KR101675932B1

KR101675932B1 - 이미지 센서

Info

Publication number: KR101675932B1
Application number: KR1020100107627A
Authority: KR
Inventors: 유시욱; 황원석
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2010-11-01
Filing date: 2010-11-01
Publication date: 2016-11-16
Also published as: KR20120045811A

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀이 연결된 제1 컬럼 라인과 복수의 단위 픽셀이 연결된 제2 컬럼 라인; 상기 제1 컬럼 라인과 제2 컬럼 라인 사이에 연결되어 비닝 모드에서 상기 제1 컬럼 라인의 신호와 제2 컬럼 라인의 신호를 조합한 조합 신호를 출력하는 신호 조합부; 및 상기 신호 조합부의 출력 신호를 샘플링하는 샘플링 회로를 포함한다.

Description

이미지 센서{Image sensor}

본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 비닝 동작을 할 수 있는 이미지 센서에 관한 것이다.

이미지 센서(image sensor)는 빛에 반응하는 반도체의 성질을 이용하여 이미지를 포착(capture)하는 장치로서, 이미지 포착을 위해 다수의 픽셀을 포함한다. 예를 들어, CMOS 이미지 센서는 다수의 단위 픽셀(간단히, 픽셀이라 함)이 행과 열을 갖는 매트릭스 형태로 배열된 픽셀 어레이를 포함하며, 각 픽셀은 광 센싱을 위한 포토다이오드와 복수의 트랜지스터들을 갖는다. CMOS 이미지 센서의 픽셀 어레이로부터 출력된 신호는 CDS(Correlated Double Sampling) 회로를 통해 아날로그 영상 신호로 나오고, 이 아날로그 신호는 리드아웃 회로의 ADC(Analogue-to-Digital Converter)를 통해 디지털 신호로 변환된다. ADC에 의해 변환된 디지털 신호는 메모리 버스에 실려 이미지 신호 프로세서(image signal processor)에 전달된다.

CMOS 이미지 센서는 프레임 레이트의 증가 혹은 출력 이미지 사이즈의 감소 등을 위해 저해상도 모드로 동작하는 기능을 가질 수 있다. 이러한 CMOS 이미지 센서의 저해상도 모드의 동작 방식에는 2가지가 있는데, 하나는 서브 샘플링(sub-sampling) 모드의 동작이고, 다른 하나는 컬러 비닝 혹은 비닝(binning) 모드의 동작이다. 서브 샘플링 모드에서는, 노멀 모드(normal-mode)와 달리, 전체 픽셀 어레이중 일부 픽셀의 데이터만을 뽑아서 출력값으로 내보낸다. 예를 들어, 전체 N×N 픽셀에 대해서 1/4 서브 샘플링 모드로 동작할 경우 N/2 × N/2 개의 픽셀 출력만을 내보낼 수 있다. 이에 대하여, 비닝 모드 동작에서는, 이웃한 동일색 픽셀들의 출력을 더하거나 평균하여 얻은 값을 하나의 픽셀 출력값으로 내보낸다. 이러한 비닝 모드의 동작에서는, 버리게 되는 픽셀 출력 값이 없이 전체 픽셀 출력값을 이용하여 이미지를 구성하므로, 서브 샘플링 모드로 동작하는 경우보다 양질의 이미지를 얻을 수 있고 신호 대 잡음비(SNR)가 높고 동영상 지원을 위한 프레임 레이트(frame rate) 증가 측면에서 유리하다.

기존의 컬러 비닝 방법으로는, 공유 픽셀 구조(shared pixel structure)에서 같은 색의 픽셀 출력을 차지 도메인(charge domain)에서 픽셀 출력을 합치는 방식이 제안되었다. 예를 들어, 4개의 인접한 픽셀들이 플로팅 확산 영역을 통해 서로 연결된 4×1 혹은 2×2의 4-공유 픽셀 구조(4-shared pixel structure)에서 동일 색의 2개 픽셀의 트랜스퍼 트랜지스터를 동시에 온시킴으로써 2개 픽셀의 출력을 더할 수 있다. 그러나, 이러한 픽셀 비닝 방식은 단지 일부 색의 픽셀에 대해서만 수행가능하거나 기껏해야 2개의 픽셀 출력을 합칠 수 있을 뿐이다.

다른 비닝 방법으로는, CDS 회로와 같은 아날로그 회로 또는 디지털 회로에서 각 픽셀의 신호를 수신, 저장하고 이들 신호를 가산하거나 이들 신호의 평균값을 구하는 방식이 있다. 그러나, 이러한 비닝 방법은 회로를 복잡하게 하고 추가적인 타이밍 제어로 인해 이미지 센서의 프레임 레이트(frame rate)를 제한하며 특히 추가적인 상당 개수의 커패시터가 필요하게 된다.

본 발명의 실시예는 프레임 레이트의 손실을 줄일 수 있고 커패시터 등 추가적인 회로 요소의 필요성을 감소시킬 수 있으며 컬러 비닝 동작이 용이하게 수행될 수 있는 이미지 센서를 제공한다.

상기 제1 부하부와 제2 부하부는 실질적으로 동일한 임피던스를 가질 수 있다. 상기 신호 조합부는 제1 컬럼 라인의 픽셀 데이터와 제2 컬럼 라인의 픽셀 데이터의 평균값을 출력할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 직렬 연결된 부하부를 구비한 신호 조합부를 이용하여 비닝 동작시 두 컬럼의 데이터를 읽어들여 두 컬럼 라인의 출력 신호의 평균값 등 조합값을 출력할 수 있다. 추가적인 타이밍 제어에 의한 프레임 레이트의 손실이 없고 추가적인 커패시터에 따른 회로 요소들의 물리적 부담이 적다. 또한, 공유 픽셀 구조를 이용한 비닝 방식에서 발생되는 비닝 동작 가능한 색상수 혹은 픽셀수의 제한 문제를 해결할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 주요부를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 주요부를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 주요부를 나타낸 회로도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지의 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로만 한정되는 것은 아니다. 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 비닝 장치를 구비한 CMOS 이미지 센서의 주요부를 나타낸 회로도이다. 도 1을 참조하면, CMOS 이미지 센서는, 복수의 픽셀들의 로우(row, 행)와 컬럼(column, 열)을 갖는 픽셀 어레이를 포함한다. 도 1는 이러한 픽셀 어레이에서 편의상 2개의 컬럼(COL1, COL2)과 2개의 로우를 도시하고 있다. 각각의 단위 픽셀은 1개의 다이오드(PD, 110)와 2개의 트랜지스터(120, 130, 140, 150)을 포함한다. 즉, 트랜스퍼 트랜지스터(120)는 포토다이오드(110)에서 생성된 광전하를 플로팅 확산노드(FD)로 전달한다. 리셋 트랜지스터(130)는 다음 신호 검출을 위해 플로팅 확산노드(FD)에 저장되어 있는 전하를 배출하며 기준전압 레벨을 읽기 위해 온 동작을 수행한다. 드라이브 트랜지스터(140)는 게이트에 연결된 플로팅 확산 노드(FD)의 전압을 증폭하여 전기 신호를 출력한다. 셀렉트 트랜지스터(150)는 행 단위로 픽셀의 데이터 값을 읽어가도록 드라이브 트랜지스터에서 출력되는 신호의 출력을 선택 신호에 따라 스위칭한다.

단위 픽셀의 동작을 간단히 설명하면 다음과 같다. 리셋 제어신호(Rx)에 의해 리셋 트랜지스터(130)가 턴온되면 플로팅 확산노드(FD)가 하이(high) 전압으로 리셋된다. 그 후, 전송 제어신호(Tx)가 하이로 활성화되어 전송 트랜지스터(120)가 턴온되면 포토다이오드(110)의 신호가 플로팅 확산노드(FD)로 전달되고, 드라이브 트랜지스터(141)에서 증폭되어 컬럼 신호로 출력된다.

노멀 모드에서, 각 컬럼으로부터 나오는 출력 신호는 샘플링 회로, 예를 들어 CDS(410, 420)로 입력된다. CDS(410, 420)는, 각 단위 픽셀의 신호 전압과 리셋 전압(리셋시 픽셀에서 출력되는 기준 전압)을 각각 샘플링하고, 샘플링된 리셋 전압과 신호 전압에서 각각 소정의 기준 전압을 감산한 후 감산된 리셋 전압과 신호 전압의 차이를 출력한다. 이러한 CDS(410, 420)는 각 컬럼별로 하나씩의 CDS가 배치될 수 있다. 노멀 모드에서, 복수의 CDS(410, 420) 각각은 각 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 신호를 입력 받을 수 있도록 구성될 수 있다.

본 실시예의 CMOS 이미지 센서는, 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)에 연결된 신호 조합부(300)를 포함한다. 이 신호 조합부(300)는 비닝 모드에서 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)으로부터 동시에 출력되는 픽셀 데이터를 조합한 조합 신호를 CDS(410 또는 420)에 출력할 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 신호 조합부(300)는 제1 및 제2 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L) 경로(path) 사이에 연결되어 있는데, 신호 조합부(300)의 두 입력단은 스위치(SW1, SW2)를 통하여 제1 및 제2 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)에 각각 연결되고, 신호 조합부(300)의 출력단은 스위치(SW5 또는 SW6)를 통하여 CDS(410 또는 420)에 연결될 수 있다. 신호 조합부(300)는 제1 및 제2 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L) 사이에 연결된 부하열(310, 320)을 포함한다. 이 부하열(310, 320)은 서로 직렬로 연결된 제1 부하부(310)와 제2 부하부(320)를 포함한다. 부하열(310, 320) 중간의 연결노드(즉, 제1 부하부(310)와 제2 부하부(320) 간의 연결 노드)(A)를 탭핑(tapping)하여 신호 조합부(300)의 출력단으로 인출할 수 있다.

제1 부하부(310)와 제2 부하부(320)는 실질적으로 동일한 임피던스를 가질 수 있다. 이 경우, 제1 부하부(310)와 제2 부하부(320)의 연결 노드(A)에는 제1 컬럼 라인(COL1_L)과 제2 컬럼 라인(COL2_L) 전압의 평균 전압이 걸릴 수 있다. 이에 따라, 동일한 임피던스를 갖는 2개의 부하를 연결한 부하열(310, 320)의 연결 노드(A)를 출력단으로 탭핑함으로써 두 컬럼 라인(COL1, COL2)에서 나오는 두 픽셀 데이터의 평균값을 효과적으로 얻어낼 수 있다. 이에 따라, 동시에 읽어들인 두 픽셀 데이터의 중간값을 아날로그 회로부 및 디지탈 회로부로 보내서 처리할 수 있게 된다.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 이미지 센서에는, 비닝 모드의 신호 경로와 노멀 모드의 신호 경로를 선택하는 스위칭부(SW1, SW2, SW3, SW4, SW5, SW6)가 구비되어 있다. 스위칭부(SW1~SW6)는 제어부(50)의 스위칭 제어 신호에 의해 스위칭 동작의 제어를 받고, 선택된 모드(비닝 모드 혹은 노멀 모드)에 따라 신호 조합부(300)와 CDS(410 또는 420)를 서로 연결시키거나 그 연결을 차단한다. 즉, 스위칭부(SW1~SW6)는 비닝 모드에서 신호 조합부(300)와 샘플링 회로(410 또는 420)를 서로 연결시키고, 노멀 모드에서는 신호 조합부(300)와 샘플링 회로(410, 420)의 연결을 차단한다.

예를 들어, 노멀 모드에서는, 스위치(SW1, SW2, SW5, SW6)가 오프(개방)되고 스위치(SW3, SW4)가 온되어(닫혀), 신호 조합부(300)와 CDS(410, 420) 간의 연결은 차단되고 제1 컬럼 라인(COL1_L) 및 제2 컬럼 라인(COL2_L)의 픽셀 데이터는 각각의 CDS(410, 420)로 들어간다. 이에 따라, 각각의 CDS(410, 420)은 각 컬럼 라인의 신호를 샘플링한다. 그러나, 비닝 모드에서는, 스위치(SW1, SW2, SW5)가 온되고(닫히고) 스위치(SW3, SW4, SW6)가 오프(개방)되어, 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)과 신호 조합부(300)와 CDS(410) 간의 신호 경로가 형성된다. 이에 따라 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)에서 동시에 출력되는 데이터의 조합값(예를 들어, 평균값)이 CDS(410)로 입력되고, CDS(410)는 이 조합값의 신호를 샘플링한다.

비닝 모드에서는, 스위치(SW3, SW4)가 오프되고 스위치(SW1, SW2)가 온되지만 스위치(SW5, SW6)는 둘다 온되거나 어느 하나만 온될 수 있다. 예를 들어, 비닝 모드에서, 스위치(SW1, SW2, SW6)가 온되고 스위치(SW3, SW4, SW5)가 오프될 수 있다. 이 경우, 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 조합값(예를 들어, 평균값)은 CDS(420)로 입력된다. 다른 방안으로서, 비닝 모드에서, 스위치(SW1, SW2, SW5, SW6)이 온되고 스위치(SW3, SW4)가 오프될 수 있다. 이 경우, 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 조합값(예를 들어, 평균값)은 CDS(410) 및 CDS(420)로 입력된다.

본 실시예에 따르면, 비닝 모드에서 두 컬럼의 픽셀 데이터를 동시에 읽어냄으로써 컬럼 라인 사이에 연결된 부하열의 탭핑에 의해 두 컬럼 라인의 픽셀 데이터의 평균값을 쉽게 얻어낼 수 있는데, 이러한 비닝 동작을 위해서는, 종래 비닝 모드에서 요구되었던 상당한 수의 추가적인 커패시터나 회로 부가 혹은 추가적인 타이밍 제어가 불필요하게 된다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 주요부를 나타내며, 특히 도 1에 도시된 신호 조합부(300)의 부하열(310, 320)로서 저항열(310a, 320a)을 사용한 예를 나타낸다. 도 2를 참조하면, CMOS 이미지 센서는 픽셀 어레이의 이웃하는 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L) 경로 사이에 연결된 신호 조합부(300a)를 포함한다. 이 신호 조합부(300a)는 서로 직렬 연결된 제1 저항(310a)과 제2 저항(320a)를 포함한다. 제1 저항(310a)의 일단은 제1 컬럼 라인(COL1_L)에 연결되고 제2 저항(320a)의 일단은 제2 컬럼 라인(COL2_L)에 연결된다. 두 저항(310a, 320a)의 연결 노드(A)로부터 신호 조합부(300a)의 출력단이 인출된다. 비닝 모드시, 신호 조합부(300a)로부터 두 컬럼 라인의 픽셀 데이터의 조합 신호(예컨대, 두 컬럼 라인의 픽셀 데이터의 평균값)가 출력된다. 스위칭부(SW1~SW6)는, 도 1을 참조하여 이미 설명한 바와 같이, 동작 모드(노멀 모드, 비닝 모드)에 따라 신호 조합부(300a)와 샘플링 회로(410, 420) 간의 연결, 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)과 샘플링 회로(410, 420) 간의 연결, 및 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)과 신호 조합부(300a) 간 연결을 스위칭한다. 비닝 모드에서는 신호 조합부(300a)의 출력 신호가 CDS(410 또는 420)로 출력되지만, 노멀 모드에서는 신호 조합부(300a)와 샘플링 회로(410, 420) 간의 연결이 차단되고 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 통상적인 픽셀 신호가 각각의 CDS(410, 420)로 출력된다.

도 2를 참조하면, 제1 저항(310a)과 제2 저항(320a)은 실질적으로 동일한 저항값을 가질 수 있다. 이 경우, 비닝 모드에서 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 출력 전압의 평균값이 저항열(310a, 320a)의 연결노드(A)에 걸리게 된다. 이에 따라 연결 노드(A)에 접속된 신호 조합부(310a, 320a)의 출력단은, 비닝 모드에서 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 픽셀 데이터의 평균값을 효과적으로 출력할 수 있다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 주요부를 나타내며, 특히 비닝 장치의 부하열로서 트랜지스터 열을 사용한 예를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 이웃하는 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 경로 사이에 연결된 신호 조합부(300b)는, 서로 직렬로 연결된 제1 트랜지스터(310b)와 제2 트랜지스터(320b)를 포함한다. 각 트랜지스터(310b, 320b)로는 예를 들어 MOSFET(Field Effect Transistor)이 사용될 수 있으며, P-MOSFET 혹은 N-MOSFET, 또는 CMOS가 사용될 수 있다. 부하열로서 트랜지스터열을 사용할 경우에는, 이 트랜지스터의 온저항을 부하로 사용하고 전술한 스위치(SW1, SW2; 도 1 및 2 참조)는 트랜지스터의 온/오프 스위칭 기능으로 대체될 수 있다. 따라서, 전술한 실시예와 달리, 별도의 스위치(SW1, SW2) 없이도 트랜지스터(310b, 320b)로 기존의 스위치(SW1, SW2) 기능을 수행할 수 있다. 이러한 스위칭 기능을 위해서, 제어부(50)는 스위치(SW3~SW6) 뿐만 아니라 트랜지스터(310b, 320b)의 온/오프 동작을 제어한다.

도 3을 참조하면, 제1 트랜지스터(310b)의 소스/드레인 일단은 제1 컬럼 라인(COL1_L)에 연결되고, 제2 트랜지스터(320b)의 소스/드레인 일단은 제2 컬럼 라인(COL2_L)에 연결된다. 여기서, '소 스/드레인'은 소스 또는 드레인을 통칭하는 의미로 사용된다. 두 트랜지스터(310b, 320b)의 소스 또는 드레인이 한데 연결되고 그 연결 노드(A)에서 출력단이 인출된다. 비닝 모드시, 신호 조합부(300b)로부터 두 컬럼 라인(COL1_L, CL2_L)의 픽셀 데이터의 조합 신호(예컨대, 두 컬럼의 픽셀 데이터의 평균값)가 출력된다.

노멀 모드에서는, 스위치(SW5, SW6)와 트랜지스터(310b, 320b)가 오프되고, 스위치(SW3, SW4)가 온된다. 이에 따라, 신호 조합부(300b)와 샘플링 회로(410, 420)간의 연결이 차단되고, 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 픽셀 신호가 각각의 CDS(410, 420)로 들어가서 샘플링된다. 비닝 모드에서는, 스위치(SW3, SW5)가 오프되고 트랜지스터(310b, 320b)가 온되고 2개의 스위치(SW5, SW6) 중 적어도 하나가 온된다. 이에 따라, 신호 조합부(300b)는 제1 컬럼 라인(COL1_L)의 픽셀 신호와 제2 컬럼 라인(COL2_L)의 픽셀 신호의 조합값을 2개의 CDS(410, 420) 중 적어도 하나에 출력한다.

도 3을 참조하면, 제1 트랜지스터(310b)와 제2 트랜지스터(320b)는 실질적으로 동일한 임피던스를 가질 수 있다. 예를 들어, 비닝 모드시, 각 트랜지스터(310b, 320b)의 게이트에 동작 전압을 인가할 경우, 두 트랜지스터(310b, 320b)의 채널을 통해 흐르는 전류에 대하여 동일한 임피던스를 제공할 수 있다. 이 경우, 비닝 모드에서, 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 출력 전압의 평균값이 트랜지스터 열(310b, 320b)의 연결 노드(A)에 걸리게 된다. 이에 따라, 연결 노드(A)에 접속된 신호 조합부(300b)의 출력단은 두 컬럼 라인(COL1_L, COL2_L)의 픽셀 데이터의 평균값을 효과적으로 출력할 수 있다.

상술한 바와 같이, 두 컬럼 라인들의 경로 사이에 부하열을 접속하고 그 부하열 내의 접속 노드를 탭핑함으로써, 비닝 모드시 두 컬럼 라인들의 픽셀 데이터를 효과적이고 손쉽게 조합 처리할 수 있다. 상술한 비닝 방식은 일반적으로 n배 비닝의 구현이나 다중 출력 채널 구조에도 적용 또는 응용될 수 있다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

300, 300a, 300b: 신호조합부 310: 제1 부하부
320: 제2 부하부 330: 스위칭부
410, 420: CDS

Claims

복수의 단위 픽셀이 연결된 제1 컬럼 라인과 복수의 단위 픽셀이 연결된 제2 컬럼 라인;
상기 제1 컬럼 라인과 제2 컬럼 라인 사이에 연결되어 비닝 모드에서 상기 제1 컬럼 라인의 신호와 제2 컬럼 라인의 신호를 조합한 조합 신호를 출력하는 신호 조합부; 및
비닝 모드에서 상기 신호 조합부의 출력 신호를 샘플링하는 샘플링 회로를 포함하는 이미지 센서.
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제1항에 있어서,
상기 신호 조합부는, 상기 제1 컬럼 라인에 연결된 제1 부하부와, 상기 제2 컬럼 라인에 연결되고 상기 제1 부하부와 직렬로 연결된 제2 부하부를 포함하고, 비닝 모드에서 상기 제1 부하부와 제2 부하부의 연결 노드에 접속된 출력단을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제2항에 있어서,
상기 제1 부하부와 제2 부하부는 동일한 임피던스를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제1항에 있어서,
상기 신호 조합부는 상기 제1 컬럼 라인의 픽셀 데이터와 제2 컬럼 라인의 픽셀 데이터의 평균값을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제2항에 있어서,
상기 제1 부하부와 제2 부하부는 서로 직렬 연결된 제1 저항과 제2 저항인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제5항에 있어서,
상기 제1 저항과 제2 저항은 동일한 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제2항에 있어서,
상기 제1 부하부와 제2 부하부는 서로 직렬 연결된 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제7항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터는 각 트랜지스터의 소스 또는 드레인에서 서로 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제7항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터는 동일한 임피던스를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

제1항에 있어서,
비닝 모드에서 상기 신호 조합부와 샘플링 회로를 서로 연결시키고 노멀 모드에서 상기 신호 조합부와 샘플링 회로의 연결을 차단하는 스위칭부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.