the mixture in citrate form.

후술할 제1 금속 산화막 제거제는 일반적으로 염기성 물질이기 때문에, 제1 금속 산화막 제거제에 따라 형성된 염기성 pH 분위기 하에서 적정 수준의 환원력을 유지하기 위해서는 글루코스와 시트르산의 혼합물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.Since the first metal oxide film removing agent to be described later is generally a basic substance, it is particularly preferable to use a mixture of glucose and citric acid to maintain an appropriate reducing power under a basic pH atmosphere formed by the first metal oxide film removing agent.

시트르산 또는 시트르산염은 글루코스와 함께 제2 금속 전구체의 환원제로서 작용 함과 동시에 제1 금속 분말의 분산 역할도 수행할 수 있다.The citric acid or citric acid salt together with the glucose acts as a reducing agent for the second metal precursor and can also serve as a dispersing agent for the first metal powder.

예를 들어, 금속 이온(본원에서는 제2 금속 전구체)을 환원시키기 위하여 통상적으로 사용되는 환원제로서 환원 속도가 빠른 아스코르빈산을 사용할 경우, 제2 금속 이온에 대한 아스코르빈산의 환원력이 과도하게 강하여 반응액 내에서 제2 금속 이온의 자체 핵화 반응을 유도하게 된다. 이에 따라, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층이 균일하게 형성되기 어렵다.For example, when ascorbic acid having a high reduction rate is used as a reducing agent conventionally used for reducing metal ions (here, the second metal precursor), the reducing power of ascorbic acid to the second metal ion is excessively strong Thereby inducing the self-nucleating reaction of the second metal ion in the reaction solution. Accordingly, it is difficult for the second metal coating layer to be uniformly formed on the surface of the first metal powder.

따라서, 본 발명과 같이 제1 금속 산화막 제거제를 사용함에 따라 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거함과 동시에 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층을 형성하기 위해서는 제1 금속 산화막 제거제에 의해 형성된 pH 분위기 하에서 적정 수준의 환원력을 유지할 수 있는 환원제로서 글루코스와 시트르산의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.Accordingly, in order to remove the oxide film formed on the surface of the first metal powder and form a uniform second metal coating layer on the surface of the first metal powder by using the first metal oxide film remover as in the present invention, It is preferable to use a mixture of glucose and citric acid as a reducing agent capable of maintaining an appropriate level of reducing power under the pH atmosphere formed by the above-mentioned method.

또한, 바람직하게는, 혼합물 중 글루코스와 시트르산의 질량비는 1:10 ~ 20:1의 범위 내이다. 즉, 시트르산에 대한 글루코스의 질량비가 과도하게 낮을 경우, 제2 금속 전구체의 충분한 환원이 이루어지기 어렵기 때문에 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층을 형성하기 어렵다.Also, preferably, the mass ratio of glucose to citric acid in the mixture is in the range of 1:10 to 20: 1. That is, when the mass ratio of glucose to citric acid is excessively low, it is difficult to form a uniform second metal coating layer on the surface of the first metal powder because the second metal precursor is not sufficiently reduced.

반면, 시트르산에 대한 글루코스의 질량비가 과도하게 많을 경우, 즉 시트르산의 함량이 과도하게 낮은 경우 제1 금속 산화막 제거제에 의해 형성된 pH 분위기 하에서 적정 수준의 환원력을 유지하기 어렵기 때문에 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층을 형성하기 어렵다.
On the other hand, when the mass ratio of glucose to citric acid is excessively high, that is, when the content of citric acid is excessively low, it is difficult to maintain a proper reducing power in a pH atmosphere formed by the first metal oxide film remover, It is difficult to form a uniform second metal coating layer.

제2 반응액 중의 제1 금속 산화막 제거제는 일차적으로 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 역할을 수행하며, 이차적으로 제2 반응액 중의 제2 금속 이온의 환원 전위를 낮춤으로써 제2 금속 이온의 자체 핵화 반응을 억제한다.The first metal oxide film remover in the second reaction liquid serves primarily to remove the oxide film formed on the surface of the first metal powder and secondarily reduces the reduction potential of the second metal ion in the second reaction liquid, It suppresses the self-nucleation reaction of ions.

이 때, 제1 금속 산화막 제거제는 에틸렌다이아민(EDA)인 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that the first metal oxide film removing agent is ethylene diamine (EDA).

여기서, EDA는 제2 금속 이온과의 착물을 형성하기 위한 착화제로서의 역할을 수행할 수 있으나, 통상적으로 사용되는 금속 착화제인 EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), 싸이오황산(thiosulfate), 암모니아(ammonia), 시안화염(cyanide), 아황산염(sulphite) 또는 싸이오요소(thiourea)와는 구별되는 것으로 이해되어야 한다.Here, EDA can act as a complexing agent for forming a complex with the second metal ion, but EDA (ethylenediaminetetraacetic acid), thiosulfate, ammonia, Cyanide, sulphite, or thiourea. The term " cyanide "

후술할 실시예에서 확인된 바와 같이, 통상적으로 사용되는 착화제에 의한 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거 효과는 EDA에 비하여 상당히 낮은 수준으로서, 본원에서 정의한 제1 금속 산화막 제거제의 범주 내로 보기 어렵다.
As has been confirmed in the examples to be described later, the removal effect of the oxide film formed on the surface of the first metal powder by the commonly used complexing agent is considerably lower than that of EDA and falls within the category of the first metal oxide film removing agent defined herein It is difficult to see.

제2 반응액 중의 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비는 1:100 이상 1:200 미만의 범위 내인 것이 바람직하다. 제2 반응액 중의 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비는 제1 금속 분말의 표면에 대한 제2 금속 코팅층의 형성 정도와도 연관된다.The molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover in the second reaction liquid is preferably in the range of 1: 100 or more and less than 1: 200. The molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover in the second reaction liquid is related to the degree of formation of the second metal coating layer on the surface of the first metal powder.

즉, 제2 금속 전구체에 대한 제1 금속 산화막 제거제의 몰비가 증가함에 따라 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거율이 증가하기 때문에, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 전구체가 환원되어 제2 금속 코팅층을 형성할 면적이 점차적으로 증가한다. That is, since the removal rate of the oxide film formed on the surface of the first metal powder increases as the molar ratio of the first metal oxide film remover to the second metal precursor increases, the second metal precursor is reduced on the surface of the first metal powder, The area for forming the two-metal coating layer gradually increases.

또한, 제2 금속 전구체에 대한 제1 금속 산화막 제거제의 몰비가 증가함에 따라 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거 속도가 증가한다.Also, as the molar ratio of the first metal oxide film remover to the second metal precursor increases, the removal rate of the oxide film formed on the surface of the first metal powder increases.

다만, 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비가 1:100 미만인 경우, 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막이 충분히 제거되지 어려우며, 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거 속도는 산화막의 재생 속도 및 제2 금속 전구체의 환원 속도보다 느리기 때문에 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층을 형성하기 어렵다.However, if the molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover is less than 1: 100, the oxide film formed on the surface of the first metal powder is difficult to remove sufficiently, It is difficult to form a uniform second metal coating layer on the surface of the first metal powder because it is slower than the regeneration speed of the second metal precursor and the reduction rate of the second metal precursor.

다시 말해, 제2 금속 전구체에 대한 제1 금속 산화막 제거제의 몰비가 증가함에 따라 불균일한 은 결정 성장 속도와 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 재생 속도보다 제1 금속 산화막 제거제에 의한 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거 속도가 상대적으로 더 빠르기 때문에 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 보다 균일하게 형성하는 것이 가능하다.In other words, as the molar ratio of the first metal oxide film remover to the second metal precursor increases, the non-uniform silver crystal growth rate and the regeneration rate of the oxide film formed on the surface of the first metal powder, It is possible to more uniformly form the second metal coating layer on the surface of the first metal powder because the removal rate of the oxide film formed on the surface of the powder is relatively faster.

반면, 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비가 1:200을 초과하는 경우, 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막의 제거뿐만 아니라 제1 금속 분말 자체에 대한 용융에 의해 오히려 제1 금속 분말과 제2 금속 코팅층 사이에 천공이 생길 수 있다.On the other hand, when the molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover is more than 1: 200, not only the removal of the oxide film formed on the surface of the first metal powder, but also the melting of the first metal powder itself, Perforations may occur between the powder and the second metal coating layer.

코어-쉘 구조를 가지는 금속 복합체의 코어에 해당하는 제1 금속 분말과 쉘에 해당하는 제2 금속 코팅층 사이의 천공은 제조된 금속 복합체의 불량, 나아가 상기 금속 복합체로 제조된 다양한 최종 물품의 전기적 특성의 저하를 야기할 수 있다.The perforation between the first metal powder corresponding to the core of the metal composite body having the core-shell structure and the second metal coating layer corresponding to the shell results in a failure of the prepared metal complex, and further, Can be reduced.

따라서, 본원에서 사용되는 제1 금속 산화막 제거제는 일차적으로 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 역할을 수행하며, 이차적으로 제2 반응액 중의 제2 금속 이온의 환원 전위를 낮춤으로써 제2 금속 이온의 자체 핵화 반응을 억제하되, 특히 제2 반응액 중의 제2 금속 전구체와의 몰비가 1:100 이상 1:200 미만의 범위 내에서 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거하여 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층을 유도하는 물질로 정의된다 할 것이다.
Therefore, the first metal oxide film removing agent used in the present invention primarily serves to remove the oxide film formed on the surface of the first metal powder, and secondly, by reducing the reduction potential of the second metal ion in the second reaction solution, It is preferable that the oxide film formed on the surface of the first metal powder is removed in a molar ratio of 1: 100 or more and less than 1: 200 in relation to the second metal precursor in the second reaction solution, And is defined as a material that induces a uniform second metal coating layer on the surface of the metal powder.

추가적으로, 본 발명에 따른 금속 복합체의 제조 방법은 단계 c)에서 제1 반응액과 제2 반응액을 반응시켜 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 일차적으로 형성한 후, 제2 금속 전구체와 착화제를 포함하는 제3 반응액과 다시 반응시켜 제2 금속 코팅층을 이차적으로 형성하는 단계 d)를 더 포함할 수 있다.In addition, in the method of manufacturing a metal complex according to the present invention, the first reaction solution and the second reaction solution are reacted in step c) to form a second metal coating layer on the surface of the first metal powder, And a second reaction liquid containing a complexing agent to form a second metal coating layer.

여기서, 제1 금속 분말의 표면에 일차적으로 형성된 제2 금속 코팅층의 결정 성장이 추가적으로 이루어진다. 이에 따라, 제2 금속 코팅층은 제1 금속 분말의 표면에 보다 균일하게 형성될 수 있다.
Here, crystal growth of the second metal coating layer formed on the surface of the first metal powder is additionally performed. Thus, the second metal coating layer can be more uniformly formed on the surface of the first metal powder.

여기서, 제3 반응액 중의 착화제는 EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), 싸이오황산(thiosulfate), 암모니아(ammonia), 시안화염(cyanide), 아황산염(sulphite) 및 싸이오요소(thiourea)로부터 선택되는 적어도 하나일 수 있으며, 이는 제2 반응액 중의 제1 금속 산화막 제거제인 EDA와 구별되는 것으로 이해되어야 한다.Here, the complexing agent in the third reaction solution is at least one selected from ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), thiosulfate, ammonia, cyanide, sulphite, and thiourea , Which is distinguished from EDA, which is the first metal oxide film remover in the second reaction solution.

상술한 바와 같이, 제3 반응액 중의 착화제는 제2 반응액 중의 제2 금속 이온과의 배위결합을 통해 제2 금속 이온-착화제의 착물을 형성함에 따라 제2 금속 이온의 환원 전위를 낮추고, 이를 통해 제2 금속 이온의 자체 핵화 반응을 억제할 수 있다.As described above, the complexing agent in the third reaction solution forms a complex of the second metal ion-complexing agent through coordination bonding with the second metal ion in the second reaction liquid, thereby lowering the reducing potential of the second metal ion , Thereby inhibiting the self-nucleating reaction of the second metal ion.

이 때, 제3 반응액 중 제2 금속 전구체와 착화제의 몰비는 1:10 ~ 1:30 범위 내인 것이 바람직하다.In this case, the molar ratio of the second metal precursor to the complexing agent in the third reaction solution is preferably in the range of 1:10 to 1:30.

제2 금속 전구체에 대한 착화제의 몰비가 상기 범위 미만인 경우, 반응 초기의 제2 금속 이온의 환원 전위가 너무 커지기 때문에 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속이 불균일하게 코팅되며, 계속된 결정 성장 단계에서 불균일한 코팅층 상에 제2 금속이 더욱 성장하게 되기 때문에 제1 금속 분말의 표면이 노출되거나 제2 금속 코팅층이 균일하게 형성되지 못할 수 있다.When the molar ratio of the complexing agent to the second metal precursor is less than the above range, the second metal is unevenly coated on the surface of the first metal powder because the reduction potential of the second metal ion at the beginning of the reaction becomes too large, The surface of the first metal powder may be exposed or the second metal coating layer may not be formed uniformly because the second metal is further grown on the non-uniform coating layer in the step.

반면, 상기 범위를 초과하는 경우, 착화제에 의한 제2 금속 이온의 환원 반응이 지나치게 억제되어 제2 금속 코팅층의 이차 형성이 원활히 이루어지기 어렵다.
On the other hand, if it exceeds the above range, the reduction reaction of the second metal ion by the complexing agent is excessively suppressed, and secondary formation of the second metal coating layer is difficult to be smoothly performed.

본 발명에 따른 금속 복합체를 제조하기 위해서, 제3 반응액을 사용하는 과정과 동일한 과정을 반복적으로 수행할 수도 있다.
In order to produce the metal complex according to the present invention, the same process as that of using the third reaction liquid may be repeatedly performed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속 복합체는 우선 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거함과 동시에 제2 금속 전구체를 환원시켜 제1 금속 분말의 표면에 일차적으로 제2 금속 코팅층을 형성한다.As described above, the metal complex according to the present invention firstly removes the oxide film formed on the surface of the first metal powder and reduces the second metal precursor to form a second metal coating layer on the surface of the first metal powder.

또한, 추가적으로 일차적으로 제2 금속 코팅층이 형성된 제1 금속 분말의 표면에 이차적으로 제2 금속 코팅층을 형성함으로써 제1 금속 분말의 표면에 균일한 제2 금속 코팅층이 형성된 금속 복합체를 제조하는 것이 가능하다.In addition, it is possible to manufacture a metal composite in which a second metal coating layer is formed on the surface of the first metal powder by forming a second metal coating layer on the surface of the first metal powder having the second metal coating layer formed thereon .

즉, 일차적으로 제2 금속 코팅층을 형성하는 단계는 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거함으로써 제2 금속 전구체가 환원될 수 있는 제1 금속 분말의 표면 영역을 증가시켜 제1 금속 분말과 제2 금속 사이의 밀착성을 향상시키는 목적의 코팅 단계이며, 이차적으로 제2 금속 코팅층을 형성하는 단계는 제1 금속 분말의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 것이 아니라 제1 금속 분말의 표면에 일차적으로 형성된 제2 금속 코팅층의 추가적인 성장을 통해 제2 금속 코팅층의 균일성을 향상시키는 목적의 코팅 단계이다.
That is, the step of forming the second metal coating layer primarily includes removing the oxide film formed on the surface of the first metal powder to increase the surface area of the first metal powder that can be reduced by the second metal precursor, The second metal coating layer may be formed on the surface of the first metal powder without removing the oxide film formed on the surface of the first metal powder, 2 is a coating step for improving the uniformity of the second metal coating layer through additional growth of the metal coating layer.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. However, the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the present invention, and thus the present invention should not be limited thereto.

실시예Example

(1) 제1 금속 분말의 전처리 및 제1 반응액의 준비(1) Pretreatment of the first metal powder and preparation of the first reaction solution

증류수에 35% HCl 14.5 g과 물 42.86 ml가 혼합된 용액에 니켈 분말 3g을 첨가하고 강하게 교반하면서 1시간 동안 반응시켰다. 원심분리 후 용액을 버리고 증류수를 첨가하여 원심분리를 3회 반복하였다. 상기 과정이 끝난 니켈 입자를 물 45 ml에 분산시키고, 글르코스 5 g과 시트르산 5 g을 첨가하였다.
3 g of nickel powder was added to a mixture of distilled water of 14.5 g of 35% HCl and 42.86 ml of water, and the mixture was reacted for 1 hour while stirring vigorously. After centrifugation, the solution was discarded, and distilled water was added thereto, followed by centrifugation three times. The above-mentioned nickel particles were dispersed in 45 ml of water, and 5 g of glucose and 5 g of citric acid were added.

(2) 제2 반응액 및 제3 반응액의 준비(2) Preparation of second reaction solution and third reaction solution

제2 반응액은 물 14.04 ml에 EDA 30.96 ml와 질산은 0.525 g가 첨가하여 제조하였으며, 제3 반응액은 물 20.23 ml에 EDTA 24.77 ml와 질산은 1.05 g가 첨가하여 제조하였다.
The second reaction solution was prepared by adding 30.96 ml of EDA and 0.525 g of silver nitrate to 14.04 ml of water. To the 20.23 ml of water, the third reaction solution was prepared by adding 24.77 ml of EDTA and 1.05 g of silver nitrate to water.

(3) 제2 금속 코팅층의 형성(1차)(3) Formation of second metal coating layer (primary)

제1 반응 용액에 제2 반응 용액 45 ml를 용액주입장치를 이용하여 시간당 20 ~ 100 ml의 속도로 500 rpm에서 첨가하여 니켈 분말의 표면에 은 코팅층을 일차적으로 형성하였다. 주입을 완료한 후, 5분 동안 추가적으로 더 반응을 시켰다.
45 ml of the second reaction solution was added to the first reaction solution at a rate of 20 to 100 ml per hour using a solution injecting apparatus at 500 rpm to form a silver coating layer on the surface of the nickel powder. After the injection was completed, additional reaction was allowed for 5 minutes.

(4) 제2 금속 코팅층의 형성(2차) 및 금속 복합체 수득(4) Formation of second metal coating layer (secondary) and obtaining metal complex

글루코스 5 g과 시트르산 5g을 더 첨가한 후, 제3 반응액 45 ml를 용액주입장치를 이용하여 시간당 20 ~ 100 ml의 속도로 500 rpm에서 첨가하여 니켈 분말의 표면에 은 코팅층을 이차적으로 형성하였다. 반응은 90분 동안 진행되었다.After addition of 5 g of glucose and 5 g of citric acid, 45 ml of the third reaction solution was added at a rate of 20 to 100 ml per hour using a solution injecting apparatus at 500 rpm to form a silver coating layer on the surface of the nickel powder . The reaction was carried out for 90 minutes.

환원반응이 종료된 후, 반응산물을 원심분리기에서 3000 rpm으로 원심분리를 실시하고, 용액을 버린 후 증류수를 첨가하여 원심분리를 3회 반복한 후 입자 세척, 건조 과정을 거쳐 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 수득하였다.
After the reduction reaction was completed, the reaction product was centrifuged at 3000 rpm in a centrifuge, and after the solution was discarded, distilled water was added and centrifugation was repeated three times, followed by particle washing and drying to obtain a core- Metal complex.

비교예Comparative Example 1 One

상기 실시예의 제2 반응액에서 EDA 대신 EDTA-암모니아를 사용한 것을 제외하고 실시예와 동일한 과정을 통해 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 수득하였다.
A metal complex of a core-shell structure was obtained in the same manner as in Example except that EDTA-ammonia was used instead of EDA in the second reaction solution of the above Example.

비교예Comparative Example 2 2

상기 실시예의 제2 반응액 중 질산은과 EDA의 몰비를 1:50으로 하였으며, 그밖의 과정은 실시예와 동일한 과정을 통해 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 수득하였다.
The molar ratio of silver nitrate to EDA in the second reaction solution in the above example was set to 1:50. In the other procedures, a metal complex of a core-shell structure was obtained in the same manner as in Example.

비교예Comparative Example 3 3

상기 실시예의 제2 반응액 중 질산은과 EDA의 몰비를 1:75로 하였으며, 그밖의 과정은 실시예와 동일한 과정을 통해 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 수득하였다.
The molar ratio of silver nitrate to EDA in the second reaction solution of the above Example was set to 1:75, and a metal complex of a core-shell structure was obtained in the same manner as in the other procedures.

비교예Comparative Example 4 4

상기 실시예의 제2 반응액 중 질산은과 EDA의 몰비를 1:200로 하였으며, 그밖의 과정은 실시예와 동일한 과정을 통해 코어-쉘 구조의 금속 복합체를 수득하였다
The molar ratio of silver nitrate to EDA in the second reaction solution of the above Example was set to 1: 200, and a metal complex of a core-shell structure was obtained in the same procedure as the other procedures

금속 복합체의 Metal complex SEMSEM 사진 분석 결과 Photo analysis results

도 1a는 비교예 1에 따라 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 SEM 사진이며, 도 1b는 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 SEM 사진이다.FIG. 1A is an SEM image of a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDTA-ammonia and a first reaction solution according to Comparative Example 1, FIG. 1B is a SEM image of a second reaction solution containing EDA and a first reaction SEM photographs of the metal complexes prepared by reacting the metal complexes.

도 1a의 SEM 사진을 참조하면, 니켈 분말의 표면에 은의 결정 성장이 비균일하게 이루어진 것을 확인할 수 있다. 이는 내산화성 금속인 니켈의 표면에 형성된 산화막이 충분히 제거되지 않은 상태에서 은이 코팅되었기 때문에 발생하는 결과이다. 반면, 도 1b의 SEM 사진을 참조하면, 니켈 분말의 표면에 은이 조밀하고 고르게 잘 밀착되어 형성된 것을 확인할 수 있다.
Referring to the SEM image of FIG. 1A, it can be seen that the crystal growth of silver is non-uniform on the surface of the nickel powder. This is a result of silver coating in a state in which the oxide film formed on the surface of nickel, which is an oxidation-resistant metal, is not sufficiently removed. On the other hand, referring to the SEM image of FIG. 1B, it can be seen that the silver is formed tightly and uniformly tightly on the surface of the nickel powder.

도 4의 A는 은 코팅층이 형성되기 전 니켈의 SEM 사진이며, B 및 C는 각각 비교예 2 및 비교예 3에 따라 질산은과 EDA의 몰비가 1:50 및 1:75일 때의 금속 복합체의 SEM 사진이다.4A is an SEM photograph of nickel before the silver coating layer is formed, and B and C are SEM images of the metal complex when the molar ratio of silver nitrate and EDA is 1:50 and 1:75, respectively, according to Comparative Example 2 and Comparative Example 3 SEM picture.

B 및 C를 참조하면, 질산은에 대한 EDA의 몰비가 증가함에 따라 니켈 분말의 표면에 은 결정이 점차적으로 성장하는 것을 확인할 수 있으나, 균일한 은 코팅층을 형성하기에는 부족하다. 즉, 니켈 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막이 충분히 제거되지 않았기 때문에 균일한 은 코팅층을 형성하는 것이 거의 불가능하다.B and C, it can be seen that as the molar ratio of EDA to silver nitrate increases, silver crystals gradually grow on the surface of the nickel powder, but it is insufficient to form a uniform silver coating layer. That is, since the nickel oxide film formed on the surface of the nickel powder is not sufficiently removed, it is almost impossible to form a uniform silver coating layer.

반면, 본 발명의 실시예에 따라 질산은과 EDA의 몰비가 1:100 및 1:150인 D 및 E를 참조하면, B 및 C에 비하여 니켈 분말의 표면에 보다 균일하게 은 결정이 성장하여 은 코팅층을 형성한 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, referring to D and E in which the molar ratios of silver nitrate and EDA are 1: 100 and 1: 150 according to an embodiment of the present invention, silver crystals grow more uniformly on the surface of nickel powder than B and C, As shown in Fig.

이는 질산은에 대한 EDA의 몰비가 증가함에 따라 제1 금속 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막의 제거율이 증가하기 때문에, 니켈 분말의 표면에 질산은이 환원되어 은 코팅층을 형성할 면적이 점차적으로 증가한다.As the molar ratio of EDA to silver nitrate increases, the removal rate of the nickel oxide film formed on the surface of the first metal powder increases, so that silver nitrate is reduced on the surface of the nickel powder and the area for forming the silver coating layer gradually increases.

즉, 질산은에 대한 EDA의 몰비가 증가함에 따라 불균일한 은 결정 성장 속도와 니켈 산화막의 재생 속도보다 니켈 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막의 제거 속도가 상대적으로 더 빠르기 때문에 니켈 분말의 표면에 은 코팅층을 보다 균일하게 형성하는 것이 가능하다.That is, as the molar ratio of EDA to silver nitrate increases, the rate of removal of the nickel oxide film formed on the surface of the nickel powder is relatively faster than the irregular silver crystal growth rate and the regeneration rate of the nickel oxide film. It is possible to form more uniformly.

다만, 비교에 4에 따라 질산은과 EDA의 몰비가 1:200인 E를 참조하면, 질산은에 대한 EDA의 몰비가 과도하게 클 경우, 니켈 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막의 제거 속도가 과도하게 빠르게 유지된다.If the molar ratio of EDA to silver nitrate is excessively large, the removal rate of the nickel oxide film formed on the surface of the nickel powder is excessively fast do.

따라서, 니켈 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막뿐만 아니라 니켈 분말 자체에 대한 용융을 유발할 수 있으며, 이에 따라 니켈 분말과 은 코팅층 사이에 천공이 생기는 것을 확인할 수 있다.
Therefore, it is possible to cause not only the nickel oxide film formed on the surface of the nickel powder but also the nickel powder itself to be melted, thereby confirming that the nickel powder and the silver coating layer are perforated.

ICPICP 분석 결과 Analysis

도 2는 비교예 1에 따라 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체와 실시예에 따라 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시켜 제조한 금속 복합체의 ICP 분석 결과를 나타낸 것이며, 도 3은 비교예에 따라 EDTA-암모니아를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시킨 후 남아있는 반응액과 실시예에 따라 EDA를 포함하는 제2 반응액과 제1 반응액을 반응시킨 후 남아있는 반응액의 ICP 분석 결과를 나타낸 것이다.
FIG. 2 is a graph showing the results of a reaction between a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDTA-ammonia and a first reaction solution according to Comparative Example 1 and a second reaction solution containing EDA and a first reaction solution, FIG. 3 is a graph showing the results of ICP analysis of a metal complex prepared by reacting a second reaction solution containing EDTA-ammonia with a first reaction solution according to a comparative example, And the ICP analysis result of the remaining reaction solution after reacting the second reaction solution containing the first reaction solution with the first reaction solution.

도 2를 참조하면, 비교예 1에 따라 제조된 금속 복합체의 니켈의 함량은 실시예에 따라 제조된 금속 복합체의 니켈의 함량보다 많은 것을 확인할 수 있다. 이는 실시예에 따라 제조된 금속 복합체의 경우, EDA에 의해 니켈 분말의 표면에 형성된 니켈 산화막의 제거가 비교예의 경우보다 많이 이루어졌기 때문인 것으로 예상할 수 있다.Referring to FIG. 2, the content of nickel in the metal composite prepared according to Comparative Example 1 is higher than that of the metal composite prepared according to the embodiment. This is because, in the case of the metal composite produced according to the embodiment, it is expected that the removal of the nickel oxide film formed on the surface of the nickel powder by EDA is performed more than in the comparative example.

또한, 도 3을 참조하면, 남아있는 반응액 중의 용융된 니켈(Dissolved Ni)의 함량은 비교예 1보다 실시예 1의 경우가 더 많은 것을 확인할 수 있다. 실시예와 비교예 1 모두 남아있는 반응액 중의 용융된 니켈이 존재한다는 점에서 EDTA-암모니아도 EDA와 유사하게 니켈을 용융시킬 수 있는 것으로 확인할 수 있다.Also, referring to FIG. 3, it can be seen that the content of molten nickel (Ni) in the remaining reaction liquid is higher in the case of Example 1 than in Comparative Example 1. It can be confirmed that EDTA-ammonia can also melt nickel similarly to EDA in that both the example and the comparative example 1 contain molten nickel in the remaining reaction solution.

다만, 니켈의 용융 정도는 EDA와 비교할 때 미미한 정도이며, 이는 EDTA-암모니아와 EDA의 니켈 산화막의 제거 속도의 차이에 기인한 것으로, EDTA-암모니아의 니켈 산화막의 제거 속도는 니켈 산화막의 재생 속도보다 느린 것으로 예상할 수 있다.
However, the degree of melting of nickel is negligible compared to that of EDA. This is due to the difference in removal rate of EDTA-ammonia and EDTA from the nickel oxide film, and the removal rate of EDTA-ammonia nickel oxide film is higher than that of nickel oxide film It can be expected to be slow.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

Claims (13)

제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하여 금속 복합체를 제조하는 방법에 있어서,
a) 제1 금속 분말과 환원제를 포함하는 제1 반응액을 제조하는 단계;
b) 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제를 포함하는 제2 반응액을 제조하는 단계; 및
c) 상기 제1 반응액과 제2 반응액을 반응시켜 상기 제1 금속 분말의 표면 상에 존재하는 제1 금속 산화막을 제거하고, 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 형성하는 단계;
를 포함하며,
여기서,
상기 제1 금속 산화막 제거제는 에틸렌다이아민(EDA)인,
금속 복합체의 제조 방법
A method for producing a metal composite by forming a second metal coating layer on a surface of a first metal powder,
a) preparing a first reaction solution comprising a first metal powder and a reducing agent;
b) preparing a second reaction solution comprising a second metal precursor and a first metal oxide film remover; And
c) reacting the first reaction solution and the second reaction solution to remove a first metal oxide film existing on the surface of the first metal powder, and forming a second metal coating layer on the surface of the first metal powder;
/ RTI >
here,
Wherein the first metal oxide film removing agent is ethylene diamine (EDA)
METHOD FOR PRODUCING METAL COMPLEX
제1항에 있어서,
상기 제1 금속 분말은 구리, 니켈, 주석, 아연, 알루미늄 및 철로부터 선택되는 적어도 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법
The method according to claim 1,
Wherein the first metal powder is at least one metal selected from copper, nickel, tin, zinc, aluminum and iron.
제1항에 있어서,
상기 환원제는 글루코스, 프룩토오스, 말토오스 및 락토오스로부터 선택되는 적어도 하나의 환원당인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the reducing agent is at least one reducing sugar selected from glucose, fructose, maltose and lactose.
제3항에 있어서,
상기 환원제는 옥살산(Oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 피멜산(pimelic acid), 수베르산(suberic acid), 아젤라산(azelaic acid), 세바스산(sebacic acid), 시트르산(citric acid), 이소시트르산(isocitric acid), 아코니트산(aconitic acid), 프로판-1,2,3-트리카르복실산(propane-1,2,3-tricarboxylic acid), 트리메스산(trimesic acid), 말레산(meleic acid) 및 타르타르산(tartaric acid)로부터 선택되는 적어도 하나의 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method of claim 3,
The reducing agent may be selected from the group consisting of oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, isocitric acid, aconitic acid, propane-1,2,3-tricarboxylic acid further comprising at least one adjuvant selected from propane-1,2,3-tricarboxylic acid, trimesic acid, meleic acid and tartaric acid. ≪ / RTI >
제4항에 있어서,
상기 환원제는 글루코스이며, 보조제로서 시트르산을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the reducing agent is glucose and further comprises citric acid as an auxiliary agent.
제5항에 있어서,
상기 글루코스와 시트르산의 질량비는 1:10 ~ 20:1의 범위 내인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the mass ratio of glucose to citric acid is in the range of 1:10 to 20: 1.
제1항에 있어서,
상기 제2 금속 전구체는 은 염, 백금 염 및 금 염으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the second metal precursor is at least one selected from silver salts, platinum salts and gold salts.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 반응액 중 제2 금속 전구체와 제1 금속 산화막 제거제의 몰비는 1:100 이상 1:200 미만의 범위 내인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the molar ratio of the second metal precursor to the first metal oxide film remover in the second reaction solution is in the range of 1: 100 to less than 1: 200.
제1항에 있어서,
상기 제조 방법은,
상기 단계 c)를 통해 상기 제1 금속 분말의 표면에 제2 금속 코팅층을 일차적으로 형성한 후,
제2 금속 전구체와 착화제를 포함하는 제3 반응액과 추가적으로 반응시켜 제2 금속 코팅층을 이차적으로 형성하는 단계 d)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
In the above manufacturing method,
Forming a second metal coating layer on the surface of the first metal powder through the step c)
Further comprising the step (d) of further forming a second metal coating layer by further reacting with a third reaction solution containing a second metal precursor and a complexing agent.
제10항에 있어서,
상기 착화제는 EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), 싸이오황산(thiosulfate), 암모니아(ammonia), 시안화염(cyanide), 아황산염(sulphite) 및 싸이오요소(thiourea)로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the complexing agent is at least one selected from ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), thiosulfate, ammonia, cyanide, sulphite, and thiourea. ≪ / RTI >
제10항에 있어서,
상기 제3 반응액 중 제2 금속 전구체와 착화제의 몰비는 1:10 ~ 1:30의 범위 내인 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the molar ratio of the second metal precursor to the complexing agent in the third reaction solution is in the range of 1:10 to 1:30.
제1항에 있어서,
상기 단계 a) 전에 제1 금속 분말을 산 또는 염기성 용액으로 전처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of pre-treating the first metal powder with an acidic or basic solution before the step a).
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